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KR20160081613A - Planarization film for the substrate of flexible organic light emitting diodes devices and flexible organic light emitting diodes devices containing the same - Google Patents

Planarization film for the substrate of flexible organic light emitting diodes devices and flexible organic light emitting diodes devices containing the same Download PDF

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KR20160081613A
KR20160081613A KR1020140195684A KR20140195684A KR20160081613A KR 20160081613 A KR20160081613 A KR 20160081613A KR 1020140195684 A KR1020140195684 A KR 1020140195684A KR 20140195684 A KR20140195684 A KR 20140195684A KR 20160081613 A KR20160081613 A KR 20160081613A
Authority
KR
South Korea
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substrate
film
formula
polyamide
compound
Prior art date
Application number
KR1020140195684A
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Korean (ko)
Inventor
송지영
김효석
이창희
Original Assignee
도레이케미칼 주식회사
서울대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

The present invention relates to a planarization film for a substrate of a flexible OTFT device, and a flexible OTFT device comprising the same. More particularly, provided is a flexible OTFT device securing physical properties of low voltage, high efficiency, high color purity by introducing a planarization film having a particular material and structure to an upper surface of a substrate of the flexible OTFT device as a planarization layer to prevent and/or minimize degradation of electronic characteristics of the OTFT device caused by introducing a paper material as the OTFT substrate material. The planarization film comprises at least one type selected among: PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, a POSS-based compound represented by chemical formula 1, a silazane-based compound represented by chemical formula 2, a polysilazane-based compound, and a polymer represented by chemical formula 3.

Description

플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름 및 이를 포함하는 플렉서블 OTFT 소자{Planarization film for the substrate of flexible organic light emitting diodes devices and flexible organic light emitting diodes devices containing the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a planarizing film for a substrate of a flexible OTFT device and a flexible OTFT device including the same,

본 발명은 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름 및 이를 포함하는 플렉서블 OTFT 소자에 관한 것으로서, 플렉서블을 구현시키기 위해 폴리아마이드 페이퍼를 기재층으로 도입시, 폴리아마이드 페이퍼의 높은 표면 거칠기로 인해 OTFT 소자의 전기적 특성이 저하되는 것을 최소화 및/또는 방지할 수 있는 평탄화 필름 및 이를 포함하는 플렉서블 OTFT 소자에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flattening film for substrate of a flexible OTFT device and a flexible OTFT device including the flattening film. When a polyamide paper is introduced into a base layer to realize flexible, To a flattening film capable of minimizing and / or preventing deterioration of characteristics, and a flexible OTFT device including the flattening film.

최근 스마트 의류(smart wear)에 대한 관심 및 연구가 증대하고 있는데, 스마트 의류란, 섬유 도는 의류의 속성을 유지하면서도 전기, 전자 소재 등을 접목시켜서, 디지털 기능을 구현할 수 있는 기능성 의류를 의미하며, 이는 군사용으로 개발되어 현재에는 의류 분야, 의료 분야 등으로 확대 적용하기 위해 지속적으로 연구 및 투자가 이루어지고 있는 추세에 있다. 예를 들어, 프린팅 전자 기술을 이용하여 웨어러블 컴퓨터(wearable computer)와 의류를 접목시킬 수가 있다.In recent years, interest and research on smart wear have been increasing. Smart apparel means functional clothing capable of embodying digital functions by combining electric and electronic materials while maintaining the properties of textiles and clothing, It has been developed for military use, and is currently undergoing research and investment to expand its application to the clothing and medical fields. For example, clothing electronics can be used to combine clothing with wearable computers.

또한, 최근 디스플레이와 관련하여, 사람들이 휴대성이 용이하면서도 좀 더 큰 화면을 원하기 때문에 접거나 구부리거나, 말 수 있는 플렉서블 디스플레이의 개발이 요구되고 있다. OLED나 LCD 같은 평판 디스플레이는 고해상도와 저전력 구동을 위해서는 능동형(active matrix) 구동방식이 필요한데, 현재 사용되고 있는 실리콘과 같은 무기 박막트랜지스터는 제조온도가 높고, 휘거나 구부렸을 때 쉽게 깨어지기 때문에 플렉서블 디스플레이에 적용하기에는 한계가 있다. In addition, with regard to display in recent years, development of a flexible display capable of folding, bending, and speaking is demanded because people desire a larger screen with ease of portability. Flat panel displays such as OLEDs and LCDs require an active matrix drive method for high resolution and low power operation. Inorganic thin film transistors, such as silicon currently used, have a high manufacturing temperature and break easily when bent or bent. There is a limit to apply.

이와 같이, 스마트 의류, 플렉서블 디스플레이 등의 플렉서블 전기·전자제품을 제공하기 위해서, 휘거나 구부렸을 때도 견딜 수 있는 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT), OLED 소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.As described above, in order to provide flexible electric and electronic products such as smart clothes and flexible displays, researches on organic thin film transistors (OTFTs) and OLED devices that can withstand bending or bending have been actively conducted .

이와 같은 유기박막트랜지스터(OTFT) 또는 OLED 소자를 제조하는 방법으로, 유기반도체 박막 형성 공정 방법에 따라, 유기반도체 재료가 용매에 용해되어서 다양한 코팅법으로 박막을 도포할 수 있는 용액 공정용 유기반도체와 용매에 용해가 불가능하여 고진공 장치에서 열을 가하여 유기반도체를 승화 시켜서 박막을 형성하는 진공증착용 유기반도체로 분류된다. 용액공정으로 유기반도체 박막을 도포할 수 있는 방법이 진공증착법에 비해서는 제조단가가 매우 낮고, 다양한 코팅법에 의해서 유연 기판 위에 롤투롤(Roll to Roll) 연속 공정이 가능하여 최근 활발히 연구되고 있다.As an organic thin film transistor (OTFT) or an organic light emitting diode (OLED) device, an organic semiconducting material is dissolved in a solvent to form a thin film by a variety of coating methods. Organic semiconductors that can not dissolve in a solvent and form a thin film by sublimating organic semiconductors by applying heat in a high vacuum device. The method that can apply the organic semiconductor thin film by the solution process has a lower manufacturing cost than the vacuum evaporation method and has recently been actively studied because it is possible to perform a roll to roll continuous process on a flexible substrate by various coating methods.

롤투롤 공정의 경우, 플렉서블 유기박막트랜지스터를 보다 낮은 가격으로 대량 생산할 수 있다. 하지만 이를 위해서는 플라스틱이나 스테인리스 스틸과 같이 휠 수 있는 기판을 사용해야 하는데, 이를 위해서는 공정온도를 300℃ 이하의 온도로 낮추거나, 또는 높은 공정온도에서도 견딜 수 있는 내열성이 우수하면서도 유연성 및 전기적 특성이 우수한 소재를 도입해야 하는 문제가 있다. 이에 기존에는 유기박막트랜지스터(OTFT) 및/또는 OLED 소자의 기재(substrate)로서 PET 소재의 필름, 섬유 등을 도입을 했었는데, 내열성이 부족한 한계가 있다.
In the roll-to-roll process, the flexible organic thin film transistor can be mass-produced at a lower cost. However, for this purpose, it is necessary to use substrates such as plastic or stainless steel which can be rolled up to a temperature of 300 ° C. or less, or a material excellent in flexibility and electrical properties There is a problem in that it is necessary to introduce the system. Conventionally, PET films and fibers have been introduced as organic thin film transistors (OTFTs) and / or substrates for OLED devices. However, there is a limit in that heat resistance is insufficient.

미국 등록번호 US 6,107,117호 (공개일 2000.08.22)U.S. Registration No. US 6,107,117 (published on August 22, 2000) 대한민국 공개특허 KR 2012-0021023호 (공개일 2012.03.08)Korea Open Patent KR 2012-0021023 (public date March 23, 2012)

본 발명자들은 기존 플레서블 OTFT 소자의 문제점인 내열성 한계를 해결하기 위해 연구한 결과, 내열성 및 유연성 향상을 위해 도입한 폴리아마이드 페이퍼로 인해 플렉서블 OTFT 소자의 전기적 특성이 저하시키는 것을 최소화 및/또는 방지하기 위해 각층이 특정 물질로 이루어진 2개층 구조의 평탄화층을 형성시키면, 내열성 및 우수한 전기적, 광학적 특성을 확보할 수 있는 새로운 플렉서블 OTFT 소자 기질용 평탄화 필름 및 이를 이용한 플렉서블 OTFT 소자를 제공하고자 한다.
The present inventors have studied to solve the heat resistance limitations of conventional flexible OTFT devices, and as a result, found that the polyamide paper introduced for improving the heat resistance and flexibility minimizes and / or prevents deterioration of the electrical characteristics of the flexible OTFT device A planarizing film for a substrate of a flexible OTFT device and a flexible OTFT device using the same, which can secure heat resistance and excellent electrical and optical characteristics when a two-layer planarization layer composed of a specific material is formed.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름에 관한 것으로서, PMF(Poly(melamine-co-formaldehyde), PVP(Poly(4-vinylphenol)), PGMEA(Propylene glycol monomethyl ether acetate), PEGDMA(Poly ethylene glycol dimethacrylate), PPGDMA(Poly propylene glycol dimethacrylate), PPGDA(poly propylene glycol diacrylate), PDEGDA(Poly diethylene glycol diacrylate), 하기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물, 폴리실라잔계 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.The present invention relates to a flattening film for substrate of a flexible OTFT device, and more particularly, to a flattening film for a substrate of a flexible OTFT device, which is made of PMF (polyamine-co-formaldehyde), poly (4-vinylphenol), PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate ), PEGDMA (Polyethylene glycol dimethacrylate), PPGDMA (Polypropylene glycol dimethacrylate), PPGDA (Polypropylene glycol diacrylate), PDEGDA (Polyethylene glycol diacrylate), POSS compounds represented by the following formula A silazane-based compound, a polysilazane-based compound, and a polymer represented by the following formula (3).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서, E는

Figure pat00002
,
Figure pat00003
또는
Figure pat00004
이고, R1, R3 R4는 각각은 독립적인 것으로서, 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이며, R2는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고, X는 -NHR5이고, 상기 R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이다.In Formula 1, E is
Figure pat00002
,
Figure pat00003
or
Figure pat00004
And, R 1, R 3 And Each of R 4 is independently an alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, X is -NHR 5 , R 5 is a hydrogen atom, Lt; / RTI >

[화학식 2](2)

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R9 각각은 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, B는 -NHR10이고, 상기 R10은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이다.In Formula 2, R < 1 > To R 9 Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, B is -NHR 10 , and R 10 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

[화학식 3](3)

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 3에 있어서, R1 내지 R8 각각은 독립적인 것으로서, 수소원자, 할로겐원자, 카복실기(carboxyl group), 아마이드기(amide group), -CF3, -Si(OR)mH3-m, 포밀기(formyl group) 또는 아실기(acyl group)이고, 상기 n은 중량평균분자량 50,000 ~ 200,000을 만족하는 유리수이며, m은 0 ~ 3의 정수이다.In the general formula (3), R < 1 > Each R 8 is independently a hydrogen atom, a halogen atom, a carboxyl group, an amide group, -CF 3 , -Si (OR) m H 3-m , a formyl group or N is an rational number satisfying a weight average molecular weight of 50,000 to 200,000, and m is an integer of 0 to 3.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 폴리실라잔계 화합물은 하기 화학식 4-1로 표시되는 단량체의 중합체; 하기 화학식 4-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4-2로 표시되는 화합물을 포함하는 공중합체; 및 하기 화학식 4-3으로 표시되는 중합체;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the polysilazane based compound is a polymer of a monomer represented by the following formula 4-1; A copolymer comprising a compound represented by the following formula (4-1) and a compound represented by the following formula (4-2); And a polymer represented by the following formula (4-3).

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 4-1에 있어서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이고,In Formula 4-1, R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,

[화학식 4-2][Formula 4-2]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 4-2에 있어서, R1은 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며,In Formula 4-2, R 1 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,

[화학식 4-3][Formula 4-3]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 4-3에 있어서, 상기 R1은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, R2는 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이고, R3 및 R4는 독립적인 것으로서, 수소원자, 탄소수 1 ~ 3의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 3의 알콕시기이며, R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이다.In Formula 4-3, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 2 is an alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, R 3 and R 4 are independently a hydrogen atom, An alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, and R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 폴리실라잔계 화합물로서, 상기 공중합체는 화학식 4-1로 표시되는 단량체 및 화학식 4-2로 표시되는 단량체를 1 : 2 ~ 6 몰비로 공중합시킨 것을 특징으로 할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, as the polysilazane compound, the copolymer is characterized by copolymerizing the monomer represented by the formula (4-1) and the monomer represented by the formula (4-2) in a molar ratio of 1: 2 to 6 can do.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 폴리아마이드 페이퍼인 경우, 상기 평탄화 필름은 단층구조로서, PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, when the base material of the flexible OTFT device is a polyamide paper, the planarizing film has a single layer structure of PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, POSS Based compound represented by Formula 2, and a polysilazane-based compound.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 폴리아마이드 필름인 경우, 상기 평탄화 필름은 단층구조로서, 상기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, when the substrate of the flexible OTFT device is a polyamide film, the planarizing film may have a single-layer structure and include a polymer represented by the above-mentioned formula (3).

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 폴리아마이드 페이퍼 또는 폴리아마이드 필름인 경우, 상기 평탄화 필름은 다층구조로서, PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제1 평탄화층; 및 상기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함하는 제2 평탄화층;을 포함하며, 기재의 상단면에 제1 평탄화층 및 제2평탄화층이 차례대로 적층된 것을 특징으로 할 수 있다.
In a preferred embodiment of the present invention, when the base material of the flexible OTFT device is a polyamide paper or polyamide film, the planarizing film has a multi-layered structure of PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, A first planarization layer comprising at least one selected from the group consisting of a POSS compound represented by Formula 2, a silazane compound represented by Formula 2 and a polysilazane compound; And a second planarizing layer comprising a polymer represented by Formula 3, wherein a first planarizing layer and a second planarizing layer are sequentially stacked on the upper surface of the substrate.

또한, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 평탄화 필름은 PEGDMA 및 PPGDMA 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 디메타크릴레이트계 화합물; 및 상기 POSS계 화합물, 상기 실라잔 및 상기 폴리실라잔 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 혼합물;을 1 : 0.1 ~ 1.5 중량비로 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.Also, as a preferred embodiment of the present invention, the planarizing film may be a dimethacrylate-based compound containing at least one selected from PEGDMA and PPGDMA; And a mixture containing the POSS compound, the silazane and the polysilazane in a weight ratio of 1: 0.1 to 1.5.

또한, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 평탄화 필름은 평균두께 0.1 ㎛ ~ 10 ㎛인 것을 특징으로 할 수 있다.Further, as a preferred embodiment of the present invention, the planarizing film may have an average thickness of 0.1 to 10 m.

그리고, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 제1평탄화층 및 제2평탄화층은 두께비가 1 : 0.1 ~ 10 인 것을 특징으로 할 수 있다.
In a preferred embodiment of the present invention, the first planarizing layer and the second planarizing layer have a thickness ratio of 1: 0.1 to 10.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 평탄화 필름은 OTFT 소자의 기재 및 게이트(gate) 사이에 형성되어 평탄화층을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the planarizing film is formed between a substrate and a gate of the OTFT device to form a planarization layer.

그리고, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름에 있어서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재는 폴리아마이드 페이퍼 또는 폴리아마이드 필름을 사용하는 것을 특징으로 할 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, in the substrate flattening film of the flexible OTFT device of the present invention, the substrate of the flexible OTFT device may be a polyamide paper or a polyamide film.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 폴리아마이드 페이퍼는 메타 폴리아마이드 페이퍼, 파라 폴리아마이드 페이퍼 및 메타-파라 폴리아마이드 페이퍼 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the polyamide paper may include at least one selected from the group consisting of a meta-polyamide paper, a para-polyamide paper, and a meta-para-polyamide paper.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 플렉서블 OTFT 소자의 기재로서, 메타 폴리아마이드 페이퍼를 사용하는 경우, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 겉보기 밀도는 0.20 g/㎤ ~ 0.40 g/㎤이고, ASTM D-828에 의거하여 측정시 두께가 10 ~ 150 ㎛일 때, MD 방향 인장강도가 25 N/㎝ 이상이고, MD 방향 신장율이 5.0% 이상이며, TAPPI T414에 의거하여 측정시 MD 방향 인열강도가 0.95 N이상을 갖을 수 있다. 또한, 상기 기재층 소재인 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 두께가 0.14 mm일 때, MD 방향 비인열강도가 20 ~ 30 N㎡/㎏인 것을 특징으로 할 수 있으며, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 평량이 35 ~ 50 g/㎡일 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, when a meta-polyamide paper is used as the base material of the flexible OTFT device, the meta-polyamide paper has an apparent density of 0.20 g / cm 3 to 0.40 g / cm 3, ASTM D-828 , The tensile strength in the MD direction is not less than 25 N / cm, the elongation in the MD direction is not less than 5.0%, and the tear strength in the MD direction when measured according to TAPPI T414 is 0.95 N Or more. The metapolyamide paper having a basis weight of 0.14 mm may have a tensile strength in the MD direction of 20 to 30 Nm 2 / kg, wherein the metapolyamide paper has a basis weight of 35 To 50 g / m < 2 >.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 메타폴리아마이드 플록 및 메타아마리드 피브리드를 포함하며, 상기 플록 및 피브리드는 고유점도(I.V)가 1.5 ~ 2.0인 것을 특징으로 할 수 있다.
In one preferred embodiment of the present invention, the meta-polyamide paper comprises a meta-polyamide floc and a meta-amide fibrid, wherein the floc and the fibrid have an intrinsic viscosity (IV) of 1.5 to 2.0 have.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 플렉서블 OTFT 소자의 기재로서, 폴리아마이드 필름은 디아민 및 프탈로일계 화합물의 중합체를 함유한 폴리아마이드 수지를 경화시킨 것으로서, 상기 폴리아마이드 수지는 디아민 및 프탈로일계 화합물을 1 : 0.9 ~ 1.1 당량비로 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, as a base material of the flexible OTFT device, a polyamide film is obtained by curing a polyamide resin containing a polymer of a diamine and a phthaloyl compound, wherein the polyamide resin is a mixture of a diamine and a phthaloyl Compound in an equivalent ratio of 1: 0.9 to 1.1.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명은 플렉서블 OTFT용 기재에 있어서, 상기 폴리아마이드 수지의 디아민은 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 페닐렌디아민; 및 3,3'-옥시디아닐린 및 3,4'-옥시디아닐린 중에서 선택된 1종 이상을 옥시디아닐린; 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 상기 폴리아마이드 수지의 프탈로일계 화합물은 테레프탈로일 클로라이드와 테레프탈로일 브로마이드 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 테레프탈로일계 화합물; 및 이소프탈로일 클로라이드와 이소프탈로일 브로마이드 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 이소프탈로일계 화합물; 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, the present invention provides a substrate for a flexible OTFT, wherein the diamine of the polyamide resin is at least one selected from the group consisting of phenylenediamine containing at least one selected from the group consisting of metaphenylenediamine and paraphenylenediamine; And at least one selected from 3,3'-oxydianiline and 3,4'-oxydianiline is oxydianiline; And the like. The phthaloyl compound of the polyamide resin is a terephthaloyl compound containing at least one selected from terephthaloyl chloride and terephthaloyl bromide; And an isophthaloyl compound containing at least one selected from isophthaloyl chloride and isophthaloyl bromide; , And the like.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 폴리아마이드 수지는 상기 페닐렌 디아민과 상기 옥시디아닐린을 7 ~ 9 : 1 ~ 3 중량비로 포함하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 또한, 상기 페닐렌 디아민은 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민을 1 : 1 ~ 3 중량비로 포함하는 것을 특징으로 할 수도 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the polyamide resin may include the phenylenediamine and the oxydianiline in a weight ratio of 7: 9: 1 to 3: Phenylenediamine and paraphenylenediamine in a weight ratio of 1: 1 to 3: 1.

본 발명의 바람직한 다른 일실시예로서, 상기 폴리아마이드 수지의 상기 디아민은 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린을 3.5 ~ 4.5 : 3.5 ~ 4.5 : 0.5 ~ 1.5 : 0.5 ~ 1.5 중량비로 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In another preferred embodiment of the present invention, the diamine of the polyamide resin is selected from the group consisting of mephenylenediamine, paraphenylenediamine, 3,4'-oxydianiline and 4,4'-oxydianiline in a molar ratio of 3.5 to 4.5: 3.5 to 4.5: 0.5 to 1.5: 0.5 to 1.5 in weight ratio.

본 발명의 바람직한 또 다른 일실시예로서, 상기 폴리아마이드 수지의 상기 디아민은 상기 페닐렌 디아민 및 상기 옥시디아닐린을 7 ~ 8 : 2 ~ 3 중량비로 포함하고, 상기 페닐렌 디아민은 파라페닐렌 디아민이고, 상기 옥시디아닐린은 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 프탈로일계 화합물은 테레프탈로일계 화합물 및 이소프탈로일계 화합물을 6 ~ 8 : 2 ~ 4 중량비로 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.In another preferred embodiment of the present invention, the diamine of the polyamide resin comprises the phenylenediamine and the oxydianiline in a weight ratio of 7 to 8: 2 to 3, and the phenylenediamine is paraphenylenediamine And the oxydianiline includes at least one selected from the group consisting of 3,4'-oxydianiline and 4,4'-oxydianiline, and the phthaloyl compound is selected from the group consisting of a terephthaloyl compound and an isophthaloyl compound in an amount of 6 To 8: 2 to 4 weight ratio.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명에 있어서, 상기 폴리아마이드 수지는 디아민 및 프탈로일계 화합물의 상기 중합체 100 중량부에 대하여, 수산화칼슘, 산화칼슘 및 수산화리튬 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 중화제 1 ~ 5 중량부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 또한, 상기 중합체 100 중량부에 대하여, 폴리비닐피롤리돈 및 폴리에틸렌글리콜 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 기공형성제 2 ~ 8 중량부를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. As a preferred embodiment of the present invention, in the present invention, the polyamide resin is a neutralizer containing at least one member selected from calcium hydroxide, calcium oxide and lithium hydroxide, based on 100 parts by weight of the polymer of the diamine and phthaloyl compound And 2 to 8 parts by weight of a pore-forming agent containing at least one selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone and polyethylene glycol, based on 100 parts by weight of the polymer, And the like.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 기공형성제는 중량평균분자량 5,000 ~ 45,000인 폴리비닐피롤리돈인 것을 특징으로 할 수도 있다.In one preferred embodiment of the present invention, the pore-forming agent may be polyvinylpyrrolidone having a weight average molecular weight of 5,000 to 45,000.

또한, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 중합체는 파라(para) 함량이 80% ~ 90%인 것을 특징으로 할 수 있다.Also, as a preferred embodiment of the present invention, the polymer may be characterized by a para content of 80% to 90%.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명에 있어서, 상기 폴리아마이드 수지는 브룩필드(Brookfield) 점도계로 25℃에서 측정시, 용액점도가 45,000 ~ 120,000 cP이고, 열팽창계수(CTE)가 15 ppm/℃ ~ 25 ppm/℃이고, 유리전이온도(Tg)가 300℃ ~ 340℃인 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, the polyamide resin has a solution viscosity of 45,000 to 120,000 cP and a coefficient of thermal expansion (CTE) of 15 ppm / m 2, measured at 25 ° C with a Brookfield viscometer, ° C. to 25 ppm / ° C. and a glass transition temperature (Tg) of 300 ° C. to 340 ° C.

또한, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 폴리아마이드 수지는 IPC TM6502.2.4A에 의거하여 측정시, 열수축률이 0.01% ~ 0.4%이고, ASTM D882에 의거하여 측정시, 영율(young's modulus)이 5.8 Gpa ~ 7.0 Gpa인 것을 특징으로 할 수도 있다.
In a preferred embodiment of the present invention, the polyamide resin has a heat shrinkage of 0.01% to 0.4% when measured according to IPC TM6502.2.4A, a young's modulus when measured according to ASTM D882, Is in the range of 5.8 Gpa to 7.0 Gpa.

본 발명의 다른 목적은 플렉서블 OTFT 소자에 관한 것으로서, 앞서 설명한 다양한 형태의 평탄화 필름을 포함하며, 구체적으로는 상기 폴리아마이드 페이퍼를 포함하는 기재(또는 기재층), 상기 평탄화 필름(또는 평탄화층), 게이트(gate), 게이트 전극절연체(gate insulator), 소스(source), 드레인(drain) 및 활성체를 포함할 수 있고, 상기 기재(또는 기재층), 상기 평탄화 필름(또는 평탄화층), 게이트 및 게이트 전극절연체가 차례대로 적층되어 있을 수 있다.Another object of the present invention is to provide a flexible OTFT device which includes various types of planarization films as described above, and more specifically, a substrate (or a base layer) including the polyamide paper, a planarizing film (or a planarization layer) (Or substrate layer), the planarization film (or planarization layer), the gate, and the gate, and may comprise a gate, a gate insulator, a source, a drain, Gate electrode insulators may be stacked in order.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자에 있어서, 상기 기재는 평균두께 0.1㎛ ~ 150㎛이고, 상기 평탄화 필름은 평균두께 0.1 ㎛ ~ 10 ㎛인 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, in the flexible OTFT device of the present invention, the substrate has an average thickness of 0.1 to 150 μm, and the flattened film has an average thickness of 0.1 to 10 μm.

또한, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자에 있어서, 상기 평탄화 필름은 RMS 표면 거칠기(root mean square surface roughness)가 0.1㎚ ~ 300 ㎚인 것을 특징으로 할 수 있다.
Further, in a preferred embodiment of the present invention, in the flexible OTFT device of the present invention, the flattening film has a root mean square surface roughness (RMS) of 0.1 nm to 300 nm.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 필름일 때, 파라미터 측정기(Semiconductor Parameter Analyzer, Aigilent 4155C)로 소자의 on일때와 off일때의 전류값의 비율 측정 시, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비가 1.0×10-4 ~ 1.0×10-2일 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, in the flexible OTFT device of the present invention, when the base material is a polyamide film, the ratio of the current values when the device is on and off with a parameter measuring device (Semiconductor Parameter Analyzer, Aigilent 4155C) In the measurement, the transfer curve (I on / I off ) ratio may be 1.0 × 10 -4 to 1.0 × 10 -2 .

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 필름일 때, 반도체 파라미터 분석기로 10V ~ -30V로 측정 시, 전자이동도(Mobility) 값이 2.0×10-4 ~ 1.0×10-2cm2/V·s일 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, in the flexible OTFT device of the present invention, when the base material is a polyamide film, when the electron mobility is measured at 10 V to -30 V by a semiconductor parameter analyzer, -4 to 1.0 x 10 -2 cm 2 / V · s.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 필름일 때, 반도체 파라미터 분석기로 소자가 켜지는 시점(turn on)의 게이트 전압 측정 시, 임계전압(Threshold Voltage, Vth)값이 -12.0V ~ -6.0V일 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, in the flexible OTFT device of the present invention, when the base material is a polyamide film, when measuring the gate voltage at the turn-on time of the device with the semiconductor parameter analyzer, Voltage, V th ) value may be from -12.0V to -6.0V.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 페이퍼일 때, 반도체 파라미터 측정기로 소자의 on일때와 off일때의 전류값 비율 측정 시, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비가 1.0×102 ~ 1.0×104인 것을 특징으로 할 수 있다.As a preferred embodiment of the present invention, in the flexible OTFT device of the present invention, when the substrate is a polyamide paper, when measuring the ratio of the current value when the device is on and off with a semiconductor parameter measurer, the transfer curve , I on / I off ) ratio of 1.0 × 10 2 to 1.0 × 10 4 .

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 페이퍼일 때, 반도체 파라미터 분석기로 10V부터 -100 V로 측정 시, 전자이동도 값이 1.0×10-4 ~ 3.5×10-2 cm2/V·s인 것을 특징으로 할 수 있다. In one embodiment of the present invention, in flexible OTFT devices of the present invention, the substrate is polyamide paper one time, when measured by a semiconductor parameter analyzer to -100 V from 10V, also the value of 1.0 × 10 -4 electromigration ~ 3.5 × 10 -2 cm may be characterized in that the 2 / V · s.

본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 페이퍼일 때, 반도체 파라미터 분석기로 소자가 켜지는 시점의 게이트 전압 측정 시, 임계전압 값이 -7.0V ~ -14.0V 인 것을 특징으로 할 수 있다.
As a preferred embodiment of the present invention, in the flexible OTFT device of the present invention, when the base material is a polyamide paper, when measuring the gate voltage at the time when the device is turned on by the semiconductor parameter analyzer, -14.0V.

본 발명의 평탄화 필름은 플렉서블한 OTFT를 제조하기 위한 OTFT의 기재로서, 필름 또는 페이퍼 형태의 기재를 도입하는 경우에 발생하는 문제점인 기재의 자체의 높은 표면 거칠기로 인한 전기적 특성 저하를 방지 및/또는 최소화함으로써, 유연성이 우수하면서도, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff)가 높으면서도, 전자이동도(Mobility)값이 우수하고, 임계전압(Threshold Voltage, Vth)값이 우수한 전기적 특성을 갖는 플렉서블 유기박막트랜지스터를 제조할 수 있는 평탄화 필름에 관한 것이다.
The planarizing film of the present invention is a substrate of an OTFT for producing a flexible OTFT, and it is an object of the present invention to prevent deterioration of electrical characteristics due to high surface roughness of the substrate itself, which is a problem that occurs when a film or paper substrate is introduced, and / It is possible to obtain an electric characteristic having an excellent electron mobility and a high threshold voltage (V th ) value while having a high transfer curve (I on / I off ) To a planarizing film capable of producing a flexible organic thin film transistor.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 이해를 돕기 위해 평탄화구조체를 포함하는 유기박막트랜지스터의 개략도를 나타낸 것이다.
도 2는 폴리아마이드 페이퍼의 제조공정의 개략도를 나타낸 것이다.
도 3은 실험예 4에서 실시한 비교예 2-3의 플렉서블 OTFT 소자의 평탄화층의 표면 거칠기를 측정한 AFM(atomic force microscope) 측정 사진이다.
도 4는 실험예 4에서 실시한 실시예 2-1의 플렉서블 OTFT 소자의 평탄화층의 표면 거칠기를 측정한 AFM 측정 사진이다.
도 5는 실험예 4에서 실시한 비교예 2-4의 플렉서블 OTFT 소자의 평탄화층의 표면 거칠기를 측정한 AFM 측정 사진이다.
도 6은 실험예 4에서 실시한 실시예 2-2의 플렉서블 OTFT 소자의 평탄화층의 표면 거칠기를 측정한 AFM 측정 사진이다.
도 7은 실험예 5에서 실시한 실시예 2-1, 실시예 2-3 및 비교예 2-1의 OTFT 소자의 동작 및 전기적 특성 측정 실험이며, VGS(gate voltage)는 게이트 전압이고, VDS(voltage of drain and source)는 소스와 드레인의 전압이며, IDS(Electic current of drain and and source)는 소스와 드레인 양단간에 흐르는 전류를 의미하며, W/L 는 게이트 폭/채널 길이를 의미한다.
도 8은 실험예 5에서 실시한 실시예 2-8 및 비교예 2-5의 OTFT 소자의 동작 및 전기적 특성 측정 실험이며, VGS(gate voltage)는 게이트 전압이고, IDS(Electic current of drain and and source)는 소스와 드레인 양단간에 흐르는 전류를 의미한다.
도 9는 실험예 5에서 실시한 실시예 1-7 및 비교예 2-1의 OTFT 소자의 동작 및 전기적 특성 측정 실험이다.
도 10은 실험예 5에서 실시한 실시예 1-1의 OTFT 소자의 동작 및 전기적 특성 측정 실험이다.
FIG. 1 is a schematic view of an organic thin film transistor including a planarizing structure to facilitate understanding of the present invention, which is a preferred embodiment of the present invention.
2 is a schematic view of a process for producing a polyamide paper.
3 is an AFM (atomic force microscope) measurement image obtained by measuring the surface roughness of the planarizing layer of the flexible OTFT device of Comparative Example 2-3 conducted in Experimental Example 4. FIG.
4 is an AFM measurement photograph of the surface roughness of the planarizing layer of the flexible OTFT device of Example 2-1 performed in Experimental Example 4. FIG.
5 is an AFM measurement photograph of the surface roughness of the planarizing layer of the flexible OTFT device of Comparative Example 2-4 conducted in Experimental Example 4. FIG.
Fig. 6 is an AFM measurement photograph of the surface roughness of the planarization layer of the flexible OTFT device of Example 2-2 performed in Experimental Example 4. Fig.
7 is a graph showing the operation and electric characteristic measurement of the OTFT device of Example 2-1, Example 2-3, and Comparative Example 2-1 performed in Experimental Example 5. V GS (gate voltage) is a gate voltage, and V DS (I DS ) denotes the current flowing between the source and the drain, and W / L denotes the gate width / channel length. .
FIG. 8 is a graph illustrating the operation and electrical characteristics of the OTFT device of Examples 2-8 and 2-5 performed in Experimental Example 5. V GS (gate voltage) is a gate voltage, and I DS and source) refers to the current flowing between the source and the drain.
FIG. 9 is a graph showing the operation and electrical characteristics of the OTFT device of Examples 1-7 and Comparative Example 2-1 performed in Experimental Example 5. FIG.
10 is an operation and electrical property measurement experiment of the OTFT device of Example 1-1 performed in Experimental Example 5. FIG.

본 발명에서 사용하는 용어인 [필름]은 당업계에서 일반적으로 사용하는 필름(film) 형태뿐만 아니라, 시트(sheet) 형태, 박막 형태, 코팅 형태를 포함하는 폭 넓은 의미이다.The term " film " used in the present invention has a broad meaning including a sheet form, a thin film form, and a coating form as well as a film form commonly used in the art.

본 발명에서 사용하는 용어인 [C1], [C2] 등은 탄소수를 의미하는 것으로서, 예를 들어 [C1 ~ C5의 알킬기]는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기를 의미한다. The term [C1], [C2], etc. used in the present invention means the number of carbon atoms. For example, [C1 to C5 alkyl] means an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

본 발명에서 "

Figure pat00010
"로 표현된 화학식에서, [R1은 독립적으로 수소원자, 메틸기 또는 에틸기이며, a는 1 ~ 3이다.]라고 치환기에 대해 표현되어 있을 때, a가 3인 경우, 복수의 R1, 즉 R1 치환기가 3개가 있고, 이들 복수 개의 R1들 각각은 서로 같거나 다른 것으로서, R1들 각각은 모두 수소원자, 메틸기 또는 에틸기일 수 있으며, 또는 R1들 각각은 다른 것으로서, R1 중 하나는 수소원자, 다른 하나는 메틸기 및 또 다른 하나는 에틸기일 수 있음을 의미하는 것이다. 그리고, 상기 내용은 본 발명에서 표현된 치환기를 해석하는 일례로서, 다른 형태의 유사 치환기도 동일한 방법으로 해석되어야 할 것이다.In the present invention,
Figure pat00010
In the formula represented by R 1 is independently a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and a is 1 to 3. When a is 3, a plurality of R 1 , that is, R 1 As there are three substituents, each of a plurality of R 1 which are the same or different, R 1 in each of both may be a hydrogen atom, methyl or ethyl, or R 1 as each of the other, R 1 One of Hydrogen atom, the other is a methyl group, and the other is an ethyl group. The above is an example of interpreting the substituent represented by the present invention, and other similar substituents should also be interpreted in the same way.

본 발명에서 사용하는 용어인 "플록"이라 함은 스테이플 섬유보다 더 짧은 길이의 섬유를 의미하며, 플록의 길이는 약 0.5 내지 약 15 mm이고 직경은 4 내지 50 ㎛이며, 바람직하게는 길이는 1 내지 12 mm이고 직경은 8 내지 40 ㎛일 수 있다. 폴리아마이드 플록은 예를 들어 미국등록특허 제3,063,966호, 제3,133,138호, 제3,767,756호 및 제3,869,430호에 기재된 방법에 의해 제조된 것과 같이 유의한 또는 임의의 피브릴화 없이 폴리아마이드 섬유를 짧은 길이로 절단하여 제조될 수 있다. 또한, 본 발명에서 사용하는 용어인 "피브리드"라 함은 비(非)과립형의 펄프 또는 필름-유사 입자를 의미하며, 바람직하게는, 이의 융점 또는 분해점이 320℃를 초과할 수 있다. 피브리드는 평균 길이가 0.5 내지 2 mm이고 종횡비는 15:1 내지 50:1이다. 미국 특허 제3,018,091호에 개시된 유형의 피브리드화 장치를 사용하는 것을 포함하고, 중합체 용액이 단일 단계로 침전 및 전단되는 임의의 방법에 의해 제조될 수 있다.As used herein, the term "flock" refers to fibers of shorter length than staple fibers, the flock length is from about 0.5 to about 15 mm, the diameter is from 4 to 50 micrometers, To 12 mm and a diameter of from 8 to 40 [mu] m. The polyamide flock has a short length of polyamide fibers without significant or optional fibrillization as produced by, for example, the methods described in U.S. Patent Nos. 3,063,966, 3,133,138, 3,767,756 and 3,869,430 And can be produced by cutting. In addition, the term "fibrids " as used herein means non-granular pulp or film-like particles, preferably the melting point or decomposition point thereof may exceed 320 ° C. The fibrids have an average length of 0.5 to 2 mm and an aspect ratio of 15: 1 to 50: 1. Including the use of a fibridation apparatus of the type disclosed in U.S. Patent No. 3,018,091, and any method in which the polymer solution is precipitated and sheared in a single step.

이하에서는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명을 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

플렉서블 OTFT 소자에서 유연성을 확보하기 위해 기재 소재로서, 폴리아마이드 필름 및/또는 폴리아마이드 페이퍼를 기재(10)로 도입할 수 있으며, 이때, 폴리아마이드 필름 및/또는 폴리아마이드 페이퍼의 표면 거칠기로 인해 OTFT의 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하기 수단이 필요하며, 본 발명은 상기 기재에 표면 거칠기로 인해 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하기 위한 수단으로서 평탄화 필름을 제공하고자 한다.In order to ensure flexibility in the flexible OTFT device, a polyamide film and / or a polyamide paper can be introduced as a base material into the substrate 10, and at this time, due to the surface roughness of the polyamide film and / or the polyamide paper, The present invention is intended to provide a planarizing film as a means for preventing the electrical properties of the substrate from being degraded due to surface roughness.

본 발명의 평탄화 필름은 도 1에 개략도로 도시한 바와 같이, 플렉서블 OTFT 소자의 기재(또는 기재층)의 상단면에 형성되며, 평탄화 필름(20)은 단층구조로 형성되어 있을 수 있으며, 또는 도 1과 같이 평탄화 필름(20)은 제1평탄화층(21) 및 제2평탄화층(22)의 다층구조로 형성될 수 있다.
The flattening film of the present invention is formed on the upper surface of the substrate (or base layer) of the flexible OTFT device as schematically shown in Fig. 1, and the flattening film 20 may be formed in a single layer structure, 1, the planarization film 20 may be formed in a multi-layered structure of a first planarization layer 21 and a second planarization layer 22. [

본 발명의 평탄화 필름은 PMF(Poly(melamine-co-formaldehyde), PVP(Poly(4-vinylphenol)), PGMEA(Propylene glycol monomethyl ether acetate), PEGDMA(Poly ethylene glycol dimethacrylate), PPGDMA(Poly propylene glycol dimethacrylate), PPGDA(poly propylene glycol diacrylate), PDEGDA(Poly diethylene glycol diacrylate), 하기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물, 폴리실라잔계 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The planarizing film of the present invention can be formed by using PMF (poly (4-vinylphenol), PVMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), PEGDMA (poly ethylene glycol dimethacrylate), PPGDMA (polypropylene glycol dimethacrylate ), PPGDA (poly propylene glycol diacrylate), PDEGDA (poly diethylene glycol diacrylate), POSS compound represented by the following formula 1, silazane compound represented by the following formula 2, polysilazane compound, And the like.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 1에 있어서, E는

Figure pat00012
,
Figure pat00013
또는
Figure pat00014
이고, 바람직하게는
Figure pat00015
또는
Figure pat00016
이다. 그리고, 상기 R1, R3 R4 각각은 독립적인 것으로서, 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이며, 바람직하게는 탄소수 2 ~ 3의 알킬렌기이다. 또한, 상기 R2는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고, 바람직하게는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ~ 2의 알킬기이다. 그리고, 상기 X는 -NHR5이고, 상기 R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이며, 바람직하게는 수소원자이다.In Formula 1, E is
Figure pat00012
,
Figure pat00013
or
Figure pat00014
, And preferably
Figure pat00015
or
Figure pat00016
to be. The above R 1 and R 3 And Each R 4 is independently an alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, preferably an alkylene group having 2 to 3 carbon atoms. R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms. X is -NHR 5 , and R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom.

[화학식 2](2)

Figure pat00017
Figure pat00017

상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R9 각각은 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, 바람직하게는 수소원자이다. 그리고, B는 -NHR10이고, 상기 R10은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이며, 바람직하게는 R10은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 2의 알킬기이다.In Formula 2, R < 1 > To R 9 Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, preferably a hydrogen atom. B is -NHR 10 , R 10 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and preferably R 10 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms.

[화학식 3](3)

Figure pat00018
Figure pat00018

상기 화학식 3에 있어서, R1 내지 R8 각각은 독립적인 것으로서, 수소원자, 할로겐원자, 카복실기(carboxyl group), 아마이드기(amide group), -CF3, -Si(OR)mH3-m, 포밀기(formyl group) 또는 아실기(acyl group)이이며, 바람직하게는 R1 내지 R8 각각은 독립적으로 불소원자, 염소원자 또는 포밀기이며, 더욱 바람직하게는 R1 내지 R8 각각은 모두 불소원자이다. 그리고, 상기 n은 화학식 3으로 표시되는 중합체는 중량평균분자량 50,000 ~ 200,000을 만족하는 유리수이고, 바람직하게는 중량평균분자량 70,000~ 150,000을 만족하는 유리수이다. 또한, 상기 m은 0 ~ 3의 정수이고 바람직하게는 2 ~ 3의 정수, 더욱 바람직하게는 3이다.
In the general formula (3), R < 1 > Each R 8 is independently a hydrogen atom, a halogen atom, a carboxyl group, an amide group, -CF 3 , -Si (OR) m H 3-m , a formyl group or An acyl group is preferable, and R < 1 > to R < Each R < 8 > is independently a fluorine atom, a chlorine atom or a formyl group, more preferably R < Each R < 8 > is a fluorine atom. The polymer represented by the formula (3) is a rational number satisfying a weight average molecular weight of 50,000 to 200,000, preferably a rational number satisfying a weight average molecular weight of 70,000 to 150,000. M is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 2 to 3, more preferably 3.

그리고, 상기 폴리실라잔계 화합물은 하기 화학식 4-1로 표시되는 단량체의 중합체; 하기 화학식 4-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4-2로 표시되는 화합물을 포함하는 공중합체; 및 하기 화학식 4-3으로 표시되는 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 하기 화학식 4-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4-2로 표시되는 화합물을 포함하는 공중합체를 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는 상기 화학식 4-1로 표시되는 단량체 및 상기 화학식 4-2로 표시되는 단량체를 1 : 2 ~ 6 몰비로 공중합시킨 공중합체를 포함할 수 있다.The polysilazane compound may be a polymer of a monomer represented by the following formula (4-1); A copolymer comprising a compound represented by the following formula (4-1) and a compound represented by the following formula (4-2); And a polymer represented by the following formula (4-3), preferably a copolymer comprising a compound represented by the following formula (4-1) and a compound represented by the following formula (4-2) And more preferably a copolymer obtained by copolymerizing the monomer represented by Formula 4-1 and the monomer represented by Formula 4-2 at a molar ratio of 1: 2 to 6.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure pat00019
Figure pat00019

상기 화학식 4-1에 있어서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이고, 바람직하게는 수소원자 또는 탄소수 1의 알킬기이다.In Formula 4-1, R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 carbon atom.

[화학식 4-2][Formula 4-2]

Figure pat00020
Figure pat00020

상기 화학식 4-2에 있어서, R1은 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이고, 바람직하게는 탄소수 1의 알킬기이다.In the formula (4-2), R 1 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 carbon atom.

[화학식 4-3][Formula 4-3]

Figure pat00021
Figure pat00021

상기 화학식 4-3에 있어서, 상기 R1은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, 바람직하게는 탄소수 1의 알킬기이다. 그리고, R2는 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이고, 바람직하게는 탄소수 2 ~ 3의 알킬렌기이다. 또한, R3 및 R4는 독립적인 것으로서, 수소원자, 탄소수 1 ~ 3의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 3의 알콕시기이며, 바람직하게는 탄소수 탄소수 1 ~ 3의 알콕시기이다. 그리고, R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, 바람직하게는 탄소수 1의 알킬기이다.
In Formula 4-3, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 carbon atom. R 2 is an alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, preferably an alkylene group having 2 to 3 carbon atoms. R 3 and R 4 are independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, preferably an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms. And R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 carbon atom.

본 발명에 있어서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재로서 폴리아마이드 페이퍼를 도입하는 경우, 상기 평탄화 필름이 단층구조로 형성시킬 수 있으며, 이때, 상기 평탄화 필름은 PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 PEGDMA 및 PPGDMA 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 디메타크릴레이트계 화합물; 및 상기 POSS계 화합물, 상기 실라잔 및 상기 폴리실라잔 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 혼합물;을 1 : 0.1 ~ 1.5 중량비로 포함하도록 형성시킬 수 있다.In the present invention, when a polyamide paper is introduced as a base material of a flexible OTFT device, the planarizing film may be formed as a single layer structure. Here, the planarizing film may be PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA , A POSS compound represented by the formula (1), a silazane compound represented by the formula (2), and a polysilazane compound, and preferably at least one selected from PEGDMA and PPGDMA Dimethacrylate-based compounds; And a mixture containing the POSS compound, the silazane, and the polysilazane in a weight ratio of 1: 0.1 to 1.5.

또한, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 플렉서블 OTFT 소자의 기재로서 폴리아마이드 필름을 도입하는 경우, 상기 평탄화 필름이 단층구조로 형성시킬 수 있으며, 이때, 상기 평탄화 필름은 상기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함할 수 있다.In addition, when the substrate of the flexible OTFT element introduces the polyamide film as the base material of the flexible OTFT device, the planarizing film may be formed as a single layer structure, wherein the planarizing film includes the polymer represented by the above formula (3) .

또한, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 폴리아마이드 페이퍼 및/또는 폴리아마이드 필름를 도입하는 경우, 상기 평탄화 필름을 도 1과 같이 다층구조로 형성시킬 수 있는데, 평탄화 필름(20)은 제1평탄화층(21) 및 제2평탄화층(22)이 기재 상단면에 적층된 형태로 형성시킬 수 있다. 그리고, 상기 제1평탄화층은 PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 상기 제2평탄화층은 상기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함할 수 있다.1, the planarizing film 20 may be formed of a first planarizing layer 21 and a second planarizing layer 21. In this case, the first planarizing layer 21 may be formed of a polyimide film and / or a polyamide film. And the second planarizing layer 22 are laminated on the upper surface of the substrate. The first planarization layer may include one selected from the group consisting of PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, the POSS compound represented by Formula 1, the silazane compound represented by Formula 2 and the polysilazane compound And the second planarization layer may include the polymer represented by Formula 3.

그리고, 상기 제1평탄화층은 PEGDMA 및 PPGDMA 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 디메타크릴레이트계 화합물; 및 상기 POSS계 화합물, 상기 실라잔 및 상기 폴리실라잔 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 혼합물;을 1 : 0.1 ~ 1.5 중량비로 포함하도록 형성시킬 수 있다.
The first planarization layer may include a dimethacrylate-based compound containing at least one selected from PEGDMA and PPGDMA; And a mixture containing the POSS compound, the silazane, and the polysilazane in a weight ratio of 1: 0.1 to 1.5.

그리고, 본 발명의 평탄화 전체 평균두께 0.1 ㎛ ~ 10 ㎛로, 바람직하게는 평균두께 0.2㎛ ~ 5㎛로, 더욱 바람직하게는 0.2㎛ ~ 1㎛로 형성시킬 수 있다. 이때, 제1평탄화층 및/또는 제2평탄화층을 포함하는 평탄화 필름의 전체 두께가 0.1 ㎛ 미만이면 표면 거칠기가 증가하여 OTFT 소자의 전기적 특성에 영향을 줄 수 있으며, 평탄화층의 전체 두께가 10 ㎛를 초과하여 두껍게 할 필요는 없다.The flattening total average thickness of the present invention is 0.1 mu m to 10 mu m, preferably 0.2 mu m to 5 mu m, and more preferably 0.2 mu m to 1 mu m. At this time, if the total thickness of the planarizing film including the first planarizing layer and / or the second planarizing layer is less than 0.1 탆, the surface roughness may increase to affect the electrical characteristics of the OTFT device. If the total thickness of the planarizing layer is 10 It is not necessary to make the thickness larger than 탆.

또한, 본 발명의 평탄화 필름에 있어서, 제1평탄화층과 제2평탄화층은 두께비가 1 : 0.1 ~ 10가 되도록 형성시키는 것이 좋으며, 이때, 제2평탄화층이 제1평탄화층 대비 1 : 0.1 두께비로 너무 얇으면 표면 거칠기 감소 효과가 떨어질 수 있으며, 1 : 10 두께비로 제2평탄화층을 형성시키는 것을 불필요하게 너무 두껍게 제2평탄화층을 형성시키는 것이며, 오히려 박육화에 불리하므로, 상기 두께비를 갖도록 제1평탄화층 및 제2평탄화층을 형성시키는 것이 유리하다.In the planarizing film of the present invention, the first planarizing layer and the second planarizing layer may be formed to have a thickness ratio of 1: 0.1 to 10, wherein the second planarizing layer has a thickness ratio of 1: 0.1 to the first planarizing layer The effect of reducing the surface roughness may be deteriorated. If the second planarizing layer is formed to be unnecessarily too thick to form the second planarizing layer at a ratio of 1: 10, the thickness of the second planarizing layer is rather disadvantageous. It is advantageous to form the first planarization layer and the second planarization layer.

그리고, 도 1에 도시한 바와 같이, 기재(또는 기재층, 10)의 상단면에 제1평탄화층(21) 및 제2평탄화층(22)의 평탄화 필름(또는 평탄화층, 20)을 형성시키는 경우, 평탄화 필름의 표면 거칠기는 0.1㎚ ~ 300 ㎚, 바람직하게는 1㎚ ~ 100 ㎚, 더욱 바람직하게는 2㎚ ~ 50㎚일 수 있다.
1, a planarization film (or a planarization layer 20) of the first planarization layer 21 and the second planarization layer 22 is formed on the upper surface of the substrate (or the substrate layer 10) , The surface roughness of the planarizing film may be 0.1 nm to 300 nm, preferably 1 nm to 100 nm, and more preferably 2 nm to 50 nm.

본 발명의 플렉서블 OTFT 소자는 기재로서, 폴리아마이드 페이퍼 또는 폴리아마이드 필름을 기재로 도입하여 OTFT 소자의 플렉서블을 가능케 하고, 유리 기판이 아닌 페이퍼 소재의 기재층으로 인해 표면이 거칠어서 OTFT 소자의 전기적 특성이 저하되는 것을 방지하기 위해 특정 소재를 평탄화 필름을 평탄화층으로서 도입한 발명이다. The flexible OTFT device of the present invention is a flexible OTFT device in which a polyamide paper or a polyamide film is introduced into a substrate to enable flexibility of the OTFT device and the surface of the OTFT device is rough The flattening film is used as a flattening layer for a specific material.

이러한, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자는 상기 기재층 및 평탄화층을 다양한 형태의 플렉서블 OTFT 소자에 도입할 수 있으며, 본 발명의 이해를 돕기 위해 일례를 들면, 도 1에 도시한 개략도와 같이 기재(10), 평탄화구조체(20), 게이트(gate, 30), 게이트 전극절연체(40), 소스(source, 50), 드레인(drain, 60) 및 활성체(70)를 포함할 수 있으며, 상기 평탄화구조체(20)는 제1평탄화층(21) 및 제2평탄화층(22)이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
The flexible OTFT device of the present invention can introduce the substrate layer and the planarization layer into various types of flexible OTFT devices. For example, in order to facilitate understanding of the present invention, the substrate 10 A planarizing structure 20, a gate 30, a gate electrode insulator 40, a source 50, a drain 60, and an active material 70, The first planarization layer 21 and the second planarization layer 22 may be stacked in order.

앞서 설명한 바와 같이 본 발명의 플렉서블 OTFT는 폴리아마이드 필름 및/또는 폴리아마이드 페이퍼를 기재(10)로 사용할 수 있으며, 기재로서, 폴리아마이드 필름을 도입하는 경우, 기재의 평균두께는 20 ㎛ ~ 60 ㎛인 것이, 바람직하게는 20 ㎛ ~ 40㎛인 것이 좋으며, 이때, 기재의 평균두께가 20 ㎛ 미만이면 필름이 찢어지는 문제가 있을 수 있고, 100 ㎛를 초과하면 플렉서블 OTFT의 투명성이 떨어지는 문제가 있을 수 있으므로 상기 범위 내의 두께를 갖는 것이 좋다.
As described above, the flexible OTFT of the present invention can use a polyamide film and / or a polyamide paper as the substrate 10, and when a polyamide film is introduced as a substrate, the average thickness of the substrate is 20 μm to 60 μm The average thickness of the substrate is preferably from 20 to 40 탆. If the average thickness of the substrate is less than 20 탆, the film may be torn. If the average thickness exceeds 100 탆, the transparency of the flexible OTFT may be deteriorated It is preferable to have a thickness within the above range.

그리고, 기재(10)로서, 폴리아마이드 페이퍼를 사용하는 경우, 기재의 평균두께 0.1㎛ ~ 150㎛인 것이, 바람직하게는 0.1㎛ ~ 100㎛인 것이, 더욱 바람직하게는 0.2㎛ ~ 80 ㎛인 것이 좋으며, 이때, 기재층의 평균두께가 0.1 ㎛ 미만이면 페이퍼가 찢어지는 문제가 있을 수 있고, 150 ㎛를 초과하면 OTFT 소자의 유연성이 떨어지는 문제가 있을 수 있으므로 상기 범위 내의 두께를 갖는 것이 좋다.When a polyamide paper is used as the substrate 10, the average thickness of the substrate is 0.1 to 150 μm, preferably 0.1 to 100 μm, more preferably 0.2 to 80 μm At this time, if the average thickness of the base layer is less than 0.1 탆, there may be a problem that the paper tears. When the average thickness exceeds 150 탆, the flexibility of the OTFT device may deteriorate.

그리고, 상기 기재 소재로서, 메타 폴리아마이드 페이퍼를 사용하는 경우, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 겉보기 밀도가 0.20 ~ 0.40 g/㎤이고, ASTM D-828에 의거하여 측정시 두께가 10 ~ 150 ㎛일 때, MD 방향 인장강도가 25 N/㎝ 이상, 바람직하게는 25 ~ 35 N/㎝ 이고, MD 방향 신장율이 5.0% 이상, 바람직하게는 5.0 ~ 10.0%이며, TAPPI T414에 의거하여 측정시 MD 방향 인열강도가 0.95 N이상인 것을, 바람직하게는 1.00 ~ 1.20 N인 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 두께가 0.14 mm일 때, MD 방향 비인열강도가 20 ~ 30 N㎡/㎏을, 바람직하게는 비인열강도 22 ~ 28 N㎡/㎏을 갖을 수 있으며, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 평량이 35 ~ 50 g/㎡, 바람직하게는 38 ~ 45 g/㎡을 갖을 수 있다. 그리고, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 메타폴리아마이드 플록 및 메타아마리드 피브리드를 포함하며, 상기 플록 및 피브리드는 고유점도(I.V)가 1.5 ~ 2.0인 것을 특징으로 할 수 있다.
When the metapolyamide paper is used as the base material, the metropolyamide paper has an apparent density of 0.20 to 0.40 g / cm 3 and a thickness of 10 to 150 탆 measured according to ASTM D-828 , A tensile strength in the MD direction of 25 N / cm or more, preferably 25 to 35 N / cm, an elongation in the MD direction of 5.0% or more, preferably 5.0 to 10.0%, and a tensile strength in the MD direction measured in accordance with TAPPI T414 A tear strength of 0.95 N or more, preferably 1.00 to 1.20 N can be used. In addition, the metapolyamide paper may have a tensile strength in the MD direction of 20 to 30 Nm 2 / kg, preferably a non-drawn strength of 22 to 28 Nm 2 / kg when the thickness is 0.14 mm, The polyamide paper may have a basis weight of 35 to 50 g / m 2, preferably 38 to 45 g / m 2. The metapolyamide paper includes metapolyamide flock and meta-amide fibrid, and the floc and fibrid have an intrinsic viscosity (IV) of 1.5 to 2.0.

본 발명의 OTFT 소자에 있어서, 게이트(gate, 30)는 당업계에서 사용하는 일반적인 소재를 사용할 수 있으며, 일례를 들면, 질소가 도핑된 실리콘(N doped silicone), 금(Au), 은(Ag) 등의 소재로 게이트를 제조할 수 있다. 그리고, 게이트의 평균두께는 25㎚ ~ 80 ㎚ 정도로, 바람직하게는 40㎚ ~ 70 ㎚ 정도로 형성시킬 수 있다.In the OTFT device of the present invention, the gate (gate) 30 can be made of a material commonly used in the art, and examples thereof include N doped silicone, Au, Ag ) And the like. The average thickness of the gate is about 25 nm to 80 nm, preferably about 40 nm to 70 nm.

본 발명의 OTFT 소자에 있어서, 게이트 전극절연체(40) 당업계에서 사용하는 일반적인 소재를 사용할 수 있으며, 일례를 들면, 실리카(SiO2) 등으로 형성시킬 수 있고, 그 평균두께는 50 ㎚ ~ 500 ㎚ 정도로, 바람직하게는 80 ㎚ ~ 400 ㎚ 정도가 되도록 형성시킬 수 있으며, 더욱 바람직하게는 기재가 폴리아마이드 필름인 경우, 게이트 전극절연체의 평균두께는 80 ㎚ ~ 150 ㎚을 갖는 것이 좋으며, 기재가 폴리아마이드 페이퍼인 경우, 게이트 전극절연체의 평균두께는 250 ㎚ ~ 400 ㎚인 것이 좋다.In the OTFT device of the present invention, a general material used in the industry per the gate electrode insulator 40 can be used. For example, the gate electrode insulator 40 can be formed of silica (SiO 2 ) or the like and has an average thickness of 50 nm to 500 The average thickness of the gate electrode insulator is preferably 80 nm to 150 nm, more preferably 80 nm to 400 nm when the substrate is a polyamide film, and more preferably, In the case of a polyamide paper, the average thickness of the gate electrode insulator is preferably 250 nm to 400 nm.

본 발명의 OTFT 소자에 있어서, 소스(source, 50) 및/또는 드레인(drain, 60)은 당업계에서 사용하는 일반적인 소재를 사용할 수 있으며, 일례를 들면 금(Au), 은(Ag) 등의 소재로 게이트를 제조할 수 있다. 그리고, 소스 및/또는 드레인의 평균두께는 40㎚ ~ 90 ㎚ 정도로, 바람직하게는 50 ㎚ ~ 80 ㎚ 정도로 형성시킬 수 있다.In the OTFT device of the present invention, the source 50 and / or the drain 60 may be made of a material commonly used in the art. For example, gold (Au), silver (Ag) The gate can be made of material. The average thickness of the source and / or drain can be about 40 nm to 90 nm, preferably about 50 nm to 80 nm.

본 발명의 OTFT 소자에 있어서, 상기 활성체(또는 활성층, 70)는 당업계에서 사용하는 일반적인 소재를 사용할 수 있으며, 일례를 들면 펜타센(pentacene) 등을 주소재로하는 수지를 사용하여 형성시킬 수도 있다. 그리고, 활성체의 평균두께는 30 ㎚ ~ 70 ㎚ 정도로, 바람직하게는 40 ㎚ ~ 60 ㎚ 정도로 형성시킬 수 있다.
In the OTFT device of the present invention, the active material (or the active layer) 70 may be formed of a material commonly used in the art, for example, a resin using pentacene or the like as an addressing material It is possible. The average thickness of the active material is about 30 nm to 70 nm, preferably about 40 nm to 60 nm.

이하에서는 본 발명의 OTFT 소자를 구성하는 기재에 대하여 더욱 구체적으로 설명을 하면, 본 발명의 플렉서블 OTFT용 기재는 폴리아마이드 페이퍼 또는 폴리아마이드 필름을 사용한다.Hereinafter, a substrate constituting the OTFT device of the present invention will be described in more detail. A polyamide paper or polyamide film is used as the substrate for a flexible OTFT of the present invention.

먼저, 본 발명의 플렉서블 OTFT용 기재로서, 폴리아마이드 페이퍼(paper)에 대하여 설명을 한다.First, polyamide paper will be described as a substrate for a flexible OTFT of the present invention.

구체적으로 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 폴리아마이드 페이퍼의 제조방법을 위한 공정도로서, 이를 제조하는 바람직한 일례를 설명하면 아래와 같다.Specifically, FIG. 2 is a process diagram for a method of manufacturing a polyamide paper according to an embodiment of the present invention, and a preferred example of manufacturing the polyamide paper will be described below.

폴리아마이드 플록 및 아마리드 피브리드를 포함하는 지료를 투입하여 습지필(wet-web)을 제조하는 1단계; 습지필을 탈수하는 2단계; 탈수된 습지필을 1차 열풍 건조하는 3단계; 건조된 습지필을 2차 건조하는 4단계; 및 건조된 지필을 250 ~ 320℃에서 3차 건조하는 5단계를 포함하는 공정을 통하여 폴리아마이드 페이퍼를 제조할 수 있다.A step of preparing a wet-web by inputting a feedstock containing polyamide floc and amarylated fibrids; A second step of dewatering the wet paper; A third step of drying the dehydrated wet paper by a first hot air blow; A fourth step of secondary drying the dried wet paper; And 5 steps of drying the dried paper at a temperature of 250 to 320 DEG C in a tertiary manner to prepare a polyamide paper.

상기 습지필을 제조하는 단계에 있어서, 상기 폴리아마이드 플록 및 폴리아마이드 피브리드는 메타 폴리아마이드 페이퍼를 제조하고자 하는 경우, 메타 아리미드 플록 및 메타 폴리아마이드 피브리드를 사용할 수 있다. 그리고, 그 사용량은 메타폴리아마이드 플록 100 중량부에 대하여 메타폴리아마이드 피브리드 80 ~ 200 중량부를 혼합하여 사용할 수 있다. 메타 폴리아마이드 피브리드 및 메타 폴리아마이드 플록에 유용에 적합한 메타 폴리아마이드 중합체는 아미드 (-CO-NH-) 결합의 적어도 85%가 2개의 방향족 고리에 직접 부착되는 폴리아미드일 수 있고, 첨가제가 함께 사용될 수 있으며, 최대 10중량% 만큼 많은 다른 중합체성 재료가 메타 폴리아마이드와 블렌딩될 수 있다. 구체적인 예를 들면, 폴리아마이드의 다이아민을 치환하는 10%만큼 이산 클로라이드를 갖는 공중합체가 사용 될 수 있다. 그리고, 메타 폴리아마이드 중합체는 폴리(메타페닐렌 아이소프탈아미드), 4,4-다이아미노다이페닐 설폰 및/또는 3,3-다이아미노다이페닐 설폰의 중합체일 수 있으며, 바람직하게는 폴리(메타페닐렌아이소프탈아미드)의 중합체일 수 있다. In the step of producing the wet paper web, the polyamide flock and the polyamide fibrid may be prepared by using meta-aramid floc and meta-polyamide fibrids when preparing the methacrylic polyamide paper. The amount of the metapolyamide fibrids to be used may be 80 to 200 parts by weight of metapolyamide fibrids per 100 parts by weight of the metapolyamide flocs. Metapolyamide polymers suitable for use in metapolyamide fibrids and methacrylamide flocs may be polyamides in which at least 85% of the amide (-CO-NH-) linkages are attached directly to the two aromatic rings, And as many as 10% by weight of many other polymeric materials can be blended with the meta-polyamide. As a specific example, a copolymer having 10% of diacid chloride replacing the diamine of the polyamide may be used. And, the metallopolyamide polymer may be a polymer of poly (metaphenylene isophthalamide), 4,4-diaminodiphenyl sulfone and / or 3,3-diaminodiphenyl sulfone, preferably poly Methaphenylene isophthalamide). ≪ / RTI >

한편, 메타 폴리아마이드 피브리드 및 메타 폴리아마이드 플록에 포함된 상기 메타 폴리아마이드 중합체의 고유점도(I.V)는 1.5 ~ 2.0인 것이 1차 열풍건조, 2차 건조 및 3차건조와 관련하여 페이퍼의 물성을 향상시키는데 매우 유리하다. 만일, 메타 폴리아마이드 중합체의 고유점도(I.V)가 1.5 미만이거나 2.0을 초과하면 물성향상의 정도가 현저하게 떨어지게 된다.On the other hand, the intrinsic viscosity (IV) of the meta-polyamide polymer contained in the meta-polyamide fibrid and the meta-polyamide floc is 1.5 to 2.0 in relation to the primary hot air drying, the secondary drying and the tertiary drying, Which is very advantageous for improving. If the intrinsic viscosity (I.V) of the metallopolyamide polymer is less than 1.5 or more than 2.0, the degree of improvement of physical properties will be significantly deteriorated.

한편, 1 단계에서는 고해기(Refiner: 100)를 이용하여 폴리아마이드 플록 및 폴리아마이드 피브리드를 물에 혼합하여 지료를 제조할 수 있다. 상기 폴리아마이드 플록 및 피브리드는 전체 지료 조성물에 대하여 1 ~ 10중량%일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 고해기(100)을 통과한 지료는 헤드박스(120)를 거쳐 금망부 (wire part: 210)로 이송된다. 상기 금망부(210)는 엔드리스상(endless 狀)으로 형성된 장망식 초지기(fourdrinier machine)와, 큰 원통형으로 형성된 환망식 초지기(cylinder machine), 경사식 초지기 (Inclined machine), 금망부가 상하로 형성된 쌍망식 초지기(Gap Former)로 구분될 수 있으며 본 발명에서는 제한없이 사용될 수 있다. 구체적으로 헤드박스(120)에서 토출된 지료는 금망부의 지합판(forming board: 211)을 통해 습지필(wet web)을 형성한다.
On the other hand, in step 1, a refiner (refiner: 100) can be used to produce a ground by mixing polyamide floc and polyamide fibrids in water. The polyamide floc and fibrids may be present in an amount of 1 to 10% by weight, based on the total groundbreaking composition, but are not limited thereto. The material passing through the defuzzifier 100 is conveyed to the wire part 210 through the head box 120. The gold net 210 is formed by a fourdrinier machine formed in endless form, a cylinder machine having a large cylindrical shape, an inclinable machine, and a net net formed up and down. And a gap former, which can be used without limitation in the present invention. Specifically, the material discharged from the head box 120 forms a wet web through the forming board 211 of the gold net.

다음으로, 2 단계에서 습지필을 탈수시키는데, 상기 습지필은 금망부(210)에 구비된 다수의 롤러에 의해 이송하게 되며, 이때 탈수부(212)를 통과하면서 탈수공정이 수행된다. 상기 탈수부는 석션박스(suction box)를 통해 달성될 수 있으며, 상기 석션박스는 복수개가 구비될 수 있다. 상기 석션박스는 금망 하부에 접하도록 설치되며, 탈수된 물은 금망 외부로 배출한다.
Next, in step 2, the wet paper is dehydrated. The wet paper is fed by a plurality of rollers provided in the gold net 210, and the dehydration process is performed while passing through the dehydrating part 212. The dewatering unit may be achieved through a suction box, and the suction box may include a plurality of suction boxes. The suction box is installed so as to be in contact with the bottom of the net, and the dewatered water is discharged to the outside of the net.

다음으로 3 단계에서 상기 탈수된 습지필을 열풍건조부(220)에서 1차 열풍건조를 수행하는데, 상기 3 단계는 습지필의 수분제거를 증대시키고 습지 구조의 두께 감소를 최소화하기 위해 수행하는 것으로서 이를 수행하지 않은 페이퍼에 비하여 벌크(Bulk), 통기도 및 흡수성 증가 등 물성이 향상된다. 한편, 상기 3단계는 바람직하게는 195℃ ~ 250℃의 온도에서 수행하는 것이 유리하다. 만일, 상기 온도범위를 벗어나서 열풍건조를 수행하면 물성향상의 정도가 미미해지는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 3 단계는 반드시 열풍건조를 통해 달성되어야 하며, 열풍건조기의 예시로서 테트(Through Air Dryer), 스푸너(Spooner) 등이 포함될 수 있다. 만일 열풍건조가 아닌 다른 종류의 건조기(예를 들어, 접촉식 건조기의 일종인 Cylinder Dryer, Yankee Dryer, Lab. 수초지 건조기 등)를 사용하는 경우에는 지필 내의 수분이 포켓 형태로 잔류해 건조가 불량해지며, 건조 펠트(Felt)에 의해 습지가 압착된 상태로 건조됨에 따라 두께 감소가 되는 문제가 발생할 수 있으며, 온도조건을 만족하는 경우에도 본 발명의 목적을 달성하기 어려울 수 있다.Next, in step 3, the dehydrated wet paper is subjected to a primary hot air drying in a hot air drying unit 220. The above step 3 is performed in order to increase moisture removal of the wet paper web and minimize the thickness reduction of the wet paper web structure The physical properties such as bulk, air permeability and absorbency are improved as compared with the paper which is not subjected to this. The third step is advantageously performed at a temperature of 195 ° C to 250 ° C. If the hot air drying is performed outside the temperature range, the degree of property improvement may become insignificant. In addition, the third step must be accomplished through hot air drying. Examples of the hot air dryer include a through air dryer, a spooner, and the like. If a dryer other than hot air drying is used (for example, Cylinder Dryer, Yankee Dryer, Lab water drier, etc.), the moisture in the paper remains in the form of pockets, And the thickness of the wet paper is reduced as the wet paper is dried by the dry felt, and it may be difficult to achieve the object of the present invention even when the temperature condition is satisfied.

본 발명의 바람직한 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 2 단계와 3 단계 사이 또는 3 단계와 4 단계 사이에 습지필을 압축탈수부(230)에서 압축탈수하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우에도 압축탈수는 메타 폴리아마이드 페이퍼의 저밀도 범위를 만족하는 정도인 경우 선택적으로 진행될 수 있다.According to another preferred embodiment of the present invention, the method may further include compressing and dewatering the wet paper between the second and third steps or between the third and fourth steps in the compressing / dehydrating unit 230. Even in this case, the compression dehydration can be selectively carried out in the case of satisfying the low density range of the meta-polyamide paper.

다음으로, 4 단계로서 상기 열풍건조된 습지필을 2차 건조부(240)에서2차 건조를 실시하여 지필을 제조한다. 이는 습지필을 수분을 효과적으로 제거하기 위한 것으로, 건조온도는 100℃ ~ 150℃일 수 있다. 만일 건조온도가 100℃ 미만이면 원하는 만큼 건조가 되지 않아 건조불량 문제가 발생할 수 있고, 150℃를 초과하면 급격한 건조로 습지필 내부의 수분이 포켓(Pocket)형태로 잔류되는 문제가 발생할 수 있다. 건조시간은 30초 내지 600초일 수 있다.
Next, as the fourth step, the hot-air dried wet paper is subjected to secondary drying in the secondary drying unit 240 to produce paper. This is to effectively remove moisture from wet paper pellets, and the drying temperature may be from 100 ° C to 150 ° C. If the drying temperature is less than 100 ° C, drying may not be performed as desired, and drying problems may occur. If the drying temperature exceeds 150 ° C, the moisture inside the wet paper filter may remain in the form of a pocket due to rapid drying. The drying time may be from 30 seconds to 600 seconds.

다음으로, 5 단계는 상기 열풍건조된 지필을 250℃ ~ 320℃에서 3차 건조부(250)에서 3차 건조한다. 종래의 폴리아마이드 페이퍼는 3단계, 5 단계를 거치지 않고 단순히 4 단계의 단순히 100℃ ~ 150℃에서 건조공정을 통해 아마리드 페이퍼를 수득하였다. 그 결과, 캘린더링을 거치지 않으므로 저밀도를 유지하면서도 신장율, 인열강도 등이 기존의 폴리아마이드 페이퍼에 비하여 현저하게 향상되는 것을 확인하였다. 구체적으로 상기 3차 건조는 250℃ ~ 320℃에서 수행되는 것이 물성향상에 매우 유리하다. 만일 3차 건조온도가 250℃ 미만이거나 320℃를 초과하면 원하는 물성을 만족하게 어렵다. 한편, 상기 3차 건조는 10 ~ 80초간 수행될 수 있다. 만일 10초 미만이면 원하는 목적을 달성하기 어렵고 80초를 초과하면 지필의 유연성이 감소하여 제품 가공성에 문제가 발생할 수 있다.
Next, in step 5, the hot air-dried paper is thirdly dried in a tertiary drying part 250 at 250 ° C to 320 ° C. Conventional polyamide paper did not go through steps 3 and 5 but merely obtained four steps of drying at 100 ° C to 150 ° C through an amarylized paper. As a result, it was confirmed that extensibility, tear strength and the like were remarkably improved compared with conventional polyamide paper while maintaining low density because no calendering was performed. Specifically, the tertiary drying is carried out at 250 ° C to 320 ° C, which is very advantageous in improving the physical properties. If the tertiary drying temperature is lower than 250 ° C or exceeds 320 ° C, it is difficult to satisfy desired properties. Meanwhile, the tertiary drying may be performed for 10 to 80 seconds. If it is less than 10 seconds, it is difficult to achieve the desired purpose, and if it exceeds 80 seconds, the flexibility of the paper is decreased, which may cause problems in workability of the product.

다음으로, 본 발명의 플렉서블 OTFT용 기재로서, 폴리아마이드 필름에 대하여 설명을 한다.Next, the polyamide film will be described as a substrate for a flexible OTFT of the present invention.

폴리아마이드 필름 형성에 사용되는 폴리아마이드 수지는 디아민 및 프탈로일계 화합물의 중합체를 포함하며, 상기 폴리아마이드 수지는 디아민 및 프탈로일계 화합물을 1 : 0.9 ~ 1.1 당량비로, 바람직하게는 1:1 당량비로 중합시킨 중합체를 포함할 수 있고, 바람직하게는 상기 중합체는 메타 폴리아마이드 중합체 및/또는 메타-파라 폴리아마이드 중합체를 포함할 수 있다. 이때, 디아민과 프탈로일계 화합물이 1:0.9 당량비 미만이면 중합도가 떨어질 수 있으며, 1:1.1 당량비를 초과하여 사용하는 것은 미반응된 프탈로일계 화합물의 잔량이 발생하므로 비경제적이다. 즉, 폴리아마이드 수지를 구성하는 중합체의 종류에 따라 상기 폴리아마이드 수지를 경화시켜 형성한 기재성분이 메타 폴리아마이드 필름 또는 메타-파라 폴리아마이드 필름을 형성할 수 있는 것이다.The polyamide resin used for forming the polyamide film comprises a polymer of a diamine and a phthaloyl compound, wherein the polyamide resin is prepared by reacting a diamine and a phthaloyl compound in an equivalent ratio of 1: 0.9 to 1.1, preferably 1: 1 , And preferably the polymer may comprise a meta-polyamide polymer and / or a meta-para-polyamide polymer. If the ratio of the diamine to the phthaloyl compound is less than 1: 0.9, the degree of polymerization may be lowered. If the diamine and the phthaloyl compound are used in excess of 1: 1.1, the remaining amount of the unreacted phthaloyl compound is uneconomical. That is, the base component formed by curing the polyamide resin may form a meta-polyamide film or a meta-para-polyamide film depending on the type of the polymer constituting the polyamide resin.

본 발명의 플렉서블 OTFT 기재로서, 폴리아마이드 필름은 메타 폴리아마이드 필름 또는 메타-파라 폴리아마이드 필름일 수 있으며, 바람직하게는 메타-파라 폴리아마이드 필름일 수 있다. 따라서, 상기 필름 형성에 사용되는 수지는 메타 폴리아마이드 중합체 및/또는 메타-파라 폴리아마이드 중합체를 포함하는 폴리아마이드 수지를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 메타-파라 폴리아마이드 중합체를 포함하는 폴리아마이드 수지를 사용할 수 있다. 그리고, 상기 메타-파라 폴리아마이드 중합체는 파라(para) 함량이 80% 이상, 바람직하게는 80% ~ 90%, 더욱 바람직하게는 80 ~ 85%인 것이 내열성 확보면 및 적정 점도 확보면에서 유리하다. As the flexible OTFT substrate of the present invention, the polyamide film may be a meta-polyamide film or a meta-para-polyamide film, preferably a meta-para-polyamide film. Thus, the resin used in the film formation may be a polyamide resin comprising a meta-polyamide polymer and / or a meta-para-polyamide polymer, preferably a polyamide resin comprising a meta-para- Can be used. The meta-para-polyamide polymer preferably has a para content of 80% or more, preferably 80% to 90%, more preferably 80 to 85% in terms of securing heat resistance and securing an appropriate viscosity .

플렉서블 OTFT 기재인 폴리아마이드 필름에 있어서, 상기 폴리아마이드 중합체는 앞서 설명한 바와 같이, 디아민(diamime)과 프탈로일계 화합물을 중합시켜 제조할 수 있는데, 이때, 제조에 사용되는 상기 디아민은 페닐렌디아민 및 옥시디아닐린 중에서 선택된 1 종을, 바람직하게는 2종을 혼합하여 사용할 수 있다.In the polyamide film which is a flexible OTFT substrate, the polyamide polymer can be prepared by polymerizing a diamine and a phthaloyl compound as described above, wherein the diamine used in the production is selected from the group consisting of phenylenediamine and And oxydianiline, preferably two kinds, may be mixed and used.

그리고, 상기 옥시디아닐린은 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린 중에서 선택된 1종 또는 2종을 혼합하여 사용할 수 있는데, 3,4'-옥시디아닐린을 사용하면 점도가 증가하는 경향이 있으며, 3,4'-옥시디아닐린을 사용하면 내열성면에서 3,4'-옥시디아닐린 보다 유리한 경향이 있는 바, 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린 사용량 조절을 통해서 점도, 유리전이온도 등을 물성의 조절이 가능하다.The oxydianiline may be a mixture of one or two selected from 3,4'-oxydianiline and 4,4'-oxydianiline. When 3,4'-oxydianiline is used, the viscosity And the use of 3,4'-oxydianiline tends to be more advantageous than 3,4'-oxydianiline in terms of heat resistance, so that 3,4'-oxydianiline and 4,4'- It is possible to control physical properties such as viscosity and glass transition temperature through the use of oxydianiline.

본 발명의 플렉서블 OTFT 기재인 폴리아마이드 필름에 있어서, 상기 폴리아마이드 중합체 중합시, 상기 페닐렌 디아민과 상기 옥시디아닐린의 적정 사용량은 페닐렌 디아민과 옥시디아닐린을 7 ~ 9 : 1 ~ 3 중량비로, 바람직하게는 7.5 ~ 8.5 : 1.5 ~ 2.5 중량비로, 더욱 바람직하게는 7.2 ~ 8.2 : 1.8 ~ 2.2 중량비로 사용하는 것이 좋은데, 페닐렌 디아민과 옥시디아닐린의 사용량이 7 : 3 중량비 미만으로 페닐렌 디아민을 적게 사용하면 내열성 및 기계적 물성이 증가하나, 용액 점도가 높아지는 문제가 있고, 9 : 1 중량비를 초과하여 페닐렌 디아민을 사용하면 용액 점도는 낮아지나, 내열성이 떨어지는 문제가 있을 수 있다.  In the polyamide film which is the flexible OTFT substrate of the present invention, when the polyamide polymer is polymerized, the appropriate amount of the phenylenediamine and the oxydianiline is preferably 7 to 9: 1 to 3: 3 by weight in terms of phenylenediamine and oxydianiline , Preferably from 7.5 to 8.5: 1.5 to 2.5, more preferably from 7.2 to 8.2: 1.8 to 2.2. The amount of phenylenediamine and oxydianiline to be used is less than 7: 3 by weight, When the diamine is used in a small amount, the heat resistance and the mechanical properties are increased, but the solution viscosity is increased. If phenylene diamine is used in excess of 9: 1 by weight, the solution viscosity may be lowered but the heat resistance may be lowered.

이때, 페닐렌 디아민으로서 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민 2종을 사용하는 경우, 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민을 1 : 1 ~ 3 중량비로, 바람직하게는 1 : 1.4 ~ 1.8 중량비를 사용하는 것이 좋은데, 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민을 1 : 1 중량비 미만으로 파라페닐렌디아민을 적게 사용하면 최종 반응물인 중합체, 폴리아마이드 수지의 파라 함량이 너무 낮아서 열적 특성이 현저히 감소되어 내열성이 떨어질 수 있고, 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민을 1 : 3 중량비를 초과하여 파라페닐렌디아민을 많이 사용하면 파라 함량이 너무 높아서, 용액 점도가 너무 높아지는 문제가 있을 수 있다.In this case, when two kinds of meta-phenylenediamine and paraphenylenediamine are used as the phenylenediamine, the meta- phenylenediamine and the paraphenylenediamine are used at a weight ratio of 1: 1 to 3, preferably 1: 1.4 to 1.8, If para-phenylenediamine is used in an amount of less than 1: 1 by weight of the metaphenylenediamine and para-phenylenediamine, the para-content of the polymer or polyamide resin as the final reactant is too low, And if paraphenylenediamine is used in excess of 1: 3 by weight of metaphenylenediamine and paraphenylenediamine, the para content may be too high, resulting in a problem that the solution viscosity becomes too high.

또한, 상기 폴리아마이드 중합체 중합시, 상기 디아민을 4종을 사용하는 경우, 일실시예로서 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린의 디아민을 사용하는 경우에는 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린을 3.5 ~ 4.5 : 3.5 ~ 4.5 : 0.5 ~ 1.5 : 0.5 ~ 1.5 중량비로 사용하는 것이 적정 점도, 열팽창성, 내열성 및 기계적 물성 면에서 유리하다.
When four diamines are used in the polymerization of the above polyamide polymer, as one example, there may be mentioned metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, 3,4'-oxydianiline and 4,4'-oxydianiline In the case of using a diamine of the following formula (1), the molar ratio of m-phenylenediamine, paraphenylenediamine, 3,4'-oxydianiline and 4,4'-oxydianiline is 3.5 to 4.5: 3.5 to 4.5: 0.5 to 1.5: 0.5 to 1.5 It is advantageous in terms of the appropriate viscosity, thermal expansion, heat resistance and mechanical properties.

또한, 상기 폴리아마이드 필름에 있어서, 상기 폴리아마이드 중합체 중합시, 페닐렌 디아민으로서, 파라페닐렌 디아민만을 사용할 수 있는데, 이때에는 프탈로일계 화합물로서, 테레프탈로일계 화합물 및 이소프탈로일계 화합물 2종을 사용함으로써, 이소프탈로일계 화합물의 사용량 조절을 통해 중합체의 파라 함량을 조절할 수 있다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 디아민으로서, 파라페닐렌 디아민만을 사용할 때에는 상기 디아민은 파라페닐렌 디아민 및 옥시디아닐린을 7 : 3 ~ 8 : 2 중량비로 사용하는 것이 좋으며, 이때, 파라페닐렌 디아민 함량이 7 중량비 미만으로 사용시 옥시디아닐린의 사용량이 상대적으로 증가하여 용액점도가 너무 증가하고 열팽창성이 떨어지는 문제가 있을 수 있으며, 파라페닐렌 디아민 함량이 8 중량비를 초과하여 사용하면 오히려 용액점도가 너무 낮아지는 문제가 있을 수 있다.In the polyamide film, in the polymerization of the polyamide polymer, only p-phenylenediamine may be used as the phenylenediamine. In this case, as the phthaloyl-based compound, two kinds of terephthaloyl-based compounds and two isophthaloyl- By using this, the para content of the polymer can be controlled by controlling the amount of isophthaloyl compound used. More specifically, when only paraphenylenediamine is used as the diamine, it is preferable to use paraphenylenediamine and oxydianiline in a weight ratio of 7: 3 to 8: 2, wherein the paraphenylenediamine content When the amount is less than 7 parts by weight, the amount of oxydianiline to be used increases relatively, resulting in a problem that the solution viscosity is excessively increased and the thermal expansion property is poor. When the paraphenylenediamine content is more than 8 parts by weight, There may be a problem of lowering.

그리고, 페닐렌 디아민을 파라페닐렌 디아민만을 사용할 때에는 프탈로일계 화합물은 테레프탈로일계 화합물 및 이소프탈로일계 화합물을 6 ~ 8 : 2 ~ 4 중량비로 사용하여, 중합체의 파라 함량을 조절을 통해 얻고자 하는 물성을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
When only para-phenylenediamine is used as the phenylenediamine, the phthaloyl-based compound is obtained by controlling the para-content of the polymer by using the terephthaloyl-based compound and the isophthaloyl-based compound at a weight ratio of 6-8: 2-4 It is preferable to have a physical property such that

그리고, 상기 폴리아마이드 필름에 있어서, 상기 폴리아마이드 중합체 중합에 사용하는 프탈로일계 화합물은 테레프탈로일 클로라이드와 테레프탈로일 브로마이드 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 테레프탈로일계 화합물; 및 이소프탈로일 클로라이드와 이소프탈로일 브로마이드 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 이소프탈로일계 화합물; 중에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 테레프탈로일 클로라이드 및/또는 이소프탈로일 클로라이드를 사용하는 것이 좋다.
In the polyamide film, the phthaloyl compound used in the polyamide polymer polymerization may be a terephthaloyl compound containing at least one selected from terephthaloyl chloride and terephthaloyl bromide; And an isophthaloyl compound containing at least one selected from isophthaloyl chloride and isophthaloyl bromide; , And it is preferable to use terephthaloyl chloride and / or isophthaloyl chloride.

앞서 설명한 본 발명의 플렉서블 OTFT 기재로서, 폴리아마이드 필름 제조를 위한 폴리아마이드 수지는 상기 디아민과 테레프탈로일 클로라이드 및 이소프탈로일계 화합물을 용매에 투입한 다음, 중합시켜서 중합체를 포함하는 중합액을 제조한 후, 상기 중합체 100 중량부에 대하여 산화칼슘(CaO), 수산화칼슘(CaO2)이나 또는 수산화리튬(LiOH) 등의 염기성 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 중화제 1 ~ 5 중량부를 첨가하여 중화 공정을 거쳐서 제조할 수 있다. As the above-mentioned flexible OTFT substrate of the present invention, a polyamide resin for producing a polyamide film is prepared by adding the above diamine, terephthaloyl chloride and isophthaloyl compound to a solvent and then polymerizing to prepare a polymer solution containing the polymer 1 to 5 parts by weight of a neutralizing agent containing at least one selected from calcium oxide (CaO), calcium hydroxide (CaO 2 ) and basic compounds such as lithium hydroxide (LiOH) is added to 100 parts by weight of the polymer, ≪ / RTI >

이때, 상기 용매는 당업계에서 사용하는 일반적인 용매를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 NMP((n-methyl 2-pyrrolidone) 및 DMAc(dimethyl acetamide) 중에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.At this time, the solvent may be a solvent commonly used in the art, and preferably at least one selected from NMP (n-methyl 2-pyrrolidone) and DMAc (dimethyl acetamide) may be used.

그리고, 제조한 폴리아마이드 수지를 필름화하여 플렉서블 OTFT용 기재로 사용할 수 있는 것이다.
The produced polyamide resin can be used as a film-forming substrate for a flexible OTFT.

앞서 설명한 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자는 기재를 폴리아마이드 필름을 사용하는 경우, 반도체 파라미터 분석기(Semiconductor Parameter Analyzer, Aigilent 4155C)로 소자의 on일때와 off일때의 전류값 비율 측정 시, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비가 1.0×10-4 ~ 1.0×10-2일 수 있으며, 바람직하게는 2.50×10-4 ~ 9.00×10-3일 수 있다.The above-described flexible OTFT device of the present invention can be fabricated by using a transfer curve (transfer curve) when a polyamide film is used as a base material, and when a current value ratio is measured on a semiconductor parameter analyzer (AIGilent 4155C) , I on / I off ) ratio may be 1.0 × 10 -4 to 1.0 × 10 -2 , preferably 2.50 × 10 -4 to 9.00 × 10 -3 .

또한, 기재를 폴리아마이드 필름을 사용하는 경우, 본 발명의 플렉서블 OTFT는 반도체 파라미터 분석기로 10V에서 -30V 로 측정시, 전자이동도(Mobility) 값이 2.0×10-4 ~ 1.0×10-2㎠/V·s 일 수 있으며, 바람직하게는 2.10×10-4 ~ 9.50×10-3 ㎠/V·s 일 수 있다. When the substrate is a polyamide film, the flexible OTFT of the present invention has an electron mobility of 2.0 × 10 -4 to 1.0 × 10 -2 cm 2 when measured at 10 V to -30 V by a semiconductor parameter analyzer / V · s, and preferably 2.10 × 10 -4 to 9.50 × 10 -3 ㎠ / V · s.

또한, 기재를 폴리아마이드 필름을 사용하는 경우, 본 발명의 플렉서블 OTFT는 반도체 파라미터 분석기로 소자가 켜지는 시점(turn on)의 게이트 전압(gate voltage) 측정 시, 임계전압(Threshold Voltage, Vth)값이 -12.0V ~ -6.0V 를, 바람직하게는 -11.0 ~ -7.0V를 갖을 수 있다.
When the substrate is a polyamide film, the flexible OTFT of the present invention has a threshold voltage (V th ) at the time of measuring the gate voltage at the turn-on of the device by the semiconductor parameter analyzer, May have a value of -12.0 V to -6.0 V, preferably -11.0 to -7.0 V.

그리고, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자는 기재를 폴리아마이드 페이퍼를 사용하는 경우, 반도체 파라미터 측정기로 소자의 on일때와 off일때의 전류값의 비율 측정 시, 전달곡선(Ion/Ioff )비가 1.0×102 ~ 1.0×104일 수 있으며, 바람직하게는 1.0×102 ~ 7.0×103일 수 있다.In the flexible OTFT device of the present invention, when the substrate is made of polyamide paper and the ratio of the current value when the device is on and off is measured with a semiconductor parameter measuring device, the transfer curve (I on / I off ) 10 2 ~ 1.0 × 10 4 may be, and preferably 1.0 × 10 2 ~ may be 7.0 × 10 3.

또한, 기재를 폴리아마이드 페이퍼를 사용하는 경우, 본 발명의 플렉서블 OTFT는 반도체 파라미터 분석기로 10V ~ -100V으로 측정시, 전자이동도(Mobility) 값이 1.0×10-4 ~ 3.5×10-2 ㎠/V·s 일 수 있으며, 바람직하게는 1.0×10-3 ~ 3.5×10-2 ㎠/V·s 일 수 있다.When a polyamide paper is used as the base material, the flexible OTFT of the present invention has an electron mobility of 1.0 × 10 -4 to 3.5 × 10 -2 cm 2 when measured by a semiconductor parameter analyzer at 10 V to -100 V / V · s, and preferably 1.0 × 10 -3 to 3.5 × 10 -2 cm 2 / V · s.

또한, 기재를 폴리아마이드 페이퍼를 사용하는 경우, 본 발명의 플렉서블 OTFT는 반도체 파라미터 분석기로 소자가 켜지는 시점(turn on)의 게이트 전압(gate voltage) 측정 시, 임계전압(Threshold Voltage, Vth)값이 -7.0V ~ -14.0V 를, 바람직하게는 -7.0V ~ -11.0V를 갖을 수 있다.
In the case of the base material using a polyamide paper, flexible OTFT includes a gate voltage (gate voltage), the threshold voltage (Threshold Voltage, V th) during the measurement of the point element is on a semiconductor parameter analyzer (turn on) of the present invention And a value of -7.0 V to -14.0 V, preferably -7.0 V to -11.0 V.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기로 하지만, 하기 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 이는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the following examples should not be construed as limiting the scope of the present invention, and should be construed to facilitate understanding of the present invention.

[[ 실시예Example ] ]

준비예Preparation Example 1-1 :  1-1: 플렉서블Flexible 기재용  For substrate OTFTOTFT 기재용  For substrate 폴리아마이드Polyamide 필름의 제조 Production of film

용매로서, n-메틸-2 피롤리돈(n-methyl 2-pyrrolidone:NMP)를 100 중량부에 대하여 메타페닐렌디아민(m-phenylene diamine: MPD) 4 중량부, 파라페닐렌디아민(p-phenylene diamine: PPD) 4 중량부, 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-Oxydianiline) 2 중랑부 및 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride: TPC) 10 중량부를 혼합하여 중합하여 중합공정을 실시하여 폴리아마이드 중합체를 포함하는 중합액을 제조하였다.4 parts by weight of m-phenylene diamine (MPD), 100 parts by weight of p-phenylenediamine (NMP) as n-methyl-2-pyrrolidone 4 parts by weight of 4,4'-oxydianiline, and 10 parts by weight of terephthaloyl chloride (TPC) were mixed and polymerized to carry out a polymerization process. To prepare a polymerization solution containing the polyamide polymer.

다음으로, 상기 중합공정 후, 중합액 100 중량부에 수산화칼슘(Ca(OH)2) 3 중량부를 첨가하여 중화 공정을 실시하여, 폴리아마이드 수지를 제조하였다.Next, after the above-mentioned polymerization step, 3 parts by weight of calcium hydroxide (Ca (OH) 2 ) was added to 100 parts by weight of the polymerization solution and neutralized to prepare a polyamide resin.

다음으로, 상기 폴리아마이드 수지를 유리기판의 일면에 캐스팅한 후 120℃에서 건조하고, 수세공정을 통해 투명한 평균두께 20 ㎛의 OTFT 기재용 폴리아마이드 필름을 제조하였다.
Next, the polyamide resin was cast on one side of a glass substrate, dried at 120 DEG C, and washed to obtain a transparent polyimide film having an average thickness of 20 mu m for an OTFT substrate.

준비예Preparation Example 1-2 ~ 1-6 및  1-2 to 1-6 and 비교준비예Example of comparison preparation 1-1 ~ 1-6 1-1 to 1-6

상기 준비예 1-1과 동일한 방법으로 폴리아마이드 수지 및 OTFT 기재용 폴리아마이드 필름을 제조하되, 하기 표 1의 조성비를 갖도록 MPD, PPD, 3,4'-ODA, 4,4'-ODA, TPC 및 IPC를 사용하여 폴리아마이드 수지 및 OTFT 기재용 폴리아마이드 필름을 제조하였다.A polyamide resin and a polyamide film for an OTFT substrate were prepared in the same manner as in Preparation Example 1-1 except that MPD, PPD, 3,4'-ODA, 4,4'-ODA, TPC And IPC were used to prepare a polyamide resin and a polyamide film for an OTFT substrate.

구분division 조성비
(중량비)
Composition ratio
(Weight ratio)
조성비
(당량비)
Composition ratio
(Equivalent ratio)
중합체의
파라 함량(%)
Polymer
Para content (%)
중량평균
분자량
Weight average
Molecular Weight
용해도Solubility
MPDMPD PPDPPD 3,4'
-ODA
3,4 '
-ODA
4,4'
-ODA
4,4 '
-ODA
합계Sum TPCTPC IPCIPC
준비예 1-1Preparation Example 1-1 44 44 -- 22 1010 1010 -- 80%80% 138,000138,000 준비예 1-2Preparation Example 1-2 22 66 22 -- 1010 -- 80%80% 121,000121,000 준비예 1-3Preparation Example 1-3 2.52.5 55 -- 2.52.5 1010 -- 87.5%87.5% 168,000168,000 준비예 1-4Preparation Example 1-4 3.53.5 4.54.5 0.50.5 1.51.5 1010 -- 80%80% 110,000110,000 준비예 1-5Preparation Example 1-5 -- 88 -- 22 66 44 80%80% 142,000142,000 준비예 1-6Preparation Example 1-6 -- 88 22 -- 88 22 80%80% 115,000115,000 준비예 1-7Preparation Example 1-7 44 66 -- -- 1010 -- 80%80% 207,000207,000 비교준비예
1-1
Example of comparison preparation
1-1
-- 1010 -- -- 1010 -- 100%100% ×× ××
비교준비예
1-2
Example of comparison preparation
1-2
1010 -- -- -- -- 1010 0%0% 199,000199,000
비교준비예
1-3
Example of comparison preparation
1-3
-- 66 -- 44 1010 -- 100%100% 231,000231,000
비교준비예
1-4
Example of comparison preparation
1-4
-- 66 44 -- 1010 -- 80%80% 220,000220,000
비교준비예
1-5
Example of comparison preparation
1-5
22 66 -- 22 1010 -- 90%90% 218,000218,000
○ : 용해성 좋음, △ : 용해성 보통, ×: 용해성 나쁨?: Good solubility,?: Solubility common, X: Solubility poor

준비예 1-1 ~ 1-7의 경우, 용해도가 우수했으나, 중합체의 파라함량이 100%인 비교준비예 1-1의 폴리아마이드 수지의 경우, 용해도가 매우 좋지 않았으며, PPD, 4,4'-ODA 및 TPC로 합성한 중합체의 파라함량이 100%인 폴리아마이드 수지의 경우, 다른 준비예 1-1 ~ 1-7 및 비교준비예 1-2, 비교준비예 1-4 ~ 1-5와 비교할 때, 용해성이 상대적으로 떨어지는 결과를 보였다.In the case of Preparation Examples 1-1 to 1-7, the solubility of the polyamide resin of Comparative Preparation Example 1-1, in which the solubility was excellent but the polymer had a para content of 100%, was not very good, and PPD, 4,4 In the case of the polyamide resin having a para content of 100% of the polymer synthesized by '-ODA and TPC, the other Preparation Examples 1-1 to 1-7 and Comparative Preparation Examples 1-2 and Comparative Preparation Examples 1-4 to 1-5 , The solubility was relatively low.

상기 표 1의 실험결과를 통해, 중합체에 메타 함량이 증가시키면 용해성이 증가하는 경향이 있음을 확인할 수 있었다.
From the results of the experiment shown in Table 1, it was confirmed that increasing the meta content in the polymer tends to increase the solubility.

실험예Experimental Example 2 :  2 : 폴리아마이드Polyamide 수지 및  Resin and 폴리아마이드Polyamide 필름의 물성측정실험 Measurement of physical properties of film

상기 준비예 1-1 ~ 1-7 및 비교준비예 1-1 ~ 1-5에서 제조한 폴리아마이드 수지의 용액점도를 측정하였으며, 또한, 폴리아마이드 필름의 열팽창지수, 유리전이온도, 열수축률 및 영모듈을 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The solution viscosity of the polyamide resin prepared in Preparation Examples 1-1 to 1-7 and Comparative Preparation Examples 1-1 to 1-5 was measured and the thermal expansion index, the glass transition temperature, the heat shrinkage rate, The results are shown in Table 2 below.

(1) 용액 점도 측정 방법  (1) Method of measuring solution viscosity

브룩필드(Brookfield) 점도계를 이용하여, 25℃에서 용액점도를 측정하였다.The solution viscosity was measured at 25 캜 using a Brookfield viscometer.

(2) 열팽창지수((2) Thermal Expansion Index ( CTECTE ) 측정 방법) How to measure

열 기계분석장치인 TMA(Thermal Mechanical Analysis)장치를 이용하고, 50°~ 200°범위에 있어서, MD(mechanism direction) 방향에 관해서 인장법에 의하여 구했다.(Mechanical direction) in the range of 50 ° to 200 ° using a thermal mechanical analysis (TMA) apparatus, which is a thermal mechanical analyzer, by tensile method.

(3) 유리전이온도((3) Glass transition temperature ( TgTg ) 측정 방법) How to measure

열 기계분석장치인 DMA(Dynamic Mechanical Analysis) 장치를 이용해, MD(mechanism direction) 방향에 관해서 인장법에 의하여 구했다.The direction of the mechanical direction (MD) was determined by a tensile method using a dynamic mechanical analysis (DMA) apparatus as a thermal mechanical analyzer.

(4) (4) 열수축률Heat shrinkage (%) 측정방법(%) How to measure

IPC TM6502.2.4A에 의거하여, 가로 세로 10 cm 잘라 초기 상태의 치수 (초기 치수) 와 150℃에서 1 시간 가열 처리한 후의 치수 (가열 후 치수)를 측정하고, 이들 측정치로부터 하기 수학식 1에 의해 열수축률을 산출하였다.According to IPC TM6502.2.4A, the dimensions (initial dimensions) in the initial state of cutting 10 cm in length and width and the dimensions (after heating) after heat treatment at 150 캜 for 1 hour were measured. From these measurements, The heat shrinkage rate was calculated.

[수학식 1][Equation 1]

열수축률 (%) = {(초기 치수-가열 후 치수)/초기 치수}×100Heat shrinkage percentage (%) = {(Initial dimension - Dimension after heating) / Initial dimension} × 100

(5) (5) 영률Young's modulus (( young'syoung's modulusmodulus ) 측정방법) How to measure

ASTM D882에 의거하여, 인스트론 타입의 인장 시험기를 이용하고, 5회의 측정 결과의 평균치를 본 발명에서의 영률로 한다.An aestron-type tensile tester is used in accordance with ASTM D882, and the average value of the five measurement results is set to the Young's modulus in the present invention.

구분division 조성비
(중량비)
Composition ratio
(Weight ratio)
조성비
(당량비)
Composition ratio
(Equivalent ratio)
용액
점도(cP)
solution
Viscosity (cP)
CTE
(ppm/℃)
CTE
(ppm / DEG C)
Tg
(℃)
Tg
(° C)

수축률
(%)
Ten
Shrinkage rate
(%)
영률
(Gpa)
Young's modulus
(Gpa)
MPDMPD PPDPPD 3,4'
-ODA
3,4 '
-ODA
4,4'
-ODA
4,4 '
-ODA
합계Sum TPCTPC IPCIPC
준비예 1-1Preparation Example 1-1 44 44 -- 22 1010 1010 -- 87,00087,000 1616 310310 0.200.20 6.56.5 준비예 1-2Preparation Example 1-2 22 66 22 -- 1010 -- 85,00085,000 1818 309309 0.210.21 6.36.3 준비예 1-3Preparation Example 1-3 2.52.5 55 -- 2.52.5 1010 -- 102,000102,000 1414 311311 0.200.20 6.66.6 준비예 1-4Preparation Example 1-4 33 55 1One 1One 1010 -- 90,00090,000 1818 307307 0.240.24 6.36.3 준비예 1-5Preparation Example 1-5 -- 88 -- 22 66 44 89,00089,000 1717 306306 0.270.27 6.46.4 준비예 1-6Preparation Example 1-6 -- 88 22 -- 88 22 79,00079,000 1919 307307 0.220.22 6.16.1 준비예 1-7Preparation Example 1-7 44 66 -- -- 1010 -- 217,000217,000 1515 322322 0.20.2 6.56.5 비교준비예
1-1
Example of comparison preparation
1-1
-- 1010 -- -- 1010 -- ×× 99 350350 0.10.1 7.07.0
비교준비예
1-2
Example of comparison preparation
1-2
1010 -- -- -- 1010 178,000178,000 4040 270270 0.50.5 5.05.0
비교준비예
1-3
Example of comparison preparation
1-3
-- 66 -- 44 1010 -- 298,000298,000 1111 320320 0.20.2 6.06.0
비교준비예
1-4
Example of comparison preparation
1-4
-- 66 44 -- 1010 -- 230,000230,000 1515 317317 0.20.2 6.36.3
비교준비예
1-5
Example of comparison preparation
1-5
22 66 -- 22 1010 -- 224,000224,000 1212 319319 0.20.2 6.16.1

상기 표 2의 실험결과를 살펴보면, 준비예 1-1 ~ 1-7의 경우, 12,000 cP(25℃) 이하의 용액 점도를 갖으면서도, 우수한 CTE, Tg, 열수축률 및 영률를 갖는 것을 확인할 수 있다. 그러나, 메타 함량이 거의 없는 비교준비예 1-1의 경우, 내열성이 매우 우수하나, 중합물이 겔화되어 용액점도를 측정할 수 없었으며, 열팽창지수가 너무 낮았다. 그리고, 파라 함량이 거의 없는 비교준비예 1-2의 경우, 열팽창지수(CTE)는 우수하나, 내열성이 매우 저조하였다. As a result of the test results of Table 2, it can be confirmed that Preparation Examples 1-1 to 1-7 have excellent CTE, Tg, heat shrinkage and Young's modulus while having a solution viscosity of 12,000 cP (25 ° C) or less. However, Comparative Preparation Example 1-1, which has almost no meta content, has excellent heat resistance, but the viscosity of the solution can not be measured due to gelation of the polymer, and the thermal expansion index is too low. In Comparative Preparation Example 1-2, in which the para content was almost zero, the CTE was excellent but the heat resistance was extremely poor.

또한, 페닐렌 디아민과 옥시디아닐린을 7:3 중량비를 벗어난 6:4 중량비로 사용한 비교준비예 1-3 및 비교준비예 1-4의 경우, 용액점도가 너무 높은 문제를 보였다. Also, in Comparative Preparation Example 1-3 and Comparative Preparation Examples 1-4, in which phenylene diamine and oxydianiline were used in a weight ratio of 6: 4 out of the 7: 3 weight ratio, the solution viscosity was too high.

그리고, MPD와 PPD를 1 : 3 중량비를 초과한 1 : 3.5 중량비를 사용한 비교예 5는 내열성 등의 전반적인 물성은 우수하였으나, 이 역시 너무 높은 용액점도를 보였다. Comparative Example 5 using MPD and PPD at a weight ratio of 1: 3 exceeding 1: 3 by weight had excellent overall physical properties such as heat resistance, but also had a too high solution viscosity.

상기 실험예를 통하여, 본 발명의 OTFT 기재용 폴리아마이드 필름에 사용되는 폴리아마이드 수지가 낮은 용액점도, 다시 말하면 45,000 ~ 12,000 cP(25℃) 정도의 적절한 용액점도를 갖는 바, 가공성, 용해성이 우수함을 확인할 수 있었다. 그리고, 본 발명의 OTFT 기재용 폴리아마이드 필름이 CTE, 열수축률 및 영률의 기계적 물성이 우수할 뿐만 아니라, 유리전이온도가 300℃ 이상, 바람직하게는 300℃ ~ 340℃로 매우 우수한 내열성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
Through the above experimental example, the polyamide resin used for the polyamide film for OTFT substrate of the present invention has a low solution viscosity, that is, an appropriate solution viscosity of about 45,000 to 12,000 cP (25 캜), and thus has excellent processability and solubility . The polyamide film for an OTFT base material of the present invention not only has excellent CTE, heat shrinkage and mechanical properties of Young's modulus, but also has excellent heat resistance at a glass transition temperature of 300 ° C or higher, preferably 300 ° C to 340 ° C I could confirm.

준비예Preparation Example 2-1 :  2-1: 폴리아마이드Polyamide 페이퍼의 제조 Manufacture of paper

고유점도 1.8의 메타폴리아마이드(폴리 메타 페닐렌이소프탈아미드) 도프(mA Dope)를 제조하였고, 피브릴 제조장치를 이용하여 여수도(Canadian Standard Freeness)가 150 ㎖인 메타폴리아마이드 피브리드(Fibrid)를 제조하였다. 제조된 피브리드는 습식 부직포 제조 공정성 향상 및 최종 제품인 분리막의 물리적 특성 향상을 위하여 리파이너(Double Disk Refiner)를 이용하여 0.8% 농도로 고해를 실시하여 피브리드의 여수도를 80 ㎖로 조정하였다.(Polyphenylene isophthalamide) dope (mA Dope) having an intrinsic viscosity of 1.8 was prepared, and a fibril production apparatus was used to prepare a metapolyamide fibrid (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) having a density of 150 ml of Canadian Standard Freeness Fibrid). The prepared fibrids were adjusted to a concentration of 0.8% using a double disk refiner to improve the processability of the wet nonwoven fabric and to improve the physical properties of the final product, thus adjusting the freeness of the fibrids to 80 ml.

한편, 동일 폴리머를 이용하여 2.0 데니어의 섬유를 생산한 후, 섬유장이 7 mm가 되도록 제단하여 플럭(Floc)을 제조하였으며, 이 플럭의 강도는 5.3g/de이고 신도는 35%였다.On the other hand, after 2.0 denier fibers were produced by using the same polymer, floc was prepared by cutting the fiber length to 7 mm. The strength of the flock was 5.3 g / de and elongation was 35%.

이후 물에 상기 피브리드와 플록을 6 : 4의 중량비로 혼합하고, 이를 물에 대하여 0.5중량%가 되도록 첨가하여 지료를 제조하였다.Thereafter, the fibrids and flocs were mixed in water at a weight ratio of 6: 4, and the resultant mixture was added in an amount of 0.5 wt% with respect to water to prepare a ground.

상기 지료를 도 2의 페이퍼 제조장치에 투입하여 습지필을 제조하였다. 이 후, 열풍 건조기에서 200℃에서 30초간 1차 열풍건조를 수행하였으며, 120℃에서 60초간 2차 건조 이후 지필을 실린더 건조기에서 300℃로 20초간 3차 건조를 수행하고 이를 냉각하여 메타 폴리아마이드 페이퍼(평균두께 60㎛)를 제조하였다.
The above-mentioned materials were put into the paper making apparatus of FIG. 2 to prepare wet paper pills. After that, primary hot air drying was performed at 200 ° C for 30 seconds in a hot air drier. Secondary drying at 120 ° C for 60 seconds was followed by tertiary drying at 300 ° C for 20 seconds in a cylinder dryer. Paper (average thickness 60 占 퐉).

준비예Preparation Example 2-2  2-2

열풍건조기의 온도가 235℃ 이고, 메타 폴리아마이드 페이퍼의 평균두께가 80㎛인 것을 제외하고는 준비예 2-1과 동일하게 실시하여 메타 폴리아마이드 페이퍼를 제조하였다.
A metallopolyamide paper was prepared in the same manner as in Preparation Example 2-1, except that the temperature of the hot-air dryer was 235 DEG C and the average thickness of the metallopolyamide paper was 80 mu m.

준비예Preparation Example 2-3 2-3

고유점도가 1.5의 메타폴리아마이드를 사용한 것을 제외하고는 준비예 2-1과 동일하게 실시하여 메타 폴리아마이드 페이퍼(평균두께 60㎛)를 제조하였다.
(Average thickness 60 占 퐉) was prepared in the same manner as in Preparation Example 2-1, except that a meta-polyamide having an intrinsic viscosity of 1.5 was used.

준비예Preparation Example 2-4 2-4

고유점도가 2.0의 메타 폴리아마이드를 사용하고, 메타 폴리아마이드 페이퍼의 평균두께가 80㎛인 것을 제외하고는 준비예 2-1과 동일하게 실시하여 메타폴리아마이드 페이퍼를 제조하였다.
Metapolyamide paper having an intrinsic viscosity of 2.0 was used and the same procedure as in Preparation Example 2-1 was carried out except that the average thickness of the methacrylamide paper was 80 占 퐉.

준비예Preparation Example 2-5 2-5

메타 폴리아마이드 페이퍼의 평균두께가 130㎛인 것을 제외하고는 준비예 2-1과 동일하게 실시하여 메타 폴리아마이드 페이퍼를 제조하였다.
A metallopolyamide paper was prepared in the same manner as in Preparation Example 2-1 except that the average thickness of the metallopolyamide paper was 130 탆.

비교준비예Example of comparison preparation 2-1 2-1

메타 폴리아마이드 페이퍼의 평균두께가 170㎛인 것을 제외하고는 준비예 2-1과 동일하게 실시하여 메타 폴리아마이드 페이퍼를 제조하였다.
A metallopolyamide paper was prepared in the same manner as in Preparation Example 2-1 except that the average thickness of the metallopolyamide paper was 170 탆.

비교준비예Example of comparison preparation 2-2 2-2

메타 폴리아마이드 페이퍼의 평균두께가 0.07㎛로 제조하고자 했으나, 페이퍼가 부서지고 가공하기 어려운 문제가 발생했다.
The average thickness of the methacrylamide paper was 0.07 mu m, but the paper broke and it was difficult to process.

실험예Experimental Example 3 :  3: 폴리아마이드Polyamide 페이퍼의 물성 측정 Physical property measurement of paper

상기 준비예 2-1 ~ 준비예 2-5및 비교준비예 2-1에서 제조한 폴리아마이드 페이퍼의 물성을 하기와 같이 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.The physical properties of the polyamide paper prepared in Preparation Examples 2-1 to 2-5 and Comparative Preparation Example 2-1 were measured as follows. The results are shown in Table 3 below.

(1) (One) 인장강도The tensile strength (N/(N / cmcm ) 및 ) And 신장율Elongation rate (%)(%)

인장강도와 신장율은 ASTM D-828에 의거하여 항온항습 조건에서 24시간 조습처리를 실시한 후 시료를 기계방향으로 재단하여 수평형 인장강도 측정기에서 MD(기계방향) 방향으로 하중을 가하였을 때 최대강도로 측정하였고, 신장율은 인장파단 시까지 시편이 늘어난 길이비로 측정하였다.The tensile strength and elongation were measured according to ASTM D-828 for 24 hours under constant temperature and humidity conditions, and then the specimens were cut in the machine direction and subjected to MD (machine direction) load in a horizontal tensile strength meter. And elongation was measured by the length ratio of the specimen until the tensile failure.

(2) (2) 인열강도Phosphorus strength (N)(N)

인열강도는 TAPPI T414에 의거하여 항온항습 조건에서 24시간 조습 처리를 실시한 후 시료를 폭방향으로 재단하여 엘멘도르프(Elmendorf) 인열강도 측정기에서 MD(기계방향) 인열강도를 측정하였다.The tear strength was measured according to TAPPI T414 for 24 hours under constant temperature and humidity conditions. The sample was cut in the width direction and the tear strength in MD (machine direction) was measured in an Elmendorf tear strength tester.

(3) 비인열강도((3) Intangible strength ( NmNm 22 // kgkg ))

비인열강도는 측정된 평량 및 인열강도 값을 이용하여 하기 수학식 1로 산출하였다.The non-inhaled strength was calculated by the following formula (1) using the measured basis weight and tear strength.

[수학식 1][Equation 1]

비인열강도(Nm2/kg) = 인열강도(N) × 1000 / 평량(g/㎡)Tensile strength (Nm 2 / kg) = Tear strength (N) x 1000 / gram (g / m 2)

(4) 흡수량(4) Absorption amount

흡수량은 TAPPI T441에 의거하여 면적 100 ㎠ 크기의 콥(Cobb) 테스트기에 항온항습 처리 후 칭량된 시료를 장착한 후 테스트기에 물 100ml을 붓고 60초 후에 흡수되지 않은 물을 버리고 합습지로 시료 표면의 물기를 제거한 후, 칭량을 실시하였고, 흡수량은 하기 수학식 2로 산출하였다.The amount of water absorption was measured by a Cobb tester having an area of 100 cm2 according to TAPPI T441. After the thermo-hygroscopic treatment, the weighed sample was loaded, and then 100 ml of water was poured into the tester. After 60 seconds, the unabsorbed water was discarded. After the water was removed, weighing was carried out and the amount of water absorption was calculated by the following equation (2).

[수학식 2]&Quot; (2) "

흡수량(g/㎡) = (최종 시편의 무게(g) - 항온항습처리된 시편의 무게(g))×100(G / m 2) = (weight of final sample (g) - weight (g) of sample subjected to constant temperature and humidity treatment) × 100

구분division 평량
(g/㎡)
Basis weight
(g / m 2)
두께
(㎛)
thickness
(탆)
겉보기
밀도
(g/㎠)
surface
density
(g / cm2)
MD 인장강도
(N/cm)
MD Tensile Strength
(N / cm)
MD 신장율
(%)
MD elongation
(%)
MD
인열강도
(N)
MD
Phosphorus strength
(N)
MD
비인열강도
(Nm2/kg)
MD
Non-invasive strength
(Nm 2 / kg)
흡수량
(g/㎡)
Absorption
(g / m 2)
준비예 2-1Preparation Example 2-1 41.341.3 6060 0.290.29 29.4529.45 6.796.79 1.081.08 26.226.2 13.513.5 준비예 2-2Preparation Example 2-2 41.641.6 8080 0.300.30 29.5929.59 7.267.26 1.071.07 25.825.8 13.513.5 준비예 2-3Preparation Example 2-3 41.441.4 6060 0.280.28 32.7232.72 7.367.36 1.151.15 27.827.8 13.713.7 준비예 2-4Preparation Example 2-4 42.042.0 8080 0.280.28 31.0331.03 7.147.14 1.131.13 26.926.9 14.114.1 준비예 2-5Preparation Example 2-5 41.841.8 130130 0.280.28 30.1230.12 6.926.92 1.081.08 25.825.8 13.013.0 비교준비예 2-1Comparative Preparation Example 2-1 42.042.0 170170 0.400.40 36.1236.12 7.627.62 1.331.33 28.828.8 16.016.0

준비예Preparation Example 3 -1: 제1평탄화 수지의 제조 3 -1: Preparation of first planarization resin

PEGDMA(Poly ethylene glycol dimethacrylate) 및 하기 화학식 1-1로 표시되는 POSS계 화합물(hybrid plastics사 제품)을 1 : 1중량비로 혼합한 혼합물 96중량%와 광개시제인 Darocur1173 (Ciba specialty chemicals 社)를 4 중량%를 혼합하고, 코팅 후 UV경화하여 무용제 타입의 제1평탄화 수지를 제조하였다. 96% by weight of a mixture of PEGDMA (poly ethylene glycol dimethacrylate) and a POSS compound (hybrid plastics) represented by the following formula 1-1 in a weight ratio of 1: 1 and 4% by weight of Darocur 1173 (Ciba specialty chemicals) % Were mixed, coated and UV-cured to prepare a solventless type first planarizing resin.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00022
Figure pat00022

상기 화학식 1에 있어서, E는

Figure pat00023
이고, R1은 -CH2-CH2-이고, R2는 메틸기이다.
In Formula 1, E is
Figure pat00023
, R 1 is -CH 2 -CH 2 -, and R 2 is a methyl group.

준비예Preparation Example 3 -2 3 -2

PEGDMA(Poly ethylene glycol dimethacrylate) 및 하기 화학식 1-2로 표시되는 POSS계 화합물을 1 : 0.1중량비로 혼합하여 혼합물 98 중량%와 광개시제인 Irgacure 250 (Ciba specialty chemicals 社)를 2 중량%를 혼합하고, 코팅 후 UV경화하여, 무용제 타입의 제1평탄화 수지를 제조하였다. 0.1 weight ratio of PEGDMA (poly ethylene glycol dimethacrylate) and POSS compound represented by the following formula 1-2 was mixed and 98 weight% of the mixture and 2 weight% of Irgacure 250 (Ciba specialty chemicals) as a photoinitiator were mixed, Followed by UV curing to prepare a solventless type first planarizing resin.

[화학식 1-2] [Formula 1-2]

Figure pat00024
Figure pat00024

상기 화학식 1에 있어서, E는

Figure pat00025
이고, R3는 -CH2-CH2-이고, R4는 ?H2-이다.
In Formula 1, E is
Figure pat00025
, R 3 is -CH 2 -CH 2 -, and R 4 is? H 2 -.

준비예Preparation Example 3-3 3-3

하기 화학식 4-1로 표시되는 화합물 및 화학식 4-2로 표시되는 화합물 0.8 : 0.2 몰비로 포함하는 공중합 형태의 폴리실라잔계 화합물(상품명:KION 1800)을 준비하였다.(Trade name: KION 1800) containing a compound represented by the following formula (4-1) and a compound represented by the formula (4-2) in a molar ratio of 0.8: 0.2 was prepared.

그리고, PEGDMA및 상기 폴리실라잔을 1 : 1중량비로 혼합하여 혼합물 96 중량%와 광개시제인 Darocur1173 (Ciba specialty chemicals 社)를 4 중량%를 혼합하고, 코팅 후 UV경화하여 무용제 타입의 제1평탄화 수지를 제조하였다. Then, PEGDMA and the polysilazane were mixed in a weight ratio of 1: 1, and 96% by weight of the mixture and 4% by weight of Darocur 1173 (Ciba specialty chemicals), a photoinitiator, were mixed and UV-cured after coating to form a non- .

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure pat00026
Figure pat00026

상기 화학식 4-1에 있어서, 상기 R1은 메틸기이며, R2는 수소원자이다.In Formula 4-1, R 1 is a methyl group, and R 2 is a hydrogen atom.

[화학식 4-2][Formula 4-2]

Figure pat00027
Figure pat00027

상기 화학식 4-2에 있어서, R1은 메틸기이다.
In Formula 4-2, R 1 is a methyl group.

준비예Preparation Example 3-4  3-4

PPGDA(Poly propylene glycol diacrylate) 및 상기 화학식 1-1의 POSS 계 화합물을 1 : 1 중량비로 혼합하여 혼합물 96 중량%와 광개시제인 Darocur1173 (Ciba specialty chemicals 社)를 4 중량%를 혼합하고, 코팅 후 UV경화하여, 무용제 타입의 평탄화 수지를 준비하였다.
The mixture of 96% by weight of the mixture and 4% by weight of Darocur 1173 (Ciba Specialty Chemicals) as a photoinitiator was mixed with PPGDA (Polypropylene glycol diacrylate) and the POSS compound of Formula 1-1 at a weight ratio of 1: And cured to prepare a solventless type planarizing resin.

비교준비예Example of comparison preparation 3-1  3-1

3작용성 산에스테르(Trifunctional Acid Ester, SARTOMER 사의 CD9051) 96 중량%와 광개시제인 Darocur1173 (Ciba specialty chemicals 社)를 4 중량%를 혼합하고, 코팅 후 UV경화하여, 무용제 타입의 평탄화 수지를 준비하였다.
96% by weight of a trifunctional acid ester (CD9051 from SARTOMER) and 4% by weight of a photoinitiator Darocur 1173 (Ciba Specialty Chemicals) were mixed, coated and UV-cured to prepare a solventless type of planarizing resin.

비교준비예Example of comparison preparation 3-2 3-2

상기 준비예 3-1의 화학식 1-1로 표시되는 POSS계 화합물 96 중량% 및 광개시제인 Darocur1173 (Ciba specialty chemicals 社)를 4 중량%를 혼합하고, 코팅 후 UV경화하여 제1평탄화 수지를 제조하였다.
96% by weight of the POSS compound represented by the formula 1-1 of Preparation Example 3-1 and 4% by weight of Darocur 1173 (Ciba Specialty Chemicals) as a photoinitiator were mixed, coated and UV cured to prepare a first planarization resin .

비교준비예Example of comparison preparation 3-3 3-3

상기 준비예 3-3의 폴리실라잔계 화합물(상품명:KION 1800) 96중량% 및 광개시제인 Darocur1173 (Ciba specialty chemicals 社)를 4 중량%를 혼합하고, 코팅 후 UV경화하여 제1평탄화 수지를 제조하였다.
96% by weight of the polysilazane-based compound (trade name: KION 1800) and 4% by weight of Darocur 1173 (Ciba Specialty Chemicals) as a photoinitiator were prepared, coated, and UV cured to prepare a first planarizing resin .

준비예Preparation Example 4 : 제2평탄화 수지의 제조 4: Preparation of second planarization resin

플루로카본용제(fluorocarbon solvent, CT-solv.180, asahi glass)와 하기 화학식 3-1로 표시되는 중합체를 1 : 0.5 부피비로 혼합하여, 제2평탄화 수지를 제조하였다.A second planarization resin was prepared by mixing a fluorocarbon solvent (CT-solv. 180, asahi glass) and a polymer represented by the following formula (3-1) in a volume ratio of 1: 0.5.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00028
Figure pat00028

상기 화학식 3-1에 있어서, R1 내지 R8은 모두 불소원자이다.
In the formula (3-1), R < 1 > R 8 is a fluorine atom.

실시예Example 1-1 :  1-1: 폴리아마이드Polyamide 필름을 기재로 한  Film-based 플렉서블Flexible OTFTOTFT 의 제조Manufacturing

상기 준비예 1-1에서 제조한 OTFT용 기재인 폴리아마이드 필름을 글라스의 상면에 고정시킨 후, 상기 폴리아마이드 필름의 일면에 열증착(thermal evaporation)법으로 진공 증착기를 이용하여, 도 1에 개략도로 도시한 형태의 게이트(30), 게이트 전극절연체(40), 활성체(70), 소스(50, source) 및 드레인(60, drain)을 증착시켜서, 플렉서블 유기박막트랜지스터(OTFT)를 제조하였다.A polyamide film as a substrate for an OTFT prepared in Preparation Example 1-1 was fixed on the upper surface of the glass, and then, on one side of the polyamide film, using a vacuum evaporator by thermal evaporation, A flexible organic thin film transistor (OTFT) was fabricated by depositing a gate 30, a gate electrode insulator 40, an activator 70, a source 50, a source and a drain 60 in the form shown in FIG. .

이때, 게이트(30, gate)는 Au를 사용하여 형성시켰으며, 1.0 ~ 1.5 Å/sec의 속도로 증착시켜서, 50㎚의 평균두께를 갖도록 하였다.At this time, the gate (gate) 30 was formed using Au and deposited at a rate of 1.0 to 1.5 A / sec to have an average thickness of 50 nm.

게이트 전극절연체(40, Gate insulator)는 SiO2로 0.5 Å/sec의 속도로 증착시켜서, 100㎚의 평균두께를 갖도록 하였다The gate insulator 40 was deposited with SiO 2 at a rate of 0.5 ANGSTROM / sec to have an average thickness of 100 nm

활성체(70)은 펜타선(Pentacene)으로 0.2~0.3 Å/sec의 속도로 증착시켜서, 50 ㎚의 평균두께를 갖도록 형성시켰다.The active material 70 was deposited with Pentacene at a rate of 0.2 to 0.3 Å / sec to have an average thickness of 50 nm.

그리고, 소스(50) 및 드레인(60)은 각각 Au로 1.0~1.5 Å/sec의 속도로 증착시켜서, 70 ㎚의 평균두께를 갖도록 형성시켰다.
The source 50 and the drain 60 were respectively formed by depositing Au at a rate of 1.0 to 1.5 A / sec to have an average thickness of 70 nm.

실시예Example 1-2 ~  1-2 ~ 실시예Example 1-6  1-6

상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 플렉서블 유기박막트랜지스터(OTFT)를 제조하되, 상기 준비예 1-1에서 제조한 폴리아마이드 필름 대신 준비예 1-2 ~ 준비예 1-6에서 제조한 폴리아마이드 필름 각각을 OTFT용 기재로 사용하여 유기박막트랜지스터를 제조하여, 실시예 1-2 ~ 실시예 1-6을 각각 실시하였다.
A flexible organic thin film transistor (OTFT) was produced in the same manner as in Example 1-1 except that the polyamide film prepared in Preparation Example 1-1 was replaced with the polyamide prepared in Preparation Examples 1-2 to 1-6 Each of the films was used as an OTFT substrate to prepare an organic thin film transistor, and Examples 1-2 to 1-6 were respectively performed.

실시예Example 1-7  1-7

상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 플렉서블 유기박막트랜지스터(OTFT)를 제조하되, 상기 폴리아마이드 필름의 일면에 준비예 1-7에서 제조한 제2평탄화 수지를 사용하여 평균두께 100㎚로 코팅시켜서, 폴리아마이드 필름의 기재(10)와 게이트(30) 사이에 평탄화층(20)이 형성된 플렉서블 OTFT를 제조하였다.
A flexible organic thin film transistor (OTFT) was produced in the same manner as in Example 1-1, except that the polyamide film was coated on one surface thereof with an average thickness of 100 nm using the second planarizing resin prepared in Preparation Example 1-7 , A flexible OTFT in which a planarization layer 20 was formed between the substrate 10 of the polyamide film and the gate 30 was manufactured.

비교예Comparative Example 1-1 1-1

상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 메타 폴리아마이드 필름 소재의 기재층 대신 평균두께 20㎛의 유리기판을 기재로 사용하고, 평탄화층을 형성시키지 않고서. 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was fabricated in the same manner as in Example 1-1 except that a glass substrate having an average thickness of 20 占 퐉 was used as a base material instead of a base material layer of a meta-polyamide film material and a planarizing layer was not formed. A flexible OTFT device was fabricated.

실시예Example 2-1 :  2-1: 폴리아마이드Polyamide 페이퍼를 기재로 한  Paper-based 플렉서블Flexible OTFTOTFT 의 제조(다층구조의 평탄화층)(A planarization layer of a multilayer structure)

상기 준비예 2-1에서 제조한 메타 폴리아마이드 페이퍼(평균두께 60㎛)를 글라스의 상면에 고정시켰다. 다음으로 준비예 2-1에서 제조한 제1평탄화 수지를 수지를 폴리아마이드 페이퍼 상단면에 스핀코팅시킨 후, UV경화시켜서, 평균두께 0.5㎛의 제1평탄화층(21)을 형성시켰다.The metapolyamide paper (average thickness 60 mu m) prepared in Preparation Example 2-1 was fixed on the upper surface of the glass. Next, the first planarizing resin prepared in Preparative Example 2-1 was spin-coated on the upper surface of the polyamide paper and then UV-cured to form a first planarizing layer 21 having an average thickness of 0.5 탆.

다음으로 상기 제1평탄화층(21)의 상단면에 준비예 3에서 제조한 제2평탄화 수지를 2,000 rpm/60sec의 조건으로 스핀코팅시켜서 평균두께 360 ㎚의 제2평탄화층(22)을 형성시켰다.Next, the second planarizing resin prepared in Preparation Example 3 was spin-coated on the upper surface of the first planarization layer 21 under the condition of 2,000 rpm / 60 sec to form a second planarization layer 22 having an average thickness of 360 nm .

다음으로, 상기 제2평탄화층(22)의 일면에 열증착(thermal evaporation)법으로 진공 증착기를 이용하여, 도 2에 개략도로 도시한 형태의 게이트(30), 유전체(40), 활성체(70), 소스(50, source) 및 드레인(60, drain)을 증착시켜서, 플렉서블 유기박막트랜지스터(OTFT)를 제조하였다.Next, a gate 30, a dielectric 40, and an active material (not shown) are formed on one surface of the second planarization layer 22 by thermal evaporation using a vacuum evaporator, 70, a source 50, and a drain 60 were deposited to fabricate a flexible organic thin film transistor (OTFT).

이때, 게이트(30, gate)는 Au를 사용하여 형성시켰으며, 1.0 ~ 1.5 Å/sec의 속도로 증착시켜서, 50㎚의 평균두께를 갖도록 하였다.At this time, the gate (gate) 30 was formed using Au and deposited at a rate of 1.0 to 1.5 A / sec to have an average thickness of 50 nm.

유전체(40, Dielectric)는 SiO2로 0.5 Å/sec의 속도로 증착시켜서, 300㎚의 평균두께를 갖도록 하였다Dielectric (40) was deposited with SiO 2 at a rate of 0.5 A / sec to have an average thickness of 300 nm

활성체(70)은 펜타센(Pentacene)으로 0.2~0.3 Å/sec 의 속도로 증착시켜서, 50 ㎚의 평균두께를 갖도록 형성시켰다.The active material 70 was deposited with pentacene at a rate of 0.2 to 0.3 Å / sec to have an average thickness of 50 nm.

그리고, 소스(50) 및 드레인(60)은 각각 Au로 1.0~1.5 Å/sec의 속도로 증착시켜서, 70 ㎚의 평균두께를 갖도록 형성시켰다.
The source 50 and the drain 60 were respectively formed by depositing Au at a rate of 1.0 to 1.5 A / sec to have an average thickness of 70 nm.

실시예Example 2-2  2-2

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 제1평탄화층 형성시, 상기 준비예 3-1의 제1평탄화 수지(화학식 1-1의 POSS 평탄화 수지) 대신 상기 준비예 3-2에서 제조한 제1평탄화 수지(화힉식 1-2의 POSS평탄화 수지)를 사용하여 제1평탄화층을 형성시켜서, 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was fabricated in the same manner as in Example 2-1 except that, in forming the first planarization layer, the first planarization resin of Preparation Example 3-1 (POSS planarization resin of Formula 1-1) A first flattening layer was formed using the first flattening resin (POSS flattening resin of Higgs type 1-2) prepared in Example 2 to prepare a flexible OTFT device.

실시예Example 2-3  2-3

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 제1평탄화층 형성시, 상기 준비예 3-1의 제1평탄화 수지(화학식 1-1의 POSS계 평탄화 수지) 대신 상기 준비예 3-3에서 제조한 제1평탄화 수지(폴리실라잔계 평탄화 수지)를 사용하여 제1평탄화층을 형성시켜서, 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was fabricated in the same manner as in Example 2-1 except that, in forming the first flattening layer, the first flattening resin (POSS-based flattening resin of Formula 1-1) A first planarization layer was formed using the first planarization resin (polysilazane-based planarization resin) prepared in 3-3 to fabricate a flexible OTFT device.

실시예Example 2-4 ~  2-4 ~ 실시예Example 2-7 2-7

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 기재층 소재로서, 준비예 2-1의 메타 폴리아마이드 페이퍼가 아닌 준비예 2-2 ~ 준비예 2-5의 메타 폴리아마이드 페이퍼를 사용하여 플렉서블 OTFT 소자를 각각 제조하여, 실시예 2-4 ~ 실시예 2-7을 실시하였다.
A flexible OTFT device was produced in the same manner as in Example 2-1 except that the material of the substrate layer was a mixture of the metapolyamide paper of Preparative Examples 2-2 to 2-5, which is not a metapolyamide paper of Preparation Example 2-1 Were used to fabricate flexible OTFT devices, and Examples 2-4 to 2-7 were performed.

실시예Example 2-8  2-8

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 상기 준비예 3-1 대신 준비예 3-4의 평탄화 수지를 폴리아마이드 페이퍼 상단면에 코팅시킨 후, UV경화시켜서, 평균두께 0.54㎛의 단층의 평탄화층을 형성시켰다. In the same manner as in Example 2-1, A flexible OTFT device was prepared in the same manner as in Preparation Example 3-1 except that the planarizing resin of Preparative Example 3-4 was coated on the upper surface of the polyamide paper and then UV-cured to form a single-layer flattening layer having an average thickness of 0.54 탆.

그리고, 상기 평탄화층의 상단면에 실시예 2-1과 동일한 방법으로 게이트(30), 유전체(40), 활성체(70), 소스(50, source) 및 드레인(60, drain)을 증착시켜서, 플렉서블 유기박막트랜지스터(OTFT)를 제조하였다.
A gate 30, a dielectric 40, an active material 70, a source 50, and a drain 60 are deposited on the top surface of the planarization layer in the same manner as in Example 2-1 , And flexible organic thin film transistor (OTFT).

비교예Comparative Example 2-1 2-1

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 메타 폴리아마이드 페이퍼 소재의 기재층 대신 유리기판을 기재로 사용하고, 평탄화층을 형성시키지 않고서 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was fabricated in the same manner as in Example 2-1 except that a glass substrate was used as a substrate in place of the base layer of the meta-polyamide paper substrate, and a flexible OTFT device was fabricated without forming a planarization layer.

비교예Comparative Example 2-2  2-2

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 기재층 소재로서, 준비예 2-1의 메타 폴리아마이드 페이퍼가 아닌 비교준비예 2-1의 메타 폴리아마이드 페이퍼를 사용하여 플렉서블 OTFT 소자를 각각 제조하여, 비교예 2-2를 실시하였다.
A flexible OTFT device was manufactured in the same manner as in Example 2-1 except that the material of the substrate layer was a flexible OTFT using Metapolyamide paper of Comparative Preparation Example 2-1 instead of the metapolyamide paper of Preparation Example 2-1. And Comparative Example 2-2 were carried out.

비교예Comparative Example 2-3  2-3

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 제1평탄층 소재로서, 비교준비예 3-2에서 제조한 제1평탄화 수지를 사용하여 제1평탄화층을 형성시켜서 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was fabricated in the same manner as in Example 2-1 except that a first planarizing layer was formed using the first planarizing resin prepared in Comparative Preparation Example 3-2 as a first flat layer material, .

비교예Comparative Example 2-4  2-4

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 제1평탄층 소재로서, 비교준비예 3-3에서 제조한 제1평탄화 수지를 사용하여 제1평탄화층을 형성시켜서 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was fabricated in the same manner as in Example 2-1 except that a first planarizing layer was formed using the first planarizing resin prepared in Comparative Preparation Example 3-3 as a first flat layer material, .

비교예Comparative Example 2-5  2-5

상기 실시예 2-8과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 평탄층 소재로서 상기 화학식 1-1의 POSS계 화합물과 비교준비예 3-1에서 제조한 3작용성 산에스테르 소재를 1:1중량비로 혼합한 평탄화 수지를 사용하여 평균두께 0.55㎛의 단층구조의 평탄화층을 형성시켜서 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was produced in the same manner as in Example 2-8 except that the POSS compound of Formula 1-1 and the trifunctional acid ester material of Comparative Preparation Example 3-1 were mixed at a ratio of 1: A flattening layer having a single-layer structure having an average thickness of 0.55 mu m was formed using a planarizing resin mixed in a weight ratio to prepare a flexible OTFT device.

비교예Comparative Example 2-6 2-6

상기 실시예 2-8과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 기재층 소재로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(제조사 Toray chemical 社)를 사용하여, 평균두께 60 ㎛의 기재층 제조한 후, 상기 기재층에 상단면에 제1평탄화층, 제2평탄화층, 게이트, 유전체, 활성체, 소스 및 드레인을 형성시켜서 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was produced in the same manner as in Example 2-8, except that a base layer having an average thickness of 60 mu m was produced using a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Chemical Co., Ltd.) as a base layer material, A second planarization layer, a gate, a dielectric, an active material, a source, and a drain were formed on the top surface of the substrate, thereby fabricating a flexible OTFT device.

비교예Comparative Example 2-7 2-7

상기 실시예 2-8과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 기재층 소재로서, 폴리우레탄 필름 및 PET직물(Toray chemical社)이 적층된 소재를 사용하여, 평균두께 60㎛의 기재층 제조한 후, 상기 기재층에 상단면에 제1평탄화층, 제2평탄화층, 게이트, 유전체, 활성체, 소스 및 드레인을 형성시켜서 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was manufactured in the same manner as in Example 2-8, except that a substrate layer having an average thickness of 60 占 퐉 was produced by using a material in which a polyurethane film and a PET fabric (Toray chemical) were laminated as a base layer material Then, a flexible flattening layer, a second flattening layer, a gate, a dielectric, an activator, a source and a drain were formed on the upper surface of the substrate layer to prepare a flexible OTFT device.

비교예Comparative Example 2-8 2-8

상기 실시예 2-8과 동일한 방법으로 플렉서블 OTFT 소자를 제조하되, 기재층 소재로서, 폴리아마이드 직물(Toray chemical社, ARAWIN)를 사용하여, 평균두께 60㎛의 기재층 제조한 후, 상기 기재층에 상단면에 제1평탄화층, 제2평탄화층, 게이트, 유전체, 활성체, 소스 및 드레인을 형성시켜서 플렉서블 OTFT 소자를 제조하였다.
A flexible OTFT device was produced in the same manner as in Example 2-8, except that a base layer having an average thickness of 60 μm was produced using polyamide fabric (Toray chemical, ARAWIN) as a base layer material, A second planarization layer, a gate, a dielectric, an active material, a source, and a drain were formed on the top surface of the substrate, thereby fabricating a flexible OTFT device.

실험예Experimental Example 4 :  4 : 플렉서블Flexible OTFTOTFT of 평탄화층Planarization layer 표면 거칠기 측정 실험 Surface roughness measurement experiment

평탄화층의 표면 거칠기는 OTFT의 전기적 특성에 영향을 주기 때문에, 표면 거칠기가 낮을수록 OTFT의 전기적, 전자적 특성에 악영향을 주지 않는다.Since the surface roughness of the planarization layer affects the electrical characteristics of the OTFT, the lower the surface roughness, the less the electrical and electronic properties of the OTFT are adversely affected.

기재가 폴리아마이드 필름인 경우인 실시예 1-1 ~ 1-7의 표면 거칠기 측정 실험결과를 하기 표 4에 나타내었고, 기재가 폴리아마이드 페이퍼인 경우인 실시예 2-1 ~ 2-8 및 비교예 2-1 ~ 2-8의 표면 거칠기 측정 실험결과를 하기 표 5에 나타내었다.The results of measurement of surface roughness of Examples 1-1 to 1-7 in which the substrate is a polyamide film are shown in Table 4, Examples 2-1 to 2-8 in which the substrate is a polyamide paper, The results of the surface roughness measurement of Examples 2-1 to 2-8 are shown in Table 5 below.

또한, 상기 실시예 2-1 ~ 2-2 및 비교예 2-3 ~ 2-4에서 제조한 플렉서블 OTFT 소자의 평탄화구조체의 표면 거칠기에 대한 AFM(Atomic Force Microscope)측정 결과를 도 3(비교예 2-3), 도 4(실시예 2-1). 도 5(비교예 2-4) 및 도 6(실시예 2-2)에 각각 나타내었다.AFM (Atomic Force Microscope) measurement results of the surface roughness of the planarizing structure of the flexible OTFT device manufactured in Examples 2-1 to 2-2 and Comparative Examples 2-3 to 2-4 are shown in Fig. 3 2-3) and Fig. 4 (Example 2-1). 5 (Comparative Example 2-4) and Fig. 6 (Example 2-2).

이때, RMS 표면 거칠기는 AFM(Park Systems, XE-100)기기를 이용하였으며, 사용한 팁(tip)은 320 kHz, 42 N/m였고, 측정된 이미지는 Gwyddion 프로그램을 이용하여 영상처리하였다.The RMS surface roughness was measured using an AFM (Park Systems, XE-100) instrument. The tip was 320 kHz and 42 N / m, and the measured images were imaged using the Gwyddion program.

비교예 2-3의 평탄화층(도 3)과 비교예 2-4의 평탄화층(도 5)의 경우, 각각 94㎚ 및 102㎚의 표면 거칠기를 보였다.In the case of the planarization layer of Comparative Example 2-3 (Fig. 3) and the planarization layer of Comparative Example 2-4 (Fig. 5), surface roughnesses of 94 nm and 102 nm were respectively shown.

이에 반해, POSS계 제1평탄화 수지층만을 형성한 비교예 2-3 및 폴리실라잔계 제1평탄화 수지층만을 형성시킨 비교예 2-4와 달리, 제2평탄화층을 형성시킨 실시예 2-1(도 4)및 실시예 2-2(도 6)의 경우, 표면 거칠기가 각각 7.2㎚ 및 4.3 ㎚를 보였고, 이를 통하여, 제2평탄화 수지층을 형성시킴으로서, 표면 거칠기가 매우 크게 개선된 것을 확인할 수 있었으며, 특정 물질로 제2평탄화 수지층을 형성시킴으로서, 페이퍼 소재의 기재를 도입함으로 인해 발생할 수 있는 전기적 영향을 최소화시킬 수 있음을 확인하였다.On the other hand, unlike Comparative Example 2-3 in which only the POSS-based first planarization resin layer was formed and Comparative Example 2-4 in which only the polysilazane-based first planarization resin layer was formed, Example 2-1 (FIG. 4) and Example 2-2 (FIG. 6), the surface roughness was 7.2 nm and 4.3 nm, respectively, and the surface roughness was remarkably improved by forming the second planarization resin layer And it was confirmed that by forming the second planarization resin layer with a specific material, it is possible to minimize the electric influence that may be caused by introducing the base material of the paper material.

구분division Rq,
RMS 표면 거칠기
(nm)
Rq,
RMS surface roughness
(nm)
기재 두께
(㎛)
Base thickness
(탆)
구분division Rq,
RMS 표면 거칠기
(nm)
Rq,
RMS surface roughness
(nm)
기재 두께
(㎛)
Base thickness
(탆)
실시예 1-1Example 1-1 6.216.21 2020 실시예 1-5Examples 1-5 5.125.12 2020 실시예 1-2Examples 1-2 4.324.32 2020 실시예 1-6Examples 1-6 4.874.87 2020 실시예 1-3Example 1-3 5.775.77 2020 실시예 1-7Examples 1-7 3.513.51 0.10.1 실시예 1-4Examples 1-4 5.135.13 2020 비교예 1-1Comparative Example 1-1 15.315.3 2020

상기 표 4의 측정 결과를 살펴보면, 실시예 1-1 ~ 1-6의 경우, 전반적으로 표면 거칠기가 4.0 ~ 7.0 nm로 우수한 결과를 보였으며, 이는 유리기판을 사용한 비교예 2-1보다 낮은 표면 거칠기를 갖는 것이다. 그리고, 화학식 3으로 표시되는 화합물로 평탄화층을 더 형성시켰던 실시예 1-7의 경우, 실시예 1-1 ~ 1-6과 비교할 때, 상대적으로 더 낮은 표면 거칠기 결과를 보였다.As a result of the measurement of the results shown in Table 4, the results of Examples 1-1 to 1-6 showed excellent overall surface roughness of 4.0 to 7.0 nm, which is lower than Comparative Example 2-1 using a glass substrate Roughness. In the case of Examples 1-7 in which a planarization layer was further formed with the compound represented by Formula 3, the surface roughness was relatively lower as compared with Examples 1-1 to 1-6.

구분division Rq,
RMS 표면 거칠기
(nm)
Rq,
RMS surface roughness
(nm)
기재 두께
(㎛)
Base thickness
(탆)
구분division Rq,
RMS 표면 거칠기
(nm)
Rq,
RMS surface roughness
(nm)
기재 두께
(㎛)
Base thickness
(탆)
실시예 2-1Example 2-1 0.640.64 6060 비교예 2-1Comparative Example 2-1 0.500.50 6060 실시예 2-2Example 2-2 0.730.73 6060 비교예 2-2Comparative Example 2-2 3.243.24 170 170 실시예 2-3Example 2-3 0.580.58 6060 비교예 2-3Comparative Example 2-3 8.38.3 6060 실시예 2-4Examples 2-4 0.820.82 8080 비교예 2-4Comparative Example 2-4 6.296.29 6060 실시예 2-5Example 2-5 0.760.76 6060 비교예 2-5Comparative Example 2-5 11.411.4 6060 실시예 2-6Examples 2-6 0.940.94 8080 비교예 2-6Comparative Example 2-6 0.720.72 6060 실시예 2-7Examples 2-7 1.051.05 130130 비교예 2-7Comparative Example 2-7 9797 6060 실시예 2-8Examples 2-8 1.571.57 6060 비교예 2-8Comparative Example 2-8 152152 6060

상기 표 5의 실험결과를 살펴보면, 실시예 2-1 ~ 2-8의 경우, RMS 표면 거칠기가 0.58 nm ~ 1.57 nm로 매우 작은 값을 갖는 것을 확인할 수 있었으며, 반면에, 비교예 2-2 ~ 비교예 2-5 및 비교예 2-7 ~ 비교예 2-8의 경우 매우 높은 표면거칠기 값을 갖는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 5, in Examples 2-1 to 2-8, it was confirmed that the RMS surface roughness was very small, ranging from 0.58 nm to 1.57 nm. On the other hand, It was confirmed that Comparative Example 2-5 and Comparative Examples 2-7 to 2-8 had very high surface roughness values.

특히, 실시예 2-1 ~ 실시예 2-3의 경우, 표면 거칠기가 각각 0.64 nm, 0.73 nm 및 0.58 nm를 보였는데, 이는 유리기판인 비교예 2-1(0.50)과 거의 유사한 표면 거칠기를 갖는 것을 확인할 수 있었으며, 또한, 필름소재인 PET 필름 소재의 비교예 2-6 와 비교할 때도 표면거칠기 유사하거나, 더 낮은 값을 보였다.Particularly, in Examples 2-1 to 2-3, the surface roughnesses were 0.64 nm, 0.73 nm, and 0.58 nm, respectively, which were similar to those of Comparative Example 2-1 (0.50) And the surface roughness was similar or lower than that of Comparative Example 2-6 of the PET film material of the film material.

이를 통하여, 표면거칠기가 높은 페이퍼 소재의 기재를 사용함에도 불구하고, 특정 소재로 평탄화층을 형성시킴으로서, 표면 거칠기가 매우 크게 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있었으며, 또한, 특정 물질로 제2평탄화 수지층을 형성시킴으로서, OTFT 소자의 기재층 및 평탄화층에 의해 발생할 수 있는 전기적 영향을 최소화시킬 수 있음을 확인하였다.
Through this, it was confirmed that the surface roughness can be greatly improved by forming a planarization layer with a specific material, even though a base material having a high surface roughness is used. In addition, It is possible to minimize the electrical influence that may be caused by the base layer and the planarization layer of the OTFT device.

실험예Experimental Example 5 :  5: 플렉서블Flexible OTFTOTFT 의 전기적 특성 평가 실험Electrical Characteristic Evaluation Experiment

상기 실시예 1-1 ~ 1-7, 실시예 2-1 ~ 2-8 및 비교예 1-1 ~ 1-7에서 제조한 OTFT 소자 각각의 전기적 특성인 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비, 전자이동도(Mobility, ㎠/(V·s)) 및 게이트 전압(gate voltage)의 임계전압(Threshold Voltage, Vth)을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 6 및 표 7에 나타내었다.The transfer curves (Transfer curve, I on / I) of the OTFT devices manufactured in Examples 1-1 to 1-7, Examples 2-1 to 2-8, and Comparative Examples 1-1 to 1-7, off) ratio, electron mobility (mobility, ㎠ / (V · s)) and was measured threshold voltage (threshold voltage, V th) of the gate voltage (gate voltage), and the results in Table 6 and shown in Table 7 .

또한, 실시예 2-1, 실시예2-3 및 비교예 2-1의 측정 결과를 도 7에 나타내었고, 실시예 2-8과 비교예 2-5의 측정 그래프를 도 8에 나타내었다.The measurement results of Example 2-1, Example 2-3, and Comparative Example 2-1 are shown in Fig. 7, and measurement graphs of Example 2-8 and Comparative Example 2-5 are shown in Fig.

그리고, 실시예 1-7 및 비교예 2-1의 측정 결과를 도 9에 나타내었다.The measurement results of Example 1-7 and Comparative Example 2-1 are shown in Fig.

도 7 ~ 도 9에서 IDS는 하기 수학식 1에 의거하여 측정한 것이다.7 to 9, I DS is measured based on the following equation (1).

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00029
Figure pat00029

상기 수학식 1에서, W는 게이트 폭이고, L은 채널길이이며, CI는 게이트 캐패시턴스, μ는 전자이동도이며, VT(Vth)는 문턱전압이다. In the above Equation 1, W is the gate width, L is the channel length, C I is the gate capacitance, μ is the electron mobility, and V T (V th ) is the threshold voltage.

OTFT 소자의 전기적 특성은 VDS(voltage of drain and source)를 고정시키고, VGS(gate voltage)에 대한 IDS의 변화를 나타내는 전달특성(Transfer Characteristics, 게이트 전압의 영향이 전계의 형태로 채널에 전달되므로 전달특성이 라고 함.)과 출력전압 VDS에 대한 IDS의 변화를 각 VGS에 대해서 나타내는 출력특성(Output Characteristics, 일반적으로 소스와 드레인을 출력단으로 사용하므로 출력특성이라고 함.)을 측정하여 평가한 것이다. Electrical characteristics of the OTFT device is holding the V DS (voltage of drain and source), V GS to a transfer characteristic (Transfer Characteristics, the form of the effect of the gate voltage of the electric field channel that represents a variation of I DS for the (gate voltage) (Referred to as the output characteristic), and the output characteristics (referred to as output characteristics in general, where the source and the drain are used as the output stages), which represent the change in I DS for the output voltage V DS with respect to each V GS .

그리고, 실시예 1-1의 전압에 따른 전류의 포화도 측정 결과를 도 10에 나타내었다.FIG. 10 shows the result of measuring the degree of saturation of the current according to the voltage of Example 1-1.

구분division 전자이동도Electron mobility
[㎠/([Cm 2 / ( V·sV · s )])]
임계전압Threshold voltage
(( VV thth ))
전달곡선Transfer curve
(( II onon // II offoff ))
실시예Example 1-1 1-1 2.16×10-4 2.16 x 10 -4 -9.0-9.0 7.50×10-3 7.50 x 10 -3 실시예Example 1-2 1-2 2.54×10-4 2.54 x 10 -4 -10.0-10.0 5.51×10-3 5.51 × 10 -3 실시예Example 1-3 1-3 7.54×10-4 7.54 × 10 -4 -11.0-11.0 7.24×10-4 7.24 x 10 -4 실시예Example 1-4 1-4 3.99×10-4 3.99 × 10 -4 -10.0-10.0 5.07×10-4 5.07 x 10 -4 실시예Example 1-5 1-5 8.54×10-3 8.54 × 10 -3 -8.0-8.0 6.83×10-4 6.83 × 10 -4 실시예Example 1-6 1-6 2.58×10-4 2.58 x 10 -4 -9.0-9.0 2.52×10-4 2.52 x 10 -4 실시예Example 1-7 1-7 7.71×10-3 7.71 × 10 -3 -7.67-7.67 2.54×10-3 2.54 x 10 -3 비교예Comparative Example 1-1 1-1 8.67×10-3 8.67 × 10 -3 -6.02-6.02 8.02×10-2 8.02 x 10 -2

실시예 1-1~ 실시예 1-7의 경우, 2×10-4 이상의, 바람직하게는 2.16×10-4 ~ 8.54×10-3 ㎠/(V·s)의 우수한 전자이동도를 보였고, -12V 이상의 임계전압, 바람직하게는 -11V ~ -7.67V의 높은 임계전압을 보였으며, 이는 유기기판을 기재로 사용한 비교예 1-1과 거의 유사한 수치였다. 또한, 전달곡선 값도 2.50×10-4 이상, 바람직하게는 2.52×10-4 ~ 7.50×10-3으로 비교예 2-1과 비교할 때, 다소 미흡하지만 우수한 결과를 보였다.In Examples 1-1 to 1-7, excellent electron mobility of 2 × 10 -4 or more, preferably 2.16 × 10 -4 to 8.54 × 10 -3 cm 2 / (V · s) was exhibited, A threshold voltage of -12 V or higher, preferably a high threshold voltage of -11 V to -7.67 V, which was almost similar to that of Comparative Example 1-1 using an organic substrate as a substrate. In addition, the transfer curve value was 2.50 x 10 < -4 > or more, preferably 2.52 x 10 < -4 > to 7.50 x 10 < -3 >

그리고, 도 10에 나타낸 실시예 1-1의 OTFT 소자의 전압에 따른 전류의 포화도 측정 결과를 살펴보면, 그래프 곡선이 매우 매끄럽게 나타났는데, 이는 OTFT 소자의 출력특성이 균등하면서도 우수한 출력을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
The graph of the saturation degree of the current according to the voltage of the OTFT device of Example 1-1 shown in FIG. 10 shows that the graph curve is very smooth. This shows that the output characteristic of the OTFT device is uniform and excellent there was.

구분division 전자이동도Electron mobility
[㎠/(V·s)][Cm 2 / (V · s)]
임계전압Threshold voltage
(( VV thth ))
전달곡선Transfer curve
(( II onon // II offoff ))
실시예Example 2-1 2-1 2.18×10-2 2.18 x 10 -2 -7.01-7.01 1.38×103 1.38 x 10 3 실시예Example 2-2 2-2 2.07×10-4 2.07 x 10 -4 -8.02-8.02 1.12×103 1.12 x 10 3 실시예Example 2-3 2-3 2.65×10-3 2.65 x 10 -3 -10.83-10.83 5.81×103 5.81 × 10 3 실시예Example 2-4 2-4 2.52×10-4 2.52 x 10 -4 -12.47-12.47 1.30×103 1.30 x 10 3 실시예Example 2-5 2-5 2.48×10-4 2.48 × 10 -4 -12.88-12.88 1.43×103 1.43 x 10 3 실시예Example 2-6 2-6 2.18×10-4 2.18 x 10 -4 -12.49-12.49 1.38×103 1.38 x 10 3 실시예Example 2-7 2-7 2.54×10-4 2.54 x 10 -4 -11.02-11.02 1.45×103 1.45 x 10 3 실시예Example 2-8 2-8 1.46×10-4 1.46 x 10 -4 -12.14-12.14 1.38×103 1.38 x 10 3 비교예Comparative Example 2-1 2-1 8.41×10-4 8.41 x 10 -4 -22.08-22.08 6.08×103 6.08 × 10 3 비교예Comparative Example 2-2 2-2 2.05×10-4 2.05 × 10 -4 -12.36-12.36 1.10×103 1.10 x 10 3 비교예Comparative Example 2-3 2-3 -- -- -- 비교예Comparative Example 2-4 2-4 -- -- -- 비교예Comparative Example 2-5 2-5 1.94×10-3 1.94 × 10 -3 -14.35-14.35 5.81×103 5.81 × 10 3 비교예Comparative Example 2-6 2-6 2.16×10-4 2.16 x 10 -4 -12.12-12.12 1.18×103 1.18 x 10 3 비교예Comparative Example 2-7  2-7 2.01×10-4 2.01 × 10 -4 -10.78-10.78 1.18×103 1.18 x 10 3

상기 표 7의 측정결과를 살펴보면, 실시예 2-1 ~ 실시예 2-8의 경우, 전자이동도가 2.0×10-4 ㎠/(V·s) 이상, 바람직하게는 2.18×10-4 ~ 2.18×10-2 ㎠/(V·s)의 높은 전자이동도를 갖는 것을 확인할 수 있었고, 임계전압이 -13V 이상, 바람직하게는 -7.01V ~ -12.88V을 갖는 것을 확인할 수 있었으며, 또한, Ion/Ioff비가 1.0×103 이상, 바람직하게는 1.12×103 ~ 5.81×103의 높은 결과를 보였다.In the case of Examples 2-1 to 2-8, when the electron mobility is 2.0 × 10 -4 cm 2 / (V · s) or more, preferably, It was confirmed that the electron mobility of 2.18 × 10 -4 to 2.18 × 10 -2 cm 2 / (V · s) was high and that the threshold voltage was -13 V or more, preferably -7.01 V to -12.88 V And the I on / I off ratio was 1.0 × 10 3 or more, preferably 1.12 × 10 3 to 5.81 × 10 3 .

제1평탄화층을 화학식 1-1로 표시되는 POSS계 화합물로만 형성시켰던 비교예 2-3 및 제1평탄화층을 폴리실라잔계 화합물로만 형성시켰던 비교예 2-4의 경우, 쇼트가 발생하여 측정이 불가능하였다.In Comparative Example 2-3 in which the first flattening layer was formed only from the POSS compound represented by Formula 1-1 and Comparative Example 2-4 in which the first flattening layer was formed only from the polysilazane based compound, It was impossible.

또한, 비교예 2-1 및 비교예 2-5의 경우, 실시와 비교할 때, 상대적으로 낮은 임계전압을 갖았다.In addition, in Comparative Example 2-1 and Comparative Example 2-5, the threshold voltage was relatively low as compared with the implementation.

이 외에 비교예 2-2, 비교예 2-6 ~ 비교예 2-7 또한, 실시예 2-1 ~ 2-2와 비교할 때, 상대적으로 낮은 전기적 특성을 보였다.
In addition, Comparative Example 2-2, Comparative Examples 2-6 to 2-7, and Comparative Examples 2-1 to 2-2 exhibited relatively low electrical characteristics.

상기 실시예 및 실험예를 통하여, 본 발명의 플렉서블 OTFT 소자는 폴리아마이드 페이퍼 소재의 기재를 사용하는 바, 유연성을 확보하여 플렉서블 OTFT 기반의 웨어러블(wearable) 및/또는 롤러블(rollable) 디스플레이와 같은 전자기기, 웨어러블 조명기기 등을 제공할 수 있으며, 특정 소재를 평탄화층으로 도입하여, 폴리아마이드 페이퍼 소재의 기재의 도입으로 인한 전기적, 광학적 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 전기적, 광학적 특성이 우수한 플렉서블 OTFT 소자 및 이를 이용한 디바이스를 제공할 수 있음을 확인할 수 있었다.
Through the above-described examples and experimental examples, the flexible OTFT device of the present invention uses the substrate of the polyamide paper material to secure the flexibility, and can be used as a flexible OTFT-based wearable and / or rollable display Electronic equipment and wearable lighting equipment can be provided and a specific material can be introduced into the planarizing layer to prevent deterioration of electrical and optical characteristics due to the introduction of the base material of the polyamide paper material, It is confirmed that this excellent flexible OTFT device and a device using the same can be provided.

10 : 기재 20 : 평탄화구조체 21 : 제1평탄화층
22 : 제2평탄화층 30 : 게이트 40 : 게이트 전극절연체
50 : 소스(source) 60 : 드레인(drain) 70 : 활성체(또는 활성층)
100 : 고해기 120 : 헤드박스 210 : 금망부
211 : 지합판 212 : 탈수부 220 : 열풍건조부
230 : 압축탈수부 240 : 2차 건조부 250 : 3차 건조부
10: substrate 20: planarization structure 21: first planarization layer
22: second planarization layer 30: gate 40: gate electrode insulator
50: source 60: drain 70: active material (or active layer)
100: demolisher 120: head box 210: gold net
211: Grubboard 212: Dewatering unit 220: Hot air dryer
230 compression dehydration part 240 secondary drying part 250 tertiary drying part

Claims (21)

PMF(Poly(melamine-co-formaldehyde), PVP(Poly(4-vinylphenol)), PGMEA(Propylene glycol monomethyl ether acetate), PEGDMA(Poly ethylene glycol dimethacrylate), PPGDMA(Poly propylene glycol dimethacrylate), PPGDA(poly propylene glycol diacrylate), PDEGDA(Poly diethylene glycol diacrylate), 하기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물, 폴리실라잔계 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT(organic thin-film transistor) 소자의 기재용 평탄화 필름;
[화학식 1]
Figure pat00030

상기 화학식 1에 있어서, E는
Figure pat00031
,
Figure pat00032
또는
Figure pat00033
이고, R1, R3 R4는 각각은 독립적인 것으로서, 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이며, R2는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고, X는 -NHR5이고, 상기 R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이며,
[화학식 2]
Figure pat00034

상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R9 각각은 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, B는 -NHR10이고, 상기 R10은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고,
[화학식 3]
Figure pat00035

상기 화학식 3에 있어서, R1 내지 R8 각각은 독립적인 것으로서, 수소원자, 할로겐원자, 카복실기(carboxyl group), 아마이드기(amide group), -CF3, -Si(OR)mH3-m, 포밀기(formyl group) 또는 아실기(acyl group)이고, 상기 n은 중량평균분자량 50,000 ~ 200,000을 만족하는 유리수이며, m은 0 ~ 3의 정수이다.
Polypropylene glycol dimethacrylate (PPGDMA), polypropylene glycol dimethacrylate (PPGDA), polypropylene glycol dimethacrylate (PEGDMA), polypropylene glycol dimethacrylate (PVP) glycol diacrylate, PDEGDA (poly diethylene glycol diacrylate), a POSS compound represented by the following formula (1), a silazane compound represented by the following formula (2), a polysilazane compound, and a polymer represented by the following formula A flattening film for a substrate of a flexible OTFT (organic thin-film transistor) device;
[Chemical Formula 1]
Figure pat00030

In Formula 1, E is
Figure pat00031
,
Figure pat00032
 or
Figure pat00033
, ROne, R3 And R4Each independently represents an alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, and R2Is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and X is -NHR5, And R5Is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,
(2)
Figure pat00034

In Formula 2, ROne To R9 Each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, B represents -NHR10, And R10Is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms,
(3)
Figure pat00035

In Formula 3, ROne To R8 Each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a carboxyl group, an amide group, -CF3, -Si (OR)mH3-mA formyl group or an acyl group, n is a rational number satisfying a weight average molecular weight of 50,000 to 200,000, and m is an integer of 0 to 3.
제1항에 있어서, 상기 폴리실라잔계 화합물은
하기 화학식 4-1로 표시되는 단량체의 중합체;
하기 화학식 4-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4-2로 표시되는 화합물을 포함하는 공중합체; 및
하기 화학식 4-3으로 표시되는 중합체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름;
[화학식 4-1]
Figure pat00036

상기 화학식 4-1에 있어서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이고,
[화학식 4-2]
Figure pat00037

상기 화학식 4-2에 있어서, R1은 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며,
[화학식 4-3]
Figure pat00038

상기 화학식 4-3에 있어서, 상기 R1은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, R2는 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이고, R3 및 R4는 독립적인 것으로서, 수소원자, 탄소수 1 ~ 3의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 3의 알콕시기이며, R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이다.
The method according to claim 1, wherein the polysilazane compound
A polymer of a monomer represented by the following formula 4-1;
A copolymer comprising a compound represented by the following formula (4-1) and a compound represented by the following formula (4-2); And
A flattening film for substrate of a flexible OTFT device, comprising: a polymer represented by the following formula (4-3);
[Formula 4-1]
Figure pat00036

In Formula 4-1, R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
[Formula 4-2]
Figure pat00037

In Formula 4-2, R 1 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
[Formula 4-3]
Figure pat00038

In Formula 4-3, R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 2 is an alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, R 3 and R 4 are independently a hydrogen atom, An alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, and R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
제2항에 있어서, 상기 공중합체는 화학식 4-1로 표시되는 단량체 및 화학식 4-2로 표시되는 단량체를 1 : 2 ~ 6 몰비로 공중합시킨 것을 특징으로 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
[3] The flattening film for substrate of claim 2, wherein the copolymer is a copolymer of the monomer represented by Formula 4-1 and the monomer represented by Formula 4-2 at a molar ratio of 1: 2 to 6:
제1항에 있어서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 폴리아마이드 페이퍼인 경우, 상기 평탄화 필름은 단층구조로서,
PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The flattening film according to claim 1, wherein when the substrate of the flexible OTFT element is a polyamide paper, the flattening film has a single-
And at least one selected from the group consisting of PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, the POSS compound represented by the formula 1, the silazane compound represented by the formula 2 and the polysilazane compound. Planarizing film for substrate of flexible OTFT device.
제1항에 있어서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 폴리아마이드 필름인 경우, 상기 평탄화 필름은 단층구조로서,
상기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The flattening film according to claim 1, wherein when the substrate of the flexible OTFT device is a polyamide film, the flattening film has a single-
A flattening film for substrate of a flexible OTFT device, which comprises a polymer represented by the above formula (3).
제1항에 있어서, 상기 평탄화 필름은 다층구조로서, 상기 평탄화 필름은
PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제1 평탄화층; 및
상기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함하는 제2 평탄화층;을 포함하며,
기재의 상단면에 제1 평탄화층 및 제2평탄화층이 차례대로 적층된 것을 특징으로 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The method of claim 1, wherein the planarizing film has a multi-layer structure,
Wherein the first planarization layer comprises at least one selected from the group consisting of PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, POSS compounds represented by Formula 1, silazane compounds represented by Formula 2, ; And
And a second planarization layer comprising a polymer represented by Formula 3,
Wherein the first flattening layer and the second flattening layer are sequentially stacked on the upper surface of the substrate.
제1항에 있어서, 상기 평탄화 필름은
PEGDMA 및 PPGDMA 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 디메타크릴레이트계 화합물; 및
상기 POSS계 화합물, 상기 실라잔 및 상기 폴리실라잔 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 혼합물;을 1 : 0.1 ~ 1.5 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The method of claim 1, wherein the planarizing film
A dimethacrylate-based compound containing at least one selected from PEGDMA and PPGDMA; And
A mixture containing the POSS compound, the silazane, and the polysilazane in a weight ratio of 1: 0.1 to 1.5.
제1항에 있어서, 상기 평탄화 필름은 평균두께 0.1 ㎛ ~ 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The flattening film for a base of a flexible OTFT device according to claim 1, wherein the flattening film has an average thickness of 0.1 탆 to 10 탆.
제6항에 있어서, 상기 제1평탄화층 및 제2평탄화층은 두께비가 1 : 0.1 ~ 10 인 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The flattening film of claim 6, wherein the first planarizing layer and the second planarizing layer have a thickness ratio of 1: 0.1 to 10.
제1항에 있어서, 상기 평탄화 필름은 OTFT 소자의 기재 및 게이트 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The flattening film as claimed in claim 1, wherein the flattening film is formed between the substrate and the gate of the OTFT.
제4항에 있어서, 상기 폴리아마이드 페이퍼는 메타 폴리아마이드 페이퍼, 파라 폴리아마이드 페이퍼 및 메타-파라 폴리아마이드 페이퍼 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The flattening film of claim 4, wherein the polyamide paper comprises at least one selected from the group consisting of a polyamide paper, a para-polyamide paper, and a meta-para-polyamide paper.
제11항에 있어서, 상기 폴리아마이드 페이퍼는 메타 폴리아마이드 페이퍼이며, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 겉보기 밀도는 0.20 g/㎤ ~ 0.40 g/㎤이고, ASTM D-828에 의거하여 측정시 두께가 10 ㎛ ~ 150 ㎛일 때, MD 방향 인장강도가 25 N/㎝ 이상이고, MD 방향 신장율이 5.0% 이상이며, TAPPI T414에 의거하여 측정시 MD 방향 인열강도가 0.95 N이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
12. The sheet according to claim 11, wherein the polyamide paper is a polyamide paper, wherein the polyamide paper has an apparent density of 0.20 g / cm3 to 0.40 g / cm3, a thickness of 10 占 퐉 according to ASTM D- And a tensile strength in the MD direction of not less than 0.95 N when measured according to TAPPI T414, wherein the tensile strength in the MD direction is not less than 25 N / cm, the elongation in the MD direction is not less than 5.0% Of the substrate.
제12항에 있어서, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 두께가 0.14 mm일 때, MD 방향 비인열강도가 20 N㎡/㎏ ~ 30 N㎡/㎏인 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
13. The flattening film for substrate of claim 12, wherein the metapolyamide paper has a tear strength in the MD direction of 20 Nm 2 / kg to 30 Nm 2 / kg when the thickness is 0.14 mm.
제5항에 있어서, 상기 폴리아마이드 필름은 디아민 및 프탈로일계 화합물의 중합체를 함유한 폴리아마이드 수지를 경화시킨 필름이고,
상기 중합체는 디아민 및 프탈로일계 화합물을 1 : 0.9 ~ 1.1 당량비로 포함하고,
상기 디아민은 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 페닐렌디아민; 및 3,3'-옥시디아닐린 및 3,4'-옥시디아닐린 중에서 선택된 1종 이상을 옥시디아닐린; 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며,
상기 프탈로일계 화합물은 테레프탈로일 클로라이드와 테레프탈로일 브로마이드 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 테레프탈로일계 화합물; 및 이소프탈로일 클로라이드와 이소프탈로일 브로마이드 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 이소프탈로일계 화합물; 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
The polyamide film according to claim 5, wherein the polyamide film is a film obtained by curing a polyamide resin containing a polymer of a diamine and a phthaloyl compound,
The polymer comprises diamine and phthaloyl compound in an equivalent ratio of 1: 0.9 to 1.1,
The diamine is phenylenediamine containing at least one selected from the group consisting of metaphenylenediamine and paraphenylenediamine; And at least one selected from 3,3'-oxydianiline and 3,4'-oxydianiline is oxydianiline; , ≪ / RTI >
The phthaloyl compound is a terephthaloyl compound containing at least one selected from terephthaloyl chloride and terephthaloyl bromide; And an isophthaloyl compound containing at least one selected from isophthaloyl chloride and isophthaloyl bromide; Wherein the at least one of the planarization film and the planarization film is formed on the substrate.
제14항에 있어서, 상기 페닐렌 디아민과 상기 옥시디아닐린을 7 ~ 9 : 1 ~ 3 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
15. The flattening film for substrate of claim 14, wherein the phenylenediamine and the oxydianiline are present in a weight ratio of 7: 9: 1 to 3: 1.
제14항에 있어서, 상기 페닐렌 디아민은 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민을 1 : 1 ~ 3 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
15. The flattening film for substrate of claim 14, wherein the phenylenediamine comprises metaphenylenediamine and paraphenylenediamine in a weight ratio of 1: 1 to 3: 1.
제14항에 있어서, 상기 디아민은
메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린을 3.5 ~ 4.5 : 3.5 ~ 4.5 : 0.5 ~ 1.5 : 0.5 ~ 1.5 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
15. The method of claim 14, wherein the diamine is selected from the group consisting of
And a ratio by weight of 3.5 to 4.5: 3.5 to 4.5: 0.5 to 1.5: 0.5 to 1.5, based on the total weight of the composition, of at least one selected from the group consisting of metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, 3,4'- oxydianiline and 4,4'- Wherein the flattening film is a substrate for a flexible OTFT device.
제14항에 있어서, 상기 디아민은 상기 페닐렌 디아민 및 상기 옥시디아닐린을 7 ~ 8 : 2 ~ 3 중량비로 포함하고, 상기 페닐렌 디아민은 파라페닐렌 디아민이고, 상기 옥시디아닐린은 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며,
상기 프탈로일계 화합물은 테레프탈로일계 화합물 및 이소프탈로일계 화합물을 6 ~ 8 : 2 ~ 4 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름.
15. The method of claim 14, wherein the diamine comprises the phenylenediamine and the oxydianiline in a weight ratio of 7 to 8: 2 to 3, the phenylenediamine is paraphenylenediamine, and the oxydianiline is 3,4 '- oxydianiline, and 4,4'-oxydianiline,
Wherein the phthaloyl compound comprises a terephthaloyl compound and an isophthaloyl compound at a weight ratio of 6-8: 2 to 4: 1.
기재, 제1항 내지 제18항 중에서 선택된 어느 한 항의 평탄화 필름, 게이트(gate), 게이트 전극절연체(gate insulator), 소스(source), 드레인(drain) 및 활성체를 포함하며,
기재, 상기 평탄화 필름, 게이트 및 게이트 전극절연체가 차례대로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자.
A planarization film, a gate, a gate insulator, a source, a drain, and an active material according to any one of claims 1 to 18,
Wherein the planarizing film, the gate and the gate electrode insulator are stacked in this order.
제19항에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 필름일 때,
반도체 파라미터 분석기(Semiconductor Parameter Analyzer)로 소자의 on일때와 off일때의 전류값 비율 측정 시, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비가 1.0×10-4 ~ 1.0×10-2이고,
반도체 파라미터 분석기로 소자가 켜지는 시점(turn on)의 게이트 전압 측정 시, 임계전압(Threshold Voltage, Vth)값이 -12.0V ~ -6.0V이며,
반도체 파라미터 분석기로 10V ~ -30V로 측정 시, 전자이동도(Mobility) 값이 2.0×10-4 ~ 1.0×10-2㎠/V·s인 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자.
20. The method of claim 19, wherein when the substrate is a polyamide film,
The transfer curve (I on / I off ) ratio is 1.0 × 10 -4 to 1.0 × 10 -2 when the ratio of the current value at the on and off states of the device is measured with a semiconductor parameter analyzer,
The threshold voltage (V th ) is -12.0 V to -6.0 V when the gate voltage of the turn-on device is turned on by the semiconductor parameter analyzer,
Wherein a value of an electron mobility is 2.0 x 10 < -4 > to 1.0 x 10 < -2 > / Vs when the semiconductor parameter analyzer measures 10 V to -30 V.
제19항에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 페이퍼일 때,
반도체 파라미터 분석기(Semiconductor Parameter Analyzer)로 소자의 on일때와 off일때의 전류값 비율 측정 시, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비가 1.0×102 ~ 1.0×104이고,
반도체 파라미터 분석기로 소자가 켜지는 시점의 게이트 전압 측정 시, 임계전압 값이 -7.0V ~ -14.0V이며,
반도체 파라미터 분석기로 10V부터 -100 V로 측정 시, 전자이동도 값이 1.0×10-4 ~ 3.5×10-2 ㎠/V·s 인 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자.
20. The method of claim 19, wherein when the substrate is a polyamide paper,
The transfer curve (I on / I off ) ratio is 1.0 × 10 2 to 1.0 × 10 4 when the current value ratio is measured at on and off of the device with a semiconductor parameter analyzer,
When measuring the gate voltage at the time when the device is turned on with the semiconductor parameter analyzer, the threshold voltage value is -7.0 V to -14.0 V,
Wherein the electron mobility value is 1.0 x 10 < -4 > to 3.5 x 10 < -2 > cm < 2 > / V s when the semiconductor parameter analyzer measures 10 V to -100 V.
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