KR20160067300A - Fringe field switching mode liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히, 표시 영역 외곽부의 빛샘 현상을 방지하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to a fringe field switching mode liquid crystal display device that prevents a light leakage phenomenon in an outer area of a display area.
액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 표시소자로, 휴대 전자기기의 표시부나, 컴퓨터의 모니터 또는 텔레비전 등에 널리 사용된다. Description of the Related Art [0002] A liquid crystal display device is a display device using optical anisotropy and polarization properties of a liquid crystal, and is widely used in a display portion of a portable electronic device, a computer monitor, or a television.
액정은 가늘고 긴 분자구조를 가지고 있어, 배향에 방향성을 가지며 전기장 내에 놓일 경우 그 크기 및 방향에 따라 분자배열 방향이 변화된다. 따라서, 액정표시장치는 전계생성 전극이 각각 형성된 두 기판 사이에 액정층이 위치하는 액정패널을 포함하며, 두 전극 사이에 생성되는 전기장의 변화를 통해서 액정분자의 배열방향을 인위적으로 조절하고, 이에 따른 광 투과율을 변화시켜 여러 가지 화상을 표시한다.Liquid crystals have a long and elongated molecular structure, and they have a directionality in orientation. When placed in an electric field, the orientation of molecules is changed according to their size and direction. Therefore, the liquid crystal display device includes a liquid crystal panel in which a liquid crystal layer is positioned between two substrates on which electric field generating electrodes are respectively formed, and artificially adjusts the arrangement direction of liquid crystal molecules through a change in an electric field generated between the two electrodes, And various images are displayed by changing the light transmittance.
도 1a 및 도 1b는 종래의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도 이고, 도 2는 도 1a 및 도 1b의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.FIGS. 1A and 1B are plan views of first and second substrates of a conventional fringe field switching mode liquid crystal display, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIGS. 1A and 1B.
도면에 도시한 바와 같이, 종래의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치(30)는 제1기판(10), 이와 대응하는 제2기판(20) 및 이들 두 기판 사이에 액정층(14)이 구비된 구성을 이루고 있으며, 제1 및 제2기판(10, 20)은 표시영역(AA)과 비표시영역(NAA)으로 구분된다.As shown in the drawing, a conventional fringe field switching mode liquid
제1기판(10)은 어레이 기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태로 위치하고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(16)과 데이터 배선(12)이 형성된다.The
구체적으로, 제1기판(10) 상에 게이트 배선(16)이 배치되고, 제1기판(10) 및 게이트 배선(16) 상에 게이트 절연막(11)이 배치된다.More specifically, the
또한, 데이터 배선(12)이 게이트 절연막(11) 상에 게이트 배선(16)과 교차하며 배치되고, 제1보호층(13) 및 층간 절연막(15)이 데이터 배선(12) 상에 적층되어 배치된다.The
또한, 공통전극(19)이 층간 절연막(15) 상에 배치되고 공통전극(19) 상부에 제2보호층(21)이 배치되며, 화소전극(17)은 제2보호층(21) 상부의 표시영역(AA)에 배치되고, 더미 화소전극(18)은 제2보호층(21) 상부의 비표시영역(NAA)에 배치된다.The
이 때, 공통전극(19) 및 제2보호층(21) 상부에 배치되는 화소전극(17) 및 더미 화소전극(18)에 다수의 바(bar) 형태를 갖는 개구가 구비되며, 화소전극(17)의 각 개구의 주변에서 화소전극(17)과 공통전극(19)에 의해 발현되는 프린지 필드에 의해 액정표시장치가 구동된다.At this time, the
제2기판(20)은 컬러필터 기판이라고도 하며, 블랙매트릭스(24)와 서브 컬러필터(25)를 포함하는데, 블랙매트릭스(24)는 각 서브 컬러필터(25) 사이의 구분 및 광 차단 역할을 한다.The second substrate 20 is also referred to as a color filter substrate and includes a
또한, 블랙매트릭스(24)는 비표시영역(NAA)을 투과하는 빛을 차단한다.In addition, the
액정층(14)은 표시영역(AA)의 화소전극(17) 상에 위치한 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 재배열되고, 액정층(14)의 재배열 정도에 따라 액정층(14)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상이 표현된다.The
결국, 표시영역(AA)을 투과한 빛만이 액정층(14)을 통해 제2기판(20)의 서브 컬러필터(25)을 투과하여 다양한 화상으로 표현되는 것이다.As a result, only the light transmitted through the display area AA is transmitted through the
한편, 공통전극(19)과 화소전극(17)에 전압이 인가되면 액정은 분극 되는데, 이 상태가 지속되면 액정 내의 이온성 불순물들이 전기장에 의해 고착되고, 잔상 발생 등 액정의 표시 특성을 악화시킨다.On the other hand, when voltage is applied to the
따라서, 화소전극(17)에 인가되는 데이터 전압의 극성을 반전시켜 표시 영역(AA)에 위치한 액정의 분극 상태를 주기적으로 반전시키는 인버젼 방식이 제안되었다.Accordingly, an inversion method has been proposed in which the polarity of the data voltage applied to the
그러나, 비표시 영역(NAA)의 더미 화소전극(18)은 전기적으로 플로팅(floating)되어 있고, 그 하부에 위치한 공통전극(19)에는 일정한 전압이 인가되고 있어 화소전극(17)과 공통전극(19)에는 일정한 전계가 형성되어 유지된다.However, since the
이러한 상태가 지속되면 액정층(14) 내의 이온성 불순물들이 상기 전계에 의해 고착화되고, 더미 화소전극(18)에 전압이 인가되지 않았음에도 불구하고 이러한 전계에 의해 액정 배열이 틀어지게 된다.If this state continues, the ionic impurities in the
따라서, 블랙매트릭스(24)로 비표시영역(NAA)을 차단하는 경우에도 배열이 틀어진 액정에 의해 빛이 표시영역(AA)의 최외곽 영역인 빛샘영역(a)으로 투과되어 불량을 일으키게 된다. Therefore, even when the non-display area NAA is blocked by the
이를 빛샘 현상이라 하며, 특히, 이러한 빛샘 현상에 의해 액정표시장치의 표시 영역의 외곽부가 블랙(black)상태에서도 밝게 보이게 되는 불량이 발생된다.
This phenomenon is referred to as a light leakage phenomenon. In particular, a deficiency that the outer portion of the display area of the liquid crystal display device appears bright even in the black state due to the light leakage phenomenon occurs.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 액정표시장치의 표시 영역의 외곽부가 블랙(black)상태에서도 밝게 보이는 빛샘 현상을 방지하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a fringe field switching mode liquid crystal display device which prevents a light leakage phenomenon that appears bright even in a black state of a display area of a liquid crystal display device, The purpose.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분된 제1기판과 상기 제1기판 상에 배치되는 게이트 배선과 상기 제1기판 및 게이트 배선 상에 배치되는 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 배선과 교차하며 배치되는 데이터 배선과 상기 데이터 배선 상에 배치되는 제1보호층과 상기 제1보호층 상에 배치되는 공통전극과 상기 공통전극 상부에 배치되는 제2보호층 및 상기 제2보호층 상부에, 상기 표시 영역의 최외각에 배치되는 최외각 화소전극 및 상기 비표시 영역에 배치되는 더미 화소전극을 포함하고, 상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극에는 동일 데이터 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치를 제공한다.In order to achieve the above-mentioned object, there is provided a display device including a first substrate divided into a display region and a non-display region, a gate wiring arranged on the first substrate, a gate insulating film disposed on the first substrate and the gate wiring, A data line disposed on the insulating film so as to intersect the gate line, a first protective layer disposed on the data line, a common electrode disposed on the first protective layer, and a second protective layer disposed on the common electrode, And a dummy pixel electrode disposed on the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode in the non-display region, wherein the same data voltage is applied to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode, And a fringe field switching mode liquid crystal display device.
또한, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되고 상기 표시영역 및 비표시영역에 각각 배치되는 제1 및 제2박막트랜지스터를 포함하고, 상기 제1박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 최외각 화소전극과 연결되고, 상기 제2박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 더미 화소전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.The thin film transistor includes a first thin film transistor and a second thin film transistor which are connected to the gate line and the data line and include a gate electrode and a source / The drain electrode is connected to the outermost pixel electrode, and the drain electrode of the second thin film transistor is connected to the dummy pixel electrode.
또한, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 제3박막트랜지스터를 포함하고, 상기 제3박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.And a third thin film transistor including a gate electrode and a source / drain electrode, the third thin film transistor being connected to the gate line and the data line, the drain electrode of the third thin film transistor being connected to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode .
또한, 상기 제3박막트랜지스터는 다른 박막트랜지스터에 비하여 채널의 폭과 길이 비가 큰 확장 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The third thin film transistor is an extended thin film transistor having a larger width and a larger length ratio than other thin film transistors.
또한, 상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극은 다수의 개구부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode are provided with a plurality of openings.
또한, 상기 더미 화소전극은 상기 데이터 배선과 평행한 방향으로 상기 최외각 화소전극과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the dummy pixel electrode is arranged in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode in a direction parallel to the data line.
또한, 상기 더미 화소전극은 상기 게이트 배선과 평행한 방향으로 상기 최외각 화소전극과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the dummy pixel electrode is arranged in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode in a direction parallel to the gate line.
또한, 상기 더미 화소전극은 상기 최외곽 화소전극을 둘러싸며 배치되는 것을 특징으로 한다.Also, the dummy pixel electrode is disposed so as to surround the outermost pixel electrode.
또한, 블랙매트릭스, 서브 컬러필터를 포함하는 제2기판 및 상기 제1 및 제2기판 사이에 배치되는 액정층을 더 포함하고, 상기 서브 컬러필터는 상기 최외각 화소전극에 대응되는 영역에 배치되며, 상기 블랙매트릭스는 상기 서브 컬러필터 사이 및 상기 제1기판의 비표시 영역에 각각 배치되는 것을 특징으로 한다.
Further, the liquid crystal display device further includes a black matrix, a second substrate including a sub color filter, and a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates, wherein the sub color filter is disposed in an area corresponding to the outermost pixel electrode , And the black matrix is disposed between the sub color filters and the non-display region of the first substrate.
본 발명은 비표시영역의 전계를 표시영역의 전계와 동일하게 형성함으로써, 비표시영역의 액정 배열이 틀어지는 것을 방지하여, 블랙(black) 상태에서 표시영역의 최외곽 영역인 빛샘 영역으로 빛이 투과되는 빛샘 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
The present invention prevents the liquid crystal array of the non-display area from being distorted by forming the electric field of the non-display area to be equal to the electric field of the display area, thereby allowing the light to pass from the black state to the outermost light- The light leakage phenomenon can be prevented.
도 1a 및 도 1b는 종래의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.
도 2는 도 1a 및 도 1b의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.
도 4는 도 3a 및 도 3b의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.
도 6은 도 5a 및 도 5b의 Ⅵ-Ⅵ를 따라 절단한 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제3실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.
도 8은 도 7a 및 도 7b의 Ⅷ-Ⅷ를 따라 절단한 단면도이다.1A and 1B are plan views of first and second substrates of a conventional fringe field switching mode liquid crystal display.
Fig. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in Figs. 1A and 1B. Fig.
3A and 3B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3A and FIG. 3B.
5A and 5B are plan views of the first and second substrates of the fringe field switching mode liquid crystal display of the second embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in Figs. 5A and 5B.
7A and 7B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along VIII-VIII of Figs. 7A and 7B.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<제 1 실시예>≪ Embodiment 1 >
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이다.3A and 3B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 도 3a 및 도 3b의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3A and FIG. 3B.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치(300)는 제1기판(100), 이와 대응하는 제2기판(200) 및 이들 두 기판 사이에 액정층(114)이 구비된 구성을 이루고 있으며, 제1 및 제2기판(100, 200)은 영상을 표시하는 표시 영역(AA)과 표시영역을 둘러싸는 비표시 영역(NAA)으로 구분된다.As shown in the drawing, the fringe field switching mode liquid
제1기판(100)은 어레이 기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태로 배치되고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(116)과 데이터 배선(112)이 형성된다.The
구체적으로, 제1기판(100) 상에 게이트 배선(116)이 배치되고, 제1기판(100) 및 게이트 배선(116) 상에 게이트 절연막(111)이 배치된다.Specifically, the
또한, 데이터 배선(112)이 게이트 절연막(111) 상에 게이트 배선(116)과 교차하며 배치되고, 제1보호층(113) 및 층간 절연막(115)이 데이터 배선(112) 상에 적층되어 배치된다.The
또한, 공통전극(119)이 제1보호층(113) 및 층간 절연막(115) 상에 배치되고, 제2보호층(121)은 공통전극(119) 상부에 배치된다.The
또한, 화소전극(117) 및 더미 화소전극(118)은 게이트 배선(116) 및 데이터 배선(112)에 둘러 싸이며 배치되는데, 화소전극(117)은 제2보호층(121) 상부의 표시영역(AA)에 배치되고, 더미 화소전극(118)은 2보호층(121) 상부의 비표시영역(NAA)에 배치된다.The
또한, 게이트전극 및 소스/드레인전극을 포함하며, 게이트 배선(116) 및 데이터 배선(112)의 교차지점에 배치되어 이들 배선과 연결되는 박막트랜지스터(T)를 더 포함하는데, 게이트 전극은 게이트배선(116)과 동일층 및 동일물질로 형성되며, 소스/드레인전극은 데이터 배선(112)과 동일층 및 동일물질로 형성된다.The thin film transistor further includes a thin film transistor (T) including a gate electrode and a source / drain electrode and disposed at an intersection of the gate wiring (116) and the data wiring (112) And the source / drain electrodes are formed of the same layer and the same material as the data lines 112. The source /
이 때, 화소전극(118)은 박막트랜지스터(T)를 통해 데이터 배선(112)으로부터 데이터 전압이 인가되지만, 박막트랜지스터(T) 중 비표시 영역(NAA)에 배치된 박막트랜지스터의 드레인전극과 더미 화소전극(118)은 전기적으로 플로팅(floating) 된다.At this time, although the data voltage is applied from the
즉, 더미 화소전극(118)에는 데이터배선(112)을 통해 데이터전압이 인가되지 않으며, 후술하는 바와 같이 제1기판(100)에 배향막 형성 시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제하여 러빙 불량을 방지하기 위한 것이다.That is, the data voltage is not applied to the
또한, 공통전극(119) 상부에 배치되는 화소전극(117) 및 더미 화소전극(118)에 다수의 바(bar) 형태를 갖는 개구가 구비되는 것을 특징으로 한다. The
이에 따라, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치는 화소전극(117)의 각 개구의 주변에서 화소전극(117)과 공통전극(119)에 의해 발현되는 프린지 필드에 의해 구동된다.Accordingly, the fringe field switching mode liquid crystal display of the present invention is driven by the fringe field which is expressed by the
또한, 화소전극(117) 및 더미 화소전극118)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속을 사용한다.In addition, the
제2기판(200)은 컬러필터 기판이라고도 하며, 블랙매트릭스(124)와 서브 컬러필터(125)를 포함하는데, 특히, 블랙매트릭스(124)는 각 서브 컬러필터(125) 사이를 구분하고, 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)을 구분하여 각 서브 컬러필터(125) 사이 및 비표시영역(NAA)의 광 차단 역할을 수행한다.The
구체적으로, 서브 컬러필터(125)는 화소전극(117)에 대응되는 영역에 배치되며, 블랙매트릭스(124)는 서브 컬러필터(125) 사이 및 제1기판(100)의 비표시영역(NAA)에 각각 배치 된다.Specifically, the
이에 따라, 제2기판(200)의 블랙매트릭스(124)가 각 서브픽셀 사이를 투과하는 빛을 차단하고, 비표시영역(NAA)을 투과하는 빛이 디스플레이 되지 않도록 차단하는 것이다.Accordingly, the
이 때, 비표시 영역(NAA)의 더미 화소전극(118)은 전기적으로 플로팅(floating)되어 있고, 그 하부에 위치한 공통전극(119)에는 일정한 전압이 인가되고 있어 화소전극(117)과 공통전극(119)에는 일정한 전계가 형성되어 유지된다.At this time, the
이러한 전계에 의해 액정층(114) 내의 이온성 불순물들이 고착화되고, 더미 화소전극(118)에 전압이 인가되지 않았음에도 불구하고 비표시영역(NAA)의 액정 배열이 틀어질 수 있다.Such an electric field fixes the ionic impurities in the
본 발명의 제1실시예의 비표시영역(NAA)의 블랙매트릭스(124)는 빛샘 영역(a)까지 연장되어 배치되는 것을 특징으로 한다.The
이에 따라, 배열이 틀어진 액정에 의해 빛이 표시영역(AA)의 최외곽부인 빛샘영역(a)으로 투과되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.As a result, the light leakage phenomenon that the light is transmitted to the light-shielding region (a), which is the outermost portion of the display area AA, can be prevented by the liquid crystal whose arrangement is changed.
또한, 액정층(114)은 표시영역(AA)의 화소전극(117) 상에 위치한 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 재배열되고, 액정층(114)의 재배열 정도에 따라 액정층(114)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상이 표현된다.The
결국, 표시영역(AA)을 투과한 빛만이 액정층(114)을 통해 제2기판(200)의 서브 컬러필터(125)을 투과하여 다양한 화상으로 표현되는 것이다.As a result, only the light transmitted through the display area AA passes through the
다음, 더미 화소전극(118)을 비표시영역(NAA)에 배치하는 이유에 대해 설명하겠다.Next, the reason why the
제1기판(100)에는 액정분자의 초기 배향 방향을 설정해주는 배향막이 형성되는데, 배향막은 러빙포를 이용한 러빙 공정을 통해 설정된 방향으로의 러빙 방향이 정해진다.On the
이때, 표시영역(AA) 외측의 비표시영역(NAA)에 더미 화소전극(118)을 형성함으로써 배향막 형성시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제할 수 있다.At this time, the
이에 따라, 표시영역(AA)에 배향막 마운트가 억제됨으로써 러빙 불량을 저감시킬 수 있다.As a result, the alignment film mount is suppressed in the display area AA, and the rubbing defect can be reduced.
한편, 더미 화소전극(118)은 데이터 배선(112)과 평행한 방향으로 표시영역(AA) 내의 최외곽에 배치된 화소전극(117)과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치될 수 있다.On the other hand, the
또한, 게이트 배선(116)과 평행한 방향으로 표시영역(AA) 내의 최외곽에 배치된 화소전극(117)과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치될 수 있다.At least one or more lines may be disposed adjacent to the
또한, 표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 화소전극(117)을 둘러싸며 배치될 수 있다.Further, the
한편, 본 발명의 제1실시예의 경우, 비표시영역(NAA)의 블랙매트릭스(124)가 빛샘 영역(a)까지 연장됨에 따라 표시영역(AA)의 최외각 서브 컬러필터(125)의 면적이 줄어들게 되는데, 일반적으로, 최외각 서브 컬러필터(125)는 R(Red) 또는 B(Blue) 이므로 R서브픽셀 또는 B서브픽셀의 개구율이 상대적으로 다른 서브픽셀에 비해 작게 형성될 수 있다.On the other hand, in the first embodiment of the present invention, as the
따라서, 표시영역(AA)의 최외각부의 하나의 픽셀을 이루는 각 서브픽셀의 개구율이 비대칭을 이루게 되어 표시영역의 외곽부에서 화질 불량을 일으킬 수 있다.
Therefore, the aperture ratio of each subpixel constituting one pixel of the outermost portion of the display area AA may be asymmetric, which may cause an image quality defect in the outer portion of the display region.
<제 2 실시예>≪ Embodiment 2 >
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이고, 도 6은 도 5a 및 도 5b의 Ⅵ-Ⅵ를 따라 절단한 단면도이다.FIGS. 5A and 5B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIGS. 5A and 5B.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치(500)는 제1기판(400), 이와 대응하는 제2기판(450) 및 이들 두 기판 사이에 액정층(214)이 구비된 구성을 이루고 있으며, 제1 및 제2기판(400, 450)은 영상을 표시하는 표시 영역(AA)과 그렇지 않은 비표시 영역(NAA)으로 구분된다.As shown in the drawing, the fringe field switching mode liquid
제1기판(400)은 어레이 기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태로 배치되고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(216)과 데이터 배선(212)이 형성된다.The
구체적으로, 제1기판(400) 상에 게이트 배선(216)이 배치되고, 제1기판(400) 및 게이트 배선(216) 상에 게이트 절연막(211)이 배치된다.Specifically, the
또한, 제1데이터 배선(212a)이 게이트 절연막(211) 상에 게이트 배선(216)과 교차하며 표시영역(AA)의 최외각에 배치되고, 제2데이터 배선(212b)은 게이트 절연막(211) 상에 게이트 배선(216)과 교차하며 비표시영역(NAA)에 배치되고, 제1보호층(213) 및 층간 절연막(215)이 데이터 배선(212a, 212b) 상에 적층되어 배치된다.The
또한, 공통전극(219)이 제1보호층(213) 및 층간 절연막(215) 상에 배치되고, 제2보호층(221)은 공통전극(219) 상부에 배치된다.The
또한, 최외각 화소전극(217a)은 제2보호층(221) 상부의 상기 표시 영역(AA)의 최외각에 배치되고, 더미 화소전극(218)은 제2보호층(221) 상부의 상기 비표시영역(NAA)에 배치된다.The
이 때, 더미 화소전극(218)은 제1기판(400)에 배향막 형성 시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제하여 러빙 불량을 방지하기 위한 것이다.At this time, the
또한, 공통전극(219) 상부에 배치되는 최외각 화소전극(217a)을 포함하는 화소전극(217) 및 더미 화소전극(218)에 다수의 바(bar) 형태를 갖는 개구가 구비되는 것을 특징으로 한다. The
이에 따라, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치는 화소전극(217)의 각 개구의 주변에서 화소전극(217)과 공통전극(219)에 의해 발현되는 프린지 필드에 의해 구동된다.Accordingly, the fringe field switching mode liquid crystal display device of the present invention is driven by the fringe field generated by the
또한, 화소전극(217) 및 더미 화소전극(218)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속을 사용한다.In addition, the
또한, 게이트전극 및 소스/드레인전극을 포함하며, 게이트 배선(216)과 제1 및 제2데이터 배선(212a, 212b)의 교차지점에 배치되는 박막트랜지스터(T)를 더 포함하는데, 게이트 전극은 게이트배선(216)과 동일층 및 동일물질로 형성되며, 소스/드레인전극은 제1 및 제2데이터 배선(212a, 212b)과 동일층 및 동일물질로 형성된다.The thin film transistor further includes a thin film transistor (T) including a gate electrode and a source / drain electrode, and disposed at the intersection of the gate line (216) and the first and second data lines (212a, 212b) The source and drain electrodes are formed of the same layer and the same material as the first and
이 때, 본 발명의 제1실시예와 달리 본 발명의 제2실시예는 비표시 영역(NAA)에 배치된 박막트랜지스터(T)의 드레인전극과 더미 화소전극(218)이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.In this case, unlike the first embodiment of the present invention, the second embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the drain electrode of the thin film transistor T disposed in the non-display area NAA is electrically connected to the
또한, 최외각 화소전극(217a) 및 더미 화소전극(218)에는 각각 제1 및 제2데이터배선(212b, 212a)을 통해 동일 데이터 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.The same data voltage is applied to the
구체적으로, 제1 및 제2 데이터 배선(212b, 212a)과 각각 연결되는 제1 및 제2데이터 구동부(미도시)를 더 포함하고, 제1 및 제2데이터 구동부(미도시)가 동일 데이터 전압을 제1 및 제2 데이터 배선(212b, 212a)으로 출력함으로써, 최외각 화소전극(217a) 및 더미 화소전극(218)에 동일 데이터 전압이 인가될 수 있다.More specifically, the first and second data drivers (not shown) further include first and second data drivers (not shown) connected to the first and
또한, 제1 및 제2데이터 배선(212b, 212a)과 연결되는 제1데이터 구동부(미도시)를 더 포함하고, 제1데이터 구동부(미도시)가 동일 데이터 전압을 제1 및 제2 데이터 배선(212b, 212a)으로 출력함으로써, 최외각 화소전극(217a) 및 더미 화소전극(218)에 동일 데이터 전압이 인가될 수 도 있다.The first data driver (not shown) further includes a first data driver (not shown) connected to the first and second data wirings 212b and 212a. The first data driver The same data voltage may be applied to the
이에 따라, 더미 화소전극(218)에 인가되는 데이터 전압의 극성은 최외각 화소전극(217a)와 마찬가지로 반전되어 비표시영역(NAA)에 위치한 액정의 분극 상태가 주기적으로 반전된다.Accordingly, the polarity of the data voltage applied to the
또한, 더미 화소전극(218)과 최외각 화소전극(217a)에는 동일 데이터전압이 인가되므로 동일한 전계가 형성되어 액정도 동일하게 배열하게 된다.Further, since the same data voltage is applied to the
제2기판(450)은 컬러필터 기판이라고도 하며, 블랙매트릭스(224)와 서브 컬러필터(225)를 포함하는데, 특히, 블랙매트릭스(224)는 각 서브 컬러필터(225) 사이를 구분하고, 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)을 구분하여 각 서브 컬러필터(225) 사이 및 비표시영역(NAA)의 광 차단 역할을 수행한다.The
구체적으로, 서브 컬러필터(225)는 최외각 화소전극(217a) 및 화소전극(217)에 대응되는 영역에 배치되며, 블랙매트릭스(224)는 서브 컬러필터(225) 사이 및 제1기판(400)의 비표시영역(NAA)에 각각 배치 된다.Specifically, the
이에 따라, 제2기판(450)의 블랙매트릭스(224)가 각 서브픽셀 사이를 투과하는 빛을 차단하고, 비표시영역(NAA)을 투과하는 빛이 디스플레이 되지 않도록 차단하는 것이다.Accordingly, the
이 때, 앞서 설명한 바와 같이 더미 화소전극(218)에 인가되는 데이터 전압의 극성이 반전됨에 따라 비표시영역(NAA)에 위치한 액정의 분극 상태도 주기적으로 반전되므로, 본 발명의 제2실시예는 제1실시예와 달리 액정층(214) 내의 이온성 불순물들이 전계에 의해 고착화되지 않게 되어, 비표시영역(NAA)의 블랙매트릭스(224)를 빛샘 영역(a)까지 연장하지 않더라도, 액정표시장치의 표시 화면의 외곽부가 블랙(black)상태에서도 밝게 보이게 되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.At this time, as the polarity of the data voltage applied to the
또한, 표시영역(AA)의 최외각 서브 컬러필터(225)의 면적을 줄일 필요가 없어, 표시영역(AA)의 최외각의 하나의 픽셀을 이루는 R, G, B서브픽셀의 개구율이 대칭을 이루게 되어 표시영역의 외곽부에서의 화질 불량을 방지할 수 있다.It is not necessary to reduce the area of the outermost
또한, 액정층(214)은 표시영역(AA)의 최외각 화소전극(217a)을 포함한 화소전극(217) 상에 위치한 박막트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 재배열되고, 액정층(214)의 재배열 정도에 따라 액정층(214)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상이 표현된다.The
결국, 표시영역(AA)을 투과한 빛만이 액정층(214)을 통해 제2기판(450)의 서브 컬러필터(225)을 투과하여 다양한 화상으로 표현되는 것이다.As a result, only the light transmitted through the display area AA is transmitted through the
다음, 더미 화소전극(218)을 비표시영역(NAA)에 배치하는 이유에 대해 설명하겠다.Next, the reason why the
제1기판(400)에는 액정분자의 초기 배향 방향을 설정해주는 배향막이 형성되는데, 배향막은 러빙포를 이용한 러빙 공정을 통해 설정된 방향으로의 러빙 방향이 정해진다.On the
이때, 표시영역(AA) 외측의 비표시영역(NAA)에 더미 화소전극(218)을 형성함으로써 배향막 형성시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제할 수 있다.At this time, by forming the
이에 따라, 표시영역(AA)에 배향막 마운트가 억제됨으로써 러빙 불량을 저감시킬 수 있다.As a result, the alignment film mount is suppressed in the display area AA, and the rubbing defect can be reduced.
구체적으로, 더미 화소전극(218)은 제1데이터 배선(212b)과 평행한 방향으로 표시영역(AA) 내의 최외곽에 배치된 최외각 화소전극(217a)과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치될 수 있다.More specifically, the
또한, 게이트 배선(216)과 평행한 방향으로 표시영역(AA) 내의 최외곽에 배치된 최외각 화소전극(217a)과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치될 수 있다.At least one or more lines may be disposed adjacent to the
또한, 표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 최외각 화소전극(217a)을 둘러싸며 배치될 수 있다.
And may be disposed so as to surround the
<제 3 실시예>≪ Third Embodiment >
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제3실시예의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치의 제1 및 제2기판의 평면도이고, 도 8은 도 7a 및 도 7b의 Ⅷ-Ⅷ를 따라 절단한 단면도이다.FIGS. 7A and 7B are plan views of first and second substrates of a fringe field switching mode liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a sectional view taken along line VIII-VIII of FIGS. 7A and 7B.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치(700)는 제1기판(600), 이와 대응하는 제2기판(650) 및 이들 두 기판 사이에 액정층(314)이 구비된 구성을 이루고 있으며, 제1 및 제2기판(600, 650)은 영상을 표시하는 표시 영역(AA)과 표시영역을 둘러싸는 비표시 영역(NAA)으로 구분된다.As shown in the drawing, the fringe field switching mode liquid
제1기판(600)은 어레이 기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태로 위치하고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는 게이트 배선(316)과 제1 및 제2데이터 배선(312a, 312b)이 형성된다.The
구체적으로, 제1기판(600) 상에 게이트 배선(316)이 배치되고, 제1기판(600) 및 게이트 배선(316) 상에 게이트 절연막(311)이 배치된다.Specifically, a
또한, 제1데이터 배선(312a)은 게이트 절연막(311) 상에 게이트 배선(316)과 교차하며 비표시영역(NAA)에 배치되고, 제2데이터 배선(312b)은 게이트 절연막(311) 상에 게이트 배선(316)과 교차하며 비표시영역(NAA)에 배치된다.The
또한, 제1박막트랜지스터(T1)는 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 게이트 배선(316) 및 제1데이터 배선(312a)과 연결되고, 제2박막트랜지스터(T2)는 게이트 배선(316) 및 제2데이터 배선(312b)과 연결된다.The first thin film transistor Tl includes a gate electrode and a source / drain electrode and is connected to the
또한, 제1보호층(313) 및 층간 절연막(315)이 제1 및 제2데이터 배선(312a, 312b) 상에 적층되어 배치된다.Further, the first
또한, 공통전극(319)이 층간 절연막(315) 상에 배치되고, 제2보호층(321)은 공통전극(319) 상부에 배치된다.The
또한, 화소전극(317)은 제2보호층(321) 상부에 배치되되, 표시영역(AA)에 배치되며 제2박막트랜지스(T2)의 드레인 전극과 연결되고, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)은 제2보호층(321) 상부에 배치되되, 표시영역(AA)의 최외각 및 비표시영역(NAA)에 배치되며 제1박막트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 연결된다.The
이 때, 더미 화소전극(317a) 및 최외각 화소전극(317a)은 제1기판(400)에 배향막 형성 시 표시영역(AA)의 시작부와 끝단부에서 배향막의 두께가 급격히 두껍게 형성되는 배향막 마운트의 형성을 억제하여 러빙 불량을 방지하는 역할과 표시영역(AA)의 최외각 서브픽셀의 화소를 표시하는 역할을 수행한다.The
또한, 공통전극(319) 상부에 배치되는 최외각 화소전극(317a) 및 화소전극(317)에 다수의 바(bar) 형태를 갖는 개구가 구비되는 것을 특징으로 한다. In addition, the
이에 따라, 본 발명의 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치는 최외각 화소전극(317a) 및 화소전극(317)의 각 개구의 주변에서 최외각 화소전극(317a) 및 화소전극(317)과 공통전극(219)에 의해 발현되는 프린지 필드에 의해 구동된다.The fringe field switching mode liquid crystal display device of the present invention has the
또한, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속을 사용한다.The
제1 및 제2박막트랜지스터(T1, T2)의 게이트 전극은 게이트배선(216)과 동일층 및 동일물질로 형성되며, 소스/드레인전극은 데이터 배선(212)과 동일층 및 동일물질로 형성된다.The gate electrodes of the first and second thin film transistors T1 and T2 are formed of the same layer and the same material as the
또한, 상기 제1박막트랜지스터(T1)는 제2박막트랜지스터(T2)에 비하여 채널의 폭과 길이 비가 큰 확장 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The first thin film transistor T1 is an extended thin film transistor having a larger channel width and a longer length ratio than the second thin film transistor T2.
구체적으로, 제1박막트랜지스터는 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)을 연결하여 이들 전극에 데이터 전압을 인가하기 때문에, 만약 제1 및 제2박막트래지스터(T1, T2)의 크기가 동일하면 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)의 차징(Charging) 불량을 일으킬 수 있으므로, 제1박막트랜지스터(T1)의 크기를 제2박막트랜지스터(T2)보다 크게 함으로써 충분한 정상 차징(Charging)을 할 수 있게 된다. Specifically, the first thin film transistor connects the
이 때, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)에는 제1데이터배선(312a)을 통해 표시영역의 최외각에 대응되는 데이터 전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.At this time, a data voltage corresponding to the outermost edge of the display region is applied to the
이에 따라, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)에 인가되는 데이터 전압의 극성은 반전되어 비표시영역(NAA)에 위치한 액정의 분극 상태가 주기적으로 반전된다.Accordingly, the polarity of the data voltage applied to the
또한, 표시영역(AA)의 최외각과 비표시영역(NAA)에 동일한 전계가 형성되어 액정도 동일하게 배열하게 된다.Further, the same electric field is formed in the outermost portion of the display area AA and the non-display area NAA, so that the liquid crystal is arranged in the same manner.
제2기판(650)은 컬러필터 기판이라고도 하며, 블랙매트릭스(324)와 서브 컬러필터(325)를 포함하는데, 특히, 블랙매트릭스(324)는 각 서브 컬러필터(325) 사이를 구분하고, 표시영역(AA) 및 비표시영역(NAA)을 구분하여 각 서브 컬러필터(325) 사이 및 비표시영역(NAA)의 광 차단 역할을 수행한다.The
구체적으로, 서브 컬러필터(325)는 화소전극(317)에 대응되는 영역 및, 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a) 중 표시영역(AA) 부분에 배치되며, 블랙매트릭스(324)는 서브 컬러필터(325) 사이 및 제1기판(600)의 비표시영역(NAA)에 각각 배치 된다.Specifically, the
이에 따라, 제2기판(650)의 블랙매트릭스(324)가 각 서브픽셀 사이를 투과하는 빛을 차단하고, 비표시영역(NAA)을 투과하는 빛이 디스플레이 되지 않도록 차단하는 것이다.Accordingly, the
이 때, 앞서 설명한 바와 같이 제1박막트랜지스터(T1)의 드레인전극과 최외각 화소전극(317a) 및 더미 화소전극(317a)이 전기적으로 연결되어 데이터 전압이 인가되면 비표시영역(NAA)에 위치한 액정의 분극 상태가 주기적으로 반전된다.At this time, as described above, when the drain electrode of the first thin film transistor T1 is electrically connected to the
따라서, 본 발명의 제3실시예는 제1실시예와 달리 비표시영역(NAA)의 블랙매트릭스(324)는 빛샘 영역(a)까지 연장하지 않더라도, 액정층(314) 내의 이온성 불순물들이 전계에 의해 고착화되지 않게 되어, 액정표시장치의 표시 화면의 외곽부가 블랙(black)상태에서도 밝게 보이게 되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.Therefore, unlike the first embodiment, the third embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the
또한, 표시영역(AA)의 최외각 서브 컬러필터(325)의 면적을 줄일 필요가 없어, 표시영역(AA)의 최외각의 하나의 픽셀을 이루는 R, G, B서브픽셀의 개구율이 대칭을 이루게 되어 표시영역의 외곽부에서의 화질 불량을 방지할 수 있다.
It is not necessary to reduce the area of the outermost
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
400 : 제1기판 450 : 제2기판
212a, 212b : 제1 및 제2데이터배선 224 : 블랙매트릭스
219 : 공통전극 225 : 서브 컬러필터
221 : 제2보호층 214 : 액정층
218 : 더미 화소전극
217a : 최외각 화소전극400: first substrate 450: second substrate
212a and 212b: first and second data lines 224: black matrix
219: common electrode 225: sub color filter
221: second protective layer 214: liquid crystal layer
218: a dummy pixel electrode
217a: an outermost pixel electrode
Claims (9)
상기 제1기판 상에 배치되는 게이트 배선;
상기 제1기판 및 게이트 배선 상에 배치되는 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 배선과 교차하며 배치되는 데이터 배선;
상기 데이터 배선 상에 배치되는 제1보호층;
상기 제1보호층 상에 배치되는 공통전극;
상기 공통전극 상부에 배치되는 제2보호층; 및
상기 제2보호층 상부에, 상기 표시 영역의 최외각에 배치되는 최외각 화소전극 및 상기 비표시 영역에 배치되는 더미 화소전극을 포함하고,
상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극에는 동일 데이터 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
A first substrate divided into a display area and a non-display area;
A gate wiring disposed on the first substrate;
A gate insulating film disposed on the first substrate and the gate wiring;
A data line disposed on the gate insulating film so as to cross the gate line;
A first protective layer disposed on the data line;
A common electrode disposed on the first passivation layer;
A second protective layer disposed on the common electrode; And
An outermost pixel electrode disposed at an outermost portion of the display region and a dummy pixel electrode disposed in the non-display region,
And the same data voltage is applied to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode.
게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되고 상기 표시영역 및 비표시영역에 각각 배치되는 제1 및 제2박막트랜지스터를 포함하고,
상기 제1박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 최외각 화소전극과 연결되고, 상기 제2박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 더미 화소전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And first and second thin film transistors each including a gate electrode and a source / drain electrode, the first and second thin film transistors being connected to the gate and data lines and respectively disposed in the display region and the non-display region,
Wherein the drain electrode of the first thin film transistor is connected to the outermost pixel electrode, and the drain electrode of the second thin film transistor is connected to the dummy pixel electrode.
게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 제3박막트랜지스터를 포함하고,
상기 제3박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And a third thin film transistor including a gate electrode and a source / drain electrode, the third thin film transistor being connected to the gate wiring and the data wiring,
And the drain electrode of the third thin film transistor is connected to the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode.
상기 제3박막트랜지스터는 다른 박막트랜지스터에 비하여 채널의 폭과 길이 비가 큰 확장 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the third thin film transistor is an extended thin film transistor having a channel width and a length ratio larger than other thin film transistors.
상기 최외각 화소전극 및 더미 화소전극은 다수의 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the outermost pixel electrode and the dummy pixel electrode have a plurality of openings.
상기 더미 화소전극은 상기 데이터 배선과 평행한 방향으로 상기 최외각 화소전극과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy pixel electrode is disposed in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode in a direction parallel to the data line.
상기 더미 화소전극은 상기 게이트 배선과 평행한 방향으로 상기 최외각 화소전극과 인접한 위치에 적어도 한 라인 이상 배치되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the dummy pixel electrode is disposed in at least one line adjacent to the outermost pixel electrode in a direction parallel to the gate line.
상기 더미 화소전극은 상기 최외곽 화소전극을 둘러싸며 배치되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
And the dummy pixel electrode is disposed to surround the outermost pixel electrode.
블랙매트릭스, 서브 컬러필터를 포함하는 제2기판; 및
상기 제1 및 제2기판 사이에 배치되는 액정층을 더 포함하고,
상기 서브 컬러필터는 상기 최외각 화소전극에 대응되는 영역에 배치되며, 상기 블랙매트릭스는 상기 서브 컬러필터 사이 및 상기 제1기판의 비표시 영역에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 프린지필드 스위칭모드 액정표시장치.
The method according to claim 1,
A second substrate including a black matrix and a sub color filter; And
Further comprising a liquid crystal layer disposed between the first and second substrates,
Wherein the sub-color filter is disposed in an area corresponding to the outermost pixel electrode, and the black matrix is disposed between the sub-color filters and the non-display area of the first substrate. Device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140172356A KR20160067300A (en) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | Fringe field switching mode liquid crystal display device |
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Publications (1)
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Family
ID=56191567
Family Applications (1)
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KR (1) | KR20160067300A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023097485A1 (en) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate, display panel and display apparatus |
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2014
- 2014-12-03 KR KR1020140172356A patent/KR20160067300A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
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WO2023097485A1 (en) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate, display panel and display apparatus |
US20240219789A1 (en) * | 2021-11-30 | 2024-07-04 | Wuhan Boe Optoelectronics Technology Co.,Ltd. | Display substrate, display panel and display apparatus |
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