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KR20130009024A - Optical member, display device having the same and method of fabricating the same - Google Patents

Optical member, display device having the same and method of fabricating the same Download PDF

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KR20130009024A
KR20130009024A KR1020110069801A KR20110069801A KR20130009024A KR 20130009024 A KR20130009024 A KR 20130009024A KR 1020110069801 A KR1020110069801 A KR 1020110069801A KR 20110069801 A KR20110069801 A KR 20110069801A KR 20130009024 A KR20130009024 A KR 20130009024A
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light
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region
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강문숙
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: An optical member, a display device and a manufacturing method are provided to improve brightness and a color reproduction ratio. CONSTITUTION: A plurality of first wavelength conversion particles(532) is arranged within a host layer. A plurality of second wavelength conversion particles(533) is arranged within the host layer. The host layer includes a first region(531a) and a second region(531b). The second region is arranged under the first region. The second region includes the second wavelength conversion particles with concentration which is higher than the concentration of the first region.

Description

광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법{OPTICAL MEMBER, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Optical member, display device including same, and manufacturing method therefor {OPTICAL MEMBER, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

실시예는 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.Embodiments relate to an optical member, a display device including the same, and a manufacturing method thereof.

표시장치들 중에는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 하는 장치가 있다. 백라이트 유닛은 액정 등을 포함하는 표시패널에 광을 공급하는 장치로서, 발광장치와 발광장치에서 출력된 광을 액정 측에 효과적으로 전달하기 위한 수단들을 포함한다.Among display devices, there is a device that requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image. The backlight unit is a device for supplying light to a display panel including a liquid crystal or the like and includes a light emitting device and means for effectively transmitting the light output from the light emitting device to the liquid crystal side.

이러한 표시장치의 광원으로서, LED(Light Emitted Diode)등이 적용될 수 있다. 또한, 광원으로부터 출력된 광이 표시패널 측에 효과적으로 전달되기 위해, 도광판과 광학시트 등이 적층되어, 사용될 수 있다.As a light source of such a display device, a light emitting diode (LED) or the like may be applied. In addition, in order to effectively transmit the light output from the light source to the display panel side, a light guide plate, an optical sheet, or the like may be stacked and used.

이때, 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변화시켜서, 상기 도광판 또는 상기 표시패널에 백색광을 입사시키는 광학 부재 등이 이러한 표시장치에 적용될 수 있다. 특히, 광의 파장을 변화시키기 위해서, 양자점 등이 사용될 수 있다.In this case, an optical member or the like that changes the wavelength of light generated from the light source and injects white light into the light guide plate or the display panel may be applied to the display device. In particular, in order to change the wavelength of light, quantum dots or the like can be used.

양자점은 10nm 이하의 입자 크기를 가지며, 그 크기에 따라 독특한 전기적 광학적 특성을 갖는다. 예컨대, 대략적인 크기가 55 ~ 65Å인 경우 적색계열, 40 ~ 50Å은 녹색계열, 20 ~ 35Å은 청색계열의 색을 발할 수 있으며, 황색은 적색과 녹색을 발하는 양자점의 중간 크기를 갖는다. 빛의 파장에 따른 스펙트럼이 적색에서 청색으로 변하는 추세에 따라 양자점의 크기는 65Å 정도에서 20Å 정도로 순차적으로 변하는 것으로 파악할 수 있으며, 이 수치는 약간의 차이가 있을 수 있다.Quantum dots have a particle size of 10 nm or less and have unique electro-optic properties depending on their size. For example, when the approximate size is 55 to 65 Å, it can emit red, 40 to 50 Å to green, and 20 to 35 Å to blue. Yellow has medium size of red and green quantum dots. As the spectrum of light changes from red to blue, the size of the quantum dots varies from 65 Å to 20 Å, which may be slightly different.

양자점을 포함하는 광학 부재를 형성하기 위해서는, 빛의 삼원색인 RGB 혹은, RYGB를 발하는 양자점을 글래스(glass) 등의 투명 기판에 스핀코팅 하거나 프린팅하여 형성할 수 있다. 여기서, 황색(Y)을 발하는 양자점을 더 포함하는 경우 좀 더 천연광에 가까운 백색광을 얻을 수 있다. 양자점을 분산 담채하는 매트릭스(매질)은 가시광 및 자외선 영역(Far UV 포함)의 빛을 발하거나 또는 가시광 영역의 빛에 관하여 투과성이 뛰어난 무기물이나 고분자를 적용할 수 있다. 예컨대, 무기질 실리카, PMMA(polymethylmethacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane), PLA(poly lactic acid), 실리콘 고분자 또는 YAG 등이 될 수 있다.In order to form the optical member including the quantum dots, quantum dots emitting RGB or RYGB, which are three primary colors of light, may be formed by spin coating or printing a transparent substrate such as glass. In this case, when the quantum dot emitting yellow (Y) is further included, white light closer to natural light may be obtained. The matrix (medium) in which the quantum dots are dispersed can apply an inorganic substance or a polymer having excellent transmittance with respect to light in the visible light region and the ultraviolet region (including Far UV) or in the visible light region. For example, it may be inorganic silica, polymethylmethacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), poly lactic acid (PLA), silicon polymer or YAG.

이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0012246 등에 개시되어 있다.A display device to which such quantum dots are applied is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2011-0012246.

실시예는 향상된 휘도 및 색 재현율을 가지는 광학 부재, 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide an optical member, a display device, and a manufacturing method thereof having improved luminance and color reproducibility.

실시예에 따른 광학 부재는 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고, 상기 호스트층은 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역 아래에 배치되고, 상기 제 1 영역보다 더 높은 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들을 포함하는 제 2 영역을 포함한다.Optical member according to the embodiment is a host layer; A plurality of first wavelength converting particles disposed in the host layer; And a plurality of second wavelength converting particles disposed in the host layer, wherein the host layer comprises: a first region; And a second region disposed below the first region and including the second wavelength converting particles at a higher concentration than the first region.

실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 파장 변환 부재; 및 상기 파장 변환 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 파장 변환 부재는 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고, 상기 호스트층은 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역 아래에 배치되고, 상기 제 1 영역보다 더 높은 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들을 포함하는 제 2 영역을 포함한다.A display device according to an embodiment includes a light source; A wavelength conversion member for converting the wavelength of the light emitted from the light source; And a display panel on which light emitted from the wavelength conversion member is incident, wherein the wavelength conversion member comprises: a host layer; A plurality of first wavelength converting particles disposed in the host layer; And a plurality of second wavelength converting particles disposed in the host layer, wherein the host layer comprises: a first region; And a second region disposed below the first region and including the second wavelength converting particles at a higher concentration than the first region.

실시예에 따른 광학 부재의 제조방법은 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들 및 상기 제 1 파장 변환 입자들보다 더 큰 직경을 가지는 제 2 파장 변환 입자들을 포함하는 수지 조성물을 형성하고, 기판 상에 상기 수지 조성물을 코팅하고, 상기 제 2 파장 변환 입자들을 상기 기판을 향하여 이동시키고, 상기 수지 조성물을 경화시키는 것을 포함한다.An optical member manufacturing method according to an embodiment forms a resin composition comprising a plurality of first wavelength conversion particles and second wavelength conversion particles having a larger diameter than the first wavelength conversion particles, and on the substrate Coating a resin composition, moving the second wavelength converting particles toward the substrate, and curing the resin composition.

실시예에 따른 광학 부재는 영역 별로 다른 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들을 포함한다. 특히, 실시예에 따른 광학 부재는 상기 제 2 영역에 높은 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들을 포함할 수 있다.The optical member according to the embodiment includes the second wavelength conversion particles at different concentrations for each region. In particular, the optical member according to the embodiment may include the second wavelength conversion particles at a high concentration in the second region.

이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재는 입사광을 상기 제 2 영역에서, 상기 제 2 파장 변환 입자들에 의해서, 주로 녹색 광과 같은 제 2 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 실시예에 따른 광학 부재는 입사광을 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역에서, 상기 제 1 파장 변환 입자들에 의해서, 적색 광과 같은 제 3 파장의 광으로 변환시킬 수 있다.Accordingly, the optical member according to the embodiment may convert the incident light into the light of the second wavelength such as green light mainly by the second wavelength conversion particles in the second region. In addition, the optical member according to the exemplary embodiment may convert incident light into light having a third wavelength such as red light by the first wavelength converting particles in the first region and the second region.

이와 같이, 실시예에 따른 광학 부재는 영역 별로 주로 변환시키는 광의 파장대를 다르게 할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재는 입사광의 변환 효율을 극대화시키고, 향상된 색 재현율을 가질 수 있다.As described above, the optical member according to the embodiment may change the wavelength band of the light mainly converted for each region. Accordingly, the optical member according to the embodiment may maximize the conversion efficiency of the incident light and have an improved color reproduction rate.

또한, 상기 제 1 파장 변환 입자들 및 상기 제 2 파장 변환 입자들은 하나의 호스트층에 배치된다. 즉, 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역은 서로 일체로 형성되고, 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역 사이에 계면이 형성되지 않는다.In addition, the first wavelength converting particles and the second wavelength converting particles are disposed in one host layer. That is, the first region and the second region are integrally formed with each other, and no interface is formed between the first region and the second region.

이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재는 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역 사이에서 발생되는 광 손실을 최소화할 수 있고, 휘도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, the optical member according to the embodiment can minimize the light loss generated between the first region and the second region, and can improve the brightness.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 6은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 단면도이다.
도 7은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재에 의해서 생성된 백색 광의 파장 대 별 세기를 도시한 도면이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 9는 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 10은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 12 내지 도 14는 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 15는 제 4 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 16은 제 4 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 17은 도 15에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 18은 제 4 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment.
2 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.
4 and 5 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member according to the first embodiment.
6 is a sectional view showing a wavelength conversion member according to the second embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating wavelengths versus respective intensities of white light generated by the wavelength conversion member according to the second embodiment.
8 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a third embodiment.
9 is a perspective view showing a wavelength conversion member according to a third embodiment.
FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 5.
FIG. 11 is a cross-sectional view of a light guide plate, a light emitting diode, and a wavelength conversion member according to a third embodiment.
12 to 14 illustrate a process of forming the wavelength conversion member according to the third embodiment.
15 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a fourth embodiment.
16 is a perspective view of the wavelength conversion member according to the fourth embodiment.
FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 15.
18 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the fourth embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4 및 도 5는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment. 2 is a perspective view illustrating the wavelength conversion member according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 2. 4 and 5 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion member according to the first embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.1 to 3, the liquid crystal display according to the embodiment includes a backlight unit 10 and a liquid crystal panel 20.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.The backlight unit 10 emits light to the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 may irradiate uniform light onto the bottom surface of the liquid crystal panel 20 using a surface light source.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.The backlight unit 10 is disposed under the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 includes a bottom cover 100, a light guide plate 200, a reflective sheet 300, a light source, for example, a plurality of light emitting diodes 400, a printed circuit board 401, and a plurality of optical sheets. Field 500.

상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.The bottom cover 100 has a shape in which an upper portion thereof is opened. The bottom cover 100 accommodates the light guide plate 200, the light emitting diodes 400, the printed circuit board 401, the reflective sheet 300, and the optical sheets 500.

상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.The light guide plate 200 is disposed in the bottom cover 100. The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 300. The light guide plate 200 emits light incident from the light emitting diodes 400 upward through total reflection, refraction, and scattering.

상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 300 is disposed below the light guide plate 200. In more detail, the reflective sheet 300 is disposed between the light guide plate 200 and the bottom surface of the bottom cover 100. The reflective sheet 300 reflects the light emitted from the lower surface of the light guide plate 200 upward.

상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.The light emitting diodes 400 are light sources for generating light. The light emitting diodes 400 are disposed on one side of the light guide plate 200. The light emitting diodes 400 generate light and enter the light guide plate 200 through a side surface of the light guide plate 200.

상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 400 may be blue light emitting diodes generating blue light or UV light emitting diodes generating ultraviolet light. That is, the light emitting diodes 400 may generate blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm or ultraviolet rays having a wavelength band between about 300 nm and about 400 nm.

상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diodes 400 are mounted on the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are disposed under the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are driven by receiving a driving signal through the printed circuit board 401.

상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.The printed circuit board 401 is electrically connected to the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 may mount the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 is disposed inside the bottom cover 100.

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 change or improve characteristics of light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 to supply the light to the liquid crystal panel 20.

상기 광학 시트들(500)은 파장 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.The optical sheets 500 may be a wavelength conversion member 501, a diffusion sheet 502, a first prism sheet 503, and a second prism sheet 504.

상기 파장 변환 부재(501)는 상기 광원(300) 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 파장 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.The wavelength conversion member 501 may be disposed on an optical path between the light source 300 and the liquid crystal panel 20. For example, the wavelength conversion member 501 may be disposed on the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion member 501 may be interposed between the light guide plate 200 and the diffusion sheet 502. The wavelength conversion member 501 may convert the wavelength of the incident light and exit upward.

예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.For example, when the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes, the wavelength conversion member 501 may convert blue light emitted upward from the light guide plate 200 into green light and red light. That is, the wavelength conversion member 501 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the blue light having a wavelength band of about 630 nm to about 660 nm. Can be converted to red light.

이에 따라서, 변환되지 않고 상기 파장 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light that is not converted and passes through the wavelength conversion member 501 and the light converted by the wavelength conversion member 501 may form white light. That is, blue light, green light, and red light may be combined to allow white light to enter the liquid crystal panel 20.

즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 파장 변환 부재(501)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 광학 시트일 수 있다.That is, the wavelength conversion member 501 is an optical member that converts the characteristics of incident light. The wavelength conversion member 501 has a sheet shape. That is, the wavelength conversion member 501 may be an optical sheet.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 파장 변환층(530) 및 실링부(540)를 포함한다.As illustrated in FIGS. 2 and 3, the wavelength conversion member 501 includes a lower substrate 510, an upper substrate 520, a wavelength conversion layer 530, and a sealing unit 540.

상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.The lower substrate 510 is disposed under the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 is transparent and flexible. The lower substrate 510 may be in close contact with the lower surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the lower substrate 510 include transparent polymers such as polyethylene terephthalate (PET) and the like.

상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 520 is disposed on the wavelength conversion layer 530. The upper substrate 520 is transparent and flexible. The upper substrate 520 may be in close contact with the upper surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the upper substrate 520 may include a transparent polymer such as polyethylene terephthalate.

상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다.The lower substrate 510 and the upper substrate 520 sandwich the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 support the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 protect the wavelength conversion layer 530 from external physical impacts. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 may be in direct contact with the wavelength conversion layer 530.

또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다.In addition, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 have low oxygen permeability and moisture permeability. Accordingly, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 can protect the wavelength conversion layer 530 from external chemical impacts such as moisture and / or oxygen.

상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The wavelength conversion layer 530 is interposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The wavelength conversion layer 530 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 510 and may be in close contact with the lower surface of the upper substrate 520.

상기 파장 변환층(530)은 호스트층(531), 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(533)을 포함한다.The wavelength converting layer 530 includes a host layer 531, a plurality of first wavelength converting particles 532, and a plurality of second wavelength converting particles 533.

상기 호스트층(531)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(531)은 상기 제 1 제 1 파장 변환 입자들(532)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(531)은 실리콘계 수지 등과 같은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(531)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(531)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.The host layer 531 surrounds the first wavelength converting particles 532 and the second wavelength converting particles 533. That is, the host layer 531 uniformly disperses the first wavelength converting particles 532 therein. The host layer 531 may be made of a polymer such as a silicone resin. The host layer 531 is transparent. That is, the host layer 531 may be formed of a transparent polymer.

상기 호스트층(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 호스트층(531)은 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The host layer 531 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The host layer 531 may be in close contact with an upper surface of the lower substrate 510 and a lower surface of the upper substrate 520.

상기 호스트층(531)은 제 1 영역(531a) 및 제 2 영역(531b)을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 호스트층(531)은 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b)으로 구분될 수 있다.The host layer 531 may include a first region 531a and a second region 531b. In more detail, the host layer 531 may be divided into the first region 531a and the second region 531b.

상기 제 1 영역(531a)은 상기 상부 기판(520) 아래에 위치한다. 더 자세하게, 상기 제 1 영역(531a)은 상기 상부 기판(520)에 인접한다. The first region 531a is positioned below the upper substrate 520. In more detail, the first region 531a is adjacent to the upper substrate 520.

상기 제 1 영역(531a)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)에 의해서 정의될 수 있다. 즉, 상기 제 1 영역(531a)에는 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 거의 배치되지 않고, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)이 주로 배치될 수 있다. 이와 같이, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 거의 포함되지 않는 영역이 상기 제 1 영역(531a)으로 정의된다.The first region 531a may be defined by the second wavelength conversion particles 533. That is, the second wavelength converting particles 533 may be hardly disposed in the first region 531a, and the first wavelength converting particles 532 may be mainly disposed. As such, an area in which the second wavelength converting particles 533 are substantially not included is defined as the first area 531a.

더 자세하게, 상기 제 1 영역(531a)은 상기 호스트층(531)의 상부에 정의될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 영역(531a)은 상기 상부 기판(520)의 하면으로부터 상기 호스트층(531)의 두께(T)의 약 1/2 내지 약 9/10까지의 영역일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 영역(531a)의 두께(T1)는 약 40㎛ 내지 95㎛일 수 있다.In more detail, the first region 531a may be defined on the host layer 531. For example, the first region 531a may be an area of about 1/2 to about 9/10 of the thickness T of the host layer 531 from a lower surface of the upper substrate 520. In more detail, the thickness T1 of the first region 531a may be about 40 μm to 95 μm.

상기 제 2 영역(531b)은 상기 하부 기판(510) 상에 배치된다. 또한, 상기 제 2 영역(531b)은 상기 하부 기판(510)에 인접한다. 또한, 상기 제 2 영역(531b)은 상기 제 1 영역(531a) 아래에 배치된다. 상기 제 2 영역(531b)은 상기 제 1 영역(531a)에 바로 인접할 수 있다.The second region 531b is disposed on the lower substrate 510. In addition, the second region 531b is adjacent to the lower substrate 510. In addition, the second region 531b is disposed below the first region 531a. The second region 531b may be immediately adjacent to the first region 531a.

또한, 상기 제 2 영역(531b)은 상기 발광다이오드(400)로부터 출사되는 광의 진행 방향을 기준으로, 상기 제 1 영역(531a)보다 먼저 배치된다. 즉, 상기 발광다이오드(400)로부터 출사되는 광은 상기 제 2 영역(531b)을 통과하여, 상기 제 1 영역(531a)에 입사된다.In addition, the second region 531b is disposed before the first region 531a based on the traveling direction of the light emitted from the light emitting diode 400. That is, light emitted from the light emitting diode 400 passes through the second region 531b and enters the first region 531a.

상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b)은 서로 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b) 사이에 계면이 존재하지 않는다.The first region 531a and the second region 531b may be integrally formed with each other. That is, no interface exists between the first region 531a and the second region 531b.

상기 제 2 영역(531b)은 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)에 의해서 정의될 수 있다. 즉, 상기 제 2 영역(531b)에는 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 주로 배치될 수 있다. 이와 같이, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 주로 배치되는 영역이 상기 제 2 영역(531b)으로 정의될 수 있다.The second region 531b may be defined by the second wavelength conversion particles 533. That is, the second wavelength conversion particles 533 may be mainly disposed in the second region 531b. As such, an area in which the second wavelength conversion particles 533 are mainly disposed may be defined as the second area 531b.

더 자세하게, 상기 제 2 영역(531b)은 상기 호스트층(531)의 하부에 정의될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 영역(531b)은 상기 하부 기판(510)의 상면으로부터 상기 호스트층(531)의 두께(T)의 약 1/10 내지 약 1/2까지의 영역일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 영역(531b)의 두께(T2)는 약 5㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다.In more detail, the second region 531b may be defined under the host layer 531. For example, the second region 531b may be an area of about 1/10 to about 1/2 of the thickness T of the host layer 531 from an upper surface of the lower substrate 510. In more detail, the thickness T2 of the second region 531b may be about 5 μm to about 10 μm.

상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 호스트층(531)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b)에 거의 균일하게 분산될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b)에 약 1wt% 내지 약 50wt%의 농도로 분산될 수 있다.The first wavelength converting particles 532 are disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In more detail, the first wavelength conversion particles 532 are uniformly dispersed in the host layer 531, and the host layer 531 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. Can be. In addition, the first wavelength conversion particles 532 may be substantially uniformly dispersed in the first region 531a and the second region 531b. In more detail, the first wavelength conversion particles 532 may be dispersed in the first region 531a and the second region 531b at a concentration of about 1 wt% to about 50 wt%.

상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The first wavelength converting particles 532 convert the wavelength of light emitted from the light emitting diodes 400. The first wavelength converting particles 532 receive light emitted from the light emitting diodes 400 to convert wavelengths. For example, the first wavelength conversion particles 532 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into red light. That is, the first wavelength conversion particles 532 may convert the blue light into red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 적색광으로 변환시키는 제 1 파장 변환 입자들(532)이 사용될 수 있다.When the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes that generate blue light, first wavelength converting particles 532 that convert blue light into red light may be used.

상기 제 1 파장 변환 입자들(532)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The first wavelength converting particles 532 may be a plurality of quantum dots (QDs). The quantum dot may include a core nanocrystal and a shell nanocrystal surrounding the core nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 직경은 1 nm 내지 15 nm일 수 있다. 더 자세하게, 상기 양자점의 직경은 약 8㎚ 내지 약 11㎚일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 15 nm. In more detail, the diameter of the quantum dot may be about 8 nm to about 11 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of the light emitted from the quantum dot can be adjusted according to the size of the quantum dot. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, it produces very high fluorescence.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 호스트층(531) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 제 2 영역(531b) 내에 주로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 제 1 영역(531a)보다 상기 제 2 영역(531b)에 더 높은 농도로 포함될 수 있다. 즉, 상기 제 2 영역(531b)은 상기 제 1 영역(531a)보다 더 높은 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)을 포함한다.The second wavelength converting particles 533 are disposed in the host layer 531. In more detail, the second wavelength conversion particles 533 may be mainly disposed in the second region 531b. That is, the second wavelength converting particles 533 may be included in a higher concentration in the second region 531b than in the first region 531a. That is, the second region 531b includes the second wavelength conversion particles 533 at a higher concentration than the first region 531a.

상기 제 2 영역(531b)에서의 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 농도는 상기 제 1 영역(531a)에서의 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 농도보다 훨씬 더 높을 수 있다. 즉, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 호스트층(531)의 하부에 밀집될 수 있다.The concentration of the second wavelength conversion particles 533 in the second region 531b may be much higher than the concentration of the second wavelength conversion particles 533 in the first region 531a. In other words, the second wavelength converting particles 533 may be concentrated under the host layer 531.

예를 들어, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 제 2 영역(531b)에 약 1wt% 내지 약 50wt%의 농도로 포함될 수 있다. 또한, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 제 1 영역(531a)에 약 0.0001 wt% 내지 약 0.1wt%의 농도로 포함될 수 있다. 또한, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 농도는 상기 호스트층(531)에서, 하방으로 진행될수록 점점 더 커질 수 있다.For example, the second wavelength conversion particles 533 may be included in the second region 531b at a concentration of about 1 wt% to about 50 wt%. In addition, the second wavelength conversion particles 533 may be included in the first region 531a at a concentration of about 0.0001 wt% to about 0.1 wt%. In addition, the concentration of the second wavelength converting particles 533 may increase in the host layer 531 as it moves downward.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)보다 더 큰 직경을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)의 직경은 약 10㎛ 내지 약 30㎛일 수 있다.The second wavelength conversion particles 533 may have a larger diameter than the first wavelength conversion particles 532. In more detail, the diameters of the second wavelength conversion particles 533 may be about 10 μm to about 30 μm.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 청색광을 약 500㎚ 내지 약 600㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다.The second wavelength conversion particles 533 convert the wavelength of the light emitted from the light emitting diodes 400. The second wavelength converting particles 533 receive light emitted from the light emitting diodes 400 to convert wavelengths. For example, the second wavelength conversion particles 533 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light. That is, the second wavelength conversion particles 533 may convert the blue light into green light having a wavelength band between about 500 nm and about 600 nm.

상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 상기 청색광을 녹색광으로 변환시키는 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 사용될 수 있다.When the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes for generating blue light, the second wavelength conversion particles 533 for converting the blue light into green light may be used.

상기 제 2 파장 변환 입자들(533)로 형광체가 사용될 수 있다. 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)로 녹색 형광체가 사용될 수 있다. 더 자세하게, 상기 녹색 형광체의 예로서는 망간이 도핑된 징크 실리콘 옥사이드계 형광체(예를 들어, Zn2SiO4:Mn), 유로퓸이 도핑된 스트론튬 갈륨 설파이드계 형광체(예를 들어, SrGa2S4:Eu) 또는 유로퓸이 도핑된 바륨 실리콘 옥사이드 클로라이드계 형광체(예를 들어, Ba5Si2O7Cl4:Eu) 등을 들 수 있다.Phosphor may be used as the second wavelength conversion particles 533. As the second wavelength conversion particles 533, a green phosphor may be used. More specifically, examples of the green phosphor include manganese doped zinc silicon oxide based phosphors (eg, Zn 2 SiO 4: Mn), europium doped strontium gallium sulfide based phosphors (eg, SrGa 2 S 4: Eu) or europium doped. Barium silicon oxide chloride type fluorescent substance (for example, Ba5Si2O7Cl4: Eu) etc. are mentioned.

상기 파장 변환 부재(501)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.The wavelength conversion member 501 may be formed by the following process.

도 4를 참조하면, 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(533)이 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 또는 아크릴계 수지 등에 균일하게 분산되어, 수지 조성물이 형성된다. 상기 수지 조성물에는 톨루엔, 헥산 또는 클로로포름(chloroform) 등과 같은 용매가 첨가될 수 있다. 상기 용매는 상기 수지 조성물에 대해서, 약 10wt% 내지 약 30wt%의 비율로 첨가될 수 있다.Referring to FIG. 4, a plurality of first wavelength converting particles 532 and a plurality of second wavelength converting particles 533 are uniformly dispersed in a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like to form a resin composition. . A solvent such as toluene, hexane or chloroform may be added to the resin composition. The solvent may be added in a ratio of about 10 wt% to about 30 wt% with respect to the resin composition.

상기 용매는 상기 수지 조성물의 점도를 낮추는 기능을 수행할 수 있다. 상기 수지 조성물의 점도는 약 100cps 내지 약 10000cps일 수 있다. 더 자세하게, 상기 수지 조성물의 점도는 약 100cps 내지 약 1000cps일 수 있다.The solvent may perform a function of lowering the viscosity of the resin composition. The viscosity of the resin composition may be about 100cps to about 10000cps. In more detail, the viscosity of the resin composition may be about 100cps to about 1000cps.

이후, 상기 수지 조성물은 하부 기판(510) 상에 균일하게 코팅된다. 상기 수지 조성물은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등에 의해서 상기 하부 기판(510)의 상면에 코팅될 수 있다.Thereafter, the resin composition is uniformly coated on the lower substrate 510. The resin composition may be coated on the upper surface of the lower substrate 510 by slit coating, spin coating or spray coating.

도 5를 참조하면, 상기 하부 기판(510)이 중력 방향을 기준으로 상기 코팅된 수지 조성물 아래에 위치하도록, 상기 코팅된 수지 조성물은 약 0.5 시간 내지 약 24시간 동안 방치될 수 있다.Referring to FIG. 5, the coated resin composition may be left for about 0.5 hours to about 24 hours so that the lower substrate 510 is positioned below the coated resin composition based on the gravity direction.

이에 따라서, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)보다 훨씬 더 큰 직경을 가지므로, 상기 코팅된 수지 조성물에서 하부에 침전될 수 있다. 특히, 상기 수지 조성물의 점도가 낮은 경우, 이와 같은 침전 속도는 더 가속화될 수 있다.Accordingly, since the second wavelength converting particles 533 have a much larger diameter than the first wavelength converting particles 532, the second wavelength converting particles 533 may be precipitated at the bottom of the coated resin composition. In particular, when the viscosity of the resin composition is low, such a precipitation rate can be further accelerated.

이후, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)이 침전된 후, 상기 코팅된 수지 조성물은 광 및/또는 열에 의해서 경화되고, 파장 변환층이 형성된다.Thereafter, after the second wavelength conversion particles 533 are precipitated, the coated resin composition is cured by light and / or heat, and a wavelength conversion layer is formed.

이후, 상기 파장 변환층 상에 상부 기판(520)이 라미네이트되고, 실링부가 형성된다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(501)가 형성될 수 있다.Thereafter, the upper substrate 520 is laminated on the wavelength conversion layer, and a sealing part is formed. Accordingly, the wavelength conversion member 501 may be formed.

상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530) 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에도 배치된다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면을 덮는다.The sealing part 540 is disposed on the side of the wavelength conversion layer 530. In more detail, the sealing part 540 covers the side surface of the wavelength conversion layer 530. In more detail, the sealing part 540 is also disposed on side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In more detail, the sealing part 540 covers side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520.

또한, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 접착될 수 있다. 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 밀착된다.In addition, the sealing part 540 may be attached to side surfaces of the wavelength conversion layer 530, the lower substrate 510, and the upper substrate 520. The sealing part 540 is in close contact with side surfaces of the wavelength conversion layer 530, the lower substrate 510, and the upper substrate 520.

이에 따라서, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)의 측면을 밀봉할 수 있다. 즉, 상기 실링부(540)는 상기 파장 변환층(530)을 외부의 화학적인 충격으로부터 보호하는 보호부이다.Accordingly, the sealing part 540 may seal the side surface of the wavelength conversion layer 530. That is, the sealing part 540 is a protection part that protects the wavelength conversion layer 530 from external chemical shock.

또한, 상기 파장 변환 부재(501)는 제 1 무기 보호막 및 제 2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅되고, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막 및 상기 제 2 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등을 들 수 있다.In addition, the wavelength conversion member 501 may further include a first inorganic protective film and a second inorganic protective film. The first inorganic protective layer may be coated on the lower surface of the lower substrate 510, and the second inorganic protective layer may be coated on the upper surface of the upper substrate 520. Examples of the material used for the first inorganic protective film and the second inorganic protective film include silicon oxide and the like.

상기 확산 시트(502)는 상기 파장 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.The diffusion sheet 502 is disposed on the wavelength conversion member 501. The diffusion sheet 502 improves the uniformity of light passing therethrough. The diffusion sheet 502 may include a plurality of beads.

상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.The first prism sheet 503 is disposed on the diffusion sheet 502. The second prism sheet 504 is disposed on the first prism sheet 503. The first prism sheet 503 and the second prism sheet 504 increase the straightness of light passing therethrough.

상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.The liquid crystal panel 20 is disposed on the optical sheets 500. In addition, the liquid crystal panel 20 is disposed on the panel guide 23. The liquid crystal panel 20 may be guided by the panel guide 23.

상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 20 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 20. That is, the liquid crystal panel 20 is a display panel that displays an image by using light emitted from the backlight unit 10. The liquid crystal panel 20 includes a TFT substrate 21, a color filter substrate 22, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In addition, the liquid crystal panel 20 includes polarization filters.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawings, the TFT substrate 21 and the color filter substrate 22 will be described in detail. In the TFT substrate 21, a plurality of gate lines and data lines cross each other to define pixels, and respective intersections are performed. A thin flim transistor (TFT) is provided in each region and is connected in one-to-one correspondence with the pixel electrode mounted in each pixel. The color filter substrate 22 includes a color filter of R, G, and B colors corresponding to each pixel, a black matrix bordering each of them, covering a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like, and a common electrode covering all of them. Include.

액정패널(20)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.At the edge of the liquid crystal panel 20, a driving PCB 25 is provided to supply driving signals to the gate line and the data line.

상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The driving PCB 25 is electrically connected to the liquid crystal panel 20 by a chip on film (COF) 24. Here, the COF 24 may be changed to a tape carrier package (TCP).

앞서 설명한 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b) 별로 다른 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)을 포함한다. 특히, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 제 2 영역(531b)에 높은 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)을 포함할 수 있다.As described above, the wavelength conversion member 501 includes the second wavelength conversion particles 533 at different concentrations for each of the first region 531a and the second region 531b. In particular, the wavelength conversion member 501 may include the second wavelength conversion particles 533 at a high concentration in the second region 531b.

이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(501)는 입사광을 상기 제 2 영역(531b)에서, 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)에 의해서, 주로 녹색 광과 같은 제 2 파장의 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 부재(501)는 입사광을 주로 상기 제 1 영역(531a)에서, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532)에 의해서, 적색 광과 같은 제 3 파장의 광으로 변환시킬 수 있다.Accordingly, the wavelength conversion member 501 may convert the incident light into the light having the second wavelength, such as green light, mainly by the second wavelength conversion particles 533 in the second region 531b. . In addition, the wavelength conversion member 501 may convert the incident light mainly into the light having a third wavelength such as red light by the first wavelength conversion particles 532 in the first region 531a.

이와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b) 별로 주로 변환시키는 광의 파장대를 다르게 할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 입사광의 변환 효율을 극대화시키고, 향상된 색 재현율을 가질 수 있다.As described above, the wavelength conversion member 501 may change the wavelength band of the light mainly converted for each of the first region 531a and the second region 531b. Accordingly, the display device according to the embodiment may maximize conversion efficiency of incident light and have an improved color reproduction rate.

또한, 상기 제 1 파장 변환 입자들(532) 및 상기 제 2 파장 변환 입자들(533)은 하나의 층에 배치된다. 즉, 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b)은 서로 일체로 형성되고, 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b) 사이에 계면이 형성되지 않는다.In addition, the first wavelength converting particles 532 and the second wavelength converting particles 533 are disposed in one layer. That is, the first region 531a and the second region 531b are integrally formed with each other, and no interface is formed between the first region 531a and the second region 531b.

이에 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 상기 제 1 영역(531a) 및 상기 제 2 영역(531b) 사이에서 발생되는 광 손실을 최소화할 수 있고, 휘도를 향상시킬 수 있다.
Accordingly, the display device according to the embodiment can minimize the light loss generated between the first region 531a and the second region 531b and improve the luminance.

도 6은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.6 is a sectional view showing a wavelength conversion member according to the second embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiment. That is, the foregoing description of the liquid crystal display device may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재는 제 3 파장 변환 입자들(534)을 포함한다. 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 호스트층(531) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 제 2 영역(531b) 내에 주로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 제 1 영역(531a)보다 상기 제 2 영역(531b)에 더 높은 농도로 포함될 수 있다. 즉, 상기 제 2 영역(531b)은 상기 제 1 영역(531a)보다 더 높은 농도로 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the wavelength conversion member according to the present embodiment includes third wavelength conversion particles 534. The third wavelength converting particles 534 are disposed in the host layer 531. In more detail, the third wavelength conversion particles 534 may be mainly disposed in the second region 531b. That is, the third wavelength conversion particles 534 may be included in a higher concentration in the second region 531b than in the first region 531a. That is, the second region 531b includes the third wavelength conversion particles 534 at a higher concentration than the first region 531a.

상기 제 2 영역(531b)에서의 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)의 농도는 상기 제 1 영역(531a)에서의 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)의 농도보다 훨씬 더 높을 수 있다. 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 제 2 영역(531b)에 약 0.1wt% 내지 약 0.5wt%의 농도로 포함될 수 있다. 또한, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 제 1 영역(531a)에 약 0.05wt%이하의 농도로 포함될 수 있다.The concentration of the third wavelength conversion particles 534 in the second region 531b may be much higher than the concentration of the third wavelength conversion particles 534 in the first region 531a. The third wavelength conversion particles 534 may be included in the second region 531b at a concentration of about 0.1 wt% to about 0.5 wt%. In addition, the third wavelength conversion particles 534 may be included in the first region 531a at a concentration of about 0.05 wt% or less.

상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 제 1 파장 변환 입자들(532)보다 더 큰 직경을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)의 직경은 약 0.5㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다.The third wavelength conversion particles 534 may have a larger diameter than the first wavelength conversion particles 532. In more detail, the diameter of the third wavelength conversion particles 534 may be about 0.5 μm to about 10 μm.

상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 황색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 청색광을 약 540㎚ 내지 약 570㎚ 사이의 파장대를 가지는 황색광으로 변환시킬 수 있다.The third wavelength conversion particles 534 convert the wavelength of light emitted from the light emitting diodes 400. The third wavelength conversion particles 534 receives light emitted from the light emitting diodes 400 to convert wavelengths. For example, the third wavelength conversion particles 534 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into yellow light. That is, the third wavelength conversion particles 534 may convert the blue light into yellow light having a wavelength band between about 540 nm and about 570 nm.

상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 상기 청색광을 황색광으로 변환시키는 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)이 사용될 수 있다.When the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes for generating blue light, the third wavelength conversion particles 534 for converting the blue light into yellow light may be used.

상기 제 3 파장 변환 입자들(534)로 형광체가 사용될 수 있다. 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)로 황색 형광체가 사용될 수 있다. 더 자세하게, 상기 황색 형광체의 예로서는 이트륨 알루미늄 가넷계(yttrium aluminum garnet;YAG) 형광체 등을 들 수 있다.Phosphor may be used as the third wavelength conversion particles 534. A yellow phosphor may be used as the third wavelength conversion particles 534. More specifically, examples of the yellow phosphor include yttrium aluminum garnet (YAG) phosphors and the like.

도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)에 의해서, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)에 의해서 형성된 백색 광에서, 약 555㎚ 내지 약 560㎚의 파장 대(Y)의 세기가 증가될 수 있다. 또한, 상기 제 3 파장 변환 입자들(534)은 상기 제 2 영역(531b)에 주로 배치되므로, 이와 같은 효과가 극대화될 수 있다.As shown in FIG. 7, in the white light formed by the third wavelength conversion particles 534 by the wavelength conversion member 501 according to the present embodiment, a wavelength band of about 555 nm to about 560 nm ( The intensity of Y) can be increased. In addition, since the third wavelength conversion particles 534 are mainly disposed in the second region 531b, such an effect may be maximized.

이에 따라서, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)는 향상된 휘도를 가지는 백색 광을 생성할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)를 포함하는 표시장치는 향상된 휘도 및 색 재현성을 가질 수 있다.
Accordingly, the wavelength conversion member 501 according to the present exemplary embodiment may generate white light having improved luminance. Therefore, the display device including the wavelength conversion member 501 according to the present exemplary embodiment may have improved luminance and color reproducibility.

도 8은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 9는 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 10은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 11은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 12 내지 도 14는 제 3 실시예에 따른 파장 변환 부재를 형성하는 과정을 도시한 도면들이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.8 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a third embodiment. 9 is a perspective view showing a wavelength conversion member according to a third embodiment. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 5. FIG. 11 is a cross-sectional view of a light guide plate, a light emitting diode, and a wavelength conversion member according to a third embodiment. 12 to 14 illustrate a process of forming the wavelength conversion member according to the third embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiment. That is, the foregoing description of the liquid crystal display device may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 8 내지 도 11을 참조하면, 파장 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.8 to 11, the wavelength conversion member 600 is interposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200.

상기 파장 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.The wavelength conversion member 600 may have a shape extending in one direction. In more detail, the wavelength conversion member 600 may have a shape extending along one side surface of the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion member 600 may have a shape extending along the incident surface of the light guide plate 200.

상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength conversion member 600 receives light emitted from the light emitting diodes 400 and converts the wavelength. For example, the wavelength conversion member 600 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light and red light. That is, the wavelength conversion member 600 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the blue light having a wavelength band of about 630 nm to about 660 nm. Can be converted to red light.

이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light passing through the wavelength conversion member 600 and the light converted by the wavelength conversion member 600 may form white light. That is, the blue light, the green light, and the red light may be combined, and the white light may be incident on the light guide plate 200.

도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(600)는 하부 기판(610), 상부 기판(620), 파장 변환층(630) 및 실링부(640)를 포함한다.9 to 11, the wavelength conversion member 600 includes a lower substrate 610, an upper substrate 620, a wavelength conversion layer 630, and a sealing unit 640.

도 10에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 파장 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(610)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(610)은 상기 파장 변환층(630)의 하면에 밀착될 수 있다.As shown in FIG. 10, the lower substrate 610 is disposed under the wavelength conversion layer 630. The lower substrate 610 may be transparent and flexible. The lower substrate 610 may be in close contact with the bottom surface of the wavelength conversion layer 630.

또한, 상기 파장 변환층(630)의 제 1 영역(631a)은 상기 도광판(200)에 대향하고, 상기 파장 변환층(630)의 제 2 영역(631b)은 상기 발광다이오드(400)에 대향한다. 즉, 상기 제 2 영역(631b)은 상기 제 1 영역(631a)보다 상기 발광다이오드(400)에 더 가깝게 배치된다.In addition, the first region 631a of the wavelength conversion layer 630 faces the light guide plate 200, and the second region 631b of the wavelength conversion layer 630 faces the light emitting diode 400. . That is, the second region 631b is disposed closer to the light emitting diode 400 than the first region 631a.

상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(620)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 620 is disposed on the wavelength conversion layer 630. The upper substrate 620 may be transparent and flexible. The upper substrate 620 may be in close contact with the top surface of the wavelength conversion layer 630.

또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향한다. 즉, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 파장 변환층(630) 사이에 배치된다. 또한, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200)에 대향한다. 즉, 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다.In addition, as shown in FIG. 11, the lower substrate 610 faces the light emitting diodes 400. That is, the lower substrate 610 is disposed between the light emitting diodes 400 and the wavelength conversion layer 630. In addition, the upper substrate 620 faces the light guide plate 200. That is, the upper substrate 620 is interposed between the wavelength conversion layer 630 and the light guide plate 200.

상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)을 샌드위치한다. 또한, 상기 실링부(640)는 상기 파장 변환층(630)의 측면을 덮는다. 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 파장 변환층(630)을 지지한다. 또한, 상기 하부 기판(610), 상기 상부 기판(620) 및 상기 실링부(640)는 외부의 물리적인 충격 및 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(630)을 보호한다.The lower substrate 610 and the upper substrate 620 sandwich the wavelength conversion layer 630. In addition, the sealing part 640 covers the side surface of the wavelength conversion layer 630. The lower substrate 610 and the upper substrate 620 support the wavelength conversion layer 630. In addition, the lower substrate 610, the upper substrate 620, and the sealing part 640 protect the wavelength conversion layer 630 from external physical shocks and chemical shocks.

본 실시예에 따른 파장 변환 부재는 다음과 같은 과정에 의해서 형성될 수 있다.The wavelength conversion member according to the present embodiment may be formed by the following process.

도 12를 참조하면, 제 1 투명 기판(611) 상에 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들(632) 및 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들(633)을 포함하는 수지 조성물이 코팅된다. 이후, 중력에 의해서, 상기 제 2 파장 변환 입자들(633)은 상기 제 1 투명 기판(611)의 상면에 침전된다. 이후, 상기 수지 조성물의 광 및/또는 열에 의해서 경화되고, 상기 제 1 투명 기판(611) 상에 예비 파장 변환층(635)이 형성된다.Referring to FIG. 12, a resin composition including a plurality of first wavelength converting particles 632 and a plurality of second wavelength converting particles 633 is coated on a first transparent substrate 611. Thereafter, the second wavelength conversion particles 633 are deposited on the top surface of the first transparent substrate 611 by gravity. Thereafter, the resin composition is cured by light and / or heat of the resin composition, and a preliminary wavelength conversion layer 635 is formed on the first transparent substrate 611.

이후, 상기 예비 파장 변환층(635) 상에 제 2 투명 기판(621)이 라미네이팅된다.Thereafter, the second transparent substrate 621 is laminated on the preliminary wavelength conversion layer 635.

도 13을 참조하면, 상기 제 1 투명 기판(611), 상기 예비 파장 변환층(635) 및 제 2 투명 기판(621)은 한꺼번에 절단된다. 이에 따라서, 다수 개의 예비 파장 변환 부재들(601)이 형성된다. 상기 예비 파장 변환 부재들(601)은 각각 하부 기판(610), 파장 변환층(630) 및 상부 기판(620)을 포함한다. 이때, 상기 하부 기판(610), 상기 파장 변환층(630) 및 상기 상부 기판(620)은 같은 절단 공정에 의해서 형성되므로, 서로 동일한 평면에 배치되는 절단면(605)을 포함한다.Referring to FIG. 13, the first transparent substrate 611, the preliminary wavelength conversion layer 635, and the second transparent substrate 621 are cut at a time. Accordingly, a plurality of preliminary wavelength conversion members 601 are formed. The preliminary wavelength converting members 601 include a lower substrate 610, a wavelength converting layer 630, and an upper substrate 620, respectively. In this case, since the lower substrate 610, the wavelength conversion layer 630 and the upper substrate 620 are formed by the same cutting process, the lower substrate 610, the wavelength conversion layer 630 and the upper substrate 620 includes a cut surface 605 disposed on the same plane.

도 14를 참조하면, 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)이 서로 마주보도록, 상기 예비 파장 변환 부재들(601)이 서로 정렬된다. 이후, 상기 예비 파장 변환 부재들(601)의 측면, 즉, 절단면(605)에 실링부(640)가 형성된다.Referring to FIG. 14, the preliminary wavelength conversion members 601 are aligned with each other such that the lower substrate 610 and the upper substrate 620 face each other. Thereafter, a sealing part 640 is formed on the side surfaces of the preliminary wavelength conversion members 601, that is, the cut surface 605.

이후, 상기 파장 변환 부재들(600)은 서로 떼어내질 수 있다.Thereafter, the wavelength conversion members 600 may be separated from each other.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(630)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 제 1 파장 변환 입자들(632) 및 제 2 파장 변환 입자들(633)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the wavelength conversion layer 630 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of the first wavelength converting particles 632 and the second wavelength converting particles 633 may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 제 1 파장 변환 입자들(631) 및 제 2 파장 변환 입자들의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
Therefore, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment can reduce the use of the first wavelength converting particles 631 and the second wavelength converting particles and can be easily manufactured at low cost.

도 15는 제 4 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 16은 제 4 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 17은 도 15에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 18은 제 4 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.15 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a fourth embodiment. 16 is a perspective view of the wavelength conversion member according to the fourth embodiment. FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 15. 18 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the wavelength conversion member according to the fourth embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiments. That is, the foregoing description of the liquid crystal display devices may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 15 내지 도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 파장 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.15 to 18, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of wavelength converting members 700. The wavelength conversion members 700 correspond to the light emitting diodes 400, respectively.

또한, 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 파장 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.In addition, the wavelength conversion members 700 are disposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200. That is, each wavelength conversion member 600 is disposed between the corresponding light emitting diode and the light guide plate 200.

상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 파장 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.The wavelength conversion members 700 may have a larger planar area than the light emitting diodes 400. Accordingly, almost all of the light emitted from each light emitting diode may be incident on the corresponding wavelength converting member 600.

또한, 도 15 내지 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재들(700)은 하부 기판(710), 상부 기판(720), 파장 변환층(730) 및 실링부(640)를 포함한다.15 to 18, the wavelength conversion members 700 include a lower substrate 710, an upper substrate 720, a wavelength conversion layer 730, and a sealing unit 640.

상기 하부 기판(710), 상기 상부 기판(720), 상기 파장 변환층(730) 및 상기 실링부(640)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.Features of the lower substrate 710, the upper substrate 720, the wavelength conversion layer 730, and the sealing unit 640 may be substantially the same as those described in the above-described embodiments.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환층(730)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 제 1 파장 변환 입자들(732) 및 제 2 파장 변환 입자들(733)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the wavelength conversion layer 730 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of the first wavelength converting particles 732 and the second wavelength converting particles 733 may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 제 1 파장 변환 입자들(432) 및 제 2 파장 변환 입자들(733)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.Therefore, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment can reduce the use of the first wavelength converting particles 432 and the second wavelength converting particles 733 and can be easily manufactured at low cost.

또한, 각각 파장 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드(400)에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 신뢰성, 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.In addition, the characteristics of each of the wavelength conversion member 700 may be modified to suit the corresponding light emitting diode 400. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability, brightness, and uniform color reproduction.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (11)

호스트층;
상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및
상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고,
상기 호스트층은
제 1 영역; 및
상기 제 1 영역 아래에 배치되고, 상기 제 1 영역보다 더 높은 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들을 포함하는 제 2 영역을 포함하는 광학 부재.
Host layer;
A plurality of first wavelength converting particles disposed in the host layer; And
A plurality of second wavelength converting particles disposed in the host layer,
The host layer
First region; And
And a second region disposed below the first region and comprising the second wavelength converting particles at a higher concentration than the first region.
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 파장 변환 입자들은 양자점이고,
상기 제 2 파장 변환 입자들은 형광체를 포함하는 광학 부재.
The method of claim 1, wherein the first wavelength conversion particles are quantum dots,
The second wavelength conversion particles include a phosphor.
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 파장 변환 입자들의 직경은 상기 제 1 파장 변환 입자들의 직경보다 더 큰 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein a diameter of the second wavelength conversion particles is larger than a diameter of the first wavelength conversion particles. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 파장 변환 입자들의 직경은 1㎚ 내지 15㎚이고, 상기 제 2 파장 변환 입자들의 직경은 10㎛ 내지 30㎛인 광학 부재.The optical member of claim 1, wherein the first wavelength converting particles have a diameter of 1 nm to 15 nm, and the second wavelength converting particles have a diameter of 10 μm to 30 μm. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 파장 변환 부재는 청색 광 또는 자외선을 적색 광으로 변환시키고,
상기 제 2 파장 변환 부재는 청색 광 또는 자외선을 녹색 광으로 변환시키는 광학 부재.
The method of claim 1, wherein the first wavelength conversion member converts blue light or ultraviolet light into red light,
The second wavelength conversion member converts blue light or ultraviolet light into green light.
제 5 항에 있어서, 상기 제 2 영역에 배치되는 다수 개의 제 3 파장 변환 입자들을 포함하고,
상기 제 3 파장 변환 입자들은 청색 광 또는 자외선을 황색 광으로 변환시키는 광학 부재.
The method of claim 5, further comprising a plurality of third wavelength conversion particles disposed in the second region,
And the third wavelength converting particles convert blue light or ultraviolet light into yellow light.
광원;
상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 파장 변환 부재; 및
상기 파장 변환 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
상기 파장 변환 부재는
호스트층;
상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들; 및
상기 호스트층 내에 배치되는 다수 개의 제 2 파장 변환 입자들을 포함하고,
상기 호스트층은
제 1 영역; 및
상기 제 1 영역 아래에 배치되고, 상기 제 1 영역보다 더 높은 농도로 상기 제 2 파장 변환 입자들을 포함하는 제 2 영역을 포함하는 표시장치.
Light source;
A wavelength conversion member for converting the wavelength of the light emitted from the light source; And
A display panel to which light emitted from the wavelength conversion member is incident;
The wavelength conversion member
Host layer;
A plurality of first wavelength converting particles disposed in the host layer; And
A plurality of second wavelength converting particles disposed in the host layer,
The host layer
First region; And
And a second area disposed below the first area and including the second wavelength conversion particles at a higher concentration than the first area.
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 영역은 상기 광원으로부터 출사되는 광의 경로를 기준으로 상기 제 1 영역보다 더 먼저 배치되는 표시장치.The display device of claim 7, wherein the second area is disposed earlier than the first area based on a path of light emitted from the light source. 다수 개의 제 1 파장 변환 입자들 및 상기 제 1 파장 변환 입자들보다 더 큰 직경을 가지는 제 2 파장 변환 입자들을 포함하는 수지 조성물을 형성하고,
기판 상에 상기 수지 조성물을 코팅하고,
상기 제 2 파장 변환 입자들을 상기 기판을 향하여 이동시키고,
상기 수지 조성물을 경화시키는 것을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
Forming a resin composition comprising a plurality of first wavelength converting particles and second wavelength converting particles having a larger diameter than the first wavelength converting particles,
Coating the resin composition on a substrate,
Move the second wavelength converting particles towards the substrate,
The manufacturing method of the optical member containing hardening the said resin composition.
제 9 항에 있어서, 상기 수지 조성물에 용매가 첨가되고,
상기 제 2 파장 변환 입자들이 이동될 때, 상기 용매가 상기 수지 조성물로부터 증발되는 광학 부재의 제조방법.
The method of claim 9, wherein a solvent is added to the resin composition,
And the solvent is evaporated from the resin composition when the second wavelength converting particles are moved.
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 파장 변환 입자들은 중력을 기준으로 하방으로 이동되는 광학 부재의 제조방법.The method of claim 9, wherein the second wavelength converting particles are moved downward based on gravity.
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