KR20180049456A - Battery proction circuit using a currnt sensing resistor - Google Patents
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Abstract
본 발명의 배터리 보호회로는, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제1 보호 IC, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제2 보호 IC를 포함하여 구성되고, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 하나의 전류 센싱 저항(CSR) 및 하나의 접지를 공용으로 사용할 수 있다.The battery protection circuit of the present invention comprises a first protection IC for preventing battery overcharging and overdischarging, a second protection IC for preventing battery overcharging and overdischarge, and the first protection IC and the second protection An IC can commonly use a single current sensing resistor (CSR) and a single ground.
Description
본 발명은, 배터리 보호 회로에 관한 것으로써, 보다 구체적으로는 배터리 보호 회로에 탑재되는 2개의 IC 칩의 전류 센싱 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a battery protection circuit, and more particularly, to a current sensing circuit of two IC chips mounted on a battery protection circuit.
모바일 기기에 대한 기술 개발과 수요가 증가함에 따라 에너지원으로서의 이차전지의 수요가 급격히 증가하고 있고, 그에 따라 다양한 요구에 부응할 수 있는 이차전지에 대한 많은 연구가 행해지고 있다.2. Description of the Related Art As technology development and demand for mobile devices have increased, the demand for secondary batteries as energy sources has been rapidly increasing, and a lot of research has been conducted on secondary batteries that can meet various demands.
대표적으로 전지의 재료면에서 높은 에너지 밀도, 방전 전압, 출력 안정성의 리튬 이차전지에 대한 수요가 높고, 형상 면에서는 얇은 두께로 휴대폰 등과 같은 제품들에 적용될 수 있고 높은 집적도로 적층되어 제조되는 전지모듈의 전지로도 사용될 수 있는 각형 전지와 파우치형 전지에 대한 수요가 높다.Typically, there is a high demand for a lithium secondary battery having high energy density, discharge voltage, and output stability in terms of the material of the battery. In view of the shape, the battery module can be applied to products such as mobile phones with a thin thickness, There is a high demand for a prismatic battery and a pouch-type battery that can be used as a battery of a battery.
그러나, 리튬 이차전지는 상기와 같은 장점을 가지는 반면에, 안전성이 낮다는 근본적인 문제점을 가지고 있다. 예를 들어, 전지가 과충전되는 경우에는 전극에서의 전해액 분해반응이 촉진되어 가연성 가스가 발생하고, 내부 단락 등과 같은 다양한 의해 야기된 과전류는 전지의 온도를 상승시켜 전지 구성요소의 분해반응을 유발한다. 이러한 과충전, 과전류 등으로 인해 전지는 발화하기 쉽고 경우에 따라서는 폭발할 가능성도 있다.However, the lithium secondary battery has the above advantages, but has a fundamental problem that the safety is low. For example, when the battery is overcharged, the decomposition reaction of the electrolytic solution in the electrode is promoted to generate a combustible gas, and an overcurrent caused by various shorts such as an internal short circuit raises the temperature of the battery to cause decomposition reaction of the battery component . Such overcharging, overcurrent, etc. may cause the battery to ignite and possibly explode in some cases.
또한, 과전류가 아니더라도 기타의 원인에 의한 온도 상승은 상기와 같은 문제점을 유발한다. 따라서, 리튬 이차전지에는 이러한 문제점을 해결하기 위한 보호회로가 내장되어 있다.In addition, even if it is not an overcurrent, the temperature rise due to other causes causes the above problems. Therefore, a lithium secondary battery incorporates a protection circuit for solving such a problem.
보다 구체적으로, 상기 보호회로는, 제1 보호 IC 칩, 제1 충전 제어용 FET, 제1 방전 제어용 FET, 제1 전류 센싱 저항, 제2 보호 IC 칩, 제2 충전 제어용 FET, 제2 방전 제어용 FET, 제2 전류 센싱 저항을 포함하여 구성될 수 있다.More specifically, the protection circuit includes a first protection IC chip, a first charge control FET, a first discharge control FET, a first current sensing resistor, a second protection IC chip, a second charge control FET, a second discharge control FET , And a second current sensing resistor.
이와 같이 각각의 보호 IC에 대응되는 전류 센싱 저항 각각은 서로 독립적으로 동작하는 것이 이상 적이지만, 각기 다른 그라운드 전위로 인해 종속적인 동작이 발생하는 문제점이 존재하였다.As described above, it is ideal that each of the current sensing resistors corresponding to each of the protection ICs operate independently of each other, but there is a problem that dependent operation occurs due to different ground potentials.
본 발명은, 2개의 보호 IC가 탑재된 보호 회로에서, 공통 전류 센싱 저항 및 공통 접지를 사용하여, 2개의 보호 IC가 서로 독립적으로 동작하는 보호 회로를 제공한다.The present invention provides a protection circuit in which two protection ICs operate independently of each other by using a common current sensing resistance and a common ground in a protection circuit on which two protection ICs are mounted.
본 발명의 배터리 보호 회로는, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제1 보호 IC, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제2 보호 IC를 포함하여 될 수 있으며, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 하나의 전류 센싱 저항(CSR) 및 하나의 공통 접지를 공용으로 사용할 수 있다.The battery protection circuit of the present invention may include a first protection IC for preventing overcharge and overdischarge of the battery, a second protection IC for preventing battery overcharge and overdischarge, and the first protection IC and the second protection IC The protection IC can commonly use one current sensing resistor (CSR) and one common ground.
한편, 상기 제1 보호 IC 및 상기 제2 보호 IC 각각은, 과전류가 유입되는 것을 정밀하게 감지하기 위한 감지 단자(Rsens), 공통 접지에 연결되는 접지 단자 및 배터리 충전 또는 방전시 전류의 유입상태를 감지하는 감시단자를 포함하여 구성될 수 있다.Each of the first protection IC and the second protection IC includes a sensing terminal Rsens for precisely sensing that the overcurrent flows therein, a ground terminal connected to the common ground, And may be configured to include a surveillance terminal for sensing.
한편, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC 각각의 과전류 감지 단자(Rsens)는 공용으로 사용되는 상기 하나의 전류 센싱 저항(CSR)의 일단과 연결되고, 상기 하나의 전류 센싱 저항(CSR)의 타단은, 상기 하나의 공통 접지와 연결되며, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC 각각의 접지 단자는 공용으로 사용되는 상기 하나의 공통 접지에 연결되고, 상기 감지단자는, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC 각각의 과충전 FET에 연결될 수 있다.The overcurrent sensing terminal Rsens of each of the first protection IC and the second protection IC is connected to one end of the one current sensing resistor CSR commonly used, And the other end is connected to the one common ground, and the ground terminal of each of the first protection IC and the second protection IC is connected to the one common ground commonly used, And the overcharge FET of each second protection IC.
한편, 상기 제1 보호 IC는, 제1 과충전 제어 단자(Cout) 및 제1 과방전 제어 단자(Dout)를 더 포함하여 구성되고, 상기 제2 보호 IC는, 제2 과충전 제어 단자(Cout) 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제1 과충전 제어 단자(Cout)는, 제1 과충전 FET에 연결되며, 상기 제2 과충전 제어 단자(Cout)는, 제2 과충전 FET에 연결되고, 상기 제1 과방전 제어 단자(Dout)는, 제1 과방전 FET에 연결되며, 상기 제2 과방전 제어 단자(Dout)는, 제2 과방전 FET에 연결되고, 상기 4개의 과충전 FET 및 과방전 FET는, 서로 직렬로 연결되어, 상기 전류 센싱 저항의 일단에 연결될 수 있다.The first protection IC further includes a first overcharge control terminal Cout and a first overdischarge control terminal Dout, and the second protection IC includes a second overcharge control terminal Cout and a second overcharge control terminal Cout, And a second overdischarge control terminal Dout. The first overcharge control terminal Cout is connected to a first overcharge FET, the second overcharge control terminal Cout is connected to a second overcharge FET, and the first over discharge control terminal Dout, The first overdrive control terminal Dout is connected to the first overdrive FET and the second overdrive control terminal Dout is connected to the second overdrive FET and the four overdrive FETs and overdrive FETs are connected in series with each other, It can be connected to one end of the resistor.
또한, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과충전이 검출되면, 상기 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 과충전 제어단자(Cout)에서 출력할 수 있다.The first protection IC and the second protection IC can output a control signal for turning off the overcharge FET at the overcharge control terminal Cout when overcharge is detected at the over current detection terminal Rsens .
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과방전이 검출되면, 상기 과방전 FET 소자를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 과방전 제어 단자(Dout)에서 출력할 수 있다.The first protection IC and the second protection IC can output a control signal for turning off the overdischarge FET device from the overdischarge control terminal Dout when an overdischarge is detected in the overcurrent detection terminal Rsens have.
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 상기 감시단자에서 과충전이 감지되면, 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 과충전 제어 단자(Cout)에서 출력할 수 있다.The first protection IC and the second protection IC can output a control signal for turning off the overcharge FET at the overcharge control terminal Cout when overcharge is detected at the monitoring terminal.
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 상기 감시단자에서 과방전이 감지되면, 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 과방전 제어단자(Dout)에서 출력할 수 있다.The first protection IC and the second protection IC can output a control signal for turning off the over-discharge FET at the over-discharge control terminal D out when over-discharge is detected at the monitoring terminal.
본 발명은, 2개의 보호 IC 가 탑재된 보호 회로에서 공통 전류 센싱 저항 및 공통 접지를 사용함으로써, 2개의 보호 IC가 각각 서로 독립적으로 동작 할 수 있다.The present invention uses the common current sensing resistance and the common ground in the protection circuit on which the two protection ICs are mounted, so that the two protection ICs can operate independently of each other.
도 1은 종래의 보호 회로의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 보호 회로의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a conventional protection circuit.
2 is a configuration diagram of a protection circuit of the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be readily apparent to those skilled in the art. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예컨대, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 “전기적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~(하는) 단계” 또는 “~의 단계”는 “~를 위한 단계”를 의미하지 않는다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another part in between . Also, when an element is referred to as " comprising ", it means that it can include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. The word " step (or step) " or " step " used to the extent that it is used throughout the specification does not mean " step for.
본 발명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 발명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. Also, in certain cases, there may be a term selected arbitrarily by the applicant, in which case the meaning thereof will be described in detail in the description of the corresponding invention. Therefore, the term used in the present invention should be defined based on the meaning of the term, not on the name of a simple term, but on the entire contents of the present invention.
명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.When an element is referred to as "including" an element throughout the specification, it is to be understood that the element may include other elements as well, without departing from the spirit or scope of the present invention.
1. 종래의 보호 회로1. Conventional protection circuit
도 1은 종래의 보호 회로의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a conventional protection circuit.
종래의 보호 회로는 제1 보호 IC(100)와 제2 보호IC(200) 각각에 전류 센싱 저항 및 그라운드 접지가 일대 일로 구성되어 있었다.In the conventional protection circuit, the current sensing resistance and the ground ground are formed in the
이와 같은 구성은, 제1 보호 IC(100)의 그라운드 접지와 제2 보호IC(200)의 접지의 전압이 서로 다르게 측정되어, 각각의 보호 IC가 독립적으로 동작 해야 됨에도 불구하고, 서로 종속적으로 동작하는 문제점이 존재하였다.With this configuration, although the voltage of the ground of the
2. 본 발명의 보호 회로2. The protection circuit of the present invention
따라서, 본 발명에서는 상기 제1 보호 IC(100)와 제2 보호IC(200)가 종속적으로 동작하는 문제점을 해결하기 위한 보호 회로를 제공한다.Accordingly, the present invention provides a protection circuit for solving the problem that the first protection IC 100 and the second protection IC 200 operate in a dependent manner.
도 2는 본 발명의 보호 회로의 구성도이다.2 is a configuration diagram of a protection circuit of the present invention.
본 발명의 보호 회로는, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제1 보호 IC(100), 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제2 보호 IC(200) 및 하나의 전류 센싱 저항(11)을 포함하여 구성될 수 있다.The protection circuit of the present invention includes a
보다 구체적으로, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)는, 하나의 전류 센싱 저항(11)(CSR) 및 하나의 접지를 공용으로 사용할 수 있다.More specifically, the first protection IC 100 and the second protection IC 200 can commonly use one current sensing resistor 11 (CSR) and one ground.
즉, 상기 제1 보호 IC(100) 및 상기 제2 보호 IC(200) 각각은, 과전류가 유입되는 것을 정밀하게 감지하기 위한 과전류 감지 단자(Rsens)(101,201) 및 접지 단자(Vss), 배터리 충전 또는 방전시 전류의 유입상태를 감지하는 감시단자(V-)를 포함하여 구성되며, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200) 각각의 과전류 감지 단자(Rsens)(101,202)는 공용으로 사용되는 상기 하나의 전류 센싱 저항(CSR)(11)의 일단과 연결되고, 상기 전류 센싱 저항(11)의 타단은 상기 하나의 공통 접지에 연결되며, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200) 각각의 접지 단자는 공용으로 사용되는 상기 하나의 공통 접지에 연결되고, 상기 제1 보호 IC의 감지단자는 제1 과충전 FET(102)에 연결되고, 상기 제2 보호 IC의 감지단자는, 상기 제2 과충전 FET(202)에 연결될 수 있다.Each of the first protection IC 100 and the second protection IC 200 includes an overcurrent
이와 같이 하나의 전류 센싱 저항(11) 및 하나의 접지를 공용으로 사용하게 되면, 제1 보호 IC(100)와 제2 보호IC(200)의 그라운드 전위 차이가 발생하지 않아, 서로 독립적으로 동작 할 수 있다.If one
한편 이와 같이 하나의 전류 센싱 저항(11) 및 하나의 접지를 공용으로 사용하는 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)는, 추가적으로, 회로의 부품 수가 감소되어 단가가 하락하고, 실장 공간이 넓어지며, 발열 소자인 전류 센싱 저항의 수를 감소 시킴으로써, 발열 또한 감소 될 수 있다.On the other hand, the first protection IC 100 and the second protection IC 200, which commonly use one
한편, 상기 제1 보호 IC(100)는 제1 과충전 제어 단자(Cout) 및 제1 과방전 제어 단자(Dout)을 추가로 포함하여 구성될 수 있으며, 제2 보호 IC(200)는, 제2 과충전 제어 단자(Cout) 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)을 추가로 더 포함하여 구성될 수 있다. 한편, 상기 제1 과충전 제어 단자는 과충전을 방지하는 제1 과충전 FET(103)에 연결되고, 상기 제2 과충전 제어 단자는 상기 제2 과충전 FET(203)에 연결될 수 있다. The first protection IC 100 may further include a first overcharge control terminal Cout and a first overdischarge control terminal Dout and the second protection IC 200 may include a second overcharge control terminal Cout, An overcharge control terminal Cout and a second overdischarge control terminal Dout. On the other hand, the first overcharge control terminal may be connected to a
한편, 상기 제1 과방전 제어 단자는 제1 과방전 FET(101)에 연결되고, 상기 제2 과정전 제어 단자는 제2 과방전 FET(102)에 연결될 수 있다. Meanwhile, the first overdischarge control terminal may be connected to the first overdischarge FET 101, and the second overdischarge control terminal may be connected to the second overdischarge FET 102.
그리고, 상기 보호 IC에서 과충전 또는 과방전이 감지되는 경우에, 해당 FET를 제어하여, 과충전 및 과방전을 방지 할 수 있다.When overcharge or overdischarge is detected in the protection IC, the FET can be controlled to prevent overcharging and overdischarging.
보다 구체적으로, 상기 제1 보호 IC(100)의 제1 과충전 FET(103)는 상기 제1 보호 IC(100)의 과충전 제어 단자(Cout)에 연결되고, 제1 보호 IC(100)의 과방전 FET(102)는 상기 제1 보호 IC(100)의 과방전 제어 단자(Dout)에 연결될 수 있다.More specifically, the first overcharge FET 103 of the first protection IC 100 is connected to the overcharge control terminal Cout of the first protection IC 100, The FET 102 may be connected to the overdischarge control terminal Dout of the first protection IC 100.
한편, 상기 제2 보호 IC(200)의 과충전 FET(203)는 상기 제2 보호 IC(200)의 과충전 제어 단자(Cout)에 연결되고, 상기 제2 보호 IC(200)의 과방전 FET(202)는 상기 제2 보호 IC(200)의 과방전 제어 단자(Dout)에 연결될 수 있다.The overcharge FET 203 of the second protection IC 200 is connected to the overcharge control terminal Cout of the second protection IC 200 and the overdischarge FET 202 of the second protection IC 200 May be connected to the overdischarge control terminal (Dout) of the second protection IC (200).
이와 같이 연결된 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)는, 상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과충전이 검출되면, 상기 상기 제1 과충전 FET 및 상기 제2 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과충전 제어단자 및 제2 과충전 제어단자(Cout)에서 출력하고, 상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과방전이 검출되면, 상기 제1 과방전 FET 및 제2 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과방전 제어 단자 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)로 출력함으로써, 상기 제1 과충전 FET(103) 및 제2 과충전 FET(203)를 제어하여 과충전을 방지할 수 있다.The first protection IC 100 and the second protection IC 200 connected in this manner are turned off when the overcharge is detected in the overcurrent detection terminal Rsens, The first over-charge FET and the second over-discharge FET are turned off when the over-discharge is detected at the over-current detection terminal Rsens, The
또한, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)는 상기 감시단자에서 과충전이 감지되면, 상기 제1 충전 FET 및 상기 제2 충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과충전 제어 단자 및 제2 과충전 제어 단자(Cout)에서 출력하고, 상기 감시단자에서 과방전이 감지되면, 상기 제1 과방전 FET 및 제2 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과방전 제어단자 및 제2 과방전 제어단자(Dout)로 출력함으로써, 상기 제1 과충전 FET(103) 및 제2 과충전 FET를 제어하여 배터리의 과방전을 방지 할 수 있다.The
한편, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)에 연결되어 있는 4개의 제1 과충전 FET, 제2 과충전 FET(103,203) 및 제1 과방전 FET, 제2 과방전 FET(102,202)는 직렬로 연결되어, 상기 전류 센싱 저항(11)의 일단에 연결될 수 있다.Four first overcharge FETs,
한편, 본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.
100 : 제1 보호IC
101 : 과전류 감지 단자
102 : 과방전 FET
103 : 과충전 FET
200 : 제2 보호 IC
201 : 과전류 감지 단자
202 : 과방전 FET
203 : 과충전 FET
11 : 전류 센싱 저항100: 1st protection IC
101: Overcurrent detection terminal
102: overdischarge FET
103: Overcharge FET
200: Second protection IC
201: Overcurrent detection terminal
202: over-discharge FET
203: overcharge FET
11: Current sensing resistance
Claims (8)
배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제2 보호 IC;
를 포함하여 구성되는 배터리 보호 회로에 있어서,
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
하나의 전류 센싱 저항(CSR) 및 하나의 공통 접지를 공용으로 사용하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호 회로.
A first protection IC for preventing overcharge and overdischarge of the battery;
A second protection IC for preventing overcharge and overdischarge of the battery;
The battery protection circuit comprising:
The first protection IC and the second protection IC may include:
One common sense resistor (CSR) and one common ground are commonly used.
상기 제1 보호 IC 및 상기 제2 보호 IC 각각은,
과전류가 유입되는 것을 정밀하게 감지하기 위한 과전류 감지 단자(Rsens);
공통 접지에 연결되는 접지 단자; 및
배터리 충전 또는 방전시 전류의 유입상태를 감지하는 감시단자(V-);
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 배터리 보호 회로.
The method according to claim 1,
Each of the first protection IC and the second protection IC includes:
An overcurrent sensing terminal (Rsens) for precisely sensing that the overcurrent flows;
A ground terminal connected to a common ground; And
A surveillance terminal (V-) for detecting the inflow state of a current when the battery is charged or discharged;
Wherein the battery protection circuit comprises:
상기 제1 보호 IC는
제1 과충전 제어 단자(Cout) 및 제1 과방전 제어 단자(Dout)를 더 포함하여 구성되고,
상기 제2 보호 IC는
제2 과충전 제어 단자(Cout) 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)를 더 포함하여 구성되고,
상기 제1 과충전 제어 단자(Cout)는, 제1 과충전 FET에 연결되며,
상기 제2 과충전 제어 단자(Cout)는, 제2 과충전 FET에 연결되고,
상기 제1 과방전 제어 단자(Dout)는, 제1 과방전 FET에 연결되며,
상기 제2 과방전 제어 단자(Dout)는, 제2 과방전 FET에 연결되고,
상기 4개의 과충전 FET 및 과방전 FET는, 서로 직렬로 연결되어, 상기 전류 센싱 저항의 일단에 연결되는 것을 특징으로 하는 배터리 보호 회로.
The method of claim 2,
The first protection IC
A first overcharge control terminal Cout and a first overdischarge control terminal Dout,
The second protection IC
A second overcharge control terminal Cout and a second overdischarge control terminal Dout,
The first overcharge control terminal (Cout) is connected to the first overcharge FET,
The second overcharge control terminal Cout is connected to the second overcharge FET,
The first overdischarge control terminal Dout is connected to the first overdischarge FET,
The second overdischarge control terminal Dout is connected to the second overdischarge FET,
Wherein the four overcharge FETs and the overdischarge FETs are connected in series to each other and connected to one end of the current sensing resistor.
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC 각각의 과전류 감지 단자(Rsens)는 공용으로 사용되는 상기 하나의 전류 센싱 저항(CSR)의 일단과 연결되고,
상기 하나의 전류 센싱 저항(CSR)의 타단은, 상기 하나의 공통 접지와 연결되며,
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC 각각의 접지 단자는 공용으로 사용되는 상기 하나의 공통 접지에 연결되고,
상기 제1 보호 IC의 감시단자(V-)는, 상기 제1 과충전 FET에 연결되며,
상기 제2 보호 IC의 감시단자(V-)는 상기 제2 과충전 FET에 연결되는 것을 특징으로 하는 배터리 보호 회로.
The method of claim 3,
The overcurrent sensing terminal Rsens of each of the first protection IC and the second protection IC is connected to one end of the one current sensing resistor CSR commonly used,
The other end of the one current sensing resistor (CSR) is connected to the common ground,
The ground terminal of each of the first protection IC and the second protection IC is connected to the one common ground which is commonly used,
The monitoring terminal (V-) of the first protection IC is connected to the first overcharge FET,
And the monitoring terminal (V-) of the second protection IC is connected to the second overcharge FET.
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과충전이 검출되면, 상기 제1 과충전 FET 및 제2 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과충전 제어단자(Cout) 및 제2 과충전 제어단자에서 출력하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호 회로.
The method of claim 3,
The first protection IC and the second protection IC may include:
When an overcharge is detected in the overcurrent detection terminal (Rsens), a control signal for turning off the first overcharge FET and the second overcharge FET is outputted from the first overcharge control terminal (Cout) and the second overcharge control terminal The battery protection circuit comprising:
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과방전이 검출되면, 상기 제1 과방전 FET 및 제2 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과방전 제어 단자 및 제2 과방전 제어단자(Dout)에서 출력하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호회로.
The method of claim 3,
The first protection IC and the second protection IC may include:
When a overdischarge is detected in the overcurrent detection terminal Rsens, a control signal for turning off the first overdischarge FET and the second overdischarge FET is supplied to the first overdischarge control terminal and the second overdischarge control terminal Dout And outputting the battery protection circuit.
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
상기 감시단자에서 과충전이 감지되면, 상기 제1 과충전 FET 및 제2 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과충전 제어 단자 및 제2 과충전 제어 단자(Cout)에서 출력하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호회로.
The method of claim 3,
The first protection IC and the second protection IC may include:
And outputs a control signal for turning off the first overcharge FET and the second overcharge FET at the first overcharge control terminal and the second overcharge control terminal (Cout) when overcharge is detected at the surveillance terminal Battery protection circuit.
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
상기 감시단자에서 과방전이 감지되면, 상기 제1 과방전 FET 및 제2 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과방전 제어 단자 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)에서 출력하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호회로.
The method of claim 3,
The first protection IC and the second protection IC may include:
When a over-discharge is detected at the monitoring terminal, a control signal for turning off the first over-discharge FET and the second over-discharge FET is outputted from the first over-discharge control terminal and the second over-discharge control terminal D out The battery protection circuit comprising:
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