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KR20160091758A - Metal nanowire, method for synthesizing the metal nanowire, and transparent electrode and organic light emitting diode including the metal nanowire manufactured by the method - Google Patents

Metal nanowire, method for synthesizing the metal nanowire, and transparent electrode and organic light emitting diode including the metal nanowire manufactured by the method Download PDF

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KR20160091758A
KR20160091758A KR1020150012264A KR20150012264A KR20160091758A KR 20160091758 A KR20160091758 A KR 20160091758A KR 1020150012264 A KR1020150012264 A KR 1020150012264A KR 20150012264 A KR20150012264 A KR 20150012264A KR 20160091758 A KR20160091758 A KR 20160091758A
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metal
nanowire
diameter
nanowires
wire portion
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Inventor
유영조
박태헌
김다은
손윤상
최윤수
Original Assignee
덕산하이메탈(주)
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Publication date
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    • HELECTRICITY
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Nanotechnology (AREA)
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Abstract

The present invention provides a metal nanowire having excellent electric conductivity and light scattering effects. As a nanowire including at least two wire parts, the metal nanowire includes an n^th wire part and a (n+1)^th wire part connected to the n^th nanowire. A diameter of the n^th nanowire part and the diameter of the (n+1)^th nanowire are different from each other.

Description

메탈 나노와이어 및 이의 합성방법과 이를 통해 제조된 메탈 나노와이어를 포함하는 투광성 전극 및 유기발광소자 {METAL NANOWIRE, METHOD FOR SYNTHESIZING THE METAL NANOWIRE, AND TRANSPARENT ELECTRODE AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE INCLUDING THE METAL NANOWIRE MANUFACTURED BY THE METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a metal nanowire, a method of synthesizing the metal nanowire, and a method of manufacturing the same, and a transparent electrode including the metal nanowire and a method of manufacturing the same. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] METHOD}

본 발명은 메탈 나노와이어 및 이의 제조방법과 이를 통해 제조된 메탈 나노와이어를 포함하는 투광성 전극 및 유기발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a metal nanowire, a method of manufacturing the same, and a light-transmitting electrode including the metal nanowire manufactured thereby and an organic light-emitting device.

최근 디스플레이, 태양 전지 분야의 급속한 발달과 함께 이에 사용되는 투광성 전극에 대한 수요도 급증하고 있다. 투광성 전극 소재는 양산기술 및 용도에 대한 적합성으로 인듐주석화합물(Indium Tin Oxide, ITO)이 주로 사용되고 있지만 ITO 전극은 진공 공정으로 인해 제조 원가가 매우 높고, 열충격 등의 외부 충격에 대해 안정적이지 못하다는 문제점 때문에 ITO 전극을 대체하기 위한 개발이 이루어지고 있다. Recently, with the rapid development of the display and solar cell fields, the demand for the translucent electrode used therein is also increasing rapidly. Indium Tin Oxide (ITO) is mainly used for the transparent electrode material because of its suitability for mass production technology and applications. However, ITO electrode is not stable against external impact such as thermal shock due to vacuum process Due to problems, development is being made to replace the ITO electrode.

ITO 전극을 대체하기 위한 재료로는, 탄소 나노튜브(Carbon nanotube, CNT), 그래핀(graphene), 산화아연(Zinc Oxide, ZnO), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene, PEDOT) 등의 전도성 고분자, 메탈 나노와이어 등이 있다. Materials for replacing ITO electrodes include carbon nanotubes (CNT), graphene, zinc oxide (ZnO), poly (3,4-ethylenedioxythiophene (Poly (3, 4-ethylenedioxythiophene, PEDOT), and metal nanowires.

그 중에서도 메탈 나노와이어, 특히 은 나노와이어(Ag nanowire)는 금속 중에서도 그 화학적 안정성이 높고, 열전도도 및 전기전도도가 매우 좋은 은의 특징과 나노와이어의 아주 작은 치수로 인해 나타나는 광학적 특성인 투명성까지 더해져 투명 도전막을 제조하기 위한 전극 소재로 각광받고 있다. 이러한 은 나노와이어는 향후 플라즈마 디스플레이 판넬(Plasma Display Panel, PDP), 광학필터, 전자차폐제, 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED), 태양전지, 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 터치스크린, 휴대폰용 EL 키패드 등 전기, 자기, 광학 소자 및 센서 등에 광범위하게 적용될 수 있다. Among them, metal nanowires, especially silver nanowires, have high chemical stability among metals, transparency which is due to the characteristics of silver with very good thermal conductivity and electric conductivity and optical properties due to the very small dimensions of nanowires. And has been spotlighted as an electrode material for manufacturing a conductive film. Such silver nanowires are expected to be used in a variety of fields such as plasma display panels (PDP), optical filters, electromagnetic shielding materials, organic light emitting diodes (OLED), solar cells, liquid crystal displays Screen, EL keypads for mobile phones, and the like.

메탈 나노와이어는 폴리올 용매에 의해 금속염이 금속 원자로 환원되는 소위 폴리올(Polyol) 방법으로 알려져 있는 합성방법에 의해 제조될 수 있다.(미국공개특허 2005/0056118) 일반적으로 환원된 금속 원자는 초기에 균질한 핵생성 과정을 통해 시드(seed)를 형성하고, 시드 중 일부는 용액 상에서 모든 방향으로 동일하게 성장을 계속하여 등방성 나노구조체들(나노 입자)을 형성하고, 일부 시드는 측면 방향을 따라 우선적으로 성장하여 이방성 나노구조체들(나노튜브, 나노와이어부, 나노벨트, 나노와이어 등)을 형성한다.The metal nanowires can be prepared by a synthetic method known as the so-called polyol method in which the metal salt is reduced to a metal atom by a polyol solvent. (US Patent Publication 2005/0056118) In general, Seeds are formed through a nucleation process, and some of the seeds grow in the same direction in all directions in the solution to form isotropic nanostructures (nanoparticles), and some seeds preferentially grow along the lateral direction To form anisotropic nanostructures (nanotubes, nanowires, nano belts, nanowires, etc.).

메탈 나노와이어의 직경 및 길이는 폴리올 합성방법의 여러 변수들에 의해 영향을 받는데, 종래의 폴리올 합성방법으로는 나노 와이어 성장시 운동학적(kinetic) 요소, 스트레인 및 표면에너지, 열에너지 등의 복합적 요인으로 인해 50μm 이상으로 나노와이어를 성장시키는 것이 어렵고, 직경 및 길이가 크고, 종횡비가 큰 메탈 나노와이어로 성장시킨다고 하더라도 분산성이 떨어지고, 투광성 전극 소재로 사용될 경우 면저항이 증가되는 문제점이 있었다.The diameter and the length of the metal nanowire are influenced by various parameters of the polyol synthesis method. Conventional polyol synthesis methods include a combination of factors such as kinetic factors, strain and surface energy, and thermal energy during nanowire growth It is difficult to grow the nanowires with a diameter of 50 μm or more. Even if the nanowires are grown with a metal nanowire having a large diameter and a large aspect ratio, the dispersibility is decreased.

또한 투광성 전극으로 사용되는 메탈 나노와이어는 높은 전기전도도와 투과도 및 유연성을 필요로 하기 때문에 합성 시 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone, PVP)와 같은 계면활성제(캡핑제)가 사용되는데, 이는 메탈 나노와이어 간의 접촉점에서 전기적 저항성을 증가시켜 전기적 특성이 떨어지게 되는 문제점이 있다. In addition, since the metal nanowire used as the light-transmitting electrode needs high electrical conductivity, transparency and flexibility, a surfactant (capping agent) such as polyvinylpyrrolidone (PVP) is used in the synthesis, There is a problem that electrical resistance is increased at a contact point between the electrodes and electrical characteristics are deteriorated.

또한 메탈 나노와이어의 작은 치수로 인하여 메탈 나노와이어 간의 접촉 부분은 매우 좁게 되고, 적은 양의 전류에도 전류밀도가 높아지면서 발열하게 되는 문제점이 있으며, 금속의 장점인 높은 전기전도도 특성을 충분히 나타내기 어려운 문제점이 있다.In addition, due to the small dimension of the metal nanowire, the contact portion between the metal nanowires becomes very narrow, and even if the current density is increased even with a small amount of electric current, the nanowire is heated and the metal nanowire is heated. There is a problem.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 직경 및 종횡비가 크고 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 제공함으로써, 메탈 나노와이어간의 접촉 확률이 높아 면저항 증가를 막을 수 있고, 전기 전도도가 우수하고, 투광성 전극에 사용시, 특히 OLED 조명, 유기태양전지 등에 사용될 경우 적절한 투과도 및 헤이즈값을 갖는 구조의 메탈 나노와이어를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a metal nanowire having a large diameter and an aspect ratio and having a plurality of bending properties, And to provide a metal nanowire having a structure having appropriate transmittance and haze value when used in light-transmitting electrodes, particularly when used in OLED illumination, organic solar cells, and the like.

또한 본 발명은 직경 및 종횡비가 크고 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 제공함으로써, 메탈 나노와이어간의 접촉 확률이 높아 면저항 증가를 막을 수 있고, 전기 전도도가 우수하고, 투광성 전극에 사용시, 특히 OLED 조명, 유기태양전지 등에 사용될 경우 적절한 투과도 및 헤이즈값을 갖는 구조의 메탈 나노와이어를 제공하는 것이다.Further, the present invention provides a metal nanowire having a large diameter and a large aspect ratio and having a plurality of diameter characteristics, thereby increasing the probability of contact between metal nanowires, preventing increase in sheet resistance, providing excellent electrical conductivity, And to provide a metal nanowire having a structure having appropriate transmittance and haze value when used for illumination, organic solar cells, and the like.

또한 본 발명은 금속 피복 특성을 갖는 코어-쉘 나노와이어를 제공함으로써, 황화 및 산화를 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 광산란 특성이 향상되고, 전기 전도도 및 투과도를 크게 저하시키지 않으면서도 높은 헤이즈값을 갖는 구조의 코어-쉘 나노와이어를 제공하는 것이다.In addition, the present invention provides a core-shell nanowire having metal covering properties, which can prevent sulphation and oxidation to improve reliability, improve light scattering characteristics, and provide a high haze value without significantly lowering electrical conductivity and transmittance To provide a core-shell nanowire having a structure having the structure shown in Fig.

또한 본 발명은 메탈 나노와이어 이외의 부산물이 발생하지 않고, 높은 수율로 생성 가능하며, 직경 및 종횡비가 크고 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 합성할 수 있는 메탈 나노와이어 제조방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a metal nanowire manufacturing method capable of producing a metal nanowire having a large diameter and an aspect ratio and having a plurality of bending characteristics without producing any by-products other than metal nanowires .

또한 본 발명은 메탈 나노와이어 이외의 부산물이 발생하지 않고, 높은 수율로 생성 가능하며, 직경 및 종횡비가 크고 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 합성할 수 있는 메탈 나노와이어 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a metal nanowire manufacturing method capable of producing metal nanowires having a large diameter and a large aspect ratio and having a plurality of diameters without producing any by-products other than metal nanowires .

또한 본 발명은 금속 피복 특성을 갖는 코어-쉘 나노와이어를 합성할 수 있는 코어-쉘 나노와이어 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention also provides a method for producing core-shell nanowires capable of synthesizing core-shell nanowires having metal coating properties.

또한 본 발명은 직경 및 길이가 크고 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도전체층으로 포함함으로써, 전기 전도도가 우수하고, 특히 OLED 조명, 유기태양전지 등에 사용되기 적합한 투과도 및 헤이즈값을 갖는 투광성 전극 및 유기발광소자를 제공하는 것이다. The present invention also provides a transparent electrode having excellent conductivity and excellent transparency and haze suitable for use in OLED illumination, organic solar cells, etc., by incorporating a metal nanowire having a large diameter and a long length and having a plurality of bending properties as a conductor layer. And an organic light emitting element.

또한 본 발명은 또한 본 발명은 직경 및 길이가 크고 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도전체층으로 포함함으로써, 전기 전도도가 우수하고, 특히 OLED 조명에 사용되기 적합한 투과도 및 헤이즈값을 갖는 투광성 전극 및 유기발광소자를 제공하는 것이다. Further, the present invention also provides a transparent electrode having excellent conductivity and excellent transparency and haze value suitable for use in OLED illumination by incorporating metal nanowires having a large diameter and a long length and having a plurality of diameter characteristics as a conductor layer. And an organic light emitting element.

또한 본 발명은 금속 피복 특성을 갖는 코어-쉘 나노와이어를 도전체층으로 포함함으로써, 황화 및 산화를 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 광산란 특성이 향상되고, 전기 전도도 및 투과도를 크게 저하시키지 않으면서도 높은 헤이즈값을 갖는 투광성 전극 및 유기발광소자를 제공하는 것이다.In addition, the present invention can prevent sulphidation and oxidation to improve reliability by including core-shell nanowires having metal coating properties as a conductor layer, and can improve light scattering characteristics and improve electrical conductivity and transmittance without significantly deteriorating A transparent electrode having a high haze value and an organic light emitting element.

본 발명은 적어도 2 이상의 와이어부를 포함하는 나노와이어로서, 임의의 제n와이어부와 상기 제n나노와이어와 연결되는 제n+1와이어부를 포함하며, 상기 제n와이어부의 직경과 상기 제 n+1와이어부의 직경은 서로 다른 메탈 나노와이어를 나노와이어를 제공한다.The present invention relates to a nanowire including at least two wire portions, wherein the nanowire includes an arbitrary n-th wire portion and an (n + 1) -th wire portion connected to the n-th nanowire, The diameter of the wire portion is different from that of the metal nanowire to provide the nanowire.

또한 본 발명은 제1 직경을 갖는 제1 와이어부 및 상기 제1 와이어부로부터 연장되어 형성된 제2 직경을 갖는 제2 와이어부를 포함하며, 상기 제1 직경과 상기 제2 직경이 서로 다른 메탈 나노와이어를 제공한다.The present invention also provides a metal wire comprising a first wire portion having a first diameter and a second wire portion having a second diameter formed from the first wire portion and having a first diameter and a second diameter different from each other, Lt; / RTI >

또한 본 발명은 상기 제2 와이어부는 상기 제1 와이어부의 한쪽 단부 또는 양쪽 단부에 형성되는 메탈 나노와이어를 제공한다.In addition, the present invention provides the metal nanowire wherein the second wire portion is formed at one end or both ends of the first wire portion.

또한 본 발명은 상기 제1 직경은 50 내지 100nm 이며, 상기 제2 직경은 150 내지 1100nm 인 메탈 나노와이어를 제공한다.The present invention also provides a metal nanowire having a first diameter of 50 to 100 nm and a second diameter of 150 to 1100 nm.

또한 본 발명은 상기 제1 와이어부의 길이는 40 내지 100μm 이며, 상기 제2 와이어부의 길이는 5 내지 15μm 인 메탈 나노와이어를 제공한다.Also, the present invention provides a metal nanowire having a length of the first wire portion of 40 to 100 m and a length of the second wire portion of 5 to 15 m.

본 발명에 의한 메탈 나노와이어는 직경 및 종횡비가 크고 복수의 꺾임 특성을 갖는 구조의 메탈 나노와이어로써, 메탈 나노와이어들간에 접촉점, 접촉 면적 또는 접촉 확률이 증가하여 면저항이 비교적 작고, 전기전도도가 우수하고 광산란 효과를 갖는 메탈 나노와이어를 제공할 수 있다. The metal nanowire according to the present invention is a metal nanowire having a structure having a large diameter and an aspect ratio and having a plurality of bending characteristics. The contact point, the contact area or the probability of contact between the metal nanowires increases, so that the sheet resistance is relatively small and the electrical conductivity And a metal nanowire having a light scattering effect can be provided.

또한 본 발명에 의한 메탈 나노와이어는 직경 및 종횡비가 크고 복수의 직경 특성을 갖는 구조의 메탈 나노와이어로써, 메탈 나노와이어들간에 접촉점, 접촉 면적 또는 접촉 확률이 증가하여 면저항이 비교적 작고, 전기전도도가 우수하고 광산란 효과를 갖는 메탈 나노와이어를 제공할 수 있다.Further, the metal nanowire according to the present invention is a metal nanowire having a large diameter and an aspect ratio and having a plurality of diameter characteristics, wherein the contact point, the contact area or the probability of contact between the metal nanowires increases, the sheet resistance is relatively small, It is possible to provide a metal nanowire excellent in light scattering effect.

또한 본 발명에 의한 메탈 나노와이어는 금속 피복 특성을 갖는 코어-쉘 나노와이어로써, 황화 및 산화가 방지되어 신뢰성이 향상되며 광산란 특성이 향상되고, 전기 전도도 및 투과도를 크게 저하시키지 않으면서도 높은 헤이즈값을 갖는 구조의 코어-쉘 나노와이어를 제공할 수 있다. Further, the metal nanowire according to the present invention is a core-shell nanowire having a metal coating property, which prevents sulphation and oxidation, thereby improving reliability, improving light scattering characteristics, and exhibiting a high haze value without significantly lowering the electric conductivity and transmittance Lt; RTI ID = 0.0 > nanowire. ≪ / RTI >

또한 본 발명에 의한 메탈 나노와이어 제조방법은 원 포트(one-pot) 합성으로서 중간 생성물의 정제가 필요하지 않고, 메탈 나노와이어 이외의 부산물이 발생하지 않아 높은 수율로 메탈 나노와이어를 제조할 수 있다. In addition, the method of manufacturing a metal nanowire according to the present invention is a one-pot synthesis, in which purification of an intermediate product is not required, and by-products other than metal nanowires are not generated, and metal nanowires can be produced with a high yield .

또한 본 발명에 의한 메탈 나노와이어 제조방법은 반응 혼합물 전부를 함께 반응용기에 투입하고 상압 이상의 조건에서 반응시킴으로써 반응 혼합물의 휘발을 최소화함으로써 직경 및 종횡비가 크더라도 합성 시 부러지지 않고 구부러지는 구조로 성장할 수 있도록 하여 꺾임 특성을 갖는 구조의 메탈 나노와이어를 제조할 수 있다. In addition, the method of manufacturing a metal nanowire according to the present invention minimizes volatilization of the reaction mixture by putting all of the reaction mixture into a reaction vessel and reacting under a condition of atmospheric pressure or higher, so that the metal nanowire can be bent into a bending structure without breaking even when the diameter and the aspect ratio are large So that a metal nanowire having a bending characteristic can be manufactured.

또한 본 발명에 의한 메탈 나노와이어 제조방법은 반응 혼합물의 캡핑제의 함량을 조절함으로써 메탈 나노와이어의 측면 성장을 조절하여 복수의 직경 특성을 갖는 구조의 메탈 나노와이어를 제조할 수 있다. In addition, the metal nanowire according to the present invention can control the lateral growth of the metal nanowire by controlling the content of the capping agent in the reaction mixture to produce metal nanowires having a plurality of diameter characteristics.

또한 본 발명에 의한 메탈 나노와이어 제조방법은 일반적인 메탈 나노와이어뿐만 아니라 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어 및 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어에도 적용가능한 제조방법으로써, 금속 화합물 쉘이 형성된 코어-쉘 나노와이어를 제조할 수 있다. The method of manufacturing a metal nanowire according to the present invention can be applied not only to a general metal nanowire but also to a metal nanowire having a plurality of bending characteristics and a metal nanowire having a plurality of diameters, Shell nanowires can be fabricated.

또한 본 발명에 의한 직경 및 종횡비가 크고 복수의 꺾임 특성을 갖는 구조의 메탈 나노와이어를 투광성 전극의 도전체층으로 사용함으로써, 특히 OLED 조명, 유기태양전지 등에 사용될 경우 가시광선 영역에서의 적절한 투과도 및 헤이즈값을 갖는 투광성 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공할 수 있다.Further, by using the metal nanowire having a structure having a large diameter and aspect ratio and having a plurality of bending characteristics according to the present invention as the conductor layer of the light-transmitting electrode, it is possible to obtain an appropriate transmittance in the visible light region and a haze And an organic light emitting device including the same.

또한 본 발명에 의한 직경 및 종횡비가 크고 복수의 직경 특성을 갖는 구조의 메탈 나노와이어를 투광성 전극의 도전체층으로 사용함으로써, 특히 OLED 조명, 유기태양전지 등에 사용될 경우 가시광선 영역에서의 적절한 투과도 및 헤이즈값을 갖는 투광성 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공할 수 있다.Further, by using the metal nanowire having a structure having a large diameter and an aspect ratio and having a plurality of diameter characteristics according to the present invention as the conductor layer of the translucent electrode, particularly when used in OLED lighting, organic solar cells, etc., appropriate transmittance in the visible light region and haze And an organic light emitting device including the same.

또한 본 발명에 의한 금속 화합물 쉘이 형성된 코어-쉘 나노와이어를 투광성 전극의 도전체층으로 사용함으로써, 황화 및 산화를 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 광산란 특성이 향상되고, 전기 전도도 및 투과도를 크게 저하시키지 않으면서도 높은 헤이즈값을 갖는 투광성 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공할 수 있다.Further, by using the core-shell nanowire having the metal compound shell according to the present invention as the conductor layer of the light-transmitting electrode, it is possible to improve the reliability by preventing sulphation and oxidation, and to improve the light scattering property and to increase the electrical conductivity and transmittance It is possible to provide a translucent electrode having a high haze value without deteriorating the organic light emitting device and an organic light emitting device including the same.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 2개의 와이어부를 포함하여 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도시한 것이며,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 n개의 와이어부를 포함하여 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도시한 것이며,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 n개의 와이어부를 포함하여 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어의 입체 구조를 도시한 것이며,
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 1개의 제2 와이어부를 포함하여 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도시한 것이며,
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도시한 것이며(도 5a: 한쪽 끝단에 제2 와이어부를 포함하는 메탈 나노와이어, 도 5b: 양쪽 끝단에 제2 와이어부를 포함하는 메탈 나노와이어),
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어의 와이어부를 도시한 것이며,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도시한 것이며,
도 8은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어의 와이어부를 도시한 것이며,
도 9는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도시한 것이며,
도 10 내지 도 13는 본 발명의 일실시예에 따른 코어-쉘 나노와이어 구조를 나타낸 개념도이며,
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 코어-쉘 나노와이어를 롤투롤 연속공정 개념도이며,
도 15는 본 발명의 일실시예에 따른 은 나노와이어의 SEM 사진이며,
도 16은 본 발명의 일실시예에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어의 SEM 사진이며,
도 17 및 도 18은 본 발명에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어의 TEM 사진이며,
도 19는 꺾임을 갖지 않는 구조의 은 나노와이어의 TEM 사진이며,
도 20은 실시예 11 내지 15(20a), 실시예 16 내지 20(20a)에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 투과도 그래프이며,
도 21은 실시예 11 내지 15(21a), 실시예 16 내지 20(21a)에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 헤이즈값 그래프이며,
도 22 및 도 23은 실시예 23 내지 실시예 27의 코어-쉘 나노와이어의 전자현미경 사진이며(도 22a: 실시예 23, 도 22b: 실시예 24, 도 6c: 실시예 25, 도 23a: 실시예 26, 도 23b: 실시예 27),
도 24은 실시예 25의 코어-쉘 나노와이어 기판에서 산화아연이 나노와이어에 선택적으로 코팅되었음을 보여주는 사진이며,
도 25는 실시예 및 비교예의 면저항값을 나타낸 도이며,
도 26은 실시예의 코어-쉘 나노와이어의 X-선 회절 피크값을 나타낸 도이며(도 26a: 실시예 23, 도 26b: 실시예 24, 도 26c: 실시예 27),
도 27 내지 도 29은 실시예 23 내지 실시예 27의 광투과도 값을 나타낸 도이며(도 27a: 실시예 23, 도 27b: 실시예 24, 도 28a: 실시예 25, 도 28b: 실시예 26, 도 29: 실시예 27),
도 30 내지 도 32은 실시예 23 내지 실시예 27의 헤이즈 값을 나타낸 도이며(도 30a: 실시예 23, 도 30b: 실시예 24, 도 31a: 실시예 25, 도 31b: 실시예 26, 도 32: 실시예 27),
도 33은 실시예의 PL(photoluminescence) 값을 나타낸 도이며(도 33a: 실시예 23, 도 33b: 실시예 24, 도 33c: 실시예 25),
도 34은 실시예 23 내지 실시예 27의 시간에 따른 면저항 변화치를 나타낸 도이며,
도 35 및 도 36은 실시예 28 내지 실시예 32의 코어-쉘 나노와이어의 전자현미경 사진이며(도 35a: 실시예 28, 도 35b: 실시예 29, 도 35c: 실시예 30, 도 36a: 실시예 31, 도 36b: 실시예 32),
도 37은 제조된 코어-쉘 나노와이어 기판에서 산화아연이 나노와이어에 선택적으로 코팅되었음을 보여주는 사진이며,
도 38는 실시예 및 비교예의 면저항값을 나타낸 도이며,
도 39은 실시예의 코어-쉘 나노와이어의 X-선 회절 피크값을 나타낸 도이며(도 39a: 실시예 28, 도 39b: 실시예 29, 도 39c: 실시예 32),
도 40 내지 도 42은 실시예 28 내지 실시예 32의 헤이즈 값을 나타낸 도이며(도 40a: 실시예 28, 도 40b: 실시예 29, 도 41a: 실시예 30, 도 41b: 실시예 31, 도 42: 실시예 32),
도 43 내지 도 45는 실시예 28 내지 실시예 32의 광투과도 값을 나타낸 도이며(도 43a: 실시예 28, 도 43b: 실시예 29, 도 44a: 실시예 30, 도 44b: 실시예 31, 도 45: 실시예 32),
도 46은 실시예 28 내지 실시예 32의 시간에 따른 면저항 변화치를 나타낸 도이며,
도 47은 실시예의 PL(photoluminescence) 값을 나타낸 도이다(도 47a: 실시예 28, 도 47b: 실시예 29, 도 47c: 실시예 32),
FIG. 1 illustrates a metal nanowire having a plurality of bending characteristics including two wire portions according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 illustrates a metal nanowire having a plurality of bending characteristics including n wire portions according to an embodiment of the present invention,
FIG. 3 illustrates a three-dimensional structure of a metal nanowire having a plurality of bending characteristics including n wires according to an embodiment of the present invention,
FIG. 4 illustrates a metal nanowire having a plurality of diameter characteristics including one second wire portion according to another embodiment of the present invention,
FIG. 5 shows a metal nanowire having a plurality of diameter characteristics according to another embodiment of the present invention (FIG. 5A: metal nanowire including a second wire portion at one end, FIG. 5B: A metal nanowire including a two-wire portion),
6 illustrates a wire portion of a metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to an embodiment of the present invention,
FIG. 7 illustrates a metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to an embodiment of the present invention,
8 illustrates a wire portion of a metal nanowire having a plurality of diameter characteristics according to another embodiment of the present invention,
FIG. 9 illustrates a metal nanowire having a plurality of diameter characteristics according to another embodiment of the present invention,
10 to 13 are conceptual views illustrating a core-shell nanowire structure according to an embodiment of the present invention,
FIG. 14 is a conceptual view illustrating a roll-to-roll continuous process of core-shell nanowires according to an embodiment of the present invention,
15 is a SEM photograph of a silver nanowire according to an embodiment of the present invention,
16 is an SEM photograph of silver nanowires having a plurality of diameter characteristics according to an embodiment of the present invention,
17 and 18 are TEM photographs of silver nanowires having a plurality of bending characteristics according to the present invention,
19 is a TEM photograph of a silver nanowire having a structure without bending,
20 is a graph of transmittance of a transparent electrode including silver nanowires according to Examples 11 to 15 (20a) and Examples 16 to 20 (20a)
21 is a graph of haze value of a transparent electrode containing silver nanowires according to Examples 11 to 15 (21a) and Examples 16 to 20 (21a)
FIGS. 22 and 23 are electron micrographs of core-shell nanowires of Examples 23 to 27 (FIG. 22A: Example 23, FIG. 22B: Example 24, FIG. 6C: Example 25, Example 26, Fig. 23B: Example 27),
24 is a photograph showing that zinc oxide is selectively coated on the nanowire in the core-shell nanowire substrate of Example 25. FIG.
25 is a graph showing sheet resistance values in Examples and Comparative Examples,
FIG. 26 is a graph showing X-ray diffraction peak values of the core-shell nanowires in the examples (FIG. 26A: Example 23, FIG. 26B: Example 24 and FIG. 26C: Example 27)
27 to 29 are diagrams showing light transmittance values of Examples 23 to 27 (FIG. 27A: Example 23, FIG. 27B: Example 24, FIG. 28A: Examples 25 and 28B: 29: Example 27),
Figs. 30 to 32 are diagrams showing haze values in Examples 23 to 27 (Fig. 30A: Example 23, Fig. 30B: Example 24, Fig. 31a: Example 25 and Fig. 31b: 32: Example 27),
FIG. 33 is a graph showing PL (photoluminescence) values of the embodiment (FIG. 33A: Example 23, FIG. 33B: Example 24 and FIG. 33C: Example 25)
34 is a graph showing changes in sheet resistance according to time in Examples 23 to 27,
Figs. 35 and 36 are electron micrographs of core-shell nanowires of Examples 28 to 32 (Fig. 35a: Example 28, Fig. 35b: Example 29, Fig. 35c: Example 30, Fig. Example 31, Fig. 36 (b): Example 32)
37 is a photograph showing that zinc oxide is selectively coated on the nanowire in the produced core-shell nanowire substrate,
38 is a graph showing sheet resistance values in Examples and Comparative Examples,
39 is a graph showing the X-ray diffraction peak value of the core-shell nanowire of the example (FIG. 39A: Example 28, FIG. 39B: Example 29, FIG. 39C: Example 32)
Figs. 40 to 42 are diagrams showing haze values of the embodiment 28 to the embodiment 32 (Fig. 40A: Embodiment 28, Fig. 40b: Embodiment 29, Fig. 41a: Embodiment 30 and Fig. 41b: 42: Example 32),
43 to 45 are diagrams showing light transmittance values of Examples 28 to 32 (FIG. 43A: Example 28, FIG. 43B: Example 29, FIG. 44A: Example 30 and FIG. 44B: 45: Example 32),
46 is a diagram showing changes in sheet resistance according to time in Examples 28 to 32,
FIG. 47 is a graph showing a PL (photoluminescence) value of the embodiment (FIG. 47A: Example 28, FIG. 47B: Example 29 and FIG. 47C: Example 32)

이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.Before describing the present invention in detail, it is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the scope of the invention, which is defined solely by the appended claims. shall. All technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art unless otherwise stated.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.Throughout this specification and claims, the word "comprise", "comprises", "comprising" means including a stated article, step or group of articles, and steps, , Step, or group of objects, or a group of steps.

한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다. On the contrary, the various embodiments of the present invention can be combined with any other embodiments as long as there is no clear counterpoint. Any feature that is specifically or advantageously indicated as being advantageous may be combined with any other feature or feature that is indicated as being preferred or advantageous. Hereinafter, embodiments of the present invention and effects thereof will be described with reference to the accompanying drawings.

(1) 메탈 (1) metal 나노와이어Nanowire

1) 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 1) a metal having a plurality of bending characteristics 나노와이어Nanowire

본 발명의 일실시예에 따른 메탈 나노와이어는 적어도 2 이상의 와이어부(또는 적어도 하나 이상의 꺾임부)를 가져 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어다. 더욱 구체적으로는, 꺾임부에 의해 연결되는 적어도 하나 이상의 와이어부를 포함하는 메탈 나노와이어로서, 임의의 제n와이어부와 상기 제n와이어부와 제n꺽임부에 의해 연결되는 제n+1와이어부가 서로 이루는 각도(α)는 0°< α <180°인 메탈 나노와이어다.The metal nanowire according to an embodiment of the present invention is a metal nanowire having at least two wire portions (or at least one bent portion) and having a plurality of bending properties. More specifically, the metal nanowire includes at least one wire portion connected by a bending portion, and the (n + 1) th wire portion connected to the nth wire portion by the nth wire portion and the n th bend, The angle? Between the metal nanowires is 0 ° <α <180 °.

예를 들면, 2개의 와이어부를 포함하는 메탈 나노와이어의 경우, 도 1에 도시된 바와 같이 제1 와이어부와 제1 꺾임부에 의해 연결되는 제2 와이어부가 각도(α)를 이루는 구조의 메탈 나노와이어다. 또 다른 일예로써, 도 2에 여러 개의 와이어부를 갖는 메탈 나노와이어를 도시하였다. For example, in the case of a metal nanowire including two wire portions, as shown in FIG. 1, the first wire portion and the metal wire having a structure in which the second wire portion connected by the first bent portion forms an angle? Wire. As another example, FIG. 2 shows a metal nanowire having a plurality of wire portions.

더욱 구체적으로는 임의의 제n와이어부와 상기 제n와이어부와 제n꺽임부에 의해 연결되는 제n+1와이어부가 서로 이루는 각도(α)는 130°≤ α ≤170° 이다. 후술할 본 발명에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어 제조방법에 의하여 메탈 나노와이어를 합성하는 경우, 와이어부를 2개(또는 꺾임부를 1개) 갖는 일부 메탈 나노와이어 중에는 드물게 90° 이내의 꺾임부 각도를 갖는 메탈 나노와이어도 합성되지만, 합성되는 대부분의 메탈 나노와이어는 2개 내지 4개의 와이어부(또는 1개 내지 3개의 꺾임부)를 갖고 이때의 꺾임부 각도는 130° 내지 170° 범위 내로 형성되는 특징을 갖는다.More specifically, an angle? Between an arbitrary n-th wire section and an n + 1-th wire section connected by the n-th wire section and the n-th bent section is 130??? In the case of synthesizing metal nanowires by a method of manufacturing a metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to the present invention, some of the metal nanowires having two wire portions (or one bent portion) Metal nanowires with minor angles are also synthesized, but most of the synthesized metal nanowires have two to four wire portions (or one to three bent portions), wherein the bent angle is in the range of 130 to 170 degrees Lt; / RTI &gt;

본 발명에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어는 메탈 나노와이어 합성시 결정이 성장함에 따라 메탈 나노와이어 결정 성장지점에 작용하는 중력에 의해 발생하는 응력(stress)을 해소하기 위해 스트레인(strain)이 발생하고, 이에 따라 일정 방향으로, 일정 각도를 이루며 구부러진 구조를 갖는 메탈 나노와이어로서, 상기의 각도 범위를 갖는 꺾임부를 적어도 하나 이상 포함하는 경우 일직선 형태의 메탈 나노와이어보다 나노와이어들간의 접촉점, 접촉 면적 또는 접촉 확률을 높여 전기전도도가 우수한 효과가 있다.The metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to the present invention may have a strain to remove stress caused by gravity acting on the growth point of the metal nanowire as the crystal grows during synthesis of the metal nanowire, When the metal nanowire has a bent structure with a predetermined angle in a predetermined direction and has at least one bent portion having the above-mentioned angular range, the contact point between the nanowires, rather than the linear metal nanowire, The contact area or the contact probability is increased, and the electric conductivity is excellent.

또한 본 발명의 일실시예에 따른 메탈 나노와이어는 2차원 또는 3차원 구조로서, 적어도 3개 이상의 와이어부를 가질 때, 임의의 제n와이어부와 제n+1와이어부를 포함하는 평면을 A 평면, 제n+1와이어부와 제n+2와이어부를 포함하는 평면을 B 평면이라고 하면, A 평면을 기준으로 B 평면이 이루는 각도(β)는 -10° 내지 10° 인 메탈 나노와이어다. 도 3에 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 구조의 메탈 나노와이어를 도시하였다.The metal nanowire according to an embodiment of the present invention is a two-dimensional or three-dimensional structure. When the metal nanowire has at least three or more wire portions, the plane including any n-th wire portion and the n + The plane including the (n + 1) th wire section and the (n + 2) th wire section is referred to as a B plane, and an angle formed by the B plane with respect to the A plane is -10 ° to 10 °. FIG. 3 illustrates a metal nanowire having a three-dimensional structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일실시예에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어의 직경은 50 내지 200nm이고, 길이는 40 내지 300μm의 범위를 갖는다. 본 명세서 전반에 걸쳐 “직경”이라 함은 메탈 나노와이어의 횡단면이 갖는 최대 길이를 의미하고, “길이”라 함은 메탈 나노와이어의 종단면이 갖는 최대 길이를 의미한다. 또한, 종횡비는 200 내지 6000인의 범위를 갖는다. 여기서의 종횡비는 나노와이어의 직경에 대한 길이의 비를 의미한다.The diameter of the metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to an embodiment of the present invention is 50 to 200 nm and the length is in the range of 40 to 300 탆. Throughout this specification, the term &quot; diameter &quot; refers to the maximum length of the cross section of the metal nanowire, and &quot; length &quot; refers to the maximum length of the longitudinal section of the metal nanowire. In addition, the aspect ratio ranges from 200 to 6,000. The aspect ratio here means the ratio of the length to the diameter of the nanowire.

본 발명에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어는 50 내지 200nm 의 큰 직경을 갖기 때문에 합성 시 일정 응력을 넘어서더라도 부러지지 않고 구부러지는 구조로 성장할 수 있으며, 40 내지 300μm 의 긴 길이를 갖기 때문에 적어도 1개 이상의 꺾임부를 갖는 구조를 가진다. 또한 일정한 방향(중력 방향)으로 구부러지기 때문에 2개 이상의 꺾임부를 갖는 경우 지그재그 구조가 아닌 꺾인 곡선 구조를 가진다.Since the metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to the present invention has a large diameter of 50 to 200 nm, the metal nanowire can be grown in a bent state without breaking even when the stress exceeds a predetermined stress in synthesis. Since the metal nanowire has a long length of 40 to 300 袖 m And has a structure having at least one folded portion. In addition, since it is bent in a certain direction (gravity direction), it has a bent curve structure instead of a zigzag structure when having two or more bent portions.

또한 상기와 같은 직경, 길이 및 종횡비를 갖는 메탈 나노와이어는 보다 작은 크기의 메탈 나노와이어보다 접촉면적의 증가로 인한 전기전도도가 우수하여 투광성 전극 소재로 적합하다. In addition, the metal nanowires having the above-described diameters, lengths, and aspect ratios are preferable as light-transmitting electrode materials because of their excellent electrical conductivity due to an increase in contact area, compared with smaller-sized metal nanowires.

본 발명에 따른 메탈 나노와이어는 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 등을 포함하는 금속 소재의 나노와이어이다. 은(Ag) 나노와이어의 경우, 은(Ag) 은 금속 중에서도 그 화학적 안정성이 높고, 열전도도 및 전기전도도가 매우 좋은 특성을 가지며 나노와이어의 아주 작은 치수로 인해 나타나는 광학적 특성인 투명성까지 더해져 투명 도전막을 제조하기 위한 전극 소재로 사용되기에 바람직하다. The metal nanowire according to the present invention may be a metal nanowire such as Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, The nanowire of the metal material. In the case of silver (Ag) nanowires, silver (Ag) has high chemical stability among metals, very good thermal conductivity and electrical conductivity, and transparency which is optical characteristic due to very small dimensions of nanowires, It is preferable to be used as an electrode material for producing a film.

또한 본 발명에 따른 메탈 나노와이어, 특히 은 나노와이어는 플라즈마 디스플레이 판넬(Plasma Display Panel, PDP), 광학필터, 전자차폐제, 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED), 태양전지, 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 터치스크린, 휴대폰용 EL 키패드 등 전기, 자기, 광학 소자 및 센서 등에 광범위하게 적용될 수 있다. In addition, the metal nanowire according to the present invention, particularly the silver nanowire, can be used for a plasma display panel (PDP), an optical filter, an electromagnetic shielding material, an organic light emitting diode (OLED) Liquid crystal displays, LCDs), touch screens, EL keypads for mobile phones, and the like.

2) 복수의 2) Multiple 직경diameter 특성을 갖는 메탈  Metal with characteristics 나노와이어Nanowire

본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 메탈 나노와이어는, 제1 와이어부 및 제1 와이어부로부터 연장되어 형성된 제2 와이어부를 포함하며, 제1 와이어부의 직경(제1 직경)은 50 내지 100nm이고, 길이는 40 내지 100μm이며, 제2 와이어부의 직경(제2 직경)은 150 내지 1100nm이고 길이는 5 내지 15μm인 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어다. 도 4에 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도시하였다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a metal nanowire including a first wire portion and a second wire portion extending from the first wire portion, wherein a diameter (first diameter) of the first wire portion is 50 to 100 nm , The length is 40 to 100 占 퐉, the diameter of the second wire portion (second diameter) is 150 to 1100 nm, and the length is 5 to 15 占 퐉. FIG. 4 illustrates a metal nanowire having a plurality of diameter characteristics according to an embodiment of the present invention.

또한 본 발명의 일 실시예에 따른 메탈 나노와이어의 제2 직경은 제1 직경의 2배 내지 15배이다. 제2 직경이 제1 직경의 2배 미만인 경우 광산란 효과 저하의 문제점이 있고, 15배 초과인 경우 투광성 전극에 사용될 경우 투과도가 떨어지고, 분산성 저하의 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 2 내지 5배인 것이 좋다.Also, the second diameter of the metal nanowire according to an embodiment of the present invention is 2 to 15 times the first diameter. When the second diameter is less than two times the first diameter, there is a problem of a decrease in the light scattering effect. When the second diameter is more than 15 times, the transmittance is lowered when used in a translucent electrode. More preferably 2 to 5 times.

제2 와이어부는 제1 와이어부의 한쪽 단부 또는 양쪽 단부에 형성될 수 있다. 또한 제2 와이어부는 제1 와이어부의 각 단부에 2개 이상 형성될 수 있다. 도 5에 본 발명의 일 실시예에 따른 한쪽 단부(a) 또는 양쪽 단부(b)에 제2 와이어부가 형성된 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 도시하였다. 제2 와이어부로 인한 접촉면적의 증가로 전기전도도가 우수하여 투광성 전극 소재로 적합하다. The second wire portion may be formed at one end or both ends of the first wire portion. At least two second wire portions may be formed at each end of the first wire portion. FIG. 5 shows a metal nanowire having a plurality of diameter characteristics in which a second wire portion is formed at one end (a) or both ends (b) according to an embodiment of the present invention. It is suitable as a translucent electrode material because of its excellent electric conductivity due to an increase in the contact area due to the second wire portion.

제1 와이어부 및 제2 와이어부의 길이 방향과 수직한 단면은 다각형인 것이 좋고, 예를 들면, 삼각형, 사각형, 오각형 등일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The cross section perpendicular to the longitudinal direction of the first wire portion and the second wire portion may be polygonal, and may be, for example, triangular, square, pentagonal or the like, but is not limited thereto.

본 발명에 의한 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어가 투광성 전극의 도전체층으로 사용되는 경우, 80% 이상의 투과도를 가져, 예를 들면, OLED 조명으로 사용되기에 적합한 특성을 가진다. When the metal nanowire having a plurality of diameter characteristics according to the present invention is used as the conductor layer of the transparent electrode, it has a transmittance of 80% or more and is suitable for use in, for example, OLED illumination.

또한 본 발명에 의한 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어가 투광성 전극의 도전체층으로 사용되는 경우, 1% 이상의 헤이즈값을 나타내지만, 이로 인한 광산란 효과로 인하여 광추출 기능을 가져, OLED 조명에 사용되는 경우 효율을 높일 수 있다.Further, when metal nanowires having a plurality of diameter characteristics according to the present invention are used as a conductor layer of a transparent electrode, they exhibit a haze value of 1% or more. However, due to the light scattering effect caused by the metal nanowires, The efficiency can be increased.

일반적으로 직경이 일정한 메탈 나노와이어의 경우 대게 1% 이하의 낮은 헤이즈값으로 광산란 기능이 거의 없으나, 본 발명에 의한 제2 와이어부를 갖는 메탈 나노와이어는 광산란 효과를 가지며 큰 헤이즈값을 가진다. Generally, metal nanowires having a constant diameter have a low haze value of less than 1% and have almost no light scattering function. However, the metal nanowires having a second wire portion according to the present invention have a light scattering effect and a large haze value.

또한 일반적으로는 메탈 나노와이어를 투광성 전극에 사용하는 경우, 매우 작은 무게 및 부피에 비하여 큰 표면적을 가져 쉽게 응집되는 특성으로 인하여 분산성이 떨어져 면적당 저항(Ω/□)이 증가하는 문제점이 있지만, 본 발명에 의한 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어는 분산성이 우수하여 면적당 저항이 증가하는 것을 방지할 수 있다.In general, when the metal nanowire is used for a light-transmitting electrode, the metal nanowire has a large surface area in comparison with a very small weight and volume, The metal nanowires having a plurality of diameter characteristics according to the present invention are excellent in dispersibility and can prevent an increase in resistance per area.

3) 복수의 꺾임 특성 및 복수의 3) a plurality of bending characteristics and a plurality of 직경diameter 특성을 갖는 메탈  Metal with characteristics 나노와이어Nanowire

본 발명의 일실시예에 의한 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어는 다중 직경을 갖는 와이어부를 더 포함한다. 즉, 와이어부들 중의 적어도 하나 이상은 적어도 2 이상의 서로 다른 직경을 갖는다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 의한 메탈 나노와이어가 갖는 와이어부는 단일 직경을 갖는 와이어부 및 다중 직경을 갖는 와이어부를 포함한다.The metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to an embodiment of the present invention further includes a wire portion having multiple diameters. That is, at least one of the wire portions has at least two or more different diameters. Therefore, the wire portion of the metal nanowire according to an embodiment of the present invention includes a wire portion having a single diameter and a wire portion having multiple diameters.

단일 직경을 갖는 와이어부는, 500 내지 200nm의 제1 직경 또는 150 내지 1100nm의 직경을 갖는다. 다중 직경을 갖는 와이어부는, 2개의 서로 다른 직경을 갖는 경우, 하나의 와이어부 내에 50 내지 200nm의 제1 직경 및 150 내지 1100nm 의 제2 직경을 모두 갖는다. 도 6에 가능한 와이어부의 일실시예들을 도시하였으며, 도 7에 가능한 메탈 나노와이어의 일실시예들을 도시하였다. The wire portion having a single diameter has a first diameter of 500 to 200 nm or a diameter of 150 to 1100 nm. The wire portion having multiple diameters has both a first diameter of 50 to 200 nm and a second diameter of 150 to 1100 nm in one wire portion in the case of having two different diameters. One embodiment of a wire portion as shown in Fig. 6 is shown and one embodiment of a possible metal nanowire is shown in Fig.

제2 직경은 제1 직경의 2배 내지 15배이다. 제2 직경이 제1 직경의 2배 미만인 경우 광산랑 효과 저하의 문제점이 있고, 15배 초과인 경우 투광성 전극에 사용될 경우 투과도가 떨어지고, 분산성 저하의 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 2 내지 5배인 것이 좋다.The second diameter is two to fifteen times the first diameter. When the second diameter is less than 2 times the first diameter, there is a problem of deterioration in the effect of light scattering. When the second diameter is more than 15 times, the transmittance is lowered when used in a light transmitting electrode. More preferably 2 to 5 times.

제2 직경을 포함하는 와이어부는 주로 메탈 나노와이어의 끝단에 포함되나 이에 제한되는 것은 아니다. 메탈 나노와이어 합성시 캡핑제의 양에 따라 다중 직경을 갖는 와이어부가 임의의 와이어부의 위치에서 형성될 수 있다.The wire portion including the second diameter is mainly included at the end of the metal nanowire, but is not limited thereto. A wire portion having multiple diameters may be formed at the position of any wire portion depending on the amount of the capping agent in the synthesis of the metal nanowire.

또 다른 측면에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어는 와이어부들 중 적어도 하나 이상은 적어도 하나 이상의 꺾임부를 갖는 와이어부이다. 도 6을 참고하면, 제1 직경을 갖는 와이어부 또는 제2 직경을 갖는 와이어부는 직선 형태일 수 있고, 꺾임부를 갖는 형태일 수도 있다. In another aspect, the metal nanowire having a plurality of diameter characteristics according to an embodiment of the present invention is a wire portion in which at least one of the wire portions has at least one bent portion. Referring to Fig. 6, the wire portion having the first diameter or the wire portion having the second diameter may be in a straight line shape, or may have a bent portion.

꺾임부를 갖는 와이어부의 경우 그 꺾임 각도(α)는 130° 내지 170° 범위 내로 형성되는 특징을 갖는다. 2개의 와이어부를 포함하는 경우, 도 8에 가능한 와이어부의 일실시예들을 도시하였으며, 도 9에 가능한 메탈 나노와이어의 일실시예들을 도시하였다.And in the case of a wire portion having a bending portion, the bending angle alpha is formed within a range of 130 to 170 degrees. In the case of including two wire portions, one embodiment of the wire portion as shown in Fig. 8 is shown and one embodiment of the metal nanowire as shown in Fig. 9 is shown.

4) 금속 피복 특성을 갖는 코어-쉘 4) Core-shell with metal coating properties 나노와이어Nanowire

본 발명의 일실시예에 따른 코어-쉘 나노와이어는 나노와이어 코어, 및 상기 나노와이어 코어에 코팅된 금속 화합물 쉘을 포함하여 이루어진다. The core-shell nanowire according to one embodiment of the present invention comprises a nanowire core and a metal compound shell coated on the nanowire core.

상기 나노와이어 코어는 전도성의 메탈 나노와이어일 수 있으며, 일례로 은(Ag) 나노와이어일 수 있다. 메탈 나노와이어는 상용화되어 있는 것을 제한되지 않고 사용할 수 있으나, 바람직하게는 본 발명에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어, 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어, 복수의 꺾임 특성 및 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 사용하는 것이 좋다. The nanowire core may be a conductive metal nanowire, for example a silver (Ag) nanowire. The metal nanowires can be used without limitation, but the metal nanowires having a plurality of bending characteristics, the metal nanowires having a plurality of diameter characteristics, the plurality of bending characteristics, and the plurality of diameters It is preferable to use a metal nanowire having the characteristics of

상기 나노와이어 코어는 제한되지 않으나 나노와이어 길이 방향과 수직한 단면도의 형상이 다각형인 것이 좋으며 일례로, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형 중 어느 하나 일 수 있다. 상기 나노와이어 코어가 다각형인 경우 금속 화합물 쉘이 광산란 특성이 더 증가하는 구조로 코팅되어 바람직하다.The nanowire core is not limited, but it is preferable that the shape of the cross section perpendicular to the nanowire length direction is polygonal. For example, the nanowire core may be a triangle, a rectangle, a pentagon, or a hexagon. When the nanowire core is polygonal, the metal compound shell is preferably coated with a structure in which the light scattering property is further increased.

상기 나노와이어 코어는 직경이 30 내지 200nm의 범위내일 수 있으며, 길이는 10 ㎛ 내지 300 ㎛ 범위 내일 수 있다. 나노와이어 코어가 본 발명에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어인 경우 직경이 50 내지 200nm의 범위내일 수 있으며, 길이는 40 ㎛ 내지 300 ㎛ 범위 내일 수 있다. 또한 나노와이어 코어가 본 발명에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어인 경우 제1 직경이 50 내지 100nm, 제2 직경이 150 내지 1100nm의 범위내일 수 있으며, 제1 와이어부의 길이는 40 ㎛ 내지 100 ㎛, 제2 와이어부의 길이는 5㎛ 내지 15㎛ 범위 내일 수 있다.The nanowire core may have a diameter in the range of 30 to 200 nm and a length in the range of 10 to 300 탆. When the nanowire core is a metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to the present invention, the diameter may be in the range of 50 to 200 nm, and the length may be in the range of 40 to 300 μm. When the nanowire core is a metal nanowire having a plurality of diameter characteristics according to the present invention, the first diameter may be in the range of 50 to 100 nm, the second diameter may be in the range of 150 to 1100 nm, and the length of the first wire portion may be 40 [ 100 mu m, and the length of the second wire portion may be in the range of 5 mu m to 15 mu m.

상기 금속 화합물 쉘은 나노와이어 코어를 둘러싸며 코팅된다. 금속 화합물 쉘은 제한되지 않으나 투명한 것이 바람직하며 투명 전도성 금속 산화물, 질화물 또는 황화물 성분을 포함하여 이루어질 수 있다. 일례로, 투명 전도성 금속 화합물 쉘은 ZnO, SiO2, SnO2, TiO2, AlN, GaN, BN, InN, ZnS, CdS, ZnSe, ZnTe, CdSe, 탄소로 이루어진 화합물 중에서 적어도 하나 이상 포함하여 이루어질 수 있으며, 도전성을 띄기 위해 도판트 등의 성분이 추가될 수 있다. 투명 전도성 금속 화합물 쉘은 하나의 성분으로 이루어지거나 여러 성분이 합금된 형태일 수 있다. 또한, 투명 전도성 금속 화합물 쉘은 단층 또는 다층 구조일 수 있다.The metal compound shell is coated surrounding the nanowire core. The metal compound shell is not limited, but is preferably transparent, and may comprise a transparent conductive metal oxide, nitride, or sulfide component. In one example, the transparent conductive metal compound The shell may be made, including ZnO, SiO2, SnO 2, TiO 2, AlN, GaN, BN, InN, ZnS, CdS, ZnSe, ZnTe, CdSe, at least one of the compounds consisting of carbon and , And a component such as a dopant may be added for conductivity. The transparent conductive metal compound shell may be composed of one component or may be in the form of an alloy of several components. Further, the transparent conductive metal compound shell may be a single layer or a multi-layer structure.

종래에는 나노와이어가 광학적인 관점에서 광산란이 적어야 하고, 나노와이어로 도전층을 형성하였을 때 헤이즈값이 적어야 한다는 것이 일반적이었다. 그러나 본 발명의 일실시예에서는 이와는 반대로 광산란을 증가시키고 헤이즈값을 높일 수 있는 코어-쉘 나노와이어를 제시하고자 한다.Conventionally, it has been common that the nanowire should have a small light scattering from an optical point of view and that the haze value should be small when the conductive layer is formed of nanowires. However, an embodiment of the present invention contemplates a core-shell nanowire capable of increasing the light scattering and increasing the haze value.

본 발명의 일실시예에서는 나노와이어의 광산란을 증가시키기 위해 코어-쉘 구조를 도입하고, 특히 쉘의 구조를 기존에 볼 수 없었던 특이적 돌출 구조를 도입하여 광산란 효과를 현저히 증대시켰다.In one embodiment of the present invention, the core-shell structure is introduced to increase the light scattering of the nanowire, and the light scattering effect is remarkably increased by introducing a specific protruding structure, which was not previously available in the structure of the shell.

그 한 예로서, 상기 금속 화합물 쉘은 나노와이어 길이 방향과 수직한 단면도로 볼 때, 나노와이어 코어에서 멀어질수록 좁아지는 형상의 돌출 구조를 다수 갖는 구조일 수 있다. 상기 돌출 구조는 제한되지 않으나 3개 내지 6개 범위내일 수 있다. 여기서의 “나노와이어 코어에서 멀어질수록 좁아지는 형상의 돌출 구조”란 예외적으로 나노와이어 코어에서 멀어짐에도 넓어지는 영역이 존재하더라도 전체의 70% 이상이 나노와이어 코어에서 멀어질수록 좁아지는 형상의 돌출 구조를 갖는 경우도 포함하는 넓은 의미이다.As one example, the metal compound shell may be a structure having a plurality of protruding structures that are narrowed as they are away from the nanowire core in a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the nanowire. The protruding structure is not limited, but may be in the range of three to six. In this case, "protruding structure that narrows as the distance from the nanowire core" is exceptional. Even if there is a region that is widened away from the nanowire core, a protrusion of a shape that becomes narrower as more than 70% Structure. &Lt; / RTI &gt;

또 한 예로서, 상기 금속 화합물 쉘은 나노와이어 길이 방향과 수직한 단면도로 볼 때, 다수의 다각형 형상일 수 있다. 제한되지 않으나 다각형 형상은 3개 내지 6개 범위내일 수 있다. 여기서의 “다각형 형상”이란 수직 단면도가 정확히 다각형인 경우뿐만 아니라 다각형과 유사한 형태로 보편적으로 인식되는 경우도 포함하는 넓은 의미이다.As another example, the metal compound shell may have a plurality of polygonal shapes in a cross-sectional view perpendicular to the nanowire length direction. But the polygonal shape may be in the range of three to six. Here, the &quot; polygonal shape &quot; is a broad sense including not only a case where the vertical cross-section is exactly polygonal but also a case where it is universally recognized as a shape similar to a polygon.

또 한 예로서, 상기 금속 화합물 쉘은 나노와이어 길이방향으로 길게 형성된 다수의 스트라이프 패턴 구조일 수 있다. 제한되지 않으나 스트라이프 패턴 구조는 3개 내지 6개 범위내일 수 있다.As another example, the metal compound shell may be a plurality of stripe pattern structures formed long in the nanowire length direction. Although not limited, the stripe pattern structure may be in the range of three to six.

구체적인 일례로서, 도 10 내지 도 13는 본 발명의 일실시예에 따른 코어-쉘 나노와이어 구조를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 나노와이어 코어(10)에 금속 화합물 쉘(20)이 코팅되어 있다. 금속 화합물 쉘(20)은 금속 화합물 입자들이 응집된 형태일 수 있다. 금속 화합물 입자(21)의 직경(e)은 제한되지 않으나 10 내지 100 nm 범위내일 수 있다.As a specific example, Figures 10-13 illustrate a core-shell nanowire structure according to one embodiment of the present invention. As shown in the figure, the metal compound shell 20 is coated on the nanowire core 10. The metal compound shell 20 may be in the form of aggregated metal compound particles. The diameter (e) of the metal compound particles 21 is not limited, but may be in the range of 10 to 100 nm.

도 10에 도시된 바와 같이, 상기 금속 화합물 쉘(20)은 나노와이어 길이 방향과 수직한 단면도로 볼 때, 삼각형 형상이 4개 존재하는 구조이면서, 나노와이어 길이방향으로 길게 형성된 4개의 스트라이프 패턴 구조일 수 있다.As shown in FIG. 10, the metal compound shell 20 has four triangular shapes in a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the nanowire, and four stripe pattern structures Lt; / RTI &gt;

또는, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 금속 화합물 쉘(20)은 나노와이어 길이 방향과 수직한 단면도로 볼 때, 삼각형 형상이 5개 존재하는 구조이면서, 나노와이어 길이방향으로 길게 형성된 5개의 스트라이프 패턴 구조일 수 있으며(도 11a), 삼각형 형상이 6개 존재하는 구조이면서, 나노와이어 길이방향으로 길게 형성된 6개의 스트라이프 패턴 구조일 수 있다(도 11b).Alternatively, as shown in FIG. 11, the metal compound shell 20 has five triangular shapes in cross section perpendicular to the longitudinal direction of the nanowire, and five stripe- (FIG. 11A), and may have six triangular shapes, but may be six stripe pattern structures elongated in the nanowire length direction (FIG. 11B).

한편, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 금속 화합물 쉘(20)은 나노와이어 길이 방향과 수직한 단면도로 볼 때, 사다리꼴 형상이 5개 존재하는 구조이면서, 나노와이어 길이방향으로 길게 형성된 5개의 스트라이프 패턴 구조일 수 있다. 금속 화합물 쉘의 형성 공정 조건 변화에 의해 삼각형 또는 사다리꼴 형상의 제조가 가능하다. 일례로, 삼각형의 구조를 형성하는 공정 조건에서 시간을 줄이거나 전구체 사용량을 줄이는 등 불충분한 조건으로 코팅하는 경우 사다리꼴 형상의 구조가 만들어질 수 있다(도 13 참고).12, the metal compound shell 20 has five trapezoidal shapes in a cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the nanowire, and five stripe- Pattern structure. It is possible to manufacture a triangular or trapezoidal shape by changing the process conditions for forming the metal compound shell. For example, a trapezoidal structure can be created when coating under insufficient conditions, such as reducing the time or reducing the amount of precursor in process conditions for forming a triangular structure (see FIG. 13).

상기 다각형에서 나노와이어 코어(10)와 인접한 변을 밑변(d)이라 할 때, 밑변(d)의 길이는 40nm 내지 200nm 범위내이고, 높이(c)는 10nm 내지 200nm 범위내가 바람직하다. 높이가 상기 범위 미만에서는 광산란 효과가 떨어지며, 상기 범위를 초과하는 경우 광흡수로 인한 광손실이 야기될 수 있다.When the side adjacent to the nanowire core 10 in the polygon is a base line d, the length of the base line d is preferably in the range of 40 nm to 200 nm and the height c is preferably in the range of 10 nm to 200 nm. If the height is less than the above range, the light scattering effect is poor. If the height is out of the above range, light loss due to light absorption may be caused.

코어-쉘 나노와이어의 길이(a)는 제한되지 않으나 10㎛ ~ 200㎛ 범위내인 것이 좋으며, 높이(c) 대비 코어-쉘 나노와이어의 길이(a)의 비율(c/a)은 0.00006 내지 0.02 범위내가 좋다. 또한, 코어-쉘 나노와이어의 길이 방향과 수직한 단면도상 최장 직경 대비 코어-쉘 나노와이어의 길이(a)의 비율(최장직경/a)은 0.0001 내지 0.06 범위내인 것이 좋다. 상기의 구조를 통해 다양한 광파장을 산란시킬 수 있어 바람직하다.The length (a) of the core-shell nanowire is not limited, but is preferably in the range of 10 μm to 200 μm. The ratio (c / a) of the length (a) of the core- The 0.02 range is good for me. It is also preferable that the ratio (maximum diameter / a) of the length (a) of the core-shell nanowire to the maximum diameter on the cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the core-shell nanowire is within the range of 0.0001 to 0.06. It is preferable to scatter various light wavelengths through the above structure.

상기의 구조를 갖는 코어-쉘 나노와이어는 광산란 특성이 좋아서 투광성 기판 상부에 특정 기준으로 코팅하여 측정한 헤이즈값이 550nm 파장에서 3% 이상일 수 있으며, 더 좋기로는 550nm 파장에서 20% 이상일 수 있다. 후술하는 실험예에서 보듯이 60%를 넘는 헤이즈값도 얻을 수 있다.The core-shell nanowire having the above structure may have a haze value measured by coating on a transparent substrate on a transparent substrate with a good light scattering property at a wavelength of 550 nm of 3% or more, more preferably 20% or more at a wavelength of 550 nm . A haze value of more than 60% can be obtained as shown in the following experimental example.

또한, 면저항값이 60 (Ω/□) 이하로 우수하며, 코팅되지 않은 나노와이어와인 것비교하여도 크게 나빠지지 않으며, 오히려 면저항값이 더 좋아지는 경우도 있다. 또한, 광투과도 값이 550nm 파장(기판흡수도 제외)에서 70 내지 98% 범위내로 매우 우수함을 알 수 있다.In addition, the sheet resistance value is as good as 60 (Ω / □) or less, and the uncoated nanowire is not significantly deteriorated compared to the uncoated wire, and the sheet resistance value may be better. Further, it can be seen that the light transmittance value is very excellent in the range of 70 to 98% at a wavelength of 550 nm (excluding the substrate absorption).

본 발명에 의한 금속 피복 특성을 갖는 코어-쉘 나노와이어가 투광성 전극의 도전체층으로 사용되는 경우, 80% 이상의 투과도를 가져 예를 들면, OLED 조명으로 사용되기에 적합한 특성을 가진다. When the core-shell nanowire having the metal coating property according to the present invention is used as the conductor layer of the transparent electrode, it has a transmittance of 80% or more and is suitable for use in, for example, OLED illumination.

또한 본 발명에 의한 코어-쉘 나노와이어가 투광성 전극의 도전체층으로 사용되는 경우, 1% 이상의 헤이즈값을 나타내지만, 이로 인한 광산란 효과로 인하여 광추출 기능을 가져, 예를 들어, OLED 조명에 사용되는 경우 효율을 높일 수 있다.In addition, when the core-shell nanowire according to the present invention is used as a conductor layer of a light-transmitting electrode, it exhibits a haze value of 1% or more, but has a light extracting function due to the light scattering effect, The efficiency can be increased.

일반적으로 메탈 나노와이어를 투광성 전극에 사용하는 경우, 매우 작은 무게 및 부피에 비하여 큰 표면적을 가져 쉽게 응집되는 특성으로 인하여 분산성이 떨어져 면적당 저항(Ω/□)이 증가하는 문제점이 있지만, 본 발명에 따른 코어-쉘 나노와이어는 분산성이 우수하여 면적당 저항이 증가하는 것을 방지할 수 있다.Generally, when a metal nanowire is used for a light-transmitting electrode, the metal nanowire has a large surface area compared to a very small weight and volume, The core-shell nanowire according to the present invention has excellent dispersibility and can prevent an increase in the resistance per unit area.

(2) 메탈 (2) metal 나노와이어Nanowire 제조방법 Manufacturing method

1) 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 1) a metal having a plurality of bending characteristics 나노와이어Nanowire 제조방법 Manufacturing method

본 발명의 일실시예에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어 제조방법은 반응 혼합물 전부를 함께 반응용기에 투입하고 상압 이상의 조건에서 합성 반응을 진행하는 방법으로, 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 제조할 수 있다.A method of manufacturing a metal nanowire having a plurality of bending characteristics according to an embodiment of the present invention is a method of putting all the reaction mixture into a reaction vessel together and proceeding a synthesis reaction under a condition of atmospheric pressure or higher, Wire can be manufactured.

본 발명의 일실시예에 따른 제조방법은 50 내지 200nm의 직경 및 40 내지 300μm의 길이를 갖는 메탈 나노와이어를 합성할 수 있도록 하는 방법으로서, 합성 시 일정 응력을 넘어서더라도 부러지지 않고 구부러지는 구조로 성장할 수 있으며, 적어도 1개 이상의 꺾임부를 통해 연결되는 적어도 2 이상의 와이어부를 갖는 구조의 메탈 나노와이어를 제조할 수 있다.A manufacturing method according to an embodiment of the present invention is a method of synthesizing metal nanowires having a diameter of 50 to 200 nm and a length of 40 to 300 m, And a metal nanowire having a structure having at least two or more wire portions connected to each other through at least one bent portion can be manufactured.

또한 원 포트 합성(one-pot synthesis)으로서, 중간 생성물의 정제가 필요 없고, 메탈 나노와이어 이외의 부산물 생성 없이 높은 수율로 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 제조할 수 있다. In addition, as one-pot synthesis, there is no need to purify an intermediate product, and metal nanowires having a plurality of bending properties at a high yield can be produced without by-products other than metal nanowires.

더욱 구체적으로는 금속염, 캡핑제, 환원성 용매 및 촉매를 포함하는 반응 혼합물 준비단계(S10) 및 반응 혼합물을 반응용기에 투입하여 반응시킴으로써 메탈 나노와이어로 성장시키는 메탈 나노와이어 합성단계(S20)를 포함하고, 반응 혼합물의 함량, 반응온도, 반응 압력 및 반응시간 등을 조절하여 직경 및 종횡비가 크고 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 합성한다. More specifically, the present invention includes a step (S10) of preparing a reaction mixture containing a metal salt, a capping agent, a reducing solvent and a catalyst, and a step (S20) of synthesizing metal nanowires into a metal nanowire by reacting the reaction mixture into a reaction vessel And the metal nanowires having a large diameter and aspect ratio and having a plurality of bending characteristics are synthesized by controlling the content of the reaction mixture, the reaction temperature, the reaction pressure, and the reaction time.

반응 혼합물 준비단계(S10)는 금속염, 금속염을 금속으로 환원시키는 환원성 용매, 환원된 금속을 와이어 형태로 성장시키는 캡핑제 및 촉매를 특정 비율로 모두 함께 반응용기에 넣어 상온에서 혼합하여 반응 혼합물을 준비하는 단계이다. The reaction mixture preparing step S10 is a step of preparing a reaction mixture by adding metal salts, a reducing solvent for reducing a metal salt to a metal, a capping agent for growing a reduced metal into a wire form, and a catalyst in a specific ratio, .

금속염은 금속 양이온 및 유기 또는 무기 음이온으로 이루어진 화합물로서, 예를 들면, 금속 양이온은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 등을 포함하는 금속의 양이온이며, 유기 또는 무기 음이온은 [NO3]-, [ClO4]-, [BF4]-, [PF6]-, [CH3COO]-, [CF3SO3]-, [SO4]2-, [CH3COCH=COCH3]- 등의 유기 또는 무기 음이온을 포함한다. 금속염의 이온화도가 비슷한 경우에는 두 가지 이상의 금속염을 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 은의 양이온(Ag+) 및 유기 또는 무기 음이온으로 이루어진 은염을 사용하는 것이 좋다.The metal salt is a compound consisting of a metal cation and an organic or inorganic anion. For example, the metal cation is at least one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, , a cation of metal containing Ti, W, U, V, Zr, Ge, etc., organic or inorganic anion is [NO 3] -, [ClO 4] -, [BF 4] -, [PF 6] -, [CH 3 COO] -, [ CF 3 SO 3] - an organic or inorganic anion, such as -, [SO 4] 2-, [CH3COCH = COCH3]. When the ionization degree of the metal salt is similar, two or more metal salts may be used in combination. It is preferable to use a silver salt composed of a silver cation (Ag +) and an organic or inorganic anion.

금속염은 환원성 용매에 의해 용해되어 금속 양이온과 유기 또는 무기 음이온으로 분해된다. 분해된 금속 양이온은 환원되어 결정화되거나 나노와이어로 성장한다.The metal salt is dissolved by a reducing solvent and decomposed into metal cations and organic or inorganic anions. The decomposed metal cations are reduced to crystallize or grow into nanowires.

금속염은 0.03 mol/l 내지 0.4mol/l 로 혼합된다. 몰농도가 0.03 mol/l 미만인 경우 메탈 나노와이어의 생성량이 급격히 감소하며 0.4 mol/l 초과인 경우 과잉생산으로 인해 와이어들이 응집되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 0.05 mol/l 내지 0.10 mol/l로 혼합되는 것이 좋다.The metal salt is mixed at 0.03 mol / l to 0.4 mol / l. When the molar concentration is less than 0.03 mol / l, the amount of metal nanowires is rapidly decreased. When the molar concentration is more than 0.4 mol / l, there is a problem that the wires are agglomerated due to excessive production. More preferably 0.05 mol / l to 0.10 mol / l.

환원성 용매는 금속염, 촉매, 캡핑제가 용해되는 극성 용매로서 분자 내에 히드록시기를 적어도 2개 이상 가지는, 예를 들어, 다이올, 폴리올 또는 글리콜 등의 용매를 사용한다. 환원성 용매는 환원제 기능하여 금속염을 환원시켜 금속을 형성시킨다. 이의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤을 포함하며, 더욱 구체적으로는 에틸렌글리콜, 1, 2-프로필렌글리콜, 1, 3-프로필렌글리콜, 글리세린, 글리세롤 및 다이에틸 글리콜 중에서 적어도 하나를 포함한다. The reductive solvent is a polar solvent in which a metal salt, a catalyst, and a capping agent are dissolved. For example, a solvent such as a diol, a polyol, or a glycol having at least two hydroxyl groups in the molecule is used. The reducing solvent functions as a reducing agent to reduce the metal salt to form a metal. Specific examples thereof include ethylene glycol, propylene glycol and glycerol, and more specifically, at least one of ethylene glycol, 1, 2-propylene glycol, 1, 3-propylene glycol, glycerin, glycerol and diethyl glycol.

캡핑제는 나노와이어의 횡단면 표면이 결정화될 수 있도록 성장 나노와이어의 측면 표면과 우선적으로 상호작용하고 이에 부착되는 화학적 제제를 의미한다. 즉 캡핑제는 횡단면 표면과 상호작용하는 것보다 측면 표면과 더 강하게 상호작용하여 측면 표면은 부동태화되는 반면, 횡단면 표면은 추가의 결정화되어 나노와이어를 생산할 수 있다. The capping agent refers to a chemical agent that preferentially interacts with and adheres to the lateral surface of the growing nanowire such that the cross-sectional surface of the nanowire can be crystallized. That is, the capping agent interacts more strongly with the side surface than interacts with the cross-sectional surface to passivate the side surface, while the cross-sectional surface can be further crystallized to produce nanowires.

캡핑제로는 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone, PVP), 폴리비닐알코올(Polyvinylalcohol, PVA), 폴리아크릴아마이드(Polyacrylamide, PAM) 및 폴리아크릴산(Polyacrylicacid, PAA) 등의 표면부착 고분자를 사용한다. As the capping agent, a surface-adhering polymer such as polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinylalcohol (PVA), polyacrylamide (PAM) and polyacrylic acid (PAA) is used.

캡핑제는 환원성 용매 28 중량부에 대하여 0.5 내지 3.0 중량부로 혼합된다. 0.5 중량부 미만의 경우 생성된 메탈 나노와이어의 직경이 증가하는 문제가 발생하며, 3.0 중량부 초과의 경우 메탈 나노와이어의 길이가 급격히 짧아지는 문제점이 발생된다. 더욱 바람직하게는 2.0 내지 3.0 중량부로 혼합되는 것이 좋다. The capping agent is mixed with 0.5 to 3.0 parts by weight based on 28 parts by weight of the reducing solvent. If the amount of the metal nanowires is less than 0.5 parts by weight, the diameter of the generated metal nanowires may increase. If the amount of the metal nanowires exceeds 3.0 parts by weight, the length of the metal nanowires may be shortened. More preferably 2.0 to 3.0 parts by weight.

촉매는 이온 결합된 양이온 및 음이온을 포함하는 염 첨가제로서, 물, 알코올, 다이올 및 폴리올과 같은 극성 용매 내에서 이온으로 분리된다. 이때 양이온은 유기물 또는 무기물일 수 있으며, 음이온은 일반적으로 무기물이며 할로겐 이온(Cl-, Br-, F- 등)을 포함한다. 촉매에 의해 이방성 나노구조체들이 우선적으로 성장하게 되고, 이로써 상대적으로 고수율의 나노와이어가 수득될 수 있다.  The catalyst is a salt additive comprising ionically cations and anions and is separated into ions in polar solvents such as water, alcohols, diols and polyols. In this case, the cation may be an organic substance or an inorganic substance, and the anion is generally an inorganic substance and includes a halogen ion (Cl-, Br-, F-, etc.). The anisotropic nanostructures are preferentially grown by the catalyst, whereby a relatively high yield of nanowires can be obtained.

촉매는 하나 이상의 양이온과 음이온이 주로 이온 결합된 화합물 및 이의수화물 중에서 적어도 하나를 포함한다. 양이온으로는 Al, NH4, Sb, As, Ba, Bi, Cd, Ca, Cr, Co, Cu, Fe, H, Pb, Mg, Hg, Ni, K, Ag, Na, Sr 및 Zn의 양이온이, 음이온으로는 C2H3O2, Br, CO3, Cl, CrO4, OH, I, NO3, O, C2O4, PO4, SIO3, SO4, S, and/or SO3의 음이온이 포함될 수 있다.The catalyst includes at least one of a compound in which one or more cations and anions are mainly ion-bonded and a hydrate thereof. The cations of Al, NH4, Sb, As, Ba, Bi, Cd, Ca, Cr, Co, Cu, Fe, H, Pb, Mg, Hg, Ni, K, Ag, Na, anions are C 2 H 3 O 2, Br , CO 3, Cl, CrO 4, OH, I, NO 3, O, C 2 O 4, PO 4, SIO 3, SO 4, S, and / or SO 3 Of anions.

촉매는 10-5 mol/l내지 10-2 mol/l로 혼합된다. 10-5 mol/l 미만인 경우에는 초기 핵생성 감소로 메탈 나노와이어 생성이 저하 되고, 10-2 mol/l 초과인 경우 거대 응집이 일어나거나 또는 잉여의 촉매가 메탈 나노와이어의 이방성 성장을 방해하여 직경이 비대해지고, 구형입자 생성이 증가한다.The catalyst is mixed with 10 -5 mol / l to 10 -2 mol / l. In the case of less than 10 -5 mol / l, the generation of metal nanowires is lowered due to the decrease of initial nucleation. When the concentration exceeds 10 -2 mol / l, large aggregation occurs, or surplus catalyst interferes with anisotropic growth of metal nanowires The diameter becomes larger and the generation of spherical particles increases.

메탈 나노와이어 합성단계(S20)는 준비된 반응 혼합물에 반응 혼합물을 반응용기에서 모두 함께 반응하도록 하여 금속염을 환원시켜 생성된 금속 핵 생성 사이트(nucleation site)로부터 금속 양이온을 통해 결정을 메탈 나노와이어로 성장시키는 단계이며, 반응 혼합물의 함량 조절과 함께 반응 온도와 반응 시간 등을 조절하여 큰 직경 및 큰 종횡비를 갖고 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 합성한다. 반응 조건에 따라 합성되는 메탈 나노와이어의 직경, 길이 및 꺾임 특성 등을 조절할 수 있다.In the metal nanowire synthesis step (S20), the reaction mixture is reacted together in the reaction mixture in the reaction vessel so that the metal salt is reduced, and the crystal is grown from the generated nucleation site through metal cations to metal nanowires . The metal nanowires having a large diameter and a large aspect ratio and having a plurality of bending characteristics are synthesized by controlling the reaction mixture and the reaction temperature and the reaction time. The diameter, length, and bending characteristics of the metal nanowires synthesized according to the reaction conditions can be controlled.

메탈 나노와이어 합성단계의 반응온도는 110 내지 150℃에서 이루어진다. 110℃ 미만인 경우 메탈 나노와이어 합성시간이 길어지고, 생성량 저하의 문제점이 있고, 150℃ 초과인 경우 급격한 반응속도의 증가로 메탈 나노와이어들이 응집되는 문제점이 있다.The reaction temperature of the metal nanowire synthesis step is 110 to 150 ° C. If the temperature is less than 110 ° C, the synthesis time of the metal nanowires is prolonged and the production amount is decreased. If the temperature is higher than 150 ° C, the metal nanowires are agglomerated due to an abrupt reaction rate increase.

메탈 나노와이어 합성단계의 반응시간은 3 내지 12시간 동안 이루어진다. 3시간 미만인 경우 나노와이어의 성장 시간이 부족하여 길이 저하의 문제점이 있고, 12 시간 초과인 경우 과잉 반응으로 인해 나노와이어들이 응집되는 문제점이 있다.The reaction time of the metal nanowire synthesis step is 3 to 12 hours. When the time is less than 3 hours, there is a problem that the length of the nanowire is shortened due to a short growth time. When the time exceeds 12 hours, there is a problem that nanowires are agglomerated due to an excessive reaction.

메탈 나노와이어 합성단계는 반응 혼합물을 함께 반응용기에 넣고 반응 압력을 상압 이상으로 하여 메탈 나노와이어를 합성한다. 이는 압력을 높여주어 기화점을 높임으로써 반응 용액의 휘발을 최소화 하여 용액 조성을 유지하는 효과가 있다. 이로 인해 메탈 나노와이어의 길이가 기존의 경우보다 1.5배 이상 길어 진다. 압력을 높여주는 방법으로는 반응 용기를 밀폐하는 방법, 반응 용기 내로 비활성 가스를 주입하는 방법 등이 있다. In the metal nanowire synthesis step, the reaction mixture is put together in a reaction vessel, and the reaction pressure is made to be higher than the normal pressure to synthesize the metal nanowire. This increases the pressure and increases the vaporization point, thereby minimizing the volatilization of the reaction solution and maintaining the solution composition. As a result, the length of the metal nanowires becomes 1.5 times longer than in the conventional case. Examples of the method for increasing the pressure include a method of sealing the reaction vessel, a method of injecting the inert gas into the reaction vessel, and the like.

메탈 나노와이어 합성단계의 반응압력은 상압 이상으로, 1 내지 5atm 하에서 이루어진다. 더욱 바람직하게는 1 내지 3atm의 압력에서 합성되는 것이 좋다. The reaction pressure of the metal nanowire synthesis step is higher than the normal pressure and is made at 1 to 5 atm. More preferably at a pressure of 1 to 3 atm.

메탈 나노와이어 합성시 조성의 변화가 있는 경우 합성되는 메탈 나노와이어의 길이가 달라지는 문제가 있으나, 반응용기를 밀폐시킨 후 반응시키는 경우, 반응 중 대기 중으로 성분의 유입, 유출을 막아 조성을 일정하게 유지할 수 있어 일정한 길이의 메탈 나노와이어를 수득할 수 있다. When the composition of the metal nanowire is changed, there is a problem that the length of the synthesized metal nanowire varies. However, when the reaction vessel is sealed and reacted, the composition can be kept constant by preventing the influx of the component into the atmosphere during the reaction So that a metal nanowire having a constant length can be obtained.

이외에도 필요에 따라 첨가제를 더 혼합하여 합성할 수 있다. 예를 들어 산화방지제 등의 안정제, 분산제, 증점제 등을 더 혼합할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 생성되는 메탈 나노와이어의 길이가 길어질 수 있도록 HCl 또는 HNO3를 혼합된 전체 촉매 중량부에 대하여 0.01 내지 1 중량부로 혼합하여 반응시킬 수 있다.In addition, if necessary, additives can be further mixed and synthesized. For example, stabilizers such as antioxidants, dispersants, thickeners, and the like may be further mixed, but the present invention is not limited thereto. For example, HCl or HNO 3 may be mixed in an amount of 0.01 to 1 part by weight based on the total weight of the mixed catalyst so that the length of the generated metal nanowires may be prolonged.

메탈 나노와이어 합성단계 후 상온으로 냉각시킨 후 아세톤, 에탄올 등으로 세척한 후 정제함으로써 직경 및 종횡비가 크고 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 수득한다.After the step of synthesizing the metal nanowires, the metal nanowires are cooled to room temperature, washed with acetone, ethanol or the like, and then purified to obtain metal nanowires having a large diameter and an aspect ratio and having a plurality of bending properties.

본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법을 통해 메탈 나노와이어를 제조하는 경우, 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어와 함께 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어가 합성될 수 있다.In the case of manufacturing the metal nanowire through the manufacturing method according to an embodiment of the present invention, metal nanowires having a plurality of diameter characteristics together with metal nanowires having a plurality of bending characteristics can be synthesized.

2) 복수의 2) Multiple 직경diameter 특성을 갖는 메탈  Metal with characteristics 나노와이어Nanowire 제조방법 Manufacturing method

본 발명의 일실시예에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어 제조방법은 반응 혼합물 전부를 함께 반응용기에 투입하고 상압 이상의 조건에서 합성 반응을 진행하는 방법으로, 반응 혼합물 내의 캡핑제의 함량, 반응 시간을 조절함으로써, 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 제조할 수 있다.The method of manufacturing a metal nanowire having a plurality of diameters in accordance with an embodiment of the present invention is a method of putting all the reaction mixture into a reaction vessel together and proceeding the synthesis reaction under a condition of atmospheric pressure or higher, By controlling the reaction time, metal nanowires having a plurality of diameter characteristics can be produced.

본 발명의 일실시예에 따른 제조방법은 적어도 2 이상의 와이어부를 포함하는 메탈 나노와이어로서, 임의의 제n 와이어부와 제n 와이어부와 연결되는 제n+1 와이어부를 포함하고, 제n 와이어부의 제n 직경과 제n+1 와이어부의 제n+1 직경은 서로 다른 메탈 나노와이어를 합성할 수 있도록 하는 방법으로서, 메탈 나노와이어의 측면 성장을 방해하는 요소를 제어하여 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 합성할 수 있다.A manufacturing method according to an embodiment of the present invention is a metal nanowire including at least two wire portions and includes an n + 1 wire portion connected to an arbitrary n-th wire portion and an n-th wire portion, The n-th diameter and the (n + 1) -th diameter of the (n + 1) -th wire portion are used to synthesize different metal nanowires. The metal nano- Nanowires can be synthesized.

또한 원 포트 합성(one-pot synthesis)으로서, 중간 생성물의 정제가 필요 없고, 메탈 나노와이어 이외의 부산물 생성 없이 높은 수율로 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 제조할 수 있다. In addition, as one-pot synthesis, there is no need to purify an intermediate product, and metal nanowires having a plurality of bending properties at a high yield can be produced without by-products other than metal nanowires.

더욱 구체적으로는 금속염, 캡핑제, 환원성 용매 및 촉매를 포함하는 반응 혼합물 준비단계(S11) 및 반응 혼합물을 반응용기에 투입하여 반응시킴으로써 메탈 나노와이어로 성장시키는 메탈 나노와이어 합성단계(S21)를 포함하고, 반응 혼합물의 함량, 반응 온도, 반응 압력 및 반응 시간 등을 조절하여 직경 및 종횡비가 크고 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 합성한다. More specifically, the present invention includes a step (S11) of preparing a reaction mixture containing a metal salt, a capping agent, a reducing solvent and a catalyst, and a step (S21) of synthesizing metal nanowires into a metal nanowire by reacting the reaction mixture into a reaction vessel And the metal nanowires having a large diameter and a large aspect ratio and having a plurality of diameter characteristics are synthesized by controlling the content of the reaction mixture, the reaction temperature, the reaction pressure, and the reaction time.

반응 혼합물 준비단계(S11)는 금속염, 금속염을 금속으로 환원시키는 환원성 용매, 환원된 금속을 와이어 형태로 성장시키는 캡핑제 및 촉매를 특정 비율로 모두 함께 반응용기에 넣어 상온에서 혼합하여 반응 혼합물을 준비하는 단계이다. In the reaction mixture preparing step (S11), a metal salt, a reducing solvent for reducing a metal salt to a metal, a capping agent for growing a reduced metal into a wire form, and a catalyst are put in a reaction vessel together at a specified ratio and mixed at room temperature to prepare a reaction mixture .

금속염은 금속 양이온 및 유기 또는 무기 음이온으로 이루어진 화합물로서, 예를 들면, 금속 양이온은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 등을 포함하는 금속의 양이온이며, 유기 또는 무기 음이온은 [NO3]-, [ClO4]-, [BF4]-, [PF6]-, [CH3COO]-, [CF3SO3]-, [SO4]2-, [CH3COCH=COCH3]- 등의 유기 또는 무기 음이온을 포함한다. 금속염의 이온화도가 비슷한 경우에는 두 가지 이상의 금속염을 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 은의 양이온(Ag+) 및 유기 또는 무기 음이온으로 이루어진 은염을 사용하는 것이 좋다.The metal salt is a compound consisting of a metal cation and an organic or inorganic anion. For example, the metal cation is at least one selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, , a cation of metal containing Ti, W, U, V, Zr, Ge, etc., organic or inorganic anion is [NO 3] -, [ClO 4] -, [BF 4] -, [PF 6] -, [CH 3 COO] -, [ CF 3 SO 3] - an organic or inorganic anion, such as -, [SO 4] 2-, [CH3COCH = COCH3]. When the ionization degree of the metal salt is similar, two or more metal salts may be used in combination. It is preferable to use a silver salt composed of a silver cation (Ag +) and an organic or inorganic anion.

금속염은 환원성 용매에 의해 용해되어 금속 양이온과 유기 또는 무기 음이온으로 분해된다. 분해된 금속 양이온은 환원되어 결정화되거나 나노와이어로 성장한다.The metal salt is dissolved by a reducing solvent and decomposed into metal cations and organic or inorganic anions. The decomposed metal cations are reduced to crystallize or grow into nanowires.

금속염은 0.03 mol/l 내지 0.4mol/l 로 합된다. 몰농도가 0.03 mol/l 미만인 경우 메탈 나노와이어의 생성량이 급격히 감소하며 0.4 mol/l 초과인 경우 과잉생산으로 인해 와이어들이 응집되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 0.05 mol/l 내지 0.10 mol/l로 혼합되는 것이 좋다.The metal salt is added in an amount of 0.03 mol / l to 0.4 mol / l. When the molar concentration is less than 0.03 mol / l, the amount of metal nanowires is rapidly decreased. When the molar concentration is more than 0.4 mol / l, there is a problem that the wires are agglomerated due to excessive production. More preferably 0.05 mol / l to 0.10 mol / l.

환원성 용매는 금속염, 촉매, 캡핑제가 용해되는 극성 용매로서 분자 내에 히드록시기를 적어도 2개 이상 가지는, 예를 들어, 다이올, 폴리올 또는 글리콜 등의 용매를 사용한다. 환원성 용매는 환원제 기능하여 금속염을 환원시켜 금속을 형성시킨다. 이의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세롤을 포함하며, 더욱 구체적으로는 에틸렌글리콜, 1, 2-프로필렌글리콜, 1, 3-프로필렌글리콜, 글리세린, 글리세롤 및 다이에틸 글리콜 중에서 적어도 하나를 포함한다. The reductive solvent is a polar solvent in which a metal salt, a catalyst, and a capping agent are dissolved. For example, a solvent such as a diol, a polyol, or a glycol having at least two hydroxyl groups in the molecule is used. The reducing solvent functions as a reducing agent to reduce the metal salt to form a metal. Specific examples thereof include ethylene glycol, propylene glycol and glycerol, and more specifically, at least one of ethylene glycol, 1, 2-propylene glycol, 1, 3-propylene glycol, glycerin, glycerol and diethyl glycol.

캡핑제는 나노와이어의 횡단면 표면이 결정화될 수 있도록 성장 나노와이어의 측면 표면과 우선적으로 상호작용하고 이에 부착되는 화학적 제제를 의미한다. 즉 캡핑제는 횡단면 표면과 상호작용하는 것보다 측면 표면과 더 강하게 상호작용하여 측면 표면은 부동태화되는 반면, 횡단면 표면은 추가의 결정화되어 나노와이어를 생산할 수 있다. The capping agent refers to a chemical agent that preferentially interacts with and adheres to the lateral surface of the growing nanowire such that the cross-sectional surface of the nanowire can be crystallized. That is, the capping agent interacts more strongly with the side surface than interacts with the cross-sectional surface to passivate the side surface, while the cross-sectional surface can be further crystallized to produce nanowires.

캡핑제로는 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone, PVP), 폴리비닐알코올(Polyvinylalcohol, PVA), 폴리아크릴아마이드(Polyacrylamide, PAM) 및 폴리아크릴산(Polyacrylicacid, PAA) 등의 표면부착 고분자를 사용한다. As the capping agent, a surface-adhering polymer such as polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinylalcohol (PVA), polyacrylamide (PAM) and polyacrylic acid (PAA) is used.

캡핑제는 환원성 용매 28 중량부에 대하여 0.05 내지 1.0 중량부로 혼합된다. 0.05 중량부 미만의 경우 생성된 메탈 나노와이어의 직경이 증가하는 문제가 발생하며, 1.0 중량부 초과의 경우 메탈 나노와이어의 길이가 급격히 짧아지는 문제점이 발생된다. 더욱 바람직하게는 0.05 내지 0.5 중량부로 혼합되는 것이 좋다. The capping agent is mixed in 0.05 to 1.0 part by weight with respect to 28 parts by weight of the reducing solvent. When the amount of the metal nanowires is less than 0.05 part by weight, the diameter of the produced metal nanowires increases. When the amount of the metal nanowires exceeds 1.0 part by weight, the length of the metal nanowires is rapidly shortened. More preferably 0.05 to 0.5 parts by weight.

촉매는 이온 결합된 양이온 및 음이온을 포함하는 염 첨가제로서, 물, 알코올, 다이올 및 폴리올과 같은 극성 용매 내에서 이온으로 분리된다. 이때 양이온은 유기물 또는 무기물일 수 있으며, 음이온은 일반적으로 무기물이며 할로겐 이온(Cl-, Br-, F- 등)을 포함한다. 촉매에 의해 이방성 나노구조체들이 우선적으로 성장하게 되고, 이로써 상대적으로 고수율의 나노와이어가 수득될 수 있다. The catalyst is a salt additive comprising ionically cations and anions and is separated into ions in polar solvents such as water, alcohols, diols and polyols. In this case, the cation may be an organic substance or an inorganic substance, and the anion is generally an inorganic substance and includes a halogen ion (Cl-, Br-, F-, etc.). The anisotropic nanostructures are preferentially grown by the catalyst, whereby a relatively high yield of nanowires can be obtained.

촉매는 하나 이상의 양이온과 음이온이 주로 이온 결합된 화합물 및 이의수화물 중에서 적어도 하나를 포함한다. 양이온으로는 Al, NH4, Sb, As, Ba, Bi, Cd, Ca, Cr, Co, Cu, Fe, H, Pb, Mg, Hg, Ni, K, Ag, Na, Sr 및 Zn 이, 음이온으로는 C2H3O2, Br, CO3, Cl, CrO4, OH, I, NO3, O, C2O4, PO4, SIO3, SO4, S, and/or SO3 이 포함될 수 있다.The catalyst includes at least one of a compound in which one or more cations and anions are mainly ion-bonded and a hydrate thereof. As cations, Al, NH4, Sb, As, Ba, Bi, Cd, Ca, Cr, Co, Cu, Fe, H, Pb, Mg, Hg, Ni, K, Ag, Na, It will include the C 2 H 3 O 2, Br , CO 3, Cl, CrO 4, OH, I, NO 3, O, C 2 O 4, PO 4, SIO 3, SO 4, S, and / or SO 3 .

촉매는 10-5 mol/l내지 10-2 mol/l로 혼합된다. 10-5 mol/l 미만인 경우에는 초기 핵생성 감소로 메탈 나노와이어 생성이 저하 되고, 10-2 mol/l 초과인 경우 거대 응집이 일어나거나 또는 잉여의 촉매가 메탈 나노와이어의 이방성 성장을 방해하여 직경이 비대해지고, 구형입자 생성이 증가한다.The catalyst is mixed with 10 -5 mol / l to 10 -2 mol / l. In the case of less than 10 -5 mol / l, the generation of metal nanowires is lowered due to the decrease of initial nucleation. When the concentration exceeds 10 -2 mol / l, large aggregation occurs, or surplus catalyst interferes with anisotropic growth of metal nanowires The diameter becomes larger and the generation of spherical particles increases.

메탈 나노와이어 합성단계(S21)는 준비된 반응 혼합물에 반응 혼합물을 반응용기에서 모두 함께 반응하도록 하여 금속염을 환원시켜 생성된 금속 핵 생성 사이트(nucleation site)로부터 금속 양이온을 통해 결정을 메탈 나노와이어로 성장시키는 단계이며, 반응 혼합물의 함량 조절과 함께 반응 온도와 반응 시간 등을 조절하여 큰 직경 및 큰 종횡비를 갖고 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 합성한다. 반응 조건에 따라 합성되는 메탈 나노와이어의 직경, 길이 및 직경 특성 등을 조절할 수 있다.In the metal nanowire synthesis step (S21), the reaction mixture is reacted with the reaction mixture in the reaction vessel, thereby reducing the metal salt. The metal nanowires are synthesized by growing the crystals into metal nanowires through metal cations from the generated nucleation site The metal nanowires having a large diameter and a large aspect ratio and having a plurality of diameter characteristics are synthesized by controlling the reaction mixture and the reaction temperature and the reaction time. The diameter, length and diameter characteristics of the metal nanowires synthesized according to the reaction conditions can be controlled.

메탈 나노와이어 합성단계의 반응온도는 110 내지 150℃에서 이루어진다. 110℃ 미만인 경우 메탈 나노와이어 합성시간이 길어지고, 생성량 저하의 문제점이 있고, 150℃ 초과인 경우 급격한 반응속도의 증가로 메탈 나노와이어들이 응집되는 문제점이 있다.The reaction temperature of the metal nanowire synthesis step is 110 to 150 ° C. If the temperature is less than 110 ° C, the synthesis time of the metal nanowires is prolonged and the production amount is decreased. If the temperature is higher than 150 ° C, the metal nanowires are agglomerated due to an abrupt reaction rate increase.

메탈 나노와이어 합성단계의 반응시간은 3 내지 12시간 동안 이루어진다. 3시간 미만인 경우 나노와이어의 성장 시간이 부족하여 길이 저하의 문제점이 있고, 12 시간 초과인 경우 과잉 반응으로 인해 나노와이어들이 응집되는 문제점이 있다. 더욱 바람직하게는 4 내지 6시간 동안 합성하는 것이 좋다. 이 경우 7% 이상의 높은 헤이즈값을 갖는 메탈 나노와이어를 합성할 수 있다.The reaction time of the metal nanowire synthesis step is 3 to 12 hours. When the time is less than 3 hours, there is a problem that the length of the nanowire is shortened due to a short growth time. When the time exceeds 12 hours, there is a problem that nanowires are agglomerated due to an excessive reaction. More preferably 4 to 6 hours. In this case, a metal nanowire having a high haze value of 7% or more can be synthesized.

메탈 나노와이어 합성단계는 반응 혼합물을 함께 반응용기에 넣고 반응 압력을 상압 이상으로 하여 메탈 나노와이어를 합성한다. 이는 압력을 높여주어 기화점을 높임으로써 반응 용액의 휘발을 최소화 하여 용액 조성을 유지하는 효과가 있다. 이로 인해 메탈 나노와이어의 길이가 기존의 경우보다 1.5배 이상 길어 진다. 압력을 높여주는 방법으로는 반응 용기를 밀폐하는 방법, 반응 용기 내로 비활성 가스를 주입하는 방법 등이 있다. In the metal nanowire synthesis step, the reaction mixture is put together in a reaction vessel, and the reaction pressure is made to be higher than the normal pressure to synthesize the metal nanowire. This increases the pressure and increases the vaporization point, thereby minimizing the volatilization of the reaction solution and maintaining the solution composition. As a result, the length of the metal nanowires becomes 1.5 times longer than in the conventional case. Examples of the method for increasing the pressure include a method of sealing the reaction vessel, a method of injecting the inert gas into the reaction vessel, and the like.

메탈 나노와이어 합성시 조성의 변화가 있는 경우 합성되는 메탈 나노와이어의 길이가 달라지는 문제가 있으나, 반응용기를 밀폐시킨 후 반응시키는 경우, 반응 중 대기 중으로 성분의 유입, 유출을 막아 조성을 일정하게 유지할 수 있어 일정한 길이의 메탈 나노와이어를 수득할 수 있다. When the composition of the metal nanowire is changed, there is a problem that the length of the synthesized metal nanowire varies. However, when the reaction vessel is sealed and reacted, the composition can be kept constant by preventing the influx of the component into the atmosphere during the reaction So that a metal nanowire having a constant length can be obtained.

이외에도 필요에 따라 첨가제를 더 혼합하여 합성할 수 있다. 예를 들어 산화방지제 등의 안정제, 분산제, 증점제 등을 더 혼합할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 생성되는 메탈 나노와이어의 길이가 길어질 수 있도록 HCl 또는 HNO3를 혼합된 전체 촉매 중량부에 대하여 0.01 내지 1 중량부로 혼합하여 반응시킬 수 있다.In addition, if necessary, additives can be further mixed and synthesized. For example, stabilizers such as antioxidants, dispersants, thickeners, and the like may be further mixed, but the present invention is not limited thereto. For example, HCl or HNO 3 may be mixed in an amount of 0.01 to 1 part by weight based on the total weight of the mixed catalyst so that the length of the generated metal nanowires may be increased.

메탈 나노와이어 합성단계 후 상온으로 냉각시킨 후 아세톤, 에탄올 등으로 세척한 후 정제함으로써 직경 및 종횡비가 크고 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어를 수득한다.After the step of synthesizing the metal nanowires, the metal nanowires are cooled to room temperature, washed with acetone, ethanol or the like, and purified to obtain metal nanowires having a large diameter and an aspect ratio and having a plurality of diameter characteristics.

캡핑제의 함량을 종래의 폴리올 합성방법에서의 함량보다 적게 하되 반응 시간을 늘림으로써, 합성 반응 초기에는 메탈 나노와이어의 측면 성장을 방해하는 캡핑제가 충분히 존재하여 제1 직경을 갖는 제1 와이어부를 형성하고, 제1 와이어부로부터 연속적으로 성장하여 합성 반응 말기에는 캡핑제의 양이 감소하여 측면 성장이 증가함에 따라 메탈 나노와이어의 직경이 증가하여 제2 직경을 갖는 제2 와이어부를 형성한다. 이에 따라 제1 와이어부 및 제1 와이어부로부터 연장되어 형성된 제2 와이어부를 포함하는 구조를 갖는 메탈 나노와이어를 합성할 수 있다. By making the content of the capping agent smaller than that in the conventional polyol synthesis method but increasing the reaction time, a capping agent which interferes with the lateral growth of the metal nanowire is sufficiently present at the beginning of the synthesis reaction to form a first wire portion having a first diameter And the diameter of the metal nanowires is increased as the side growth is increased by decreasing the amount of the capping agent at the end of the synthesis reaction, thereby forming the second wire portion having the second diameter. Thereby forming a metal nanowire having a structure including a first wire portion and a second wire portion extending from the first wire portion.

본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법을 통해 메탈 나노와이어를 제조하는 경우, 복수의 직경 특성을 갖는 메탈 나노와이어와 함께 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈 나노와이어가 합성될 수 있다.When the metal nanowire is manufactured through the manufacturing method according to an embodiment of the present invention, metal nanowires having a plurality of bending characteristics together with metal nanowires having a plurality of diameter characteristics can be synthesized.

3) 금속 피복 특성을 갖는 코어-쉘 3) Core-shell with metal coating properties 나노와이어Nanowire 제조방법 Manufacturing method

본 발명의 일실시예에 따른 금속 화합물 쉘을 포함하는 코어-쉘 나노와이어의 제조방법은 기판 상부에 나노와이어 코어를 준비하는 단계, 상기 나노와이어 코어에 금속 화합물 쉘을 형성하기 위한 전구체 용액을 접촉시키는 단계, 및 기판 대비 나노와이어 코어에서의 흡수가 더 높은 성장 에너지를 공급하여 나노와이어 코어에 금속 화합물 쉘을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 상기 금속 화합물 쉘을 형성하는 단계 이후에, 세척 및 질소 건조 단계를 더 포함할 수 있다.A method of manufacturing a core-shell nanowire including a metal compound shell according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a nanowire core on a substrate, contacting a precursor solution for forming a metal compound shell on the nanowire core, And absorbing at the nanowire core relative to the substrate supply higher growth energy to form a metal compound shell in the nanowire core. After the step of forming the metal compound shell, a washing and a nitrogen drying step may be further included.

먼저, 기판 상부에 나노와이어 코어를 준비한다. 나노와이어 코어는 기판 상부에 직접 성장시켜 제조할 수 있다. 또는 본 발명에 의한 제조방법을 포함한 제조방법에 의해 합성된 메탈 나노와이어를 기판 상부에 도포하여 준비할 수 있다. 상기 기판은 제한되지 않으며 투광성 기판일 수 있다. 또한, 도전막이나 도전 패턴 등 별도의 층이 구비된 기판일 수 있다.First, a nanowire core is prepared on the substrate. The nanowire core can be fabricated by growing directly on top of the substrate. Alternatively, the metal nanowires synthesized by the manufacturing method including the manufacturing method according to the present invention can be applied onto the substrate and prepared. The substrate is not limited and may be a translucent substrate. Further, it may be a substrate provided with a separate layer such as a conductive film or a conductive pattern.

다음, 나노와이어 코어에 금속 화합물 쉘을 형성하기 위한 전구체 용액을 접촉시킨다. 접촉방법은 다양할 수 있다. 일례로 전구체 용액을 나노와이어 코어 기판에 도포하는 방법일 수 있으며, 나노와이어 코어에 고르게, 충분히 전구체 용액이 접촉되도록 한다.Next, a precursor solution for forming a metal compound shell is brought into contact with the nanowire core. Contact methods can vary. For example, it may be a method of applying a precursor solution to a nanowire core substrate so that the nanowire core is evenly and precisely contacted by the precursor solution.

전구체 용액은 용제로서 제한되지 않으나 증류수를 사용할 수 있다. 전구체 용액에는 금속 화합물의 전구체인 금속유기화합물 또는 이의 유도체가 포함된다. 전구체 용액에 포함된 금속유기화합물의 농도는 제한되지 않으나 0.0001 mol/l 내지 1 mol/l 범위 내가 바람직하다. 상기 범위 미만에서는 돌출구조가 미미할 수 있으며, 상기 범위를 초과하는 경우 불필요하게 기판에 금속 화합물이 코팅될 수 있다.The precursor solution is not limited to a solvent but distilled water can be used. The precursor solution includes a metal organic compound or a derivative thereof, which is a precursor of a metal compound. The concentration of the metal organic compound contained in the precursor solution is not limited, but is preferably in the range of 0.0001 mol / l to 1 mol / l. If it is less than the above range, the projecting structure may be insignificant, and if it exceeds the above range, the metal compound may be unnecessarily coated on the substrate.

전구체 용액에는 성장 촉진제가 더 포함될 수 있다. 상기 성장 촉진제는 제한되지 않으나 염기성 화합물 또는 아민계 화합물이 바람직하게 선택될 수 있다. 일례로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아수, 디페닐아민, 디아라민, 디사이실렌, 모노에틸렌디아민, 에스베타페닐아민, 클로로페닐아민 등을 들 수 있다. 상기 성장 촉진제의 함량은 전구체 용액에 포함된 금속유기화합물 1mol 당 0.0001 mol/l 내지 1 mol/l 범위 내가 바람직하다. 상기 범위 미만에서는 성장 속도가 더디며, 상기 범위를 초과하는 경우 돌출구조의 형성이 불완전할 수 있으며, 기판에 금속 화합물이 형성될 수 있다.The precursor solution may further include a growth promoter. The growth promoter is not limited, but a basic compound or an amine-based compound may be preferably selected. Examples thereof include sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia water, diphenylamine, diaramine, diisocyanate, monoethylenediamine, esbetaphenylamine, chlorophenylamine and the like. The content of the growth promoter is preferably in the range of 0.0001 mol / l to 1 mol / l per 1 mol of the metal organic compound contained in the precursor solution. If it is less than the above range, the growth rate is slow, and if it exceeds the above range, the formation of the projecting structure may be incomplete, and a metal compound may be formed on the substrate.

다음, 성장 에너지를 공급하여 나노와이어 코어에 금속 화합물 쉘을 코팅한다. 성장 에너지를 통해 금속유기염이 환원되어 금속 화합물 쉘이 형성된다. 사용되는 성장 에너지로서, 기판보다 나노와이어 코어에서의 흡수율이 높은 에너지를 선택하여 불필요하게 기판에 금속 화합물이 생성되는 것을 억제하는 것이 좋다. 일례로는 자외선, 가시광선, 적외선(IR) 중 하나 이상을 포함하는 전자기파를 성장에너지로 공급할 수 있다. 바람직하게는 제논, 할로겐, UV, 레이저, 적외선 램프 중에서 선택된 광원으로부터 방출되는 성장에너지를 공급하는 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 제논 램프를 사용할 수 있다. 제논 램프로 50W 내지 1000W 범위내의 제논광을 조사하는 것이 좋다. 단, 제조면적에 따라 그 이상의 파워가 사용 될 수 있다.Next, the metallic compound shell is coated on the nanowire core by supplying growth energy. The metal organic salt is reduced through growth energy to form a metal compound shell. As the growth energy to be used, it is preferable to select an energy having a higher absorption rate in the nanowire core than the substrate to suppress generation of a metal compound on the substrate unnecessarily. For example, electromagnetic waves including at least one of ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays (IR) can be supplied as growth energy. It is preferable to supply growth energy emitted from a light source selected from among xenon, halogen, UV, laser, and infrared lamps, and more preferably, a xenon lamp can be used. It is preferable to irradiate xenon light in the range of 50W to 1000W with a xenon lamp. However, more power may be used depending on the manufacturing area.

또는 분자진동을 야기하는 에너지일 수 있으며 바람직하게는 마이크로웨이브 에너지 일 수 있다. 마이크로웨이브 에너지는 50 내지 200W 범위내의 에너지를 사용하는 것이 좋다. 단, 제조면적에 따라 그 이상의 파워가 사용 될 수 있다.Or may be energy that causes molecular vibrations and is preferably microwave energy. The microwave energy is preferably energy in the range of 50 to 200W. However, more power may be used depending on the manufacturing area.

성장 에너지 공급은 제한되지 않으나 10초 내지 5 분 범위내로 이루어지는 것이 좋다. 단, 제조면적에 따라 그 이상의 시간이 소요 될 수 있다.The supply of the growth energy is not limited, but is preferably within the range of 10 seconds to 5 minutes. However, it may take more time depending on the manufacturing area.

다음, 금속 화합물 쉘이 형성된 후에 세척 및 질소 건조 단계를 거칠 수 있다. 세척은 제한되지 않으나 에탄올 등의 알코올로 세척하는 것이 좋고, 질소를 이용하여 건조하는 것이 좋다.Next, after the metal compound shell is formed, it may be subjected to washing and nitrogen drying steps. The washing is not limited, but it is preferable to wash with alcohol such as ethanol, and it is preferable to dry using nitrogen.

한편, 기판 없이 금속 화합물 쉘을 포함하는 나노와이어 코어를 제조할 수도 있다. 즉, 나노와이어 코어를 준비하는 단계, 상기 나노와이어 코어에 금속 화합물 쉘을 형성하기 위한 전구체 용액을 접촉시키는 단계 및 나노와이어 코어에서 흡수되는 성장 에너지를 공급하여 나노와이어 코어에 금속 화합물 쉘을 형성하는 단계를 포함하는 제조방법을 통해 금속 화합물 쉘을 포함하는 코어-쉘 나노와이어를 별도로 수득할 수 있다. 상기 접촉시키는 단계는 전구체 용액이 담긴 반응 용기에 나노와이어 코어를 함침시키는 방법을 이용할 수 있다.
On the other hand, a nanowire core including a metal compound shell without a substrate may be produced. That is, the method includes preparing a nanowire core, contacting a precursor solution for forming a metal compound shell to the nanowire core, and supplying growth energy absorbed in the nanowire core to form a metal compound shell on the nanowire core The core-shell nanowires including the metal compound shell can be separately obtained through the manufacturing method including the steps of: The contacting may be performed by impregnating the nanowire core into a reaction vessel containing the precursor solution.

한편, 도 14에 도시된 바와 같이, 금속 화합물 쉘을 포함하는 코어-쉘 나노와이어를 롤투롤 연속공정으로 제조할 수 있다. 일례로서, 유연기판을 롤러(30)를 이용하여 이동시키면서 먼저 나노와이어 분사기(40)를 이용하여 나노와이어 코어를 유연기판에 코팅한다. 그 후, 건조기(50)를 통과시켜 건조시킨다. 그 후, 금속 화합물 쉘을 형성하기 위한 전구체 용액을 나노와이어 코어에 충분히 접촉되도록 도포기(60)로 도포시킨다. 그 후 성장에너지 조사기(70)를 통해 성장에너지를 가하여 나노와이어 코어에 금속 화합물 쉘을 코팅한다. 그 후 세척건조기(80)로 세척 및 건조하여 최종적으로 롤투롤 공법으로 금속 화합물 쉘을 포함하는 코어-쉘 나노와이어 코어가 도포된 기판을 제조할 수 있다.On the other hand, as shown in Fig. 14, the core-shell nanowire including the metal compound shell can be manufactured by the roll-to-roll continuous process. As an example, the nanowire core is first coated on the flexible substrate using the nanowire injector 40 while moving the flexible substrate using the roller 30. [ Thereafter, it is passed through a dryer (50) and dried. Thereafter, the precursor solution for forming the metal compound shell is applied to the applicator 60 so as to sufficiently contact the nanowire core. Then, growth energy is applied through a growth energy irradiator 70 to coat the metal compound shell on the nanowire core. Thereafter, the substrate is washed and dried with a washing / drying machine 80, and finally a substrate coated with a core-shell nanowire core including a metal compound shell by a roll-to-roll process can be manufactured.

(3) (3) 투광성Translucency 전극 및 유기발광소자 Electrode and organic light emitting element

본 발명은 본 발명의 일실시예에 의한 메탈 나노와이어 또는 코어-쉘 나노와이어를 이용한 투광성 전극(300) 및 이를 이용한 유기 발광 소자(1000)를 제공한다. 본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.The present invention provides a transparent electrode 300 using metal nanowires or core-shell nanowires according to an embodiment of the present invention and an organic light emitting device 1000 using the same. Throughout this specification, when a member is &quot; on &quot; another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.

본 발명의 일실시예인 투광성 전극(300)은 투광성 기판(200) 상에 구비되는 도전체층(31)과 상기 도전체층 상에 형성되는 투광전극층(320);을 포함한다. 도전체층(310)은 본 발명에 의한 메탈(또는 코어-쉘) 나노와이어(311), 및 금속 입자(312) 또는 금속산화물 입자(313)를 포함한다. The transparent electrode 300, which is an embodiment of the present invention, includes a conductive layer 31 provided on a transparent substrate 200 and a transparent electrode layer 320 formed on the conductive layer. The conductor layer 310 includes metal (or core-shell) nanowires 311 according to the present invention, and metal particles 312 or metal oxide particles 313.

도전체층(310)에 포함되는 나노와이어(311)는 전술한 특성, 즉 복수의 꺾임 특성, 복수의 직경 특성 및 금속 피복 특성 중 어느 하나 이상의 특성을 갖는 메탈(또는 코어-쉘) 나노와이어를 사용한다. 또한 전술한 제조방법에 의해 제조된 메탈(또는 코어-쉘) 나노와이어를 사용한다.The nanowires 311 included in the conductor layer 310 use metal (or core-shell) nanowires having any of the above-described characteristics, that is, any one of a plurality of bending characteristics, a plurality of diameter characteristics, do. Also, a metal (or core-shell) nanowire fabricated by the above-described manufacturing method is used.

도전체층(310)에 포함되는 금속 입자(312) 또는 금속산화물(313)은 임의의 도전성 물질일 수 있다. 보다 통상적으로, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 아연(Zn), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 및 이들의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 하나 이상 포함하는 것이나 이에 제한되지 않는다. The metal particles 312 or the metal oxide 313 included in the conductor layer 310 may be any conductive material. More typically, a metal such as Ag, Au, Cu, Pt, Fe, Ni, Cb, Zn, Ti, (Cr), aluminum (Al), palladium (Pd), and oxides thereof, but is not limited thereto.

바람직하게는 은(Ag)을 사용한다. 은(Ag)의 경우 금속으로서 빛을 반사시키고, 투과율이 낮지만 유기발광소자(600)에서 제2전극(500), 예를 들면, 알루미늄(Al) 금속 전극과 상응하여 서로 빛을 반사하므로 실제로 소자 내부에서의 광손실을 적게 하기 때문이다.Silver (Ag) is preferably used. Silver (Ag) reflects light as a metal and reflects light to the second electrode 500, for example, an aluminum (Al) metal electrode in the organic light emitting diode 600 although the transmittance is low. This is because light loss inside the device is reduced.

투광성 기판(200)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리아릴레이트와 같은 폴리에스테르계 수지, 폴리술폰, 폴리에테르술폰(PES)과 같은 폴리술폰계 수지, 폴리에테르케톤(PEK), 폴리에테르에테르케톤(PEEK)과 같은 폴리에테르케톤계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리올레핀 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC) 등과 같은 셀룰로오스 유도체, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. The translucent substrate 200 may be formed of a polyester resin such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), or polyarylate, a polysulfone resin such as polysulfone or polyethersulfone (PES) A cellulose derivative such as a polyether ketone resin such as a ketone (PEK) or a polyetheretherketone (PEEK), a polycarbonate resin, a polyolefin acrylic resin, a styrene resin, a cellulose triacetate (TAC) &Lt; / RTI &gt; or a mixture thereof.

또한 실리콘 기판, SOI(Silicon On Insulator) 기판, 갈륨 비소 기판, 실리콘 저마늄(SiGe) 기판, 세라믹 기판, 석영 기판, 또는 조명용 유리 기판 등이 될 수 있으며, 조명용으로 사용되는 기판이라면 제한 없이 이용될 수 있다.The substrate may be a silicon substrate, a silicon on insulator (SOI) substrate, a gallium arsenide substrate, a silicon germanium (SiGe) substrate, a ceramic substrate, a quartz substrate, or a glass substrate for illumination. .

투광전극층(320)은 투명하고 전도성을 부여할 수 있는 물질이라면 제한이 없으나, 바람직하게는 투명성, 전도성 및 내열성 등이 우수한 ITO(Indium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(ZnO-Al2O3: 알루미늄이 도핑된 아연 산화물), GZO(ZnO-Ga2O3: 갈륨이 도핑된 아연 산화물) 등의 금속 산화물, 그래핀(graphene) 등을 사용할 수 있다.The light transmitting electrode layer 320 is not limited as long as it is transparent and can provide conductivity, but it is preferably made of ITO (Indium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide) ), AZO (ZnO-Al2O3: aluminum-doped zinc oxide), GZO (ZnO-Ga2O3: gallium-doped zinc oxide), graphene and the like can be used.

투광전극층(320)은 도전체층(310) 상에 평편하게 또는 굴곡지게 형성된다. 굴곡지게 형성된 경우, 굴곡의 주기를 Rλa라 하고, 굴곡의 높이를 Ra라 할 때, 굴곡의 주기에 대한 굴곡의 높이의 비, 즉 Ra/Rλa는 10- 3이하가 바람직하다. 투광전극층(320)은 광산란 효과를 증대시키며, 나노와이어(311), 및 금속 입자(312) 또는 금속산화물 입자(313)를 보호하는 역할을 할 수 있다.The light transmitting electrode layer 320 is formed on the conductor layer 310 in a flat or curved shape. When winding be formed, La Rλa the cycle of bending and, when referred to the height Ra of the winding, the height of the winding for the period of the winding ratio, i.e., Ra / Rλa is 10 - is preferably less than 3. The translucent electrode layer 320 enhances the light scattering effect and can protect the nanowires 311 and the metal particles 312 or the metal oxide particles 313. [

또한 본 발명은 제1 전극(400), 제2 전극(500) 및 제1 전극(400)과 제2 전극(500) 사이에 구비되는 유기발광층(600)을 포함하는 유기발광소자(1000)를 제공한다.The organic light emitting device 1000 includes the organic light emitting layer 600 provided between the first electrode 400 and the second electrode 500 and between the first electrode 400 and the second electrode 500, to provide.

제1 전극(400)은 본 발명에 의한 다양한 구조를 갖는 직경, 종횡비가 큰 메탈(또는 코어-쉘) 나노와이어를 포함하는 투광성 전극을 사용한다.The first electrode 400 uses a translucent electrode including metal (or core-shell) nanowires of various sizes and large aspect ratios according to the present invention.

유기발광층(600)은 제1 전극(400)과 제2 전극(500) 사이에 구비되며, 제1 전극과 제2 전극의 전기적 구동에 의해 발광한다. 유기발광층(600)은 발광층(610)을 포함하고, 정공 주입층(620), 정공 수송층(630), 전자 수송층(640) 및 전자 주입층(650) 중에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 적층 구조일 수 있다. 발광층(610)을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층(630)과 전자 수송층(640)으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. The organic light emitting layer 600 is provided between the first electrode 400 and the second electrode 500 and emits light by electrical driving of the first electrode and the second electrode. The organic light emitting layer 600 includes a light emitting layer 610 and a stacked structure including at least one selected from a hole injecting layer 620, a hole transporting layer 630, an electron transporting layer 640, and an electron injecting layer 650. . The material capable of forming the light emitting layer 610 is a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and combining holes and electrons from the hole transporting layer 630 and the electron transporting layer 640, Materials with good quantum efficiency are preferred.

제2 전극(500)은 반사 전극으로서 일함수가 작은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 주기율표 제3속의 금속 즉, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li) 또는 칼슘(Ca) 또는 그 합금 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 500 may be formed of a metal having a small work function and having a small work function and an alkaline earth metal and a metal of the third periodic table, that is, silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium ), Gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca) or an alloy thereof. no.

또한 본 발명은 일실시예로서 투광성 기판(200), 본 발명에 의한 제1 전극(400), 제1 전극에 대향하는 제2 전극(500) 및 제1 전극(400)과 제2 전극(500) 사이에 구비되는 유기발광층(600)을 포함하는 유기발광소자(1000); 및 봉지 기판(2000);을 포함하는 유기발광장치를 제공한다. The first electrode 400 and the second electrode 500 are formed on the transparent substrate 200, the first electrode 400 according to the present invention, the second electrode 500 facing the first electrode 400, and the second electrode 500 An organic light emitting device 1000 including an organic light emitting layer 600 disposed between the organic light emitting device 1000 and the organic light emitting device 1000; And an encapsulating substrate (2000).

봉지 기판(2000)은 유기발광소자(1000)를 피복하도록 제2 전극(500) 상에 구비되고, 봉지 기판(2000)으로 인해 유기발광소자(1000) 내부로 산소 및 수분이 침투하는 것을 방지 하는 등의 보호 역할을 한다.The sealing substrate 2000 is provided on the second electrode 500 to cover the organic light emitting device 1000 and prevents oxygen and moisture from penetrating into the organic light emitting device 1000 due to the sealing substrate 2000 And so on.

조명용으로 사용되는 유기발광장치는 내부 광추출 효율의 중요성이 더욱 부각되고, 본 발명에 따른 투광성 전극은 본 발명에 의한 메탈(또는 코어-쉘) 나노와이어를 포함하여 전기 전도도를 높임과 동시에 양호한 투과도 및 헤이즈값을 가지며, 굴절률 차이에 의하여 유기발광소자 내에서 발생하는 광의 전반사에 의한 손실을 줄이고 산란을 일으켜, 내부 광추출 효율을 개선한 유기발광소자 및 유기발광장치를 제공하게 한다.
In the organic light emitting device used for illumination, the importance of internal light extraction efficiency becomes more important, and the translucent electrode according to the present invention includes the metal (or core-shell) nanowire according to the present invention to increase the electrical conductivity, And an organic light emitting device having a haze value and reducing loss due to total reflection of light generated in the organic light emitting diode due to a difference in refractive index and causing scattering and improving internal light extraction efficiency.

실시예Example

1) One) 실시예Example 1 내지  1 to 실시예Example 10 - 복수의 꺾임 특성을 갖는 메탈  10 - metal having a plurality of bending characteristics 나노와이어Nanowire

실시예Example 1 One

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 3g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 1atm, 130℃에서 5시간동안 반응시켜 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 3 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was put in a single vessel, sealed, and reacted at 130 캜 for 5 hours at 1 atm to obtain silver nanowires having a plurality of bending properties.

실시예 2 Example 2

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 3g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 3atm, 130℃에서 5시간동안 반응시켜 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 3 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was put into a single vessel, sealed, and reacted at 3 atm and 130 ° C for 5 hours to obtain silver nanowires having a plurality of bending properties.

실시예 3Example 3

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 3g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 5atm, 130℃에서 5시간동안 반응시켜 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 3 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was put into a single vessel, sealed, and reacted at 5 atm and 130 ° C for 5 hours to obtain silver nanowires having multiple bending properties.

실시예 4Example 4

FeCl3 5X10-3mol/l 을 혼합하고, 반응 시간을 1시간으로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.Silver nanowires having a plurality of bending characteristics were obtained in the same manner as in Example 2 except that FeCl 3 5X10 -3 mol / l was mixed and the reaction time was 1 hour.

실시예 5Example 5

FeCl3 5X10-3mol/l 을 혼합하고, 반응 시간을 6시간으로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.Silver nanowires having a plurality of bending characteristics were obtained in the same manner as in Example 2 except that FeCl 3 5X10 -3 mol / l was mixed and the reaction time was changed to 6 hours.

실시예 6Example 6

FeCl3 5X10-3mol/l 을 혼합하고, 반응 시간을 12시간으로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.Silver nanowires having a plurality of bending properties were obtained in the same manner as in Example 2 except that FeCl 3 5X10 -3 mol / l was mixed and the reaction time was changed to 12 hours.

실시예 7Example 7

반응 온도를 110℃로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 복수의 꺾임 특성 및 복수의 직경 특성을 갖는 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.Silver nanowires having a plurality of bending characteristics and a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 2 except that the reaction temperature was changed to 110 캜.

실시예 8Example 8

반응 온도를 150℃로 한 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 복수의 꺾임 특성 및 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.Silver nanowires having a plurality of bending properties and a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 2 except that the reaction temperature was set to 150 캜.

실시예 9Example 9

PVP(Mw ~360,000) 0.8g 을 혼합한 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.Silver nanowires having a plurality of bending characteristics were obtained in the same manner as in Example 2 except that 0.8 g of PVP (Mw ~ 360,000) was mixed.

실시예 10Example 10

PVP(Mw ~360,000) 1.5g 을 혼합한 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방법으로 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.Silver nanowire having a plurality of bending properties was obtained in the same manner as in Example 2 except that 1.5 g of PVP (Mw ~ 360,000) was mixed.

2) 2) 실시예Example 11 내지  11 - 실시예Example 22 - 복수의  22 - plural 직경diameter 특성을 갖는 메탈  Metal with characteristics 나노와이어Nanowire

실시예Example 11 11

AgNO3 0.2mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 0.1g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 1atm, 130℃에서 3시간동안 반응시켜 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.2 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 0.1 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was put in a single vessel, sealed, and reacted at 130 캜 for 3 hours at 1 atm to obtain silver nanowires having a plurality of diameter characteristics.

실시예 12 Example 12

반응시간을 4시간으로 한 것 이외에는 실시예 11과 동일한 방법으로복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다. Silver nanowires having a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 11 except that the reaction time was changed to 4 hours.

실시예 13Example 13

반응시간을 5시간으로 한 것 이외에는 실시예 11과 동일한 방법으로복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다. Silver nanowires having a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 11 except that the reaction time was changed to 5 hours.

실시예 14Example 14

반응시간을 6시간으로 한 것 이외에는 실시예 11과 동일한 방법으로복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다. Silver nanowires having a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 11 except that the reaction time was changed to 6 hours.

실시예 15Example 15

반응시간을 7시간으로 한 것 이외에는 실시예 11과 동일한 방법으로복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다. Silver nanowires having a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 11 except that the reaction time was changed to 7 hours.

실시예 16Example 16

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 0.05g, FeCl3 5X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 3atm, 130℃에서 3시간동안 반응시켜 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 0.05 g PVP (Mw ~ 360,000), and 5X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was put in a single vessel, sealed, and reacted at 3 atm at 130 캜 for 3 hours to obtain silver nanowires having a plurality of diameter characteristics.

실시예 17Example 17

반응시간을 4시간으로 한 것 이외에는 실시예 16과 동일한 방법으로 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다. Silver nanowires having a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 16 except that the reaction time was changed to 4 hours.

실시예 18Example 18

반응시간을 5시간으로 한 것 이외에는 실시예 16과 동일한 방법으로 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다. Silver nanowires having a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 16 except that the reaction time was changed to 5 hours.

실시예 19Example 19

반응시간을 6시간으로 한 것 이외에는 실시예 16과 동일한 방법으로 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다. Silver nanowires having a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 16 except that the reaction time was changed to 6 hours.

실시예 20Example 20

반응시간을 7시간으로 한 것 이외에는 실시예 16과 동일한 방법으로 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다. Silver nanowires having a plurality of diameter characteristics were obtained in the same manner as in Example 16 except that the reaction time was changed to 7 hours.

실시예 21Example 21

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 0.1g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 3atm, 110℃에서 12시간동안 반응시켜 복수의 직경 특성 및 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 0.1 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was placed in a single vessel, sealed, and reacted at 3 atm at 110 DEG C for 12 hours to obtain silver nanowires having a plurality of diameter characteristics and a plurality of bending properties.

실시예 22Example 22

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 0.05g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 3atm, 150℃에서 12시간동안 반응시켜 복수의 직경 특성 및 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 0.05 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was put in a single vessel, sealed, and reacted at 3 atm and 150 ° C for 12 hours to obtain silver nanowires having a plurality of diameter characteristics and a plurality of bending properties.

3) 비교예 1 내지 비교예 73) Comparative Examples 1 to 7

비교예 1Comparative Example 1

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 3g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시키지 않고 1atm, 130℃에서 5시간동안 반응시켜 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 3 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was placed in a single vessel and reacted at 130 캜 for 5 hours at 1 atm without sealing to obtain silver nanowires.

비교예 2Comparative Example 2

AgNO3 0.15mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 3g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시키지 않고 1atm, 130℃에서 5시간동안 반응시켜 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.15 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 3 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was placed in a single vessel and reacted at 130 캜 for 5 hours at 1 atm without sealing to obtain silver nanowires.

비교예 3Comparative Example 3

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 3mol/l, FeCl3 1X10-5mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시키지 않고 3atm, 130℃에서 5시간동안 반응시켜 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l of AgNO 3 , 28 g of EG (99.5%), 3 mol / l of PVP (Mw ~ 360,000) and 1 mol of FeCl 3 -5 mol / l. The reaction mixture was charged in a single vessel and reacted at 130 캜 for 5 hours at 3 atm without sealing to obtain silver nanowires.

비교예 4Comparative Example 4

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 3g, FeCl3 5X10-5mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시키지 않고 3atm, 130℃에서 5시간동안 반응시켜 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 3 g PVP (Mw ~ 360,000) and FeCl 3 5X10 -5 mol / l. The reaction mixture was charged in a single vessel and reacted at 130 캜 for 5 hours at 3 atm without sealing to obtain silver nanowires.

비교예 5Comparative Example 5

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 3g, FeCl3 1X10-4mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시키지 않고 3atm, 130℃에서 5시간동안 반응시켜 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 3 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -4 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was charged in a single vessel and reacted at 130 캜 for 5 hours at 3 atm without sealing to obtain silver nanowires.

비교예 6Comparative Example 6

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 0.5g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 3atm, 130℃에서 2시간동안 반응시켜 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 0.5 g PVP (Mw ~ 360,000), and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was poured into a single vessel, sealed, and reacted at 3 atm at 130 DEG C for 2 hours to obtain silver nanowires.

비교예 7Comparative Example 7

AgNO3 0.1mol/l, EG(99.5%) 28g, PVP(Mw ~360,000) 1g, FeCl3 1X10-3mol/l을 혼합하여 반응 혼합물을 준비하였다. 반응 혼합물을 단일 용기에 투입하고 밀폐시킨 후 3atm, 130℃에서 1시간동안 반응시켜 은 나노와이어를 수득하였다.A reaction mixture was prepared by mixing 0.1 mol / l AgNO 3 , 28 g EG (99.5%), 1 g PVP (Mw ~ 360,000) and 1X10 -3 mol / l FeCl 3 . The reaction mixture was placed in a single vessel, sealed, and reacted at 130 ° C for 1 hour at 3 atm to obtain silver nanowires.

반응 혼합물 준비단계Reaction mixture preparation step 은 나노와이어 합성단계Silver nanowire synthesis step 밀폐 여부
Sealed
금속염
[mol/l]
Metal salt
[mol / l]
용매
[g]
menstruum
[g]
캡핑제
[g]
Capping agent
[g]
촉매
[mol/l]
catalyst
[mol / l]
반응압력
[atm]
Reaction pressure
[ATM]
반응시간
[hr]
Reaction time
[hr]
반응온도
[℃]
Reaction temperature
[° C]
실시예 1Example 1 0.10.1 2828 33 1X10-3 1X10 -3 1One 55 130130 OO 실시예 2Example 2 0.10.1 2828 33 1X10-3 1X10 -3 33 55 130130 OO 실시예 3Example 3 0.10.1 2828 33 1X10-3 1X10 -3 55 55 130130 OO 실시예 4Example 4 0.10.1 2828 33 5X10-3 5X10 -3 33 1One 130130 OO 실시예 5Example 5 0.10.1 2828 33 5X10-3 5X10 -3 33 66 130130 OO 실시예 6Example 6 0.10.1 2828 33 5X10-3 5X10 -3 33 1212 130130 OO 실시예 7Example 7 0.10.1 2828 33 1X10-3 1X10 -3 33 55 110110 OO 실시예 8Example 8 0.10.1 2828 33 1X10-3 1X10 -3 33 55 150150 OO 실시예 9Example 9 0.10.1 2828 0.80.8 1X10-3 1X10 -3 33 55 130130 OO 실시예 10Example 10 0.10.1 2828 1.51.5 1X10-3 1X10 -3 33 55 130130 OO 실시예 11Example 11 0.20.2 2828 0.10.1 1X10-3 1X10 -3 1One 33 130130 OO 실시예 12Example 12 0.20.2 2828 0.10.1 1X10-3 1X10 -3 1One 44 130130 OO 실시예 13Example 13 0.20.2 2828 0.10.1 1X10-3 1X10 -3 1One 55 130130 OO 실시예 14Example 14 0.20.2 2828 0.10.1 1X10-3 1X10 -3 1One 66 130130 OO 실시예 15Example 15 0.20.2 2828 0.10.1 1X10-3 1X10 -3 1One 77 130130 OO 실시예 16Example 16 0.10.1 2828 0.050.05 5X10-3 5X10 -3 33 33 130130 OO 실시예 17Example 17 0.10.1 2828 0.050.05 5X10-3 5X10 -3 33 44 130130 OO 실시예 18Example 18 0.10.1 2828 0.050.05 5X10-3 5X10 -3 33 55 130130 OO 실시예 19Example 19 0.10.1 2828 0.050.05 5X10-3 5X10 -3 33 66 130130 OO 실시예 20Example 20 0.10.1 2828 0.050.05 5X10-3 5X10 -3 33 77 130130 OO 실시예 21Example 21 0.10.1 2828 0.10.1 1X10-3 1X10 -3 33 1212 110110 OO 실시예 22Example 22 0.10.1 2828 0.050.05 1X10-3 1X10 -3 33 1212 150150 OO 비교예 1Comparative Example 1 0.10.1 2828 33 1X10-3 1X10 -3 1One 55 130130 XX 비교예 2Comparative Example 2 0.150.15 2828 33 1X10-3 1X10 -3 1One 55 130130 XX 비교예 3Comparative Example 3 0.10.1 2828 33 1X10-5 1X10 -5 33 55 130130 XX 비교예 4Comparative Example 4 0.10.1 2828 33 5X10-5 5X10 -5 33 55 130130 XX 비교예 5Comparative Example 5 0.10.1 2828 33 1X10-4 1X10 -4 33 55 130130 XX 비교예 6Comparative Example 6 0.10.1 2828 0.50.5 1X10-3 1X10 -3 33 22 130130 OO 비교예 7Comparative Example 7 0.10.1 2828 1One 1X10-3 1X10 -3 33 1One 130130 OO

4) 4) 실시예Example 23 내지  23 - 실시예Example 32 금속 피복 특성을 갖는 코어-쉘  32 Core-shell with metal coating properties 나노와이어Nanowire

실시예 23Example 23

증류수에 Zinc acetate dehydrate 0.001mol/l의 농도가 되도록 첨가하고 헥사메틸렌디아민 0.001mol/l를 첨가하여 전구체 용액을 준비하였다. 그 후 전구체 용액을 은 나노와이어(제조사, 제품명 등 기재 기판상에 도포하였다. 그 후 기판에 백색광원을 이용하여 5분간 조사하였다. 반응 종료 후 에탄올로 세척하고 질소로 건조하여 코어-쉘 나노와이어를 제조하였다. Zinc acetate dehydrate was added to distilled water to a concentration of 0.001 mol / l, and 0.001 mol / l of hexamethylenediamine was added to prepare a precursor solution. Thereafter, the precursor solution was applied to a substrate such as silver nanowire (manufacturer, product name, etc.) and then irradiated with a white light source for 5 minutes. After completion of the reaction, the substrate was washed with ethanol and dried with nitrogen to obtain a core- .

실시예 24Example 24

Zinc acetate dehydrate의 농도를 0.01mol/l로 변경하고, 헥사메틸렌디아민의 첨가량을 0.01mol/l로 변경한 것을 제외하고는 실시예 19과 동일하게 제조하였다.The procedure of Example 19 was repeated except that the concentration of zinc acetate dehydrate was changed to 0.01 mol / l and the addition amount of hexamethylenediamine was changed to 0.01 mol / l.

실시예 25Example 25

Zinc acetate dehydrate의 농도를 0.10mol/l로 변경하고, 헥사메틸렌디아민의 첨가량을 0.10mol/l로 변경한 것을 제외하고는 실시예 19과 동일하게 제조하였다.The procedure of Example 19 was repeated except that the concentration of zinc acetate dehydrate was changed to 0.10 mol / l and the addition amount of hexamethylenediamine was changed to 0.10 mol / l.

실시예 26Example 26

Zinc acetate dehydrate의 농도를 0.50mol/l로 변경하고, 헥사메틸렌디아민의 첨가량을 0.50mol/l로 변경한 것을 제외하고는 실시예 19과 동일하게 제조하였다.The procedure of Example 19 was repeated except that the concentration of zinc acetate dehydrate was changed to 0.50 mol / l and the addition amount of hexamethylenediamine was changed to 0.50 mol / l.

실시예 27Example 27

Zinc acetate dehydrate의 농도를 1.00mol/l로 변경하고, 헥사메틸렌디아민의 첨가량을 1.00mol/l로 변경한 것을 제외하고는 실시예 19와 동일하게 제조하였다.The procedure of Example 19 was repeated except that the concentration of zinc acetate dehydrate was changed to 1.00 mol / l and the amount of hexamethylenediamine to be added was changed to 1.00 mol / l.

실시예 28Example 28

증류수에 Zinc nitrate 0.001mol/l의 농도가 되도록 첨가하고 헥사메틸렌디아민 0.001mol/l를 첨가하여 전구체 용액을 준비하였다. 그 후 실시예 1에 따른 은 나노와이어가 도포된 기판상에 전구체 용액을 도포하였다. 그 후 마이크로웨이브를 1000W 조건에서 30초간 가하였다. 반응 종료 후 에탄올로 세척하고 질소로 건조하여 코어-쉘 나노와이어를 제조하였다. Zinc nitrate was added to distilled water to a concentration of 0.001 mol / l, and 0.001 mol / l of hexamethylenediamine was added to prepare a precursor solution. Thereafter, the precursor solution was applied onto the substrate to which the silver nanowire according to Example 1 was applied. The microwave was then applied for 30 seconds under 1000 W conditions. After completion of the reaction, the resultant was washed with ethanol and dried with nitrogen to prepare core-shell nanowires.

실시예 29Example 29

Zinc nitrate의 농도를 0.01mol/l로 변경하고, 헥사메틸렌디아민의 첨가량을 0.01mol/l로 변경한 것을 제외하고는 실시예 28과 동일하게 제조하였다.The procedure of Example 28 was repeated except that the concentration of zinc nitrate was changed to 0.01 mol / l and the addition amount of hexamethylenediamine was changed to 0.01 mol / l.

실시예 30Example 30

Zinc nitrate의 농도를 0.10mol/l로 변경하고, 헥사메틸렌디아민의 첨가량을 0.10mol/l로 변경한 것을 제외하고는 실시예 28과 동일하게 제조하였다.The procedure of Example 28 was repeated except that the concentration of zinc nitrate was changed to 0.10 mol / l and the addition amount of hexamethylenediamine was changed to 0.10 mol / l.

실시예 31Example 31

Zinc nitrate의 농도를 0.50mol/l로 변경하고, 헥사메틸렌디아민의 첨가량을 0.50mol/l로 변경한 것을 제외하고는 실시예 28과 동일하게 제조하였다.The procedure of Example 28 was repeated except that the concentration of zinc nitrate was changed to 0.50 mol / l and the addition amount of hexamethylenediamine was changed to 0.50 mol / l.

실시예 32Example 32

Zinc nitrate의 농도를 1.00mol/l로 변경하고, 헥사메틸렌디아민의 첨가량을 1.00mol/l로 변경한 것을 제외하고는 실시예 28과 동일하게 제조하였다.The procedure of Example 28 was repeated except that the concentration of zinc nitrate was changed to 1.00 mol / l and the amount of hexamethylenediamine was changed to 1.00 mol / l.

비교예 8 내지 비교예 12Comparative Examples 8 to 12

실시예 23 내지 실시예 27의 산화아연 코팅 전의 은 나노와이어 기판을 각각 비교예 8 내지 비교예 12로 사용하였다.Silver nanowire substrates before zinc oxide coating of Examples 23 to 27 were used as Comparative Examples 8 to 12, respectively.

비교예 13 내지 비교예 17Comparative Examples 13 to 17

실시예 28 내지 실시예 32의 산화아연 코팅 전의 은 나노와이어 기판을 각각 비교예 13 내지 비교예 17로 사용하였다.
Silver nanowire substrates before zinc oxide coating of Examples 28 to 32 were used as Comparative Examples 13 to 17, respectively.

시험예Test Example

1) One) 직경diameter , 길이 및 종횡비 측정 , Length and aspect ratio measurements

표 2 에 각 실시예 및 비교예에 따라 합성된 은 나노와이어의 직경 및 길이를 측정한 결과 및 제1 직경에 대한 길이의 비인 종횡비를 나타내었다. Table 2 shows the results of measuring the diameter and length of the silver nanowires synthesized according to each of the examples and the comparative examples, and the aspect ratio, which is the ratio of the length to the first diameter.

제1직경(nm)The first diameter (nm) 제2직경(μm)The second diameter (μm) 제3직경(μm)The third diameter (μm) 길이(μm)Length (μm) 종횡비Aspect ratio 실시예 1Example 1 8080 100100 12501250 실시예 2Example 2 100100 150150 15001500 실시예 3Example 3 120120 230230 19171917 실시예 4Example 4 6060 6060 10001000 실시예 5Example 5 150150 120120 800800 실시예 6Example 6 200200 230230 11501150 실시예 7Example 7 9090 0.3-0.90.3-0.9 0.2-0.60.2-0.6 100100 11111111 실시예 8Example 8 150150 0.4-1.20.4-1.2 0.4-1.00.4-1.0 130130 867867 실시예 9Example 9 200200 100100 500500 실시예 10Example 10 150150 100100 667667 실시예 11Example 11 5050 0.01-0.10.01-0.1 7070 14001400 실시예 12Example 12 6060 0.02-0.130.02-0.13 100100 16671667 실시예 13Example 13 8080 0.03-0.150.03-0.15 140140 17501750 실시예 14Example 14 8080 0.025-0.20.025-0.2 0.025-0.10.025-0.1 150150 18751875 실시예 15Example 15 9090 0.1-0.30.1-0.3 0.1-0.30.1-0.3 160160 17781778 실시예 16Example 16 6060 0.03-0.10.03-0.1 5050 833833 실시예 17Example 17 7070 0.06-0.20.06-0.2 7070 10001000 실시예 18Example 18 8080 0.1-0.20.1-0.2 0.08-0.150.08-0.15 100100 12501250 실시예 19Example 19 100100 0.15-0.350.15-0.35 0.08-0.20.08-0.2 120120 12001200 실시예 20Example 20 130130 0.2-0.50.2-0.5 0.1-0.50.1-0.5 150150 11541154 실시예 21Example 21 9090 0.3-0.90.3-0.9 0.2-0.60.2-0.6 100100 11111111 실시예 22Example 22 150150 0.4-1.20.4-1.2 0.4-1.00.4-1.0 130130 867867 비교예 1Comparative Example 1 6060 4040 667667 비교예 2Comparative Example 2 8080 4040 500500 비교예 3Comparative Example 3 5050 1515 300300 비교예 4Comparative Example 4 5555 2020 364364 비교예 5Comparative Example 5 6060 3030 500500 비교예 6Comparative Example 6 150150 3030 200200 비교예 7Comparative Example 7 100100 3030 300300

표 2에 나타나는 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 은 나노와이어가 비교예에 따른 은 나노와이어보다 큰 직경 및 긴 길이를 가지며, 종횡비 역시 대부분 1000이 넘는 값을 갖는 것을 알 수 있다. As shown in Table 2, it can be seen that the silver nanowires according to the embodiment of the present invention have larger diameter and longer length than the silver nanowires according to the comparative example, and the aspect ratio has a value more than 1000 in most cases.

또한 실시예 7, 8 및 실시예 11 내지 22에 따른 은 나노와이어는 비교예에 따른 은 나노와이어가 단일 직경을 갖는 것과는 달리, 제2 직경 및 제3 직경 등 복수의 직경 특성을 갖는 것을 알 수 있다. It is also understood that the silver nanowires according to Examples 7, 8 and Examples 11 to 22 have a plurality of diameter characteristics such as the second diameter and the third diameter, unlike the silver nanowires according to the comparative example having a single diameter have.

2) 표면주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy , 2) Surface scanning electron microscopy (Scanning Electron Microscopy, SEMSEM ) 분석) analysis

도 15는 본 발명의 일실시예에 따른 은 나노와이어의 표면을 SEM(Scanning Electron Microscopy) 으로 측정한 사진이다. 도 15에 나타난 것과 같이 제조된 은 나노와이어의 직경 분포(15a)는 D1(124.47nm), D2(81.48nm), D3(84.42nm), D4(85.93nm), D5(84.65nm), D6(98.13nm), D7(134.80nm), D8(67.15nm) 로서, 큰 직경을 갖는 것을 알 수 있으며, 길이 분포(15b)는 D1(194.79μm), D2(182.86μm), D3(100.14μm), D4(193.74μm), D5(111.31μm), D6(243.61μm), D7(95.14μm), D8(123.00μm) 로서, 긴 길이를 갖는 것을 알 수 있다. FIG. 15 is a photograph of a surface of a silver nanowire according to an embodiment of the present invention measured by SEM (Scanning Electron Microscopy). The diameter distribution 15a of the silver nanowires prepared as shown in Fig. 15 is D1 (124.47 nm), D2 (81.48 nm), D3 (84.42 nm), D4 (85.93 nm) The length distribution 15b is D1 (194.79 m), D2 (182.86 m), D3 (100.14 m), and D3 D4 (193.74 m), D5 (111.31 m), D6 (243.61 m), D7 (95.14 m) and D8 (123.00 m).

도 16은 본 발명에 따른 복수의 직경 특성을 갖는 은 나노와이어를 SEM(Scanning Electron Microscopy) 으로 측정한 사진이다. 도 16에 나타나는 것과 같이 제1 직경을 갖는 제1 와이어부에 연결된 제2 직경을 갖는 제2 와이어부가 형성된 것을 알 수 있다. FIG. 16 is a photograph of a silver nanowire having a plurality of diameter characteristics according to the present invention measured by SEM (Scanning Electron Microscopy). It can be seen that a second wire portion having a second diameter connected to the first wire portion having the first diameter is formed as shown in FIG.

3) 투과 전자 현미경(Transmission Electron Microscope, 3) Transmission Electron Microscope (Transmission Electron Microscope, TEMTEM ) 분석) analysis

도 17 및 도 18은 본 발명에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어의 형태를 알아보기 위해 TEM(Transmission Electron Microscope)으로 측정한 사진이다. 일정한 방향으로 꺾인 은 나노와이어의 형태를 확인할 수 있다. 도 19에 비교예로서 꺾임을 갖지 않는 구조의 은 나노와이어의 TEM 사진을 나타내었다. FIGS. 17 and 18 are TEM (Transmission Electron Microscope) photographs of a silver nanowire having a plurality of bending characteristics according to the present invention. The shape of the nanowires bent in a certain direction can be confirmed. FIG. 19 shows a TEM photograph of a silver nanowire having a structure without bending as a comparative example.

표 3에 본 발명에 따른 복수의 꺾임 특성을 갖는 은 나노와이어의 꺾임부 개수 및 꺾임부 각도의 평균값을 나타내었다. Table 3 shows the number of bending portions of the silver nanowires having a plurality of bending characteristics according to the present invention and the average value of the bending angle.

제1직경(nm)The first diameter (nm) 제2직경(μm)The second diameter (μm) 제3직경(μm)The third diameter (μm) 길이(μm)Length (μm) 꺾임부 개수(개)Number of folds (pieces) 꺾임부 각도(°)Bending angle (°) 실시예 1Example 1 8080 100100 22 155155 실시예 2Example 2 100100 150150 22 110110 실시예 3Example 3 120120 230230 33 8787 실시예 4Example 4 6060 6060 1One 150150 실시예 5Example 5 150150 120120 22 155155 실시예 6Example 6 200200 230230 22 160160 실시예 7Example 7 9090 0.3-0.90.3-0.9 0.2-0.60.2-0.6 100100 22 150150 실시예 8Example 8 150150 0.4-1.20.4-1.2 0.4-1.00.4-1.0 130130 22 160160 실시예 9Example 9 200200 100100 22 155155 실시예 10Example 10 150150 100100 22 155155 실시예 11Example 11 5050 0.01-0.10.01-0.1 7070 실시예 12Example 12 6060 0.02-0.130.02-0.13 100100 실시예 13Example 13 8080 0.03-0.150.03-0.15 140140 실시예 14Example 14 8080 0.025-0.20.025-0.2 0.025-0.10.025-0.1 150150 실시예 15Example 15 9090 0.1-0.30.1-0.3 0.1-0.30.1-0.3 160160 실시예 16Example 16 6060 0.03-0.10.03-0.1 5050 실시예 17Example 17 7070 0.06-0.20.06-0.2 7070 실시예 18Example 18 8080 0.1-0.20.1-0.2 0.08-0.150.08-0.15 100100 실시예 19Example 19 100100 0.15-0.350.15-0.35 0.08-0.20.08-0.2 120120 실시예 20Example 20 130130 0.2-0.50.2-0.5 0.1-0.50.1-0.5 150150 실시예 21Example 21 9090 0.3-0.90.3-0.9 0.2-0.60.2-0.6 100100 22 150150 실시예 22Example 22 150150 0.4-1.20.4-1.2 0.4-1.00.4-1.0 130130 22 160160 비교예 1Comparative Example 1 6060 4040 비교예 2Comparative Example 2 8080 4040 비교예 3Comparative Example 3 5050 1515 비교예 4Comparative Example 4 5555 2020 비교예 5Comparative Example 5 6060 3030 비교예 6Comparative Example 6 150150 3030 비교예 7Comparative Example 7 100100 3030

표 3에 나타나는 바와 같이 실시예에 따른 은 나노와이어는 비교예에 따른 은 나노와이어가 꺾임 특성을 갖지 않는 것과는 달리, 주로 2개 내지 3개의 꺾임부를 가져 복수의 꺾임 특성을 갖는 것을 알 수 있으며, 실시예 21, 22에 따른 은 나노와이어는 복수의 직경 특성과 함께 복수의 꺾임 특성도 함께 갖는 것을 알 수 있다. As shown in Table 3, unlike the silver nanowires according to the embodiments of the present invention, the silver nanowires according to the comparative examples have two or three folds, It can be seen that the silver nanowires according to Examples 21 and 22 have a plurality of bending characteristics together with a plurality of diameter characteristics.

실험예Experimental Example

1) 전기전도도(1) Electrical conductivity ( 면저항Sheet resistance ) 측정 ) Measure

4-point probe를 사용하여 각 실시예 및 비교예에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 기판에 대하여 15회 측정하여 평균값으로 면저항을 산출하였다. 표 4에 본 발명에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 면저항 5회 측정한 결과 평균 면저항 및 표준편차를 나타내었다. Using a 4-point probe, the translucent substrate containing silver nanowires according to each of the examples and the comparative examples was measured 15 times and the sheet resistance was calculated as an average value. Table 4 shows the average sheet resistance and standard deviation of the translucent electrode containing silver nanowires according to the present invention measured five times in the sheet resistance test.

면저항
(Ω/□)
Sheet resistance
(Ω / □)
표준편차Standard Deviation
실시예 1Example 1 2525 7.57.5 실시예 2Example 2 2121 6.36.3 실시예 3Example 3 4040 1212 실시예 4Example 4 8080 2424 실시예 5Example 5 8282 24.624.6 실시예 6Example 6 4242 12.612.6 실시예 7Example 7 2727 8.18.1 실시예 8Example 8 3737 11.111.1 실시예 9Example 9 2929 8.78.7 실시예 10Example 10 4242 12.612.6 실시예 11Example 11 108108 20.420.4 실시예 12Example 12 9797 18.918.9 실시예 13Example 13 6868 16.716.7 실시예 14Example 14 5454 13.913.9 실시예 15Example 15 4040 12.212.2 실시예 16Example 16 115115 31.131.1 실시예 17Example 17 110110 29.729.7 실시예 18Example 18 4848 7.37.3 실시예 19Example 19 4343 9.79.7 실시예 20Example 20 3535 8.38.3 실시예 21Example 21 2727 8.18.1 실시예 22Example 22 3737 11.111.1 비교예 1Comparative Example 1 5858 17.417.4 비교예 2Comparative Example 2 7575 22.522.5 비교예 3Comparative Example 3 7373 21.921.9 비교예 4Comparative Example 4 9090 2727 비교예 5Comparative Example 5 120120 3636 비교예 6Comparative Example 6 160160 4848 비교예 7Comparative Example 7 180180 5454

표 4에 나타나는 바와 같이 실시예에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 경우, 최소 21 Ω/□, 최대 115 Ω/□, 평균 54.9 Ω/□ 정도의 면저항을 나타내는 반면, 비교예에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 경우, 최소 58 Ω/□, 최대 180 Ω/□, 평균 108 Ω/□ 정도의 면저항을 나타내었다. 이를 통해 본 발명에 따른 은 나노와이어가 면저항 증가를 방지하여 우수한 전기 전도도를 나타냄을 알 수 있다. As shown in Table 4, the translucent electrode including the silver nanowire according to the embodiment exhibited a sheet resistance of at least 21? / ?, a maximum of 115? / ?, and an average of 54.9? /? In the case of the light transmitting electrode including the nanowire, the sheet resistance was at least 58 Ω / □, a maximum of 180 Ω / □, and an average of 108 Ω / □. Thus, it can be seen that silver nanowires according to the present invention prevent an increase in sheet resistance and exhibit excellent electrical conductivity.

2) 투과도 및 2) Transmittance and 헤이즈Hayes 측정 Measure

실시예 및 비교예에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 투과도 및 헤이즈(Haze)를 측정하여 표 5에 나타내었으며, 도 20에 실시예 11 내지 15(20a), 실시예 16 내지 20(20a)에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 투과도 그래프를 나타내었고 및 도 21에 실시예 11 내지 15(21a), 실시예 16 내지 20(21a)에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 헤이즈값 그래프를 나타내었다. The transmittance and haze of the transparent electrode containing silver nanowires according to Examples and Comparative Examples were measured and shown in Table 5, and Examples 11 to 15 (20a) and Examples 16 to 20 (20a ), And FIG. 21 is a graph showing the transmittance of the transparent electrode including the silver nanowires according to Examples 11 to 15 (21a) and Examples 16 to 20 (21a) Value graph.

투과도
(%)
Permeability
(%)
헤이즈
(%)
Hayes
(%)
실시예 1Example 1 88.388.3 1.21.2 실시예 2Example 2 88.288.2 1.51.5 실시예 3Example 3 88.688.6 2.22.2 실시예 4Example 4 88.888.8 1.21.2 실시예 5Example 5 88.788.7 1.81.8 실시예 6Example 6 88.588.5 22 실시예 7Example 7 87.287.2 10.210.2 실시예 8Example 8 87.787.7 17.417.4 실시예 9Example 9 88.388.3 1.21.2 실시예 10Example 10 88.288.2 1.51.5 실시예 11Example 11 86.786.7 4.54.5 실시예 12Example 12 8484 8.48.4 실시예 13Example 13 85.985.9 6.16.1 실시예 14Example 14 86.986.9 4.84.8 실시예 15Example 15 85.885.8 6.66.6 실시예 16Example 16 85.485.4 5.95.9 실시예 17Example 17 83.283.2 9.19.1 실시예 18Example 18 85.585.5 7.37.3 실시예 19Example 19 82.182.1 11.211.2 실시예 20Example 20 84.384.3 7.47.4 실시예 21Example 21 87.287.2 10.210.2 실시예 22Example 22 87.787.7 17.417.4 비교예 1Comparative Example 1 89.989.9 1.21.2 비교예 2Comparative Example 2 88.788.7 1.51.5 비교예 3Comparative Example 3 89.389.3 1.31.3 비교예 4Comparative Example 4 89.389.3 1.41.4 비교예 5Comparative Example 5 88.288.2 1.71.7 비교예 6Comparative Example 6 87.187.1 22 비교예 7Comparative Example 7 87.787.7 1.61.6

디스플레이 장치에 사용되는 경우 1% 이하의 헤이즈값이 요구되지만, OLED 조명(내부 광추출층)이나 유기 태양전지에 사용되는 경우에는 1% 이상, 더욱 바람직하게는 5% 이상의 헤이즈값이 요구되는데, 표 5에 나타나는 바와 같이, 실시예에 따른 은 나노와이어를 포함하는 투광성 전극의 투과도는 비교예에 따른 것과 비슷한 정도의 투과도를 나타내고, 헤이즈값은 비교예와 비슷하거나 일부 실시예의 경우 10% 이상의 높은 값을 나타내어, OLED 조명(내부 광추출층)이나 유기 태양전지에 사용되기 적합한 물성을 갖는 것을 알 수 있다. A haze value of 1% or less is required when used in a display device, but a haze value of 1% or more, more preferably 5% or more is required in the case of being used for an OLED illumination (an internal light extraction layer) or an organic solar battery, As shown in Table 5, the transmittance of the translucent electrode including the silver nanowire according to the embodiment shows a transmittance similar to that of the comparative example, and the haze value is comparable to that of the comparative example, or 10% or more Value, indicating that it has properties suitable for use in OLED illumination (an internal light extraction layer) or an organic solar cell.

3) 3) 실시예Example 23 내지 27 및  23 to 27 and 비교예Comparative Example 8 내지 12에 대한  8 to 12 실험예Experimental Example

실시예 23 내지 실시예 27의 코어-쉘 나노와이어의 전자현미경 사진을 도 22 및 도 23에 나타내었다. 도시된 바와 같이, 나노와이어 길이방향으로 길게 형성된 다수의 스트라이프 패턴 구조로 금속 화합물 쉘이 형성된 것을 확인할 수 있다.Electron micrographs of the core-shell nanowires of Examples 23 to 27 are shown in Figs. 22 and 23. Fig. As shown in the figure, it can be confirmed that the metal compound shell is formed in a plurality of stripe pattern structures formed long in the nanowire length direction.

또한, 제조된 코어-쉘 나노와이어 기판에서 산화아연이 나노와이어에 선택적으로 코팅되었음을 보여주는 사진을 도 24에 나타내었다. 도시된 바와 같이, 나노와이어 위치에 선택적으로 산화아연이 코팅된 것을 확인할 수 있다.FIG. 24 is a photograph showing that zinc oxide is selectively coated on the nanowire in the prepared core-shell nanowire substrate. As shown, it can be confirmed that zinc oxide is selectively coated on the nanowire position.

실시예의 면저항값을 도 25에 나타내었다. 나노와이어 코팅 전에 비하여 동등 수준의 면저항이 나타남을 확인할 수 있으며, 금속 산화물 쉘을 코팅하였을 때 오히려 면저항 수치가 더 좋아지는 것을 확인할 수 있다.The sheet resistance values of the examples are shown in Fig. It can be seen that the same level of surface resistance appears before the nanowire coating, and that the sheet resistance value is better when the metal oxide shell is coated.

또한, 실시예의 코어-쉘 나노와이어의 X-선 회절 피크값을 도 26에 나타내었다. 금속 산화물 피크가 형성된 것을 확인할 수 있으며, 코팅량이 증가할 수록 더욱 금속 산화물 피크의 세기가 커지는 것을 확인할 수 있다.The X-ray diffraction peak values of the core-shell nanowires of the examples are shown in Fig. It can be confirmed that the metal oxide peak is formed. As the amount of the coating increases, the intensity of the metal oxide peak further increases.

또한, 실시예 23 내지 실시예 27의 광투과도 값을 도 27 내지 도 29에 나타내었다. 광투과도 값이 매우 우수한 것을 확인할 수 있다.The light transmittance values of Examples 23 to 27 are shown in Figs. 27 to 29. It can be confirmed that the light transmittance value is very excellent.

또한, 실시예 23 내지 실시예 27의 헤이즈 값을 도 30 내지 도 32에 나타내었다. 금속 산화물 쉘의 코팅량이 증가할수록 헤이즈값이 크게 증가하는 것을 확인할 수 있다.The haze values of Examples 23 to 27 are shown in Figs. 30 to 32. Fig. As the coating amount of the metal oxide shell is increased, the haze value is greatly increased.

또한, 실시예의 PL(photoluminescence) 값을 도 33에 나타내었다. The PL (photoluminescence) value of the example is shown in Fig.

또한, 실시예 23 내지 실시예 27의 시간에 따른 면저항 변화치를 도 34에 나타내었다. 시간에 따른 면저항이 대체로 유지되는 것을 확인할 수 있다.The sheet resistance change values of Examples 23 to 27 over time are shown in Fig. It can be seen that the sheet resistance according to the time is generally maintained.

4) 4) 실시예Example 28 내지 32 및  28 to 32 and 비교예Comparative Example 13 내지 17에 대한  13 to 17 실험예Experimental Example

실시예 28 내지 실시예 32의 코어-쉘 나노와이어의 전자현미경 사진을 도 35 및 도 36에 나타내었다. 도시된 바와 같이, 나노와이어 길이방향으로 길게 형성된 다수의 스트라이프 패턴 구조로 금속 화합물 쉘이 형성된 것을 확인할 수 있다.Electron microscopic photographs of the core-shell nanowires of Examples 28 to 32 are shown in Figs. 35 and 36. Fig. As shown in the figure, it can be confirmed that the metal compound shell is formed in a plurality of stripe pattern structures formed long in the nanowire length direction.

또한, 제조된 코어-쉘 나노와이어 기판에서 산화아연이 나노와이어에 선택적으로 코팅되었음을 보여주는 사진을 도 37에 나타내었다. 도시된 바와 같이, 나노와이어 위치에 선택적으로 산화아연이 코팅된 것을 확인할 수 있다.FIG. 37 is a photograph showing that zinc oxide is selectively coated on the nanowire in the prepared core-shell nanowire substrate. As shown, it can be confirmed that zinc oxide is selectively coated on the nanowire position.

또한, 실시예 및 비교예의 면저항값을 도 38에 나타내었다. 나노와이어 코팅 전에 비하여 동등 수준의 면저항이 나타남을 확인할 수 있으며, 금속 산화물 쉘을 코팅하였을 때 오히려 면저항 수치가 더 좋아지는 것을 확인할 수 있다.The sheet resistance values of Examples and Comparative Examples are shown in Fig. It can be seen that the same level of surface resistance appears before the nanowire coating, and that the sheet resistance value is better when the metal oxide shell is coated.

또한, 실시예의 코어-쉘 나노와이어의 X-선 회절 피크값을 도 39에 나타내었다. 금속 산화물 피크가 형성된 것을 확인할 수 있으며, 코팅량이 증가할 수록 더욱 금속 산화물 피크의 세기가 커지는 것을 확인할 수 있다.The X-ray diffraction peak value of the core-shell nanowire of the example is shown in Fig. It can be confirmed that the metal oxide peak is formed. As the amount of the coating increases, the intensity of the metal oxide peak further increases.

또한, 실시예 28 내지 실시예 32의 헤이즈 값을 도 40 내지 도 42에 나타내었다. 금속 산화물 쉘의 코팅량이 증가할수록 헤이즈값이 크게 증가하는 것을 확인할 수 있다.The haze values of Examples 28 to 32 are shown in Figs. 40 to 42. Fig. As the coating amount of the metal oxide shell is increased, the haze value is greatly increased.

또한, 실시예 28 내지 실시예 32의 광투과도 값을 도 43 내지 도 45에 나타내었다. 광투과도 값이 매우 우수한 것을 확인할 수 있다.The light transmittance values of Examples 28 to 32 are shown in Figs. 43 to 45. Fig. It can be confirmed that the light transmittance value is very excellent.

또한, 실시예 28 내지 실시예 32의 시간에 따른 면저항 변화치를 도 45에 나타내었다. 시간에 따른 면저항이 대체로 유지되는 것을 확인할 수 있다.The sheet resistance change values of Examples 28 to 32 over time are shown in Fig. It can be seen that the sheet resistance according to the time is generally maintained.

또한, 실시예의 PL(photoluminescence) 값을 도 47에 나타내었다.
The PL (photoluminescence) value of the example is shown in Fig.

전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, and the like illustrated in the above-described embodiments can be combined and modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

Claims (16)

적어도 2 이상의 와이어부를 포함하는 나노와이어로서,
임의의 제n와이어부와 상기 제n나노와이어와 연결되는 제n+1와이어부를 포함하며,
상기 제n와이어부의 직경과 상기 제 n+1와이어부의 직경은 서로 다른 메탈 나노와이어.
A nanowire comprising at least two wire portions,
And an (n + 1) -th wire portion connected to the n-th nanowire,
And the diameter of the n-th wire part and the diameter of the (n + 1) th wire part are different from each other.
제1 직경을 갖는 제1 와이어부 및 상기 제1 와이어부로부터 연장되어 형성된 제2 직경을 갖는 제2 와이어부를 포함하며,
상기 제1 직경과 상기 제2 직경이 서로 다른 메탈 나노와이어.
A first wire portion having a first diameter and a second wire portion having a second diameter extending from the first wire portion,
Wherein the first diameter and the second diameter are different from each other.
제2항에 있어서,
상기 제2 와이어부는 상기 제1 와이어부의 한쪽 단부 또는 양쪽 단부에 형성되는 메탈 나노와이어.
3. The method of claim 2,
And the second wire portion is formed at one end or both ends of the first wire portion.
제2항에 있어서,
상기 제1 직경은 50 내지 100nm 이며,
상기 제2 직경은 150 내지 1100nm 인 메탈 나노와이어.
3. The method of claim 2,
The first diameter is 50 to 100 nm,
And the second diameter is 150 to 1100 nm.
제2항에 있어서,
상기 제1 와이어부의 길이는 40 내지 100μm 이며,
상기 제2 와이어부의 길이는 5 내지 15μm 인 메탈 나노와이어.
3. The method of claim 2,
The length of the first wire portion is 40 to 100 탆,
And the length of the second wire portion is 5 to 15 占 퐉.
제2항에 있어서,
상기 제1 와이어부 및 상기 제2 와이어부는 길이 방향과 수직한 단면이 다각형 형상인 메탈 나노와이어.
3. The method of claim 2,
Wherein the first wire portion and the second wire portion have a polygonal cross-section perpendicular to the longitudinal direction.
제6항에 있어서,
상기 제1 와이어부의 길이 방향과 수직한 단면은 사각형 또는 오각형인 메탈 나노와이어.
The method according to claim 6,
And the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the first wire portion is a square or pentagon.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메탈 나노와이어는 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr 및 Ge으로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 소재의 나노와이어인 메탈 나노와이어.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The metal nanowire may be a metal nanowire including at least one metal selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, Pt, Au, Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, Metal nanowires, which are nanowires of a selected metal material.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 와이어부들 중의 적어도 하나 이상은 적어도 하나 이상의 꺾임을 갖는 메탈 나노와이어.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein at least one of the wire portions has at least one fold.
제9항에 있어서,
상기 꺽임을 갖는 와이어부의 꺾임 각도(α)는 130°≤ α ≤170° 인 메탈 나노와이어.
10. The method of claim 9,
Wherein a bent angle (?) Of the wire portion having the bend is 130 °??? 170 °.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메탈 나노와이어는 상기 메탈 나노와이어에 형성된 금속 화합물 쉘을 더 포함하는 메탈 나노와이어.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the metal nanowire further comprises a metal compound shell formed on the metal nanowire.
제11항에 있어서,
상기 금속 화합물 쉘은 투명 전도성 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 메탈 나노와이어.
12. The method of claim 11,
Wherein the metal compound shell is a transparent conductive metal compound.
제11항에 있어서,
상기 금속 화합물 쉘은 상기 메탈 나노와이어의 길이 방향과 수직인 단면도로 볼 때, 다수의 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 메탈 나노와이어.
12. The method of claim 11,
Wherein the metal compound shell has a plurality of polygonal shapes in a cross-sectional view perpendicular to a longitudinal direction of the metal nanowires.
제13항에 있어서,
상기 단면도상의 다각형 형상은 3개 내지 6개 범위내이며,
상기 다각형에서 상기 메탈 나노와이어와 인접한 변을 밑변이라 할 때, 밑변의 길이(d)는 40nm 내지 200nm 범위내이고, 높이(c)는 10nm 내지 200nm 범위내인 것을 특징으로 하는 메탈 나노와이어.
14. The method of claim 13,
Wherein the polygonal shape on the cross section is in the range of 3 to 6,
Wherein a side of the polygon adjacent to the metal nanowire is referred to as a base, the length d of the base is in the range of 40 nm to 200 nm, and the height c is in the range of 10 nm to 200 nm.
제13항에 있어서,
상기 다각형의 높이(c) 대비 메탈 나노와이어의 길이(a)의 비율(c/a)은 0.00006 내지 0.02 범위내인 것을 특징으로 하는 메탈 나노와이어.
14. The method of claim 13,
Wherein the ratio (c / a) of the length (a) of the metal nanowire to the height (c) of the polygon is in the range of 0.00006 to 0.02.
제13항에 있어서,
상기 메탈 나노와이어의 길이 방향과 수직한 단면도상 최장 직경(f) 대비 메탈 나노와이어의 길이(a)의 비율(f/a)은 0.0001 내지 0.06 범위내인 것을 특징으로 하는 메탈 나노와이어.
14. The method of claim 13,
Wherein the ratio (f / a) of the length (a) of the metal nanowires to the maximum diameter (f) on the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the metal nanowires is within the range of 0.0001 to 0.06.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190101208A (en) * 2018-02-22 2019-08-30 인제대학교 산학협력단 Manufacturing Method of Conductive polymer coated Graphene-AgNWs nano-composites electrode
KR20190101216A (en) * 2018-02-22 2019-08-30 인제대학교 산학협력단 Manufacturing Method of Ionic polymer coated GO-AgNWs nano-composites electrode
KR20210124954A (en) * 2019-12-18 2021-10-15 덕산하이메탈(주) Metal nanowire and Method of manufacturing thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040000418A (en) * 2001-03-30 2004-01-03 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
KR20130090260A (en) * 2012-02-03 2013-08-13 전북대학교산학협력단 Nanofiber composite and method for fabricating same
KR20130137441A (en) * 2012-06-07 2013-12-17 한국과학기술원 Core-shell nanowire array, manufacturing method for the same, and application device using the same
KR20140069071A (en) * 2011-09-29 2014-06-09 후지필름 가부시키가이샤 Transparent conductive coating film, transparent conductive ink, and touch panel using transparent conductive coating film or transparent conductive ink

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040000418A (en) * 2001-03-30 2004-01-03 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
KR20140069071A (en) * 2011-09-29 2014-06-09 후지필름 가부시키가이샤 Transparent conductive coating film, transparent conductive ink, and touch panel using transparent conductive coating film or transparent conductive ink
KR20130090260A (en) * 2012-02-03 2013-08-13 전북대학교산학협력단 Nanofiber composite and method for fabricating same
KR20130137441A (en) * 2012-06-07 2013-12-17 한국과학기술원 Core-shell nanowire array, manufacturing method for the same, and application device using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190101208A (en) * 2018-02-22 2019-08-30 인제대학교 산학협력단 Manufacturing Method of Conductive polymer coated Graphene-AgNWs nano-composites electrode
KR20190101216A (en) * 2018-02-22 2019-08-30 인제대학교 산학협력단 Manufacturing Method of Ionic polymer coated GO-AgNWs nano-composites electrode
KR20210124954A (en) * 2019-12-18 2021-10-15 덕산하이메탈(주) Metal nanowire and Method of manufacturing thereof

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