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KR20150085604A - 유기 발광 다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents

유기 발광 다이오드 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR20150085604A
KR20150085604A KR1020140005438A KR20140005438A KR20150085604A KR 20150085604 A KR20150085604 A KR 20150085604A KR 1020140005438 A KR1020140005438 A KR 1020140005438A KR 20140005438 A KR20140005438 A KR 20140005438A KR 20150085604 A KR20150085604 A KR 20150085604A
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layer
wrinkles
light emitting
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organic light
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문제현
박승구
조두희
이종희
허진우
신진욱
한준한
황주현
주철웅
조남성
임종태
유병곤
이정익
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명은 기판과, 상기 기판 상의 광시야각 균질화 층과, 상기 광 시야각 균질화 층 상의 제 1 전극 층과, 상기 제 1 전극 층 상의 정공 수송 층과, 상기 정공 수송 층 상에 배치되어 방출 광을 생성하는 유기 발광 층과, 상기 유기 발광 층 상의 전자 수송 층과, 상기 전자 수송 층 상의 제 2 전극 층을 포함한다.

Description

유기 발광 다이오드 및 그의 제조방법{organic light emitting diode and manufacturing method of the same}
본 발명은 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 유기 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)는 유기발광물질을 전기적으로 여기(exciting)시켜 발광하는 자체 발광형 소자이다. 유기발광 다이오드는 통상적으로 유기발광소자라 칭한다. 상기 유기발광 다이오드는 기판, 양극, 음극 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 형성된 유기 발광 층을 포함한다. 상기 양극 및 음극들로부터 공급되는 전공들 및 전자들은 상기 유기 발광 층 내에서 결합하여 외부로 방출되는 광을 생성한다.
유기발광다이오드는 기판, 유기 층, 금속박막 등의 여러 가지 요소가 물리적으로 적층되어 구성되는 소자이다. 유기 발광 층에서 생성된 빛은 소자의 중심에서 상하 방향으로 진행한다. 유기발광소자는 굴절 율이 상이한 박막이 적층되어 있는 구조이므로 물질의 계면에서 반사가 발생한단. 또한 소자 구성 요소중 금속과 같이 반사도가 높은 물질이 포함되어 있는 경우 소자 내에서 공진 효과가 발생할 수 있다. 이에 광 사이에 간섭현상이 발생할 수 있다. 즉 유기발광소자에 전류를 인가하여 발광을 시키는 경우 필연적으로 미소공진에 간섭현상이 나타날 수 있다. 미소 공진 간섭현상은 외부에서 스펙트럼을 왜곡 및 소자의 스펙트럼 시야각 의존성 증대 등이 등장할 수 있어 소자의 색상불량요인이 된다. 색상 보존을 위해서는 위해서는 소자 내부에서 공진 및 반사를 억제하는 방안이 강구되어야 한다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 미소 공진 간섭현상을 방지할 수 있는 유기 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 과제는, 생산성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상의 광시야각 균질화 층; 상기 광 시야각 균질화 층 상의 제 1 전극 층; 상기 제 1 전극 층 상의 정공 수송 층; 상기 정공 수송 층 상에 배치되어 방출 광을 생성하는 유기 발광 층; 상기 유기 발광 층 상의 전자 수송 층; 및 상기 전자 수송 층 상의 제 2 전극 층을 포함한다. 여기서, 상기 광 시야각 균질화 층은 물결 모양의 주름들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 주름들은, 상기 방출 광의 반사에 의해 상기 기판에서 반사되는 반사광의 진행 경로를 상기 유기 발광 층에서 상기 제 2 전극으로 진행하는 상기 방출 광의 진행 경로와 다르게 변경하여 상기 반사 광과 상기 방출 광의 미소 공진 간섭 현상을 방지하는 주름들을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예를 따르면, 상기 주름들은, 상기 광 시야각 균질화 층 내의 벌크 주름들; 및 상기 광 시야각 균질화 층의 상부 면의 상기 벌크 주름들 상에 배치되고, 상기 벌크 주름들보다 큰 물결 모양 주름으로 형성된 표면 주름들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예를 따르면, 상기 표면 주름들은, 주름 산들; 및 상기 주름 산들 사이의 주름 골들을 포함할 수 있다. 상기 주름 산들은 100 나노미터 내지 3000 나노미터 피치를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예를 따르면, 상기 주름 골들은 200 나노미터 내지 5000 나노미터의 깊이를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예를 따르면, 상기 제 1 전극 층 내지 상기 제 2 전극 층은 상기 표면 주름들을 따라 주름진 모양을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예를 따르면, 상기 광 시야각 균질화 층은 프리 폴리머를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예를 따르면, 상기 광 시야각 균질화 층은 상기 프리 폴리머 내의 광 개시제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 광 시야각 균질화 층을 형성하는 단계; 상기 광 시야각 균질화 층 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 층 상에 정공 수송 층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송 층 상에 유기 발광 층을 형성하는 단계; 상기 유기 발광 층 상에 전자 수송 층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 수송 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 광 시야각 균질화 층은 물결 모양의 주름들로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예를 따르면, 상기 주름들은, 상기 광 시야각 균질화 층 내의 벌크 주름들; 및 상기 광 시야각 균질화 층의 상부 표면에 형성되고, 상기 상기 벌크 주름들보다 큰 물결 모양 주름의 표면 주름들을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예를 따르면, 상기 광 시야각 균질화 층의 형성 단계는, 상기 기판 상에 유기 용액을 형성하는 단계; 및 상기 유기 용액을 경화시켜 상기 광 시야각 균질화 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예를 따르면, 상기 주름들은 상기 유기 용액의 경화 중에 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예를 따르면, 상기 유기 용액의 경화 단계는 자외선 노광 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예를 따르면, 상기 유기 용액의 경화 단계는 상기 유기 용액의 열처리 공정을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 유기 발광 다이오드는, 기판과 유기 발광 층 사이에 배치되어, 주름들을 갖는 광시야각 균질화 층을 포함할 수 있다. 주름들은 기판에서의 반사광의 진행 경로를 유기 발광 층에서의 방출 광의 진행 경로로부터 다르게 변경할 수 있다. 주름들은 반사 광과 방출 광의 미소 공진 간섭 현상을 방지할 수 있다. 또한, 주름들은 기판 상의 유기 용액의 경화 시에 손쉽게 형성될 수 있다. 유기 용액은 자외선 노광 공정에 의해 경화될 수 있다. 자외선 노광 공정은 일반적인 포토리소그래피 공정 및 식각 공정보다 저렴한 생산 공정이다.
도 1은 도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타내는 단면도이다.
도 2는 광 시야각 균질화 층의 평면도이다.
도 3은 도 2의 부분 사시도이다.
도4는 도 3의 단면도이다.
도 5는 일반적인 유기 발광 다이오드의 광 시야각에 따른 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드의 광 시야각에 따른 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 7 내지 도 13은 도 1에 근거하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법을 순차적으로 나타내는 공정 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드는, 기판(100), 광 시야각 균질화 층 (110), 양극 층(120), 정공 수송 층(130), 유기 발광 층(140), 전자 수송 층(150) 및 음극 층(160)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 유리 기판 및 불투명 (금속호일, Si 웨이퍼류) 기판, 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 또한, 기판(100)은 스테인리스 스틸 호일, 알루미늄 호일, 구리 호일과 같은 금속 호일을 포함할 수 있다. 본 발명은 여기에 한정되지 않는다.
광 시야각 균질화 층(110)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 광 시야각 균질화 층(110)은 광 개시제를 갖는 프리 폴리머를 포함할 수 있다. 광 시야각 균질화 층(110)은 주름들(112)을 가질 수 있다. 주름들(112)은 벌크 주름들(114)과 표면 주름들(116)을 포함할 수 있다. 벌크 주름들(114)은 광 시야각 균질화 층(110) 내에 배치될 수 있다. 표면 주름들(116)은 광 시야각 균질화 층(110)의 상부 면에 배치될 수 있다. 표면 주름들(116)은 벌크 주름들(114)보다 큰 물결 모양 주름(wave form winkle)으로 형성될 수 있다.
양극 층(120)은 광 시야각 균질화 층(110) 상에 배치될 수 있다. 양극 층(120)은 광 시야각 균질화 층(110)의 주름들(112) 따라 주름질 수 있다. 양극 층(120)은 도전성 물질일 수 있다. 예를 들면, 상기 양극 층(120)은 투명 전도성 산화물들(TCO:Transparent conductive oxide) 중의 하나일 수 있다. 일례로, 상기 양극 층(120)은 인듐 주석산화물(ITO: Indum Tin Oxide) 또는 인듐아연산화물(IZO: Indium Zinc Oxide) 중의 하나일 수 있다. 또한 금속소재로 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등도 선택될수 있다. 또한 그래핀, 탄소나노튜브와 같은 탄소계열의 재료도 선택될 수 있다.
정공 수송 층(130)은 양극 층(120) 상에 배치될 수 있다. 정공 수송 층(130)은 정공확산층(132)과 정공주입층(134)을 포함할 수 있다. 정공주입층(134)은 정공확산층(132) 상에 배치될 수 있다. 정공 수송 층(130)은 유기화합물 또는 금속착화합물을 포함할 수 있다.
유기 발광 층(140)은 정공 수송 층(130) 상에 배치될 수 있다. 유기 발광 층(140)은 유기화합물 또는 금속착화합물을 포함할 수 있다. 유기 발광 층(140)은 호스트 유기물과 색상구현을 위한 도판트(dopant)의 조합으로 이루어질 수 있다. 유기 발광 층(140)은 방출 광(emitting light, 142)을 생성할 수 있다. 방출 광(142)은 백색 광일 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다. 방출 광(142)은 다양한 색상을 가질 수도 있다.
방출 광(142)은 상 방향 방출 광(141)과, 하 방향 방출 광(143)을 포함할 수 있다. 상 방향 방출 광(141)은 유기 발광 층(140)에서부터 상기 유기 발광 층(140) 상의 음극 층(160) 방향으로 진행할 수 있다. 하 방향 방출 광(143)은 유기 발광 층(140)에서 기판(100) 방향으로 진행할 수 있다. 하 방향 방출 광(143)의 진행 방향은 광 시야각 균질화 층(110)의 주름들(112)에 의해 랜덤하게 변화될 수 있다. 하 방향 방출 광(143)은 광 시야각 균질화 층(110)의 굴절률이 높은 방향으로 진행될 수 있다. 주름들(112)의 굴절률은 다양하게 변화될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 대부분의 하 방향 방출 광(143)은 기판(100)으로 입사될 수 있다. 하 방향 방출 광(143)은 기판(100)에서 반사될 수 있다.
전자 수송 층(150)은 유기 발광 층(140) 상에 배치될 수 있다. 전자 수송 층(150)은 전자 주입 층(152)과 전자 확산 층(154)을 포함할 수 있다. 전자 확산 층(154)은 전자 주입 층(152) 상에 배치될 수 있다. 전자 수송 층(150)은 유기화합물 또는 금속착화합물을 포함할 수 있다.
음극 층(160)은 전자 수송 층(150) 상에 배치될 수 있다. 음극 층(160)은 기판(100) 음극 층(160)은 전도성 물질로 선택됨이 바람직하다. 음극용 금속 박막의 재료로는 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 등이 수 있다. 이에 해당되는 물질로는 얇은 금속 또는 전도성 투명산화물, 탄소계열 물질 중에서 선택될 수 있다. 양면 또는 상부 발광 소자의 경우 투명성이 담보되어야 하므로 얇은 금속의 일례로 은(Ag)을 포함하는 박막이 선택될 수 있으며 두께는 대략 5~300 나노미터(nm) 범위를 취할 수 있다. 탄소계의 물질로는 그래핀 또는 탄소 나노 튜브를 포함할 수 있다.
한편, 반사 광(144)은 기판(100)에서부터 음극 층(160)의 방향으로 진행될 수 있다. 반사 광(144)은 하 방향 방출 광(143) 및 상 방향 방출 광(143)과 다른 방향으로 진행될 수 있다. 반사 광(144)은 광 시야각 균질화 층(110)의 주름들(112)에 의해 굴절되기 때문이다.
일반적인 유기 발광 다이오드는 반사광(144)과 방출 광(142)의 진행 방향이 서로 평행할 수 있다. 백색의 반사광(144)과 방출 광(142)은 미소 공진 간섭 현상에 의한 스펙트럼의 왜곡을 가질 수 있다. 일정 파장의 스펙트럼은 보강될 수 있고, 나머지 파장의 스펙트럼은 상쇄될 수 있다. 또한, 시야각(q)이 기판(100)에 수직(q=00)에서 벗어나는 경우, 광경로의 길이가 달라져서 각도에 따른 반사광(144)과 방출 광(142)의 특정 파장의 스펙트럼 의존성이 나타날 수 있다. 즉, 스펙트럼은 시야각에 따라 다르게 나타날 수 있다.
광 시야각 균질화 층(110)은 반사광(144)과 방출 광(142)의 미소 공진 간섭 현상을 방지할 수 있다. 주름들(112)은 반사 광(144)을 무작위(random) 방향으로 진행시킬 수 있다. 반사광(144)은 주름들(112)로부터 기판(100)에 대해 수직한 방향에서부터 수평한 방향까지의 방사각(radiation angle)으로 진행할 수 있다. 반사광(144)은 방사각 내의 위치에 대해 평균적으로(averagely) 동일한 광량으로 진행될 수 있다. 따라서, 광 시야각 균질화 층(110)은 반사광(144)과 방출 광(142)의 시야각 의존성을 제거할 수 있다.
도 2는 광 시야각 균질화 층(110)의 평면도이다. 도 3은 도 2의 부분 사시도이다. 도4는 도 3의 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 표면 주름들(116)은 광 시야각 균질화 층(110)의 상부 면에 불규칙하게 형성될 수 있다. 표면 주름들(116)은 물결 모양 (wave form)을 가질 수 있다. 즉, 표면 주름들(116)은 물결 형태 주름(wave form winkle)일 수 있다. 표면 주름들(116)은 주름 산들(crests, 117)과 주름 골(trough, 118)을 가질 수 있다. 예를 들어, 주름 산들(117)은 100nm 내지 3000 nm의 피치를 가질 수 있다. 주름 골(118)은 약 200nm 내지 5000 nm의 깊이를 가질 수 있다.
양극 층(120) 내지 음극 층(160)은 표면 주름들(116)의 물결 모양을 따라 물결진 형상(wavy shape)을 가질 수 있다. 표면 주름들(116)과 물결진 형상은 반사광(144)과 방출 광(142)의 시야각 의존성을 제거할 수 있다.
도 5는 일반적인 유기 발광 다이오드의 광 시야각에 따른 스펙트럼을 나타내는 그래프이다. 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드의 광 시야각에 따른 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 일반적인 유기 발광 다이오드는 스펙트럼의 모양과 중심 파장이 일치되지 않기 때문에 시야각의 변화에 따른 스펙트럼의 왜곡이 발생될 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드는 시야각이 변화되더라도 거의 일치된 스펙트럼의 모양과 중심 파장을 각각 가질 수 있다. 때문에, 시야각에 따른 스펙트럼 왜곡이 방지될 수 있다. 여기서, 가로 축은 스펙트럼 파장의 길이를 나타내고, 세로 축은 스펙트럼의 세기를 나타낸다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 7 내지 도 13은 도 1에 근거하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법을 순차적으로 나타내는 공정 단면도이다.
도 7을 참조하면, 기판(100) 상에 유기 용액(102)을 도포한다. 유기 용액(102)은 프리 폴리머 액체와, 상기 프리 폴리머 액체 내의 광 개시제를 포함할 수 있다. 유기 용액(102)의 도포 단계는 기상 유기 용매 분위기에서 수행될 수 있다. 유기 용액(102)의 도포 단계는 인쇄 방법 또는 스핀 코팅 방법을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 유기 용액(102)을 경화시켜 광 시야각 균질화 층(110)을 형성한다. 광 시야각 균질화 층(110)의 주름들(112)은 유기 용액(102)의 경화 시에 손쉽게 형성될 수 있다. 주름들(112)은 프리 폴리머 가교 및 섭동현상에 의해 형성될 수 있다. 주름들(112)은 벌크 주름들(114)과 표면 주름들(116)을 포함할 수 있다. 표면 주름들(116)은 물결 모양(wave form)을 가질 수 있다. 유기 용액(102)의 경화 단계는 자외선 노광 공정을 포함할 수 있다. 자외선 노광 공정은 불활성 기체의 분위기에서 수행될 수 있다. 불활성 기체는 질소, 및 알르곤을 포함할 수 있다. 자외선 노광 공정은 일반적인 포토리소그래피 공정 및 식각 공정보다 저렴한 생산 공정이다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시 변경될 수 있다. 예를 들어, 유기 용액(102)의 경화 단계는 포토리소그래피 공정보다 저렴한 열처리 공정을 더 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 광 시야각 균질화 층(110) 상에 양극 층(120)을 형성한다. 양극 층(120)은 표면 주름들(116)을 따라 물결진 형상으로 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 양극 층(120) 상에 정공 수송 층(130)을 형성한다. 마찬 가지로, 정공 수송 층(130)은 물결진 형상으로 형성될 수 있다. 양극 층(120)과 정공 수송 층(130)은 금속을 포함할 수 있다. 정공 수송 층(130)은 정공확산층(132)과 정공주입층(134)을 포함할 수 있다. 정공주입층(134)은 정공확산층(132) 상에 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 정공 수송 층(130) 상에 유기 발광 층(140)을 형성한다. 유기 발광 층(140)은 인쇄 방법 또는 적하 방법에 의해 형성된 유기 화합물을 포함할 수 있다. 유기 발광 층(140)은 물결진 형상으로 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 유기 발광 층(140) 상에 전자 수송 층(150)을 형성한다. 전자 수송 층(150)은 물결진 모양으로 형성될 수 있다. 전자 수송 층(150)은 전자 주입 층(152)과 전자 확산 층(154)을 포함할 수 있다. 전자 확산 층(154)은 전자 주입 층(152) 상에 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 전자 수송 층(150) 상에 음극 층(160)을 형성한다. 음극 층(160)은 물결진 모양으로 형성될 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 102: 유기 용액
110: 광 시야각 균질화 층 112: 주름들
114: 벌크 주름들 116: 표면 주름들
117: 주름 산들 118: 주름 골들
120: 양극 층 130: 정공 수송 층
132: 정공 확산 층 134: 정공 주입 층
140: 유기 발광 층 150: 전자 수송 층
152: 전자 주입 층 154: 전자 확산 층
160: 음극 층

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상의 광시야각 균질화 층;
    상기 광 시야각 균질화 층 상의 제 1 전극 층;
    상기 제 1 전극 층 상의 정공 수송 층;
    상기 정공 수송 층 상에 배치되어 방출 광을 생성하는 유기 발광 층;
    상기 유기 발광 층 상의 전자 수송 층; 및
    상기 전자 수송 층 상의 제 2 전극 층을 포함하되,
    상기 광 시야각 균질화 층은 물결 모양의 주름들을 포함하는 유기 발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 주름들은,
    상기 방출 광의 반사에 의해 상기 기판에서 반사되는 반사광의 진행 경로를 상기 유기 발광 층에서 상기 제 2 전극으로 진행하는 상기 방출 광의 진행 경로와 다르게 변경하여 상기 반사 광과 상기 방출 광의 미소 공진 간섭 현상을 방지하는 유기 발광 다이오드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 주름들은,
    상기 광 시야각 균질화 층 내의 벌크 주름들; 및
    상기 광 시야각 균질화 층의 상부 면의 상기 벌크 주름들 상에 배치되고, 상기 벌크 주름들보다 큰 물결 모양 주름으로 형성된 표면 주름들을 포함하는 유기 발광 다이오드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 표면 주름들은,
    주름 산들; 및
    상기 주름 산들 사이의 주름 골들을 포함하되,
    상기 주름 산들은 100 나노미터 내지 3000 나노미터 피치를 갖는 유기 발광 다이오드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 주름 골들은 200 나노미터 내지 5000 나노미터의 깊이를 갖는 유기 발광 다이오드.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 층 내지 상기 제 2 전극 층은 상기 표면 주름들을 따라 주름진 모양을 갖는 유기 발광 다이오드.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 광 시야각 균질화 층은 프리 폴리머를 포함하는 유기 발광 다이오드.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 광 시야각 균질화 층은 상기 프리 폴리머 내의 광 개시제를 더 포함하는 유기 발광 다이오드.
  9. 기판 상에 광 시야각 균질화 층을 형성하는 단계;
    상기 광 시야각 균질화 층 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극 층 상에 정공 수송 층을 형성하는 단계;
    상기 정공 수송 층 상에 유기 발광 층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광 층 상에 전자 수송 층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자 수송 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 광 시야각 균질화 층은 물결 모양의 주름들로 형성되는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 주름들은,
    상기 광 시야각 균질화 층 내의 벌크 주름들; 및
    상기 광 시야각 균질화 층의 상부 표면에 형성되고, 상기 상기 벌크 주름들보다 큰 물결 모양 주름의 표면 주름들을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 광 시야각 균질화 층의 형성 단계는,
    상기 기판 상에 유기 용액을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 용액을 경화시켜 상기 광 시야각 균질화 층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 주름들은 상기 유기 용액의 경화 중에 형성되는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 유기 용액의 경화 단계는 자외선 노광 공정을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 유기 용액의 경화 단계는 상기 유기 용액의 열처리 공정을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.


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