Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20130009517A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

Info

Publication number
KR20130009517A
KR20130009517A KR1020110070686A KR20110070686A KR20130009517A KR 20130009517 A KR20130009517 A KR 20130009517A KR 1020110070686 A KR1020110070686 A KR 1020110070686A KR 20110070686 A KR20110070686 A KR 20110070686A KR 20130009517 A KR20130009517 A KR 20130009517A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel electrode
common
pixel
electrode
bars
Prior art date
Application number
KR1020110070686A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101875937B1 (en
Inventor
우창승
이민직
이병현
한예슬
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110070686A priority Critical patent/KR101875937B1/en
Publication of KR20130009517A publication Critical patent/KR20130009517A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101875937B1 publication Critical patent/KR101875937B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display is provided to remove the influence of a fringe field on the liquid crystal of a second bending region. CONSTITUTION: A pixel electrode includes multiple pixel electrode bars(36a,36b) on a common plate(9). A common electrode(39) is adjacent to the pixel electrode. The width of an outermost pixel electrode bar adjacent to the common electrode is larger than that of the other pixel electrode bar. The second bending angle of a second bending region is larger than that of the first bending angle of the first bending region.

Description

액정표시장치{Liquid crystal display device}[0001] Liquid crystal display device [0002]

실시예는 액정표시장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a liquid crystal display device.

정보를 표시하기 위한 표시 장치가 활발히 개발되고 있다.Display devices for displaying information have been actively developed.

표시 장치는 액정표시장치, 유기전계발광 표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널 및 전계방출 표시장치를 포함한다.The display device includes a liquid crystal display, an organic light emitting display, a plasma display panel, and a field emission display.

이 중에서 액정표시장치는 고 해상도, 고 화질, 고 콘트라스트, 저 소비 전력 및 풀컬러 동영상 구현 등의 장점을 가지므로, 표시장치의 주류로 각광받고 있다.Among them, liquid crystal displays have high resolution, high image quality, high contrast, low power consumption, and full color video.

액정표시장치는 시야각이 좁은 단점이 있었다.The liquid crystal display device has a disadvantage of having a narrow viewing angle.

최근에 시야각을 개선하기 위한 다양한 방안이 제시되었다.Recently, various methods for improving the viewing angle have been proposed.

하지만, 시야각을 획기적으로 개선한 방안은 제시되지 않고 있다. However, there is no suggestion for a drastic improvement in the viewing angle.

실시예는 시야각을 개선한 액정표시장치를 제공한다.The embodiment provides a liquid crystal display device having an improved viewing angle.

실시예는 액정의 복원력 저하로 인한 터치 흔적 불량을 방지할 수 있는 액정표시장치를 제공한다.The embodiment provides a liquid crystal display device capable of preventing a touch trace defect due to a decrease in the restoring force of the liquid crystal.

실시예에 따르면, 액정표시장치는, 공통 플레이트; 상기 공통 플레이트 상에 다수의 화소 전극 바를 포함하는 화소 전극; 및 상기 화소 전극에 인접하는 공통 전극을 포함하고, 상기 공통 전극에 인접하는 최외곽 화소 전극 바는 상기 최외곽 화소 전극 바를 제외한 나머지 화소 전극 바의 각 폭보다 적어도 큰 폭을 갖는다.According to an embodiment, the liquid crystal display device comprises: a common plate; A pixel electrode including a plurality of pixel electrode bars on the common plate; And a common electrode adjacent to the pixel electrode, wherein the outermost pixel electrode bar adjacent to the common electrode has a width at least greater than each width of the remaining pixel electrode bars except for the outermost pixel electrode bar.

실시예에 따르면, 액정표시장치는, 다수의 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소 영역에서 상기 게이트 라인과 동일 층에 형성된 공통 플레이트; 상기 공통 플레이트 상에 다수의 화소 전극 바; 및 상기 화소 영역의 경계에 배치되는 공통 전극을 포함하고, 상기 화소 전극 바와 상기 공통 전극은 상기 화소 영역의 중간에서의 기준선에 인접한 제1 절곡 영역과 상기 기준선의 제2 절곡 영역에서 절곡되고, 상기 화소 전극 바 중 제1 화소 전극 바는 제2 화소 전극 바보다 적어도 큰 폭을 갖고, 상기 제1 화소 전극 바는 상기 공통 전극에 인접하는 화소 전극 바이다.According to an embodiment, a liquid crystal display includes: a gate line and a data line defining a plurality of pixel regions; A common plate formed on the same layer as the gate line in the pixel area; A plurality of pixel electrode bars on the common plate; And a common electrode disposed at a boundary of the pixel region, wherein the pixel electrode bar and the common electrode are bent in a first bent region adjacent to a reference line in the middle of the pixel region and a second bent region of the reference line, A first pixel electrode bar of the pixel electrode bars has a width that is at least larger than that of the second pixel electrode bar, and the first pixel electrode bar is a pixel electrode bar adjacent to the common electrode.

실시예는 화소 전극 바와 공통 전극 바의 제2 절곡 각도(θ2)를 제1 절곡 각도(θ1)보다 크도록 함으로써, 제2 절곡 영역에 위치된 액정이 프린지 필드에 영향을 거의 받지 않도록 하여 액정 왜곡(disclination)이 발생되지 않게 된다. 이에 따라, 더욱 더 향상된 시야각이 확보될 수 있다. According to the embodiment, the second bending angle θ 2 of the pixel electrode bar and the common electrode bar is larger than the first bending angle θ 1 so that the liquid crystal positioned in the second bending area is hardly affected by the fringe field. Liquid crystal distortion does not occur. Accordingly, even more improved viewing angles can be secured.

실시예는 화소 전극 바와 공통 전극 바의 제1 절곡 각도(θ1)를 최적화하여, 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. The embodiment may optimize the first bending angle θ 1 of the pixel electrode bar and the common electrode bar to prevent touch trace defects.

실시예와 같이, 제1 화소 전극 바의 폭을 제2 화소 전극 바의 폭보다 크게 형성함으로써, 상기 공통 전극과 상기 제1 화소 전극 바에 의해 구동되는 액정이 상기 제1 화소 전극 바와 상기 공통 플레이트 사이의 전계에 의해 거의 영향을 받지 않게 되어, 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. As in the embodiment, the width of the first pixel electrode bar is greater than the width of the second pixel electrode bar, so that the liquid crystal driven by the common electrode and the first pixel electrode bar is between the first pixel electrode bar and the common plate. Since it is hardly affected by the electric field of, the touch trace defect can be prevented.

도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 H-H' 라인, I-I' 라인 및 J-J' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 화소 영역의 에지 영역에서의 액정의 구동 모습을 도시한 도면이다.
도 4는 제1 및 제2 절곡 영역에서의 화소 전극의 배열 모습을 도시한 도면이다.
1 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the HH ′, II ′, and JJ ′ lines of FIG. 1.
3 is a diagram illustrating a driving state of a liquid crystal in an edge region of a pixel region.
4 is a diagram illustrating an arrangement of pixel electrodes in first and second bent regions.

발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In describing an embodiment according to the invention, in the case of being described as being formed "above" or "below" each element, the upper (upper) or lower (lower) Directly contacted or formed such that one or more other components are disposed between the two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)" may include the meaning of the down direction as well as the up direction based on one component.

도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 박막 트랜지스터(30), 공통 플레이트(9), 화소 전극(36), 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 및 공통 전극(39)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment includes a thin film transistor 30, a common plate 9, a pixel electrode 36, pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e and a common electrode ( 39).

제1 방향을 따라 다수의 게이트 라인(3)이 배치되고, 제2 방향을 따라 다수의 데이터 라인(23)이 배치될 수 있다. 제1 방향은 가로 방향이고, 제2 방향은 제1 방향에 대해 간의 각도는 0° 내지 90° 사이에 위치될 수 있다. A plurality of gate lines 3 may be disposed along the first direction, and a plurality of data lines 23 may be disposed along the second direction. The first direction may be a horizontal direction, and the second direction may be positioned between 0 ° and 90 ° with respect to the first direction.

상기 게이트 라인(3)과 상기 데이터 라인(23)은 교차하도록 배치될 수 있다.The gate line 3 and the data line 23 may be arranged to intersect.

상기 게이트 라인(3)과 상기 데이터 라인(23)의 교차에 의해 다수의 화소 영역이 정의될 수 있다. A plurality of pixel areas may be defined by the intersection of the gate line 3 and the data line 23.

상기 화소 영역은 제1 방향을 따라 정의되고 제2 방향을 따라 정의될 수 있다. The pixel area may be defined along a first direction and defined along a second direction.

상기 화소 영역은 매트릭스로 배열될 수 있다. The pixel areas may be arranged in a matrix.

상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터(30), 상기 공통 플레이트(9), 상기 화소 전극(36), 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 및 상기 공통 전극(39)이 형성될 수 있다.The thin film transistor 30, the common plate 9, the pixel electrode 36, the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e and the common electrode 39 may be formed in the pixel region. Can be.

상기 공통 전극(39)은 화소 영역들 간에 공통으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 화소 영역마다 공통 전극(39)이 형성되고, 각 공통 전극(39) 간에는 연결 전극(38)에 의해 연결될 수 있다. 상기 각 공통 전극(39)과 상기 연결 전극(38)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 인접하는 공통 전극(39) 각각으로부터 연장되어 연결 전극(38)이 형성될 수 있다. The common electrode 39 may be commonly connected between pixel regions. That is, the common electrode 39 may be formed in each pixel area, and the common electrode 39 may be connected by the connection electrode 38. Each common electrode 39 and the connection electrode 38 may be integrally formed. Connection electrodes 38 may be formed to extend from each of the adjacent common electrodes 39.

상기 공통 전극(39)은 공통 콘택홀(33)을 통해 공통 라인(12)에 전기적으로 연결될 수 있다.The common electrode 39 may be electrically connected to the common line 12 through the common contact hole 33.

상기 박막 트랜지스터(30)는 게이트 전극(6), 반도체층(17), 소오스 전극(25) 및 드레인 전극(27)을 포함할 수 있다. The thin film transistor 30 may include a gate electrode 6, a semiconductor layer 17, a source electrode 25, and a drain electrode 27.

상기 게이트 전극(6)은 상기 게이트 라인(3)으로부터 연장 형성될 수 있다. 상기 게이트 라인(3) 상에 반도체층(17)과 소오스 및 드레인 전극(27)이 형성되는 경우, 상기 게이트 전극(6)은 형성될 필요가 없다.The gate electrode 6 may extend from the gate line 3. When the semiconductor layer 17 and the source and drain electrodes 27 are formed on the gate line 3, the gate electrode 6 need not be formed.

상기 게이트 라인(3)과 상기 게이트 전극(6)은 도전 패턴(4a)과 금속 패턴(5a)의 이중 층을 포함할 수 있다. The gate line 3 and the gate electrode 6 may include a double layer of a conductive pattern 4a and a metal pattern 5a.

상기 금속 패턴(5a)은 상기 도전 패턴(4a)과 면접촉으로 형성될 수 있다. The metal pattern 5a may be formed in surface contact with the conductive pattern 4a.

상기 게이트 전극(6)의 상기 도전 패턴(4a)과 동일 층에 상기 공통 플레이트(9)가 형성될 수 있다. 상기 공통 플레이트(9)는 상기 화소 영역에 판 형상으로 형성될 수 있다. The common plate 9 may be formed on the same layer as the conductive pattern 4a of the gate electrode 6. The common plate 9 may be formed in a plate shape in the pixel area.

실시예에서 상기 공통 플레이트(9)는 직사각형으로 형성되고 있지만, 이에 한정하지 않는다.In the embodiment, the common plate 9 is formed in a rectangular shape, but is not limited thereto.

상기 도전 패턴(4a)과 상기 공통 플레이트(9)는 동일 층에 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. The conductive pattern 4a and the common plate 9 may be formed of a transparent conductive material on the same layer.

상기 도전 물질로는 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 및 GZO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다. At least one selected from the group consisting of ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO and GZO may be used as the conductive material.

상기 공통 플레이트(9)의 에지 영역에 공통 라인(12)이 형성될 수 있다. The common line 12 may be formed in the edge region of the common plate 9.

상기 공통 라인(12)은 인접하는 화소 영역의 게이트 라인(3)에 인접하는 공통 플레이트(9)의 에지 영역에 형성될 수 있다. The common line 12 may be formed in the edge region of the common plate 9 adjacent to the gate line 3 of the adjacent pixel region.

상기 공통 라인(12)은 상기 게이트 라인(3)과 평행하게 형성될 수 있다.The common line 12 may be formed in parallel with the gate line 3.

상기 공통 라인(12)은 상기 게이트 전극(6)의 금속 패턴(5a)과 동일층에 금속 물질로 형성될 수 있다.The common line 12 may be formed of a metal material on the same layer as the metal pattern 5a of the gate electrode 6.

상기 금속 물질로는 Cr, Ti, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu 및 Mo로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. As the metal material, at least one selected from the group consisting of Cr, Ti, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, and Mo, or an alloy thereof may be used.

상기 게이트 전극(6) 상에 반도체층(17)이 형성될 수 있다.The semiconductor layer 17 may be formed on the gate electrode 6.

상기 반도체층(17) 상에 소오스 전극(25)과 드레인 전극(27)이 형성될 수 있다. 상기 소오스 전극(25)과 상기 드레인 전극(27)과 동일층에 데이터 라인(23)이 형성될 수 있다. A source electrode 25 and a drain electrode 27 may be formed on the semiconductor layer 17. The data line 23 may be formed on the same layer as the source electrode 25 and the drain electrode 27.

상기 소오스 전극(25)은 상기 데이터 라인(23)으로부터 연장 형성될 수 있다. 상기 드레인 전극(27)은 상기 소오스 전극(25)으로부터 이격되어 형성될 수 있다. The source electrode 25 may extend from the data line 23. The drain electrode 27 may be formed to be spaced apart from the source electrode 25.

상기 게이트 전극(6), 상기 반도체층(17), 상기 소오스 전극(25) 및 상기 드레인 전극(27)에 의해 박막 트랜지스터(30)가 형성될 수 있다. The thin film transistor 30 may be formed by the gate electrode 6, the semiconductor layer 17, the source electrode 25, and the drain electrode 27.

상기 화소 영역에는 화소 전극(36)이 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(36)으로부터 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 연장 형성될 수 있다. 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 데이터 라인(23)에 평행하게 형성될 수 있다. The pixel electrode 36 may be formed in the pixel region. A plurality of pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may extend from the pixel electrode 36. The pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may be formed parallel to the data line 23.

상기 화소 전극(36)은 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)은 상기 게이트 라인(3)에 평행하게 형성될 수 있다. The pixel electrode 36 may include first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b. The first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b may be formed parallel to the gate line 3.

상기 제1 수평 화소 전극(37a)은 드레인 콘택홀(32)을 통해 상기 박막 트랜지스터(30)의 상기 드레인 전극(27)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first horizontal pixel electrode 37a may be electrically connected to the drain electrode 27 of the thin film transistor 30 through the drain contact hole 32.

상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 상기 제1 수평 화소 전극(37a)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 인접하는 화소 영역의 게이트 라인(3)과 평행하게 형성될 수 있다. The second horizontal pixel electrode 37b may be disposed to be spaced apart from the first horizontal pixel electrode 37a. The second horizontal pixel electrode 37b may be formed in parallel with the gate line 3 of the adjacent pixel region.

상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 상기 공통 라인(12)을 따라 중첩되도록 형성될 수 있다. The second horizontal pixel electrode 37b may be formed to overlap the common line 12.

상기 공통 라인(12)과 상기 수평 화소 전극은 이들 사이의 예컨대 보호막 및 절연막과 함께 스토리지 캐패시터를 형성할 수 있다. 상기 스토리지 캐패시터는 화소 영역으로 인가된 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시켜 주는 역할을 할 수 있다. The common line 12 and the horizontal pixel electrode may form a storage capacitor together with, for example, a protective layer and an insulating layer therebetween. The storage capacitor may serve to maintain a data voltage applied to the pixel region for one frame.

상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b) 사이에 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)에 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b) 각각으로부터 연장 형성되어 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 형성될 수 있다. The pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may be formed between the first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b. That is, the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may be connected to the first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b. A plurality of pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may be formed to extend from each of the first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b.

상기 화소 영역의 에지 영역을 따라 공통 전극(39)이 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(39)은 상기 데이터 라인(23)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(39)은 상기 데이터 라인(23)을 따라 형성될 수 있다. The common electrode 39 may be formed along the edge area of the pixel area. The common electrode 39 may be formed to overlap the data line 23. The common electrode 39 may be formed along the data line 23.

상기 공통 전극(39)은 적어도 상기 데이터 라인(23)보다 큰 폰을 가질 수 있다. 따라서, 위에서 볼 때, 상기 공통 전극(39)에 의해 상기 데이터 라인(23)이 보이지 않게 된다. The common electrode 39 may have a phone that is at least larger than the data line 23. Thus, when viewed from above, the data line 23 is not visible by the common electrode 39.

상기 공통 전극(39) 간에는 연결 전극(38)이 형성될 수 있다. 상기 연결 전극(38)에 의해 상기 공통 전극(39)이 연결될 수 있다. 상기 공통 전극(39)이 연장되어 상기 연결 전극(38)이 형성될 수 있다. The connection electrode 38 may be formed between the common electrodes 39. The common electrode 39 may be connected by the connection electrode 38. The common electrode 39 may extend to form the connection electrode 38.

상기 공통 전극(39)과 상기 연결 전극(38)은 동일층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. The common electrode 39 and the connection electrode 38 may be formed of the same material on the same layer.

상기 공통 전극(39), 상기 연결 전극(38), 상기 화소 전극(36) 및 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 동일 층에 동일한 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. The common electrode 39, the connection electrode 38, the pixel electrode 36, and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may be formed of the same transparent conductive material on the same layer.

상기 도전 물질로는 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 및 GZO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다. At least one selected from the group consisting of ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO and GZO may be used as the conductive material.

상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 상기 화소 영역의 중간에서 제1 방향으로의 기준선을 중심으로 아래 영역은 하부 도메인 영역(제1 도메인 영역)이고, 위 영역은 상부 도메인 영역(제2 도메인 영역)이라 명명될 수 있다. The pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e, the lower region is a lower domain region (first domain region), and the upper region is the upper domain centered on a reference line from the middle of the pixel region in the first direction. It may be called a region (second domain region).

상기 제1 도메인 영역의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23)과 상기 제2 도메인 영역의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23)은 상기 기준선을 중심으로 대칭적으로 배치될 수 있다. Pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d and 36e of the first domain region, the common electrode 39 and the data line 23, and pixel electrode bars 36a, 36b, 36c and 36d of the second domain region. 36e, the common electrode 39 and the data line 23 may be symmetrically disposed about the reference line.

상기 기준선에 인접하는 위 영역 및 아래 영역에서 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 상기 공통 전극(39) 및 상기 데이터 라인(23)은 1차 절곡되는데, 이 영역을 제1 절곡 영역(41)이라 명명한다. In the upper and lower regions adjacent to the reference line, the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e, the common electrode 39, and the data line 23 are firstly bent. This is called 1 bending area 41.

상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 상기 공통 전극(39) 및 상기 데이터 라인(23)은 상기 기준선에서 2차 절곡될 수 있는데, 이 영역을 제2 절곡 영역(44)이라 명명한다. The pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e, the common electrode 39, and the data line 23 may be secondarily bent at the reference line, which is referred to as the second bent region 44. Name it.

상부 방향으로 액정이 배향되는 경우, 제1 도메인 영역의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23)은 액정의 배향 방향에 대해 90° 내지 180° 사이로 기울어지도록 배치되고, 제2 도메인 영역의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23)은 액정의 배향 방향에 대해 0° 내지 90° 사이로 기울어지도록 배치될 수 있다. When the liquid crystal is oriented in the upper direction, the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e of the first domain region, the common electrode 39, and the data line 23 are 90 ° to the alignment direction of the liquid crystal. The pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e, the common electrode 39, and the data line 23 of the second domain region are disposed to be inclined between 180 ° and 0 ° to 90 ° with respect to the alignment direction of the liquid crystal. It may be arranged to tilt between °.

도 4에 도시한 바와 같이, 상기 제1 절곡 영역(41)에서 액정의 배향 방향과 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23) 사이의 각도를 제1 절곡 각도(θ1)라 하고, 상기 제2 절곡 영역(44)에서 액정의 배향 방향과 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23) 사이의 각도를 제2 절곡 각도(θ2)라 한다.As shown in FIG. 4, between the alignment direction of the liquid crystal and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e, the common electrode 39, and the data line 23 in the first bent region 41. The angle is referred to as a first bending angle θ 1 , and the alignment direction of the liquid crystal and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e, the common electrode 39, and the data line in the second bent region 44. The angle between (23) is called 2nd bending angle (theta) 2 .

상기 제2 절곡 각도(θ2)는 적어도 상기 제1 절곡 각도(θ1)보다 클 수 있다. 상기 제2 절곡 각도(θ2)를 보다 크게 형성함으로써, 제2 절곡 영역(44)에 위치된 액정이 프린지 필드에 영향을 거의 받지 않도록 하여 액정 왜곡(disclination)이 발생되지 않게 된다. 이에 따라, 더욱 더 향상된 시야각이 확보될 수 있다. The second bending angle θ 2 may be at least greater than the first bending angle θ 1 . By forming the second bend angle θ 2 to be larger, the liquid crystal located in the second bent region 44 is hardly influenced by the fringe field so that liquid crystal distortion does not occur. Accordingly, even more improved viewing angles can be secured.

제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 가질 수 있다. 이러한 범위의 제1 절곡 각도(θ1)에 의해 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. 이에 대한 실험 결과는 나중에 설명하기로 한다.The first bending angle θ 1 may have a range of 10 ° to 15 °. Touch trace defects may be prevented by the first bending angle θ 1 in this range. The experimental results will be described later.

도 3에 도시한 바와 같이, 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 중에서 공통 전극(39)에 인접하는 최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)는 다른 화소 전극 바들과 폭이 상이하다.As shown in FIG. 3, the outermost pixel electrode bars 36a and 36e adjacent to the common electrode 39 among the plurality of pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e have a width different from that of other pixel electrode bars. This is different.

최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)를 제1 화소 전극 바라 명명하고, 다른 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)를 제2 화소 전극 바라 명명할 수 있다.The outermost pixel electrode bars 36a and 36e may be named as the first pixel electrode, and the other pixel electrode bars 36b, 36c and 36d may be named as the second pixel electrode.

이러한 경우, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)는 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭의 1.7배 내지 2.3배의 폭을 가질 수 있다.In this case, the first pixel electrode bars 36a and 36e may have a width of 1.7 to 2.3 times the width of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.

상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)는 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭의 1.8배의 폭을 가질 수 있다.The first pixel electrode bars 36a and 36e may have a width 1.8 times the width of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.

상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)는 적어도 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다. The first pixel electrode bars 36a and 36e may have a width greater than at least the width of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.

상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 전계에 따라 상기 공통 전극(39) 위, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 위 그리고 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 액정이 변위될 수 있다.According to the electric field between the common electrode 39 and the first pixel electrode bars 36a and 36e, on the common electrode 39, on the first pixel electrode bars 36a and 36e, and the common electrode 39. The liquid crystal between the first pixel electrode bars 36a and 36e may be displaced.

따라서, 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)에서는 IPS 모드(in-plane switching mode)로 액정이 구동될 수 있다. Accordingly, the liquid crystal may be driven in the in-plane switching mode in the common electrode 39 and the first pixel electrode bars 36a and 36e.

상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 그리고 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)와 상기 공통 플레이트(9) 사이의 전계에 따라 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 위, 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d) 위, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 사이 그리고 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)와 상기 공통 플레이트(9) 사이의 액정이 변위될 수 있다. The first pixel electrode according to an electric field between the first pixel electrode bars 36a and 36e and the common plate 9 and the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d and the common plate 9. On the bars 36a and 36e and on each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d, between the first pixel electrode bars 36a and 36e and the common plate 9 and on each of the second pixel electrodes The liquid crystal between the bars 36b, 36c, 36d and the common plate 9 may be displaced.

따라서, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 사이 그리고 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)와 상기 공통 플레이트(9) 사이에서는 FFS 모드(fringe field switching mode)로 구동될 수 있다. Thus, an FFS mode (fringe field) is formed between the first pixel electrode bars 36a and 36e and the common plate 9 and between each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d and the common plate 9. can be driven in a switching mode.

실시예와 같이, 최외곽 화소 전극 바인 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭을 다른 화소 전극 바인 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 크게 형성함으로써, 상기 공통 전극(39) 위, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 위 및 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 액정이 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 사이의 전계에 거의 영향을 받지 않게 된다. 즉, 상기 공통 전극(39) 위, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 위 및 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a,36e) 사이의 액정은 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 전계에 의해서만 영향을 받게 된다.As in the embodiment, the width of the first pixel electrode bars 36a and 36e, which are the outermost pixel electrode bars, is made larger than the width of the second pixel electrode bars 36b, 36c, and 36d, which are other pixel electrode bars. 39, the liquid crystal between the first pixel electrode bars 36a and 36e and between the common electrode 39 and the first pixel electrode bars 36a and 36e is the first pixel electrode bars 36a and 36e. And are hardly affected by the electric field between the common plate 9. That is, the liquid crystals on the common electrode 39, on the first pixel electrode bars 36a and 36e, and between the common electrode 39 and the first pixel electrode bars 36a and 36e are the common electrodes 39. ) And only the electric field between the first pixel electrode bars 36a and 36e.

따라서 실시예는 공통 전극(39)과 최외곽 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 전계에 의해 구동되는 액정이 최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)와 공통 플레이트(9) 사이의 전계에 영향을 받지 않게 되어, 종래에 발생되던 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. Thus, in the embodiment, the liquid crystal driven by the electric field between the common electrode 39 and the outermost pixel electrode bars 36a and 36e affects the electric field between the outermost pixel electrode bars 36a and 36e and the common plate 9. By not receiving the touch trace defect, which has occurred conventionally, can be prevented.

한편, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)는 4㎛ 내지 6㎛이 폭을 가질 수 있고, 상기 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)는 2.2㎛ 내지 2.6㎛의 폭을 가질 수 있다. Meanwhile, the first pixel electrode bars 36a and 36e may have a width of 4 μm to 6 μm, and the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d may have a width of 2.2 μm to 2.6 μm. have.

상기 공통 전극(39)은 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭 또는 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 크게 형성될 수 있다. The common electrode 39 may be formed to be larger than the width of the first pixel electrode bars 36a and 36e or the width of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.

표 1은 터치 흔적 불량을 방지하기 위해 다양하게 실험된 제1 절곡 각도(θ1)와 제1 화소 전극 바의 폭을 보여준다.Table 1 shows the first bent angle θ 1 and the width of the first pixel electrode bar which were variously tested in order to prevent touch trace defects.

샘플 Ref.Sample Ref. 제1 절곡 각도(θ1)First bending angle θ 1 제1 화소 전극 바의 폭(㎛)Width (μm) of the first pixel electrode bar 터치 흔적 불량 여부Bad touch trace 샘플 1Sample 1 77 2.52.5 oo 샘플 2Sample 2 77 4.04.0 oo 샘플 3Sample 3 77 5.55.5 oo 샘플 4Sample 4 1010 2.52.5 oo 샘플 5Sample 5 1010 4.04.0 xx 샘플 6Sample 6 1010 5.55.5 xx 샘플 7Sample 7 1515 2.52.5 xx 샘플 8Sample 8 1515 4.04.0 xx 샘플 9Sample 9 1515 5.55.5 xx

표 1에 보여진 바와 같이, 터치 흔적 불량을 방지하기 위한 최적의 제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 가지고, 최적의 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭은 4㎛ 내지 6㎛의 범위를 가질 수 있다. 이러한 범위 조건에서는 터치 흔적 불량이 방지될 뿐만 아니라, 시야각도 더욱더 확대될 수 있다. As shown in Table 1, the optimal first bending angle θ 1 for preventing touch trace defects has a range of 10 ° to 15 °, and the optimal width of the first pixel electrode bars 36a and 36e is It may have a range of 4 6㎛. In this range of conditions, not only the touch trace failure is prevented, but also the viewing angle can be further enlarged.

도 2는 도 1의 H-H' 라인, I-I' 라인 및 J-J' 라인을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line H-H ', I-I', and J-J 'of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 기판(1) 상에 게이트 라인(3), 게이트 전극(6), 공통 플레이트(9) 및 공통 라인(12)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2, a gate line 3, a gate electrode 6, a common plate 9, and a common line 12 may be formed on the substrate 1.

상기 게이트 라인(3)은 제1 방향, 예컨대 가로 방향을 따라 형성될 수 있다.The gate line 3 may be formed in a first direction, for example, in a horizontal direction.

상기 게이트 전극(6)은 상기 게이트 라인(3)으로부터 연장 형성될 수 있다.The gate electrode 6 may extend from the gate line 3.

상기 게이트 라인(3)과 상기 게이트 전극(6)은 투명한 도전 패턴(4a)과 금속 패턴(5a)을 포함할 수 있다. The gate line 3 and the gate electrode 6 may include a transparent conductive pattern 4a and a metal pattern 5a.

상기 금속 패턴(5a)은 상기 도전 패턴(4a)과 면접촉으로 형성될 수 있다. 상기 도전 패턴(4a)은 투명한 도전 물질로 형성되고, 상기 금속 패턴(5a)은 금속 물질로 형성될 수 있다.The metal pattern 5a may be formed in surface contact with the conductive pattern 4a. The conductive pattern 4a may be formed of a transparent conductive material, and the metal pattern 5a may be formed of a metal material.

상기 공통 플레이트(9)는 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. 상기 공통 라인(12)은 금속 물질로 형성될 수 있다.The common plate 9 may be formed of a transparent conductive material. The common line 12 may be formed of a metal material.

상기 도전 패턴(4a)과 상기 공통 플레이트(9)는 동일한 층에 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 금속 패턴(5a)과 상기 금속 패턴(5a)은 동일한 층에 동일 물질로 형성될 수 있다. The conductive pattern 4a and the common plate 9 may be formed of the same material on the same layer. The metal pattern 5a and the metal pattern 5a may be formed of the same material on the same layer.

상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9) 및 상기 공통 라인(12)은 화소 영역에 형성될 수 있다. The gate electrode 6, the common plate 9, and the common line 12 may be formed in the pixel area.

상기 공통 라인(12)은 인접한 화소 영역들에 공통으로 형성될 수 있다. 상기 공통 라인(12)은 제1 방향을 따라 정의된 화소 영역들에 공통으로 형성될 수 있다. The common line 12 may be formed in common in adjacent pixel areas. The common line 12 may be formed in common in pixel areas defined along a first direction.

상기 공통 라인(12)은 인접한 화소 영역의 또 다른 게이트 라인(3)에 인접하여 상기 또 다른 게이트 라인(3)과 평행하게 형성될 수 있다. The common line 12 may be formed in parallel with another gate line 3 adjacent to another gate line 3 of an adjacent pixel region.

상기 공통 플레이트(9)는 화소 영역 내의 모든 영역에 형성될 수 있다. The common plate 9 may be formed in all regions in the pixel region.

상기 게이트 라인(3), 상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9) 및 상기 공통 라인(12)은 하프톤 마스크를 이용하여 형성될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.The gate line 3, the gate electrode 6, the common plate 9, and the common line 12 may be formed using a halftone mask, but are not limited thereto.

도전 물질로 이루어진 도전막과 금속 물질로 이루어진 금속막이 기판(1) 상에 형성된 후, 하프톤 마스크를 이용하여 상기 게이트 라인(3), 상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9) 및 상기 공통 라인(12)이 형성될 수 있다.After a conductive film made of a conductive material and a metal film made of a metal material are formed on the substrate 1, the gate line 3, the gate electrode 6, the common plate 9, and the Common line 12 may be formed.

예컨대, 하프톤 마스크를 이용하여 제1 및 제2 높이를 갖는 제1 감광 패턴이 형성되고, 상기 제1 감광 패턴을 마스크로 하여 게이트 라인(3)과 게이트 전극(6)의 도전 패턴(4a)과 금속 패턴(5a) 그리고 공통 플레이트(9)와 그 위이 금속 패턴(5a)이 형성될 수 있다. 이후, 애싱 공정에 의해 제1 및 제2 높이 중에서 더 낮은 높이의 제1 감광 패턴은 제거되고 더 높은 높이를 갖는 제1 감광 패턴은 줄어들어 제3 놀이를 갖는 제2 감광 패턴으로 형성되며, 상기 제2 감광 패턴을 마스크로 하여 상기 공통 플레이트(9) 위의 금속 패턴(5a)을 부분적으로 제거되어 공통 플레이트(9)의 에지 영역에 공통 라인(12)이 형성될 수 있다. For example, a first photosensitive pattern having first and second heights is formed using a halftone mask, and the conductive pattern 4a of the gate line 3 and the gate electrode 6 using the first photosensitive pattern as a mask. And the metal pattern 5a, the common plate 9, and the metal pattern 5a thereon. Thereafter, the first photosensitive pattern having the lower height among the first and second heights is removed by the ashing process, and the first photosensitive pattern having the higher height is reduced to form the second photosensitive pattern having the third play. The metal line 5a on the common plate 9 may be partially removed using the photosensitive pattern as a mask to form a common line 12 in an edge region of the common plate 9.

다른 방안으로, 상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9) 및 상기 공통 라인(12)은 개별적으로 형성될 수도 있다. 즉, 도전 물질로 이루어진 도전막이 기판(1) 상에 형성되고, 상기 도전막을 패터닝하여 게이트 라인(3)과 게이트 전극(6)용 도전 패턴(4a)과 공통 플레이트(9)이 형성될 수 있다. 이어서, 상기 도전 패턴(4a)과 상기 공통 플레이트(9) 상에 금속 물질로 이루어진 금속막이 형성되고, 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 라인(3)과 게이트 전극(6)용 금속 패턴(5a)과 공통 라인(12)이 형성될 수 있다. Alternatively, the gate electrode 6, the common plate 9 and the common line 12 may be formed separately. That is, a conductive film made of a conductive material may be formed on the substrate 1, and the conductive film may be patterned to form the conductive pattern 4a for the gate line 3, the gate electrode 6, and the common plate 9. . Subsequently, a metal film made of a metal material is formed on the conductive pattern 4a and the common plate 9, and the metal film is patterned to be common with the metal pattern 5a for the gate line 3 and the gate electrode 6. Line 12 may be formed.

상기 게이트 라인(3), 상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9), 상기 공통 라인(12) 및 상기 기판(1) 상에 절연막이 형성될 수 있다. 상기 절연막은 투명한 무기 절연 물질이나 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 무기 절연 물질로는 SiNx나 SiOx일 수 있다. 예컨대, 상기 유기 절연 물질로는 BCB(benzocyclobutene)일 수 있다. An insulating layer may be formed on the gate line 3, the gate electrode 6, the common plate 9, the common line 12, and the substrate 1. The insulating layer may be formed of a transparent inorganic insulating material or an organic insulating material. For example, the inorganic insulating material may be SiN x or SiO x . For example, the organic insulating material may be BCB (benzocyclobutene).

상기 게이트 전극(6)에 대응하는 상기 절연막 상에 반도체층(17)이 형성될 수 있다. 상기 반도체층(17)은 실리콘으로 이루어진 활성층과 도펀트를 포함하는 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층을 포함할 수있다.The semiconductor layer 17 may be formed on the insulating layer corresponding to the gate electrode 6. The semiconductor layer 17 may include an active layer made of silicon and an ohmic contact layer made of silicon including a dopant.

상기 반도체층(17) 및 상기 절연막 상에 소오스 전극(25), 드레인 전극(27) 및 데이터 라인(23)이 형성될 수 있다. A source electrode 25, a drain electrode 27, and a data line 23 may be formed on the semiconductor layer 17 and the insulating layer.

상기 소오스 전극(25)은 상기 데이터 라인(23)으로부터 연장 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인(23)은 제2 방향을 따라 형성될 수 있다. 제2 방향은 제1 방향에 대해 0° 내지 90° 사이에 위치된 방향일 수 있다. The source electrode 25 may extend from the data line 23. The data line 23 may be formed along a second direction. The second direction may be a direction located between 0 ° and 90 ° with respect to the first direction.

상기 데이터 라인(23)은 상기 게이트 라인(3)과 교차하여 화소 영역을 정의할 수 있다.The data line 23 may cross the gate line 3 to define a pixel area.

상기 데이터 라인(23)은 화소 영역의 중간에서 제1 방향으로의 기준선을 기준으로 구분된 제1 도메인 영역과 제2 도메인 영역에서 서로 대칭적으로 형성될 수 있다. 제1 도메인 영역은 상기 기준선의 아래의 화소 영역이고, 제2 도메인 영역은 상기 기준성의 위의 화소 영역일 수 있다. The data line 23 may be symmetrically formed in the first domain region and the second domain region divided based on the reference line in the first direction from the middle of the pixel region. The first domain area may be a pixel area below the reference line, and the second domain area may be a pixel area above the reference property.

제1 도메인 영역의 데이터 라인(23)과 제2 도메인 영역의 데이러 라인은 서로 대칭적으로 기울어지도록 형성될 수 있다. The data line 23 of the first domain region and the data line of the second domain region may be formed to be inclined symmetrically with each other.

상기 게이트 전극(6), 상기 반도체층(17), 상기 소오스 전극(25) 및 상기 드레인 전극(27)에 의해 박막 트랜지스터(30)가 형성될 수 있다. The thin film transistor 30 may be formed by the gate electrode 6, the semiconductor layer 17, the source electrode 25, and the drain electrode 27.

상기 소오스 전극(25), 상기 드레인 전극(27), 상기 데이터 라인(23) 및 상기 절연막 상에 보호막이 형성될 수 있다. A passivation layer may be formed on the source electrode 25, the drain electrode 27, the data line 23, and the insulating layer.

상기 보호막은 BCB와 같은 유기 절연 무질로 형성될 수 있다. The passivation layer may be formed of an organic insulating material such as BCB.

상기 보호막에는 상기 드레인 전극(27)이 노출되도록 상기 보호막이 관통되어 형성된 드레인 콘택홀(32)을 포함할 수 있다. The passivation layer may include a drain contact hole 32 formed through the passivation layer so that the drain electrode 27 is exposed.

상기 보호막 상에 화소 전극(36)과 공통 전극(39)이 형성될 수 있다. The pixel electrode 36 and the common electrode 39 may be formed on the passivation layer.

상기 화소 전극(36)과 상기 공통 전극(39)은 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. The pixel electrode 36 and the common electrode 39 may be formed of a transparent conductive material.

상기 공통 전극(39)은 상기 데이터 라인(23)과 중첩되도록 상기 보호막 상에 형성될 수 있다. 즉, 상기 공통 전극(39)은 상기 데이터 라인(23)을 따라 형성될 수 있다. The common electrode 39 may be formed on the passivation layer to overlap the data line 23. That is, the common electrode 39 may be formed along the data line 23.

상기 공통 전극(39)은 공통 콘택홀(33)을 통해 공통 라인(12)에 전기적으로 연결될 수 있다.The common electrode 39 may be electrically connected to the common line 12 through the common contact hole 33.

상기 공통 전극(39) 사이는 연결 전극(38)에 의해 연결될 수 있다. 상기 연결 전극(38)은 인접하는 공통 전극(39)으로부터 연장 형성될 수 있다. The common electrode 39 may be connected by the connection electrode 38. The connection electrode 38 may extend from an adjacent common electrode 39.

상기 화소 전극(36)은 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b) 및 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)를 포함할 수 있다. 상기 화소 전극(36)은 상기 화소 영역 내에 형성될 수 있다. The pixel electrode 36 may include first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b and a plurality of pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e. The pixel electrode 36 may be formed in the pixel area.

상기 화소 전극(36)은 인접하는 공통 전극(39) 사이에 배치될 수 있다. The pixel electrode 36 may be disposed between adjacent common electrodes 39.

즉, 제1 화소 영역의 화소 전극(36)은 상기 제1 화소 영역의 제1 공통 전극(39)과 상기 제2 화소 영역의 제2 공통 전극(39) 사이에 배치될 수 있다. That is, the pixel electrode 36 of the first pixel region may be disposed between the first common electrode 39 of the first pixel region and the second common electrode 39 of the second pixel region.

상기 제1 수평 화소 전극(37a)은 상기 드레인 콘택홀(32)을 통해 상기 드레인 전극(27)과 전기적으로 연결될 수 있다. The first horizontal pixel electrode 37a may be electrically connected to the drain electrode 27 through the drain contact hole 32.

상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 상기 제1 수평 화소 전극(37a)과 이격되어 형성될 수 있다.The second horizontal pixel electrode 37b may be formed to be spaced apart from the first horizontal pixel electrode 37a.

상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 인접하는 화소 영역의 또 다른 게이트 라인(3)에 인접하여 형성될 수 있다. The second horizontal pixel electrode 37b may be formed adjacent to another gate line 3 of an adjacent pixel area.

상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 공통 라인(12)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 상기 공통 라인(12)을 따라 형성될 수 있다. The second horizontal pixel electrode 37b may be formed to overlap the common line 12. The second horizontal pixel electrode 37b may be formed along the common line 12.

상기 각 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)으로부터 연장 형성될 수 있다. Each of the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may extend from the first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b.

상기 각 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b) 사이에 형성될 수 있다. Each of the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may be formed between the first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b.

상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)은 상기 게이트 라인(3)과 평행하게 형성되고, 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 데이터 라인(23)과 평행하게 형성될 수 있다. The first and second horizontal pixel electrodes 37a and 37b are formed in parallel with the gate line 3, and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d and 36e are connected to the data line 23. It can be formed in parallel.

상기 공통 전극(39)과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 게이트 라인(3)과 동일한 형상으로 형성될 수 있다. The common electrode 39 and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may have the same shape as the gate line 3.

즉, 상기 공통 전극(39)과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 화소 영역의 중간에 정의된 기준선에 인접한 제1 절곡 영역(41)에서 제1 절곡되고, 상기 기준선의 제2 절곡 영역(44)에서 제2 절곡될 수 있다. That is, the common electrode 39 and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e are first bent in the first bent region 41 adjacent to the reference line defined in the middle of the pixel region. It may be second bent in the second bent region 44 of the reference line.

상기 공통 전극(39)과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 화소 영역에 정의된 제1 도메인 영역과 제2 도메인 영역에서 서로 대칭적으로 기울어지도록 형성될 수 있다. The common electrode 39 and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may be formed to be symmetrically inclined to each other in the first domain region and the second domain region defined in the pixel region.

도 4에 도시한 바와 같이, 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)의 제1 절곡 영역(41)에서 제1 절곡 각도(θ1)로 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 기울어지도록 형성되고, 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)의 제2 절곡 영역(44)에서 제2 절곡 각도(θ2)로 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 기울어지도록 형성될 수 있다. As shown in FIG. 4, the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, at the first bending angle θ 1 in the first bending region 41 of the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e. 36d and 36e are formed to be inclined, and the pixel electrode bars 36a and 36b are formed at the second bending angle θ 2 in the second bent region 44 of the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d and 36e. 36c, 36d, and 36e may be inclined.

상기 제2 절곡 각도(θ2)는 상기 제1 절곡 각도(θ1)보다 클 수 있다. 상기 제2 절곡 각도(θ2)를 보다 크게 형성함으로써, 제2 절곡 영역(44)에 위치된 액정이 프린지 필드에 영향을 거의 받지 않도록 하여 액정 왜곡(disclination)이 발생되지 않게 된다. 이에 따라, 더욱 더 향상된 시야각이 확보될 수 있다. The second bending angle θ 2 may be greater than the first bending angle θ 1 . By forming the second bend angle θ 2 to be larger, the liquid crystal located in the second bent region 44 is hardly influenced by the fringe field so that liquid crystal distortion does not occur. Accordingly, even more improved viewing angles can be secured.

아울러, 제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 가질 수 있다. 이러한 범위의 제1 절곡 각도(θ1)에 의해 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. In addition, the first bending angle θ 1 may have a range of 10 ° to 15 °. Touch trace defects may be prevented by the first bending angle θ 1 in this range.

도 4에는 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)를 도시하고 있지만, 공통 전극(39) 또한 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)와 동일한 형상으로 형성될 수 있다. Although the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e are illustrated in FIG. 4, the common electrode 39 may also be formed in the same shape as the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e. .

상기 제1 절곡 각도(θ1)는 제1 절곡 영역(41)에서 액정의 배향 방향과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 및 공통 전극(39) 사이의 각도를 의미하고, 상기 제2 절곡 각도(θ2)는 제2 절곡 영역(44)에서 액정의 배향 방향과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 및 공통 전극(39) 사이의 각도를 의미할 수 있다. The first bending angle θ 1 means an angle between the alignment direction of the liquid crystal in the first bending region 41 and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e and the common electrode 39. The second bending angle θ 2 means an angle between the alignment direction of the liquid crystal in the second bending region 44 and the pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e and the common electrode 39. can do.

다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)들의 폭은 상이할 수 있다. 즉, 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)들 중에서 최외곽에 배치된 화소 전극 바(36a, 36e)는 최외곽 화소 전극 바일 수 있다. The widths of the plurality of pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e may be different. That is, among the plurality of pixel electrode bars 36a, 36b, 36c, 36d, and 36e, the outermost pixel electrode bars 36a and 36e may be outermost pixel electrode bars.

최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)는 나머지 각 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 크게 형성될 수 있다.The outermost pixel electrode bars 36a and 36e may be formed larger than the widths of the remaining pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.

최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)는 제1 화소 전극 바이고, 나머지 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)는 제2 화소 전극 바라고 한다. The outermost pixel electrode bars 36a and 36e are referred to as first pixel electrodes, and the remaining pixel electrode bars 36b, 36c and 36d are referred to as second pixel electrode bars.

도 3에 도시한 바와 같이, 최외곽 화소 전극 바인 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭을 d1이라 하고, 나머지 화소 전극 바인 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭을 d2라고 한다.As shown in FIG. 3, the width of the first pixel electrode bars 36a and 36e as the outermost pixel electrode bars is d1, and the width of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d as the remaining pixel electrode bars is d2. It is called.

이러한 경우, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭(d1)은 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭(d2)의 1.7배 내지 2.3배의 범우를 가질 수 있다. In this case, the width d1 of the first pixel electrode bars 36a and 36e may have a range of 1.7 times to 2.3 times the width d2 of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c, and 36d. have.

상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭(d1)는 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭(d2)의 1.8배를 가질 수 있다.The width d1 of the first pixel electrode bars 36a and 36e may have 1.8 times the width d2 of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.

상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭(d1)은 적어도 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭(d2)보다 크게 형성될 수 있다. The width d1 of the first pixel electrode bars 36a and 36e may be at least greater than the width d2 of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.

실시예와 같이, 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭을 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 크게 형성함으로써, 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)에 의해 구동되는 액정이 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 사이의 전계에 의해 거의 영향을 받지 않게 되어, 종래에 발생되던 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. As in the embodiment, the width of the first pixel electrode bars 36a and 36e is larger than the width of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d, thereby forming the common electrode 39 and the first pixel electrode bar. The liquid crystal driven by (36a, 36e) is hardly affected by the electric field between the first pixel electrode bars (36a, 36e) and the common plate (9), thereby preventing touch trace defects that have occurred conventionally. Can be.

1: 기판 3: 게이트 라인
4a: 도전 패턴 5a: 금속 패턴
6: 게이트 전극 9: 공통 플레이트
12: 공통 라인 17: 반도체층
23: 데이터 라인 25: 소오스 전극
27: 드레인 전극 30: 박막 트랜지스터
32: 드레인 콘택홀 33: 공통 콘택홀
36: 화소 전극 36a, 36b, 36c, 36d, 36e: 화소 전극 바
37a, 37b: 수평 화소 전극 38: 연결 전극
39: 공통 전극 41, 44: 절곡 영역
1: substrate 3: gate line
4a: conductive pattern 5a: metal pattern
6: gate electrode 9: common plate
12: common line 17: semiconductor layer
23: data line 25: source electrode
27 drain electrode 30 thin film transistor
32: drain contact hole 33: common contact hole
36: pixel electrode 36a, 36b, 36c, 36d, 36e: pixel electrode bar
37a, 37b: horizontal pixel electrode 38: connection electrode
39: common electrode 41, 44: bending area

Claims (17)

공통 플레이트;
상기 공통 플레이트 상에 다수의 화소 전극 바를 포함하는 화소 전극; 및
상기 화소 전극에 인접하는 공통 전극을 포함하고,
상기 공통 전극에 인접하는 최외곽 화소 전극 바는 상기 최외곽 화소 전극 바를 제외한 나머지 화소 전극 바의 각 폭보다 적어도 큰 폭을 갖는 액정 표시장치.
Common plate;
A pixel electrode including a plurality of pixel electrode bars on the common plate; And
A common electrode adjacent to the pixel electrode;
The outermost pixel electrode bar adjacent to the common electrode has a width that is at least greater than each width of the remaining pixel electrode bars except for the outermost pixel electrode bar.
제1항에 있어서,
다수의 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 공통 전극은 상기 데이터 라인과 중첩되는 액정표시장치.
The method of claim 1,
Further comprising a gate line and a data line defining a plurality of pixel regions,
And the common electrode overlapping the data line.
제2항에 있어서,
상기 최외곽 화소 전극 바는 상기 나머지 화소 전극 바의 각 폭의 1.7배 내지 2.3배의 폭을 갖는 액정표시장치.
The method of claim 2,
The outermost pixel electrode bar has a width of 1.7 to 2.3 times the width of each of the remaining pixel electrode bars.
제2항에 있어서,
상기 최외곽 화소 전극 바는 상기 나머지 화소 전극 바의 각 폭의 1.8배를 갖는 액정표시장치.
The method of claim 2,
And wherein the outermost pixel electrode bars have 1.8 times the width of each of the remaining pixel electrode bars.
제3항에 있어서,
상기 최외곽 화소 전극 바는 4㎛ 내지 6㎛이 폭을 갖는 액정표시장치.
The method of claim 3,
The outermost pixel electrode bar has a width of 4 μm to 6 μm.
제2항에 있어서,
상기 공통 플레이트와 면접촉하고 상기 공통 전극과 연결되는 공통 라인을 더 포함하는 액정표시장치.
The method of claim 2,
And a common line in surface contact with the common plate and connected to the common electrode.
제6항에 있어서,
상기 게이트 라인은 도전 패턴과 금속 패턴을 포함하는 액정표시장치.
The method according to claim 6,
The gate line includes a conductive pattern and a metal pattern.
제7항에 있어서,
상기 공통 플레이트는 상기 도전 패턴과 동일층에 형성되는 액정표시장치.
The method of claim 7, wherein
And the common plate is formed on the same layer as the conductive pattern.
제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 화소 전극 바와 상기 공통 전극은 상기 화소 영역의 중간에서의 기준선에 인접한 제1 절곡 영역과 상기 기준선의 제2 절곡 영역에서 절곡되는 액정표시장치.
The method according to claim 1 or 3,
And the pixel electrode bar and the common electrode are bent in a first bent region adjacent to a reference line in the middle of the pixel region and in a second bent region of the reference line.
제9항에 있어서,
상기 화소 전극 바 및 상기 공통 전극 각각은 상기 기준선에 의해 구분된 상기 화소 영역의 제1 도메인 영역과 제2 도메인 영역에서 서로 대칭적으로 기울어지도록 형성되는 액정표시장치.
10. The method of claim 9,
And the pixel electrode bar and the common electrode are symmetrically inclined with respect to each other in the first domain area and the second domain area of the pixel area separated by the reference line.
제10항에 있어서,
상기 제1 절곡 영역에서 액정 배향 방향과 상기 화소 전극 바 및 상기 공통 전극 각각의 사이의 각도를 제1 절곡 각도(θ1)로 정의하고,
상기 제2 절곡 영역에서 액정 배향 방향과 상기 화소 전극 바 및 상기 공통 전극 각각의 사이의 각도를 제2 절곡 각도(θ2)로 정의하고,
상기 제2 절곡 각도(θ2)는 상기 제1 절곡 각도(θ1)보다 큰 액정표시장치.
The method of claim 10,
An angle between the liquid crystal alignment direction and each of the pixel electrode bar and the common electrode in the first bending region is defined as a first bending angle θ 1 ,
An angle between the liquid crystal alignment direction and each of the pixel electrode bar and the common electrode in the second bending region is defined as a second bending angle θ 2 ,
The second bending angle θ 2 is greater than the first bending angle θ 1 .
제11항에 있어서,
상기 제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 갖는 액정표시장치.
The method of claim 11,
The first bending angle θ 1 has a range of 10 ° to 15 °.
다수의 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인;
상기 화소 영역에서 상기 게이트 라인과 동일 층에 형성된 공통 플레이트;
상기 공통 플레이트 상에 다수의 화소 전극 바; 및
상기 화소 영역의 경계에 배치되는 공통 전극을 포함하고,
상기 화소 전극 바와 상기 공통 전극은 상기 화소 영역의 중간에서의 기준선에 인접한 제1 절곡 영역과 상기 기준선의 제2 절곡 영역에서 절곡되고,
상기 화소 전극 바 중 제1 화소 전극 바는 제2 화소 전극 바보다 적어도 큰 폭을 갖고,
상기 제1 화소 전극 바는 상기 공통 전극에 인접하는 화소 전극 바인 액정표시장치.
A gate line and a data line defining a plurality of pixel regions;
A common plate formed on the same layer as the gate line in the pixel area;
A plurality of pixel electrode bars on the common plate; And
A common electrode disposed at a boundary of the pixel region,
The pixel electrode bar and the common electrode are bent in a first bent region adjacent to a reference line in the middle of the pixel region and in a second bent region of the reference line;
The first pixel electrode bar of the pixel electrode bar has a width at least greater than that of the second pixel electrode bar,
The first pixel electrode bar is a pixel electrode bar adjacent to the common electrode.
제13항에 있어서,
상기 제1 화소 전극 바는 상기 제1 화소 전극 바의 각 폭의 1.7배 내지 2.3배의 폭을 갖는 액정표시장치.
The method of claim 13,
The first pixel electrode bar has a width of 1.7 to 2.3 times the width of each of the first pixel electrode bars.
제13항에 있어서,
상기 제1 화소 전극 바는 4㎛ 내지 6㎛이 폭을 갖는 액정표시장치.
The method of claim 13,
The first pixel electrode bar has a width of 4 μm to 6 μm.
제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 제2 절곡 영역에서의 상기 제2 절곡 각도(θ2)는 상기 제1 절곡 영역에서의 상기 제1 절곡 각도(θ1)보다 크고,
상기 제1 절곡 각도(θ1) 및 상기 제2 절곡 각도(θ2)는 액정의 배향 방향과 상기화소 전극 바 및 상기 공통 전극 각각의 사이의 각도인 액정표시장치.
The method according to claim 13 or 14,
The second bending angle θ 2 in the second bending area is greater than the first bending angle θ 1 in the first bending area,
And the first bending angle θ 1 and the second bending angle θ 2 are angles between the alignment direction of the liquid crystal and each of the pixel electrode bar and the common electrode.
제16항에 있어서,
상기 제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 갖는 액정표시장치.
17. The method of claim 16,
The first bending angle θ 1 has a range of 10 ° to 15 °.
KR1020110070686A 2011-07-15 2011-07-15 Liquid crystal display device KR101875937B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110070686A KR101875937B1 (en) 2011-07-15 2011-07-15 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110070686A KR101875937B1 (en) 2011-07-15 2011-07-15 Liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130009517A true KR20130009517A (en) 2013-01-23
KR101875937B1 KR101875937B1 (en) 2018-07-06

Family

ID=47839286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110070686A KR101875937B1 (en) 2011-07-15 2011-07-15 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101875937B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093736A (en) * 2015-07-14 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 IPS array substrate, manufacture method thereof and display device
WO2016106787A1 (en) * 2014-12-30 2016-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
WO2016150106A1 (en) * 2015-03-26 2016-09-29 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, liquid crystal panel and display device
KR20180018290A (en) * 2016-08-09 2018-02-21 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device And Method of Fabricating The Same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040107648A (en) * 2003-06-09 2004-12-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 liquid crystal display device with wide viewing angle
KR20070112954A (en) * 2006-05-24 2007-11-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same
KR20090116856A (en) * 2008-05-08 2009-11-12 전북대학교산학협력단 Fringe in-plane field switching liquid crystal display

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040107648A (en) * 2003-06-09 2004-12-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 liquid crystal display device with wide viewing angle
KR20070112954A (en) * 2006-05-24 2007-11-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same
KR20090116856A (en) * 2008-05-08 2009-11-12 전북대학교산학협력단 Fringe in-plane field switching liquid crystal display

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016106787A1 (en) * 2014-12-30 2016-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
WO2016150106A1 (en) * 2015-03-26 2016-09-29 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, liquid crystal panel and display device
US10042228B2 (en) 2015-03-26 2018-08-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal panel and display device
CN105093736A (en) * 2015-07-14 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 IPS array substrate, manufacture method thereof and display device
US10197837B2 (en) 2015-07-14 2019-02-05 Boe Technology Group Co., Ltd. In-plane switching array substrate, method for manufacturing the array substrate, and display device having the array substrate
KR20180018290A (en) * 2016-08-09 2018-02-21 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device And Method of Fabricating The Same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101875937B1 (en) 2018-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8698154B2 (en) Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device
KR102007833B1 (en) Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device
US8803147B2 (en) Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR101211087B1 (en) Thin film transistor substrate and display device having the same
JP4385993B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2007179054A (en) Method of fabricating array substrate for ips liquid crystal display device
KR100801153B1 (en) An array substrate for In-Plane switching mode LCD and method for fabricating the same
JP2007310351A (en) Array substrate for liquid crystal display and method of manufacturing the same
WO2015188394A1 (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
KR102000648B1 (en) Array substrate, display device and manufacturing method of the array substrate
US9524989B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same, and liquid crystal display screen
KR101875937B1 (en) Liquid crystal display device
KR101255782B1 (en) An array substrate for In-Plane switching mode LCD and method of fabricating of the same
KR101652867B1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
US9196635B2 (en) Circuit board and display device
KR20130034744A (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR20070070726A (en) An array substrate for in-plane switching mode lcd and method of fabricating of the same
US20110169004A1 (en) Display device and manufacturing method therefor
KR20120015162A (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US20180120610A1 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing same
KR102061643B1 (en) Liquid crystal display device
KR101971991B1 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR101759557B1 (en) Array substrate of lcd device including common line
JP2010217635A (en) Liquid crystal display panel
KR101179057B1 (en) In-Plane Switching Mode Liquid Crystal Display Device and the method of fabricating thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant