KR20190036472A - Resistance measurement apparatus, substrate inspection apparatus, and resistance measurement method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 저항 측정을 실시하는 저항 측정 장치, 이것을 사용한 기판 검사 장치, 및 저항 측정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
종래부터, 프린트 배선 기판 등의 기판에 형성된 배선 패턴을 검사하기 위해, 배선 패턴의 저항값을 측정하는 것이 실시되고 있다. 배선 패턴의 검사로는, 단선 유무의 검사는 물론이거니와, 배선 패턴의 폭이 좁아지거나, 두께가 얇아지거나 하는, 단선에 이르지 않는 불량도 검출할 필요가 있다. 이와 같은 단선에 이르지 않는 불량을 검출하기 위해서는, 고정밀도의 저항 측정을 실시할 필요가 있다. 이와 같은 고정밀도의 저항 측정 방법으로서, 4 단자 측정법을 사용한 저항 측정 장치가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).BACKGROUND ART Conventionally, in order to inspect a wiring pattern formed on a substrate such as a printed wiring board, a resistance value of the wiring pattern is measured. In inspection of the wiring pattern, it is necessary to detect not only the presence or absence of disconnection, but also the defect that the width of the wiring pattern becomes narrow, the thickness becomes thin, and the disconnection does not reach the disconnection. In order to detect defects not reaching such disconnection, it is necessary to conduct resistance measurement with high accuracy. As such a high-precision resistance measuring method, a resistance measuring apparatus using a four-terminal measuring method is known (see, for example, Patent Document 1).
특허문헌 1 에 기재된 저항 측정 장치는, 저항 측정 대상의 배선 패턴에 저항 측정용의 전류를 흐르게 하기 위한 1 쌍의 컨택트 프로브 (P1, P2) 와, 저항 측정 지점의 전압을 측정하기 위한 1 쌍의 컨택트 프로브 (P3, P4) 를 구비하고 있다.The resistance measuring apparatus disclosed in
특허문헌 1 에 기재된 저항 측정 장치에 의하면, 저항 측정용의 전류가 전압 측정용의 컨택트 프로브 (P3, P4) 에 흐르지 않으므로, 컨택트 프로브 (P3, P4) 자체의 저항에 의한 전압 강하가 저감되고, 고정밀도의 저항 측정이 가능해진다. 특허문헌 1 에 기재된 저항 측정 장치에서는, 전류 출력용의 정극측의 컨택트 프로브 (P1) 는 정전류원에 접속되고, 부극측의 컨택트 프로브 (P2) 는 회로 그라운드에 접속되어 있다 (특허문헌 1 의 도 1).According to the resistance measuring apparatus described in
그러나, 특허문헌 1 에 기재된 저항 측정 장치에서는, 부극측의 컨택트 프로브 (P2) 와 측정 대상체 (M) 의 접촉 저항을 저항 측정용의 전류가 흘러 전압이 발생한다. 이 전압은, 전압 측정용의 컨택트 프로브 (P3, P4) 에 대하여 코먼 모드 전압 (코먼 모드 노이즈) 이 된다. 컨택트 프로브 (P2) 의 접촉 저항 (Ro) 은 100 Ω 정도가 될 수 있으므로, 저항 측정용의 전류 (i) 를 20 ㎃ 로 하면, 코먼 모드 전압 (Vc) 은, Ro × i = 100 Ω × 20 ㎃ = 2000 ㎷ 가 된다 (도 7 참조).However, in the resistance measuring device described in
한편, 예를 들어 측정 대상이 배선 패턴인 경우, 그 저항값 (Rx) 은 1 mΩ 정도이다. 그러면, 저항 측정용의 전류 (i) 가 20 ㎃ 이면, 컨택트 프로브 (P3, P4) 에서 측정되는 측정 전압 (Vm) 은, Rx × i = 1 mΩ × 20 ㎃ = 20 ㎶ = 0.02 ㎷ 가 된다 (도 7 참조).On the other hand, for example, when the measurement object is a wiring pattern, its resistance value Rx is about 1 mΩ. Then, if the current (i) for resistance measurement is 20 mA, the measured voltage Vm measured by the contact probes P3 and P4 is Rx i = 1 m? X 20 mA = 20? = 0.02? 7).
그러면, 측정 전압은 코먼 모드 전압에 대하여, 20 log (측정 전압/코먼 모드 전압) = 20 log (0.02/2000) = -100 ㏈ 가 된다. 컨택트 프로브 (P2) 의 접촉에 의해 발생하는 접촉 저항은 불안정하기 때문에, 코먼 모드 전압도 불안정하게 변동한다. 측정 전압이 코먼 모드 전압에 대하여 -100 ㏈ 정도의 미소 전압이 되기 때문에, 측정 전압은 코먼 모드 전압의 변동의 영향을 받아 그 측정 정밀도가 저하된다. 그 결과, 측정 전압에 기초하여 얻어지는 저항 측정값의 정밀도도 저하된다는 문제가 있다.Then, the measured voltage is 20 log (measured voltage / common mode voltage) = 20 log (0.02 / 2000) = -100 dB for the common mode voltage. Since the contact resistance generated by the contact of the contact probe P2 is unstable, the common mode voltage also fluctuates unstably. The measurement voltage becomes a microvoltage of about -100 dB with respect to the common mode voltage, so that the measurement voltage is influenced by the fluctuation of the common mode voltage and the measurement accuracy thereof is lowered. As a result, there is a problem that the accuracy of the resistance measurement value obtained based on the measured voltage is lowered.
또, 코먼 모드 전압을 제로로 하는 방법으로는, 특허문헌 2 에 기재되어 있는 바와 같이, 코먼 모드 전압을 연산 증폭기의 반전 증폭 회로에 피드백함으로써, 연산 증폭기의 출력으로 코먼 모드 전압을 캔슬하는 방법을 생각할 수 있다. 도 8 은 특허문헌 2 의 도 1 에 기재된 회로의 등가 회로도이다. 특허문헌 2 의 전류 공급 단자 (22, 23) 및 전압 계측 단자 (24, 25) 의 접촉 저항 등을 Ro, 기생 용량을 Co 로 나타내고 있다.As a method of setting the common mode voltage to zero, there is a method of canceling the common mode voltage with the output of the operational amplifier by feeding back the common mode voltage to the inverting amplifier circuit of the operational amplifier as described in Patent Document 2 I can think. Fig. 8 is an equivalent circuit diagram of the circuit described in Fig. 1 of Patent Document 2. Fig. The contact resistance and the like of the
그러나, 이와 같은 방법에서는, 피드백 회로의 저항 성분이 되는 Ro 나 기생용량 Co 에 의한 피드백의 시간 지연, 연산 증폭기의 응답 지연 등이 발생하기 때문에, 고속 동작이 어렵고, 불안정하게 변동하는 코먼 모드 전압을 캔슬하는 것이 용이하지 않다.However, in such a method, since the feedback delay time due to Ro or the parasitic capacitance Co, which is a resistance component of the feedback circuit, and the response delay of the operational amplifier occur, it is difficult to perform high-speed operation, It is not easy to cancel.
본 발명의 목적은, 4 단자 측정법에 의한 저항 측정 정밀도를 향상시키는 것이 용이한 저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 및 저항 측정 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a resistance measuring apparatus, a substrate inspecting apparatus, and a resistance measuring method which can easily improve the resistance measuring accuracy by the four-terminal measuring method.
본 발명에 관련된 저항 측정 장치는, 도체의 저항을 측정하기 위한 저항 측정 장치로서, 상기 도체에 접촉시켜 소정의 측정용 전류를 흐르게 하기 위한 제 1 및 제 2 전류 프로브와, 상기 도체에 접촉시켜 상기 측정용 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 1 및 제 2 검출 프로브와, 상기 제 1 및 제 2 검출 프로브 간의 전압을 검출하는 전압 검출부와, 정극이 상기 제 1 전류 프로브와 접속되고, 부극이 그라운드와 접속되고, 미리 설정된 제 1 전류값의 전류를 출력하는 제 1 정전류원과, 정극이 상기 제 1 정전류원의 부극 및 상기 그라운드에 접속되며 상기 제 1 정전류원과 직렬 접속되고, 부극이 상기 제 2 전류 프로브와 접속되고, 상기 제 1 전류값과 실질적으로 동일한 제 2 전류값의 전류를 출력하는 제 2 정전류원과, 상기 도체에 있어서의 소정 부위를 상기 그라운드와 도통시키는 접지부와, 상기 전압 검출부에 의해 검출된 전압에 기초하여 상기 저항을 취득하는 저항 취득부를 구비한다.A resistance measuring apparatus according to the present invention is a resistance measuring apparatus for measuring a resistance of a conductor, comprising: first and second current probes for bringing a predetermined measuring current into contact with the conductor; A first detection probe for detecting a voltage generated in the conductor by a current for measurement; a voltage detection unit for detecting a voltage between the first and second detection probes; and a positive electrode connected to the first current probe A first constant current source connected to the negative electrode of the first constant current source and configured to output a current having a predetermined first current value and a positive electrode connected to the negative electrode of the first constant current source and the ground, A second constant current source connected to the second current probe with a negative electrode and outputting a current of a second current value substantially equal to the first current value; Of the predetermined portion and a portion acquiring resistance for acquiring the resistance on the basis of the ground unit and the voltage detected by the voltage detecting section and to conduct the ground.
또, 본 발명에 관련된 저항 측정 방법은, 도체의 저항을 측정하는 저항 측정 방법으로서, (a) 상기 도체에, 제 1 전류 프로브와 제 1 검출 프로브를 접촉시키는 공정과, (b) 상기 도체의, 상기 제 1 전류 프로브 및 상기 제 1 검출 프로브의 접촉 위치와는 이간된 위치에, 제 2 전류 프로브와 제 2 검출 프로브를 접촉시키는 공정과, (c) 정극이 상기 제 1 전류 프로브와 접속되고, 부극이 그라운드와 접속된 제 1 정전류원에 의해 미리 설정된 제 1 전류값의 전류를 출력시키고, 정극이 상기 제 1 정전류원의 부극 및 상기 그라운드에 접속되며 상기 제 1 정전류원과 직렬 접속되고, 부극이 상기 제 2 전류 프로브와 접속된 제 2 정전류원에 의해 상기 제 1 전류값과 실질적으로 동일한 제 2 전류값의 전류를 출력시키는 공정과, (d) 상기 도체에 있어서의 소정 부위를 상기 그라운드와 도통시키는 공정과, (e) 상기 제 1 및 제 2 검출 프로브 간의 전압을 검출하는 공정과, (f) 상기 (e) 공정에 의해 검출된 전압에 기초하여 상기 저항을 취득하는 공정을 포함한다.The resistance measuring method according to the present invention is a resistance measuring method for measuring a resistance of a conductor, comprising the steps of: (a) contacting the first current probe and the first detecting probe to the conductor; (b) Contacting the second current probe with the second detection probe at a position spaced apart from the contact position of the first current probe and the first detection probe, and (c) connecting the positive current probe to the first current probe The negative electrode of the first constant current source is connected to the negative electrode of the first constant current source and the ground, and the negative electrode of the first constant current source is connected in series with the first constant current source, Outputting a current of a second current value substantially equal to the first current value by a second constant current source having a negative electrode connected to the second current probe; and (d) (E) a step of detecting a voltage between the first and second detection probes; (f) a step of obtaining the resistance based on the voltage detected by the step (e) do.
이들 구성에 의하면, 제 1 및 제 2 전류 프로브와 제 1 및 제 2 검출 프로브를 사용한 4 단자 측정법에 의한 저항 측정을 실시하는 것이 가능하다. 그리고, 직렬로 접속되고, 또한 그 접속점이 그라운드 전위로 된 제 1 정전류원과 제 2 정전류원이 각각 제 1 전류값, 제 2 전류값의 출력 전류를 유지하려고 하는 결과, 그라운드와 도통된 도체의 소정 부위로부터 그라운드에 흐르는 전류가 대략 제로가 된다. 그 결과, 코먼 모드 전압이 대략 제로가 된다. 그리고, 코먼 모드 전압을 대략 제로로 한 상태에서 측정된 측정 전압에 기초하여 저항을 취득할 수 있으므로, 저항의 측정 정밀도를 향상시키는 것이 용이해진다. 따라서, 4 단자 측정법에 의한 저항 측정 정밀도를 향상시키는 것이 용이해진다.According to these configurations, it is possible to perform the resistance measurement by the four-terminal measuring method using the first and second current probes and the first and second detecting probes. As a result of the first constant current source and the second constant current source whose connection points are connected in series and whose ground potential is to maintain the output currents of the first current value and the second current value, The current flowing from the predetermined portion to the ground becomes approximately zero. As a result, the common mode voltage becomes approximately zero. Since the resistance can be acquired based on the measured voltage measured while the common mode voltage is substantially zero, it is easy to improve the measurement accuracy of the resistance. Therefore, it is easy to improve the resistance measurement accuracy by the four-terminal measurement method.
또, 상기 접지부는, 상기 소정 부위에 접촉시키기 위한 접지 프로브를 포함하고, 상기 접지 프로브는, 상기 그라운드와 접속되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the grounding unit includes a grounding probe for making contact with the predetermined portion, and the grounding probe is connected to the ground.
또, 상기 (d) 공정은, 상기 그라운드와 접속된 접지 프로브를, 상기 소정 부위에 접촉시키는 공정인 것이 바람직하다.It is preferable that the step (d) is a step of bringing the ground probe connected to the ground into contact with the predetermined portion.
이들 구성에 의하면, 접지 프로브를 도체의 소정 부위에 접촉시킴으로써, 도체을 그라운드와 도통시킬 수 있다.According to these structures, the grounding probe is brought into contact with a predetermined portion of the conductor, so that the conductor can be made conductive with the ground.
또, 상기 접지부는, 상기 제 2 검출 프로브를 상기 그라운드에 접속시키는 배선이어도 된다.The ground portion may be a wiring for connecting the second detection probe to the ground.
또, 상기 제 2 검출 프로브는, 상기 그라운드와 접속되어 있고, 상기 (b) 공정은, 상기 (d) 공정을 겸하고 있어도 된다.Further, the second detection probe may be connected to the ground, and the step (b) may also serve as the step (d).
이들 구성에 의하면, 제 2 검출 프로브를 접지 프로브와 겸용하여 사용할 수 있으므로, 별도로 접지 프로브를 형성하여 도체에 접촉시킬 필요가 없다.According to these configurations, since the second detection probe can also be used as a grounding probe, it is not necessary to separately form a grounding probe and contact the conductor.
또, 상기 도체의 일단부에는 제 1 전극이 형성되고, 상기 도체의 타단부에는 상기 제 1 전극보다 면적이 큰 제 2 전극이 형성되고, 상기 (a) 공정은, 상기 제 1 전극에 상기 제 1 전류 프로브와 상기 제 1 검출 프로브를 접촉시키는 공정이고, 상기 (b) 공정은, 상기 제 2 전극에 상기 제 2 전류 프로브와 상기 제 2 검출 프로브를 접촉시키는 공정이고, 상기 (d) 공정은, 상기 제 2 전극을 상기 소정 부위로 하여, 상기 제 2 전극에 상기 접지 프로브를 접촉시키는 공정인 것이 바람직하다.In addition, a first electrode is formed on one end of the conductor, and a second electrode having a larger area than the first electrode is formed on the other end of the conductor. In the step (a) Wherein the step (b) is a step of bringing the second current probe and the second detection probe into contact with the second electrode, and the step (d) is a step of bringing the first current probe into contact with the first current probe, And bringing the second probe into contact with the second electrode by using the second probe as the predetermined portion.
이 방법에 의하면, 면적이 작은 제 1 전극에 프로브를 2 개 접촉시키고, 면적이 큰 제 2 전극에 프로브를 3 개 접촉시키게 된다. 따라서, 제 1 및 제 2 전극에 대하여 각 프로브를 접촉시키는 것이 용이해진다.According to this method, two probes are brought into contact with a first electrode having a small area, and three probes are brought into contact with a second electrode having a large area. Therefore, it is easy to bring the probes into contact with the first and second electrodes.
또, 본 발명에 관련된 기판 검사 장치는, 상기 서술한 저항 측정 장치와, 상기 저항 측정 장치에 의해 측정된 저항에 기초하여, 기판에 형성된, 상기 도체인 배선의 검사를 실시하는 기판 검사부를 구비한다.The board inspecting apparatus according to the present invention includes the above-described resistance measuring apparatus and a board inspecting section for inspecting the conductor wiring formed on the board based on the resistance measured by the resistance measuring apparatus .
이 구성에 의하면, 저항 측정 장치에 의해 측정된 저항에 기초하여, 기판에 형성된 배선의 검사를 실시할 수 있다.According to this configuration, the wiring formed on the substrate can be inspected based on the resistance measured by the resistance measuring apparatus.
이와 같은 구성의 저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 및 저항 측정 방법은, 4 단자 측정법에 의한 저항 측정 정밀도를 향상시키는 것이 용이해진다.The resistance measuring apparatus, the substrate inspecting apparatus, and the resistance measuring method having such a configuration can easily improve the resistance measurement accuracy by the four-terminal measuring method.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 2 는 도 1 에 나타내는 기판 검사 장치와 기판의 등가 회로를 나타내는 설명도이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 저항 측정 방법의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
도 4 는 IC 를 검사하는 경우의 기판 검사 장치의 접속을 나타낸 설명도이다.
도 5 는 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 6 은 도 5 에 나타내는 기판 검사 장치와 기판의 등가 회로를 나타내는 설명도이다.
도 7 은 배경 기술에 관련된 코먼 모드 전압을 설명하기 위한 설명도이다.
도 8 은 특허문헌 2 의 도 1 에 기재된 회로의 등가 회로도이다.1 is a block diagram showing an example of a configuration of a substrate inspection apparatus using a resistance measuring apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is an explanatory view showing an equivalent circuit of the substrate inspection apparatus and the substrate shown in Fig.
3 is a flowchart showing an example of a resistance measuring method according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is an explanatory diagram showing the connection of the substrate inspection apparatus when the IC is inspected. Fig.
5 is a block diagram showing an example of a configuration of a substrate inspecting apparatus using a resistance measuring apparatus according to a second embodiment of the present invention.
6 is an explanatory view showing an equivalent circuit of the substrate inspection apparatus and the substrate shown in Fig.
7 is an explanatory view for explaining common mode voltages related to the background art.
Fig. 8 is an equivalent circuit diagram of the circuit described in Fig. 1 of Patent Document 2. Fig.
이하, 본 발명에 관련된 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(제 1 실시형태)(First Embodiment)
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치 (1) 의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 부호를 부여한 구성은, 동일한 구성인 것을 나타내고, 그 설명을 생략한다.1 is a block diagram showing an example of a configuration of a
도 1 에 나타내는 기판 검사 장치 (1) (저항 측정 장치) 는, 정전류원 (CS1) (제 1 정전류원), 정전류원 (CS2) (제 2 정전류원), 전압 검출부 (4), 전류 프로브 (Pc1) (제 1 전류 프로브), 전류 프로브 (Pc2) (제 2 전류 프로브), 검출 프로브 (Pv1) (제 1 검출 프로브), 검출 프로브 (Pv2) (제 2 검출 프로브), 접지 프로브 (PG) (접지부), 스캐너 (6), 및 제어부 (5) 를 구비하고 있다.The substrate inspecting apparatus 1 (resistance measuring apparatus) shown in Fig. 1 includes a constant current source CS1 (a first constant current source), a constant current source CS2 (a second constant current source), a
도 1 은 검사 대상이 되는 기판 (A) 에 대하여, 기판 검사 장치 (1) 의 각 프로브가 접촉된 상태를 나타내고 있다. 기판 검사 장치 (1) 는, 이른바 4 단자 측정법에 의해, 저항 측정을 실시하도록 되어 있다. 기판 검사 장치 (1) 에서 후술하는 기판 검사부 (52) 를 제외한 부분이 저항 측정 장치의 일례에 상당하고 있다.Fig. 1 shows a state in which each probe of the
검사 대상의 기판은, 예를 들어 반도체 패키지용의 패키지 기판, 인터포저 기판, 필름 캐리어, 프린트 배선 기판, 유리 에폭시 기판, 플렉시블 기판, 세라믹 다층 배선 기판 등의 기판이어도 되고, 액정 디스플레이, EL (Electro-Luminescence) 디스플레이 등의 디스플레이용의 전극판이나, 터치 패널용 등의 투명 도전판이어도 되고, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, CSP (Chip size package) 등의 반도체 기판 등등 다양한 기판이어도 된다.The substrate to be inspected may be a substrate such as a package substrate for a semiconductor package, an interposer substrate, a film carrier, a printed wiring board, a glass epoxy substrate, a flexible substrate, a ceramic multilayer wiring substrate, Or a transparent conductive plate for a touch panel, or a semiconductor substrate such as a semiconductor wafer, a semiconductor chip, or a semiconductor substrate such as a CSP (Chip Size Package), or the like.
또, 검사 대상의 기판은, 반도체 칩 등의 전자 부품이 매립된 부품 내장 기판 (임베디드 기판) 이어도 된다. 또, 검사 대상은 기판에 한정되지 않고, 반도체 칩 등의 전자 부품이어도 된다. 검사 대상의 기판이나 전자 부품에는, 배선 패턴, 패드, 랜드, 땜납 범프, 및 단자 등의 검사점이 형성되어 있다.The substrate to be inspected may be a component-embedded substrate (embedded substrate) in which an electronic component such as a semiconductor chip is buried. The object to be inspected is not limited to the substrate but may be an electronic component such as a semiconductor chip. Inspection points such as a wiring pattern, a pad, a land, a solder bump, and a terminal are formed on a substrate or an electronic component to be inspected.
도 1 에서는, 검사 대상의 기판 (A) 으로서 반도체 패키지용의 인터포저 기판의 단면도를 예시하고 있다. 기판 (A) 의 일방의 면에는, 반도체 칩과 접속되는 칩측 전극 (A1) (제 1 전극) 이 복수 형성되어 있다. 복수의 칩측 전극 (A1) 상호 간의 간격은, 반도체 칩의 미세한 전극 피치에 맞춰 좁은 피치로 되고, 칩측 전극 (A1) 의 사이즈도 작게 되어 있다. 기판 (A) 의 타방의 면에는, 반도체 칩을 외부와 접속시키기 위한 외향 전극 (A2) (제 2 전극) 이 복수 형성되어 있다.1 illustrates a cross-sectional view of an interposer substrate for a semiconductor package as a substrate A to be inspected. On one surface of the substrate A, a plurality of chip-side electrodes A1 (first electrodes) connected to the semiconductor chip are formed. The interval between the plurality of chip side electrodes A1 is narrowed in accordance with the fine electrode pitch of the semiconductor chip and the size of the chip side electrode A1 is also small. On the other surface of the substrate A, a plurality of outward electrodes A2 (second electrodes) for connecting the semiconductor chip to the outside are formed.
복수의 외향 전극 (A2) 은, 예를 들어 격자상으로 배치되고, 땜납 볼에 의해 외부와 접속되는 볼 그리드로 되어 있다. 복수의 외향 전극 (A2) 상호 간의 간격은, 외부와의 배선을 용이하게 하기 위해 칩측 전극 (A1) 상호 간의 간격보다 넓게 되고, 외향 전극 (A2) 의 사이즈도 칩측 전극 (A1) 보다 크게 되어 있다.The plurality of outward electrodes A2 are, for example, arranged in a lattice pattern and formed into a ball grid connected to the outside by solder balls. The interval between the plurality of outward electrodes A2 is wider than the interval between the chip side electrodes A1 to facilitate wiring with the outside and the size of the outgoing electrode A2 is also larger than the chip side electrode A1 .
각 칩측 전극 (A1) 과 각 외향 전극 (A2) 은, 기판 (A) 의 두께 방향을 관통하도록 형성된 배선 (A3) (도체) 에 의해 각각 도통 접속되어 있다. 기판 검사 장치 (1) 는, 각 배선 (A3) 의 저항값 (Rx) 을 측정하고, 검사한다. 배선 (A3) 은 도체의 일례에 상당하고, 칩측 전극 (A1) 은 배선 (A3) 의 일단부에 상당하고, 외향 전극 (A2) 은 배선 (A3) 의 타단부에 상당하고 있다.Each chip-side electrode A1 and each of the outward electrodes A2 are connected to each other by a wiring A3 (conductor) formed to penetrate the thickness direction of the substrate A, respectively. The
전류 프로브 (Pc1, Pc2), 검출 프로브 (Pv1, Pv2), 및 접지 프로브 (PG) 는, 예를 들어 기판 검사 장치 (1) 에 대하여 탈착 가능한 검사용 지그로서 구성되어 있다. 이하, 전류 프로브 (Pc1, Pc2), 검출 프로브 (Pv1, Pv2), 및 접지 프로브 (PG) 를, 간단히 프로브 (Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, PG) 로 기재하는 경우가 있다.The current probes Pc1 and Pc2, the detection probes Pv1 and Pv2 and the grounding probe PG are constituted as inspection jigs which can be detached from the
프로브 (Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, PG) 는, 예를 들어 직경이 100 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도인 탄성 (가요성) 을 갖는 와이어상의 접촉자이다. 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 및 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 는, 예를 들어 텅스텐, 하이스강 (SKH), 베릴륨구리 (Be-Cu) 등의 금속 그 밖의 도전체로 형성되어 있다.The probes Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, and PG are wire-like contacts having, for example, elasticity (flexibility) with diameters of about 100 m to 200 m. The current probes Pc1 and Pc2 and the detection probes Pv1 and Pv2 are formed of a metal or other conductor such as tungsten, high-speed steel SKH, or beryllium copper Be-Cu.
전류 프로브 (Pc1) 및 검출 프로브 (Pv1) 의 선단은, 기판 (A) 의 칩측 전극 (A1) 에 접촉된다. 전류 프로브 (Pc2), 검출 프로브 (Pv2), 및 접지 프로브 (PG) 의 선단은, 칩측 전극 (A1) 으로부터 이간된 위치에서 외향 전극 (A2) 에 접촉된다. 칩측 전극 (A1) 및 외향 전극 (A2) 에 대하여, 이와 같이 각 프로브를 접촉시키도록 하면, 작고 또한 좁은 피치의 칩측 전극 (A1) 에 프로브를 2 개 접촉시키고, 칩측 전극 (A1) 보다 크고 또한 넓은 피치의 외향 전극 (A2) 에 프로브를 3 개 접촉시키게 된다. 따라서, 칩측 전극 (A1) 및 외향 전극 (A2) 에 대하여 각 프로브를 접촉시키는 것이 용이해진다.The tips of the current probe Pc1 and the detection probe Pv1 are brought into contact with the chip side electrode A1 of the substrate A. [ The tip of the current probe Pc2, the detection probe Pv2 and the grounding probe PG are brought into contact with the outward electrode A2 at a position separated from the chip-side electrode A1. When the probes are brought into contact with the chip side electrode A1 and the outward electrode A2 in this manner, two probes are brought into contact with the chip side electrode A1 having a small and narrow pitch, So that three probes are brought into contact with the outward electrode A2 having a wide pitch. Therefore, it is easy to bring the probes into contact with the chip side electrode A1 and the outward electrode A2.
도 1 에서는 도시를 간략화하여 프로브 (Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, PG) 를 각각 1 개씩 기재하고 있는데, 1 장의 기판에 대하여, 검사점이 수백 내지 수천 설정되어 있는 경우가 있으며, 그러한 다수의 검사점에 대응하여 프로브 (Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, PG) 가 각각 수백 내지 수천 형성되어 있는 경우가 있다.In FIG. 1, each of the probes Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, and PG is described by simplifying the illustration. In some cases, hundreds to thousands of checkpoints are set for one substrate, Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, and PG, respectively, corresponding to several hundreds to several thousands of probes.
스캐너 (6) 는, 이들 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 와 정전류원 (CS1, CS2) 의 접속 관계, 이들 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 와 전압 검출부 (4) 의 접속 관계, 및 이들 접지 프로브 (PG) 와 그라운드의 접속 관계를 전환시키는 전환 회로이다. 스캐너 (6) 는, 예를 들어 스위치 (61, 62, 63, 64, 65) 를 포함하는 복수의 스위치를 구비하고 있다. 스위치 (61, 62, 63, 64, 65) 등의 스위치는, 예를 들어 트랜지스터 등의 반도체 스위치나, 릴레이 스위치 등, 다양한 스위칭 소자이다. 각 스위치는, 예를 들어 제어부 (5) 로부터의 제어 신호에 따라 온, 오프된다.The
정전류원 (CS1, CS2) 은, 일정한 전류를 흐르게 하는 정전류 회로이며, 배선 (A3) 에 측정용의 정전류를 흐르게 한다. 정전류원 (CS1, CS2) 으로는, 예를 들어 트랜지스터나 제너 다이오드를 사용하는 것, 커런트 미러 회로를 사용하는 것 등, 정전류 회로로서 알려져 있는 다양한 회로를 사용할 수 있고, 혹은 스위칭 전원 회로 등을 사용하여 구성되어 있어도 된다.The constant current sources CS1 and CS2 are constant current circuits for causing a constant current to flow, and a constant current for measurement flows in the wiring A3. As the constant current sources CS1 and CS2, various circuits known as a constant current circuit such as a transistor or a Zener diode or a current mirror circuit can be used, or a switching power supply circuit or the like is used .
정전류원 (CS1) 은, 그 정극 (+) 이 스위치 (61) 를 통하여 전류 프로브 (Pc1) 와 접속되고, 부극 (-) 이 그라운드 (GND) 와 접속되어 있다. 정전류원 (CS1) 은, 그 정극 (+) 으로부터 전류 프로브 (Pc1) 에 미리 설정된 제 1 전류값 (I1) 의 전류를 출력한다. 제 1 전류값 (I1) 은, 예를 들어 20 ㎃ 정도로 되어 있다.The positive constant current source CS1 has its positive electrode connected to the current probe Pc1 through the
정전류원 (CS2) 은, 그 정극 (+) 이 정전류원 (CS1) 의 부극 (-) 및 그라운드 (GND) 에 접속되며 정전류원 (CS1) 과 직렬 접속되고, 그 부극 (-) 이 스위치 (62) 를 통하여 전류 프로브 (Pc2) 와 접속된다. 정전류원 (CS2) 은, 그 정극 (+) 으로부터 정전류원 (CS1) 에, 제 1 전류값 (I1) 과 실질적으로 동일한 제 2 전류값 (I2) 의 전류를 출력한다. 여기서, 실질적으로 동일하다는 것은, 정전류원 (CS1, CS2) 의 제조 편차나, 전류 제어 정밀도 등에 의해 발생하는 정도의 차이가 있어도 동일하다고 간주하는 취지이다.The positive constant current source CS2 is connected in series with the constant current source CS1 and the positive polarity thereof is connected to the negative polarity of the constant current source CS1 and the ground GND and the negative polarity thereof is connected to the
그라운드 (GND) 는, 기판 검사 장치 (1) 의 회로 그라운드이다. 또한, 그라운드 (GND) 는, 기판 검사 장치 (1) 의 프레임 그라운드 (대지 접지) 여도 되지만, 회로 그라운드가 보다 바람직하다.The ground (GND) is the circuit ground of the
제어부 (5) 에 의해 스위치 (61, 62, 63, 64, 65) 가 온되면, 그라운드 (GND) 로부터, 정전류원 (CS1), 스위치 (61), 전류 프로브 (Pc1), 칩측 전극 (A1),배선 (A3), 외향 전극 (A2), 전류 프로브 (Pc2), 스위치 (62), 및 정전류원 (CS2) 을 통하여 그라운드 (GND) 로 되돌아오는 측정용 전류 (I) 의 전류 루프가 형성된다.The
전압 검출부 (4) 는, 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 간의 전압을 측정한다. 전압 검출부 (4) 는, 예를 들어 아날로그 디지털 컨버터나 분압 저항 등을 사용하여 구성되어 있다. 전압 검출부 (4) 의 정극측 (+) 단자는 스위치 (63) 를 통하여 검출 프로브 (Pv1) 와 접속되고, 전압 검출부 (4) 의 부극측 (-) 단자는 스위치 (64) 를 통하여 검출 프로브 (Pv2) 와 접속되어 있다. 이로써, 전압 검출부 (4) 는, 스캐너 (6) 에 의해 선택된 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 간의 전압을 측정 전압 (Vs) 으로서 측정하고, 측정 전압 (Vs) 을 나타내는 데이터를 제어부 (5) 에 출력한다.The
제어부 (5) 는, 예를 들어, 소정의 연산 처리를 실행하는 CPU (Central Processing Unit), 데이터를 일시적으로 기억하는 RAM (Random Access Memory), 소정의 제어 프로그램 등을 기억하는 불휘발성의 기억 장치, 및 이것들의 주변 회로 등을 구비한 이른바 마이크로 컴퓨터이다. 제어부 (5) 는, 소정의 제어 프로그램을 실행함으로써, 저항 취득부 (51), 및 기판 검사부 (52) 로서 기능한다.The
저항 취득부 (51) 는, 전압 검출부 (4) 에 의해 검출된 측정 전압 (Vs) 에 기초하여, 측정 대상의 배선 (A3) 의 저항값 (Rx) 을 연산한다. 구체적으로는, 측정용 전류 (I) 의 전류값 (Is) = 제 1 전류값 (I1) ≒ 제 2 전류값 (I2) 과, 측정 전압 (Vs) 에 기초하여, 하기의 식 (1) 을 사용하여 저항값 (Rx) 을 산출한다.The
저항값 (Rx) = Vs/Is … (1)The resistance value (Rx) = Vs / Is ... (One)
또한, 기판 검사 장치 (1) (저항 측정 장치) 는, 실제로 배선 (A3) 에 흐르는 전류의 전류값 (Is) 을 측정하는 전류 측정부를 구비하고, 저항 취득부 (51) 는, 전류 측정부에 의해 측정된 전류값 (Is) 과 측정 전압 (Vs) 을 사용하여 저항값 (Rx) 을 산출해도 된다. 또, 전류값 (Is) 이 고정값이면, 저항값 (Rx) 은 측정 전압 (Vs) 에 비례한다. 그래서, 저항 취득부 (51) 는, 식 (1) 을 사용하여 저항값 (Rx) 을 산출하지 않고, 측정 전압 (Vs) 을, 그대로 저항값 (Rx) 을 나타내는 정보로서 취득해도 된다.The substrate inspecting apparatus 1 (resistance measuring apparatus) is provided with a current measuring section for measuring a current value Is of a current actually flowing in the wiring A3. The
기판 검사부 (52) 는, 저항 취득부 (51) 에 의해 취득된 저항값 (Rx) 에 기초하여, 도체인 배선 (A3) 의 검사를 실시한다. 구체적으로는, 기판 검사부 (52) 는, 미리 기억부에 기억된 기준값 (Rref) 과 저항값 (Rx) 을 비교하고, 저항값 (Rx) 이 기준값 (Rref) 보다 작은 경우, 그 배선 (A3) 을 양품으로 판정하고, 저항값 (Rx) 이 기준값 (Rref) 이상인 경우, 그 배선 (A3) 을 불량으로 판정한다.The
도 2 는 스위치 (61, 62, 63, 64, 65) 가 온된 상태에서의 기판 검사 장치 (1) 와 기판 (A) 의 등가 회로를 나타내는 설명도이다. 도 2 에 있어서, 저항 (Rc1) 은 전류 프로브 (Pc1) 와 칩측 전극 (A1) 의 접촉 저항 및 스위치 (61) 등의 저항을 나타내고, 저항 (Rc2) 은 전류 프로브 (Pc2) 와 외향 전극 (A2) 의 접촉 저항 및 스위치 (62) 등의 저항을 나타내고, 저항 (Rv1) 은 검출 프로브 (Pv1) 와 칩측 전극 (A1) 의 접촉 저항 및 스위치 (63) 등의 저항을 나타내고, 저항 (Rv2) 은 검출 프로브 (Pv2) 와 외향 전극 (A2) 의 접촉 저항 및 스위치 (64) 등의 저항을 나타내고, 저항 (RG) 은 접지 프로브 (PG) 와 외향 전극 (A2) 의 접촉 저항 및 스위치 (65) 등의 저항을 나타내고 있다. 또, 도 2 에 나타내는 등가 회로에 있어서 발생하는 기생 용량을, 커패시터 (Cp) 로 나타내고 있다.2 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of the
이하, 도 2 에 나타내는 등가 회로에 기초하여, 기판 검사 장치 (1) 의 동작을 설명한다. 먼저, 정전류원 (CS1) 이 제 1 전류값 (I1) 의 전류를 출력하고, 정전류원 (CS2) 이 제 2 전류값 (I2) 의 전류를 출력하는 결과, 배선 (A3) 에는 전류값 (Is) 의 측정용 전류 (I) 가 흐른다. 이 때, 배선 (A3) 에서 발생한 노멀 모드의 전압이, 측정용 전류 (I) 가 흐르는 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 와는 다른 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 를 통하여 전압 검출부 (4) 에 의해 측정 전압 (Vs) 으로서 측정되고, 전압 검출부 (4) 로부터 저항 취득부 (51) 에 측정 전압 (Vs) 이 송신된다.Hereinafter, the operation of the
이 경우, 저항 (Rv1, Rv2) 에는 전류가 흐르지 않으므로, 저항 취득부 (51) 에 의해, 저항 (Rv1, Rv2) 이 배제된 측정 전압 (Vs) 에 기초하여 저항값 (Rx) 이 취득되는 결과, 이른바 2 단자 측정법과 비교하여 고정밀도의 저항 측정을 실시할 수 있다.In this case, since no current flows through the resistors Rv1 and Rv2, the resistance value Rx is acquired based on the measured voltage Vs excluding the resistors Rv1 and Rv2 by the
다음으로, 코먼 모드 전압에 대해 설명한다. 정전류원 (CS2) 과 저항 (Rc2) 은 직렬 접속되어 있으므로, 먼저 최초로 저항 (Rc2) 에 제 2 전류값 (I2) 의 전류가 흐르려고 한다. 저항 (Rc2) 의 저항값을 저항값 Rc2 로 하면, 저항 (Rc2) 에서 Rc2 × I2 의 전압이 발생한다. 정전류 회로는 일반적으로 내부 저항이 하이 임피던스이고, 정전류 전원 (CS2) 의 부극 (-) 전위는 그라운드 전위와는 일치하지 않으므로, 저항 (Rc2) 에서 발생한 전압이 그대로 저항 (RG) 에 인가되는 것은 아니다. 그러나, 저항 (Rc2) 에서 발생한 전압의 적어도 일부는 저항 (RG) 에 인가되고, 저항 (RG) 에 전류값 (I3) 의 전류가 흐르려고 한다.Next, the common mode voltage will be described. A constant current source (CS2) and the resistor (Rc2) are so connected in series, and going a current of a second current value (I 2) flows, first in the first resistor (Rc2). When the resistance of the resistor (Rc2) a resistance value Rc 2, the voltage of Rc 2 × I 2 occurs at the resistor (Rc2). Since the internal resistance of the constant current circuit is generally high impedance and the negative (-) potential of the constant current power source CS2 does not coincide with the ground potential, the voltage generated in the resistor Rc2 is not directly applied to the resistor RG . However, at least a portion of the voltage generated at the resistor (Rc2) is applied to the resistor (RG), and the current going to the current value (I 3) to the resistor (RG) flows.
여기서, 제 1 전류값 (I1), 제 2 전류값 (I2), 및 전류값 (I3) 의 사이에는, 하기의 식 (2), (3) 으로 나타내는 관계가 있다.Here, between the first current value I 1 , the second current value I 2 , and the current value I 3 , there is a relationship expressed by the following equations (2) and (3).
I1 = I2 + I3 … (2)I 1 = I 2 + I 3 ... (2)
I1 ≒ I2 … (3)I 1 ? I 2 ... (3)
여기서, 정전류원 (CS1) 은 정전류원이므로 제 1 전류값 (I1) 은 일정한 값이고, 제 1 전류값 (I1) ≒ 제 2 전류값 (I2) 이므로, 측정용 전류 (I) 로부터 저항 (RG) 에 전류값 (I3) 의 전류가 분류되면, 정전류원 (CS2) 의 부극 (-) 에 공급되는 전류가 제 2 전류값 (I2) 에 대하여 부족하고, 정전류원 (CS2) 은 제 2 전류값 (I2) 의 전류를 흐르게 할 수 없게 된다.Here, the constant current source (CS1) is a constant current source, so from the first current value (I 1) is a constant value, and the first current value (I 1) ≒ second current value (I 2) so, for measuring the current (I) When the current classification of the current value (I 3) to the resistor (RG), the negative electrode of the constant current source (CS2) (-) is the current supplied to the shortage relative to the second current value (I 2), the constant current source (CS2) The current of the second current value I 2 can not flow.
여기서, 정전류원 (CS2) 도 또한 정전류원이므로 제 2 전류값 (I2) 을 강제적으로 흐르게 하려고 한다. 이 때, 정전류원 (CS2) 의 정극 (+) 은 그라운드에 접속되어 있으므로, 정전류원 (CS2) 이 제 2 전류값 (I2) 을 강제적으로 흐르게 하려고 하는 작용에 의해, 정전류원 (CS2) 의 부극 (-) 에 대하여 제 2 전류값 (I2) 의 전류가 공급될 때까지 정전류원 (CS2) 의 부극 (-) 전위가 저하된다. 정전류원 (CS2) 의 부극 (-) 에 대하여 제 2 전류값 (I2) (≒ 제 1 전류값 (I1)) 의 전류가 공급되는 상태란, 식 (2) 로부터, 전류값 (I3) ≒ 0 이 되는 상태이다.Here, because the constant current source (CS2) is also a constant current source to flow to try to force the second current value (I 2). At this time, the constant current source (CS2), the positive electrode (+) is so connected to the ground, a constant current source (CS2), the second current value by the action of trying to forcibly flow in the (I 2), the constant current source (CS2) of The negative (-) potential of the constant current source CS2 drops until the current of the second current value I 2 is supplied to the negative electrode (-). The negative electrode of the constant current source (CS2) (-) the second current value with respect to the (I 2) from (≒ first current value (I 1)) is the state in which current is applied, the formula (2), the current value (I 3 ) &Amp;efDot;
저항 (RG) 에 흐르는 전류값 (I3) ≒ 0 이 되는 것은, 저항 (RG) 의 양단의 전위가 대략 동등해지는 것을 의미한다. 저항 (RG) 의 일단은 그라운드에 접속되어 있으므로, 저항 (RG) 의 타단, 즉 도 2 에 나타내는 외향 전극 (A2) 의 전위가 대략 그라운드 전위가 된다. 외향 전극 (A2) 에는 검출 프로브 (Pv2) 가 접촉하고 있으므로, 외향 전극 (A2) 의 전위가 대략 그라운드 전위가 되는 것은, 바로 전압 검출부 (4) 에 대하여 인가되는 코먼 모드 전압이 대략 제로가 되는 것이다.It is the current value (I 3) ≒ 0 through resistor (RG), means that the potential at the two ends of the resistor (RG) become approximately equal. Since one end of the resistor RG is connected to the ground, the other end of the resistor RG, that is, the potential of the outward electrode A2 shown in Fig. 2, becomes a substantially ground potential. Since the detection probe Pv2 is in contact with the outward electrode A2, the potential of the outward electrode A2 becomes substantially equal to the ground potential because the common mode voltage applied to the
이상과 같이, 직렬로 접속되고, 또한 그 접속점이 그라운드 전위로 된 정전류원 (CS1) 과 정전류원 (CS2) 이, 각각 제 1 전류값 (I1), 제 2 전류값 (I2) 의 출력 전류를 유지하려고 하는 결과, 정전류원 (CS1, CS2) 의 응답 시간 정도의 일순간의 시간 내에 상기 서술한 동작이 실시되어 코먼 모드 전압이 대략 제로가 된다.As described above, are connected in series, and a constant current source (CS1) and the constant current source (CS2) is the connection point A to the ground potential, respectively, the first current value (I 1), the second output of the current value (I 2) As a result of attempting to maintain the current, the above-described operation is carried out within a moment of time corresponding to the response time of the constant current sources CS1 and CS2, and the common mode voltage becomes substantially zero.
상기 서술한 바와 같이, 배경 기술에서는 코먼 모드 전압의 변동의 영향을 받아 측정 전압의 측정 정밀도가 저하된다. 그에 반하여, 기판 검사 장치 (1) 는, 코먼 모드 전압을 대략 제로로 할 수 있으므로, 배경 기술과 비교하여 측정 대상이 되는 저항값 (Rx) 의 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 4 단자 측정법에 의한 저항 측정 정밀도를 향상시키는 것이 용이하다.As described above, in the background art, measurement accuracy of measurement voltage is affected by fluctuation of common mode voltage. On the other hand, since the
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 저항 측정 방법의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 먼저, 저항 취득부 (51) 는, 도시가 생략된 구동 기구에 의해 전류 프로브 (Pc1) 및 검출 프로브 (Pv1) 를 이동시켜, 칩측 전극 (A1) 에 접촉시킨다 (스텝 S1 : 공정(a)). 다음으로, 저항 취득부 (51) 는, 도시가 생략된 구동 기구에 의해 전류 프로브 (Pc2), 검출 프로브 (Pv2), 및 접지 프로브 (PG) 를 이동시켜, 외향 전극 (A2) 에 접촉시킨다 (스텝 S2 : 공정 (b), (d)).3 is a flowchart showing an example of a resistance measuring method according to an embodiment of the present invention. First, the
다음으로, 저항 취득부 (51) 는, 스위치 (61, 62, 63, 64, 65) 를 온시킨다 (스텝 S3). 스텝 S2, S3 이 공정 (d) 의 일례에 상당하고 있다. 다음으로, 저항 취득부 (51) 는, 정전류원 (CS1) 에 의해 제 1 전류값 (I1) (= Is) 의 전류를 출력시키고, 정전류원 (CS2) 에 의해 제 2 전류값 (I2) (≒ I1) 의 전류를 출력시킨다 (스텝 S4 : 공정(c)).Next, the
다음으로, 전압 검출부 (4) 는, 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 간의 전압을 측정 전압 (Vs) 으로서 측정한다 (스텝 S5 : 공정(e)). 다음으로, 저항 취득부 (51) 는, 식 (1) 에 기초하여, 측정 대상의 저항값 (Rx) 을 산출하고 (스텝 S6), 그 저항값 (Rx) 을 예를 들어 도시가 생략된 표시 장치에 의해 표시시킨다.Next, the
이상, 스텝 S1 ∼ S6 의 처리에 의해, 코먼 모드 전압을 대략 제로로 한 상태에서 측정된 측정 전압 (Vs) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 산출할 수 있으므로, 저항값 (Rx) 의 산출 정밀도를 향상시키는 것이 용이해진다. 따라서, 4 단자 측정법에 의한 저항 측정 정밀도를 향상시키는 것이 용이하다.As described above, since the resistance value Rx can be calculated based on the measured voltage Vs measured in the state where the common mode voltage is made substantially zero by the processing of the steps S1 to S6, the calculation accuracy of the resistance value Rx Can be easily improved. Therefore, it is easy to improve resistance measurement accuracy by the four-terminal measuring method.
다음으로, 기판 검사부 (52) 에 의해, 저항값 (Rx) 과 기준값 (Rref) 이 비교된다 (스텝 S7). 그리고, 저항값 (Rx) 이 기준값 (Rref) 에 못 미치면 (스텝 S7 에서 YES), 기판 검사부 (52) 에 의해 배선 (A3) 은 양호한 것으로 판정된다 (스텝 S8). 한편, 저항값 (Rx) 이 기준값 (Rref) 이상이면 (스텝 S7 에서 NO), 기판 검사부 (52) 에 의해 배선 (A3) 은 불량인 것으로 판정되고 (스텝 S9), 이들 판정 결과가 예를 들어 도시가 생략된 표시 장치에 의해 표시되며, 처리를 종료한다.Next, the
다른 배선 (A3) 에 대해서도, 스텝 S1 ∼ S9 와 동일한 처리를 반복함으로써, 기판 (A) 에 있어서의 측정 대상의 모든 배선 (A3) 의 저항값 (Rx) 을 측정할 수 있고, 기판 (A) 이 양품인지의 여부를 검사하는 것이 가능해진다.The resistance value Rx of all the wirings A3 to be measured on the substrate A can be measured for the other wirings A3 by repeating the same processing as the steps S1 to S9, It is possible to check whether or not this is a good product.
또, 코먼 모드 전압은 노이즈이므로, 코먼 모드 전압을 대략 제로로 하는 것은 측정 전압 (Vs) 의 S/N 비를 향상시키는 것에 상당한다. 따라서, 상기 서술한 기판 검사 장치 (1) 및 저항 측정 방법에 의하면, S/N 비를 향상시켜 측정 전압 (Vs) 에 기초한 저항값 (Rx) 의 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다.In addition, since the common mode voltage is noise, setting the common mode voltage to approximately zero corresponds to improving the S / N ratio of the measured voltage Vs. Therefore, according to the
측정 전압 (Vs) 의 S/N 비를 향상시키는 방법으로는, 측정용 전류의 전류값을 증대시켜 신호 성분인 측정 전압을 증대시키는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 특허문헌 1 의 도 1 에 기재된 회로에서 측정용 전류의 전류값을 증대시키면, 부극측의 컨택트 프로브 (P2) 와 측정 대상체 (M) 의 접촉 저항으로 발생하는 전압이 증대되는 결과, 코먼 모드 전압이 증대된다. 그 때문에, 특허문헌 1 의 도 1 에 기재된 회로에서는, S/N 비를 향상시키는 것이 용이하지 않다.As a method for improving the S / N ratio of the measured voltage Vs, it is conceivable to increase the current value of the measuring current to increase the measured voltage as the signal component. However, when the current value of the measurement current is increased in the circuit of FIG. 1 of
한편, 기판 검사 장치 (1) 에 의하면, 코먼 모드 전압을 대략 제로로 함으로써 측정 전압 (Vs) 의 S/N 비를 향상시킬 수 있으므로, S/N 비를 향상시켜 저항값 (Rx) 의 측정 정밀도를 향상시키는 것이 용이하다.On the other hand, according to the
또, 특허문헌 1 의 도 1 에 기재된 회로에서는, 부품 내장 기판이나 전자 부품 등의 측정 대상에 대해 저항 측정을 실시하는 경우, 측정시에 코먼 모드 전압이 발생하면, 부품 내장 기판에 장착된 반도체 소자 등의 전자 부품에 대하여 측정 대상의 기생 용량의 충전 전하와의 관계로 측정 대상과 기판 검사 장치 사이에 전위차가 발생하는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 그 전위차에 의해, 전자 부품에 전압 또는 전류 스트레스가 가해져, 전자 부품을 손상시킬 우려가 있었다.In the circuit described in Fig. 1 of
도 4 는 신호 단자 (P1 ∼ Pn) 와, 전원 단자 (Vcc) 와, 그라운드 단자 (GND) 를 구비한 IC (Integrated Circuit) (100) 를 검사하는 경우의 기판 검사 장치 (1) 의 접속을 나타낸 설명도이다. 상기 서술한 바와 같이, 2 개의 정전류원 (CS1, CS2) 및 접지 프로브 (PG) 를 사용하지 않는 종래의 2 단자법이나 4 단자법에 의한 저항 측정에서는, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 나 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 를 접촉시킨 IC 의 단자에 코먼 모드 전압이 인가된다. IC (100) 에는, IC (100) 자체나 외부 배선에 의해 발생한 기생 용량 (Co) 이 있기 때문에, IC 의 단자에 부가된 코먼 모드 전압이 기생 용량 (Co) 에 돌아 들어가, IC (100) 에 스트레스가 가해지거나, 파손을 발생시키거나 하였다.4 shows a connection of the
이와 같은 경우, 측정용 전류를 서서히 증대시켜 코먼 모드 전압을 서서히 증대시킴으로써, 기생 용량을 코먼 모드 전압으로 서서히 충전시킴으로써, 기생 용량에 유입되는 전류값을 저감시키고, 또한 측정 대상과 기판 검사 장치 간의 전위차를 없애는 것을 생각할 수 있다. 이로써, 전자 부품의 손상을 방지할 수 있을 것으로 생각된다. 그러나, 측정용 전류를 서서히 증대시켜 기생 용량을 서서히 충전시키는 방법에서는, 측정 대상의 기생 용량이 코먼 모드 전압으로 충전되어 전위차가 없어질 때까지 전압 측정을 기다릴 필요가 있어, 측정에 필요한 시간이 증대된다.In this case, by slowly increasing the common mode voltage by gradually increasing the measuring current, the parasitic capacitance is gradually charged to the common mode voltage, thereby reducing the value of the current flowing into the parasitic capacitance, Can be considered. Thus, it is considered that the damage of the electronic component can be prevented. However, in the method of slowly charging the parasitic capacitance by gradually increasing the measuring current, it is necessary to wait for the voltage measurement until the parasitic capacitance of the measurement object becomes charged by the common mode voltage and the potential difference disappears, do.
그러나, 기판 검사 장치 (1) 에 의하면, 코먼 모드 전압이 대략 제로가 되므로, 측정 대상의 기생 용량이 코먼 모드 전압으로 충전되어 전위차가 없어질 때까지 전압 측정을 기다릴 필요가 없다. 그 결과, 저항 측정 시간 및 검사 시간을 단축시키는 것이 용이해진다.However, according to the
또, 코먼 모드 전압을 제로로 하는 방법으로는, 일본 공개특허공보 2007-333598호 (특허문헌 2) 에 기재되어 있는 바와 같이, 코먼 모드 전압을 연산 증폭기의 반전 증폭 회로에 피드백함으로써, 연산 증폭기의 출력으로 코먼 모드 전압을 캔슬하는 방법을 생각할 수 있다. 그러나, 이와 같은 방법에서는, 피드백 회로의 저항 성분이나 기생 용량에 의한 피드백의 시간 지연, 연산 증폭기의 응답 지연 등이 발생하기 때문에, 불안정하게 변동하는 코먼 모드 전압을 캔슬하는 것이 용이하지 않다.As a method of setting the common mode voltage to zero, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-333598 (Patent Document 2), by feeding back the common mode voltage to the inverting amplifier circuit of the operational amplifier, And the common mode voltage is canceled by the output. However, in such a method, the feedback delay time due to the resistance component of the feedback circuit and the parasitic capacitance, the response delay of the operational amplifier, and the like occur, so that it is not easy to cancel the unstable common mode voltage.
한편, 기판 검사 장치 (1) 에 의하면, 직렬로 접속되고, 또한 그 접속점이 그라운드 전위로 된 정전류원 (CS1) 과 정전류원 (CS2) 이 각각 제 1 전류값 (I1), 제 2 전류값 (I2) 의 출력 전류를 유지하려고 하는 결과, 코먼 모드 전압이 대략 제로가 되므로, 코먼 모드 전압을 저감시키는 것이 용이하다.On the other hand, in the substrate inspection device (1), are connected in series, and each of the constant current source (CS1) and the constant current source (CS2) connection point a to the ground potential first current value (I 1), the second current value result, the common mode voltage is approximately zero, which tries to keep the output current (I 2), it is easy to reduce the common mode voltage.
또한, 기판 검사 장치 (1) 는 기판 검사부 (52) 를 구비하지 않는 저항 측정 장치여도 되고, 스텝 S7 ∼ S9 를 실행하지 않아도 되다. 또, 스캐너 (6) 를 구비하고 있지 않아도 된다. 또, 접지 프로브 (PG) 는, 반드시 외향 전극 (A2), 즉 배선 (A3) (도체) 의 마이너스측의 일단에 접촉되는 예에 한정되지 않는다. 접지 프로브 (PG) 는, 배선 (A3) 의 마이너스측의 일단에 접촉되는 것이 바람직하지만, 배선 (A3) 의 플러스측의 일단인 칩측 전극 (A1) 에 접촉되어도 되고, 배선 (A3) 의 중간 부분에 접촉되어도 된다.The
또, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 및 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 는, 반드시 측정 대상의 배선 (A3) (도체) 의 양단부에 접촉되는 예에 한정되지 않는다. 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 및 검출 프로브 (Pv1, Pv2) 가 측정 대상의 중간 부분에 접촉된 경우여도, 전류 프로브 (Pc1) 및 검출 프로브 (Pv1) 의 접촉 지점과 전류 프로브 (Pc2) 및 검출 프로브 (Pv2) 의 접촉 지점 사이의 저항값을 측정할 수 있다.It should be noted that the current probes Pc1 and Pc2 and the detection probes Pv1 and Pv2 are not necessarily limited to the examples in which they are contacted at both ends of the wiring A3 (conductor) to be measured. Even if the current probes Pc1 and Pc2 and the detection probes Pv1 and Pv2 are brought into contact with the middle portion of the object to be measured, the contact points of the current probe Pc1 and the detection probe Pv1, the current probe Pc2, The resistance value between the contact points of the first and second electrodes Pv2 can be measured.
(제 2 실시형태)(Second Embodiment)
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치 (1a) 에 대해 설명한다. 도 5 는 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치 (1a) 의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 6 은 도 5 에 나타내는 기판 검사 장치 (1a) 와 기판 (A) 의 등가 회로를 나타내는 설명도이다. 도 5, 도 6 에 나타내는 기판 검사 장치 (1a) 와 도 1 에 나타내는 기판 검사 장치 (1) 는, 하기의 점에서 상이하다.Next, the
즉, 도 5, 도 6 에 나타내는 기판 검사 장치 (1a) 는, 접지 프로브 (PG) 및 스위치 (65) 를 구비하지 않고, 대신에 전압 검출부 (4) 의 부극 (-) 단자가 그라운드에 접속되어 있는 점에서, 기판 검사 장치 (1) 와는 상이하다. 이 경우, 전압 검출부 (4) 의 부극 (-) 단자를 그라운드에 접속시키는 배선이 접지부의 일례에 상당한다. 또, 스텝 S2 에 있어서 접지 프로브 (PG) 를 외향 전극 (A2) 에 접촉시키지 않고, 스텝 S3 에 있어서 스위치 (65) 를 온시키지도 않는다.That is, the
그 밖의 구성은 도 1 에 나타내는 기판 검사 장치 (1) 와 동일하므로 그 설명을 생략한다. 기판 검사 장치 (1a) 에 의해서도, 기판 검사 장치 (1) 의 경우와 동일하게, 직렬로 접속되고, 또한 그 접속점이 그라운드 전위로 된 정전류원 (CS1) 과 정전류원 (CS2) 이 각각 제 1 전류값 (I1), 제 2 전류값 (I2) 의 출력 전류를 유지하려고 한다. 그 결과, 저항 (Rv2) 에 흐르는 전류값 (I3) 이 대략 제로가 되고, 코먼 모드 전압이 대략 제로가 되므로, 코먼 모드 전압을 저감시키는 것이 용이하다.Other configurations are the same as those of the
또, 기판 검사 장치 (1a) 에 의하면, 접지 프로브 (PG) 를 별도 형성할 필요가 없으므로, 기판 검사 장치 (1) 보다 비용을 저감시키는 것이 용이하다. 또, 배선 (A3) 에 접촉시키는 프로브 수가 2 개여도 되므로, 배선 (A3) 에 3 개 프로브를 접촉시킬 필요가 있는 기판 검사 장치 (1) 보다, 프로브를 접촉시키는 것이 용이하다.Further, according to the
그런데, 정전류원 (CS1, CS2) 의 제 1 전류값 (I1) 과 제 2 전류값 (I2) 은 실질적으로 동일 (I1 ≒ I2) 하지만, 정전류원 (CS1, CS2) 의 제조 편차나 전류 제어 정밀도에서 기인하여, 다소의 차가 발생할 우려가 있다. 제 1 전류값 (I1) 과 제 2 전류값 (I2) 사이에 차가 발생한 경우, 그 차에 상당하는 전류값 (I3) 의 전류가, 도 6 에 나타내는 저항 (Rv2) 을 흐른다. 이 경우, 저항 (Rv2) 의 저항값을 저항값 Rv2 로 하면, 저항 (Rv2) 에서 Rv2 × I3 의 전압이 발생한다. 이 전압은, 전압 검출부 (4) 에 의해 측정되는 측정 전압 (Vs) 에 포함되므로, 측정 전압 (Vs) 의 측정 오차를 발생시키게 된다.However, the manufacturing variation of a constant current source for the first current value (I 1) and the second current value (I 2) are substantially the same (I 1 ≒ I 2), but, the constant current source (CS1, CS2) of (CS1, CS2) Or there may be a slight difference due to the current control precision. When a difference is generated between the first current value I 1 and the second current value I 2 , the current of the current value I 3 corresponding to the difference flows through the resistor Rv 2 shown in FIG. In this case, when the resistance of the resistor (Rv2) a resistance value Rv 2, a voltage of 2 × Rv I 3 is generated at the resistor (Rv2). Since this voltage is included in the measured voltage Vs measured by the
한편, 도 2 에 나타내는 기판 검사 장치 (1) 에서는, 제 1 전류값 (I1) 과 제 2 전류값 (I2) 사이에 차가 발생한 경우, 그 차에 상당하는 전류값 (I3) 의 전류는 저항 (RG) 을 흐른다. 저항 (RG) 을 전류가 흐름으로써 발생한 전압은, 기판 검사 장치 (1) 에서는, 측정 전압 (Vs) 에는 포함되지 않는다. 따라서, 기판 검사 장치 (1) 는, 기판 검사 장치 (1a) 보다 제 1 전류값 (I1) 과 제 2 전류값 (I2) 사이의 차에서 기인하는 측정 정밀도 오차가 잘 발생하지 않는 점에서, 보다 바람직하다.On the other hand, in the
1 : 기판 검사 장치 (저항 측정 장치)
4 : 전압 검출부
5 : 제어부
6 : 스캐너
51 : 저항 취득부
52 : 기판 검사부
61, 62, 63, 64, 65 : 스위치
A : 기판
A1 : 칩측 전극 (제 1 전극)
A2 : 외향 전극 (제 2 전극)
A3 : 배선 (도체)
Cp : 커패시터
CS1 : 정전류원 (제 1 정전류원)
CS2 : 정전류원 (제 2 정전류원)
GND : 그라운드
I : 측정용 전류
I1 : 제 1 전류값
I2 : 제 2 전류값
Is, I3 : 전류값
Pc1 : 전류 프로브 (제 1 전류 프로브)
Pc2 : 전류 프로브 (제 2 전류 프로브)
PG : 접지 프로브 (접지부)
Pv1 : 검출 프로브 (제 1 검출 프로브)
Pv2 : 검출 프로브 (제 2 검출 프로브)
Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, PG : 프로브
Rc1, Rc2, Rv1, Rv2, RG : 저항
Rc2, Rv2, Rx : 저항값
Rref : 기준값
Vs : 측정 전압1: Substrate inspection device (resistance measurement device)
4: Voltage detector
5:
6: Scanner
51:
52:
61, 62, 63, 64, 65: switch
A: substrate
A1: chip side electrode (first electrode)
A2: outward electrode (second electrode)
A3: Wiring (conductor)
Cp: Capacitor
CS1: constant current source (first constant current source)
CS2: constant current source (second constant current source)
GND: Ground
I: Current for measurement
I 1 : first current value
I 2 : second current value
Is, I 3 : current value
Pc1: current probe (first current probe)
Pc2: Current probe (second current probe)
PG: Grounding probe (ground)
Pv1: detection probe (first detection probe)
Pv2: detection probe (second detection probe)
Pc1, Pc2, Pv1, Pv2, PG: Probe
Rc1, Rc2, Rv1, Rv2, RG: Resistance
Rc 2 , Rv 2 , Rx: resistance value
Rref: Reference value
Vs: Measured voltage
Claims (8)
상기 도체에 접촉시켜 소정의 측정용 전류를 흐르게 하기 위한 제 1 및 제 2 전류 프로브와,
상기 도체에 접촉시켜 상기 측정용 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 1 및 제 2 검출 프로브와,
상기 제 1 및 제 2 검출 프로브 간의 전압을 검출하는 전압 검출부와,
정극이 상기 제 1 전류 프로브와 접속되고, 부극이 그라운드와 접속되고, 미리 설정된 제 1 전류값의 전류를 출력하는 제 1 정전류원과,
정극이 상기 제 1 정전류원의 부극 및 상기 그라운드에 접속되며 상기 제 1 정전류원과 직렬 접속되고, 부극이 상기 제 2 전류 프로브와 접속되고, 상기 제 1 전류값과 실질적으로 동일한 제 2 전류값의 전류를 출력하는 제 2 정전류원과,
상기 도체에 있어서의 소정 부위를 상기 그라운드와 도통시키는 접지부와,
상기 전압 검출부에 의해 검출된 전압에 기초하여 상기 저항을 취득하는 저항 취득부를 구비하는, 저항 측정 장치.A resistance measuring apparatus for measuring a resistance of a conductor,
First and second current probes for bringing a predetermined measurement current into contact with the conductor,
First and second detection probes for contacting the conductor to detect a voltage generated in the conductor by the measuring current,
A voltage detector for detecting a voltage between the first and second detection probes,
A first constant current source having a positive electrode connected to the first current probe, a negative electrode connected to the ground, and outputting a predetermined first current value,
Wherein a positive electrode is connected to the negative electrode of the first constant current source and the ground and is connected in series with the first constant current source, the negative electrode is connected to the second current probe, and a second current value A second constant current source for outputting a current,
A grounding portion for conducting a predetermined portion of the conductor to the ground,
And a resistance acquisition section that acquires the resistance based on the voltage detected by the voltage detection section.
상기 접지부는, 상기 소정 부위에 접촉시키기 위한 접지 프로브를 포함하고,
상기 접지 프로브는, 상기 그라운드와 접속되어 있는, 저항 측정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the grounding portion includes a grounding probe for contacting the predetermined portion,
And the grounding probe is connected to the ground.
상기 접지부는,
상기 제 2 검출 프로브를 상기 그라운드에 접속시키는 배선인, 저항 측정 장치.The method according to claim 1,
The ground unit may include:
And connecting the second detection probe to the ground.
상기 저항 측정 장치에 의해 측정된 저항에 기초하여, 기판에 형성된, 상기 도체인 배선의 검사를 실시하는 기판 검사부를 구비하는, 기판 검사 장치.A resistance measuring apparatus according to any one of claims 1 to 3,
And a board inspecting unit that inspects the wiring that is the conductor formed on the board based on the resistance measured by the resistance measuring apparatus.
(a) 상기 도체에, 제 1 전류 프로브와 제 1 검출 프로브를 접촉시키는 공정과,
(b) 상기 도체의, 상기 제 1 전류 프로브 및 상기 제 1 검출 프로브의 접촉 위치와는 이간된 위치에, 제 2 전류 프로브와 제 2 검출 프로브를 접촉시키는 공정과,
(c) 정극이 상기 제 1 전류 프로브와 접속되고, 부극이 그라운드와 접속된 제 1 정전류원에 의해 미리 설정된 제 1 전류값의 전류를 출력시키고, 정극이 상기 제 1 정전류원의 부극 및 상기 그라운드에 접속되며 상기 제 1 정전류원과 직렬 접속되고, 부극이 상기 제 2 전류 프로브와 접속된 제 2 정전류원에 의해 상기 제 1 전류값과 실질적으로 동일한 제 2 전류값의 전류를 출력시키는 공정과,
(d) 상기 도체에 있어서의 소정 부위를 상기 그라운드와 도통시키는 공정과,
(e) 상기 제 1 및 제 2 검출 프로브 간의 전압을 검출하는 공정과,
(f) 상기 (e) 공정에 의해 검출된 전압에 기초하여 상기 저항을 취득하는 공정을 포함하는, 저항 측정 방법.A resistance measuring method for measuring a resistance of a conductor,
(a) contacting the first current probe and the first detection probe to the conductor,
(b) bringing the second current probe and the second detection probe into contact with each other at a position separated from a contact position of the first current probe and the first detection probe of the conductor,
(c) a positive electrode connected to the first current probe, a negative electrode connected to the ground and configured to output a current of a first current value preset by the first constant current source, and a positive electrode connected to the negative electrode of the first constant current source and the ground Outputting a current of a second current value substantially equal to the first current value by a second constant current source connected in series with the first constant current source and having a negative electrode connected to the second current probe;
(d) conducting a predetermined portion of the conductor with the ground,
(e) detecting a voltage between the first and second detection probes,
(f) obtaining the resistance based on the voltage detected by the step (e).
상기 (d) 공정은, 상기 그라운드와 접속된 접지 프로브를, 상기 소정 부위에 접촉시키는 공정인, 저항 측정 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the step (d) is a step of bringing the ground probe connected to the ground into contact with the predetermined portion.
상기 제 2 검출 프로브는, 상기 그라운드와 접속되어 있고,
상기 (b) 공정은, 상기 (d) 공정을 겸하는, 저항 측정 방법.6. The method of claim 5,
The second detection probe is connected to the ground,
The step (b) also serves as the step (d).
상기 도체의 일단부에는 제 1 전극이 형성되고, 상기 도체의 타단부에는 상기 제 1 전극보다 면적이 큰 제 2 전극이 형성되고,
상기 (a) 공정은, 상기 제 1 전극에 상기 제 1 전류 프로브와 상기 제 1 검출 프로브를 접촉시키는 공정이고,
상기 (b) 공정은, 상기 제 2 전극에 상기 제 2 전류 프로브와 상기 제 2 검출 프로브를 접촉시키는 공정이고,
상기 (d) 공정은, 상기 제 2 전극을 상기 소정 부위로 하여, 상기 제 2 전극에 상기 접지 프로브를 접촉시키는 공정인, 저항 측정 방법.The method according to claim 6,
A first electrode is formed on one end of the conductor and a second electrode is formed on the other end of the conductor with a larger area than the first electrode,
The step (a) is a step of bringing the first current probe and the first detection probe into contact with the first electrode,
The step (b) is a step of bringing the second current probe and the second detection probe into contact with the second electrode,
Wherein the step (d) comprises bringing the ground probe into contact with the second electrode with the second electrode as the predetermined portion.
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