KR20130029804A - Bonded material, and process for production thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제1 회로 부재와 제2 회로 부재가 도전성 입자 및 광 경화성 수지를 포함하는 이방성 도전 필름을 통해 전기적으로 접합되어 이루어지는 접합체의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 회로 부재, 상기 이방성 도전 필름 및 상기 제2 회로 부재를 이 순서대로 배치하는 공정과, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 상기 이방성 도전 필름을 통해 압접할 때에 초음파를 인가하는 공정과, 상기 초음파를 인가한 후에 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 상기 이방성 도전 필름을 통해 압접시키면서, 상기 이방성 도전 필름에 광을 조사하는 공정을 포함하는 접합체의 제조 방법이다.The present invention provides a method of manufacturing a bonded body in which a first circuit member and a second circuit member are electrically bonded through an anisotropic conductive film containing conductive particles and a photocurable resin, wherein the first circuit member, the anisotropic conductive film, and Arranging the second circuit member in this order; applying an ultrasonic wave when pressing the first circuit member and the second circuit member through the anisotropic conductive film; and applying the ultrasonic wave, It is a manufacturing method of the bonding body including the process of irradiating light to the said anisotropic conductive film, pressing-contacting a 1st circuit member and a said 2nd circuit member through the said anisotropic conductive film.
Description
본 발명은 접합체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a conjugate and a method for producing the conjugate.
종래부터 전자 부품을 접속하는 수단으로서, 도전성 입자가 분산된 수지를 박리막에 도포한 테이프상의 접속 재료 (예를 들면, 이방성 도전 필름 (ACF; Anisotropic Conductive Film))가 이용되고 있다.Conventionally, the tape-shaped connection material (for example, anisotropic conductive film (ACF; Anisotropic Conductive Film)) which apply | coated resin which electroconductive particle disperse | distributed to the peeling film is used as a means to connect an electronic component.
이 이방성 도전 필름은, 예를 들면 전자 부품 (IC 칩) 또는 플렉시블 인쇄 기판 (FPC)의 단자와, LCD 패널의 유리 기판 상에 형성된 ITO (Indium Tin Oxide) 전극을 접속하는 경우를 비롯하여, 여러 단자 사이를 접착함과 동시에 전기적으로 접속하여 접합체를 제작하는 경우에 이용되고 있다.This anisotropic conductive film has various terminals, for example, when connecting the terminal of an electronic component (IC chip) or a flexible printed circuit board (FPC), and the ITO (Indium Tin Oxide) electrode formed on the glass substrate of an LCD panel. It is used in the case of bonding together and electrically connecting and manufacturing a joined body.
특히, 상기 이방성 도전 필름을 이용하여, LCD 패널 등에 IC 칩을 실장하는 COG 실장, 및 상기 이방성 도전 필름을 이용하여, LCD 패널 등에 금속 배선을 갖는 플렉시블 테이프에 접합한 IC 칩을 실장하는 COF 실장이, 액정 디스플레이의 고정밀화, 박형화 및 협액연화(狹額緣化)에 따라 주목받고 있다.In particular, a COG mount for mounting an IC chip on an LCD panel or the like using the anisotropic conductive film, and a COF mount for mounting an IC chip bonded to a flexible tape having metal wiring on an LCD panel or the like using the anisotropic conductive film Attention has been paid to high precision, thinning and narrowing of liquid crystal displays.
그러나, 현상의 COG 실장에서는, 온도 150℃ 내지 250℃에서 5초간 내지 10초간 열량을 가하여 접속을 행하고 있고, IC 칩과 패널의 열 신축차에 의해 패널이 휘어져 버려 화면 표시 불균일이 발생한다는 문제가 있다. 또한, 현상의 COF 실장에서도, 마찬가지로 온도 150℃ 내지 250℃에서 5초간 내지 10초간 열량을 가하여 접속을 행하고 있고, 플렉시블 테이프에 접합한 IC 칩의 열 신축에 의해 얼라인먼트에 어긋남이 발생하여 접속 불량, 단자간 쇼트가 발생한다는 문제가 있다.However, in the COG implementation of the development, connection is carried out by applying a heat amount for 5 seconds to 10 seconds at a temperature of 150 ° C to 250 ° C, and the panel is bent due to thermal expansion and contraction of the IC chip and the panel, resulting in screen display unevenness. have. In addition, in the COF mounting of the present invention, the heat is applied for 5 seconds to 10 seconds at a temperature of 150 ° C to 250 ° C in the same manner, and alignment is caused by misalignment due to thermal expansion and contraction of the IC chip bonded to the flexible tape. There is a problem that short circuit occurs between terminals.
상기 문제를 해결하는 수단으로서, 광 경화, 초음파 인가를 이용한 이방성 도전 접속이 주목을 받고 있다.As a means to solve the said problem, the anisotropic conductive connection using photocuring and ultrasonic application attracts attention.
예를 들면, 경화제로서 유기 과산화물을 포함하는 이방성 도전 필름에 초음파를 인가하여 기판 사이의 접속을 행하는 기술이 제안되어 있다 (예를 들면, 특허문헌 1 참조).For example, the technique which connects a board | substrate by applying an ultrasonic wave to the anisotropic conductive film containing an organic peroxide as a hardening agent is proposed (for example, refer patent document 1).
그러나, 이 기술에는 이방성 도전 필름이 열 경화하기 때문에, 열 신축에 의한 문제를 여전히 해결할 수 없다는 문제가 있다.However, this technique has a problem that the problem caused by thermal stretching cannot be solved because the anisotropic conductive film is thermally cured.
또한, 회로 기판 사이에 자외선 (UV) 경화형 수지를 도포하고, 회로 기판의 단자를 초음파로 접합하여, 자외선 (UV) 경화형 수지를 자외선 (UV)으로 경화하는 기술이 제안되어 있다 (예를 들면, 특허문헌 2 참조).Moreover, the technique which apply | coats an ultraviolet (UV) curable resin between circuit boards, joins the terminal of a circuit board with an ultrasonic wave, and hardens an ultraviolet (UV) curable resin by ultraviolet (UV) is proposed (for example, See Patent Document 2).
그러나, 이 기술에는 충분한 접합 강도가 얻어지지 않으며, 접속 신뢰성이 낮다는 문제가 있다.However, this technique has a problem that sufficient joint strength cannot be obtained and connection reliability is low.
또한, YAG 레이저, 크세논 램프, 할로겐 램프 등에 의해 발생한 광 빔을 이방성 도전 필름에 조사함으로써 가열하면서, 초음파 인가를 행하는 기술이 제안되어 있다 (예를 들면, 특허문헌 3 참조).Moreover, the technique of applying an ultrasonic wave, heating by irradiating the anisotropic conductive film by irradiating the light beam which generate | occur | produced with a YAG laser, a xenon lamp, a halogen lamp, etc. is proposed (for example, refer patent document 3).
그러나, 이 기술에는, 광 조사에 의해 경화하는 광 경화성 수지를 포함하는 이방성 도전 필름 (예를 들면, 특허문헌 4 참조)을 이용하면, 접합 (접착) 강도가 충분하지 않으며, 전기 특성이 떨어진다는 문제가 있다.However, in this technique, when an anisotropic conductive film containing a photocurable resin cured by light irradiation (for example, refer to Patent Document 4) is used, the bonding (adhesion) strength is not sufficient, and the electrical properties are inferior. there is a problem.
본 발명은 종래에 있어서의 상기 다양한 문제를 해결하여, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은 전기 특성이 우수하며, 휘어짐을 억제하여, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 접합체 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention solves the said various problem in the past, and makes it a subject to achieve the following objectives. That is, an object of this invention is to provide the joined body which is excellent in electrical characteristics, suppresses curvature, and can improve connection reliability, and its manufacturing method.
상기 과제를 해결하는 수단은 이하와 같다. 즉, Means for solving the above problems are as follows. In other words,
<1> 제1 회로 부재와 제2 회로 부재가 도전성 입자 및 광 경화성 수지를 포함하는 이방성 도전 필름을 통해 전기적으로 접합되어 이루어지는 접합체의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 회로 부재, 상기 이방성 도전 필름 및 상기 제2 회로 부재를 이 순서대로 배치하는 공정과, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 상기 이방성 도전 필름을 통해 압접할 때에 초음파를 인가하는 공정과, 상기 초음파를 인가한 후에, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 상기 이방성 도전 필름을 통해 압접시키면서, 상기 이방성 도전 필름에 광을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접합체의 제조 방법이다.<1> A method for producing a bonded body in which a first circuit member and a second circuit member are electrically bonded through an anisotropic conductive film containing conductive particles and a photocurable resin, wherein the first circuit member, the anisotropic conductive film, and After the step of arranging the second circuit member in this order, the step of applying ultrasonic waves when the first circuit member and the second circuit member are press-contacted through the anisotropic conductive film, and after applying the ultrasonic waves, It is a manufacturing method of the joined body characterized by including the process of irradiating light to the said anisotropic conductive film, pressing-contacting a 1st circuit member and the said 2nd circuit member through the said anisotropic conductive film.
<2> 상기 <1>에 있어서, 이방성 도전 필름에 대하여 한쪽의 측으로부터 초음파를 조사하고, 상기 이방성 도전 필름에 대하여 다른쪽의 측으로부터 광을 조사하는 접합체의 제조 방법이다.<2> In <1>, it is a manufacturing method of the bonding body which irradiates an ultrasonic wave from one side with respect to an anisotropic conductive film, and irradiates light from the other side with respect to the said anisotropic conductive film.
<3> 상기 <1> 또는 <2>에 있어서, 조사되는 광의 파장이 200 nm 내지 750 nm인 접합체의 제조 방법이다.<3> The method of producing a conjugate according to <1> or <2>, wherein the wavelength of the irradiated light is 200 nm to 750 nm.
<4> 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 있어서, 광 경화성 수지가 광 양이온 경화성 수지 및 광 라디칼 경화성 수지 중 어느 하나를 적어도 포함하는 접합체의 제조 방법이다.<4> The method for producing a joined body according to any one of <1> to <3>, wherein the photocurable resin contains at least one of a photocationic curable resin and a photoradical curable resin.
<5> 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 있어서, 초음파의 인가 시간이 0.1초간 내지 2.0초간이고, 광의 조사 시간이 1.0초간 내지 5.0초간인 접합체의 제조 방법이다.<5> The method for producing a joined body according to any one of <1> to <4>, wherein the application time of the ultrasonic waves is 0.1 seconds to 2.0 seconds and the light irradiation time is 1.0 seconds to 5.0 seconds.
<6> 상기 <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 접합체이다.<6> It is a conjugate | zygote manufactured by the manufacturing method in any one of said <1>-<5>.
본 발명에 따르면, 종래에 있어서의 상기 다양한 문제를 해결하여 상기 목적을 달성할 수 있으며, 전기 특성이 우수하고, 휘어짐을 억제하여, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 접합체 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, the above-mentioned various problems in the related art can be solved, and the above object can be achieved, and the joined body and the manufacturing method thereof can be provided which are excellent in electrical characteristics, suppress the warpage, and improve connection reliability. have.
[도 1] 도 1은 본 발명의 접합체를 나타내는 개략 설명도이다.1 is a schematic explanatory diagram showing a conjugate of the present invention.
(접합체)(Bonded body)
본 발명의 접합체는 적어도 제1 회로 부재와, 제2 회로 부재와, 이방성 도전 필름을 갖게 되고, 추가로 필요에 따라 적절하게 선택한 그 밖의 부재를 갖게 된다.The joined body of this invention has at least a 1st circuit member, a 2nd circuit member, and an anisotropic conductive film, and also has other members suitably selected as needed.
<제1 및 제2 회로 부재> <First and second circuit members>
상기 제1 및 제2 회로 부재로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 배선 기판, 전자 부품, 플렉시블 배선 기판 (FPC) 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said 1st and 2nd circuit member, According to the objective, it can select suitably, For example, a wiring board, an electronic component, a flexible wiring board (FPC), etc. are mentioned.
상기 배선 기판으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 LCD 기판, PDP 기판, 유기 EL 기판 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said wiring board, According to the objective, it can select suitably, For example, an LCD board, a PDP board | substrate, an organic EL board | substrate, etc. are mentioned.
상기 배선 기판의 재질로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 광 투과성인 점에서 유리, 투명 플라스틱 등이 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as a material of the said wiring board, Although it can select suitably according to the objective, From the point which is light transmissive, glass, a transparent plastic, etc. are preferable.
상기 배선 기판의 파장 200 nm 내지 750 nm의 광의 투과율로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 50% 내지 100%가 바람직하고, 70% 내지 100%가 보다 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as a transmittance | permeability of the light of wavelength 200nm-750nm of the said wiring board, Although it can select suitably according to the objective, 50%-100% are preferable and 70%-100% are more preferable.
상기 투과율이 50% 미만이면, 결합제의 경화율이 낮은 부위가 발생하기 쉬워져, 접속 불량을 일으키는 경우가 있다. 한편, 상기 투과율이 상기 특히 바람직한 범위 내이면, 전체적으로 균일한 경화 상태가 얻어지기 쉬워져, 양호한 접속 상태를 유지할 수 있게 된다는 점에서 유리하다.When the said transmittance | permeability is less than 50%, the site | part with low hardening rate of a binder becomes easy to generate | occur | produce, and connection defect may be caused. On the other hand, if the said transmittance | permeability exists in the said especially preferable range, it is advantageous at the point which becomes easy to obtain a uniform hardening state as a whole, and can maintain a favorable connection state.
또한, 유리 기판 상의 금속 배선 등에 의해 부분적으로 광을 투과하지 않는 부위 (비투광 부위)가 존재하는 경우에도 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 비투광 부위의 기판에 있어서의 비율로는, 양호한 결합제의 경화 측면에서 50% 이하가 바람직하고, 30% 이하가 보다 바람직하다.Moreover, when the site | part (non-transmissive site | part) which does not partially transmit light by metal wiring etc. on a glass substrate exists, it can use preferably. As a ratio in the board | substrate of the said non-transmissive site | part, 50% or less is preferable from a hardening side of a favorable binder, and 30% or less is more preferable.
상기 전자 부품으로는, 예를 들면 IC 칩, IC 칩을 탑재한 TAB 테이프 등을 들 수 있다.As said electronic component, an IC chip, the TAB tape which mounted an IC chip, etc. are mentioned, for example.
<이방성 도전 필름> <Anisotropic Conductive Film>
상기 이방성 도전 필름은 적어도 도전층을 갖게 되고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 층을 갖게 된다.The anisotropic conductive film has at least a conductive layer and further has other layers as necessary.
본 발명의 상기 이방성 도전 필름은 막 형성 수지 (열가소성 수지), 광 경화성 수지, 도전성 입자 및 경화제를 적어도 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said anisotropic conductive film of this invention contains film formation resin (thermoplastic resin), photocurable resin, electroconductive particle, and a hardening | curing agent at least.
-도전층--Conductive layer-
상기 도전층은 적어도 도전성 입자 및 광 경화성 수지를 포함하며, 필요에 따라 경화제, 열가소성 수지, 그 밖의 성분을 포함할 수도 있다.The said conductive layer contains at least electroconductive particle and photocurable resin, and may contain a hardening | curing agent, a thermoplastic resin, and another component as needed.
--도전성 입자----Conductive Particles--
상기 도전성 입자로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 땜납, 니켈, 금, 은, 구리 등의 금속 입자; 금속 (니켈, 금, 은, 팔라듐, 알루미늄, 구리 등)으로 피복 (도금)된 수지 입자 등의 유기 충전재; 금속 (니켈, 금, 은, 팔라듐, 알루미늄, 구리 등)으로 피복 (도금)된 유리 입자, 세라믹 입자 등의 무기 충전재 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said electroconductive particle, According to the objective, it can select suitably, For example, metal particles, such as solder, nickel, gold, silver, copper; Organic fillers such as resin particles coated (plated) with a metal (nickel, gold, silver, palladium, aluminum, copper, etc.); And inorganic fillers such as glass particles and ceramic particles coated (plated) with a metal (nickel, gold, silver, palladium, aluminum, copper, and the like).
상기 도전성 입자의 입경으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 부피 평균 입경으로 2 ㎛ 내지 10 ㎛가 바람직하고, 2 ㎛ 내지 4 ㎛가 보다 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as a particle diameter of the said electroconductive particle, According to the objective, it can select suitably, For example, 2 micrometers-10 micrometers are preferable as a volume average particle diameter, and 2 micrometers-4 micrometers are more preferable.
상기 부피 평균 입경이 2 ㎛ 미만이면, 분급 처리 및 입수가 곤란하고, 10 ㎛를 초과하면, 접합 단자의 파인 피치화에 따른, 상기 접합 단자의 협소화에 대한 대응이 곤란해지는 경우가 있다.When the said volume average particle diameter is less than 2 micrometers, it is difficult to classify and obtain, and when it exceeds 10 micrometers, it may become difficult to cope with narrowing of the said junction terminal by the fine pitch of a junction terminal.
상기 도전성 입자의 비중으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as specific gravity of the said electroconductive particle, According to the objective, it can select suitably.
--광 경화성 수지----Photocurable resin--
상기 광 경화성 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 광 라디칼 경화성 수지, 광 양이온 경화성 수지 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said photocurable resin, According to the objective, it can select suitably, For example, radical photocurable resin, photocationic curable resin, etc. are mentioned.
상기 광 라디칼 경화성 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 에폭시(메트)아크릴레이트류, 우레탄(메트)아크릴레이트류, (메트)아크릴레이트 올리고머 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said radical photocurable resin, According to the objective, it can select suitably, For example, an epoxy (meth) acrylate, a urethane (meth) acrylate, a (meth) acrylate oligomer, etc. are mentioned. have.
또한, 상기 광 라디칼 경화성 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.Moreover, there is no restriction | limiting in particular as said optical radical curable resin, According to the objective, it can select suitably, For example, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, epoxy acrylate, ethylene glycol Diacrylate, diethylene glycol diacrylate, trimethylol propane triacrylate, dimethylol tricyclodecane diacrylate, tetramethylene glycol tetraacrylate, 2-hydroxy-1,3-diacryloxypropane, 2, 2-bis [4- (acryloxymethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (acryloxyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclodecanyl acrylate, tris ( Acryloxyethyl) isocyanurate, urethane acrylate, etc. are mentioned. These may be used alone, or two or more of them may be used in combination.
또한, 상기 광 라디칼 경화성 수지로는, 상기 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 들 수 있고, 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종 이상을 병용할 수도 있다.Moreover, as said radical photocurable resin, what made the said acrylate the methacrylate is mentioned, These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
상기 광 양이온 경화성 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 옥세탄 수지, 지환식 에폭시 수지, 이들의 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.There is no restriction | limiting in particular as said photocationic curable resin, According to the objective, it can select suitably, For example, a bisphenol-A epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a novolak-type epoxy resin, an oxetane resin, an alicyclic epoxy resin And these modified epoxy resins. These may be used alone, or two or more of them may be used in combination.
또한, 광 라디칼 경화성 수지, 광 양이온 경화성 수지를 혼합하는 등에 의해 병용할 수도 있다.Moreover, it can also use together by mixing radical photocurable resin, photocationic curable resin, etc.
--경화제----Hardeners--
상기 경화제로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 파장 영역 200 nm 내지 750 nm의 광에 의해 활성인 양이온종 또는 라디칼종을 발생시키는 경화제 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said hardening | curing agent, According to the objective, it can select suitably, For example, the hardening | curing agent which generate | occur | produces active cationic species or radical species by the light of wavelength range 200 nm-750 nm, etc. are mentioned.
양이온종을 발생하는 광 양이온 경화제로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 술포늄염, 오늄염 등을 들 수 있다. 이들은 다양한 에폭시 수지를 양호하게 경화시킬 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a photocationic hardener which produces cationic species, According to the objective, it can select suitably, For example, a sulfonium salt, an onium salt, etc. are mentioned. These can cure various epoxy resins well.
라디칼종을 발생하는 광 라디칼 경화제로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 알킬페논계 광 중합 개시제, 아실포스핀옥시드계 광 중합 개시제, 티타노센계 중합 개시제, 옥심에스테르계 광 중합 개시제 등을 들 수 있다. 이들은 다양한 아크릴레이트를 양호하게 경화시킬 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as an optical radical hardener which generate | occur | produces a radical species, According to the objective, it can select suitably, For example, an alkylphenone type photoinitiator, an acyl phosphine oxide type photoinitiator, a titanocene type polymerization initiator, an oxime ester A photoinitiator, etc. are mentioned. These can cure various acrylates well.
또한, 상기 파장 영역 200 nm 내지 750 nm의 광에 의해 활성인 양이온종 또는 라디칼종을 발생시키는 경화제로는, 예를 들면 광 라디칼 경화제 (상품명: 이르가큐어 651, 시바 스페셜리티 케미컬즈사 제조), 광 양이온 경화제 (상품명: 이르가큐어 369, 시바 스페셜리티 케미컬즈사 제조) 등을 들 수 있다.Moreover, as a hardening | curing agent which generate | occur | produces active cationic species or radical species by the light of the said wavelength range 200nm-750nm, it is an optical radical hardening | curing agent (brand name: Irgacure 651, Ciba Specialty Chemicals company make), light, for example. And cationic curing agents (trade name: Irgacure 369, manufactured by Ciba Specialty Chemicals).
또한, 광 라디칼 경화제, 광 양이온 경화제를 혼합하는 등에 의해 병용할 수도 있다.Moreover, it can also use together by mixing an optical radical hardening | curing agent and an optical cationic hardening | curing agent.
--열가소성 수지 (막 형성 수지)----Thermoplastic (film forming resin)-
상기 열가소성 수지로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 페녹시 수지, 우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 스티렌이소프렌 수지, 니트릴부타디엔 수지 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said thermoplastic resin, According to the objective, it can select suitably, For example, a phenoxy resin, a urethane resin, a polyester resin, a styrene isoprene resin, a nitrile butadiene resin, etc. are mentioned.
--그 밖의 성분----Other ingredients--
상기 그 밖의 성분으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 안료, 실란 커플링제, 무기 충전재, 유기 충전재 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said other components, According to the objective, it can select suitably, For example, a pigment, a silane coupling agent, an inorganic filler, an organic filler, etc. are mentioned.
---안료------ Pigment ---
상기 안료로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 이산화티탄, 산화아연, 군청, 적산화철, 리토폰, 납, 카드뮴, 철, 코발트, 알루미늄, 염산염, 황산염 등의 무기 안료; 아조 안료, 구리프탈로시아닌 안료 등의 유기 안료 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said pigment, According to the objective, it can select suitably, For example, titanium dioxide, zinc oxide, ultramarine blue, red iron oxide, lithopone, lead, cadmium, iron, cobalt, aluminum, hydrochloride, sulfate, etc. Inorganic pigments; Organic pigments, such as an azo pigment and a copper phthalocyanine pigment, etc. are mentioned.
---실란 커플링제------ Silane Coupling Agents ---
상기 실란 커플링제로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said silane coupling agent, According to the objective, it can select suitably, For example, a vinyl tris (2-methoxyethoxy) silane, a vinyl triethoxysilane, a vinyl trimethoxysilane, 3-sty Aryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, N -2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3- Aminopropyl trimethoxysilane, 3-mercaptopropyl trimethoxysilane, 3-chloropropyl trimethoxysilane, etc. are mentioned.
---무기 충전재------ Inorganic Filling Materials ---
상기 무기 충전재로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 실리카, 알루미나, 산화티탄, 황산바륨, 탈크, 탄산칼슘, 유리 가루, 석영 가루 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said inorganic filler, According to the objective, it can select suitably, For example, a silica, alumina, titanium oxide, barium sulfate, talc, calcium carbonate, glass powder, quartz powder etc. are mentioned.
---유기 충전재------ Organic Filling Materials ---
상기 유기 충전재로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 우레탄 파우더, 아크릴 파우더, 실리콘 파우더 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said organic filler, According to the objective, it can select suitably, For example, a urethane powder, an acrylic powder, a silicone powder, etc. are mentioned.
-그 밖의 층--Other layers-
상기 그 밖의 층으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 박리층을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said other layer, According to the objective, it can select suitably, For example, a peeling layer is mentioned.
상기 박리층으로는, 그의 형상, 구조, 크기, 두께, 재료 (재질) 등에 대해서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 박리성이 양호한 것이나 내열성이 높은 것이 바람직하고, 예를 들면 실리콘 등의 박리제가 도포된 투명한 박리 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 시트 등을 바람직하게 들 수 있다. 또한, PTFE (폴리테트라플루오로에틸렌) 시트를 이용할 수도 있다.There is no restriction | limiting in particular about the shape, structure, size, thickness, material (material), etc. as said peeling layer, Although it can select suitably according to the objective, The thing with favorable peelability and high heat resistance is preferable, for example, The transparent peeling PET (polyethylene terephthalate) sheet etc. which apply | coated the peeling agent, such as silicone, are mentioned preferably. In addition, a PTFE (polytetrafluoroethylene) sheet may be used.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 접합체 (100)은, 제1 회로 부재로서의 LCD 패널 (10)과, 제2 회로 부재로서의 IC 칩 (11)과, 이방성 도전 필름 (12)를 갖는다. IC 칩 (11)의 단자 (11a)와, 이방성 도전 필름 (12)의 도전성 입자 (12a)와, LCD 패널 (10)의 단자 (도시되지 않음)가 도통됨으로써, LCD 패널 (10)과 IC 칩 (11)이 전기적으로 접속된다.As shown in FIG. 1, the
(접합체의 제조 방법)(Method of producing a conjugate)
본 발명의 접합체의 제조 방법은, 적어도 배치 공정과, 초음파 인가 공정과, 광 조사 공정을 포함하고, 필요에 따라 적절하게 선택한 그 밖의 공정을 더 포함한다.The manufacturing method of the joined body of this invention contains the other process which suitably selected as needed, including an arrangement process, an ultrasonic application process, and a light irradiation process at least.
<배치 공정> <Batch process>
상기 배치 공정은 제1 회로 부재, 이방성 도전 필름 및 제2 회로 부재를 이 순서대로 배치하는 공정이다.The said arrangement process is a process of arrange | positioning a 1st circuit member, an anisotropic conductive film, and a 2nd circuit member in this order.
<초음파 인가 공정> Ultrasonic application process
상기 초음파 인가 공정은, 제1 회로 부재와 제2 회로 부재를 이방성 도전 필름을 통해 압접할 때에 초음파를 인가하는 공정이다.The said ultrasonic wave application process is a process of applying an ultrasonic wave, when pressing a 1st circuit member and a 2nd circuit member through an anisotropic conductive film.
상기 압접이란, 제1 회로 부재와 제2 회로 부재가 이방성 도전 필름을 통해 도통이 얻어지는 것, 즉 이방성 도전 필름에 있어서의 도전성 입자가 제1 및 제2 회로 부재의 접속 단자에 접하는 상태인 것을 의미한다.The said pressure contact means that a 1st circuit member and a 2nd circuit member are the thing through which conduction is obtained through an anisotropic conductive film, ie, the state in which the electroconductive particle in an anisotropic conductive film contact | connects the connection terminal of a 1st and 2nd circuit member. do.
상기 압접은, 예를 들면 히트툴 등의 가압 부재 (도 1에 있어서의 (20))를 이용하여, 상기 제1 회로 부재 및 상기 제2 회로 부재 중 어느 하나를 가압함으로써 행해지고, 상기 가압 부재와 상기 제2 회로 부재 사이에 테플론 (등록상표) 등에 의한 완충재를 끼워 장착할 수도 있다. 상기 완충재를 끼워 장착함으로써, 가압 변동을 감소시킬 수 있을 뿐 아니라, 히트툴이 오염되는 것을 방지할 수 있다.The pressure welding is performed by pressing any one of the first circuit member and the second circuit member using a pressing member (20 in FIG. 1) such as a heat tool, and the pressing member A buffer member made of Teflon (registered trademark) or the like may be sandwiched between the second circuit members. By inserting the cushioning material, not only the pressure fluctuation can be reduced, but also the heat tool can be prevented from being contaminated.
상기 가압 부재로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 가압 대상보다 면적이 큰 가압 부재를 이용하여 가압을 1회로 행할 수도 있고, 또한 가압 대상보다 면적이 작은 가압 부재를 이용하여 가압을 수회로 나눠 행할 수도 있다.There is no restriction | limiting in particular as said pressurizing member, According to the objective, it can select suitably, The pressurization can be performed once using the pressurizing member which has an area larger than a pressurizing object, and also using the pressurizing member whose area is smaller than a pressurizing object Pressurization may be divided into several times.
상기 가압 부재의 선단 형상으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 평면상, 곡면상 등을 들 수 있다. 또한, 상기 선단 형상이 곡면상인 경우, 상기 곡면상을 따라 가압할 수도 있다.There is no restriction | limiting in particular as a tip shape of the said press member, According to the objective, it can select suitably, For example, a planar shape, a curved surface, etc. are mentioned. In addition, when the tip shape is curved, pressure may be applied along the curved surface.
상기 가압시에 있어서의 가압력으로는 특별히 제한은 없고, 회로 부재의 종류나 목적에 따라 다양하며, 가압력의 범위는 그 중에서 적절하게 선택할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a pressing force at the time of the said pressurization, It changes with the kind and purpose of a circuit member, The range of a pressing force can be suitably selected from them.
최적의 경화율에 도달할 때까지 가압을 유지하는 것이 바람직하다. 상기 최적인 경화율로는, 접속 재료 및 회로 부재의 종류에 따라 다르지만, 60% 내지 100%가 바람직하고, 70% 내지 100%가 보다 바람직하다.It is desirable to maintain pressurization until the optimum curing rate is reached. As said optimal hardening rate, although it changes with kinds of connection material and a circuit member, 60%-100% are preferable and 70%-100% are more preferable.
상기 경화율이 60% 미만인 경우, 접속 불량이 발생하는 경우가 있다.When the said hardening rate is less than 60%, connection defect may arise.
상기 초음파의 주파수로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 10 kHz 내지 100 kHz가 바람직하고, 20 kHz 내지 60 kHz가 보다 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as a frequency of the said ultrasonic wave, Although it can select suitably according to the objective, 10 kHz-100 kHz are preferable, and 20 kHz-60 kHz are more preferable.
상기 주파수가 10 kHz 미만이면, 회로 부재를 압입하는 힘이 부족하여 접속 불량을 일으키는 경우가 있고, 100 kHz를 초과하면, 회로 부재의 접합 단자가 변형되어 쇼트나 접속 불량을 야기하는 경우가 있다.If the frequency is less than 10 kHz, the force to press-in the circuit member may be insufficient to cause connection failure. If the frequency exceeds 100 kHz, the junction terminal of the circuit member may be deformed to cause short or connection failure.
상기 초음파의 진동 방향으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 제1 회로 부재 또는 제2 회로 부재의 평면에 대하여, 수평 진동이나, 수직 진동 중 어느 하나일 수도 있다. 제1 회로 부재 또는 제2 회로 부재에 대한 손상 감소 측면에서는 수평 진동이 바람직하고, 파인 피치 접속의 얼라인먼트 어긋남을 방지하는 관점에서는 수직 진동이 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as a vibration direction of the said ultrasonic wave, According to the objective, it can select suitably, For example, it may be either horizontal vibration or vertical vibration with respect to the plane of a 1st circuit member or a 2nd circuit member. . In terms of damage reduction of the first circuit member or the second circuit member, horizontal vibration is preferable, and vertical vibration is preferable from the viewpoint of preventing alignment misalignment of the fine pitch connection.
상기 초음파 인가 시간으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 0.1초간 내지 2.0초간이 바람직하고, 0.5초간 내지 1.0초간이 보다 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as said ultrasonic application time, Although it can select suitably according to the objective, 0.1 second-2.0 second are preferable, and 0.5 second-1.0 second are more preferable.
상기 초음파 인가 시간이 0.1초간 미만이면, 회로 부재의 가압 부족이 발생하는 경우가 있고, 2.0초간을 초과하면, 회로 부재의 배선이 변형되는 경우가 있다.When the said ultrasonic application time is less than 0.1 second, the underpressure of a circuit member may generate | occur | produce, and when it exceeds 2.0 second, the wiring of a circuit member may deform | transform.
상기 초음파 인가에 의해 금속이 용융하고, 예를 들면 도전성 입자에 있어서의 금과 회로 부재의 접합 단자 (범프)에 있어서의 금과의 결합, 도전성 입자에 있어서의 금과 회로 부재의 접합 단자 (범프)에 있어서의 주석과의 결합을 형성할 수 있다.Metal melt | dissolves by the said ultrasonic application, for example, bonding of gold in the bonding terminal (bump) of gold and a circuit member in electroconductive particle, bonding terminal (bump) of gold in a conductive particle and a circuit member The bond with tin in can be formed.
상기 초음파 인가 수단으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 진동자 등이 내장된 초음파 인가 가능한 가압 부재 (도 1에 있어서의 (20)) 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as said ultrasonic application means, According to the objective, it can select suitably, For example, the ultrasonic member which can apply the ultrasonic wave incorporating a vibrator etc. (20 in FIG. 1) etc. are mentioned.
<광 조사 공정> <Light irradiation step>
상기 광 조사 공정은, 초음파를 인가한 후에 제1 회로 부재와 제2 회로 부재를 이방성 도전 필름을 통해 압접시키면서, 이방성 도전 필름에 광을 조사하는 공정이다.The said light irradiation process is a process of irradiating light to an anisotropic conductive film, pressing-contacting a 1st circuit member and a 2nd circuit member through an anisotropic conductive film after applying an ultrasonic wave.
상기 압접이란, 제1 회로 부재와 제2 회로 부재가 이방성 도전 필름을 통해 도통이 얻어지는 것, 즉 이방성 도전 필름에 있어서의 도전성 입자가 제1 및 제2 회로 부재의 접속 단자에 접하는 상태인 것을 의미한다.The said pressure contact means that a 1st circuit member and a 2nd circuit member are the thing through which conduction is obtained through an anisotropic conductive film, ie, the state in which the electroconductive particle in an anisotropic conductive film contact | connects the connection terminal of a 1st and 2nd circuit member. do.
제1 회로 부재와 제2 회로 부재를 이방성 도전 필름을 통해 압접시키기 위해, 예를 들면 제1 회로 부재 및 제2 회로 부재 중 적어도 어느 하나가 가압된다.In order to press-contact a 1st circuit member and a 2nd circuit member through an anisotropic conductive film, at least any one of a 1st circuit member and a 2nd circuit member is pressed, for example.
상기 광으로는, 광 경화성 수지 경화 가능한 광인 한 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 파장 200 nm 내지 750 nm의 광 (자외선)이 바람직하다.As said light, there is no restriction | limiting in particular as long as it is light which can be photocurable resin curable, Although it can select suitably according to the objective, the light (ultraviolet ray) of wavelength 200nm-750nm is preferable.
또한, 상기 광을 발하는 광원 (도 1에 있어서의 (30))으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 LED 광원, UV 램프 광원 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a light source (30 in FIG. 1) which emits the said light, According to the objective, it can select suitably, For example, a LED light source, a UV lamp light source, etc. are mentioned.
광 조사 타이밍으로는, 가압 및 초음파 조사에 의해, 제1 회로 부재와 제2 회로 부재를 이방성 도전 필름을 통해 압접시킨 후에, 광 조사한다. 또한, 광 조사시에는 초음파 인가는 정지되어 있다. 이는 광 경화가 이루어진 상태에서 초음파를 인가하면, 접합체에 균열이 발생하는 경우가 있고, 접속 신뢰성이 저하되어 버리기 때문이다.As light irradiation timing, after pressurizing and ultrasonic irradiation, the 1st circuit member and the 2nd circuit member are pressure-contacted through the anisotropic conductive film, and then light irradiation. In addition, the ultrasonic application is stopped at the time of light irradiation. This is because when ultrasonic waves are applied in a state where photocuring has been performed, cracks may occur in the joined body, resulting in a decrease in connection reliability.
상기 광 조사의 조사 방향으로는 특별히 제한은 없고, 조사 효율 등에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면 조사 대상에 대하여 수선 방향일 수도 있고, 또한 상기 수선 방향에 대하여 경사진 방향일 수도 있다.There is no restriction | limiting in particular as an irradiation direction of the said light irradiation, According to irradiation efficiency etc., it can select suitably, For example, it may be a perpendicular | vertical direction with respect to an irradiation target, and may be a direction inclined with respect to the said radial direction.
또한, 제1 회로 부재와 제2 회로 부재를 이방성 도전 필름을 통해 압접시키면서 광을 조사한 후에, 추가로 제2 회로 부재를 제1 회로 부재측에 가압하지 않고, 0.5초간 이상의 광 조사를 행할 수도 있다. 이에 따라, 압입하는 응력이 감소한 상태에서 추가로 경화를 행할 수 있어 접속 신뢰성을 더욱 높일 수 있다.Moreover, after irradiating light, pressing-contacting a 1st circuit member and a 2nd circuit member through an anisotropic conductive film, light irradiation can also be performed for 0.5 second or more, without pressing a 2nd circuit member to a 1st circuit member side further. . Thereby, hardening can be further performed in the state which the stress to press-in is reduced, and connection reliability can be improved further.
상기 가압시에의 가압력으로는 특별히 제한은 없고, 회로 부재의 종류나 목적에 따라 다양하며, 가압력의 범위는 그 중에서 적절하게 선택할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a pressing force at the time of the said pressurization, It changes with a kind and a purpose of a circuit member, The range of a pressing force can be suitably selected from them.
최적의 경화율에 도달할 때까지 가압을 유지하는 것이 바람직하다. 상기 최적의 경화율로는, 접속 재료 및 회로 부재의 종류에 따라 다르지만, 60% 내지 100%가 바람직하고, 70% 내지 100%가 보다 바람직하다.It is desirable to maintain pressurization until the optimum curing rate is reached. As said optimal hardening rate, although it changes with kinds of connection material and a circuit member, 60%-100% are preferable and 70%-100% are more preferable.
상기 경화율이 60% 미만인 경우, 접속 불량이 발생하는 경우가 있다.When the said hardening rate is less than 60%, connection defect may arise.
상기 광 조사 시간으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 1.0초간 내지 10.0초간이 바람직하고, 1.0초간 내지 5.0초간이 보다 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as said light irradiation time, Although it can select suitably according to the objective, 1.0 second-10.0 second are preferable, and 1.0 second-5.0 second are more preferable.
상기 광 조사 시간이 1.0초간 미만이면, 충분히 광 경화할 수 없는 경우가 있고, 10.0초간을 초과하면, 단시간 접속이 불가능하게 되어 택트 타임이 증가함으로써, 단가가 상승하게 되는 경우가 있다.When the said light irradiation time is less than 1.0 second, light curing may not be enough, and when it exceeds 10.0 second, a short time connection may become impossible and a tact time may increase and a unit price may increase.
초음파 인가와 광 조사는, 이방성 도전 필름에 대하여 대향하는 방향으로부터 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 초음파 인가를 한쪽의 회로 부재 (전자 부품 또는 FCP)측으로부터 행하고, 광 조사를 다른쪽의 회로 부재 (배선 기판)측으로부터 행하는 것이 바람직하다.It is preferable to perform ultrasonic application and light irradiation from the direction which opposes an anisotropic conductive film. For example, it is preferable to perform ultrasonic application from one circuit member (electronic component or FCP) side and to perform light irradiation from the other circuit member (wiring substrate) side.
광 조사를 다른쪽의 회로 부재로부터 행함으로써, 한쪽의 회로 부재를 가압하기 위한 가압 부재가 빛을 차단하지 않기 때문에, 광 조사 효율을 향상시킬 수 있고, 가압하면서 더 광 경화시킬 수 있다.By performing light irradiation from the other circuit member, since the pressing member for pressurizing one circuit member does not block light, light irradiation efficiency can be improved and it can further harden | cure light while pressing.
예를 들면, 유리 배선 기판과 IC 칩과의 접속을 행하는 COG 실장에 있어서는, 유리 배선 기판 상에 자외선 경화성 수지를 포함하는 이방성 도전 필름을 배치하고, IC 칩측으로부터 초음파로 이방성 도전 필름을 용융시켜 IC 칩을 압입한 후, 압력을 가한 상태에서 유리 기판측으로부터 자외선 조사를 행하고 경화시킴으로써, 유리 배선 기판과 IC 칩과의 접속을 가열하지 않고 행한다. 이에 따라, 열 수축에 의한 패널 휘어짐을 방지할 수 있고, 그로 인해 표시 불균일의 문제를 해결할 수 있다.For example, in COG mounting which connects a glass wiring board and an IC chip, the anisotropic conductive film containing an ultraviolet curable resin is arrange | positioned on a glass wiring board, melts an anisotropic conductive film by ultrasonic wave from an IC chip side, and IC After pressing-in a chip | tip, it performs without heating the connection of a glass wiring board and an IC chip by irradiating and hardening an ultraviolet irradiation from the glass substrate side in the state which applied the pressure. As a result, the panel warpage due to heat shrinkage can be prevented, whereby the problem of display unevenness can be solved.
또한, 유리 배선 기판과 COF와의 접속을 행하는 COF 실장에 있어서는, 동일한 접속 방법으로 열 신축에 의한 얼라인먼트 어긋남을 감소시킬 수 있어, 충분한 접속 면적의 확보와 단자 쇼트의 방지가 가능해진다.Moreover, in COF mounting which connects a glass wiring board and COF, alignment misalignment by thermal expansion and contraction can be reduced by the same connection method, and sufficient connection area can be secured and terminal short can be prevented.
또한, 이방성 도전 필름의 용융을 촉진시킬 목적으로, 보조적으로 60℃ 내지 100℃의 열을 가해 실장을 행할 수도 있다.In addition, for the purpose of promoting the melting of the anisotropic conductive film, it may also be carried out by applying heat of 60 ° C to 100 ° C auxiliary.
[실시예][Example]
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 하등 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although the Example of this invention is described, this invention is not limited to a following example at all.
(제조예 1) (Production Example 1)
페녹시 수지 (상품명: YP50, 도토 가세이사 제조) 60 질량부와, 광 라디칼 중합성 수지 (상품명: EB-600, 다이셀 사이텍사 제조) 35 질량부와, 실란 커플링제 (상품명: KBM-503, 신에쓰 가가꾸 고교사 제조) 1부와, 광 라디칼 경화제 (상품명: 이르가큐어 651, 시바 스페셜리티 케미컬즈사 제조) 2부를 포함하는 접착제 중에 금 도금 도전성 입자 (상품명: AUL704, 세키스이 가가꾸 고교사 제조)를 입자 밀도 20,000개/mm2가 되도록 분산시킨 두께 20 ㎛의 필름상 접속 재료 A를 얻었다.60 parts by mass of a phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), 35 parts by mass of a radical photopolymerizable resin (brand name: EB-600, manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd.), and a silane coupling agent (brand name: KBM-503 Gold-plated conductive particles (trade name: AUL704, Sekisui Chemical Industries, Ltd.) in an adhesive comprising 1 part of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 2 parts of an optical radical curing agent (trade name: Irgacure 651, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.). A film-like connection material A having a thickness of 20 µm obtained by dispersing teacher production) so as to have a particle density of 20,000 particles / mm 2 was obtained.
(제조예 2) (Production Example 2)
페녹시 수지 (상품명: YP50, 도토 가세이사 제조) 60 질량부와, 광 양이온 경화성 수지 (액상 에폭시 수지) (상품명: JER-828, 재팬 에폭시 레진사 제조) 35 질량부와, 실란 커플링제 (상품명: KBM-403, 신에쓰 가가꾸 고교사 제조) 1부와, 광 양이온 경화제 (상품명: 이르가큐어 369, 시바 스페셜리티 케미컬즈사 제조) 2부를 포함하는 접착제 중에 금 도금 도전성 입자 (상품명: AUL704, 세키스이 가가꾸 고교사 제조)를 입자 밀도 20,000개/mm2가 되도록 분산시킨 두께 20 ㎛의 필름상 접속 재료 B를 얻었다.60 parts by mass of a phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), 35 parts by mass of a photo cationic curable resin (liquid epoxy resin) (brand name: JER-828, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), and a silane coupling agent (brand name) : Gold-plated conductive particles (trade name: AUL704, three) in KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 1 part, and an optical cationic curing agent (trade name: Irgacure 369, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.). 20 micrometers-thick film-form connection material B which disperse | distributed Kisui Chemicals Co., Ltd. product) was made to have a particle density of 20,000 piece / mm <2> .
(제조예 3) (Production Example 3)
페녹시 수지 (상품명: YP50, 도토 가세이사 제조) 60 질량부와, 광 라디칼 경화성 수지 (상품명: EB-600, 다이셀 사이텍사 제조) 35 질량부와, 실란 커플링제 (상품명: KBM-503, 신에쓰 가가꾸 고교사 제조) 1부와, 열라디칼 경화제 (상품명: 퍼부틸 O, 니찌유사 제조) 2부를 포함하는 접착제 중에 금 도금 도전성 입자 (상품명: AUL704, 세키스이 가가꾸 고교사 제조)를 입자 밀도 20,000개/mm2가 되도록 분산시킨 두께 20 ㎛의 필름상 접속 재료 C를 얻었다.60 parts by mass of a phenoxy resin (trade name: YP50, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), 35 parts by mass of an optical radical curable resin (brand name: EB-600, manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd.), and a silane coupling agent (brand name: KBM-503, Gold-plated conductive particles (trade name: AUL704, manufactured by Sekisui Kagaku Kogyo Co., Ltd.) in an adhesive containing 1 part of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and 2 parts of a thermal radical curing agent (trade name: Perbutyl O, manufactured by Nichiyu Co., Ltd.) The film-form connection material C of 20 micrometers in thickness which disperse | distributed so that it might become a particle density of 20,000 piece / mm <2> was obtained.
(제조예 4) (Production Example 4)
제조예 2에 있어서, 금 도금 도전성 입자를 분산시키지 않는 것 이외에는, 제조예 2와 동일하게 하여 필름상 접속 재료 D를 얻었다.In manufacture example 2, the film-form connection material D was obtained like manufacture example 2 except not disperse | distributing gold plating electroconductive particle.
(제조예 5) (Production Example 5)
제조예 2에 있어서, 금 도금 도전성 입자 대신에 은 도금 도전성 입자를 사용한 것 이외에는, 제조예 2와 동일하게 하여 필름상 접속 재료 E를 얻었다.In manufacture example 2, the film-form connection material E was obtained like manufacture example 2 except having used silver plating electroconductive particle instead of gold plating electroconductive particle.
(제조예 6) (Production Example 6)
제조예 2에 있어서, 금 도금 도전성 입자 대신에 구리 도금 도전성 입자를 사용한 것 이외에는, 제조예 2와 동일하게 하여 필름상 접속 재료 F를 얻었다.In manufacture example 2, the film-form connection material F was obtained like manufacture example 2 except having used copper plating electroconductive particle instead of gold plating electroconductive particle.
(제조예 7)(Production Example 7)
제조예 2에 있어서, 금 도금 도전성 입자 대신에 니켈 도금 도전성 입자를 사용한 것 이외에는, 제조예 2와 동일하게 하여 필름상 접속 재료 G를 얻었다.In manufacture example 2, the film-form connection material G was obtained like manufacture example 2 except having used nickel plating electroconductive particle instead of gold plating electroconductive particle.
(제조예 8) (Preparation Example 8)
제조예 2에 있어서, 금 도금 도전성 입자 대신에 팔라듐 도금 도전성 입자를 사용한 것 이외에는, 제조예 2와 동일하게 하여 필름상 접속 재료 H를 얻었다.In manufacture example 2, the film-form connection material H was obtained like manufacture example 2 except having used palladium plating electroconductive particle instead of gold plating electroconductive particle.
(실시예 1)(Example 1)
IC 칩의 패턴에 대응한 알루미늄 배선 패턴 유리 기판 (상품명: 1737F, 코닝사 제조, 크기: 50 mm×30 mm×0.5 mm) 상에 제조예 1에서 제작한 필름상 접속 재료 A를 배치하고, 필름상 접속 재료 A 상에 IC 칩 (치수: 1.8 mm×20.0 mm, 두께: 0.5 mm, 금 범프 크기: 30 ㎛×85 ㎛, 범프 높이: 15 ㎛, 피치: 50 ㎛)을 배치하고, IC 칩과 알루미늄 배선 패턴 유리 기판을 필름상 접속 재료 A를 통해 압접할 때에, 진동 50 Hz, 진폭 2 ㎛, 가압력 60 MPa의 조건으로 초음파를 1.0초간 인가한 후, 가압력 60 MPa를 유지한 상태에서, 알루미늄 배선 패턴 유리 기판측으로부터 메탈할라이드 램프 (상품명: MLDS250, 이와사키 덴키(주) 제조)를 이용하여 자외선을 5.0초간, 광량 5,000 mJ/㎠ 조사하여 접합체 1을 제작하였다.The film-form connection material A produced by the manufacture example 1 is arrange | positioned on the aluminum wiring pattern glass substrate (brand name: 1737F, Corning Corporation make, size: 50mm * 30mm * 0.5mm) corresponding to the pattern of an IC chip, and it is a film form An IC chip (dimensions: 1.8 mm × 20.0 mm, thickness: 0.5 mm, gold bump size: 30 μm × 85 μm, bump height: 15 μm, pitch: 50 μm) is disposed on the connection material A, and the IC chip and aluminum Wiring pattern When the glass substrate is press-contacted through the film-like connection material A, after applying ultrasonic waves for 1.0 second under the condition of vibration 50 Hz, amplitude 2 µm and pressing force 60 MPa, the aluminum wiring pattern is maintained in a pressing force of 60 MPa. The conjugate 1 was produced by irradiating an ultraviolet-ray for 5.0 second and a light quantity of 5,000 mJ / cm <2> using the metal halide lamp (brand name: MLDS250, the Iwasaki Denki Corporation make) from the glass substrate side.
(실시예 2)(Example 2)
실시예 1에 있어서, 필름상 접속 재료 A를 이용하는 대신에, 제조예 2에서 제작한 필름상 접속 재료 B를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접합체 2를 제작하였다.In Example 1, the junction body 2 was produced like Example 1 except having used the film connection material B produced by the manufacture example 2 instead of using the film connection material A.
(실시예 3)(Example 3)
실시예 1에 있어서, 필름상 접속 재료 A를 이용하는 대신에, 제조예 5에서 제작한 필름상 접속 재료 E를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접합체 3을 제작하였다.In Example 1, the bonding body 3 was produced like Example 1 except having used the film connection material E produced by the manufacture example 5 instead of using the film connection material A.
(실시예 4)(Example 4)
실시예 1에 있어서, 필름상 접속 재료 A를 이용하는 대신에, 제조예 6에서 제작한 필름상 접속 재료 F를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접합체 4를 제작하였다.In Example 1, the bonding body 4 was produced like Example 1 except having used the film connection material F produced by the manufacture example 6 instead of using the film connection material A.
(실시예 5)(Example 5)
실시예 1에 있어서, 필름상 접속 재료 A를 이용하는 대신에, 제조예 7에서 제작한 필름상 접속 재료 G를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접합체 5를 제작하였다.In Example 1, the bonding body 5 was produced like Example 1 except having used the film connection material G produced by the manufacture example 7, instead of using the film connection material A.
(실시예 6)(Example 6)
실시예 1에 있어서, 필름상 접속 재료 A를 이용하는 대신에, 제조예 8에서 제작한 필름상 접속 재료 H를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접합체 6을 제작하였다.In Example 1, the bonding body 6 was produced like Example 1 except having used the film connection material H produced by the manufacture example 8 instead of using the film connection material A.
(비교예 1) (Comparative Example 1)
제조예 3에서 제작한 필름상 접속 재료 C를 이용하여, IC 칩 (치수: 1.8 mm×20.0 mm, 두께: 0.5 mm, 금 범프 크기: 30 ㎛×85 ㎛, 범프 높이: 15 ㎛, 피치: 50 ㎛)와, IC 칩의 패턴에 대응한 알루미늄 배선 패턴 유리 기판 (상품명: 1737F, 코닝사 제조, 크기: 50 mm×30 mm×0.5 mm)을 170℃, 80 MPa, 10.0초간의 접속 조건으로 접합체 7을 제작하였다.IC film (dimensions: 1.8 mm x 20.0 mm, thickness: 0.5 mm, gold bump size: 30 micrometers x 85 micrometers, bump height: 15 micrometers, pitch: 50) using the film-form connection material C produced by the manufacture example 3 7 m) and an aluminum wiring pattern glass substrate (trade name: 1737F, manufactured by Corning Corporation, size: 50 mm x 30 mm x 0.5 mm) corresponding to the pattern of the IC chip. Was produced.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
실시예 1에 있어서, 필름상 접속 재료 A를 이용하는 대신에, 제조예 4에서 제작한 필름상 접속 재료 D를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접합체 8을 제작하였다.In Example 1, the bonding body 8 was produced like Example 1 except having used the film connection material D produced by the manufacture example 4 instead of using the film connection material A.
(비교예 3)(Comparative Example 3)
실시예 1에 있어서, 초음파를 1.0초간 인가한 후, 자외선을 5.0초간 조사하는 대신에, 초음파 인가와 자외선 조사를 동시에 1.0초간 행하고, 추가로 자외선 조사만을 4.0초간 행한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접합체 9를 제작하였다.In Example 1, after applying ultrasonic wave for 1.0 second, instead of irradiating an ultraviolet ray for 5.0 second, it is the same as Example 1 except having performed ultrasonic application and ultraviolet irradiation simultaneously for 1.0 second, and performing only ultraviolet irradiation for 4.0 second. Thus, the conjugate 9 was produced.
(비교예 4)(Comparative Example 4)
실시예 1에 있어서, 초음파를 1.0초간 인가한 후, 자외선을 5.0초간 조사하는 대신에, 자외선을 5.0초간 조사한 후, 초음파를 1.0초간 인가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 접합체 10을 제작하였다.In Example 1, the conjugate 10 was produced similarly to Example 1 except having applied the ultrasonic wave for 1.0 second, after irradiating an ultraviolet-ray for 5.0 second, instead of irradiating an ultraviolet-ray for 5.0 second after applying ultrasonic wave for 1.0 second. It was.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 제작한 접합체 1 내지 10에 대해서, 이하의 측정을 행하였다.The following measurements were performed about the conjugates 1-10 produced in Examples 1-6 and Comparative Examples 1-4.
<반응률 (경화율)의 측정> <Measurement of reaction rate (hardening rate)>
알루미늄 배선 패턴 유리 기판에 있어서의 알루미늄 배선 패턴의 이면에 존재하는 필름상 접속 재료의 반응률 (경화율)을, 적외 분광 광도계 (품번 FT/IR-4100, 니혼 분꼬사 제조)를 이용하여, 실장 전과 실장 후의 에폭시 흡수 파장의 감쇠량 (%) 또는 불포화기의 흡수 파장의 감쇠량 (%)으로부터 산출하였다. 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The reaction rate (hardening rate) of the film-form connection material which exists in the back surface of the aluminum wiring pattern in an aluminum wiring pattern glass substrate using an infrared spectrophotometer (article number FT / IR-4100, Nippon Bunko company make) before mounting It calculated from the attenuation amount (%) of the epoxy absorption wavelength after mounting, or the attenuation amount (%) of the absorption wavelength of an unsaturated group. The results are shown in Table 1 below.
<휘어짐양의 측정> <Measurement of the amount of warpage>
침 접촉식 표면 조도계 (상품명: SE-3H, 고사까 겡뀨쇼사 제조)를 이용하여, 유리 기판의 하측으로부터 스캔하여, IC 칩 압착 후의 알루미늄 배선 패턴 유리 기판면의 휘어짐양 (㎛)을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.It scanned from the lower side of a glass substrate using the needle | contact type surface roughness meter (brand name: SE-3H, the Kosaka Corporation company), and measured the curvature amount (micrometer) of the aluminum wiring pattern glass substrate surface after IC chip crimping. The results are shown in Table 1.
<접속 저항의 측정><Measurement of connection resistance>
디지털 멀티미터 (상품명: 디지털 멀티미터 7561, 요꼬가와 덴끼(주)사 제조)를 이용하여, 초기의 접속 저항 (Ω) 및 환경 시험 (85℃/85%/500시간) 후의 접속 저항 (Ω)의 측정을 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.Initial connection resistance (Ω) and connection resistance after environmental test (85 ° C / 85% / 500 hours) using a digital multimeter (brand name: digital multimeter 7561, manufactured by Yokogawa Denki Co., Ltd.) ) Was measured. The results are shown in Table 1.
<초기 접착 강도의 측정> <Measurement of Initial Adhesive Strength>
다이셰어 측정기 (상품명: Dage2400, 데이지사 제조)를 이용하여, 초기 접착 강도 (kg/IC)의 측정을 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.The initial adhesive strength (kg / IC) was measured using the die share measuring device (brand name: Dage2400, Daisy Corporation). The results are shown in Table 1.
표 1로부터, 초음파와 자외선을 병용하여 접합체를 제작함으로써, 고온으로 가열하지 않고도 접속할 수 있고, 이로 인해 접합체 패널의 휘어짐을 억제하여 표시 불균일의 문제를 해결할 수 있다. 또한, 실장 후 접합체의 잔류 응력이 작기 때문에 접속 신뢰성이 높다.From Table 1, by using a combination of ultrasonic waves and ultraviolet rays to produce a bonded body, the bonded body can be connected without heating to a high temperature, whereby the warpage of the bonded panel can be suppressed and the problem of display unevenness can be solved. Moreover, since the residual stress of the joined body after mounting is small, the connection reliability is high.
본 발명의 접합체의 제조 방법은, 예를 들면 IC 태그, IC 카드, 메모리 카드, 평판 디스플레이 등의 제조에 바람직하게 사용할 수 있다.The manufacturing method of the joined body of this invention can be used suitably for manufacture of an IC tag, an IC card, a memory card, a flat panel display, etc., for example.
10: LCD 패널 (회로 부재)
11: IC 칩 (회로 부재)
11a: 단자
12: 이방성 도전 필름
12a: 도전성 입자
20: 가압 부재
30: 광원
100: 접합체 10: LCD panel (circuit member)
11: IC chip (circuit member)
11a: terminal
12: anisotropic conductive film
12a: conductive particles
20: pressing member
30: Light source
100: conjugate
Claims (6)
상기 제1 회로 부재, 상기 이방성 도전 필름 및 상기 제2 회로 부재를 이 순서대로 배치하는 공정과,
상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 상기 이방성 도전 필름을 통해 압접할 때에 초음파를 인가하는 공정과,
상기 초음파를 인가한 후에, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 상기 이방성 도전 필름을 통해 압접시키면서, 상기 이방성 도전 필름에 광을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접합체의 제조 방법. In the manufacturing method of the joined body in which a 1st circuit member and a 2nd circuit member are electrically bonded through the anisotropic conductive film containing electroconductive particle and photocurable resin,
Disposing the first circuit member, the anisotropic conductive film, and the second circuit member in this order;
Applying an ultrasonic wave when pressing the first circuit member and the second circuit member through the anisotropic conductive film;
And after applying the ultrasonic wave, irradiating light to the anisotropic conductive film while pressing the first circuit member and the second circuit member through the anisotropic conductive film.
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