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KR20130049108A - Liquid crystal display device having multi column spacer - Google Patents

Liquid crystal display device having multi column spacer Download PDF

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KR20130049108A
KR20130049108A KR1020110114163A KR20110114163A KR20130049108A KR 20130049108 A KR20130049108 A KR 20130049108A KR 1020110114163 A KR1020110114163 A KR 1020110114163A KR 20110114163 A KR20110114163 A KR 20110114163A KR 20130049108 A KR20130049108 A KR 20130049108A
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KR
South Korea
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substrate
column spacer
layer
color filter
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR1020110114163A
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Korean (ko)
Inventor
이민경
박승렬
손경모
이진복
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display device having a multi column spacer is provided to prevent the fault of touch and compression by arranging a gap spacer and a compression spacer in a liquid crystal display panel. CONSTITUTION: A first substrate(103) includes pixels and a thin film transistor. A second substrate(105) includes a color filter layer, an opening part, and an overcoat layer. A first column spacer(108) is formed in the overcoat layer on the color filter layer and is contacted with the first substrate. A second column spacer(109) is formed in the overcoat layer of the opening part and is separated from the first substrate. The second column spacer is contacted with the first substrate by external force.

Description

다중 컬럼스페이서를 보유한 액정표시소자{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING MULTI COLUMN SPACER}Liquid crystal display device having multiple column spacers {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING MULTI COLUMN SPACER}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 액정패널의 위치에 따라 갭스페이서(gap spacer)와 눌림스페이서(pressure spacer)를 형성함으로써 터치(touch)불량과 눌림불량을 방지할 수 있는 액정표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of preventing touch and press failure by forming a gap spacer and a pressure spacer according to the position of the liquid crystal panel. It is about.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.2. Description of the Related Art Recently, various portable electronic devices such as a mobile phone, a PDA, and a notebook computer have been developed. Accordingly, there is a growing need for a flat panel display device for a light and small size. Such flat panel displays are being actively researched, such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), FED (Field Emission Display), VFD (Vacuum Fluorescent Display), but mass production technology, ease of driving means, Liquid crystal display devices (LCDs) are in the spotlight for reasons of implementation.

도 1은 일반적인 액정패널(liquid crystal display panel)의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다. 도면에 도시한 바와 같이, 액정패널(1)는 하부기판(5)과 상부기판(3) 및 상기 하부기판(5)과 상부기판(3) 사이에 형성된 액정층(7)으로 구성되어 있다. 하부기판(5)은 구동소자 어레이(Array)기판으로써, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 하부기판(5)에는 복수의 화소(pixel)가 형성되어 있으며, 각각의 화소에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)와 같은 구동소자(driving device)가 형성되고, 상부기판(3)은 컬러필터(Color Filter)기판으로써, 실제 칼라를 구현하기 위한 칼라필터층이 형성되어 있다. 또한, 상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)에는 각각 화소전극 및 공통전극(common electrode)이 형성되어 있으며 액정층(7)의 액정분자를 배향하기 위한 배향막(alignment layer)이 도포되어 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a typical liquid crystal display panel. As shown in the figure, the liquid crystal panel 1 is composed of a lower substrate 5 and an upper substrate 3 and a liquid crystal layer 7 formed between the lower substrate 5 and the upper substrate 3. Although the lower substrate 5 is a driving element array substrate, although not shown in the drawing, a plurality of pixels are formed on the lower substrate 5, and each pixel is a thin film transistor. A driving device is formed, and the upper substrate 3 is a color filter substrate, and a color filter layer for realizing color is formed. In addition, a pixel electrode and a common electrode are formed on the lower substrate 5 and the upper substrate 3, respectively, and an alignment layer for aligning the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 7 is coated. .

상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)은 기판의 외곽에 형성된 실런트(sealant;9)에 의해 합착되며, 이들(상부기판 및 하부기판) 사이에 형성된 스페이서(spacer;8)에 의해 일정한 셀갭(cell gap)을 유지한다. 그리고, 상기 기판들(3,5) 사이에 형성된 액정층(7)이 상기 하부기판(5)에 형성된 구동소자에 의해 액정분자를 구동하여 액정층을 투과하는 광량을 제어함으로써 정보를 표시하게 된다.The lower substrate 5 and the upper substrate 3 are bonded by a sealant 9 formed on the outer periphery of the substrate and have a constant cell gap by a spacer 8 formed between them (the upper substrate and the lower substrate). Keep the cell gap. In addition, the liquid crystal layer 7 formed between the substrates 3 and 5 drives the liquid crystal molecules by a driving element formed on the lower substrate 5 to display information by controlling the amount of light passing through the liquid crystal layer. .

상기와 같이 구성된 액정패널은 하부기판(5)에 구동소자를 형성하는 구동소자 어레이기판공정에 의해서 형성되고, 상기 상부기판(3)은 칼라필터를 형성하는 칼라필터기판공정에 의해서 형성된다. 이후에, 스페이서 및 실런트형성공정을 통해 액정표소자가 완성된다.The liquid crystal panel configured as described above is formed by a drive element array substrate process of forming a drive element on the lower substrate 5, and the upper substrate 3 is formed by a color filter substrate process of forming a color filter. Thereafter, the liquid crystal display device is completed through a spacer and a sealant forming process.

구동소자 어레이기판공정은 하부기판(5)상에 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(Gate Line) 및 데이터라인(Data Line)을 형성하고 상기 화소영역 각각에 상기 게이트라인과 데이터라인에 접속되는 구동소자인 박막트랜지스터(thin film transistor)를 형성한 후, 박막트랜지스터에 접속되어 박막트랜지스터를 통해 신호가 인가됨에 따라 액정층을 구동하는 화소전극을 형성함으로써 이루어진다.In the driving element array substrate process, a plurality of gate lines and data lines are formed on the lower substrate 5 to define pixel regions, and the gate lines and data lines are respectively formed in the pixel regions. After forming a thin film transistor, which is a driving element to be connected, the pixel electrode is connected to the thin film transistor and forms a pixel electrode for driving a liquid crystal layer as a signal is applied through the thin film transistor.

또한, 칼라필터기판공정은 상부기판(3)에 블랙매트릭스를 형성한 후, 그 상부에 칼라필터(2)를 형성한 다음, 공통전극(4)을 형성함으로써 이루어진다.In addition, the color filter substrate process is performed by forming a black matrix on the upper substrate 3, forming a color filter 2 on the upper substrate, and then forming a common electrode 4.

상기 스페이서로는 주로 컬럼스페이서(column spacer)를 사용한다. 종전에는 주로 볼스페이서(ball spacer)를 사용했지만, 볼스페이서의 경우 산포(scattering)시 서로 뭉치는 등 불균일하게 산포되어 액정패널의 셀갭을 일정하게 유지하기 어렵다는 문제가 있을 뿐만 아니라 산포에 의해 액정패널의 표시영역에 볼스페이서가 불규칙적으로 분포하여 개구율(aperature ratio)을 저하시키는 문제가 있었다.The spacer is mainly used as a column spacer (column spacer). Previously, ball spacers were mainly used, but ball spacers have a problem that it is difficult to maintain the cell gap of the liquid crystal panel uniformly due to uneven dispersion such as agglomeration with each other during scattering. There was a problem in that the ball spacers were irregularly distributed in the display area of to lower the aperture ratio.

그래서, 근래에는 주로 컬럼스페이서를 사용하는데, 그 이유는 컬럼스페이서는 액정패널 전체에 걸쳐 동일한 밀도로 원하는 위치에 형성할 수 있기 때문이다. 이와 같이, 원하는 위치에 컬럼스페이서를 형성함에 따라 액정표시소자의 셀갭을 일정하게 유지하고 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.Therefore, in recent years, mainly a column spacer is used because the column spacer can be formed at a desired position with the same density throughout the liquid crystal panel. As such, by forming the column spacer at a desired position, the cell gap of the liquid crystal display device can be kept constant and the aperture ratio can be prevented from being lowered.

그러나, 이러한 컬럼스페이서는 다음과 같은 문제가 발생한다.However, these column spacers have the following problems.

첫째, 액정표시소자에 터치(touch)불량이 발생한다. 즉, 액정표시소자의 표면을 쓸어 내리는 경우 쓸어 내린 부위의 휘도가 불균일하게 되어 얼룩이 발생하게 되는 것이다.First, touch defects occur in the liquid crystal display. That is, when sweeping the surface of the liquid crystal display device, the luminance of the sweeped portion becomes uneven and staining occurs.

둘째, 눌림불량이 발생한다. 즉, 액정표시소자의 표면을 일정한 힘으로 누르는 경우 컬러필터기판이나 박막트랜지스터기판이 변형되어 해당 부위에 얼룩이 발생하게 되는 것이다.Second, poor pressurization occurs. That is, when the surface of the liquid crystal display is pressed with a constant force, the color filter substrate or the thin film transistor substrate is deformed, and staining occurs in the corresponding portion.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 상부기판과 하부기판 사이에 갭스페이서와 눌림스페이서를 형성하여 터치불량과 눌림불량을 방지할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent a touch defect and a press failure by forming a gap spacer and a pressing spacer between an upper substrate and a lower substrate. do.

본 발명의 다른 목적은 갭스페이서와 눌림스페이서를 한번의 공정에 의해 동일한 높이로 형성하고 컬러필터층에 형성된 개구부에 의해 눌림스페이서를 기판으로부터 이격시킴으로써 제조공정을 단순화할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to form a gap spacer and a pressing spacer at the same height in one step, and to separate the pressing spacer from the substrate by an opening formed in the color filter layer, thereby simplifying the manufacturing process, and a manufacturing method thereof. To provide.

본 발명의 또 다른 목적은 기판 사이와의 간격이 서로 다른 제1눌림스페이서 및 제2눌림스페이서를 형성함으로써 외력이 인가되는 경우 터치불량과 눌림불량을 동시에 방지할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to form a first pressing spacer and a second pressing spacer having different spacing between substrates, and thus a liquid crystal display device capable of simultaneously preventing touch and pressing failure when an external force is applied, and a manufacturing method thereof. To provide.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 액정표시소자는 게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 화소 및 상기 각각의 화소에 형성된 박막트랜지스터를 포함하는 제1기판; 컬러필터층, 상기 컬러필터층에 형성된 개구부 및 상기 컬러필터층 및 개구부 위에 형성된 오버코트층을 포함하는 제2기판; 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층; 제2기판의 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성되어 제1기판과 접촉하는 제1컬럼스페이서; 제2기판의 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성되고 상기 제1컬럼스페이서 보다 작은 높이로 형성되어 상기 제1기판과 설정거리 이격되어 외력이 인가됨에 따라 제1기판과 접촉하는 제2컬럼스페이서; 제2기판의 상기 개구부의 오버코트층에 형성되어 상기 제1기판과는 설정 거리 이격되며, 외력이 인가됨에 따라 제1기판과 접촉하는 제3컬럼스페이서로 구성된다.In order to achieve the above object, the liquid crystal display device according to the present invention comprises a first substrate comprising a plurality of pixels defined by the gate line and the data line and a thin film transistor formed on each pixel; A second substrate including a color filter layer, an opening formed in the color filter layer, and an overcoat layer formed on the color filter layer and the opening; A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate; A first column spacer formed on the overcoat layer on the color filter layer of the second substrate and in contact with the first substrate; A second column spacer formed on the overcoat layer on the color filter layer of the second substrate, the second column spacer being formed at a height smaller than the first column spacer and contacting the first substrate as an external force is applied at a predetermined distance from the first substrate; It is formed in the overcoat layer of the opening of the second substrate is spaced apart from the first substrate by a predetermined distance, and consists of a third column spacer in contact with the first substrate as an external force is applied.

상기 제1컬럼스페이서의 높이는 제2컬럼스페이서의 높이보다 크고, 제2컬럼스페이서의 높이는 제3컬럼스페이서의 높이와 동일하며, 제2컬럼스페이서와 제1기판의 이격거리는 제3컬럼스페이서와 제2기판의 이격거리 보다 작다.The height of the first column spacer is greater than the height of the second column spacer, the height of the second column spacer is the same as the height of the third column spacer, and the separation distance between the second column spacer and the first substrate is the third column spacer and the second substrate spacer. It is smaller than the separation distance of the substrate.

또한, 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법은 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계; 제2기판에 개구부가 형성된 컬러필터층을 형성하는 단계; 상기 제2기판 전체에 걸쳐 오버코트층을 형성하는 단계; 상기 오버코트층 위에 감광성 절연층을 적층하는 단계; 포토공정에 의해 상기 감광성 절연층을 패터닝하여 제2기판의 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 제1기판과 접촉하는 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서를 형성하고 제2기판의 상기 개구부의 오버코트층에 제1기판과 이격된 제3컬럼스페이서를 형성하는 단계; 및 액정층을 사이에 두고 제1기판 및 제2기판을 합착하는 단계로 구성되며, 상기 제2컬럼스페이서와 제1기판의 이격거리가 제3컬럼스페이서와 제2기판의 이격거리 보다 작은 것을 특징으로 한다.In addition, the liquid crystal display device manufacturing method according to the present invention comprises the steps of providing a first substrate and a second substrate; Forming a color filter layer having an opening formed in the second substrate; Forming an overcoat layer over the second substrate; Stacking a photosensitive insulating layer on the overcoat layer; The photosensitive insulating layer is patterned by a photo process to form a first column spacer and a second column spacer in contact with the first substrate on the overcoat layer on the color filter layer of the second substrate, and the overcoat layer of the opening of the second substrate. Forming a third column spacer spaced apart from the first substrate; And bonding the first substrate and the second substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween, wherein the separation distance between the second column spacer and the first substrate is smaller than the separation distance between the third column spacer and the second substrate. It is done.

본 발명에서는 액정패널 내에 갭스페이서와 눌림스페이서를 배치함으로써 터치불량 및 눌림불량을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 상기 갭스페이서와 눌림스페이서를 저가의 마스크를 이용하여 한번의 공정에 의해 형성하므로, 공정을 단순화하고 제조비용을 절감할 수 있게 된다.In the present invention, the touch gap and the press failure can be prevented by disposing the gap spacer and the pressing spacer in the liquid crystal panel. In addition, in the present invention, since the gap spacer and the pressing spacer are formed by one process using a low-cost mask, the process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

그리고, 본 발명에서는 눌림스페이서를 기판과 다른 간격을 갖는 복수개로 형성하여 외부의 외력에 의해 기판을 지지하는 스페이서의 갯수를 다르게 함으로써 외력의 인가시 터치불량 및 눌림불량을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.In addition, in the present invention, by forming a plurality of pressing spacers having a different distance from the substrate, by varying the number of spacers supporting the substrate by an external external force, it is possible to effectively prevent touch and pressing failure when the external force is applied.

도 1은 액정패널을 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 액정패널의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 액정패널의 평면도.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면.
도 5a~도 5c는 컬럼스페이서의 배치를 나타내는 화소배열.
도 6a~도 6d는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면.
도 8a~도 8d는 본 발명의 제2실시예에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.
1 is a cross-sectional view schematically showing a liquid crystal panel.
2 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel according to the present invention.
3 is a plan view of a liquid crystal panel according to the present invention;
4 is a view showing the structure of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
5A to 5C are pixel arrays showing the arrangement of the column spacers.
6A to 6D illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
7 is a view showing the structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
8A to 8D illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

액정표시소자에 터치불량이 발생하는 이유는 컬럼스페이서와 기판의 접촉에 기인한다. 즉, 컬럼스페이서가 기판과 접촉하므로 컬럼스페이서와 기판 사이에는 마찰력이 발생하며, 이 마찰력에 의해 기판이 터치되었을 때 액정이 원상채로 되돌아오지 못하게 되어 해당 부위에 얼룩이 발생하는 것이다. 이러한 터치불량을 방지하는 가장 좋은 방법은 기판과 접촉하는 컬럼스페이서를 최소화하는 것이다.The reason why touch defects occur in the liquid crystal display device is due to the contact between the column spacer and the substrate. That is, since the column spacer is in contact with the substrate, a friction force is generated between the column spacer and the substrate, and when the substrate is touched by the friction force, the liquid crystal does not return to the original shape and stains occur in the corresponding area. The best way to prevent this touch failure is to minimize the column spacer in contact with the substrate.

한편, 눌림불량은 기판에 압력이 인가되었을 때 컬러필터기판 및 박막트랜지스터기판에 변형이 발생하여 발생하는 것으로, 이러한 눌림불량을 방지하는 가장 좋은 방법은 컬럼스페이서를 최대화하여 기판에 압력이 인가되었을 때 기판의 변형을 방지하는 것이다.On the other hand, the pressing failure is caused by deformation of the color filter substrate and the thin film transistor substrate when the pressure is applied to the substrate, the best way to prevent such pressing failure is to maximize the column spacer when the pressure is applied to the substrate It is to prevent deformation of the substrate.

상기와 같이, 터치불량과 눌림불량은 서로 반대의 경우에 발생한다. 즉, 컬럼스페이서의 밀도가 증가하면 컬럼스페이서아 기판의 접촉면적이 증가하기 때문에 터치불량이 많이 발생하는 대신, 기판에 인가되는 압력에 대항하는 힘이 커지기 때문에 눌림불량은 감소하게 된다. 반대로, 컬럼스페이서의 밀도가 감소하면 컬럼스페이서와 기판의 접촉면적이 감소하여 터치불량은 감소하는 대신, 기판에 대한 압력에 의해 기판의 변형이 용이하게 되어 눌림불량은 증가하게 된다.As described above, the touch failure and the depression failure occur in opposite cases. That is, when the density of the column spacer increases, the contact area of the column spacer increases, so that a large amount of touch defects occur, and thus, the pressing defect decreases because a force against the pressure applied to the substrate increases. On the contrary, when the density of the column spacer decreases, the contact area between the column spacer and the substrate decreases, thereby reducing touch defects. Instead, the deformation of the substrate is facilitated by the pressure on the substrate, thereby increasing the pressing failure.

이와 같이, 터치불량과 눌림불량은 동시에 나빠지거나 개선되는 것이 아니라 한쪽이 개선되면 다른 쪽이 나빠지게 되는 서로 상반되는 관계를 갖는다. 따라서, 단순히 컬럼스페이서의 갯수, 즉 밀도를 조절하는 것으로는 두가지 특성을 만족시킬 수 없게 된다.As described above, the touch failure and the bad depression are not deteriorated or improved at the same time, but have a mutually opposite relationship in which the other side becomes worse when one side is improved. Therefore, simply adjusting the number of column spacers, that is, the density, cannot satisfy the two characteristics.

본 발명에서는 이러한 두가지 특성, 즉 터치불량과 눌림불량을 최소화하기 위해 새로운 방식의 컬럼스페이서를 제공하는데, 이러한 새로운 컬럼스페이서의 기본적인 개념이 도 2에 도시되어 있다.The present invention provides a new type of column spacer in order to minimize these two characteristics, namely touch failure and depression. The basic concept of the new column spacer is illustrated in FIG. 2.

도 2에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터와 같은 구동소자 어레이가 형성된 제1기판(103)과 컬러필터가 형성된 제2기판(105)은 실런트(106)에 의해 합착되고 그 사이에는 액정층(107)이 형성된다. 상기 제2기판(105)에는 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)가 형성되어 있다. 이때, 상기 제1컬럼스페이서(108)는 제2컬럼스페이서(109) 보다 큰 높이로 형성되어 제1컬럼스페이서(108)는 제1기판(103)과 접촉하는 반면에, 제2컬럼스페이서(109)는 제1기판(103)과는 일정한 간격을 유지하고 있다.As shown in FIG. 2, the first substrate 103 having the driving element array such as the thin film transistor and the second substrate 105 having the color filter are bonded by the sealant 106, and the liquid crystal layer 107 therebetween. ) Is formed. A first column spacer 108 and a second column spacer 109 are formed on the second substrate 105. In this case, the first column spacer 108 is formed to have a height greater than that of the second column spacer 109 so that the first column spacer 108 contacts the first substrate 103, while the second column spacer 109 is formed. Is maintained at a constant distance from the first substrate 103.

상기 제1컬럼스페이서(108)는 제1기판(103)과 접촉하여 제2기판(105) 및 제1기판(103) 사이의 셀갭을 일정하게 유지한다. 이러한 의미에서 상기 제1컬럼스페이서(108)는 셀갭을 유지하는 갭스페이서라고 칭할 수 있을 것이다.The first column spacer 108 contacts the first substrate 103 to maintain a constant cell gap between the second substrate 105 and the first substrate 103. In this sense, the first column spacer 108 may be referred to as a gap spacer that maintains a cell gap.

상기 제2컬럼스페이서(109)는 제1기판(103)과 일정 간격 떨어져 있기 때문에, 제1기판(103)과는 접촉하지 않는다. 그러나, 기판(103,105)에 압력이 인가되었을 때 상기 제2컬럼스페이서(109)가 상기 제2기판(105) 및 제1기판(103)과 접촉하여 상기 제2기판(105) 및 제1기판(103)이 변형되는 것을 방지한다. 이러한 의미에서 상기 제2컬럼스페이서(109)는 눌림스페이서라고 칭할 수 있을 것이다.Since the second column spacer 109 is spaced apart from the first substrate 103 by a predetermined distance, the second column spacer 109 does not contact the first substrate 103. However, when pressure is applied to the substrates 103 and 105, the second column spacer 109 is in contact with the second substrate 105 and the first substrate 103 so that the second substrate 105 and the first substrate ( 103 is prevented from being deformed. In this sense, the second column spacer 109 may be referred to as a pressing spacer.

한편, 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)는 제2기판(105)에 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성된다. 즉, 수지와 같은 절연물질을 도포한 후, 포토공정에 의해 서로 다른 두께의 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)를 형성하는 것이다. 그러나, 이러한 공정에서는 서로 다른 두께의 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)를 형성하기 위해, 포토공정을 2회 실행하거나 고가의 하프톤마스크(half-tone mask)를 사용하여 1회의 포토공정을 실행해야만 한다. 다시 말해서, 서로 다른 두께의 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)를 형성하기 위해서는 복잡한 공정을 실행하거나 고가의 공정을 실행해야만 한다.Meanwhile, the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed of the same material on the second substrate 105 by the same process. That is, after coating an insulating material such as resin, the first column spacer 108 and the second column spacer 109 having different thicknesses are formed by a photo process. However, in this process, to form the first column spacer 108 and the second column spacer 109 having different thicknesses, the photo process is performed twice or an expensive half-tone mask is used. One photo process must be performed. In other words, in order to form the first column spacer 108 and the second column spacer 109 having different thicknesses, a complicated process or an expensive process must be performed.

본 발명에서는 상기와 같은 복잡한 공정이나 고가의 공정없이 서로 두께의 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)를 형성함으로써 공정을 단순화하고 제조비용을 감축할 수 있게 된다.In the present invention, by forming the first column spacer 108 and the second column spacer 109 having a thickness without the complicated process or expensive process as described above, it is possible to simplify the process and reduce the manufacturing cost.

이하에서는 이러한 본 발명의 실시예를 좀더 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 컬럼스페이서(108,109)가 실제 액정패널에 적용된 것을 나타내는 평면도이다. 이때, 도면에는 횡전계모드 액정표시소자를 한 예로서 도시하였지만, 본 발명이 횡전계모드에만 적용되는 것이 아니라 TN모드나 VA모드 액정표시소자에도 적용될 수 있을 것이다.3 is a plan view showing that the column spacers 108 and 109 according to the first embodiment of the present invention are actually applied to a liquid crystal panel. In this case, although the transverse electric field mode liquid crystal display device is shown as an example, the present invention may be applied not only to the transverse electric field mode but also to the TN mode or VA mode liquid crystal display device.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시소자는 복수의 게이트라인(130)과 데이터라인(135)에 의해 정의되는 복수의 화소를 포함하며, 각각의 화소내에는 박막트랜지스터(150)가 배치되어 있다. As shown in FIG. 3, the liquid crystal display according to the present invention includes a plurality of pixels defined by a plurality of gate lines 130 and data lines 135, and a thin film transistor 150 is formed in each pixel. Is arranged.

상기 박막트랜지스터(150)는 상기 게이트라인(130)에 연결되어 주사신호가 인가되는 게이트전극(151)과, 상기 게이트전극(151) 위에 형성되어 주사신호가 게이트전극에 인가됨에 따라 활성화되어 채널층을 형성하는 반도체층(152)과, 상기 반도체층(152)위에 형성되어 데이터라인(135)을 통해 입력된 화상신호를 화소에 전달하는 소스전극(153) 및 드레인전극(154)으로 구성된다.The thin film transistor 150 is connected to the gate line 130 and is formed on the gate electrode 151 to which a scan signal is applied, and is formed on the gate electrode 151 to be activated as the scan signal is applied to the gate electrode. And a source electrode 153 and a drain electrode 154 formed on the semiconductor layer 152 to transfer an image signal input through the data line 135 to the pixel.

상기 화소내에는 공통전극(162) 및 화소전극(164)이 서로 실질적으로 평행하게 배치되어 횡전계를 형성한다. 이때, 상기 공통전극(162)은 화소내에 배치된 공통라인(137)과 연결되고 화소전극(164)은 화소전극라인(138)에 연결되어 신호가 인가되며, 상기 공통라인(137)과 화소전극라인(138)은 중첩되어 축적용량을 형성한다.The common electrode 162 and the pixel electrode 164 are disposed substantially parallel to each other to form a transverse electric field in the pixel. In this case, the common electrode 162 is connected to the common line 137 disposed in the pixel, and the pixel electrode 164 is connected to the pixel electrode line 138 so that a signal is applied, and the common line 137 and the pixel electrode are applied. Lines 138 overlap to form a storage capacity.

상기 게이트라인(130) 상에는 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 형성되어 있다. 도면에서는 상기 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 각각의 화소의 게이트라인(130)에 형성되어 있지만, 2개 또는 그 이상의 화소에 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)이 형성될 수도 있다. The first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed on the gate line 130. In the drawing, the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed in the gate line 130 of each pixel, but the first column spacer 108 and the second column spacer are formed in two or more pixels. The column spacer 109 may be formed.

상기 제1컬럼스페이서(108)는 캡스페이서로서 액정표시소자의 셀갭을 유지하며 제2컬럼스페이서(109)는 눌림스페이서이다.The first column spacer 108 serves as a cap spacer and maintains a cell gap of the liquid crystal display device, and the second column spacer 109 is a pressing spacer.

이와 같은 갭스페이서와 눌림스페이서의 관점에서 보면, 상기 갭스페이서와 눌림스페이서는 각각의 화소에 교대로 형성되는 것이다. 물론, 이러한 갭스페이서와 눌림스페이서의 분포는 특정되는 것은 아니지만, 기판 전체에 걸쳐서 분포되어 액정표시소자의 셀갭을 유지함과 동시에 터치불량과 눌림불량을 효과적으로 개선할 수 있게 되는 것이다.From the viewpoint of such a gap spacer and a pressing spacer, the gap spacer and the pressing spacer are formed alternately in each pixel. Of course, the distribution of the gap spacer and the pressing spacer is not specified, but is distributed throughout the substrate to maintain the cell gap of the liquid crystal display device, and to effectively improve the touch and pressing failure.

한편, 도면에서는 상기 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 게이트라인(130) 상에 배치되지만, 데이터라인(135) 상에 배치될 수도 있고 게이트라인(130)과 데이터라인(135)의 교차영역에 배치될 수도 있을 것이다.Meanwhile, although the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are disposed on the gate line 130 in the drawing, the first column spacer 108 and the second column spacer 109 may be disposed on the data line 135, or the gate line 130 and the data line. It may be disposed at the intersection of 135.

도 4는 도 3의 I-I'선 단면도로서, 상기 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)의 구조를 좀더 상세히 나타내는 도면이다. 이때, 상기 제1기판(103)은 박막트랜지스터가 형성된 박막트랜지스터기판이고 제2기판(105)은 컬러필터가 형성된 컬러필터기판이다. 상기 박막트랜지스터는 제1기판(103)에 형성된 게이트전극(151)과, 상기 게이트전극(151) 위에 형성된 게이트절연층(162)과, 상기 게이트절연층(162) 위에 형성된 반도체층(153)과, 상기 반도체층(153) 위에 형성된 소스전극(154) 및 드레인전극(155)으로 이루어진다. 상기와 같은 박막트랜지스터 위에는 보호층(164)이 형성된다.FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3 and illustrates the structures of the first column spacer 108 and the second column spacer 109 in more detail. In this case, the first substrate 103 is a thin film transistor substrate having a thin film transistor, and the second substrate 105 is a color filter substrate having a color filter. The thin film transistor includes a gate electrode 151 formed on the first substrate 103, a gate insulating layer 162 formed on the gate electrode 151, a semiconductor layer 153 formed on the gate insulating layer 162, and And a source electrode 154 and a drain electrode 155 formed on the semiconductor layer 153. The passivation layer 164 is formed on the thin film transistor as described above.

제2기판(105)에는 블랙매트릭스(171)와 컬러필터층(173)이 형성된다. 상기 블랙매트릭스(171)는 게이트라인과 데이터라인 및 박막트랜지스터 형성영역 등과 같이 실제 화상이 구현되지 않는 영역으로 광이 누설되어 화질의 저하되는 것을 방지하기 위한 것으로, CrO나 CrO2 등으로 이루어져 이 영역으로 광이 투과되는 것을 차단한다. 컬러필터층(173)은 R,G,B,컬러필터가 구비된 것으로, 광이 투과됨에 따라 해당 컬러를 구현하여 화상을 구현할 수 있게 된다. 이때, 상기 컬러필터층(173)은 동일 컬러필터가 띠형상으로 배열될 수 있다.The black matrix 171 and the color filter layer 173 are formed on the second substrate 105. The black matrix 171 is to prevent light leakage from deterioration due to light leakage to areas where real images are not realized, such as gate lines, data lines, and thin film transistor formation areas, and is made of CrO, CrO 2, or the like. This prevents light from being transmitted. The color filter layer 173 is provided with R, G, B, and color filters. As the light is transmitted, the color filter layer 173 may implement an image by implementing the corresponding color. In this case, in the color filter layer 173, the same color filter may be arranged in a band shape.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터층(173)은 블랙매트릭스(171) 상부에 형성되는데, 이때 일부 영역이 제거되어 개구부(174)가 형성되며 이 개구부(174)를 통해 블랙매트릭스(171)가 외부로 노출된다. 실질적으로, 블랙매트릭스(171)는 화소영역을 제외한 영역에만 매트릭스(matrix)형상으로 형성되므로, 컬러필터층(173)은 화소영역에서는 제2기판(105)위에 직접 형성되고 비화소영역에서만 블랙매트릭스(171) 위에 형성된다.As shown in FIG. 4, the color filter layer 173 is formed on the black matrix 171, and a portion of the color filter layer 173 is removed to form the opening 174, and the black matrix 171 is formed through the opening 174. Is exposed to the outside. Since the black matrix 171 is formed in a matrix shape only in the region excluding the pixel region, the color filter layer 173 is directly formed on the second substrate 105 in the pixel region, and the black matrix 171 is formed only in the non-pixel region. 171 formed above.

상기 컬러필터층(173) 위에는 제2기판(105) 위에 형성되는 구조물을 전체적으로 평탄화시키는 오버코트층(175)이 형성된다. 이때, 상기 오버코트층(175)은 컬러필터층(173) 위에 동일한 두께로 형성되므로, 컬러필터층(173)이 형성되지 않은 개구부(174)의 오버코트층(175) 및 컬러필터층(173) 위에 형성된 오버코트층(175) 사이에는 단차가 발생하게 된다. 이때, 상기 단차의 높이(t)는 상기 컬러필터층(173)의 두께에 따라 결정된다.An overcoat layer 175 is formed on the color filter layer 173 to planarize the structure formed on the second substrate 105 as a whole. In this case, since the overcoat layer 175 is formed to have the same thickness on the color filter layer 173, the overcoat layer 175 and the overcoat layer formed on the color filter layer 173 of the opening 174 where the color filter layer 173 is not formed. There is a step between 175. In this case, the height t of the step is determined according to the thickness of the color filter layer 173.

또한, 상기 단차의 두께는 컬러필터층(173)에 형성되는 개구부(174)의 넓이에 따라 결정될 수 있다. 상기 오버코트층(175)은 무기절연물질로 이루어지는데, 개구부(174)의 넓이가 작은 경우, 예를 들면 개구부(174)가 하나의 화소에 대응하는 컬러필터가 제거되어 형성되는 경우, 개구부(174) 내부에 채워지는 오버코트층(175)이 컬러필터층(173) 및 개구부(174)의 형상을 따라 정확하게 형성되지 않고 개구부(174)의 내부에는 개구부(174) 모서리의 무기절연물질이 일정량 개구부(174) 내부에 흘러 들어가 개구부(174) 내부의 오버코트층(175)의 두께가 컬러필터층(173) 위의 오버코트층(175)의 두께 보다 크게 되므로, 실질적으로 상기 오버코트층(175)의 단차는 컬러필터층(173)의 두께 보다는 작게 된다.In addition, the thickness of the step may be determined according to the width of the opening 174 formed in the color filter layer 173. The overcoat layer 175 is made of an inorganic insulating material. When the width of the opening 174 is small, for example, when the opening 174 is formed by removing a color filter corresponding to one pixel, the opening 174 is formed. ), The overcoat layer 175 filled in the inside of the opening 174 is not exactly formed along the shapes of the color filter layer 173 and the opening 174, and an inorganic insulating material at the corner of the opening 174 is formed in the opening 174. ), The thickness of the overcoat layer 175 in the opening 174 is larger than the thickness of the overcoat layer 175 on the color filter layer 173, so that the step of the overcoat layer 175 is substantially the color filter layer. It becomes smaller than the thickness of 173.

그러나, 개구부(174)의 넓이가 증가하게 되면, 예를 들어 R,G,B 화소에 대응하는 컬러필터가 제거되는 경우, 개구부(174) 내부의 일부 영역에는 개구부(174) 모서리의 무기절연물질이 일정량 흘러 들어가지만, 대부분의 영역에는 무기절연물질이 흘러 들어가지 않게 되어, 개구부(174)의 대부분 영역의 오버코트층(175)의 두께가 컬러필터층(173) 위의 오버코트층(175)의 두께와 동일하게 되어, 실질적으로 상기 오버코트층(175)의 단차는 컬러필터층(173)의 두께와 동일하게 된다. 결국, 개구부(174)의 면적이 증가할수록 오버코트층(175)의 단차도 증가하게 되는 것이다. 그러나, 상기 오버코트층(175)의 단차는 컬러필터층(173)의 두께 보다 커질 수는 없다.However, when the width of the opening 174 is increased, for example, when the color filters corresponding to the R, G, and B pixels are removed, an inorganic insulating material at the corner of the opening 174 may be formed in some areas inside the opening 174. Although the predetermined amount flows in, the inorganic insulating material does not flow in most of the regions, so that the thickness of the overcoat layer 175 in the most region of the opening 174 is the thickness of the overcoat layer 175 on the color filter layer 173. The level of the overcoat layer 175 is substantially equal to the thickness of the color filter layer 173. As a result, as the area of the opening 174 increases, the level of the overcoat layer 175 also increases. However, the step of the overcoat layer 175 may not be larger than the thickness of the color filter layer 173.

상기 오버코트층(175) 위에는 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 형성된다. 이때, 상기 제1컬럼스페이서(108)는 컬러필터층(173) 위의 오버커트층(175)에 형성되고 제2컬럼스페이서(109)는 개구부(174)의 오버커트층(175)에 형성된다.The first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed on the overcoat layer 175. In this case, the first column spacer 108 is formed on the overcut layer 175 on the color filter layer 173, and the second column spacer 109 is formed on the overcut layer 175 of the opening 174.

상기 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)는 실질적으로 동일한 높이로 형성된다. 그러나, 상기 제1컬럼스페이서(108)가 컬러필터층(173) 상부의 오버코트층(175)에 형성되고 제2컬럼스페이서(109)가 개구부(174)의 오버코트층(175)에 형성되므로, 상기 오버코트층(175)의 단차의 두께에 의해 제2기판(105)의 표면으로부터 제1컬럼스페이서(108)의 단부 표면까지의 거리(H1)가 제2기판(105)의 표면으로부터 제2컬럼스페이서(109)의 단부 표면까지의 거리(H2) 보다 커지게 된다. 즉, 상기 제1컬럼스페이서(108)는 제1기판(103)의 보호층(164)과 접촉하는 반면에, 제2컬럼스페이서(109)는 제1기판(103)의 보호층(164)과 설정 거리(△h)만큼 이격된다.The first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed at substantially the same height. However, since the first column spacer 108 is formed on the overcoat layer 175 on the color filter layer 173 and the second column spacer 109 is formed on the overcoat layer 175 of the opening 174, the overcoat The distance H1 from the surface of the second substrate 105 to the end surface of the first column spacer 108 is reduced from the surface of the second substrate 105 by the thickness of the step of the layer 175. It becomes larger than the distance H2 to the end surface of 109. That is, the first column spacer 108 is in contact with the protective layer 164 of the first substrate 103, while the second column spacer 109 is in contact with the protective layer 164 of the first substrate 103. It is spaced apart by the set distance Δh.

다시 말해서, 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)는 동일한 높이로 형성되지만 오버코트층(175)의 단차에 의해 상기 제1컬럼스페이서(108)가 갭스페이서가 되고 제2컬럼스페이서(109)가 눌림스페이서가 되는 것이다. 엄밀하게 말해서, 상기 갭스페이서 및 눌림스페이서의 구분은 실질적으로 컬럼스페이서(108,109) 자체에 의해 결정되는 것이 아니라 오버코트층(175)에 형성되는 단차, 정확히는 컬러필터층(173)에 형성되는 개구부(174)에 의해 결정된다.In other words, the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed at the same height, but the first column spacer 108 becomes a gap spacer and the second column spacer is formed by the step of the overcoat layer 175. 109 becomes the pressing spacer. Strictly speaking, the distinction between the gap spacer and the depression spacer is not substantially determined by the column spacers 108 and 109 itself, but rather, the openings 174 formed in the step formed in the overcoat layer 175, that is, the color filter layer 173. Determined by

즉, 개구부(174)의 형성 위치에 따라 눌림스페이서의 형성위치가 결정되며, 개구부(174)의 갯수 및 밀도에 따라 눌림스페이서의 갯수 및 밀도가 결정된다. 따라서, 본 발명의 상세한 설명에서 눌림스페이서의 위치나 갯수 또는 밀도 등을 얘기할 때 이것은 개구부(174)의 위치나 갯수 또는 밀도 등을 의미한다.That is, the formation position of the pressing spacer is determined according to the formation position of the opening 174, and the number and density of the pressing spacers are determined according to the number and density of the opening 174. Therefore, when referring to the position, number or density of the pressing spacer in the detailed description of the present invention, it means the position or number or density of the opening 174.

도 5a-도 5c는 상기 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 복수의 화소로 이루어진 액정표시소자에서 배치되는 구조를 나타내는 도면이다.5A through 5C are diagrams illustrating a structure in which the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are arranged in a liquid crystal display device composed of a plurality of pixels.

도 5a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에서는 동일한 컬러의 R,G,B컬러필터를 갖는 화소가 세로방향으로 각각 띠형상으로 배열되어 있고 가로방향으로는 R,G,B 컬러필터의 화소가 반복된다. 이때, G 컬러필터 및 B 컬러필터에는 개구부(174)가 형성되지 않고 R컬러필터 배열에 개구부(174)가 형성된다. 즉, 세로방향의 일렬의 R컬러필터 배열에는 모두 개구부(174)가 형성된다. 이때, 모든 B컬러필터의 열에 개구부(174)가 형성되는 것이 아니라 교대로 개구부(174)가 형성된다. 즉, 도면에 도시된 바와 같이, 첫번째 R컬러필터의 열에는 개구부(174)가 형성되지 않고 다음의 R컬러필터의 열에는 개구부(174)가 형성되며, 그 다음열에는 다시 개구부(174)가 형성되지 않는다. 이와 같이, 짝수번째 열(혹은 홀수번째 열)의 R컬러필터에 개구부(174)가 형성되면, 홀수번째 열(짝수번째 열)의 R컬러필터에 개구부(174)가 형성되지 않으며, 이러한 구조가 액정표시소자 전체에 걸쳐 반복된다.As shown in Fig. 5A, in the first embodiment of the present invention, pixels having R, G, and B color filters of the same color are arranged in a band shape in the vertical direction, and R, G, B colors in the horizontal direction. The pixels of the filter are repeated. At this time, the opening 174 is not formed in the G color filter and the B color filter, and the opening 174 is formed in the R color filter array. That is, all of the openings 174 are formed in the row of R color filter arrays in the vertical direction. At this time, the openings 174 are alternately formed in the rows of all the B color filters instead of the openings 174. That is, as shown in the figure, an opening 174 is not formed in the row of the first R color filter, and an opening 174 is formed in the next row of the R color filter, and the opening 174 is again formed in the next row. Not formed. As such, when the openings 174 are formed in the R color filters of the even columns (or odd columns), the openings 174 are not formed in the R color filters of the odd columns (even columns), and such a structure Repeated throughout the liquid crystal display element.

제1컬럼스페이서(108)는 상기 R컬러필터 위에 형성되며(엄밀하게 말해서 R컬러필터 상부의 오버코트층에 형성된다), 제2컬럼스페이서(109)는 개구부(174)에 형성된다(엄밀하게 말해서, 개구부(174)에 형성되는 오버코트층에 형성된다).The first column spacer 108 is formed on the R color filter (strictly formed in the overcoat layer above the R color filter), and the second column spacer 109 is formed in the opening 174 (strictly speaking). And an overcoat layer formed in the opening 174).

이와 같이, 이 구조에서는 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 동일한 컬러를 갖는 화소에 형성되지만, 제1컬럼스페이서(108)는 컬리필터 위에 형성되는데 반해, 제2컬럼스페이서(109)는 동일한 컬러필터 사이에 형성된 개구부(174)에 형성된다.Thus, in this structure, the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed in the pixel having the same color, while the first column spacer 108 is formed on the curl filter, whereas the second column spacer 108 is formed on the pixel filter. 109 is formed in the opening 174 formed between the same color filters.

도 5a에서는 상기 R컬러필터의 사이에 개구부가 형성되어 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 R컬러필터 상부 및 R컬러필터에 형성된 개부부(174)에 형성되지만, 이러한 구조는 G컬러필터 및 B컬러필터에도 적용될 수 있을 것이다. 즉, G컬러필터 또는 B컬러필터의 열에 교대로 개구부가 형성되고 컬러필터 상부에는 제1컬럼스페이서(108)가 형성되고 개구부(174)에는 제2컬럼스페이서(109)가 형성될 수 있는 것이다.In FIG. 5A, an opening is formed between the R color filters so that the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed on the upper portion of the R color filter and the opening 174 formed on the R color filter. The structure may be applied to the G color filter and the B color filter. That is, the openings may be alternately formed in the columns of the G color filter or the B color filter, the first column spacer 108 may be formed on the color filter, and the second column spacer 109 may be formed in the opening 174.

도 5b에 도시된 바와 같이, 이 구조에서는 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 각각 다른 컬러의 화소에 형성된다. 즉, 제1컬럼스페이서(108)는 R컬러의 화소에 형성되며, 제2컬럼스페이서(109)는 G컬러 및 B컬러의 화소에 형성된다. 이때, 세로방향으로 배열된 일련의 R컬러필터에는 개구부(174)가 형성되지 않기 때문에 제1컬럼스페이서(108)는 R컬러필터 상부(엄밀하게 말해서, R컬러필터 상부의 오버코트층)에 형성되어 갭스페이서가 되며, 세로방향으로 배열된 일련의 G컬러필터들 사이 및 B컬러필터들 사이에는 개구부(174)가 형성되어 상기 제2컬럼스페이서(109)가 형성되어 눌림스페이서가 된다. 이때, 제2컬럼스페이서(109)는 세로방향으로 배열된 일련의 G컬러필터들 사이의 개구부 및 B컬러필터들 사이의 개구부에 지그재그 형상으로 형성된다. 또한, 상기 제2컬럼스페이서(109)는 세로방향으로 배열된 일련의 G컬러필터들 사이의 개구부 또는 B컬러필터들 사이의 개구부에만 형성될 수도 있다.As shown in Fig. 5B, in this structure, the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed in pixels of different colors, respectively. That is, the first column spacer 108 is formed in the pixel of R color, and the second column spacer 109 is formed in the pixel of G color and B color. At this time, since the openings 174 are not formed in the series of R color filters arranged in the vertical direction, the first column spacer 108 is formed on the R color filter (exactly, the overcoat layer on the R color filter). An opening 174 is formed between a series of G color filters and B color filters arranged in a vertical direction to form a gap spacer, and the second column spacer 109 is formed to become a pressing spacer. At this time, the second column spacer 109 is formed in a zigzag shape in the opening between the series of G color filters and the opening between the B color filters arranged in the vertical direction. In addition, the second column spacer 109 may be formed only in the opening between the series of G color filters arranged in the vertical direction or the opening between the B color filters.

또한, 상기 G컬러필터 또는 B컬러필터에 개구부가 형성되지 않아 이들 컬러필터층 위에 제1컬럼스페이서(108)에 형성될 수 있고 다른 컬러필터층에 형성된 개구부에 제2컬럼스페이서(109)가 형성될 수도 있을 것이다.In addition, an opening is not formed in the G color filter or the B color filter, so that the first column spacer 108 may be formed on the color filter layers, and the second column spacer 109 may be formed in the opening formed in the other color filter layer. There will be.

즉, 이러한 구조에서 특정 컬러필터층에 개구부가 형성되는 것이 아니라 서로 다른 컬러필터층에 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 형성될 수만 있다면, 상기 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)는 각각 어떠한 컬러필터층 위에 형성될 수도 있을 것이다.That is, in this structure, as long as the first column spacer 108 and the second column spacer 109 can be formed in different color filter layers rather than openings in a specific color filter layer, the first column spacer 108 and Each of the second column spacers 109 may be formed on any color filter layer.

도 5c에 도시된 구조에서는 두개의 띠형상의 컬러필터 배열에 개구부(174)를 형성하고 하나의 컬러필터배열에는 개구부를 형성하지 않고 오히려 이 컬러필터에서 인접하는 컬러필터 배열 사이에 형성된 개구부로 해당 컬러필터가 연장되며, 제2컬럼스페이서(109)는 상기 개구부(174)에 형성되고 제1컬럼스페이서(108)는 인접하는 컬러필터배열의 개구부로 연장된 컬러필터 상부에 형성된다. 도면에서는 개구부(174)가 R컬러필터 및 G컬러필터에 형성되고 B컬러필터가 인접하는 개구부에 연장되는 구조이지만, 다른 컬러필터에도 적용될 수 있을 것이다.In the structure shown in FIG. 5C, the openings 174 are formed in two band-shaped color filter arrays, and no openings are formed in one color filter array, but rather, the openings are formed between adjacent color filter arrays in the color filter array. The color filter extends, and the second column spacer 109 is formed in the opening 174, and the first column spacer 108 is formed on the color filter extending into the opening of the adjacent color filter array. In the drawing, although the opening 174 is formed in the R color filter and the G color filter, and the B color filter extends to the adjacent opening, it may be applied to other color filters.

상기와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시소자에서는 화소가 특정한 구조로 배열되고 제1컬럼스페이서(108) 및 제2컬럼스페이서(109)가 다양한 형태로 화소에 배열되지만, 본 발명이 이러한 형태로만 배열되는 것이 아니다. 제1컬럼스페이서(108)가 컬러필터층 상부에 형성되어 액정패널의 셀갭을 유지하는 갭스페이서로 작용하고 제2컬럼스페이서(109)가 컬러필터층에 형성된 개구부에 형성되어 액정패널의 눌림을 방지하는 눌림스페이서로서 작용한다면, 어떠한 화소의 배열도 가능하고 컬럼스페이서(108,109)의 다양한 배열도 가능할 것이다.As described above, in the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, the pixels are arranged in a specific structure and the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are arranged in the pixel in various forms. This is not just arranged in this form. The first column spacer 108 is formed on the color filter layer to act as a gap spacer for maintaining the cell gap of the liquid crystal panel, and the second column spacer 109 is formed in the opening formed in the color filter layer to prevent the liquid crystal panel from being pressed. If acting as a spacer, any arrangement of pixels may be possible and various arrangements of column spacers 108 and 109 may be possible.

이하, 상기와 같은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시소자를 제작하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention as described above will be described.

도 6a-도 6d는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시소자 제조방법을 나타내는 도면이다.6A to 6D illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

우선, 도 6a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 물질로 이루어진 제2기판(105)상에 CrO나 CrOx 등을 적층한 후 패터닝하여 블랙매트릭스(171)를 형성한 후, 그 위에 컬러필터층(173)을 형성한다. 이때 상기 블랙매트릭스(171)는 화소 주위의 비화상표시영역에 형성되어 매트릭스형상으로 배열되며, 컬러필터층(173)을 R,G,B컬러필터로 이루어진다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 R,G,B컬러필터는 동일 컬러가 띠형상으로 세로로 일렬로 배열되며, 가로방향으로 R,G,B가 반복된다. 이때, 상기 컬러필터층(173)의 일부가 제거되어 개구부(174)가 형성된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 개구부(174)는 R,G,B컬러필터중 하나의 컬러필터가 제거되어 형성될 수도 있고 2개 이상이 제거되어 형성될 수도 있다.First, as illustrated in FIG. 6A, CrO, CrOx, and the like are laminated on a second substrate 105 made of a transparent material such as glass, and then patterned to form a black matrix 171. Then, the color filter layer ( 173). In this case, the black matrix 171 is formed in a non-image display area around the pixel and arranged in a matrix, and the color filter layer 173 includes R, G, and B color filters. Although not shown in the figure, the R, G, B color filters have the same color arranged in a row in a vertical line, and R, G, B are repeated in the horizontal direction. In this case, a portion of the color filter layer 173 is removed to form the opening 174. Although not shown in the drawing, the opening 174 may be formed by removing one color filter among R, G, and B color filters, or may be formed by removing two or more color filters.

이후, 도 6b에 도시된 바와 같이, SiO2나 SiNx 등과 같은 절연물질을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 상기 컬러필터층(173)이 형성된 제2기판(105)에 적층하여 오버코트층(175)을 형성한 후, 그 위에 감광성 수지와 같은 감광성물질을 도포하여 절연층(108a)을 형성한다.6B, an overcoat layer 175 is formed by stacking an insulating material such as SiO 2 or SiN x on the second substrate 105 on which the color filter layer 173 is formed by CVD (Chemical Vapor Deposition). After forming, an insulating layer 108a is formed by applying a photosensitive material such as a photosensitive resin thereon.

그 후, 상기 절연층(108a)에 투과부와 차단부를 포함하는 마스크(195)를위치시킨 후 자외선과 같은 광을 조사한다. 이때, 상기 투과부는 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)이 형성될 영역에 대응하여, 해당 영역의 절연층(108a)에 광이 조사된다.Thereafter, a mask 195 including a transmission part and a blocking part is positioned on the insulating layer 108a, and then light such as ultraviolet rays is irradiated. In this case, the transmission part corresponds to a region where the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are to be formed, and light is irradiated to the insulating layer 108a of the corresponding region.

이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 광이 조사된 절연층(108a)을 현상액에 의해 현상하여 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)을 형성한다. 이때, 상기 제1컬럼스페이서(108)는 컬러필터층(173) 상부의 오버코트층(175)에 형성되고 제2컬럼스페이서(109)는 개구부(174)의 오버코트층(175) 위에 형성된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 6C, the insulating layer 108a irradiated with light is developed by a developer to form the first column spacer 108 and the second column spacer 109. In this case, the first column spacer 108 is formed on the overcoat layer 175 on the color filter layer 173, and the second column spacer 109 is formed on the overcoat layer 175 of the opening 174.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 오버코트층(175)에는 배향막이 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, an alignment layer may be formed on the overcoat layer 175.

한편, 도면에서는 상기 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)가 하나의 화소에 배치되어 있는 구조로 도시되어 있지만, 이는 설명의 편의를 위한 것이다. 도 3의 평면도에 도시된 바와 같이, 상기 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)는 게이트라인 또는 데이터라인을 따라 하나의 화소 마다 한개 또는 복수의 화소마다 한개씩 형성되며, 제1컬럼스페이서(108)와 제2컬럼스페이서(109)의 배치도 서로 다양한 방법으로 배치될 수 있을 것이다. 즉, 도 5a-도 5c에 도시된 바와 같은 다양한 배열로 배치될 수 있을 것이다.Meanwhile, although the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are illustrated in a structure in which one pixel is disposed in the drawing, this is for convenience of description. As shown in the plan view of FIG. 3, the first column spacer 108 and the second column spacer 109 are formed in one pixel or in a plurality of pixels along a gate line or a data line. The arrangement of the column spacer 108 and the second column spacer 109 may also be arranged in various ways. That is, they may be arranged in various arrangements as shown in FIGS. 5A-5C.

그 후, 도 6d에 도시된 바와 같이, 유리와 같이 투명한 물질로 이루어진 제1기판(103)에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법(sputtering process)에 의해 적층한 후 사진식각방법(photolithography process)에 의해 식각하여 게이트전극(151)을 형성한 후, 상기 게이트전극(151)이 형성된 제1기판(103) 전체에 걸쳐 CVD(Chemicla Vapor Deposition)법에 의해 SiO2나 SiNx 등과 같은 무기절연물질을 적층하여 게이트절연층(162)을 형성한다. 상기 게이트전극(151)의 형성시 제1기판(103) 위에 게이트라인(130)도 형성한다. Thereafter, as illustrated in FIG. 6D, a sputtering method is performed on the first substrate 103 made of a transparent material such as glass to form an opaque metal having good conductivity such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or an Al alloy. After stacking by sputtering process and etching by photolithography process to form gate electrode 151, CVD (Chemicla Vapor) is formed over the entire first substrate 103 on which the gate electrode 151 is formed. The gate insulating layer 162 is formed by stacking an inorganic insulating material such as SiO 2 or SiNx by a deposition method. When the gate electrode 151 is formed, a gate line 130 is also formed on the first substrate 103.

그 후, 제1기판(103) 전체에 걸쳐 비정질실리콘(a-Si)과 같은 반도체물질을 CVD법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(152) 및 오믹컨택층(ohmic contact layer)(도면표시하지 않음)을 형성한 후, 제1기판(103) 상에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(152) 위, 엄밀하게 말해서 오믹컨택층 위에 소스전극(153) 및 드레인전극(154)을 형성하고, 이어서 상기 소스전극(153) 및 드레인전극(154)이 형성된 제1기판(103) 전체에 걸쳐 BCB(Benzo Cyclo Butene)이나 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질을 적층하여 보호층(164)을 형성한다.Thereafter, a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) is deposited on the first substrate 103 by CVD and then etched to form a semiconductor layer 152 and an ohmic contact layer (shown in the drawing). And a non-transparent opaque metal, such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy, is deposited on the first substrate 103 by sputtering and then etched to form a semiconductor layer ( 152, strictly speaking, the source electrode 153 and the drain electrode 154 are formed on the ohmic contact layer, and then the entire first substrate 103 having the source electrode 153 and the drain electrode 154 formed thereon. A protective layer 164 is formed by stacking an organic insulating material such as Benzo Cyclo Butene (BCB) or photo acryl.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 소스전극(153) 및 드레인전극(154)의 형성시 데이터라인이 형성되며, 게이트전극(151) 및 소스전극(153)의 형성시 각각 공통전극 및 화소전극이 형성될 수 있다. 또한, 상기 공통전극 및 화소전극의 보호층(164) 위에 형성될 수도 있다.Although not shown in the drawing, a data line is formed when the source electrode 153 and the drain electrode 154 are formed, and a common electrode and a pixel electrode are formed when the gate electrode 151 and the source electrode 153 are formed, respectively. Can be. In addition, the protection layer 164 may be formed on the common electrode and the pixel electrode.

그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 보호층(164) 위에는 배향막이 형성될 수 있다.Although not shown, an alignment layer may be formed on the protective layer 164.

이후, 상기 제1기판(103)과 제2기판(105)을 합착하고 그 사이에 액정층(107)을 형성함으로써 액정표시소자를 완성한다.Thereafter, the first substrate 103 and the second substrate 105 are bonded to each other, and the liquid crystal layer 107 is formed therebetween, thereby completing the liquid crystal display device.

상기한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에서는 갭스페이서와 컬럼스페이서를 형성하여 터치불량과 눌림불량을 방지한다. 특히, 본 실시예에서는 갭스페이서와 컬럼스페이서를 동일한 높이로 형성하되, 컬럼스페이서가 형성되는 영역에 단차를 두어 갭스페이서는 제1기판과 접촉하도록 하고 제2기판은 제1기판으로부터 일정 거리 이격되도록 하여 각각 갭스페이서와 컬럼스페이서의 역할을 하도록 한다. 따라서, 서로 다른 높이를 갖는 갭스페이서와 컬럼스페이서를 형성하기 위해, 2회의 포토공정을 실행하거나 고가의 하프톤마스크를 사용할 필요없이, 저가의 일반적인 마스크를 사용한 1회의 공정에 의해 동일한 높이를 갖는, 그러나 제1기판과는 서로 다른 갭을 갖는 갭스페이서와 컬럼스페이서를 형성할 수 있게 된다.As described above, in the first embodiment of the present invention, a gap spacer and a column spacer are formed to prevent touch failure and depression failure. Particularly, in the present embodiment, the gap spacer and the column spacer are formed to have the same height, but the gap spacer is placed in the area where the column spacer is formed so that the gap spacer contacts the first substrate and the second substrate is spaced apart from the first substrate by a predetermined distance. To act as a gap spacer and a column spacer, respectively. Thus, in order to form gap spacers and column spacers having different heights, they have the same height by one process using a low-cost general mask, without having to perform two photo processes or using an expensive halftone mask, However, it is possible to form a gap spacer and a column spacer having different gaps from the first substrate.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 액정표시소자의 구조를 나타내는 단면도로서, 이 단면도는 도 3의 I-I'선 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3.

도 7에 도시된 바와 같이, 이 실시예에서는 제1기판(203)에 게이트전극(251)이 배치되고 상기 게이트전극(251) 위에는 게이트절연층(262)이 형성된다. 상기 게이트절연층(262) 위에는 반도체층(253)이 형성되며, 상기 반도체층(253) 위에 형성된 소스전극(254) 및 드레인전극(255)으로 형성되어 박막트랜지스터가 형성된다. 상기 박막트랜지스터 위에는 보호층(264)이 형성된다.As shown in FIG. 7, in this embodiment, the gate electrode 251 is disposed on the first substrate 203, and the gate insulating layer 262 is formed on the gate electrode 251. A semiconductor layer 253 is formed on the gate insulating layer 262, and a thin film transistor is formed by forming a source electrode 254 and a drain electrode 255 formed on the semiconductor layer 253. The passivation layer 264 is formed on the thin film transistor.

제2기판(205)에는 블랙매트릭스(271)와 컬러필터층(273)이 형성된다. 상기 블랙매트릭스(271)는 게이트라인과 데이터라인 및 박막트랜지스터 형성영역 등과 같이 실제 화상이 구현되지 않는 영역으로 광이 누설되어 화질의 저하되는 것을 방지하며, 컬러필터층(273)은 R,G,B,컬러필터로 이루어져 화상을 구현한다. 상기 제1기판(203)과 제2기판(205) 사이에는 액정층(207)이 형성된다.The black matrix 271 and the color filter layer 273 are formed on the second substrate 205. The black matrix 271 prevents light from being deteriorated due to light leakage to areas where real images are not realized, such as gate lines, data lines, and thin film transistor formation areas, and the color filter layers 273 are R, G, and B. The color filter is used to realize an image. The liquid crystal layer 207 is formed between the first substrate 203 and the second substrate 205.

이때, 상기 컬러필터층(273)은 블랙매트릭스(271) 상부에 형성되며, 일부 영역이 제거된 개구부(274)가 형성되어 블랙매트릭스(271)가 외부로 노출된다. 상기 블랙매트릭스(271)는 화소영역을 제외한 영역에만 형성되므로, 컬러필터층(273)은 화소영역에서는 제2기판(205)위에 직접 형성되고 비화소영역에서만 블랙매트릭스(271) 위에 형성된다.In this case, the color filter layer 273 is formed on the black matrix 271, and an opening 274 in which some regions are removed is formed to expose the black matrix 271 to the outside. Since the black matrix 271 is formed only in the region excluding the pixel region, the color filter layer 273 is directly formed on the second substrate 205 in the pixel region and is formed on the black matrix 271 only in the non-pixel region.

상기 컬러필터층(273) 위에는 제2기판(205) 위에 형성되는 구조물을 전체적으로 평탄화하는 오버코트층(275)이 형성된다. 이때, 상기 오버코트층(275)은 컬러필터층(273) 위에 동일한 두께로 형성되므로, 컬러필터층(273)이 형성되지 않은 개구부(274)의 오버코트층(275) 및 컬러필터층(273) 위에 형성된 오버코트층(275) 사이에는 단차가 발생하게 된다. 이때, 상기 단차의 높이(t)는 상기 컬러필터층(273)의 두께 및 개구부(274)의 넓이에 따라 결정된다.An overcoat layer 275 is formed on the color filter layer 273 to planarize the structure formed on the second substrate 205. In this case, since the overcoat layer 275 is formed to have the same thickness on the color filter layer 273, the overcoat layer 275 and the overcoat layer formed on the color filter layer 273 of the opening 274 in which the color filter layer 273 is not formed. A step is generated between the 275. In this case, the height t of the step is determined according to the thickness of the color filter layer 273 and the width of the opening 274.

상기 오버코트층(275) 위에는 제1컬럼스페이서(208), 제2컬럼스페이서(209a) 및 제3컬럼스페이서(209b)가 형성된다. 이때, 상기 제1컬럼스페이서(208), 제2컬럼스페이서(209a) 및 제3컬럼스페이서(209b)의 제2기판(205)의 표면으로부터의 거리가 각각 다르게 형성되어 상기 제1컬럼스페이서(208)은 제1기판(203)과 접촉하여(엄밀하게 말하면 제1기판(203)의 구조물 표면) 갭스페이서의 역할을 하고, 제2컬럼스페이서(209a) 및 제3컬럼스페이서(209b)은 제1기판(203)으로부터 서로 다른 거리로 이격되어 눌림스페이서의 역할을 한다. 즉, 이 실시예에서는 한 종류의 갭스페이서가 복수개 형성되고, 두 종류의 눌림스페이서가 형성되는 것이다. A first column spacer 208, a second column spacer 209a, and a third column spacer 209b are formed on the overcoat layer 275. In this case, the distance from the surface of the second substrate 205 of the first column spacer 208, the second column spacer 209a and the third column spacer 209b is formed differently so that the first column spacer 208 ) Is in contact with the first substrate 203 (strictly speaking, the structure surface of the first substrate 203) and serves as a gap spacer, and the second column spacer 209a and the third column spacer 209b are formed in the first substrate 203. The substrate 203 is spaced apart from each other at a different distance to serve as a pressing spacer. That is, in this embodiment, a plurality of one kind of gap spacers are formed, and two kinds of pressing spacers are formed.

상기 제1컬럼스페이서(208) 및 제2컬럼스페이서(209a)는 컬러필터층(273) 위의 오버커트층(275)에 형성되고 제3컬럼스페이서(209b)는 개구부(274)의 오버커트층(275)에 형성된다.The first column spacer 208 and the second column spacer 209a are formed in the overcut layer 275 on the color filter layer 273, and the third column spacer 209b is formed in the overcut layer of the opening 274. 275).

상기 제1컬럼스페이서(209a)의 높이(h1)이 제2컬럼스페이서(209a)의 높이(h2)에 비해 더 크게 형성되고(h1>h2), 제2컬럼스페이서(209a)의 높이(h2) 및 제3컬럼스페이서(209b)의 높이(h3)는 동일하게 형성된다(h2=h3).The height h1 of the first column spacer 209a is larger than the height h2 of the second column spacer 209a (h1> h2), and the height h2 of the second column spacer 209a. And the height h3 of the third column spacer 209b is the same (h2 = h3).

이때, 제1컬럼스페이서(208) 및 제2컬럼스페이서(209a)가 컬러필터층(273)의 상부에 형성되고 제3컬럼스페이서(209b)는 개구부(209a)에 형성되므로, 제2기판(205)의 표면으로부터 제1컬럼스페이서(208)의 단부 표면까지의 거리(H1)가 제2기판(205)의 표면으로부터 제2컬럼스페이서(209a)의 단부 표면까지의 거리(H2) 보다 크고(H1>H2), 제2기판(205)의 표면으로부터 제2컬럼스페이서(209a)의 단부 표면까지의 거리(H2)가 제2기판(205)의 표면으로부터 제3컬럼스페이서(209b)의 단부 표면까지의 거리(H3) 보다 크게 된다(H2>H3). 다시 말해서, 제2기판(205)의 표면으로부터 제1컬럼스페이서(208)의 단부 표면까지의 거리(H1)가 제일 크고 제2기판(205)의 표면으로부터 제2컬럼스페이서(209a)의 단부 표면까지의 거리(H2)가 그 다음으로 크며, 제2기판(205)의 표면으로부터 제3컬럼스페이서(209b)의 단부 표면까지의 거리(H3)가 가장 작게 되는 것입니다(즉, H1>H2>H3>).In this case, since the first column spacer 208 and the second column spacer 209a are formed on the color filter layer 273 and the third column spacer 209b is formed in the opening 209a, the second substrate 205 is formed. The distance H1 from the surface of the first column spacer 208 to the end surface of the first column spacer 208 is greater than the distance H2 from the surface of the second substrate 205 to the end surface of the second column spacer 209a (H1>). H2), the distance H2 from the surface of the second substrate 205 to the end surface of the second column spacer 209a is from the surface of the second substrate 205 to the end surface of the third column spacer 209b. It becomes larger than the distance H3 (H2> H3). In other words, the distance H1 from the surface of the second substrate 205 to the end surface of the first column spacer 208 is largest and the end surface of the second column spacer 209a from the surface of the second substrate 205. The distance H2 is the next largest, and the distance H3 from the surface of the second substrate 205 to the end surface of the third column spacer 209b is the smallest (i.e., H1> H2>). H3>).

상기 제1컬럼스페이서(208)는 제1기판(203)에 형성되는 구조물의 표면(,즉, 보호층(264))과 접촉하여 제1기판(203) 및 제2기판(205)의 셀갭을 일정하게 유지하는 갭스페이서이며, 제2컬럼스페이서(209a) 및 제3컬럼스페이서(209b)는 제1기판(203)에 형성되는 구조물의 표면과 일정 거리 이격되어 외부로부터 액정패널을 눌렀을 때 구조물과 접촉하여 눌림불량을 방지하는 눌림스페이서이다.The first column spacer 208 contacts the surface of the structure formed on the first substrate 203 (that is, the protective layer 264) to close the cell gap between the first substrate 203 and the second substrate 205. The gap spacers are kept constant, and the second column spacer 209a and the third column spacer 209b are spaced apart from the surface of the structure formed on the first substrate 203 by a predetermined distance and press the liquid crystal panel from the outside. It is a pressing spacer that prevents the pressing failure by contact.

이때, 상기 제2컬럼스페이서(209a) 및 제3컬럼스페이서(209b)와 제1기판(203)에 형성되는 구조물의 표면과의 간격은 각각 △h1 및 △h2이며, 이때 제2컬럼스페이서(209a)에 의한 간격(△h1)이 제3컬럼스페이서(209b)에 의한 간격(△h2) 보다 작은데(△h2>△h1), 이와 같이 제2컬럼스페이서(209a)에 의한 간격(△h1)이 제3컬럼스페이서(209b)에 의한 간격(△h2)을 다르게 하는 이유는 다음과 같다.At this time, the distance between the surface of the structure formed on the second column spacer 209a, the third column spacer 209b and the first substrate 203 is Δh1 and Δh2, respectively, and the second column spacer 209a ) Is smaller than the interval Δh2 by the third column spacer 209b (Δh2> Δh1). Thus, the interval Δh1 by the second column spacer 209a is The reason why the interval Δh2 due to the third column spacer 209b is different is as follows.

눌림스페이서는 기판에 압력이 인가되었을 때 컬러필터기판 및 박막트랜지스터기판에 변형이 발생하는 눌림불량을 방지하기 위한 것으로, 기판에 압력이 인가되지 않는 경우에는 기판과 접촉하지 않게 되어 터치불량이 발생하지도 않게 하는 것입니다.The pressing spacer is for preventing the pressing failure that occurs in the color filter substrate and the thin film transistor substrate when the pressure is applied to the substrate. It is not to.

이 실시예와 같이 눌림스페이서를 제1기판과 동일한 간격으로 형성하는 경우, 압력이 인가되는 경우 모든 눌림스페이서(209a,209b)가 제1기판의 구조물과 접촉하게 되어 터치불량이 발생하게 된다. 이러한 눌림스페이서에 의한 터치불량을 방지하기 위한 가장 좋은 방법은 눌림스페이서의 갯수 또는 밀도를 최소화하는 것이다. 그러나, 이 경우 기판에 인가되는 외력에 대한 지지력이 약하게 되어 기판에 변형이 발생하게 된다.When the pressing spacers are formed at the same interval as the first substrate as in this embodiment, when the pressure is applied, all the pressing spacers 209a and 209b come into contact with the structure of the first substrate, thereby causing a touch failure. The best way to prevent the touch failure caused by the pressing spacer is to minimize the number or density of the pressing spacer. However, in this case, the supporting force against the external force applied to the substrate is weakened, and deformation occurs in the substrate.

이 실시예에서는 눌림스페이서를 기판과 서로 다른 간격을 갖는 2개의 스페이서(209a,209b)로 형성함으로써 외력의 크기에 따라 기판과 접촉하는 눌림스페이서의 갯수를 다르게 하여 터치불량 및 눌림불량을 방지할 수 있게 된다. 즉, 작은 외력이 제1기판(203) 및 제2기판(205)에 인가되면, 제1기판(203) 및 제2기판(205) 사이의 간격이 감소하여 제2컬럼스페이서(209a)은 그 단부가 제1기판(203)의 보호층(264)와 접촉하지만, 제3컬럼스페이서(209b)는 보호층(264)과의 간격(△h2)이 제2컬럼스페이서(209a)의 보호층(264)과의 간격(△h1) 보다 크기 때문에, 제3컬럼스페이서(209b)의 단부는 보호층(264)과 접촉하지 않게 되어, 해당 외력에 의한 기판의 변형을 방지함과 아울러 컬럼스페이서에 의한 터치면적을 최소화하여 터치불량이 발생하는 것을 방지한다.In this embodiment, the pressing spacers are formed by two spacers 209a and 209b having different distances from the substrate, thereby preventing touch and pressing failures by varying the number of pressing spacers in contact with the substrate according to the magnitude of the external force. Will be. That is, when a small external force is applied to the first substrate 203 and the second substrate 205, the distance between the first substrate 203 and the second substrate 205 is reduced, so that the second column spacer 209a Although the end portion contacts the protective layer 264 of the first substrate 203, the third column spacer 209b has a gap Δh2 between the protective layer 264 and the protective layer 209a of the second column spacer 209a. Since it is larger than the distance Δh1 from the 264, the end of the third column spacer 209b does not come into contact with the protective layer 264, thereby preventing deformation of the substrate due to the external force and by the column spacer. The touch area is minimized to prevent touch defects from occurring.

상기 제1기판(203) 및 제2기판(205)에 더 큰 외력이 인가되면, 제1기판(203)과 제2기판(205) 사이의 간격이 더 감소하여 제2컬럼스페이서(209a) 뿐만 아니라 제3컬럼스페이서(209b)도 보호층(264)과 접촉하게 되어, 더 강한 외력에 의한 기판의 변형을 방지할 수 있게 된다.When a larger external force is applied to the first substrate 203 and the second substrate 205, the distance between the first substrate 203 and the second substrate 205 is further reduced, so that only the second column spacer 209a is used. In addition, the third column spacer 209b is also in contact with the protective layer 264, thereby preventing deformation of the substrate due to a stronger external force.

이와 같이, 이 실시예에서는 작은 외력이 인가될 때에는 일부의 눌림스페이서만이 제1기판의 구조물과 접촉하도록 하여 터치불량을 최소화하고 강한 외력이 인가될 때에는 모든 눌림스페이서가 제1기판의 구조물과 접촉하도록 하여 강한 외력에 의한 변형을 방지할 수 있게 된다.As such, in this embodiment, only a portion of the pressing spacer is in contact with the structure of the first substrate when a small external force is applied, thereby minimizing touch defects, and all the pressing spacers are in contact with the structure of the first substrate when a strong external force is applied. By doing so, it is possible to prevent deformation due to strong external force.

이와 같이, 이 실시예에서는 하나의 갭스페이서(물론, 기판 전체적으로 보았을 때는 한 종류의 갭스페이서가 복수개 형성된다)와 2개의 눌림스페이서(기판 전체적으로 서로 다른 갭을 갖는 2종류의 갭스페이서가 각각 복수개 형성된다)가 형성되만, 상기 눌림스페이서는 서로 다른 갭(제1기판으로부터의 갭)을 갖는 3개 이상으로 형성될 수도 있다. 즉, 액정패널에 인가되는 외력에 따라 기판과 접촉하는 눌림스페이서의 종류를 다양하게 함으로써 외력의 인가시 터치불량을 더욱 최소화할 수 있게 된다.As described above, in this embodiment, one gap spacer (of course, a plurality of one type of gap spacer is formed when viewed as a whole of the substrate) and two pressing spacers (two types of gap spacers having different gaps as a whole of the substrate are formed, respectively). However, the pressing spacer may be formed of three or more having different gaps (gaps from the first substrate). That is, by varying the type of the pressing spacer in contact with the substrate according to the external force applied to the liquid crystal panel it is possible to further minimize the touch failure when the external force is applied.

이와 같이, 눌림스페이서를 3개 이상 형성하는 경우, 복수개를 컬러필터층 상부의 오버코트층 위에 서로 다른 높이로 형성하고 1개를 컬러필터층 상부에 형성되는 눌림스페이서 중 하나의 눌림스페이서와 동일한 높이로 개구부에 형성할 수도 있다.As such, when three or more pressing spacers are formed, a plurality of pressing spacers are formed at different heights on the overcoat layer on the top of the color filter layer, and one is formed at the same height as the pressing spacer of one of the pressing spacers formed on the top of the color filter layer. It may be formed.

또한, 하나의 눌림스페이서를 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성하며, 오버코트층이 서로 다른 단차를 갖도록 복수의 개구부를 형성하고 이 개구부 각각에 눌림스페이서를 형성할 수도 있다. 이때, 상기 개구부에 형성되는 오버코트층의 단차는 개구부의 넓이를 다르게 함으로써 다르게 형성할 수 있으며, 컬러필터층 상부 및 복수의 개구부에 형성되는 눌림스페이서는 모두 동일한 높이로 형성하여도 제1기판과는 서로 다른 간격을 가질 수 있게 된다.In addition, one pressing spacer may be formed in the overcoat layer on the top of the color filter layer, and a plurality of openings may be formed so that the overcoat layer has different steps, and the pressing spacers may be formed in each of the openings. In this case, the step of the overcoat layer formed in the opening may be formed differently by changing the width of the opening, and the pressing spacers formed in the upper portion of the color filter and the plurality of openings may be formed at the same height, respectively, to be different from the first substrate. You can have different intervals.

한편, 도면에서는 상기 제1컬럼스페이서(208), 제2컬럼스페이서(209a), 및 제3컬럼스페이서(209a)가 하나의 화소에 배치되어 있는 구조로 도시되어 있지만, 이는 설명의 편의를 위한 것이다. 도 3의 평면도에 도시된 바와 같이, 상기 제1컬럼스페이서(208), 제2컬럼스페이서(209a), 및 제3컬럼스페이서(209a)는 게이트라인 또는 데이터라인을 따라 하나의 화소 마다 한개 또는 복수의 화소마다 한개씩 형성되며, 제1컬럼스페이서(208), 제2컬럼스페이서(209a), 및 제3컬럼스페이서(209a)의 배치도 서로 다양한 방법으로 배치될 수 있을 것이다.Meanwhile, although the first column spacer 208, the second column spacer 209a, and the third column spacer 209a are arranged in one pixel in the drawing, this is for convenience of description. . As shown in the plan view of FIG. 3, the first column spacer 208, the second column spacer 209a, and the third column spacer 209a may be provided in one or more pixels per pixel along a gate line or a data line. One pixel is formed in each pixel, and the arrangement of the first column spacer 208, the second column spacer 209a, and the third column spacer 209a may be arranged in various ways.

도 8a-도 8d는 본 발명의 제2실시예에 따른 액정표시소자를 제조하는 방법을 나타내는 도면이다.8A to 8D illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

우선, 도 8a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 물질로 이루어진 제2기판(205)상에 CrO나 CrOx 등을 적층한 후 패터닝하여 블랙매트릭스(271)를 형성한 후, 그 위에 컬러필터층(273)을 형성한다. 이때 상기 블랙매트릭스(171)는 화소 주위의 비화상표시영역에 형성되어 매트릭스형상으로 배열되며, 컬러필터층(273)을 R,G,B컬러필터로 이루어진다. 이때, 상기 컬러필터층(273)의 일부가 제거되어 개구부(274)가 형성된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 개구부(274)는 R,G,B컬러필터중 하나의 컬러필터가 제거되어 형성될 수도 있고 2개 이상이 제거되어 형성될 수도 있다.First, as shown in FIG. 8A, CrO, CrOx, and the like are laminated on a second substrate 205 made of a transparent material such as glass, and then patterned to form a black matrix 271, and then a color filter layer ( 273). In this case, the black matrix 171 is formed in a non-image display area around the pixel and arranged in a matrix, and the color filter layer 273 is formed of R, G, and B color filters. In this case, a portion of the color filter layer 273 is removed to form the opening 274. Although not shown in the drawing, the opening 274 may be formed by removing one color filter among R, G, and B color filters, or may be formed by removing two or more color filters.

이후, 도 8b에 도시된 바와 같이, SiO2나 SiNx 등과 같은 절연물질을 CVD법에 의해 적층하여 오버코트층(275)을 형성한 후, 그 위에 감광성 수지와 같은 감광성물질을 도포하여 절연층(208a)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 8B, an overcoat layer 275 is formed by stacking an insulating material such as SiO 2 or SiN x by CVD, and then applying a photosensitive material such as a photosensitive resin thereon to the insulating layer 208a. To form.

그 후, 상기 절연층(208a)에 차단부(295a), 투과부(295b) 및 반투과(295c)를 포함하는 하프톤마스크(295)를 위치시킨 후 자외선과 같은 광을 조사한다. 이때, 상기 투과부(295b)는 제1컬럼스페이서(208)가 형성될 영역에 대응하고 반투과부(295c)는 제2컬럼스페이서(209a) 및 제3컬럼스페이서(209c)이 형성될 영역에 대응하여, 해당 영역의 절연층(208a)에 광이 조사된다.Thereafter, the halftone mask 295 including the blocking portion 295a, the transmitting portion 295b, and the transflective portion 295c is positioned on the insulating layer 208a and then irradiated with light such as ultraviolet rays. In this case, the transmission part 295b corresponds to the area where the first column spacer 208 is to be formed, and the transflective part 295c corresponds to the area where the second column spacer 209a and the third column spacer 209c are to be formed. Light is irradiated to the insulating layer 208a in the corresponding region.

이어서, 도 8c에 도시된 바와 같이, 광이 조사된 절연층(208a)을 현상액에 의해 현상하며, 광이 조사되지 않은 영역의 절연층(208a)은 제거되고 투과부(295b)를 통해 광이 조사된 영역의 절연층(208a)은 제거되지 않으며, 일부의 광만이 투과되어 조사된 영역의 절연층(208a)는 일부만이 제거되어 제1컬럼스페이서(208), 제2컬럼스페이서(209a) 및 제3컬럼스페이서(209b)가 형성된다. 이때, 상기 제1컬럼스페이서(208)와 제2컬럼스페이서(209a)는 컬러필터층(273) 상부의 오버코트층(275)에 형성되지만, 제1컬럼스페이서(208)가 제2컬럼스페이서(209a) 보다 더 큰 높이로 형성된다. 상기 제3컬럼스페이서(209b)는 개구부(274)의 오버코트층(275) 위에 상기 제2컬럼스페이서(209a)와 동일한 높이로 형성되지만, 제3컬럼스페이서(209b)는 개구부(274)는 개구부(274)에 형성되고 제2컬럼스페이서(209a)는 컬러필터층(273) 위에 형성되므로, 제3컬럼스페이서(209b)와 보호층(264) 사이의 간격이 제2컬럼스페이서(209a)와 보호층(264) 사이의 간격보다 크게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 8C, the insulating layer 208a to which light is irradiated is developed by a developer, and the insulating layer 208a of the region where the light is not irradiated is removed and light is irradiated through the transmission part 295b. The insulating layer 208a of the exposed region is not removed, and only a part of the light is transmitted, and only a part of the insulating layer 208a of the irradiated region is removed, so that the first column spacer 208, the second column spacer 209a and the first layer spacer 208a are removed. Three column spacers 209b are formed. In this case, the first column spacer 208 and the second column spacer 209a are formed on the overcoat layer 275 on the color filter layer 273, but the first column spacer 208 is the second column spacer 209a. Formed to a greater height. The third column spacer 209b is formed at the same height as the second column spacer 209a on the overcoat layer 275 of the opening 274, but the third column spacer 209b has the opening (274). 274 and the second column spacer 209a are formed on the color filter layer 273, so that a gap between the third column spacer 209b and the protective layer 264 is greater than the second column spacer 209a and the protective layer 209. 264) greater than the interval between.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 오버코트층(175)에는 배향막이 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, an alignment layer may be formed on the overcoat layer 175.

그 후, 도 8d에 도시된 바와 같이, 유리와 같이 투명한 물질로 이루어진 제1기판(203)에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법에 의해 적층한 후 사진식각방법에 의해 식각하여 게이트전극(251)을 형성한 후, 상기 게이트전극(151)이 형성된 제1기판(203) 전체에 걸쳐 CVD법에 의해 SiO2나 SiNx 등과 같은 무기절연물질을 적층하여 게이트절연층(262)을 형성한다. 상기 게이트전극(251)의 형성시 제1기판(103) 위에 게이트라인(230)도 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 8D, a non-transparent opaque metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy is applied to the first substrate 203 made of a transparent material such as glass. After forming the gate electrode 251 by laminating by photolithography, the inorganic substrate such as SiO 2 , SiNx, or the like is deposited by CVD over the entire first substrate 203 on which the gate electrode 151 is formed. The gate insulating layer 262 is formed by stacking materials. When the gate electrode 251 is formed, the gate line 230 is also formed on the first substrate 103.

그 후, 제1기판(203) 전체에 걸쳐 비정질실리콘(a-Si)과 같은 반도체물질을 CVD법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(252) 및 오믹컨택층(도면표시하지 않음)을 형성한 후, 제1기판(203) 상에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(252) 위, 엄밀하게 말해서 오믹컨택층 위에 소스전극(253) 및 드레인전극(254)을 형성하고, 이어서 상기 소스전극(253) 및 드레인전극(254)이 형성된 제1기판(203) 전체에 걸쳐 BCB나 포토아크릴과 같은 유기절연물질을 적층하여 보호층(264)을 형성한다.Thereafter, a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) is deposited by CVD over the entire first substrate 203 and then etched to form a semiconductor layer 252 and an ohmic contact layer (not shown). After that, an electrically conductive opaque metal, such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy, is laminated on the first substrate 203 by sputtering and then etched, and then etched on the semiconductor layer 252. In other words, the source electrode 253 and the drain electrode 254 are formed on the ohmic contact layer, and then BCB or photoacryl is formed on the entire first substrate 203 on which the source electrode 253 and the drain electrode 254 are formed. The protective layer 264 is formed by stacking the same organic insulating material.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 소스전극(253) 및 드레인전극(254) 형성시 데이터라인이 형성되며, 게이트전극(251) 및 소스전극(253)의 형성시 각각 공통전극 및 화소전극이 형성될 수 있다. 또한, 상기 공통전극 및 화소전극의 보호층(264) 위에 형성될 수도 있다.Although not shown in the drawing, a data line is formed when the source electrode 253 and the drain electrode 254 are formed, and a common electrode and a pixel electrode may be formed when the gate electrode 251 and the source electrode 253 are formed, respectively. have. In addition, the protective layer 264 may be formed on the common electrode and the pixel electrode.

그리고, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 보호층(264) 위에는 배향막이 형성될 수 있다.Although not shown, an alignment layer may be formed on the passivation layer 264.

이후, 상기 제1기판(203)과 제2기판(205)을 합착하고 그 사이에 액정층(207)을 형성함으로써 액정표시소자를 완성한다.Thereafter, the first substrate 203 and the second substrate 205 are bonded to each other and the liquid crystal layer 207 is formed therebetween to complete the liquid crystal display device.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

따라서, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것이 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. Therefore, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also within the scope of the present invention.

103,105: 기판 108: 갭스페이서
109: 눌림스페이서 130: 게이트라인
135: 데이터라인 171: 블랙매트릭스
173: 컬러필터층 174: 개구부
175: 오버코트층
103, 105: substrate 108: gap spacer
109: depression spacer 130: gate line
135: Dataline 171: Black Matrix
173: color filter layer 174: opening
175: overcoat layer

Claims (29)

게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 화소 및 상기 각각의 화소에 형성된 박막트랜지스터를 포함하는 제1기판;
컬러필터층, 상기 컬러필터층에 형성된 개구부 및 상기 컬러필터층 및 개구부 위에 형성된 오버코트층을 포함하는 제2기판;
상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층;
제2기판의 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성되어 제1기판과 접촉하는 제1컬럼스페이서;
제2기판의 상기 개구부의 오버코트층에 형성되어 상기 제1기판과는 설정 거리 이격되되며, 외력이 인가됨에 따라 제1기판과 접촉하는 제2컬럼스페이서로 구성된 액정표시소자.
A first substrate including a plurality of pixels defined by gate lines and data lines, and a thin film transistor formed on each pixel;
A second substrate including a color filter layer, an opening formed in the color filter layer, and an overcoat layer formed on the color filter layer and the opening;
A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate;
A first column spacer formed on the overcoat layer on the color filter layer of the second substrate and in contact with the first substrate;
And a second column spacer formed in the overcoat layer of the opening of the second substrate, the second substrate being spaced apart from the first substrate by a predetermined distance and contacting the first substrate when an external force is applied.
제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는,
제1기판에 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연층;
상기 게이트절연층 위에 형성된 반도체층;
상기 반도체층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극; 및
상기 제1기판에 형성된 보호층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
The method of claim 1, wherein the thin film transistor,
A gate electrode formed on the first substrate;
A gate insulating layer formed on the gate electrode;
A semiconductor layer formed on the gate insulating layer;
A source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer; And
And a protective layer formed on the first substrate.
제1항에 있어서, 상기 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서는 게이트라인 위에 배치되는 것을 특징으로 액정표시소자.The liquid crystal display of claim 1, wherein the first column spacer and the second column spacer are disposed on a gate line. 제1항에 있어서, 상기 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서는 데이터라인 위에 배치되는 것을 특징으로 액정표시소자.The liquid crystal display of claim 1, wherein the first column spacer and the second column spacer are disposed on a data line. 제1항에 있어서, 상기 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서는 유기물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device of claim 1, wherein the first column spacer and the second column spacer are made of an organic material. 제1항에 있어서, 상기 제1컬럼스페이서와 제2컬럼스페이서는 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display of claim 1, wherein the first column spacer and the second column spacer are formed at the same height. 제1항에 있어서, 상기 제2컬럼스페이서와 제1기판의 간격은 컬러필터층의 개구부에 의한 오버코트층의 단차의 크기에 따라 달라지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the distance between the second column spacer and the first substrate varies depending on the size of the step of the overcoat layer by the opening of the color filter layer. 제1항에 있어서, 상기 액정표시소자는 횡전계모드, TN(Twisted Nematic)모드 및 VA(Vertical Alignment)모드를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display of claim 1, wherein the liquid crystal display comprises a transverse electric field mode, a twisted nematic (TN) mode, and a vertical alignment (VA) mode. 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계;
제2기판에 개구부가 형성된 컬러필터층을 형성하는 단계;
상기 제2기판 전체에 걸쳐 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 오버코트층 위에 감광성 절연층을 적층하는 단계;
포토공정에 의해 상기 감광성 절연층을 패터닝하여 제2기판의 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 제1기판과 접촉하는 제1컬럼스페이서를 형성하고 제2기판의 상기 개구부의 오버코트층에 제1기판과 이격된 제2컬럼스페이서를 형성하는 단계; 및
액정층을 사이에 두고 제1기판 및 제2기판을 합착하는 단계로 구성된 액정표시소자 제조방법.
Providing a first substrate and a second substrate;
Forming a color filter layer having an opening formed in the second substrate;
Forming an overcoat layer over the second substrate;
Stacking a photosensitive insulating layer on the overcoat layer;
The photosensitive insulating layer is patterned by a photo process to form a first column spacer in contact with the first substrate on the overcoat layer on the color filter layer of the second substrate, and the first substrate and the overcoat layer of the opening of the second substrate. Forming a spaced second column spacer; And
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising the step of bonding a first substrate and a second substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween.
제9항에 있어서,
상기 제1기판에 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계; 및
상기 제1기판의 각각의 화소에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극 위에 게이트절연층을 형성하고 상기 게이트절연층 위에 반도체층을 형성하며 상기 반도체층 위에 소스전극 및 드레인전극을 형성한 후 상기 제1기판에 보호층을 형성하여 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
10. The method of claim 9,
Forming a plurality of gate lines and data lines defining a plurality of pixels on the first substrate; And
A gate electrode is formed on each pixel of the first substrate, a gate insulating layer is formed on the gate electrode, a semiconductor layer is formed on the gate insulating layer, and a source electrode and a drain electrode are formed on the semiconductor layer. Forming a protective layer on the substrate to form a thin film transistor further comprising the step of manufacturing a liquid crystal display device.
제10항에 있어서, 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서는 게이트라인 및 데이터라인 중 적어도 하나의 라인 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.The method of claim 10, wherein the first column spacer and the second column spacer are formed on at least one of the gate line and the data line. 게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 화소 및 상기 각각의 화소에 형성된 박막트랜지스터를 포함하는 제1기판;
컬러필터층, 상기 컬러필터층에 형성된 개구부 및 상기 컬러필터층 및 개구부 위에 형성된 오버코트층을 포함하는 제2기판;
상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층;
제2기판의 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성되어 제1기판과 접촉하는 제1컬럼스페이서;
제2기판의 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성되고 상기 제1컬럼스페이서 보다 작은 높이로 형성되어 상기 제1기판과 설정거리 이격되어 외력이 인가됨에 따라 제1기판과 접촉하는 제2컬럼스페이서;
제2기판의 상기 개구부의 오버코트층에 형성되어 상기 제1기판과는 설정 거리 이격되며, 외력이 인가됨에 따라 제1기판과 접촉하는 제3컬럼스페이서로 구성된 액정표시소자.
A first substrate including a plurality of pixels defined by gate lines and data lines, and a thin film transistor formed on each pixel;
A second substrate including a color filter layer, an opening formed in the color filter layer, and an overcoat layer formed on the color filter layer and the opening;
A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate;
A first column spacer formed on the overcoat layer on the color filter layer of the second substrate and in contact with the first substrate;
A second column spacer formed on the overcoat layer on the color filter layer of the second substrate, the second column spacer being formed at a height smaller than the first column spacer and contacting the first substrate as an external force is applied at a predetermined distance from the first substrate;
And a third column spacer formed in the overcoat layer of the opening of the second substrate and spaced apart from the first substrate by a predetermined distance and contacting the first substrate as an external force is applied.
제12항에 있어서, 상기 제1컬럼스페이서의 높이는 제2컬럼스페이서의 높이보다 크고, 제2컬럼스페이서의 높이는 제3컬럼스페이서의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display of claim 12, wherein the height of the first column spacer is greater than the height of the second column spacer, and the height of the second column spacer is the same as the height of the third column spacer. 제13항에 있어서, 제2컬럼스페이서와 제1기판의 이격거리가 제3컬럼스페이서와 제2기판의 이격거리 보다 작은 것을 특징으로 하는 액정표시소자.The liquid crystal display device of claim 13, wherein the separation distance between the second column spacer and the first substrate is smaller than the separation distance between the third column spacer and the second substrate. 제12항에 있어서, 상기 제3컬럼스페이서와 제1기판의 간격은 컬러필터층의 개구부에 의한 오버코트층의 단차의 크기에 따라 달라지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.13. The liquid crystal display device according to claim 12, wherein the distance between the third column spacer and the first substrate is dependent on the size of the step of the overcoat layer by the opening of the color filter layer. 제1기판 및 제2기판을 제공하는 단계;
제2기판에 개구부가 형성된 컬러필터층을 형성하는 단계;
상기 제2기판 전체에 걸쳐 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 오버코트층 위에 감광성 절연층을 적층하는 단계;
포토공정에 의해 상기 감광성 절연층을 패터닝하여 제2기판의 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 제1기판과 접촉하는 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서를 형성하고 제2기판의 상기 개구부의 오버코트층에 제1기판과 이격된 제3컬럼스페이서를 형성하는 단계; 및
액정층을 사이에 두고 제1기판 및 제2기판을 합착하는 단계로 구성되며,
상기 제2컬럼스페이서와 제1기판의 이격거리가 제3컬럼스페이서와 제2기판의 이격거리 보다 작은 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
Providing a first substrate and a second substrate;
Forming a color filter layer having an opening formed in the second substrate;
Forming an overcoat layer over the second substrate;
Stacking a photosensitive insulating layer on the overcoat layer;
The photosensitive insulating layer is patterned by a photo process to form a first column spacer and a second column spacer in contact with the first substrate on the overcoat layer on the color filter layer of the second substrate, and the overcoat layer of the opening of the second substrate. Forming a third column spacer spaced apart from the first substrate; And
Bonding the first substrate and the second substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween,
The separation distance between the second column spacer and the first substrate is smaller than the separation distance between the third column spacer and the second substrate.
제16항에 있어서,
상기 제1기판에 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계; 및
상기 제1기판의 각각의 화소에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극 위에 게이트절연층을 형성하고 상기 게이트절연층 위에 반도체층을 형성하며 상기 반도체층 위에 소스전극 및 드레인전극을 형성한 후 상기 제1기판에 보호층을 형성하여 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
17. The method of claim 16,
Forming a plurality of gate lines and data lines defining a plurality of pixels on the first substrate; And
A gate electrode is formed on each pixel of the first substrate, a gate insulating layer is formed on the gate electrode, a semiconductor layer is formed on the gate insulating layer, and a source electrode and a drain electrode are formed on the semiconductor layer. Forming a protective layer on the substrate to form a thin film transistor further comprising the step of manufacturing a liquid crystal display device.
제16항에 있어서, 제1컬럼스페이서, 제2컬럼스페이서 및 제3컬럼스페이서를 형성하는 단계는,
감광성 절연층 위에 차단부, 투과부 및 반투과를 포함하는 하프톤마스크를 위치시킨 상태에서 광을 조사하는 단계; 및
광이 조사된 감광성 절연층을 현상하여 차단부에 대응하는 영역의 절연층을 제거하고 반투과부에 대응하는 영역의 절연층은 일부만을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
The method of claim 16, wherein the forming of the first column spacer, the second column spacer, and the third column spacer comprises:
Irradiating light with a halftone mask including a blocking part, a transmitting part, and a transflective part positioned on the photosensitive insulating layer; And
Developing a photosensitive insulating layer irradiated with light to remove the insulating layer corresponding to the blocking portion, and removing only a part of the insulating layer corresponding to the transflective portion.
박막트랜지스터 기판 및 컬러필터기판;
상기 컬러필터기판에 형성되어 박막트랜지스터 기판과 접촉하는 제1스페이서;
상기 컬러필터기판에 형성되어 상기 박막트랜지스터 기판과 일정 거리 이격되어 외력이 인가됨에 따라 상기 박막트랜지스터 기판과 접촉하는 복수의 제2스페이서로 구성되며,
복수의 제2스페이서 각각과 박막트랜지스터 기판 사이의 이격 거리는 서로 다른 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
Thin film transistor substrate and color filter substrate;
A first spacer formed on the color filter substrate and in contact with the thin film transistor substrate;
A plurality of second spacers formed on the color filter substrate and contacting the thin film transistor substrate as an external force is applied at a predetermined distance from the thin film transistor substrate.
And a separation distance between each of the plurality of second spacers and the thin film transistor substrate is different.
제19항에 있어서, 상기 박막트랜지스터 기판은,
제1기판;
상기 제1기판에 형성되어 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인; 및
각각의 화소에 형성된 박막트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
The thin film transistor substrate of claim 19,
First substrate;
A plurality of gate lines and data lines formed on the first substrate to define a plurality of pixels; And
And a thin film transistor formed on each pixel.
제19항에 있어서, 상기 컬러필터기판은,
제2기판;
상기 제2기판에 형성된 컬러필터층;
상기 컬러필터층에 형성된 개구부; 및
상기 컬러필터층 및 개구부 위에 형성되어 상기 컬러필터층 상부와 개구부 사이에 단차가 형성된 오버코트층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
The method of claim 19, wherein the color filter substrate,
Second substrate;
A color filter layer formed on the second substrate;
An opening formed in the color filter layer; And
And an overcoat layer formed on the color filter layer and the opening and having a step formed between an upper portion and the opening of the color filter layer.
제21항에 있어서, 제1스페이서는 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성된 갭스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.22. The liquid crystal display device according to claim 21, wherein the first spacer comprises a gap spacer formed on the overcoat layer on the color filter layer. 제21항에 있어서, 제2스페이서는 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성된 복수의 눌림스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.22. The liquid crystal display device according to claim 21, wherein the second spacer comprises a plurality of pressing spacers formed on the overcoat layer on the color filter layer. 제21항 또는 제22항에 있어서, 상기 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성된 눌림스페이서의 높이는 컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성된 갭스페이서의 높이 보다 작고, 복수의 눌림스페이서는 서로 다른 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.23. The method of claim 21 or 22, wherein the height of the pressing spacer formed on the overcoat layer on the top of the color filter layer is smaller than the height of the gap spacer formed on the overcoat layer on the top of the color filter layer, the plurality of pressing spacers are formed to different heights A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned. 제21항에 있어서, 상기 제2스페이서는,
컬러필터층 상부의 오버코트층에 형성된 적어도 하나의 제1눌림스페이서; 및
개구부의 오버코트층에 형성된 적어도 하나의 제2눌림스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
The method of claim 21, wherein the second spacer,
At least one first pressing spacer formed on the overcoat layer above the color filter layer; And
And at least one second pressing spacer formed in the overcoat layer of the opening.
제25항에 있어서, 상기 제1눌림스페이서가 복수개 형성되는 경우 복수의 제1눌림스페이서는 서로 다른 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.26. The liquid crystal display device according to claim 25, wherein when the plurality of first pressing spacers are formed, the plurality of first pressing spacers are formed at different heights. 제25항에 있어서, 상기 제2눌림스페이서가 복수개 형성되는 경우 복수의 제2눌림스페이서는 동일한 높이로 형성되고 복수의 제2눌림스페이서가 형성되는 오버코트층의 단차가 서로 다른 것을 특징으로 하는 액정표시소자.26. The liquid crystal display of claim 25, wherein when the plurality of second pressing spacers are formed, the plurality of second pressing spacers are formed at the same height, and the steps of the overcoat layer on which the plurality of second pressing spacers are formed are different from each other. device. 제27항에 있어서, 상기 오버코트층의 단차의 높이는 개구부의 넓이에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.28. The liquid crystal display device according to claim 27, wherein the height of the step of the overcoat layer is determined by the width of the opening. 제25항에 있어서, 상기 제2눌림스페이서의 높이는 적어도 하나의 제1눌림스페이서의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
The liquid crystal display device of claim 25, wherein the height of the second pressing spacer is equal to the height of the at least one first pressing spacer.
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