KR20140128789A - 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140128789A KR20140128789A KR1020130047694A KR20130047694A KR20140128789A KR 20140128789 A KR20140128789 A KR 20140128789A KR 1020130047694 A KR1020130047694 A KR 1020130047694A KR 20130047694 A KR20130047694 A KR 20130047694A KR 20140128789 A KR20140128789 A KR 20140128789A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- intermediate layer
- tin
- sealing
- display unit
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 241
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 2
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZYDPPZYDIRSJT-UHFFFAOYSA-K boron phosphate Chemical compound [B+3].[O-]P([O-])([O-])=O YZYDPPZYDIRSJT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000149 boron phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N phosphoryl Chemical class [P]=O LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는, 기판, 상기 기판 상의 디스플레이부, 상기 디스플레이부 상에 형성되고, 상기 디스플레이부 표면의 단차를 보상하는 단차 보상층, 상기 단차 보상층 상에 형성된 제1 중간층 및 상기 제1 중간층 상에 형성되고, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층은 저온 점도 변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되며, 상기 제1 중간층과 상기 봉지층은 주석을 포함하고, 상기 제1 중간층의 상기주석과 상기 봉지층의 상기 주석이 공유 결합을 형성한다.
Description
본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 우수한 밀봉 특성을 가지는 봉지층을 구비한 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 디스플레이 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 디스플레이 장치다.
자발광형 디스플레이 장치인 유기 발광 디스플레이 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
다만, 유기 발광 디스플레이 장치는 외부의 수분이나 산소 등에 의해 열화되는 특성을 가지므로, 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위하여 유기 발광 소자를 밀봉하여야 한다.
본 발명의 목적은, 밀봉 특성과 신뢰성이 우수한 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는, 기판, 상기 기판 상의 디스플레이부, 상기 디스플레이부 상에 형성되고, 상기 디스플레이부 표면의 단차를 보상하는 단차 보상층, 상기 단차 보상층 상에 형성된 제1 중간층 및 상기 제1 중간층 상에 형성되고, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층은 저온 점도 변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되며, 상기 제1 중간층과 상기 봉지층은 주석을 포함하고, 상기 제1 중간층의 상기주석과 상기 봉지층의 상기 주석이 공유 결합을 형성한다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층은 P2O5, BPO4, SnF2 또는 WO3를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차 보상층은 아크릴레이트 계 및 폴리 이미드를 포함하는 제1 그룹 중 어느 하나 또는 SiNx, Al2O3, SiO2, 및 TiO2 를 포함하는 제2 그룹 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 중간층은 ZTO(Zinc tin oxide)로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 중간층은 수소 또는 질소를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 중간층의 두께는 50 내지 1000㎚일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차 보상층과 상기 제1 중간층 사이에 제2 중간층을 더 포함하고, 상기 제2 중간층은 SnO2로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 중간층의 상기 주석(Sn)과 상기 제1 중간층의 상기 주석은 공유 결합을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 중간층의 두께는 50 내지 200㎚일 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는, 기판, 상기 기판 상의 디스플레이부, 상기 디스플레이부 상에 형성되고, 상기 디스플레이부 표면의 단차를 보상하는 단차 보상층, 상기 단차 보상층 상에 형성된 제1 중간층 및 상기 제1 중간층 상에 형성되고, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층을 포함하고, 상기 제1 중간층은 수소 또는 질소를 포함하는 ZTO(Zinc tin oxide)로 형성된다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층은 주석을 포함하는 저온 점도 변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되며, 상기 제1 중간층에 포함된 상기 주석과 상기 봉지층에 포함된 상기 주석은 공유결합을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층은 P2O5, BPO4, SnF2 또는 WO3를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 중간층의 두께는 50 내지 1000㎚일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차 보상층과 상기 제1 중간층 사이에 제2 중간층을 더 포함하고, 상기 제2 중간층은 SnO2로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제2 중간층의 두께는 50 내지 200㎚일 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법은, 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계, 상기 디스플레이부를 덮도록 단차 보상층을 형성하는 단계, 상기 단차 보상층을 덮도록 제1 중간층을 형성하는 단계 및 상기 제1 중간층을 덮도록 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 중간층은 스퍼터링에 의해 ZTO(Zinc tin oxide)층을 상기 단차 보상층 상에 증착하여 형성되며, 상기 스퍼터링시 아르곤 가스와 함께 수소가스 또는 질소가스를 함께 주입한다.
본 발명에 있어서, 상기 스퍼터링시 주입되는 상기 수소가스 또는 상기 질소가스의 함량은 상기 아르곤 가스 대비 0.002 내지 0.1일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 주석을 포함하는 저온 점도 변화(Low temperature viscosity transition) 무기물을 상기 제1 중간층 상에 증착하는 단계 및 증착된 상기 저온 점도 변화 무기물을 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 중간층에 포함된 상기 주석과 상기 봉지층에 포함된 상기 주석은 공유결합을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 단차 보상층을 형성한 다음, 상기 단차 보상층을 덮도록 제2 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 중간층은 SnO2로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 봉지층이 저온 점도변화 무기물로 형성됨으로써, 봉지층이 우수한 수분 및 산소 차단력을 가질 수 있다.
또한, 상기 봉지층의 하부에 단차 보상층 및 버퍼막의 역할을 하는 제1 중간층을 더 포함함으로써, 봉지층의 접합력을 향상시키고, 봉지층에 발생할 수 있는 크랙 등의 손상을 방지하여 유기 발광 디스플레이 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명함에 있어 실질적으로 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(10)는, 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200), 디스플레이부(200) 상에 순차적으로 적층된 단차 보상층(300), 제1 중간층(410) 및 봉지층(500)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 기판(100)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 기판(100)을 형성하는 플라스틱 재는 절연성 유기물일 수 있는데, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, polyethyelenennapthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트(celluloseacetatepropionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
한편, 화상이 기판(100)방향으로 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)인 경우에 기판(100)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 기판(100)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형(top emission type)인 경우에 기판(100)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(100)을 형성할 수 있다. 금속으로 기판(100)을 형성할 경우 기판(100)은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 및 스테인레스 스틸로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
디스플레이부(200)는 유기 박막 트랜지스터 층(200a)과 화소부(200b)를 구비할 수 있다. 화소부(200b)는 유기 발광 소자(OLED)일 수 있다. 이하에서는 도 2를 참조하여 디스플레이부(200)를 보다 자세히 설명한다.
기판(100)상에는 버퍼층(212)이 형성될 수 있다. 버퍼층(212)은 기판(100)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하며 기판(100)상부에 평탄한 면을 제공하는 것으로서, 버퍼층(212)은 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(212)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
이와 같은 버퍼층(212)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.
활성층(221)은 버퍼층(212) 상에서 실리콘과 같은 무기질 반도체나, 유기 반도체에 의해 형성될 수 있다. 또한, 활성층(221)은 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다.
예를 들어, 비정질 실리콘을 사용하여 활성층(221)을 형성하는 경우 비정질 실리콘층을 기판(100) 전면에 형성한 후 이를 결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝 한 후 가장자리의 소스 영역 및 드레인 영역에 불순물을 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역 및 그 사이의 채널 영역을 포함하는 활성층(221)을 형성할 수 있다.
활성층(221) 상에는 게이트 절연막(213)이 형성된다. 게이트 절연막(213)은 활성층(221)과 게이트 전극(222)을 절연하기 위한 것으로 SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(213) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(222)이 형성된다. 게이트 전극(222)은 박막 트랜지스터(TFT)의 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다.
게이트 전극(222)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
게이트 전극(222) 상에 형성되는 층간 절연막(214)은 게이트 전극(222)과 소스 및 드레인 전극(223) 사이의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
층간 절연막(214)상에는 소스 및 드레인 전극(223)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(214) 및 게이트 절연막(213)은 활성층(221)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(221)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 및 드레인 전극(223)이 형성된다.
한편, 도 2는 활성층(221)과, 게이트 전극(222)과, 소스 및 드레인 전극(223)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(222)이 활성층(221)의 하부에 배치될 수도 있다.
이와 같은 박막 트랜지스터(TFT) 층(200a)은 화소부(200b)에 전기적으로 연결되어 화소부(200b)를 구동하며, 평탄화막(215)으로 덮여 보호된다.
평탄화막(215)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 또한, 평탄화막(215)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
평탄화막(215) 상에는 화소부(200b)가 형성되며, 화소부(200b)는 화소 전극(231), 중간층(232) 및 대향 전극(233)을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)은 평탄화막(215)상에 형성되고, 평탄화막(215)에 형성된 컨택홀(230)을 통하여 소스 및 드레인 전극(223)과 전기적으로 연결된다.
화소 전극(231)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다.
투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)과 대향되도록 배치된 대향 전극(233)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다.
따라서, 대향 전극(233)은 중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층(미도시)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(231)에 의해 반사되어, 대향 전극(233) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 본 실시예의 유기 발광 디스플레이 장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(231)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(233)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 유기 발광 디스플레이 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 화소 전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(216)이 형성된다. 화소 정의막(216)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(216)은 화소 전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(232)이 위치한다.
중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(232)은 유기 발광층(미도시) 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
단차 보상층(300)은 디스플레이부(200) 상에 형성되어, 디스플레이부(200) 표면의 단차를 보상하며, 또한, 유기 발광층(미도시) 등을 형성하는 과정 또는 기타 공정 중에 디스플레이부(200)의 표면에 부착된 파티클 등의 이물질을 커버한다. 즉, 단차 보상층(300)은 디스플레이부(200)의 표면에 존재하는 단차를 보상하고, 또한, 디스플레이부(200)의 표면에 존재하는 파티클 등을 충분히 커버할 수 있을 정도의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 단차 보상층(300)은 디스플레이부(200)의 면적 보다 넓은 면적으로 형성되어 그 가장자리가 모두 기판(100)과 접하도록 형성될 수 있다.
이와 같이 단차 보상층(300)을 형성하면, 디스플레이부(200)의 표면의 단차 또는 파티클 등을 커버하기 위해 봉지층(500)을 두껍게 형성하지 않을 수 있다. 후술하는 바와 같이 봉지층(500)은 저온 점도 변화 무기물로 형성되어 외부의 산소 또는 수분의 침투를 효과적으로 막을 수 있으나, 봉지층(500)의 두께에 따라 봉지층(500)에 발생하는 응력이 함께 커지는 바, 단차 보상층(300)을 형성함으로써 봉지층(500)의 두께를 감소시킬 수 있고, 이에 따라 봉지층(500)에 발생하는 응력을 최소화할 수 있다.
또한, 단차 보상층(300)은 평평한 상면을 가지므로, 봉지층(500)의 형성이 더욱 용이하고, 외부의 압력 등에 의해 리지드(Rigid)한 성질을 가지는 봉지층(500)에 크랙 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 후술하는 저온 점도 변화 무기물로 형성되는 봉지층(500)은 외부의 습기 및 산소의 차단력은 우수하나, 리지드(Rigid)한 성질에 의해 한 곳에 힘이 집중되면 쉽게 크랙 등이 발생할 수 있다. 예를 들어, 봉지층(500)을 형성하는 면이 단차를 가지거나, 파티클 등이 존재하면 공정 중에 봉지층(500)에 가해지는 외력이 단차 부위나 파티클로 집중되는 바, 봉지층(500)에 크랙 등이 발생할 수 있고, 이에 의해 유기 발광 디스플레이 장치(10)에 다크 스팟(dark spot), 픽셀 위축(pixel shrinkage) 등이 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명에 의하면, 단차 보상층(300)을 형성함으로써, 상기와 같은 문제를 해결하여 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
이와 같은 단차 보상층(300)은 아크릴레이트 계 및 폴리 이미드를 포함하는 제1 그룹 중 어느 하나 또는 SiNx, Al2O3, SiO2, 및 TiO2 를 포함하는 제2 그룹 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 단차 보상층(300)은 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등으로 형성될 수 있다.
단차 보상층(300) 상에는 제1 중간층(410)이 형성된다. 제1 중간층(410)은 봉지층(500)의 박리 등을 방지하고, 봉지층(500)의 응력을 완화시키는 버퍼층으로의 역할을 수행한다. 제1 중간층(410)은 단차 보상층(300)을 덮도록 형성되어, 제1 중간층(410)의 가장자리가 모두 기판(100)과 접하도록 형성될 수 있다.
제1 중간층(410)은 주석을 포함하여 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 중간층(410)은 ZTO(Zinc tin oxide)로 형성될 수 있다. ZTO(Zinc tin oxide)로 형성된 제1 중간층(410)은 광 투과율이 우수하고, 치밀한 막 특성을 가지므로 봉지층(500) 외에 또 다른 배리어 막으로서 기능할 수 있다.
한편, 봉지층(500) 역시 주석을 포함하는 저온 점도 변화 무기물로 형성되는 바, 제1 중간층(410)의 주석과 봉지층(500)의 주석이 공유 결합을 형성함으로써 제1 중간층(410)과 봉지층(500)은 우수한 결합력을 가질 수 있다. 따라서, 봉지층(500)의 박리 등을 효과적으로 방지하여 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 제1 중간층(410)은 질소 원소를 더 포함할 수 있다. 제1 중간층(410)이 불순물인 질소 원소를 더 포함하면, 제1 중간층(410)의 밀도가 상대적으로 낮아지게 되는데, 이에 의해 봉지층(500)의 응력의 완충 작용을 할 수 있다. 한편, 제1 중간층(410)은 불순물로서 상기 질소 원소 대신에 수소 원소를 포함할 수도 있다. 제1 중간층(410)이 수소 원소를 포함하는 경우도 봉지층(500)의 응력을 완화 시켜 봉지층(500)의 크랙 발생 및 박리 등을 방지할 수 있다.
이와 같은 제1 중간층(410)은 50 내지 1000㎚ 의 두께로 형성될 수 있다. 제1 중간층(410)의 50㎚ 보다 작은 경우는 봉지층(500)의 응력을 완화시키는 버퍼층으로서의 효과가 반감될 수 있다. 반면에, 제1 중간층(410)의 두께가 1000㎚ 보다 큰 경우는 제1 중간층(410) 자체의 응력으로 인해 제1 중간층(410)에 박리, 크랙 등의 손상이 발생할 수 있다. 따라서, 제1 중간층(410)은 50 내지 1000㎚의 두께를 가지고 형성되는 것이 바람직하다.
봉지층(500)은 디스플레이부(200)를 밀봉하여, 외부의 습기 및 산소가 디스플레이부(200)로 침투하는 것을 방지한다. 봉지층(500)은 제1 중간층(410)의 면적 보다 넓은 면적으로 형성되어 그 가장자리가 모두 기판(100)과 접하도록 형성될 수 있고, 이에 의해 외기의 침투를 더욱 견고히 차단할 수 있다.
봉지층(500)은 저온 점도 변화(Low temperature Viscosity Transition, LVT) 무기물로 형성될 수 있다. 여기서 "점도 변화 온도"는, 저온 점도 변화 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도를 의미하는 것으로, 이는 유기 발광 소자에 포함된 물질의 변성 온도보다 작을 수 있다. 또한, "유기 발광 소자에 포함된 물질의 변성 온도"란 유기 발광 소자에 포함된 물질의 화학적 및/또는 물리적 변성을 초래할 수 있는 온도를 의미한다. 예를 들어, 상기 "유기 발광 소자에 포함된 물질의 변성 온도"는 유기 발광 소자의 중간층(232)에 포함된 유기물의 유리 전이 온도(Tg)를 의미할 수 있다.
상기 유리 전이 온도는, 예를 들면, 유기 발광 소자에 포함된 물질에 대하여 TGA(Thermo Gravimetric Analysis) 및 DSC(Differential Scanning Calorimetry)를 이용한 열분석(N2 분위기, 온도구간: 상온~ 600℃ (10℃/min)-TGA, 상온에서 400℃까지-DSC, Pan Type: Pt Pan in 일회용 Al Pan(TGA), 일회용 Al pan(DSC))을 수행한 결과로부터 도출될 수 있으며, 이는 당업자가 용이하게 인식할 수 있는 것이다.
저온 점도 변화 무기물은 1종의 화합물로 이루어지거나, 2종 이상의 화합물로 이루어진 혼합물일 수 있다.
저온 점도 변화 무기물은 주석 산화물(예를 들면, SnO 또는 SnO2)을 포함할 수 있다. 저온 점도 변화 무기물이 SnO를 포함할 경우, 상기 SnO의 함량은 20중량% 내지 100중량%일 수 있다.
또한, 저온 점도 변화 무기물은, 인 산화물(예를 들면, P2O5), 보론 포스페이트(BPO4), 주석 불화물(예를 들면, SnF2), 니오브 산화물(예를 들면, NbO) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO3) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 저온 점도 변화 무기물은,
- SnO;
- SnO 및 P2O5;
- SnO 및 BPO4;
- SnO, SnF2 및 P2O5;
- SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는
- SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;
를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 저온 점도 변화 무기물은 하기 조성을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
1) SnO(100wt%);
2) SnO(80wt%) 및 P2O5(20wt%);
3) SnO(90wt%) 및 BPO4(10wt%);
4) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%) 및 P2O5(10-30wt%) (여기서, SnO, SnF2 및 P2O5의 중량 합은 100wt%임);
5) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 NbO(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 NbO의 중량 합은 100wt%임); 또는
6) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 WO3(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 WO3의 중량 합은 100wt%임).
예를 들어, 저온 점도 변화 무기물은, SnO(42.5wt%), SnF2 (40wt%), P2O5(15wt%) 및 WO3(2.5wt%)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 유기 발광 디스플레이 장치(20)는, 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200), 디스플레이부(200) 상에 형성된 단차 보상층(300), 단차 보상층(300) 상에 형성된 제2 중간층(420), 제2 중간층(420) 상에 형성된 제1 중간층(410) 및 제1 중간층(410) 상에 형성된 봉지층(500)을 포함할 수 있다.
기판(100), 디스플레이부(200), 단차 보상층(300), 제1 중간층(410) 및 봉지층(500)은 도 1 및 도 2에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로 반복하여 설명하지 않는다.
제2 중간층(420)은 단차 보상층(300)과 제1 중간층(410) 사이에 형성될 수 있으며, SnO2로 형성될 수 있다.
제2 중간층(420)은 200nm 이하의 두께를 가지고 형성되는 것이 바람직하다. 제2 중간층(420)의 두께가 200nm 이하로 형성되면, 제2 중간층(420)은 봉지층(500)의 응력을 추가로 완화하는 또 다른 버퍼층의 기능을 수행할 수 있다. 그러나, 제2 중간층(420)의 두께가 200nm보다 큰 경우는 오히려 제2 중간층(420)에 응력이 증가하여 제2 중간층(420)의 박리 현상이 발생할 수 있다. 또한, 제2 중간층(420)은 SnO2로 형성되므로, 외부의 습기 및 산소의 침투를 차단하는 또 다른 배리어 막으로 기능할 수 있다. 이를 위해 제2 중간층(420)은 50㎚ 이상의 두께를 까지고 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 제2 중간층(420)과 제1 중간층(410)은 주석을 모두 포함하고 있는 바, 제2 중간층(420)의 주석과 제1 중간층(410)의 주석은 공유 결합을 형성할 수 있고, 이에 의해 제1 중간층(410)과의 접합력이 향상될 수 있다. 따라서, 유기 발광 디스플레이 장치(20)의 기구적 특성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 4 내지 도 6을 참조하여 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 설명하면, 먼저 4에 도시된 바와 같이 기판(100) 상에 디스플레이부(200)를 형성한 후, 디스플레이부(200)를 덮도록 단차 보상층(300)을 형성한다.
디스플레이부(200)는 도 2에서 설명한 바와 동일하고, 공지된 다양한 유기발광 디스플레이가 적용될 수 있으므로, 이의 구체적인 제조 방법은 생략한다.
단차 보상층(300)은 아크릴레이트 계 및 폴리 이미드를 포함하는 제1 그룹 중 어느 하나로 형성될 때는, 스페이이법, 스핀 코팅 법, 슬릿 코팅 법 등에 의해 형성할 수 있다. 또한, 단차 보상층(300)이 SiNx, Al2O3, SiO2, 및 TiO2 를 포함하는 제2 그룹 중 어느 하나로 형성될 때는, 커버리지(Coverage) 특성이 좋은 CVD법이나 ALD 법 등으로 형성할 수 있다.
이와 같은 단차 보상층(300)은 디스플레이부(200)의 표면에 존재하는 단차를 보상하고, 또한, 디스플레이부(200)의 표면에 존재하는 파티클 등을 충분히 커버할 수 있을 정도의 두께로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 5와 같이 단차 보상층(300) 상에 제1 중간층(410)을 형성한다. 제1 중간층(410)은 저항 가열 증착법, 스퍼터링법, 저온 증착법, 전자 빔 코팅법, 스핀 코팅법 또는 이온 플레이팅법을 이용하여 형성할 수 있다.
일 예로, 제1 중간층(410)은 ZnO 타겟과 SnO2 타겟을 동시에 사용하는 스퍼터링법에 의해 형성할 수 있으며, 이때, 스퍼터링 시 아르곤 가스와 함께 질소가스를 공정챔버 내로 주입할 수 있다.
이와 같이 스퍼터링 시 질소 가스를 주입하면, 제1 중간층(410)에 불순물로서 질소원자가 포함되게 되고, 그 결과 제1 중간층(410)의 밀도가 상대적으로 작아질 수 있다. 제1 중간층(410)의 밀도가 작으면 제1 중간층(410)의 압축응력이 감소하므로, 제1 중간층(410)은 봉지층(500)의 응력을 완충시키는 버퍼층으로서 역할을 수행할 수 있다.
한편, 질소 가스의 주입량은 아르곤 가스 대비 0.002 내지 0.1일 수 있다. 질소 가스의 주입량이 아르곤 가스 대비 0.002 보다 작은 경우는, 상술한 버퍼층으로서의 역할을 수행하기 어려울 수 있고, 반면에 질소 가스의 주입량이 아르곤 가스 대비 0.1 보다 큰 경우는, 제1 중간층(410)과 봉지층(500)에 포함된 주석 간의 공유 결합이 충분히 형성되기 어려워 봉지층(500)과의 접합력이 저하될 수 있다. 따라서, 질소 가스의 주입량은 아르곤 가스 대비 0.002 내지 0.1인 것이 바람직하다.
또한, 질소 대신 수소를 주입하여도 상기와 같은 동일한 결과를 얻을 수 있으며, 수소의 주입 함량은 질소의 주입 함량과 동일할 수 있다. 또한, 제1 중간층(410)의 압축 응력은 공정압력을 높이는 방법(예: 1Pa 이상)에 의해 조절될 수 있다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 제1 중간층(410)을 형성하기 전에, SnO2로 형성되는 제2 중간층(도 3의 420)을 더 형성할 수 있다. 제2 중간층(도 3의 420)은 스퍼터링법, 진공 증착법, 저온 증착법, 플라즈마 강화 화학적 기상 증착법(PCVD), 플라즈마 이온 지원 증착법(PIAD), 전자 빔 코팅법 또는 이온 플레이팅법 등의 방법 등으로 형성할 수 있다.
또한, 제2 중간층(도 3의 420)은 외부의 수분 및 산소를 차단하는 또 다른 배리어 막으로서의 기능과 봉지층(500)의 응력을 해소하는 버퍼층으로서의 기능을 수행할 수 있도록 50㎚ 내지 200㎚의 두께를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.
마지막으로, 도 6에 도시된 바와 같이 봉지층(500)을 형성한다.
봉지층(500)은 도 1 및 도 2에서 상술한 저온 점도 변화 무기물을 스퍼터링법, 진공 증착법, 저온 증착법, 플라즈마 강화 화학적 기상 증착법(PCVD), 플라즈마 이온 지원 증착법(PIAD), 전자 빔 코팅법 또는 이온 플레이팅법 등의 방법으로 디스플레이부(200) 상에 저온 점도 변화 무기물을 증착하여 형성할 수 있으며, 필요에 따라 증착한 저온 점도 변화 무기물을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 예로, 봉지층(500)은 SnO-SnF2-P2O5-WO3 조성을 가지는 타겟을 이용한 스퍼터링 방식을 통해 성막할 수 있다. 스퍼터링 방식은 구체적으로 dual rotary target 방식을 적용하고, 기판(100)이 움직이면서 스캔하는 방식을 사용할 수 있다.
한편, 증착된 봉지층(500)은 핀홀과 같은 결함(defect)을 포함할 수도 있고, 이와 같은 경우는, 증착된 봉지층(500)을 열처리 하여, 핀홀과 같은 결함을 제거함으로써, 막질이 치밀한 봉지층(300)이 형성될 수 있다.
열처리 단계는 저온 점도 변화 무기물의 점도 변화 온도 이상의 온도에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 저온 점도 변화 무기물의 점도 변화 온도 이상 내지 유기 발광 소자에 포함된 물질의 변성 온도 미만의 범위에서 저온 점도 변화 무기물을 열처리함으로써 수행될 수 있다. 여기서, "저온 점도 변화 물기물의 점도 변화 온도"는 저온 점도 변화 무기물의 조성에 따라 상이하고, "유기 발광 소자에 포함된 물질의 변성 온도"는 상기 유기 발광 소자에 사용된 물질에 따라 상이할 것이나, 저온 점도 변화 무기물의 조성 및 유기 발광 소자에 사용된 물질의 성분에 따라 당업자가 용이하게 인식(예를 들면, 유기 발광 소자에 포함된 물질에 대한 TGA 분석 결과로부터 도출되는 Tg 온도 평가 등)할 수 있는 것이다.
또한, 상기 열처리 단계는, 핀홀을 통한 유기 발광 소자의 외부 환경 노출을 방지하기 위하여, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기(예를 들면, N2 분위기, Ar 분위기 등) 하의 IR 오븐에서 수행될 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
10, 20: 유기 발광 디스플레이 장치
100: 기판
200: 디스플레이부
200a: 유기 박막 트랜지스터 층
200b: 화소부 212: 버퍼층
213: 게이트 절연막 214: 층간 절연막
215: 평탄화막 216: 화소 정의막
221: 활성층 222: 게이트 전극
223: 소스 및 드레인 전극 230: 컨택홀
231: 화소 전극 232: 중간층
233: 대향전극 300: 단차 보상층
410: 제1 중간층 420: 제2 중간층
500: 봉지층
100: 기판
200: 디스플레이부
200a: 유기 박막 트랜지스터 층
200b: 화소부 212: 버퍼층
213: 게이트 절연막 214: 층간 절연막
215: 평탄화막 216: 화소 정의막
221: 활성층 222: 게이트 전극
223: 소스 및 드레인 전극 230: 컨택홀
231: 화소 전극 232: 중간층
233: 대향전극 300: 단차 보상층
410: 제1 중간층 420: 제2 중간층
500: 봉지층
Claims (20)
- 기판;
상기 기판 상의 디스플레이부;
상기 디스플레이부 상에 형성되고, 상기 디스플레이부 표면의 단차를 보상하는 단차 보상층;
상기 단차 보상층 상에 형성된 제1 중간층; 및
상기 제1 중간층 상에 형성되고, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층;을 포함하고,
상기 봉지층은 저온 점도 변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되며,
상기 제1 중간층과 상기 봉지층은 주석을 포함하고, 상기 제1 중간층의 상기주석과 상기 봉지층의 상기 주석이 공유 결합을 형성하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 봉지층은 P2O5, BPO4, SnF2 또는 WO3를 더 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 단차 보상층은 아크릴레이트 계 및 폴리 이미드를 포함하는 제1 그룹 중 어느 하나 또는 SiNx, Al2O3, SiO2, 및 TiO2 를 포함하는 제2 그룹 중 어느 하나로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 중간층은 ZTO(Zinc tin oxide)로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1 중간층은 수소 또는 질소를 더 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1 중간층의 두께는 50 내지 1000㎚ 인 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 단차 보상층과 상기 제1 중간층 사이에 제2 중간층을 더 포함하고,
상기 제2 중간층은 SnO2로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제2 중간층의 상기 주석(Sn)과 상기 제1 중간층의 상기 주석은 공유 결합을 형성하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제2 중간층의 두께는 50 내지 200㎚인 유기 발광 디스플레이 장치. - 기판;
상기 기판 상의 디스플레이부;
상기 디스플레이부 상에 형성되고, 상기 디스플레이부 표면의 단차를 보상하는 단차 보상층;
상기 단차 보상층 상에 형성된 제1 중간층; 및
상기 제1 중간층 상에 형성되고, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층;을 포함하고,
상기 제1 중간층은 수소 또는 질소를 포함하는 ZTO(Zinc tin oxide)로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
상기 봉지층은 주석을 포함하는 저온 점도 변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되며,
상기 제1 중간층에 포함된 상기 주석과 상기 봉지층에 포함된 상기 주석은 공유결합을 형성하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제11항에 있어서,
상기 봉지층은 P2O5, BPO4, SnF2 또는 WO3를 더 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1 중간층의 두께는 50 내지 1000㎚ 인 유기 발광 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
상기 단차 보상층과 상기 제1 중간층 사이에 제2 중간층을 더 포함하고,
상기 제2 중간층은 SnO2로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제14항에 있어서,
상기 제2 중간층의 두께는 50 내지 200㎚ 인 유기 발광 디스플레이 장치. - 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계;
상기 디스플레이부를 덮도록 단차 보상층을 형성하는 단계;
상기 단차 보상층을 덮도록 제1 중간층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 중간층을 덮도록 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 중간층은 스퍼터링에 의해 ZTO(Zinc tin oxide)층을 상기 단차 보상층 상에 증착하여 형성되며, 상기 스퍼터링시 아르곤 가스와 함께 수소가스 또는 질소가스를 함께 주입하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 스퍼터링시 주입되는 상기 수소가스 또는 상기 질소가스의 함량은 상기 아르곤 가스 대비 0.002 내지 0.1인 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 봉지층을 형성하는 단계는,
주석을 포함하는 저온 점도 변화(Low temperature viscosity transition) 무기물을 상기 제1 중간층 상에 증착하는 단계; 및
증착된 상기 저온 점도 변화 무기물을 열처리하는 단계;를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 제1 중간층에 포함된 상기 주석과 상기 봉지층에 포함된 상기 주석은 공유결합을 형성하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 단차 보상층을 형성한 다음, 상기 단차 보상층을 덮도록 제2 중간층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
상기 제2 중간층은 SnO2로 형성되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130047694A KR20140128789A (ko) | 2013-04-29 | 2013-04-29 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| US14/036,479 US9006777B2 (en) | 2013-04-29 | 2013-09-25 | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same |
| CN201410066407.4A CN104124262A (zh) | 2013-04-29 | 2014-02-26 | 有机发光显示器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130047694A KR20140128789A (ko) | 2013-04-29 | 2013-04-29 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140128789A true KR20140128789A (ko) | 2014-11-06 |
Family
ID=51769616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130047694A KR20140128789A (ko) | 2013-04-29 | 2013-04-29 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9006777B2 (ko) |
| KR (1) | KR20140128789A (ko) |
| CN (1) | CN104124262A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160054867A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2960962B1 (en) | 2014-06-25 | 2020-04-01 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| CN110168135B (zh) * | 2017-01-12 | 2021-12-31 | 应用材料公司 | 硬涂层系统以及用于以连续卷绕式工艺制造硬涂层系统的方法 |
| CN109411417B (zh) * | 2017-08-18 | 2020-09-11 | 财团法人工业技术研究院 | 电子组件封装体以及显示面板 |
| CN109427991B (zh) * | 2017-08-25 | 2020-11-10 | Tcl科技集团股份有限公司 | 封装薄膜、电子装置及其制备方法 |
| TWI681870B (zh) * | 2018-12-27 | 2020-01-11 | 國立臺北科技大學 | 水氣阻障結構體的製造方法、水氣阻障結構體 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5397920A (en) * | 1994-03-24 | 1995-03-14 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light transmissive, electrically-conductive, oxide film and methods of production |
| KR100462469B1 (ko) | 2002-04-17 | 2004-12-17 | 한국전자통신연구원 | 접착식 유기-무기 복합막을 갖춘 엔캡슐레이션 박막과이를 포함하는 유기 전기발광 소자 |
| US7722929B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-05-25 | Corning Incorporated | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
| KR100873080B1 (ko) * | 2007-05-10 | 2008-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
| KR20100014822A (ko) * | 2007-05-30 | 2010-02-11 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 광학 소자 피복용 유리, 유리 피복 발광 소자 및 유리 피복 발광 장치 |
| KR100907400B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2009-07-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 발광표시장치 |
| US20110227075A1 (en) * | 2008-12-05 | 2011-09-22 | Dupont Displays, Inc. | Backplane structures for solution processed electronic devices |
| KR101649732B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2016-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR20120059855A (ko) * | 2010-12-01 | 2012-06-11 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP5585467B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2014-09-10 | 旭硝子株式会社 | ガラス、発光装置用のガラス被覆材および発光装置 |
| KR20140021398A (ko) * | 2012-08-10 | 2014-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101980234B1 (ko) * | 2012-10-30 | 2019-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법 |
| KR102052073B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2019-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
-
2013
- 2013-04-29 KR KR1020130047694A patent/KR20140128789A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-09-25 US US14/036,479 patent/US9006777B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-26 CN CN201410066407.4A patent/CN104124262A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160054867A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9006777B2 (en) | 2015-04-14 |
| CN104124262A (zh) | 2014-10-29 |
| US20140319476A1 (en) | 2014-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102034253B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102085319B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US9825255B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus | |
| US9252388B2 (en) | Organic light emitting diode (OLED) display | |
| KR102129035B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102048926B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102036327B1 (ko) | 유기발광장치 및 그 제조방법 | |
| KR102072806B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US20110143079A1 (en) | Substrate section for flexible display device, method of manufacturing substrate section, and method of manufacturing organic light emitting display device including substrate | |
| KR20140128789A (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US20150084012A1 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US9196863B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR20150045329A (ko) | 유기 발광 장치 | |
| KR20140123859A (ko) | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
| US9614181B2 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US9349989B2 (en) | Organic luminescence emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR101444065B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102239844B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102065587B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20160039106A (ko) | 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |