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KR20170037198A - Gas supply apparatus and Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR20170037198A
KR20170037198A KR1020150136435A KR20150136435A KR20170037198A KR 20170037198 A KR20170037198 A KR 20170037198A KR 1020150136435 A KR1020150136435 A KR 1020150136435A KR 20150136435 A KR20150136435 A KR 20150136435A KR 20170037198 A KR20170037198 A KR 20170037198A
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cleaning gas
main body
flow path
process chamber
coupled
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최원조
오웅교
유광수
이병철
허정
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

The present invention relates to a gas supply device and a substrate processing device. The substrate processing device comprises: a main body which has one side coupled to a first cleaning gas generating unit and the other side coupled to a processing chamber; and a partition wall member coupled to the inside of the main body to partition the inside of the main body into a plurality of flow paths.

Description

가스공급장치 및 기판 처리 장치{Gas supply apparatus and Substrate processing apparatus}[0001] The present invention relates to a gas supply apparatus and a substrate processing apparatus,

본 발명은 공정 후 세정가스를 이용하여 공정챔버 내부를 세정하기 위한 가스공급장치 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply apparatus and a substrate processing apparatus for cleaning the inside of a process chamber using a cleaning gas after the process.

액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD) 등과 같은 평판 표시 장치, 태양 전지 등의 전자제품은 기판 상에 원료 물질을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 형상으로 패터닝(patterning)하는 식각 공정 등을 거쳐 제조된다.A flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD), an electronic product such as a solar cell, a thin film deposition process for depositing a raw material on a substrate, a photolithography process for exposing a selected region of the thin film using a photosensitive material, a photolithography process, an etching process for patterning the target region by removing a thin film of a selected region, and the like.

한편, 전자제품을 제조하기 위한 각 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 공정챔버 내에서 진행된다. 예를 들어, 박막 증착 공정은 원료 물질을 플라즈마 상태로 변환시킨 후 이를 이용하여 박막을 증착하는 기판 처리 장치를 이용하여 진행된다. 기판 처리 장치의 하나로 플라즈마 화학 기상 증착 장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)가 있다.On the other hand, each process for manufacturing an electronic product proceeds in a process chamber designed as an optimal environment for the process. For example, the thin film deposition process is performed using a substrate processing apparatus for converting a raw material into a plasma state and then depositing a thin film using the plasma. One of the substrate processing apparatuses is Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).

기판 처리 장치는 소정의 반응 공간을 마련하는 공정챔버와, 공정챔버 내부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지대와, 기판 지지대와 대향 마련되어 공정 가스를 분사하는 가스 분사부와, 공정 가스를 플라즈마 상태로 변환시키기 위해 소정의 전원을 인가하는 플라즈마발생부를 포함할 수 있다. 이러한 기판 처리 장치는 가동 시간이 증가됨에 따라 공정챔버 내부에 원료 물질 등이 증착되고, 이러한 증착물은 전자제품의 품질을 저하시키는 요인이 된다. 이러한 증착물을 제거하기 위해, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치는 플루오린(F) 등과 같은 세정가스를 이용하여 공정챔버 내부에 증착된 증착물을 제거하는 세정가스발생부를 포함한다. 세정가스발생부의 하나로 원격 플라즈마 소스 세정 장치(remote plasma source cleaning; RPSC)가 있다.The substrate processing apparatus includes a process chamber for providing a predetermined reaction space, a substrate supporter provided inside the process chamber for supporting the substrate, a gas ejecting portion provided opposite to the substrate supporter for ejecting the process gas, And a plasma generator for applying a predetermined power to the plasma display panel. In such a substrate processing apparatus, as the operation time is increased, a raw material or the like is deposited in the process chamber, and such a deposition material lowers the quality of the electronic product. In order to remove such deposits, the substrate processing apparatus according to the prior art includes a cleaning gas generating section for removing deposits deposited inside the processing chamber using a cleaning gas such as fluorine (F). One of the cleaning gas generating units is remote plasma source cleaning (RPSC).

도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram of a substrate processing apparatus according to the prior art.

도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 세정가스발생부(12)에서 세정가스를 공급받아 공정챔버(11) 내부에 증착된 증착물을 제거한다. 상기 공정챔버(11)는 박막 증착 공정과 같은 제조 공정이 수행되도록 소정의 공간을 제공한다. 상기 세정가스발생부(12)는 플라즈마를 이용하여 증착물을 제거하기 위한 세정가스를 발생시킨다. 상기 세정가스발생부(12)와 상기 공정챔버(11) 사이에는 세정가스가 누설되는 것을 방지하기 위해 밀폐장치(예컨대, O-ring)가 설치된다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 according to the related art receives the cleaning gas from the cleaning gas generating unit 12 and removes the deposition material deposited inside the processing chamber 11. The process chamber 11 provides a predetermined space for performing a manufacturing process such as a thin film deposition process. The cleaning gas generating unit 12 generates a cleaning gas for removing deposition materials by using plasma. A sealing device (for example, O-ring) is provided between the cleaning gas generating part 12 and the process chamber 11 to prevent the cleaning gas from leaking.

여기서, 세정가스발생부(12)는 플라즈마를 이용하여 세정가스를 발생시키므로, 고온의 세정가스를 발생시킨다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 다음과 같은 문제가 있다.Here, the cleaning gas generating portion 12 generates a cleaning gas by using plasma, and thus generates a high-temperature cleaning gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 10 according to the related art has the following problems.

첫째, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 상기 세정가스발생부(12)가 발생시킨 고온의 세정가스가 직접 상기 공정챔버(2)로 공급되도록 구현되므로, 고온의 세정가스로 인해 상기 밀폐장치가 녹는 등 손상 내지 파손되는 문제가 있다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 상기 밀폐장치에 대한 교체 및 유지보수 비용이 증대되므로, 전자제품을 제조하는데 필요한 제조 비용을 상승시키는 문제가 있다.First, in the substrate processing apparatus 10 according to the related art, since the high-temperature cleaning gas generated by the cleaning gas generating unit 12 is directly supplied to the process chamber 2, the high- There is a problem that the device is damaged or damaged such as melting. Accordingly, the substrate processing apparatus 10 according to the related art has a problem of increasing the manufacturing cost required for manufacturing the electronic product because the replacement and maintenance cost of the sealing apparatus is increased.

둘째, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 고온의 세정 가스로 인해 밀폐장치가 손상 내지 파손되어 세정 가스가 누설됨에 따라 상기 공정챔버(11)에 공급되는 세정가스의 양이 감소된다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 상기 공정챔버(11)의 내부에 증착된 증착물에 대한 세정효율이 저하되는 문제가 있다.Secondly, the amount of the cleaning gas supplied to the process chamber 11 decreases as the sealing device is damaged or broken due to the high-temperature cleaning gas and the cleaning gas is leaked. Accordingly, the substrate processing apparatus 10 according to the related art has a problem in that the cleaning efficiency of the deposition material deposited inside the process chamber 11 is lowered.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 공정챔버로 공급되는 세정가스의 온도를 조절할 수 있는 가스공급장치 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a gas supply apparatus and a substrate processing apparatus capable of controlling the temperature of a cleaning gas supplied to a process chamber.

본 발명은 고온의 세정가스로 인해 밀폐장치가 손상 내지 파손되는 것을 방지할 수 있고, 세정가스가 누설되는 것을 방지할 수 있는 가스공급장치 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a gas supply apparatus and a substrate processing apparatus which can prevent a sealing apparatus from being damaged or broken due to a high-temperature cleaning gas and can prevent a cleaning gas from leaking.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명은 다음과 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to accomplish the above-mentioned technical object, the present invention may include the following configuration.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 제공하는 공정챔버; 플라즈마를 이용하여 세정가스를 발생시키는 제1세정가스발생부; 상기 제1세정가스발생부와 이격되게 설치되고 플라즈마를 이용하여 세정가스를 발생시키는 제2세정가스발생부; 일측이 상기 제1세정가스발생부 및 상기 제2세정가스발생부에 결합되고 타측이 상기 공정챔버에 결합되는 본체; 및 상기 본체의 내부를 복수개의 유로로 구획하도록 상기 본체의 내부에 결합되는 격벽부재를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber for providing a reaction space; A first cleaning gas generating unit generating a cleaning gas by using plasma; A second cleaning gas generating unit installed apart from the first cleaning gas generating unit and generating a cleaning gas by using plasma; A main body having one side coupled to the first cleaning gas generator and the second cleaning gas generator and the other side coupled to the process chamber; And a partition member coupled to the inside of the main body to partition the inside of the main body into a plurality of flow paths.

본 발명에 따른 가스공급장치는 제1세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스가 공정챔버에 공급되도록 일측이 상기 제1세정가스발생부에 결합되고 타측이 상기 공정챔버에 결합되는 본체, 상기 본체의 내부를 복수개의 유로로 구획하도록 상기 본체의 내부에 결합되는 격벽부재, 상기 본체의 일측에 결합되고 상기 제1세정가스발생부에서 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성되는 제1공급유도부재, 및 상기 본체의 타측에 결합되고 상기 제1공급유도부재에 의해 유도되어 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성되는 제1배출유도부재를 포함할 수 있다.The gas supply apparatus according to the present invention includes a main body in which one side is coupled to the first cleaning gas generating unit and the other side is coupled to the process chamber so that the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit is supplied to the process chamber, A partition wall member coupled to the inside of the main body so as to partition the inside of the main body into a plurality of flow paths; a partition wall member coupled to one side of the main body and formed in a curved surface to guide the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generation portion toward the process chamber; And a first discharge inducing member coupled to the other side of the main body and formed to be curved to guide the cleaning gas guided and supplied by the first supply inducing member toward the process chamber can do.

본 발명은 공정챔버로 공급되는 세정가스의 온도를 조절할 수 있도록 구현됨으로써, 밀폐장치에 대한 교체 내지 수리 비용을 절감할 수 있고, 나아가 전자제품을 제조하는데 필요한 제조 비용을 절감하는데 기여할 수 있다.The present invention can be implemented to adjust the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber, thereby reducing the cost of replacing or repairing the sealing device, and further contributing to a reduction in the manufacturing cost required for manufacturing the electronic product.

본 발명은 세정가스가 누설되는 것을 방지할 수 있도록 구현됨으로써, 공정챔버에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있고, 나아가 전자제품에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.The present invention can be implemented to prevent the cleaning gas from leaking, thereby improving the cleaning efficiency for the process chamber and further improving the quality of the electronic product.

도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 블록도
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 블록도
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서 본체를 나타낸 개략적인 블록도
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서 격벽부재를 나타낸 개략적인 블록도
도 5는 본 발명에 따른 가스공급장치에서 제1유로를 나타낸 개략적인 단면도
도 6은 본 발명에 따른 가스공급장치에서 제2유로를 나타낸 개략적인 단면도1 is a schematic block diagram of a substrate processing apparatus according to the prior art;
2 is a schematic block diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention
3 is a schematic block diagram showing a main body of the substrate processing apparatus according to the present invention.
4 is a schematic block diagram showing a partition member in the substrate processing apparatus according to the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view showing a first flow path in the gas supply apparatus according to the present invention
6 is a schematic sectional view showing a second flow path in the gas supply apparatus according to the present invention

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. The meaning of the terms described herein should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms. It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof. It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, Means any combination of items that can be presented from more than one. The term "on" means not only when a configuration is formed directly on top of another configuration, but also when a third configuration is interposed between these configurations.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 가스공급장치는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 포함될 수 있으므로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 실시예를 설명하면서 함께 설명한다.Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Since the gas supply apparatus according to the present invention can be included in the substrate processing apparatus according to the present invention, embodiments of the substrate processing apparatus according to the present invention will be explained together.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 블록도, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서 본체를 나타낸 개략적인 블록도, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서 격벽부재를 나타낸 개략적인 블록도, 도 5는 본 발명에 따른 가스공급장치에서 제1유로를 나타낸 개략적인 단면도, 도 6은 본 발명에 따른 가스공급장치에서 제2유로를 나타낸 개략적인 단면도이다.FIG. 2 is a schematic block diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a schematic block diagram showing a main body in the substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing a first flow path in a gas supply apparatus according to the present invention, and Fig. 6 is a schematic cross-sectional view showing a second flow path in a gas supply apparatus according to the present invention.

도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 반응 공간을 제공하는 공정챔버(2), 세정가스를 발생시키는 세정가스발생부(3), 및 상기 세정가스발생부(3)에서 발생시킨 세정가스를 상기 공정챔버(2)에 주입하는 가스공급장치(4)를 포함한다.2 and 3, a substrate processing apparatus 1 according to the present invention includes a process chamber 2 for providing a reaction space, a cleaning gas generating unit 3 for generating a cleaning gas, (4) for injecting the cleaning gas generated in the processing chamber (3) into the process chamber (2).

상기 가스공급장치(4)는 상기 세정가스발생부(3) 및 상기 공정챔버(2)에 결합된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 세정가스발생부(3)에서 발생시킨 세정가스가 상기 가스공급장치(4)를 거치도록 구현됨으로써, 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 온도를 조절할 수 있다.The gas supply device 4 is coupled to the cleaning gas generator 3 and the process chamber 2. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is configured such that the cleaning gas generated in the cleaning gas generating section 3 passes through the gas supply device 4, thereby being supplied to the process chamber 2 The temperature of the cleaning gas can be adjusted.

따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 다음과 같은 작용 효과를 도모할 수 있다.Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can achieve the following operational effects.

첫째, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 세정가스발생부(3)에서 상기 공정챔버(2)로 공급되는 세정가스의 온도를 조절할 수 있으므로, 고온의 세정 가스로 인해 밀폐장치(예컨대, o-ring)가 손상 내지 파손되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 밀폐장치에 대한 교체 및 유지보수 비용을 절감할 수 있으므로, 전자제품을 제조하는데 필요한 제조비용을 절감할 수 있다.First, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can control the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber 2 from the cleaning gas generating unit 3, , o-rings) can be prevented from being damaged or broken. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the replacement and maintenance cost of the sealing device, thereby reducing the manufacturing cost required for manufacturing the electronic product.

둘째, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 밀폐장치가 손상 내지 파손되는 것을 방지함으로써, 세정 가스가 누설되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정 가스의 양이 감소되는 것을 방지함으로써, 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 증착물이 전자제품에 부착되거나 증착물로 인해 스크래치가 발생하는 등 전자제품의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.Second, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent the sealing device from being damaged or broken, thereby preventing the cleaning gas from leaking. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the cleaning efficiency of the process chamber 2 by preventing the amount of the cleaning gas supplied to the process chamber 2 from being reduced. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent deterioration of the quality of the electronic product such as deposition of the deposition material on the electronic product or scratching due to the deposition material.

이하에서는 상기 공정챔버(2), 상기 세정가스발생부(3), 및 상기 가스공급장치(4)에 관해 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the process chamber 2, the cleaning gas generating unit 3, and the gas supply unit 4 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 공정챔버(2)는 반응 공간을 제공한다. 예컨대, 상기 공정챔버(2)는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD) 등과 같은 기판 상에 원료 물질을 증착하는 박막 증착 공정을 수행하기 위한 소정의 반응 공간을 제공할 수 있다. 상기 공정챔버(2)는 외부에서 먼지와 같은 이물질 등이 침투하는 것을 방지하기 위해 공정 간에는 내부를 밀폐할 수 있도록 형성된다. 상기 공정챔버(2)는 기판의 형상에 대응하는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 공정챔버(2)는 직사각형, 돔형, 실린더형 등으로 형성될 수 있다. 상기 공정챔버(2)는 금속, 세라믹, 유리, 합성물을 포함하는 다양한 재료로 제조될 수 있다. 상기 공정챔버(2)는 하면 또는 측면에 설치되는 배기구(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 배기구는 상기 공정챔버(2)에서 배출되는 공정가스, 이물질 등을 배출시키기 위해 설치된다. 상기 배기구에는 진공 펌프 등 배기장치(미도시)가 연결되게 설치된다. 상기 배기장치는 상기 배기구를 통해 공정 간에 사용된 공정가스, 이물질 등을 외부로 배출시킬 수 있다.Referring to Figures 2 and 3, the process chamber 2 provides a reaction space. For example, the process chamber 2 may provide a predetermined reaction space for performing a thin film deposition process for depositing a raw material on a substrate such as a liquid crystal display (LCD) or the like. The process chamber 2 is formed so as to seal the inside of the process from the outside in order to prevent foreign substances such as dust from penetrating from the outside. The process chamber 2 may be formed in various shapes corresponding to the shape of the substrate. For example, the process chamber 2 may be formed in a rectangular shape, a dome shape, a cylinder shape, or the like. The process chamber 2 may be made of a variety of materials including metals, ceramics, glass, and composites. The process chamber 2 may include an exhaust port (not shown) provided on a lower surface or a side surface thereof. The exhaust port is provided for discharging process gas, foreign matter, and the like discharged from the process chamber 2. An exhaust device (not shown) such as a vacuum pump is connected to the exhaust port. The exhaust device can exhaust process gas, foreign substances, and the like used between processes through the exhaust port.

상기 공정챔버(2)는 내부에서 박막 증착 공정과 같은 제조 공정이 수행됨에 따라 내벽 등 내부에 원료 물질을 포함하는 이물질 등이 증착(이하, '증착물'이라 함)될 수 있다. 이러한 증착물은 기판을 오염시키거나 기판을 이동시키는 과정에서 파티클로 작용하여 기판에 스크래치를 발생시키는 등 제품의 품질을 저하시키는 요인이 될 수 있다. 상기 공정챔버(2)는 가스공급장치(4)를 통해 상기 세정가스발생부(3)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 공정챔버(2)는 상기 증착물을 제거하기 위한 세정가스를 공급받을 수 있다.Since the process chamber 2 is fabricated in the same manner as a thin film deposition process, a foreign material including a raw material may be deposited on the inner wall of the process chamber 2 (hereinafter referred to as 'deposition material'). Such a deposit may act as a particle in the process of contaminating the substrate or moving the substrate, and may cause a scratch on the substrate, thereby deteriorating the quality of the product. The process chamber 2 may be connected to the cleaning gas generator 3 through a gas supply device 4. Accordingly, the process chamber 2 can be supplied with a cleaning gas for removing the deposition material.

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 세정가스발생부(3)는 상기 가스공급장치(4)에 결합된다. 상기 세정가스발생부(3)는 상기 가스공급장치(4)를 통해 상기 공정챔버(2)에 세정가스를 공급할 수 있다. 상기 세정가스발생부(3)는 제1세정가스발생부(31)를 포함할 수 있다.2 and 3, the cleaning gas generating portion 3 is coupled to the gas supply device 4. [ The cleaning gas generating part 3 can supply the cleaning gas to the process chamber 2 through the gas supply device 4. [ The cleaning gas generator 3 may include a first cleaning gas generator 31.

상기 제1세정가스발생부(31)는 플라즈마를 이용하여 세정가스를 발생시킨다. 예컨대, 상기 제1세정가스발생부(31)는 고주파 전원을 이용하여 플라즈마를 발생시켜서 플루오린(F2)을 이온화시킴으로써, 세정가스를 발생시킬 수 있다. 고주파 전원은 플라즈마발생부(미도시)로부터 공급될 수 있다. 플루오린(F2)은 세정가스공급부(미도시)로부터 공급될 수 있다. 상기 세정가스는 NF3, F2, C2F6, C3F8, CF4 및 SF6 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first cleaning gas generator 31 generates a cleaning gas by using plasma. For example, the first cleaning gas generator 31 can generate a cleaning gas by generating a plasma using a high frequency power source to ionize the fluorine (F 2 ). The high frequency power source may be supplied from a plasma generating unit (not shown). Fluorine (F 2 ) may be supplied from a cleaning gas supply (not shown). The cleaning gas may include at least one of NF 3 , F 2 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , CF 4, and SF 6 .

상기 제1세정가스발생부(31)는 상기 가스공급장치(4)에 연결되게 설치된다. 상기 제1세정가스발생부(31)는 상기 가스공급장치(4)에 직접 결합될 수 있다. 예컨대, 상기 제1세정가스발생부(31)는 상기 가스공급장치(4)에 용접, 볼트, 접착 등의 방법으로 직접 결합될 수 있다. 상기 제1세정가스발생부(31)는 관 또는 파이프와 같은 관로를 이용하여 상기 가스공급장치(4)에 간접 결합될 수도 있다. 상기 제1세정가스발생부(31)에서 발생시킨 세정가스는 상기 가스공급장치(4)에 공급될 수 있다.The first cleaning gas generator 31 is installed to be connected to the gas supply device 4. The first cleaning gas generator 31 may be directly coupled to the gas supply device 4. For example, the first cleaning gas generator 31 may be directly coupled to the gas supply device 4 by welding, bolt, adhesive, or the like. The first cleaning gas generator 31 may be indirectly coupled to the gas supply device 4 using a pipe such as a pipe or a pipe. The cleaning gas generated in the first cleaning gas generator 31 may be supplied to the gas supply device 4. [

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 세정가스발생부(3)는 제2세정가스발생부(32)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the cleaning gas generating unit 3 may include a second cleaning gas generating unit 32.

상기 제2세정가스발생부(32)는 플라즈마를 이용하여 세정 가스를 발생시킨다. 예컨대, 상기 제2세정가스발생부(32)는 고주파 전원을 이용하여 플라즈마를 발생시켜서 플루오린(F2)을 이온화시킴으로써, 세정가스를 발생시킬 수 있다. 상기 세정가스는 NF3, F2, C2F6, C3F8, CF4 및 SF6 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second cleaning gas generator 32 generates a cleaning gas by using plasma. For example, the second cleaning gas generating unit 32 can generate a cleaning gas by generating a plasma using a high frequency power source to ionize the fluorine (F 2 ). The cleaning gas may include at least one of NF 3 , F 2 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , CF 4, and SF 6 .

상기 제2세정가스발생부(32)는 상기 제1세정가스발생부(31)와 이격되게 상기 본체(41)에 결합된다. 상기 제2세정가스발생부(32)는 상기 제1세정가스발생부(31)와 이격된 위치에서 상기 본체(41)에 볼트, 접착제 등을 이용하여 직접결합되거나 관로를 이용하여 간접결합될 수 있다. 상기 제2세정가스발생부(32)는 상기 제1세정가스발생부(31)와 대향되는 위치에 위치되게 상기 본체(41)에 결합될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1세정가스발생부(31)에 대해 수직한 방향에 위치되는 등 다른 위치에 위치되도록 상기 본체(41)에 결합될 수도 있다. 상기 제2세정가스발생부(32)에서 발생된 세정가스는 상기 본체(41)에 공급될 수 있다.The second cleaning gas generating part 32 is coupled to the main body 41 so as to be spaced apart from the first cleaning gas generating part 31. The second cleaning gas generator 32 may be directly coupled to the main body 41 at a position spaced apart from the first cleaning gas generator 31 using bolts or an adhesive, have. The second cleaning gas generating part 32 may be coupled to the main body 41 at a position opposite to the first cleaning gas generating part 31. However, Or may be coupled to the body 41 such that it is located at a different position, such as being positioned in a direction perpendicular to the body 31. The cleaning gas generated in the second cleaning gas generator 32 may be supplied to the main body 41.

본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)가 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32) 각각으로부터 세정가스를 공급받을 수 있도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 양을 증대시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 증착된 증착물의 제거량을 증대시킬 수 있으므로, 세정효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32) 중 하나가 손상 내지 파손되어도 상기 공정챔버(2)에 대한 세정 공정을 수행할 수 있으므로, 제품 제조 공정 전체가 중단되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 전자제품에 대한 제조 공정이 지연되는 것을 방지할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 according to the present invention is configured such that the process chamber 2 can receive cleaning gas from each of the first cleaning gas generating unit 31 and the second cleaning gas generating unit 32 . Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can increase the amount of the cleaning gas supplied to the process chamber 2. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can increase the removal amount of the deposition material deposited on the process chamber 2, thereby improving the cleaning efficiency. In the substrate processing apparatus 1 according to the present invention, even if one of the first cleaning gas generating portion 31 and the second cleaning gas generating portion 32 is damaged or broken, It is possible to prevent the entire production process from being interrupted. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent the manufacturing process of the electronic product from being delayed.

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 세정가스발생부(3) 및 상기 공정챔버(2)의 사이에 위치한다. 상기 가스공급장치(4)는 상기 세정가스발생부(3)가 발생시킨 세정가스를 상기 공정챔버(2)로 공급한다. 상기 가스공급장치(4)는 상기 본체(41)를 포함한다.2 and 3, the gas supply device 4 is located between the cleaning gas generating part 3 and the process chamber 2. As shown in FIG. The gas supply unit 4 supplies the cleaning gas generated by the cleaning gas generating unit 3 to the process chamber 2. The gas supply device (4) includes the main body (41).

상기 본체(41)는 일측(41a)이 상기 세정가스발생부(3)에 결합된다. 상기 본체(41)의 일측은 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32) 중에서 적어도 하나에 결합될 수 있다. 상기 본체(41)는 타측(41b)이 상기 공정챔버(2)에 결합된다. 이에 따라, 상기 본체(41)는 상기 세정가스발생부(3)가 발생시킨 세정가스를 상기 공정챔버(2)에 공급할 수 있다. 상기 본체(41)는 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 돔형, 실린더형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 본체(41)는 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32)가 발생시킨 세정가스를 제1입력포트(4aa) 및 제2입력포트(4ab)를 통해 공급받을 수 있다. 상기 본체(41)는 세정가스를 출력포트(4b)를 통해 상기 공정챔버(2)로 배출시킬 수 있다. 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스는 상기 본체(41)의 내부를 통과하여 상기 공정챔버(2)에 공급될 수 있다.One side 41a of the main body 41 is coupled to the cleaning gas generating part 3. One side of the main body 41 may be coupled to at least one of the first cleaning gas generating portion 31 and the second cleaning gas generating portion 32. The other side 41b of the main body 41 is coupled to the process chamber 2. Accordingly, the main body 41 can supply the cleaning gas generated by the cleaning gas generating portion 3 to the process chamber 2. [ The main body 41 may be formed in a rectangular parallelepiped shape, but not limited thereto, and may be formed in other shapes such as a dome shape or a cylinder shape. The main body 41 is connected to the first cleaning gas generating unit 31 and the second cleaning gas generating unit 32 through a first input port 4aa and a second input port 4ab Can be supplied. The main body 41 can discharge the cleaning gas to the process chamber 2 through the output port 4b. The cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit 31 and the second cleaning gas generating unit 32 may be supplied to the process chamber 2 through the interior of the main body 41.

상기 본체(41)는 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32)에서 상기 공정챔버(2)로 공급되는 세정가스의 온도를 조절할 수 있다. 예컨대, 상기 본체(41)는 외부에 존재하는 유체를 이용하여 상기 세정가스를 냉각시킴으로써, 세정가스의 온도를 조절할 수 있다. 따라서, 상기 본체(41)는 고온의 세정가스로 인해 밀폐장치(예컨대, o-ring)가 손상 내지 파손되는 것을 방지할 수 있으므로, 밀폐장치에 대한 교체 및 유지보수 비용을 절감할 수 있다. 또한, 상기 본체(41)는 밀폐장치가 손상 내지 파손됨에 따라 세정가스가 누설되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다.The main body 41 can adjust the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber 2 from the first cleaning gas generating unit 31 and the second cleaning gas generating unit 32. For example, the main body 41 can adjust the temperature of the cleaning gas by cooling the cleaning gas using an external fluid. Accordingly, the main body 41 can prevent the sealing device (e.g., o-ring) from being damaged or broken due to the high-temperature cleaning gas, thereby reducing the replacement and maintenance cost of the sealing device. Also, the main body 41 can prevent the cleaning gas from leaking due to damage or breakage of the sealing device, thereby improving the cleaning efficiency of the process chamber 2.

여기서, 상기 본체(41)를 거쳐 상기 공정챔버(2)로 공급되는 세정가스의 온도는, 상기 본체(4)의 길이에 관련된다. 상기 본체(41)의 길이가 짧을수록, 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 온도는 높아진다. 세정가스의 온도가 너무 고온이면, 상기 밀폐장치가 손상 내지 파손될 수 있다. 반면, 상기 본체(41)의 길이가 길수록, 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 온도가 낮아진다. 세정가스의 온도가 너무 낮으면, 상기 세정가스와 상기 공정챔버(2)의 내부에 증착된 증착물 간의 반응성이 저하됨에 따라 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율이 저하될 수 있다.Here, the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber 2 via the main body 41 is related to the length of the main body 4. The shorter the length of the main body 41, the higher the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber 2. If the temperature of the cleaning gas is too high, the sealing device may be damaged or broken. On the other hand, the longer the length of the main body 41, the lower the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber 2. If the temperature of the cleaning gas is too low, the cleaning efficiency of the process chamber 2 may be lowered as the reactivity between the cleaning gas and the deposition material deposited inside the process chamber 2 is lowered.

이 경우, 상기 본체(41)는 상기 제1세정가스발생부(31)에 결합된 일측에서 상기 공정챔버(2)에 결합된 타측까지 길이가 200 ㎜ 이상에서 240 ㎜ 이하로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 본체(41)는 세정가스를 적정 온도로 조절할 수 있다. 상기 적정 온도는 세정가스가 상기 밀폐장치를 손상 내지 파손시키지 않는 정도이면서, 상기 공정챔버(2)의 내부를 세정하기 위한 세정가스의 세정력이 저하되지 않는 온도 범위에 해당한다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.In this case, the main body 41 may have a length ranging from 200 mm to 240 mm from one side coupled to the first cleaning gas generator 31 to the other side coupled to the process chamber 2. Accordingly, the main body 41 can adjust the cleaning gas to an appropriate temperature. The appropriate temperature corresponds to a temperature range at which the cleaning gas does not damage or break the sealing device but does not deteriorate the cleaning force of the cleaning gas for cleaning the inside of the process chamber 2. [ Specifically, it is as follows.

아래에 첨부된 그림 1은 상기 본체(41)의 길이에 대한 세정가스의 온도(Temp) 및 세정률(Clean Rate)의 관계를 나타낸 그래프이다.1 is a graph showing the relationship between the temperature (Temp) of the cleaning gas and the cleaning rate (Clean Rate) with respect to the length of the main body 41. As shown in FIG.

그림 1을 참고하면, 상기 본체(41)의 길이가 200 ㎜ 로 형성될 경우, 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 온도는 245 ℃ 로 나타났다. 이 경우, 상기 밀폐장치는 세정가스로 인해 손상 내지 파손되지 않는 것으로 확인되었다. 따라서, 상기 본체(41)의 길이가 200 ㎜ 미만으로 형성될 경우, 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 온도가 더 높아지므로, 상기 세정가스가 상기 밀폐장치를 손상 내지 파손시킬 수 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 1, when the length of the main body 41 is 200 mm, the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber 2 is 245 ° C. In this case, it has been confirmed that the sealing device is not damaged or broken by the cleaning gas. Therefore, when the length of the main body 41 is less than 200 mm, the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber 2 becomes higher, so that the cleaning gas may damage or break the sealing device. .

그림 1을 참고하면, 상기 본체(41)는 길이가 240 ㎜ 로 형성될 경우, 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 온도는 214 ℃ 로 나타났다. 이 경우, 세정가스는 온도가 너무 낮아서 상기 공정챔버(2)의 내부에 증착된 증착물에 대한 반응성이 저하되므로, 세정효율이 저하될 수 있다.Referring to FIG. 1, when the main body 41 is formed to have a length of 240 mm, the temperature of the cleaning gas supplied to the process chamber 2 is 214 ° C. In this case, the cleaning gas has a too low temperature, so that the reactivity to the deposition material deposited inside the process chamber 2 is lowered, so that the cleaning efficiency may be lowered.

[그림 1][Figure 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 본체(41)의 길이를 200 ㎜ 이상에서 240 ㎜ 이하로 형성시킴으로써, 세정가스의 온도를 적정 온도로 냉각시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 밀폐장치가 손상 내지 파손되는 것을 방지할 뿐만 아니라 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can cool the temperature of the cleaning gas to an appropriate temperature by forming the length of the main body 41 from 200 mm to 240 mm. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention not only prevents the sealing apparatus from being damaged or broken, but also improves the cleaning efficiency for the process chamber 2.

도 4를 참고하면, 상기 본체(41)는 제1유로(411) 및 제2유로(412)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the main body 41 may include a first flow path 411 and a second flow path 412.

상기 제1유로(411)는 상기 제1세정가스발생부(31)로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버(2)로 공급하기 위해 설치된다. 상기 제1유로(411)는 상기 본체(41) 내부에서 상기 제1입력포트(4aa) 및 상기 출력포트(4b)에 연결되게 설치된다. 이에 따라, 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스는 상기 제1유로(411)를 따라 상기 공정챔버(2)로 공급될 수 있다. 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스는 상기 제1유로(411)를 따라 상기 공정챔버(2)로 이동하면서 상기 본체(41)의 외부에 존재하는 유체에 의해 냉각될 수 있다.The first flow path 411 is provided to supply the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit 31 to the process chamber 2. The first flow path 411 is installed inside the main body 41 so as to be connected to the first input port 4aa and the output port 4b. Accordingly, the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generator 31 may be supplied to the process chamber 2 along the first flow path 411. The cleaning gas supplied from the first cleaning gas generator 31 may be cooled by the fluid present outside the main body 41 while moving to the process chamber 2 along the first flow path 411 have.

상기 제2유로(412)는 상기 제2세정가스발생부(32)로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버(2)로 공급하기 위해 설치된다. 상기 제2유로(412)는 상기 본체(41) 내부에서 상기 제2입력포트(4ab) 및 상기 출력포트(4b)에 연결되게 설치된다. 이에 따라, 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스는 상기 제2유로(412)를 따라 상기 공정챔버(2)로 공급될 수 있다. 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스는 상기 제2유로(412)를 따라 상기 공정챔버(2)로 이동하면서 상기 본체(41)의 외부에 존재하는 유체에 의해 냉각될 수 있다.The second flow path 412 is provided to supply the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating unit 32 to the process chamber 2. The second flow path 412 is installed inside the main body 41 so as to be connected to the second input port 4ab and the output port 4b. Accordingly, the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generator 32 may be supplied to the process chamber 2 along the second flow path 412. The cleaning gas supplied from the second cleaning gas generator 32 may be cooled by the fluid present outside the main body 41 while moving to the process chamber 2 along the second flow path 412 have.

도 4를 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 격벽부재(42)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the gas supply device 4 may include a partition wall member 42.

상기 격벽부재(42)는 상기 본체(41)의 내부를 복수개의 유로로 구획할 수 있다. 예컨대, 상기 복수개의 유로는 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)일 수 있다. 상기 격벽부재(42)는 상기 본체(41)의 내부에 결합된다. 예컨대, 상기 격벽부재(42)는 상기 본체의 일측(41a)에서 타측(41b)을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 본체의 일측(41a)에 결합될 수 있다. 상기 격벽부재(42)는 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32) 사이에 위치되게 상기 본체(41)의 내부에 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 격벽부재(42)는 상기 본체(41)의 내부를 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)로 구획할 수 있다.The partition member 42 can partition the inside of the main body 41 into a plurality of flow paths. For example, the plurality of flow paths may be the first flow path 411 and the second flow path 412. The partition member 42 is coupled to the inside of the main body 41. For example, the partition wall member 42 may be coupled to one side 41a of the main body so as to protrude from one side 41a of the main body toward the other side 41b. The partition member 42 may be installed in the main body 41 between the first and second cleaning gas generating units 31 and 32. Accordingly, the partition member 42 can divide the inside of the main body 41 into the first flow path 411 and the second flow path 412.

도 4 및 도 5를 참고하면, 상기 격벽부재(42)는 결합부재(421), 연결부재(422), 마감부재(423)를 포함할 수 있다.4 and 5, the partition member 42 may include a coupling member 421, a coupling member 422, and a closure member 423.

상기 결합부재(421)는 상기 본체의 일측(41a)에 결합된다. 예컨대, 상기 결합부재(421)는 용접, 접착 등의 방법으로 상기 본체의 일측(41a)에 결합될 수 있다. 상기 결합부재(421)는 상기 본체의 일측(41a)에 결합되어 상기 본체의 타측(41b) 쪽으로 위치한 상기 연결부재(422) 및 상기 마감부재(423)를 지지할 수 있다. 상기 결합부재(421)는 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32) 사이에 위치되게 상기 본체의 일측(41a)에 결합된다. 상기 결합부재(421)는 상기 본체의 일측(41a) 쪽 내부를 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)로 구획할 수 있다. 따라서, 상기 결합부재(421)는 상기 제1세정가스발생부(31) 및 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스가 상기 본체의 일측(41a) 쪽에서 병합되는 것을 방지할 수 있다.The engaging member 421 is coupled to one side 41a of the main body. For example, the coupling member 421 may be coupled to one side 41a of the body by welding, adhesion, or the like. The coupling member 421 is coupled to one side 41a of the main body and can support the coupling member 422 and the closing member 423 located toward the other side 41b of the main body. The coupling member 421 is coupled to one side 41a of the main body so as to be positioned between the first cleaning gas generating portion 31 and the second cleaning gas generating portion 32. [ The coupling member 421 may divide the inside of one side 41a of the main body into the first flow path 411 and the second flow path 412. Therefore, the coupling member 421 can prevent the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating portion 31 and the second cleaning gas generating portion 32 from merging at one side 41a of the main body have.

도 4 및 도 5를 참고하면, 상기 연결부재(422)는 상기 본체의 일측(41a)에서 타측(41b)을 향하는 방향으로 상기 결합부재(421)로부터 돌출되어 형성된다. 상기 연결부재(422)는 상기 결합부재(421)와 상기 마감부재(423) 사이에 위치될 수 있다. 이에 따라, 상기 연결부재(422)는 상기 결합부재(421)가 제공하는 지지력을 바탕으로 상기 마감부재(423)를 지지할 수 있다. 상기 연결부재(422)는 상기 본체(41)의 내부를 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)로 구획할 수 있다.4 and 5, the connecting member 422 is protruded from the coupling member 421 in a direction from one side 41a to the other side 41b of the main body. The connecting member 422 may be positioned between the engaging member 421 and the closing member 423. Accordingly, the connecting member 422 can support the closing member 423 based on the supporting force provided by the engaging member 421. The connecting member 422 can divide the inside of the main body 41 into the first flow path 411 and the second flow path 412.

상기 연결부재(422)는 상기 제1유로(411)를 사이에 두고 상기 본체(41)의 내벽으로부터 제1유로거리(PD1)로 이격되게 위치할 수 있다. 예컨대, 상기 제1유로거리(PD1)는 상기 연결부재(422)와 상기 본체(41)의 내벽이 이격된 거리 중 최단 거리일 수 있다.The connecting member 422 may be positioned to be spaced apart from the inner wall of the main body 41 by the first flow path PD1 with the first flow path 411 therebetween. For example, the first flow path distance PD1 may be the shortest distance between the connection member 422 and the inner wall of the main body 41.

상기 연결부재(422)는 상기 제2유로(412)를 사이에 두고 상기 본체(41)의 내벽으로부터 제2유로거리(PD2, 도 6에 도시됨)로 이격되게 위치할 수 있다. 예컨대, 상기 제2유로거리(PD2, 도 6에 도시됨)는 상기 연결부재(422)와 상기 본체(41)의 내벽이 이격된 거리 중 최단 거리일 수 있다.The connection member 422 may be spaced apart from the inner wall of the main body 41 by the second flow path 412 to a second flow path distance PD2 (shown in FIG. 6). For example, the second flow path distance PD2 (shown in FIG. 6) may be the shortest distance between the connecting member 422 and the inner wall of the main body 41.

도 4 및 도 5를 참고하면, 상기 마감부재(423)는 상기 연결부재(422)를 기준으로 상기 결합부재(421)의 반대편에 위치한다. 상기 마감부재(423)는 상기 본체(41)의 내부를 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)로 구획하는 상기 격벽부재(42)의 끝부분이다.4 and 5, the closing member 423 is positioned on the opposite side of the coupling member 421 with respect to the coupling member 422. [ The closing member 423 is an end portion of the partition member 42 that divides the inside of the main body 41 into the first flow path 411 and the second flow path 412.

상기 마감부재(423)는 상기 공정챔버(2)로부터 이격된 위치에 위치된다. 이에 따라, 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)는 상기 마감부재(423)와 상기 공정챔버(2) 사이인 병합구간에서 합쳐진다. 따라서, 상기 제1유로(411)를 따라 이동하는 세정가스 및 상기 제2유로(412)를 따라 이동하는 세정가스는 상기 병합구간에서 합쳐질 수 있다. 상기 병합구간은 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)가 합쳐지는 구간이므로, 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)에 비해 세정가스가 이동하는 통과면적이 크다. 이에 따라, 상기 병합구간에서 와류가 발생될 수 있다. 와류가 발생되면, 세정가스의 이동이 정체되므로 상기 공정챔버(2)에 세정가스가 원활하게 공급될 수 없다. 상기 와류는 유체의 흐름 중 일부가 본류와 반대되는 방향으로 소용돌이치는 현상을 의미한다.The closure member 423 is located at a position spaced from the process chamber 2. Accordingly, the first flow path 411 and the second flow path 412 are merged in a merging section between the closure member 423 and the process chamber 2. Accordingly, the cleaning gas moving along the first flow path 411 and the cleaning gas moving along the second flow path 412 can be combined in the merging section. Since the merging section is a section in which the first flow path 411 and the second flow path 412 are joined together, the passage area through which the cleaning gas moves relative to the first flow path 411 and the second flow path 412 Big. Accordingly, a vortex can be generated in the merging section. When the vortex is generated, the movement of the cleaning gas is stagnated, so that the cleaning gas can not be smoothly supplied to the process chamber 2. The vortex is a phenomenon in which a part of the flow of the fluid swirls in a direction opposite to the main flow.

이를 방지하기 위해, 상기 마감부재(423)는 상기 본체의 일측(41a)으로부터 이격된 거리에 비해 상기 본체의 타측(41b)으로부터 이격된 거리(WD)가 더 짧은 위치에 위치할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1유로(411) 및 상기 제2유로(412)를 따라 공급되는 세정가스가 병합되는 위치를 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 병합구간에서 와류의 발생으로 인해 세정가스의 이동이 정체되는 정도를 줄일 수 있으므로, 세정가스를 상기 공정챔버(2)에 원활하게 공급할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다.In order to prevent this, the closure member 423 may be located at a position where the distance WD away from the other side 41b of the body is shorter than the distance from the one side 41a of the body. In this case, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can move the position where the cleaning gas supplied along the first flow path 411 and the second flow path 412 are merged to the process chamber 2 side have. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the stagnation of the movement of the cleaning gas due to the generation of vortex in the merging section, so that the cleaning gas can be smoothly supplied to the process chamber 2 have. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the cleaning efficiency for the process chamber 2. [

본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 마감부재(423)가 상기 본체의 타측(41b)으로부터 이격된 거리(WD)와 상기 제1유로거리(PD1)가 동일하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 병합구간에서 통과면적이 증대되는 것을 방지함으로써, 와류의 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 병합구간에서 통과면적이 감소되는 것을 방지함으로써, 세정가스가 병목현상에 의해 정체되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 세정가스를 더 원활하게 공급할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be formed such that the distance WD between the closure member 423 and the other side 41b of the body is equal to the first flow path distance PD1. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent the passage area from increasing in the merging section, thereby reducing the occurrence of eddy currents. Further, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent the passage area from decreasing in the merging section, thereby preventing the cleaning gas from stagnating due to the bottleneck phenomenon. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can supply the cleaning gas to the process chamber 2 more smoothly.

본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 마감부재(423)가 상기 본체의 타측(41b)으로부터 이격된 거리(WD)와 상기 제2유로거리(PD2)가 동일하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 병합구간에서 통과면적이 증대되는 것을 방지함으로써, 와류의 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 병합구간에서 통과면적이 감소되는 것을 방지함으로써, 세정가스가 병목현상에 의해 정체되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 세정가스를 더 원활하게 공급할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be formed such that the distance WD between the closure member 423 and the second side 41b of the main body is equal to the second flow path distance PD2. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent the passage area from increasing in the merging section, thereby reducing the occurrence of eddy currents. Further, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent the passage area from decreasing in the merging section, thereby preventing the cleaning gas from stagnating due to the bottleneck phenomenon. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can supply the cleaning gas to the process chamber 2 more smoothly.

도 5를 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 결합부재(421)에 결합되는 제1공급유도부재(43)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the gas supply device 4 may include a first supply inducing member 43 coupled to the engaging member 421.

상기 제1공급유도부재(43)는 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성된다. 상기 제1공급유도부재(43)는 상기 제1입력포트(4aa)를 기준으로 상기 제1세정가스발생부(31)와 대향되는 위치에 위치되도록 상기 본체의 일측(41a) 및 상기 결합부재(421)에 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스는 상기 제1공급유도부재(43)에 의해 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도될 수 있다. 상기 제1공급유도부재(43)는 상기 결합부재(421)에 결합될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도할 수 있으면 다른 부분에 결합될 수도 있다. 상기 제1공급유도부재(43)는 상기 본체의 일측(41a)에서 상기 본체의 타측(41b)을 향하는 방향으로 갈수록 크기가 감소되는 곡면으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1공급유도부재(43)는 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버(2) 쪽으로 유연하게 방향 전환하도록 유도할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스가 상기 공급챔버(2) 쪽을 제외한 다른 쪽으로 이동하는 것을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공급챔버(2)에 공급되는 세정가스의 양을 증대시킴으로써, 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다.The first supply inducing member 43 is curved to guide the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit 31 to move toward the process chamber 2. The first supply inducing member 43 is disposed on one side 41a of the main body 41a and on the other side of the engaging member 32 so as to be positioned at a position opposite to the first cleaning gas generating unit 31 with respect to the first input port 4aa. 421 < / RTI > Accordingly, the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generator 31 can be guided to move toward the process chamber 2 by the first supply guide member 43. The first supply inducing member 43 may be coupled to the engaging member 421 but is not limited thereto and the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit 31 may be moved toward the process chamber 2 Or may be coupled to other parts as long as it can be induced. The first supply guide member 43 may be formed as a curved surface whose size decreases from one side 41a of the main body toward the other side 41b of the main body. Accordingly, the first supply inducing member 43 can induce the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit 31 to change direction smoothly toward the process chamber 2. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the movement of the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating section 31 to the other side except the side of the supply chamber 2. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the cleaning efficiency for the process chamber 2 by increasing the amount of the cleaning gas supplied to the supply chamber 2.

도 5를 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 본체의 타측(41b)에 결합되는 제1배출유도부재(44)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the gas supply device 4 may include a first discharge guide member 44 coupled to the other end 41b of the main body.

상기 제1배출유도부재(44)는 상기 제1유로(411)를 따라 이동하는 세정가스가 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성된다. 상기 제1배출유도부재(44)는 상기 본체의 타측(41b) 및 상기 본체(41)의 상측에 위치된 내벽에 결합될 수 있다. 상기 제1배출유도부재(44)는 상기 본체의 일측(41a)에서 상기 본체의 타측(41b)을 향하는 방향으로 갈수록 크기가 증가되는 곡면으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1배출유도부재(44)는 상기 연결부재(422) 및 상기 본체(41) 사이를 통해 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 공정챔버(2) 쪽으로 유연하게 방향 전환하도록 유도할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1세정가스발생부(31)에서 상기 제1유로(411)를 따라 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버(2) 쪽을 제외한 다른 쪽으로 이동하는 것을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 양을 증대시킬 수 있으므로, 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다.The first discharge guide member 44 is curved to guide the cleaning gas moving along the first flow path 411 toward the process chamber 2. The first discharge guide member 44 may be coupled to the other side 41b of the main body and the inner wall positioned on the upper side of the main body 41. [ The first discharge guide member 44 may be formed as a curved surface whose size increases from one side 41a of the main body toward the other side 41b of the main body. The first discharge guide member 44 can guide the cleaning gas supplied through the connection member 422 and the main body 41 to move toward the process chamber 2, It is possible to induce a smooth turning toward the process chamber 2. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is configured such that the cleaning gas supplied along the first flow path 411 from the first cleaning gas generating section 31 is moved to the other side except for the side of the process chamber 2 Can be reduced. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can increase the amount of the cleaning gas supplied to the process chamber 2, thereby improving the cleaning efficiency of the process chamber 2. FIG.

도 5를 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 제1공급유도부재(43)와 마주보게 배치되도록 상기 본체(41)에 형성되는 제1본체유도면(413)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the gas supply device 4 may include a first body guide surface 413 formed on the main body 41 so as to face the first supply guide member 43.

상기 제1본체유도면(413)은 상기 제1공급유도부재(43)로부터 이격된 위치에 위치되도록 상기 본체(41)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1세정가스발생부(31)로부터 공급되는 세정가스는 상기 제1공급유도부재(43)와 상기 제1본체유도면(413) 사이로 이동될 수 있다. 상기 제1본체유도면(413)과 상기 제1공급유도부재(43)가 이격된 거리(SD1)는 상기 제1유로거리(PD1)와 동일할 수 있다. 예컨대, 상기 제1본체유도면(413)과 상기 제1공급유도부재(43)가 이격된 거리(SD1)는 상기 제1본체유도면(413)과 상기 제1공급유도부재(43)가 이격된 거리 중 최단 거리일 수 있다.The first body guide surface 413 may be formed on the main body 41 so as to be positioned at a position spaced apart from the first supply guide member 43. Accordingly, the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generator 31 can be moved between the first supply guide member 43 and the first body guide surface 413. The distance SD1 between the first body guide surface 413 and the first supply guide member 43 may be the same as the first flow path distance PD1. For example, the distance SD1 between the first body guide surface 413 and the first supply guide member 43 may be different from the distance between the first body guide surface 413 and the first supply guide member 43 It may be the shortest distance among the distances.

상기 제1본체유도면(413)은 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 제1본체유도면(413)은 곡률이 상기 제1공급유도부재(43)의 곡률과 동일하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1입력포트(4aa)로 공급된 세정가스가 상기 제1공급유도부재(43) 및 상기 제1본체유도면(413)에 의해 유도되어 이동하는 통과면적, 및 상기 연결부재(422) 및 상기 본체(41)의 내벽에 의해 유도되어 이동하는 통과면적은 동일할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스가 상기 본체의 타측(41b) 쪽에 도달할 때까지 통과면적이 변화되는 것을 방지함으로써, 통과면적의 변화로 인한 와류의 발생으로 세정가스의 이동이 정체되는 것을 방지할 수 있다.The first body guide surface 413 may be curved. The curvature of the first body guide surface 413 may be formed to be the same as the curvature of the first supply guide member 43. Accordingly, the cleaning gas supplied to the first input port 4aa is guided by the first supply guide member 43 and the first body guide surface 413, 422 and the inner wall of the main body 41 may be the same. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention prevents the passage area from changing until the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generator 31 reaches the other side 41b of the main body, It is possible to prevent the movement of the cleaning gas from being stagnated due to the generation of vortex due to the change in the passage area.

도 5를 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 제1배출유도부재(44)와 마주보게 배치되도록 상기 마감부재(423)에 형성되는 제1격벽유도면(414)을 포함할 수 있다.5, the gas supply device 4 may include a first partition wall induction surface 414 formed in the closure member 423 so as to face the first discharge inducing member 44 .

상기 제1격벽유도면(414)은 상기 제1배출유도부재(44)로부터 이격된 위치에 위치되도록 상기 마감부재(423)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스는 상기 제1배출유도부재(44)와 상기 제1격벽유도면(414) 사이로 이동될 수 있다. 상기 제1격벽유도면(414)과 상기 제1배출유도부재(44)가 이격된 거리(ED1)는 상기 제1유로거리(PD1)와 동일할 수 있다. 예컨대, 상기 제1격벽유도면(414)과 상기 제1배출유도부재(44)가 이격된 거리(ED1)는 상기 제1격벽유도면(414)과 상기 제1배출유도부재(44)가 이격된 거리 중 최단 거리일 수 있다.The first partition wall inducing surface 414 may be formed on the closure member 423 to be positioned at a position spaced apart from the first discharge inducing member 44. Accordingly, the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generator 31 can be moved between the first discharge inducing member 44 and the first partition wall induction surface 414. [ The distance ED1 between the first partition wall induction surface 414 and the first discharge inducing member 44 may be the same as the first flow path distance PD1. For example, the distance ED1 between the first partition wall induction surface 414 and the first partition wall inducing member 44 may be different from the distance between the first partition wall inducing surface 414 and the first discharge inducing member 44 It may be the shortest distance among the distances.

상기 제1격벽유도면(414)은 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 제1격벽유도면(414)은 곡률이 상기 제1배출유도부재(44)의 곡률과 동일하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 연결부재(422) 및 상기 본체(41) 내벽에 의해 유도되어 이동하는 세정가스의 통과면적과 상기 제1배출유도부재(44) 및 상기 제1격벽유도면(414)에 의해 유도되어 이동하는 세정가스의 통과면적은 동일할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 본체의 타측(41b) 쪽에서 통과면적이 변화되는 것을 방지함으로써, 통과면적의 변화로 인한 와류의 발생으로 세정가스의 이동이 정체되는 것을 방지할 수 있다.The first barrier rib guide surface 414 may be curved. The first barrier rib guide surface 414 may be formed such that the curvature thereof is equal to the curvature of the first discharge guide member 44. In this case, the passage area of the cleaning gas guided and moved by the connecting member 422 and the inner wall of the main body 41 and the passage area of the cleaning gas guided by the first discharge inducing member 44 and the first partition inducing surface 414 And the passing area of the cleaning gas to be moved may be the same. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention prevents the passage area from being changed on the other side 41b side of the main body, thereby preventing the movement of the cleaning gas from being stagnated due to the generation of vortex due to the change in the passage area .

본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1격벽유도면(414)과 상기 제1배출유도부재(44)가 이격된 거리(ED1), 상기 제1유로거리(PD1), 상기 제1공급유도부재(43)와 상기 제1본체유도면(413)이 이격된 거리(SD1)를 모두 동일하게 형성시킬 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스가 상기 제1유로(411)를 통과하는 통과면적을 동일하게 형성시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1세정가스발생부(31)에서 공급되는 세정가스가 상기 통과면적의 변화로 인해 와류가 발생하는 것을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 세정가스를 원활하게 공급할 수 있으므로, 상기 공정챔버(2) 내부에 증착물이 증착되는 것을 감소시켜 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be configured such that the distance ED1 between the first partition wall induction surface 414 and the first discharge inducing member 44, the distance between the first flow path distance PD1, The distance SD1 between the supply guide member 43 and the first body guide surface 413 may be equal to each other. That is, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can form the same cleaning gas passing through the first flow path 411 as the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating section 31. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the generation of vortex due to the change in the passage area of the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generator 31. Accordingly, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can smoothly supply the cleaning gas to the process chamber 2, deposition of the deposition material in the process chamber 2 is reduced to improve the quality of the product .

도 6을 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 결합부재(421)에 결합되는 제2공급유도부재(45)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the gas supply device 4 may include a second supply inducing member 45 coupled to the engaging member 421.

상기 제2공급유도부재(45)는 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성된다. 상기 제2공급유도부재(45)는 상기 제2입력포트(4ab)를 기준으로 상기 제2세정가스발생부(32)와 대향되는 위치에 위치되도록 상기 본체의 일측(41a) 및 상기 결합부재(421)에 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스는 상기 제2공급유도부재(45)에 의해 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도될 수 있다. 상기 제2공급유도부재(45)는 상기 결합부재(421)에 결합될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도할 수 있으면 다른 부분에 결합될 수도 있다. 상기 제2공급유도부재(45)는 상기 본체의 일측(41a)에서 상기 본체의 타측(41b)을 향하는 방향으로 갈수록 크기가 감소되는 곡면으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2공급유도부재(45)는 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버(2) 쪽으로 유연하게 방향 전환하도록 유도할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스가 상기 공급챔버(2) 쪽을 제한 다른 쪽으로 이동하는 것을 감소시킴으로써, 상기 공정챔버(2)에 세정가스를 원활하게 공급하여 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다.The second supply inducing member 45 is curved to guide the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating unit 32 to move toward the process chamber 2. The second supply inducing member 45 is disposed on one side 41a of the main body 41a and on the second cleaning gas generating unit 32 so as to be positioned opposite to the second cleaning gas generating unit 32 with respect to the second input port 4ab. 421 < / RTI > Accordingly, the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating portion 32 can be guided to move toward the process chamber 2 by the second supply inducing member 45. The second supply inducing member 45 may be coupled to the engaging member 421 but is not limited thereto and the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating unit 32 may be moved toward the process chamber 2 Or may be coupled to other parts as long as it can be induced. The second supply guide member 45 may be formed as a curved surface whose size decreases from one side 41a of the main body toward the other side 41b of the main body. Accordingly, the second supply inducing member 45 can induce the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating unit 32 to be smoothly changed toward the process chamber 2. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the movement of the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generator 32 to the other side of the supply chamber 2, 2, the cleaning efficiency of the process chamber 2 can be improved.

도 6을 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 제2공급유도부재(45)와 마주보게 배치되도록 상기 본체(41)에 형성되는 제2본체유도면(415)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the gas supply device 4 may include a second body guide surface 415 formed on the main body 41 so as to be disposed opposite the second supply guide member 45.

상기 제2본체유도면(415)은 상기 제2공급유도부재(45)로부터 이격된 위치에 위치되도록 상기 본체(41)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2세정가스발생부(32)로부터 공급되는 세정가스는 상기 제2공급유도부재(45)와 상기 제2본체유도면(415) 사이로 이동될 수 있다. 상기 제2본체유도면(415)과 상기 제2공급유도부재(45)가 이격된 거리(SD2)는 상기 제2유로거리(PD2)와 동일할 수 있다. 예컨대, 상기 제2본체유도면(415)과 상기 제2공급유도부재(45)가 이격된 거리(SD2)는 상기 제2본체유도면(415)과 상기 제2공급유도부재(45)가 이격된 거리 중 최단 거리일 수 있다.The second body guide surface 415 may be formed on the main body 41 so as to be located at a position spaced apart from the second supply guide member 45. [ Accordingly, the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generator 32 can be moved between the second supply guide member 45 and the second body guide surface 415. The distance SD2 between the second body guide surface 415 and the second supply guide member 45 may be the same as the second flow path distance PD2. For example, the distance SD2 between the second body guide surface 415 and the second supply guide member 45 may be different from the distance between the second body guide surface 415 and the second supply guide member 45 It may be the shortest distance among the distances.

상기 제2본체유도면(415)은 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 제2본체유도면(415)은 곡률이 상기 제2공급유도부재(45)의 곡률과 동일하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2입력포트(4ab)로 공급된 세정가스가 상기 제2공급유도부재(45)와 상기 제2본체유도면(415)에 의해 유도되어 이동하는 통과면적, 및 상기 연결부재(422) 및 상기 본체(41)의 내벽에 의해 유도되어 이동하는 통과면적은 동일할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스가 상기 본체의 타측(41b) 쪽에 도달할 때까지 통과면적이 변화되는 것을 방지함으로써, 통과면적의 변화로 인해 와류가 발생하는 것을 감소시켜 상기 공정챔버(2)로 이동하는 세정가스가 정체되는 것을 방지할 수 있다. The second body guide surface 415 may be curved. The curvature of the second body guide surface 415 may be formed to be equal to the curvature of the second supply guide member 45. Accordingly, the cleaning gas supplied to the second input port 4ab passes through the second supply guide member 45 and the second body guide surface 415, 422 and the inner wall of the main body 41 may be the same. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention prevents the passage area from changing until the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generator 32 reaches the other side 41b of the main body, The occurrence of vortex due to the change in the passage area can be reduced, and the cleaning gas moving to the process chamber 2 can be prevented from stagnating.

도 6을 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 본체의 타측(41b)에 결합되는 제2배출유도부재(46)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the gas supply device 4 may include a second discharge inducing member 46 coupled to the other side 41b of the main body.

상기 제2배출유도부재(46)는 상기 제2유로(412)를 따라 이동하는 세정가스가 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성된다. 상기 제2배출유도부재(46)는 상기 본체의 타측(41b) 및 상기 본체(41)의 하측에 위치된 내벽에 결합될 수 있다. 상기 제2배출유도부재(46)는 상기 본체의 일측(41a)에서 상기 본체의 타측(41b)을 향하는 방향으로 갈수록 크기가 증가되는 곡면으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2배출유도부재(46)는 상기 연결부재(422) 및 상기 본체(41) 사이를 통해 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버(2) 쪽으로 이동하도록 유도할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 공정챔버(2) 쪽으로 유연하게 방향 전환하도록 유도할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2세정가스발생부(32)에서 상기 제2유로거리(PD2)로 형성되는 제2유로(412)를 따라 이동하는 세정가스가 상기 공급챔버(2) 쪽을 제외한 다른 쪽으로 이동하는 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 공급되는 세정가스의 양을 증대시킬 수 있으므로, 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다.The second discharge inducing member 46 is formed into a curved surface to guide the cleaning gas moving along the second flow path 412 toward the process chamber 2. The second discharge inducing member 46 may be coupled to the other side 41b of the main body and the inner wall positioned on the lower side of the main body 41. [ The second discharge guide member 46 may be formed as a curved surface increasing in size from one side 41a of the main body toward the other side 41b of the main body. The second discharge inducing member 46 can guide the cleaning gas supplied through the connection member 422 and the main body 41 to move toward the process chamber 2, It is possible to induce a smooth turning toward the process chamber 2. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can be configured such that the cleaning gas moving along the second flow path 412 formed in the second cleaning gas generating portion 32 by the second flow path distance PD2 is supplied It can be reduced to move to the other side except for the chamber 2 side. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can increase the amount of the cleaning gas supplied to the process chamber 2, thereby improving the cleaning efficiency of the process chamber 2. FIG.

도 6을 참고하면, 상기 가스공급장치(4)는 상기 제2배출유도부재(46)와 마주보게 배치되도록 상기 마감부재(423)에 형성되는 제2격벽유도면(416)을 포함할 수 있다.6, the gas supply device 4 may include a second partition wall induction surface 416 formed in the closure member 423 so as to face the second discharge induction member 46 .

상기 제2격벽유도면(416)은 상기 제2배출유도부재(46)로부터 이격된 위치에 위치되도록 상기 마감부재(423)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스는 상기 제2배출유도부재(46)와 상기 제2격벽유도면(416) 사이로 이동될 수 있다. 상기 제2격벽유도면(416)과 상기 제2배출유도부재(46)가 이격된 거리(ED2)는 상기 제2유로거리(PD2)와 동일할 수 있다. 예컨대, 상기 제2격벽유도면(416)과 상기 제2배출유도부재(46)가 이격된 거리(ED2)는 상기 제2격벽유도면(416)과 상기 제2배출유도부재(46)가 이격된 거리 중 최단 거리일 수 있다.The second partition wall induction surface 416 may be formed in the closure member 423 to be located at a position spaced apart from the second discharge inducing member 46. Accordingly, the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generator 32 can be moved between the second discharge inducing member 46 and the second partition wall induction surface 416. The distance ED2 between the second partition wall induction surface 416 and the second discharge inducing member 46 may be the same as the second flow path distance PD2. For example, the distance ED2 between the second partition wall induction surface 416 and the second discharge guide member 46 may be different from the distance between the second partition wall induction surface 416 and the second discharge guide member 46 It may be the shortest distance among the distances.

상기 제2격벽유도면(416)은 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 제2격벽유도면(416)은 곡률이 상기 제2배출유도부재(46)의 곡률과 동일하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 연결부재(422) 및 상기 본체(41) 내벽에 의해 유도되어 이동하는 세정가스의 통과면적과 상기 제2배출유도부재(46) 및 상기 제2격벽유도면(416)에 의해 유도되어 이동하는 세정가스의 통과면적은 동일할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 본체의 타측(41b) 쪽에서 통과면적의 변화로 인해 와류가 발생하는 등 상기 공정챔버(2)로 이동하는 세정가스가 정체되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 세정가스를 원활하게 공급할 수 있으므로, 상기 공정챔버(2)에 대한 세정효율을 향상시킬 수 있다.The second partition wall induction surface 416 may be formed as a curved surface. The second partition wall induction surface 416 may have a curvature equal to that of the second discharge inducing member 46. In this case, the passage area of the cleaning gas guided and moved by the connecting member 422 and the inner wall of the main body 41 and the passage area of the cleaning gas guided by the second discharge inducing member 46 and the second partition wall induction surface 416 And the passing area of the cleaning gas to be moved may be the same. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can prevent the cleaning gas moving to the process chamber 2 from being stagnated, such as vortex due to a change in the passage area at the other side 41b of the main body . Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can smoothly supply the cleaning gas to the process chamber 2, thereby improving the cleaning efficiency of the process chamber 2. [

본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2배출유도부재(46)와 상기 제2격벽유도면(416)이 이격된 거리(ED2), 상기 제2유로거리(PD2), 상기 제2공급유도부재(45)와 상기 제2본체유도면(415)이 이격된 거리(SD2)를 모두 동일하게 형성시킬 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스가 상기 제2유로(412)를 통과하는 통과면적을 동일하게 형성시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2세정가스발생부(32)에서 공급되는 세정가스가 상기 통과면적의 변화로 인해 와류가 발생하는 것을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 공정챔버(2)에 세정가스를 원활하게 공급하여 상기 공정챔버(2) 내부에 증착물이 증착되는 것을 감소시킴으로써, 제품의 품질을 향상시켜 제품 경쟁력을 강화할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 according to the present invention is characterized in that the distance ED2 between the second discharge inducing member 46 and the second partition wall induction surface 416, the second flow path distance PD2, The distance SD2 between the supply guide member 45 and the second body guide surface 415 may be equal to each other. That is, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can form the same passage area through which the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generator 32 passes through the second flow path 412. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the generation of vortex due to the change in the passage area of the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generator 32. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention improves the quality of the product by reducing the deposition of the deposition material in the process chamber 2 by smoothly supplying the cleaning gas to the process chamber 2, It can strengthen competitiveness.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

1 : 가스공급장치 및 기판 처리 장치 2 : 공정챔버
3 : 세정가스발생부 31 : 제1세정가스발생부
32 : 제2세정가스발생부 4 : 가스공급장치
41 : 본체 42 : 격벽부재
43 : 제1공급유도부재 44 : 제1배출유도부재
45 : 제2공급유도부재 46 : 제2배출유도부재1: gas supply apparatus and substrate processing apparatus 2: process chamber
3: cleaning gas generating part 31: first cleaning gas generating part
32: second cleaning gas generating part 4: gas supply device
41: main body 42: partition wall member
43: first supply guide member 44: first discharge guide member
45: second supply guide member 46: second exhaust guide member

Claims (16)

반응 공간을 제공하는 공정챔버;
플라즈마를 이용하여 세정가스를 발생시키는 제1세정가스발생부;
상기 제1세정가스발생부와 이격되게 설치되고 플라즈마를 이용하여 세정가스를 발생시키는 제2세정가스발생부;
일측이 상기 제1세정가스발생부 및 상기 제2세정가스발생부에 결합되고 타측이 상기 공정챔버에 결합되는 본체; 및
상기 본체의 내부를 복수개의 유로로 구획하도록 상기 본체의 내부에 결합되는 격벽부재를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber providing a reaction space;
A first cleaning gas generating unit generating a cleaning gas by using plasma;
A second cleaning gas generating unit installed apart from the first cleaning gas generating unit and generating a cleaning gas by using plasma;
A main body having one side coupled to the first cleaning gas generator and the second cleaning gas generator and the other side coupled to the process chamber; And
And a partition wall member coupled to the inside of the main body so as to partition the inside of the main body into a plurality of flow paths. 제1항에 있어서,
상기 본체는 상기 제1세정가스발생부에 결합된 일측에서 상기 공정챔버에 결합된 타측까지 길이가 200 mm 이상에서 240 mm 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the main body has a length ranging from 200 mm to 240 mm from one side coupled to the first cleaning gas generator to the other side coupled to the process chamber. 제1항에 있어서,
상기 본체는 상기 제1세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버로 공급하기 위한 제1유로, 및 상기 제2세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버로 공급하기 위한 제2유로를 포함하고,
상기 격벽부재는 상기 본체의 내부를 상기 제1유로 및 상기 제2유로로 구획하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the main body includes a first flow path for supplying a cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating section to the process chamber and a second flow path for supplying a cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating section to the process chamber Including the Euro,
Wherein the partition member separates the inside of the main body into the first flow path and the second flow path. 제1항에 있어서,
상기 격벽부재는 상기 본체의 일측에 결합되는 결합부재, 상기 본체의 일측에서 타측을 향하는 방향으로 상기 결합부재로부터 돌출되어 형성되는 연결부재, 및 상기 연결부재를 기준으로 상기 결합부재의 반대편에 위치하는 마감부재를 포함하고,
상기 마감부재는 상기 공정챔버로부터 이격된 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the partition member includes a coupling member coupled to one side of the main body, a coupling member protruding from the coupling member in a direction toward one side of the main body, and a coupling member protruding from the coupling member, Comprising a closing member,
Wherein the closing member is located at a position spaced apart from the process chamber. 제4항에 있어서,
상기 마감부재는 상기 본체의 일측으로부터 이격된 거리에 비해 상기 본체의 타측으로부터 더 짧은 거리로 이격된 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the closing member is located at a position spaced a shorter distance from the other side of the main body than a distance apart from one side of the main body. 제4항에 있어서,
상기 연결부재는 상기 제1세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버로 공급하기 위한 제1유로를 사이에 두고 상기 본체의 내벽으로부터 제1유로거리로 이격되게 위치하고,
상기 마감부재는 상기 본체의 타측으로부터 상기 제1유로거리와 동일한 거리로 이격되도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the connection member is positioned to be spaced apart from the inner wall of the main body by a first flow path with a first flow path for supplying a cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating part to the process chamber,
Wherein the closing member is spaced apart from the other side of the main body by a distance equal to the first flow path distance. 제1세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스가 공정챔버에 공급되도록 일측이 상기 제1세정가스발생부에 결합되고 타측이 상기 공정챔버에 결합되는 본체;
상기 본체의 내부를 복수개의 유로로 구획하도록 상기 본체의 내부에 결합되는 격벽부재;
상기 본체의 일측에 결합되고, 상기 제1세정가스발생부에서 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성되는 제1공급유도부재; 및
상기 본체의 타측에 결합되고, 상기 제1공급유도부재에 의해 유도되어 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성되는 제1배출유도부재를 포함하는 가스공급장치.A main body in which one side is coupled to the first cleaning gas generating unit and the other side is coupled to the process chamber so that the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit is supplied to the process chamber;
A partition wall member coupled to the inside of the main body so as to partition the inside of the main body into a plurality of flow paths;
A first supply inducing member coupled to one side of the main body and formed in a curved surface to guide cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit toward the process chamber; And
And a first discharge inducing member coupled to the other side of the main body and formed to be curved to guide the cleaning gas guided and supplied by the first supply inducing member toward the process chamber. 제7항에 있어서,
상기 격벽부재는 상기 본체의 일측에 결합되는 결합부재, 상기 본체의 일측에서 타측을 향하는 방향으로 상기 결합부재로부터 돌출되어 형성되는 연결부재, 및 상기 연결부재를 기준으로 상기 결합부재의 반대편에 위치하는 마감부재를 포함하고,
상기 마감부재는 상기 공정챔버로부터 이격된 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.8. The method of claim 7,
Wherein the partition member includes a coupling member coupled to one side of the main body, a coupling member protruding from the coupling member in a direction toward one side of the main body, and a coupling member protruding from the coupling member, Comprising a closing member,
Wherein the closing member is located at a position spaced apart from the process chamber. 제8항에 있어서,
상기 제1공급유도부재는 상기 결합부재에 결합되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.9. The method of claim 8,
Wherein the first supply inducing member is coupled to the engaging member. 제8항에 있어서,
상기 본체는 상기 제1세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버로 공급하기 위한 제1유로, 및 상기 제1공급유도부재와 마주보게 배치되도록 상기 본체에 형성되는 제1본체유도면을 포함하고,
상기 연결부재는 상기 제1유로를 사이에 두고 상기 본체의 내벽으로부터 제1유로거리로 이격되게 위치하며,
상기 제1본체유도면은 상기 제1공급유도부재로부터 상기 제1유로거리와 동일한 거리로 이격되도록 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.9. The method of claim 8,
The main body includes a first flow path for supplying the cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit to the process chamber, and a first body guide surface formed on the main body so as to face the first supply guide member Including,
The connecting member is positioned to be spaced apart from the inner wall of the main body by the first flow path with the first flow path therebetween,
Wherein the first body guide surface is formed in a curved surface so as to be spaced apart from the first supply guide member by the same distance as the first flow path distance. 제8항에 있어서,
상기 본체는 상기 제1세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버로 공급하기 위한 제1유로, 및 상기 제1배출유도부재와 마주보게 배치되도록 상기 마감부재에 형성되는 제1격벽유도면을 포함하고,
상기 연결부재는 상기 제1유로를 사이에 두고 상기 본체의 내벽으로부터 제1유로거리로 이격되게 위치하며,
상기 제1격벽유도면은 상기 제1배출유도부재로부터 상기 제1유로거리와 동일한 거리로 이격되도록 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.9. The method of claim 8,
The main body includes a first flow path for supplying a cleaning gas supplied from the first cleaning gas generating unit to the process chamber, and a first partition wall guiding surface formed on the closing member so as to face the first discharge guiding member / RTI >
The connecting member is positioned to be spaced apart from the inner wall of the main body by the first flow path with the first flow path therebetween,
Wherein the first partition wall guiding surface is formed in a curved surface so as to be spaced apart from the first discharge guide member by the same distance as the first flow path distance. 제8항에 있어서,
상기 본체의 일측에는 세정가스를 공급하는 제2세정가스발생부가 결합되고,
상기 연결부재는 상기 제2세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버로 공급하기 위한 제2유로를 사이에 두고 상기 본체의 내벽으로부터 제2유로거리로 이격되게 위치하며,
상기 마감부재는 상기 본체의 타측으로부터 상기 제2유로거리와 동일한 거리로 이격되도록 형성된 것을 특징으로 하는 가스공급장치.9. The method of claim 8,
A second cleaning gas generating unit for supplying a cleaning gas is coupled to one side of the main body,
Wherein the connection member is located at a second flow path distance from an inner wall of the main body through a second flow path for supplying a cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating unit to the process chamber,
Wherein the closing member is spaced apart from the other side of the main body by a distance equal to the second flow path distance. 제8항에 있어서,
상기 결합부재에 결합되는 제2공급유도부재를 포함하고,
상기 본체의 일측에는 세정가스를 공급하는 제2세정가스발생부가 결합되며,
상기 제2공급유도부재는 상기 제2세정가스발생부에서 공급되는 세정가스가 상기 공정챔버 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.9. The method of claim 8,
And a second supply inducing member coupled to the engaging member,
A second cleaning gas generating unit for supplying a cleaning gas is coupled to one side of the main body,
Wherein the second supply inducing member is formed into a curved surface for guiding the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating unit to move toward the process chamber. 제13항에 있어서,
상기 본체는 상기 제2공급유도부재와 마주보게 배치되도록 상기 본체에 형성되는 제2본체유도면을 포함하고,
상기 연결부재는 상기 제2세정가스발생부로부터 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버로 공급하기 위한 제2유로를 사이에 두고 상기 본체의 내벽으로부터 제2유로거리로 이격되게 위치하며,
상기 제2본체유도면은 상기 제2공급유도부재로부터 상기 제2유로거리와 동일한 거리로 이격되도록 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.14. The method of claim 13,
Wherein the body includes a second body guide surface formed on the body so as to face the second supply guide member,
Wherein the connection member is located at a second flow path distance from an inner wall of the main body through a second flow path for supplying a cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating unit to the process chamber,
Wherein the second body guide surface is formed in a curved surface so as to be spaced apart from the second supply guide member by the same distance as the second flow path distance. 제13항에 있어서,
상기 제2세정가스발생부에서 공급되는 세정가스를 상기 공정챔버 쪽으로 이동하도록 유도하기 위해 곡면으로 형성되는 제2배출유도부재를 포함하고,
상기 제2배출유도부재는 상기 본체의 타측에 결합되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.14. The method of claim 13,
And a second discharge inducing member formed to be curved to guide the cleaning gas supplied from the second cleaning gas generating unit to move toward the process chamber,
And the second discharge inducing member is coupled to the other side of the main body. 제15항에 있어서,
상기 본체는 상기 제2배출유도부재와 마주보게 배치되도록 상기 마감부재에 형성되는 제2격벽유도면을 포함하고,
상기 연결부재는 상기 제2유로를 사이에 두고 상기 본체의 내벽으로부터 제2유로거리로 이격되게 위치하며,
상기 제2격벽유도면은 상기 제2배출유도부재로부터 상기 제2유로거리와 동일한 거리로 이격되도록 곡면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.16. The method of claim 15,
Wherein the body includes a second partition wall induction surface formed on the closure member so as to face the second discharge induction member,
The connecting member is positioned to be spaced apart from the inner wall of the main body by the second flow path through the second flow path,
Wherein the second partition guide surface is curved so as to be spaced apart from the second discharge guide member by the same distance as the second flow path distance.
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JP2003226976A (en) * 2002-02-04 2003-08-15 Tokura Kogyo Kk Gas mixing device
KR100858934B1 (en) * 2007-05-04 2008-09-17 주식회사 에스에프에이 Chemical vapor deposition apparatus
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