Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20180064569A - Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity - Google Patents

Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity Download PDF

Info

Publication number
KR20180064569A
KR20180064569A KR1020187015705A KR20187015705A KR20180064569A KR 20180064569 A KR20180064569 A KR 20180064569A KR 1020187015705 A KR1020187015705 A KR 1020187015705A KR 20187015705 A KR20187015705 A KR 20187015705A KR 20180064569 A KR20180064569 A KR 20180064569A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
electrostatic chuck
dielectric layer
heaters
resistive heaters
Prior art date
Application number
KR1020187015705A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101958018B1 (en
Inventor
드미트리 루보미르스키
제니퍼 와이. 선
마크 마르코브스키
콘스탄틴 마크흐랏체브
더글라스 에이. 주니어 부츠버저
사메르 밴나
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20180064569A publication Critical patent/KR20180064569A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101958018B1 publication Critical patent/KR101958018B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S269/00—Work holders
    • Y10S269/903—Work holder for electrical circuit assemblages or wiring systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척들(ESCs)이 설명된다. 예를 들어, ESC는 정상부 유전체 층을 포함한다. 상부 금속 부분은 정상부 유전체 층 아래에 배치된다. 제 2 유전체 층은 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 위에 배치되고 상부 금속 부분에 의해 부분적으로 둘러싸인다. 제 3 유전체 층은 제 2 유전체 층 아래에 배치되고, 제 3 유전체 층과 제 2 유전체 층 사이의 경계를 갖는다. 복수의 비아들은 제 3 유전체 층에 배치된다. 버스 전력 바 분배 층은 복수의 비아들 아래에 배치되고 복수의 비아들에 커플링된다. 제 4 유전체 층은 버스 바 전력 분배 층 아래에 배치되고, 제 4 유전체 층과 제 3 유전체 층 사이의 경계를 갖는다. 금속 베이스는 제 4 유전체 층 아래에 배치된다. 금속 베이스는 내부에 수납된 복수의 높은 전력의 히터 요소들을 포함한다.Electrostatic chucks (ESCs) with RF and temperature uniformity are described. For example, ESC includes a top dielectric layer. The upper metal portion is disposed below the top dielectric layer. The second dielectric layer is disposed over the plurality of pixilated resistive heaters and is partially surrounded by the upper metal portion. A third dielectric layer is disposed below the second dielectric layer and has a boundary between the third dielectric layer and the second dielectric layer. A plurality of vias are disposed in the third dielectric layer. The bus power bar distribution layer is disposed below the plurality of vias and coupled to the plurality of vias. The fourth dielectric layer is disposed below the bus bar power distribution layer and has a boundary between the fourth dielectric layer and the third dielectric layer. The metal base is disposed below the fourth dielectric layer. The metal base includes a plurality of high power heater elements housed therein.

Figure pat00003
Figure pat00003

Description

진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척{ELECTROSTATIC CHUCK WITH ADVANCED RF AND TEMPERATURE UNIFORMITY}[0001] ELECTROSTATIC CHUCK WITH ADVANCED RF AND TEMPERATURE UNIFORMITY [0002]

본 출원은, 2012년 4월 24일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/637,500 호 및 2013년 3월 8일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/775,372 호를 우선권으로 주장하며, 이에 상기 가특허 출원들의 전체 내용은 인용에 의해 본원에 포함된다.This application claims priority from U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 637,500, filed April 24, 2012, and U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 775,372, filed March 8, 2013, The entire contents of the patent applications are incorporated herein by reference.

본 발명의 실시예들은 반도체 프로세싱 장비 분야에 관한 것이고, 특히, 진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척들, 및 그러한 정전 척들을 제조하는 방법들에 관한 것이다.Embodiments of the present invention are directed to the field of semiconductor processing equipment, and more particularly, to electrostatic chucks having advanced RF and temperature uniformity and methods of fabricating such electrostatic chucks.

플라즈마 에칭 또는 플라즈마 증착 챔버와 같은 플라즈마 프로세싱 챔버에서, 챔버 컴포넌트의 온도는 종종, 프로세스 동안 제어하는 중요한 매개변수이다. 예를 들어, 일반적으로 척 또는 페데스탈로 불리는 기판 홀더의 온도는 프로세스 레시피(recipe)(예를 들어, 에칭 레이트를 제어하는) 동안 여러 가지 제어된 온도들로 작업물을 가열/냉각시키기 위해 제어될 수 있다. 유사하게, 샤워헤드/상부 전극, 챔버 라이너, 배플(baffle), 프로세스 키트, 또는 다른 컴포넌트의 온도는 또한, 프로세싱에 영향을 주는 프로세스 레시피 동안 제어될 수 있다. 통상적으로, 챔버 컴포넌트의 온도를 원하는 온도에서 유지하기 위해 히트 싱크 및/또는 열 소스가 프로세싱 챔버에 커플링된다. 종종, 챔버 컴포넌트에 열 커플링된 적어도 하나의 열 전달 유체 루프가 가열 및/또는 냉각 전력을 제공하는데 이용된다.In a plasma processing chamber, such as a plasma etch or plasma deposition chamber, the temperature of the chamber component is often an important parameter to control during the process. For example, the temperature of a substrate holder, commonly referred to as a chuck or pedestal, is controlled to heat / cool the workpiece at various controlled temperatures during a process recipe (e.g., controlling the etch rate) . Similarly, the temperature of the showerhead / top electrode, chamber liner, baffle, process kit, or other component may also be controlled during a process recipe that affects processing. Typically, a heat sink and / or heat source is coupled to the processing chamber to maintain the temperature of the chamber component at a desired temperature. Often, at least one heat transfer fluid loop thermally coupled to the chamber component is used to provide heating and / or cooling power.

열 전달 유체 루프의 긴 라인 길이들, 및 그러한 긴 라인 길이들과 연관된 대형 열 전달 유체 용적들은 온도 제어 응답 시간들에 불리하다. 사용 현장 시스템들(point-of-use systems)은 유체 루프 길이드/용적들을 감소시키는 하나의 수단이다. 그러나 물리적 공간 제약들은 그러한 사용 현장 시스템들의 전력 부하들을 불리하게 제한한다.The long line lengths of the heat transfer fluid loops, and the large heat transfer fluid volumes associated with such long line lengths, are disadvantageous to temperature controlled response times. Point-of-use systems are one means of reducing fluid loop lengths / volumes. However, physical space constraints adversely limit the power loads of such in-service systems.

플라즈마 프로세싱 경향들이 지속적으로 RF 전력 레벨들을 증가시키고 또한 작업물 직경들을 증가시키는(현재 300mm 가 전형적이고 450mm 시스템들은 현재 개발중이다) 상황에서, 빠른 응답 시간 및 높은 전력 부하들 양쪽 모두를 다루는(addressing) 온도 및/또는 RF 제어 및 분배가 플라즈마 프로세싱 분야에서 유리하다.Addressing both fast response times and high power loads in situations where plasma processing trends continue to increase RF power levels and also increase workpiece diameters (currently 300mm is typical and 450mm systems are currently under development) Temperature and / or RF control and distribution are advantageous in the field of plasma processing.

도 1은 본 발명의 실시예에 따라, 웨이퍼 또는 기판을 지지하도록 구성된 정전 척(ESC)의 부분의 단면도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따라, 웨이퍼 또는 기판을 지지하도록 구성된 여러 가지 정전 척들의 부분들의 단면도들을 도시한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따라, 웨이퍼 또는 기판을 지지하도록 구성된 정전 척의 부분의 단면도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라, 웨이퍼 또는 기판을 지지하도록 구성된 정전 척의 부분의 단면도를 도시한다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따라, 플라즈마 스프레이 배열체를 강조하면서, 웨이퍼 또는 기판을 지지하도록 구성된 정전 척의 부분의 단면도를 도시한다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따라, 솔리드 세라믹(solid ceramic) 정상부 배열체를 강조하면서, 웨이퍼 또는 기판을 지지하도록 구성된 정전 척의 부분의 단면도를 도시한다.
도 6은 본 발명의 여러 가지 실시예들에 따라, 정전 척(ESC)을 위한 저항성 예비 히터들의 12x13 구성을 포함하는 전기 블록도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라, 진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척이 수납되는(housed) 시스템을 도시한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라, 예시적인 컴퓨터 시스템의 블록도를 도시한다.Figure 1 shows a cross-sectional view of a portion of an electrostatic chuck (ESC) configured to support a wafer or substrate, in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 2 illustrates cross-sectional views of portions of various electrostatic chucks configured to support a wafer or substrate, in accordance with another embodiment of the present invention.
Figure 3 illustrates a cross-sectional view of a portion of an electrostatic chuck configured to support a wafer or substrate, in accordance with another embodiment of the present invention.
Figure 4 shows a cross-sectional view of a portion of an electrostatic chuck configured to support a wafer or substrate, in accordance with another embodiment of the present invention.
5A shows a cross-sectional view of a portion of an electrostatic chuck configured to support a wafer or substrate while emphasizing a plasma spray arrangement, in accordance with another embodiment of the present invention.
Figure 5b illustrates a cross-sectional view of a portion of an electrostatic chuck configured to support a wafer or substrate while emphasizing a solid ceramic top portion arrangement, in accordance with another embodiment of the present invention.
Figure 6 is an electrical block diagram including a 12x13 configuration of resistive spare heaters for electrostatic chuck (ESC), in accordance with various embodiments of the present invention.
Figure 7 illustrates a system housed in an electrostatic chuck having advanced RF and temperature uniformity, in accordance with an embodiment of the present invention.
Figure 8 shows a block diagram of an exemplary computer system, in accordance with an embodiment of the present invention.

진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척들, 및 그러한 정전 척들을 제조하는 방법들이 설명된다. 이하의 상세한 설명에서, 본 발명의 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해서, 특정한 척 물질 레짐들(regimes)과 같은 많은 수의 구체적인 세부 사항들이 열거된다. 본 발명의 실시예들이 이러한 구체적인 세부 사항들 없이 실현될 수 있다는 것이 당업자들에게 자명할 것이다. 다른 경우들에서, 본 발명의 실시예들을 불필요하게 이해하기 어렵게 하지 않기 위해, 척에 의해 지지되는 웨이퍼가 있는 에칭 프로세싱과 같은 잘-공지된 양태들은 상세하게 설명되지 않는다. 또한, 도면들에 도시된 여러 가지 실시예들은 예시적인 표현들이고 반드시 실척으로 도시되는 것은 아니다.Electrostatic chucks with advanced RF and temperature uniformity, and methods of fabricating such electrostatic chucks, are described. In the following detailed description, numerous specific details are set forth, such as specific chuck material regimes, in order to provide a thorough understanding of embodiments of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that the embodiments of the present invention may be practiced without these specific details. In other instances, well-known aspects, such as etching processing with a wafer supported by a chuck, are not described in detail in order not to unnecessarily obscure embodiments of the present invention. In addition, the various embodiments shown in the drawings are exemplary and are not necessarily drawn to scale.

본원에 설명된 하나 또는 그 초과의 실시예들은 진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척들 또는 진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척들을 포함하는 시스템들에 관한 것이다.One or more embodiments described herein are directed to systems comprising electrostatic chucks with advanced RF and temperature uniformity or electrostatic chucks with advanced RF and temperature uniformity.

전후 사정(context)을 제공하기 위해서, 정전 척킹에 의한 웨이퍼 클램핑은 에칭 프로세싱 동안 온도 제어를 제공하는데 사용되어 왔다. 웨이퍼는 어플리케이션에 따라 히트 싱크 또는 히터(또는 양쪽 모두)를 구비한 세라믹 또는 다층 표면에 클램핑된다. 고유의 불-균일성들 및 보조 하드웨어(예를 들어, 리프터 핀들(pins), RF/DC 전극들, 등) 때문에 세라믹 표면 온도는 균일하지 않다. 이러한 불-균일성은 웨이퍼로 전달되어, 에칭 프로세스에 영향을 준다. 통상적인 척 설계들은 냉각제 레이아웃 최적화 및 다수의(최대 4구역들) 히터들의 도입에 집중해왔다. 그러한 척 설계들은 보조 하드웨어(예를 들어, 리프터 핀들, RF/DC 전극들, 등)와 관련된, 또는 보조 하드웨어에 의해서 야기되는 문제를 해결하는데 유용하지 못했다.In order to provide a context, wafer clamping by electrostatic chucking has been used to provide temperature control during etching processing. The wafer is clamped to a ceramic or multilayer surface with a heat sink or heater (or both) depending on the application. Ceramic surface temperatures are not uniform due to inherent non-uniformities and auxiliary hardware (e.g., lifter pins, RF / DC electrodes, etc.). This non-uniformity is transferred to the wafer and affects the etching process. Conventional chuck designs have focused on optimizing coolant layout and introducing multiple (up to four zones) heaters. Such chuck designs have not been useful in solving problems associated with auxiliary hardware (e.g., lifter pins, RF / DC electrodes, etc.) or by auxiliary hardware.

실시예에서, 통상적인 접근 방법들로 상기 설명된 문제들을 다루기 위해서, 극도의 온도 균일성을 갖는 차세대(4-구역을 넘어서는) 에칭 챔버 ESC가 설명된다. 실시예에서, 이하에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이, 본원에서 설명되는 척은 Al2O3-계 12인치 퍽(puck), 최대 130C의 온도 능력, 플라즈마와 함께 섭씨 65/65/45도씨에서 0.5C 이하의 온도 균일성 중 하나 또는 그 초과를 포함하는 열 요건들을 달성할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들은 능동 온도 제어를 갖는 차세대 에칭 챔버 ESCs에 관한 것일 수 있다.In an embodiment, to address the problems described above with conventional approaches, a next generation (beyond 4-zone) etch chamber ESC with extreme temperature uniformity is described. In an embodiment, as described in more detail below, the chuck described herein is an Al 2 O 3 -based 12 inch puck, with a temperature capability of up to 130 C, with a plasma at 65/65/45 degrees Celsius Lt; RTI ID = 0.0 > 0.5 C < / RTI > or less. The embodiments described herein may be directed to next generation etch chamber ESCs with active temperature control.

도 1 내지 5a 및 도 5b는 본 발명의 여러 가지 실시예들에 따라, 정전 척(ESC) 구조들, 또는 정전 척의 부분들을 도시한다.Figures 1 to 5a and 5b illustrate electrostatic chuck (ESC) structures, or portions of an electrostatic chuck, in accordance with various embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, ESC(100)는 웨이퍼 또는 기판(102)을 지지하도록 구성된다. ESC의 프레임워크(104)는 예를 들어, 알루미늄으로 구성될 수 있다. 플라즈마 스프레이 코팅 층(106), 예를 들어, 세라믹 층은 프레임워크(104)의 여러가지 표면들 상에 표함된다. 메인 히터들(108)이, 보조 히터들(110)과 함께, 포함된다.Referring to FIG. 1, ESC 100 is configured to support a wafer or substrate 102. The framework 104 of the ESC may comprise, for example, aluminum. A plasma spray coating layer 106, for example a ceramic layer, is present on various surfaces of the framework 104. Main heaters 108 are included, along with auxiliary heaters 110.

도 2를 참조하면, 단면 시점으로부터 도시된 바와 같이, ESC 부분(200)은 웨이퍼 또는 기판(202)을 지지하도록 구성된다. 웨이퍼 또는 기판(202)이 위에 놓이는 세라믹 층(204)은 복수의 저항성 히터 요소들(206) 상에 배치되고, 예를 들어, 점착 층(208)에 의해 제자리에 유지된다. 금속 베이스(210)는 복수의 저항성 히터 요소들(206)을 지지하고 그리고 RF 핫(hot)일 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 선택적인 척킹 전극(212)이 또한 포함될 수 있다.Referring to FIG. 2, as seen from the cross-sectional view, the ESC portion 200 is configured to support the wafer or substrate 202. The ceramic layer 204 on which the wafer or substrate 202 rests is disposed on a plurality of resistive heater elements 206 and held in place by, for example, an adhesive layer 208. The metal base 210 supports a plurality of resistive heater elements 206 and can be RF hot. As shown in FIG. 2, an optional chucking electrode 212 may also be included.

다시 도 2를 참조하면, 단면 시점으로부터 도시된 바와 같이, 솔리드 세라믹 플레이트(221)를 갖는 ESC의 부분(220)은 ESC 내에 RF 경로들(222 및 224)을 보여주기 위해 제공된다. RF 경로(242)는, 또한 도 2에서 단면 시점으로부터 도시된 바 대로, ESC의 부분(240B)(240A로 도시된 바와 같이 또한 구성될 수 있는)에서 더 보여진다. 몇몇 실시예들에서, 도시된 ESC 부분들(220, 240A 및 240B)이, 솔리드 세라믹 플레이트-전용(plate-only) 배열체와 함께 구성될 수 있거나(도시된 바와 같음) 또는, 도 5b와 관련하여 이하에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이, 솔리드 세라믹 플레이트가 위에 점착되는 플라즈마 스프레이 코팅 층을 포함할 수 있음이 이해되어야 한다.Referring again to FIG. 2, a portion 220 of an ESC with a solid ceramic plate 221 is provided to show the RF paths 222 and 224 within the ESC, as shown from the cross-sectional view. RF path 242 is further shown at portion 240B of ESC (which may also be configured as shown at 240A), as shown from the cross-sectional view in FIG. In some embodiments, the illustrated ESC portions 220, 240A, and 240B may be configured with a solid ceramic plate-only arrangement (as shown) It is to be understood that a solid ceramic plate may include a plasma spray coating layer applied over it, as described in more detail below.

도 3을 참조하면, 단면 시점으로부터 도시된 바와 같이, ESC(300)은 웨이퍼 또는 기판(302)을 지지하도록 구성된다. 유전체 층(304), 예를 들어, 플라즈마 스프레이 유전체 층은 웨이퍼 또는 기판(302)이 위에 놓이는 지지부를 제공한다. 개방 영역들(306)은 예를 들어, 후면(backside) 헬륨(He) 냉각을 위한 냉각 채널들을 제공한다. 유전체 층(304)은, 예를 들어, RF 파들(waves)을 위한 안내를 제공할 수 있는 상부 금속 부분(308) 위에 배치된다. 유전체 층(310), 예를 들어, 플라즈마 스프레이 또는 아크(arc) 산화 층은 복수의 픽실레이트식(pixilated) 저항성 히터들(312) 위에 배치되고 그리고 상부 금속 부분(308)에 의해 부분적으로 둘러싸인다. 부가적인 유전체 층(314)은 유전체 층(310) 아래에 배치되고, 유전체 층(314)과 유전체 층(310) 사이의 경계(316)를 갖는다. 비아들(vias; 318)은 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들(312)과 버스 바(bus bar) 전력 분배 층(320)을 커플링하도록 포함된다. 유전체 층(322)은 버스 바 전력 분배 층(320) 아래에 배치되고, 유전체 층(314)과 유전체 층(322) 사이의 경계(324)를 갖는다. 상기 피쳐들(features)은 금속 베이스(326) 위에 배치된다. 금속 베이스(326)는 높은 전력의 히터 요소들 또는 부스터들(328)을 수납한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 또한, 용접된 바닥부 플레이트(330)가 포함될 수 있다.Referring to FIG. 3, as seen from the cross-sectional view, the ESC 300 is configured to support a wafer or a substrate 302. A dielectric layer 304, for example, a plasma spray dielectric layer, provides a support on which the wafer or substrate 302 rests. The open areas 306 provide cooling channels for, for example, backside helium (He) cooling. The dielectric layer 304 is disposed over an upper metal portion 308 that can provide guidance for, for example, RF waves. A dielectric layer 310, e.g., a plasma spray or arc oxide layer, is disposed over the plurality of pixilated resistive heaters 312 and partially surrounded by the upper metal portion 308 . An additional dielectric layer 314 is disposed below the dielectric layer 310 and has a boundary 316 between the dielectric layer 314 and the dielectric layer 310. The vias 318 are included to couple the plurality of pick-rate resistive heaters 312 and the bus bar power distribution layer 320. A dielectric layer 322 is disposed under the bus bar power distribution layer 320 and has a boundary 324 between the dielectric layer 314 and the dielectric layer 322. The features are placed on the metal base 326. Metal base 326 houses high-power heater elements or booster (s) 328. 3, a welded bottom plate 330 may also be included.

본 발명의 실시예에 따라, 정전 척(ESC)은 베이스라인 온도 제어를 제공하기 위해서 1 또는 그 초과(최대 8개)의 메인 히터들을 갖는다. 온도 분배의 미세-튜닝(fine-tuning)을 제공하기 위해서, 상당수의 보조 히터들이 ESC 표면 근처에 위치된다. RF-관련 불균일성을 감소시키기 위해, 모든 히터들은 알루미늄 케이지 내부에 포지셔닝되고, 알루미늄 케이지는 동시에 RF 쉴드 및 RF 전달 경로로서 작동한다. 따라서, 실시예에서, 개선된 RF 균일성 및/또는 개선된 온도 균일성을 갖는 에칭 프로세싱이 달성될 수 있다. In accordance with an embodiment of the present invention, an electrostatic chuck (ESC) has one or more (up to eight) main heaters to provide baseline temperature control. In order to provide fine-tuning of the temperature distribution, a number of auxiliary heaters are located near the ESC surface. To reduce RF-related non-uniformities, all heaters are positioned inside the aluminum cage, and the aluminum cage simultaneously acts as an RF shield and RF transmission path. Thus, in an embodiment, etching processing with improved RF uniformity and / or improved temperature uniformity can be achieved.

특정 실시예에서, 본원에 설명된 척이 온도 균일성 요건들을 달성할 수 있는데, 온도 균일성 요건들은 다음 중 하나 또는 그 초과를 포함한다: (1)히터 레이아웃에 대해서: RF 커플링, 단계들 사이의 프로세스 온도 램프(ramp), 4-구역 히터 설계로 다뤄짐; (2) 툴 매칭에 대해서: 통상적인 ESC/샤워헤드/엣지 HW 의 미묘한 변화들이 국부화된 핫/콜드 스팟들을 초래하고 그리고 그렇지 않으면 멀티-어레이, 45개부터 최대 169개의 균등화(equalization) 히터들이 툴-대-툴 온도 균일성을 매칭시켜야 함.In certain embodiments, the chuck described herein may achieve temperature uniformity requirements, which may include one or more of the following: (1) for heater layout: RF coupling, steps Process temperature ramp between, and 4-zone heater design; (2) For tool matching: Subtle changes in the conventional ESC / showerhead / edge HW result in localized hot / cold spots, and if not multi-arrays, from 45 up to 169 equalization heaters Tool-to-tool temperature uniformity must be matched.

실시예에서, 도 3과 관련하여 설명된 ESC(300)는 맨 먼저 높은 전력의 히터 요소들 또는 부스터들(328)을 금속 베이스(326) 내로 설치하는 것에 의해 제조될 수 있다. 그런 다음에 바닥부 플레이트(330)가 제 위치에 용접된다. 그런 다음에 유전체 층(322)이, 예를 들어, 플라즈마 스프레이 또는 아크 아노다이징(anodizing) 접근 방법들에 의해 증착된다. 그런 다음에 금속 층이, 예를 들어, 스크린 프린팅에 의해 형성되어서, 전류를 픽실레이트식 저항성 히터들(312)에 전달할 수 있는 버스 바 전력 분배 층(320)을 제공한다. 그런 다음에 유전체 층(314)이 증착되고, 유전체 층(324)을 커버한다. 그런 다음에 비아 홀들이 유전체 층(314)에 형성되고, 버스 바 전력 분배 층(320)을 노출시킨다. 그런 다음에 금속 증착이 실시되어 비아 홀들을 충진하고, 비아들(318)을 형성한다. 대안적으로, 비아들(318)은 픽실레이트식 저항성 히터들(312)을 형성하는 동안 충진될(filled) 수 있다. 그런 다음에 유전체 층(310)이 충진되고, 이에 후속하여 상부 금속 부분(308)이 증착된다. 상부 금속 부분(308)은 금속 베이스의 엣지들을 제공하도록 형성된다. 그런 다음에 유전체 층(304)이 형성되어 상기 설명된 모든 층들을 커버한다. 선택적으로, 피쳐들은 ESC(300)와의 웨이퍼 인터페이스를 조정하는(tailor) 유전체 층(304) 내에 기계가공될(machined) 수 있다.In an embodiment, the ESC 300 described in connection with FIG. 3 may be fabricated by first installing high power heater elements or booster 328 into the metal base 326. The bottom plate 330 is then welded in place. The dielectric layer 322 is then deposited, for example, by plasma spray or arc anodizing approaches. A metal layer is then formed, for example, by screen printing, to provide a bus bar power distribution layer 320 that can deliver current to the pickled resistive heaters 312. A dielectric layer 314 is then deposited and covers the dielectric layer 324. The via holes are then formed in the dielectric layer 314 to expose the bus bar power distribution layer 320. A metal deposition is then performed to fill the via holes and form the vias 318. Alternatively, the vias 318 may be filled while forming the polycrystalline resistive heaters 312. The dielectric layer 310 is then filled, followed by the top metal portion 308. The upper metal portion 308 is formed to provide the edges of the metal base. A dielectric layer 304 is then formed to cover all of the layers described above. Alternatively, the features may be machined in dielectric layer 304 to tailor the wafer interface with ESC 300.

도 4를 참조하면, 단면 시점으로부터 도시된 바와 같이, ESC 부분(400)은 웨이퍼 또는 기판을 지지하도록 구성된다. ESC(400)의 정상부 유전체 층 또는 피쳐는, 예를 들어, 예컨대 플라즈마 스프레이에 의해 증착된 유전체 층(예를 들어, Al2O3)(402A)을 포함함으로써 제공될 수 있다. 대안적으로, 또는 이에 더하여, Al2O3 플레이트와 같은 유전체 플레이트(402B)가 포함될 수 있다. 양쪽 선택사항들이 도4에 도시된다. 알루미늄(Al)베이스와 같은 금속 베이스(404)는 유전체 층(402A) 및/또는 유전체 플레이트(402B) 아래에 포함된다. 단열부(thermal break)를 제공하기 위해 슬롯들(406)이 금속 베이스(404)에 포함될 수 있다. 케이블 히터들(408)은 금속 베이스(404)에 수납된다. 금속 베이스(404)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 냉각 베이스로의 경로들을 더 포함할 수 있다.Referring to Fig. 4, as seen from the cross-sectional view, the ESC portion 400 is configured to support a wafer or a substrate. The top dielectric layer or feature of the ESC 400 may be provided by including a dielectric layer (e.g., Al 2 O 3 ) 402A deposited, for example, by plasma spraying. Alternatively, or in addition, it may include a dielectric plate (402B), such as Al 2 O 3 plate. Both options are shown in FIG. A metal base 404, such as an aluminum (Al) base, is included below dielectric layer 402A and / or dielectric plate 402B. Slots 406 may be included in the metal base 404 to provide thermal breaks. Cable heaters 408 are housed in metal base 404. The metal base 404 may further include paths to the cooling base, as shown in Fig.

도 5a는 본 발명의 실시예에 따라, 단면 시점으로부터 도시된 바와 같이, ESC 부분(500A)을 도시하고, 플라즈마 스프레이 구성을 강조한다. ESC 부분(500A)은, 위에 배치된 플라즈마 스프레이 유전체 층(504)을 갖는, 알루미늄 베이스와 같은 금속 베이스 부분(502)을 포함한다. 플라즈마 스프레이 층은 알루미나(Al2O3), 이트륨 옥사이드(Y2O3) 또는 고성능 물질(HPM)과 같은, 그러나 이에 제한되지는 않는, 유전체 물질로 구성될 수 있다. 다공성 플러그(506)는 금속 베이스 부분(502)에 배치되고, 예를 들어, 헬륨 유동에 의한 웨이퍼 또는 기판 냉각을 위한 경로(508)를 제공한다. 경로(508)는 플라즈마 스프레이 유전체 층(504)을 통해 배치된다.FIG. 5A illustrates an ESC portion 500A, as shown from an end view, and emphasizes a plasma spray configuration, in accordance with an embodiment of the present invention. ESC portion 500A includes a metal base portion 502, such as an aluminum base, having a plasma spray dielectric layer 504 disposed thereon. The plasma spray layer may be comprised of a dielectric material, such as, but not limited to, alumina (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), or high performance material (HPM). The porous plug 506 is disposed in the metal base portion 502 and provides a path 508 for wafer or substrate cooling, for example, by helium flow. A path 508 is disposed through the plasma spray dielectric layer 504.

도 5b는 본 발명의 실시예에 따라, 단면 시점으로부터 도시된 바와 같이, ESC 부분(500B)을 도시하고, 솔리드 세라믹 정상부 구성을 강조한다. ESC 부분(500B)은 알루미늄 베이스와 같은 금속 베이스 부분(552)을 포함한다. 솔리드 세라믹 정상부(554)(Al2O3 플레이트와 같은)는 금속 베이스 부분(552) 위에 배치된다. 일 실시예에서, 솔리드 세라믹 정상부(554)는 도 5b에 도시된 바와 같이 플라즈마 스프레이 유전체 층(560) 위에 배치된다. 플라즈마 스프레이 층(560)은 알루미나(Al2O3), 이트륨 옥사이드(Y2O3) 또는 고성능 물질(HPM)과 같은, 그러나 이에 제한되지는 않는, 유전체 물질로 구성될 수 있다. 그러한 실시예에서, 솔리드 세라믹 정상부(554)는 점착 층(562)에 의해서 플라즈마 스프레이 유전체 층(560)에 커플링될 수 있다. 다공성 플러그(556)이 금속 베이스 부분(552)에 배치되고, 예를 들어, 헬륨 유동에 의한 웨이퍼 또는 기판 냉각을 위한 경로(558)를 제공한다. 경로(558)는 솔리드 세라믹 정상부(554) 및, 존재한다면, 플라즈마 스프레이 유전체 층(560)을 통해 배치된다.Figure 5B shows an ESC portion 500B, as shown from an end view, in accordance with an embodiment of the present invention, and emphasizes the solid ceramic top configuration. The ESC portion 500B includes a metal base portion 552, such as an aluminum base. A solid ceramic top 554 (such as an Al 2 O 3 plate) is disposed over the metal base portion 552. In one embodiment, the solid ceramic top 554 is disposed over the plasma spray dielectric layer 560 as shown in FIG. 5B. The plasma spray layer 560 may be comprised of a dielectric material, such as, but not limited to, alumina (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), or high performance materials (HPM). In such an embodiment, the solid ceramic top 554 may be coupled to the plasma spray dielectric layer 560 by an adhesive layer 562. [ A porous plug 556 is disposed in the metal base portion 552 and provides a path 558 for wafer or substrate cooling, for example, by helium flow. The path 558 is disposed through the solid ceramic top 554 and, if present, the plasma spray dielectric layer 560.

실시예에서, 본원에 설명된 척의 기계적 양태들은 ESC 자신, 부가적인 24-26 필터들을 위해 재설계된 음극 조립체, 전기적, RF 필터들, 보조 히터들로의 전력 전달을 포함한다. 실시예에서, 본원에 설명된 척의 전류(commutation)/스위칭 로직 양태들은 기존의 하드웨어와의 인터페이스를 포함한다. 실시예에서, 본원에 설명된 척의 소프트웨어 양태들은 I-4 온도 데이터와의 인터페이스, 및/또는 전기적 서브조립체와의 통신을 포함한다. 실시예에서, 본원에 설명된 척을 위한 메인 히터는 이중-구역 히터를 포함한다. 실시예에서 본원에 설명된 척에 대한 전력 요건은 보조 히터들로 다뤄진다.In an embodiment, the mechanical aspects of the chuck described herein include power delivery to the ESC itself, a redesigned cathode assembly for additional 24-26 filters, electrical, RF filters, and auxiliary heaters. In an embodiment, the commutation / switching logic aspects of the chuck described herein include interfacing with existing hardware. In embodiments, the software aspects of the chuck described herein may include interfaces with I-4 temperature data, and / or communications with electrical subassemblies. In an embodiment, the main heater for the chuck described herein includes a dual-zone heater. In an embodiment, the power requirements for the chuck described herein are treated as auxiliary heaters.

실시예에서, 본원에 설명된 척의 ESC 타입 양태들은 쿨롱(coulombic), 대략 92% 알루미나 조성물, 얇은 세라믹, 가능한 스왑 가능한 것(swappable)/소모품, RF-핫 클램프 전극 및 또는 프린팅된 RF 전극을 갖는 접지된 냉각 플레이트들 중 하나 또는 그 초과를 포함한다. 실시예에서, 최대 RF 전력에 대한 사양(spec)은 대략 2kW 최대 및 대략 13.56MHz 이다. 실시예에서, 최대 헬륨 압력에 대한 사양은 대략 10Torr 이다. 실시예에서, RF 전류 제한 사항은 핀당 대략 20A의 핀-대-전극 인터페이스로 정량화된다. 실시예에서, 내측/외측 히터 저항은 대략 90C, 130C, 25A, 160V, 150C (내측) 13A, 150V, 150C (외측) 이다.In embodiments, the ESC type aspects of the chuck described herein may be used with coulombic, approximately 92% alumina composition, thin ceramic, possibly swappable / consumable, RF-hot clamp electrodes and / or printed RF electrodes And one or more of the grounded cooling plates. In an embodiment, the spec for maximum RF power is approximately 2 kW maximum and approximately 13.56 MHz. In an embodiment, the specification for maximum helium pressure is approximately 10 Torr. In an embodiment, the RF current limit is quantified as a pin-to-electrode interface of approximately 20A per pin. In the embodiment, the inner / outer heater resistance is approximately 90C, 130C, 25A, 160V, 150C (inner) 13A, 150V, 150C (outer).

실시예에서, 본원에 설명된 척을 위한 보조 히터들은 대략 45개의 히터들, 및 최대 144개 내지 169개의 히터들(12x12 또는 13x13 구성)을 포함한다. 대략 92% 알루미나, 최소 국부화된 1C 가열, 최대 4℃ 가열 및 45개의 히터들에서 추정된 히터들을 위한 전력은 히터들 사이의 6℃증분에 대해 대략 3W이다(4W 고-순도(hi-purity)). 실시예에서, 피드백은 이중-구역 메인 히터들을 위한 2개의 센서들을 포함한다. 실시예에서, RF 필터링은 총 169개의 히터들(~168Ω)에 대해서 히터당 3W 평균, DC 294V, 1.75Amp에 기초한다. 예시로서, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른, 전기 블록도(600)이다. 도 6을 참조하면, 저항성 보조 히터들의 12x13 구성(602)이 예시로서 제공된다.In an embodiment, the auxiliary heaters for the chuck described herein include approximately 45 heaters, and up to 144 to 169 heaters (12x12 or 13x13 configurations). The power for approximately 92% alumina, minimum localized 1C heating, maximum 4 ° C heating, and estimated heaters in 45 heaters is approximately 3W for a 6 ° C increment between the heaters (4W high- )). In an embodiment, the feedback includes two sensors for the dual-zone main heaters. In an embodiment, RF filtering is based on an average of 3 W per heater, DC 294 V, 1.75 Amps for a total of 169 heaters (~ 168 OMEGA). By way of example, FIG. 6 is an electrical block diagram 600, in accordance with an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, a 12x13 configuration 602 of resistive auxiliary heaters is provided as an example.

진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척은, 에칭을 위해 샘플에 근접하는 에칭 플라즈마를 제공하기에 적합한 프로세싱 장비에 포함될 수 있다. 예를 들어, 도 7은 본 발명의 실시예에 따라, 진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척이 수납될 수 있는 시스템을 도시한다.An electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity may be included in processing equipment suitable for providing an etch plasma proximate to the sample for etching. For example, Figure 7 illustrates a system in which an electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity can be housed, according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 플라즈마 에칭 프로세스를 수행하기 위한 시스템(700)은 샘플 홀더(704)가 장착된 챔버(702)를 포함한다. 진공배기 디바이스(706), 가스 유입구 디바이스(708) 및 플라즈마 점화 디바이스(710)는 챔버(702)와 커플링된다. 컴퓨팅 디바이스(712)는 플라즈마 점화 디바이스(710)와 커플링된다. 시스템(700)은 샘플 홀더(704)와 커플링된 전압 소스(714) 및 챔버(702)와 커플링된 검출기(716)를 부가적으로 포함할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스(712)는 또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 진공배기 디바이스(706), 가스 유입구 디바이스(708), 전압 소스(714) 및 검출기(716)와 커플링될 수 있다.Referring to FIG. 7, a system 700 for performing a plasma etch process includes a chamber 702 having a sample holder 704 mounted thereon. A vacuum evacuation device 706, a gas inlet device 708 and a plasma ignition device 710 are coupled to the chamber 702. Computing device 712 is coupled to plasma ignition device 710. The system 700 may additionally include a voltage source 714 coupled to the sample holder 704 and a detector 716 coupled to the chamber 702. [ The computing device 712 may also be coupled with a vacuum evacuation device 706, a gas inlet device 708, a voltage source 714, and a detector 716, as shown in FIG.

챔버(702) 및 샘플 홀더(704)는, 이온화된 가스, 즉, 플라즈마를 수용하고, 그리고 이온화된 가스 또는 이온화된 가스로부터 탈출된 대전된 종에 근접하게 샘플을 가져오기에 적합한 반응성 챔버 및 샘플 포지셔닝 디바이스를 포함할 수 있다. 진공배기 디바이스(706)는 챔버(702)를 진공배기하고 감압(de-pressurize)하기에 적합한 디바이스일 수 있다. 가스 유입구 디바이스(708)는 반응 가스를 챔버(702) 내로 주입하기에 적합한 디바이스일 수 있다. 플라즈마 점화 디바이스(710)는 가스 유입구 디바이스(708)에 의해 챔버(702) 내에 주입된 반응 가스로부터 파생된 플라즈마를 점화하기에 적합한 디바이스일 수 있다. 검출 디바이스(716)는 프로세싱 작동의 종료점을 검출하기에 적합한 디바이스일 수 있다. 일 실시예에서, 시스템(700)은, Applied Materials® AdvantEdge 시스템에서 사용되는 컨덕터 에칭 챔버 또는 관련 챔버들과 유사하게, 또는 동일하게, 챔버(702), 샘플 홀더(704), 진공배기 디바이스(706), 가스 유입구 디바이스(708), 플라즈마 점화 디바이스(710) 및 검출기(716)를 포함한다.The chamber 702 and the sample holder 704 are used to hold the ionized gas, i. E., A plasma, and a reactive chamber suitable for bringing the sample close to the ionized gas or the charged species escaping from the ionized gas, And a positioning device. The vacuum evacuation device 706 may be a device suitable for evacuating and de-pressurizing the chamber 702. The gas inlet device 708 may be a device suitable for injecting the reaction gas into the chamber 702. The plasma ignition device 710 may be a device suitable for igniting a plasma derived from a reaction gas injected into the chamber 702 by a gas inlet device 708. [ The detection device 716 may be a device suitable for detecting the end point of the processing operation. In one embodiment, the system 700, similar to the conductors etching chamber or the associated chamber used in Applied Materials ® AdvantEdge system, or equivalently, the chamber 702, the sample holder 704, a vacuum exhaust device (706 ), A gas inlet device 708, a plasma ignition device 710, and a detector 716.

본 발명의 실시예들은 컴퓨터 프로그램 제품, 또는 소프트웨어로서 제공될 수 있고, 이들은 매체에 저장된 명령어들을 갖는 기계-판독 가능한 매체를 포함할 수 있으며, 그러한 명령어들은 본 발명에 따른 프로세스를 실시하도록 컴퓨터 시스템(또는 다른 전자 디바이스들)을 프로그래밍하는데 사용될 수 있다. 기계-판독 가능한 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨터)에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함한다. 예를 들어, 기계-판독 가능한(예를 들어, 컴퓨터-판독 가능한) 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨터) 판독 가능한 저장 매체(예를 들어, 리드 온리 메모리("ROM"), 랜덤 엑세스 메모리("RAM"), 자기 디스크 저장 매체, 광학 저장 매체, 플래시 메모리 디바이스들, 등), 기계(예를 들어, 컴퓨터) 판독 가능한 전송 매체(전기, 광학, 음향(acoustical) 또는 다른 형태의 전파된 신호들(예를 들어, 적외선 신호들, 디지털 신호들, 등)), 등을 포함한다.Embodiments of the present invention may be provided as a computer program product, or as software, which may include a machine-readable medium having instructions stored on the medium, which instructions may be provided to the computer system Or other electronic devices). A machine-readable medium includes any mechanism for storing or transmitting information in a form readable by a machine (e.g., a computer). For example, a machine-readable (e.g., computer-readable) medium may be a machine-readable storage medium such as a read only memory ("ROM"), a random access memory Optical, acoustical, or other form of propagated signal (e. G., A computer readable medium) such as a computer readable medium (e.g., "RAM"), magnetic disk storage media, optical storage media, flash memory devices, (E.g., infrared signals, digital signals, etc.)), and the like.

도 8은 본원에서 논의된 방법론들 중 어느 하나 또는 그 초과를 기계가 실시하게 하기 위해 명령어들의 세트가 내부에서 실행될 수 있는 예시적인 형태의 컴퓨터 시스템(800)의 기계의 개략도(diagrammatic representation)를 도시한다. 대안적인 실시예들에서, 기계는 근거리 네트워크(LAN), 인트라넷, 엑스트라넷, 또는 인터넷으로 다른 기계들에 연결될 수 있다(예를 들어, 네트워킹된다). 기계는 클라이언트-서버 네트워크 환경에서 클라이언트 기계로 또는 서버의 능력으로, 또는 피어-투-피어(또는 분산된) 네트워크 환경에서 피어 기계로서 작동할 수 있다. 기계는 개인용 컴퓨터(PC), 타블렛 PC, 셋-톱 박스(STB), 개인용 휴대 단말기(PDA), 셀룰러 전화기, 웹 장치(web appliance), 서버, 네트워크 라우터, 스위치 또는 브릿지, 또는 해당 기계에 의해 취해질 동작들을 명시하는 명령어들의 세트(순차적인 또는 그와는 다르게)를 실행할 수 있는 임의의 기계일 수 있다. 또한, 오직 단일 기계가 도시되었긴 하지만, 용어 "기계"는 또한, 본원에서 논의된 방법론들 중 어느 하나 또는 그 초과를 실시하는 명령어들의 세트(또는 다수의 세트들)를 개별적으로 또는 합동으로 실행하는 기계들(예를 들어, 컴퓨터들)의 임의의 집단을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 일 실시예에서, 컴퓨터 시스템(800)은 도 7과 관련되어 설명된 컴퓨팅 디바이스(712)로서 사용하기에 적합하다.FIG. 8 illustrates a diagrammatic representation of a machine of an exemplary type of computer system 800 in which a set of instructions may be executed internally to cause the machine to perform any one or more of the methodologies discussed herein. do. In alternate embodiments, the machine may be connected (e.g., networked) to other machines via a local area network (LAN), an intranet, an extranet, or the Internet. The machine may operate as a peer machine in a client-server network environment, as a client machine or as a server, or in a peer-to-peer (or distributed) network environment. The machine may be a personal computer (PC), a tablet PC, a set-top box (STB), a personal digital assistant (PDA), a cellular telephone, a web appliance, a server, a network router, a switch or a bridge, May be any machine capable of executing a set of instructions (sequential or otherwise) that specify the actions to be taken. Furthermore, although only a single machine is shown, the term "machine" also encompasses a set of instructions (or sets of instructions) that perform any one or more of the methodologies discussed herein individually (E. G., Computers) that perform the functions described herein. In one embodiment, the computer system 800 is suitable for use as the computing device 712 described in connection with FIG.

예시적인 컴퓨터 시스템(800)은 프로세서(802), 메인 메모리(804)(예를 들어, 리드-온리 메모리(ROM), 플래시 메모리, 동기식 DRAM(SDRAM) 또는 램버스 DRAM(RDRAM)과 같은 동적 랜덤 엑세스 메모리(DRAM), 등), 정적 메모리(806)(예를 들어, 플래시 메모리, 정적 랜덤 엑세스 메모리(SRAM), 등), 및 이차 메모리(818)(예를 들어, 데이터 저장 디바이스)를 포함하고, 이들은 버스(830)를 통해 서로 통신한다.Exemplary computer system 800 includes a processor 802, a main memory 804 (e.g., a dynamic random access memory such as a read-only memory (ROM), flash memory, synchronous DRAM (SDRAM), or Rambus DRAM (DRAM), etc.), static memory 806 (e.g., flash memory, static random access memory (SRAM), etc.), and secondary memory 818 , Which communicate with each other via a bus 830.

프로세서(802)는 마이크로프로세서, 또는 중앙 처리 장치, 등과 같은 하나 또는 그 초과의 범용 프로세싱 디바이스들을 나타낸다. 더 구체적으로, 프로세서(802)는 복합 명령어 세트 컴퓨팅(CISC) 마이크로프로세서, 축소 명령어 세트 컴퓨팅(RISC) 마이크로프로세서, 초장 명령어(VLIW) 마이크로프로세서, 다른 명령어 세트들을 구현하는 프로세서, 또는 명령어 세트들의 조합을 구현하는 프로세서들일 수 있다. 프로세서(802)는 또한, 주문형 반도체(ASIC), 현장 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA), 디지털 신호 프로세서(DSP), 또는 네트워크 프로세서 등과 같은 하나 또는 그 초과의 전용 프로세싱 디바이스들일 수 있다. 프로세서(802)는 본원에서 논의된 동작들을 실시하기 위해 프로세싱 로직(826)을 실행하도록 구성된다.Processor 802 represents one or more general purpose processing devices, such as a microprocessor, or a central processing unit, or the like. More specifically, the processor 802 may be a combination of a multiple instruction set computing (CISC) microprocessor, a reduced instruction set computing (RISC) microprocessor, a VLIW microprocessor, a processor implementing other instruction sets, Lt; / RTI > processors. The processor 802 may also be one or more dedicated processing devices, such as an application specific integrated circuit (ASIC), a field programmable gate array (FPGA), a digital signal processor (DSP), or a network processor. The processor 802 is configured to execute the processing logic 826 to perform the operations discussed herein.

컴퓨터 시스템(800)은 네트워크 인터페이스 디바이스(808)를 더 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템(800)은 또한, 비디오 디스플레이 유닛(810)(예를 들어, 액정 디스플레이(LCD) 또는 음극선관(CRT)), 영숫자 입력 디바이스(812)(예를 들어, 키보드), 커서 제어 디바이스(814)(예를 들어, 마우스), 및 신호 생성 디바이스(816)(예를 들어, 스피커)를 포함할 수 있다.The computer system 800 may further include a network interface device 808. Computer system 800 may also include a video display unit 810 (e.g., a liquid crystal display (LCD) or cathode ray tube (CRT)), alphanumeric input device 812 814) (e.g., a mouse), and a signal generating device 816 (e.g., a speaker).

이차 메모리(818)는 본원에 설명된 방법론들 또는 기능들 중 어느 하나 또는 그 초과를 실시하는 명령어들의 하나 또는 그 초과의 세트들(예를 들어, 소프트웨어(822))이 저장되는 기계-엑세스 가능한 저장 매체(831)(또는 더 구체적으로 컴퓨터-판독 가능한 저장 매체)를 포함할 수 있다. 소프트웨어(822)는 또한, 컴퓨터 시스템(800)에 의해 소포트웨어가 실행되는 동안 메인 메모리(804) 내에 및/또는 프로세서(802) 내에 완전히 또는 적어도 부분적으로 있을 수 있고, 메인 메모리(804) 및 프로세서(802)는 또한, 기계-판독 가능한 저장 매체를 구성할 수 있다. 소프트웨어(822)는 네트워크 인터페이스 디바이스(808)를 통해 네트워크(820)를 통하여 또한 전송되거나 수신될 수 있다.The secondary memory 818 may be a machine-accessible (e.g., non-volatile) memory device that stores one or more sets of instructions (e.g., software 822) that implement any or more of the methodologies or functions described herein Storage medium 831 (or more specifically a computer-readable storage medium). The software 822 may also be located within the main memory 804 and / or within the processor 802 while the software is being executed by the computer system 800 and may be entirely or at least partially within the main memory 804 and processor (802) may also constitute a machine-readable storage medium. The software 822 may also be transmitted or received via the network 820 via the network interface device 808. [

기계-엑세스 가능한 저장 매체(831)이 예시적인 실시예에서 단일 매체인 것으로 도시되기는 했지만, 용어 "기계-판독 가능한 저장 매체"는 명령어들의 하나 또는 그 초과의 세트들을 저장하는 단일 매체 또는 다수 매체들(예를 들어, 중앙화된 또는 분산된 데이터베이스 및/또는 연관된 캐시들 및 서버들)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 용어 "기계-판독 가능한 저장 매체"는 또한, 기계에 의한 실행을 위해 명령어들의 세트를 저장 또는 인코딩할 수 있고 그리고 기계가 본 발명의 방법론들 중 어떤 하나 또는 그 초과를 실시하게 하는 임의의 매체를 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 용어 "기계-판독 가능한 저장 매체"는 솔리드-스테이트 메모리들, 및 광학 및 자기 매체들을 포함하는 것으로, 그러나 이에 제한되지는 않는 것으로 이해되어야 한다.Although the machine-accessible storage medium 831 is shown as being a single medium in the exemplary embodiment, the term "machine-readable storage medium" refers to a medium or medium that stores one or more sets of instructions, (E. G., A centralized or distributed database and / or associated caches and servers). The term "machine-readable storage medium" may also be used to store or encode a set of instructions for execution by a machine, and may include any medium for causing a machine to perform any one or more of the methodologies of the present invention Should be understood to include. Thus, it should be understood that the term "machine-readable storage medium" includes, but is not limited to, solid-state memories and optical and magnetic media.

이렇게 하여, 진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척들, 및 그러한 정전 척들을 제조하는 방법들이 개시되었다. 실시예에서, 진보된 RF 및 온도 균일성을 갖는 정전 척(ESC)은 정상부 유전체 층을 포함한다. 상부 금속 부분은 정상부 유전체 층 아래에 배치된다. 제 2 유전체 층은 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 위에 배치되고 상부 금속 부분에 의해서 부분적으로 둘러싸인다. 제 3 유전체 층은 제 2 유전체 층 아래에 배치되고, 제 3 유전체 층과 제 2 유전체 층 사이의 경계를 갖는다. 복수의 비아들이 제 3 유전체 층에 배치된다. 버스 전력 바 분배 층은 복수의 비아들 아래에 배치되고 복수의 비아들에 커플링된다. 복수의 비아들은 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들을 버스 바 전력 분배 층에 전기적으로 커플링시킨다. 제 4 유전체 층은 버스 바 전력 분배 층 아래에 배치되고, 제 4 유전체 층과 제 3 유전체 층 사이의 경계를 갖는다. 금속 베이스는 제 4 유전체 층 아래에 배치된다. 금속 베이스는 내부에 수납된 복수의 높은 전력의 히터 요소들을 포함한다.Thus, electrostatic chucks with advanced RF and temperature uniformity, and methods of fabricating such electrostatic chucks, have been disclosed. In an embodiment, an electrostatic chuck (ESC) with advanced RF and temperature uniformity includes a top dielectric layer. The upper metal portion is disposed below the top dielectric layer. The second dielectric layer is disposed over the plurality of pixilated resistive heaters and is partially surrounded by the upper metal portion. A third dielectric layer is disposed below the second dielectric layer and has a boundary between the third dielectric layer and the second dielectric layer. A plurality of vias are disposed in the third dielectric layer. The bus power bar distribution layer is disposed below the plurality of vias and coupled to the plurality of vias. The plurality of vias electrically couples the plurality of pick-rate resistive heaters to the bus bar power distribution layer. The fourth dielectric layer is disposed below the bus bar power distribution layer and has a boundary between the fourth dielectric layer and the third dielectric layer. The metal base is disposed below the fourth dielectric layer. The metal base includes a plurality of high power heater elements housed therein.

Claims (19)

기판의 온도를 제어하는 방법으로서,
상기 기판을 지지하는 정전 척(ESC)에 포함되는 하나 또는 그 초과의 메인 히터들에 전력을 제공하는 단계;
상기 정전 척에 포함되는 복수의 픽실레이트식(pixilated) 저항성 히터들 중 하나 또는 그 초과의 픽실레이트식 저항성 히터에 전력을 제공하는 단계 ― 상기 메인 히터들은 상기 픽실레이트식 저항성 히터들에 비해 고 전력을 제공받고, 상기 하나 또는 그 초과의 메인 히터들 및 상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들은 알루미늄 케이지 내부에 포지셔닝됨 ―;
상기 하나 또는 그 초과의 메인 히터들 및 상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 중 상기 하나 또는 그 초과의 픽실레이트식 저항성 히터에 전력을 제공하는 동안 상기 정전 척을 포함하는 챔버에서 상기 기판을 프로세싱하는 단계; 및
상기 챔버에서 상기 기판을 프로세싱하는 동안 상기 정전 척의 영역들을 냉각시키는 단계를 포함하고, 상기 냉각시키는 단계는 상기 기판과 상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 사이에 수직으로 배치되는 정상부 유전체 층을 전부 통과하여 배치되는 냉각 채널들을 통해 수행되는,
기판의 온도를 제어하는 방법.A method for controlling a temperature of a substrate,
Providing power to one or more main heaters included in an electrostatic chuck (ESC) supporting the substrate;
Providing power to one or more pixilated resistive heaters of a plurality of pixilated resistive heaters included in the electrostatic chuck, wherein the main heaters have a higher power than the pickled resistive heaters Wherein the one or more main heaters and the plurality of pick-rate resistive heaters are positioned within the aluminum cage;
Processing the substrate in a chamber comprising the electrostatic chuck while providing power to the one or more of the main heaters and the one or more of the plurality of pick-rate resistive heaters, step; And
And cooling the areas of the electrostatic chuck while processing the substrate in the chamber, wherein the cooling step includes passing all of the top dielectric layers vertically disposed between the substrate and the plurality of pick-rate resistive heaters ≪ / RTI >
A method for controlling the temperature of a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 중 상기 하나 또는 초과의 픽실레이트식 저항성 히터에 전력을 제공하는 단계는 상기 정전 척의 버스 바 전력 분배 층에 전력을 제공하는 단계를 포함하는,
기판의 온도를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein providing power to the one or more pickled rate resistive heaters of the plurality of pickled rate resistive heaters comprises providing power to the bus bar power distribution layer of the electrostatic chuck.
A method for controlling the temperature of a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들은 45 내지 169 개의 픽실레이트식 저항성 히터들을 포함하는,
기판의 온도를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein said plurality of pickle rate resistive heaters comprises 45 to 169 pickled resistive heaters,
A method for controlling the temperature of a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 하나 또는 그 초과의 메인 히터들에 전력을 제공하는 단계는 1 내지 8개의 메인 히터들에 전력을 제공하는 단계를 포함하는,
기판의 온도를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein providing power to the one or more main heaters comprises providing power to one to eight main heaters.
A method for controlling the temperature of a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버에서 상기 기판을 프로세싱하는 단계는 플라즈마 에칭 챔버에서 상기 기판을 프로세싱하는 단계를 포함하는,
기판의 온도를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein processing the substrate in the chamber comprises processing the substrate in a plasma etch chamber.
A method for controlling the temperature of a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버에서 상기 기판을 프로세싱하는 단계는 플라즈마 증착 챔버에서 상기 기판을 프로세싱하는 단계를 포함하는,
기판의 온도를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein processing the substrate in the chamber comprises processing the substrate in a plasma deposition chamber.
A method for controlling the temperature of a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 기판을 프로세싱하는 단계는 척킹 전극(chucking electrode)을 이용하여 상기 정전 척에 상기 기판을 홀딩(hold)하는 단계를 포함하는,
기판의 온도를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein processing the substrate comprises holding the substrate on the electrostatic chuck using a chucking electrode.
A method for controlling the temperature of a substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 중 상기 하나 또는 초과의 픽실레이트식 저항성 히터에 전력을 제공하는 단계는 상기 기판과 상기 정전 척의 하나 또는 그 초과의 메인 히터들 사이에 배치된 픽실레이트식 저항성 히터들에 전력을 제공하는 단계를 포함하는,
기판의 온도를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein providing power to the one or more pickle rate resistive heaters of the plurality of pickle rate resistive heaters comprises providing a power supply to the pickle rate resistive heaters disposed between one or more of the main heaters of the substrate and the electrostatic chuck, The method comprising:
A method for controlling the temperature of a substrate. 정전 척(ESC)으로서,
정상부 유전체 층 ― 상기 정상부 유전체 층은 기판을 상기 정상부 유전체 층 위에 지지함 ―;
상기 정상부 유전체 층 아래에 배치되는 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 ― 상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들은 45 내지 169개의 픽실레이트식 저항성 히터들을 포함함 ―;
상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 아래에 배치되는 하나 또는 그 초과의 메인 히터들 ― 상기 메인 히터들은 상기 픽실레이트식 저항성 히터들에 비해 고 전력을 제공받고, 상기 하나 또는 그 초과의 메인 히터들 및 상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들은 알루미늄 케이지 내부에 포지셔닝됨 ―; 및
상기 기판과 상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들 사이에 수직으로 배치되는 상기 정상부 유전체 층을 전부 통과하는 냉각 채널들
을 포함하는,
정전 척.As an electrostatic chuck (ESC)
A top dielectric layer, said top dielectric layer supporting a substrate above said top dielectric layer;
A plurality of pickle rate resistive heaters disposed below said top dielectric layer, said plurality of pickle rate resistive heaters comprising 45 to 169 pickled resistive heaters;
One or more main heaters disposed below the plurality of pick-rate resistive heaters, the main heaters being provided with a higher power than the pick-rate resistive heaters, the one or more main heaters And the plurality of pick-rate resistive heaters are positioned within the aluminum cage; And
And a plurality of cooling channels passing through the top dielectric layer vertically disposed between the substrate and the plurality of pixilated resistive heaters,
/ RTI >
Electrostatic chuck. 제 9 항에 있어서,
상기 정상부 유전체 층은 상부에 배치된 복수의 표면 피쳐들(features)을 포함하는,
정전 척.10. The method of claim 9,
Wherein the top dielectric layer comprises a plurality of surface features disposed on top,
Electrostatic chuck. 제 10 항에 있어서,
상기 정상부 유전체 층의 표면 피쳐들은 상기 정전 척을 위한 냉각 채널들을 제공하는,
정전 척.11. The method of claim 10,
Wherein the surface features of the top dielectric layer provide cooling channels for the electrostatic chuck,
Electrostatic chuck. 제 9 항에 있어서,
상기 정상부 유전체 층은 스프레이 유전체 물질을 포함하는,
정전 척.10. The method of claim 9,
Wherein the top dielectric layer comprises a spray dielectric material.
Electrostatic chuck. 제 9 항에 있어서,
상기 정상부 유전체 층은 상기 기판을 상기 정상부 유전체 층 상에 직접적으로 지지하도록 구성되는,
정전 척.10. The method of claim 9,
The top dielectric layer being adapted to directly support the substrate on the top dielectric layer,
Electrostatic chuck. 제 9 항에 있어서,
상기 정상부 유전체 층 상에 배치된 솔리드 세라믹 플레이트를 더 포함하는,
정전 척.10. The method of claim 9,
Further comprising a solid ceramic plate disposed on said top dielectric layer,
Electrostatic chuck. 제 14 항에 있어서,
상기 솔리드 세라믹 플레이트는 상기 기판을 위에 지지하도록 구성되는,
정전 척.15. The method of claim 14,
The solid ceramic plate being configured to support the substrate thereon,
Electrostatic chuck. 제 9 항에 있어서,
상기 기판을 상기 정전 척에 클램핑(clamping)하기 위한 척킹 전극을 더 포함하는,
정전 척.10. The method of claim 9,
Further comprising a chucking electrode for clamping the substrate to the electrostatic chuck,
Electrostatic chuck. 제 9 항에 있어서,
상기 복수의 픽실레이트식 저항성 히터들에 전력을 제공하기 위한 버스 바 전력 분배 층을 더 포함하는,
정전 척.10. The method of claim 9,
Further comprising a bus bar power distribution layer for providing power to the plurality of pick-rate resistive heaters.
Electrostatic chuck. 제 9 항의 정전 척을 포함하는 플라즈마 에칭 챔버.A plasma etching chamber comprising the electrostatic chuck of claim 9. 제 9 항의 정전 척을 포함하는 플라즈마 증착 챔버.10. A plasma deposition chamber comprising the electrostatic chuck of claim 9.
KR1020187015705A 2012-04-24 2013-04-23 Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity KR101958018B1 (en)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261637500P 2012-04-24 2012-04-24
US61/637,500 2012-04-24
US201361775372P 2013-03-08 2013-03-08
US61/775,372 2013-03-08
US13/867,515 US8937800B2 (en) 2012-04-24 2013-04-22 Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
US13/867,515 2013-04-22
PCT/US2013/037849 WO2013163220A1 (en) 2012-04-24 2013-04-23 Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157036563A Division KR20160006239A (en) 2012-04-24 2013-04-23 Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180064569A true KR20180064569A (en) 2018-06-14
KR101958018B1 KR101958018B1 (en) 2019-03-13

Family

ID=49379898

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187015705A KR101958018B1 (en) 2012-04-24 2013-04-23 Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity
KR1020147032750A KR101584538B1 (en) 2012-04-24 2013-04-23 Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity
KR1020157036563A KR20160006239A (en) 2012-04-24 2013-04-23 Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147032750A KR101584538B1 (en) 2012-04-24 2013-04-23 Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity
KR1020157036563A KR20160006239A (en) 2012-04-24 2013-04-23 Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8937800B2 (en)
JP (2) JP5938140B2 (en)
KR (3) KR101958018B1 (en)
CN (2) CN104247002B (en)
TW (1) TWI509732B (en)
WO (1) WO2013163220A1 (en)

Families Citing this family (329)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9338871B2 (en) 2010-01-29 2016-05-10 Applied Materials, Inc. Feedforward temperature control for plasma processing apparatus
US8916793B2 (en) 2010-06-08 2014-12-23 Applied Materials, Inc. Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10274270B2 (en) 2011-10-27 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Dual zone common catch heat exchanger/chiller
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9299574B2 (en) 2013-01-25 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Silicon dioxide-polysilicon multi-layered stack etching with plasma etch chamber employing non-corrosive etchants
US9129911B2 (en) 2013-01-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Boron-doped carbon-based hardmask etch processing
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9681497B2 (en) 2013-03-12 2017-06-13 Applied Materials, Inc. Multi zone heating and cooling ESC for plasma process chamber
WO2014164449A1 (en) 2013-03-13 2014-10-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone heated esc with independent edge zones
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
TW201518538A (en) 2013-11-11 2015-05-16 Applied Materials Inc Pixelated cooling, temperature controlled substrate support assembly
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US10460968B2 (en) 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US9520315B2 (en) 2013-12-31 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with internal flow adjustments for improved temperature distribution
US11158526B2 (en) 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
KR20170026360A (en) 2014-06-17 2017-03-08 에바텍 아크티엔게젤샤프트 Electro-static chuck with radiofrequency shunt
US10736182B2 (en) 2014-07-02 2020-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus, systems, and methods for temperature control of substrates using embedded fiber optics and epoxy optical diffusers
KR101758087B1 (en) 2014-07-23 2017-07-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Tunable temperature controlled substrate support assembly
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
CN106575634A (en) * 2014-08-15 2017-04-19 应用材料公司 Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in plasma enhanced chemical vapor deposition system
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US10002782B2 (en) * 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
KR102288349B1 (en) 2014-12-09 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 Electrostatic chuck system and method for manufacturing organic light emitting display device using the same
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
JP5962833B2 (en) 2015-01-16 2016-08-03 Toto株式会社 Electrostatic chuck
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102308906B1 (en) 2015-03-26 2021-10-06 삼성디스플레이 주식회사 Electrostatic chuck system and method for manufacturing organic light emitting display device using the same
JP6806704B2 (en) 2015-05-22 2021-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Multi-zone electrostatic chuck adjustable in azimuth direction
US9779974B2 (en) * 2015-06-22 2017-10-03 Lam Research Corporation System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
JP2017028111A (en) * 2015-07-23 2017-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing device
TWI757242B (en) * 2015-08-06 2022-03-11 美商應用材料股份有限公司 Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10186437B2 (en) * 2015-10-05 2019-01-22 Lam Research Corporation Substrate holder having integrated temperature measurement electrical devices
US20180313697A1 (en) * 2015-10-19 2018-11-01 Novena Tec Inc. Process monitoring device
WO2017100132A1 (en) * 2015-12-10 2017-06-15 Ioneer, Llc Apparatus and method for determining parameters of process operation
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10973088B2 (en) 2016-04-18 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
JP6238097B1 (en) * 2016-07-20 2017-11-29 Toto株式会社 Electrostatic chuck
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10685861B2 (en) 2016-08-26 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Direct optical heating of substrates through optical guide
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
KR102546317B1 (en) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the same
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US20180213608A1 (en) * 2017-01-20 2018-07-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with radio frequency isolated heaters
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
JP6858656B2 (en) * 2017-06-26 2021-04-14 東京エレクトロン株式会社 Power supply member and board processing device
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (en) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
CN111213230B (en) 2017-10-26 2023-10-10 京瓷株式会社 Sample holder
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR101957784B1 (en) 2017-11-10 2019-03-13 이성희 Electronic Body Protect Device for Match Management
TWI779134B (en) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 A storage device for storing wafer cassettes and a batch furnace assembly
KR102633318B1 (en) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Devices with clean compact zones
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (en) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 Method for depositing gap filling layer by plasma auxiliary deposition
TWI852426B (en) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Deposition method
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
KR102636427B1 (en) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing method and apparatus
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI766433B (en) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 Systems and methods to form airgaps
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
KR102646467B1 (en) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (en) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of processing a substrate and a device manufactured by the same
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (en) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing system
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI815915B (en) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (en) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method for deposition of a thin film
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344B (en) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 Substrate holding apparatus, system comprising the same and method of using the same
US11232963B2 (en) * 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (en) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate support unit and apparatuses for depositing thin film and processing the substrate including the same
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
KR102546322B1 (en) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (en) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate support unit and substrate processing apparatus including the same
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (en) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. A method for cleaning a substrate processing apparatus
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (en) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー Method and system for forming device structures using selective deposition of gallium nitride - Patents.com
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TW202405220A (en) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7509548B2 (en) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー Cyclic deposition method and apparatus for filling recesses formed in a substrate surface - Patents.com
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102638425B1 (en) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
TWI842826B (en) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Substrate processing apparatus and method for processing substrate
KR20200108242A (en) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method for Selective Deposition of Silicon Nitride Layer and Structure Including Selectively-Deposited Silicon Nitride Layer
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (en) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
KR20200116855A (en) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of manufacturing semiconductor device
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (en) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Gas-phase reactor system and method of using same
KR20200130121A (en) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Chemical source vessel with dip tube
KR20200130652A (en) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
JP2020188255A (en) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． Wafer boat handling device, vertical batch furnace, and method
JP2020188254A (en) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． Wafer boat handling device, vertical batch furnace, and method
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11004710B2 (en) * 2019-06-04 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Wafer placement error detection based on measuring a current through an electrostatic chuck and solution for intervention
KR20200141003A (en) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Gas-phase reactor system including a gas detector
KR20200143254A (en) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of forming an electronic structure using an reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
KR20210005515A (en) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
JP7499079B2 (en) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー Plasma device using coaxial waveguide and substrate processing method
CN112216646A (en) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 Substrate supporting assembly and substrate processing device comprising same
KR20210010307A (en) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing apparatus
KR20210010820A (en) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Methods of forming silicon germanium structures
KR20210010816A (en) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Radical assist ignition plasma system and method
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (en) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of Forming Topology-Controlled Amorphous Carbon Polymer Film
CN112309843A (en) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 Selective deposition method for achieving high dopant doping
CN112309899A (en) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 Substrate processing apparatus
CN112309900A (en) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 Substrate processing apparatus
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (en) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Liquid level sensor for a chemical source vessel
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (en) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． Production apparatus of mixed gas of film deposition raw material and film deposition apparatus
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (en) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method for forming a structure with a hole
KR20210024420A (en) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (en) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer
KR20210029663A (en) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing apparatus
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (en) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 Method for forming topologically selective silicon oxide film by cyclic plasma enhanced deposition process
TWI846953B (en) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Substrate processing device
KR20210042810A (en) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same
KR20210043460A (en) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of forming a photoresist underlayer and structure including same
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (en) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (en) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Apparatus and methods for selectively etching films
KR20210050453A (en) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (en) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (en) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure
CN112951697A (en) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 Substrate processing apparatus
KR20210065848A (en) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Methods for selectivley forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (en) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 Substrate processing apparatus
CN112885693A (en) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 Substrate processing apparatus
JP7527928B2 (en) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20210070898A (en) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate processing apparatus
JP2021097227A (en) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー Method of forming vanadium nitride layer and structure including vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
CN113130279B (en) * 2019-12-30 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 Lower electrode assembly, plasma processing device and working method thereof
TW202140135A (en) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Gas supply assembly and valve plate assembly
JP2021111783A (en) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー Channeled lift pin
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (en) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of forming high aspect ratio features
KR102675856B1 (en) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (en) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method of forming structures including a vanadium or indium layer
KR20210100010A (en) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method and apparatus for transmittance measurements of large articles
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (en) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 System dedicated for parts cleaning
KR20210116249A (en) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (en) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Substrate handling device with adjustable joints
KR20210117157A (en) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method for Fabricating Layer Structure Having Target Topological Profile
KR20210124042A (en) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Thin film forming method
TW202146689A (en) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device
TW202145344A (en) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Apparatus and methods for selectively etching silcon oxide films
KR20210127620A (en) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. method of forming a nitrogen-containing carbon film and system for performing the method
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (en) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (en) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element
TW202146831A (en) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Vertical batch furnace assembly, and method for cooling vertical batch furnace
KR20210132576A (en) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method of forming vanadium nitride-containing layer and structure comprising the same
KR20210134226A (en) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Solid source precursor vessel
KR20210134869A (en) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
JP2021177545A (en) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー Substrate processing system for processing substrates
KR20210141379A (en) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Laser alignment fixture for a reactor system
TW202146699A (en) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method of forming a silicon germanium layer, semiconductor structure, semiconductor device, method of forming a deposition layer, and deposition system
TW202147383A (en) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Substrate processing apparatus
KR20210145078A (en) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same
KR102677038B1 (en) * 2020-05-22 2024-06-19 세메스 주식회사 Electrostatic chuck, fabricating method thereof and substrate processing apparatus
KR102702526B1 (en) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide
TW202201602A (en) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Substrate processing device
TW202212620A (en) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Apparatus for processing substrate, method of forming film, and method of controlling apparatus for processing substrate
TW202218133A (en) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method for forming a layer provided with silicon
TW202217953A (en) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Substrate processing method
TW202202649A (en) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Substrate processing method
KR20220010438A (en) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Structures and methods for use in photolithography
TW202204662A (en) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method and system for depositing molybdenum layers
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (en) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Method and system for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride
TW202229601A (en) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method of forming patterned structures, method of manipulating mechanical property, device structure, and substrate processing system
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (en) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material
CN114293174A (en) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 Gas supply unit and substrate processing apparatus including the same
TW202229613A (en) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method of depositing material on stepped structure
TW202217037A (en) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method of depositing vanadium metal, structure, device and a deposition assembly
TW202223136A (en) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Method for forming layer on substrate, and semiconductor processing system
TW202235649A (en) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Methods for filling a gap and related systems and devices
KR20220076343A (en) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. an injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus
CN114639631A (en) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 Fixing device for measuring jumping and swinging
TW202226899A (en) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Plasma treatment device having matching box
TW202231903A (en) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Transition metal deposition method, transition metal layer, and deposition assembly for depositing transition metal on substrate
TW202242184A (en) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 Precursor capsule, precursor vessel, vapor deposition assembly, and method of loading solid precursor into precursor vessel
US12112971B2 (en) 2021-03-12 2024-10-08 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
KR102368832B1 (en) * 2021-07-08 2022-03-02 에이피티씨 주식회사 An Electrostatic Chuck with Multi Heating Areas
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP7573117B1 (en) 2023-02-09 2024-10-24 日本碍子株式会社 Wafer placement table

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005136350A (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Tokyo Electron Ltd Electrostatic chuck, plasma processing apparatus, and plasma processing method
JP2005260251A (en) * 1999-04-06 2005-09-22 Tokyo Electron Ltd Mounting stand, plasma processing apparatus, and manufacturing method for mounting stand
US20090002913A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Mahmood Naim Polyceramic e-chuck
KR20100046909A (en) * 2008-10-28 2010-05-07 주성엔지니어링(주) Electrostatic chucking apparatus and method for manufacturing thereof
WO2011049620A2 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69118228T2 (en) * 1990-04-20 1996-11-21 Applied Materials Inc Clamping mechanism for physical vapor deposition device
JP3396468B2 (en) * 1999-10-26 2003-04-14 イビデン株式会社 Wafer prober and ceramic substrate used for wafer prober
JP4549022B2 (en) * 2001-04-30 2010-09-22 ラム リサーチ コーポレイション Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
JP2003017223A (en) * 2001-07-03 2003-01-17 Onahama Seisakusho:Kk Ceramic heater and electrostatic chuck with built-in ceramic heater
JP2005032842A (en) 2003-07-08 2005-02-03 Ibiden Co Ltd Electrode structure and ceramic joint
JP4570345B2 (en) * 2003-09-18 2010-10-27 株式会社三幸 Heat treatment furnace
JP2006140367A (en) * 2004-11-15 2006-06-01 Sumitomo Electric Ind Ltd Heating element for semiconductor manufacturing apparatus and heating apparatus loading heating element
US7375038B2 (en) * 2005-09-28 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication
KR20070050111A (en) 2005-11-10 2007-05-15 주성엔지니어링(주) Electrostatic chuck for uniform temperature control and plasma generation apparatus using the same
JP2007317772A (en) * 2006-05-24 2007-12-06 Shinko Electric Ind Co Ltd Electrostatic chuck device
JP4855177B2 (en) * 2006-08-10 2012-01-18 住友大阪セメント株式会社 Electrostatic chuck device
JP2008115440A (en) * 2006-11-06 2008-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Substrate heating apparatus
JP4944600B2 (en) 2006-12-28 2012-06-06 新光電気工業株式会社 Substrate temperature adjustment fixing device
JP2009152475A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Shinko Electric Ind Co Ltd Substrate temperature adjusting-fixing device
JPWO2010021317A1 (en) * 2008-08-20 2012-01-26 株式会社アルバック How to determine the usage limit of an electrostatic chuck
JP5250408B2 (en) * 2008-12-24 2013-07-31 新光電気工業株式会社 Substrate temperature adjustment fixing device
US20110024049A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 c/o Lam Research Corporation Light-up prevention in electrostatic chucks
WO2013033394A2 (en) * 2011-08-30 2013-03-07 Watlow Electric Manufacturing Company High definition heater system having a fluid medium

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005260251A (en) * 1999-04-06 2005-09-22 Tokyo Electron Ltd Mounting stand, plasma processing apparatus, and manufacturing method for mounting stand
JP2005136350A (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Tokyo Electron Ltd Electrostatic chuck, plasma processing apparatus, and plasma processing method
US20090002913A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Mahmood Naim Polyceramic e-chuck
KR20100046909A (en) * 2008-10-28 2010-05-07 주성엔지니어링(주) Electrostatic chucking apparatus and method for manufacturing thereof
WO2011049620A2 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
KR20120103596A (en) * 2009-10-21 2012-09-19 램 리써치 코포레이션 Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015517225A (en) 2015-06-18
CN105515450A (en) 2016-04-20
WO2013163220A1 (en) 2013-10-31
US8937800B2 (en) 2015-01-20
KR20150013575A (en) 2015-02-05
KR20160006239A (en) 2016-01-18
KR101958018B1 (en) 2019-03-13
JP6290275B2 (en) 2018-03-07
KR101584538B1 (en) 2016-01-12
US20130279066A1 (en) 2013-10-24
CN104247002B (en) 2017-03-15
CN105515450B (en) 2020-02-18
JP5938140B2 (en) 2016-06-22
JP2016146487A (en) 2016-08-12
TW201401426A (en) 2014-01-01
TWI509732B (en) 2015-11-21
CN104247002A (en) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101958018B1 (en) Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity
JP7169319B2 (en) High power electrostatic chuck with aperture reduction plugs in gas holes
KR101726665B1 (en) Electrostatic chuck with variable pixelated heating
US10790180B2 (en) Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US8587113B2 (en) Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
JP2021525454A (en) Extremely uniform heating substrate support assembly
US20170194174A1 (en) Quad chamber and platform having multiple quad chambers
US11410869B1 (en) Electrostatic chuck with differentiated ceramics
WO2015116500A1 (en) Electrostatic chuck with magnetic cathode liner for critical dimension (cd) tuning
KR102428349B1 (en) Support unit, substrate processing apparatus including same, and manufacturing method of support unit
TW202249167A (en) Electrostatic chuck with metal shaft

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant