Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20170049898A - 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크 - Google Patents

블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR20170049898A
KR20170049898A KR1020150150795A KR20150150795A KR20170049898A KR 20170049898 A KR20170049898 A KR 20170049898A KR 1020150150795 A KR1020150150795 A KR 1020150150795A KR 20150150795 A KR20150150795 A KR 20150150795A KR 20170049898 A KR20170049898 A KR 20170049898A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
shielding film
shielding layer
film
shielding
Prior art date
Application number
KR1020150150795A
Other languages
English (en)
Inventor
남기수
신철
이종화
양철규
최민기
김창준
전영조
Original Assignee
주식회사 에스앤에스텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스앤에스텍 filed Critical 주식회사 에스앤에스텍
Priority to KR1020150150795A priority Critical patent/KR20170049898A/ko
Publication of KR20170049898A publication Critical patent/KR20170049898A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G03F1/08—
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 금속 및 경원소의 조성 또는 조성비를 조절하여 차광성이 확보됨과 동시에 식각 속도가 증가되고, 두께가 박막화되며, 면저항 값이 최소화된 차광막을 포함하는 블랭크마스크 및 포토마스크를 제공할 수 있다.
이를 위해, 본 발명의 블랭크마스크는 투명 기판 상에 차광막이 구비되며, 상기 차광막은 순차적으로 적층된 제1차광층 및 제2차광층으로 이루어지고, 상기 제1차광층 및 제2차광층은 크롬(Cr) 및 몰리브데늄(Mo)을 포함하여 이루어진다.

Description

블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크 {Blankmask and Photomask using the same}
본 발명은 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 우수한 특성의 차광막을 구비하여 미세 패턴 구현이 가능한 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크에 관한 것이다.
오늘날 반도체 미세공정 기술은 대규모 집적회로의 고집적화에 수반하는 회로 패턴의 미세화 요구에 맞추어 매우 중요한 요소로 자리 잡고 있다. 이를 구현하기 위한 포토-리소그래피(Photo-lithography) 기술은 반도체 회로 패턴의 해상도(Resolution) 향상을 위하여 차광막을 이용한 바이너리 블랭크마스크(Binary Intensity Blankmask), 위상반전막 및 차광막을 이용한 위상반전 블랭크마스크(Phase Shifting Blankmask), 하드 필름과 차광막을 가지는 하드마스크용 바이너리 블랭크마스크(Hardmask Binary Blankmask), 하드마스크용 위상반전 블랭크(Hardmask on Phase shifting Blankmask) 마스크 등으로 발전하고 있다.
아울러, 상기 포토-리소그래피 기술은 미세 패턴 형성을 위하여 액침 노광 리소그래피(Immersion Lithography), 더블 패터닝 리소그래피(Double Patterning Lithography), 멀티 패터닝 리소그래피(Multi-patterning lithography) 기술 등으로 발전이 이루어지고 있다.
그러나, 반도체 디바이스의 제조 기술 발전에도 불구하고 블랭크마스크 및 포토마스크를 구성하는 박막의 물질, 예를 들어, 노광광에 대한 차광성을 확보하는 차광막의 원재료 물질은 지금까지 주로 크롬(Cr) 화합물이 사용되고 있다. 즉, 노광광으로 248㎚ 파장을 사용하는 KrF용 바이너리 블랭크마스크는 차광막으로 약 500Å ∼ 700Å의 두께를 갖는 크롬(Cr) 화합물을 사용하고 있다. 또한, 위상반전 블랭크마스크는 몰리브데늄실리사이드(MoSi) 화합물로 이루어진 위상반전막 상에 차광막으로 약 450Å ∼ 600Å의 두께를 갖는 크롬(Cr) 화합물을 사용하고 있다.
이와 같이, 상기 차광막이 크롬(Cr) 화합물로 형성되는 것은 크롬(Cr) 화합물이 노광광에 대한 차광성이 높고, 하부 투명 기판 또는 위상반전막과의 식각 선택비(Selectivity)가 우수하며, 습식 및 건식 식각(Etching)이 용이한 특성을 갖기 때문이다.
한편, 최근에는 고해상도(High resolution) 패턴 구현에 대한 요구가 점점 더 증가되고 있으며, 이를 해결하기 위한 방법으로 블랭크마스크의 차광막 상에 형성되는 레지스트막의 두께 박막화가 끊임없이 요구되고 있다. 이는, 레지스트막에 대한 전자빔 노광(e-beam Writing) 공정 시 발생하는 전자(Electron)의 산란(Scattering) 현상을 감소시켜 요구되는 임계 치수(Critical Dimension, CD) 구현을 가능하게 하기 위함이다.
상기 레지스트막의 두께 감소는 하부에 구비된 차광막의 식각 특성 향상이 선행되어야 가능하다. 즉, 차광막은 상부의 레지스트막 패턴을 식각마스크(Etch Mask)로 이용하여 식각된다. 그러나, 레지스트막 패턴은 그 주성분이 유기물로 구성되기 때문에 하부 차광막의 식각 물질에 식각 선택비(Selectivity)가 상대적으로 낮아 두께의 박막화에 한계가 있다. 따라서, 레지스트막의 두께 박막화를 위해서는 하부 차광막의 식각 속도를 증가시키거나 또는 두께를 박막화하는 방법이 고려되고 있다.
상기 방법들 중, 차광막의 식각 속도 증가는 크롬(Cr)에 산소(O), 질소(N) 중 적어도 하나를 다량으로 포함시키는 방법으로 구현할 수 있다. 그러나, 상기 산소(O), 질소(N) 중 어느 하나의 함유량 증가는 광학 밀도, 면저항, 두께 등과 같이 상기 차광막에 요구되는 기본적인 특성을 모두 만족시키기 어렵다. 즉, 상기 산소(O), 질소(N) 중 적어도 하나의 함유량을 증가시키는 경우, 차광막의 표면 면저항이 증가하고, 광학밀도(Optical Density)가 낮아지게 되어 노광 공정 시 전자 챠지업(Charge up) 현상 및 이미지 콘트라스트(Image Contrast)가 저하되는 문제점이 발생한다. 이를 개선하기 위하여 차광막의 두께를 증가시킬 수 있으나, 차광막의 두께 증가는 패턴의 종횡비(Aspect Ratio)를 증가시킴에 따라 차광막 패턴 형성 공정에서 패턴 무너짐(Pattern Collapse)과 같은 문제를 유발한다.
이에 따라, 크롬(Cr) 화합물로 이루어진 차광막 대비 차광성이 높고, 식각 속도가 빠른 새로운 차광막 물질 개발이 필요하다.
본 발명은 차광성이 확보됨과 동시에 식각 속도가 증가되고, 두께가 박막화되며, 면저항 값이 최소화된 차광막을 구비한 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공한다.
본 발명은 레지스트막의 박막화가 가능하여 고해상도 미세 패턴 형성이 가능한 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제공한다.
본 발명에 따른 블랭크 마스크는, 투명 기판 상에 차광막이 구비고, 상기 차광막은 순차적으로 적층된 제1차광층 및 제2차광층으로 이루어지며, 상기 제1차광층 및 제2차광층은 크롬(Cr) 및 몰리브데늄(Mo)을 포함하여 이루어진다.
상기 차광막은 436nm 또는 365nm 파장의 노광광을 이용하는 전사 공정에 사용되는 경우 600Å ∼ 1,500Å의 두께를 갖고, 248nm 파장의 노광광을 이용하는 전사 공정에 사용되는 경우 400Å ∼ 1,000Å의 두께를 가지며, 193nm 파장의 노광광을 이용하는 전사 공정에 사용되는 경우 300Å ∼ 800Å의 두께를 갖는다.
상기 차광막은 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟을 포함하는 스퍼터링 공정으로 형성된다.
본 발명은 금속 및 경원소의 조성 또는 조성비를 조절하여 차광성이 확보됨과 동시에 식각 속도가 증가되고, 두께가 박막화되며, 면저항 값이 최소화된 차광막을 포함하는 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제공할 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 차광막의 식각 속도 증가로 레지스트막의 박막화가 가능하여 고해상도 미세 패턴 형성이 가능한 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 블랭크마스크를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 블랭크마스크를 도시한 단면도.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 블랭크 마스크(100)는 투명 기판(102), 투명 기판(102) 상에 구비된 차광막(104) 및 레지스트막(106)을 포함하는 바이너리 블랭크마스크 구조를 갖는다.
투명 기판(102)은 노광 파장에 대하여 90% 이상의 투과율을 가지는 석영유리, 합성석영유리, 불소 도핑 석영유리, 판 유리 등을 이용할 수 있으며, 투명 기판(102)은 6inch x 6inch x 0.25inch (6025inch), 5inch x 5inch x 0.09inch (5009inch)등 다양한 크기를 가질 수 있다. 투명 기판(102)은 특정 리소그래피 기술, 예를 들어, 액침 노광 리소그래피(Immersion Lithography)에 적용하는 경우, 복굴절률(Birefringence)이 5nm/cm 이하, 바람직하게는 2nm/cm 이하로 제어된다. 투명 기판(102)은 평탄도를 TIR(Total indicated reading)로 정의할 때, 그 값이 142mm2 영역 내에서 3㎛ 이하, 바람직하게는 1㎛, 더욱 바람직하게, 0.5㎛ 이하로 제어된다.
차광막(104)은 차광성을 향상시키기 위하여 소멸계수(k)가 높은 구성 물질을 사용하고, 식각 속도를 향상시키기 위하여 건식 식각 시 사용되는 식각 가스에 대한 끊는점(B.P)이 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
이를 위해, 차광막(104)은 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟을 이용한 스퍼터링 공정을 이용하여 형성되며, 몰리브데늄크롬(MoCr) 또는 이에 질소(N), 산소(O), 탄소(C) 중 하나를 포함하는 MoCrN, MoCrO, MoCrC, MoCrNO, MoCrCN, MoCrCO, MoCrCON 중 하나의 몰리브데늄크롬(MoCr) 화합물로 이루어진다. 차광막(104)은 물리적, 화학적, 광학적 특성을 향상시키기 위하여 탄탈(Ta), 바나듐(V), 코발트(Co), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 텅스텐(W) 중 1 종 이상의 금속 물질, 붕소(B), 불소(F), 수소(H) 중 하나 이상의 경원소를 더 포함할 수 있다. 또한, 차광막(104)은 스트레스(Stress)를 저감하기 위하여 수소(H), 붕소(B) 등의 추가적인 경원소를 더 포함할 수 있다. 상기 스퍼터링 공정은 매엽식 타입 또는 인라인(In-line) 타입의 스퍼터링 장치를 이용할 수 있다.
차광막(104) 형성을 위한 스퍼터링 타겟(Target)은 원형의 형태 또는 사각형 또는 직사각형의 형태 등의 모양을 가지며, 상기 타겟이 몰리브데늄(Mo) 및 크롬(Cr)의 2성분계 단일 타겟으로 이루어지는 경우, Mo : Cr = 2at% : 98at% ∼ 30at% : 70 at%인 조성비를 갖는다. 또한, 차광막(104)은 몰리브데늄(Mo), 크롬(Cr), 몰리브데늄크롬(MoCr) 중 선택되는 2종 이상의 타겟을 사용하는 코-스퍼터링(Co-sputter) 설비를 이용하여 형성할 수 있다.
차광막(104)은 몰리브데늄(Mo)이 1at% ∼ 30at%, 바람직하게, 3at% ∼ 20at%, 크롬(Cr)이 10at% ∼ 80at%, 바람직하게, 20at% ∼ 70at%, 질소(N)가 0 ∼ 50at%, 바람직하게, 40at% 이하, 산소(O) 가 0 ∼ 60at%, 바람직하게, 40at% 이하, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%, 바람직하게, 20at% 이하인 조성비를 갖는다.
차광막(104)은 몰리브데늄(Mo)이 크롬(Cr) 대비 높은 소멸 계수(k) 값을 갖고, 건식 식각 시 클로린(Cl) 가스에 대한 끊는점이 상대적으로 낮기 때문에 몰리브데늄(Mo)의 함유량이 높을 경우, 단위 두께당 광학 밀도(Optical Density, OD)가 증가하여 차광막을 박막화할 수 있으며, 기존 크롬(Cr) 화합물로 이루어진 차광막에 대비하여 식각 속도를 현저하게 증가시킬 수 있다. 그러나, 차광막(104)의 몰리브데늄(Mo) 함유량이 30at%를 초과하는 경우, 포토마스크 제조 시 사용되는 황산, 암모니아수 등의 세정액(Cleaning Chemical)에 대한 내화학성이 나빠지게 되며, 이에 따라, 차광막(104)은 몰리브데늄(Mo) 함유량을 30at% 이하로 포함하는 것이 바람직하다.
차광막(104)은 436nm 파장의 g-line, 365nm 파장의 i-line, 248nm 파장의 KrF, 또는, 193nm 파장의 ArF 노광광 각각에 대하여 2.5 ∼ 5.0의 광학 밀도를 가지며, 이를 위한, 차광막(104)은 400Å ∼ 1,500Å의 두께를 갖는다. 자세하게, 차광막(104)은 436nm 또는 365nm 파장의 노광광을 이용하는 전사 공정에 사용되는 경우 600Å ∼ 1,500Å의 두께를 갖는다. 또한, 차광막(104)은 248nm 파장의 노광광을 이용하는 경우 400Å ∼ 1,000Å의 두께를 가지며, 193nm 파장의 노광광을 이용하는 경우 300Å ∼ 800Å의 두께를 갖는다.
차광막(104)은 몰리브데늄(Mo)을 포함하는 몰리브데늄크롬(MoCr) 또는 이의 화합물로 형성됨에 따라 종래 크롬(Cr) 화합물로 구성되는 차광막에 차광성과 식각 속도가 현저히 증가된다. 즉, 차광막(104)은 식각 물질에 대하여 1.5Å/sec ∼ 3.5Å/sec의 식각 속도를 가지며, 바람직하게, 1.8Å/sec ∼ 2.5Å/sec의 식각 속도를 갖는다.
차광막(104)은 조성비가 일정한 단일막 형태, 스퍼터링 조건(공정 파워, 압력, 가스의 종류 및 유량 등) 제어를 통하여 조성비가 깊이 방향(Depth Profile)으로 단계적 또는 연속적으로 변하는 연속막 형태의 단층막으로 형성할 수 있다. 또한, 차광막(104)은 조성비가 일정한 단일막이 2층 이상 적층된 형태, 조성비가 상이한 하나 이상의 단일막들이 적어도 각 1층 이상 적층된 다층막의 형태로 형성할 수 있으며, 상술한 형태들이 조합된 다양한 구성으로 형성할 수 있다.
차광막(104)이, 예를 들어, 제1차광층(108) 및 제2차광층(110)이 적층된 2층의 구조의 다층막으로 형성되며, 제1차광층(108) 및 제2차광층(110)은 요구되는 광학적 특성에 따라 다양하게 설계될 수 있다.
예를 들어, 차광막(104)은 노광 파장에 대한 광학 밀도를 2.5 ∼ 5.0 이하의 범위 중 어느 특정 값에 고정시키고, 표면 반사율을 감소시키기 위하여 차광막(104)의 설계 시, 제1차광층(108)을 제2차광층(110) 대비 단위 두께당 광학 밀도가 높도록 설계하여 형성할 수 있다.
즉, 제1차광층(108)은 몰리브데늄크롬(MoCr)에 적어도 질소(N)를 포함하여 형성하고, 제2차광층(110)은 적어도 질소(N)를 포함하고 경우에 따라 산소(O)를 더 포함하도록 형성하여 구성할 수 있다. 이때, 제2차광층(110)이 질소(N)만으로 표면 반사율을 저감하기 위해서는 질소(N)의 함유량이 상대적으로 제1차광층(108) 대비 높도록 구성한다. 또한, 제2차광층(108)이 질소(N) 와 산소(O)를 모두 포함하는 경우, 표면 반사율을 저감하기 위해 산소(O)을 함유량은 60at% 이하로 구성한다. 이를 통해 제조된 차광막(104)은 표면에서의 반사율이 노광 파장에 대하여 40% 이하, 바람직하게 30% 이하, 더욱 바람직하게 25% 이하로 제어가 가능하다.
여기서, 차광막(104)이 식각 속도 향상을 위하여 차광층에 포함되는 산소(O)의 함유량을 60at% 이상이 되도록 형성하는 경우, 반사율 제어가 용이하나, 이는 차광막(104) 전체의 광학 밀도를 감소시켜 차광막(104) 두께 증가의 요인으로 작용한다. 그러나, 차광막의 두께 증가는 패턴 형성 시 종횡비(Aspect Ratio) 증가의 원인이 되어, 최종적으로 패턴의 무너짐(Pattern Collapse)과 같은 현상을 발생시키게 된다. 자세하게, 블랭크 마스크로 제조되는 포토마스크를 이용한 노광 공정에서는 광학 근접 보정(Optical Proximity Correction; OPC) 기술이 적용됨에 따라 실제 웨이퍼(Wafer)에 전사되지는 않지만 광학 근접 보정을 위하여 포토마스크 상에 어시스트 바(Assist Bar)와 같은 미세 패턴이 형성된다. 이러한 상기 패턴에는 약 700Å, 600Å, 500Å 이하의 독립 패턴 (Iso-line)이 포함되며, 상기 독립 패턴은 메인 패턴에 대비하여 사이즈가 작기 때문에 차광막(104)의 두께가 증가될 경우 상대적으로 패턴의 종횡비가 높아져 패턴 무너짐과 같은 문제가 발생한다. 따라서, 패턴 종횡비는 3.0(두께/패턴 사이즈) 이하로 제어하는 것이 바람직하며, 이를 위해, 산소(O)의 함유량을 60at% 이하로 제어하여 차광막(104)의 두께를 박막화가 하는 것이 바람직하다.
한편, 차광막(104)은 레지스트막(106)의 두께 박막화를 위하여 차광막(104)의 식각 속도를 증가시키도록 설계하여 차광막(104)을 구성할 수 있다.
자세하게, 차광막(104)의 식각 속도를 증가시키기 위한 방법으로 제1차광층(108) 및 제2차광층(110) 중 적어도 하나가 산소(O)를 포함하도록, 예를 들어, MoCrO, MoCrCO, MoCrNO, MoCrCON 중 하나 이상으로 구성하며, 이는, 식각 시 차광층의 산소(O) 함유량이 높을수록 식각 속도가 증가되기 때문이다. 여기서, 차광막(104)의 식각 속도 및 전체 식각 시간은 차광막(104)의 두께에 의해 영향을 받음에 따라, 산소(O)를 포함하는 하나의 차광층은 차광막 전체 두께의 50% ∼ 99%로 구성하는 것이 바람직하며, 이를 통해, 전체 차광막(104)의 식각 속도를 현저하게 증가시킬 수 있다.
그러나, 높은 산소(O) 함유량을 갖는 차광층은 동일 두께의 다른 차광층에 대비하여 차광막(104)의 광학 밀도를 낮게 하고, 면저항을 증가시키기는 요인으로 작용한다. 이에 따라, 하나의 차광층, 예를 들어, 제1차광층(108)이 산소(O)을 포함하여 전체 차광막(104) 두께의 90%로 형성되는 경우, 제2차광층(110)은 산소(O) 함유량이 상대적으로 제1차광층(108) 대비 낮도록 설계하거나 산소(O)가 미포함되도록 구성한다. 이를 통해, 제2차광층(110)은 단위 두께당 광학 밀도가 상대적으로 제1차광층(108)에 대비하여 높도록 형성함으로써 부족한 차광막(104)의 광학 밀도를 보충하고, 전체 차광막(104)의 두께를 박막화하고 식각 속도를 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 제1차광층(108) 및 제2차광층(110)을 모두 MoCrON으로 구성하는 경우, 제2차광층(110)을 제1차광층(108)에 대비하여 산소(O)의 함유량이 낮도록 형성함으로써 차광막(104)의 광학 밀도를 제어하고, 식각 속도를 증가시킬 수 있다. 아울러, 상술한 구조와 반대 구조, 예를 들어, 제2차광층(110)이 기판과 인접하여 형성되고, 제1차광층(108)이 제2차광층(110) 상에 형성되는 구조로 차광막(104)을 구성해도 광학 밀도 및 식각 속도에 따른 효과는 동일하다. 여기서, 차광막(104)이 2층을 초과하는 다층으로 구성되는 경우, 산소(O)를 포함하는 층들은 전체 두께의 50% ∼ 99%로 구성된다.
차광막(104)은 성막 이후 세정 공정에 사용되는 화학약품 및 스트레스(Stress)를 향상시키기 위하여 핫 플레이트(Hot-plate), 급속 진공 열처리 장치(Vacuum Rapid thermal Process), 플라즈마(Plasma) 표면 처리, 램프(Lamp) 처리등과 같은 표면 처리를 진행할 수 있다.
여기서, 도시하지는 않았지만, 블랭크 마스크(100)는 차광막(104) 상에 구비된 반사방지막을 더 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 블랭크 마스크(200)는 투명 기판(102) 및 투명 기판(102) 상에 순차적으로 적층된 차광막(104), 하드 필름(112) 및 레지스트막(106)을 포함한다. 여기서, 차광막(104)은 상술한 본 발명의 제1실시예와 동일한 광학적, 화학적, 물리적 특성을 가지며, 동일한 물질 및 제조 방법으로 형성된다.
하드 필름(112)은 차광막(104)에 대하여 적어도 10 이상의 식각 선택비를 가지는 물질로 형성된다. 하드 필름(112)은 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 바나듐(V), 코발트(Co), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 텅스텐(W), 주석(Sn), 실리콘(Si) 중 1 종 이상의 물질을 포함하여 이루어지거나, 또는, 상기 물질에 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1 종 이상의 물질을 더 포함하여 이루어지며, 예를 들어, 산화질화탄탈(TaON) 등으로 이루어질 수 있다.
하드 필름(112)은 10Å ∼ 100Å의 두께를 가지며, 바람직하게, 20Å ∼ 60Å의 두께를 갖는다.
하드 필름(112)이 차광막(104)과 식각 선택비가 낮은 물질, 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함하는 화합물 등으로 이루어지는 경우, 도시하지는 않았지만, 하드 필름(112)과 차광막(104) 사이에 식각저지막을 형성할 수 있다. 상기 식각저지막은 차광막(104) 및 하드 필름(112)과 10 이상의 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진다.
하드 필름(116)이, 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함하는 화합물로 이루어지는 경우, 하드 필름(116)과 레지스트막(108) 사이의 접착력이 낮을 수 있음에 따라 접착력 향상을 위하여 하드 필름(116)의 상부 표면은 표면 개질 또는 표면 처리 중 하나 이상이 적용되어 처리될 수 있다.
하드 필름(112)의 표면 개질은 산소(O), 질소(N), 수소(H), 탄소(C), 불소(F) 중 하나 이상의 가스를 이용한 열처리 또는 플라즈마 처리를 통한 방법으로 수행된다. 상기 열처리 및 플라즈마 처리는 진공 급속 열처리 장치(Vaccum Rapid Thermal Treatment)를 이용한 방법 및 상압 플라즈마를 이용한 방법을 포함하여 그 처리에 제한이 없다.
또한, 상기 표면 처리는 실리콘을 포함한 고분자화합물을 도포하여 수행할 수 있다. 상기 실리콘을 포함한 고분자화합물은 Hexamethyldisilane, Trimethylsilyldiethyl-amine, O-trimethylsilylacetate, O-trimethylsilyl-proprionate, O-trimethylsilylbutyrate, Trimethylsilyl-trifluoroacetate, Trimethylmethoxysilane, N-methyl-Ntrimethylsilyltrifluoroacetate, O-trimethylsilyacetylacetone, Isopropenoxy-trimethylsilane, Trimethylsilyl-trifluoroacetamide, Methyltrimethyl-Silyldimethylketoneacetate, Trimethyl -ethoxysilane 중 하나 이상일 수 있다.
아울러, 레지스트막(106)과 인접한 하부 박막 상에는 선택적으로 레지스트막(106)의 현상액(Developer)에 용해되는 유기물로 이루어진 박막을 형성할 수 있다. 상기 유기물의 박막은 레지스트막(106)이 화학증폭형 레지스트막인 경우, 증폭 작용제인 강산(H+) 중화를 억제하고 하드 필름(112)과 레지스트막(106) 사이의 접착력(Adhesion)을 우수하게 하기 위하여 사용된다. 이를 통해 강산(H+)의 중화에 의해 발생하는 레지스트막(106)의 잔류 찌꺼기(Scum)이 남지 않도록 할 수 있다. 상기 유기물의 박막은 10Å ∼ 500Å의 두께로 하여, 스핀 코팅(Spin Coating) 방법을 이용하여 형성된다.
아울러, 본 발명의 차광막을 형성하기 위한 몰리브데늄크롬(MoCr)의 화합물은 반도체 뿐만 아니라, TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diod), PDP(Plasma Display Panel) 등을 포함하는 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display) 디바이스를 제조하기 위한 블랭크마스크의 차광막을 형성하는데 사용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 블랭크마스크를 상세히 설명하도록 한다.
(실시예)
실시예 1-1 : i- line용 차광막이 구비된 블랭크마스크의 제조
도 1을 참조하여, 본 실시예 1-1은 365nm 파장의 노광광을 이용하는 i-line 용 차광막이 구비된 바이너리 블랭크마스크의 제조 및 평가에 대한 구체적인 나타낸다.
본 발명의 실시예 1-1에 따른 블랭크마스크(100)는 다수의 챔버(Chamber)를갖는 인라인 타입(In-line Type)의 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 장치를 이용하여 차광막(104)을 성막하였다.
먼저, 평탄도가 1㎛ 이하로 제어된 합성 석영유리 투명 기판(102)를 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟(Mo : Cr = 10at% : 90at%)이 장착된 제1챔버에 투입한 후, 공정 가스로 Ar : N2 : CH4 = 80sccm : 9.4sccm : 0.85 sccm 주입하고, 공정 파워를 1.4kW로 인가하여 650Å 두께의 MoCrCN으로 이루어진 제1차광층(108)을 성막하였다. 이어서, 투명 기판(102)을 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟(Mo : Cr = 10at% : 90at%)이 장착된 제2챔버에 투입한 후, 공정 가스로 Ar : N2 : CO2 = 20sccm : 80sccm : 2.4sccm 주입하고, 공정 파워를 1.4kW로 인가하여 제차광층(108) 상에 300Å 두께의 MoCrCON으로 이루어진 제2차광층(108)을 성막하여 950Å의 두께를 갖는 차광막(104)의 형성을 완료하였다.
차광막(104)은 UV-VIS Spectrometer 설비를 이용하여 투과율 및 반사율을 측정한 결과, 365㎚ 파장에서 투과율이 0.03%를 나타내어 광학밀도(O.D)로 계산할 시 3.52을 나타내었으며, 반사율이 14%를 나타내어 차광막으로서의 광학 특성이 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 차광막(104)은 Ultra-flat 설비를 이용하여 박막 스트레스를 측정한 결과, 투명 기판(102)의 평탄도(TIR)와 비교하여 76nm의 변화를 나타내어 스트레스 결과가 우수함을 확인할 수 있었다.
아울러, 차광막(104)은 Auger 분석 설비를 이용하여 조성비를 분석한 결과, 제1차광층(108)은 크롬(Cr)이 56at%, 몰리브데늄(Mo)이 8at%, 질소(N)가 28at%, 탄소(C)가 8at%인 조성비를 나타내었으며, 제2차광층(110)에서 크롬(Cr)이 38at%, 몰리브데늄(Mo)이 6at%, 질소(N)가 32at%, 탄소(C)가 15at%, 산소(O)가 9at%인 조성비를 나타내었다.
이후, 차광막(104) 상에 i-line용 포지티브(Positive) 레지스트인 iP3500을 3,600Å의 두께로 스핀 코팅(Spin Coating)으로 레지스트막(106)을 형성하여 블랭크마스크 제조를 완료하였다.
실시예 1-2 : KrF용 차광막이 구비된 블랭크마스크 제조
도 1을 참조하여, 본 실시예 1-2는 248nm 파장의 노광광을 이용하는 KrF용 차광막이 구비된 바이너리 블랭크마스크의 제조 및 평가에 대한 구체적인 나타낸다.
본 발명의 실시예 1-2에 따른 블랭크마스크(100)는 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟(Mo : Cr = 10at% : 90at%)이 장착된 매엽식 타입의 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 장치에 평탄도가 0.5㎛ 이하로 제어된 합성 석영유리 투명 기판(102)을 투입한다.
이어서, 공정 가스로 Ar : N2 : CH4 = 5sccm : 5sccm : 0.8 sccm 주입하고, 공정 파워를 1.4kW로 인가하여 470Å 두께의 MoCrCN으로 이루어진 제1차광층(108)을 성막하고, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 3sccm : 10sccm : 4.5sccm 주입하고, 공정 파워를 0.6kW로 인가하여 제차광층(108) 상에 120Å 두께의 MoCrON으로 이루어진 제2차광층(108)을 성막하여 590Å의 두께를 갖는 차광막(104)의 형성을 완료하였다.
차광막(104)은 투과율 및 반사율을 측정한 결과, 248㎚ 파장에서 투과율이 0.08%를 나타내어 광학밀도(O.D)로 계산할 시 3.1을 나타내었으며, 반사율이 16%를 나타내어 차광막으로서의 광학 특성이 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 차광막(104)은 박막 스트레스를 측정한 결과, 투명 기판(102)의 평탄도(TIR)와 비교하여 53nm의 변화를 나타내어 스트레스 결과가 우수함을 확인할 수 있었다.
아울러, 차광막(104)은 조성비를 분석한 결과, 제1차광층(108)은 크롬(Cr)이 60at%, 몰리브데늄(Mo)이 8at%, 질소(N)가 21at%, 탄소(C)가 11at%인 조성비를 나타내었으며, 제2차광층(110)에서 크롬(Cr)이 50at%, 몰리브데늄(Mo)이 6at%, 질소(N)가 29at%, 산소(O)가 15at%인 조성비를 나타내었다.
이후, 차광막(104)에 대하여 350˚의 온도에서 30분 동안 진공 RTP(Rapid Thermal Process)를 실시하고, 투과율 및 반사율을 측정한 결과, 차광막(104)은 248㎚ 파장에서 투과율이 0.085%를 나타내어 광학밀도를 계산할 시 3.07을 나타내었으며, 반사율이 15.5%를 나타내어 광학 특성이 우수함을 확인할 수 있었다.
이어서, 차광막(104) 상에 포지티브 화학증폭형 레지스트인 FEP-171을 2,000Å의 두께로 코팅하여 최종 블랭크마스크 제조를 완료하였다.
실시예 1-3 : ArF용 차광막이 구비된 블랭크마스크 제조
도 1을 참조하여, 본 실시예 1-3은 193nm 파장의 노광광을 이용하는 ArF용 차광막이 구비된 바이너리 블랭크마스크의 제조 및 평가에 대한 구체적인 나타낸다.
본 발명의 실시예 1-3에 따른 블랭크마스크(100)는 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟(Mo : Cr = 10at% : 90at%)이 장착된 매엽식 타입의 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 장치에 평탄도가 0.5㎛ 이하로 제어된 합성 석영유리 투명 기판(102)을 투입한다.
이어서, 공정 가스로 Ar : N2 = 5sccm : 3sccm 주입하고, 공정 파워를 1.4kW로 인가하여 430Å 두께의 MoCrN으로 이루어진 제1차광층(108)을 성막하고, 공정 가스로 Ar : N2 : NO = 3sccm : 8sccm : 4sccm 주입하고, 공정 파워를 0.6kW로 인가하여 제차광층(108) 상에 100Å 두께의 MoCrON으로 이루어진 제2차광층(108)을 성막하여 530Å의 두께를 갖는 차광막(104)의 형성을 완료하였다.
차광막(104)은 투과율 및 반사율을 측정한 결과, 193㎚ 파장에서 투과율이 0.1%를 나타내어 광학밀도(O.D)로 계산할 시 3.0을 나타내었으며, 반사율이 22%를 나타내어 차광막으로서의 광학 특성이 우수함을 확인할 수 있었다.
또한, 차광막(104)은 박막 스트레스를 측정한 결과, 투명 기판(102)의 평탄도(TIR)와 비교하여 48nm의 변화를 나타내어 스트레스 결과가 우수함을 확인할 수 있었다.
아울러, 차광막(104)은 조성비를 분석한 결과, 제1차광층(108)은 크롬(Cr)이 63at%, 몰리브데늄(Mo)이 9at%, 질소(N)가 28at%인 조성비를 나타내었으며, 제2차광층(110)에서 크롬(Cr)이 50at%, 몰리브데늄(Mo)이 6at%, 질소(N)가 32at%, 산소(O)가 12at%인 조성비를 나타내었다.
이후, 차광막(104)에 대하여 350˚의 온도에서 30분 동안 진공 RTP를 실시하고, 차광막(104) 상에 유기물의 박막을 50Å의 두께로 코팅한 후, 화학증폭형 레지스트인 FEP-171을 1,500Å의 두께로 코팅하여 최종 블랭크마스크 제조를 완료하였다.
실시예 1-4 : 식각 속도가 빠른 ArF용 차광막이 구비된 블랭크마스크 제조
도 1을 참조하여, 본 실시예 1-4는 식각 속도가 빠른 ArF용 차광막이 구비된 바이너리 블랭크마스크의 제조 및 평가에 대한 구체적인 나타낸다.
본 발명의 실시예 1-4에 따른 블랭크마스크(100)는 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟(Mo : Cr = 10at% : 90at%)이 장착된 매엽식 타입의 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 장치에 평탄도가 0.5㎛ 이하로 제어된 합성 석영유리 투명 기판(102)을 투입한다.
이어서, 공정 가스로 Ar : N2 : CO2 = 3sccm : 8sccm : 5sccm 주입하고, 공정 파워를 0.75kW로 인가하여 550Å 두께의 MoCrCON으로 이루어진 제1차광층(108)을 성막하고, 공정 가스로 Ar : N2 = 5sccm : 5sccm 주입하고, 공정 파워를 1.0kW로 인가하여 제1차광층(108) 상에 50Å 두께의 MoCrN으로 이루어진 제2차광층(108)을 성막하여 600Å의 두께를 갖는 차광막(104)의 형성을 완료하였다.
차광막(104)은 투과율 및 반사율을 측정한 결과, 193㎚ 파장에서 투과율이 0.11%를 나타내어 광학밀도(O.D)로 계산할 시 2.96을 나타내었으며, 반사율이 33.5%를 나타내어 차광막으로서의 광학 특성이 우수함을 확인할 수 있었다.
이후, 차광막(104)에 대하여 350˚의 온도에서 30분 동안 진공 RTP를 실시하고, 차광막(104) 상에 유기물의 박막을 50Å의 두께로 코팅한 후, 화학증폭형 레지스트인 XFP-355를 1,000Å의 두께로 코팅하여 최종 블랭크마스크 제조를 완료하였다.
차광막(104)은 ICP 타입의 건식 식각(Dry etcher) 장비인 TETRA 설비를 이용하고, 공정 조건으로 클로린(Cl) 가스를 주입하며, EPD(End Point Detection)를 이용하여 식각 속도를 측정한 결과, 1.83Å/sec의 식각 속도를 나타내어, 후술되는 비교예의 크롬(Cr) 화합물로 이루어진 차광막 대비 약 2배 이상의 빠른 우수한 식각 속도를 나타내었다.
비교예 : 크롬( Cr ) 화합물로 형성된 ArF용 차광막이 구비된 블랭크마스크 제조
비교예는 크롬(Cr) 화합물로 형성된 ArF용 차광막이 구비된 바이너리 블랭크마스크의 제조 및 평가에 대한 구체적인 나타낸다.
비교예에 따른 블랭크마스크는 크롬(Cr) 타겟이 장착된 매엽식 타입의 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링 장치에 평탄도가 0.5㎛ 이하로 제어된 합성 석영유리 투명 기판(102)을 투입한다.
이어서, 공정 가스로 Ar : N2 : CO2 = 3sccm : 8sccm : 5sccm 주입하고, 공정 파워를 0.75kW로 인가하여 630Å 두께의 CrCON으로 이루어진 제1차광층을 성막하고, 공정 가스로 Ar : N2 = 5sccm : 5sccm 주입하고, 공정 파워를 1.0kW로 인가하여 제1차광층 상에 50Å 두께의 CrN으로 이루어진 제2차광층을 성막하여 680Å의 두께를 갖는 차광막의 형성을 완료하였다.
이때, 차광막의 두께는 상술한 본 발명의 실시예 1-4의 MoCr 화합물로 이루어진 차광막의 두께와 비교하여 두꺼워짐을 확인할 수 있었다.
차광막(104)은 투과율 및 반사율을 측정한 결과, 193㎚ 파장에서 투과율이 0.12%를 나타내어 광학밀도(O.D)로 계산할 시 2.92을 나타내었으며, 반사율이 31.5%를 나타내어 본 발명의 실시예 1-4와 비교하여 나쁜 결과를 가졌다.
이후, 차광막에 대하여 350˚의 온도에서 30분 동안 진공 RTP를 실시하고, 차광막 상에 유기물의 박막을 50Å의 두께로 코팅한 후, 화학증폭형 레지스트인 XFP-355를 2,000Å의 두께로 코팅하여 최종 블랭크마스크 제조를 완료하였다.
차광막의 식각 속도를 측정한 결과, 0.92Å/sec의 식각 속도를 나타내어 상술한 본 발명의 실시예 1-4의 MoCr 화합물로 이루어진 차광막 대비 식각 속도가 늦음을 확인할 수 있었다.
이상, 본 발명을 가장 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 당업자에게 명백하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.
100 : 블랭크마스크
102 : 투명 기판
104 : 차광막
106 : 레지스트막
108 : 제1차광층
110 : 제2차광층
112 : 하드 필름

Claims (20)

  1. 투명 기판 상에 차광막이 구비된 블랭크 마스크에 있어서,
    상기 차광막은 순차적으로 적층된 제1차광층 및 제2차광층으로 이루어지며,
    상기 제1차광층 및 제2차광층은 크롬(Cr) 및 몰리브데늄(Mo)을 포함하여 이루어진 블랭크 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1차광층 및 제2차광층은 크롬(Cr) 및 몰리브데늄(Mo)에 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 불소(F), 수소(H) 중 1 종 이상의 물질을 포함한 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1차광층 및 제2차광층은 몰리브데늄(Mo)이 1at% ∼ 30at%, 크롬(Cr)이 10at% ∼ 80at%, 질소(N)가 0 ∼ 50at%, 산소(O) 가 0 ∼ 60at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%인 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 436nm 파장의 g-line, 365nm 파장의 i-line, 248nm 파장의 KrF, 193nm 파장의 ArF 노광광 각각에 대하여 2.5 ∼ 5.0의 광학 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 436nm 또는 365nm 파장의 노광광을 이용하는 전사 공정에 사용되는 경우 600Å ∼ 1,500Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 248nm 파장의 노광광을 이용하는 전사 공정에 사용되는 경우 400Å ∼ 1,000Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 193nm 파장의 노광광을 이용하는 전사 공정에 사용되는 경우 300Å ∼ 800Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1차광층은 제2차광층에 비하여 단위 두께(Å)당 노광 파장에서의 광학 밀도가 높은 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1차광층은 질소(N)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2차광층은 질소(N) 또는 산소(O) 중 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2차광층은 제1차광층보다 질소(N)의 함유량이 높은 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 차광막은 40% 이하의 표면 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1차광층 및 제2차광층 중 하나의 차광층은 산소(O)를 포함하며, 산소(O)를 포함하는 차광층은 차광막 전체 두께의 50% ∼ 99%에 해당하는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막 1.5Å/sec ∼ 3.5Å/sec의 식각 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막 상에 구비된 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막 상에 구비된 하드 필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 하드 필름은 10Å ∼ 100Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 하드 필름은 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 바나듐(V), 코발트(Co), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 텅스텐(W) 중 1 종 이상의 금속 물질을 포함하여 이루어지거나, 또는, 상기 금속 물질에 실리콘(Si), 질소(N), 산소(O), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1 종 이상의 물질을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  19. 투명 기판 상에 구비된 차광막을 포함하는 블랭크 마스크에 있어서,
    상기 차광막은 몰리브데늄크롬(MoCr) 타겟을 포함하는 스퍼터링 공정으로 형성되는 블랭크 마스크.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 타겟은 몰리브데늄(Mo) : 크롬(Cr) = 1at% ∼ 30at% : 70at% ∼ 99at%인 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
KR1020150150795A 2015-10-29 2015-10-29 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크 KR20170049898A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150150795A KR20170049898A (ko) 2015-10-29 2015-10-29 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150150795A KR20170049898A (ko) 2015-10-29 2015-10-29 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170049898A true KR20170049898A (ko) 2017-05-11

Family

ID=58742159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150150795A KR20170049898A (ko) 2015-10-29 2015-10-29 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170049898A (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018102436A1 (de) 2017-04-18 2018-10-18 Hyundai Motor Company Luftgurtvorrichtung für ein Fahrzeug
WO2020138855A1 (ko) * 2018-12-26 2020-07-02 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20200080093A (ko) * 2018-12-26 2020-07-06 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 포토마스크
US20200401036A1 (en) * 2018-01-17 2020-12-24 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Mask and Method for preparing a Mask
WO2021187517A1 (ja) * 2020-03-17 2021-09-23 大日本印刷株式会社 フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
KR20220121663A (ko) * 2021-02-25 2022-09-01 인하대학교 산학협력단 ArF 위상반전 블랭크 마스크용 차광막 제조 방법 및 장치

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018102436A1 (de) 2017-04-18 2018-10-18 Hyundai Motor Company Luftgurtvorrichtung für ein Fahrzeug
US20200401036A1 (en) * 2018-01-17 2020-12-24 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Mask and Method for preparing a Mask
WO2020138855A1 (ko) * 2018-12-26 2020-07-02 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20200080093A (ko) * 2018-12-26 2020-07-06 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 포토마스크
CN113227898A (zh) * 2018-12-26 2021-08-06 思而施技术株式会社 空白罩幕以及光罩
CN113227898B (zh) * 2018-12-26 2024-05-24 思而施技术株式会社 空白罩幕以及光罩
WO2021187517A1 (ja) * 2020-03-17 2021-09-23 大日本印刷株式会社 フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
KR20220121663A (ko) * 2021-02-25 2022-09-01 인하대학교 산학협력단 ArF 위상반전 블랭크 마스크용 차광막 제조 방법 및 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101617727B1 (ko) 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP6666951B2 (ja) 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
TWI693464B (zh) 半色調相移位型空白光遮罩及其製造方法
KR20170049898A (ko) 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크
CN106019811B (zh) 制备半色调相移光掩模坯的方法
CN104932193A (zh) 空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模
KR20070096922A (ko) 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
EP3165963B1 (en) Photomask blank, making method, and photomask
US20200379337A1 (en) Blankmask and photomask
KR20160117319A (ko) 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크의 제조 방법
US8709683B2 (en) Photomask blank, photomask blank manufacturing method, and photomask manufacturing method
CN107868935B (zh) 半色调相移光掩模坯、制造方法和半色调相移光掩模
JP2016194626A (ja) ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法
CN111801618B (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
TWI682234B (zh) 相移空白罩幕以及相移光罩
KR20200113553A (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20200121044A (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR101567058B1 (ko) 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR101579843B1 (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
CN110456608B (zh) 相移空白掩膜和光掩膜
KR101473162B1 (ko) 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR20170073232A (ko) 다계조 포토마스크
KR101823854B1 (ko) 블랭크 마스크 및 포토 마스크
KR20110016743A (ko) 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법