KR20160076066A - 발광 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
발광 표시 장치가 제공된다.
일례로, 발광 표시 장치는 제1 영역에 배치되는 전면 발광 화소와, 제2 영역에 배치되는 배면 발광 화소를 포함하는 복수의 화소가 정의되는 기판; 상기 기판 상에 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 전극을 노출시키도록 형성된 화소 개구들과 상기 인접한 화소들 사이에 배치되는 반사 패턴 개구를 포함하는 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 반사 패턴 개구 내부에 배치되며, 상기 제1 영역의 제2 전극과 이격되는 반사 패턴을 포함한다.
일례로, 발광 표시 장치는 제1 영역에 배치되는 전면 발광 화소와, 제2 영역에 배치되는 배면 발광 화소를 포함하는 복수의 화소가 정의되는 기판; 상기 기판 상에 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 전극을 노출시키도록 형성된 화소 개구들과 상기 인접한 화소들 사이에 배치되는 반사 패턴 개구를 포함하는 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 반사 패턴 개구 내부에 배치되며, 상기 제1 영역의 제2 전극과 이격되는 반사 패턴을 포함한다.
Description
본 발명은 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 장치로서 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기 발광 물질로 이루어진 유기 발광층을 구비하고 있다. 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 주입층 및 정공 수송층을 경유하여 유기 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 주입층과 전자 수송층을 경유하여 유기 발광층으로 이동되어, 유기 발광층에서 전자와 정공이 재결합된다. 이러한 재결합에 의해 여기자(exiton)가 생성되며, 이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라 유기 발광층이 발광됨으로써 화상이 표시된다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층에서 광이 방출하는 방향에 따라 전면 발광형, 배면 발광형 및 양면 발광형으로 구분된다. 여기서, 양면 발광형 유기 발광 표시 장치는 전면 발광과 배면 발광을 동시에 구현할 수 있는 장치로서, 휘도를 향상시킬 수 있으며 각기 다른 영상을 동시에 구현할 수 있다.
한편, 양면 발광형 유기 발광 표시 장치는 전면 발광을 구현하기 위한 전면 발광부와, 배면 발광을 구현하기 위한 배면 발광부를 포함한다.
그런데, 이러한 양면 발광형 유기 발광 표시 장치의 전면 발광부와 배면 발광부의 경계부에서 빛샘 현상 등이 발생되어, 양면 발광형 유기 발광 표시 장치의 발광 효율이 저하되고 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광 효율을 증가시킬 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 영역에 배치되는 전면 발광 화소와, 제2 영역에 배치되는 배면 발광 화소를 포함하는 복수의 화소가 정의되는 기판; 상기 기판 상에 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 전극을 노출시키도록 형성된 화소 개구들과 상기 인접한 화소들 사이에 배치되는 반사 패턴 개구를 포함하는 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 반사 패턴 개구 내부에 배치되며, 상기 제1 영역의 제2 전극과 이격되는 반사 패턴을 포함한다.
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 동일한 두께로 형성되며, 상기 제2 영역의 제2 전극의 두께는 상기 제1 영역의 제2 전극의 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 동일한 물질로 형성되며, 상기 제2 영역의 제2 전극은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 영역의 제1 전극의 두께는 상기 제1 영역의 제1 전극의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 연결되거나 이격될 수 있다.
또한, 상기 발광 표시 장치는 상기 기판과 상기 화소 정의막 사이에 배치되며, 상기 제2 영역의 제1 전극을 노출시키는 화소 정의막의 개구와 중첩하는 제1 배면 발광 화소 개구와, 상기 반사 패턴 개구와 중첩하는 제1 반사 패턴 개구를 포함하는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면에 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면으로 연장되게 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 배치될 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면에 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면으로 연장되게 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 배치될 수 있따.
상기 반사 패턴은 상기 화소들 사이에 분할되게 형성되거나 일체로 형성될 수 있다.
상기 복수의 화소는 화소 단위로 상기 전면 발광 화소와 상기 배면 발광 화소가 교번적으로 배열되는 형태로 배열될 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 영역에 배치되는 전면 발광 화소와, 제2 영역에 배치되는 배면 발광 화소를 포함하는 복수의 화소가 정의되는 기판; 상기 기판 상에 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 배치되는 제1 전극; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 전극을 노출시키도록 형성된 화소 개구들과 상기 인접한 화소들 사이에 배치되는 반사 패턴 개구를 포함하는 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 반사 패턴 개구 내부에 배치되며, 상기 제1 영역의 제2 전극의 두께보다 두꺼운 두께를 가지는 반사 패턴을 포함한다.
상기 반사 패턴의 두께는 상기 제2 영역의 제2 전극의 두께와 동일할 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 동일한 물질로 형성되며, 상기 제2 영역의 제2 전극은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 영역의 제1 전극의 두께는 상기 제1 영역의 제1 전극의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 연결되거나 이격될 수 있다.
또한, 발광 표시 장치는 상기 기판과 상기 화소 정의막 사이에 배치되며, 상기 제2 영역의 제1 전극을 노출시키는 화소 정의막의 개구와 중첩하는 제1 배면 발광 화소 개구와, 상기 반사 패턴 개구와 대응하는 제1 반사 패턴 개구를 포함하는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면에 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면으로 연장되게 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 배치될 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면에 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면으로 연장되게 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 배치될 수 있다.
상기 반사 패턴은 상기 화소들 사이에 분할되게 형성되거나, 일체로 형성될 수 있다.
상기 복수의 화소 단위는 화소 단위로 상기 전면 발광 화소와 상기 배면 발광 화소가 교번적으로 배열되는 형태로 배열될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 인접한 화소들(PX) 사이에 높은 반사율을 가지도록 형성되는 반사 패턴을 포함함으로써, 인접한 화소들 사이에서 전면 발광 화소로부터 발생되어 원하지 않게 기판의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소로부터 발생되어 원하지 않게 기판의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판의 배면 방향으로 진행되게 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 양면 발광 구현시 발광 효율을 증가시킬 수 있으며 화소들 간 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반사 패턴의 다른 배열을 보여주는 구성도이다.
도 3은 도 1의 I-I' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 4는 도 3의 'A' 부분의 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
도 9는 도 8의 'B' 부분의 확대 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반사 패턴의 다른 배열을 보여주는 구성도이다.
도 3은 도 1의 I-I' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이다.
도 4는 도 3의 'A' 부분의 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
도 9는 도 8의 'B' 부분의 확대 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 화소를 보여주는 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반사 패턴의 다른 배열을 보여주는 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 기판(110) 상에 배열되는 복수의 화소(PX)와 반사 패턴(175)을 포함한다.
복수의 화소(PX) 각각은 기판(110)의 전면 방향(도 3의 제2 전극(170) 방향)으로 발광하는 전면 발광 화소(TEP)와, 기판(110)의 배면 방향(도 3의 제1 전극(140) 방향)으로 발광하는 배면 발광 화소(BEP)를 포함하여, 발광 표시 장치(100)가 양면 발광을 구현하게 할 수 있다.
복수의 화소(PX)는 화소 단위로 전면 발광 화소(TEP)와 배면 발광 화소(BEP)가 교번적으로 배열되는 형태로 배열될 수 있다. 즉, 전면 발광 화소(TEP)와 배면 발광 화소(BEP)는 제1 방향(D1)과, 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)을 따라 서로 교번적으로 배열될 수 있다.
이러한 복수의 화소(PX)는 외부로부터 공급되는 전원 신호, 게이트 구동부(미도시)로부터 게이트 라인을 통해 공급되는 게이트 신호 및 데이터 구동부(미도시)로부터 데이터 라인을 통해 공급되는 데이터 신호에 의해 영상을 표시할 수 있다.
반사 패턴(175)은 인접한 화소들(PX) 사이에 배치된다. 반사 패턴(175)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 함으로써, 발광 표시 장치(100)의 양면 발광 구현시 발광 효율을 증가시킬 수 있으며 화소들(PX) 간 빛샘 현상을 방지하게 할 수 있다.
도 1에서, 반사 패턴(175)은 화소들(PX) 사이에 분할되게 형성되는 것으로 도시되었으나, 도 2에 도시된 바와 같이 반사 패턴(175a)은 인접한 화소들(PX) 사이에 일체로 형성될 수도 있다.
이하에서는 발광 표시 장치(100)에 대해 구체적으로 설명한다.
도 3은 도 1의 I-I' 선을 따라 절취되는 부분의 단면도이고, 도 4는 도 3의 'A' 부분의 확대 단면도이다.
도 3을 참조하면, 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 활성층(111), 하부 전극(115), 게이트 절연막(116), 게이트 전극(117), 상부 전극(118), 층간 절연막(119), 소스 전극(120), 드레인 전극(121), 평탄화층(130), 제1 전극(140), 화소 정의막(150), 발광층(160), 제2 전극(170) 및 반사 패턴(175)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 상기 절연 기판은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 물질로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 물질의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: CAT or TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 수 있다. 몇몇 실시예에서, 상기 절연 기판은 폴리이미드(polyimide: PI)와 같은 플렉시블한 물질로 이루어진 플렉시블 기판일 수 있다.
기판(110)은 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)을 따라 배치되는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 복수의 화소(PX) 각각은 전면 발광 영역(TEA; 또는 제1 영역이라 함)에 배치되는 전면 발광 화소(TEP)와 배면 발광 영역(BEA; 또는 제2 영역이라 함)에 배치되는 배면 발광 화소(BEP)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)에 대해서는 앞에서 상세히 설명하였으므로, 중복된 설명은 생락하기로 한다.
활성층(111)은 기판(110)의 전면 발광 영역(TEA)에 배치될 수 있으며, 채널 영역(112)과, 채널 영역(112)의 양측에 위치하는 소스 영역(113) 및 드레인 영역(114)을 포함할 수 있다. 활성층(111)은 실리콘, 예를 들어 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성될 수 있으며, 소스 영역(113) 및 드레인 영역(114)에는 p형 또는 n형 불순물이 도핑될 수 있다. 활성층(111)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
하부 전극(115)은 기판(110)의 전면 발광 영역(TEA)에 배치될 수 있으며, 활성층(120)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 하부 전극(115)은 소스 영역(113) 또는 드레인 영역(114)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 하부 전극(115)은 은 실리콘으로 형성되며, p형 또는 n형 불순물을 포함할 수 있다. 하부 전극(115)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
게이트 절연막(116)은 활성층(111)과 하부 전극(115)을 덮도록 기판(110) 상에 형성된다. 게이트 절연막(116)은 게이트 전극(117)과 활성층(111)을 전기적으로 절연한다. 게이트 절연막(116)은 절연 물질, 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 금속 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(116)은 증착 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
게이트 전극(117)은 게이트 절연막(116) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(117)은 채널 영역(112)의 상부, 즉 게이트 절연막(116) 상에서 채널 영역(112)과 중첩하는 위치에 형성될 수 있다. 게이트 전극(117)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 게이트 전극(117)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
상부 전극(118)은 게이트 전극(117)과 동일한 층에 형성되며, 게이트 전극(117)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상부 전극(118)은 하부 전극(115)의 상부, 즉 게이트 절연막(116) 상에서 하부 전극(115)과 중첩하는 위치에 형성될 수 있다. 이러한 상부 전극(118)은 하부 전극(115) 및 게이트 절연막(116)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)를 형성한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(117)에 인가되는 전압을 충전한다. 상부 전극(117)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
층간 절연막(119)은 게이트 전극(117)과 상부 전극(118)을 덮도록 게이트 절연막(116) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연막(119)은 실리콘 화합물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(119)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 포함할 수 있다. 층간 절연막(119)은 소스 전극(120)과 드레인 전극(121)으로부터 게이트 전극(117)을 절연시키는 역할을 수행할 수 있다. 층간 절연막(119)은 증착 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
소스 전극(120)과 드레인 전극(121)은 층간 절연막(119) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(120)은 활성층(111)의 소스 영역(113)와 연결되도록 층간 절연막(119)과 게이트 절연막(116)을 관통하며, 드레인 전극(121)은 드레인 영역(114)과 연결되도록 층간 절연막(119)과 게이트 절연막(116)을 관통한다.
소스 전극(120)과 드레인 전극(121)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(120) 및 드레인 전극(121)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 소스 전극(120)과 드레인 전극(121)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
이러한 소스 전극(120)과 드레인 전극(121)은 활성층(111) 및 게이트 전극(117)과 함께 박막트랜지스터(TFT)를 형성한다. 박막트랜지스터(TFT)는 구동 트랜지스터일 수 있으며, 게이트 전극(117)에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 발광 다이오드(141, 161, 171로 이루어진 부분 또는 142, 162, 172로 이루어진 부분)로 공급한다. 도시되진 않았지만, 박막트랜지스터(TFT)는 스위칭 트랜지스터와 연결될 수 있다. 상기 스위칭 트랜지스터는 게이트 라인을 통해 공급되는 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인을 통해 공급되는 데이터 신호에 대응하는 전압을 박막트랜지스터(TFT)에 인가한다.
평탄화층(130)은 소스 전극(120) 및 드레인 전극(121)을 덮도록 층간 절연막(119) 상에 형성될 수 있다. 평탄화층(130)은 유기 물질 등으로 형성될 수 있다. 평탄화층(130)은 평평한 표면을 가질 수 있으며, 전면 발광 영역(TEA) 중 드레인 전극(121)과 중첩하는 영역에 형성되어 드레인 전극(121)을 상부로 노출시키는 비아홀(131)을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(130)은 배면 발광 영역(BEA)에 형성되어 배면 발광 화소(BEP)의 발광층(162)이 형성되는 공간을 제공할 수 있는 제1 배면 발광 화소 개구(132)를 포함할 수 있다. 제1 배면 발광 화소 개구(132)는 층간 절연막(119)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다. 또한, 전면 발광 영역(TEA)과 배면 발광 영역(BEA) 사이에 반사 패턴(175)이 형성되는 공간을 제공하는 제1 반사 패턴 개구(133)를 포함할 수 있다. 제1 반사 패턴 개구(133)는 층간 절연막(119)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다. 비아홀(131), 제1 배면 발광 화소 개구(132) 및 제1 반사 패턴 개구(133)는 평탄화층(130)의 상면에서 하면 방향으로 폭이 좁아지는 형태로 형성될 수 있다. 평탄화층(130)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
제1 전극(140)은 기판(110) 상에 전면 발광 영역(TEA)과 배면 발광 영역(BEA)에 배치된다. 전면 발광 영역(TEA)에 배치되는 제1 전극은 도면 부호 141로 지칭하고, 배면 발광 영역(BEA)에 배치되는 제1 전극은 도면 부호 142로 지칭하기로 한다.
구체적으로, 제1 전극(141)은 평탄화층(130) 상에 형성될 수 있으며, 드레인 전극(121)과 연결될 수 있다. 제1 전극(142)은 제1 배면 발광 화소 개구(132)를 통해 노출된 층간 절연막(119) 상에 형성될 수 있으며, 제1 전극(141)과 연결될 수 있다.
제1 전극(141)과 제1 전극(142)은 드레인 전극(121)에 인가된 신호를 받아 발광층(160; 161, 162)으로 정공을 제공하는 애노드 전극일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 전극(141)과 제1 전극(142)은 드레인 전극(121)에 인가된 신호를 받아 발광층(160; 161, 162)으로 전자를 제공하는 캐소드 전극일 수 있다. 제1 전극(141)과 제1 전극(142)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(141)과 제1 전극(142)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 전극(141)은 인듐틴옥사이드(ITO), 은(Ag) 및 인듐틴옥사이드(ITO)가 적층된 복수층 구조를 가질 수 있으며, 제1 전극(142)은 인듐틴옥사이드(ITO), 은(Ag) 및 인듐틴옥사이드(ITO)가 적층된 복수층 구조 또는 인듐틴옥사이드(ITO)로 이루어진 단일층 구조를 가질 수 있다. 한편, 제1 전극(142)은 제1 전극(141)의 두께(AW1)보다 얇은 두께(AW2)를 두께를 가질 수 있다. 위와 같은 경우, 제1 전극(141)은 제1 전극(142)에 비해 높은 반사율을 가져 전면 발광 화소(TEP)에서 발생되는 광이 기판(110)의 전면 방향으로 방출되는 효율을 높일 수 있으며, 제1 전극(142)은 제1 전극(141)에 비해 낮은 반사율을 가져 배면 발광 화소(BEP)에서 방출되는 광이 기판(110)의 배면 방향으로 진행될 때 용이하게 통과되게 할 수 있다. 제1 전극(141)과 제1 전극(142)은 포토리소그래피 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
화소 정의막(150)은 기판(110), 구체적으로 평탄화층(130) 상에 형성되며 제1 전극(140; 141, 142)를 노출시키도록 형성된다. 구체적으로, 화소 정의막(150)은 전면 발광 영역(TEA) 중 제1 전극(141)과 중첩하는 영역에 형성되어 제1 전극(141)을 상부로 노출시키는 제1 전면 발광 화소 개구(151)를 포함할 수 있다. 제1 전면 발광 화소 개구(151)는 전면 발광 화소(TEP)의 발광층(161)이 형성되는 공간을 제공할 수 있다. 또한, 화소 정의막(150)은 배면 발광 영역(BEA) 중 제1 배면 발광 화소 개구(152)와 중첩하는 영역에 형성되어 제1 전극(142)을 상부로 노출시키는 제2 배면 발광 화소 개구(152)를 포함할 수 있다. 또한, 화소 정의막(150)은 인접한 화소들(PX) 사이에 제1 반사 패턴 개구(133)와 중첩하는 영역에 형성되어, 제1 반사 패턴 개구(133)와 함께 반사 패턴(175)이 형성되는 공간을 제공하는 제2 반사 패턴 개구(153)를 포함할 수 있다. 제1 전면 발광 화소 개구(151), 제2 배면 발광 화소 개구(152) 및 제2 반사 패턴 개구(153)는 화소 정의막(150)의 상면에서 하면 방향으로 폭이 좁아지는 형태로 형성될 수 있다.
화소 정의막(150)은 절연 물질, 예컨데 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(poly amaide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또 다른 예로, 화소 정의막(150)은 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(150)은 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
발광층(160)은 화소 정의막(150)의 제1 전면 발광 화소 개구(151), 제2 배면 발광 화소 개구(152)를 통해 노출되는 제1 전극(140; 141, 142) 상에 배치된다. 전면 발광 영역(TEA)의 제1 전극(141) 상에 배치되는 발광층은 도면 부호 161로 지칭하고, 배면 발광 영역(BEA)의 제1 전극(142) 상에 배치되는 발광층은 도면 부호 162로 지칭하기로 한다.
발광층(160; 161, 162)은 제1 전극(140; 141, 142)에서 제공되는 정공과 제2 전극(170; 171, 172)에서 제공되는 전자를 재결합시켜 빛을 방출한다. 보다 상세히 설명하면, 발광층(160; 161, 162)에 정공 및 전자가 제공되면 정공 및 전자가 결합하여 엑시톤을 형성하고, 이러한 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 빛을 방출시킨다. 발광층(160; 161, 162)은 화소별로 적색의 광을 방출하는 적색 발광층, 녹색의 광을 방출하는 녹색 발광층 및 청색의 광을 방출하는 청색 발광층으로 구현될 수 있다. 발광층(160; 161, 162)은 Se 또는 Zn 등을 포함하는 무기물이나, 저분자 또는 고분자 유기물로 형성될 수 있다. 발광층(160; 161, 162)은 증착 방법 및 프린트 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 도 3에서 화살표는 광이 방출되는 방향을 나타낸다.
제2 전극(170) 발광층(160; 161, 162) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(170)은 발광층(160; 161, 162)으로 전자를 제공하는 캐소드 전일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 전극(170)은 발광층(160; 161, 162)으로 정공을 제공하는 애노드 전일 수 있다. 전면 발광 영역(TEA)의 발광층(161) 상에 배치되는 발광층은 도면 부호 171로 지칭하고, 배면 발광 영역(BEA)의 발광층(162) 상에 배치되는 발광층은 도면 부호 172로 지칭하기로 한다.
제2 전극(171)과 제2 전극(172)은 도전성 물질, 예를 들어 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)을 포함할 수 있다. 제2 전극(171)과 제2 전극(172)은 보조 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 보조 전극은 상기 물질이 증착되어 형성된 막, 및 상기 막 상에 투명 금속 산화물, 예를 들어, 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 인듐-주석-아연-산화물 (Indium-Tin-Zinc-Oxide) 등을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 전극(171)은 MgAg 또는 Al으로 형성되고, 제2 전극(172)은 Al으로 형성될 수 있다. 한편, 제2 전극(171)과 제2 전극(172)은 서로 이격되며, 서로 다른 두께를 가진다. 즉, 제2 전극(172)은 제2 전극(171)의 두께(CW1) 보다 두꺼운 두께(CW2)를 가질 수 있다. 위와 같은 경우, 제2 전극(171)은 제2 전극(172)에 비해 낮은 반사율을 가져 전면 발광 화소(TEP)에서 방출되는 광이 기판(110)의 전면 방향으로 진행될 때 용이하게 통과되게 할 수 있으며, 제2 전극(172)는 제2 전극(171)에 비해 높은 반사율을 가져 배면 발광 화소(TEP)에서 발생되는 광이 기판(110)의 전면 방향으로 방출되는 효율을 높일 수 있다. 제2 전극(171)과 제2 전극(172)은 증착 방법 등을 통해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제2 전극(171)과 제2 전극(172)은 증착 방법을 통해 형성될 때 하프톤 마스크를 이용하여 형성될 수 있으며, 이 경우 제2 전극(171)과 제2 전극(172)의 형성 공정이 단순화될 수 있다.
반사 패턴(175)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 영역(TEA)의 제2 전극(171)과 이격되게 형성된다. 구체적으로, 반사 패턴((175)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 평탄화층(130)의 제1 반사 패턴 개구(133)와 화소 정의막(150)의 제2 반사 패턴 개구(153)의 내부 일측면에 형성될 수 있으며, 또한, 반사 패턴(175)은 제2 전극(172)과 연결될 수 있다. 반사 패턴(175)은 제2 전극(172)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며 동일한 두께(RW)를 가질 수 있다. 즉, 반사 패턴(175)은 제2 전극(172)의 형성시 함께 형성될 수 있다.
이러한 반사 패턴(175)은 제2 전극(172)과 같이 높은 반사율을 가져, 인접한 화소들(PX)들 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 함으로써, 발광 표시 장치(100)의 양면 발광 구현시 발광 효율을 증가시킬 수 있으며 화소들(PX) 간 빛샘 현상을 방지하게 할 수 있다. 한편, 도 4에서 화살표는 광이 반사 패턴(175)에 의해 반사되는 것을 나타낸다.
도시하진 않았지만, 발광 표시 장치(100)는 제2 전극(170; 171, 172)과 반사 패턴(175)의 상부에 배치되는 봉지 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 봉지 기판은 절연 기판으로 이루어질 수 있다. 화소 정의막(150) 상의 제2 전극(170; 171, 172) 및 반사 패턴(175)과 봉지 기판 사이에는 스페이서가 배치될 수도 있다. 본 발명의 다른 몇몇 실시예에서, 상기 봉지 기판은 생략될 수도 있다. 이 경우, 절연 물질로 이루어진 봉지막이 전체 구조물을 덮어 보호할 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 인접한 화소들(PX) 사이에 높은 반사율을 가지도록 형성되는 반사 패턴(175)을 포함함으로써, 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 양면 발광 구현시 발광 효율을 증가시킬 수 있으며 화소들(PX) 간 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)에 대해 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 도 3의 발광 표시 장치(100)와 비교하여 반사 패턴(275)만 다르며, 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)에서는 반사 패턴(275)에 대해서 중점적으로 설명하며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 기판(110), 활성층(111), 하부 전극(115), 게이트 절연막(116), 게이트 전극(117), 상부 전극(118), 층간 절연막(119), 소스 전극(120), 드레인 전극(121), 평탄화층(130), 제1 전극(140), 화소 정의막(150), 발광층(160), 제2 전극(170) 및 반사 패턴(275)을 포함할 수 있다. 한편, 도 5에서 화살표는 광이 방출되는 방향을 나타낸다.
반사 패턴(275)은 도 3의 반사 패턴(175)과 유사하다. 다만, 반사 패턴(275)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 평탄화층(130)의 제1 반사 패턴 개구(133)와 화소 정의막(150)의 제2 반사 패턴 개구(153)의 내부 일측면으로부터 바닥면으로 연장되게 형성될 수 있으며, 제2 전극(172)과 연결될 수 있다.
이러한 반사 패턴(275)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 할 때, 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시킬 수 있는 포인트를 더 형성할 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 인접한 화소들(PX) 사이에 높은 반사율을 가지며 평탄화층(130)의 제1 반사 패턴 개구(133)과 화소 정의막(150)의 제2 반사 패턴 개구(153)의 내부 일측면으로부터 바닥면으로 연장되게 형성되는 반사 패턴(275)을 포함함으로써, 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(200)는 양면 발광 구현시 발광 효율을 증가시킬 수 있으며 화소들(PX) 간 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
다음은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(300)에 대해 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(300)는 도 3의 발광 표시 장치(100)와 비교하여 반사 패턴(375)만 다르며, 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(300)에서는 반사 패턴(375)에 대해서 중점적으로 설명하며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(300)는 기판(110), 활성층(111), 하부 전극(115), 게이트 절연막(116), 게이트 전극(117), 상부 전극(118), 층간 절연막(119), 소스 전극(120), 드레인 전극(121), 평탄화층(130), 제1 전극(140), 화소 정의막(150), 발광층(160), 제2 전극(170) 및 반사 패턴(375)을 포함할 수 있다. 한편, 도 6에서 화살표는 광이 방출되는 방향을 나타낸다.
반사 패턴(375)은 도 3의 반사 패턴(175)과 유사하다. 다만, 반사 패턴(375)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 평탄화층(130)의 제1 반사 패턴 개구(133)와 화소 정의막(150)의 제2 반사 패턴 개구(153)의 내부 일측면으로부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 형성될 수 있으며, 제2 전극(172)과 연결될 수 있다.
이러한 반사 패턴(375)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 할 때, 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시킬 수 있는 포인트를 더 형성할 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(300)는 인접한 화소들(PX) 사이에 높은 반사율을 가지며 평탄화층(130)의 제1 반사 패턴 개구(133)과 화소 정의막(150)의 제2 반사 패턴 개구(153)의 내부 일측면으로부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 형성되는 반사 패턴(375)을 포함함으로써, 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(300)는 양면 발광 구현시 발광 효율을 증가시킬 수 있으며 화소들(PX) 간 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
다음은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에 대해 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이다.
본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)는 도 3의 발광 표시 장치(100)와 비교하여 반사 패턴(475)만 다르며, 동일한 구성을 가진다. 이에 따라, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 반사 패턴(475)에 대해서 중점적으로 설명하며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)는 기판(110), 활성층(111), 하부 전극(115), 게이트 절연막(116), 게이트 전극(117), 상부 전극(118), 층간 절연막(119), 소스 전극(120), 드레인 전극(121), 평탄화층(130), 제1 전극(140), 화소 정의막(150), 발광층(160), 제2 전극(170) 및 반사 패턴(475)을 포함할 수 있다. 한편, 도 7에서 화살표는 광이 방출되는 방향을 나타낸다.
반사 패턴(475)은 도 3의 반사 패턴(175)과 유사하다. 다만, 반사 패턴(475)은 제2 전극(172)과 이격되어 전기적으로 절연될 수 있다.
이러한 반사 패턴(475)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 할 때, 통전됨에 따라 타 구성과의 기생 용량이 발생되는 것을 줄일 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)는 인접한 화소들(PX) 사이에 높은 반사율을 가지며 제2 전극(172)과 이격되어 전기적으로 절연되게 형성되는 반사 패턴(475)을 포함함으로써, 반사 패턴(475)과 타 구성과의 기생 용량이 발생되는 것을 줄이면서 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)는 양면 발광 구현시 표시 품질 저하를 방지하면서 발광 효율을 증가시킬 수 있으며 화소들(PX) 간 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
다음은 다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)에 대해 설명하기로 한다.
도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치 중 도 3과 대응되는 부분의 단면도이고, 도 9는 도 8의 'B' 부분의 확대 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)는 기판(110), 활성층(111), 하부 전극(115), 게이트 절연막(116), 게이트 전극(117), 상부 전극(118), 층간 절연막(119), 소스 전극(120), 드레인 전극(121), 평탄화층(530), 제1 전극(540), 화소 정의막(550), 발광층(560), 제2 전극(570) 및 반사 패턴(575)을 포함할 수 있다.
기판(110), 활성층(111), 하부 전극(115), 게이트 절연막(116), 게이트 전극(117), 상부 전극(118), 층간 절연막(119), 소스 전극(120), 드레인 전극(121)은 앞에서 상세히 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
평탄화층(530)은 도 3의 평탄화층(130)과 유사하다. 다만, 평탄화층(530)은 전면 발광 영역(TEA) 중 드레인 전극(121)과 중첩하는 영역에 형성되어 드레인 전극(121)을 상부로 노출시키는 비아홀(531)만을 포함할 수 있다.
제1 전극(540)은 도 3의 제1 전극(140)과 유사하다. 다만, 배면 발광 영역(BEA)에 배치되는 제1 전극(542)이 전면 발광 영역(TEA)에 배치되는 제1 전극(141)과 같이 평탄화층(530) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제1 전극(542)의 평평부가 제1 전극(141)의 평평부와 동일한 층에 배치될 수 있다.
화소 정의막(550)은 도 3의 화소 정의막(150)와 동일하다. 다만, 화소 정의막(550)은 평탄화층(230) 상에 제1 전극(540; 141, 542)를 직접적으로 노출시키도록 형성된다. 구체적으로, 화소 정의막(550)은 전면 발광 영역(TEA) 중 제1 전극(141)과 중첩하는 영역에 형성되어 제1 전극(141)을 상부로 노출시키는 제1 전면 발광 화소 개구(151)를 포함할 수 있다. 또한, 화소 정의막(550)은 배면 발광 영역(BEA) 중 제1 전극(542)과 중첩하는 영역에 형성되어 제1 전극(542)을 상부로 노출시키는 제1 배면 발광 화소 개구(552)를 포함할 수 있다. 제1 배면 발광 화소 개구(552)는 배면 발광 화소(BEP)의 발광층(562)이 형성되는 공간을 제공할 수 있다. 또한, 화소 정의막(550)은 인접한 화소들(PX) 사이에 형성되어, 반사 패턴(575)이 형성되는 공간을 제공하는 제1 반사 패턴 개구(553)를 포함할 수 있다. 제1 전면 발광 화소 개구(151), 제1 배면 발광 화소 개구(552) 및 제1 반사 패턴 개구(553)는 화소 정의막(550)의 상면에서 하면 방향으로 폭이 좁아지는 형태로 형성될 수 있다.
발광층(560)은 도 3의 발광층(160)과 유사하다. 다만, 배면 발광 영역(BEA)에 배치되는 발광층(562)이 전면 발광 영역(TEA)에 배치되는 발광층(161)과 같이 평탄화층(530) 상에 형성될 수 있다. 즉, 발광층(562)의 평평부가 발광층(161)의 평평부와 동일한 층에 배치될 수 있다. 한편, 도 8에서 화살표는 광이 방출되는 방향을 나타낸다.
제2 전극(570)은 도 3의 제2 전극(170)과 유사하다. 다만, 배면 발광 영역(BEA)에 배치되는 제2 전극(572)이 전면 발광 영역(TEA)에 배치되는 제2 전극(171)과 같이 평탄화층(530) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제2 전극(572)의 평평부가 제1 전극(171)의 평평부와 동일한 층에 배치될 수 있다.
반사 패턴(575)은 도 3의 반사 패턴(175)과 유사하다. 다만, 반사 패턴(575)은 인접한 화소들(PX) 사이에서 화소 정의막(550)의 제1 반사 패턴 개구(553)의 내부 일측면에 형성될 수 있다. 한편, 도 9에서 화살표는 광이 반사 패턴(575)에 의해 반사되는 것을 나타낸다.
상기와 같이 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)는 인접한 화소들(PX) 사이에 높은 반사율을 가지도록 형성되는 반사 패턴(575)을 포함함으로써, 인접한 화소들(PX) 사이에서 전면 발광 화소(TEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 전면 방향으로 진행되게 하거나, 배면 발광 화소(BEP)로부터 발생되어 원하지 않게 기판(110)의 측면 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 기판(110)의 배면 방향으로 진행되게 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(500)는 양면 발광 구현시 발광 효율을 증가시킬 수 있으며 화소들(PX) 간 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100, 200, 300, 400, 500: 발광 표시 장치 110: 기판
111: 활성층 115: 하부 전극
116: 게이트 절연막 117: 게이트 전극
118: 상부 전극 119: 층간 절연막
120: 소스 전극 121: 드레인 전극
130, 530: 평탄화층 140, 540: 제1 전극
150, 550: 화소 정의막 160, 660: 발광층
170, 570: 드레인 전극
175, 275, 375, 475, 575: 반사 패턴
111: 활성층 115: 하부 전극
116: 게이트 절연막 117: 게이트 전극
118: 상부 전극 119: 층간 절연막
120: 소스 전극 121: 드레인 전극
130, 530: 평탄화층 140, 540: 제1 전극
150, 550: 화소 정의막 160, 660: 발광층
170, 570: 드레인 전극
175, 275, 375, 475, 575: 반사 패턴
Claims (20)
- 제1 영역에 배치되는 전면 발광 화소와, 제2 영역에 배치되는 배면 발광 화소를 포함하는 복수의 화소가 정의되는 기판;
상기 기판 상에 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 배치되는 제1 전극;
상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 전극을 노출시키도록 형성된 화소 개구들과 상기 인접한 화소들 사이에 배치되는 반사 패턴 개구를 포함하는 화소 정의막;
상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층;
상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및
상기 반사 패턴 개구 내부에 배치되며, 상기 제1 영역의 제2 전극과 이격되는 반사 패턴을 포함하는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 동일한 두께로 형성되며,
상기 제2 영역의 제2 전극의 두께는 상기 제1 영역의 제2 전극의 두께보다 두꺼운 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 동일한 물질로 형성되며,
상기 제2 영역의 제2 전극은 도전성 물질을 포함하는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 영역의 제1 전극의 두께는 상기 제1 영역의 제1 전극의 두께보다 얇은 발광 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 연결되거나 이격되는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 기판과 상기 화소 정의막 사이에 배치되며, 상기 제2 영역의 제1 전극을 노출시키는 화소 정의막의 개구와 중첩하는 제1 배면 발광 화소 개구와, 상기 반사 패턴 개구와 중첩하는 제1 반사 패턴 개구를 포함하는 평탄화층을 더 포함하는 발광 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면에 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면으로 연장되게 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 배치되는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면에 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면으로 연장되게 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 배치되는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 화소들 사이에 분할되게 형성되거나 일체로 형성되는 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 복수의 화소는 화소 단위로 상기 전면 발광 화소와 상기 배면 발광 화소가 교번적으로 배열되는 형태로 배열되는 발광 표시 장치. - 제1 영역에 배치되는 전면 발광 화소와, 제2 영역에 배치되는 배면 발광 화소를 포함하는 복수의 화소가 정의되는 기판;
상기 기판 상에 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 배치되는 제1 전극;
상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 전극을 노출시키도록 형성된 화소 개구들과 상기 인접한 화소들 사이에 배치되는 반사 패턴 개구를 포함하는 화소 정의막;
상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층;
상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및
상기 반사 패턴 개구 내부에 배치되며, 상기 제1 영역의 제2 전극의 두께보다 두꺼운 두께를 가지는 반사 패턴을 포함하는 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 반사 패턴의 두께는 상기 제2 영역의 제2 전극의 두께와 동일한 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 동일한 물질로 형성되며,
상기 제2 영역의 제2 전극은 도전성 물질을 포함하는 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제2 영역의 제1 전극의 두께는 상기 제1 영역의 제1 전극의 두께보다 얇은 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 제2 영역의 제2 전극과 연결되거나 이격되는 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 기판과 상기 화소 정의막 사이에 배치되며, 상기 제2 영역의 제1 전극을 노출시키는 화소 정의막의 개구와 중첩하는 제1 배면 발광 화소 개구와, 상기 반사 패턴 개구와 대응하는 제1 반사 패턴 개구를 포함하는 평탄화층을 더 포함하는 발광 표시 장치. - 제16 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면에 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면으로 연장되게 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구와 상기 제1 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 배치되는 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면에 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면으로 연장되게 배치되거나, 상기 반사 패턴 개구의 내부 일측면부터 바닥면을 지나 타측면으로 연장되게 배치되는 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 반사 패턴은 상기 화소들 사이에 분할되게 형성되거나, 일체로 형성되는 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 복수의 화소 단위는 화소 단위로 상기 전면 발광 화소와 상기 배면 발광 화소가 교번적으로 배열되는 형태로 배열되는 발광 표시 장치.
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