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KR20180101831A - EMI shielding structure and manufacturing method for the same - Google Patents

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KR20180101831A
KR20180101831A KR1020170028270A KR20170028270A KR20180101831A KR 20180101831 A KR20180101831 A KR 20180101831A KR 1020170028270 A KR1020170028270 A KR 1020170028270A KR 20170028270 A KR20170028270 A KR 20170028270A KR 20180101831 A KR20180101831 A KR 20180101831A
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Abstract

전자파 차폐구조 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 전자파 차폐구조는 인쇄회로기판 상의 적어도 하나의 회로 소자를 둘러싸는 차폐 댐; 상기 적어도 하나의 회로 소자들을 덮는 절연 층; 및 상기 차폐 댐 및 상기 절연 층을 덮는 차폐 층;를 포함하며, 상기 절연 층은 가경화 처리 시 표면으로부터 하 방향으로 제1 두께를 갖는 제1 층과 상기 제1 층 밑에 상기 제1 두께 보다 더 큰 두께로 형성된 제2 층을 포함하고, 상기 제1 및 제2 층 사이에는 상기 가경화 처리 후에 이루어지는 완전경화 처리에 의해 경계가 형성되는 것을 특징으로 한다.An electromagnetic wave shielding structure and a manufacturing method thereof are disclosed. The disclosed electromagnetic shielding structure includes a shield dam surrounding at least one circuit element on a printed circuit board; An insulating layer covering the at least one circuit elements; And a shielding layer covering the shielding dam and the insulating layer, wherein the insulating layer comprises a first layer having a first thickness in a downward direction from the surface during the hardening treatment and a second layer having a first thickness below the first thickness, And a second layer formed to have a large thickness, and a boundary is formed between the first and second layers by a full curing treatment after the hardening treatment.

Description

전자파 차폐구조 및 그 제조방법{EMI shielding structure and manufacturing method for the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an EMI shielding structure and a manufacturing method thereof,

본 발명은 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인쇄회로기판에 실장된 복수의 회로 소자를 차폐하기 위해 차폐 소재 및 절연 소재로 조형된 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave shielding structure and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an electromagnetic wave shielding structure formed of a shielding material and an insulating material for shielding a plurality of circuit elements mounted on a printed circuit board .

최근 전자제품 시장은 휴대용 장치의 수요가 급격하게 증가하고 있으며, 이로 인하여 이들 제품에 실장되는 전자 부품들의 소형화 및 경량화가 지속적으로 요구되고 있다. 이러한 전자 부품들의 소형화 및 경량화를 실현하기 위해서는 실장 부품의 개별 사이즈를 감소시키는 기술뿐만 아니라, 다수의 개별 소자들을 하나의 패키지로 집적하는 반도체 패키지 기술이 요구된다. 특히, 고주파 신호를 취급하는 반도체 패키지는 소형화뿐만 아니라 전자파 간섭 또는 전자파 내성 특성을 우수하게 구현하기 위해 다양한 전자파 차폐 구조를 구비할 것이 요구되고 있다.Recently, demand for portable devices has been rapidly increasing in the electronic products market, and there is a continuing demand for miniaturization and weight reduction of electronic components mounted on these products. In order to realize miniaturization and weight reduction of such electronic parts, there is a need for a technique for reducing individual sizes of mounting parts as well as a semiconductor package technology for integrating a plurality of individual elements into one package. In particular, semiconductor packages for handling high frequency signals are required to have various electromagnetic wave shielding structures in order to realize miniaturization as well as electromagnetic wave interference or electromagnetic wave immunity characteristics.

이를 위해 종래의 전자파 차폐 구조는 프레스 가공된 금속재질의 쉴드 캔으로 각종 소자를 커버하는 구조로 이루어진다. 또한, 종래의 전자파 차폐 구조는 쉴드 캔 없이 3D 프린팅을 통해 차폐 구조를 형성할 수 있다. 이 경우, 소정의 점도를 가지는 절연성 수지와 전기 전도성 수지를 토출하여 차폐 구조를 조형한다.To this end, the conventional electromagnetic wave shielding structure is a shielded metal can made of a pressed metal to cover various elements. In addition, the conventional electromagnetic wave shielding structure can form a shielding structure by 3D printing without a shield can. In this case, a shielding structure is formed by discharging an insulating resin and an electrically conductive resin having a predetermined viscosity.

이와 같이 3D 프린팅 제작되는 전자파 차폐 구조는 통상 하기와 같은 공정을 거친다.The electromagnetic wave shielding structure produced by 3D printing as described above is usually subjected to the following process.

먼저, 인쇄회로기판의 차폐 영역의 외곽을 형성하기 위해 전기 전도성 소재로 차폐 댐을 형성한 후 인쇄회로기판을 오븐 또는 경화로에 투입하여 일정한 시간 동안 소정 온도로 경화시킨다.First, a shielding dam is formed of an electrically conductive material to form an outer edge of a shielded area of a printed circuit board, and then the printed circuit board is put into an oven or a hardening furnace and cured at a predetermined temperature for a certain period of time.

이어서, 차폐 댐의 내측에 위치한 회로 소자를 덮도록 절연 소재를 채운(filling) 뒤 다시 인쇄회로기판을 오븐 또는 경화로에 투입하여 절연 소재를 경화시켜 절연 층을 형성한다.Subsequently, an insulating material is filled to cover a circuit element located inside the shield dam, and then the printed circuit board is put into an oven or a hardening furnace to cure the insulating material to form an insulating layer.

끝으로 전기 전도성 소재를 절연 소재의 상면과 차폐 댐의 상단부를 함께 덮도록 토출하여 차폐 막을 형성한다. 차폐 막은 차폐 댐의 상단부를 덮게 되므로 차폐 댐과 함께 회로 소자에서 발생하는 전자파를 차폐한다. 차폐 막 역시 경화시키기 위해 다시 한번 인쇄회로기판을 오븐 또는 경화로에 투입한다.Finally, the electrically conductive material is discharged to cover the upper surface of the insulating material and the upper end of the shielding dam to form a shielding film. Since the shielding film covers the upper end portion of the shielding dam, it shields electromagnetic waves generated in the circuit element together with the shielding dam. Once again the printed circuit board is placed in an oven or curing furnace to cure the shielding film.

이와 같이 종래 기술은 매 공정 마다 경화 처리를 위해 인쇄회로기판을 오븐 또는 경화로에 여러 번 투입하게 된다. 오븐 또는 경화로 내부에서 발생하는 열에 의해, 인쇄회로기판에 형성된 전자파 차폐 구조뿐만 아니라 차폐 구조에 의해 덮이지 않은 인쇄회로기판에 실장된 회로 소자들도 가열된다. 이로 인해 열에 취약한 회로 소자가 열화되는(depleted) 문제가 있었다.Thus, in the conventional technique, the printed circuit board is inserted into the oven or the hardening furnace several times for the hardening process for each process. By the heat generated in the oven or the curing furnace, not only the electromagnetic wave shielding structure formed on the printed circuit board but also the circuit elements mounted on the printed circuit board not covered by the shielding structure are heated. As a result, there is a problem that a circuit element vulnerable to heat is depleted.

또한, 종래 기술의 경우, 전자파 차폐 구조를 형성하기 위해 여러 번 경화 처리를 해야 하며, 특히 열을 이용하기 때문에 가열 온도까지 상승 시키는데 일정한 시간이 필요하고, 즉각적으로 온도를 상승 또는 하강 시키는 온도 반응이 불가능하므로 택 타임(tact time)이 길어지는 문제가 있다.In addition, in the case of the prior art, a curing process has to be performed several times in order to form an electromagnetic wave shielding structure. Particularly, since a heat is used, a certain time is required to raise the temperature to the heating temperature. There is a problem that the tact time is prolonged.

또한, 제조 라인에 다수의 오븐 또는 경화로를 배치해야 하므로 넓은 설치 공간이 필요하고, 고비용이 소요되는 문제가 있었다.In addition, since a large number of ovens or curing furnaces are required to be disposed in the production line, a large installation space is required and high cost is required.

상기 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 가경화와 완전경화 처리를 통해 전자파 차폐구조를 경화시킴으로써 인쇄회로기판으로 전달되는 열 스트레스를 최소화하여 공정 불량율을 감소시킬 수 있고, 공정 시간을 단축할 수 있으며, 사이즈가 큰 오븐 또는 경화로 대신 소형 히터를 이용함으로써 라인의 길이를 줄일 수 있는 전자파 차폐구조 및 그 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention minimizes thermal stress transmitted to the printed circuit board by hardening the electromagnetic wave shielding structure through hardening and full hardening treatment, thereby reducing the process defect rate, shortening the process time And an object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding structure capable of reducing the length of a line by using a small heater instead of an oven or a curing furnace having a large size and a manufacturing method thereof.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 인쇄회로기판 상의 적어도 하나의 회로 소자를 둘러싸는 차폐 댐; 상기 적어도 하나의 회로 소자들을 덮는 절연 층; 및 상기 차폐 댐 및 상기 절연 층을 덮는 차폐 층;를 포함하며, 상기 절연 층은 가경화 처리 시 표면으로부터 하 방향으로 제1 두께를 갖는 제1 층과 상기 제1 층 밑에 상기 제1 두께 보다 더 큰 두께로 형성된 제2 층을 포함하고, 상기 제1 및 제2 층 사이에는 상기 가경화 처리 후에 이루어지는 완전경화 처리에 의해 경계가 형성되는, 전자파 차폐구조를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor device comprising: a shield dam surrounding at least one circuit element on a printed circuit board; An insulating layer covering the at least one circuit elements; And a shielding layer covering the shielding dam and the insulating layer, wherein the insulating layer comprises a first layer having a first thickness in a downward direction from the surface during the hardening treatment and a second layer having a first thickness below the first thickness, And a second layer formed to have a large thickness, and a boundary is formed between the first and second layers by a full curing treatment after the hardening treatment.

상기 전자파 차폐구조는 상기 차폐 층을 덮고, 상기 차폐 층으로부터 전달되는 열을 흡수하여 다른 부재로 열을 전달하는 수지로 이루어지는 열분산 층을 더 포함할 수 있다. 상기 수지는 전기 전도성 필러를 포함하며, 상기 전기 전도성 필러는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite), Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite 금속 코팅 물질(Metal coated materials) 중 어느 하나일 수 있다.The electromagnetic wave shielding structure may further include a heat dispersing layer formed of a resin covering the shielding layer and absorbing heat transmitted from the shielding layer to transmit heat to another member. Wherein the resin comprises an electrically conductive filler and the electrically conductive filler is selected from the group consisting of Ag, Cu, Ni, Al, Sn, carbon black, carbon nanotube (CNT), graphite, Ag / Cu , Ag / Glass fiber, and Ni / Graphite metal coated materials.

상기 차폐 댐 및 상기 차폐 층을 이루는 차폐 소재는 전기 전도성 물질(electroconductive material)로 이루어지며, 상기 전기 전도성 물질은 전기 전도성 필러(electroconductive filler)와 바인더 수지(binder resin)를 포함할 수 있다. 전기 전도성 필러는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn 금속, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite)인 전도성 카본, Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite의 금속 코팅 물질, 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리아닐린(Polyaniline)인 전도성 고분자 물질 중 어느 하나일 수 있다. 바인더 수지로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지 중 어느 하나 일 수 있다.The shielding material constituting the shielding dam and the shielding layer may be made of an electroconductive material, and the electrically conductive material may include an electroconductive filler and a binder resin. The electrically conductive filler may be selected from the group consisting of Ag, Cu, Ni, Al, Sn metal, carbon black, carbon nanotubes (CNT), conductive carbon such as graphite, Ag / / Graphite, a conductive polymer material such as polypyrrole, and polyaniline. The binder resin may be any one of a silicone resin, an epoxy resin, a urethane resin, and an alkyd resin.

상기 차폐 소재는 요변성 소재일 수 있으며, 상기 요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리이미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The shielding material may be a thixotropic material, wherein the thixotropic material is selected from the group consisting of synthetic fine silica, bentonite, particulate surface treated calcium carbonate, hydrogenated castor oil, metal stones, aluminum stearate, Wax, polyamide wax, oxidized polyethylene-based, and flax-containing polymerized oil.

상기 절연층을 이루는 절연 소재는 열경화성 수지 또는 광경화성 수지일 수 있다. 상기 열경화 수지는 소재적 특성에 따라 주어진 온도 범위 이상에서 경화되는 수지일 수 있다. 이러한 열경화성 수지는 수지 온도 상승에 의해 경화될 수 있다. 상기 광경화성 수지는 자외선 또는 가시광선에 의해 경화되는 수지일 수 있다. 상기 절연 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The insulating material constituting the insulating layer may be a thermosetting resin or a photo-curable resin. The thermosetting resin may be a resin that is cured at a given temperature range or more depending on the material properties. These thermosetting resins can be cured by raising the resin temperature. The photocurable resin may be a resin that is cured by ultraviolet light or visible light. The insulating material may be selected from the group consisting of polyurethane, polyurea, polyvinyl chloride, polystyrene, ABS resin, acrylonitrile butadiene styrene, polyamide, acrylic, epoxy epoxy, silicone, and polybutylene terephthalate (PBTP).

또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 인쇄회로기판 일면에 실장된 적어도 하나의 회로 소자를 둘러싸도록 상기 인쇄회로기판의 일면에 차폐 소재를 토출하여 제1 차폐 댐을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 회로 소자들을 덮도록 상기 재1 차폐 댐에 의해 형성된 공간에 절연 소재를 토출하여 제1 절연 층을 형성하는 단계; 상기 제1 차폐 댐의 상단부 및 상기 제1 절연 층의 상면을 덮도록 차폐 소재를 토출하여 제1 차폐 층;을 형성하는 단계; 상기 인쇄회로기판의 일면이 아래를 행하고 타면이 위를 향하도록 상기 인쇄회로기판을 반전시키는 단계; 상기 인쇄회로기판 타면에 실장된 적어도 하나의 회로 소자를 둘러싸도록 상기 인쇄회로기판의 타면에 차폐 소재를 토출하여 제2 차폐 댐을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 회로 소자들을 덮도록 상기 제2 차폐 댐에 의해 형성된 공간에 절연 소재를 토출하여 제2 절연 층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 차폐 댐의 상단부 및 상기 제2 절연 층의 상면을 덮도록 차폐 소재를 토출하여 제2 차폐 층;을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 인쇄회로기판을 반전하기 전에 어느 하나의 단계 후에 가경화 처리하는, 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed circuit board, comprising: forming a first shielding dam by discharging a shielding material to one surface of the printed circuit board so as to surround at least one circuit element mounted on one surface of the printed circuit board; Forming a first insulating layer by discharging an insulating material in a space formed by the first shielding dam so as to cover the at least one circuit elements; Forming a first shielding layer by discharging a shielding material so as to cover an upper end of the first shielding dam and an upper surface of the first insulating layer; Inverting the printed circuit board such that one side of the printed circuit board is down and the other side is facing up; Forming a second shielding dam by discharging a shielding material to the other surface of the printed circuit board so as to surround at least one circuit element mounted on the other surface of the printed circuit board; Forming a second insulating layer by discharging an insulating material in a space formed by the second shielding dam so as to cover the at least one circuit elements; And forming a second shielding layer by discharging a shielding material so as to cover an upper end of the second shielding dam and an upper surface of the second insulating layer, and before the inverting of the printed circuit board, It is possible to provide a manufacturing method of an electromagnetic wave shielding structure which is subjected to temporary hardening treatment.

상기 가경화 처리는 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 열경화로 진행될 수 있다. 상기 가경화 처리가 적외선 램프에 의한 열경화로 진행될 때 마스크를 사용하여 가경화 처리시키고자 하는 대상에 대하여 선택적으로 노광하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.The hardening treatment may proceed by thermal curing in an infrared lamp, oven or curing furnace. Wherein the temporary hardening treatment is selectively exposed to an object to be temporarily hardened by using a mask when thermal hardening by an infrared lamp is progressed.

상기 가경화 처리는 자외선 램프 또는 가시광선 램프에 의한 광경화로 진행될 수 있다. 상기 램프를 이용할 시 마스크를 사용하여 가경화 처리시키고자 하는 대상에 대하여 선택적으로 가열 또는 노광할 수 있다.The hardening treatment may proceed with photo-curing by an ultraviolet lamp or a visible light lamp. When the lamp is used, a mask can be used to selectively heat or expose an object to be hardened.

전자파 차폐구조에서 미경화된 부분이 없도록 상기 제2 차폐층 형성 후에 완전경화 처리할 수 있다. 상기 완전경화 처리는 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에 의해 이루어질 수 있다. 또한, 상기 완전경화 처리는 가시광선 램프 또는 자외선 램프에 의한 광경화로 진행될 수도 있다.The complete curing treatment may be performed after the formation of the second shielding layer so that there is no uncured portion in the electromagnetic wave shielding structure. The complete curing treatment may be performed by an infrared lamp, an oven or a curing furnace. In addition, the full curing process may proceed with photo-curing by a visible light lamp or an ultraviolet lamp.

또한, 본 발명은 인쇄회로기판의 일면과 상기 일면의 반대 측인 타면에 각각 수지를 토출하여 조형되는 복수의 전자파 차폐구조의 제조방법에 있어서, 상기 복수의 전자파 차폐구조의 각 부분 중 적어도 어느 하나를 가경화 처리하는 단계; 및 상기 복수의 전자파 차폐구조를 모두 조형 후 완전경화 처리하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plurality of electromagnetic wave shielding structures formed by discharging resin on one side of a printed circuit board and on the other side opposite to the one side, A hardening process; And a step of completely curing the plurality of electromagnetic wave shielding structures after shaping, thereby achieving the above object.

상기 가경화 처리 단계는 상기 복수의 전자파 차폐구조의 각 부분 중 열경화성 수지로 이루어진 적어도 어느 하나를 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 열경화할 수 있다.The hardening treatment step may thermally cure at least one of the portions of the plurality of electromagnetic wave shielding structures made of a thermosetting resin in an infrared lamp, an oven or a curing furnace.

상기 가경화 처리 단계는 상기 복수의 전자파 차폐구조의 각 부분 중 적어도 어느 하나를 가시광선 램프 또는 자외선 램프로 광경화에 의해 이루어질 수 있다. 상기 가경화 처리되는 부분을 이루는 수지는 점성이 있는 광경화성 수지를 포함할 수 있다.The temporary hardening step may be performed by photocuring at least one of the portions of the plurality of electromagnetic wave shielding structures with a visible light lamp or an ultraviolet lamp. The resin constituting the portion subjected to the hardening treatment may include a viscous photocurable resin.

상기 완전경화 처리 단계는 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 복수의 전자파 차폐구조를 열경화로 진행하거나, 가시광선 램프 또는 자외선 램프에 의한 광경화로 진행할 수 있다.In the full curing step, a plurality of electromagnetic wave shielding structures may be thermally cured in an infrared lamp, oven, or curing furnace, or may be cured by a visible light lamp or an ultraviolet lamp.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전자파 차폐구조의 제작 공정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 램프를 이용한 열경화 또는 광경화 시 마스크를 이용하여 선택적인 경화를 나타내는 도면이다.
도 4는 열경화 또는 광경화를 통해 인쇄회로기판 상에 토출된 절연 층의 경화 정도를 나타내는 표이다.
도 5는 도 1에 표시된 V 부분을 나타내는 확대로로서, 절연 층의 가경화 및 완전경화 처리를 순차적으로 진행할 때 가경화 부분과 완전경화 부분 사이에 경계가 나타나는 것을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 2에 도시된 전자파 차폐구조를 형성하기 위한 소재 토출 장치를 나타내는 블럭도이다.
도 7은 소재 토출 장치의 노즐이 이동하는 경로의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8a는 노즐이 미리 설정된 경로를 따라 이동하면서 인쇄회로기판 상에서 차폐 댐을 형성하는 예를 나타내는 도면이다.
도 8b는 도 8a에 도시된 제1 노즐의 단부를 나타내는 사시도이다.
도 9는 제2 노즐 및 제 3노즐의 단부를 나타내는 사시도이다.
도 10 내지 도 12는 인쇄회로기판의 상면 및 저면에 각각 전자파 차폐구조를 형성하기 위한 다양한 제조 공정을 나타내는 블록도들이다.
도 13a 내지 도 15b는 전자파 차폐구조의 제조 공정의 일부에 적용할 수 있는 다양한 공정 순서를 보여주는 도면들이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조들을 나타내는 단면도로서, 전자파 차폐구조의 방열 효율을 향상시키기 위한 방열구조를 보여주는 도면들이다.1 is a cross-sectional view illustrating an electromagnetic wave shielding structure according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic view showing a manufacturing process of the electromagnetic wave shielding structure shown in Fig.
FIG. 3 is a view showing selective curing using a mask in thermal curing or photo-curing using a lamp.
4 is a table showing the curing degree of the insulating layer discharged onto the printed circuit board through thermal curing or photo-curing.
Fig. 5 is an enlarged view showing a portion V shown in Fig. 1, showing a boundary between the hardened portion and the fully hardened portion when the insulating layer is subjected to the hardening treatment and the complete hardening treatment in sequence.
6 is a block diagram showing a material dispensing apparatus for forming the electromagnetic wave shielding structure shown in FIG.
7 is a view showing an example of a path along which a nozzle of a workpiece discharge device moves.
8A is a view showing an example in which a nozzle forms a shield dam on a printed circuit board while moving along a predetermined path.
8B is a perspective view showing an end portion of the first nozzle shown in Fig. 8A.
Fig. 9 is a perspective view showing the ends of the second nozzle and the third nozzle; Fig.
10 to 12 are block diagrams showing various manufacturing processes for forming electromagnetic wave shielding structures on the upper and lower surfaces of the printed circuit board, respectively.
13A to 15B are diagrams showing various process sequences that can be applied to a part of the manufacturing process of the electromagnetic wave shielding structure.
FIGS. 16 and 17 are cross-sectional views illustrating electromagnetic wave shielding structures according to another embodiment of the present invention, which illustrate a heat dissipating structure for improving heat dissipation efficiency of an electromagnetic wave shielding structure. FIG.

본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.In order to fully understand the structure and effects of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. It should be understood, however, that the description of the embodiments is provided to enable the disclosure of the invention to be complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. In the accompanying drawings, the components are enlarged for the sake of convenience of explanation, and the proportions of the components can be exaggerated or reduced.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 위에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "～사이에"와 "직접 ～사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.It is to be understood that when an element is referred to as being "on" or "tangent" to another element, it is to be understood that other elements may directly contact or be connected to the image, something to do. On the other hand, when an element is described as being "directly on" or "directly adjacent" another element, it can be understood that there is no other element in between. Other expressions that describe the relationship between components, for example, "between" and "directly between"

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms may only be used for the purpose of distinguishing one element from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.The singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. The word "comprising" or "having ", when used in this specification, is intended to specify the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, A step, an operation, an element, a part, or a combination thereof.

본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.The terms used in the embodiments of the present invention may be construed as commonly known to those skilled in the art unless otherwise defined.

본 발명에 실시예들에 따른 전자파 차폐구조는 전자기기에 적용될 수 있으며 이하에서는 모바일 폰에 적용되는 것을 예로 들어 설명한다. 하지만, 본 발명에 따른 전자파 차폐구조는 모바일 폰 뿐만 아니라 디스플레이 장치나 웨어러블 디바이스(wearable device) 등에 적용될 수 있다.The electromagnetic wave shielding structure according to the embodiments of the present invention can be applied to an electronic device. Hereinafter, the electromagnetic wave shielding structure applied to a mobile phone will be described as an example. However, the electromagnetic wave shielding structure according to the present invention can be applied not only to a mobile phone but also to a display device, a wearable device, or the like.

본 실시예에서는 전자파 차폐구조가 인쇄회로기판의 양면(상면 및 하면)에 각각 형성된 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 제한될 필요는 없으며 전자파 차폐구조가 인쇄회로기판의 일면에만 형성되는 경우에도 가경화 공정을 적용하는 것이 가능하다.Although the electromagnetic wave shielding structure is formed on both sides (upper and lower surfaces) of the printed circuit board in the present embodiment, the present invention is not limited thereto. Even when the electromagnetic wave shielding structure is formed only on one side of the printed circuit board, Can be applied.

한편, 본 실시예들에서 사용되는 용어 중 '완전 경화'는 인쇄회로기판에 조형된 차폐구조가 진동에 의해 일부 형상이 변형되면서 흔들리거나 하지 않을 정도로 딱딱하게 굳은 상태를 의미할 수 있다. 이러한 완전경화 처리는 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 열경화에 의해 진행되는 것을 기본으로 한다. 다만, 완전경화 처리는 열경화에 한정되지 않고 가시광선 램프 또는 자외선 램프를 통한 광경화에 의해 진행될 수도 있다. 완전경화 처리가 열경화에 의해 진행되는 경우 소재를 열경화 수지로 사용하며, 광경화에 의해 진행되는 경우 소재를 광경화 수지로 사용한다.In the meantime, the term " fully cured " used in the present embodiments means a state in which the shielding structure formed on the printed circuit board is hardened to such an extent that the shielding structure is not shaken or deformed due to vibration. This full curing treatment is based on heat curing in an infrared lamp, oven or curing furnace. However, the full curing treatment is not limited to thermal curing but may proceed by photocuring through a visible light lamp or an ultraviolet lamp. When the complete curing process is proceeded by thermal curing, the material is used as a thermosetting resin, and when the curing process proceeds by photocuring, the material is used as a photocurable resin.

본 실시예들에서 사용되는 용어 중'가경화'는 후속 공정에 지장이 없을 정도로 최소한의 열을 가하는 경화를 의미하며 완전 경화보다 덜 경화된 상태를 의미할 수 있다. 구체적으로, '가경화'는 인쇄회로기판의 일면(상방향을 향하는 면)에 3D 프린팅을 통해 차폐구조를 조형한 후, 하방향을 향하던 인쇄회로기판의 타면이 상방향을 향하도록 인쇄회로기판을 뒤집힌 상태에서 인쇄회로기판의 일면에 형성된 차폐구조가 중력에 의해 변형이 발생하지 않을 정도를 의미할 수 있다. 또한 '가경화'는 후속 공정에서 형상의 일부에 변형이 생기더라도 복원력에 의해 원형으로 되돌아오는 최소 수준의 경화 정도를 의미할 수도 있다. 이러한 가경화 처리는 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 열경화에 의해 진행되는 것을 기본으로 한다. 다만, 가경화 처리는 열경화에 한정되지 않고 가시광선 램프 또는 자외선 램프를 통한 광경화에 의해 진행될 수도 있다. 가경화 처리가 열경화에 의해 진행되는 경우 소재를 열경화 수지로 사용하며, 광경화에 의해 진행되는 경우 소재를 광경화 수지로 사용한다.As used herein, the term "hardening" refers to a hardening that applies minimal heat to a subsequent process, which may mean a less hardened state than full hardening. Specifically, 'hardened' means that the shielding structure is formed through 3D printing on one side (face facing upward) of the printed circuit board, and then the other side of the printed circuit board facing downward is directed upward, May mean that the shielding structure formed on one surface of the printed circuit board is not deformed due to gravity. Also, 'toughening' may mean the minimum level of cure that returns to the original shape due to the restoring force even if a part of the shape is deformed in the subsequent process. This tackifying treatment is based on heat curing in an infrared lamp, oven or curing furnace. However, the temporary curing treatment is not limited to thermal curing but may proceed by photocuring through a visible light lamp or an ultraviolet lamp. When the temporary curing treatment proceeds by thermal curing, the material is used as a thermosetting resin, and when the curing treatment proceeds by photo-curing, the material is used as a photo-curable resin.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 전자파 차폐구조(10)는 인쇄회로기판(110)의 상면 및 하면에 각각 형성된 2개의 전자파 차폐구조(100, 100a)를 포함할 수 있다.1 is a cross-sectional view illustrating an electromagnetic wave shielding structure according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the electromagnetic wave shielding structure 10 may include two electromagnetic wave shielding structures 100 and 100a formed on the upper and lower surfaces of the printed circuit board 110, respectively.

전자파 차폐구조(100, 100a)는 인쇄회로기판(110)과, 인쇄회로기판(110)의 상면(113) 및 하면(113a)에 각각 실장된 복수의 회로 소자(115, 115a, 117, 117a, 119, 119a)를 포함할 수 있다. 여기서, 복수의 회로 소자는 이종(異種)의 회로 소자들로, IC 칩(Integrated Circuit), 수동 소자 및 이형 부품일 수 있다. 예를 들어, IC 칩은 AP(Application Processor), 메모리, RF(Radio Frequency) 칩 등 일 수 있고, 수동 소자는 저항, 콘덴서, 코일 등을 일 수 있고, 상기 이형 부품은 커넥터, 카드 소켓, 전자파 차폐 부품 등 일 수 있다The electromagnetic wave shielding structures 100 and 100a include a printed circuit board 110 and a plurality of circuit elements 115, 115a, 117, 117a, and 117a mounted on the upper and lower surfaces 113 and 113a, respectively, 119, and 119a. Here, the plurality of circuit elements may be different types of circuit elements, and may be an IC chip (Integrated Circuit), a passive element, and a release part. For example, the IC chip may be an AP (Application Processor), a memory, an RF (Radio Frequency) chip, and the passive device may be a resistor, a capacitor, a coil, Shielding parts, etc.

인쇄회로기판(110)은 상면(113) 및 하면(113a)에 각각 접지 패드(114, 114a)가 패터닝(patterning)될 수 있다. 접지 패드(114, 114a)는 인쇄회로기판(110)의 상면(113) 및 하면(113a)으로부터 돌출되지 않으면서 접지 패드(114, 114a)의 상면이 노출된 상태로 인쇄회로기판(110)에 형성될 수 있다. 이 경우, 접지 패드(114, 114a)는 인쇄회로기판(110) 내부에 형성된 접지층(미도시)에 일체로 형성될 수 있다.The ground pads 114 and 114a may be patterned on the upper surface 113 and the lower surface 113a of the printed circuit board 110, respectively. The ground pads 114 and 114a are exposed on the printed circuit board 110 in a state in which the upper surfaces of the ground pads 114 and 114a are exposed without protruding from the upper surface 113 and the lower surface 113a of the printed circuit board 110 . In this case, the ground pads 114 and 114a may be formed integrally with a ground layer (not shown) formed in the printed circuit board 110. [

접지 패드(114, 114a)는 차폐를 위한 구조의 최외곽에 대응하도록 패터닝될 수 있다. 이 경우 접지 패드(114, 114a)는 실선(solid line) 형태 또는 은선(hidden line) 형태로 형성될 수 있다. 이와 같은, 접지 패드(114,114a)에는 복수의 회로 소자(115, 115a, 117, 117a, 119, 119a)의 접지 단자가 접지될 수 있다.The ground pads 114 and 114a may be patterned to correspond to the outermost portion of the structure for shielding. In this case, the ground pads 114 and 114a may be formed in a solid line shape or a hidden line shape. The ground terminals of the plurality of circuit elements 115, 115a, 117, 117a, 119, and 119a may be grounded to the ground pads 114 and 114a.

회로 소자(115, 115a)는 인쇄회로기판(110)의 제1 접속 패드(111, 111a)에 전기적으로 접속되는 복수의 접속 단자(116, 116a)를 포함할 수 있다. 복수의 접속 단자(116, 116a)는 예를 들면 솔더볼과 같은 BGA(ball grid array) 방식으로 형성될 수 있다. 하지만 이러한 접속 단자(116, 116a)는 BGA 방식에 제한되지 않고, 회로 소자(115, 115a)의 리드 형태에 따라 다양한 방식 예를 들면, QFN(Quad Flat No Lead), PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier), QFP(Quad Flat Package), SOP (Small Out Line Package), TSOP/SSOP/TSSOP(Thin/Shrink/Thin Shrink SOP) 등의 다양한 방식으로 이루어질 수 있음은 물론이다.The circuit elements 115 and 115a may include a plurality of connection terminals 116 and 116a electrically connected to the first connection pads 111 and 111a of the printed circuit board 110. [ The plurality of connection terminals 116 and 116a may be formed by a BGA (Ball Grid Array) method such as a solder ball. However, the connection terminals 116 and 116a are not limited to the BGA type and may be formed by various methods such as a Quad Flat No Lead (QFN), a Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC), or the like depending on the lead shape of the circuit elements 115 and 115a. , Quad Flat Package (QFP), Small Out Line Package (SOP), and Thin / Shrink / Thin Shrink SOP (TSOP / SSOP).

나머지 회로 소자(117, 117a, 119, 119a)는 인쇄회로기판(110)의 제2 접속 패드(112, 112a)에 전기적으로 접속되는 적어도 하나의 접속 단자(미도시)를 포함할 수 있다. 회로 소자(117, 117a, 119, 119a)는 인쇄회로기판(110)에 실장 시 그 높이가 전술한 회로 소자(115, 115a)보다 작거나 클 수 있다. 각 회로 소자들 간의 간격은 대략 0.8㎜ 이하로 좁게 디자인될 수 있다.The remaining circuit elements 117, 117a, 119, and 119a may include at least one connection terminal (not shown) electrically connected to the second connection pads 112 and 112a of the printed circuit board 110. The height of the circuit elements 117, 117a, 119, and 119a when mounted on the printed circuit board 110 may be smaller or larger than the above-described circuit elements 115 and 115a. The spacing between the respective circuit elements can be narrowly designed to be about 0.8 mm or less.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100, 100a)는 접지 패드(114, 114a) 상에 형성되는 차폐 댐(120,120a)과, 복수의 회로 소자들을 덮는 절연 층(130, 130a)과, 차폐 댐의 상단부와 절연 층의 상면을 덮는 차폐 층(150, 150a)을 포함할 수 있다.1, an electromagnetic wave shielding structure 100 or 100a according to an embodiment of the present invention includes shielding dams 120 and 120a formed on grounding pads 114 and 114a, insulating layers 120 and 120b covering a plurality of circuit elements, (130, 130a), and a shielding layer (150, 150a) covering the upper end of the shield dam and the upper surface of the insulating layer.

차폐 댐(120, 120a)은 접지 패드(114, 114a)를 따라 형성될 수 있다. 이에 따라 접지 패드(114, 114a)의 패턴이 폐 곡선 형태를 이루는 경우, 차폐 댐(120, 120a)의 패턴도 폐 곡선 형태로 이루어질 수 있다. The shielding dam 120, 120a may be formed along the grounding pads 114, 114a. Accordingly, when the patterns of the grounding pads 114 and 114a form a closed curve, the pattern of the shielding dam 120 and 120a may be a closed curve.

차폐 댐(120, 120a)의 높이는 차폐 댐 내측으로 주입되는 절연 층(130, 130a)이 복수의 회로 소자(115, 115a, 117, 117a, 119, 119a)를 완전히 덮을 수 있을 정도로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 절연 층을 이루는 절연 소재는 차폐 댐 보다 점도가 낮아 유동성이 높은 소재로 이루어질 수 있다.The height of the shielding dam 120 and 120a is preferably such that the insulating layers 130 and 130a injected into the shield dam completely cover the plurality of circuit elements 115, 115a, 117, 117a, 119 and 119a . In this case, the insulating material constituting the insulating layer may be made of a material having a lower fluidity than the shield dam and having high fluidity.

차폐 댐(120, 120a)은 폭보다 높이가 더 큰 종횡비로 이루어질 수 있다. 여기서, 차폐 댐의 종횡비는 차폐 댐의 높이를 차폐 댐의 폭으로 나눈 값이다. 차폐 댐의 종횡비는 노즐(216, 도, 6 참조)에 형성된 소재 토출구의 폭과 높이에 의해 결정된다. 이 경우, 차폐 댐의 종횡비는 소재의 유변학적 특성에도 영향을 받을 수 있다. 노즐(216)의 구조에 대해서는 후술한다.The shielding dam (120, 120a) may be of an aspect ratio greater than the width. Here, the aspect ratio of the shielding dam is a value obtained by dividing the height of the shielding dam by the width of the shielding dam. The aspect ratio of the shielding dam is determined by the width and height of the material discharge port formed in the nozzle 216 (see Figs. In this case, the aspect ratio of the shielded dam may be affected by the rheological characteristics of the material. The structure of the nozzle 216 will be described later.

차폐 댐(120, 120a)은 전자파 장해(Electro-Magnetic Interference; EMI)를 방지할 수 있는 전자파 차폐 특성을 가지는 전도성 소재로 형성될 수 있다. 이에 따라 차폐 댐(120, 120a)은 하기에서 설명하는 차폐 층(150, 150a)과 함께 복수의 회로 소자에서 발생하는 인체에 유해한 전자파를 차단할 수 있고, 전자파 잡음 또는 이로 인한 오동작 등과 같은 장해를 근본적으로 차단함으로써 제품의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이와 같이 차폐 댐(120, 120a)은 복수의 회로 소자의 동작 과정에서 불가피하게 발생되는 전자파가 외부에 영향을 주는 것을 막을 수 있다.The shielding dam 120 and 120a may be formed of a conductive material having an electromagnetic wave shielding characteristic capable of preventing Electro-Magnetic Interference (EMI). Accordingly, the shielding dam 120 and 120a together with the shielding layer 150 and 150a described below can block electromagnetic waves harmful to the human body generated in a plurality of circuit elements and can prevent interference such as electromagnetic noise or malfunction thereof It is possible to prevent the reliability of the product from deteriorating. Thus, the shielding dam 120 and 120a can prevent the electromagnetic waves inevitably generated from the operation of the plurality of circuit elements from exerting influence on the outside.

차폐 댐(120, 120a)은 노즐(216)에서 토출되는 소정의 점도를 가지는 전기 전도성 물질(electroconductive material)로 이루어질 수 있다. 이와 같은 전기 전도성 물질은 전기 전도성 필러(electroconductive filler)와 바인더 수지(binder resin)를 포함할 수 있다.The shielding dam 120, 120a may be made of an electroconductive material having a predetermined viscosity discharged from the nozzle 216. The electrically conductive material may include an electroconductive filler and a binder resin.

전기 전도성 필러로는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn 등의 금속(metal)을 사용하거나, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite)등의 전도성 카본을 사용하거나, Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite 등의 금속 코팅 물질(Metal coated materials)을 사용하거나, 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리아닐린(Polyaniline) 등의 전도성 고분자 물질을 사용할 수 있다. 또한, 전기 전도성 필러는 플래이크 타입(Flake type), 스피어 타입(Sphere type), 막대 타입(Rod type) 및 덴드라이트 타입(Dendrite type) 중 어느 하나 또는 혼합으로 이루어질 수 있다.As the electrically conductive filler, a metal such as Ag, Cu, Ni, Al, or Sn may be used, or conductive carbon such as carbon black, carbon nanotube (CNT), graphite, Or metal coated materials such as Ag / Cu, Ag / Glass fiber and Ni / Graphite, or conductive high molecular materials such as polypyrrole and polyaniline. The electrically conductive filler may be formed of any one of a flake type, a sphere type, a rod type, and a dendrite type.

바인더 수지로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지 등을 사용할 수 있다. 차폐 댐(120, 120a)을 이루는 소재는 기타 성능 개선을 위한 첨가제(중점제, 산화방지제, 고분자 계면활성제 등) 및 용제(물, 알코올 등) 등을 추가 함유할 수도 있다.As the binder resin, a silicone resin, an epoxy resin, a urethane resin, an alkyd resin, or the like can be used. The material constituting the shielding dams 120 and 120a may further contain an additive (a thickener, an antioxidant, a polymer surfactant, etc.) and a solvent (water, an alcohol, etc.) for improving other performance.

차폐 소재의 유동성이 너무 크면 차폐 댐 조형 시 접지 패드(114, 114a)를 벗어나는 위치까지 흘러 내리는 문제가 발생할 수 있으므로, 차폐 소재의 점도는 높은 종횡비로 형성되면서 노즐(216)로부터 토출 후 흘러 내리지 않고 토출된 형상을 유지할 수 있도록 1,000cps~800,000cps 정도인 것이 바람직하다.If the fluidity of the shielding material is too large, a problem may occur that the shielding material flows down to a position where the shielding dam is deviated from the grounding pads 114 and 114a. Therefore, the viscosity of the shielding material is formed at a high aspect ratio, It is preferably about 1,000 cps to 800,000 cps so as to maintain the discharged shape.

예를 들어 차폐 소재의 점도가 충분히 높다면, 인쇄회로기판의 상면에 차폐 댐을 조형 후 경화 처리 없이 인쇄회로기판을 반전시키더라도 인쇄회로기판의 상면에 먼저 조형된 차폐 댐은 흘러내리지 않고 그 형상을 그대로 유지할 수 있다. 따라서, 전체적인 작업 공정을 신속하게 진행할 수 있다.For example, if the viscosity of the shielding material is sufficiently high, even if the shielding dam is formed on the top surface of the printed circuit board and then the printed circuit board is inverted without hardening, the shielding dam formed first on the top surface of the printed circuit board does not flow down Can be maintained. Therefore, the entire work process can be performed quickly.

절연 층(130, 130a)은 각 회로 소자와 차폐 댐(120, 120a)을 절연하고, 각 회로 소자와 차폐 층(150, 150a)을 절연한다. 따라서 절연층은 차폐층 조형단계에서 회로소자가 절연된 상태를 유지하면서 차폐층이 절연층 위에 덮혀 차폐댐과 전기적 연결이 되도록 물리적인 지지 및 보호 역할을 수행한다.The insulating layers 130 and 130a insulate the respective circuit elements from the shielding dam 120 and 120a and insulate the respective circuit elements from the shielding layers 150 and 150a. Thus, the insulating layer serves as a physical support and protection so that the shielding layer is covered on the insulating layer and is electrically connected to the shielding dam while keeping the circuit elements insulated in the step of forming the shielding layer.

절연 층(130, 130a)은 폐속선 형태로 형성된 차폐 댐(120, 120a)의 내측에 절연 소재를 주입한 후 경화됨으로써 이루어진다. 이때 절연 소재는 복수의 회로 소자들의 외측면에 밀착될 수 있고, 각 회로 소자와 인쇄회로기판(110) 사이에 형성되는 틈으로 들어갈 수 있도록 유동성을 가지는 재료로 이루어질 수 있다. 절연 층(130, 130a)은 상온 경화, 열 경화, UV 경화 중 어느 하나로 경화 처리되거나, 2 이상의 경화 방법을 통해 경화 처리될 수 있다.The insulating layers 130 and 130a are formed by injecting an insulating material into the inside of the shielding dam 120 and 120a formed in the shape of a closed loop and then curing. In this case, the insulating material may be made of a material having a fluidity such that it can be closely attached to the outer surfaces of the plurality of circuit elements and can enter the gap formed between the circuit elements and the printed circuit board 110. The insulating layers 130 and 130a may be cured by either room temperature curing, thermal curing or UV curing, or may be cured through two or more curing methods.

상기 절연 소재는 유동성을 갖는 수지일 수 있다. 상기 절연 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The insulating material may be a resin having fluidity. The insulating material may be selected from the group consisting of polyurethane, polyurea, polyvinyl chloride, polystyrene, ABS resin, acrylonitrile butadiene styrene, polyamide, acrylic, epoxy epoxy, silicone, and polybutylene terephthalate (PBTP).

한편, 절연 층(130, 130a)은 차폐 댐 내측으로 절연 소재를 주입 후 적외선 램프에서 발산되는 적외선에 의해 가경화 처리되거나, 오븐 또는 경화로에서 가경화 처리될 수 있다. 이와 같이 열경화를 통해 가경화 처리되는 경우, 절연 소재는 열경화 수지로 이루어진다. On the other hand, the insulating layers 130 and 130a may be hardened by infrared ray emitted from the infrared lamp after injecting the insulating material into the inside of the shield dam, or may be hardened in an oven or curing furnace. When the thermosetting resin is hardened through the thermal curing as described above, the insulating material is made of a thermosetting resin.

또한, 절연 층(130, 130a)은 광경화를 통해 가경화 처리될 수 있다. 절연 층(130, 130a)은 가시광선 램프에서 발산되는 가시광선이나 자외선 램프에서 발산되는 자외선에 노출되면서 통해 경화 처리될 수도 있다. 이 경우, 절연 소재는 광원에서 발산되는 광(가시광선, 자외선)에 의해 경화될 수 있는 광경화성 수지로 이루어진다.Further, the insulating layers 130 and 130a can be hardened through photo-curing. The insulating layers 130 and 130a may be cured through exposure to visible light emitted from a visible light lamp or ultraviolet rays emitted from an ultraviolet lamp. In this case, the insulating material is made of a photocurable resin that can be cured by light (visible light, ultraviolet light) emitted from a light source.

또한, 차폐 댐과 차폐 층을 이루는 차폐 소재는 기본적으로 열경화를 통해 가경화 처리될 수 있으며, 이 경우 차폐 소재는 열경화성 수지로 이루어진다. 차폐 댐과 차폐 층의 가경화 역시 절연 층과 마찬가지로 광경화에 의해 가경화 처리될 수 있으며, 이 경우, 차폐 소재는 광경화성 수지로 이루어진다.In addition, the shielding material constituting the shielding dam and the shielding layer can basically be hardened through thermosetting. In this case, the shielding material is made of a thermosetting resin. The thickness of the shielding dam and the shielding layer can also be hardened by photo-curing as in the case of the insulating layer. In this case, the shielding material is made of a photo-curable resin.

또한, 차폐 소재는 요변성(Thixotropy) 소재일 수 있다. 요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리아미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 석검계는 알루미늄 스테아레이트(Aluminum Stearate)를 포함할 수 있다.Further, the shielding material may be a thixotropy material. Thixotropic materials include synthetic fine silica, bentonite, particulate surface treated calcium carbonate, hydrogenated castor oil, metal stones, aluminum stearate, polyamide wax, oxidized polyethylene and flaxene And at least one of polymerized oil. For example, the metal stoneware system may include aluminum stearate.

차폐 층(150, 150a)은 차폐 댐(120, 120a)과 같이 유동성을 갖는 차폐 소재로 이루어진다. 다만, 차폐 층(150, 150a)은 차폐 댐(120, 120a)과 같이 종횡비를 고려할 필요가 없으므로 차폐 댐 보다 낮은 점도를 갖도록 형성될 수 있다. 차폐 층(150, 150a)은 노즐(218, 도 2 참조)에 의해 토출되는 차폐 소재를 통해 절연 층(130, 130a)의 상면과, 차폐 댐(120, 120a)의 상단부를 덮도록 형성된다.The shielding layers 150 and 150a are made of a shielding material having fluidity like the shielding dams 120 and 120a. However, since the shielding layers 150 and 150a do not need to consider the aspect ratio like the shielding dams 120 and 120a, they may be formed to have lower viscosity than the shielding dam. The shielding layers 150 and 150a are formed to cover the upper surfaces of the insulating layers 130 and 130a and the upper ends of the shielding dam 120 and 120a through the shielding material discharged by the nozzle 218 (see FIG. 2).

차폐 층(150, 150a)은 차폐 댐(120, 120a)의 상단부와 접촉하여 전기적으로 차폐 댐과 전기적으로 연결된다. 이에 따라 차폐 댐(120, 120a)과 차폐 층(150, 150a)는 절연 층(130, 130a)의 외측을 완전히 둘러 싸게 되므로, 최적의 차폐구조를 이룰 수 있다.The shielding layers 150 and 150a are electrically connected to the shielding dam in contact with the upper ends of the shielding dames 120 and 120a. Accordingly, the shielding dam 120, 120a and the shielding layers 150, 150a completely enclose the outer sides of the insulating layers 130, 130a, so that an optimal shielding structure can be achieved.

이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)를 제조하는 과정을 순차적으로 설명한다.Hereinafter, a process of fabricating the electromagnetic wave shielding structure 100 according to an embodiment of the present invention will be sequentially described with reference to FIG.

도 2는 도 1에 도시된 전자파 차폐구조의 제작 공정을 나타내는 개략도로서, 인쇄회로기판의 상면(113)에 먼저 제1 전자파 차폐구조(100)를 형성한 후, 인쇄회로기판의 하면(113a)에 제2 전자파 차폐구조(100a)를 형성하는 예를 나타낸다.FIG. 2 is a schematic view showing a manufacturing process of the electromagnetic wave shielding structure shown in FIG. 1, in which a first electromagnetic wave shielding structure 100 is first formed on the upper surface 113 of the printed circuit board, The second electromagnetic wave shielding structure 100a is formed.

먼저, 인쇄회로기판(110)의 상면(113)에 제1 노즐(216)로부터 토출되는 차폐 소재를 통해 차폐 댐(120)을 조형한다. 제1 노즐(216)은 하단이 인쇄회로기판의 상면(113)과 간격을 둔 상태로 차폐 댐을 형성하기 위한 경로를 따라 이동하면서 차폐 소재를 토출한다. 이 경우 차폐 댐 형성 경로는 제1 노즐(216)이 이동 중에 인쇄회로기판의 상면(113)에 실장된 복수의 회로 소자(115, 117, 119)와 충돌하거나 간섭되지 않고, 차폐 댐이 복수의 회로 소자들과 접촉하지 않도록 설정된다.First, a shielding dam 120 is formed on a top surface 113 of a printed circuit board 110 through a shielding material discharged from a first nozzle 216. The first nozzle 216 discharges the shielding material while moving along the path for forming the shielding dam with the lower end spaced from the upper surface 113 of the printed circuit board. In this case, the shield dam forming path does not collide with or interfere with the plurality of circuit elements 115, 117, 119 mounted on the upper surface 113 of the printed circuit board during movement of the first nozzle 216, It is set not to contact the circuit elements.

차폐 댐(120)은 제1 노즐(216)로부터 토출된 후, 높은 종횡비의 댐 형상을 유지한다. 차폐 댐(120)은 차폐 대상인 복수의 회로 소자(115, 117, 119)를 둘러싸는 폐곡선 형태로 이루어진다.After the shielding dam 120 is discharged from the first nozzle 216, it maintains a dam shape of a high aspect ratio. The shielding dam 120 is formed in the form of a closed curve surrounding a plurality of circuit elements 115, 117, and 119 which are objects to be shielded.

차폐 댐(120) 형성 후, 제2 노즐(217)이 이동하면서 차폐 댐(120)에 의해 형성된 마련된 공간으로 절연 소재를 토출한다. 절연 소재는 차폐 댐을 이루는 차폐 소재보다 높은 유동성을 갖기 때문에 인쇄회로기판의 상면(113)과 각 회로 소자 사이를 메운다. 차폐 댐(120)에 의해 형성된 공간으로 주입된 절연 소재는 모들 회로 소자들의 상면까지 완전히 덮는다.After the formation of the shielding dam 120, the second nozzle 217 moves and discharges the insulating material into the space provided by the shielding dam 120. Since the insulating material has higher fluidity than the shielding material constituting the shielding dam, it fills the gap between the upper surface 113 of the printed circuit board and each circuit element. The insulating material injected into the space formed by the shielding dam 120 completely covers the upper surface of the modular circuit elements.

절연 소재의 주입이 완료되면, 절연 소재를 가경화하기 위해 인쇄회로기판(110)을 열원 또는 광원(30)의 하측으로 이동한다.When the insulation material is completely injected, the printed circuit board 110 is moved to the lower side of the heat source or the light source 30 in order to harden the insulation material.

본 실시예에서 가경화는 열경화 또는 광경화를 통해 이루어진다. 이 경우, 절연 소재는 열경화 처리에 의해 경화되는 경우 열경화성 수지를, 광경화 처리에 의해 경화는 경우 광경화성 수지로 이루어진다. 열원은 적외선 램프를 이용할 수 있고, 광원(30)은 가시광선 램프 또는 자외선 램프를 이용할 수 있다.In this embodiment, the hardening is performed through thermal hardening or photo hardening. In this case, the insulating material is made of a thermosetting resin when cured by a heat curing treatment, and a photo-curing resin when curing by a photo-curing treatment. The heat source may be an infrared lamp, and the light source 30 may use a visible light lamp or an ultraviolet lamp.

열원 또는 광원(30)에서 발산되는 빛은 오븐이나 경화로 내에서 발산되는 난사성의 열전달과는 달리 일정한 방향성을 가지고 발열 또는 발광하므로 원하는 부분에 대하여 선택적인 가열 또는 노광이 가능하다. 절연 소재가 일정한 방향으로 가열 또는 노광될 경우 절연 소재 표면에서부터 일정 깊이로 경화가 되기 때문에 경화를 위한 공정이 크게 단축될 수 있다. 또한 광경화를 이용하는 경우 방출되는 광에너지의 선택적인 파장 이용에 따라 열 에너지 발생을 최소화하기에 용이하므로 회로 소자가 받는 열에너지 역시 최소화할 수 있다.The light emitted from the heat source or the light source 30 can be selectively heated or exposed to a desired portion because the light emitted from the light source 30 has a constant direction and is emitted or emitted unlike the heat transfer from the ozone or the curing furnace. When the insulating material is heated or exposed in a certain direction, the process for curing can be greatly shortened because it is hardened to a certain depth from the surface of the insulating material. Also, in the case of using the photocuring, it is possible to minimize the generation of heat energy according to the use of the selective wavelength of the emitted light energy, so that the thermal energy received by the circuit element can be minimized.

본 발명에 있어서는 각 구성 조형 후에 이어지는 공정에서 일부 공정을 완전경화 대신에 가경화로 진행할 수 있고, 각 공정 마다 완전경화 및 가경화를 선택적으로 수행할 수도 있다. 이에 따라, 본 발명에 따르면 완전경화 및 가경화 처리는 기본적으로 열경화에 의해 이루어지며, 공정 상황에 따라 광경화를 부분적으로 적용할 수 있어 공정 효율을 극대화할 수 있다.In the present invention, in the subsequent steps after each component molding, some of the steps may be proceeded with hardening instead of full curing, and full curing and hardening may be selectively performed in each step. Thus, according to the present invention, the complete curing and the hardening process are basically performed by thermal curing, and the photocuring can be partially applied according to the process conditions, thereby maximizing the process efficiency.

또한, 가경화 처리를 적용하는 경우, 완전 경화에 비해 소요되는 시간이 짧고 공급해야 하는 에너지가 적어 경제적이다. 특히, 가경화 처리를 행할 때 근적외선 파장의 열을 방사하는 적외선 램프를 이용한 열경화로 진행할 경우, 적외선 램프는 열 전달 방향을 지정하기가 쉽고 공기 중에서 열 손실이 적어 대류로 인한 주변 장비로의 확산이 적기 때문에 열경화성 소재가 저장된 디스펜서나 기타 다른 열에 민감한 장비들과의 간격을 더 좁게 설정할 수 있어, 장비를 설치하는 영역을 줄일 수 있다. In addition, when the hardening treatment is applied, the time required for complete hardening is short and the energy to be supplied is small, which is economical. Particularly, when proceeding with thermal curing using an infrared lamp that emits heat of near infrared rays wavelength in the curing process, the infrared lamp is easy to designate the heat transfer direction and the heat loss in the air is small, , It is possible to narrow the spacing between the thermosetting material dispenser and other heat sensitive equipment, thus reducing the area in which the equipment is installed.

도 3은 마스크를 이용하여 적외선, 가시광선, 자외선 등을 차단하는 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of blocking infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, and the like using a mask.

도 3과 같이 주위 소자(119)가 좀 더 열에 민감하여 절연 수지가 도포된 면에 선택적으로 열 및 광 에너지 전달이 되어야 할 경우 이를 반사 또는 차단하는 마스크(20)를 적용할 수 있다.As shown in FIG. 3, when the peripheral element 119 is more sensitive to heat, and heat and light energy should be selectively transferred to the surface coated with insulating resin, a mask 20 for reflecting or blocking the heat or light energy may be applied.

도 4는 열경화 또는 광경화를 통해 인쇄회로기판 상에 토출된 절연 층의 경화 정도를 나타내는 표이고, 도 5는 도 1에 표시된 V 부분을 나타내는 확대로로서, 절연 층의 가경화 및 완전경화 처리를 순차적으로 진행할 때 가경화 부분과 완전경화 부분 사이에 경계가 나타나는 것을 보여주는 도면이다.FIG. 4 is a table showing the degree of curing of the insulating layer discharged onto the printed circuit board through thermal curing or photo-curing, and FIG. 5 is an enlarged view showing the V portion shown in FIG. 1, And a boundary appears between the hardened portion and the fully hardened portion when processing is sequentially performed.

가경화와 왼전경화는 도 4와 같은 실험 데이터에 따라 정의될 수도 있다. 즉, 인쇄회로기판에 토출된 절연 소재에 의해 형성되는 절연 층을 기준으로, 절연 층의 경화 정도에 따라 부여되는 다른 알파벳을 기준으로 가경화 및 완전경화를 정의할 수 있다. 이러한 가경화 및 완전경화는 차폐 댐과 차폐 층에도 적용될 수 있다.And the left precalcification may be defined according to the experimental data as shown in FIG. That is, provisional curing and full curing can be defined based on another alphabet assigned to the degree of curing of the insulating layer, based on the insulating layer formed by the insulating material discharged onto the printed circuit board. Such tackification and full curing can also be applied to shielding dams and shielding layers.

미경화 상태는 인쇄회로기판의 상면에 토출된 절연 소재에 의해 형성되는 절연 층이 액체 상태이고, 인쇄회로기판의 상면이 아래를 향하도록 인쇄회로기판을 뒤집었을 때 절연 층이 물방울(droplet)처럼 인쇄회로기판으로부터 흘러 내리거나 분리되는 상태이며, 알파벳 A로 표시한다.In the uncured state, when the insulating layer formed by the insulating material discharged on the upper surface of the printed circuit board is in a liquid state and the printed circuit board is turned over such that the upper surface of the printed circuit board faces downward, the insulating layer becomes like a droplet It is in a state of flowing down or separated from the printed circuit board and is indicated by the letter A.

인쇄회로기판의 상면에 토출된 절연 소재에 의해 형성되는 절연 층이 액체 상태이고, 인쇄회로기판의 상면이 아래를 향하도록 인쇄회로기판을 뒤집었을 때 절연 층의 표면이 중력에 의해 아래로 흘러내리듯이 일그러지는 형상으로 변화되는 상태이며, 알파벳 B로 표시한다. When the insulating layer formed by the insulating material discharged on the upper surface of the printed circuit board is in a liquid state and the printed circuit board is turned over with the upper surface of the printed circuit board facing downward, the surface of the insulating layer flows downward by gravity , And is indicated by the letter B in the figure.

인쇄회로기판의 상면에 토출된 절연 소재에 의해 형성되는 절연 층이 액체 또는 고체 상태이고, 인쇄회로기판을 뒤집었을 때 절연 층의 표면이 장시간 형상을 유지하며, 절연 층의 표면에 차폐 테이프와 같은 부재를 붙일 수 있는 정도의 강도를 가진 상태이며, 알파벳 C로 표시한다. The insulating layer formed by the insulating material discharged on the upper surface of the printed circuit board is in a liquid or solid state and the surface of the insulating layer maintains its shape for a long time when the printed circuit board is turned over, It has a strength enough to hold a member, and is indicated by the letter C.

단순히 후속공정이, 뒤집힌 상태에서 절연 표면 상태가 유지될 정도만 요구하는 상황이면 알파벳 B를 가경화 수준으로 정의할 수 있고, 접촉 충격에서 표면 형상이 유지되야 할 경우는 알파벳 C를 가경화 수준으로 정의할 수 있다.The alphabet B can be defined as a temporary cure level if the subsequent process simply requires the surface to be maintained in an inverted state and the alphabet C is defined as the cure level if the surface shape should be maintained at the contact impact can do.

절연 층 경화 시 열 전달 방향성이 있는 열원을 히터로 사용하여 열경화성 수지의 가경화 처리를 할 경우, 열이 도달하는 절연 층의 표면으로부터 온도구배가 발생한다. 이때 절연 층을 완전경화 시키면, 온도가 높은 표면에서부터 경화가 시작되어 시간 차를 두고 절연 층의 안쪽까지 경화가 진행된다. 이 경우, 도 5와 같이 절연 층에는 가경화된 부분(131)과 가경화 이후에 경화된 부분(130) 사이에 경계(dividing line)(133)가 나타난다.When the heat curing treatment of the thermosetting resin is performed using a heat source having a heat transfer direction when the insulating layer is cured, a temperature gradient is generated from the surface of the insulating layer through which the heat reaches. At this time, when the insulating layer is fully cured, the curing starts from the surface having a high temperature, and the curing progresses to the inside of the insulating layer with a time difference. In this case, as shown in FIG. 5, a dividing line 133 appears between the hardened portion 131 and the hardened portion 130 in the insulating layer.

절연 층 경화 시 광원을 이용하여 광경화성 수지의 경화 처리를 할 경우, 노광부에 표면에서부터 경화가 시작되어 일정 깊이까지 경화가 진행된다. 이때 광원의 세기, 노광 시간을 조절하여 가경화에 알맞은 경화 깊이까지 진행시킬 수 있다. 이 경우, 도 5와 같이 절연 층에는 가경화된 부분(131)과 가경화 이후에 경화된 부분(130) 사이에 경계(dividing line)(133)가 나타난다.In the case of curing the photocurable resin using a light source when curing the insulating layer, curing starts from the surface of the exposed portion and curing proceeds to a certain depth. At this time, the intensity of the light source and the exposure time can be adjusted to advance to the hardening depth suitable for the hardening. In this case, as shown in FIG. 5, a dividing line 133 appears between the hardened portion 131 and the hardened portion 130 in the insulating layer.

반면, 절연 층에 대해 열원(예를 들면, 적외선 램프)로 가경화 없이 완전경화 시킬 수 있는데, 가경화 처리를 거친 경우와 달리 경계(133)가 형성되지 않는다. 또한, 가경화 처리 없이 적외선 램프 또는 오븐 및 경화로에서 완전경화 처리할 경우에도 절연 층에는 경계가 형성되지 않는다. 　On the other hand, the insulating layer can be completely cured with a heat source (for example, an infrared lamp) without hardening, but the boundary 133 is not formed unlike the case where the hardening treatment is performed. In addition, no boundary is formed in the insulating layer even when fully cured in an infrared lamp or an oven and a curing furnace without provisional curing treatment.

완전경화 상태는 인쇄회로기판의 상면에 토출된 절연 소재에 의해 형성되는 절연 층이 미경화 부분이 없이 완전 경화된 고체 상태로 알파벳 D로 표시한다.In the fully cured state, the insulating layer formed by the insulating material discharged onto the upper surface of the printed circuit board is indicated by alphabet D as a solid state in which the uncured portion is completely cured.

이와 같이 다양한 전자 기기에 적용될 수 있는 전자파 차폐구조에 적합한 완전경화와 가경화의 정도를 적절한 범위를 갖도록 구분함으로써 공정 라인을 효율적으로 구성할 수 있다As described above, the process line can be efficiently configured by dividing the degree of complete curing and temporary curing suitable for an electromagnetic wave shielding structure applicable to various electronic apparatuses into an appropriate range

도 4에 도시된 실험 데이터는 제1 PCB에 3.5~4 ㎖의 절연 소재를 토출하고, 제2 PCB에 6.7㎖의 절연 소재를 토출하고, 제3 PCB에 8.3㎖의 절연 소재를 토출한 상태에서, 각각 동일한 온도(200℃)로 광경화 처리할 때, 시간 별로 경화되는 정도를 기록하였다. 이 경우, 각 PCB에 토출된 절연 소재의 양은 제1 PCB < 제2 PCB < 제3 PCB의 관계를 나타낸다.The experimental data shown in FIG. 4 is obtained by discharging 3.5 to 4 ml of insulating material to the first PCB, discharging 6.7 ml of insulating material to the second PCB, and discharging 8.3 ml of insulating material to the third PCB , And the degree of curing by time was recorded when photocuring at the same temperature (200 DEG C), respectively. In this case, the amount of insulating material discharged to each PCB indicates the relationship of the first PCB <the second PCB <the third PCB.

제1 PCB의 경우, 절연 층은 가열 후 17초까지 B 상태이고, 21초부터 C 상태가 이고, 60초부터 D 상태가 되었다.In the case of the first PCB, the insulating layer was in the B state until 17 seconds after the heating, C state in 21 seconds, and D state in 60 seconds.

제2 PCB의 경우, 제1 PCB에 토출된 절연 소재의 양보다 더 많은 양의 절연 소재가 토출되었다. 이 경우, 절연 층은 가열 후 21초까지　B 상태였고, 이때부터 절연 층의 표면에 막이 형성되기 시작했다. 절연 층은 24초부터 C 상태가　되었고, 80초부터 완전경화 상태D 상태가 되었다. 제2 PCB의 절연 층은 제1 PCB의 절연 층보다 가경화 및 완전경화의 진행 속도가 느렸다. In the case of the second PCB, a larger amount of insulating material than the amount of insulating material discharged onto the first PCB was discharged. In this case, the insulating layer was in the B state for up to 21 seconds after the heating, and a film started to be formed on the surface of the insulating layer from this time. The insulation layer was in C state from 24 seconds and became fully cured state D from 80 seconds. The insulating layer of the second PCB is slower than the insulating layer of the first PCB.

제3 PCB에 토출된 절연 소재의 양은 제2 PCB에 토출된 절연 소재의 양보다 더 많다. 이 경우, 절연 층은 가열 후 24초까지　B 상태였고, 이때부터 절연 층의 표면에 막이 형성되기 시작했다. 절연 층은 33초부터 C 상태가　되었고, 100초부터 D 상태가 되었다. 제3 PCB의 절연 층은 제2 PCB의 절연 층보다 가경화 및 완전경화되는 진행 속도가 느렸다.The amount of the insulating material discharged to the third PCB is larger than the amount of insulating material discharged to the second PCB. In this case, the insulating layer was in the B state for up to 24 seconds after the heating, and a film started to form on the surface of the insulating layer from this time. The insulation layer became C state from 33 seconds, and became D state after 100 seconds. The insulating layer of the third PCB is slower than the insulating layer of the second PCB.

한편, 제3 PCB에 토출된 절연 소재에 대하여 온도를 180℃로 설정하고 경화 정도를 살펴보았다. 이 경우, 절연 층은 200℃에서 경화되는 것과 동일하게　가열 후 24초까지 B 상태였고, 33초부터 C 상태가　되었다. 하지만, 완전경화 상태는 200℃에서 경화되는 경우와 달리 약 5초 정도 늦은 105초부터 시작되었다.On the other hand, for the insulating material discharged on the third PCB, the temperature was set to 180 ° C and the degree of curing was examined. In this case, the insulating layer was in the B state until 24 seconds after the heating as in the case of curing at 200 占 폚, and the state was in the C state from 33 seconds. However, the fully cured state started from 105 seconds, which is about 5 seconds later than the case where it is cured at 200 ° C.

상기 실험 데이터를 통해 알 수 있는 바와 같이, 가경화의 기준은 인쇄회로기판 상에 토출되는 절연 소재의 양과 가열 온도, 시간에 따라 달라 질 수 있다. 후속 공정에 따라, 가경화는 절연 소재를 인쇄회로기판의 일면에 토출한 뒤 인쇄회로기판을 반전시킨 상태에서 절연 소재의 표면이 자중에 의한 변형이 생기지 않을 수준의 경화 정도, 또는 차폐 테이프가 적용될 시, 표면 형상이 변하지 않을 정도를 의미하는 것으로 정의가 달라질 수 있다. As can be seen from the above experimental data, the criteria for the hardening can be varied depending on the amount of the insulating material discharged onto the printed circuit board, the heating temperature, and the time. According to the subsequent process, the temporary curing is performed by discharging the insulating material to one surface of the printed circuit board and then curing the surface of the insulating material so that the surface of the insulating material is not deformed by its own weight, And the definition of surface shape is not changed.

이하, 도 6 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)를 제작하기 위한 장치들을 설명한다.Hereinafter, referring to FIGS. 6 to 9, devices for fabricating the electromagnetic wave shielding structure 100 according to an embodiment of the present invention will be described. FIG.

도 6은 전자파 차폐구조를 형성하기 위한 소재 토출 장치를 나타내는 블록도이다.6 is a block diagram showing a workpiece dispensing apparatus for forming an electromagnetic wave shielding structure.

소재 토출 장치(200)는 일정량의 차폐 및 절연 소재를 토출하기 위한 디스펜서(212)를 포함할 수 있다. 디스펜서(212)는 차폐 및 절연 소재를 저장하기 위한 제1 내지 제3 저장챔버(211a, 211b, 211c)와, 각 저장챔버(211a, 211b, 211c)로부터 공급되는 소재를 토출하기 위한 제1 내지 제3 노즐(216, 217, 218)을 포함할 수 있다.The material discharging apparatus 200 may include a dispenser 212 for discharging a predetermined amount of shielding and insulating material. The dispenser 212 includes first to third storage chambers 211a, 211b and 211c for storing shielding and insulating materials and first to third storage chambers 211a to 211c for discharging the materials supplied from the respective storage chambers 211a, 211b and 211c. Third nozzles 216, 217, and 218.

제1 및 제3 저장챔버(211a, 211c)는 차폐 소재를 저장하고, 제2 저장챔버(211b)는 절연 소재를 저장한다. 또한, 제1 노즐(216)은 제1 저장챔버(211a)와 연결되어 차폐 댐(120)을 형성하기 위하 차폐 소재를 토출하고, 제2 노즐(217)은 제2 저장챔버(211b)와 연결되어 절연 층(130)을 형성하기 위한 절연 소재를 토출하고, 제3 노즐(218)은 제3 저장챔버(211c)와 연결되어 차폐 층 (150)을 형성하기 위해 차폐 소재를 토출한다.The first and third storage chambers 211a and 211c store the shielding material, and the second storage chamber 211b stores the insulating material. The first nozzle 216 is connected to the first reservoir chamber 211a to discharge the shielding material to form the shielding dam 120 and the second nozzle 217 is connected to the second reservoir chamber 211b And the third nozzle 218 is connected to the third storage chamber 211c to discharge the shielding material to form the shielding layer 150. [

디스펜서(212)는 제1 내지 제3 노즐(216, 217, 218)을 X축, Y축 및 Z축 방향으로 이동시키기 위한 X-Y-Z축 이동부(231)와, 제1 노즐(216을 시계 방향 및 반 시계 방향으로 회전하거나 회전을 멈출 수 있는 회전 구동부(219)를 포함할 수 있다. X-Y-Z축 이동부(231)는 제1 내지 제3 노즐(216, 217, 218)을 X축, Y축, Z축으로 각각 이동시키기 위한 복수의 스텝 모터(미도시)를 구비할 수 있다. 이 스텝 모터들은, 구동력을 제1 내지 제3 노즐(216, 217, 218)로 전달하기 위해 제1 내지 제3 노즐(216, 217, 218)이 장착되는 노즐 장착부(미도시)에 연결된다. 회전 구동부(219)는 회전 동력을 제공하는 모터(미도시)와, 제 1노즐 (216)의 회전 각도를 제어하기 위해 상기 모터의 회전 수를 감지하는 엔코더(미도시)를 포함할 수 있다. X-Y-Z축 이동부(231)와 회전 구동부(219)는 제어부(250)에 전기적으로 연결되어 있어 제어부(250)에 의해 제어된다. 이 경우, 회전 구동부(219)는 제1 노즐(216)의 회전을 회전시키는 데만 사용되므로, 제2 및 제3 노즐(217,218) 사용 시에는 노즐 장착부를 회전 구동하지 않도록 제어부(250)에 의해 선택적으로 제어될 수 있다.The dispenser 212 includes an XYZ axis moving part 231 for moving the first to third nozzles 216, 217 and 218 in the X axis direction, the Y axis direction and the Z axis direction, And a rotation driving unit 219 that can rotate or stop the rotation in the counterclockwise direction. The XYZ axis moving unit 231 moves the first to third nozzles 216, 217, and 218 to the X axis, the Y axis, And a plurality of step motors (not shown) for respectively moving the first to third nozzles 216, 217 and 218 in the Z axis. (Not shown) in which the nozzles 216, 217, and 218 are mounted. The rotation driving unit 219 includes a motor (not shown) The XYZ axis moving unit 231 and the rotation driving unit 219 may be electrically connected to the control unit 250. [ The rotation driving unit 219 is used only to rotate the rotation of the first nozzle 216. When the second and third nozzles 217 and 218 are used, And may be selectively controlled by the control unit 250 so as not to be rotationally driven.

이하에서는, 소재 토출 장치(200)의 제1 노즐(216)을 통해 차폐 댐(120)을 형성하는 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, an example of forming the shielding dam 120 through the first nozzle 216 of the material discharging device 200 will be described.

소재 토출 장치(200)는 제1 노즐(216)의 토출구를 세척하거나 새로운 교체하는 경우, 소재가 토출되는 노즐의 단부가 미리 설정된 세팅 위치에 정확하게 일치되지 않는 경우가 종종 발생한다. 따라서 제1 노즐(216)을 세팅 위치로 설정할 수 있도록 노즐위치검출센서(232)를 구비한다.In some cases, when the discharge port of the first nozzle 216 is cleaned or replaced, the end of the nozzle to which the material is discharged does not exactly coincide with the predetermined setting position. Accordingly, the nozzle position detection sensor 232 is provided to set the first nozzle 216 to the setting position.

노즐위치검출센서(232)는 비전 카메라가 사용될 수 있으며 제1 노즐(216)의 하측에 소정 간격을 두고 배치된다. 노즐의 캘리브레이션은 노즐위치검출센서(232)에 의해 촬영된 영상을 통해 노즐의 단부 위치를 판독하여 메모리(251)에 미리 저장된 노즐 원점 값과 비교하여 차이가 발생하는 X, Y 값만큼 제1 노즐(216)을 이동시켜 제1 노즐의 단부를 제1 노즐 원점에 일치시킬 수 있다. 이 경우 제1 노즐(216)의 이동은 X-Y-Z축 이동부(231)의 구동에 따라 노즐 장착부(미도시)가 이동함으로써 이루어진다. 또한, 제1 노즐 교체 후에 회전에 대한 캘리브레이션이 필요하다. 즉, 제1노즐이 원점에 위치할 때 측면 토출구(216a)가 제1 노즐의 이동방향의 반대 방향으로 세팅되기 위해 회전 구동부(219)를 통해 제1 노즐을 소정 각도로 회전시켜 제1 노즐의 회전 캘리브레이션을 수행한다. 제2 및 제3 노즐의 경우, 측면 토출구 없이 저면 토출구만 형성되어 있으므로, 회전에 대한 캘리브레이션이 필요 없다.The nozzle position detection sensor 232 may be a vision camera and is disposed below the first nozzle 216 at a predetermined interval. The nozzle is calibrated by reading the end position of the nozzle through the image photographed by the nozzle position detection sensor 232 and comparing it with the nozzle origin value stored in advance in the memory 251, The end of the first nozzle can be aligned with the origin of the first nozzle by moving the second nozzle 216. In this case, the movement of the first nozzle 216 is achieved by moving the nozzle mounting portion (not shown) in accordance with the driving of the X-Y-Z axis moving portion 231. Further, calibration for rotation after the first nozzle replacement is necessary. That is, when the first nozzle is located at the origin, the first nozzle is rotated at a predetermined angle through the rotation driving part 219 so that the side discharge port 216a is set in the direction opposite to the moving direction of the first nozzle, Perform rotational calibration. In the case of the second and third nozzles, since only the bottom surface discharge port is formed without the side discharge port, calibration for rotation is not required.

또한, 소재 토출 장치(200)는 차폐 댐을 형성하기 위한 위치로 인쇄회로기판이 로딩될 때, 인쇄회로기판이 놓여 진 X-Y 평면 상태에서 자세를 검출하여 소재 토출을 위한 제1 내지 3 노즐(216, 217, 218)의 시작점을 설정할 수 있다. 이와 같이 인쇄회로기판의 로딩 후 자세를 검출하기 위해, 소재 토출 장치(200)는 PCB 기준위치검출센서(233) 및 PCB 높이측정센서(234)를 포함할 수 있다.When the printed circuit board is loaded into the position for forming the shielding dam, the material discharging device 200 detects the posture in the state of the XY plane in which the printed circuit board is placed, and the first to third nozzles 216 , 217, and 218 can be set. In order to detect posture after loading of the printed circuit board, the workpiece dispensing apparatus 200 may include a PCB reference position detecting sensor 233 and a PCB height measuring sensor 234.

PCB 기준위치검출센서(233)는 PCB 로딩 정위치를 판별하는 센서로 비전 카메라가 사용될 수 있다. PCB 기준위치검출센서(233)는 작업 공간에 로딩된 인쇄회로기판이 미리 설정된 위치에 있는 지 또는 미리 설정된 위치로부터 어느 정도 틀어져 있는 지를 검출한다. 예를 들어, 작업 위치로 인쇄회로기판이 로딩되면, 제어부(250)는 PCB 기준위치검출센서(233)를 미리 설정된 제1 레퍼런스 마크의 좌표로 이동시켜 현재 인쇄회로기판의 제1 레퍼런스 마크를 촬영한 후, 현재 촬영된 제1 레퍼런스 마크와 미리 설정된 제1 레퍼런스 마크의 모양을 비교하여 PCB 기준위치검출센서(233)가 제 위치에 있는 지 판단한다.The PCB reference position detection sensor 233 is a sensor for determining the correct mounting position of the PCB, and a vision camera can be used. The PCB reference position detection sensor 233 detects whether the printed circuit board loaded in the work space is at a predetermined position or is deviated from a predetermined position. For example, when the printed circuit board is loaded into the working position, the controller 250 moves the PCB reference position detecting sensor 233 to the coordinates of the first reference mark, which is set in advance, to photograph the first reference mark of the current printed circuit board After that, the first reference mark photographed at present is compared with the shape of a first reference mark set in advance, and it is determined whether the PCB reference position detection sensor 233 is in the home position.

PCB 기준위치검출센서(233)가 제 위치에 있다고 판단되면, 제어부(250)는 현재의 제1 레퍼런스 마크의 좌표와 미리 설정된 제1 레퍼런스 마크의 좌표의 위치 차를 산출한다. 이어서, 제어부(250)는 제1 레퍼런스 마크의 좌표를 산출하는 방법과 동일하게 현재의 제2 레퍼런스 마크의 좌표와 미리 설정된 제2 레퍼런스 마크의 좌표의 위치 차를 산출한다.If it is determined that the PCB reference position detection sensor 233 is in the home position, the controller 250 calculates the position difference between the coordinates of the current first reference mark and the coordinates of the first reference mark set in advance. Then, the control unit 250 calculates the positional difference between the coordinates of the current second reference mark and the coordinates of the second reference mark set in advance, in the same manner as the method of calculating the coordinates of the first reference mark.

소재 토출 장치(200)는 인쇄회로기판을 작업 위치로 로딩하고 차폐 댐 형성 완료 후 언로딩 하기 위한 PCB 공급 및 배출부(235)를 구비할 수 있다.The material dispensing apparatus 200 may include a PCB supply and discharge unit 235 for loading the printed circuit board to a working position and unloading the completed shielding dam.

소재 토출 장치(200)는 형성된 차폐 댐(120)의 건조 시간을 단축하기 위해 인쇄회로기판을 소정 온도로 상승시키기 위한 PCB 가열용 히터(236)가 구비될 수도 있다.The material discharging device 200 may be provided with a PCB heating heater 236 for raising the printed circuit board to a predetermined temperature to shorten the drying time of the shielding dam 120 formed therein.

소재 토출 장치(200)는 제1 내지 제3 노즐(216, 217, 218)의 이동 경로를 사용자가 직접 입력할 수 있는 입력부(253)를 포함할 수 있다. 입력부(253)는 터치 입력이 가능한 터치 스크린으로 형성되거나 통상의 키 패드로 이루어질 수 있다. 입력부(253)에 의해 1회 입력된 각 노즐의 이동 경로는 메모리(251)에 저장된다. 차후, 사용자는 입력부(253)를 통해 메모리(251)에 저장된 노즐 이동 경로 데이터를 수정할 수 있다.The material dispensing apparatus 200 may include an input unit 253 through which a user can manually input a movement path of the first through third nozzles 216, 217, and 218. The input unit 253 may be formed of a touch screen capable of touch input or may be a conventional keypad. The movement path of each nozzle input by the input unit 253 once is stored in the memory 251. [ Thereafter, the user can modify the nozzle movement path data stored in the memory 251 through the input unit 253. [

이하에서는, 입력부(253)를 통해 제1 노즐(216)의 노즐 이동 경로를 입력하는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of inputting the nozzle movement path of the first nozzle 216 through the input unit 253 will be described.

먼저, PCB 기준위치검출센서(233)(예를 들면, 비전 카메라일 수 있으며, 이하에서는 '비전 카메라'라고 한다)를 통해 작업 위치로 로딩된 인쇄회로기판 상에 표시된 적어도 2개의 레퍼런스 마크를 촬영하고, 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리를 측정한 후, 각 레퍼런스의 영상들과 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리 값을 메모리(251)에 저장한다. 인쇄회로기판이 직사각형일 경우, 2개의 레퍼런스 마크는 인쇄회로기판의 좌측 상단 및 우측 하단에 표시될 수 있다. 이 경우 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리는 대략 인쇄회로기판의 대각선 방향의 직선 길이를 나타낼 수 있다.First, at least two reference marks displayed on a printed circuit board loaded into a working position via a PCB reference position detection sensor 233 (for example, a vision camera, hereinafter referred to as a vision camera) And stores the distance values between the images of the respective reference and the two reference marks in the memory 251 after measuring the distance between the two reference marks. If the printed circuit board is rectangular, the two reference marks may be displayed at the upper left and lower right of the printed circuit board. In this case, the distance between the two reference marks can represent a straight line length in the diagonal direction of the printed circuit board.

작업 위치로 인쇄회로기판이 로딩되면, 사용자는 입력부(253)에 구비된 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 통해 비전 카메라를 좌측 상단의 제1 레퍼런스 마크가 있는 위치(예를 들면, 제1 레퍼런스 마크의 중심 또는 제1 레퍼런스 마크의 일 부분을 기준으로 함)로 이동시킨 후, 입력부(253)에 구비된 저장 버튼을 누르면 제어부(250)는 미리 설정된 원점(0,0,0)으로부터 제1 레퍼런스 마크가 떨어진 거리를 산출하여 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)를 구하고 이를 메모리(251)에 저장한다. 제1 노즐(216)과 함께 이동하는 비전 카메라의 촬영 위치는 제1 노즐(216)의 중심과 일정 간격 오프셋(offset)되어 있다. 따라서 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)는 제어부(250)에 의해 상기 오프셋 값까지 계산하여 산출된다. 또한, 사용자가 촬영 버튼을 누르면, 제1 레퍼런스 마크의 이미지가 메모리(251)에 저장된다.When the printed circuit board is loaded into the working position, the user can select the position of the first reference mark on the upper left side (e.g., the first The control unit 250 moves the reference point from the predetermined reference point (0, 0, 0) to the reference point (0, 0, 0) The coordinates (X1, Y1, Z1) of the first reference mark are calculated by calculating the distance at which the one reference mark has fallen, and stored in the memory 251. [ The shooting position of the vision camera moving together with the first nozzle 216 is offset from the center of the first nozzle 216 by a predetermined distance. Accordingly, the coordinates (X1, Y1, Z1) of the first reference mark are calculated by calculating up to the offset value by the control unit 250. [ Further, when the user presses the photographing button, the image of the first reference mark is stored in the memory 251. [

이어서, 사용자는 입력부(253)에 구비된 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 통해 비전 카메라를 우측 하단의 제2 레퍼런스 마크가 있는 위치(예를 들면, 제2 레퍼런스 마크의 중심 또는 제2 레퍼런스 마크의 일 부분을 기준으로 함)로 이동시킨 후, 입력부(253)에 구비된 저장 버튼을 누르면 제어부(250)는 미리 설정된 원점(0,0,0)으로부터 제2 레퍼런스 마크가 떨어진 거리를 산출하여 제2 레퍼런스 마크의 좌표(X2,Y2,Z2)를 구하고 이를 메모리에 저장한다. 또한, 사용자가 촬영 버튼을 누르면, 제2 레퍼런스 마크의 이미지가 메모리(251)에 저장된다. 제2 레퍼런스 마크의 좌표(X2,Y2,Z2)는 전술한 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)를 산출하는 과정과 마찬가지로 제어부(250)에 의해 상기 오프셋 값까지 계산하여 산출된다.Then, the user moves the vision camera through the front, rear, left, and right movement buttons provided on the input unit 253 to a position at which the second reference mark at the lower right is located (e.g., the center of the second reference mark or the second reference The control unit 250 calculates the distance of the second reference mark from the previously set origin (0, 0, 0) by pressing the save button provided on the input unit 253 after moving the reference mark (X2, Y2, Z2) of the second reference mark and stores it in the memory. Further, when the user presses the photographing button, the image of the second reference mark is stored in the memory 251. [ The coordinates (X2, Y2, Z2) of the second reference mark are calculated by calculating the offset value by the control unit 250 in the same manner as the process of calculating the coordinates (X1, Y1, Z1) of the first reference mark.

제어부(250)는 상기와 같이 검출된 제1 및 제2 레퍼런스 마크의 위치를 이용하여 2 위치 간의 간격을 산출하여 메모리(251)에 저장한다.The control unit 250 calculates the interval between the two positions using the positions of the first and second reference marks detected as described above, and stores the calculated interval in the memory 251.

이어서, 사용자는 입력부(253)의 전, 후, 좌, 우 이동 버튼(미도시)을 이용하여 인쇄회로기판(110) 상에 형성할 차폐 댐(120)의 경로를 따라 비전 카메라를 이동시키면서 비전 카메라에 의해 촬영되는 실시간 영상을 육안으로 확인해 가면서 제1 노즐(216)의 이동 경로 상에 위치하는 복수의 좌표를 입력한다. 해당 좌표의 입력은 비전 카메라가 제1 노즐(216)의 이동 경로 상의 어느 한 점에 위치하였을 때 입력부(253)에 구비된 좌표 입력 버튼을 누르면 해당 좌표가 입력된다. 이렇게 입력된 좌표는 메모리(251)에 저장된다.Next, the user moves the vision camera along the path of the shielding dam 120 to be formed on the printed circuit board 110 by using the front, back, left and right movement buttons (not shown) of the input unit 253, A plurality of coordinates located on the movement path of the first nozzle 216 are inputted while confirming the real time image taken by the camera with the naked eye. When the vision camera is located at a certain point on the movement path of the first nozzle 216, the coordinate input is inputted by pressing a coordinate input button provided on the input unit 253. The coordinate thus inputted is stored in the memory 251. [

상기 복수의 좌표는 하기와 같이, 제1 노즐(216)이 소재의 토출을 시작하는 지점의 좌표(Ap, 도 7 참조), 제1 노즐(216)이 토출을 마치는 지점의 좌표(절연 댐이 폐곡선을 이루는 경우 시작 지점(Ap)과 거의 인접하게 배치될 수 있다)와, 이동 중에 제1 노즐(216)이 방향을 바꾸어야 하는 지점들(Bp,Cp,Dp,Ep,Fp, 도 7 참조)에 대한 각 좌표이다.The coordinates of the plurality of coordinates correspond to the coordinates (Ap, see Fig. 7) of the point at which the first nozzle 216 starts discharging the material, the coordinates of the point at which the first nozzle 216 finishes discharging And the points Bp, Cp, Dp, Ep, Fp, where the first nozzle 216 must change direction during movement (see FIG. 7) Respectively.

또한, 제1 노즐(216)의 이동 경로를 프로그래밍화하기 위해, 입력부(253)는 지정한 좌표로 제1 노즐(216)을 이동시키는 이동 버튼과, 제1 노즐(216)이 소재를 토출하면서 이동하는 명령을 내리기 위한 라인 버튼, 제1 노즐(216)의 이동 방향을 전환하기 위한 회전 버튼 등의 각종 명령 버튼이 구비될 수 있다. 사용자는 상기 명령 버튼들과 상기 좌표 및 회전 각도를 매칭함으로써 제1 노즐(216)의 이동 경로를 생성할 수 있다.In order to program the movement path of the first nozzle 216, the input unit 253 includes a movement button for moving the first nozzle 216 at the designated coordinates and a movement button for moving the first nozzle 216 A line button for issuing an instruction to turn on the first nozzle 216, and a rotation button for switching the moving direction of the first nozzle 216. [ The user can generate a movement path of the first nozzle 216 by matching the coordinates and the rotation angle with the command buttons.

제1 노즐(216)의 이동 경로가 전술한 바와 같이 사용자에 의해 프로그래밍 되면, 제어부(250)는 노즐 이동 경로를 따라 제1 노즐(216)을 이동하면서 절연 소재를 토출함으로써 인쇄회로기판(110)에 자동으로 차폐 댐(120)을 형성할 수 있다.When the movement path of the first nozzle 216 is programmed by the user as described above, the controller 250 moves the first nozzle 216 along the nozzle moving path to eject the insulating material, The shielding dam 120 can be formed automatically.

이와 같이 입력부(253)를 통해 입력된 제1 노즐(216)의 이동 경로에 대한 데이터는 메모리(251)에 저장될 수 있다. 제어부(250)는 메모리(251)에 저장된 제1 노즐의 이동 경로 데이터에 따라 X-Y-Z축 이동부(231)와 회전 구동부(219)를 작동시켜 제1 노즐(216)을 미리 입력된 경로를 따라 이동시킨다. 상기 노즐 경로 데이터는 제1 노즐(216)을 인쇄회로기판(110)의 상면을 따라 직선 방향으로 이동하는 거리와, 제1 노즐(216)의 회전 방향 및 각도를 포함하고 있다.The data on the movement path of the first nozzle 216 input through the input unit 253 may be stored in the memory 251. [ The control unit 250 operates the XYZ axis moving unit 231 and the rotation driving unit 219 according to the movement path data of the first nozzle stored in the memory 251 to move the first nozzle 216 along the pre- . The nozzle path data includes a distance for moving the first nozzle 216 in a linear direction along the upper surface of the printed circuit board 110 and a rotation direction and an angle of the first nozzle 216.

한편, 본 실시예에서는 입력부(253)를 통해 사용자가 제1 노즐(216)의 이동 경로를 직접 입력하는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 노즐 이동 경로를 메모리(251)에 미리 저장할 수 있으며 이 경우, 제품에 따라 다양하게 형성되는 차폐 댐(120)의 패턴에 대응하도록 제1 노즐(216)에 대한 다수의 이동 경로를 미리 저장할 수 있다. 또한, 상기 입력부(253)를 통해 입력한 제1 노즐의 이동 경로 이외에 캘리브레이션 정보, 제1 노즐의 기준위치 정보, PCB 기준위치 정보, PCB 기준 높이 정보 등을 메모리(251)에 미리 저장할 수 있다.In the present embodiment, the user directly inputs the movement path of the first nozzle 216 through the input unit 253. However, the present invention is not limited to this, and the nozzle movement path may be stored in advance in the memory 251. In this case, A plurality of movement paths for the first nozzle 216 may be stored in advance so as to correspond to the patterns of the shielding dam 120 formed in various ways according to products. In addition to the movement path of the first nozzle input through the input unit 253, calibration information, reference position information of the first nozzle, PCB reference position information, PCB reference height information, and the like can be stored in advance in the memory 251.

전술한 바와 같이 제1 노즐(216)은 메모리(251) 저장된 제1 노즐의 이동 경로를 따라 차폐 댐(120)을 형성하며, 구체적인 예는 도 7을 참조하여 설명한다.As described above, the first nozzle 216 forms the shielding dam 120 along the movement path of the first nozzle stored in the memory 251, and a specific example will be described with reference to FIG.

도 7은 소재 토출 장치에 구비된 입력부를 통해 입력된 제1 노즐의 이동 경로를 나타내는 도면이고, 도 8a는 노즐이 미리 설정된 경로를 따라 이동하면서 인쇄회로기판 상에서 차폐 댐을 형성하는 예를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a view showing a movement path of a first nozzle inputted through an input part provided in the material discharging device, FIG. 8A is a view showing an example of forming a shield dam on a printed circuit board while the nozzle moves along a preset path to be.

제1 노즐(216)은 시작점(Ap)에 해당하는 좌표에 세팅된다. 이때, 제어부(250)는 제1 노즐(216)의 측면 토출구(216a)가 노즐 이동 방향의 반대 방향을 향하도록 회전 구동부(219)을 작동시켜 제1 노즐(216)을 소정 각도로 회전시킨다.The first nozzle 216 is set at a coordinate corresponding to the starting point Ap. At this time, the control unit 250 operates the rotation driving unit 219 to rotate the first nozzle 216 by a predetermined angle so that the side discharge port 216a of the first nozzle 216 faces the direction opposite to the nozzle moving direction.

이와 같이 시작점(Ap)에 해당하는 좌표에 세팅된 제1 노즐(216)은 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 +Y축 방향으로 A구간만큼 직선 이동한다. 이 경우, 제1 노즐(216)은 도 8a와 같이 측면 토출구(216a)가 노즐 이동 방향의 반대 방향을 향하 상태로 이동하면서 차폐 소재를 지속적으로 토출한다. 형성될 차폐 댐이 접지 패드(114)와 전기적으로 연결되도록, 차폐 소재는 접지 패턴(114) 상에 형성된다.The first nozzle 216 set at the coordinate corresponding to the starting point Ap moves linearly in the + Y axis direction by the X-Y-Z axis moving unit 231 in the section A in this way. In this case, the first nozzle 216 continuously discharges the shielding material while the side discharge port 216a moves toward the direction opposite to the nozzle moving direction as shown in FIG. 8A. A shielding material is formed on the grounding pattern 114 so that the shielding dam to be formed is electrically connected to the grounding pad 114.

이어서 제1 노즐(216)은 경로가 꺾이는 구간(A구간과 B구간을 잇는 지점(Bp)을 포함하는 구간)을 따라 이동한다. 이 경우, 제1 노즐(216)은 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 노즐 경로를 따라 이동함과 동시에, 측면 토출구(216a)가 노즐 이동 방향의 반대 방향을 향하도록 회전 구동부(219)에 의해 회전된다.Then, the first nozzle 216 moves along a path-breaking section (a section including a point Bp connecting the section A and the section B). In this case, the first nozzle 216 is moved along the nozzle path by the XYZ-axis moving unit 231 and is rotated by the rotation drive unit 219 so that the side discharge port 216a is directed in the direction opposite to the nozzle moving direction .

제1 노즐(216)은 경로가 꺾이는 구간을 지나면 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 -X축 방향으로 B구간만큼 직선 이동한다. 이와 같이 제1 노즐(216)은 회전 구동부(219) 및 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 나머지 B, C, D, E 및 F구간을 순차적으로 직선 이동 및 회전을 반복하여 시작점(Ap)까지 복귀하면 제1 노즐(216)의 이동은 완료된다.The first nozzle 216 moves linearly by a section B in the -X-axis direction by the X-Y-Z axis moving section 231 after passing through a section where the path is bent. Thus, the first nozzle 216 repeats the linear movement and rotation of the remaining sections B, C, D, E, and F by the rotation driving section 219 and the XYZ axis moving section 231 sequentially to the starting point Ap The movement of the first nozzle 216 is completed.

도 8b는 도 8a에 도시된 노즐의 단부를 나타내는 사시도이다.8B is a perspective view showing an end portion of the nozzle shown in Fig. 8A.

도 8b를 참조하면, 제1 노즐(216)은 X-Y-Z축 이동부(231) 및 회전 구동부(219)에 의해 이동 및 회전하면서 차폐 소재가 동시에 토출되도록 노즐(216)의 하부 측면에 측면 토출구(216a)가 형성되고, 노즐(216)의 저면에 저면 토출구(216b)가 형성된다. 측면 및 저면 토출구(216a, 216b)는 서로 연통되어 있어 측면 및 저면 토출구(216a, 216b)를 통해 차폐 소재가 동시에 토출될 수 있다.8B, the first nozzle 216 is moved by the XYZ axis moving part 231 and the rotation driving part 219 so that the side discharge ports 216a And the bottom surface discharge port 216b is formed on the bottom surface of the nozzle 216. As shown in Fig. The side and bottom discharge ports 216a and 216b are communicated with each other so that the shielding material can be simultaneously discharged through the side and bottom discharge ports 216a and 216b.

측면 토출구(216a)는 높이(h)와 폭(w)의 비(이하, 종횡비)가 큰 차폐 댐(120)을 조형하기 위해, 차폐 댐(120)의 최종 단면과 유사한 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서 측면 토출구(216a)의 종횡비는 측면 토출구(216a)의 높이(h)를 측면 토출구(216a)의 폭(w)으로 나눈 값을 나타낸다.The side discharge port 216a may have a rectangular shape similar to the final end surface of the shield dam 120 in order to shape the shield dam 120 having a large ratio of the height h to the width w . In this embodiment, the aspect ratio of the side discharge port 216a represents a value obtained by dividing the height h of the side discharge port 216a by the width w of the side discharge port 216a.

차폐 댐(120)은 측면 토출구(216a)의 종횡비가 클수록 두께가 얇고 높이가 높은 고종횡비(High aspect ratio) 구조로 이루질 수 있다. 여기서, 측면 토출구(216a)의 높이(h)는 차폐 댐(120)의 높이에 각각 대응하도록 설정될 수 있다.The shielding dam 120 may have a high aspect ratio structure with a thinner thickness and a higher height as the aspect ratio of the side discharge port 216a is larger. Here, the height h of the side discharge port 216a may be set to correspond to the height of the shield dam 120, respectively.

제1 노즐(216)은 전술한 바와 같이 미리 설정된 경로를 따라 이동하면서 측면 및 저면 토출구(216a, 216b)를 통해 접지 패드(114) 위로 동시에 토출하여 차폐 댐(120)을 형성할 수 있다.The first nozzle 216 may be simultaneously discharged onto the ground pad 114 through the side and bottom discharge ports 216a and 216b while moving along the predetermined path as described above to form the shield dam 120. [

도 9는 제2 노즐의 단부를 나타내는 사시도이다. 도 9를 참조하면, 제2 노즐(217)은 절연 층(130)을 형성하는 데 사용되므로 차폐 댐과 같이 정형화된 형상을 조형할 필요가 없다. 따라서 제2 노즐(217)은 제1 노즐(216)과 달리 측면 토출구(216a)를 생략하고 저면 토출구(217b)만 형성된다.9 is a perspective view showing an end portion of the second nozzle. Referring to FIG. 9, since the second nozzle 217 is used to form the insulating layer 130, it is not necessary to form a shaped shape like a shield dam. Accordingly, the second nozzle 217 is formed with only the bottom surface discharge port 217b, omitting the side surface discharge port 216a, unlike the first nozzle 216. [

차폐 층(150)을 형성하는데 사용되는 제3 노즐(218)은 제2 노즐(217)과 동일하게 저면 토출구만 형성된다. 본 발명에 따른 전자파 차폐구조의 제조 시 진행되는 완전경화 및 가경화 처리는 열경화를 통해 이루어지는 것을 전제로 한다. 다만, 하기 실시예들에서 가경화 및 완전경화 처리는 광경화를 통해서도 이루어질 수 있는 것으로 설명한다.The third nozzle 218 used to form the shielding layer 150 is formed with only the bottom surface discharge port similarly to the second nozzle 217. [ It is premised that the complete curing and hardening treatment progressed in the production of the electromagnetic wave shielding structure according to the present invention is performed through thermal curing. However, in the following examples, it is explained that the temporary curing and complete curing treatment can be performed also by photocuring.

도 10 내지 도 12는 인쇄회로기판의 상면 및 저면에 각각 전자파 차폐구조를 형성하기 위한 다양한 제조 공정을 나타내는 블록도들이다. 10 to 12 are block diagrams showing various manufacturing processes for forming electromagnetic wave shielding structures on the upper and lower surfaces of the printed circuit board, respectively.

도 10에 도시된 전자파 차폐구조 형성 공정은 인쇄회로기판의 상면에 전자파 차폐구조를 먼저 형성한 후, 인쇄회로기판의 하면에 다음 전자파 차폐구조를 형성하는 예를 나타낸다. 이 경우, 광경화를 통한 가경화 처리는 매 공정마다 이루어질 수 있으며, 인쇄회로기판의 상면 및 하면에 각각 전자파 차폐구조를 모두 형성한 후, 완전경화 처리를 진행한다.10 shows an example in which the electromagnetic wave shielding structure is first formed on the upper surface of the printed circuit board and then the electromagnetic wave shielding structure is formed on the lower surface of the printed circuit board. In this case, the temporary hardening treatment through the photo-curing can be performed every step, and after the electromagnetic shielding structure is formed on the upper and lower surfaces of the printed circuit board, the complete hardening treatment is performed.

도 10을 참조하여 공정을 순차적으로 설명한다. 먼저, 인쇄회로기판을 작업 위치로 로딩시킨 후, 제1 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 상면에 차폐 댐을 형성한다(S1).The steps will be sequentially described with reference to FIG. First, after the printed circuit board is loaded into the working position, a shielding dam is formed on the upper surface of the printed circuit board by using the first nozzle (S1).

인쇄회로기판의 상면에 차폐 댐이 형성되면 차폐 댐을 가경화할 수 있다(S2). 이 경우, 차폐 댐은 열원으로부터 발산되는 열에너지에 노출됨으로써 차폐 댐의 표면을 가경화시킬 수 있다. 이때 차폐 댐을 이루는 차폐 소재는 열경화성 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 가경화 처리는 열경화 대신에 광경화성 수지를 이용하여 가시광선 램프 이나 자외선 램프를 통해 광경화로 이루어질 수도 있다. 차폐 댐의 가경화는 선택적으로 진행될 수 있으므로 생략될 수 있다. 이때, 차폐 댐의 가경화가 생략되는 경우, 다음 단계인 절연 층 형성 시 절연 층에 대해 가경화가 이루어지면 차폐 댐도 동시에 가경화될 수 있다.계속해서, 제2 노즐을 이용하여 차폐 댐에 의해 둘러싸인 공간으로 절연 소재를 주입하여 절연 층을 형성한다(S3). 이어서 열경화를 통해 절연 층을 가경화 처리한다(S4). 이때 절연 소재 역시 열경화성 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 가경화 처리는 열경화 대신에 광경화성 수지를 이용하여 가시광선 램프 이나 자외선 램프를 통해 광경화로 이루어질 수도 있다. 절연 층의 가경화 처리는 생략하지 않고 진행하는 것이 바람직하다. 이는 절연 소재가 차폐 댐을 형성하기 위한 차폐 소재보다　유동성이 높기 때문에 인쇄회로기판을 반전시킬 경우, 그 절연 층이 그 형상을 유지하지 못하고 형상이 변경되면서 흘러 내릴 수 있기 때문이다. When the shielding dam is formed on the upper surface of the printed circuit board, the shielding dam can be made thin (S2). In this case, the shield dam is exposed to the heat energy emitted from the heat source, so that the surface of the shield dam can be hardened. At this time, it is preferable to use a thermosetting resin as the shielding material constituting the shield dam. In this case, the temporary hardening treatment may be performed by using a photocurable resin instead of thermosetting and by photo-curing through a visible light lamp or an ultraviolet lamp. The hardening of the shield dam can be selectively performed and thus can be omitted. In this case, if the hardening of the shielding dam is omitted, the shielding dam can be hardened at the same time if the insulating layer is formed in the insulating layer at the next step of forming the insulating layer. Subsequently, Insulating material is injected into the space to form an insulating layer (S3). Subsequently, the insulating layer is hardened through thermal curing (S4). At this time, it is preferable to use a thermosetting resin as the insulating material. In this case, the temporary hardening treatment may be performed by using a photocurable resin instead of thermosetting and by photo-curing through a visible light lamp or an ultraviolet lamp. It is preferable that the temporary hardening treatment of the insulating layer is carried out without omission. This is because the insulating material has higher fluidity than the shielding material for forming the shielding dam, so that when the printed circuit board is inverted, the insulating layer can flow down while changing its shape without maintaining its shape.

절연 층을 가경화 처리한 후, 절연 층의 상면과 차폐 댐의 상단부를 덮도록 제3 노즐을 이용하여 차폐　소재를 토출함으로써 차폐 층을 형성한다(S5). 　이어서 차폐 층을 가경화 처리할 수 있다(S6). 이 경우 차폐 층의 가경화 처리는 선택적으로 진행될 수 있으므로 생략할 수 있다.After the insulating layer is hardened, a shielding layer is formed by discharging the shielding material by using a third nozzle so as to cover the upper surface of the insulating layer and the upper end of the shielding dam (S5). Subsequently, the shielding layer can be hardened (S6). In this case, the temporary hardening treatment of the shielding layer can be selectively performed and thus can be omitted.

상기와 같이 인쇄회로기판의 상면에 전자파 차폐구조를 형성한 후, 인쇄회로기판의 상면이 아래를 향하도록 인쇄회로기판을 반전시킨다.After the electromagnetic wave shielding structure is formed on the upper surface of the printed circuit board as described above, the printed circuit board is inverted such that the upper surface of the printed circuit board faces downward.

인쇄회로기판의 하면이 위를 향하도록 배치한 후, 차폐 댐, 절연 층 및 차폐 층을 순차적으로 형성할 수 있다(S7, S9, S11). 이 경우, 차폐 댐 형성 후 차폐 댐을 가경화 처리하거나(S8), 절연 층 형성 후 절연 층을 가경화 처리할 수 있다(S10). 이 경우 가경화 처리 단계(S8, S10)는 선택적으로 진행할 수 있으므로 생략 가능하다.The shielding dam, the insulating layer, and the shielding layer may be sequentially formed (S7, S9, and S11) after the printed circuit board is disposed with its lower surface facing upward. In this case, after the formation of the shielding dam, the shielding dam may be hardened (S8) or the insulating layer may be hardened after the formation of the insulating layer (S10). In this case, the temporary hardening processing steps (S8, S10) can be selectively performed and can be omitted.

이와 같이 인쇄회로기판의 상면과 하면에 각각 전자파 차폐구조를 형성하면, 인쇄회로기판을 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에 투입하여 각 전자파 차폐구조를 완전경화 처리한다(S12). 이 경우, 완전경화 처리는 열경화 대신에 광경화성 수지를 이용하여 가시광선 램프 또는 자외선 램프에 의한 광경화에 의해서 이루어질 수도 있다. 완전경화 처리는 인쇄회로기판의 상면과 하면에 각각 형성된 전자파 차폐구조를 견고하게 형성하는 공정으로, 가경화 또는 가경화 처리를 생략함에 따라 완전히 경화되지 않은 전자파 차폐구조를 이루는 모든 구성(차폐 댐, 절연 층, 차폐 층)을 완전경화 시킨다.When the electromagnetic wave shielding structure is formed on the upper and lower surfaces of the printed circuit board, the printed circuit board is put in an infrared lamp, oven or curing furnace to completely cure each electromagnetic wave shielding structure (S12). In this case, the complete curing treatment may be performed by using a photocurable resin instead of thermosetting, and by photocuring by a visible light lamp or an ultraviolet lamp. The complete curing process is a process of firmly forming an electromagnetic wave shielding structure formed on the upper and lower surfaces of a printed circuit board, and is a process of forming all the constituent electromagnetic wave shielding structures which are not completely cured (shielding dam, Insulating layer, shielding layer) is completely cured.

도 10에 도시된 공정에서와 같이, 가경화 처리는 적어도 1회(S4 단계)를 포함하며, 완전경화 처리 역시 적어도 1회(S12 단계)를 포함하는 것이 바람직하다.　도 11에 도시된 전자파 차폐구조 형성 공정은 인쇄회로기판의 상면 및 하면에 각각 형성되는 각 전자파 차폐구조의 동일한 구성별로 형성하는 예를 나타낸다. 즉, 인쇄회로기판에 상면 및 하면에 차폐 댐을 각각 형성하고, 이어서 절연 층을 각각 형성하며, 끝으로 차폐 층을 각각 형성한 후, 완전경화 처리를 진행한다.As in the process shown in Fig. 10, the temporary hardening treatment includes at least once (S4 step), and the complete hardening treatment also preferably includes at least once (S12 step). The electromagnetic wave shielding structure forming process shown in FIG. 11 is an example in which electromagnetic wave shielding structures formed on the upper and lower surfaces of the printed circuit board are formed for each of the same components. That is, a shielding dam is formed on the upper surface and the lower surface of the printed circuit board, respectively, and then an insulating layer is formed, followed by forming a shielding layer at the end, and the complete curing process is performed.

도 11을 참조하여 공정을 순차적으로 설명한다. 먼저, 인쇄회로기판을 작업 위치로 로딩시킨 후, 제1 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 상면에 차폐 댐을 형성한다(S21). 이어서 가경화 처리를 진행할 수 있으나(S22) 생략도 가능하다.The process will be sequentially described with reference to FIG. First, after the printed circuit board is loaded into the working position, a shielding dam is formed on the upper surface of the printed circuit board by using the first nozzle (S21). Then, the temporary hardening process can be performed (S22), but it is also possible to omit it.

인쇄회로기판의 하면이 위를 향하도록 인쇄회로기판을 반전시킨 후, 제1 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 하면에 차폐 댐을 형성한다(S23). 이어서 가경화 처리를 진행할 수 있으나(S24) 생략도 가능하다.After the printed circuit board is inverted so that the lower surface of the printed circuit board faces upward, a shield dam is formed on the lower surface of the printed circuit board using the first nozzle (S23). Subsequently, the temporary hardening process may be performed (S24), but it may be omitted.

다시 인쇄회로기판의 상면이 위를 향하도록 인쇄회로기판을 반전시킨 후, 제2 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 상면에 절연 층을 형성한다(S25). 이어서 가경화 처리를 진행하여 절연 층을 가경화 시킨다(S26). 이 경우 인쇄회로기판 반전 시 절연 층이 인쇄회로기판의 상면으로부터 흘러 내리는 것을 방지하도록 가경화 처리를 생략하지 않고 진행하는 것이 바람직하다.After the printed circuit board is inverted again with the upper surface of the printed circuit board facing up, an insulating layer is formed on the upper surface of the printed circuit board by using the second nozzle (S25). Then, the temporary hardening treatment is performed to harden the insulating layer (S26). In this case, it is preferable to proceed without omitting the temporary hardening treatment so as to prevent the insulating layer from flowing down from the upper surface of the printed circuit board when the printed circuit board is inverted.

다시 인쇄회로기판의 하면이 위를 향하도록 인쇄회로기판을 반전시킨 후, 제2 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 하면에 절연 층을 형성한다(S27). 이어서 가경화 처리를 진행하여 절연 층을 가경화 시킨다(S28). 이 경우에도 가경화 처리를 생략하지 않고 진행하는 것이 바람직하다.After the printed circuit board is inverted again with the lower surface of the printed circuit board facing up, an insulating layer is formed on the lower surface of the printed circuit board using the second nozzle (S27). Subsequently, the temporary hardening treatment is performed to harden the insulating layer (S28). Even in this case, it is preferable to proceed without omitting the temporary curing process.

다시 인쇄회로기판의 상면이 위를 향하도록 인쇄회로기판을 반전시킨 후, 제3 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 상면에 형성된 절연 층과 차폐 댐의 상단부를 차폐 소재로 덮어 차폐 층을 형성한다(S29). 이어서 가경화 처리를 진행할 수 있으나(S30) 생략도 가능하다.The printed circuit board is inverted so that the upper surface of the printed circuit board is turned upside, and then the insulating layer formed on the upper surface of the printed circuit board and the upper end of the shielding dam are covered with the shielding material by using the third nozzle to form the shielding layer S29). Subsequently, the temporary hardening process may be performed (S30), but it may be omitted.

다시 인쇄회로기판의 하면이 위를 향하도록 인쇄회로기판을 반전시킨 후, 제3 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 하면에 형성된 절연 층과 차폐 댐의 상단부를 차폐 소재로 덮어 차폐 층을 형성한다(S31).The printed circuit board is inverted again so that the lower surface of the printed circuit board faces upward and then the insulating layer formed on the lower surface of the printed circuit board and the upper end of the shielding dam are covered with the shielding material using the third nozzle to form the shielding layer S31).

이와 같이 인쇄회로기판의 상면과 하면에 각각 전자파 차폐구조를 형성하면, 인쇄회로기판을 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에 투입하여 각 전자파 차폐구조를 완전경화 처리한다(S32). 이 경우, 완전경화 처리는 열경화 대신에 광경화성 수지를 이용하여 가시광선 램프 또는 자외선 램프에 의한 광경화에 의해서 이루어질 수도 있다.When the electromagnetic wave shielding structures are formed on the upper and lower surfaces of the printed circuit board, the printed circuit board is put in an infrared lamp, oven or curing furnace to completely cure each electromagnetic wave shielding structure (S32). In this case, the complete curing treatment may be performed by using a photocurable resin instead of thermosetting, and by photocuring by a visible light lamp or an ultraviolet lamp.

도 11에 도시된 공정에서는 2회의 가경화 처리(S26, S28)를 진행할 수 있고, 1회의 완전경화 처리(S32)를 진행할 수 있다. In the process shown in Fig. 11, two temporary hardening processes (S26 and S28) can be performed and one complete hardening process (S32) can be performed.

한편, 도 10및 도 11에서, 어느 하나의 공정(전 공정)이 진행될 때 경화 처리를 생략하고 그 공정 직후에 진행되는 공정(후 공정)에서 경화 처리가 수행될 때, 전 공정에서 조형된 구조와 후 공정에서 조형된 구조가 동시에 경화되는 데 이를 '동시 경화'라 한다. 이 경우, 경화가 가경화이면 '동시 가경화'라 하고, 경화가 완전 경화이면 '동시 완전 경화'라 한다.On the other hand, in Figs. 10 and 11, when the curing process is omitted when any one step (all processes) is performed and the curing process is performed in the process (post process) immediately after the process, And the structure formed in the post-process are simultaneously cured, which is referred to as 'simultaneous curing'. In this case, it is referred to as 'simultaneous vulcanization' if the vulcanization is vulcanization and 'simultaneous vulcanization' if the vulcanization is fully vulcanized.

한편, 상기 도 10 및 도 11과 같이 일정한 공정 순서를 따르는 경우 외에, 도 12와 같이 공정이 일정하지 않은 순서로 진행될 수도 있다.10 and 11, the process may be performed in a non-uniform order as shown in FIG.

도 12를 참조하여 공정을 순차적으로 설명한다. 먼저, 인쇄회로기판을 작업 위치로 로딩시킨 후, 제1 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 상면에 차폐 댐을 형성한다(S41). 인쇄회로기판의 상면 대신 하면에 먼저 차폐 댐을 형성하여도 무방하다. The process will be sequentially described with reference to FIG. First, after the printed circuit board is loaded into the working position, a shielding dam is formed on the upper surface of the printed circuit board by using the first nozzle (S41). A shielding dam may be formed first on the lower surface instead of the upper surface of the printed circuit board.

이어서, 인쇄회로기판의 상면에 제2 노즐을 이용하여 절연 층을 형성한다(S42). 이어서 가경화 처리를 진행하여 절연 층을 가경화 시킨다(S43).Subsequently, an insulating layer is formed on the upper surface of the printed circuit board by using the second nozzle (S42). Then, the temporary hardening treatment is performed to make the insulating layer thin (S43).

인쇄회로기판의 하면이 위를 향하도록 인쇄회로기판을 반전시킨 후, 제1 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 하면에 차폐 댐을 형성한다(S33). 이어서 제2 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 하면에 절연 층을 형성한(S45) 후, 가경화 처리를 진행하여 절연 층을 가경화 시킨다(S46).After the printed circuit board is inverted with the lower surface of the printed circuit board facing up, a shield dam is formed on the lower surface of the printed circuit board using the first nozzle (S33). Subsequently, an insulating layer is formed on the lower surface of the printed circuit board by using the second nozzle (S45), and the hardening process is performed to make the insulating layer thin (S46).

이어서,　제3 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 하면에 형성된 절연 층과 차폐 댐의 상단부를 차폐 소재로 덮어 차폐 층을 형성한다(S47). Subsequently, the insulating layer formed on the lower surface of the printed circuit board and the upper end of the shielding dam are covered with a shielding material by using the third nozzle (S47).

인쇄회로기판의 상면이 위를 향하도록 인쇄회로기판을 반전시킨 후,　제3 노즐을 이용하여 인쇄회로기판의 상면에 형성된 절연 층과 차폐 댐의 상단부를 차폐 소재로 덮어 차폐 층을 형성한다(S48).The printed circuit board is inverted with the upper surface of the printed circuit board facing up, and then the insulating layer formed on the upper surface of the printed circuit board and the upper end of the shielding dam are covered with the shielding material by using the third nozzle to form a shielding layer (S48 ).

인쇄회로기판의 상면과 하면에 각각 전자파 차폐구조를 형성하면, 인쇄회로기판을 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에 투입하여 각 전자파 차폐구조를 완전경화 처리한다(S49). 이 경우, 완전경화 처리는 열경화 대신에 광경화성 수지를 이용하여 가시광선 램프 또는 자외선 램프에 의한 광경화에 의해서 이루어질 수도 있다.When the electromagnetic wave shielding structures are formed on the upper and lower surfaces of the printed circuit board, the printed circuit board is put in an infrared lamp, oven or curing furnace to completely cure each electromagnetic wave shielding structure (S49). In this case, the complete curing treatment may be performed by using a photocurable resin instead of thermosetting, and by photocuring by a visible light lamp or an ultraviolet lamp.

도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 다양한 공정을 통해 인쇄회로기판의 상면 및 하면에 각각 전자파 차폐회로를 형성할 수 있다. 상기 각 공정들에서는 공통으로 적어도 1회의 가경화 처리와, 적어도 1회의 완전경화 처리를 진행한다. As shown in FIGS. 10 to 12, the electromagnetic wave shielding circuit can be formed on the top and bottom surfaces of the printed circuit board through various processes. In each of the above processes, at least one temporary hardening treatment and at least one complete hardening treatment are commonly performed.

아울러 각 공정들에서는 완전경화 처리를 최종 공정에서만 진행하는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 최종 공정 이외의 공정 중 어느 한 공정에서 완전경화 처리를 진행하는 것도 물론 가능하다.In addition, although the complete curing process is described as proceeding only in the final process in each of the processes, the present invention is not limited thereto, and it is of course possible to proceed with the full curing process in any of the processes other than the final process.

도 13a 내지 도 15는 전자파 차폐구조의 제조 공정의 일부에 적용할 수 있는 다양한 공정 순서를 보여주는 도면들이다.13A to 15 are views showing various process sequences applicable to a part of the manufacturing process of the electromagnetic wave shielding structure.

도 13a 내지 도 13c는 하나의 공정 후에 램프를 이용한 열경화 또는 광경화를 통해 가경화 처리하는 공정이 이어지는 예를 보여준다. 13A to 13C show an example in which a process of hardening or curing by thermosetting or photo-curing using a lamp after one process is followed.

구체적으로, 도 13a와 같이 인쇄회로기판(110)의 일면에 차폐 댐(120)을 형성한 후, 열경화 또는 광경화를 통한 가경화 처리를 진행할 수 있다. 도 13b와 같이 인쇄회로기판(110)의 일면에 차폐 댐(120) 및 절연 층(130)을 순차적으로 형성한 후 열경화 또는 광경화를 통한 가경화 처리를 진행할 수 있다. 도 13c와 같이 인쇄회로기판(110)의 일면에 차폐 댐(120), 절연 층(130) 및 차폐 층(150)을 순차적으로 형성한 후 열경화 또는 광경화를 통한 가경화 처리를 진행할 수 있다.Specifically, the shielding dam 120 may be formed on one side of the printed circuit board 110 as shown in FIG. 13A, followed by hardening through heat curing or photo-curing. The shielding dam 120 and the insulating layer 130 may be sequentially formed on one side of the printed circuit board 110 as shown in FIG. 13B, followed by hardening by heat curing or photo-curing. The shielding dam 120, the insulating layer 130, and the shielding layer 150 may be sequentially formed on one side of the printed circuit board 110 as shown in FIG. 13C, followed by hardening by heat curing or photo-curing .

도 14a 내지 도 14c는 인쇄회로기판을 반전시키기 전에 열경화 또는 광경화를 통한 가경화 처리하는 공정이 진행되는 예를 보여준다. Figs. 14A to 14C show an example in which a process of hardening by heat curing or photo-curing is performed before reversing the printed circuit board.

구체적으로, 도 14a와 같이 인쇄회로기판(110)의 일면에 형성된 차폐 댐(120)을 열원 또는 광원(30)에 노출시켜 가경화 처리를 진행 한 후, 인쇄회로기판(110)을 반전시킬 수 있다. 도 14b와 같이 인쇄회로기판(110)의 일면에 형성된 차폐 댐(120) 및 절연 층(130)을 열원 또는 광원(30)에 노출시켜 가경화 처리를 진행한 후, 인쇄회로기판(110)을 반전시킬 수 있다. 도 14c와 같이 인쇄회로기판(110)의 일면에 형성된 차폐 댐(120), 절연 층(130) 및 차폐 층(150)을 열원 또는 광원(30)에 노출시켜 가경화 처리를 진행한 후, 인쇄회로기판(110)을 반전시킬 수 있다.14A, after the shielding dam 120 formed on one surface of the printed circuit board 110 is exposed to the heat source or the light source 30 to perform the hardening process, the printed circuit board 110 can be reversed have. The shielding dam 120 and the insulating layer 130 formed on one surface of the printed circuit board 110 are exposed to the heat source or the light source 30 to perform the hardening process as shown in FIG. Can be inverted. 14C, the shielding dam 120, the insulating layer 130, and the shielding layer 150 formed on one surface of the printed circuit board 110 are exposed to the heat source or the light source 30, The circuit board 110 can be reversed.

또한, 도 15a를 참조하면, 인쇄회로기판의 일면에 전자파 차폐구조를 형성하고, 인쇄회로기판의 타면에는 전자파 차폐구조를 형성하지 않은 상태에서 인쇄회로기판의 전자파 차폐구조를 적외선 램프에 노출시켜 열경화에 의해 완전경화 처리를 진행할 수 있다. 이 경우, 인쇄회로기판의 일면에 형성된 전자파 차폐구조에 대한 완전경화 처리는 도 15b와 같이 인쇄회로기판을 오븐 및 경화로(50)에 투입하여 열경화에 의해 이루어질 수 있다. 또한, 완전경화 처리는 상기 열경화 대신에 광경화 수지를 이용하여 가시광선 램프 또는 자외선 램프에 의한 광경화에 의해서 이루어질 수도 있다.15A, an electromagnetic wave shielding structure is formed on one side of a printed circuit board, and an electromagnetic wave shielding structure of a printed circuit board is exposed to an infrared lamp in a state where an electromagnetic wave shielding structure is not formed on the other side of the printed circuit board, The complete curing process can be performed by curing. In this case, the complete curing process for the electromagnetic wave shielding structure formed on one surface of the printed circuit board may be performed by thermosetting the printed circuit board into the oven and curing furnace 50 as shown in FIG. 15B. Further, the complete curing treatment may be performed by using a photocurable resin instead of the above-mentioned thermosetting, and by photocuring by a visible light lamp or an ultraviolet lamp.

이러한 인쇄회로기판의 일면에 전자파 차폐구조에 대한 완전경화 처리가 완료된 후, 인쇄회로기판을 반전시켜 인쇄회로기판의 타면에 전자파 차폐구조를 형성하고 2번째 완전경화 처리를 진행할 수도 있다.After the complete curing process for the electromagnetic wave shielding structure is completed on one side of the printed circuit board, the printed circuit board may be inverted to form an electromagnetic wave shielding structure on the other side of the printed circuit board, and the second complete curing process may be performed.

상기한 바와 같이 본 실시예에서는 전자파 차폐구조의 제조 공정에 가경화 처리를 도입함으로써 인쇄회로기판으로 전달되는 열 스트레스를 최소화하여 공정 불량률을 감소시킬 수 있다.As described above, in this embodiment, by introducing the temporary hardening treatment to the manufacturing process of the electromagnetic wave shielding structure, the thermal stress transmitted to the printed circuit board can be minimized, and the process defect rate can be reduced.

또한, 본 실시예에 따르면, 완전 경화에 비해 처리 시간이 짧은 가경화의 도입으로 공정 시간을 단축할 수 있고, 가열 장비로부터 외부로 방열되는 에너지 감소로 인한 주변 기구와의 물리적 거리 및 라인의 길이를 단축시킬 수 있으며, 사이즈가 큰 오븐 또는 경화로 대신 방향성을 갖는 열에너지 전달이 가능한 광원(적외선 램프, 자외선 램프)을 이용한 소형 히터를 이용함으로써 구축 및 관리 비용을 절감할 수 있다.Further, according to the present embodiment, it is possible to shorten the process time by introducing temporary hardening which is shorter than full hardening, and it is possible to reduce the physical distance to the peripheral mechanism and the length of the line And the construction and management cost can be reduced by using a small heater using a light source (infrared lamp, ultraviolet lamp) capable of transmitting thermal energy having a directivity instead of an oven or a curing furnace having a large size.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조는 내부에서 발생하는 열을 외부로 방출할 수 있는 방열 구조를 포함할 수 있다.Meanwhile, the electromagnetic wave shielding structure according to an embodiment of the present invention may include a heat dissipation structure that can dissipate heat generated from the inside to the outside.

전자파 차폐구조에 방열 구조를 채택해야 하는 이유는 다음과 같다. 전자 기기 예를 들면, 스마트 폰은 데이터 연산 처리를 담당하는 모바일 AP 칩(mobile application processor chip)(이하, 'AP 칩'이라 함), 데이터를 저장하는 메모리 칩, 각종 수동 소자들을 구비하고 있다. 특히, AP 칩과 메모리 칩은 동영상을 장시간 플레이하거나 게임 앱을 구동시키는 경우 지속적으로 구동해야 하므로 발열 온도가 상승하게 된다. 이에 따라 상기 칩들이 배치되는 부분에 고온의 열이 발생하는 핫 스팟(hot spot)이 나타난다. 사용자는 핫 스팟으로 인해 모바일 폰을 쥐고 있을 때 불쾌감을 느끼거나 심할 경우 스마트 폰을 쥐기 힘든 경험을 하였다.The reason for adopting the heat dissipation structure in the electromagnetic wave shielding structure is as follows. 2. Description of the Related Art An electronic device, for example, a smart phone is equipped with a mobile application processor chip (hereinafter referred to as 'AP chip') for performing data operation processing, a memory chip for storing data, and various passive elements. In particular, the AP chip and the memory chip must continuously operate when the video is played for a long time or the game app is driven, so that the heat temperature rises. As a result, hot spots where high temperature heat is generated appear at a portion where the chips are arranged. The user experienced an uncomfortable feeling when holding a mobile phone due to a hot spot or a hard time holding a smartphone.

특히, 전자파 차폐구조는 발열이 심한 AP 칩과 메모리 칩이 절연 층으로 덮게 되므로 효과적인 발열이 필요하다.Especially, in the electromagnetic wave shielding structure, an effective heat is required because the AP chip and the memory chip, which generate a large amount of heat, are covered with an insulating layer.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조의 방열 구조를 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다. 도 16 및 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐구조들을 나타내는 단면도로서, 전자파 차폐구조의 방열 효율을 향상시키기 위한 방열구조를 보여주는 도면들이다.A heat dissipation structure of an electromagnetic wave shielding structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 16 and 17. Fig. FIGS. 16 and 17 are cross-sectional views illustrating electromagnetic wave shielding structures according to another embodiment of the present invention, which illustrate a heat dissipating structure for improving heat dissipation efficiency of an electromagnetic wave shielding structure. FIG.

도 16을 참조하면, 전자파 차폐구조(100b)는 인쇄회로기판(110)의 일면에 차폐 댐(120)을 형성하고, 차폐 댐(120)에 의해 형성된 공간으로 절연 소재를 채워 절연 층(130)을 형성한다.16, the electromagnetic wave shielding structure 100b includes a shielding dam 120 formed on one surface of a printed circuit board 110, a space formed by the shielding dam 120, .

인쇄회로기판을 반전시켜 타면에 전자파 차폐구조를 형성할 경우 절연 층(130)이 흘러 내리거나 중력 방향으로 돌출되는 변형을 방지하기 위해 가경화 처리를 할 수 있다.When the printed circuit board is inverted to form an electromagnetic wave shielding structure on the other surface, the insulating layer 130 may be subjected to a hardening treatment to prevent deformation of the insulating layer 130 or protrusion in the gravitational direction.

이와 같이 절연 층(130)을 형성한 후, 차폐 댐(150)의 상단부와 절연 층(130)의 상면을 함께 덮는 차폐 층(150)을 형성한다. 이 경우, 차폐 층(150)은 차폐 댐(120)과 함께 복수의 회로 소자(115, 117, 119)에서 발생되는 전자파를 차폐한다.After the insulating layer 130 is formed as described above, a shielding layer 150 is formed to cover the upper end of the shielding dam 150 and the upper surface of the insulating layer 130 together. In this case, the shielding layer 150 shields the electromagnetic waves generated by the plurality of circuit elements 115, 117, and 119 together with the shielding dam 120.

이어서, 차폐 층(150)의 상면을 덮도록 열전달 층(170)을 형성한다. 열분산 층(170)은 열 전도도가 높은 전기 전도성 필러를 포함한 액상 또는 겔(gel)상 수지로 이루어질 수 있다.Next, a heat transfer layer 170 is formed to cover the upper surface of the shielding layer 150. The heat dispersion layer 170 may be made of a liquid or gel-like resin including an electrically conductive filler having a high thermal conductivity.

전기 전도성 필러로는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn 등의 금속(metal)을 사용하거나, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite)등의 전도성 카본을 사용하거나, Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite 등의 금속 코팅 물질(Metal coated materials)을 사용하거나, 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리아닐린(Polyaniline) 등의 전도성 고분자 물질을 사용할 수 있다. 또한, 전기 전도성 필러는 플래이크 타입(Flake type), 스피어 타입(Sphere type), 막대 타입(Rod type) 및 덴드라이트 타입(Dendrite type) 중 어느 하나 또는 2이상의 혼합으로 이루어질 수 있다.As the electrically conductive filler, a metal such as Ag, Cu, Ni, Al, or Sn may be used, or conductive carbon such as carbon black, carbon nanotube (CNT), graphite, Or metal coated materials such as Ag / Cu, Ag / Glass fiber and Ni / Graphite, or conductive high molecular materials such as polypyrrole and polyaniline. The electrically conductive filler may be formed of any one of a flake type, a sphere type, a rod type, and a dendritic type, or a mixture of two or more thereof.

열전달 층(170)을 이루는 소재는 차폐 층(150)에 도포 한 후 차폐 댐(150)의 외측면을 타고 흘러 내지리 않고 일정한 형상을 유지할 수 있는 정도의 점성이 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the material forming the heat transfer layer 170 is viscous enough to maintain a constant shape without flowing on the outer surface of the shielding dam 150 after being applied to the shielding layer 150. [

열전달 층(170)은 상기 설명한 소재 토출 장치(200)의 복수의 노즐 중 어느 하나에 의해 토출되거나 또는 열분산 층을 위한 별도의 노즐을 통해서 토출될 수 있다.The heat transfer layer 170 may be discharged by any one of the plurality of nozzles of the above-described material discharge apparatus 200 or may be discharged through a separate nozzle for the heat dispersion layer.

열전달 층(170)은 경화 처리 후에도 탄성을 유지할 수 있으며, 이러한 탄성에 의해 전자 기기의 금속 프레임(70)에 최대한 밀착된 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라 열분산 층(170)은 복수의 회로 소자 들 중 발열이 심한 회로 소자(115)에서 발산되는 열을 절연 층(130) 및 차폐 층(150)을 통해 전달받아 금속 프레임(70)으로 분산시킨다.The heat transfer layer 170 can maintain the elasticity even after the curing process, and the elasticity of the heat transfer layer 170 can maintain the state of being as close as possible to the metal frame 70 of the electronic apparatus. The heat dissipating layer 170 receives heat dissipated from the circuit elements 115 having a large heat generation among the plurality of circuit elements through the insulating layer 130 and the shielding layer 150 and disperses the heat into the metal frame 70 .

금속 프레임(70)은 열분산 층(170)의 면적보다 더 넓은 면적으로 이루어지므로 열전달 층(170)으로부터 전달된 열을 금속 프레임(70) 전체로 분산시키는 방열 기능을 한다.Since the metal frame 70 has a larger area than the heat dissipating layer 170, the heat dissipating function of dispersing the heat transferred from the heat transfer layer 170 into the entire metal frame 70 is performed.

한편, 전자파 차폐구조가 금속 프레임과 접촉할 수 없는 구조의 전자 기기에 적용되는 전자파 차폐구조에서는, 도 17과 같이 열전달 층(170)에 히트 싱크(90)와 접촉하여 방열할 수 있다.On the other hand, in an electromagnetic wave shielding structure in which the electromagnetic wave shielding structure can not contact the metal frame, the electromagnetic wave shielding structure can be in contact with the heat sink 90 and radiate heat, as shown in FIG.

히트 싱크(90)는 열전달 층(170)과 접촉하는 면이 평면으로 이루어지고, 타면에는 복수의 방열 핀(radiation fin)(91)이 연장 형성될 수 있다.The heat sink 90 may have a planar surface in contact with the heat transfer layer 170 and a plurality of radiation fins 91 may be extended on the other surface.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.

110: 인쇄회로기판
114: 접지 패드
120: 차폐 댐
130: 절연 층
150: 차폐 층
200: 소재 토출 장치110: printed circuit board
114: grounding pad
120: Shielding dam
130: insulating layer
150: shielding layer
200: Material dispensing device

Claims (25)

인쇄회로기판 상의 적어도 하나의 회로 소자를 둘러싸는 차폐 댐;
상기 적어도 하나의 회로 소자들을 덮는 절연 층; 및
상기 차폐 댐 및 상기 절연 층을 덮는 차폐 층;를 포함하며,
상기 절연 층은 가경화 처리 시 표면으로부터 하 방향으로 제1 두께를 갖는 제1 층과 상기 제1 층 밑에 상기 제1 두께 보다 더 큰 두께로 형성된 제2 층을 포함하고,
상기 제1 및 제2 층 사이에는 상기 가경화 처리 후에 이루어지는 완전경화 처리에 의해 경계가 형성되는, 전자파 차폐구조.A shield dam surrounding at least one circuit element on the printed circuit board;
An insulating layer covering the at least one circuit elements; And
And a shielding layer covering the shielding dam and the insulating layer,
Wherein the insulating layer comprises a first layer having a first thickness in a downward direction from the surface during the temporary hardening treatment and a second layer formed below the first layer and having a thickness greater than the first thickness,
And a boundary is formed between the first and second layers by a full curing treatment after the hardening treatment. 제1항에 있어서,
상기 차폐 층을 덮고, 상기 차폐 층으로부터 전달되는 열을 흡수하여 다른 부재로 열을 전달하는 수지로 이루어지는 열분산 층을 더 포함하는, 전자파 차폐구조.The method according to claim 1,
And a heat dissipating layer covering the shielding layer and made of a resin that absorbs heat transmitted from the shielding layer and transfers heat to the other member. 제2항에 있어서,
상기 수지는 전기 전도성 필러를 포함하며,
상기 전기 전도성 필러는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite), Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite 금속 코팅 물질(Metal coated materials) 중 어느 하나로 이루어지는, 전자파 차폐구조.3. The method of claim 2,
Wherein the resin comprises an electrically conductive filler,
The electrically conductive filler may be at least one selected from the group consisting of Ag, Cu, Ni, Al, Sn, carbon black, carbon nanotube (CNT), graphite, Ag / Cu, Ag / Glass fiber, Ni / Wherein the electromagnetic wave shielding structure is made of any one of metal coated materials. 제1항에 있어서,
상기 차폐 댐 및 상기 차폐 층을 이루는 차폐 소재는 전기 전도성 물질(electroconductive material)로 이루어지며,
상기 전기 전도성 물질은 전기 전도성 필러(electroconductive filler)와 바인더 수지(binder resin)를 포함하는, 전자파 차폐구조.The method according to claim 1,
The shielding material constituting the shielding dam and the shielding layer is made of an electroconductive material,
Wherein the electrically conductive material comprises an electroconductive filler and a binder resin. 제4항에 있어서,
전기 전도성 필러는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn 금속, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite)인 전도성 카본, Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite의 금속 코팅 물질, 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리아닐린(Polyaniline)인 전도성 고분자 물질 중 어느 하나인, 전자파 차폐구조. 5. The method of claim 4,
The electrically conductive filler may be selected from the group consisting of Ag, Cu, Ni, Al, Sn metal, carbon black, carbon nanotubes (CNT), conductive carbon such as graphite, Ag / / Graphite metal coating material, polypyrrole, and polyaniline. 제4항에 있어서,
바인더 수지로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지 중 어느 하나 인, 전자파 차폐구조.5. The method of claim 4,
The binder resin is any one of a silicone resin, an epoxy resin, a urethane resin, and an alkyd resin. 제4항에 있어서,
상기 차폐 소재는 요변성 소재이며,
상기 요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리이미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유 중 적어도 하나를 포함하는, 전자파 차폐구조.5. The method of claim 4,
Wherein the shielding material is a thixotropic material,
The thixotropic material may be selected from the group consisting of synthetic fine silica, bentonite, particulate surface treated calcium carbonate, hydrogenated castor oil, metal stones, aluminum stearate, polyamide wax, And at least one of the polymerized oil and the polymerized oil. 제1항에 있어서,
상기 절연층을 이루는 절연 소재는 열경화성 수지 또는 광경화성 수지인, 전자파 차폐구조.The method according to claim 1,
Wherein the insulating material forming the insulating layer is a thermosetting resin or a photocurable resin. 제8항에 있어서,
상기 열경화성 수지는 수지 온도 상승에 의해 경화되는 수지인, 전자파 차폐구조.9. The method of claim 8,
Wherein the thermosetting resin is a resin which is cured by raising the resin temperature. 제8항에 있어서,
상기 광경화성 수지는 가시광선 또는 자외선에 의해 경화되는 수지인, 전자파 차폐구조.9. The method of claim 8,
Wherein the photo-curable resin is a resin that is cured by visible light or ultraviolet light. 제8항에 있어서,
상기 절연 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate) 중 적어도 하나를 포함하는, 전자파 차폐구조. 　9. The method of claim 8,
The insulating material may be selected from the group consisting of polyurethane, polyurea, polyvinyl chloride, polystyrene, ABS resin, acrylonitrile butadiene styrene, polyamide, acrylic, epoxy epoxy, silicon, and polybutylene terephthalate (PBTP). 인쇄회로기판 일면에 실장된 적어도 하나의 회로 소자를 둘러싸도록 상기 인쇄회로기판의 일면에 차폐 소재를 토출하여 제1 차폐 댐을 형성하는 단계;
상기 적어도 하나의 회로 소자들을 덮도록 상기 재1 차폐 댐에 의해 형성된 공간에 절연 소재를 토출하여 제1 절연 층을 형성하는 단계;
상기 제1 차폐 댐의 상단부 및 상기 제1 절연 층의 상면을 덮도록 차폐 소재를 토출하여 제1 차폐 층;을 형성하는 단계;
상기 인쇄회로기판의 일면이 아래를 행하고 타면이 위를 향하도록 상기 인쇄회로기판을 반전시키는 단계;
상기 인쇄회로기판 타면에 실장된 적어도 하나의 회로 소자를 둘러싸도록 상기 인쇄회로기판의 타면에 차폐 소재를 토출하여 제2 차폐 댐을 형성하는 단계;
상기 적어도 하나의 회로 소자들을 덮도록 상기 제2 차폐 댐에 의해 형성된 공간에 절연 소재를 토출하여 제2 절연 층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 차폐 댐의 상단부 및 상기 제2 절연 층의 상면을 덮도록 차폐 소재를 토출하여 제2 차폐 층;을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 인쇄회로기판을 반전하기 전에 어느 하나의 단계 후에 가경화 처리하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.Forming a first shielding dam by discharging a shielding material on one surface of the printed circuit board so as to surround at least one circuit element mounted on one surface of the printed circuit board;
Forming a first insulating layer by discharging an insulating material in a space formed by the first shielding dam so as to cover the at least one circuit elements;
Forming a first shielding layer by discharging a shielding material so as to cover an upper end of the first shielding dam and an upper surface of the first insulating layer;
Inverting the printed circuit board such that one side of the printed circuit board is down and the other side is facing up;
Forming a second shielding dam by discharging a shielding material to the other surface of the printed circuit board so as to surround at least one circuit element mounted on the other surface of the printed circuit board;
Forming a second insulating layer by discharging an insulating material in a space formed by the second shielding dam so as to cover the at least one circuit elements; And
And forming a second shielding layer by discharging a shielding material so as to cover the upper end of the second shielding dam and the upper surface of the second insulating layer,
And after the step of hardening the printed circuit board after one step before reversing the printed circuit board. 제12항에 있어서,
상기 가경화 처리는 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 열경화로 진행되는, 전자파 차폐구조의 제조방법.13. The method of claim 12,
Wherein the hardening treatment proceeds in a thermosetting manner in an infrared lamp, oven or curing furnace. 제12항에 있어서,
상기 가경화 처리가 적외선 램프에 의한 열경화로 진행될 때 마스크를 사용하여 가경화 처리시키고자 하는 대상에 대하여 선택적으로 노광하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.13. The method of claim 12,
Wherein the temporary hardening treatment is selectively exposed to an object to be temporarily hardened by using a mask when thermal hardening by an infrared lamp is progressed. 제12항에 있어서,
상기 가경화 처리는 가시광선 램프 또는 자외선 램프에 의한 광경화로 진행되는, 전자파 차폐구조의 제조방법.13. The method of claim 12,
Wherein the hardening process progresses to photo-curing by a visible light lamp or an ultraviolet lamp. 제15항에 있어서,
상기 광경화 시 마스크를 사용하여 가경화 처리시키고자 하는 대상에 대하여 선택적으로 노광하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.16. The method of claim 15,
And selectively exposing an object to be subjected to hardening treatment using the mask at the time of photocuring. 제12항에 있어서,
전자파 차폐구조에서 미경화된 부분이 없도록 상기 제2 차폐층 형성 후에 완전경화 처리하는, 전자파 차폐구조의 제조방법. 13. The method of claim 12,
Wherein the second shielding layer is completely cured after the formation of the second shielding layer so that there is no uncured portion in the electromagnetic shielding structure. 제17항에 있어서,
상기 완전경화 처리는 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 열경화로 진행되는, 전자파 차폐구조의 제조방법.18. The method of claim 17,
Wherein the complete curing treatment proceeds in a thermosetting manner in an infrared lamp, an oven or a curing furnace. 제17항에 있어서,
상기 완전경화 처리는 가시광선 램프 또는 자외선 램프에 의한 광경화로 진행되는, 전자파 차폐구조의 제조방법.18. The method of claim 17,
Wherein the complete curing process is proceeded by photo-curing by a visible light lamp or an ultraviolet lamp. 인쇄회로기판의 일면과 상기 일면의 반대 측인 타면에 각각 수지를 통출하여 조형되는 복수의 전자파 차폐구조의 제조방법에 있어서,
상기 복수의 전자파 차폐구조의 각 부분 중 적어도 어느 하나를 가경화 처리하는 단계; 및
상기 복수의 전자파 차폐구조를 모두 조형 후 완전경화 처리하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.A manufacturing method of a plurality of electromagnetic wave shielding structures formed by passing resin through one surface of a printed circuit board and another surface opposite to the one surface,
Curing the at least one of the portions of the plurality of electromagnetic wave shielding structures; And
And completely curing the plurality of electromagnetic wave shielding structures after shaping all of the plurality of electromagnetic wave shielding structures. 제20항에 있어서,
상기 가경화 처리 단계는 상기 복수의 전자파 차폐구조의 각 부분 중 열경화성 수지로 이루어진 적어도 어느 하나를 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 열경화하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.21. The method of claim 20,
Wherein the hardening treatment step thermally cures at least one of the portions of the plurality of electromagnetic shielding structures made of a thermosetting resin in an infrared lamp, an oven or a curing furnace. 제20항에 있어서,
상기 가경화 처리 단계는 상기 복수의 전자파 차폐구조의 각 부분 중 적어도 어느 하나를 가시광선 램프 또는 자외선 램프로 광경화하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.21. The method of claim 20,
Wherein the temporary hardening step photo-curing at least one of the portions of the plurality of electromagnetic wave shielding structures with a visible light lamp or an ultraviolet light lamp. 제22항에 있어서,
상기 가경화 처리되는 부분을 이루는 수지는 점성이 있는 광경화성 수지인, 전자파 차폐구조의 제조방법.23. The method of claim 22,
Wherein the resin constituting the portion subjected to the hardening treatment is a viscous photocurable resin. 제20항에 있어서,
상기 완전경화 처리 단계는 적외선 램프, 오븐 또는 경화로에서 복수의 전자파 차폐구조를 열경화하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.21. The method of claim 20,
Wherein the complete curing treatment step thermally cures a plurality of electromagnetic wave shielding structures in an infrared lamp, an oven, or a curing furnace. 제20항에 있어서,
상기 완전경화 처리 단계는 가시광선 램프 또는 적외선 램프로 복수의 전자파 차폐구조를 광경화하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.21. The method of claim 20,
Wherein the complete curing treatment step photo-cures a plurality of electromagnetic wave shielding structures with a visible light lamp or an infrared light lamp.
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