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KR20170126839A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR20170126839A
KR20170126839A KR1020170149548A KR20170149548A KR20170126839A KR 20170126839 A KR20170126839 A KR 20170126839A KR 1020170149548 A KR1020170149548 A KR 1020170149548A KR 20170149548 A KR20170149548 A KR 20170149548A KR 20170126839 A KR20170126839 A KR 20170126839A
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KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
semiconductor light
wall
substrate
Prior art date
Application number
KR1020170149548A
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Korean (ko)
Inventor
전수근
김경민
김봉환
Original Assignee
주식회사 세미콘라이트
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Publication date
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Abstract

The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device which comprises: a substrate including a first conductive unit, a second conductive unit, and an insulating unit positioned between the first and second conductive units; a semiconductor light emitting device chip positioned on the substrate, and electrically connected to the substrate; a wall positioned on the substrate, surrounding the semiconductor device chip, and including a first inner surface connected to a lower surface of the wall and a second inner surface connected to the first inner surface; and a reflection layer not formed on the first inner surface, and only formed on the second inner surface. The semiconductor light emitting device can have a small short risk even if the reflection layer is composed of a metal material with high light reflection efficiency on the inner surface of the wall.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광 추출 효율을 향상시킨 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device having improved light extraction efficiency.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다. Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts. Also, in this specification, directional indication such as up / down, up / down, etc. is based on the drawings.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light emitting device chip includes a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 (e.g., an n-type GaN layer) 30 having a first conductivity, An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of holes, and a second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity A light transmitting conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 30 and the first semiconductor layer 30 is etched to serve as a bonding pad Electrode 80 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 10 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, And a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 50 are deposited in this order on the substrate 10, and three layers of electrode films 90, 91, and 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 are formed have. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만 , 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다. The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength converting material 160. [ The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have.

도 3과 같은 반도체 발광소자에서 캐비티(140)를 형성하는 몰드(130)의 내측면(131)이 광 추출 효율 향상을 위해 반사층으로 덮여 있을 수 있다. 특히 반사성능이 우수한 금속성 반사층이 형성될 수 있다. 그러나 금속성 반사층이 리드 프레임(110, 120)과 전기적으로 연결되는 경우 쇼트 문제가 발생할 수 있다.In the semiconductor light emitting device as shown in FIG. 3, the inner surface 131 of the mold 130 forming the cavity 140 may be covered with a reflective layer to improve light extraction efficiency. In particular, a metallic reflection layer excellent in reflection performance can be formed. However, a shorting problem may occur when the metallic reflective layer is electrically connected to the lead frames 110 and 120.

본 개시는 광 추출 효율을 향상시키기 위해 금속성 반사층을 사용하면서도, 쇼트 문제를 해결한 반도체 발광소자를 제공하고자 한다.The present disclosure aims to provide a semiconductor light emitting device which solves a short-circuit problem while using a metallic reflection layer to improve light extraction efficiency.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판; 기판 위에 위치하여 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 기판 위에 위치하여, 반도체 발광소자 칩을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 내측면과 제1 내측면과 이어진 제2 내측면을 포함하는 벽; 그리고, 반사층;으로서, 제1 내측면에는 형성되지 않고 제2 내측면에만 형성된 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in the semiconductor light emitting device, the first conductive portion, the second conductive portion, and the insulating portion located between the first conductive portion and the second conductive portion A substrate; A semiconductor light emitting device chip disposed on the substrate and electrically connected to the substrate; A wall surrounding the semiconductor light emitting device chip, the wall surrounding the semiconductor light emitting device chip, the wall comprising a first inner side connected to a lower surface of the wall and a second inner side connected to the first inner side; And a reflective layer formed on the first inner side surface but not on the first inner side surface, and a reflective layer formed only on the second inner side surface.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip,
2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 4(a)는 사시도이며, 도 4(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.4 (a) is a perspective view, and FIG. 4 (b) is a sectional view taken along AA '.

반도체 발광소자(200)는 기판(210), 반도체 발광소자 칩(220), 기판 위에 형성되며 반도체 발광소자 칩(220)을 둘러싸고 있는 벽(230) 및 반사층(240)을 포함한다. 기판(210)은 제1 도전부(211), 제2 도전부(212) 및 제1 도전부(211)과 제2 도전부(212) 사이에 위치하는 절연부(213)를 포함한다. 제1 및 제2 도전부(211, 212)는 예를 들어 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 금속성 물질로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 도전부(211, 212)가 도 3에 기재된 반도체 발광소자에서 리드 프레임 기능을 갖고 외부와 전기적으로 연결된다. 절연부(213)는 전기 절연물질로 이루어진다. 기판(210)을 제조하는 방법은 한국 공개특허공보 제2012-0140454호에 기재되어 있다. 반도체 발광소자 칩(220)은 제1 전극(221) 및 제2 전극(222)을 포함하며, 래터럴 칩, 플립 칩 또는 수직 칩이 가능하다. 다만 플립 칩을 사용하는 경우 제1 전극(221)과 제2 전극(222)이 와이어 본딩을 사용하지 않고 제1 도전부(211) 및 제2 도전부(212) 위에 위치하여 전기적으로 연결될 수 있어 바람직하다. 벽(230)은 예를 들어 에폭시 수지나 실리콘 수지와 같은 절연성 물질을 사용하여 사출 성형을 통해 얻을 수 있다. 벽(230)은 제1 내측면(231), 제2 내측면(232) 및 하면(233)을 포함한다. 제1 내측면(231)은 하면(233)과 이어져 있다. 제2 내측면(232)은 제1 내측면(231)과 이어져 있다. 반사층(240)은 빛을 반사하는 효율이 높은 금속성 물질로 이루어진 것이 바람직하며 예를 들어 금속성 물질이 코팅, 도금 및 증착 등과 같은 방법으로 반사층(240)이 형성될 수 있다. 반사층(240)을 형성하는 금속성 물질에는 예를 들어 은(Au), 알루미늄(Al) 등이 있지만 비용 및 효율을 고려했을 때 알루미늄(Al)이 바람직하다. 다만 금속성 물질로 이루어진 반사층(240)이 제1 내측면(231)에도 형성되는 경우 쇼트 문제가 발생할 수 있기 때문에 반사층(240)은 제1 내측면(231)에는 형성되지 않고, 제2 내측면(232)에만 형성된다. 또한 반사층을 벽의 내측면에 증착이나 코팅할 때 제1 내측면에 반사층이 형성되지 않도록 하기 위해서 제1 내측면(231)이 벽의 하면(233)과 이루는 경사각(235)는 둔각인 것이 바람직하다. 또한 제2 내측면(232)이 벽의 하면(233)과 평행한 가상의 면(237)과 이루는 경사각(236)은 예각인 것이 반사층(240)에 의해 반사되어 나가는 광의 추출 효율을 높일 수 있어 바람직하다. 또한 도 4(b)와 같이 벽(240)과 기판(210) 사이에 절연성 접착층(250)이 개재될 수 있다. 도 4(a)에서는 절연성 접착층(250)을 도시하지 않았다. 절연성 접착층(250)은 절연성 접착제를 사용하여 기판(210)과 벽(240)을 접착하면서 형성되며, 이때 절연성 접착제의 일부가 제1 내측면(231)에 형성되어 금속성 반사층(240)에 의한 쇼트 위험성이 더 낮아질 수 있다. 또한 제1 내측면(231)과 제2 내측면(232)이 만나는 지점의 높이(238)는 쇼트 방지를 위해서 5um 이상이 바람직하지만 광추출 효율을 위해 반사층(240)이 형성되지 않은 제1 내측면(231)이 적어야 되는 점에서 50um 미만이 바람직하다. 또한 도시 하지는 않았지만 벽(230)의 상면(239)에도 반사층(240)이 형성될 수 있다. 본 개시는 제1 내측면(231)에 금속성 반사층(240)이 형성되지 않는 것이며, 필요에 따라 제1 내측면(231) 이외에 반사층이 형성되는 것을 배제하는 것은 아니기 때문이다. 또한 반도체 발광소자 칩(220)을 덮는 봉지재(260)를 포함할 수 있다. 봉지재(260)는 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 등으로 이루어질 수 있다. 필요에 따라 봉지재(260)는 파장 변환재를 포함할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 200 includes a substrate 210, a semiconductor light emitting device chip 220, a wall 230 formed on the substrate and surrounding the semiconductor light emitting device chip 220, and a reflective layer 240. The substrate 210 includes a first conductive portion 211, a second conductive portion 212 and an insulating portion 213 positioned between the first conductive portion 211 and the second conductive portion 212. The first and second conductive parts 211 and 212 may be formed of a metallic material such as aluminum (Al), copper (Cu), or the like. The first and second conductive parts 211 and 212 have a lead frame function in the semiconductor light emitting device described in FIG. 3 and are electrically connected to the outside. The insulating portion 213 is made of an electrically insulating material. A method for manufacturing the substrate 210 is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2012-0140454. The semiconductor light emitting device chip 220 includes a first electrode 221 and a second electrode 222, and may be a lateral chip, a flip chip, or a vertical chip. However, when the flip chip is used, the first electrode 221 and the second electrode 222 may be electrically connected to the first conductive portion 211 and the second conductive portion 212 without using wire bonding desirable. The wall 230 may be obtained by injection molding using an insulating material such as, for example, epoxy resin or silicone resin. The wall 230 includes a first inner side 231, a second inner side 232, and a bottom 233. The first inner side surface 231 is connected to the lower surface 233. The second inner side surface 232 is connected to the first inner side surface 231. The reflective layer 240 may be formed of a highly reflective metallic material. For example, the reflective layer 240 may be formed by coating, plating, or depositing a metallic material. For example, silver (Au), aluminum (Al) or the like may be used as the metallic material forming the reflective layer 240, but aluminum (Al) is preferable considering cost and efficiency. The reflective layer 240 may not be formed on the first inner side surface 231 but may be formed on the second inner side surface 231 because the reflective layer 240 is formed on the first inner side surface 231, 232 only. The inclination angle 235 formed between the first inner side surface 231 and the lower surface 233 of the wall is preferably obtuse in order to prevent the reflective layer from being formed on the first inner side surface when the reflective layer is deposited or coated on the inner surface of the wall Do. The inclination angle 236 formed between the second inner side surface 232 and the hypothetical surface 237 parallel to the lower surface 233 of the wall has an acute angle can increase the extraction efficiency of light reflected by the reflective layer 240 desirable. Also, an insulating adhesive layer 250 may be interposed between the wall 240 and the substrate 210 as shown in FIG. 4 (b). 4 (a), the insulating adhesive layer 250 is not shown. The insulating adhesive layer 250 is formed while adhering the substrate 210 and the wall 240 using an insulating adhesive agent so that a part of the insulating adhesive agent is formed on the first inner side surface 231, The risk may be lower. The height 238 of the point at which the first inner side surface 231 and the second inner side surface 232 meet is preferably 5 m or more in order to prevent a short circuit. However, for the light extraction efficiency, And less than 50 [mu] m is preferable in that the side surface 231 must be small. Also, although not shown, the reflective layer 240 may be formed on the upper surface 239 of the wall 230. This is because the metallic reflection layer 240 is not formed on the first inner side surface 231 and the reflective layer is formed in addition to the first inner side surface 231 if necessary. And may further include a sealing material 260 covering the semiconductor light emitting device chip 220. The sealing material 260 may be made of, for example, an epoxy resin, a silicone resin, or the like. If necessary, the sealing material 260 may include a wavelength converting material.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(300)는 내측면(331)이 원형인 벽(330)을 포함한다. 평면도에서 벽의 내측면(331)의 형상은 사각형, 원형 등 다양한 형상이 가능하다. 도 5에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(300)는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device 300 includes a wall 330 whose inner surface 331 is circular. The shape of the inner surface 331 of the wall in the plan view can be various shapes such as a square shape and a circular shape. Except as described in FIG. 5, the semiconductor light emitting device 300 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(400)는 벽(430)의 제1 내측면(431)이 벽(430)의 하면(433)과 이루는 경사각(434)이 예각이다. 제1 내측면(431)이 벽(430)의 하면(433)과 이루는 경사각(434)은 도 4와 같이 둔각이 바람직하지만 예각을 배제하는 것은 아니다. 도 6에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(400)는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device 400 has an acute angle 434 formed by the first inner side surface 431 of the wall 430 and the lower surface 433 of the wall 430. The inclined angle 434 between the first inner side surface 431 and the lower surface 433 of the wall 430 is preferably an obtuse angle as shown in FIG. 4, but does not exclude an acute angle. Except as described in FIG. 6, the semiconductor light emitting device 400 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(500)는 벽(530)의 제1 내측면(531)에 절연층(532)이 형성된다. 벽(530)이 절연성 물질로 형성되지만, 벽의 내측면에 반사층(533)이 형성되는 과정에서 제1 내측면(531) 일부에 반사층(533)이 형성될 수 있기 때문에 절연층(532)을 반사층(533) 형성 이후에 제1 내측면(531)에 절연층(532)을 별도로 형성하여 쇼트 위험성을 낮출 수 있다. 도 7에서 설명하는 것을 제외하고 반도체 발광소자(500)는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 실질적으로 동일하다.The semiconductor light emitting device 500 has the insulating layer 532 formed on the first inner side surface 531 of the wall 530. [ The reflective layer 533 may be formed on part of the first inner side surface 531 in the process of forming the reflective layer 533 on the inner surface of the wall. The insulating layer 532 may be separately formed on the first inner side surface 531 after the reflective layer 533 is formed to reduce the risk of short-circuiting. Except as described in FIG. 7, the semiconductor light emitting device 500 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG.

본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다. Various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판; 기판 위에 위치하여 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩; 기판 위에 위치하여, 반도체 발광소자 칩을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 내측면과 제1 내측면과 이어진 제2 내측면을 포함하는 벽; 그리고, 반사층;으로서, 제1 내측면에는 형성되지 않고 제2 내측면에만 형성된 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a substrate including a first conductive portion, a second conductive portion, and an insulating portion positioned between the first conductive portion and the second conductive portion; A semiconductor light emitting device chip disposed on the substrate and electrically connected to the substrate; A wall surrounding the semiconductor light emitting device chip, the wall surrounding the semiconductor light emitting device chip, the wall comprising a first inner side connected to a lower surface of the wall and a second inner side connected to the first inner side; And a reflective layer formed on the first inner side surface but not on the second inner side surface.

(2) 반사층은 금속성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting device according to (1), wherein the reflective layer is made of a metallic material.

(3) 제1 내측면이 벽의 하면과 이루는 경사각이 둔각인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein the inclination angle between the first inner side surface and the lower surface of the wall is an obtuse angle.

(4) 제2 내측면이 벽의 하면과 평행한 가상의 면과 이루는 경사각이 예각인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the inclined angle formed by the second inner side surface and the imaginary plane parallel to the lower surface of the wall is an acute angle.

(5) 제1 내측면에 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein an insulating layer is formed on the first inner side surface.

(6) 벽과 기판 사이에 절연성 접착층;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) A semiconductor light emitting device further comprising an insulating adhesive layer between the wall and the substrate.

(7) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 제1 전극이 제1 도전부 위에 위치하고 제2 전극이 제2 도전부 위에 위치하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) A semiconductor light emitting device chip comprising a first electrode and a second electrode, wherein a first electrode is positioned on the first conductive portion and a second electrode is disposed on the second conductive portion to be electrically connected to each other. device.

(8) 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) An encapsulant that covers the semiconductor light emitting device chip.

(9) 제1 내측면과 제2 내측면이 만나는 지점의 높이는 5um 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the height of the point where the first inner side surface and the second inner side surface meet is 5 m or more.

(10) 벽과 기판 사이에 절연성 접착층; 그리고, 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 추가로 포함하며, 제1 내측면과 벽의 하면이 이루는 경사각은 둔각이며, 제2 내측면과 벽의 하면과 평행한 가상의 면과 이루는 경사각은 예각이며, 제2 내측면에 형성된 반사층은 금속성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) an insulating adhesive layer between the wall and the substrate; The inclined angle formed by the first inner side surface and the lower surface of the wall is an obtuse angle and the inclined angle formed between the second inner side surface and the imaginary plane parallel to the lower surface of the wall is And the reflective layer formed on the second inner side surface is made of a metallic material.

본 개시에 따르면 반도체 발광소자 칩을 둘러싸고 있는 벽의 내측면에 광 반사 효율이 높은 금속성 물질로 이루어진 반사층을 형성하여도 쇼트 위험이 적은 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.According to the present disclosure, even when a reflective layer made of a metallic material having a high light reflection efficiency is formed on the inner surface of the wall surrounding the semiconductor light emitting device chip, a semiconductor light emitting device having a small risk of short-circuiting can be obtained.

반도체 발광소자 : 100, 200, 300, 400, 500
반도체 발광소자 칩 : 150, 220
벽 : 230, 330, 430, 530Semiconductor light emitting devices: 100, 200, 300, 400, 500
Semiconductor light emitting device chip: 150, 220
Walls: 230, 330, 430, 530

Claims (5)

반도체 발광소자에 있어서,
제1 도전부, 제2 도전부 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 위치하는 절연부를 포함하는 기판;
기판 위에 위치하여 기판과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자 칩;
기판 위에 위치하여, 반도체 발광소자 칩을 둘러싸고 있는 벽;으로서, 벽의 하면과 이어진 제1 내측면과 제1 내측면과 이어진 제2 내측면을 포함하는 벽; 그리고,
반사층;으로서, 제1 내측면에는 형성되지 않고 제2 내측면에만 형성된 반사층;을 포함하고,
벽은 절연성 물질로 이루어지고,
반사층이 형성되지 않은 벽의 제1 내측면이 벽의 제1 내측면과 이어진 벽의 하면과 이루는 경사각이 둔각인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A substrate including a first conductive portion, a second conductive portion, and an insulating portion positioned between the first conductive portion and the second conductive portion;
A semiconductor light emitting device chip disposed on the substrate and electrically connected to the substrate;
A wall surrounding the semiconductor light emitting device chip, the wall surrounding the semiconductor light emitting device chip, the wall comprising a first inner side connected to a lower surface of the wall and a second inner side connected to the first inner side; And,
And a reflective layer formed on the second inner side surface but not on the first inner side surface,
The wall is made of an insulating material,
Wherein the first inner side surface of the wall where the reflective layer is not formed is inclined at an obtuse angle with the first inner side surface of the wall and the lower surface of the wall. 청구항 1에 있어서,
반사층이 형성된 제2 내측면이 벽의 하면과 평행한 가상의 면과 이루는 경사각이 예각인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein a second inner side surface of the reflective layer is formed at an acute angle with an imaginary plane parallel to the lower surface of the wall. 청구항 1에 있어서,
제1 내측면에 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein an insulating layer is formed on the first inner side surface. 청구항 1에 있어서,
제1 내측면과 제2 내측면이 만나는 지점의 높이는 5um 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein a height of a point where the first inner side and the second inner side meet is 5 m or more. 청구항 1에 있어서,
벽과 기판 사이에 절연성 접착층; 그리고,
반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 추가로 포함하며,
제2 내측면에 형성된 반사층은 금속성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
An insulating adhesive layer between the wall and the substrate; And,
A sealing material covering the semiconductor light emitting device chip,
And the reflective layer formed on the second inner side is made of a metallic material.
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