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KR20160143937A - Electrode structure and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR20160143937A
KR20160143937A KR1020150079311A KR20150079311A KR20160143937A KR 20160143937 A KR20160143937 A KR 20160143937A KR 1020150079311 A KR1020150079311 A KR 1020150079311A KR 20150079311 A KR20150079311 A KR 20150079311A KR 20160143937 A KR20160143937 A KR 20160143937A
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charge transporting
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이헌
김양두
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고려대학교 산학협력단
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Abstract

An electrode structure for a solar cell comprises: an electrode layer; a plurality of conductive nanopatterns arranged in an upper part of the electrode layer, and mutually separated; and an electron transfer layer interposed among the conductive nanopatterns on the electrode layer, and transferring an electron to the electrode layer or from the electrode layer.

Description

태양 전지용 전극 구조물 및 이의 제조방법{ELECTRODE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}ELECTRODE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME [0002]

본 발명은 태양 전지용 전극 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양광을 전기 에너지로 변환하는 태양 전지용 전극 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrode structure for a solar cell and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an electrode structure for a solar cell that converts sunlight into electric energy and a method of manufacturing the same.

석유 및 석탄과 같은 기존의 화석에너지 자원이 고갈되고, 후쿠시마 원전사고의 예처럼 안전한 에너지원으로 대체할 수 있고, 지구 온난화 문제가 대두되면서 환경오염을 줄일 수 있는 에너지원 개발에 많은 연구가 되고 있으며 이 중 태양광을 이용한 태양 에너지는 무한히 이용할 수 있어 특히 많은 연구가 진행되고 있다.There have been many studies on the development of energy sources that can reduce environmental pollution due to depletion of existing fossil energy resources such as petroleum and coal, substitution of safe energy source as an example of Fukushima nuclear power plant accident, and global warming problem Among them, solar energy using solar light can be used indefinitely, and especially a lot of research is going on.

태양광을 이용한 태양전지는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로 실리콘 태양전지가 대표적이고, 일반적인 상용 태양전지는 p형과 n형의 반도체로 구성되고, 전후면 전극을 갖추어 광조사에 의해 액티브층에서 생성된 전자와 정공은 분리되어 전하 수송층을 경유하여 전극들에 수집된다. 이로써 태양전지의 단위 셀들이 형성된다.Photovoltaic solar cells use photovoltaic effect to convert light energy into electrical energy. Typical commercial solar cells are p-type and n-type semiconductors, Electrons and holes generated in the active layer by light irradiation with front and rear electrodes are separated and collected in the electrodes via the charge transport layer. Thus, the unit cells of the solar cell are formed.

상기 태양 전지의 단위 셀에는 액티브층을 기준으로 상부 및 하부에 각각 전극 구조물들이 각각 구비된다. In the unit cell of the solar cell, electrode structures are respectively provided on the upper and lower sides with respect to the active layer.

여기서, 상기 전극 구조물를 통해 입사되는 태양광이 상기 액티브층에 도달하지 못하고 소멸되어 광흡수율이 저하되는 문제가 있다. 이로 인하여 상기 태양 전지의 효율이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.There is a problem that the solar light incident through the electrode structure does not reach the active layer and disappears and the light absorption rate is lowered. As a result, the efficiency of the solar cell may be deteriorated.

본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 일 목적은 개선된 광흡수율을 갖는 태양 전지용 전극 구조물을 제공하는 것이다. The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide an electrode structure for a solar cell having an improved light absorptivity.

본 발명의 다른 목적은 상기 태양 전지용 전극 구조물을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the electrode structure for a solar cell.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물은, 전극층, 상기 전극층의 상부에 배치되며, 상호 이격된 복수의 도전성 나노 패턴들 및 상기 전극층 상에 상기 도전성 나노 패턴들을 사이에 개재되며, 상기 전극층으로 또는 상기 전극층으로부터 전하를 수송할 수 있는 전하 수송층을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an electrode structure for a solar cell, including: an electrode layer; a plurality of conductive nano patterns disposed on the electrode layer and spaced apart from each other; And a charge transport layer interposed between the conductive nano patterns and capable of transporting charges to or from the electrode layer.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 상기 전하 수송층을 이루는 다수의 전하 수송 박막들 상에 각각 적층될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the conductive nanopatterns may be stacked on a plurality of charge transporting thin films constituting the charge transporting layer, respectively.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 상기 전극층으로부터 제1 거리로 이격된 제1 도전성 나노 패턴 및 상기 전극층으로부터 상기 제1 거리보다 큰 제2 거리로 이격된 제2 도전성 나노 패턴을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the conductive nanopatterns include a first conductive nanopattern spaced a first distance from the electrode layer and a second conductive nanopattern spaced from the electrode layer by a second distance greater than the first distance, .

본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법에 있어서, 전극층을 준비한 후, 상기 전극층의 상부에 상호 이격된 복수의 도전성 나노 패턴들을 형성한다. 이후, 상기 전극층의 상부 및 상기 도전성 나노 패턴들을 사이에, 상기 전극층으로 또는 상기 전극층으로부터 전하를 수송할 수 있는 전하 수송층을 형성한다. In the method of manufacturing an electrode structure for a solar cell according to an embodiment of the present invention, after preparing an electrode layer, a plurality of conductive nanopatterns spaced apart from each other are formed on the electrode layer. Thereafter, a charge transport layer capable of transporting charges from the electrode layer or between the upper portion of the electrode layer and the conductive nanopatterns is formed.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들을 형성하기 위하여, 상기 전극층으로부터 제1 거리로 이격된 제1 도전성 나노 패턴을 형성하고, 상기 전극층으로부터 상기 제1 거리보다 큰 제2 거리로 이격된 제2 도전성 나노 패턴을 형성한다.In one embodiment of the present invention, in order to form the conductive nanopatterns, a first conductive nanopattern spaced a first distance from the electrode layer is formed, and a second conductive nanopattern spaced apart from the electrode layer by a second distance larger than the first distance Thereby forming a second conductive nano-pattern.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 전하 수송층을 형성하기 위하여, 증착 공정 및 리프트 공정을 순차적으로 수행될 수 있다.In one embodiment of the present invention, a deposition process and a lift process may be sequentially performed to form the conductive nano patterns and the charge transport layer.

여기서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 전하 수송층을 형성하기 위하여, 상기 전극층 상에 제1 전하 수송 박막을 형성하고, 상기 제1 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제1 형성 영역을 제외한 상기 제1 전하 수송 박막 상에 제1 리프트 오프 패턴을 형성한다. 상기 제1 형성 영역에 해당하는 상기 제1 전하 수송 박막 및 상기 제1 리프트 오프 패턴 상에 제1 예비 도전성 나노 박막을 형성하고, 상기 제1 리프트 오프 패턴을 리프트 오프시켜 상기 제1 형성 영역에 제1 도전성 나노 패턴을 형성한다. 상기 제1 형성 영역을 제외한 상기 제1 전하 수송 박막 상에 제2 전하 수송 박막을 형성하고, 상기 제2 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 전하 수송 박막 상에 제2 리프트 오프 패턴을 형성한다. 상기 제2 형성 영역에 해당하는 상기 제2 전하 수송 박막 및 상기 제2 리프트 오프 패턴 상에 제2 예비 도전성 나노 박막을 형성하고, 상기 제2 리프트 오프 패턴을 리프트 오프시켜 상기 제2 형성 영역에 제2 도전성 나노 패턴을 형성한다. 이후, 상기 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 전하 수송 박막 상에 제3 전하 수송 박막을 형성한다.Here, in order to form the conductive nano patterns and the charge transport layer, a first charge transport thin film is formed on the electrode layer, and the first charge transport thin film, except for the first formation region for forming the first conductive nano pattern, Thereby forming a first lift-off pattern on the thin film. Forming a first preliminary conductive nano thin film on the first charge transporting thin film and the first lift-off pattern corresponding to the first forming region and lifting off the first lift- 1 < / RTI > conductive nanopattern. Forming a second charge transporting thin film on the first charge transporting thin film except for the first forming region and forming a second charge transporting thin film on the second charge transporting thin film except for a second forming region for forming the second conductive nano pattern, Thereby forming a lift-off pattern. Forming a second preliminary conductive nano thin film on the second charge transporting thin film and the second lift-off pattern corresponding to the second forming region and lifting off the second lift- 2 conductive nanopattern. Thereafter, a third charge transporting thin film is formed on the second charge transporting thin film except for the second forming region.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 복수의 전사 공정들을 통하여 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the conductive nanopatterns may be formed through a plurality of transfer processes.

본 발명의 일 시시예에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 전하 수송층을 형성하기 위하여, 상기 전극층 상에 제1 전하 수송 박막을 형성한다. 상기 제1 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제1 형성 영역에 형성된 돌출부를 갖는 제1 스탬프를 이용하여 상기 돌출부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제1 예비 도전성 나노 패턴을 형성한다. 상기 제1 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제1 전하 수송 박막에 전사하여 상기 제1 전하 수송 박막 상에 상기 제1 도전성 나노 패턴을 형성한다. 상기 제1 도전성 나노 패턴을 제외한 상기 제1 전하 수송 박막 상에 제2 전하 수송 박막을 형성하고, 상기 제2 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제2 형성 영역에 형성된 돌출부를 갖는 제2 스탬프를 이용하여 상기 돌출부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제2 예비 도전성 나노 패턴을 형성한다. 상기 제2 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제2 전하 수송 박막에 전사하여 상기 제2 전하 수송 박막 상에 상기 제2 도전성 나노 패턴을 형성하고, 상기 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 전하 수송 박막 상에 제3 전하 수송 박막을 형성한다.In one example of the present invention, a first charge transporting thin film is formed on the electrode layer to form the conductive nano patterns and the charge transporting layer. A first preliminary conductive nano pattern including conductive nanoparticles is formed on the protrusion using a first stamp having protrusions formed in a first formation region that is a region where the first conductive nano patterns are formed. The first precious conductive nano pattern is transferred to the first charge transport thin film to form the first conductive nano pattern on the first charge transport thin film. Forming a second charge transporting thin film on the first charge transporting thin film except for the first conductive nano pattern and using a second stamp having protrusions formed in a second forming region which is a forming region of the second conductive nano pattern And a second preliminary conductive nano pattern including conductive nanoparticles is formed on the protruding portion. Transferring the second preliminary conductive nano-pattern to the second charge transporting thin film to form the second conductive nano-pattern on the second charge transporting thin film, and forming the second conductive thin film on the second charge transporting thin film except for the second forming region Thereby forming a third charge transporting thin film.

상술한 태양 전지용 전극 구조물 및 이의 제조방법에 따르면, 전극층 상에 상호 이격된 도전성 나노 패턴들이 메타 구조를 형성하고 상기 도전성 나노 패턴들 사이에 개재된 전하 수송층이 구비됨으로써, 개선된 광흡수율을 가질 수 있다. 이로써 상기 전극 구조물이 태양 전지에 적용될 경우, 상기 태양전지의 광전 변환 효율이 증대될 수 있다. According to the electrode structure for a solar cell and the manufacturing method thereof, the conductive nano patterns spaced apart from each other on the electrode layer form a meta structure and the charge transport layer interposed between the conductive nano patterns is provided, have. When the electrode structure is applied to a solar cell, photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be increased.

또한, 리프트 오프 공정 또는 전사 공정을 이용하여 여러 가지 다양한 형상의 도전성 나노 패턴들이 구현 가능함으로써 메타 구조를 갖는 태양 전지 구조물을 용이하게 제조할 수 있다. In addition, various various shapes of conductive nano patterns can be realized using a lift-off process or a transfer process, so that a solar cell structure having a meta structure can be easily manufactured.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view illustrating an electrode structure for a solar cell according to an embodiment of the present invention.
2A to 2H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrode structure for a solar cell according to an embodiment of the present invention.
3A to 3H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrode structure for a solar cell according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 대상물들의 크기와 양은 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. In the accompanying drawings, the sizes and the quantities of objects are shown enlarged or reduced from the actual size for the sake of clarity of the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprise", "comprising", and the like are intended to specify that there is a feature, step, function, element, or combination of features disclosed in the specification, Quot; or " an " or < / RTI > combinations thereof.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

<태양 전지용 전극 구조물><Electrode Structure for Solar Cells>

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an electrode structure for a solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물(100)은 전극층(110), 복수의 도전성 나노 패턴들(130, 150) 및 전하 수송층(140)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an electrode structure 100 for a solar cell according to an exemplary embodiment of the present invention includes an electrode layer 110, a plurality of conductive nano patterns 130 and 150, and a charge transport layer 140.

상기 전극층(110)은 박막 형태로 기판(미도시) 상에 형성될 수 있다. 상기 전극층(110)은 투명성 도전 물질로서 ITO 물질로 이루어질 수 있다. 특히, 상기 전극 구조물이 상부 전극으로 이용될 경우, 상기 전극층(110)은 투명성 도전 물질로 이루어질 수 있다. The electrode layer 110 may be formed on a substrate (not shown) as a thin film. The electrode layer 110 may be made of ITO as a transparent conductive material. In particular, when the electrode structure is used as an upper electrode, the electrode layer 110 may be made of a transparent conductive material.

이와 다르게, 상기 전극 구조물이 하부 전극으로 이용될 경우, 상기 전극층(110)은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 전극층(110)은 Ag, Au, Pt, Au, Al 및 이들의 합금 중 하나로 이루어질 수 있다. Alternatively, when the electrode structure is used as a lower electrode, the electrode layer 110 may be formed of metal. The electrode layer 110 may be made of one of Ag, Au, Pt, Au, Al, and alloys thereof.

상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 상기 전극층(110)의 상부에 배치된다. 또한, 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 상기 전극층(110)로부터 이격되어 배치된다. 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 상호 이격되어 배치된다.The conductive nano patterns 130 and 150 are disposed on the electrode layer 110. The conductive nano patterns 130 and 150 are spaced apart from the electrode layer 110. The conductive nano patterns 130 and 150 are spaced apart from each other.

상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 상기 전극층(110)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 다르게, 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 상기 전극층(110)과 다른 물질로 이루어질 수 있다. The conductive nano patterns 130 and 150 may be formed of the same material as the electrode layer 110. Alternatively, the conductive nano patterns 130 and 150 may be formed of a material different from that of the electrode layer 110.

상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 서로 다른 평면에서 배치되어 복층으로 적층된 스택 구조를 가질 수 있다.The conductive nano patterns 130 and 150 may be stacked in a plurality of layers arranged in different planes.

상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 상기 전극층(110)로부터 제1 거리로 이격된 제1 도전성 나노 패턴(130) 및 상기 전극층(110)로부터 제2 거리로 이격된 제2 도전성 나노 패턴(150)을 포함할 수 있다. 이때 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 클 수 있다.The conductive nano patterns 130 and 150 may include a first conductive nano pattern 130 spaced a first distance from the electrode layer 110 and a second conductive nano pattern 130 spaced a second distance from the electrode layer 110. [ 150). Wherein the second distance may be greater than the first distance.

상기 도전성 나노 패턴들(130, 150) 각각은 바(bar)형상을 가질 수 있다. 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 상호 평행하게 제1 방향으로 연장될 수 있다. 이와 다르게 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 서로 다른 평면에서 상호 교차하도록 연장되어 크로스 바(cross bar) 형상을 가질 수 있다. Each of the conductive nano patterns 130 and 150 may have a bar shape. The conductive nano patterns 130 and 150 may extend in parallel with each other in a first direction. Alternatively, the conductive nano patterns 130 and 150 may extend in mutually intersecting planes to have a cross bar shape.

한편, 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150) 각각은 C자 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 서로 다른 평면에서 각각 S자 형상을 가질 수 있다. 이때 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150)은 상호 교차하도록 형성됨에 따라 짐에 따라 전체적으로 卍 (swastika) 형상을 가질 수 있다.Each of the conductive nano patterns 130 and 150 may have a C-shape. In addition, the conductive nano patterns 130 and 150 may have S-shaped shapes in different planes. At this time, the conductive nanopatterns 130 and 150 are formed so as to cross each other, and thus may have a swastika shape as a whole according to the load.

상기 전하 수송층(140)은 상기 전극층(110) 상 및 상기 도전성 나노 패턴들(130, 150) 사이에 개재된다. 상기 전하 수송층(140)은 실리콘 산화물, 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 상기 전하 수송층(140)은 상기 전극층으로부터 전자 또는 정공과 같은 전하를 액티브층으로 전달하거나, 상기 액티브층에서 발생한 전하를 상기 전극층으로 효과적으로 전달할 수 있다.The charge transport layer 140 is interposed between the electrode layer 110 and the conductive nano patterns 130 and 150. The charge transport layer 140 may be formed of silicon oxide, zinc oxide, or the like. The charge transport layer 140 may transfer charge, such as electrons or holes, from the electrode layer to the active layer or effectively transfer charge generated in the active layer to the electrode layer.

상기 전하 수송층(140)은 다층으로 적층된 복수의 전하 수송 박막들을 포함할 수 있다.The charge transport layer 140 may include a plurality of charge transport thin films stacked in layers.

상기 태양 전지용 전극 구조물에 광이 입사될 경우, 상기 나노 도전성 패턴들(130, 150)이 메타 구조를 형성하고, 상기 나노 도전성 패턴들(130, 150)의 크기, 모양, 물질, 길이, 층수 등을 변화시켜 태양 전지용 전극 구조물의 광 흡수율을 증대시킬 수 있다.
When the light is incident on the electrode structure for the solar cell, the nano conductive patterns 130 and 150 form a meta structure and the size, shape, material, length, number of layers, etc. of the nano conductive patterns 130 and 150 The light absorption rate of the electrode structure for a solar cell can be increased.

<태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법><Manufacturing Method of Electrode Structure for Solar Cell>

도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrode structure for a solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 상기 전극층(110) 상에 제1 전하 수송 박막(141)을 형성한다. 상기 제1 전하 수송 박막(141)은 스핀 코팅 고정을 통하여 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 전하 수송 박막(141)은 솔-젤 공정 또는 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 제1 전하 수송 박막(141)은 실리콘 산화물, 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 2A, a first charge transporting thin film 141 is formed on the electrode layer 110. The first charge transporting thin film 141 may be formed through spin coating. Alternatively, the first charge transporting thin film 141 may be formed through a sol-gel process or an atomic layer deposition (ALD) process. The first charge transporting thin film 141 may be formed of silicon oxide, zinc oxide, or the like.

이후, 상기 제1 전하 수송 박막(141) 상에 제1 리프트 오프 패턴(161)을 형성한다. 상기 제1 리프트 오프 패턴(161)은 제1 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제1 형성 영역을 제외한 영역에 형성될 수 있다. 상기 제1 리프트 오프 패턴(161)은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography) 공정, 레이저 인터피어런스 리소그래피(laser interference lithography) 공정, 극단자외선 리소그래피(EUV lithography) 공정, 포토리소그래피(photolithography) 공정, 나노임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography) 공정 등을 통하여 형성될 수 있다.Thereafter, a first lift-off pattern 161 is formed on the first charge transporting thin film 141. The first lift-off pattern 161 may be formed in a region other than the first forming region for forming the first conductive nano pattern. The first lift-off pattern 161 may be formed by an electron beam lithography process, a laser interference lithography process, an extreme ultraviolet lithography process, a photolithography process, a nanoimprint process, A nanoimprint lithography process, or the like.

도 2b를 참조하면, 상기 제1 리프트 오프 패턴(161) 및 상기 제1 형성 영역에 해당하는 상기 제1 전하 수송 박막(141) 상에 제1 예비 도전성 나노 박막(131)을 형성한다. 상기 제1 예비 도전성 나노 박막(131)은 스퍼터링 공정 또는 전자빔 기화 공정을 통하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2B, a first preliminary conductive nano thin film 131 is formed on the first lift-off pattern 161 and the first charge transporting thin film 141 corresponding to the first forming region. The first preliminary conductive nano thin film 131 may be formed through a sputtering process or an electron beam evaporation process.

도 2c를 참조하면, 상기 제1 리프트 오프 패턴(161)을 상기 제1 전하 수송 박막(141)으로부터 리프트 오프시켜, 상기 제1 전하 수송 박막(141) 상에 제1 도전성 나노 패턴(130)을 형성한다. 상기 제1 도전성 나노 패턴(130)은 상기 제1 형성 영역에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2C, the first lift-off pattern 161 is lifted off from the first charge transport film 141 to form a first conductive nano pattern 130 on the first charge transport film 141 . The first conductive nano patterns 130 may be formed in the first formation region.

도 2d를 참조하면, 상기 제1 형성 영역을 제외한 영역 내 및 상기 제1 전하 수송 박막(141) 상에 제2 전하 수송 박막(142)을 형성한다. 상기 제2 전하 수송 박막(142)은 상기 제1 전하 수송 박막(141)과 동일한 공정을 통하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 전하 수송 박막(142)은 스핀 코팅 고정을 통하여 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제2 전하 수송 박막(141)은 솔-젤 공정 또는 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 제2 전하 수송 박막(141)은 실리콘 산화물, 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 2D, a second charge transporting thin film 142 is formed in the region except for the first forming region and on the first charge transporting thin film 141. The second charge transporting thin film 142 may be formed through the same process as the first charge transporting thin film 141. That is, the second charge transporting thin film 142 may be formed through spin coating. Alternatively, the second charge transporting thin film 141 may be formed through a sol-gel process or an atomic layer deposition (ALD) process. The second charge transporting thin film 141 may be formed of silicon oxide, zinc oxide, or the like.

도 2e를 참조하면, 상기 제2 전하 수송 박막(142) 상에 제2 리프트 오프 패턴(162)을 형성한다. 상기 제2 리프트 오프 패턴(162)은 제2 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제2 형성 영역을 제외한 영역에 형성될 수 있다. 상기 제2 리프트 오프 패턴(162)은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography) 공정, 레이저 인터피어런스 리소그래피(laser interference lithography) 공정, 극단자외선 리소그래피(EUV lithography) 공정, 포토리소그래피(photolithography) 공정, 나노임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography) 공정 등을 통하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2E, a second lift-off pattern 162 is formed on the second charge transport thin film 142. The second lift-off pattern 162 may be formed in a region other than the second forming region for forming the second conductive nano pattern. The second lift-off pattern 162 may be formed by an electron beam lithography process, a laser interference lithography process, an extreme ultraviolet (EUV) lithography process, a photolithography process, a nanoimprint A nanoimprint lithography process, or the like.

도 5f를 참조하면, 상기 제2 리프트 오프 패턴(162) 및 상기 제2 형성 영역에 해당하는 상기 제2 전하 수송 박막(142) 상에 제2 예비 도전성 나노 박막(151)을 형성한다. 상기 제2 예비 도전성 나노 박막(151)은 스퍼터링 공정 또는 전자빔 기화 공정을 통하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5F, the second pre-conductive nano thin film 151 is formed on the second lift-off pattern 162 and the second charge transporting thin film 142 corresponding to the second forming region. The second pre-conductive nano thin film 151 may be formed through a sputtering process or an electron beam evaporation process.

도 2g를 참조하면, 상기 제2 리프트 오프 패턴(162)을 상기 제2 전하 수송 박막(142)으로부터 리프트 오프 시켜, 상기 제2 전하 수송 박막(142) 상에 제2 도전성 나노 패턴(150)을 형성한다. 상기 제2 도전성 나노 패턴(150)은 상기 제2 형성 영역에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2G, the second lift-off pattern 162 is lifted off from the second charge transporting thin film 142 to form a second conductive nano pattern 150 on the second charge transporting thin film 142 . The second conductive nano patterns 150 may be formed in the second formation region.

도 5h를 참조하면, 상기 제2 형성 영역을 제외한 영역 내 및 상기 제2 전하 수송 박막(142) 상에 제3 전하 수송 박막(143)을 형성한다. Referring to FIG. 5H, a third charge transporting thin film 143 is formed in the region except for the second forming region and on the second charge transporting thin film 142.

이로써, 상기 리프트 오프 공정들을 이용하여 상기 제1 및 제2 도전성 나노 패턴들(130, 150)이 적층된 상태로 메타 구조를 형성함에 따라 상기 전극층(110),제1 및 제2 도전성 나노 패턴들(130, 150) 및 전하 수송층(140)을 포함하는 태양 전지용 전극 구조물이 형성될 수 있다.
Accordingly, as the first and second conductive nano patterns 130 and 150 are laminated using the lift-off processes, the electrode layer 110, the first and second conductive nano patterns 140, (130, 150) and a charge transport layer (140) may be formed.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A to 3H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrode structure for a solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 제1 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제1 형성 영역에 형성된 돌출부(35)를 갖는 제1 스탬프(30)를 이용하여 상기 돌출부(35) 상에 도전성 나노 입자를 포함하는 제1 예비 도전성 나노 패턴(331)을 형성한다. 상기 제1 예비 도전성 나노 패턴(331)은 스퍼터링 공정 또는 전자빔 기화 공정을 통하여 형성될 수 있다. 3A, a first stamp 30 having a protrusion 35 formed in a first formation region, which is a region for forming a first conductive nano pattern, is used to form a protrusion 35 on the protrusion 35, 1 preliminary conductive nano patterns 331 are formed. The first preliminary conductive nano patterns 331 may be formed through a sputtering process or an electron beam evaporation process.

도 3b를 참조하면, 전극층(310) 상에 제1 전하 수송 박막(341)을 형성한다. 상기 제1 전하 수송 박막(341)은 스핀 코팅 고정을 통하여 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 전하 수송 박막(341)은 솔-젤 공정 또는 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 제1 전하 수송 박막(341)은 실리콘 산화물, 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 3B, a first charge transporting thin film 341 is formed on the electrode layer 310. The first charge transporting thin film 341 may be formed through spin coating. Alternatively, the first charge transport thin film 341 may be formed through a sol-gel process or an atomic layer deposition (ALD) process. The first charge transporting thin film 341 may be formed of silicon oxide, zinc oxide, or the like.

이어서, 상기 제1 스탬프(30)에 형성된 제1 예비 도전성 나노 패턴(331)을 상기 제1 전하 수송 박막(341)에 전사한다. 상기 전사 공정 전에, 상기 제1 전하 수송 박막(341) 상에 자기결합 단일막(self-assembled monolayer)을 형성하거나, 자외선/오전 처리(UV/O3 treatment)하는 전처리 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 이로써, 상기 제1 전하 수송 박막(341) 및 상기 제1 예비 도전성 나노 패턴(331) 간의 결합력이 개선될 수 있다.Then, the first preliminary conductive nano pattern 331 formed on the first stamp 30 is transferred to the first charge transporting thin film 341. Before the transfer process, a pretreatment process of forming a self-assembled monolayer on the first charge transporting thin film 341 or UV / O 3 treatment may be further performed . Thus, the bonding force between the first charge transporting thin film 341 and the first preliminary conductive nano pattern 331 can be improved.

도 3c를 참조하면, 상기 제1 스탬프(30)를 상기 제1 전하 수송 박막(341)으로부터 제거함으로써 상기 제1 전하 수송 박막(341) 상에 제1 도전성 나노 패턴(330)을 형성한다.Referring to FIG. 3C, the first conductive nanopattern 330 is formed on the first charge transporting thin film 341 by removing the first stamp 30 from the first charge transporting thin film 341.

도 3d를 참조하면, 상기 제1 전하 수송 박막(341) 상에 상기 제1 형성 영역을 제외한 나머지 영역 내에 제2 전하 수송 박막(342)을 형성한다. 상기 제2 전하 수송 박막(342)은 스핀 코팅 고정을 통하여 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제2 전하 수송 박막(342)은 솔-젤 공정 또는 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 제2 전하 수송 박막(342)은 실리콘 산화물, 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 3D, a second charge transporting thin film 342 is formed on the first charge transporting thin film 341 except for the first forming region. The second charge transport thin film 342 may be formed through spin coating fixation. Alternatively, the second charge transport thin film 342 may be formed through a sol-gel process or an atomic layer deposition (ALD) process. The second charge transporting thin film 342 may be formed of silicon oxide, zinc oxide, or the like.

도 3e를 참조하면, 제2 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제2 형성 영역에 형성된 돌출부(45)를 갖는 제2 스탬프(40)를 이용하여 상기 돌출부(45)에 도전성 나노 입자를 포함하는 제2 예비 도전성 나노 패턴(351)을 형성한다. 상기 제2 예비 도전성 나노 패턴(351)은 스퍼터링 공정 또는 전자빔 기화 공정을 통하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3E, a second stamp 40 having a protrusion 45 formed in a second formation region, which is a formation region of the second conductive nanopattern, is used to form the second protrusion 45, Thereby forming the preliminary conductive nano pattern 351. The second preliminary conductive nano patterns 351 may be formed through a sputtering process or an electron beam evaporation process.

도 3f를 참조하면, 상기 제2 스탬프(40)에 형성된 제2 예비 도전성 나노 패턴(351)을 상기 제2 전하 수송 박막(341) 상에 전사한다. 상기 전사 공정 전에, 상기 제2 전하 수송 박막(341) 상에 자기결합 단일막(self-assembled monolayer)을 형성하거나, 자외선/오전 처리(UV/O3 treatment)하는 전처리 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 이로써, 상기 제2 전하 수송 박막(341) 및 상기 제2 예비 도전성 나노 패턴(351) 간의 결합력이 개선될 수 있다.Referring to FIG. 3F, a second preliminary conductive nano pattern 351 formed on the second stamp 40 is transferred onto the second charge transport thin film 341. Before the transfer process, a pretreatment process of forming a self-assembled monolayer on the second charge transporting thin film 341 or UV / O 3 treatment may be further performed . As a result, the bonding force between the second charge transporting thin film 341 and the second preliminary conductive nano pattern 351 can be improved.

도 3g를 참조하면, 상기 제2 스탬프(40)를 상기 제2 전하 수송 박막(342)으로부터 제거함으로써 상기 제2 전하 수송 박막(342) 상에 제2 도전성 나노 패턴(350)을 형성한다.Referring to FIG. 3G, the second conductive nanopattern 350 is formed on the second charge transporting thin film 342 by removing the second stamp 40 from the second charge transporting thin film 342.

도 3h를 참조하면, 상기 제2 전하 수송 박막(342) 상에 상기 제2 형성 영역을 제외한 나머지 영역 내에 제3 전하 수송 박막(343)을 형성한다. 상기 제3 전하 수송 박막(343)은 스핀 코팅 고정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 제3 전하 수송 박막(343)은 스핀 코팅 고정을 통하여 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제3 전하 수송 박막(343)은 솔-젤 공정 또는 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 제3 전하 수송 박막(343)은 실리콘 산화물, 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 3H, a third charge transporting thin film 343 is formed on the second charge transporting thin film 342 in regions other than the second forming region. The third charge transporting thin film 343 may be formed through spin coating fixation. The third charge transporting thin film 343 may be formed through spin coating fixation. Alternatively, the third charge transport thin film 343 may be formed through a sol-gel process or an atomic layer deposition (ALD) process. The third charge transporting thin film 343 may be formed of silicon oxide, zinc oxide, or the like.

이로써, 상기 전사 공정들을 이용하여 상기 제1 및 제2 도전성 나노 패턴들(330, 350)이 적층된 상태로 메타 구조를 형성함에 따라 상기 전극층(310),제1 및 제2 도전성 나노 패턴들(330, 350) 및 전하 수송층(340)을 포함하는 태양 전지용 전극 구조물이 형성될 수 있다.As a result, the first and second conductive nanopatterns 330 and 350 are stacked to form a meta structure using the transfer processes, thereby forming the electrode layer 310, the first and second conductive nanopatterns 330, and 350, and a charge transport layer 340 may be formed.

상술한 태양 전지용 전극 구조물 및 이의 제조방법에 따르면, 전극층 상에 상호 이격된 도전성 나노 패턴들 및 그 사이에 개재된 전하 수송층이 구비됨에 따라 상기 태양 전지용 전극 구조물의 광흡수율이 개선될 수 있다.According to the electrode structure for a solar cell and the method of manufacturing the same, the light absorption rate of the electrode structure for a solar cell can be improved by providing the conductive nano patterns and the charge transport layer interposed therebetween on the electrode layer.

또한, 리프트 오프 공정, 또는 전사 공정을 이용하여 여러 가지 다양한 형상의 도전 나노 패턴들이 구현되어 용이하게 메타 구조를 갖는 태양 전지용 전극 구조물이 형성될 수 있다.In addition, various various shapes of conductive nanopatterns can be realized using a lift-off process or a transfer process, so that an electrode structure for a solar cell having a meta structure can be easily formed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

Claims (9)

전극층;
상기 전극층의 상부에 배치되며, 상호 이격된 복수의 도전성 나노 패턴들; 및
상기 전극층 상에 상기 도전성 나노 패턴들을 사이에 개재되며, 상기 전극층으로 또는 상기 전극층으로부터 전하를 수송할 수 있는 전하 수송층을 포함하는 태양 전지용 전극 구조물An electrode layer;
A plurality of conductive nanopatterns disposed on the electrode layer and spaced apart from each other; And
And a charge transport layer interposed between the conductive nano patterns on the electrode layer and capable of transporting charges to or from the electrode layer. 제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 상기 전하 수송층을 이루는 다수의 전하 수송 박막들 상에 각각 적층된 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물.The electrode structure for a solar cell according to claim 1, wherein the conductive nanopatterns are stacked on a plurality of charge transporting thin films constituting the charge transporting layer. 제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 상기 전극층으로부터 제1 거리로 이격된 제1 도전성 나노 패턴; 및
상기 전극층으로부터 상기 제1 거리보다 큰 제2 거리로 이격된 제2 도전성 나노 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물.The method of claim 1, wherein the conductive nanopatterns are spaced a first distance from the electrode layer. And
And a second conductive nano pattern spaced apart from the electrode layer by a second distance larger than the first distance. 전극층을 준비하는 단계;
상기 전극층의 상부에 상호 이격된 복수의 도전성 나노 패턴들을 형성하는 단계; 및
상기 전극층의 상부 및 상기 도전성 나노 패턴들을 사이에, 상기 전극층으로 또는 상기 전극층으로부터 전하를 수송할 수 있는 전하 수송층을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법.Preparing an electrode layer;
Forming a plurality of conductive nanopatterns spaced apart from each other on the electrode layer; And
And forming a charge transport layer capable of transporting charges from the electrode layer or between the upper portion of the electrode layer and the conductive nanopatterns. 제4항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들을 형성하는 단계는, 상기 전극층으로부터 제1 거리로 이격된 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 전극층으로부터 상기 제1 거리보다 큰 제2 거리로 이격된 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법.5. The method of claim 4, wherein forming the conductive nanopatterns comprises: forming a first conductive nanopattern spaced a first distance from the electrode layer; And
And forming a second conductive nano-pattern spaced apart from the electrode layer by a second distance larger than the first distance. 제4항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 전하 수송층을 형성하는 단계는 증착 공정 및 리프트 공정을 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법.5. The method of claim 4, wherein the forming of the conductive nano patterns and the charge transport layer comprises sequentially performing a deposition process and a lift process. 제6항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 전하 수송층을 형성하는 단계는,
상기 전극층 상에 제1 전하 수송 박막을 형성하는 단계;
상기 제1 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제1 형성 영역을 제외한 상기 제1 전하 수송 박막 상에 제1 리프트 오프 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 형성 영역에 해당하는 상기 제1 전하 수송 박막 및 상기 제1 리프트 오프 패턴 상에 제1 예비 도전성 나노 박막을 형성하는 단계;
상기 제1 리프트 오프 패턴을 리프트 오프시켜 상기 제1 형성 영역에 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 형성 영역을 제외한 상기 제1 전하 수송 박막 상에 제2 전하 수송 박막을 형성하는 단계;
상기 제2 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 전하 수송 박막 상에 제2 리프트 오프 패턴을 형성하는 단계;
상기 제2 형성 영역에 해당하는 상기 제2 전하 수송 박막 및 상기 제2 리프트 오프 패턴 상에 제2 예비 도전성 나노 박막을 형성하는 단계;
상기 제2 리프트 오프 패턴을 리프트 오프시켜 상기 제2 형성 영역에 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 전하 수송 박막 상에 제3 전하 수송 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법.7. The method of claim 6, wherein forming the conductive nano patterns and the charge transport layer comprises:
Forming a first charge transporting thin film on the electrode layer;
Forming a first lift-off pattern on the first charge transporting thin film except for a first forming region for forming the first conductive nano-pattern;
Forming a first preliminary conductive nano thin film on the first charge transporting thin film and the first lift-off pattern corresponding to the first forming region;
Forming a first conductive nano pattern in the first forming region by lifting off the first lift-off pattern;
Forming a second charge transporting thin film on the first charge transporting thin film except for the first forming region;
Forming a second lift-off pattern on the second charge transport thin film except for a second formation region for forming the second conductive nano-pattern;
Forming a second preliminary conductive nano thin film on the second charge transporting thin film and the second lift-off pattern corresponding to the second forming region;
Forming a second conductive nano pattern in the second formation region by lifting off the second lift-off pattern; And
And forming a third charge transporting thin film on the second charge transporting thin film except for the second forming region. 제4항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 복수의 전사 공정들을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법.5. The method of claim 4, wherein the conductive nano patterns are formed through a plurality of transfer processes. 제8항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 전하 수송층을 형성하는 단계는,
상기 전극층 상에 제1 전하 수송 박막을 형성하는 단계;
상기 제1 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제1 형성 영역에 형성된 돌출부를 갖는 제1 스탬프를 이용하여 상기 돌출부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제1 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제1 전하 수송 박막에 전사하여 상기 제1 전하 수송 박막 상에 상기 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 도전성 나노 패턴을 제외한 상기 제1 전하 수송 박막 상에 제2 전하 수송 박막을 형성하는 단계;
상기 제2 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제2 형성 영역에 형성된 돌출부를 갖는 제2 스탬프를 이용하여 상기 돌출부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제2 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;
상기 제2 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제2 전하 수송 박막에 전사하여 상기 제2 전하 수송 박막 상에 상기 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 전하 수송 박막 상에 제3 전하 수송 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극 구조물의 제조 방법.9. The method of claim 8, wherein forming the conductive nano patterns and the charge transport layer comprises:
Forming a first charge transporting thin film on the electrode layer;
Forming a first preliminary conductive nano-pattern including conductive nanoparticles on the protrusion using a first stamp having protrusions formed in a first formation region that is a region where the first conductive nano patterns are formed;
Transferring the first pre-conductive nanopattern to the first charge transport thin film to form the first conductive nanopattern on the first charge transport thin film;
Forming a second charge transporting thin film on the first charge transporting thin film except for the first conductive nano pattern;
Forming a second preliminary conductive nanopattern including conductive nanoparticles on the protrusion using a second stamp having protrusions formed in a second formation region that is a region for forming the second conductive nanopattern;
Transferring the second preliminary conductive nanopattern to the second charge transport thin film to form the second conductive nanopattern on the second charge transport thin film; And
And forming a third charge transporting thin film on the second charge transporting thin film except for the second forming region.
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