KR20180114439A - Display device using semiconductor light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a flexible display device using a semiconductor light emitting element.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.In recent years, display devices having excellent characteristics such as a thin shape and a flexible shape in the field of display technology have been developed. On the other hand, major displays that are commercialized today are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes).
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.However, in the case of LCD, there is a problem that the reaction time is not fast and the implementation of flexible is difficult. In the case of AMOLED, there is a weak point that the lifetime is short, the mass production yield is not good, and the degree of flexible is weak.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) are well-known semiconductor light emitting devices that convert current into light. In 1962, red LEDs using GaAsP compound semiconductors were commercialized, Has been used as a light source for a display image of an electronic device including a communication device. Accordingly, a method of solving the above problems by implementing a flexible display using the semiconductor light emitting device can be presented.
상기 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이는 상기 반도체 발광 소자의 발광 효율을 향상시켜야 한다는 필요성이 존재할 수 있다. 이러한 필요성의 해결을 위하여, 상기 반도체 발광 소자의 구조를 새로이 하는 방법 등이 이용될 수 있으나, 이는 반도체 발광 소자의 제조를 복잡하게 하는 단점이 있다. 이에, 본 발명에서는 전도성 접착층과 반사막의 구조를 접목하여 간단한 구조임에도 발광 효율을 향상하는 메커니즘에 대하여 제시한다.The flexible display using the semiconductor light emitting device may need to improve the luminous efficiency of the semiconductor light emitting device. In order to solve such a necessity, a method of renewing the structure of the semiconductor light emitting device or the like may be used, but this disadvantageously complicates the manufacture of the semiconductor light emitting device. Accordingly, the present invention proposes a mechanism for improving the luminous efficiency even though it is a simple structure by combining the structure of the conductive adhesive layer and the reflective film.
본 발명의 일 목적은 디스플레이 장치에서 휘도를 향상하는 구조 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a structure for improving luminance in a display device and a method of manufacturing the same.
본 발명의 다른 일 목적은, 전도성 접착층과 반사막의 조합을 통하여 간단한 구조임에도 발광 효율을 향상되는 디스플레이 장치 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.It is another object of the present invention to provide a display device which improves the luminous efficiency even though it is a simple structure through a combination of a conductive adhesive layer and a reflective film, and a method of manufacturing the same.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 전도성 접착층에 가압에 의하여 절곡되는 반사막을 구비하며, 이를 통하여, 반도체 발광 소자가 상기 전도성 접착층에 전사될 때 상기 반사막을 절곡시켜 상기 반도체 발광 소자를 감싸도록 한다.The display device according to the present invention includes a reflective film that is bent by pressing the conductive adhesive layer so that the reflective film is folded when the semiconductor light emitting device is transferred to the conductive adhesive layer to surround the semiconductor light emitting device.
보다 구체적으로, 상기 디스플레이 장치는, 배선전극이 형성되는 기판과, 이방성 전도매질을 구비하고, 상기 배선전극을 덮도록 배치되는 전도성 접착층과, 상기 전도성 접착층에 부착되며, 상기 이방성 전도매질을 통하여 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들, 및 상기 전도성 접착층에 삽입되며, 상기 반도체 발광소자에서 상기 배선기판을 향하는 방향으로 리세스되는 형상을 가져 상기 반도체 발광소자의 적어도 일부를 감싸는 반사막을 포함한다.More specifically, the display device includes a substrate on which a wiring electrode is formed, a conductive adhesive layer having an anisotropic conduction medium and disposed to cover the wiring electrode, and a conductive adhesive layer adhered to the conductive adhesive layer, A plurality of semiconductor light emitting elements electrically connected to the wiring electrodes and a reflective film inserted in the conductive adhesive layer and having a shape recessed in a direction from the semiconductor light emitting element toward the wiring substrate, .
실시 예에 있어서, 상기 반사막은, 상기 기판과 상기 반도체 발광소자의 하면 사이에 배치되는 제1부분과, 상기 제1부분에서 연장되는 제2부분, 및 상기 제2부분이 상기 반도체 발광소자를 감싸도록, 상기 제1부분과 제2부분의 사이에서 절곡되는 절곡부분을 포함한다. The reflective film may include a first portion disposed between the substrate and the lower surface of the semiconductor light emitting device, a second portion extending from the first portion, and the second portion surrounding the semiconductor light emitting device And a bent portion bent between the first portion and the second portion.
상기 절곡부분은 상기 반도체 발광소자의 하면이 상기 반사막을 가압함에 의하여 절곡될 수 있다. 상기 제2부분은 상기 반도체 발광소자의 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 상기 제1부분은 상기 이방성 전도매질과 상기 반도체 발광소자의 도전형 전극의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1부분은 상기 이방성 전도매질과 상기 배선전극의 사이에 배치될 수 있다.The bent portion may be bent by pressing the lower surface of the semiconductor light emitting element against the reflective film. The second portion may be formed to cover at least a part of a side surface of the semiconductor light emitting device. The first portion may be disposed between the anisotropic conduction medium and the conductive electrode of the semiconductor light emitting device. The first portion may be disposed between the anisotropic conduction medium and the wiring electrode.
실시 예에 있어서, 상기 반사막은 가압에 의하여 파손없이 절곡이 가능한 강도와 강성을 가지도록 금속박막으로 형성된다. In an exemplary embodiment, the reflective film is formed of a metal thin film so as to have strength and rigidity capable of bending without breakage by pressing.
상기 반사막은 알루미늄, 금, 은, 백금, 크롬 및 니켈 중 적어도 하나를 구비하며, 0.1 내지 500나노미터의 두께로 이루어질 수 있다.The reflective layer has at least one of aluminum, gold, silver, platinum, chromium, and nickel, and may have a thickness of 0.1 to 500 nanometers.
실시 예에 있어서, 상기 전도성 접착층은 복수의 레이어들을 구비하며, 상기 복수의 레이어들 중 어느 하나에 상기 반사막이 삽입된다.In an exemplary embodiment, the conductive adhesive layer includes a plurality of layers, and the reflective layer is inserted into one of the plurality of layers.
또한, 본 발명은 바디와, 상기 바디에 혼입되는 이방성 전도매질, 및 상기 바디에 배치되어 빛을 반사하고, 가압에 의하여 절곡될 수 있는 반사막을 포함하는 전도성 필름을 제시한다.The present invention also provides a conductive film comprising a body, an anisotropic conductive medium incorporated in the body, and a reflective film disposed on the body and reflecting light and being foldable by pressing.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 전도성 접착층에 반사막을 배치함에 따라, 반도체 발광소자들의 발광 빛을 상부로 유도하게 된다. 이 경우에, 반사막이 가압에 의하여 절곡되게 이루어짐에 따라, 상기 반도체 발광 소자가 상기 전도성 접착층에 전사될 때 상기 반사막을 절곡시켜 상기 반도체 발광 소자를 감싸도록 한다. 이를 통하여, 간단한 구조임에도 발광 효율을 향상하는 메커니즘이 구현될 수 있다.In the display device according to the present invention, the reflective film is disposed on the conductive adhesive layer, thereby guiding the light emitted from the semiconductor light emitting devices to the upper portion. In this case, when the semiconductor light emitting device is transferred to the conductive adhesive layer, the reflective film is bent so that the semiconductor light emitting device is surrounded by the reflective film. Through this, a mechanism for improving the luminous efficiency can be realized even though it is a simple structure.
특히, 측면 등의 주변부로 나오는 빛을 상측으로 모아주기 위해 백색안료(TiO2 등)를 함유한 전도성 접착층이 이용될 수 있으나, 고반사도 특성을 얻기 위해서는 백색안료 함량을 높여야 하는데 이로 인하여, 필름의 제작이 어렵고, 접착력 특성이 나빠질 수 있다. 본 발명에서는 반사막이 삽입되는 전도성 접착층이 이용되므로, 백색안료를 간단하게 대체할 수 있게 된다.Particularly, a conductive adhesive layer containing a white pigment (
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이다.
도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 14는 도 13의 G-G를 따라 취한 단면도이며, 도 15는 도 13의 H-H를 따라 취한 단면도이다.
도 16a 내지 16f와, 도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 20은 백색안료가 포함된 경우와, 반사막이 포함된 경우의 반사도를 비교하는 비교도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
Fig. 2 is a partially enlarged view of part A of Fig. 1, and Figs. 3a and 3b are cross-sectional views taken along line BB and CC of Fig.
4 is a conceptual diagram showing a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG.
FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG.
9 is a conceptual diagram showing a vertical semiconductor light emitting device of FIG.
Fig. 10 is an enlarged view of a portion A in Fig. 1 for explaining another embodiment of the present invention to which a semiconductor light emitting element having a new structure is applied.
11A is a cross-sectional view taken along line EE in Fig.
11B is a cross-sectional view taken along the line FF of FIG.
12 is a conceptual diagram showing the flip chip type semiconductor light emitting device of Fig. 11A.
13 is an enlarged view of a portion A in Fig. 1 for explaining another embodiment of the present invention.
Fig. 14 is a cross-sectional view taken along line GG in Fig. 13, and Fig. 15 is a cross-sectional view taken along line HH in Fig.
FIGS. 16A to 16F and FIGS. 17A to 17C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
18 and 19 are sectional views for explaining another embodiment of the present invention.
FIG. 20 is a comparative chart comparing the reflectance of a case where a white pigment is included and a case where a reflective film is included.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. In addition, it should be noted that the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in the present specification by the attached drawings.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it is understood that it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between There will be.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The display device described in this specification includes a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation device, a slate PC, , A Tablet PC, an Ultra Book, a digital TV, a desktop computer, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiments described herein may be applied to a device capable of being displayed, even in the form of a new product to be developed in the future.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. According to the illustrated example, the information processed in the control unit of the
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.The flexible display includes a display that can be bent, twistable, collapsible, and curlable, which can be bent by an external force. For example, a flexible display can be a display made on a thin, flexible substrate that can be bent, bent, folded or rolled like paper while maintaining the display characteristics of conventional flat panel displays.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.In a state where the flexible display is not bent (for example, a state having an infinite radius of curvature, hereinafter referred to as a first state), the display area of the flexible display is flat. In the first state, the display area may be a curved surface in a state of being bent by an external force (for example, a state having a finite radius of curvature, hereinafter referred to as a second state). As shown in the figure, the information displayed in the second state may be time information output on the curved surface. Such visual information is realized by independently controlling the emission of a sub-pixel arranged in a matrix form. The unit pixel means a minimum unit for implementing one color.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.The unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as one type of semiconductor light emitting device for converting a current into light. The light emitting diode is formed in a small size, so that it can serve as a unit pixel even in the second state.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a flexible display implemented using the light emitting diode will be described in detail with reference to the drawings.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.FIG. 2 is a partial enlarged view of a portion A of FIG. 1, FIGS. 3 A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2, FIG. 4 is a conceptual view of a flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. FIGS. 5A to 5C are conceptual diagrams showing various forms of implementing a color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 2, 3A and 3B, a
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.The
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.The
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.The insulating
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.The
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.Referring to these drawings, the conductive
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).As an example, the conductive
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only a specific part of the anisotropic conductive film has conductivity due to the anisotropic conductive medium. Hereinafter, the anisotropic conductive film is described as being subjected to heat and pressure, but other methods may be used to partially conduct the anisotropic conductive film. In this method, for example, either the heat or the pressure may be applied, or UV curing may be performed.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.In addition, the anisotropic conduction medium can be, for example, a conductive ball or a conductive particle. According to the example, in the present example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member. When heat and pressure are applied, only specific portions are conductive by the conductive balls. The anisotropic conductive film may be a state in which a plurality of particles coated with an insulating film made of a polymer material are contained in the core of the conductive material. In this case, the insulating film is broken by heat and pressure, . At this time, the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and the electrical connection in the Z-axis direction is partially formed by the height difference of the mating member adhered by the anisotropic conductive film.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, the anisotropic conductive film may be in a state in which a plurality of particles coated with a conductive material are contained in the insulating core. In this case, the conductive material is deformed (pressed) to the portion where the heat and the pressure are applied, so that the conductive material becomes conductive in the thickness direction of the film. As another example, it is possible that the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction and has conductivity in the thickness direction of the film. In this case, the conductive material may have a pointed end.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.According to the present invention, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of an insulating base member. More specifically, the insulating base member is formed of a material having adhesiveness, and the conductive ball is concentrated on the bottom portion of the insulating base member, and is deformed together with the conductive ball when heat and pressure are applied to the base member So that they have conductivity in the vertical direction.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not limited thereto. The anisotropic conductive film may be formed by randomly mixing conductive balls into an insulating base member or by forming a plurality of layers in which a conductive ball is placed in a double- ACF) are all available.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.The anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which a conductive ball is mixed with an insulating and adhesive base material. In addition, solutions containing conductive particles can be solutions in the form of conductive particles or nanoparticles.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.Referring again to FIG. 5, the
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. After the conductive
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.Referring to FIG. 4, the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring again to FIGS. 2, 3A and 3B, the
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.More specifically, the semiconductor
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. In addition, the plurality of semiconductor
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting element array may include a plurality of semiconductor light emitting elements having different brightness values. Each of the semiconductor
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.Also, since the semiconductor light emitting devices are connected in a flip chip form, the semiconductor light emitting devices grown on the transparent dielectric substrate can be used. The semiconductor light emitting devices may be, for example, a nitride semiconductor light emitting device. Since the semiconductor
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.As another example, the
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다. The
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.That is, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.(R), green (G), and blue (B) unit pixels may be implemented by combining the semiconductor
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.5A, each of the semiconductor
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.In this case, the semiconductor
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 5B, the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W having a yellow phosphor layer for each individual device. In this case, a
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.Referring to FIG. 5C, a
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.The semiconductor
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.Also, even if a square semiconductor
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.The display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a novel manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. The conductive
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.The conductive
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.A
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In this case, the
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.When the semiconductor light emitting device is formed in units of wafers, the semiconductor light emitting device can be effectively used in a display device by having an interval and a size at which a display device can be formed.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.Then, the wiring substrate and the
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Then, the
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다. Finally, the
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.Further, the method may further include forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.The manufacturing method and structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above can be modified into various forms. For example, a vertical semiconductor light emitting device may be applied to the display device described above. Hereinafter, the vertical structure will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In the modifications or embodiments described below, the same or similar reference numerals are given to the same or similar components as those of the previous example, and the description is replaced with the first explanation.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.8 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 7, and FIG. 9 is a conceptual view illustrating a vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8. FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention, to be.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.Referring to these drawings, the display device may be a display device using a passive matrix (PM) vertical semiconductor light emitting device.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.The display device includes a
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.A conductive
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.If the semiconductor
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.As described above, the electrical connection is generated because heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film to partially conduct in the thickness direction. Therefore, in the anisotropic conductive film, it is divided into a portion 231 having conductivity in the thickness direction and a portion 232 having no conductivity.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Thus, the semiconductor
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.A plurality of
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.9, the vertical type semiconductor light emitting device includes a p-
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.Referring to FIG. 8 again, a
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green may be applied to a display device to which a flip chip type light emitting device is applied, as described above.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다. The
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다. The
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.The
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.According to the example, the
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.If a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is used for positioning the
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the structure, the
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.Also, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.As another example, as the
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.If the
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, a
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다As described above, the semiconductor
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이고, 도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.FIG. 10 is an enlarged view of a portion A in FIG. 1 for explaining another embodiment of the present invention to which a semiconductor light emitting device having a new structure is applied, FIG. 11A is a cross- 11, and FIG. 12 is a conceptual diagram showing the flip-chip type semiconductor light emitting device of FIG. 11A.
도 10, 도 11a 및 도 11b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다. 10, 11A, and 11B illustrate a
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020) 및 제2 전극(1040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.The
기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The
제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The
전도성 접착층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)상에 형성된다. 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(1030)은 접착층으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(1020)이 기판(1010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성된다면, 접착층은 전도성이 필요없게 될 수 있다.A
상기 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(1040)이 위치한다.A plurality of
도시에 의하면, 상기 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(1030)은 배선기판과 제2전극(1040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.According to the illustration, the
상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 전도성 접착층(1030)에 결합 되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.The plurality of semiconductor
경우에 따라, 반도체 발광 소자(1050)가 형성된 기판(1010) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(1040)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(1040)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 또는 투명 절연층에 이격 되어 형성될 수도 있다.A transparent insulating layer (not shown) containing silicon oxide (SiOx) or the like may be formed on the
도시와 같이, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제2전극(1040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.As shown in the figure, the plurality of semiconductor
나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(1080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층 될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051c)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층 될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.Furthermore, the
한편, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스(1091)를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(1091)는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스(1091)는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스(1091)는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제1전극(1020)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자(1051)에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스(1091)는 상기 형광체층이 없는 공간을 사이에 두고(또는 청색 반도체 발광 소자(1051c)를 사이에 두고) 양측에 각각 형성될 수 있다.In order to improve the contrast of the
다시, 본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(1050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다. 다만, 전극이 상/하로 배치되나, 본 발명의 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다. Referring to the semiconductor
도 12를 참조하면, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1도전형 전극(1156)과, 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155)과, 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154)과, 상기 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되는 제2도전형 전극(1152)을 포함한다.12, for example, the semiconductor
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.More specifically, the first
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 형성되며, 상기 활성층(1154)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 타면과 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면의 사이에 형성되고, 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성된다.More specifically, the first
이 경우에, 상기 제2도전형 전극은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 타면에는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)이 형성될 수 있다. In this case, the second conductive type electrode is disposed on one surface of the second conductive
도 12를 도 10 내지 도 11b와 함께 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층의 일면은 상기 배선기판에 가장 가까운 면이 될 수 있고, 상기 제2도전형 반도체층의 타면은 상기 배선기판에 가장 먼 면이 될 수 있다.12, with reference to FIGS. 10 to 11B, one surface of the second conductive type semiconductor layer may be a surface closest to the wiring substrate, and the other surface of the second conductive type semiconductor layer It can be a far plane.
또한, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 폭방향을 따라 이격된 위치에서 각각 상기 폭방향과 수직방향(또는 두께방향)으로 서로 높이차를 가지도록 이루어진다. The first
상기 높이차를 이용하여 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되나, 반도체 발광소자의 상측에 위치하는 상기 제2전극(1040)과 인접하게 배치된다. 예를 들어, 상기 제2도전형 전극(1152)은 적어도 일부가 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 측면(또는, 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면)으로부터 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 이와 같이, 제2도전형 전극(1152)이 상기 측면에서 돌출되기에, 상기 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 상측으로 노출될 수 있다. 이를 통하여, 상기 제2도전형 전극(1152)은 전도성 접착층(1030)의 상측에 배치되는 상기 제2전극(1040)과 오버랩되는 위치에 배치된다.The second
보다 구체적으로, 반도체 발광 소자는 상기 제2도전형 전극(1152)에서 연장되며, 상기 복수의 반도체 발광 소자의 측면에서 돌출되는 돌출부(1152a)를 구비한다. 이 경우에, 상기 돌출부(1152a)를 기준으로 보면, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 상기 돌출부(1152a)의 돌출방향을 따라 이격된 위치에서 배치되며, 상기 돌출방향과 수직한 방향으로 서로 높이차를 가지도록 형성되는 것으로 표현될 수 있다.More specifically, the semiconductor light emitting device includes
상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)으로 연장된다. 상기 돌출부(1152a)는 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면에서 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 따라서, 상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다. The protruding
상기 돌출부(1152a)를 구비하는 구조는, 전술한 수평형 반도체 발광소자와 수직형 반도체 발광소자의 장점을 이용할 수 있는 구조가 될 수 있다. 한편, 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)에서 상기 제1도전형 전극(1156)으로부터 가장 먼 상면에는 roughing 에 의하여 미세홈들이 형성될 수 있다.The structure including the
또한, 상기 반도체 발광소자(1050)는 상기 제2도전형 전극(1152)을 덮도록 형성되는 절연부(1158)를 포함할 수 있다. 상기 절연부(1158)는 상기 제2도전형 전극(1152)과 함께 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. In addition, the semiconductor
이 경우에, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 상기 활성층(1154)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성되며, 상기 절연부(1158)를 사이에 두고 일방향으로 이격 배치된다. 여기에서, 일방향(또는 수평방향)은 상기 반도체 발광소자의 폭방향이 되며, 수직방향은 상기 반도체 발광소자의 두께방향이 될 수 있다. In this case, the second
또한, 상기 제1도전형 반도체층(1155)에서 상기 절연부(1158)에 의하여 덮이지 않고 노출되는 부분에 상기 제1도전형 전극(1156)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 절연부(1158)를 관통하여 외부로 노출된다.In addition, the first
이와 같이, 상기 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극(1156, 1152)은, 상기 절연부(1058)에 의해 이격되므로, 반도체 발광 소자의 n형 전극 및 p형 전극은 절연될 수 있다.Since the first conductive type electrode and the second
또한, 디스플레이 장치(1000)는 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080, 도 11b 참조)를 더 구비할 수 있다. 이 경우에, 반도체 발광소자들에서 출력된 빛은 형광체를 이용하여 여기시켜, 적색(R) 및 녹색(G)을 구현하게 된다. 또한, 전술한 블랙 매트릭스(191, 291, 1091, 도 3b, 도 8 및 도 11b 참조)가 형광체들의 사이에서 혼색을 방지하는 격벽의 역할을 하게 된다. The
나아가, 본 발명에서는, 디스플레이 장치에서 구조 및 제법은 간단하나, 휘도는 증가되는 메커니즘을 제시한다. 특히, 본 발명은 전도성 접착층과 반사막의 구조를 접목하여 간단한 구조임에도 발광 효율을 향상하는 메커니즘에 대하여 제시한다.Furthermore, in the present invention, the structure and the manufacturing method are simple in the display device, but the brightness is increased. In particular, the present invention proposes a mechanism for improving the luminous efficiency even though it is a simple structure by combining the structure of the conductive adhesive layer and the reflective film.
이하, 발광 효율을 향상하는 본 발명의 디스플레이 장치의 구조에 대하여 첨부된 도면과 함께 상세하게 살펴본다. 도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이며, 도 14는 도 13의 G-G를 따라 취한 단면도이며, 도 15는 도 13의 H-H를 따라 취한 단면도이다.Hereinafter, the structure of the display device of the present invention for improving the luminous efficiency will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 13 is an enlarged view of a portion A in Fig. 1 for explaining another embodiment of the present invention, Fig. 14 is a sectional view taken along line GG in Fig. 13, and Fig. 15 is a sectional view taken along a line HH in Fig. 13 .
도 13, 도 14 및 도 15의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치로서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(2000)를 예시한다. 보다 구체적으로, 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광소자에서 휘도는 증가되는 메커니즘이 부가된 경우를 예시한다.13, 14, and 15 illustrate a
이하 설명되는 본 예시에서는, 앞서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 예시의 각 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. 예를 들어, 디스플레이 장치(2000)는 기판(2010), 제1전극(2020), 제2전극(2040) 및 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 10 내지 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다. In this example described below, the same or similar reference numerals are given to the same or similar components as those of the example described above with reference to Figs. 10 to 12, and the description thereof is replaced with the first explanation. For example, the
이 경우에, 상기 반도체 발광 소자(2050)는 제1도전형 전극(2156)과, 제1도전형 전극(2156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(2155)과, 제1도전형 반도체층(2155) 상에 형성된 활성층(2154)과, 상기 활성층(2154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(2153) 및 제2도전형 반도체층(2153)에 형성되는 제2도전형 전극(2152)을 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다. In this case, the semiconductor
또한, 도 12를 참조하여 전술한 바와 같이, 돌출부(2152a)가 상기 제2도전형 반도체층(2153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(2153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(2153a)으로 연장된다. 따라서, 상기 돌출부(2152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(2040)과 전기적으로 연결될 수 있다. 12, protrusions 2152a extend laterally from one surface of the second conductivity
이 때에, 제2도전형 반도체층(2153)은 n형 반도체층으로서, n-GaN 과 같은 질화물 반도체층이 될 수 있으며, 제1도전형 반도체층(2155)은 p형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.At this time, the second conductivity
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 진성 또는 도핑된 반도체기판에 불순물을 주입하여, 상기 제1도전형 반도체층(2155) 및 제2도전형 반도체층(2153)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 불순물 주입에 의하여 p-n 접합이 형성된 영역이 상기 활성층과 같은 역할을 할 수도 있다. 상기 제1도전형 반도체층, 제2도전형 반도체층 및 활성층에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, according to another embodiment of the present invention, the first conductivity type semiconductor layer 2155 and the second conductivity
도시에 의하면, 상기 반도체 발광소자(2050)는 상기 제2도전형 전극(2152)을 덮도록 형성되는 절연부(패시베이션층, 2158)를 포함할 수 있다. 상기 절연부(2158)는 상기 제2도전형 전극(2152)과 함께 상기 제1도전형 반도체층(2155)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. The semiconductor
또한, 상기 제1도전형 반도체층(2155)에서 상기 절연부(2158)에 의하여 덮이지 않고 노출되는 부분에 상기 제1도전형 전극(2156)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1도전형 전극(2156)은 상기 절연부(2158)를 관통하여 외부로 노출된다.In addition, the first
또한, 디스플레이 장치(2000)는 복수의 반도체 발광소자(2050)의 일면에 형성되는 형광체층(2080)을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(2050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(2080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 이 경우에, 반도체 발광소자들(2050)에서 출력된 빛은 형광체를 이용하여 여기시켜, 적색(R) 및 녹색(G)을 구현하게 된다. 한편, 상기 형광체층(2080)은 컬러필터나 퀀텀닷 등으로 대체될 수 있다. 또한, 전술한 블랙 매트릭스(191, 291, 1091, 도 3b, 도 8 및 도 11b 참조)가 형광체들의 사이에서 혼색을 방지하는 격벽의 역할을 하게 된다. The
본 도면들을 참조하면, 전도성 접착층(2030)은 상기 기판(2010, 배선기판)에 상기 반도체 발광소자들(2050)을 부착하면서, 상기 기판(2010)과 상기 반도체 발광소자들(2050)을 전기적으로 연결한다. 이 경우에, 상기 전도성 접착층(2030)은 이방성 전도성 필름이 될 수 있다.Referring to these drawings, the
예를 들어, 상기 제1전극(2020)은 상기 기판(2010) 상에 배치되며, 따라서 배선전극이 될 수 있다. 상기 제1전극(2020)은 전도성 접착층(2030)의 이방성 전도매질(2034)을 매개로 하여 상기 반도체 발광소자(2050)와 전기적으로 연결되며, 데이터 신호를 전송하는 데이터 전극으로서 구동될 수 있다.For example, the
이에 반해, 상기 제2전극(2040)은 전도성 접착층(2030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(2030)은 배선기판과 제2전극(2040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(2040)은 상기 반도체 발광 소자(2050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있으며, 스캔 신호를 전송하는 스캔 전극으로서 구동될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1전극(2020)이 스캔 전극이 되고, 상기 제2전극(2040)이 데이터 전극이 되는 것도 가능하다.On the other hand, the
본 예시에서는, 상기 전도성 접착층(2030)이 복수의 레이어들(2031, 2032, 2033)을 구비하며, 상기 복수의 레이어들 중 적어도 하나에는 백색안료(2060)가 첨가된다. 상기 백색안료(2060)는 상기 전도성 접착층(2030)의 내부에 혼입되어, 상기 반도체 발광소자들(2050)에서 발광되는 빛을 반사한다.In this example, the
이 경우에, 상기 백색안료(2060)는 산화티탄, 알루미나, 산화마그네슘, 산화안티몬, 산화지르코늄 및 실리카 중 적어도 하나를 구비할 수 있다.In this case, the
예를 들어, 상기 전도성 접착층(2030)은 제1레이어(2031), 제2레이어(2032) 및 제3레이어(2033)를 포함한다.For example, the
상기 제1레이어(2031)는 상기 기판(2010) 상에 배치되는 레이어로서, 상기 기판(2010)이 부착되는 접착력을 가지도록 이루어진다. 또한, 상기 제1레이어는 합착공정에 적합하도록 유동성이 좋은 재질로 형성될 수 있다. The
한편, 상기 제1레이어(2031)는 반도체 발광소자에 직접 접촉하는 부분이 아니기 때문에 백색안료를 포함하지 않을 수 있다. 이와 같이, 백색안료가 미포함됨에 따라, 상기 제1레이어(2031)는 접착력의 저하가 완화 또는 방지될 수 있다. 또한, 상기 제1레이어(2031)는 제1전극(2020)의 각 열들(또는 행들)의 사이를 충전하도록 이루어진다.On the other hand, the
상기 제2레이어(2032)는 상기 제1레이어(2031)에 적층되는 레이어로서, 상기 이방성 전도매질(2034)이 배치되는 레이어가 될 수 있다. 상기 제2레이어(2032)의 적어도 일부에 상기 반도체 발광소자의 적어도 일부가 삽입될 수 있다. 이를 통하여 상기 이방성 전도매질(2034)이 상기 반도체 발광소자의 제1도전형 전극(2156)과 접촉하게 되며, 발광소자와 기판의 배선전극이 통전하게 된다.The
상기 제2레이어는 상기 제1레이어(2031)보다 용융상태에서의 점도가 높은 재료로 이루어질 수 있다. 상기 제2레이어(2032)는 상기 제1레이어(2031)와 달리 이방성 전도매질의 유동을 최대한 억제시키는 것이 효율적이며, 이를 위해 고 용융점도 특성을 가지는 것이다.The second layer may be made of a material having a higher viscosity in the molten state than the
분자량이 높아질수록 용융점도가 상승되므로, 상기 제2레이어(2032)는 상기 제1레이어(2031)보다 고분자의 열가소성 수지로 형성될 수 있다. 이러한 예로서, 상기 제2레이어(2032)는 스티렌-부타디엔 고무, SEBS(Stylene-Etylene-Btylene-Stylene) 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 카르복실 변성 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-이소부틸아크릴 레이트 공중합체, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리비닐에테르, 폴리비닐부티랄, 폴리우레탄, SBS(Stylene-Butadiene-Stylene) 블록공중합체, 카르복실 변성 SBS 공중합체, SIS 공중합체, SEBS 공중합체, 말레산 변성 SEBS 공중합체, 폴리부타디엔 고 무, 클로로프렌 고무, 카르복실 변성 클로로프렌 고무, 스티렌-부타디엔 고무, 이소부틸렌-이소프렌 공중합체, 아크릴 로니트릴-부타디엔 고무, 카르복실 변성 아크릴 로니트릴-부타디엔 고무, 아민 변성 아크릴 로니트릴-부타디엔 고무 중 적어도 하나를 구비할 수 있다.The higher the molecular weight, the higher the melt viscosity, so that the
상기 제3레이어(2033)는 상기 제2레이어(2032)에 적층되는 레이어로서, 상기 이방성 전도매질이 미배치되는 레이어가 될 수 있다. 상기 제3레이어(2033)를 형성하는 수지는 상기 제1레이어 및 제2레이어에 구비되는 수지 중 어느 하나가 될 수 있다. The
또한, 상기 제3레이어(2033)의 일면에 상기 제2전극(2040)이 배치될 수 있다. 상기 제1레이어(2031)와 제3레이어(2033)의 사이에 제2레이어(2032)가 배치되며, 상기 제3레이어(2033)에 상기 반도체 발광소자가 부착될 수 있다. In addition, the
상기 반도체 발광소자는 적어도 일부가 상기 제3레이어(2033)를 관통하도록 형성되며, 따라서 상기 반도체 발광소자는 상기 제3레이어(2033)과 직접 대면하게 된다. 이 경우에, 상기 반도체 발광소자에서 발광되는 빛을 반사하기 위하여, 상기 백색안료(2060)가 상기 제3레이어(2033)에 포함될 수 있다. 이와 같이, 제3레이어(2033)도 상기 백색안료(2060)를 통해 발광소자로부터 발생된 빛의 반사도를 증가시킨다. At least a part of the semiconductor light emitting device is formed to penetrate through the
한편, 도시에 의하면, 반사막(2070)이 상기 전도성 접착층(2030)에 삽입된다. 예를 들어, 상기 전도성 접착층(2030)의 복수의 레이어들(2031, 2032, 2033) 중 어느 하나에 상기 반사막(2070)이 삽입될 수 있다. 상기 전도성 접착층(2030)은 수지로 이루어지는 바디와, 상기 바디에 혼입되는 이방성 전도매질을 구비하며, 가압에 의하여 절곡될 수 있는 반사막(2070)이 상기 바디에 배치되어 빛을 반사한다. 전술한 바와 같이, 상기 바디는 복수의 레이어들(2031, 2032, 2033) 을 구비하고, 상기 반사막(2070)은 상기 복수의 레이어들(2031, 2032, 2033) 중 어느 하나에 배치될 수 있다.On the other hand, according to the drawing, the
상기 반사막(2070)은 상기 반도체 발광소자(2050)에서 상기 배선기판(2010)을 향하는 방향으로 리세스되는 형상을 가지며, 이를 통하여 상기 반도체 발광소자의 적어도 일부를 감싸게 된다.The
본 실시예에서는, 상기 반사막(2070)이 상기 전도성 접착층의 제3레이어(2033)에 삽입되는 것을 예시한다. 상기 반사막(2070)은 상기 백색안료(2060)와 조합되어, 반도체 발광소자의 측면이나 하면으로 방출되는 빛을 상부로 반사한다. 이를 통하여, 디스플레이 장치의 휘도가 증가될 수 있다.In this embodiment, it is illustrated that the
보다 구체적으로, 상기 반사막(2070)은 제1부분(2071), 제2부분(2072) 및 절곡부분(2073)을 포함할 수 있다.More specifically, the
상기 제1부분(2071)은 상기 기판(2010)과 상기 반도체 발광소자(2050)의 하면 사이에 배치되는 부분으로서, 상기 기판(2010)과 평행한 평판이 될 수 있다. 도시에 의하면, 상기 제1부분(2071)은 상기 이방성 전도매질과 상기 반도체 발광소자의 도전형 전극의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1부분(2071)은 상기 반도체 발광소자의 제1도전형 전극(2156)과 접촉되며, 상기 이방성 전도매질은 상기 제1부분(2071)과, 상기 배선기판의 제1전극(2010)의 사이를 전기적으로 연결한다. 이는 제조 공정에서, 상기 전도성 접착층의 외면(예를 들어, 제3레이어의 일면) 상에 상기 반사막(2070)이 평판 형태로 배치되며, 반도체 발광소자가 상기 전도성 접착층에 합착될 때에, 상기 제1부분(2071)이 상기 반도체 발광소자의 하면에 의하여 가압되기 때문이다. 이에 대하여는, 제조공정에 대한 설명에서 후술한다. The
또한, 상기 제2부분(2072)은 상기 제1부분(2071)의 양측에서 연장되는 부분으로서, 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 이루어진다. 상기 제2부분(2072)은 상기 반도체 발광소자의 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성된다. 상기 절곡부분(2073)은 상기 제2부분(2072)이 상기 반도체 발광소자를 감싸도록, 상기 제1부분(2071)과 제2부분(2072)의 사이에서 절곡된다. 이 경우에, 상기 절곡부분(2073)은 상기 반도체 발광소자(2050)의 하면이 상기 반사막(2070)을 가압함에 의하여 절곡될 수 있다. 이는, 상기 제1부분(2071)이 상기 반도체 발광소자(2050)의 하면에 의하여 가압될 때에, 상기 제2부분(2072)이 상기 제3레이어(2033)의 수지에 의하여 가압되기 때문에 발생할 수 있다.The
상기 반사막(2070) 구조의 구현을 위하여, 상기 반사막(2070)은 가압에 의하여 파손없이 절곡이 가능한 강도와 강성을 가지도록 금속박막으로 형성될 수 있다. 이러한 예로서, 상기 반사막(2070)은 알루미늄, 금, 은, 백금, 크롬 및 니켈 중 적어도 하나를 구비하며, 0.1 내지 500나노미터의 두께로 이루어질 수 있다. 마이크로 크기의 반도체 발광소자에 의하여 가압 및 절곡되므로, 약 50 나노미터 정도의 얇은 반사 금속박막을 형성하여, 고반사를 구현하게 된다.In order to realize the structure of the
상기에서 설명한 구조에 의하면, 상기 반사막(2070)은 상기 형광체층(2080)에서 반사되어 디스플레이 장치의 내부로 향하는 빛을 상기 형광체층(2080)으로 재반사하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 반사막(2070)은 반도체 발광소자의 측면이나 하면으로 방출되는 빛을 상부로 반사한다. 이를 통하여, 디스플레이 장치의 휘도가 증가될 수 있다.According to the structure described above, the
이와 같이 본 예시에서는 간단한 구조임에도 디스플레이 장치의 휘도가 증가하는 메커니즘을 제시한다. 한편, 이하에서는 도 13 내지 도 15의 디스플레이 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.Thus, the present example shows a mechanism in which the brightness of the display device increases even though the structure is simple. Hereinafter, a method of manufacturing the display device of Figs. 13 to 15 will be described.
도 16a 내지 16f와, 도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.FIGS. 16A to 16F and FIGS. 17A to 17C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
먼저, 제조방법에 의하면, 성장기판(W, 또는 반도체 웨이퍼에 제2도전형 반도체층(2053), 활성층(2054), 제1 도전형 반도체층(2055)을 각각 성장시킨다(도 16a).First, according to the manufacturing method, the growth substrate (W) or the second conductivity type semiconductor layer 2053, the active layer 2054, and the first conductivity type semiconductor layer 2055 are grown on the semiconductor wafer (FIG. 16A).
제2도전형 반도체층(2053)이 성장하면, 다음은, 상기 제1도전형 반도체층(2052) 상에 활성층(2054)을 성장시키고, 다음으로 상기 활성층(2054) 상에 제1도전형 반도체층(2055)을 성장시킨다. 이와 같이, 제2도전형 반도체층(2053), 활성층(2054) 및 제1도전형 반도체층(2055)을 순차적으로 성장시키면, 도시된 것과 같이, 제2도전형 반도체층(2053), 활성층(2054) 및 제1도전형 반도체층(2055)이 적층 구조를 형성한다.When the second conductivity type semiconductor layer 2053 is grown, an active layer 2054 is grown on the first conductivity type semiconductor layer 2052 and then a first conductivity type semiconductor layer 2054 is formed on the active layer 2054. Next, Layer 2055 is grown. When the second conductivity type semiconductor layer 2053, the active layer 2054 and the first conductivity type semiconductor layer 2055 are sequentially grown as described above, the second conductivity type semiconductor layer 2053, the active layer 2054, 2054 and the first conductivity type semiconductor layer 2055 form a laminated structure.
성장기판(W)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 성장기판(W)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. The growth substrate W may be formed of any material having optical transparency, for example, sapphire (Al 2 O 3), GaN, ZnO, or AlO, but is not limited thereto. Further, the growth substrate W may be formed of a carrier wafer, which is a material suitable for semiconductor material growth. And may include a conductive substrate or an insulating substrate, for example, a SiC substrate having higher thermal conductivity than a sapphire (Al2O3) substrate, or at least one of Si, GaAs, GaP, InP and Ga2O3 Can be used.
상기 제2도전형 반도체층(2053)은 n형 반도체층으로서, n-Gan 과 같은 질화물 반도체층이 될 수 있으며, 나아가 언도프된(Undoped) 반도체층(2153a)을 포함할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 2053 may be an n-type semiconductor layer and may be a nitride semiconductor layer such as n-GaN, and may further include an
다음은, p형 반도체와 n형 반도체를 분리하기 위한 식각 과정이 수행된다. 예를 들어, 도 16b를 참조하면, 상기 제1도전형 반도체층(2055)과 활성층(2054)의 적어도 일부를 식각하여, 상기 제1도전형 반도체층(2055)을 복수의 부분으로 구획한다(Mesa 식각). 이 경우에, 상기 활성층(2054) 및 제1 도전형 반도체층(2055)은 수직방향으로 일부가 제거되어, 상기 제2도전형 반도체층(2053)이 외부로 노출된다. 상기 식각을 통하여 상기 기판상에서 반도체 발광소자들의 어레이를 형성하게 된다.Next, an etching process for separating the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is performed. For example, referring to FIG. 16B, at least a part of the first conductivity type semiconductor layer 2055 and the active layer 2054 are etched to divide the first conductivity type semiconductor layer 2055 into a plurality of portions ( Mesa etch). In this case, the active layer 2054 and the first conductivity type semiconductor layer 2055 are partly removed in the vertical direction, and the second conductivity type semiconductor layer 2053 is exposed to the outside. And the array of semiconductor light emitting devices is formed on the substrate through the etching.
다음으로, 식각을 통하여 상기 기판상에서 서로 고립(isolation)된 복수의 반도체 발광소자를 형성한다(도 16c 참조). 이 경우에, 상기 식각은 언도프된(Undoped) 반도체층이 드러날때까지 진행될 수 있다. 다른 예로서, 반도체 발광소자의 사이에서 상기 제2도전형 반도체층(2053)의 일부를 남겨놓은 상태까지 식각이 진행될 수 있다.Next, a plurality of semiconductor light emitting elements isolated from each other on the substrate are formed through etching (see FIG. 16C). In this case, the etching may proceed until the undoped semiconductor layer is exposed. As another example, the etching may proceed to a state where a part of the second conductive type semiconductor layer 2053 is left between the semiconductor light emitting elements.
다음으로, 상기 반도체 발광소자들에 적어도 하나의 도전형 전극을 형성(도 16d)한다. 보다 구체적으로, 상기 제2도전형 반도체층(2053)의 일면에 상기 제2도전형 전극(2052)을 형성한다. 즉, 상기 기판상에서 반도체 발광소자들의 어레이를 형성한 후에, 상기 제2도전형 반도체층(2053)에는 제2도전형 전극(2052)이 적층된다.Next, at least one conductive electrode is formed in the semiconductor light emitting devices (FIG. 16D). More specifically, the second conductive type electrode 2052 is formed on one surface of the second conductive type semiconductor layer 2053. That is, after the array of the semiconductor light emitting devices is formed on the substrate, the second conductive type electrode 2052 is stacked on the second conductive type semiconductor layer 2053.
이후에, 상기 제2도전형 전극(2052)이 형성된 상태에서, 절연체를 도포하여 절연부(2058)를 형성한다(도 16e).Thereafter, in a state where the second conductive type electrode 2052 is formed, an insulator is applied to form an insulating portion 2058 (Fig. 16E).
상기 제2도전형 전극(2052) 및 상기 활성층(2054)은 상기 제2 도전형 반도체층(2053)의 일면에 형성되며, 상기 절연부(2058)를 사이에 두고 수평방향으로 이격 배치된다. 또한, 발광 소자 어레이를 형성하는 복수의 반도체 발광 소자들은 인접한 발광 소자들과 일정 공간을 사이에 두고 이격되도록 배치될 수 있는데, 이격 배치되는 반도체 발광 소자들의 사이는 절연부(2058)로 채워질 수 있다. 또한, 상기 절연부(2058)는 상기 제1도전형 전극(2056)의 전기적 연결을 위하여, 상기 제1도전형 반도체층(2055)의 일부를 덮지 않도록 이루어진다.The second conductive type electrode 2052 and the active layer 2054 are formed on one surface of the second conductive type semiconductor layer 2053 and are horizontally spaced apart with the insulating portion 2058 therebetween. In addition, the plurality of semiconductor light emitting elements forming the light emitting element array may be spaced apart from the adjacent light emitting elements by a certain space, and between the semiconductor light emitting elements spaced apart may be filled with the insulating portion 2058 . The insulating layer 2058 is formed not to cover a part of the first conductive type semiconductor layer 2055 in order to electrically connect the first conductive type electrode 2056.
다음으로, 상기 제1도전형 반도체층에는 제1도전형 전극이 적층된다(도 16f). 상기 제1도전형 전극은 상기 절연부의 개구를 통하여 외부로 돌출될 수 있다.Next, a first conductive type electrode is stacked on the first conductive type semiconductor layer (FIG. 16F). The first conductive electrode may protrude to the outside through the opening of the insulating portion.
이후에, 반도체 발광소자들의 어레이를 배선기판과 연결하고 상기 기판을 제거하는 단계가 진행된다.Thereafter, a step of connecting the array of semiconductor light emitting elements to the wiring substrate and removing the substrate is performed.
예를 들어, 반도체 발광소자들을 전도성 접착층을 이용하여 배선기판에 결합하며, 성장기판을 제거한다(도 17a 및 도 17b). 상기 배선기판은 제1전극(2020)이 형성된 상태이며, 상기 제1전극(2020)은 하부 배선으로서 상기 전도성 접착층(2030)내에서 도전볼 등에 의해 제1도전형 전극(2156)과 전기적으로 연결된다. 도 17a 내지 도 17d에서는, 설명의 편의를 위하여 도 15에서 도시된 단면을 기준으로 도시한다.For example, semiconductor light emitting devices are bonded to a wiring substrate using a conductive adhesive layer, and the growth substrate is removed (Figs. 17A and 17B). The
이 경우에, 반사막(2070)이 상기 전도성 접착층(2030)에 삽입된다. 예를 들어, 상기 전도성 접착층의 복수의 레이어들(2031, 2032, 2033) 중 어느 하나에 상기 반사막(2070)이 삽입될 수 있다. 상기 전도성 접착층은 수지로 이루어지는 바디와, 상기 바디에 혼입되는 이방성 전도매질을 구비하며, 가압에 의하여 절곡될 수 있는 반사막(2070)이 상기 바디에 배치되어 빛을 반사한다. 전술한 바와 같이, 상기 바디는 차례로 적층되는 제1레이어(2031), 제2레이어(2032) 및 제3레이어(2033)를 구비하고, 상기 반사막(2070)은 상기 복수의 레이어들(2031, 2032, 2033) 중 어느 하나에 배치될 수 있다. 또한, 상기 복수의 레이어들(2031, 2032, 2033) 중 적어도 하나에는 백색안료(2060)가 첨가될 수 있다.In this case, the
도 17a를 참조하면, 상기 반사막(2070)은 상기 전도성 접착층(2030)의 일면에 배치될 수 있다. 이러한 예로서, 제3레이어(2033)의 외면에 상기 반사막(2070)이 배치된다. 이 때에, 상기 반사막(2070)은 상기 반도체 발광소자(2050)보다 더 넓은 면적을 가지도록 이루어진다.Referring to FIG. 17A, the
이 경우에, 상기 배선기판과 성장기판은 열압착될 수 있다. 예를 들어, 배선기판과 성장기판은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 성장기판은 본딩(bonding)된다. 도 17b를 참조하면, 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자는 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 상기 반사막(2070)을 가압하게 된다.In this case, the wiring board and the growth substrate can be thermally compressed. For example, a wiring board and a growth substrate can be thermocompressed by applying an ACF press head. The wiring substrate and the growth substrate are bonded by the thermocompression bonding. Referring to FIG. 17B, the semiconductor light emitting device is inserted into the anisotropic conductive film due to the characteristics of the anisotropic conductive film having conductivity by thermocompression, thereby pressing the
상기 반사막(2070)은 가압에 의하여 파손없이 절곡이 가능한 강도와 강성을 가지도록 금속박막으로 형성될 수 있다. 이러한 예로서, 상기 반사막(2070)은 알루미늄, 금, 은, 백금, 크롬 및 니켈 중 적어도 하나를 구비하며, 0.1 내지 500나노미터의 두께로 이루어질 수 있다. 마이크로 크기의 반도체 발광소자에 의하여 가압 및 절곡되므로, 약 50 나노미터 정도의 얇은 반사 금속박막을 형성하여, 고반사를 구현하게 된다.The
상기 가압에 의하여, 상기 반사막(2070)은 상기 반도체 발광소자에서 상기 배선기판을 향하는 방향으로 리세스되는 형상을 가지며, 이를 통하여 상기 반도체 발광소자의 적어도 일부를 감싸게 된다. 보다 구체적으로, 상기 반사막(2070)은 도 13 내지 도 15와 같이, 제1부분, 제2부분 및 절곡부분을 포함할 수 있다. 이들에 대한 설명은 전술한 내용으로 갈음한다.The
이후에, 도 17b와 같이, 상기 성장기판을 제거한다. 예를 들어, 성장기판은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 17B, the growth substrate is removed. For example, the growth substrate can be removed using a laser lift-off method (LLO) or a chemical lift-off method (CLO).
이후에, 언도프된(Undoped) 반도체층(2153a)을 식각하여 제거한 후에, 상기 돌출된 제2도전형 전극(2152)을 연결하는 제2전극(2040, 도 14 참조)을 형성한다(도 17c). 상기 제2전극(2040)은 상부 배선으로서, 상기 제2도전형 전극(2152)과 직접 연결된다. 또한, 상부배선을 형성한 이후에, 형광체층(2080)을 형성할 수 있다.Thereafter, the
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 언도프된 반도체층은 UV 레이저를 흡수하는 다른 형태의 흡수층으로 대체될 수 있다. 상기 흡수층은 버퍼층이 될 수 있으며, 저온 분위기에서 형성되며, 반도체층과 성장기판과의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 물질을 포함할 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited to this, and the undoped semiconductor layer may be replaced with another type of absorption layer that absorbs the UV laser. The absorption layer may be a buffer layer, may be formed in a low-temperature atmosphere, and may be made of a material capable of alleviating the difference in lattice constant between the semiconductor layer and the growth substrate. For example, materials such as GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN.
이상에서 설명된 제조방법에 의하면, 반사막(2070)이 반도체 발광소자들의 개별 소자를 감싸는 구조에 따라, 간단한 제법임에도 불구하고 디스플레이 장치의 휘도 향상이 구현될 수 있다.According to the manufacturing method described above, the brightness enhancement of the display device can be realized despite the simple manufacturing method, according to the structure in which the
한편, 이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 이하, 이러한 변형예에 대하여 설명한다.Meanwhile, the display device using the semiconductor light emitting element described above can be modified into various forms, and such modified examples will be described below.
도 18 및 도 19는 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한 단면도들이고, 도 20은 백색안료가 포함된 경우와, 반사막이 포함된 경우의 반사도를 비교하는 비교도이다.Figs. 18 and 19 are cross-sectional views for explaining another embodiment of the present invention, and Fig. 20 is a comparative diagram for comparing the reflectance when the white pigment is included and when the reflective film is included.
먼저, 도 18의 도시에 의하면, 전도성 접착층(3030)은 2개의 레이어들로 구성되어, 상기 기판(3010, 배선기판)에 상기 반도체 발광소자들(3050)을 부착하면서, 상기 기판(3010)과 상기 반도체 발광소자들(3050)을 전기적으로 연결한다.18, the
본 예시에서는, 상기 전도성 접착층(3030)이 복수의 레이어들(3031, 3032)을 구비하며, 상기 복수의 레이어들 중 어느 하나에는 이방성 전도매질(3034)가 첨가되고 다른 하나에는 첨가되지 않는다. In this example, the
보다 구체적으로, 상기 전도성 접착층(3030)은 제1레이어(3031) 및, 제2레이어(2032)를 포함한다.More specifically, the
상기 제1레이어(3031)는 상기 기판(3010) 상에 배치되는 레이어로서, 상기 기판(3010)이 부착되는 접착력을 가지도록 이루어진다. 또한, 상기 제1레이어(3031)는 합착공정에 적합하도록 유동성이 좋은 재질로 형성될 수 있다. The
한편, 상기 제1레이어(3031)는 반도체 발광소자에 직접 접촉하는 부분이 아니기 때문에 이방성 전도매질(3034)을 포함하지 않을 수 있다. Meanwhile, the
상기 제2레이어(3032)는 상기 제1레이어(3031)에 적층되는 레이어로서, 상기 이방성 전도매질(3034)이 배치되는 레이어가 될 수 있다, 또한, 상기 제2레이어(3032)의 일면에 반도체 발광소자의 제2도전형 전극(미도시)과 전기적으로 연결되는 제2전극(미도시)이 배치될 수 있다.The
도시에 의하면, 상기 제2레이어(3032)의 적어도 일부에 상기 반도체 발광소자의 적어도 일부가 삽입될 수 있다. 이를 통하여 상기 이방성 전도매질(3034)이 상기 반도체 발광소자의 제1도전형 전극(3156)과 전기적으로 연결되며, 발광소자와 기판의 배선전극이 통전하게 된다.According to the embodiment, at least a part of the semiconductor light emitting device may be inserted into at least a part of the
한편, 도시에 의하면, 반사막(3070)이 상기 전도성 접착층에 삽입된다. 예를 들어, 상기 반사막(3070)은 상기 제2레이어(3032)에 삽입될 수 있다.On the other hand, according to the drawing, the
상기 반사막(3070)은 상기 반도체 발광소자에서 상기 배선기판을 향하는 방향으로 리세스되는 형상을 가지며, 이를 통하여 상기 반도체 발광소자의 적어도 일부를 감싸게 된다.The
전술한 예와 마찬가지로, 상기 반사막(3070)은 제1부분(3071), 제2부분(3072) 및 절곡부분(3073)을 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1부분(3071)은 상기 이방성 전도매질(3034)과 상기 반도체 발광소자의 도전형 전극(3156)의 사이에 배치될 수 있다.The
예를 들어, 상기 제1부분(3071)은 상기 반도체 발광소자의 제1도전형 전극(3156)과 접촉되며, 상기 이방성 전도매질(3034)은 상기 제1부분(3071)과, 상기 배선기판의 제1전극(3020)의 사이를 전기적으로 연결한다. 이는 제조 공정에서, 상기 전도성 접착층의 외면(예를 들어, 제2레이어의 일면) 상에 상기 반사막(3070)이 평판 형태로 배치되며, 반도체 발광소자가 상기 전도성 접착층에 합착될 때에, 상기 제1부분(3071)이 상기 반도체 발광소자의 하면에 의하여 가압되기 때문이다.For example, the
이를 통하여, 상기 제2부분(3072)은 상기 제1부분(3071)의 양측에서 연장되어, 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 이루어진다. 상기 절곡부분(3073)은 상기 제2부분(3072)이 상기 반도체 발광소자를 감싸도록, 상기 제1부분(3071)과 제2부분(3072)의 사이에서 절곡된다.The
다음으로, 도 19의 도시에 의하면 전술한 예와 마찬가지로, 상기 반사막(4070)은 제1부분(4071), 제2부분(4072) 및 절곡부분(4073)을 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1부분(4071)은 상기 이방성 전도매질(4034)과 상기 배선전극(4020)의 사이에 배치될 수 있다. 19, the
전술한 예시에 더하여, 도 19의 도시에 의하면 수직형 반도체 발광소자의 경우에, 본 발명의 전도성 접착층의 구조에 의하여 발광효율이 높아지는 것이 가능하다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 도 14 내지 도 18을 참조하여 설명한 예시에서도, 수직형 반도체 발광소자가 적용될 수 있다.In addition to the above-mentioned examples, in the case of the vertical type semiconductor light emitting device according to the example of Fig. 19, the luminous efficiency can be increased by the structure of the conductive adhesive layer of the present invention. However, the present invention is not limited thereto, and vertical semiconductor light emitting devices can also be applied to the examples described with reference to FIGS. 14 to 18. FIG.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(4000)는 기판(4010), 제1전극(4020), 전도성 접착층(4030), 제2전극(4040) 및 복수의 반도체 발광 소자(4050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(4020) 및 제2 전극(4040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.The display device 4000 includes a
기판(4010)은 배선기판으로서, 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이며, 제1전극(4020)이 배치된다.The
제1전극(4020)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로서, 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The
상기 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(4020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 반도체 발광 소자(4050)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(4040)이 위치한다.A plurality of
도시와 같이, 복수의 반도체 발광소자(4050)는 제1전극(4020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(4050)는 제2전극(4040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.As shown in the figure, the plurality of semiconductor light emitting devices 4050 can form a plurality of rows in a direction parallel to a plurality of electrode lines provided in the
나아가, 디스플레이 장치(4000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(4080)을 더 구비할 수 있다. 이에 대한 설명은 도 10, 도 11a 및 도 11b을 참조하여 설명한 형광체층에 대한 설명으로 갈음한다.Furthermore, the display device 4000 may further include a
한편, 본 예시의 반도체 발광소자(4050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(4050)는 수직형 구조로서, 전극을 상/하로 배치하여, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.In the semiconductor light emitting device 4050 according to the present embodiment, the semiconductor light emitting device 4050 has a vertical structure, and has a large strength in that the chip size can be reduced by arranging the electrodes up and down.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(4050)는 제1도전형 전극(4156)과, 제1도전형 전극(4156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(4155)과, 제1도전형 반도체층(4155) 상에 형성된 활성층(4154)과, 상기 활성층(4154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(4153)을 포함한다.For example, the semiconductor light emitting device 4050 may include a first conductive type semiconductor layer 4155 in which a first conductive type electrode 4156, a first conductive type electrode 4156 are formed, An
도시에 의하면, 제2도전형 반도체층의 일측에 활성층이 형성되고, 타측에는 제2전극(4040)이 연결된다. According to the structure, the active layer is formed on one side of the second conductivity type semiconductor layer, and the
본 예시에서는 제2도전형 전극이 각 반도체 발광소자에 별도로 구비되지 않고, 상기 제2도전형 전극이 상기 제2전극(4040)과 일체로 형성되는 경우를 기준으로 설명한다. 이 경우에는, 상기 제2도전형 전극을 각 반도체 발광소자에 증착하는 과정이 없이, 상기 제2전극이 형성될 수 있다.In this example, the case where the second conductive electrode is not separately provided for each semiconductor light emitting element, and the second conductive electrode is formed integrally with the
이 경우에, 상기 제1도전형 전극(4156) 및 제1도전형 반도체층(4155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2전극(4040) 및 제2도전형 반도체층(4153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1도전형 반도체층(4155)은 P형 GaN 층이고, 제2도전형 반도체층(4153)은 N형 Gan 층이 될 수 있다.In this case, the first conductive type electrode 4156 and the first conductive type semiconductor layer 4155 may be a p-type electrode and a p-type semiconductor layer, respectively, and the
전도성 접착층(4030)은 제1전극(4020)이 위치하는 기판(4010) 상에 형성된다. 도시에 의하면, 상기 제2전극(4040)은 전도성 접착층(4030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(4030)은 배선기판과 제2전극(4040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(4040)은 상기 반도체 발광 소자(4050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.A
상기에서 설명된 구조에 의하여, 본 도면들을 참조하면, 전도성 접착층(4030)은 상기 기판(4010, 배선기판)에 상기 반도체 발광소자들(4050)을 부착하면서, 상기 기판(4010)과 상기 반도체 발광소자들(4050)을 전기적으로 연결한다.The
예를 들어, 상기 제1전극(4020)은 상기 기판(4010) 상에 배치되며, 따라서 배선전극이 될 수 있다. 상기 제1전극(4020)은 전도성 접착층(4030)의 이방성 전도매질(4034)을 매개로 하여 상기 반도체 발광소자(4050)와 전기적으로 연결되며, 데이터 신호를 전송하는 데이터 전극으로서 구동될 수 있다.For example, the
이에 반해, 상기 제2전극(4040)은 전도성 접착층(4030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(4030)은 배선기판과 제2전극(4040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(4040)은 상기 반도체 발광 소자(4050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있으며, 스캔 신호를 전송하는 스캔 전극으로서 구동될 수 있다. On the contrary, the
본 예시에서는, 상기 전도성 접착층(4030)이 복수의 레이어들(4031, 4032)을 구비하며, 상기 복수의 레이어들 중 적어도 하나에는 이방성 전도매질(4034)이 첨가된다. In this example, the
보다 구체적으로, 상기 전도성 접착층(4030)은 제1레이어(4031) 및, 제2레이어(4032)를 포함한다. More specifically, the
상기 제1레이어(4031)는 상기 기판(4010) 상에 배치되는 레이어로서, 상기 기판(4010)이 부착되는 접착력을 가지도록 이루어진다. 또한, 상기 제1레이어(4031)는 합착공정에 적합하도록 유동성이 좋은 재질로 형성될 수 있다. The
한편, 상기 제1레이어(4031)는 반도체 발광소자에 직접 접촉하는 부분이 아니기 때문에 이방성 전도매질(4034)을 포함하지 않을 수 있다. Meanwhile, the
상기 제2레이어(4032)는 상기 제1레이어(4031)에 적층되는 레이어로서, 상기 이방성 전도매질(4034)이 배치되는 레이어가 될 수 있다, 또한, 상기 제2레이어(4032)의 일면에 반도체 발광소자의 제2도전형 전극과 전기적으로 연결되는 제2전극이 배치될 수 있다.The
도시에 의하면, 상기 제2레이어(4032)의 적어도 일부에 상기 반도체 발광소자의 적어도 일부가 삽입될 수 있다. 이를 통하여 상기 이방성 전도매질(4034)이 상기 반도체 발광소자의 제1도전형 전극(4156)과 전기적으로 연결되며, 발광소자와 기판의 배선전극이 통전하게 된다.According to the structure, at least a part of the semiconductor light emitting device may be inserted into at least a part of the
이 때에, 상기 반사막(4070)은 상기 배선전극과 접촉하며, 상기 제1도전형 전극(4156)에 접촉하는 이방성 전도매질을 상기 반도체 발광소자와 함께 감싸도록 이루어진다. 이는, 상기 반사막(4070)이 상기 제1레이이와 상기 제2레이어의 계면에 구비되며, 반도체 발광소자가 상기 전도성 접착층에 합착될 때에, 상기 제1부분이 상기 반도체 발광소자의 하면에 의하여 가압되는 제2레이어의 수지 및 이방성 전도매질에 의하여 가압되기 때문이다. 따라서, 본 예시에서는, 상기 반사막(4070)은 상기 반도체 발광소자의 제1도전형 전극(4156)에 접촉하는 이방성 전도매질을 상기 반도체 발광소자와 함께 감싸도록 이루어진다.At this time, the
이러한 구조에서도, 금속박막이 반도체 발광소자의 주변을 감싸므로, 고반사 구조가 구현될 수 있다. 도 20은 백색안료를 적용한 전도성 접착층과, 알루미늄 박막을 적용한 전도성 접착층의 반사 스펙트럼을 비교하는 비교도이다. 도 20을 참조하면, 알루미늄 금속박막을 전도성 접착층에 삽입한 경우에, 반사 스펙트럼에서 가시광영역의 평균 반사도가 67.9% 정도인 것을 알 수 있다. 이는 백색안료를 함유하는 전도성 접착층의 평균 반사도 46.5% 보다 반사도가 상당히 향상됨을 나타낸다.Also in such a structure, since the metal thin film covers the periphery of the semiconductor light emitting element, a highly reflective structure can be realized. 20 is a comparative chart comparing the reflection spectrum of the conductive adhesive layer to which the white pigment is applied and the conductive adhesive layer to which the aluminum thin film is applied. Referring to FIG. 20, when the aluminum metal thin film is inserted into the conductive adhesive layer, the average reflectivity of the visible light region in the reflection spectrum is about 67.9%. This indicates that the reflectivity is significantly improved compared to the average reflectance of the conductive adhesive layer containing white pigment of 46.5%.
이와 같이, 본 발명에서는 측면 등의 주변부로 나오는 빛을 상측으로 모아주는 반사막을 통하여, 필름의 제작이 용이하고, 접착력 특성이 좋으면서도 반사도가 높은 구조를 구현한다.As described above, the present invention realizes a structure which is easy to produce a film, has good adhesive property, and has high reflectivity through a reflective film that collects light emitted to a peripheral portion of a side or the like.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The above-described display device using the semiconductor light emitting device is not limited to the configuration and the method of the embodiments described above, but all or a part of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made to the embodiments It is possible.
Claims (15)
이방성 전도매질을 구비하고, 상기 배선전극을 덮도록 배치되는 전도성 접착층;
상기 전도성 접착층에 부착되며, 상기 이방성 전도매질을 통하여 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들; 및
상기 전도성 접착층에 삽입되며, 상기 반도체 발광소자에서 상기 배선기판을 향하는 방향으로 리세스되는 형상을 가져 상기 반도체 발광소자의 적어도 일부를 감싸는 반사막을 포함하는 디스플레이 장치.A substrate on which wiring electrodes are formed;
A conductive adhesive layer having an anisotropic conduction medium and disposed so as to cover the wiring electrodes;
A plurality of semiconductor light emitting devices attached to the conductive adhesive layer and electrically connected to the wiring electrodes through the anisotropic conduction medium; And
And a reflective film inserted in the conductive adhesive layer and having a shape recessed in a direction from the semiconductor light emitting device toward the wiring substrate to surround at least a part of the semiconductor light emitting device.
상기 반사막은,
상기 기판과 상기 반도체 발광소자의 하면 사이에 배치되는 제1부분; 및
상기 제1부분에서 연장되는 제2부분; 및
상기 제2부분이 상기 반도체 발광소자를 감싸도록, 상기 제1부분과 제2부분의 사이에서 절곡되는 절곡부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
The reflective film
A first portion disposed between the substrate and a bottom surface of the semiconductor light emitting device; And
A second portion extending from the first portion; And
And the bent portion bent between the first portion and the second portion so that the second portion surrounds the semiconductor light emitting element.
상기 절곡부분은 상기 반도체 발광소자의 하면이 상기 반사막을 가압함에 의하여 절곡되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the bent portion is bent as the lower surface of the semiconductor light emitting element presses the reflective film.
상기 제2부분은 상기 반도체 발광소자의 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
And the second portion is formed to cover at least a part of a side surface of the semiconductor light emitting device.
상기 제1부분은 상기 이방성 전도매질과 상기 반도체 발광소자의 도전형 전극의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first portion is disposed between the anisotropic conduction medium and the conductive electrode of the semiconductor light emitting device.
상기 제1부분은 상기 이방성 전도매질과 상기 배선전극의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first portion is disposed between the anisotropic conduction medium and the wiring electrode.
상기 반사막은 가압에 의하여 파손없이 절곡이 가능한 강도와 강성을 가지도록 금속박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the reflective film is formed of a metal thin film so as to have strength and rigidity capable of bending without breakage by pressing.
상기 반사막은 알루미늄, 금, 은, 백금, 크롬 및 니켈 중 적어도 하나를 구비하며, 0.1 내지 500나노미터의 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the reflective film has at least one of aluminum, gold, silver, platinum, chromium, and nickel, and has a thickness of 0.1 to 500 nanometers.
상기 전도성 접착층은 복수의 레이어들을 구비하며, 상기 복수의 레이어들 중 어느 하나에 상기 반사막이 삽입되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
Wherein the conductive adhesive layer has a plurality of layers, and the reflective film is inserted into any one of the plurality of layers.
상기 전도성 접착층은,
상기 기판상에 배치되는 제1레이어; 및
상기 제1레이어에 적층되며, 상기 이방성 전도매질을 구비하는 제2레이어를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the conductive adhesive layer
A first layer disposed on the substrate; And
And a second layer stacked on the first layer and including the anisotropic conduction medium.
상기 반사막은 상기 제2레이어에 삽입되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the reflective layer is inserted into the second layer.
상기 전도성 접착층은 상기 제2레이어에 적층되며, 상기 반도체 발광소자들이 부착되는 제3레이어를 더 포함하며,
상기 반사막은 상기 제3레이어에 삽입되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the conductive adhesive layer is stacked on the second layer and further includes a third layer to which the semiconductor light emitting elements are attached,
And the reflective layer is inserted into the third layer.
상기 제3레이어에는 백색안료가 첨가되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.13. The method of claim 12,
And a white pigment is added to the third layer.
상기 바디에 혼입되는 이방성 전도매질; 및
상기 바디에 배치되어 빛을 반사하고, 가압에 의하여 절곡될 수 있는 반사막을 포함하는 전도성 필름.body;
An anisotropic conduction medium incorporated into the body; And
And a reflective film disposed on the body to reflect light and to be bent by pressing.
상기 바디는 복수의 레이어들을 구비하고,
상기 반사막은 상기 복수의 레이어들 중 어느 하나에 배치되는 것을 특징으로 하는 전도성 필름.15. The method of claim 14,
The body having a plurality of layers,
Wherein the reflective film is disposed on one of the plurality of layers.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190092331A (en) * | 2019-07-19 | 2019-08-07 | 엘지전자 주식회사 | Display device using micro led and manufacturing method thereof |
WO2021006385A1 (en) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | 엘지전자 주식회사 | Display device using micro led and manufacturing method thereof |
WO2021006450A1 (en) * | 2018-07-11 | 2021-01-14 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same |
WO2021054663A1 (en) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
WO2021091062A1 (en) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
EP4068368A4 (en) * | 2019-11-28 | 2024-01-03 | LG Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same |
WO2024058398A1 (en) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 삼성전자주식회사 | High-reflectivity anisotropic conductive film and display module comprising same |
WO2024058282A1 (en) * | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 엘지전자 주식회사 | Display device using light-emitting element, and manufacturing method therefor |
-
2017
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112655091B (en) * | 2018-07-11 | 2023-07-21 | Lg电子株式会社 | Display device using semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same |
WO2021006450A1 (en) * | 2018-07-11 | 2021-01-14 | 엘지전자 주식회사 | Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same |
CN112655091A (en) * | 2018-07-11 | 2021-04-13 | Lg电子株式会社 | Display device using semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same |
WO2021006385A1 (en) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | 엘지전자 주식회사 | Display device using micro led and manufacturing method thereof |
WO2021015306A1 (en) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 엘지전자 주식회사 | Display device using micro led, and manufacturing method therefor |
KR20190092331A (en) * | 2019-07-19 | 2019-08-07 | 엘지전자 주식회사 | Display device using micro led and manufacturing method thereof |
WO2021054663A1 (en) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
KR20210034734A (en) * | 2019-09-20 | 2021-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
US11600750B2 (en) | 2019-09-20 | 2023-03-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
WO2021091062A1 (en) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
EP4068368A4 (en) * | 2019-11-28 | 2024-01-03 | LG Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same |
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