KR20140066014A - 금속 나노선과 전도성 폴리머를 포함하는 투명 전극 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
금속 나노선과 전도성 폴리머를 포함하는 투명 전극 및 그 제조방법이 제공되며, 투명 전극은 투명 기판, 상기 투명 기판 위에 위치하고 복수의 금속 나노선을 포함하는 금속 나노선 메쉬, 그리고 상기 복수의 금속 나노선을 덮고 있고 상기 복수의 금속 나노선 사이의 공간에서 상기 투명 기판과 접촉하는 전도성 폴리머를 포함한다.
Description
금속 나노선과 전도성 폴리머를 포함하는 투명 전극 및 그 제조방법이 제공된다.
투명 전극은 면저항 값이 1000Ω/□ 이하이면서 가시광선 영역에서 평균 광투과도가 80% 이상인 박막을 의미한다. 이러한 투명 전극은 태양전지, LCD, OLED 및 터치스크린 분야에서 널리 사용되고 있으며, 특히 전도성 및 광투과성이 우수한 ITO(Indium Tin Oxide) 투명 전극이 많이 활용되고 있다. 그러나, ITO 투명 전극은 고진공 및 고온의 환경에서 스퍼터링(sputtering) 증착 방식을 통해 제조된다는 점에서 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 연속 공정에는 적용이 어려우며, 플라스틱 기판에 증착이 어렵다. 또한, 최근 인듐(indium) 자원의 고갈로 인하여 ITO 투명 전극의 가격이 상승하고 있는 추세이다.
이에 따라 최근에는 ITO 투명 전극을 대체할 수 있는 투명 전극의 개발이 활발히 이루어지고 있으며, 전도성 폴리머 PEDOT:PSS, 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(Graphene), 금속 네트워크(Metal random network) 및 금속 격자(metal grid) 등이 각광받고 있다. 그러나, 전도성 폴리머 PEDOT:PSS와 탄소나노튜브, 그래핀 및 금속 네트워크를 이용한 투명 전극은 ITO 투명 전극에 비해 전기 전도도 특성이 저조하기 때문에 지속적인 개발이 필요하다. 또한, 금속 격자를 이용한 투명 전극은 ITO 투명 전극과 비슷한 성능을 가지나 나노 리소그라피(nano-lithography) 공정으로 제조되기 때문에 ITO 투명 전극보다 제조 비용이 상승하며 대면적화가 어렵다.
본 발명의 일 실시예가 해결하려는 과제는 금속 나노선에 의한 전기적 네트워크의 표면 거칠기를 감소시키고, 전기전도도를 개선하고, 표면 부착력을 개선하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예가 해결하려는 과제는 대면적의 소자를 상온 연속 공정으로 제조하기 위한 것이다.
상기 과제 이외에도 구체적으로 언급되지 않은 다른 과제를 달성하는 데 사용될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 실시예는, 투명 기판 위에 금속 나노선을 분무 코팅하여 금속 나노선 메쉬를 형성하는 단계, 그리고 상기 금속 나노선 메쉬 위에 전도성 폴리머를 분무 코팅하는 단계를 포함하는 투명 전극 제조방법을 일 실시예로 제안한다.
여기서, 상기 투명 기판, 상기 금속 나노선 메쉬, 그리고 상기 전도성 폴리머를 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 금속 나노선 메쉬를 형성하는 단계는, 상기 금속 나노선을 유기용매에 분산시킨 후 상기 투명 기판에 분무 코팅할 수 있다.
또한, 상기 유기용매는 이소프로판올(isopropanol), 에탄올(ethanol) 및 물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 용매일 수 있다.
또한, 상기 전도성 폴리머를 분무 코팅하는 단계는, 상기 전도성 폴리머를 유기용매에 분산시킨 후에 상기 금속 나노선 메쉬 위에 분무 코팅할 수 있다.
또한, 상기 전도성 폴리머를 분무 코팅하는 단계는, 상기 전도성 폴리머를 유기용매에 분산시킨 후에 극성 유기용매를 첨가하여 상기 금속 나노선 메쉬 위에 분무 코팅할 수 있다.
또한, 상기 극성 유기용매는 다이메틸설폭사이드(DMSO, dimethyl sulfoxide), N-메틸피롤리돈(NMP, N-methylpyrrolidone), 다이메틸폼아마이드(DMF, dimethylformanide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol) 및 소르비톨(sorbitol) 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 용매일 수 있다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 실시예는, 투명 기판, 상기 투명 기판 위에 위치하고 복수의 금속 나노선을 포함하는 금속 나노선 메쉬, 그리고 상기 복수의 금속 나노선을 덮고 있고 상기 복수의 금속 나노선 사이의 공간에서 상기 투명 기판과 접촉하는 전도성 폴리머를 포함하는 투명 전극을 일 실시예로 제안한다.
이때, 상기 복수의 금속 나노선은 상기 투명 기판과 접촉할 수 있으며, 상기 복수의 금속 나노선이 서로 중첩하는 부분이 축소될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 습식 분무 방식을 이용하여 투명 전극을 제조함으로써 대면적 및 연속 공정이 가능하며 종래 ITO 투명 전극 대비 가격 경쟁력을 높일 수 있다. 또한, 금속 나노선에 의한 전기적 네트워크의 밀도와 전도성 폴리머의 박막 두께를 이용하여 면저항 값과 표면 거칠기를 조절할 수 있다. 또한, 기판에 금속 나노선과 전도성 폴리머가 형성된 복합 구조를 통해 금속 나노선으로 형성된 전기적 네트워크의 특성을 향상시킬 수 있다는 점에서 상온 공정에서 제조가 가능하며, 금속 나노선의 표면 거칠기를 감소시켜 기판에서의 부착력을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노선과 전도성 폴리머를 이용한 투명 전극 제조방법을 도시한 도면이다.
도 2 및 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 기판 위에 형성된 은 나노선에 의한 전기적 네트워크의 전자주사현미경 사진이다.
도 4 및 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선에 의한 전기적 네트워크 위에 PEDOT:PSS를 분무한 투명 전극의 전자주사현미경 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극에서 은 나노선의 소결 온도 조건에 따른 면저항 변화와 은 나노선의 형상 변화를 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 PEDOT:PSS에 DMSO를 유기용매로 첨가한 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 전기 전도성을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 광 투과도 및 면저항 특성을 PEDOT:PSS 박막과 ITO 필름과 비교한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 굽힘에 의한 면저항을 ITO 필름과 비교한 그래프이다.
도 2 및 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 기판 위에 형성된 은 나노선에 의한 전기적 네트워크의 전자주사현미경 사진이다.
도 4 및 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선에 의한 전기적 네트워크 위에 PEDOT:PSS를 분무한 투명 전극의 전자주사현미경 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극에서 은 나노선의 소결 온도 조건에 따른 면저항 변화와 은 나노선의 형상 변화를 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 PEDOT:PSS에 DMSO를 유기용매로 첨가한 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 전기 전도성을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 광 투과도 및 면저항 특성을 PEDOT:PSS 박막과 ITO 필름과 비교한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 굽힘에 의한 면저항을 ITO 필름과 비교한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하며 여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.
명세서 전체에서 어느 부분이 다른 부분의 "위에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 수반되지 않는다.
또한, 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 임의적인 금속 나노선의 전기적 네트워크와 전도성 폴리머의 복합 구조에 의하여, 종래의 금속 나노선 및 전도성 폴리머 투명 전극이 가지는 높은 표면 거칠기, 낮은 전기전도도, 그리고 낮은 표면 부착력이 개선될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 유기 용매에 분산된 금속 나노선을 친수 처리된 투명기판 위로 분무 코팅하여 임의적인 네트워크를 형성하고, 전도성 폴리머를 이미 형성된 금속 나노선 위에 분무 코팅하고 중합반응을 일으키는 단계를 포함할 수 있으며, 이에 따라 종래의 금속 나노선 투명 전극에서 나타나는 높은 표면 거칠기 및 낮은 표면 부착력이 개선될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전도성 폴리머와 금속 입자의 혼합 및 분산 공정이 불필요하며, 금속 나노선 메쉬(mesh) 밀도 및 전도성 폴리머 박막 두께 조절을 통해 면 저항이 1000Ω/□이하, 표면 거칠기가 수 nm까지 자유롭게 조절될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 나노선의 고온 소결 공정을 이용하지 않고, 금속 나노선의 상층 폴리머 박막의 화학적 처리 공정을 이용하여 전도성이 개선될 수 있으며, 이러한 공정은 상온에서도 적용될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 낮은 온도(상온)에서의 연속 공정이 가능하므로 플렉서블 디스플레이, 유기 태양전지, 터치스크린, OLED, LCD 등 여러 광전자 소자산업으로 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 나노선과 전도성 폴리머의 순차적인 분무 코팅에 의하여, 금속 나노선과 전도성 폴리머의 혼합 상태에서의 금속 나노선-전도성 폴리머 계면에서 발생되는 높은 접촉 저항에 따른 투명 전극의 전기전도도 저하가 방지될 수 있고, 금속 나노선 메쉬 박막 표면에서의 200~300nm 수준의 높은 표면 거칠기에 따른 낮은 분로 저항(shunt resistance)에 의한 광전자소자의 효율 감소가 방지될 수 있다. 순차적인 분무 코팅에 의하여 제조된 투명 전극은 종래의 금속 나노선 투명 전극에 비해 월등히 감소된 표면 거칠기 값을 가지며 우수한 기판과의 부착력을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예는 습식 분무 방식에 의해 공정이 진행되기 때문에 상온 및 상압 조건에서 연속 공정이 가능하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 1) 플라즈마 처리에 의해 친수화된 투명기판 위로 금속 나노선을 분무 코팅하여 임의적인 전기적 네트워크가 형성되며, 이때 금속 나노선은 유기 용매에 분산된 상태이며 체적 농도는 금속 나노선간의 응집이 최소화될 수 있는 농도로 특별히 제한되지 않으며, 2) 금속 나노선 메쉬 사이의 빈 공간에서의 전기적 단선을 최소화하고 표면 거칠기를 감소시킬 목적으로 전도성 폴리머를 이미 형성된 금속 나노선 메쉬 위로 분무 코팅을 한 후, 중합하는 과정에 의해 금속 나노선-전도성 폴리머 복합 구조가 형성될 수 있다. 이때 임의적인 금속 나노선 메쉬 형성 후 금속 나노선간의 접촉 저항 감소를 위하여 소결 공정을 통해 금속 나노선간의 접촉점을 융합시키는 과정이 선택적으로 진행될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노선과 전도성 폴리머를 이용한 투명 전극 제조방법을 도시한 도면이다.
먼저, 투명 기판(10) 위에 금속 나노선이 분산된 유기용매를 분무하여(s101) 금속 나노선 메쉬(20)를 형성한다(s102). 금속 나노선 메쉬(20)는 전기적 네트워크라고도 한다. 이때, 유기용매에 분산된 금속 나노선의 체적 농도 범위는 대략0.05 ~ 1.0 mg/ml일 수 있으며, 이는 금속 나노선 간의 응집이 최소화될 수 있는 체적 농도 범위일 수 있다.
투명 기판(10)은 친수 처리하여 사용될 수 있으며, 투명 기판(10)의 재료는 소다라임(sodalime) 계열의 투명 유리(glass), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(polybutylene terephthalate) 등의 투명 고분자 필름 등일 수 있다.
도 1의 일 실시예에서는 금속 나노선으로 은(Ag)을 사용하였으나, 이 외에 금 또는 구리 등의 사용이 가능하다. 이때, 분산을 위하여 표면에 PVP(polyvinylpyrrolidone)가 코팅되지 않은 금속 나노선이 사용될 수 있으며, 금속 나노선을 분산시키는 유기용매로는 이소프로판올(isopropanol), 에탄올(ethanol), 물 등이 사용될 수 있다. 이로 인하여, 금속 나노선 메쉬(20)가 형성된 후 PVP를 제거하기 위한 종래의 고온 열처리 공정이 생략될 수 있다.
도 2 및 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 기판 위에 형성된 은 나노선에 의한 전기적 네트워크의 전자주사현미경 사진이다.
도 2에서 보면, 금속 나노선 메쉬(20)가 투명 기판(10) 위에 전체적으로 균일하게 형성된 것을 확인할 수 있다. 금속 나노선 메쉬(20)에서 금속 나노선들 일부는 투명 기판(10)과 접촉한다. 도 2와 같이 전기적 네트워크를 균일하게 형성하기 위해서 은 나노선 분산제를 특정 침투 역치(percolating threshold) 이상으로 분무할 수 있다. 이때, 침투 역치는 은 나노선의 직경 및 길이에 의해 결정되며 아래의 수학식 1과 같다.
여기서, l은 은 나노선의 길이이며, Nc는 전기적 네트워크의 임계 밀도이다.
도 3에서는 은 나노선이 투명 기판(10)의 표면 위로 돌출된 형태임을 확인할 수 있다.
다시 도 1의 설명으로 돌아가서, 투명 기판(10)에 형성된 금속 나노선 메쉬(20) 위에 전도성 폴리머(30)를 분무한다(s103). 이로 인하여, 도 3의 은 나노선에 의한 전기적 네트워크의 표면 거칠기를 감소시킬 수 있으며, 전도성 폴리머(30)를 통해 은 나노선간의 전자 이동이 활발히 이루어질 수 있다. 이때 투명 기판(10), 금속 나노선 메쉬(20), 그리고 전도성 폴리머(30)는 가열될 수 있다. 예를 들어, 대략 60℃로 가열될 수 있다.
이때, 전도성 폴리머(30)는 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리(3,4-에틸렌티오펜)의 유도체나, 공중합물, π-공액계 수용성 고분자, 유기용매 전도성 고분자 등이 사용 가능하며, 수용액의 형태로 적용될 수 있다. 도 1의 본 발명의 일 실시예에서는 전도성 폴리머(30)인 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌술포네이트)(PEDOT:PSS)를 에탄올(ethanol)에 희석하여 사용하였으며, 이로 인하여 PEDOT:PSS의 점도 및 표면장력이 감소될 수 있고 저온의 분무 조건에서 얼룩(coffee-stain) 영향을 최소화하여 균일한 박막이 형성될 수 있다.
또한, 투명 전극의 전기 전도성을 향상시키기 위하여 전도성 폴리머(40)에 극성 유기용매가 첨가되어 분무될 수 있으며, 이에 따라 종래의 투명 전극 제조 공정에서 고온의 소결 공정은 생략될 수 있다. 예를 들어, 극성 유기용매는 다이메틸설폭사이드(DMSO, dimethyl sulfoxide), N-메틸피롤리돈(NMP, N-methylpyrrolidone), 다이메틸폼아마이드(DMF, dimethylformanide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol) 및 소르비톨(sorbitol) 등을 사용할 수 있다.
마지막으로, 중합 과정을 통해 금속 나노선 메쉬(20)와 전도성 폴리머 PEDOT:PSS(30)의 복합 구조를 갖는 투명 전극(100)을 형성한다(s104).
도 4 및 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선에 의한 전기적 네트워크 위에 PEDOT:PSS를 분무한 투명 전극의 전자주사현미경 사진이다.
도 4에서는, 은 나노선에 의한 전기적 네트워크(20)가 형성된 투명 기판(10) 위에 전도성 폴리머 PEDOT:PSS(30)를 형성 시킨 후에도 전기적 네트워크(20)가 유지됨을 확인할 수 있다.
또한, 도 5에서는, 도 3을 통해 확인되었던 투명 기판(10)의 표면 위로 돌출된 은 나노선들이 투명 기판(10)의 표면으로 부착되고, 전도성 폴리머(30)에 의하여 은 나노선 간의 중첩부분이 눌려서 축소되어 표면 거칠기가 감소한 것을 확인할 수 있다. 이는 전도성 폴리머의 중합과정에서 표면결합력이 높아진 결과로 은 나노선 간의 전기적 접촉 효율이 향상됨을 의미한다. 전도성 폴리머(30) 중 적어도 일부는 금속 나노선 메쉬(20)에서 나노선들을 덮고 있으며, 전도성 폴리머(30) 중 적어도 일부는 금속 나노선 메쉬(20)에서 나노선들의 사이의 공간으로 침투하여 투명 기판(10)과 접촉한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극에서 은 나노선의 소결 온도 조건에 따른 면저항 변화와 은 나노선의 형상 변화를 보여주는 그래프이다.
도 6은 이소프로판올에 은 나노선을 약 0.2mg/cc의 농도로 분산시킨 분산제를 투명 기판(10)에 분무 코팅하여 금속 나노선 메쉬(20)를 형성시킨 후 은 나노선 간의 접촉저항을 감소시키기 위한 소결 공정에서의 온도조건에 따른 면저항을 나타낸다. 이때, 은 나노선의 직경은 약 100-130nm, 길이는 약 20-40㎛이며, 전도성 폴리머는 PEDOT:PSS가 사용되었다.
도 6에서 보면, 은 나노선은 약 140℃에서 약 3.94Ω/□ 로 가장 낮은 면저항 값을 가지며, 은 나노선에 의한 전기적 네트워크에 소결 공정을 진행하지 않은 채 PEDOT:PSS를 형성 시킨 경우, 약 4.76Ω/□의 면저항으로 높은 전기전도도를 가짐을 확인할 수 있다. 이는 PEDOT:PSS의 용매 증발 및 중합과정 중에 은 나노선 간의 접촉력이 강화되어 소결 공정을 거치지 않더라도 은 나노선 간의 접촉저항 감소로 면저항 값이 감소한 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 PEDOT:PSS에 DMSO를 유기용매로 첨가한 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 전기 전도성을 보여주는 그래프이다.
도 7은 전도성 폴리머에 극성 유기용매를 첨가하였을 경우 은 나노선의 면저항이 대략 13.7% 감소됨을 확인할 수 있다. 이때, 전도성 폴리머 PEDOT:PSS이 분산된 수용액에는 디메틸설폭시드(DMSO)을 약 5wt% 첨가하였으며 이소프로판올 용액에 희석된 상태로 금속 나노선 메쉬(20) 위로 분무하였다. 이로 인하여 종래 투명 전극의 전기전도도를 향상시키기 위한 방법인 고온 소결 공정을 생략함으로써 저온공정에서 전기전도도가 높은 투명 전극을 제조할 수 있음을 알 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 광 투과도 및 면저항 특성을 PEDOT:PSS 박막과 ITO 필름과 비교한 그래프이다.
도 8에서 보면, 약 100nm 두께의 PEDOT:PSS 박막의 광투과도는 약 95.7%(λ=550nm)이며, 면저항 값이 약 14.94Ω/□인 ITO 필름의 광투과도는 약 96.5%(λ=550nm)이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 면저항값이 약 10.76Ω/□인 투명 전극의 광투과도는 약 85%로, ITO 필름보다 낮은 투과 특성을 가진다. 그러나, ITO 필름의 경우 자외선 영역에서 매우 낮은 광투과도를 보이며 가시광선 영역에서는 불균일한 투과 특성을 나타내지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극은 가시광선 전 영역에서 균일한 투과 특성을 나타내므로 ITO 필름보다 광전기적 특성이 우수함을 확인할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노선-PEDOT:PSS 투명 전극의 굽힘에 의한 면저항을 ITO 필름과 비교한 그래프이다.
도 9에서 보면, 굽힘 강도에 따라 ITO 필름의 면저항 값은 급격히 변화하는데 반해, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극은 면저항 값의 변화가 거의 없음을 알 수 있다. 또한, 이로 인해 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극이 ITO 필름보다 굽힘에 의한 전기적 안정성이 매우 우수함을 확인할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10 : 투명 기판 20 : 금속 나노선 메쉬
30 : 전도성 폴리머 100 : 투명 전극
30 : 전도성 폴리머 100 : 투명 전극
Claims (10)
- 투명 기판 위에 금속 나노선을 분무 코팅하여 금속 나노선 메쉬를 형성하는 단계, 그리고
상기 금속 나노선 메쉬 위에 전도성 폴리머를 분무 코팅하는 단계
를 포함하는 투명 전극 제조방법. - 제1항에서,
상기 투명 기판, 상기 금속 나노선 메쉬, 그리고 상기 전도성 폴리머를 가열하는 단계를 더 포함하는 투명 전극 제조방법. - 제1항에서,
상기 금속 나노선 메쉬를 형성하는 단계는, 상기 금속 나노선을 유기용매에 분산시킨 후 상기 투명 기판에 분무 코팅하는 투명 전극 제조방법. - 제3항에서,
상기 유기용매는 이소프로판올(isopropanol), 에탄올(ethanol) 및 물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 용매인 투명 전극 제조방법. - 제1항에서,
상기 전도성 폴리머를 분무 코팅하는 단계는, 상기 전도성 폴리머를 유기용매에 분산시킨 후에 상기 금속 나노선 메쉬 위에 분무 코팅하는 투명 전극 제조방법. - 제1항에서,
상기 전도성 폴리머를 분무 코팅하는 단계는, 상기 전도성 폴리머를 유기용매에 분산시킨 후에 극성 유기용매를 첨가하여 상기 금속 나노선 메쉬 위에 분무 코팅하는 투명 전극 제조방법. - 제6항에서,
상기 극성 유기용매는 다이메틸설폭사이드(DMSO, dimethyl sulfoxide), N-메틸피롤리돈(NMP, N-methylpyrrolidone), 다이메틸폼아마이드(DMF, dimethylformanide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol) 및 소르비톨(sorbitol) 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 용매인 투명 전극 제조방법. - 투명 기판,
상기 투명 기판 위에 위치하고 복수의 금속 나노선을 포함하는 금속 나노선 메쉬, 그리고
상기 복수의 금속 나노선을 덮고 있고 상기 복수의 금속 나노선 사이의 공간에서 상기 투명 기판과 접촉하는 전도성 폴리머
를 포함하는 투명 전극. - 제8항에서,
상기 복수의 금속 나노선은 상기 투명 기판과 접촉하는 투명 전극. - 제9항에서,
상기 복수의 금속 나노선이 서로 중첩하는 부분이 축소되어 있는 투명 전극.
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CN106200020A (zh) * | 2016-07-07 | 2016-12-07 | 苏州大学 | 一种径向各向异性纳米线所受光力的操控方法 |
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