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KR20190070770A - Display Device - Google Patents

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KR20190070770A
KR20190070770A KR1020170171623A KR20170171623A KR20190070770A KR 20190070770 A KR20190070770 A KR 20190070770A KR 1020170171623 A KR1020170171623 A KR 1020170171623A KR 20170171623 A KR20170171623 A KR 20170171623A KR 20190070770 A KR20190070770 A KR 20190070770A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
subpixel
sub
pixel
light emitting
color filter
Prior art date
Application number
KR1020170171623A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
타니료스케
이원재
이승현
김상태
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170171623A priority Critical patent/KR20190070770A/en
Publication of KR20190070770A publication Critical patent/KR20190070770A/en

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Abstract

The present invention relates to a display device capable of increasing display quality by preventing light leakage. According to an embodiment of the present invention, the display device comprises a first sub-pixel located on a substrate. The first sub-pixel includes: a gate line located on the substrate; a first data line crossing the gate line; a light emitting region arranged in parallel with the first data line and including an organic light emitting diode; and a circuit region arranged to be adjacent to the light emitting region with the gate line interposed therebetween and including a plurality of thin film transistors and capacitors.

Description

표시장치{Display Device}[0001]

본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 빛샘을 방지하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device capable of preventing light leakage and improving display quality.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기영동표시장치(Electrophoretic Display Device: ED) 등이 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. The display field has rapidly changed to a thin, light, and large-area flat panel display device (FPD) that replaces bulky cathode ray tubes (CRTs). The flat panel display includes a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic light emitting display (OLED), and an electrophoretic display device : ED).

이 중 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 자발광 소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 특히, 유기발광표시장치는 유연한(flexible) 플렉서블 기판 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 전계발광(EL) 디스플레이에 비해 낮은 전압에서 구동 가능하고 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다.Among these organic electroluminescent display devices, self-luminous elements emit self-luminous elements, which have the advantage of high response speed and high luminous efficiency, brightness and viewing angle. In particular, the organic light emitting display device can be formed on a flexible flexible substrate, and can be driven at a lower voltage than a plasma display panel or an inorganic electroluminescence (EL) display, and the power consumption is relatively low It has the advantage of excellent color.

유기발광표시장치는 적색, 녹색 및 청색의 3개의 서브픽셀이 하나의 단위 픽셀을 구성하거나, 백색을 더하여 4개의 서브픽셀이 하나의 단위 픽셀을 구성한다. 유기발광표시장치는 각 서브픽셀의 개구율을 증가시켜 표시 품질을 향상시키기 위한 설계가 시도되고 있다. 이때, 각 서브픽셀의 발광영역가 서로 인접하게 배치됨에 따라 인접한 서브픽셀의 광이 다른 서브픽셀을 통해 방출되는 빛샘이 발생하는 문제가 있다. In the organic light emitting diode display, three subpixels of red, green, and blue form one unit pixel, or four subpixels constitute one unit pixel by adding white. The organic light emitting display device is designed to improve the display quality by increasing the aperture ratio of each subpixel. At this time, since the light emitting regions of the respective subpixels are disposed adjacent to each other, a light leakage occurs in which light of adjacent subpixels is emitted through the other subpixels.

본 발명은 빛샘을 방지하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device capable of preventing light leakage and improving display quality.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판 상에 위치하는 제1 서브픽셀을 포함하며, 상기 제1 서브픽셀은 상기 기판 상에 위치하는 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 교차하는 제1 데이터 라인, 상기 제1 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 및 상기 게이트 라인을 사이에 두고 상기 발광영역과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함한다.In order to achieve the above object, a display device according to an embodiment of the present invention includes a first sub-pixel positioned on a substrate, the first sub-pixel including a gate line positioned on the substrate, A light emitting region disposed in parallel with the first data line and including an organic light emitting diode and a plurality of thin film transistors and capacitors arranged adjacent to the light emitting region across the gate line, Lt; / RTI >

상기 제1 서브픽셀에 인접한 제2 서브픽셀을 포함하며, 상기 제2 서브픽셀은 상기 게이트 라인과 교차하는 제2 데이터 라인, 상기 제2 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 및 상기 게이트 라인을 사이에 두고 상기 발광영역과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함한다.And a second sub-pixel adjacent to the first sub-pixel, wherein the second sub-pixel includes a second data line crossing the gate line, an emission region disposed in parallel with the second data line and including an organic light- And a circuit region disposed adjacent to the light emitting region with the gate line therebetween, and including a plurality of thin film transistors and a capacitor.

상기 제1 서브픽셀의 발광영역과 상기 제2 서브픽셀의 회로영역은 상기 게이트 라인을 기준으로 같은 편에 위치한다.The light emitting region of the first sub pixel and the circuit region of the second sub pixel are located on the same side with respect to the gate line.

상기 제1 서브픽셀의 바깥 측에 상기 제1 데이터 라인과 나란하며, 상기 제1 서브픽셀과 상기 제2 서브픽셀에 각각 공유된 제1 전원라인을 포함한다.And a first power line that is aligned with the first data line on the outside of the first subpixel and is shared by the first subpixel and the second subpixel, respectively.

상기 제2 서브픽셀의 바깥 측에 상기 제1 서브픽셀과 상기 제2 서브픽셀에 각각 공유된 센싱라인을 포함한다.And a sensing line shared on the outer side of the second sub-pixel with the first sub-pixel and the second sub-pixel, respectively.

상기 센싱라인을 기준으로 상기 제1 서브픽셀 및 상기 제2 서브픽셀과 이웃하는 제3 서브픽셀 및 제4 서브픽셀을 포함하며, 상기 센싱라인은 상기 제3 서브픽셀 및 제4 서브픽셀에 공유된다.And a third subpixel and a fourth subpixel neighboring the first subpixel and the second subpixel with respect to the sensing line, and the sensing line is shared by the third subpixel and the fourth subpixel .

상기 제3 서브픽셀은 상기 센싱라인과 나란한 제3 데이터 라인을 포함하고, 상기 제4 서브픽셀은 상기 제3 데이터 라인과 인접하여 나란한 제4 데이터 라인을 포함한다.The third sub-pixel includes a third data line parallel to the sensing line, and the fourth sub-pixel includes a fourth data line adjacent to the third data line.

상기 제3 서브픽셀과 상기 제4 서브픽셀은 각각, 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 및 상기 게이트 라인을 사이에 두고 상기 발광영역과 이웃하여 배치되고 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함한다.The third subpixel and the fourth subpixel each include a light emitting region including an organic light emitting diode and a circuit region disposed adjacent to the light emitting region and including a plurality of thin film transistors and a capacitor, .

상기 제3 서브픽셀의 발광영역과 상기 제4 서브픽셀의 회로영역은 상기 게이트 라인을 기준으로 같은 편에 위치하며, 상기 제1 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제2 서브픽셀의 회로영역과 같은 선 상에 위치한다.The light emitting region of the third subpixel and the circuit region of the fourth subpixel are located on the same side with respect to the gate line, and the same line as the light emitting region of the first subpixel and the circuit region of the second subpixel, Lt; / RTI >

상기 제4 서브픽셀의 바깥 측에 상기 제4 데이터 라인과 나란하며, 상기 제3 서브픽셀과 상기 제4 서브픽셀에 각각 공유된 제2 전원라인을 포함한다.And a second power line that is parallel to the fourth data line on the outside of the fourth subpixel and is shared by the third subpixel and the fourth subpixel, respectively.

상기 제1 서브픽셀은 적색 컬러필터와 중첩하여 적색을 방출하고, 상기 제2 서브픽셀은 백색을 방출하며, 상기 제3 서브픽셀은 청색 컬러필터와 중첩하여 청색을 방출하고 상기 제4 서브픽셀은 녹색 컬러필터와 중첩하여 녹색을 방출한다.The first sub-pixel overlaps with the red color filter to emit red, the second sub-pixel emits white, the third sub-pixel overlaps with the blue color filter to emit blue, and the fourth sub- It overlaps with the green color filter and emits green.

상기 적색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제2 서브픽셀의 회로영역에 중첩하고, 상기 청색 컬러필터는 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제4 서브픽셀의 회로영역에 중첩하며, 상기 녹색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 회로영역, 상기 제3 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제4 서브픽셀의 발광영역에 중첩한다.Wherein the red color filter overlaps the light emitting area of the first sub pixel and the circuit area of the second sub pixel and the blue color filter overlaps the light emitting area of the third sub pixel and the circuit area of the fourth sub pixel And the green color filter overlaps the circuit region of the first subpixel, the circuit region of the third subpixel, and the emission region of the fourth subpixel.

상기 적색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 발광영역 및 회로영역에 중첩하고, 상기 청색 컬러필터는 상기 제2 서브픽셀의 회로영역, 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제3 서브픽셀의 회로영역에 중첩하며, 상기 녹색 컬러필터는 상기 제3 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제4 서브픽셀의 발광영역에 중첩한다.Wherein the red color filter overlaps the light emitting region and the circuit region of the first sub pixel and the blue color filter overlaps the circuit region of the second sub pixel, the light emitting region of the third sub pixel, Region, and the green color filter overlaps the light emitting region of the circuit region of the third subpixel and the light emitting region of the fourth subpixel.

상기 제1 서브픽셀은 적색 컬러필터와 중첩하여 적색을 방출하고, 상기 제2 서브픽셀은 백색을 방출하며, 상기 제3 서브픽셀은 녹색 컬러필터와 중첩하여 녹색을 방출하고 상기 제4 서브픽셀은 청색 컬러필터와 중첩하여 청색을 방출한다.The first sub-pixel overlaps with the red color filter to emit red, the second sub-pixel emits white, the third sub-pixel overlaps with the green color filter to emit green, and the fourth sub- Overlap with the blue color filter to emit blue.

상기 적색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제2 서브픽셀의 회로영역에 중첩하고, 상기 녹색 컬러필터는 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제4 서브픽셀의 회로영역에 중첩하며, 상기 청색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 회로영역, 상기 제3 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제4 서브픽셀의 발광영역에 중첩한다.Wherein the red color filter overlaps the light emitting area of the first sub pixel and the circuit area of the second sub pixel and the green color filter overlaps the light emitting area of the third sub pixel and the circuit area of the fourth sub pixel And the blue color filter overlaps the circuit region of the first subpixel, the circuit region of the third subpixel, and the emission region of the fourth subpixel.

상기 제1 서브픽셀의 회로영역과 상기 제2 서브픽셀의 발광영역은 상기 게이트 라인을 기준으로 같은 편에 위치하며, 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제4 서브픽셀의 회로영역과 상기 게이트 라인을 기준으로 같은 편에 위치한다.The circuit region of the first subpixel and the emission region of the second subpixel are located on the same side with respect to the gate line, and the circuit region of the third subpixel and the circuit region of the fourth subpixel, It is located on the same side with respect to the line.

상기 제1 서브픽셀은 백색을 방출하며, 상기 제2 서브픽셀은 적색 컬러필터와 중첩하여 적색을 방출하고, 상기 제3 서브픽셀은 녹색 컬러필터와 중첩하여 녹색을 방출하고 상기 제4 서브픽셀은 청색 컬러필터와 중첩하여 청색을 방출한다.The first sub-pixel emits white, the second sub-pixel overlaps the red color filter to emit red, the third sub-pixel overlaps the green color filter to emit green, and the fourth sub- Overlap with the blue color filter to emit blue.

상기 적색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제2 서브픽셀의 발광영역에 중첩하고, 상기 청색 컬러필터는 상기 제2 서브픽셀의 회로영역, 상기 제3 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제4 서브픽셀의 발광영역에 중첩하며, 상기 녹색 컬러필터는 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제4 서브픽셀의 회로영역에 중첩한다.Wherein the red color filter overlaps the circuit region of the first subpixel and the emission region of the second subpixel, and the blue color filter overlaps the circuit region of the second subpixel, the circuit region of the third subpixel, Overlap the emission region of the fourth subpixel, and the green color filter overlaps the emission region of the third subpixel and the circuit region of the fourth subpixel.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 서브픽셀의 발광영역들 사이에 다른 서브픽셀의 회로영역을 배치함으로써, 인접한 서브픽셀들 간의 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The display device according to the embodiment of the present invention can prevent the light leakage between adjacent sub-pixels from being generated by disposing the circuit region of another sub-pixel between the light emitting regions of the sub-pixel.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 어느 하나의 컬러필터가 제1 서브픽셀의 발광영역 및 제2 서브픽셀의 회로영역에 중첩하여 배치됨으로써, 제1 서브픽셀의 발광영역의 광이 제2 서브픽셀의 회로영역으로 새더라도 상기 컬러필터를 통해 방출되기 때문에 항상 일정한 스펙트럼의 빛을 나오게 할 수 있다. 따라서, 빛샘의 양을 컬러필터로 최대한 줄일 수 있어 저계조 화질의 품위를 향상시키고 계조 표현력을 향상시킬 수 있다. In addition, in the display device according to the embodiment of the present invention, any one of the color filters is disposed in overlapping with the light emitting region of the first subpixel and the circuit region of the second subpixel, Even if it is leaked into the circuit area of two subpixels, it is emitted through the color filter, so that light of a constant spectrum can always be emitted. Therefore, the amount of light leakage can be reduced to a minimum with a color filter, thereby improving the quality of the low-gradation image quality and enhancing the gradation expression.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 같은 색을 방출하는 서브픽셀들의 컬러필터를 연속적으로 형성함으로써, 컬러필터의 제조 공정을 용이하게 할 수 있다.Further, the display device according to the embodiment of the present invention can facilitate the manufacturing process of the color filter by continuously forming the color filter of the sub-pixels emitting the same color.

도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 서브픽셀의 개략적인 회로 구성도.
도 3은 서브픽셀의 상세 회로 구성도.
도 4는 표시 패널의 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 개략적으로 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면.
도 7은 도 6의 절취선 A-A'에 따라 절취한 단면도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 간략히 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 회로도.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 상세히 나타낸 도면.
도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 서브픽셀과 컬러필터의 배치를 모식화한 도면.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치의 서브픽셀과 컬러필터의 배치를 모식화한 도면.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시장치의 서브픽셀과 컬러필터의 배치를 모식화한 도면.
도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시장치의 서브픽셀과 컬러필터의 배치를 모식화한 도면.
도 15는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 도면.1 is a schematic block diagram of an organic light emitting diode display.
2 is a schematic circuit configuration diagram of a subpixel.
3 is a detailed circuit diagram of a subpixel.
4 is a sectional view of a display panel;
Figure 5 schematically illustrates a planar layout of subpixels according to the present invention;
6 illustrates a planar layout of a subpixel of the present invention.
7 is a cross-sectional view taken along the cutting line A-A 'in Fig. 6;
8 is a simplified plan view layout of subpixels in accordance with an embodiment of the present invention.
9 is a circuit diagram of subpixels according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 illustrates a detailed layout of subpixels according to an embodiment of the present invention; FIG.
11 is a diagram schematically illustrating the arrangement of sub-pixels and color filters of a display apparatus according to the first embodiment of the present invention.
12 is a schematic diagram showing the arrangement of sub-pixels and color filters of a display device according to a second embodiment of the present invention.
13 is a schematic diagram showing the arrangement of sub-pixels and color filters in a display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a schematic diagram showing the arrangement of sub-pixels and color filters in a display device according to a fourth embodiment of the present invention; FIG.
15 shows a display device according to the first embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description, a detailed description of known technologies or configurations related to the present invention will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily obscured. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products.

본 발명에 따른 표시장치는 유리 기판 또는 플렉서블 기판 상에 표시소자가 형성된 표시장치이다. 표시장치의 예로, 유기발광표시장치, 액정표시장치, 전기영동표시장치 등이 사용 가능하나, 본 발명에서는 유기발광표시장치를 예로 설명한다. 유기발광표시장치는 애노드인 제1 전극과 캐소드인 제2 전극 사이에 유기물로 이루어진 유기막층을 포함한다. 따라서, 제1 전극으로부터 공급받는 정공과 제2 전극으로부터 공급받는 전자가 유기막층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하는 자발광 표시장치이다. A display device according to the present invention is a display device in which a display element is formed on a glass substrate or a flexible substrate. As an example of the display device, an organic light emitting display device, a liquid crystal display device, an electrophoretic display device, or the like can be used. In the present invention, an organic light emitting display device will be described as an example. The organic light emitting diode display includes an organic layer between the first electrode, which is an anode, and the second electrode, which is a cathode. Therefore, the holes supplied from the first electrode and the electrons supplied from the second electrode are combined in the organic layer to form excitons, which are hole-electron pairs, and the excitons emit light by energy generated when the excitons return to the ground state Emitting display device.

도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 서브픽셀의 개략적인 회로 구성도이며, 도 3은 서브픽셀의 상세 회로 구성도이고, 도 4는 표시 패널의 단면도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device, FIG. 2 is a schematic circuit configuration diagram of a subpixel, FIG. 3 is a detailed circuit configuration diagram of a subpixel, and FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기발광표시장치에는 영상 처리부(110), 타이밍 제어부(120), 데이터 구동부(130), 스캔 구동부(140) 및 표시 패널(150)이 포함된다.1, the OLED display includes an image processor 110, a timing controller 120, a data driver 130, a scan driver 140, and a display panel 150.

영상 처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터 신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(110)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다.The image processing unit 110 outputs a data enable signal DE together with a data signal DATA supplied from the outside. The image processing unit 110 may output at least one of a vertical synchronizing signal, a horizontal synchronizing signal, and a clock signal in addition to the data enable signal DE, but these signals are omitted for convenience of explanation.

타이밍 제어부(120)는 영상 처리부(110)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터 신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(120)는 구동신호에 기초하여 스캔 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다.The timing controller 120 receives a data signal DATA from a video processor 110 in addition to a data enable signal DE or a driving signal including a vertical synchronizing signal, a horizontal synchronizing signal, and a clock signal. The timing controller 120 includes a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the scan driver 140 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 130, .

데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 데이터 신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터 라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터 신호(DATA)를 출력한다. 데이터 구동부(130)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성될 수 있다.The data driver 130 samples and latches the data signal DATA supplied from the timing controller 120 in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 120 and converts the sampled data signal into a gamma reference voltage . The data driver 130 outputs the data signal DATA through the data lines DL1 to DLn. The data driver 130 may be formed in the form of an IC (Integrated Circuit).

스캔 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔 신호를 출력한다. 스캔 구동부(140)는 게이트 라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 스캔 신호를 출력한다. 스캔 구동부(140)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되거나 표시 패널(150)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.The scan driver 140 outputs a scan signal in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 120. The scan driver 140 outputs a scan signal through the gate lines GL1 to GLm. The scan driver 140 is formed in the form of an integrated circuit (IC) or a gate-in-panel (GATE) panel in the display panel 150.

표시 패널(150)은 데이터 구동부(130) 및 스캔 구동부(140)로부터 공급된 데이터 신호(DATA) 및 스캔 신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(150)은 영상을 표시할 수 있도록 동작하는 서브픽셀들(SP)을 포함한다.The display panel 150 displays an image corresponding to the data signal DATA and the scan signal supplied from the data driver 130 and the scan driver 140. The display panel 150 includes sub-pixels SP that operate to display an image.

서브픽셀들(SP)은 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀을 포함하거나 백색 서브픽셀, 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀을 포함한다. 서브픽셀들(SP)은 발광 특성에 따라 하나 이상 다른 발광 면적을 가질 수 있다.The subpixels SP include a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel or a white subpixel, a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel. The subpixels SP may have one or more different emission areas depending on the emission characteristics.

도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 서브픽셀에는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 보상회로(CC) 및 유기 발광다이오드(OLED)가 포함된다.As shown in FIG. 2, one sub-pixel includes a switching transistor SW, a driving transistor DR, a capacitor Cst, a compensation circuit CC, and an organic light emitting diode OLED.

스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 공급된 스캔신호에 응답하여 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터 신호가 커패시터(Cst)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압에 따라 전원 라인(EVDD)(고전위전압)과 캐소드 전원 라인(EVSS)(저전위전압) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.The switching transistor SW is operated so that a data signal supplied through the first data line DL1 is stored as a data voltage in the capacitor Cst in response to a scan signal supplied through the first gate line GL1. The driving transistor DR operates so that the driving current flows between the power supply line EVDD (high potential voltage) and the cathode power supply line EVSS (low potential voltage) in accordance with the data voltage stored in the capacitor Cst. The organic light emitting diode OLED operates to emit light in accordance with the driving current generated by the driving transistor DR.

보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위해 서브픽셀 내에 추가된 회로이다. 보상회로(CC)는 하나 이상의 트랜지스터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 외부 보상 방법에 따라 매우 다양한바 이에 대한 예시를 설명하면 다음과 같다.The compensation circuit CC is a circuit added in the sub-pixel to compensate the threshold voltage of the driving transistor DR and the like. The compensation circuit CC is composed of one or more transistors. The configuration of the compensation circuit (CC) varies greatly according to the external compensation method. An example of the compensation circuit (CC) is as follows.

도 3에 도시된 바와 같이, 보상회로(CC)에는 센싱 트랜지스터(ST)와 센싱 라인(VREF)(또는 레퍼런스라인)이 포함된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극과 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이(이하 센싱노드)에 접속된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 센싱 라인(VREF)을 통해 전달되는 초기화전압(또는 센싱전압)을 구동 트랜지스터(DR)의 센싱 노드에 공급하거나 구동 트랜지스터(DR)의 센싱 노드 또는 센싱 라인(VREF)의 전압 또는 전류를 센싱할 수 있도록 동작한다.As shown in Fig. 3, the compensation circuit CC includes a sensing transistor ST and a sensing line VREF (or a reference line). The sensing transistor ST is connected between the source electrode of the driving transistor DR and the anode electrode of the organic light emitting diode OLED (hereinafter referred to as a sensing node). The sensing transistor ST supplies the initialization voltage (or sensing voltage) transmitted through the sensing line VREF to the sensing node of the driving transistor DR or the voltage of the sensing node VREF Or to sense the current.

스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 데이터 라인(DL1)에 드레인 전극이 연결되고, 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극에 소스 전극이 연결된다. 구동 트랜지스터(DR)는 전원 라인(EVDD)에 드레인 전극이 연결되고 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 소스 전극이 연결된다. 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극에 상부전극이 연결되고 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 하부전극이 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극에 애노드 전극이 연결되고 제2 전원 라인(EVSS)에 캐소드 전극이 연결된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 센싱 라인(VREF)에 드레인 전극이 연결되고 센싱 노드인 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극 및 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극에 소스 전극이 연결된다.A drain electrode of the switching transistor SW is connected to the first data line DL1, and a source electrode of the switching transistor SW is connected to a gate electrode of the driving transistor DR. In the driving transistor DR, a drain electrode is connected to the power supply line EVDD and a source electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. In the capacitor Cst, the upper electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor DR, and the lower electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. In the organic light emitting diode OLED, an anode electrode is connected to the source electrode of the driving transistor DR and a cathode electrode is connected to the second power supply line EVSS. In the sensing transistor ST, a drain electrode is connected to the sensing line VREF, and a source electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED, which is a sensing node, and the source electrode of the driving transistor DR.

센싱 트랜지스터(ST)의 동작 시간은 외부 보상 알고리즘(또는 보상 회로의 구성)에 따라 스위칭 트랜지스터(SW)와 유사/동일하거나 다를 수 있다. 일례로, 스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1)에 게이트 전극이 연결되고, 센싱 트랜지스터(ST)는 제2 게이트 라인(GL2)에 게이트 전극이 연결될 수 있다. 이 경우, 제1 게이트 라인(GL1)에는 스캔 신호(Scan)가 전달되고 제2 게이트 라인(GL2)에는 센싱 신호(Sense)가 전달된다. 다른 예로, 스위칭 트랜지스터(SW)의 게이트 전극에 연결된 제1 게이트 라인(GL1)과 센싱 트랜지스터(ST)의 게이트 전극에 연결된 제2 게이트 라인(GL2)은 공통으로 공유하도록 연결될 수 있다.The operating time of the sensing transistor ST may be similar to, or the same as, or different from that of the switching transistor SW depending on the external compensation algorithm (or the configuration of the compensation circuit). For example, the gate electrode of the switching transistor SW may be connected to the first gate line GL1, and the gate electrode of the sensing transistor ST may be coupled to the second gate line GL2. In this case, a scan signal (Scan) is transmitted to the first gate line (GL1) and a sensing signal (Sense) is transmitted to the second gate line (GL2). As another example, the first gate line GL1 connected to the gate electrode of the switching transistor SW and the second gate line GL2 connected to the gate electrode of the sensing transistor ST may be connected in common.

센싱 라인(VREF)은 데이터 구동부에 연결될 수 있다. 이 경우, 데이터 구동부는 실시간, 영상의 비표시기간 또는 N 프레임(N은 1 이상 정수) 기간 동안 서브픽셀의 센싱 노드를 센싱하고 센싱결과를 생성할 수 있게 된다. 한편, 스위칭 트랜지스터(SW)와 센싱 트랜지스터(ST)는 동일한 시간에 턴온될 수 있다. 이 경우, 데이터 구동부의 시분할 방식에 의거 센싱 라인(VREF)을 통한 센싱 동작과 데이터 신호를 출력하는 데이터 출력 동작은 상호 분리(구분) 된다.The sensing line VREF may be connected to the data driver. In this case, the data driver can sense the sensing node of the subpixel during the non-display period of the real time image, or the N frame (N is an integer of 1 or more) and generate the sensing result. On the other hand, the switching transistor SW and the sensing transistor ST can be turned on at the same time. In this case, the sensing operation through the sensing line (VREF) and the data output operation for outputting the data signal are separated (separated) based on the time division system of the data driver.

이 밖에, 센싱결과에 따른 보상 대상은 디지털 형태의 데이터신호, 아날로그 형태의 데이터신호 또는 감마 등이 될 수 있다. 그리고 센싱결과를 기반으로 보상신호(또는 보상전압) 등을 생성하는 보상 회로는 데이터 구동부의 내부, 타이밍 제어부의 내부 또는 별도의 회로로 구현될 수 있다.In addition, the object to be compensated according to the sensing result may be a digital data signal, an analog data signal, gamma, or the like. The compensation circuit for generating the compensation signal (or the compensation voltage) based on the sensing result may be implemented in the interior of the data driver, in the timing controller, or in a separate circuit.

광차단층(LS)은 구동 트랜지스터(DR)의 채널영역 하부에만 배치되거나 구동 트랜지스터(DR)의 채널영역 하부뿐만 아니라 스위칭 트랜지스터(SW) 및 센싱 트랜지스터(ST)의 채널영역 하부에도 배치될 수 있다. 광차단층(LS)은 단순히 외광을 차단할 목적으로 사용하거나, 광차단층(LS)을 다른 전극이나 라인과의 연결을 도모하고, 커패시터 등을 구성하는 전극으로 활용할 수 있다. 그러므로 광차단층(LS)은 차광 특성을 갖도록 복층(이종 금속의 복층)의 금속층으로 선택된다.The light blocking layer LS may be disposed only below the channel region of the driving transistor DR or may be disposed not only below the channel region of the driving transistor DR but also below the channel region of the switching transistor SW and the sensing transistor ST. The light blocking layer LS may be used merely for blocking external light, or the light blocking layer LS may be connected to other electrodes or lines and used as an electrode constituting a capacitor or the like. Therefore, the light blocking layer LS is selected as a multi-layered metal layer having a light shielding property.

기타, 도 3에서는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 유기발광다이오드(OLED), 센싱 트랜지스터(ST)를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조의 서브픽셀을 일례로 설명하였지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C 등으로 구성될 수도 있다.3, a sub-pixel of a 3T (Capacitor) structure including a switching transistor SW, a driving transistor DR, a capacitor Cst, an organic light emitting diode OLED, and a sensing transistor ST However, if the compensation circuit CC is added, it may be composed of 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C, and the like.

도 4에 도시된 바와 같이, 기판(또는 박막 트랜지스터 기판)(SUB1)의 표시영역(AA) 상에는 도 3에서 설명된 회로를 기반으로 서브픽셀들이 형성된다. 표시영역(AA) 상에 형성된 서브픽셀들은 보호필름(또는 보호기판)(SUB2)에 의해 밀봉된다. 기타 미설명된 NA는 비표시영역을 의미한다. 기판(SUB1)은 유리나 연성을 갖는 재료로 선택될 수 있다.As shown in FIG. 4, subpixels are formed on the display area AA of the substrate (or thin film transistor substrate) SUB1 based on the circuit described in FIG. The subpixels formed on the display area AA are sealed by a protective film (or protective substrate) SUB2. NA not otherwise described means non-display area. The substrate SUB1 may be made of glass or a material having ductility.

서브픽셀들은 표시영역(AA) 상에서 적색(R), 백색(W), 청색(B) 및 녹색(G)의 순으로 수평 또는 수직하게 배치된다. 그리고 서브픽셀들은 적색(R), 백색(W), 청색(B) 및 녹색(G)이 하나의 픽셀(P)이 된다. 그러나 서브픽셀들의 배치 순서는 발광재료, 발광면적, 보상회로의 구성(또는 구조) 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 서브픽셀들은 적색(R), 청색(B) 및 녹색(G)이 하나의 픽셀(P)이 될 수 있다.The subpixels are arranged horizontally or vertically in the order of red (R), white (W), blue (B) and green (G) on the display area AA. The subpixels are red (R), white (W), blue (B), and green (G) However, the arrangement order of the subpixels can be variously changed depending on the light emitting material, the light emitting area, the structure (or structure) of the compensation circuit, and the like. Also, the subpixels may be red (R), blue (B), and green (G) as one pixel (P).

도 5는 본 발명에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 개략적으로 나타낸 도면이다. 5 is a schematic diagram illustrating a planar layout of subpixels according to the present invention.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(SUB1)의 표시영역(AA) 상에는 발광영역(EMA)과 회로영역(DRA)을 갖는 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)이 형성된다. 발광영역(EMA)에는 유기발광다이오드(발광소자)가 형성되고, 회로영역(DRA)에는 유기발광다이오드를 구동하는 스위칭, 센싱 및 구동 트랜지스터 등을 포함하는 회로가 형성된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)은 회로영역(DRA)에 위치하는 스위칭 및 구동 트랜지스터 등의 동작에 대응하여 발광영역(EMA)에 위치하는 유기발광다이오드가 빛을 발광하게 된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4) 사이에 위치하는 "WA"는 배선영역으로서, 전원 라인(EVDD), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)이 배치된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)을 가로지르며 배치된다.4 and 5, a first sub-pixel SPn1 to a fourth sub-pixel SPn4 having a light emitting area EMA and a circuit area DRA are formed on the display area AA of the substrate SUB1, . An organic light emitting diode (light emitting element) is formed in the light emitting region EMA and a circuit including a switching, sensing and driving transistor for driving the organic light emitting diode is formed in the circuit region DRA. The first subpixel SPn1 to the fourth subpixel SPn4 are turned on in response to the operation of switching and driving transistors located in the circuit region DRA so that the organic light emitting diode located in the light emitting region EMA emits light do. WA "positioned between the first subpixel SPn1 to the fourth subpixel SPn4 is a wiring region and includes the power supply line EVDD, the sensing line VREF, the first to fourth data lines DL1- DL4 are disposed. The first and second gate lines GL1 and GL2 are disposed across the first to fourth subpixels SPn1 to SPn4.

전원 라인(EVDD), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)과 같은 배선들은 물론 박막 트랜지스터를 구성하는 전극들은 서로 다른 층에 위치하지만 콘택홀(비어홀)을 통한 접촉으로 인하여 전기적으로 연결된다. 센싱 라인(VREF)은 센싱 연결라인(VREFC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 전원 라인(EVDD)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 구동 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(미도시)에 연결된다. The electrodes constituting the thin film transistor as well as the wirings such as the power supply line EVDD, the sensing line VREF and the first to fourth data lines DL1 to DL4 are located on different layers but are connected to each other through the contact holes And are electrically connected due to the contact. The sensing line VREF is connected to each sensing transistor (not shown) of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4 through a sensing connection line VREFC. The power supply line EVDD is connected to each driving transistor (not shown) of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4 through a power supply connection line EVDDC. The first and second gate lines GL1 and GL2 are connected to respective sensing and switching transistors (not shown) of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4.

도 6은 본 발명의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면이고 도 7은 도 6의 절취선 A-A'에 따라 절취한 단면도이다.FIG. 6 is a plan view of a subpixel of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the cutting line A-A 'of FIG.

도 6을 참조하면, 본 발명의 유기발광표시장치는 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2)과 제1 내지 제4 데이터 라인(DL1~DL4)이 교차하여 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)이 정의된다. 구체적으로, 제1 내지 제4 데이터 라인(DL1~DL4)과 각각 연결되는 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)은 센싱 라인(VREF)에 공통으로 연결되어 있다. 센싱 라인(VREF)은 제2 및 제3 서브픽셀(SPn2, SPn3)과는 직접 연결되어 있고, 제1 및 제4 서브픽셀(SPn1, SPn4)과는 센싱 연결라인(VREFC)을 통해 연결된다. 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 양 가장자리에는 전원 라인(EVDD)이 각각 배치되고, 전원 라인(EVDD)과 인접한 제1 및 제4 서브픽셀(SPn1, SPn4)은 직접 연결되고 제2 및 제3 서브픽셀(SPn2, SPn3)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 연결된다.Referring to FIG. 6, the OLED display of the present invention includes first to fourth sub-pixels GL1 and GL2 intersecting first and second gate lines GL1 and GL2 and first to fourth data lines DL1 to DL4, SPn1 to SPn4) are defined. Specifically, the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4 connected to the first to fourth data lines DL1 to DL4 are commonly connected to the sensing line VREF. The sensing line VREF is directly connected to the second and third subpixels SPn2 and SPn3 and is connected to the first and fourth subpixels SPn1 and SPn4 through a sensing connection line VREFC. A power supply line EVDD is disposed on both edges of the first to fourth subpixels SPn1 to SPn4 and first and fourth subpixels SPn1 and SPn4 adjacent to the power supply line EVDD are directly connected to each other. 2 and the third sub-pixels SPn2 and SPn3 are connected through a power supply connection line EVDDC.

각 서브픽셀들의 발광영역(EMA)에는 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(ANO)이 배치되어 있고, 회로영역(DRA)에는 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 센싱 트랜지스터(ST) 및 스위칭 트랜지스터(SW)가 배치된다. 예를 들어, 센싱 트랜지스터(ST)는 게이트 전극(240), 드레인 전극(250D), 소스 전극(250S) 및 반도체층(220)으로 구성된다. 센싱 라인(VREF)은 센싱연결라인(VREFC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 트랜지스터(ST)에 연결된다. 전원 라인(EVDD)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 구동 트랜지스터(DR)에 연결된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(ST, SW)에 연결된다. The first electrode ANO of the organic light emitting diode OLED is disposed in the emission region EMA of each subpixel and the driving transistor DR, the capacitor Cst, and the sensing transistor ST are connected to the circuit region DRA. And a switching transistor SW are disposed. For example, the sensing transistor ST is composed of a gate electrode 240, a drain electrode 250D, a source electrode 250S, and a semiconductor layer 220. [ The sensing line VREF is connected to each sensing transistor ST of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4 through a sensing connection line VREFC. The power supply line EVDD is connected to each driving transistor DR of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4 through a power supply connection line EVDDC. The first and second gate lines GL1 and GL2 are connected to the respective sensing and switching transistors ST and SW of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4.

도 7에 도시된 제1 및 제2 서브픽셀(SPn1, SPn2)의 경계부의 단면을 참조한다. 제1 서브픽셀(SPn1)은 적색 서브픽셀이고 제2 서브픽셀(SPn2)은 백색 서브픽셀일 수 있다. Reference is made to the cross section of the boundary between the first and second subpixels SPn1 and SPn2 shown in FIG. The first subpixel SPn1 may be a red subpixel and the second subpixel SPn2 may be a white subpixel.

기판(SUB) 상에 제1 버퍼층(BUF1), 제2 버퍼층(BUF2), 게이트 절연막(GI), 층간 절연막(ILD)이 순차적으로 배치되고, 그 위에 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)이 배치된다. 제1 및 제2 데이터 라인(DL1, DL2) 상에 패시베이션막(PAS)이 배치되고, 제1 서브픽셀(SPn1) 영역에 적색의 컬러필터(CF)가 배치된다. 적색의 컬러필터(CF) 상에 오버코트층(OC)이 배치되고, 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 제1 및 제2 서브픽셀(SPn1, SPn2)에 각각 배치된다. 제1 전극(ANO) 상에는 각 서브픽셀의 발광영역을 정의하는 뱅크층(BNK)이 배치된다.A first buffer layer BUF1, a second buffer layer BUF2, a gate insulating film GI and an interlayer insulating film ILD are sequentially arranged on a substrate SUB and a first data line DL1 and a second data line DL2 are sequentially formed thereon, The line DL2 is arranged. A passivation film PAS is disposed on the first and second data lines DL1 and DL2 and a red color filter CF is disposed in the first subpixel SPn1 region. The overcoat layer OC is disposed on the red color filter CF and the first electrode ANO is disposed on the overcoat layer OC respectively in the first and second subpixels SPn1 and SPn2. On the first electrode ANO, a bank layer BNK defining the light emitting region of each subpixel is disposed.

제1 서브픽셀(SPn1)은 적색의 컬러필터(CF)가 구비되어 적색의 컬러필터(CF)를 통해 적색 광을 방출한다. 제2 서브픽셀(SPn2)은 컬러필터를 구비하지 않아, 백색의 광을 그대로 방출한다. 제1 서브픽셀(SPn1)의 적색의 컬러필터(CF)가 제2 서브픽셀(SPn2) 영역을 일부 침범하게 되면, 제2 서브픽셀(SPn2) 구동 시 백색의 광이 침범한 적색의 컬러필터(CF)를 일부 투과하여 레디쉬(reddish)해지게 된다. 따라서, 인접한 서브픽셀 간의 빛샘으로 인해 표시 품질이 저하된다. The first sub-pixel SPn1 is provided with a red color filter CF to emit red light through a red color filter CF. The second sub-pixel SPn2 does not have a color filter, and emits white light as it is. When the red color filter CF of the first subpixel SPn1 partially invades the second subpixel SPn2 region, the red color filter CF) is partially transmitted and becomes reddish. Therefore, display quality is degraded due to light leakage between adjacent sub-pixels.

하기에서는 전술한 서브픽셀 간의 빛샘을 방지하기 위한 표시장치를 개시한다.In the following, a display device for preventing light leakage between sub-pixels described above is disclosed.

<실시예><Examples>

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 간략히 나타낸 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 회로도이며, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 상세히 나타낸 도면이다.9 is a circuit diagram of subpixels according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a circuit diagram of a subpixel according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. And a planar layout of the subpixels.

도 8 및 도 9를 참조하여, 본 발명의 서브픽셀들의 레이아웃을 설명하기로 한다. 도 9에 도시된 회로도의 경우 전술한 도 3에서 구체적으로 설명하였으므로 도 8의 구조를 이해하는데 참고하기로 한다.Referring to Figs. 8 and 9, the layout of the subpixels of the present invention will be described. The circuit diagram shown in FIG. 9 has been described in detail with reference to FIG. 3, so that reference will be made to understanding the structure of FIG.

도 8 및 도 9를 참조하면, 기판 상에 발광영역(E)과 회로영역(D)을 갖는 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)이 배치된다. 발광영역(E)에는 유기발광다이오드(발광소자)가 형성되고, 회로영역(D)에는 유기발광다이오드를 구동하는 스위칭, 센싱 및 구동 트랜지스터 등을 포함하는 회로가 형성된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)은 회로영역(D)에 위치하는 스위칭 및 구동 트랜지스터 등의 동작에 대응하여 발광영역(E)에 위치하는 유기발광다이오드가 빛을 발광하게 된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)에는 제1 및 제2 전원 라인(EVDD1, EVDD2), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)이 배치된다. 게이트 라인(GL)은 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)을 가로지르며 배치된다. 8 and 9, a first subpixel SPn1 to a fourth subpixel SPn4 having a light emitting region E and a circuit region D are disposed on a substrate. An organic light emitting diode (light emitting element) is formed in the light emitting region E and a circuit including a switching, sensing, and driving transistor for driving the organic light emitting diode is formed in the circuit region D. The first subpixel SPn1 to the fourth subpixel SPn4 are turned on so that the organic light emitting diode located in the light emitting region E emits light corresponding to the operation of the switching and driving transistors located in the circuit region D do. The first and second power supply lines EVDD1 and EVDD2, the sensing line VREF and the first to fourth data lines DL1 to DL4 are arranged in the first to fourth subpixels SPn1 to SPn4. do. The gate line GL is disposed across the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4.

제1 및 제2 전원 라인(EVDD1, EVDD2), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)과 같은 배선들은 물론 박막 트랜지스터를 구성하는 전극들은 서로 다른 층에 위치하지만 콘택홀(미도시)을 통한 접촉으로 인하여 전기적으로 연결된다. 센싱 라인(VREF)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 제1 전원 라인(EVDD1)은 제1 및 제2 서브픽셀(SPn1, SPn2)의 각 구동 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 제2 전원 라인(EVDD2)은 제3 및 제4 서브픽셀(SPn3, SPn4)의 각 구동 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 게이트 라인(GL)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(미도시)에 연결된다.The electrodes constituting the thin film transistor as well as the wirings such as the first and second power supply lines EVDD1 and EVDD2, the sensing line VREF and the first to fourth data lines DL1 to DL4 are located on different layers And are electrically connected due to contact through contact holes (not shown). The sensing line VREF is connected to each sensing transistor (not shown) of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4. The first power supply line EVDD1 is connected to each driving transistor (not shown) of the first and second subpixels SPn1 and SPn2. And the second power supply line EVDD2 is connected to each driving transistor (not shown) of the third and fourth subpixels SPn3 and SPn4. The gate line GL is connected to each sensing and switching transistor (not shown) of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4.

본 발명의 서브픽셀(SPn1~SPn4)들 각각은 발광영역(E)과 회로영역(D)이 게이트 라인(GL)을 사이에 두고 서로 이웃하여 배치된다. 구체적으로, 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1)과 발광영역(E1)은 제1 데이터 라인(DL1)과 나란하게 배치된다. 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1)과 발광영역(E1) 사이에 게이트 라인(GL)이 배치되어, 게이트 라인(GL)의 일측에 발광영역(E1)이 배치되고 타측에 회로영역(D1)이 배치된다. Each of the subpixels SPn1 to SPn4 of the present invention is arranged such that the light emitting region E and the circuit region D are adjacent to each other with the gate line GL interposed therebetween. Specifically, the circuit region D1 and the light emitting region E1 of the first sub-pixel SPn1 are arranged in parallel with the first data line DL1. The gate line GL is disposed between the circuit region D1 of the first subpixel SPn1 and the light emitting region E1 and the light emitting region E1 is disposed on one side of the gate line GL, (D1).

제2 서브픽셀(SPn2)은 제1 서브픽셀(SPn1)과 인접하여 배치된다. 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)과 발광영역(E2)은 제2 데이터 라인(DL2)과 나란하게 배치된다. 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)과 발광영역(E2) 사이에 게이트 라인(GL)이 배치되어, 게이트 라인(GL)의 일측에 회로영역(D2)이 배치되고 타측에 발광영역(E2)이 배치된다. 특히, 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)과 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)은 게이트 라인(GL)을 기준으로 같은 편에 배치된다.The second subpixel SPn2 is disposed adjacent to the first subpixel SPn1. The circuit region D2 and the light emitting region E2 of the second subpixel SPn2 are arranged in parallel with the second data line DL2. The gate line GL is disposed between the circuit region D2 and the light emitting region E2 of the second subpixel SPn2 and the circuit region D2 is disposed on one side of the gate line GL, (E2). Particularly, the light emitting region E1 of the first subpixel SPn1 and the circuit region D2 of the second subpixel SPn2 are arranged on the same side with respect to the gate line GL.

제3 서브픽셀(SPn3)은 제2 서브픽셀(SPn2)과 인접하여 배치된다. 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3)과 발광영역(E3)은 제3 데이터 라인(DL3)과 나란하게 배치된다. 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3)과 발광영역(E3) 사이에 게이트 라인(GL)이 배치되어, 게이트 라인(GL)의 일측에 발광영역(E3)이 배치되고 타측에 회로영역(D3)이 배치된다. 특히, 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1), 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2), 및 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3)은 게이트 라인(GL)을 기준으로 같은 편에 배치된다.The third subpixel SPn3 is disposed adjacent to the second subpixel SPn2. The circuit region D3 and the light emitting region E3 of the third subpixel SPn3 are arranged in parallel with the third data line DL3. The gate line GL is disposed between the circuit region D3 and the light emitting region E3 of the third subpixel SPn3 and the light emitting region E3 is disposed on one side of the gate line GL, (D3). Particularly, the light emitting region E1 of the first subpixel SPn1, the circuit region D2 of the second subpixel SPn2, and the light emitting region E3 of the third subpixel SPn3 are connected to the gate line GL, As shown in FIG.

제4 서브픽셀(SPn4)은 제3 서브픽셀(SPn3)과 인접하여 배치된다. 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)과 발광영역(E4)은 제4 데이터 라인(DL4)과 나란하게 배치된다. 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)과 발광영역(E4) 사이에 게이트 라인(GL)이 배치되어, 게이트 라인(GL)의 일측에 회로영역(D4)이 배치되고 타측에 발광영역(E4)이 배치된다. 특히, 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1), 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2), 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)은 게이트 라인(GL)을 기준으로 같은 편에 배치된다.The fourth subpixel SPn4 is disposed adjacent to the third subpixel SPn3. The circuit region D4 and the light emitting region E4 of the fourth subpixel SPn4 are arranged in parallel with the fourth data line DL4. The gate line GL is arranged between the circuit region D4 and the light emitting region E4 of the fourth subpixel SPn4 and the circuit region D4 is disposed on one side of the gate line GL, (E4). Particularly, the light emitting region E1 of the first subpixel SPn1, the circuit region D2 of the second subpixel SPn2, the light emitting region E3 of the third subpixel SPn3, and the fourth subpixel SPn4 Are arranged on the same side with respect to the gate line GL.

한편, 제1 서브픽셀(SPn1)의 외측에는 제1 데이터 라인(DL1)과 나란하며, 제1 서브픽셀(SPn1)과 제2 서브픽셀(SPn2)에 각각 연결된 제1 전원라인(EVDD1)이 배치된다. 제4 서브픽셀(SPn4)의 바깥 측에도 제4 데이터 라인(DL4)과 나란하며, 제3 서브픽셀(SPn3)과 제4 서브픽셀(SPn4)에 각각 공유된 제2 전원라인(EVDD2)이 배치된다. 제2 서브픽셀(SPn2)과 제3 서브픽셀(SPn3) 사이에 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)에 각각 공유된 센싱라인(VREF)이 배치된다. 제1 데이터 라인(DL1)과 제2 데이터 라인(DL2)은 제1 서브픽셀(SPn1)과 제2 서브픽셀(SPn2) 사이에 배치되고, 제3 데이터 라인(DL3)과 제4 데이터 라인(DL4)은 제3 서브픽셀(SPn3)과 제4 서브픽셀(SPn4) 사이에 배치된다.A first power line EVDD1 connected to the first subpixel SPn1 and the second subpixel SPn2 is arranged outside the first subpixel SPn1 in parallel with the first data line DL1 do. A second power supply line EVDD2 aligned with the fourth data line DL4 and shared with the third subpixel SPn3 and the fourth subpixel SPn4 is disposed outside the fourth subpixel SPn4 . A sensing line VREF shared between the first subpixel SPn1 and the fourth subpixel SPn4 is disposed between the second subpixel SPn2 and the third subpixel SPn3. The first data line DL1 and the second data line DL2 are disposed between the first subpixel SPn1 and the second subpixel SPn2 and the third data line DL3 and the fourth data line DL4 Is disposed between the third subpixel SPn3 and the fourth subpixel SPn4.

도 8과 함께 도 10을 참조하여 제1 서브픽셀(SPn1)의 구조를 대표로 설명한다. 제1 서브픽셀(SPn1)은, 게이트 라인(GL)과 제1 데이터 라인(DL1)이 교차하여 정의된다. 제1 서브픽셀(SPn1)은 구동 트랜지스터(DR), 센싱 트랜지스터(ST), 스위칭 트랜지스터(SW), 커패시터(Cst) 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. Referring to FIG. 8 together with FIG. 8, the structure of the first subpixel SPn1 will be described as an example. The first subpixel SPn1 is defined by intersecting the gate line GL and the first data line DL1. The first sub-pixel SPn1 includes a driving transistor DR, a sensing transistor ST, a switching transistor SW, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED.

발광영역(E1)에는 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(ANO)이 배치되어 있고, 회로영역(D1)에는 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 센싱 트랜지스터(ST) 및 스위칭 트랜지스터(SW)가 배치된다. 예를 들어, 스위칭 트랜지스터(SW)는 게이트 라인(GL), 드레인 전극(250D), 소스 전극(250S) 및 반도체층(220)으로 구성된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 센싱라인(VREF)으로부터 연장된 센싱 연결라인(VREFC)에 연결된 소스 전극(240S), 게이트 라인(GL), 및 드레인 전극(240D)으로 구성된다. 구동 트랜지스터(DR)는 반도체층(235), 게이트 전극(260), 제1 전원라인(EVDD1)으로부터 연장된 소스 전극(270S), 및 드레인 전극(270D)으로 구성된다. 커패시터(Cst)는 커패시터 하부전극(LCst), 커패시터 중부전극(MCst) 및 제1 전극(ANO)으로 구성된다. 제1 전극(ANO)은 비어홀(VIA)을 통해 구동 트랜지스터(DR)의 드레인 전극(270D)에 연결된다.A first electrode ANO of the organic light emitting diode OLED is disposed in the light emitting region E1 and a driving transistor DR, a capacitor Cst, a sensing transistor ST, SW) are disposed. For example, the switching transistor SW is composed of a gate line GL, a drain electrode 250D, a source electrode 250S and a semiconductor layer 220. [ The sensing transistor ST is composed of a source electrode 240S, a gate line GL, and a drain electrode 240D connected to a sensing connection line VREFC extending from the sensing line VREF. The driving transistor DR is composed of a semiconductor layer 235, a gate electrode 260, a source electrode 270S extending from the first power source line EVDD1, and a drain electrode 270D. The capacitor Cst is composed of a capacitor lower electrode LCst, a capacitor middle electrode MCst, and a first electrode ANO. The first electrode ANO is connected to the drain electrode 270D of the driving transistor DR through the via hole VIA.

본 발명에서는 하나의 게이트 라인으로 센싱 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터를 시분할 구동할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며 전술한 도 3, 5 및 6에 도시되고 설명된 것처럼 2개의 게이트 라인으로 각각 센싱 트랜지스터와 스위칭 트랜지스터를 구동할 수도 있다.In the present invention, the sensing transistor and the switching transistor can be time-divisionally driven by one gate line. However, the present invention is not limited to this, and it is also possible to drive the sensing transistor and the switching transistor with two gate lines, as shown and described in Figs. 3, 5 and 6, respectively.

한편, 전술한 도 6은 게이트 라인이 연장된 방향으로 각 서브픽셀들의 발광영역이 인접하여 배치된다. 따라서, 인접한 서브픽셀들 간에 빛샘이 발생할 여지가 있다. 반면, 도 8에 도시된 것처럼 본 발명에서는 게이트 라인(GL)의 일측에서 게이트 라인(GL)이 연장된 방향으로 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)/제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)/제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3)/제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)이 배치된다. 또한, 게이트 라인(GL)의 타측에서 게이트 라인(GL)이 연장된 방향으로 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1)/제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2)/제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3)/제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)이 배치된다. 따라서, 각 서브픽셀들(SPn1~SPn4)의 발광영역들(E1~E4) 사이에는 각 서브픽셀들(SPn1~SPn4)의 회로영역들(D1~D4)들이 배치되기 때문에 옆으로 새는 빛을 이들 회로영역들(D1~D4)에서 차단하게 된다. On the other hand, in Fig. 6 described above, the emission regions of the respective subpixels are arranged adjacent to each other in the direction in which the gate lines extend. Therefore, light leakage may occur between adjacent sub-pixels. 8, in the present invention, the light emitting region E1 of the first sub-pixel SP1 / the second sub-pixel SPn2 of the first sub-pixel SPn1 in a direction in which the gate line GL extends from one side of the gate line GL, The light emitting region E3 of the third subpixel SPn3 / the circuit region D4 of the fourth subpixel SPn4 are arranged. Further, in the direction in which the gate line GL extends from the other side of the gate line GL, the light emitting region E2 of the circuit region D1 of the first subpixel SPn1 / the light emitting region E2 of the second subpixel SPn2 / The circuit region D3 of the subpixel SPn3 / the light emitting region E4 of the fourth subpixel SPn4 are arranged. Therefore, since the circuit regions D1 to D4 of the respective sub-pixels SPn1 to SPn4 are arranged between the light emitting regions E1 to E4 of the respective sub-pixels SPn1 to SPn4, And blocks in the circuit areas D1 to D4.

하기에서는 본 발명의 서브픽셀들의 발광영역 및 회로영역의 배치에 따른 컬러필터의 배치에 대한 구체예들을 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the arrangement of the color filters according to the arrangement of the light emitting region and the circuit region of the subpixels of the present invention will be described.

도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 서브픽셀과 컬러필터의 배치를 모식화한 도면이고, 도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치의 서브픽셀과 컬러필터의 배치를 모식화한 도면이고, 도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시장치의 서브픽셀과 컬러필터의 배치를 모식화한 도면이고, 도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시장치의 서브픽셀과 컬러필터의 배치를 모식화한 도면이며, 도 15는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.FIG. 11 is a schematic diagram showing the arrangement of subpixels and color filters of a display device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 12 is a graph showing the arrangement of subpixels and color filters of a display device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 13 is a schematic diagram showing the arrangement of subpixels and color filters of a display device according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a diagram showing the arrangement according to the fourth embodiment of the present invention FIG. 15 is a diagram illustrating a display device according to the first embodiment of the present invention. FIG.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)을 포함한다. 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 구조는 전술한 도 8에 도시된 구조와 동일하므로 자세한 설명을 생략한다. Referring to FIG. 11, the display device according to the first embodiment of the present invention includes first through fourth sub-pixels SPn1 through SPn4. The structure of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4 is the same as the structure shown in Fig. 8, and thus a detailed description thereof will be omitted.

제1 서브픽셀(SPn1)은 적색 컬러필터(RCF)와 중첩하여 적색을 방출하고, 제2 서브픽셀(SPn2)은 유기발광다이오드에서 발광하는 백색을 그대로 방출한다. 제3 서브픽셀(SPn3)은 청색 컬러필터(BCF)와 중첩하여 청색을 방출하고 제4 서브픽셀(SPn4)은 녹색 컬러필터(GCF)와 중첩하여 녹색을 방출한다.The first subpixel SPn1 overlaps with the red color filter RCF to emit red light and the second subpixel SPn2 emits white light emitted from the organic light emitting diode as it is. The third subpixel SPn3 overlaps the blue color filter BCF to emit blue light and the fourth subpixel SPn4 overlaps the green color filter GCF to emit green.

여기서, 적색 컬러필터(RCF)는 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1) 및 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)에 중첩하여 배치된다. 청색 컬러필터(BCF)는 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)에 중첩하여 배치된다. 녹색 컬러필터(GCF)는 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1), 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)에 중첩하여 배치된다. 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2)에는 어떠한 컬러필터도 배치하지 않음으로써, 유기발광다이오드에서 발광하는 백색을 그대로 방출한다.Here, the red color filter RCF is disposed so as to overlap the light emitting region E1 of the first subpixel SPn1 and the circuit region D2 of the second subpixel SPn2. The blue color filter BCF is arranged to overlap the emission region E3 of the third subpixel SPn3 and the circuit region D4 of the fourth subpixel SPn4. The green color filter GCF overlaps the light emitting region E4 of the fourth subpixel SPn4 and the circuit region D1 of the first subpixel SPn1, the circuit region D3 of the third subpixel SPn3, . No color filters are arranged in the light emitting region E2 of the second subpixel SPn2, thereby emitting white light emitted from the organic light emitting diodes as they are.

본 발명의 제1 실시예에서는 적색 컬러필터(RCF)가 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)과 인접한 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)과 중첩하여 배치됨으로써, 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)의 광이 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)으로 새더라도 적색 컬러필터(RCF)를 통해 방출되기 때문에 항상 일정한 스펙트럼의 빛을 나오게 할 수 있다. 따라서, 빛샘의 양을 컬러필터로 최대한 줄일 수 있어 저계조 화질의 품위를 향상시키고 계조 표현력을 향상시킬 수 있다. In the first embodiment of the present invention, the red color filter (RCF) is arranged overlapping the light emitting region E1 of the first subpixel SPn1 and the circuit region D2 of the second subpixel SPn2 adjacent thereto, Since the light in the light emitting region E1 of one subpixel SPn1 is emitted through the red color filter RCF even if the light is emitted into the circuit region D2 of the second subpixel SPn2, . Therefore, the amount of light leakage can be reduced to a minimum with a color filter, thereby improving the quality of the low-gradation image quality and enhancing the gradation expression.

마찬가지로, 청색 컬러필터(BCF)가 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3)과 인접한 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)과 중첩하여 배치됨으로써, 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3)의 광이 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)으로 새더라도 청색 컬러필터(BCF)를 통해 방출되기 때문에 빛샘의 양을 최대한 줄일 수 있다. 녹색 컬러필터(GCF)는 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1), 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)에 중첩하여 배치됨으로써, 제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)의 광이 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1)과 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3)으로 새더라도 녹색 컬러필터(GCF)를 통해 방출되기 때문에 빛샘의 양을 최대한 줄일 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 적색, 녹색 및 청색 컬러필터(RCF, GCF, BCF)를 최대한 사각형으로 구성함으로써 공정 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. Likewise, the blue color filter BCF overlaps the light emitting area E3 of the third subpixel SPn3 and the circuit area D4 of the fourth subpixel SPn4 so that the third subpixel SPn3, The amount of the light leakage can be minimized because the light in the light emitting region E3 of the fourth subpixel SPn4 is emitted through the blue color filter BCF even if it is leaked into the circuit region D4 of the fourth subpixel SPn4. The green color filter GCF overlaps the light emitting region E4 of the fourth subpixel SPn4 and the circuit region D1 of the first subpixel SPn1, the circuit region D3 of the third subpixel SPn3, The light in the light emitting region E4 of the fourth subpixel SPn4 leaks into the circuit region D1 of the first subpixel SPn1 and the circuit region D3 of the third subpixel SPn3 Since it is emitted through the green color filter (GCF), the amount of light leakage can be reduced as much as possible. In addition, the display device according to the first embodiment of the present invention has an advantage that process productivity can be improved by configuring the red, green, and blue color filters (RCF, GCF, and BCF) as square as possible.

한편, 도 12를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시장치는 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)을 포함한다. 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 구조는 전술한 도 8에 도시된 구조와 동일하므로 자세한 설명을 생략한다. Referring to FIG. 12, the display device according to the second embodiment of the present invention includes first through fourth sub-pixels SPn1 through SPn4. The structure of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4 is the same as the structure shown in Fig. 8, and thus a detailed description thereof will be omitted.

제1 서브픽셀(SPn1)은 적색 컬러필터(RCF)와 중첩하여 적색을 방출하고, 제2 서브픽셀(SPn2)은 유기발광다이오드에서 발광하는 백색을 그대로 방출한다. 제3 서브픽셀(SPn3)은 청색 컬러필터(BCF)와 중첩하여 청색을 방출하고 제4 서브픽셀(SPn4)은 녹색 컬러필터(GCF)와 중첩하여 녹색을 방출한다.The first subpixel SPn1 overlaps with the red color filter RCF to emit red light and the second subpixel SPn2 emits white light emitted from the organic light emitting diode as it is. The third subpixel SPn3 overlaps the blue color filter BCF to emit blue light and the fourth subpixel SPn4 overlaps the green color filter GCF to emit green.

여기서, 적색 컬러필터(RCF)는 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1) 및 회로영역(D1)에 중첩하여 배치된다. 청색 컬러필터(BCF)는 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2), 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)에 중첩하여 배치된다. 녹색 컬러필터(GCF)는 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)에 중첩하여 배치된다. 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2)에는 어떠한 컬러필터도 배치하지 않음으로써, 유기발광다이오드에서 발광하는 백색을 그대로 방출한다.Here, the red color filter RCF is disposed so as to overlap the light emitting region E1 and the circuit region D1 of the first subpixel SPn1. The blue color filter BCF is superimposed on the circuit region D2 of the second subpixel SPn2, the light emitting region E3 of the third subpixel SPn3, and the circuit region D4 of the fourth subpixel SPn4. . The green color filter GCF is disposed superimposed on the circuit region D3 of the third subpixel SPn3 and the emission region E4 of the fourth subpixel SPn4. No color filters are arranged in the light emitting region E2 of the second subpixel SPn2, thereby emitting white light emitted from the organic light emitting diodes as they are.

본 발명의 제2 실시예에서는 적색 컬러필터(RCF)가 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)과 회로영역(D1)에 중첩하여 배치됨으로써, 적색 컬러필터(RCF)를 연속적으로 배치할 수 있다. 제1 전원라인(EVDD1)을 따라 제1 서브픽셀(SPn1)들이 연속적으로 배치되기 때문에, 적색 컬러필터(RCF)도 제1 서브픽셀(SPn1)들을 따라 연속적으로 배치될 수 있다. 따라서, 적색 컬러필터(RCF)를 패터닝하지 않고 연속적으로 형성할 수 있으므로 적색 컬러필터의 공정 편의성을 향상시킬 수 있다. 또한, 게이트 라인(GL)을 기준으로 위쪽과 아래쪽 모두 동일한 적색 컬러필터(RCF)가 배치됨으로써 다른 색의 빛이 간섭하는 것을 줄일 수 있다.In the second embodiment of the present invention, the red color filter (RCF) is arranged in a superposed manner on the light emitting area E1 and the circuit area D1 of the first subpixel SPn1, can do. Since the first subpixels SPn1 are arranged successively along the first power supply line EVDD1, the red color filter RCF can also be arranged continuously along the first subpixels SPn1. Therefore, since the red color filter (RCF) can be formed continuously without patterning, the process convenience of the red color filter can be improved. Further, by arranging the same red color filter (RCF) on both the upper and lower sides with respect to the gate line GL, interference of light of different colors can be reduced.

한편, 청색 컬러필터(BCF)는 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2), 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)과 중첩하여 배치됨으로써, 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3)의 광이 주변의 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2)과 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)으로 새더라도 청색 컬러필터(BCF)를 통해 방출되기 때문에 빛샘의 양을 최대한 줄일 수 있다. 녹색 컬러필터(GCF)는 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)에 중첩하여 배치됨으로써, 제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)의 광이 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3)으로 새더라도 녹색 컬러필터(GCF)를 통해 방출되기 때문에 빛샘의 양을 최대한 줄일 수 있다. On the other hand, the blue color filter BCF has a circuit region D2 of the second subpixel SPn2, a light emitting region E3 of the third subpixel SPn3, and a circuit region D4 of the fourth subpixel SPn4. The light in the light emitting region E3 of the third subpixel SPn3 is superimposed on the circuit region D2 of the peripheral second subpixel SPn2 and the circuit region D4 of the fourth subpixel SPn4 ), It is emitted through the blue color filter (BCF), so that the amount of light leakage can be reduced as much as possible. The green color filter GCF is arranged in a superposed manner on the circuit region D3 of the third subpixel SPn3 and the emission region E4 of the fourth subpixel SPn4, The amount of the light leakage can be minimized because the light of the light emitting element E4 is emitted through the green color filter GCF even if the light is leaked into the circuit region D3 of the third subpixel SPn3.

한편, 도 13을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시장치는 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)을 포함한다. 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 구조는 전술한 도 8에 도시된 구조와 동일하므로 자세한 설명을 생략한다. Referring to FIG. 13, the display device according to the third embodiment of the present invention includes first through fourth sub-pixels SPn1 through SPn4. The structure of the first to fourth sub-pixels SPn1 to SPn4 is the same as the structure shown in Fig. 8, and thus a detailed description thereof will be omitted.

전술한 제1 및 제2 실시예와는 달리, 제1 서브픽셀(SPn1)은 적색 컬러필터(RCF)와 중첩하여 적색을 방출하고, 제2 서브픽셀(SPn2)은 유기발광다이오드에서 발광하는 백색을 그대로 방출한다. 제3 서브픽셀(SPn3)은 녹색 컬러필터(GCF)와 중첩하여 녹색을 방출하고 제4 서브픽셀(SPn4)은 청색 컬러필터(BCF)와 중첩하여 청색을 방출한다.Unlike the first and second embodiments described above, the first sub-pixel SPn1 overlaps with the red color filter RCF to emit red, and the second sub-pixel SPn2 emits white light that emits light from the organic light- . The third subpixel SPn3 overlaps the green color filter GCF to emit green and the fourth subpixel SPn4 overlaps the blue color filter BCF to emit blue light.

여기서, 적색 컬러필터(RCF)는 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1) 및 회로영역(D1)에 중첩하여 배치된다. 녹색 컬러필터(GCF)는 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)에 중첩하여 배치된다. 청색 컬러필터(BCF)는 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1), 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)에 중첩하여 배치된다. 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2)에는 어떠한 컬러필터도 배치하지 않음으로써, 유기발광다이오드에서 발광하는 백색을 그대로 방출한다.Here, the red color filter RCF is disposed so as to overlap the light emitting region E1 and the circuit region D1 of the first subpixel SPn1. The green color filter GCF is disposed so as to overlap the emission region E3 of the third subpixel SPn3 and the circuit region D4 of the fourth subpixel SPn4. The blue color filter BCF is superimposed on the circuit region D1 of the first subpixel SPn1, the circuit region D3 of the third subpixel SPn3, and the light emitting region E4 of the fourth subpixel SPn4. . No color filters are arranged in the light emitting region E2 of the second subpixel SPn2, thereby emitting white light emitted from the organic light emitting diodes as they are.

본 발명의 제3 실시예에서는 전술한 제1 및 제2 실시예와 달리, 휘도가 높은 백색과 녹색을 게이트 라인과 동일 측에 배치시키지 않고 상/하로 배치하여 사람 눈으로 인지되는 해상도의 시감을 개선할 수 있다. 그 외 빛샘의 양을 줄이는 등의 효과는 전술한 제1 및 제2 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다. In the third embodiment of the present invention, unlike the first and second embodiments described above, white and green having high brightness are arranged on the same side as the gate line without being arranged on the same side, Can be improved. And other effects of reducing the amount of light leakage are the same as those of the first and second embodiments described above.

한편, 도 14를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시장치는 도 8의 서브픽셀들의 구조에서, 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역(E1)과 회로영역(D1)이 서로 반대로 배치되고, 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2)과 회로영역(D2)도 서로 반대로 배치된 구조로 이루어질 수 있다. 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1)과 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2)은 게이트 라인(GL)을 기준으로 같은 편에 위치하며, 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)과 같은 선 상에 위치한다. 14, in the structure of the subpixels of FIG. 8, the display device according to the fourth embodiment of the present invention includes a light emitting region E1 and a circuit region D1 of the first subpixel SPn1, And the light emitting region E2 and the circuit region D2 of the second subpixel SPn2 are arranged opposite to each other. The circuit region D1 of the first subpixel SPn1 and the light emitting region E2 of the second subpixel SPn2 are located on the same side with respect to the gate line GL, Emitting region E3 and the circuit region D4 of the fourth sub-pixel SPn4.

구체적으로, 제1 서브픽셀(SPn1)은 백색을 방출하며, 제2 서브픽셀(SPn2)은 적색 컬러필터(RCF)와 중첩하여 적색을 방출하고, 제3 서브픽셀(SPn3)은 녹색 컬러필터(GCF)와 중첩하여 녹색을 방출하고 제4 서브픽셀(SPn4)은 청색 컬러필터(BCF)와 중첩하여 청색을 방출한다. Specifically, the first sub-pixel SPn1 emits white, the second sub-pixel SPn2 overlaps with the red color filter RCF to emit red, and the third sub-pixel SPn3 emits red light, GCF to emit green, and the fourth sub-pixel SPn4 overlaps the blue color filter BCF to emit blue light.

적색 컬러필터(RCF)는 제1 서브픽셀(SPn1)의 회로영역(D1) 및 제2 서브픽셀(SPn2)의 발광영역(E2)에 중첩한다. 청색 컬러필터(BCF)는 제2 서브픽셀(SPn2)의 회로영역(D2), 제3 서브픽셀(SPn3)의 회로영역(D3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 발광영역(E4)에 중첩한다. 녹색 컬러필터(GCF)는 제3 서브픽셀(SPn3)의 발광영역(E3) 및 제4 서브픽셀(SPn4)의 회로영역(D4)에 중첩한다.The red color filter RCF overlaps the light emitting region E2 of the circuit region D1 of the first subpixel SPn1 and the second subpixel SPn2. The blue color filter BCF is superimposed on the circuit region D2 of the second subpixel SPn2, the circuit region D3 of the third subpixel SPn3 and the light emitting region E4 of the fourth subpixel SPn4. do. The green color filter GCF overlaps the light emitting region E3 of the third subpixel SPn3 and the circuit region D4 of the fourth subpixel SPn4.

본 발명의 제4 실시예에서는 전술한 제3 실시예와 유사하게, 휘도가 높은 백색과 녹색을 게이트 라인을 기준으로 상/하로 배치하여 사람 눈으로 인지되는 해상도의 시감을 개선할 수 있다. 그 외 빛샘의 양을 줄이는 등의 효과는 전술한 제1 내지 제3 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다. In the fourth embodiment of the present invention, similarly to the third embodiment described above, white and green with high brightness can be arranged up and down with respect to the gate line, thereby improving the visibility of the resolution recognized by the human eye. And other effects of reducing the amount of light leakage are the same as those of the first to third embodiments described above, so that the description is omitted.

본 발명의 표시장치는 예를 들어 도 15에 도시된 것처럼, 도 11의 서브픽셀들이 배열될 수 있다. 대부분의 서브픽셀의 발광영역과 회로영역은 컬러필터들로 덮여 있고 백색 광이 방출되는 서브픽셀의 발광영역에만 컬러필터가 배치되지 않는다. 따라서, 각 서브픽셀들에서 방출하는 적색, 녹색, 청색 및 백색의 광이 서로 인접한 서브픽셀로 새는 빛샘을 방지할 수 있는 이점이 있다. In the display device of the present invention, for example, as shown in Fig. 15, the subpixels of Fig. 11 can be arranged. The light emitting region and the circuit region of most of the subpixels are covered with the color filters and the color filter is not disposed only in the light emitting region of the subpixel from which the white light is emitted. Therefore, there is an advantage that the red, green, blue, and white light emitted from each subpixel can prevent leakage of light to subpixels adjacent to each other.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 서브픽셀의 발광영역들 사이에 다른 서브픽셀의 회로영역을 배치함으로써, 인접한 서브픽셀들 간의 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, the display device according to the embodiment of the present invention can prevent the light leakage between adjacent sub-pixels from being generated by disposing the circuit region of another sub-pixel between the light emitting regions of the sub-pixel.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 어느 하나의 컬러필터가 제1 서브픽셀의 발광영역 및 제2 서브픽셀의 회로영역에 중첩하여 배치됨으로써, 제1 서브픽셀의 발광영역의 광이 제2 서브픽셀의 회로영역으로 새더라도 상기 컬러필터를 통해 방출되기 때문에 항상 일정한 스펙트럼의 빛을 나오게 할 수 있다. 따라서, 빛샘의 양을 컬러필터로 최대한 줄일 수 있어 저계조 화질의 품위를 향상시키고 계조 표현력을 향상시킬 수 있다. In addition, in the display device according to the embodiment of the present invention, any one of the color filters is disposed in overlapping with the light emitting region of the first subpixel and the circuit region of the second subpixel, Even if it is leaked into the circuit area of two subpixels, it is emitted through the color filter, so that light of a constant spectrum can always be emitted. Therefore, the amount of light leakage can be reduced to a minimum with a color filter, thereby improving the quality of the low-gradation image quality and enhancing the gradation expression.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 같은 색을 방출하는 서브픽셀들의 컬러필터를 연속적으로 형성함으로써, 컬러필터의 제조 공정을 용이하게 할 수 있다.Further, the display device according to the embodiment of the present invention can facilitate the manufacturing process of the color filter by continuously forming the color filter of the sub-pixels emitting the same color.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

GL1~GL2 : 제1 및 제2 게이트 라인 DL1~DL4 : 제1 내지 제4 데이터 라인
VREF : 센싱라인 EVDD1~EVDD2 : 제1 및 제2 전원라인
SPn1~SPn8 : 제1 내지 제8 서브픽셀 E1~E8 : 발광영역
D1~D8 : 회로영역GL1 to GL2: first and second gate lines DL1 to DL4: first to fourth data lines
VREF: sensing lines EVDD1 to EVDD2: first and second power lines
SPn1 to SPn8: first to eighth sub-pixels E1 to E8:
D1 to D8: circuit area

Claims (18)

기판 상에 위치하는 제1 서브픽셀을 포함하며,
상기 제1 서브픽셀은,
상기 기판 상에 위치하는 게이트 라인;
상기 게이트 라인과 교차하는 제1 데이터 라인;
상기 제1 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역; 및
상기 게이트 라인을 사이에 두고 상기 발광영역과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함하는 표시장치.A first sub-pixel located on a substrate,
The first sub-
A gate line positioned on the substrate;
A first data line crossing the gate line;
A light emitting region disposed in parallel with the first data line and including an organic light emitting diode; And
And a circuit region disposed adjacent to the light emitting region across the gate line and including a plurality of thin film transistors and a capacitor. 제1 항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀에 인접한 제2 서브픽셀을 포함하며,
상기 제2 서브픽셀은,
상기 게이트 라인과 교차하는 제2 데이터 라인;
상기 제2 데이터 라인과 나란하게 배치되며 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역; 및
상기 게이트 라인을 사이에 두고 상기 발광영역과 이웃하여 배치되고, 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함하는 표시장치.The method according to claim 1,
A second sub-pixel adjacent to the first sub-pixel,
The second sub-
A second data line crossing the gate line;
A light emitting region arranged in parallel with the second data line and including an organic light emitting diode; And
And a circuit region disposed adjacent to the light emitting region across the gate line and including a plurality of thin film transistors and a capacitor. 제2 항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀의 발광영역과 상기 제2 서브픽셀의 회로영역은 상기 게이트 라인을 기준으로 같은 편에 위치하는 표시장치.3. The method of claim 2,
And the light emitting region of the first sub pixel and the circuit region of the second sub pixel are located on the same side with respect to the gate line. 제3 항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀의 바깥 측에 상기 제1 데이터 라인과 나란하며, 상기 제1 서브픽셀과 상기 제2 서브픽셀에 각각 공유된 제1 전원라인을 포함하는 표시장치.The method of claim 3,
And a first power line that is aligned with the first data line on the outside of the first subpixel and is shared by the first subpixel and the second subpixel, respectively. 제4 항에 있어서,
상기 제2 서브픽셀의 바깥 측에 상기 제1 서브픽셀과 상기 제2 서브픽셀에 각각 공유된 센싱라인을 포함하는 표시장치.5. The method of claim 4,
And a sensing line shared on the outer side of the second sub-pixel with the first sub-pixel and the second sub-pixel, respectively. 제5 항에 있어서,
상기 센싱라인을 기준으로 상기 제1 서브픽셀 및 상기 제2 서브픽셀과 이웃하는 제3 서브픽셀 및 제4 서브픽셀을 포함하며, 상기 센싱라인은 상기 제3 서브픽셀 및 제4 서브픽셀에 공유된 표시장치.6. The method of claim 5,
And a third subpixel and a fourth subpixel neighboring the first subpixel and the second subpixel based on the sensing line, wherein the sensing line is connected to the third subpixel and the fourth subpixel Display device. 제6 항에 있어서,
상기 제3 서브픽셀은 상기 센싱라인과 나란한 제3 데이터 라인을 포함하고, 상기 제4 서브픽셀은 상기 제3 데이터 라인과 인접하여 나란한 제4 데이터 라인을 포함하는 표시장치.The method according to claim 6,
The third sub-pixel includes a third data line parallel to the sensing line, and the fourth sub-pixel includes a fourth data line adjacent to and adjacent to the third data line. 제7 항에 있어서,
상기 제3 서브픽셀과 상기 제4 서브픽셀은 각각, 유기발광다이오드를 포함하는 발광영역, 및 상기 게이트 라인을 사이에 두고 상기 발광영역과 이웃하여 배치되고 복수의 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 회로영역을 포함하는 표시장치.8. The method of claim 7,
The third subpixel and the fourth subpixel each include a light emitting region including an organic light emitting diode and a circuit region disposed adjacent to the light emitting region and including a plurality of thin film transistors and a capacitor, . 제8 항에 있어서,
상기 제3 서브픽셀의 발광영역과 상기 제4 서브픽셀의 회로영역은 상기 게이트 라인을 기준으로 같은 편에 위치하며, 상기 제1 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제2 서브픽셀의 회로영역과 같은 선 상에 위치하는 표시장치.9. The method of claim 8,
The light emitting region of the third subpixel and the circuit region of the fourth subpixel are located on the same side with respect to the gate line, and the same line as the light emitting region of the first subpixel and the circuit region of the second subpixel, And the display device. 제9 항에 있어서,
상기 제4 서브픽셀의 바깥 측에 상기 제4 데이터 라인과 나란하며, 상기 제3 서브픽셀과 상기 제4 서브픽셀에 각각 공유된 제2 전원라인을 포함하는 표시장치.10. The method of claim 9,
And a second power line that is arranged outside the fourth subpixel in parallel with the fourth data line and is shared by the third subpixel and the fourth subpixel, respectively. 제10 항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀은 적색 컬러필터와 중첩하여 적색을 방출하고, 상기 제2 서브픽셀은 백색을 방출하며, 상기 제3 서브픽셀은 청색 컬러필터와 중첩하여 청색을 방출하고 상기 제4 서브픽셀은 녹색 컬러필터와 중첩하여 녹색을 방출하는 표시장치.11. The method of claim 10,
The first sub-pixel overlaps with the red color filter to emit red, the second sub-pixel emits white, the third sub-pixel overlaps with the blue color filter to emit blue, and the fourth sub- A display device which emits green by overlapping with a green color filter. 제11 항에 있어서,
상기 적색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제2 서브픽셀의 회로영역에 중첩하고, 상기 청색 컬러필터는 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제4 서브픽셀의 회로영역에 중첩하며, 상기 녹색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 회로영역, 상기 제3 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제4 서브픽셀의 발광영역에 중첩하는 표시장치.12. The method of claim 11,
Wherein the red color filter overlaps the light emitting area of the first sub pixel and the circuit area of the second sub pixel and the blue color filter overlaps the light emitting area of the third sub pixel and the circuit area of the fourth sub pixel And the green color filter overlaps the circuit region of the first subpixel, the circuit region of the third subpixel, and the emission region of the fourth subpixel. 제11 항에 있어서,
상기 적색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 발광영역 및 회로영역에 중첩하고, 상기 청색 컬러필터는 상기 제2 서브픽셀의 회로영역, 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제3 서브픽셀의 회로영역에 중첩하며, 상기 녹색 컬러필터는 상기 제3 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제4 서브픽셀의 발광영역에 중첩하는 표시장치.12. The method of claim 11,
Wherein the red color filter overlaps the light emitting region and the circuit region of the first sub pixel and the blue color filter overlaps the circuit region of the second sub pixel, the light emitting region of the third sub pixel, And the green color filter overlaps the circuit region of the third subpixel and the emission region of the fourth subpixel. 제10 항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀은 적색 컬러필터와 중첩하여 적색을 방출하고, 상기 제2 서브픽셀은 백색을 방출하며, 상기 제3 서브픽셀은 녹색 컬러필터와 중첩하여 녹색을 방출하고 상기 제4 서브픽셀은 청색 컬러필터와 중첩하여 청색을 방출하는 표시장치.11. The method of claim 10,
The first sub-pixel overlaps with the red color filter to emit red, the second sub-pixel emits white, the third sub-pixel overlaps with the green color filter to emit green, and the fourth sub- A display device which emits blue light by overlapping with a blue color filter. 제14 항에 있어서,
상기 적색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제2 서브픽셀의 회로영역에 중첩하고, 상기 녹색 컬러필터는 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제4 서브픽셀의 회로영역에 중첩하며, 상기 청색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 회로영역, 상기 제3 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제4 서브픽셀의 발광영역에 중첩하는 표시장치.15. The method of claim 14,
Wherein the red color filter overlaps the light emitting area of the first sub pixel and the circuit area of the second sub pixel and the green color filter overlaps the light emitting area of the third sub pixel and the circuit area of the fourth sub pixel And the blue color filter overlaps the circuit region of the first subpixel, the circuit region of the third subpixel, and the emission region of the fourth subpixel. 제8 항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀의 회로영역과 상기 제2 서브픽셀의 발광영역은 상기 게이트 라인을 기준으로 같은 편에 위치하며, 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제4 서브픽셀의 회로영역과 상기 게이트 라인을 기준으로 같은 편에 위치하는 표시장치.9. The method of claim 8,
The circuit region of the first subpixel and the emission region of the second subpixel are located on the same side with respect to the gate line, and the circuit region of the third subpixel and the circuit region of the fourth subpixel, The display device being located on the same side with respect to the line. 제16 항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀은 백색을 방출하며, 상기 제2 서브픽셀은 적색 컬러필터와 중첩하여 적색을 방출하고, 상기 제3 서브픽셀은 녹색 컬러필터와 중첩하여 녹색을 방출하고 상기 제4 서브픽셀은 청색 컬러필터와 중첩하여 청색을 방출하는 표시장치.17. The method of claim 16,
The first sub-pixel emits white, the second sub-pixel overlaps the red color filter to emit red, the third sub-pixel overlaps the green color filter to emit green, and the fourth sub- A display device which emits blue light by overlapping with a blue color filter. 제17 항에 있어서,
상기 적색 컬러필터는 상기 제1 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제2 서브픽셀의 발광영역에 중첩하고, 상기 청색 컬러필터는 상기 제2 서브픽셀의 회로영역, 상기 제3 서브픽셀의 회로영역 및 상기 제4 서브픽셀의 발광영역에 중첩하며, 상기 녹색 컬러필터는 상기 제3 서브픽셀의 발광영역 및 상기 제4 서브픽셀의 회로영역에 중첩하는 표시장치.18. The method of claim 17,
Wherein the red color filter overlaps the circuit region of the first subpixel and the emission region of the second subpixel, and the blue color filter overlaps the circuit region of the second subpixel, the circuit region of the third subpixel, Overlap the emission region of the fourth subpixel, and the green color filter overlaps the emission region of the third subpixel and the circuit region of the fourth subpixel.
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