KR20130009517A - Liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 액정표시장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a liquid crystal display device.
정보를 표시하기 위한 표시 장치가 활발히 개발되고 있다.Display devices for displaying information have been actively developed.
표시 장치는 액정표시장치, 유기전계발광 표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널 및 전계방출 표시장치를 포함한다.The display device includes a liquid crystal display, an organic light emitting display, a plasma display panel, and a field emission display.
이 중에서 액정표시장치는 고 해상도, 고 화질, 고 콘트라스트, 저 소비 전력 및 풀컬러 동영상 구현 등의 장점을 가지므로, 표시장치의 주류로 각광받고 있다.Among them, liquid crystal displays have high resolution, high image quality, high contrast, low power consumption, and full color video.
액정표시장치는 시야각이 좁은 단점이 있었다.The liquid crystal display device has a disadvantage of having a narrow viewing angle.
최근에 시야각을 개선하기 위한 다양한 방안이 제시되었다.Recently, various methods for improving the viewing angle have been proposed.
하지만, 시야각을 획기적으로 개선한 방안은 제시되지 않고 있다. However, there is no suggestion for a drastic improvement in the viewing angle.
실시예는 시야각을 개선한 액정표시장치를 제공한다.The embodiment provides a liquid crystal display device having an improved viewing angle.
실시예는 액정의 복원력 저하로 인한 터치 흔적 불량을 방지할 수 있는 액정표시장치를 제공한다.The embodiment provides a liquid crystal display device capable of preventing a touch trace defect due to a decrease in the restoring force of the liquid crystal.
실시예에 따르면, 액정표시장치는, 공통 플레이트; 상기 공통 플레이트 상에 다수의 화소 전극 바를 포함하는 화소 전극; 및 상기 화소 전극에 인접하는 공통 전극을 포함하고, 상기 공통 전극에 인접하는 최외곽 화소 전극 바는 상기 최외곽 화소 전극 바를 제외한 나머지 화소 전극 바의 각 폭보다 적어도 큰 폭을 갖는다.According to an embodiment, the liquid crystal display device comprises: a common plate; A pixel electrode including a plurality of pixel electrode bars on the common plate; And a common electrode adjacent to the pixel electrode, wherein the outermost pixel electrode bar adjacent to the common electrode has a width at least greater than each width of the remaining pixel electrode bars except for the outermost pixel electrode bar.
실시예에 따르면, 액정표시장치는, 다수의 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소 영역에서 상기 게이트 라인과 동일 층에 형성된 공통 플레이트; 상기 공통 플레이트 상에 다수의 화소 전극 바; 및 상기 화소 영역의 경계에 배치되는 공통 전극을 포함하고, 상기 화소 전극 바와 상기 공통 전극은 상기 화소 영역의 중간에서의 기준선에 인접한 제1 절곡 영역과 상기 기준선의 제2 절곡 영역에서 절곡되고, 상기 화소 전극 바 중 제1 화소 전극 바는 제2 화소 전극 바보다 적어도 큰 폭을 갖고, 상기 제1 화소 전극 바는 상기 공통 전극에 인접하는 화소 전극 바이다.According to an embodiment, a liquid crystal display includes: a gate line and a data line defining a plurality of pixel regions; A common plate formed on the same layer as the gate line in the pixel area; A plurality of pixel electrode bars on the common plate; And a common electrode disposed at a boundary of the pixel region, wherein the pixel electrode bar and the common electrode are bent in a first bent region adjacent to a reference line in the middle of the pixel region and a second bent region of the reference line, A first pixel electrode bar of the pixel electrode bars has a width that is at least larger than that of the second pixel electrode bar, and the first pixel electrode bar is a pixel electrode bar adjacent to the common electrode.
실시예는 화소 전극 바와 공통 전극 바의 제2 절곡 각도(θ2)를 제1 절곡 각도(θ1)보다 크도록 함으로써, 제2 절곡 영역에 위치된 액정이 프린지 필드에 영향을 거의 받지 않도록 하여 액정 왜곡(disclination)이 발생되지 않게 된다. 이에 따라, 더욱 더 향상된 시야각이 확보될 수 있다. According to the embodiment, the second bending angle θ 2 of the pixel electrode bar and the common electrode bar is larger than the first bending angle θ 1 so that the liquid crystal positioned in the second bending area is hardly affected by the fringe field. Liquid crystal distortion does not occur. Accordingly, even more improved viewing angles can be secured.
실시예는 화소 전극 바와 공통 전극 바의 제1 절곡 각도(θ1)를 최적화하여, 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. The embodiment may optimize the first bending angle θ 1 of the pixel electrode bar and the common electrode bar to prevent touch trace defects.
실시예와 같이, 제1 화소 전극 바의 폭을 제2 화소 전극 바의 폭보다 크게 형성함으로써, 상기 공통 전극과 상기 제1 화소 전극 바에 의해 구동되는 액정이 상기 제1 화소 전극 바와 상기 공통 플레이트 사이의 전계에 의해 거의 영향을 받지 않게 되어, 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. As in the embodiment, the width of the first pixel electrode bar is greater than the width of the second pixel electrode bar, so that the liquid crystal driven by the common electrode and the first pixel electrode bar is between the first pixel electrode bar and the common plate. Since it is hardly affected by the electric field of, the touch trace defect can be prevented.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 H-H' 라인, I-I' 라인 및 J-J' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 화소 영역의 에지 영역에서의 액정의 구동 모습을 도시한 도면이다.
도 4는 제1 및 제2 절곡 영역에서의 화소 전극의 배열 모습을 도시한 도면이다. 1 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the HH ′, II ′, and JJ ′ lines of FIG. 1.
3 is a diagram illustrating a driving state of a liquid crystal in an edge region of a pixel region.
4 is a diagram illustrating an arrangement of pixel electrodes in first and second bent regions.
발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In describing an embodiment according to the invention, in the case of being described as being formed "above" or "below" each element, the upper (upper) or lower (lower) Directly contacted or formed such that one or more other components are disposed between the two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)" may include the meaning of the down direction as well as the up direction based on one component.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 박막 트랜지스터(30), 공통 플레이트(9), 화소 전극(36), 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 및 공통 전극(39)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment includes a
제1 방향을 따라 다수의 게이트 라인(3)이 배치되고, 제2 방향을 따라 다수의 데이터 라인(23)이 배치될 수 있다. 제1 방향은 가로 방향이고, 제2 방향은 제1 방향에 대해 간의 각도는 0° 내지 90° 사이에 위치될 수 있다. A plurality of
상기 게이트 라인(3)과 상기 데이터 라인(23)은 교차하도록 배치될 수 있다.The
상기 게이트 라인(3)과 상기 데이터 라인(23)의 교차에 의해 다수의 화소 영역이 정의될 수 있다. A plurality of pixel areas may be defined by the intersection of the
상기 화소 영역은 제1 방향을 따라 정의되고 제2 방향을 따라 정의될 수 있다. The pixel area may be defined along a first direction and defined along a second direction.
상기 화소 영역은 매트릭스로 배열될 수 있다. The pixel areas may be arranged in a matrix.
상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터(30), 상기 공통 플레이트(9), 상기 화소 전극(36), 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 및 상기 공통 전극(39)이 형성될 수 있다.The
상기 공통 전극(39)은 화소 영역들 간에 공통으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 화소 영역마다 공통 전극(39)이 형성되고, 각 공통 전극(39) 간에는 연결 전극(38)에 의해 연결될 수 있다. 상기 각 공통 전극(39)과 상기 연결 전극(38)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 인접하는 공통 전극(39) 각각으로부터 연장되어 연결 전극(38)이 형성될 수 있다. The
상기 공통 전극(39)은 공통 콘택홀(33)을 통해 공통 라인(12)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 박막 트랜지스터(30)는 게이트 전극(6), 반도체층(17), 소오스 전극(25) 및 드레인 전극(27)을 포함할 수 있다. The
상기 게이트 전극(6)은 상기 게이트 라인(3)으로부터 연장 형성될 수 있다. 상기 게이트 라인(3) 상에 반도체층(17)과 소오스 및 드레인 전극(27)이 형성되는 경우, 상기 게이트 전극(6)은 형성될 필요가 없다.The
상기 게이트 라인(3)과 상기 게이트 전극(6)은 도전 패턴(4a)과 금속 패턴(5a)의 이중 층을 포함할 수 있다. The
상기 금속 패턴(5a)은 상기 도전 패턴(4a)과 면접촉으로 형성될 수 있다. The
상기 게이트 전극(6)의 상기 도전 패턴(4a)과 동일 층에 상기 공통 플레이트(9)가 형성될 수 있다. 상기 공통 플레이트(9)는 상기 화소 영역에 판 형상으로 형성될 수 있다. The
실시예에서 상기 공통 플레이트(9)는 직사각형으로 형성되고 있지만, 이에 한정하지 않는다.In the embodiment, the
상기 도전 패턴(4a)과 상기 공통 플레이트(9)는 동일 층에 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. The
상기 도전 물질로는 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 및 GZO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다. At least one selected from the group consisting of ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO and GZO may be used as the conductive material.
상기 공통 플레이트(9)의 에지 영역에 공통 라인(12)이 형성될 수 있다. The
상기 공통 라인(12)은 인접하는 화소 영역의 게이트 라인(3)에 인접하는 공통 플레이트(9)의 에지 영역에 형성될 수 있다. The
상기 공통 라인(12)은 상기 게이트 라인(3)과 평행하게 형성될 수 있다.The
상기 공통 라인(12)은 상기 게이트 전극(6)의 금속 패턴(5a)과 동일층에 금속 물질로 형성될 수 있다.The
상기 금속 물질로는 Cr, Ti, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu 및 Mo로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. As the metal material, at least one selected from the group consisting of Cr, Ti, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, and Mo, or an alloy thereof may be used.
상기 게이트 전극(6) 상에 반도체층(17)이 형성될 수 있다.The
상기 반도체층(17) 상에 소오스 전극(25)과 드레인 전극(27)이 형성될 수 있다. 상기 소오스 전극(25)과 상기 드레인 전극(27)과 동일층에 데이터 라인(23)이 형성될 수 있다. A
상기 소오스 전극(25)은 상기 데이터 라인(23)으로부터 연장 형성될 수 있다. 상기 드레인 전극(27)은 상기 소오스 전극(25)으로부터 이격되어 형성될 수 있다. The
상기 게이트 전극(6), 상기 반도체층(17), 상기 소오스 전극(25) 및 상기 드레인 전극(27)에 의해 박막 트랜지스터(30)가 형성될 수 있다. The
상기 화소 영역에는 화소 전극(36)이 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(36)으로부터 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 연장 형성될 수 있다. 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 데이터 라인(23)에 평행하게 형성될 수 있다. The
상기 화소 전극(36)은 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)은 상기 게이트 라인(3)에 평행하게 형성될 수 있다. The
상기 제1 수평 화소 전극(37a)은 드레인 콘택홀(32)을 통해 상기 박막 트랜지스터(30)의 상기 드레인 전극(27)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first
상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 상기 제1 수평 화소 전극(37a)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 인접하는 화소 영역의 게이트 라인(3)과 평행하게 형성될 수 있다. The second
상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 상기 공통 라인(12)을 따라 중첩되도록 형성될 수 있다. The second
상기 공통 라인(12)과 상기 수평 화소 전극은 이들 사이의 예컨대 보호막 및 절연막과 함께 스토리지 캐패시터를 형성할 수 있다. 상기 스토리지 캐패시터는 화소 영역으로 인가된 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시켜 주는 역할을 할 수 있다. The
상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b) 사이에 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)에 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b) 각각으로부터 연장 형성되어 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 형성될 수 있다. The
상기 화소 영역의 에지 영역을 따라 공통 전극(39)이 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(39)은 상기 데이터 라인(23)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(39)은 상기 데이터 라인(23)을 따라 형성될 수 있다. The
상기 공통 전극(39)은 적어도 상기 데이터 라인(23)보다 큰 폰을 가질 수 있다. 따라서, 위에서 볼 때, 상기 공통 전극(39)에 의해 상기 데이터 라인(23)이 보이지 않게 된다. The
상기 공통 전극(39) 간에는 연결 전극(38)이 형성될 수 있다. 상기 연결 전극(38)에 의해 상기 공통 전극(39)이 연결될 수 있다. 상기 공통 전극(39)이 연장되어 상기 연결 전극(38)이 형성될 수 있다. The
상기 공통 전극(39)과 상기 연결 전극(38)은 동일층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. The
상기 공통 전극(39), 상기 연결 전극(38), 상기 화소 전극(36) 및 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 동일 층에 동일한 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. The
상기 도전 물질로는 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 및 GZO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다. At least one selected from the group consisting of ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO and GZO may be used as the conductive material.
상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 상기 화소 영역의 중간에서 제1 방향으로의 기준선을 중심으로 아래 영역은 하부 도메인 영역(제1 도메인 영역)이고, 위 영역은 상부 도메인 영역(제2 도메인 영역)이라 명명될 수 있다. The
상기 제1 도메인 영역의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23)과 상기 제2 도메인 영역의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23)은 상기 기준선을 중심으로 대칭적으로 배치될 수 있다.
상기 기준선에 인접하는 위 영역 및 아래 영역에서 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 상기 공통 전극(39) 및 상기 데이터 라인(23)은 1차 절곡되는데, 이 영역을 제1 절곡 영역(41)이라 명명한다. In the upper and lower regions adjacent to the reference line, the
상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 상기 공통 전극(39) 및 상기 데이터 라인(23)은 상기 기준선에서 2차 절곡될 수 있는데, 이 영역을 제2 절곡 영역(44)이라 명명한다. The
상부 방향으로 액정이 배향되는 경우, 제1 도메인 영역의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23)은 액정의 배향 방향에 대해 90° 내지 180° 사이로 기울어지도록 배치되고, 제2 도메인 영역의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23)은 액정의 배향 방향에 대해 0° 내지 90° 사이로 기울어지도록 배치될 수 있다. When the liquid crystal is oriented in the upper direction, the
도 4에 도시한 바와 같이, 상기 제1 절곡 영역(41)에서 액정의 배향 방향과 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23) 사이의 각도를 제1 절곡 각도(θ1)라 하고, 상기 제2 절곡 영역(44)에서 액정의 배향 방향과 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e), 공통 전극(39) 및 데이터 라인(23) 사이의 각도를 제2 절곡 각도(θ2)라 한다.As shown in FIG. 4, between the alignment direction of the liquid crystal and the
상기 제2 절곡 각도(θ2)는 적어도 상기 제1 절곡 각도(θ1)보다 클 수 있다. 상기 제2 절곡 각도(θ2)를 보다 크게 형성함으로써, 제2 절곡 영역(44)에 위치된 액정이 프린지 필드에 영향을 거의 받지 않도록 하여 액정 왜곡(disclination)이 발생되지 않게 된다. 이에 따라, 더욱 더 향상된 시야각이 확보될 수 있다. The second bending angle θ 2 may be at least greater than the first bending angle θ 1 . By forming the second bend angle θ 2 to be larger, the liquid crystal located in the second
제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 가질 수 있다. 이러한 범위의 제1 절곡 각도(θ1)에 의해 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. 이에 대한 실험 결과는 나중에 설명하기로 한다.The first bending angle θ 1 may have a range of 10 ° to 15 °. Touch trace defects may be prevented by the first bending angle θ 1 in this range. The experimental results will be described later.
도 3에 도시한 바와 같이, 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 중에서 공통 전극(39)에 인접하는 최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)는 다른 화소 전극 바들과 폭이 상이하다.As shown in FIG. 3, the outermost pixel electrode bars 36a and 36e adjacent to the
최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)를 제1 화소 전극 바라 명명하고, 다른 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)를 제2 화소 전극 바라 명명할 수 있다.The outermost pixel electrode bars 36a and 36e may be named as the first pixel electrode, and the other pixel electrode bars 36b, 36c and 36d may be named as the second pixel electrode.
이러한 경우, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)는 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭의 1.7배 내지 2.3배의 폭을 가질 수 있다.In this case, the first pixel electrode bars 36a and 36e may have a width of 1.7 to 2.3 times the width of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.
상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)는 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭의 1.8배의 폭을 가질 수 있다.The first pixel electrode bars 36a and 36e may have a width 1.8 times the width of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.
상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)는 적어도 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다. The first pixel electrode bars 36a and 36e may have a width greater than at least the width of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.
상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 전계에 따라 상기 공통 전극(39) 위, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 위 그리고 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 액정이 변위될 수 있다.According to the electric field between the
따라서, 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)에서는 IPS 모드(in-plane switching mode)로 액정이 구동될 수 있다. Accordingly, the liquid crystal may be driven in the in-plane switching mode in the
상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 그리고 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)와 상기 공통 플레이트(9) 사이의 전계에 따라 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 위, 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d) 위, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 사이 그리고 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)와 상기 공통 플레이트(9) 사이의 액정이 변위될 수 있다. The first pixel electrode according to an electric field between the first pixel electrode bars 36a and 36e and the
따라서, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 사이 그리고 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)와 상기 공통 플레이트(9) 사이에서는 FFS 모드(fringe field switching mode)로 구동될 수 있다. Thus, an FFS mode (fringe field) is formed between the first pixel electrode bars 36a and 36e and the
실시예와 같이, 최외곽 화소 전극 바인 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭을 다른 화소 전극 바인 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 크게 형성함으로써, 상기 공통 전극(39) 위, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 위 및 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 액정이 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 사이의 전계에 거의 영향을 받지 않게 된다. 즉, 상기 공통 전극(39) 위, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 위 및 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a,36e) 사이의 액정은 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 전계에 의해서만 영향을 받게 된다.As in the embodiment, the width of the first pixel electrode bars 36a and 36e, which are the outermost pixel electrode bars, is made larger than the width of the second pixel electrode bars 36b, 36c, and 36d, which are other pixel electrode bars. 39, the liquid crystal between the first pixel electrode bars 36a and 36e and between the
따라서 실시예는 공통 전극(39)과 최외곽 화소 전극 바(36a, 36e) 사이의 전계에 의해 구동되는 액정이 최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)와 공통 플레이트(9) 사이의 전계에 영향을 받지 않게 되어, 종래에 발생되던 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. Thus, in the embodiment, the liquid crystal driven by the electric field between the
한편, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)는 4㎛ 내지 6㎛이 폭을 가질 수 있고, 상기 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)는 2.2㎛ 내지 2.6㎛의 폭을 가질 수 있다. Meanwhile, the first pixel electrode bars 36a and 36e may have a width of 4 μm to 6 μm, and the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d may have a width of 2.2 μm to 2.6 μm. have.
상기 공통 전극(39)은 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭 또는 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 크게 형성될 수 있다. The
표 1은 터치 흔적 불량을 방지하기 위해 다양하게 실험된 제1 절곡 각도(θ1)와 제1 화소 전극 바의 폭을 보여준다.Table 1 shows the first bent angle θ 1 and the width of the first pixel electrode bar which were variously tested in order to prevent touch trace defects.
표 1에 보여진 바와 같이, 터치 흔적 불량을 방지하기 위한 최적의 제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 가지고, 최적의 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭은 4㎛ 내지 6㎛의 범위를 가질 수 있다. 이러한 범위 조건에서는 터치 흔적 불량이 방지될 뿐만 아니라, 시야각도 더욱더 확대될 수 있다. As shown in Table 1, the optimal first bending angle θ 1 for preventing touch trace defects has a range of 10 ° to 15 °, and the optimal width of the first pixel electrode bars 36a and 36e is It may have a range of 4
도 2는 도 1의 H-H' 라인, I-I' 라인 및 J-J' 라인을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line H-H ', I-I', and J-J 'of FIG. 1.
도 2를 참조하면, 기판(1) 상에 게이트 라인(3), 게이트 전극(6), 공통 플레이트(9) 및 공통 라인(12)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2, a
상기 게이트 라인(3)은 제1 방향, 예컨대 가로 방향을 따라 형성될 수 있다.The
상기 게이트 전극(6)은 상기 게이트 라인(3)으로부터 연장 형성될 수 있다.The
상기 게이트 라인(3)과 상기 게이트 전극(6)은 투명한 도전 패턴(4a)과 금속 패턴(5a)을 포함할 수 있다. The
상기 금속 패턴(5a)은 상기 도전 패턴(4a)과 면접촉으로 형성될 수 있다. 상기 도전 패턴(4a)은 투명한 도전 물질로 형성되고, 상기 금속 패턴(5a)은 금속 물질로 형성될 수 있다.The
상기 공통 플레이트(9)는 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. 상기 공통 라인(12)은 금속 물질로 형성될 수 있다.The
상기 도전 패턴(4a)과 상기 공통 플레이트(9)는 동일한 층에 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 금속 패턴(5a)과 상기 금속 패턴(5a)은 동일한 층에 동일 물질로 형성될 수 있다. The
상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9) 및 상기 공통 라인(12)은 화소 영역에 형성될 수 있다. The
상기 공통 라인(12)은 인접한 화소 영역들에 공통으로 형성될 수 있다. 상기 공통 라인(12)은 제1 방향을 따라 정의된 화소 영역들에 공통으로 형성될 수 있다. The
상기 공통 라인(12)은 인접한 화소 영역의 또 다른 게이트 라인(3)에 인접하여 상기 또 다른 게이트 라인(3)과 평행하게 형성될 수 있다. The
상기 공통 플레이트(9)는 화소 영역 내의 모든 영역에 형성될 수 있다. The
상기 게이트 라인(3), 상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9) 및 상기 공통 라인(12)은 하프톤 마스크를 이용하여 형성될 수 있지만, 이에 한정하지 않는다.The
도전 물질로 이루어진 도전막과 금속 물질로 이루어진 금속막이 기판(1) 상에 형성된 후, 하프톤 마스크를 이용하여 상기 게이트 라인(3), 상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9) 및 상기 공통 라인(12)이 형성될 수 있다.After a conductive film made of a conductive material and a metal film made of a metal material are formed on the
예컨대, 하프톤 마스크를 이용하여 제1 및 제2 높이를 갖는 제1 감광 패턴이 형성되고, 상기 제1 감광 패턴을 마스크로 하여 게이트 라인(3)과 게이트 전극(6)의 도전 패턴(4a)과 금속 패턴(5a) 그리고 공통 플레이트(9)와 그 위이 금속 패턴(5a)이 형성될 수 있다. 이후, 애싱 공정에 의해 제1 및 제2 높이 중에서 더 낮은 높이의 제1 감광 패턴은 제거되고 더 높은 높이를 갖는 제1 감광 패턴은 줄어들어 제3 놀이를 갖는 제2 감광 패턴으로 형성되며, 상기 제2 감광 패턴을 마스크로 하여 상기 공통 플레이트(9) 위의 금속 패턴(5a)을 부분적으로 제거되어 공통 플레이트(9)의 에지 영역에 공통 라인(12)이 형성될 수 있다. For example, a first photosensitive pattern having first and second heights is formed using a halftone mask, and the
다른 방안으로, 상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9) 및 상기 공통 라인(12)은 개별적으로 형성될 수도 있다. 즉, 도전 물질로 이루어진 도전막이 기판(1) 상에 형성되고, 상기 도전막을 패터닝하여 게이트 라인(3)과 게이트 전극(6)용 도전 패턴(4a)과 공통 플레이트(9)이 형성될 수 있다. 이어서, 상기 도전 패턴(4a)과 상기 공통 플레이트(9) 상에 금속 물질로 이루어진 금속막이 형성되고, 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 라인(3)과 게이트 전극(6)용 금속 패턴(5a)과 공통 라인(12)이 형성될 수 있다. Alternatively, the
상기 게이트 라인(3), 상기 게이트 전극(6), 상기 공통 플레이트(9), 상기 공통 라인(12) 및 상기 기판(1) 상에 절연막이 형성될 수 있다. 상기 절연막은 투명한 무기 절연 물질이나 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 무기 절연 물질로는 SiNx나 SiOx일 수 있다. 예컨대, 상기 유기 절연 물질로는 BCB(benzocyclobutene)일 수 있다. An insulating layer may be formed on the
상기 게이트 전극(6)에 대응하는 상기 절연막 상에 반도체층(17)이 형성될 수 있다. 상기 반도체층(17)은 실리콘으로 이루어진 활성층과 도펀트를 포함하는 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층을 포함할 수있다.The
상기 반도체층(17) 및 상기 절연막 상에 소오스 전극(25), 드레인 전극(27) 및 데이터 라인(23)이 형성될 수 있다. A
상기 소오스 전극(25)은 상기 데이터 라인(23)으로부터 연장 형성될 수 있다. 상기 데이터 라인(23)은 제2 방향을 따라 형성될 수 있다. 제2 방향은 제1 방향에 대해 0° 내지 90° 사이에 위치된 방향일 수 있다. The source electrode 25 may extend from the
상기 데이터 라인(23)은 상기 게이트 라인(3)과 교차하여 화소 영역을 정의할 수 있다.The
상기 데이터 라인(23)은 화소 영역의 중간에서 제1 방향으로의 기준선을 기준으로 구분된 제1 도메인 영역과 제2 도메인 영역에서 서로 대칭적으로 형성될 수 있다. 제1 도메인 영역은 상기 기준선의 아래의 화소 영역이고, 제2 도메인 영역은 상기 기준성의 위의 화소 영역일 수 있다. The
제1 도메인 영역의 데이터 라인(23)과 제2 도메인 영역의 데이러 라인은 서로 대칭적으로 기울어지도록 형성될 수 있다. The
상기 게이트 전극(6), 상기 반도체층(17), 상기 소오스 전극(25) 및 상기 드레인 전극(27)에 의해 박막 트랜지스터(30)가 형성될 수 있다. The
상기 소오스 전극(25), 상기 드레인 전극(27), 상기 데이터 라인(23) 및 상기 절연막 상에 보호막이 형성될 수 있다. A passivation layer may be formed on the
상기 보호막은 BCB와 같은 유기 절연 무질로 형성될 수 있다. The passivation layer may be formed of an organic insulating material such as BCB.
상기 보호막에는 상기 드레인 전극(27)이 노출되도록 상기 보호막이 관통되어 형성된 드레인 콘택홀(32)을 포함할 수 있다. The passivation layer may include a
상기 보호막 상에 화소 전극(36)과 공통 전극(39)이 형성될 수 있다. The
상기 화소 전극(36)과 상기 공통 전극(39)은 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. The
상기 공통 전극(39)은 상기 데이터 라인(23)과 중첩되도록 상기 보호막 상에 형성될 수 있다. 즉, 상기 공통 전극(39)은 상기 데이터 라인(23)을 따라 형성될 수 있다. The
상기 공통 전극(39)은 공통 콘택홀(33)을 통해 공통 라인(12)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 공통 전극(39) 사이는 연결 전극(38)에 의해 연결될 수 있다. 상기 연결 전극(38)은 인접하는 공통 전극(39)으로부터 연장 형성될 수 있다. The
상기 화소 전극(36)은 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b) 및 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)를 포함할 수 있다. 상기 화소 전극(36)은 상기 화소 영역 내에 형성될 수 있다. The
상기 화소 전극(36)은 인접하는 공통 전극(39) 사이에 배치될 수 있다. The
즉, 제1 화소 영역의 화소 전극(36)은 상기 제1 화소 영역의 제1 공통 전극(39)과 상기 제2 화소 영역의 제2 공통 전극(39) 사이에 배치될 수 있다. That is, the
상기 제1 수평 화소 전극(37a)은 상기 드레인 콘택홀(32)을 통해 상기 드레인 전극(27)과 전기적으로 연결될 수 있다. The first
상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 상기 제1 수평 화소 전극(37a)과 이격되어 형성될 수 있다.The second
상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 인접하는 화소 영역의 또 다른 게이트 라인(3)에 인접하여 형성될 수 있다. The second
상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 공통 라인(12)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 상기 제2 수평 화소 전극(37b)은 상기 공통 라인(12)을 따라 형성될 수 있다. The second
상기 각 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)으로부터 연장 형성될 수 있다. Each of the
상기 각 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b) 사이에 형성될 수 있다. Each of the
상기 제1 및 제2 수평 화소 전극(37a, 37b)은 상기 게이트 라인(3)과 평행하게 형성되고, 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 데이터 라인(23)과 평행하게 형성될 수 있다. The first and second
상기 공통 전극(39)과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 게이트 라인(3)과 동일한 형상으로 형성될 수 있다. The
즉, 상기 공통 전극(39)과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 상기 화소 영역의 중간에 정의된 기준선에 인접한 제1 절곡 영역(41)에서 제1 절곡되고, 상기 기준선의 제2 절곡 영역(44)에서 제2 절곡될 수 있다. That is, the
상기 공통 전극(39)과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)는 화소 영역에 정의된 제1 도메인 영역과 제2 도메인 영역에서 서로 대칭적으로 기울어지도록 형성될 수 있다. The
도 4에 도시한 바와 같이, 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)의 제1 절곡 영역(41)에서 제1 절곡 각도(θ1)로 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 기울어지도록 형성되고, 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)의 제2 절곡 영역(44)에서 제2 절곡 각도(θ2)로 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)가 기울어지도록 형성될 수 있다. As shown in FIG. 4, the
상기 제2 절곡 각도(θ2)는 상기 제1 절곡 각도(θ1)보다 클 수 있다. 상기 제2 절곡 각도(θ2)를 보다 크게 형성함으로써, 제2 절곡 영역(44)에 위치된 액정이 프린지 필드에 영향을 거의 받지 않도록 하여 액정 왜곡(disclination)이 발생되지 않게 된다. 이에 따라, 더욱 더 향상된 시야각이 확보될 수 있다. The second bending angle θ 2 may be greater than the first bending angle θ 1 . By forming the second bend angle θ 2 to be larger, the liquid crystal located in the second
아울러, 제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 가질 수 있다. 이러한 범위의 제1 절곡 각도(θ1)에 의해 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. In addition, the first bending angle θ 1 may have a range of 10 ° to 15 °. Touch trace defects may be prevented by the first bending angle θ 1 in this range.
도 4에는 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)를 도시하고 있지만, 공통 전극(39) 또한 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)와 동일한 형상으로 형성될 수 있다. Although the
상기 제1 절곡 각도(θ1)는 제1 절곡 영역(41)에서 액정의 배향 방향과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 및 공통 전극(39) 사이의 각도를 의미하고, 상기 제2 절곡 각도(θ2)는 제2 절곡 영역(44)에서 액정의 배향 방향과 상기 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e) 및 공통 전극(39) 사이의 각도를 의미할 수 있다. The first bending angle θ 1 means an angle between the alignment direction of the liquid crystal in the first bending region 41 and the
다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)들의 폭은 상이할 수 있다. 즉, 다수의 화소 전극 바(36a, 36b, 36c, 36d, 36e)들 중에서 최외곽에 배치된 화소 전극 바(36a, 36e)는 최외곽 화소 전극 바일 수 있다. The widths of the plurality of
최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)는 나머지 각 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 크게 형성될 수 있다.The outermost pixel electrode bars 36a and 36e may be formed larger than the widths of the remaining pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.
최외곽 화소 전극 바(36a, 36e)는 제1 화소 전극 바이고, 나머지 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)는 제2 화소 전극 바라고 한다. The outermost pixel electrode bars 36a and 36e are referred to as first pixel electrodes, and the remaining pixel electrode bars 36b, 36c and 36d are referred to as second pixel electrode bars.
도 3에 도시한 바와 같이, 최외곽 화소 전극 바인 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭을 d1이라 하고, 나머지 화소 전극 바인 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭을 d2라고 한다.As shown in FIG. 3, the width of the first pixel electrode bars 36a and 36e as the outermost pixel electrode bars is d1, and the width of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d as the remaining pixel electrode bars is d2. It is called.
이러한 경우, 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭(d1)은 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭(d2)의 1.7배 내지 2.3배의 범우를 가질 수 있다. In this case, the width d1 of the first pixel electrode bars 36a and 36e may have a range of 1.7 times to 2.3 times the width d2 of each of the second pixel electrode bars 36b, 36c, and 36d. have.
상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭(d1)는 상기 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭(d2)의 1.8배를 가질 수 있다.The width d1 of the first pixel electrode bars 36a and 36e may have 1.8 times the width d2 of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.
상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭(d1)은 적어도 각 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭(d2)보다 크게 형성될 수 있다. The width d1 of the first pixel electrode bars 36a and 36e may be at least greater than the width d2 of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d.
실시예와 같이, 제1 화소 전극 바(36a, 36e)의 폭을 제2 화소 전극 바(36b, 36c, 36d)의 폭보다 크게 형성함으로써, 상기 공통 전극(39)과 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)에 의해 구동되는 액정이 상기 제1 화소 전극 바(36a, 36e)와 상기 공통 플레이트(9) 사이의 전계에 의해 거의 영향을 받지 않게 되어, 종래에 발생되던 터치 흔적 불량이 방지될 수 있다. As in the embodiment, the width of the first pixel electrode bars 36a and 36e is larger than the width of the second pixel electrode bars 36b, 36c and 36d, thereby forming the
1: 기판 3: 게이트 라인
4a: 도전 패턴 5a: 금속 패턴
6: 게이트 전극 9: 공통 플레이트
12: 공통 라인 17: 반도체층
23: 데이터 라인 25: 소오스 전극
27: 드레인 전극 30: 박막 트랜지스터
32: 드레인 콘택홀 33: 공통 콘택홀
36: 화소 전극 36a, 36b, 36c, 36d, 36e: 화소 전극 바
37a, 37b: 수평 화소 전극 38: 연결 전극
39: 공통 전극 41, 44: 절곡 영역1: substrate 3: gate line
4a:
6: gate electrode 9: common plate
12: common line 17: semiconductor layer
23: data line 25: source electrode
27
32: drain contact hole 33: common contact hole
36:
37a, 37b: horizontal pixel electrode 38: connection electrode
39: common electrode 41, 44: bending area
Claims (17)
상기 공통 플레이트 상에 다수의 화소 전극 바를 포함하는 화소 전극; 및
상기 화소 전극에 인접하는 공통 전극을 포함하고,
상기 공통 전극에 인접하는 최외곽 화소 전극 바는 상기 최외곽 화소 전극 바를 제외한 나머지 화소 전극 바의 각 폭보다 적어도 큰 폭을 갖는 액정 표시장치.Common plate;
A pixel electrode including a plurality of pixel electrode bars on the common plate; And
A common electrode adjacent to the pixel electrode;
The outermost pixel electrode bar adjacent to the common electrode has a width that is at least greater than each width of the remaining pixel electrode bars except for the outermost pixel electrode bar.
다수의 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 공통 전극은 상기 데이터 라인과 중첩되는 액정표시장치.The method of claim 1,
Further comprising a gate line and a data line defining a plurality of pixel regions,
And the common electrode overlapping the data line.
상기 최외곽 화소 전극 바는 상기 나머지 화소 전극 바의 각 폭의 1.7배 내지 2.3배의 폭을 갖는 액정표시장치.The method of claim 2,
The outermost pixel electrode bar has a width of 1.7 to 2.3 times the width of each of the remaining pixel electrode bars.
상기 최외곽 화소 전극 바는 상기 나머지 화소 전극 바의 각 폭의 1.8배를 갖는 액정표시장치.The method of claim 2,
And wherein the outermost pixel electrode bars have 1.8 times the width of each of the remaining pixel electrode bars.
상기 최외곽 화소 전극 바는 4㎛ 내지 6㎛이 폭을 갖는 액정표시장치.The method of claim 3,
The outermost pixel electrode bar has a width of 4 μm to 6 μm.
상기 공통 플레이트와 면접촉하고 상기 공통 전극과 연결되는 공통 라인을 더 포함하는 액정표시장치.The method of claim 2,
And a common line in surface contact with the common plate and connected to the common electrode.
상기 게이트 라인은 도전 패턴과 금속 패턴을 포함하는 액정표시장치.The method according to claim 6,
The gate line includes a conductive pattern and a metal pattern.
상기 공통 플레이트는 상기 도전 패턴과 동일층에 형성되는 액정표시장치.The method of claim 7, wherein
And the common plate is formed on the same layer as the conductive pattern.
상기 화소 전극 바와 상기 공통 전극은 상기 화소 영역의 중간에서의 기준선에 인접한 제1 절곡 영역과 상기 기준선의 제2 절곡 영역에서 절곡되는 액정표시장치. The method according to claim 1 or 3,
And the pixel electrode bar and the common electrode are bent in a first bent region adjacent to a reference line in the middle of the pixel region and in a second bent region of the reference line.
상기 화소 전극 바 및 상기 공통 전극 각각은 상기 기준선에 의해 구분된 상기 화소 영역의 제1 도메인 영역과 제2 도메인 영역에서 서로 대칭적으로 기울어지도록 형성되는 액정표시장치.10. The method of claim 9,
And the pixel electrode bar and the common electrode are symmetrically inclined with respect to each other in the first domain area and the second domain area of the pixel area separated by the reference line.
상기 제1 절곡 영역에서 액정 배향 방향과 상기 화소 전극 바 및 상기 공통 전극 각각의 사이의 각도를 제1 절곡 각도(θ1)로 정의하고,
상기 제2 절곡 영역에서 액정 배향 방향과 상기 화소 전극 바 및 상기 공통 전극 각각의 사이의 각도를 제2 절곡 각도(θ2)로 정의하고,
상기 제2 절곡 각도(θ2)는 상기 제1 절곡 각도(θ1)보다 큰 액정표시장치.The method of claim 10,
An angle between the liquid crystal alignment direction and each of the pixel electrode bar and the common electrode in the first bending region is defined as a first bending angle θ 1 ,
An angle between the liquid crystal alignment direction and each of the pixel electrode bar and the common electrode in the second bending region is defined as a second bending angle θ 2 ,
The second bending angle θ 2 is greater than the first bending angle θ 1 .
상기 제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 갖는 액정표시장치.The method of claim 11,
The first bending angle θ 1 has a range of 10 ° to 15 °.
상기 화소 영역에서 상기 게이트 라인과 동일 층에 형성된 공통 플레이트;
상기 공통 플레이트 상에 다수의 화소 전극 바; 및
상기 화소 영역의 경계에 배치되는 공통 전극을 포함하고,
상기 화소 전극 바와 상기 공통 전극은 상기 화소 영역의 중간에서의 기준선에 인접한 제1 절곡 영역과 상기 기준선의 제2 절곡 영역에서 절곡되고,
상기 화소 전극 바 중 제1 화소 전극 바는 제2 화소 전극 바보다 적어도 큰 폭을 갖고,
상기 제1 화소 전극 바는 상기 공통 전극에 인접하는 화소 전극 바인 액정표시장치.A gate line and a data line defining a plurality of pixel regions;
A common plate formed on the same layer as the gate line in the pixel area;
A plurality of pixel electrode bars on the common plate; And
A common electrode disposed at a boundary of the pixel region,
The pixel electrode bar and the common electrode are bent in a first bent region adjacent to a reference line in the middle of the pixel region and in a second bent region of the reference line;
The first pixel electrode bar of the pixel electrode bar has a width at least greater than that of the second pixel electrode bar,
The first pixel electrode bar is a pixel electrode bar adjacent to the common electrode.
상기 제1 화소 전극 바는 상기 제1 화소 전극 바의 각 폭의 1.7배 내지 2.3배의 폭을 갖는 액정표시장치.The method of claim 13,
The first pixel electrode bar has a width of 1.7 to 2.3 times the width of each of the first pixel electrode bars.
상기 제1 화소 전극 바는 4㎛ 내지 6㎛이 폭을 갖는 액정표시장치.The method of claim 13,
The first pixel electrode bar has a width of 4 μm to 6 μm.
상기 제2 절곡 영역에서의 상기 제2 절곡 각도(θ2)는 상기 제1 절곡 영역에서의 상기 제1 절곡 각도(θ1)보다 크고,
상기 제1 절곡 각도(θ1) 및 상기 제2 절곡 각도(θ2)는 액정의 배향 방향과 상기화소 전극 바 및 상기 공통 전극 각각의 사이의 각도인 액정표시장치.The method according to claim 13 or 14,
The second bending angle θ 2 in the second bending area is greater than the first bending angle θ 1 in the first bending area,
And the first bending angle θ 1 and the second bending angle θ 2 are angles between the alignment direction of the liquid crystal and each of the pixel electrode bar and the common electrode.
상기 제1 절곡 각도(θ1)는 10° 내지 15°의 범위를 갖는 액정표시장치.17. The method of claim 16,
The first bending angle θ 1 has a range of 10 ° to 15 °.
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