KR20120058602A - Deuterated compounds for electronic applications - Google Patents
Deuterated compounds for electronic applications Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120058602A KR20120058602A KR1020127008462A KR20127008462A KR20120058602A KR 20120058602 A KR20120058602 A KR 20120058602A KR 1020127008462 A KR1020127008462 A KR 1020127008462A KR 20127008462 A KR20127008462 A KR 20127008462A KR 20120058602 A KR20120058602 A KR 20120058602A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- deuterated
- compound
- layer
- group
- aryl
- Prior art date
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 106
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 51
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 36
- -1 anthracene compound Chemical class 0.000 claims description 23
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 12
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 10
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 9
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 claims description 5
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- 239000000463 material Substances 0.000 description 95
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 80
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 69
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 48
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 47
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 30
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 21
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 15
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 15
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 14
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 10
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 10
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 10
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 7
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 7
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 6
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 5
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 5
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 5
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 0 *N(c(c1ccccc1c1c2)cc1c(cccc1)c1c2N(*)[Ag])[Al] Chemical compound *N(c(c1ccccc1c1c2)cc1c(cccc1)c1c2N(*)[Ag])[Al] 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JCWIWBWXCVGEAN-UHFFFAOYSA-L cyclopentyl(diphenyl)phosphane;dichloropalladium;iron Chemical compound [Fe].Cl[Pd]Cl.[CH]1[CH][CH][CH][C]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.[CH]1[CH][CH][CH][C]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JCWIWBWXCVGEAN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011263 electroactive material Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical class [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZIRVQSRSPDUEOJ-LOIXRAQWSA-N 9-bromo-1,2,3,4,5,6,7,8,10-nonadeuterioanthracene Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C2=C([2H])C3=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C3C(Br)=C21 ZIRVQSRSPDUEOJ-LOIXRAQWSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N benzene-d6 Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C1[2H] UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 2
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-PGRXLJNUSA-N 1,2,3,4,5,6,7,8-octadeuterionaphthalene Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C2=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C21 UFWIBTONFRDIAS-PGRXLJNUSA-N 0.000 description 2
- DLKQHBOKULLWDQ-GSNKEKJESA-N 1-bromo-2,3,4,5,6,7,8-heptadeuterionaphthalene Chemical compound BrC1=C([2H])C([2H])=C([2H])C2=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C21 DLKQHBOKULLWDQ-GSNKEKJESA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 2
- JWUUGQPKEKNHJX-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1C=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C2N1C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1C=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C2N1C1=CC=CC=C1 JWUUGQPKEKNHJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019502 Orange oil Nutrition 0.000 description 2
- YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L Oxine-copper Chemical class [Cu+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M copper(i) bromide Chemical compound Br[Cu] NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QTMDXZNDVAMKGV-UHFFFAOYSA-L copper(ii) bromide Chemical compound [Cu+2].[Br-].[Br-] QTMDXZNDVAMKGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBXDEEVJTYBRJJ-UHFFFAOYSA-N diboronic acid Chemical class OBOBO VBXDEEVJTYBRJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- KPTRDYONBVUWPD-UHFFFAOYSA-N naphthalen-2-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(B(O)O)=CC=C21 KPTRDYONBVUWPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010502 orange oil Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002390 rotary evaporation Methods 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 2
- MNKCGUKVRJZKEQ-MIXQCLKLSA-P (1z,5z)-cycloocta-1,5-diene;iridium;methyloxidanium Chemical compound [Ir].[Ir].[OH2+]C.[OH2+]C.C\1C\C=C/CC\C=C/1.C\1C\C=C/CC\C=C/1 MNKCGUKVRJZKEQ-MIXQCLKLSA-P 0.000 description 1
- BQHVXFQXTOIMQM-UHFFFAOYSA-N (4-naphthalen-1-ylphenyl)boronic acid Chemical compound C1=CC(B(O)O)=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 BQHVXFQXTOIMQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-LHNTUAQVSA-N 1,2,3,4,5,6,7,8,9,10-decadeuterioanthracene Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C2=C([2H])C3=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C3C([2H])=C21 MWPLVEDNUUSJAV-LHNTUAQVSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004912 1,5-cyclooctadiene Substances 0.000 description 1
- OIRHKGBNGGSCGS-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1I OIRHKGBNGGSCGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTPUUDQIXKUAMO-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC(I)=C1 CTPUUDQIXKUAMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCDOOGZTWDOHEB-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-9h-carbazole Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(Br)=CC=C2 VCDOOGZTWDOHEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- VMAUSAPAESMXAB-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(4-fluorophenyl)quinoxaline Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=C(F)C=C1 VMAUSAPAESMXAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[2-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRIMXCDMVRMCTC-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)(C)O KRIMXCDMVRMCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluoro-N-[3-[3-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)-8-azabicyclo[3.2.1]octan-8-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound CC(C)C1=NN=C(C)N1C1CC2CCC(C1)N2CCC(NC(=O)C1CCC(F)(F)CC1)C1=CC=CS1 BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 4-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBXXZTIBAVBLPP-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(diethylamino)-2-methylphenyl]-(4-methylphenyl)methyl]-n,n-diethyl-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(CC)CC)C)C1=CC=C(C)C=C1 KBXXZTIBAVBLPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2-(4-tert-butylpyridin-2-yl)pyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKIFDWYMWOJKTQ-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 FKIFDWYMWOJKTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFBHJDZYFDQEEY-UHFFFAOYSA-N 9-cyclobutylcarbazole Chemical compound C1CCC1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 SFBHJDZYFDQEEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFDORGWIGJJZEQ-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MFDORGWIGJJZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRYRJNHMRVINIZ-UHFFFAOYSA-N B1CCOO1 Chemical compound B1CCOO1 FRYRJNHMRVINIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000873 Beta-alumina solid electrolyte Inorganic materials 0.000 description 1
- NCBLYNOYORBGDX-LZVRBXCZSA-N C[C@@H]([C@@]1(C)c(cc(c(O)c2O)O)c2O)c2ccccc2C=C1O Chemical compound C[C@@H]([C@@]1(C)c(cc(c(O)c2O)O)c2O)c2ccccc2C=C1O NCBLYNOYORBGDX-LZVRBXCZSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021590 Copper(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- PKMYQFCVFSVGAT-UHFFFAOYSA-N FC(c1cc(cccc2)c2cc1)(F)F Chemical compound FC(c1cc(cccc2)c2cc1)(F)F PKMYQFCVFSVGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004373 HOAc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000872931 Myoporum sandwicense Species 0.000 description 1
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZYCIQNVXHZLOD-UHFFFAOYSA-N N1=C(C=CC=C1)C1=NC=CC=C1.[Ir+3] Chemical compound N1=C(C=CC=C1)C1=NC=CC=C1.[Ir+3] IZYCIQNVXHZLOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVYGDKODHKQJND-UHFFFAOYSA-N Nc(c(c(O)c1O)c(c(O)c2c(O)c3O)c(O)c1O)c2c(O)c3O Chemical compound Nc(c(c(O)c1O)c(c(O)c2c(O)c3O)c(O)c1O)c2c(O)c3O MVYGDKODHKQJND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFOJOESWRBLCCW-UHFFFAOYSA-N O[C](C(C(C(c(cc1)ccc1-c1cc2ccccc2cc1)=C1OC(O)=C2O)=C3O)=C(c(cc4)ccc4-c4cccc5c4cccc5)C1=C2O)C(O)=C3O Chemical compound O[C](C(C(C(c(cc1)ccc1-c1cc2ccccc2cc1)=C1OC(O)=C2O)=C3O)=C(c(cc4)ccc4-c4cccc5c4cccc5)C1=C2O)C(O)=C3O ZFOJOESWRBLCCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICEPBIYOVLNAJY-UHFFFAOYSA-N Oc(c(c(O)c1O)c2c(O)c1O)c(C([C](C(C(c(c(I)c(c(C(OOOC1=C3O)=C1OC(O)=C3O)c1I)I)c1I)=C1C(O)=C3O)=C4O)OC(O)=C4O)=C1C(O)=C3O)c(O)c2O Chemical compound Oc(c(c(O)c1O)c2c(O)c1O)c(C([C](C(C(c(c(I)c(c(C(OOOC1=C3O)=C1OC(O)=C3O)c1I)I)c1I)=C1C(O)=C3O)=C4O)OC(O)=C4O)=C1C(O)=C3O)c(O)c2O ICEPBIYOVLNAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004171 alkoxy aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- PTPCAHHOFGSFCJ-UHFFFAOYSA-N anthracen-9-yl trifluoromethanesulfonate Chemical compound C1=CC=C2C(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 PTPCAHHOFGSFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- NDMVXIYCFFFPLE-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=C(C=CC=C3)C3=C(N)C2=C1 NDMVXIYCFFFPLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFFVPLLCYGOFPU-UHFFFAOYSA-N barium chromate Chemical compound [Ba+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O QFFVPLLCYGOFPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004166 bioassay Methods 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 1
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- GTMZAOCEECDPCT-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1-c(cc1)cc(c2cc(-c3ccccc3)ccc22)c1[n]2-c1cccc(-c2nc(c3nc(-c4cccc(-[n](c(ccc(-c5ccccc5)c5)c5c5c6)c5ccc6-c5ccccc5)c4)cc(-c4ccccc4)c3cc3)c3c(-c3ccccc3)c2)c1 Chemical compound c(cc1)ccc1-c(cc1)cc(c2cc(-c3ccccc3)ccc22)c1[n]2-c1cccc(-c2nc(c3nc(-c4cccc(-[n](c(ccc(-c5ccccc5)c5)c5c5c6)c5ccc6-c5ccccc5)c4)cc(-c4ccccc4)c3cc3)c3c(-c3ccccc3)c2)c1 GTMZAOCEECDPCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 238000001460 carbon-13 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- WMKGGPCROCCUDY-PHEQNACWSA-N dibenzylideneacetone Chemical compound C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WMKGGPCROCCUDY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- UAIZDWNSWGTKFZ-UHFFFAOYSA-L ethylaluminum(2+);dichloride Chemical compound CC[Al](Cl)Cl UAIZDWNSWGTKFZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003818 flash chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005570 heteronuclear single quantum coherence Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N n-[(e)-benzylideneamino]aniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N\N=C\C1=CC=CC=C1 JGOAZQAXRONCCI-SDNWHVSQSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUMMCEUVDBVXTQ-UHFFFAOYSA-N naphthalen-1-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=C2C(B(O)O)=CC=CC2=C1 HUMMCEUVDBVXTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N palladium(II) acetate Substances [Pd].CC(O)=O.CC(O)=O LXNAVEXFUKBNMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N pecazine Chemical compound C1N(C)CCCC1CN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATGAWOHQWWULNK-UHFFFAOYSA-I pentapotassium;[oxido(phosphonatooxy)phosphoryl] phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O ATGAWOHQWWULNK-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001798 poly[2-(acrylamido)-2-methyl-1-propanesulfonic acid] polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- BUAWIRPPAOOHKD-UHFFFAOYSA-N pyrene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=C(N)C(N)=CC4=CC=C1C2=C43 BUAWIRPPAOOHKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
- C07C15/20—Polycyclic condensed hydrocarbons
- C07C15/27—Polycyclic condensed hydrocarbons containing three rings
- C07C15/28—Anthracenes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
- C07B2200/05—Isotopically modified compounds, e.g. labelled
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
- C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
- C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
- C07C2603/22—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing only six-membered rings
- C07C2603/24—Anthracenes; Hydrogenated anthracenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1011—Condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 전자 응용에 유용한 중수소화된 아릴-안트라센 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 활성 층이 그러한 중수소화된 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.The present invention relates to deuterated aryl-anthracene compounds useful in electronic applications. The invention also relates to an electronic device wherein the active layer comprises such deuterated compounds.
Description
관련 출원 데이터Related application data
본 출원은 2009년 2월 27일자로 출원된 미국 가특허 출원 제61/156,181호, 2009년 5월 19일자로 출원된 미국 가특허 출원 제61/179,407호, 및 2009년 9월 3일자로 출원된 미국 가특허 출원 제61/239,574호로부터 35 U.S.C.§119(e) 하에 우선권을 주장하며, 이들 각각은 본 명세서에 전체적으로 참고로 포함된다.This application is filed February 27, 2009, US Provisional Patent Application 61 / 156,181, filed May 19, 2009, US Provisional Patent Application 61 / 179,407, and September 3, 2009. Priority is claimed under 35 USC 119 (e) from US Provisional Patent Application No. 61 / 239,574, each of which is incorporated herein by reference in its entirety.
본 발명은 적어도 부분적으로 중수소화된 안트라센 유도체 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 적어도 하나의 활성 층이 그러한 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.The present invention relates to at least partially deuterated anthracene derivative compounds. The invention also relates to an electronic device wherein at least one active layer comprises such a compound.
디스플레이를 구성하는 발광 다이오드와 같이 빛을 방출하는 유기 전자 소자가 많은 상이한 종류의 전자 장비에 존재한다. 그러한 소자 모두에서, 유기 활성 층이 2개의 전기 접촉층 사이에 개재된다. 적어도 하나의 전기 접촉층은 광투과성이어서 빛이 전기 접촉층을 통과할 수 있다. 유기 활성 층은 광투과성 전기 접촉층을 가로질러 전기를 인가할 때 전기 접촉층을 통해 빛을 방출한다.Organic electronic devices that emit light, such as light emitting diodes that make up displays, exist in many different kinds of electronic equipment. In all such devices, an organic active layer is sandwiched between two electrical contact layers. At least one electrical contact layer is light transmissive such that light can pass through the electrical contact layer. The organic active layer emits light through the electrical contact layer when applying electricity across the light transmissive electrical contact layer.
발광 다이오드에서 활성 성분으로서 유기 전계발광 화합물을 사용하는 것은 널리 공지되어 있다. 안트라센, 티아다이아졸 유도체 및 쿠마린 유도체와 같은 단순한 유기 분자가 전계발광을 나타내는 것으로 알려져 있다. 반도체 공액 중합체(semiconductive conjugated polymer)가, 예를 들어, 미국 특허 제5,247,190호, 미국 특허 제5,408,109호, 및 유럽 특허출원 공개 제443 861호에 개시된 바와 같이 전계발광 화합물로서 또한 사용되고 있다. 다수의 경우에, 전계발광 화합물은 호스트 재료 내에 도펀트로서 존재한다.It is well known to use organic electroluminescent compounds as active components in light emitting diodes. Simple organic molecules such as anthracene, thiadiazole derivatives and coumarin derivatives are known to exhibit electroluminescence. Semiconductive conjugated polymers are also used as electroluminescent compounds, for example, as disclosed in US Pat. No. 5,247,190, US Pat. No. 5,408,109, and European Patent Application Publication No. 443 861. In many cases, the electroluminescent compound is present as a dopant in the host material.
전자 소자를 위한 신규 재료의 필요성이 지속적으로 존재한다.There is a continuing need for new materials for electronic devices.
적어도 하나의 중수소 치환체를 갖는 아릴-치환된 안트라센이 제공된다.An aryl-substituted anthracene with at least one deuterium substituent is provided.
상기 화합물을 포함하는 활성 층을 포함하는 전자 소자가 또한 제공된다.There is also provided an electronic device comprising an active layer comprising the compound.
(a) 적어도 하나의 중수소 치환체를 갖는 아릴-치환된 안트라센 및 (b) 380 내지 750 ㎚ 사이에서 발광 최대값을 갖는 전계발광이 가능한 전기활성 도펀트를 포함하는 전기활성 조성물이 또한 제공된다.There is also provided an electroactive composition comprising (a) an aryl-substituted anthracene having at least one deuterium substituent and (b) an electroactive dopant capable of electroluminescence having an emission maximum between 380 and 750 nm.
실시 형태들은 본원에 제시되는 개념의 이해를 돕기 위해 수반되는 도면에서 예시된다.
<도 1>
도 1은 유기 전자 소자의 하나의 예의 도시를 포함한다.
<도 2>
도 2는 비교예 A의 비교 화합물의 1H NMR 스펙트럼을 포함한다.
<도 3>
도 3은 실시예 1의 중수소화된 화합물의 1H NMR 스펙트럼을 포함한다.
<도 4>
도 4는 실시예 1의 중수소화된 화합물의 질량 스펙트럼을 포함한다.
당업자는 도면의 대상이 단순함 및 명확함을 위해 예시되어 있으며 반드시 축척에 맞게 그려진 것은 아니라는 것을 이해한다. 예를 들어, 실시 형태의 이해 증진을 돕기 위해 도면상의 일부 대상의 치수가 다른 대상에 비해 과장될 수 있다.Embodiments are illustrated in the accompanying drawings to assist in understanding the concepts presented herein.
<Figure 1>
1 includes an illustration of one example of an organic electronic device.
<FIG. 2>
2 contains a 1 H NMR spectrum of a comparative compound of Comparative Example A. FIG.
3,
3 includes a 1 H NMR spectrum of the deuterated compound of Example 1. FIG.
<Figure 4>
4 includes a mass spectrum of the deuterated compound of Example 1. FIG.
Those skilled in the art understand that the objects in the drawings are illustrated for simplicity and clarity and are not necessarily drawn to scale. For example, the dimensions of some objects in the drawings may be exaggerated relative to other objects to facilitate understanding of the embodiments.
많은 태양 및 실시 형태가 본원에 개시되며 이들은 예시적이며 제한적인 것은 아니다. 본 명세서를 읽은 후에, 당업자는 다른 태양 및 실시 형태가 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 가능함을 이해한다.Many aspects and embodiments are disclosed herein and these are illustrative and not restrictive. After reading this specification, skilled artisans appreciate that other aspects and embodiments are possible without departing from the scope of the invention.
실시 형태들 중 임의의 하나 이상의 실시 형태의 다른 특징 및 이득이 하기의 상세한 설명 및 특허청구범위로부터 명백해질 것이다. 상세한 설명은 먼저 용어의 정의 및 해설에 대해 검토하며, 중수소화된 화합물, 전자 소자에 대해 이어지고, 마지막으로 실시예가 이어진다.Other features and benefits of any one or more of the embodiments will be apparent from the following detailed description, and from the claims. The detailed description first reviews definitions and explanations of terms, followed by deuterated compounds, electronic devices, and finally examples.
1. 용어의 정의 및 해설1. Definition and Explanation of Terms
이하에서 설명되는 실시 형태의 상세 사항을 다루기 전에, 몇몇 용어를 정의하거나 또는 명확히 하기로 한다.Before discussing the details of the embodiments described below, some terms will be defined or clarified.
본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어"지방족 고리"는 비편재된 pi 전자(delocalized pi electron)를 갖지 않는 환형 기를 의미하고자 하는 것이다. 일부 실시 형태에서, 지방족 고리는 불포화체를 전혀 갖지 않는다. 일부 실시 형태에서, 고리는 하나의 이중 결합 또는 삼중 결합을 갖는다.As used herein, the term "aliphatic ring" is intended to mean a cyclic group having no delocalized pi electrons. In some embodiments, aliphatic rings have no unsaturated. In some embodiments, the ring has one double bond or triple bond.
용어 "알콕시"는 R이 알킬인 RO- 기를 지칭한다.The term "alkoxy" refers to the group RO-, wherein R is alkyl.
용어 "알킬"은 하나의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유도된 기를 의미하고자 하는 것으로, 선형, 분지형 또는 환형 기를 포함한다. 이 용어는 헤테로알킬을 포함하고자 하는 것이다. 용어 "탄화수소 알킬"은 헤테로원자를 갖지 않는 알킬 기를 말한다. 용어 "중수소화된 알킬"은 적어도 하나의 이용가능한 H가 D로 대체된 탄화수소 알킬이다. 일부 실시 형태에서, 알킬 기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는다.The term "alkyl" is intended to mean a group derived from an aliphatic hydrocarbon having one point of attachment and includes linear, branched or cyclic groups. This term is intended to include heteroalkyls. The term "hydrocarbon alkyl" refers to an alkyl group having no heteroatoms. The term "deuterated alkyl" is hydrocarbon alkyl wherein at least one available H is replaced by D. In some embodiments, an alkyl group has 1 to 20 carbon atoms.
용어 "분지화된 알킬"은 적어도 하나의 2차 또는 3차 탄소를 갖는 알킬 기를 말한다. 용어 "2차 알킬"은 2차 탄소 원자를 갖는 분지화된 알킬 기를 말한다. 용어 "3차 알킬"은 3차 탄소 원자를 갖는 분지화된 알킬 기를 말한다. 일부 실시 형태에서, 분지화된 알킬 기는 2차 또는 3차 탄소를 통해 부착된다.The term "branched alkyl" refers to an alkyl group having at least one secondary or tertiary carbon. The term "secondary alkyl" refers to branched alkyl groups having secondary carbon atoms. The term "tertiary alkyl" refers to a branched alkyl group having a tertiary carbon atom. In some embodiments, branched alkyl groups are attached through secondary or tertiary carbons.
용어 "아릴"은 하나의 부착점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유도되는 기를 의미하고자 한다. 용어 "방향족 화합물"은 비편재된 pi 전자를 갖는 적어도 하나의 불포화 환형 기를 포함하는 유기 화합물을 의미하고자 하는 것이다. 이 용어는 헤테로아릴을 포함하고자 하는 것이다. 용어 "탄화수소 아릴"은 고리 내에 헤테로원자를 갖지 않는 방향족 화합물을 의미하고자 하는 것이다. 용어 아릴은 단일 고리를 갖는 기, 및 단일 결합에 의해 연결될 수 있거나 함께 융합될 수 있는 다중 고리를 갖는 기를 포함한다. 용어 "중수소화된 아릴"은 아릴에 직접 결합된 적어도 하나의 이용가능한 H가 D로 대체된 아릴 기를 지칭한다. 용어 "아릴렌"은 2개의 부착점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유도되는 기를 의미하고자 한다. 일부 실시 형태에서, 아릴 기는 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는다.The term "aryl" is intended to mean a group derived from an aromatic hydrocarbon having one point of attachment. The term "aromatic compound" is intended to mean an organic compound comprising at least one unsaturated cyclic group having unlocalized pi electrons. This term is intended to include heteroaryls. The term "hydrocarbon aryl" is intended to mean an aromatic compound having no heteroatoms in the ring. The term aryl includes groups having a single ring and groups having multiple rings which may be linked by a single bond or may be fused together. The term “deuterated aryl” refers to an aryl group in which at least one available H directly bonded to aryl is replaced with D. The term "arylene" is intended to mean a group derived from an aromatic hydrocarbon having two points of attachment. In some embodiments, aryl groups have 3 to 60 carbon atoms.
용어 "아릴옥시"는 R이 아릴인 RO- 기를 지칭한다.The term "aryloxy" refers to the group RO-, where R is aryl.
용어 "화합물"은 분자로 이루어진 전기적으로 하전되지 않은 물질을 의미하고자 하는 것으로, 분자는 추가로 원자로 구성되고, 여기서 원자는 물리적 수단으로 분리할 수 없다. 어구 "인접한"은, 소자 내의 층을 지칭하기 위해 사용될 때, 한 층이 다른 층의 바로 옆에 있는 것을 반드시 의미하지는 않는다. 한편, 어구 "인접한 R 기들"은 화학식에서 서로 옆에 있는 R 기들(즉, 결합에 의해서 연결된 원자들 상에 있는 R 기들)을 말하는데 사용된다.The term "compound" is intended to mean an electrically uncharged substance consisting of molecules, where the molecule is further composed of atoms, wherein the atoms cannot be separated by physical means. The phrase "adjacent", when used to refer to a layer in a device, does not necessarily mean that one layer is next to another layer. On the other hand, the phrase "adjacent R groups" is used in the formula to refer to R groups next to each other (ie, R groups on atoms connected by a bond).
"중수소화된"이라는 용어는 적어도 하나의 수소(H)가 중수소(D)로 대체되었음을 의미하고자 하는 것이다. 중수소는 자연 존재비(natural abundance) 수준의 적어도 100배로 존재한다. 화합물 X의 "중수소화된 유도체"는 화합물 X와 동일한 구조를 가지나, H를 대체하는 적어도 하나의 D를 동반한다.The term "deuterated" is intended to mean that at least one hydrogen (H) has been replaced with deuterium (D). Deuterium is present at least 100 times the natural abundance level. A “deuterated derivative” of compound X has the same structure as compound X but is accompanied by at least one D that replaces H.
용어 "도펀트"는, 호스트 재료를 포함하는 층 내의 재료로서, 그러한 재료의 부재 시의 층의 방사선 방출, 수용 또는 여과의 파장(들) 또는 전자적 특성(들)과 비교하여 층의 방사선 방출, 수용 또는 여과의 목표 파장(들) 또는 전자적 특성(들)을 변화시키는 재료를 의미하고자 하는 것이다.The term “dopant” is a material in a layer comprising a host material, the radiation emission, reception of the layer compared to the wavelength (s) or electronic characteristic (s) of the radiation emission, reception or filtration of the layer in the absence of such material. Or a material that changes the target wavelength (s) or electronic property (s) of filtration.
층 또는 재료를 지칭할 때, 용어 "전기활성"은 전자 특성 또는 전자-방사 특성을 나타내는 층 또는 재료를 의미하고자 하는 것이다. 전자 소자에서, 전기활성 재료는 소자의 작동을 전자적으로 촉진한다. 전기활성 재료의 예에는 전자 또는 정공일 수 있는 전하를 전도, 주입, 수송, 또는 차단하는 재료와, 방사를 수용할 때 전자-정공 쌍의 농도 변화를 나타내거나 방사를 방출하는 재료가 포함되나 이에 한정되지 않는다. 비활성 재료의 예에는 평탄화 재료, 절연 재료, 및 환경 장벽 재료가 포함되지만 이에 한정되지 않는다.When referring to a layer or material, the term "electroactive" is intended to mean a layer or material that exhibits electronic or electro-radiative properties. In electronic devices, the electroactive material electronically promotes the operation of the device. Examples of electroactive materials include, but are not limited to, materials that conduct, inject, transport, or block charge, which may be electrons or holes, and materials that exhibit a change in concentration or emit radiation of an electron-hole pair when accepting radiation. It doesn't work. Examples of inert materials include, but are not limited to planarization materials, insulating materials, and environmental barrier materials.
접두사 "헤테로"는 하나 이상의 탄소 원자가 상이한 원자로 대체된 것을 지시한다. 일부 실시 형태에서, 상이한 원자는 N, O 또는 S이다.The prefix "hetero" indicates that one or more carbon atoms have been replaced with a different atom. In some embodiments, the different atoms are N, O or S.
용어 "호스트 재료"는 도펀트가 첨가되는 재료를 의미하고자 하는 것이다. 호스트 재료는 전자적 특성(들) 또는 방사를 방출, 수용 또는 여과하는 능력을 갖거나 갖지 않을 수 있다. 일부 실시 형태에서, 호스트 재료는 더 높은 농도로 존재한다.The term "host material" is intended to mean the material to which the dopant is added. The host material may or may not have electronic property (s) or the ability to emit, receive or filter radiation. In some embodiments, the host material is present at higher concentrations.
용어 "층"은 용어 "필름"과 상호 교환가능하게 사용되며, 원하는 영역을 덮는 코팅을 지칭한다. 이 용어는 크기에 의해 한정되지 않는다. 영역은 전체 소자만큼 크거나, 실제 영상 디스플레이(visual display)와 같은 특정 기능성 영역만큼 작거나, 단일 부화소(sub-pixel)만큼 작을 수 있다. 층 및 필름은 임의의 관용적인 침착(deposition) 기술, 예를 들어 증착(vapor deposition), 액체 침착(liquid deposition)(연속식 및 불연속식 기술), 및 열전사(thermal transfer)에 의해 형성될 수 있다. 연속식 침착 기술은 스핀 코팅(spin coating), 그라비어 코팅(gravure coating), 커튼 코팅(curtain coating), 딥 코팅(dip coating), 슬롯-다이 코팅(slot-die coating), 분무 코팅(spray coating) 및 연속식 노즐 코팅(continuous nozzle coating)을 포함하나 이에 제한되지 않는다. 불연속식 침착 기술은 잉크젯 인쇄(ink jet printing), 그라비어 인쇄(gravure printing) 및 스크린 인쇄(screen printing)를 포함하나 이에 제한되지 않는다.The term "layer" is used interchangeably with the term "film" and refers to a coating covering a desired area. This term is not limited by size. The area can be as large as the entire device, as small as a specific functional area, such as an actual visual display, or as small as a single sub-pixel. Layers and films can be formed by any conventional deposition technique, such as vapor deposition, liquid deposition (continuous and discontinuous techniques), and thermal transfer. have. Continuous deposition techniques include spin coating, gravure coating, curtain coating, dip coating, slot-die coating, spray coating And continuous nozzle coating. Discontinuous deposition techniques include, but are not limited to, ink jet printing, gravure printing, and screen printing.
용어 "유기 전자 소자" 또는 때때로 단지"전자 소자"는 하나 이상의 유기 반도체 층 또는 재료를 포함하는 소자를 의미하고자 한다. 모든 기는 달리 지시되지 않는 한, 치환 또는 비치환될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 치환체는 D, 할라이드, 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 시아노, 및 NR2로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 R은 알킬 또는 아릴이다.The term "organic electronic device" or sometimes only "electronic device" is intended to mean a device comprising one or more organic semiconductor layers or materials. All groups can be substituted or unsubstituted unless otherwise indicated. In some embodiments, the substituents are selected from the group consisting of D, halides, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, cyano, and NR 2 , where R is alkyl or aryl.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 본원에서 기술되는 것과 유사하거나 균등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에서 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료는 하기에 기술된다. 본 명세서에 언급되는 모든 간행물, 특허 출원, 특허 및 다른 참고 문헌은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다. 상충되는 경우에는, 정의를 비롯하여 본 명세서가 좌우할 것이다. 또한 재료, 방법, 및 실시예는 단지 예시적인 것이며 한정하고자 하는 것은 아니다.Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described below. All publications, patent applications, patents, and other references mentioned herein are incorporated by reference in their entirety. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control. In addition, the materials, methods, and examples are illustrative only and not intended to be limiting.
전체적으로 IUPAC 번호 체계를 사용하며, 여기서 주기율표의 족은 좌에서 우로 1 내지 18로 번호가 매겨진다 (문헌[CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition, 2000]).The IUPAC numbering system is used throughout, where the families of the periodic table are numbered 1 to 18 from left to right (CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition, 2000).
2. 중수소화된 화합물2. Deuterated Compounds
새로운 중수소화된 화합물은 적어도 하나의 D를 갖는, 아릴-치환된 안트라센 화합물이다. 일부 실시 형태에서, 화합물은 10% 이상 중수소화된다. 이는 10% 이상의 H가 D로 대체됨을 의미한다. 일부 실시 형태에서, 화합물은 20% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 30% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 40% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 50% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 60% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 70% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 80% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 90% 이상 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 화합물은 100% 중수소화된다.The new deuterated compound is an aryl-substituted anthracene compound having at least one D. In some embodiments, the compound is at least 10% deuterated. This means that at least 10% of H is replaced by D. In some embodiments, the compound is at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the compound is 100% deuterated.
일 실시 형태에서, 중수소화된 화합물은 하기 화학식 I:In one embodiment, the deuterated compound is represented by Formula I:
[화학식 I][Formula I]
(여기서,(here,
R1 내지 R8은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실록산, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 1 to R 8 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, D, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl;
Ar1 및 Ar2는 동일하거나 상이하며, 아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;Ar 1 and Ar 2 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups;
Ar3 및 Ar4는 동일하거나 상이하며, H, D, 및 아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택됨)을 가지며,Ar 3 and Ar 4 are the same or different and selected from the group consisting of H, D, and aryl groups),
적어도 하나의 D를 갖는다.Has at least one D.
화학식 I의 일부 실시 형태에서, 적어도 하나의 D가 아릴 고리 상의 치환체 기에 존재한다. 일부 실시 형태에서, 치환체 기는 알킬 및 아릴로부터 선택된다.In some embodiments of Formula I, at least one D is in a substituent group on an aryl ring. In some embodiments, substituent groups are selected from alkyl and aryl.
화학식 I의 일부 실시 형태에서, R1 내지 R8 중 적어도 하나는 D이다. 일부 실시 형태에서, R1 내지 R8 중 적어도 2개는 D이다. 일부 실시 형태에서는, 적어도 3개가 D이고; 일부 실시 형태에서는, 적어도 4개가 D이고; 일부 실시 형태에서는, 적어도 5개가 D이고; 일부 실시 형태에서는, 적어도 6개가 D이고; 일부 실시 형태에서는, 적어도 7개가 D이다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 전부가 D이다.In some embodiments of Formula I, at least one of R 1 to R 8 is D. In some embodiments, at least two of R 1 to R 8 are D. In some embodiments, at least three are D; In some embodiments, at least four are D; In some embodiments, at least 5 is D; In some embodiments, at least 6 is D; In some embodiments, at least seven is D. In some embodiments, all of R 1 to R 8 are D.
일부 실시 형태에서, R1 내지 R8은 H 및 D로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 중 하나가 D이고 7개가 H이다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 중 2개가 D이고 6개가 H이다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 중 3개가 D이고 5개가 H이다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 중 4개가 D이고 4개가 H이다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 중 5개가 D이고 3개가 H이다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 중 6개가 D이고 2개가 H이다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 중 7개가 D이고 하나가 H이다. 일부 실시 형태에서는, R1 내지 R8 중 8개가 D이다.In some embodiments, R 1 to R 8 are selected from H and D. In some embodiments, one of R 1 to R 8 is D and seven are H. In some embodiments, two of R 1 to R 8 are D and six are H. In some embodiments, three of R 1 to R 8 are D and five are H. In some embodiments, four of R 1 to R 8 are D and four are H. In some embodiments, five of R 1 to R 8 are D and three are H. In some embodiments, six of R 1 to R 8 are D and two are H. In some embodiments, seven of R 1 to R 8 are D and one is H. In some embodiments, eight of R 1 to R 8 are D.
일부 실시 형태에서, R1 내지 R8 중 적어도 하나는 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실록산, 및 실릴로부터 선택되고, R1 내지 R8 중 나머지는 H 및 D로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, R2는 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실록산, 및 실릴로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, R2는 알킬 및 아릴로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, R2는 중수소화된 알킬 및 중수소화된 아릴로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, R2는 10% 이상 중수소화된, 중수소화된 아릴로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, R2는 20% 이상 중수소화된; 일부 실시 형태에서, 30% 이상 중수소화된; 일부 실시 형태에서, 40% 이상 중수소화된; 일부 실시 형태에서, 50% 이상 중수소화된; 일부 실시 형태에서, 60% 이상 중수소화된; 일부 실시 형태에서, 70% 이상 중수소화된; 일부 실시 형태에서, 80% 이상 중수소화된; 일부 실시 형태에서, 90% 이상 중수소화된, 중수소화된 아릴로부 선택된다. 일부 실시 형태에서, R2는 100% 중수소화된, 중수소화된 아릴로부터 선택된다.In some embodiments, at least one of R 1 to R 8 is selected from alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl, and the remaining of R 1 to R 8 are selected from H and D. In some embodiments, R 2 is selected from alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl. In some embodiments, R 2 is selected from alkyl and aryl. In some embodiments, R 2 is selected from deuterated alkyl and deuterated aryl. In some embodiments, R 2 is selected from at least 10% deuterated, deuterated aryl. In some embodiments, R 2 is at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% is selected from deuterated, deuterated aryl. In some embodiments, R 2 is selected from 100% deuterated, deuterated aryl.
화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ar1 내지 Ar4 중 적어도 하나는 중수소화된 아릴이다. 일부 실시 형태에서, Ar3 및 Ar4는 D 및 중수소화된 아릴로부터 선택된다.In some embodiments of Formula I, at least one of Ar 1 to Ar 4 is deuterated aryl. In some embodiments, Ar 3 and Ar 4 are selected from D and deuterated aryl.
화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ar1 내지 Ar4는 10% 이상 중수소화된다. 화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ar1 내지 Ar4는 20% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 30% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 40% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 50% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 60% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 70% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 80% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 90% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 100% 중수소화된다.In some embodiments of Formula I, Ar 1 to Ar 4 are at least 10% deuterated. In some embodiments of Formula I, Ar 1 to Ar 4 are at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.
일부 실시 형태에서, 화학식 I의 화합물은 10% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 20% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 30% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 40% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 50% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 60% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 70% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 80% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 90% 이상 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 화합물은 100% 중수소화된다.In some embodiments, the compound of formula I is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the compound is 100% deuterated.
일부 실시 형태에서, Ar1 및 Ar2는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트라세닐, 및 그의 중수소화된 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, Ar1 및 Ar2는 페닐, 나프틸, 및 그의 중수소화된 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Ar 1 and Ar 2 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, and deuterated derivatives thereof. In some embodiments, Ar 1 and Ar 2 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, and deuterated derivatives thereof.
일부 실시 형태에서, Ar3 및 Ar4는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트라세닐, 페닐나프틸렌, 나프틸페닐렌, 그의 중수소화된 유도체, 및 하기 화학식 II를 갖는 기로 이루어진 군으로부터 선택된다:In some embodiments, Ar 3 and Ar 4 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, phenylnaphthylene, naphthylphenylene, deuterated derivatives thereof, and groups having formula II:
[화학식 II]≪ RTI ID = 0.0 &
(여기서,(here,
R9는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 알킬, 알콕시, 실록산 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는 인접한 R9 기들이 함께 연결되어 방향족 고리를 형성할 수 있고;R 9 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of H, D, alkyl, alkoxy, siloxane and silyl, or adjacent R 9 groups can be linked together to form an aromatic ring;
m은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 1 내지 6의 정수임).m is the same or different at each occurrence and is an integer from 1 to 6).
일부 실시 형태에서, Ar3 및 Ar4는 페닐, 나프틸, 페닐나프틸렌, 나프틸페닐렌, 그의 중수소화된 유도체, 및 하기 화학식 III을 갖는 기로 이루어진 군으로부터 선택된다:In some embodiments, Ar 3 and Ar 4 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenylnaphthylene, naphthylphenylene, deuterated derivatives thereof, and a group having formula III:
[화학식 III][Formula III]
(여기서, R9 및 m은 화학식 II에 대해 상기에 정의된 바와 같음). 일부 실시 형태에서, m은 1 내지 3의 정수이다.Wherein R 9 and m are as defined above for Formula II. In some embodiments, m is an integer from 1 to 3.
일부 실시 형태에서, Ar1 내지 Ar4 중 적어도 하나는 헤테로아릴 기이다. 일부 실시 형태에서, 헤테로아릴 기는 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 헤테로아릴 기는 10% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 20% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 30% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 40% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 50% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 60% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 70% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 80% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 90% 이상 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 헤테로아릴 기는 100% 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 헤테로아릴 기는 카르바졸, 벤조푸란, 다이벤조푸란, 및 그의 중수소화된 유도체로부터 선택된다.In some embodiments, at least one of Ar 1 to Ar 4 is a heteroaryl group. In some embodiments, the heteroaryl group is deuterated. In some embodiments, the heteroaryl group is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the heteroaryl group is 100% deuterated. In some embodiments, the heteroaryl group is selected from carbazole, benzofuran, dibenzofuran, and deuterated derivatives thereof.
화학식 I의 일부 실시 형태에서, R1 내지 R8 중 적어도 하나는 D이고 Ar1 내지 Ar4 중 적어도 하나는 중수소화된 아릴이다. 일부 실시 형태에서, 화합물은 10% 이상 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 화합물은 20% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 30% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 40% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 50% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 60% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 70% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 80% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 90% 이상 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 화합물은 100% 중수소화된다.In some embodiments of Formula I, at least one of R 1 to R 8 is D and at least one of Ar 1 to Ar 4 is deuterated aryl. In some embodiments, the compound is at least 10% deuterated. In some embodiments, the compound is at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the compound is 100% deuterated.
화학식 I을 갖는 화합물의 일부 비제한적인 예는 하기 화합물 H1 내지 화합물 H14를 포함한다:Some non-limiting examples of compounds having Formula I include the following compounds H1 through H14:
화합물 H1:Compound H1:
(여기서, x + y + z + n은 1 내지 26임)Where x + y + z + n is 1 to 26
화합물 H2:Compound H2:
(여기서, x + y + z + p + n은 1 내지 30임)Where x + y + z + p + n is 1 to 30
화합물 H3:Compound H3:
(여기서, x + y + z + p + n + r은 1 내지 32임)Where x + y + z + p + n + r is 1 to 32
화합물 H4:Compound H4:
(여기서, x + y + z + p + n은 1 내지 18임)Where x + y + z + p + n is 1 to 18
화합물 H5:Compound H5:
(여기서, x + y + z + p + n + q는 1 내지 34임)Where x + y + z + p + n + q is 1 to 34
화합물 H6:Compound H6:
(여기서, x + y + z + n은 1 내지 18임)Where x + y + z + n is 1 to 18
화합물 H7:Compound H7:
(여기서, x + y + z + p + n은 1 내지 28임)Where x + y + z + p + n is 1 to 28
화합물 H8:Compound H8:
화합물 H9:Compound H9:
화합물 H10:Compound H10:
화합물 H11:Compound H11:
화합물 H12:Compound H12:
화합물 H13:Compound H13:
화합물 H14:Compound H14:
새로운 화합물의 비-중수소화된 유사체가 공지의 커플링 및 치환 반응에 의해 제조될 수 있다. 이어서, 중수소화된 전구체 재료를 사용하는 유사한 방식으로, 또는 더욱 일반적으로, 루이스 산 H/D 교환 촉매, 예를 들어, 알루미늄 트라이클로라이드 또는 에틸 알루미늄 클로라이드, 또는 산, 예를 들어, CF3COOD, DCl 등의 존재 하에 d6-벤젠과 같은 중수소화된 용매로 비-중수소화된 화합물을 처리함으로써 새로운 중수소화된 화합물이 제조될 수 있다. 예시적인 제조를 실시예에 제공한다. NMR 분석 및 질량 분석법, 예를 들어 대기압 고체 분석 탐침 질량 분석법(ASAP-MS: Atmospheric Solids Analysis Probe Mass Spectrometry)에 의해 중수소화 수준을 결정할 수 있다. 과중수소화되거나 부분적으로 중수소화된 방향족 화합물 또는 알킬 화합물의 시재료는 상업적 공급원으로부터 구매하거나 또는 공지의 방법을 사용하여 수득할 수 있다. 이러한 방법의 일부 예는 하기 문헌에서 확인할 수 있다: a) 문헌["Efficient H/D Exchange Reactions of Alkyl-Substituted Benzene Derivatives by Means of the Pd/C-H2-D2O System " Hiroyoshi Esaki, Fumiyo Aoki, Miho Umemura, Masatsugu Kato, Tomohiro Maegawa, Yasunari Monguchi, and Hironao Sajiki Chem. Eur. J. 2007, 13, 4052 - 4063]; b) 문헌["Aromatic H/D Exchange Reaction Catalyzed by Groups 5 and 6 Metal Chlorides" GUO, Qiao-Xia, SHEN, Bao-Jian; GUO, Hai-Qing TAKAHASHI, Tamotsu Chinese Journal of Chemistry, 2005, 23, 341-344]; c) 문헌["A novel deuterium effect on dual charge-transfer and ligand-field emission of the cis-dichlorobis(2,2'-bipyridine)iridium(III) ion" Richard J. Watts, Shlomo Efrima, and Horia Metiu J. Am. Chem. Soc., 1979, 101 (10), 2742-2743]; d) 문헌["Efficient H-D Exchange of Aromatic Compounds in Near-Critical D20 Catalysed by a Polymer-Supported Sulphonic Acid" Carmen Boix and Martyn Poliakoff Tetrahedron Letters 40 (1999) 4433-4436]; e) 미국 특허 제3849458호; f) 문헌["Efficient C-H/C-D Exchange Reaction on the Alkyl Side Chain of Aromatic Compounds Using Heterogeneous Pd/C in D2O" Hironao Sajiki, Fumiyo Aoki, Hiroyoshi Esaki, Tomohiro Maegawa, and Kosaku Hirota Org. Lett., 2004, 6 (9), 1485-1487].Non-deuterated analogs of the new compounds can be prepared by known coupling and substitution reactions. Then in a similar manner using deuterated precursor materials, or more generally, Lewis acid H / D exchange catalysts such as aluminum trichloride or ethyl aluminum chloride, or acids such as CF 3 COOD, New deuterated compounds can be prepared by treating non-deuterated compounds with deuterated solvents such as d6-benzene in the presence of DCl and the like. Exemplary preparations are provided in the Examples. Deuteration levels can be determined by NMR analysis and mass spectrometry, such as Atmospheric Solids Analysis Probe Mass Spectrometry (ASAP-MS). Starting materials for overdeuterated or partially deuterated aromatic compounds or alkyl compounds can be purchased from commercial sources or obtained using known methods. Some examples of such methods can be found in the following literature: a) [Efficient H / D Exchange Reactions of Alkyl-Substituted Benzene Derivatives by Means of the Pd / C-H2-D2O System "Hiroyoshi Esaki, Fumiyo Aoki, Miho Umemura, Masatsugu Kato, Tomohiro Maegawa, Yasunari Monguchi, and Hironao Sajiki Chem. Eur. J. 2007, 13, 4052-4063; b) “Aromatic H / D Exchange Reaction Catalyzed by Groups 5 and 6 Metal Chlorides” GUO, Qiao-Xia, SHEN, Bao-Jian; GUO, Hai-Qing TAKAHASHI, Tamotsu Chinese Journal of Chemistry, 2005, 23, 341-344; c) A novel deuterium effect on dual charge-transfer and ligand-field emission of the cis-dichlorobis (2,2'-bipyridine) iridium (III) ion "Richard J. Watts, Shlomo Efrima, and Horia Metiu J Am. Chem. Soc., 1979, 101 (10), 2742-2743; d) "Efficient HD Exchange of Aromatic Compounds in Near-Critical D20 Catalysed by a Polymer-Supported Sulphonic Acid" Carmen Boix and Martyn Poliakoff Tetrahedron Letters 40 (1999) 4433-4436; e) US Patent No. 3849458; f) See “Efficient CH / CD Exchange Reaction on the Alkyl Side Chain of Aromatic Compounds Using Heterogeneous Pd / C in D 2 O” Hironao Sajiki, Fumiyo Aoki, Hiroyoshi Esaki, Tomohiro Maegawa, and Kosaku Hirota Org. Lett., 2004, 6 (9), 1485-1487].
본 명세서에 기술된 화합물은 액체 침착 기술을 사용하여 필름으로 형성할 수 있다. 의외로 놀랍게도, 이들 화합물은 유사한 비-중수소화된 화합물에 비교할 때 크게 개선된 특성을 갖는다. 본 명세서에 기술된 화합물을 가진 활성 층을 포함하는 전자 소자는 크게 개선된 수명을 갖는다. 부가적으로, 수명 증가는 높은 양자 효율 및 양호한 색 포화도(color saturation)와 조합하여 달성된다. 추가로, 본 명세서에 기술된 중수소화된 화합물은 비-중수소화된 유사체보다 큰 공기 용인성(air tolerance)을 갖는다. 이는, 재료의 제조 및 정제, 및 재료를 사용하는 전자 소자의 형성 양자 모두에 있어서, 더 큰 가공 용인성(processing tolerance)을 유발할 수 있다.The compounds described herein can be formed into films using liquid deposition techniques. Surprisingly surprising, these compounds have significantly improved properties when compared to similar non-deuterated compounds. Electronic devices comprising an active layer with a compound described herein have a greatly improved lifetime. In addition, the lifetime increase is achieved in combination with high quantum efficiency and good color saturation. In addition, the deuterated compounds described herein have greater air tolerance than non-deuterated analogs. This can lead to greater processing tolerances, both in the manufacture and purification of materials, and in the formation of electronic devices using the materials.
3. 전자 소자3. Electronic device
본 명세서에 기재된 전계발광 재료를 포함하는 하나 이상의 층을 갖는 것으로부터 이익을 얻을 수 있는 유기 전자 소자는 (1) 전기 에너지를 방사선으로 변환하는 소자(예컨대, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 또는 다이오드 레이저), (2) 전자공학적 공정을 통해 신호를 검출하는 소자(예컨대, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 광스위치, 광트랜지스터, 광전관, IR 검출기), (3) 방사선을 전기 에너지로 변환하는 소자(예컨대, 광기전 소자 또는 태양 전지), 및 (4) 하나 이상의 유기 반도체 층을 포함하는 하나 이상의 전자 구성요소를 포함하는 소자(예컨대, 트랜지스터 또는 다이오드)를 포함하지만 이로 한정되지 않는다.Organic electronic devices that may benefit from having one or more layers comprising the electroluminescent materials described herein include (1) devices that convert electrical energy into radiation (eg, light emitting diodes, light emitting diode displays, or diode lasers). ), (2) devices that detect signals through electronic engineering processes (e.g. photodetectors, photoconductive cells, photoresistors, optical switches, phototransistors, phototubes, IR detectors), (3) converting radiation into electrical energy Devices (eg, photovoltaic devices or solar cells), and (4) devices (eg, transistors or diodes) comprising one or more electronic components comprising one or more organic semiconductor layers.
유기 전자 소자 구조의 일례를 도 1에 나타낸다. 소자(100)는 제1 전기 접촉 층인 애노드 층(110)과 제2 전기 접촉 층인 캐소드 층(160), 및 그 사이의 전기활성 층(140)을 갖는다. 애노드에 인접하여 정공 주입 층(120)이 존재할 수 있다. 정공 주입 층에 인접하여, 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 층(130)이 존재할 수 있다. 캐소드에 인접하여, 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 층(150)이 있을 수 있다. 소자는 애노드(110) 옆의 하나 이상의 부가적인 정공 주입 또는 정공 수송 층(도시하지 않음) 및/또는 캐소드(160) 옆의 하나 이상의 부가적인 전자 주입 또는 전자 수송 층(도시하지 않음)을 사용할 수 있다.An example of an organic electronic element structure is shown in FIG.
층(120 내지 150)을 개별적으로 그리고 집합적으로 활성 층이라고 부른다.Layers 120-150 are individually and collectively called active layers.
일 실시 형태에서, 다양한 층들은 하기 범위의 두께를 갖는다: 애노드(110)는 500 내지 5000 Å, 일 실시 형태에서는 1000 내지 2000 Å이며; 정공 주입 층(120)은 50 내지 2000 Å, 일 실시 형태에서는 200 내지 1000 Å이며; 정공 수송 층(130)은 50 내지 2000 Å, 일 실시 형태에서는 200 내지 1000 Å이며; 전기활성 층(140)은 10 내지 2000 Å, 일 실시 형태에서는 100 내지 1000 Å이며; 층(150)은 50 내지 2000 Å, 일 실시 형태에서는 100 내지 1000 Å이며; 캐소드(160)는 200 내지 10000 Å, 일 실시 형태에서는 300 내지 5000 Å이다. 소자 내의 전자-정공 재조합 구역(electron-hole recombination zone)의 위치, 즉 소자의 발광 스펙트럼은 각 층의 상대적인 두께에 의해 영향을 받을 수 있다. 층 두께의 요구되는 비는 사용된 재료의 정확한 성질에 좌우될 것이다.In one embodiment, the various layers have a thickness in the following range:
소자(100)의 용도에 따라, 전기활성 층(140)은 (발광 다이오드 또는 발광 전기화학 전지 내에서와 같이) 인가된 전압에 의해 활성화되는 발광 층, 또는 방사 에너지에 응답하여 (광검출기 내에서와 같이) 인가된 바이어스 전압에 의해 또는 바이어스 전압 없이 신호를 발생시키는 재료의 층일 수 있다. 광검출기의 예에는 광전도성 전지, 광저항기, 광스위치, 광트랜지스터 및 광전관, 및 광기전 전지가 포함되며, 이들 용어는 문헌[Markus, John, Electronics and Nucleonics Dictionary, 470 and 476 (McGraw-Hill, Inc. 1966)]에 기술되어 있다.Depending on the use of the
본 명세서에 기재된 하나 이상의 새로운 중수소화된 재료가 소자의 하나 이상의 활성 층에 존재할 수 있다. 중수소화된 재료는 단독으로 사용되거나 비-중수소화된 재료와 조합하여 사용될 수 있다.One or more new deuterated materials described herein may be present in one or more active layers of the device. Deuterated materials may be used alone or in combination with non-deuterated materials.
일부 실시 형태에서, 새로운 중수소화된 화합물은 층(130)에서 정공 수송 재료로서 유용하다. 일부 실시 형태에서는, 적어도 하나의 부가적인 층이 새로운 중수소화된 재료를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 정공 주입 층(120)이다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 전기활성 층(140)이다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 전자 수송 층(150)이다.In some embodiments, the new deuterated compounds are useful as hole transport materials in
일부 실시 형태에서, 새로운 중수소화된 화합물은 전기활성 층(140)에서 전기활성 도펀트 재료를 위한 호스트 재료로서 유용하다. 일부 실시 형태에서, 발광 재료가 또한 중수소화된다. 일부 실시 형태에서는, 적어도 하나의 부가적인 층이 중수소화된 재료를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 정공 주입 층(120)이다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 정공 수송 층(130)이다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 전자 수송 층(150)이다.In some embodiments, the new deuterated compounds are useful as host materials for the electroactive dopant material in the
일부 실시 형태에서, 새로운 중수소화된 화합물은 층(150)에서 전자 수송 재료로서 유용하다. 일부 실시 형태에서는, 적어도 하나의 부가적인 층이 중수소화된 재료를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 정공 주입 층(120)이다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 정공 수송 층(130)이다. 일부 실시 형태에서, 부가적인 층은 전기활성 층(140)이다.In some embodiments, the new deuterated compounds are useful as electron transport materials in
일부 실시 형태에서 전자 소자는, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전기활성 층, 및 전자 수송 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 층의 임의의 조합 내에 중수소화된 재료를 갖는다.In some embodiments the electronic device has a deuterated material in any combination of a layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electroactive layer, and an electron transport layer.
일부 실시 형태에서, 소자는 가공을 보조하거나 기능성을 개선하기 위한 부가적인 층을 갖는다. 이들 층 중의 전부 또는 임의의 층이 중수소화된 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서는, 모든 유기 소자 층이 중수소화된 재료를 포함한다. 일부 실시 형태에서는, 모든 유기 소자 층이 필수적으로 중수소화된 재료로 구성된다.In some embodiments, the device has additional layers to aid processing or to improve functionality. All or any of these layers may comprise deuterated materials. In some embodiments, all the organic device layers comprise deuterated materials. In some embodiments, all organic device layers consist essentially of deuterated material.
a. 전기활성 층a. Electroactive layer
화학식 I의 새로운 중수소화된 화합물은 층(140)에서 전기 활성 도펀트 재료를 위한 호스트 재료로서 유용하다. 화합물은 단독으로, 또는 제2 호스트 재료와 조합하여 사용될 수 있다. 새로운 중수소화된 화합물은 임의의 색상의 발광을 갖는 도펀트를 위한 호스트로서 사용될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 새로운 중수소화된 화합물은 녹색 또는 청색 발광 재료를 위한 호스트로서 사용된다.The new deuterated compounds of formula (I) are useful as host materials for electroactive dopant materials in
일부 실시 형태에서, 전기활성 층은 화학식 I을 갖는 호스트 재료 및 하나 이상의 전기활성 도펀트로 본질적으로 이루어진다. 일부 실시 형태에서, 전기활성 층은 화학식 I을 갖는 제1 호스트 재료, 제2 호스트 재료, 및 전기활성 도펀트로 본질적으로 이루어진다. 제2 호스트 재료의 예에는 크라이센, 페난트렌, 트라이페닐렌, 페난트롤린, 나프탈렌, 안트라센, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 페닐피리딘, 벤조다이푸란, 및 금속 퀴놀레이트 착물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다.In some embodiments, the electroactive layer consists essentially of a host material having Formula I and one or more electroactive dopants. In some embodiments, the electroactive layer consists essentially of the first host material, the second host material, and the electroactive dopant having Formula I. Examples of second host materials include, but are not limited to, chrysene, phenanthrene, triphenylene, phenanthroline, naphthalene, anthracene, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, phenylpyridine, benzodifuran, and metal quinolate complexes It doesn't work.
전기활성 조성물에 존재하는 도펀트의 양은 조성물의 총 중량을 기준으로 일반적으로 3 내지 20 중량%; 일부 실시 형태에서, 5 내지 15 중량%의 범위이다. 제2 호스트가 존재하는 경우, 화학식 I을 갖는 제1 호스트 대 제2 호스트의 비는 일반적으로 1:20 내지 20:1; 일부 실시 형태에서, 5:15 내지 15:5의 범위이다. 일부 실시 형태에서, 화학식 I을 갖는 제1 호스트 재료는 전체 호스트 재료의 50 중량% 이상; 일부 실시 형태에서, 70 중량% 이상이다.The amount of dopant present in the electroactive composition is generally from 3 to 20% by weight, based on the total weight of the composition; In some embodiments, in a range from 5 to 15 weight percent. When a second host is present, the ratio of first host to second host having Formula I generally ranges from 1:20 to 20: 1; In some embodiments, 5:15 to 15: 5. In some embodiments, the first host material having Formula I comprises at least 50 weight percent of the total host material; In some embodiments, at least 70% by weight.
일부 실시 형태에서, 제2 호스트 재료는 하기 화학식 IV를 갖는다:In some embodiments, the second host material has formula IV:
[화학식 IV][Formula IV]
(여기서,(here,
Ar5는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 아릴기이고;Ar 5 is the same or different at each occurrence and is an aryl group;
Q는 다가 아릴 기 및Q is a polyvalent aryl group and
로 이루어진 군으로부터 선택되고;It is selected from the group consisting of;
T는 (CR')a, SiR2, S, SO2, PR, PO, PO2, BR, 및 R로 이루어진 군으로부터 선택되며;T is selected from the group consisting of (CR ′) a , SiR 2 , S, SO 2 , PR, PO, PO 2 , BR, and R;
R은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 알킬, 및 아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of alkyl, and aryl;
R'은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H 및 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되며;R 'is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of H and alkyl;
a는 1 내지 6의 정수이고;a is an integer from 1 to 6;
n은 0 내지 6의 정수임).n is an integer from 0 to 6).
n은 0 내지 6의 값을 가질 수 있지만, 일부 Q 기에 있어서 n의 값은 그 기의 화학적 성질에 의해 제한됨이 이해될 것이다. 일부 실시 형태에서, n은 0 또는 1이다.While n may have a value from 0 to 6, it will be understood that for some Q groups the value of n is limited by the chemical nature of the group. In some embodiments n is 0 or 1.
화학식 IV의 일부 실시 형태에서, 인접한 Ar 기들은 함께 연결되어 카르바졸과 같은 고리를 형성한다. 화학식 IV에서, "인접한"은 Ar 기들이 동일한 N에 결합되어 있음을 의미한다.In some embodiments of Formula IV, adjacent Ar groups are linked together to form a ring such as carbazole. In formula (IV), "adjacent" means that the Ar groups are bonded to the same N.
일부 실시 형태에서, Ar5는 독립적으로, 페닐, 바이페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 페난트릴, 나프틸페닐, 및 페난트릴페닐로 이루어진 군으로부터 선택된다. 5 내지 10개의 페닐 고리를 가진, 쿼터페닐보다 고급인 유사체 또한 사용될 수 있다.In some embodiments, Ar 5 is independently selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, quarterphenyl, naphthyl, phenanthryl, naphthylphenyl, and phenanthrylphenyl. Analogs higher than quarterphenyl, having 5 to 10 phenyl rings, may also be used.
일부 실시 형태에서, 적어도 하나의 Ar5는 적어도 하나의 치환체를 갖는다. 치환체 기는 호스트 재료의 물리적 또는 전자적 특성을 변경하기 위해 존재할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 치환체는 호스트 재료의 가공성을 개선한다. 일부 실시 형태에서, 치환체는 호스트 재료의 용해도 및/또는 Tg를 증가시킨다. 일부 실시 형태에서, 치환체는 D, 알킬 기, 알콕시 기, 실릴 기, 실록산, 및 그의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, at least one Ar 5 has at least one substituent. Substituent groups may be present to alter the physical or electronic properties of the host material. In some embodiments, the substituents improve the processability of the host material. In some embodiments, the substituents increase the solubility and / or Tg of the host material. In some embodiments, the substituents are selected from the group consisting of D, alkyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxanes, and combinations thereof.
일부 실시 형태에서, Q는 적어도 2개의 융합 고리를 갖는 아릴 기이다. 일부 실시 형태에서, Q는 3 내지 5개의 융합 방향족 고리를 갖는다. 일부 실시 형태에서, Q는 크라이센, 페난트렌, 트라이페닐렌, 페난트롤린, 나프탈렌, 안트라센, 퀴놀린 및 아이소퀴놀린으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Q is an aryl group having at least two fused rings. In some embodiments, Q has 3 to 5 fused aromatic rings. In some embodiments, Q is selected from the group consisting of chrysene, phenanthrene, triphenylene, phenanthroline, naphthalene, anthracene, quinoline and isoquinoline.
도펀트는 380 내지 750 ㎚ 사이에서 발광 최대값을 갖는 전계발광이 가능한 전기활성 재료이다. 일부 실시 형태에서, 도펀트는 적색, 녹색, 또는 청색 광을 방출한다.Dopants are electroactive materials capable of electroluminescence having emission maximums between 380 and 750 nm. In some embodiments, the dopant emits red, green, or blue light.
전기활성 층에서 도펀트로서 사용될 수 있는 전계발광("EL") 재료에는 소분자 유기 발광 화합물, 발광 금속 착물, 공액 중합체, 및 그 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 소분자 발광 화합물의 예에는, 크라이센, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 안트라센, 티아다이아졸, 그의 유도체, 및 그 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 금속 착물의 예에는 금속 킬레이트된 옥시노이드 화합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 공액 중합체의 예에는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로바이플루오렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌), 그의 공중합체, 및 그 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다.Electroluminescent (“EL”) materials that can be used as dopants in the electroactive layer include, but are not limited to, small molecule organic light emitting compounds, light emitting metal complexes, conjugated polymers, and mixtures thereof. Examples of small molecule light emitting compounds include, but are not limited to, chrysene, pyrene, perylene, rubrene, coumarin, anthracene, thiadiazole, derivatives thereof, and mixtures thereof. Examples of metal complexes include, but are not limited to, metal chelated oxynoid compounds. Examples of conjugated polymers include, but are not limited to, poly (phenylenevinylene), polyfluorene, poly (spirobifluorene), polythiophene, poly (p-phenylene), copolymers thereof, and mixtures thereof. Do not.
적색 발광 재료의 예에는 페리플란텐, 플루오란텐 및 페릴렌이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 적색 발광 재료는, 예를 들어 미국 특허 제6,875,524호 및 미국 특허출원 공개 제2005-0158577호에 개시되어 있다.Examples of red luminescent materials include, but are not limited to, periplanthene, fluoranthene and perylene. Red luminescent materials are disclosed, for example, in US Pat. No. 6,875,524 and US Patent Application Publication No. 2005-0158577.
녹색 발광 재료의 예에는 다이아미노안트라센, 및 폴리페닐렌비닐렌 중합체가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 녹색 발광 재료는, 예를 들어 국제 특허 공개 WO 2007/021117호에 개시되어 있다.Examples of green luminescent materials include, but are not limited to, diaminoanthracene, and polyphenylenevinylene polymers. Green light emitting materials are disclosed, for example, in WO 2007/021117.
청색 발광 재료의 예에는 다이아릴안트라센, 다이아미노크라이센, 다이아미노피렌, 및 폴리플루오렌 중합체가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 청색 발광 재료는, 예를 들어, 미국 특허 제6,875,524호 및 미국 특허출원 공개 제2007-0292713호 및 제2007-0063638호에 개시되어 있다.Examples of blue luminescent materials include, but are not limited to, diarylanthracene, diaminocrynes, diaminopyrene, and polyfluorene polymers. Blue light emitting materials are disclosed, for example, in US Pat. No. 6,875,524 and US Patent Application Publication Nos. 2007-0292713 and 2007-0063638.
일부 실시 형태에서, 도펀트는 유기 화합물이다. 일부 실시 형태에서, 도펀트는 비-중합체성 스피로바이플루오렌 화합물 및 플루오란텐 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the dopant is an organic compound. In some embodiments, the dopant is selected from the group consisting of non-polymeric spirobifluorene compounds and fluoranthene compounds.
일부 실시 형태에서, 도펀트는 아릴 아민기를 갖는 화합물이다. 일부 실시 형태에서, 전기활성 도펀트는 하기 화학식들로부터 선택된다:In some embodiments, the dopant is a compound having an aryl amine group. In some embodiments, the electroactive dopant is selected from the following formulas:
여기서,here,
A는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 기이고;A is the same or different at each occurrence and is an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;
Q'은 단일 결합 또는 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 기이며;Q 'is a single bond or an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;
p 및 q는 독립적으로 1 내지 6의 정수이다.p and q are independently an integer of 1-6.
상기 화학식의 일부 실시 형태에서, 각각의 화학식 내의 A 및 Q' 중 적어도 하나는 적어도 3개의 축합 고리를 갖는다. 일부 실시 형태에서, p 및 q는 1과 동일하다.In some embodiments of the above formula, at least one of A and Q 'in each formula has at least three condensed rings. In some embodiments, p and q are equal to one.
일부 실시 형태에서, Q'은 스티릴 또는 스티릴페닐 기이다.In some embodiments, Q 'is a styryl or styrylphenyl group.
일부 실시 형태에서, Q'은 적어도 2개의 축합 고리를 갖는 방향족 기이다. 일부 실시 형태에서, Q'는 나프탈렌, 안트라센, 크라이센, 피렌, 테트라센, 잔텐, 페릴렌, 쿠마린, 로다민, 퀴나크리돈, 및 루브렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Q 'is an aromatic group having at least two condensed rings. In some embodiments, Q 'is selected from the group consisting of naphthalene, anthracene, chrysene, pyrene, tetracene, xanthene, perylene, coumarin, rhodamine, quinacridone, and rubrene.
일부 실시 형태에서, A는 페닐, 바이페닐, 톨릴, 나프틸, 나프틸페닐, 및 안트라세닐 기로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, A is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, tolyl, naphthyl, naphthylphenyl, and anthracenyl groups.
일부 실시 형태에서, 도펀트는 하기 화학식을 갖는다:In some embodiments, the dopant has the formula:
(여기서,(here,
Y는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 기이고;Y is the same or different at each occurrence and is an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;
Q"은 방향족 기, 2가 트라이페닐아민 잔기, 또는 단일 결합임).Q ″ is an aromatic group, a divalent triphenylamine residue, or a single bond.
일부 실시 형태에서, 도펀트는 아릴 아센이다. 일부 실시 형태에서, 도펀트는 비-대칭성 아릴 아센이다.In some embodiments, the dopant is aryl acene. In some embodiments, the dopant is asymmetric aryl acene.
일부 실시 형태에서, 도펀트는 하기 화학식 V를 갖는 안트라센 유도체이다:In some embodiments, the dopant is an anthracene derivative having Formula V:
[화학식 V][Formula V]
(여기서,(here,
R10은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, D, 알킬, 알콕시 및 아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 인접한 R10 기들은 함께 연결되어 5- 또는 6-원 지방족 고리를 형성할 수 있으며;R 10 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy and aryl, wherein adjacent R 10 groups can be linked together to form a 5- or 6-membered aliphatic ring;
Ar6 내지 Ar9는 동일하거나 상이하며, 아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;Ar 6 to Ar 9 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups;
d는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 0 내지 4의 정수임).d is the same or different at each occurrence and is an integer from 0 to 4).
일부 실시 형태에서, 화학식 V의 도펀트는 중소화된다. 일부 실시 형태에서, 아릴 기는 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 알킬 기는 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 도펀트는 50% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 60% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 70% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 80% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 90% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 100% 중수소화된다.In some embodiments, the dopant of Formula V is deuterated. In some embodiments, the aryl group is deuterated. In some embodiments, the alkyl group is deuterated. In some embodiments, the dopant is at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.
일부 실시 형태에서, 도펀트는 하기 화학식 VI를 갖는 크라이센 유도체이다:In some embodiments, the dopant is a chrysene derivative having Formula VI:
[화학식 VI][Formula VI]
(여기서,(here,
R11은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, D, 알킬, 알콕시 아릴, 플루오로, 시아노, 니트로, -SO2R12로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R12는 알킬 또는 퍼플루오로알킬이며, 여기서 인접한 R11 기들은 함께 연결되어 5- 또는 6-원 지방족 고리를 형성할 수 있고;R 11 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy aryl, fluoro, cyano, nitro, —SO 2 R 12 , wherein R 12 is alkyl or perfluoroalkyl Wherein adjacent R 11 groups can be linked together to form a 5- or 6-membered aliphatic ring;
Ar6 내지 Ar9는 동일하거나 상이하며, 아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;Ar 6 to Ar 9 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups;
e는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 0 내지 5의 정수임).e is the same or different at each occurrence and is an integer from 0 to 5).
일부 실시 형태에서, 화학식 VI의 도펀트는 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 아릴 기는 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 알킬 기는 중수소화된다. 일부 실시 형태에서, 도펀트는 50% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 60% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 70% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 80% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 90% 이상 중수소화되고; 일부 실시 형태에서, 100% 중수소화된다.In some embodiments, the dopant of Formula VI is deuterated. In some embodiments, the aryl group is deuterated. In some embodiments, the alkyl group is deuterated. In some embodiments, the dopant is at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.
녹색 도펀트의 일부 비제한적인 예는 하기에 나타낸 화합물 D1 내지 화합물 D8이다.Some non-limiting examples of green dopants are compounds D1 through D8 shown below.
D1:D1:
D2:D2:
D3:D3:
D4:D4:
D5:D5:
D6:D6:
D7:D7:
D8:D8:
청색 도펀트의 일부 비제한적인 예는 하기에 나타낸 화합물 D9 내지 화합물 D16이다.Some non-limiting examples of blue dopants are compounds D9 to D16 shown below.
D9:D9:
D10D10 ::
D11:D11:
D12:D12:
D13D13 ::
D14:D14:
D15:D15:
D16:D16:
일부 실시 형태에서, 전기활성 도펀트는 아미노-치환된 크라이센 및 아미노-치환된 안트라센으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the electroactive dopant is selected from the group consisting of amino-substituted chrysene and amino-substituted anthracene.
일부 실시 형태에서, 본 명세서에 기재된 새로운 중수소화된 화합물은 전계발광 재료이며 전기활성 재료로서 존재한다.In some embodiments, the new deuterated compounds described herein are electroluminescent materials and exist as electroactive materials.
B. 기타 소자 층B. Other Device Layers
소자 내의 기타 층은 그러한 층에 유용한 것으로 공지된 임의의 재료로 제조될 수 있다.Other layers within the device can be made of any material known to be useful for such a layer.
애노드(110)는 양전하 담체를 주입하는데 있어서 특히 효율적인 전극이다. 이것은 예를 들어, 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합-금속 산화물을 함유하는 재료로 제조될 수 있거나, 또는 이것은 전도성 중합체, 또는 그의 혼합물일 수 있다. 적합한 금속에는 11 족 금속, 4 족 내지 6 족의 금속 및 8 족 내지 10 족 전이 금속이 포함된다. 애노드가 광투과성이라면, 12, 13 및 14 족 금속의 혼합된-금속 산화물, 예컨대 인듐-주석-산화물이 일반적으로 사용된다. 애노드(110)는 또한, 문헌["Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer," Nature vol. 357, pp 477-479 (11 June 1992)]에서 기술된 바와 같이 폴리아닐린과 같은 유기 재료를 포함할 수 있다. 애노드 및 캐소드 중 적어도 하나는 바람직하게는, 발생되는 빛이 관찰되게 할 정도로 적어도 부분적으로 투명하다.The
정공 주입 층(120)은 정공 주입 재료를 포함하며, 유기 전자 소자에서 기저 층의 평탄화, 전하 수송 및/또는 전하 주입 특성, 산소 또는 금속 이온과 같은 불순물의 제거, 및 유기 전자 소자의 성능을 증진 또는 개선하는 다른 측면들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 하나 이상의 기능을 가질 수 있다. 정공 주입 재료는 중합체, 올리고머, 또는 소분자일 수 있다. 정공 주입 재료는 증착되거나, 또는 용액, 분산액, 현탁액, 에멀젼, 콜로이드 혼합물 또는 다른 조성물의 형태일 수 있는 액체로부터 침착될 수 있다.The
정공 주입 층은 양성자성 산(protonic acid)으로 종종 도핑되는, 폴리아닐린(PANI) 또는 폴리에틸렌다이옥시티오펜(PEDOT)과 같은 중합체성 재료로 형성될 수 있다. 양성자성 산은, 예를 들어 폴리(스티렌설폰산), 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판설폰산) 등일 수 있다.The hole injection layer may be formed of a polymeric material, such as polyaniline (PANI) or polyethylenedioxythiophene (PEDOT), often doped with protonic acid. The protic acid can be, for example, poly (styrenesulfonic acid), poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid), and the like.
정공 주입 층은 구리 프탈로시아닌 및 테트라티아풀발렌-테트라시아노퀴노다이메탄 시스템(TTF-TCNQ)과 같은, 전하 전달 화합물 등을 포함할 수 있다.The hole injection layer may include charge transfer compounds, such as copper phthalocyanine and tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane system (TTF-TCNQ).
일부 실시 형태에서, 정공 주입 층은 적어도 하나의 전기 전도성 중합체 및 적어도 하나의 플루오르화 산 중합체를 포함한다. 그러한 재료는 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제 2004-0102577 호, 제 2004-0127637 호, 및 제 2005/205860 호에 기술되어 있다.In some embodiments, the hole injection layer comprises at least one electrically conductive polymer and at least one fluorinated acid polymer. Such materials are described, for example, in US Patent Application Publication Nos. 2004-0102577, 2004-0127637, and 2005/205860.
일부 실시 형태에서, 정공 수송 층(130)은 화학식 I의 새로운 중수소화된 화합물을 포함한다. 층(130)에 대한 다른 정공 수송 재료의 예는 예를 들어, 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 수송 분자 및 중합체 둘 모두가 사용될 수 있다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 분자는, N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(TPD), 1,1-비스[(다이-4-톨릴아미노) 페닐]사이클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-다이메틸)바이페닐]-4,4'-다이아민(ETPD), 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌다이아민(PDA), a-페닐-4-N,N-다이페닐아미노스티렌(TPS), p-(다이에틸아미노)벤즈알데하이드 다이페닐하이드라존(DEH), 트라이페닐아민(TPA), 비스[4-(N,N-다이에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(다이에틸아미노)스티릴]-5-[p-(다이에틸아미노)페닐] 피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카르바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(TTB), N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스-(페닐)벤지딘 ( -NPB), 및 포르피린계 화합물, 예를 들어 구리 프탈로시아닌이다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 중합체는 폴리비닐카르바졸, (페닐메틸)-폴리실란, 및 폴리아닐린이다. 상기 언급한 것들과 같은 정공 수송 분자를 폴리스티렌 및 폴리카보네이트와 같은 중합체 내로 도핑함으로써 정공 수송 중합체를 수득할 수도 있다. 일부 경우, 트라이아릴아민 중합체, 특히 트라이아릴아민-플루오렌 공중합체를 사용한다. 일부 경우, 중합체 및 공중합체는 가교결합가능하다. 가교결합성 정공 수송 중합체의 예는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2005-0184287호 및 국제 특허 공개 WO 2005/052027호에서 확인할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 정공 수송 층은 p-도펀트, 예를 들어, 테트라플루오로테트라시아노퀴노다이메탄 및 페릴렌-3,4,9,10-테트라카복실릭-3,4,9,10-다이언하이드라이드로 도핑된다.In some embodiments,
일부 실시 형태에서, 전자 수송 층(150)은 화학식 I의 새로운 중수소화된 화합물을 포함한다. 층(150)에 사용될 수 있는 기타 전자 수송 재료의 예에는 금속 킬레이트된 옥시노이드 화합물, 예를 들어, 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄 (Alq3); 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(파라-페닐-페놀라토)알루미늄(III) (BAlQ); 및 아졸 화합물, 예를 들어, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸 (PBD) 및 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸 (TAZ), 및 1,3,5-트라이(페닐-2-벤즈이미다졸)벤젠 (TPBI); 퀴녹살린 유도체, 예를 들어, 2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살린; 페난트롤린 유도체, 예를 들어, 9,10-다이페닐페난트롤린 (DPA) 및 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린 (DDPA); 및 이들의 혼합물이 포함된다. 전자 수송 층은 n-도펀트, 예를 들어, Cs 또는 기타 알칼리 금속으로 또한 도핑될 수 있다. 층(150)은 전자 수송을 용이하게 할 뿐만 아니라 또한 완충 층, 또는 층 계면에서의 여기 급락(quenching of the exciton)을 방지하는 격납층(confinement layer)의 역할을 하는 둘 모두의 기능을 할 수 있다. 바람직하게는, 이러한 층은 전자 이동성을 촉진하고 여기 급락을 감소시킨다.In some embodiments,
캐소드(160)는 전자 또는 음전하 캐리어를 주입하는 데 있어서 특히 효율적인 전극이다. 캐소드는 애노드보다 더 낮은 일 함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐소드를 위한 재료는 1족의 알칼리 금속(예를 들어, Li, Cs), 2족(알칼리 토류) 금속, 12족 금속(희토류 원소 및 란탄족 포함) 및 악티늄족으로부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 재료와 더불어 그의 조합물을 사용할 수 있다. 작동 전압을 낮추기 위하여, Li- 또는 Cs-포함 유기금속 화합물, LiF, CsF, 및 Li2O를 또한 유기 층과 캐소드 층 사이에 침착시킬 수 있다.
유기 전자 소자 내에 다른 층을 갖는 것이 알려져 있다. 예를 들어, 주입되는 양전하의 양을 제어하고/하거나 층의 밴드갭 매칭(band-gap matching)을 제공하거나 또는 보호 층으로서 작용하는 층(도시되지 않음)이 애노드(110)와 정공 주입 층(120) 사이에 있을 수 있다. 본 기술 분야에 알려져 있는 층, 예를 들어, 구리 프탈로시아닌, 실리콘 옥시-니트라이드, 플루오로카본, 실란, 또는 Pt와 같은 금속의 초박층을 사용할 수 있다. 대안적으로, 애노드 층(110), 활성 층(120, 130, 140, 및 150), 또는 캐소드층(160)의 일부 또는 전부를 표면 처리하여 전하 담체 수송 효율을 증가시킬 수 있다. 각각의 성분층의 재료의 선택은 바람직하게는, 이미터(emitter) 층 내의 양전하 및 음전하의 균형을 맞추어 높은 전계발광 효율을 갖는 소자를 제공하도록 결정된다.It is known to have other layers in organic electronic devices. For example, a layer (not shown) that controls the amount of positive charge injected and / or provides band-gap matching of the layer or acts as a protective layer includes the
각각의 기능층은 하나 초과의 층을 구성할 수 있는 것으로 이해된다.It is understood that each functional layer can constitute more than one layer.
소자는 적합한 기판 상에 개별 층을 순차적으로 증착하는 것을 포함하는 다양한 기술에 의해 제조될 수 있다. 유리, 플라스틱 및 금속과 같은 기판을 사용할 수 있다. 열증발, 화학 증착 등과 같은 종래의 증착 기술을 사용할 수 있다. 대안적으로, 유기층은 스핀 코팅, 딥 코팅, 롤-투-롤 기술, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는 종래의 코팅 또는 인쇄 기술을 이용하여 적합한 용매 중의 용액 또는 분산액으로부터 적용할 수 있다.The device can be manufactured by a variety of techniques including sequentially depositing individual layers on a suitable substrate. Substrates such as glass, plastic and metal can be used. Conventional deposition techniques such as thermal evaporation, chemical vapor deposition and the like can be used. Alternatively, the organic layer may be a solution or dispersion in a suitable solvent using conventional coating or printing techniques including but not limited to spin coating, dip coating, roll-to-roll technology, inkjet printing, screen printing, gravure printing, and the like. Applicable from
본 발명은 또한 2개의 전기 접촉 층 사이에 위치한 적어도 하나의 활성 층을 포함하는 전자 소자에 관한 것으로, 소자의 적어도 하나의 활성 층은 화학식 I의 안트라센 화합물을 포함한다. 소자는 흔히 추가적인 정공 수송 및 전자 수송 층을 갖는다.The invention also relates to an electronic device comprising at least one active layer located between two electrical contact layers, wherein at least one active layer of the device comprises an anthracene compound of formula (I). Devices often have additional hole transport and electron transport layers.
고효율 LED를 성취하기 위하여, 정공 수송 재료의 HOMO (최고 점유 분자 궤도함수)는 바람직하게는 애노드의 일함수와 정렬되며, 전자 수송 재료의 LUMO (최저 비점유 분자 궤도함수)는 바람직하게는 캐소드의 일함수와 정렬된다. 재료들의 화학적 상용성(compatibility) 및 승화 온도가 또한 전자 및 정공 수송 재료를 선택하는데 있어서 중요한 고려사항이다.To achieve high efficiency LEDs, the HOMO (highest occupied molecular orbital) of the hole transporting material is preferably aligned with the work function of the anode, and the LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) of the electron transporting material is preferably of the cathode Sorted with work function. The chemical compatibility and sublimation temperature of the materials are also important considerations in selecting electron and hole transport materials.
본 명세서에 기재된 안트라센 화합물로 제조된 소자의 효율은 소자 내의 다른 층들을 최적화함으로써 추가로 개선될 수 있는 것으로 이해된다. 예를 들어, Ca, Ba 또는 LiF와 같은 더 효율적인 캐소드를 사용할 수 있다. 작동 전압의 감소로 이어지거나 또는 양자 효율을 증가시키는 형상화된 기판 및 신규 정공 수송 재료가 또한 적용가능하다. 추가층을 또한 부가하여 다양한 층의 에너지 레벨을 맞추고 전계발광을 용이하게 할 수 있다.It is understood that the efficiency of devices made with the anthracene compounds described herein can be further improved by optimizing other layers in the device. For example, more efficient cathodes such as Ca, Ba or LiF can be used. Shaped substrates and novel hole transport materials that lead to a decrease in operating voltage or increase quantum efficiency are also applicable. Additional layers may also be added to match the energy levels of the various layers and to facilitate electroluminescence.
본 발명의 화합물은 흔히 광발광성이며, OLED 이외의 용도, 예를 들어, 생물검정(bioassay)에서의 산소 감응 지시약 및 발광 지시약에 유용할 수 있다.Compounds of the present invention are often photoluminescent and may be useful for applications other than OLEDs, such as oxygen sensitive indicators and luminescent indicators in bioassays.
실시예Example
하기 실시예는 본 발명의 소정 특징 및 이점을 설명한다. 실시예는 본 발명을 설명하고자 하는 것이지 제한하고자 하는 것은 아니다. 달리 표시되지 않는 한 모든 백분율은 중량 기준이다.The following examples illustrate certain features and advantages of the present invention. The examples are intended to illustrate the invention and not to limit it. All percentages are by weight unless otherwise indicated.
도펀트 재료의 합성Synthesis of Dopant Material
(1) 도펀트 D6을 다음과 같이 제조하였다.(1) Dopant D6 was prepared as follows.
중간체 (a)의 합성:Synthesis of Intermediate (a):
35 g (300 mM) 2-메틸-2-헥산올 및 17.8 g 안트라센 (100 mM)을 50 ㎖ 트라이플루오로아세트산에 첨가하고 질소 하에 하룻밤 동안 환류시켰다. 용액은 갈색의 불균질한 물질로 빠르게 어두워졌다. 이것을 실온으로 냉각하고, 질소 스트림 하에 증발시키고, 메틸렌 클로라이드로 추출하였다. 분리하고, 유기 층을 황산마그네슘으로 건조하고, 건조될 때까지 증발시켰다. 생성된 고체를 실리카 컬럼을 통해 헥산으로 추출하고 연황색 용액을 회수하였다. 증발시켜 황색의 진한 오일을 얻었고, 느린 냉각 및 메탄올로부터의 재결정에 의해서 아세톤/메탄올로부터 재결정하였다. NMR 분석으로 구조를 확인하였다.35 g (300 mM) 2-methyl-2-hexanol and 17.8 g anthracene (100 mM) were added to 50 mL trifluoroacetic acid and refluxed under nitrogen overnight. The solution quickly darkened to a brown heterogeneous material. It was cooled to rt, evaporated under a stream of nitrogen and extracted with methylene chloride. The organic layer was separated and dried over magnesium sulfate and evaporated to dryness. The resulting solid was extracted with hexane through a silica column and a light yellow solution was recovered. Evaporation gave a yellow thick oil which was recrystallized from acetone / methanol by slow cooling and recrystallization from methanol. The structure was confirmed by NMR analysis.
중간체 (b)의 합성:Synthesis of Intermediate (b):
6.0 g (16 mM) 중간체 (a) (순수한 2,6 이성체)를 100 ㎖ 다이클로로에탄에 넣고, 4시간 동안 실온에서 교반하면서 2.10 ㎖ 브롬 (40 mM)을 적가하였다. 이것을 물에 붓고 황산나트륨을 첨가하여 잔류 브롬을 소모시켰다. 이어서, 이것을 메틸렌 클로라이드로 추출하고 유기 층을 황산마그네슘으로 건조하였다. 생성된 물질을, 메틸렌 클로라이드 용리액을 사용하여 알루미나 컬럼에 통과시키고, 이어서 증발시키고, 메탄올을 첨가하여 연황색 고체를 침전시켰다. 약 7.2 g을 수득하였다.6.0 g (16 mM) intermediate (a) (pure 2,6 isomer) was placed in 100 ml dichloroethane and 2.10 ml bromine (40 mM) was added dropwise with stirring at room temperature for 4 hours. It was poured into water and sodium sulfate was added to consume residual bromine. Then it was extracted with methylene chloride and the organic layer was dried over magnesium sulfate. The resulting material was passed through an alumina column using methylene chloride eluent and then evaporated and methanol was added to precipitate a pale yellow solid. About 7.2 g were obtained.
중간체 (c)의 합성:Synthesis of Intermediate (c):
글로브 박스 내에서 25 g의 브로모-카르바졸 (77.7 mM)에 18.9 g (155 mM) 보론산을 첨가하였다. 여기에 1.0 g Pd2DBA3 (1.0 mM), 0.5 g P(t-Bu)3 (2.1 mM) 및 20 g 탄산나트륨 (200 mM)을 첨가하고, 모두를 200 ㎖ 다이옥산과 50 ㎖ 물에 용해시켰다. 글로브 박스 내에서 맨틀에서 이것을 1시간 동안 50℃에서 혼합 및 가열한 다음, 질소 하에 하룻밤 온화하게 (최소 가변저항기 설정) 가온하였다. 용액은 즉시는 어두운 자주색이었으며 약 50℃에 도달 시에는 어두운 갈색이었다. 글로브 박스 밖에서 갈색 용액에 물을 첨가하였고 오일성 황색 층을 분리하였다. DCM을 첨가하고 유기 층을 분리하였다. 여과액을 황산마그네슘으로 건조하여 밝은 주황색 용액을 얻었고, 이것은 증발 시에 밝은 고체를 생성하였다. 적은 부피로 증발시키고 헥산을 첨가한 후에, 백색 고체를 여과해 내었다. 세척액이 무색이 될 때까지 고체를 메탄올로 잘 세척한 다음, 에테르로 헹구고, 흡인 건조하여 21g의 백색 고체를 얻었다. 구조를 NMR 분석에 의해 확인하였다.18.9 g (155 mM) boronic acid was added to 25 g bromo-carbazole (77.7 mM) in a glove box. To this was added 1.0 g Pd2DBA3 (1.0 mM), 0.5 g P (t-Bu) 3 (2.1 mM) and 20 g sodium carbonate (200 mM), all dissolved in 200 ml dioxane and 50 ml water. This was mixed and heated for 1 hour at 50 ° C. in a mantle in a glove box and then warmed overnight under nitrogen (minimum potentiometer setting). The solution was immediately dark purple and dark brown upon reaching about 50 ° C. Outside the glove box water was added to the brown solution and the oily yellow layer was separated. DCM was added and the organic layer was separated. The filtrate was dried over magnesium sulfate to give a bright orange solution, which produced a light solid upon evaporation. After evaporation to a small volume and the addition of hexanes, the white solid was filtered off. The solid was washed well with methanol until the wash was colorless, then rinsed with ether and suction dried to give 21 g of a white solid. The structure was confirmed by NMR analysis.
중간체 (d)의 합성:Synthesis of Intermediate (d):
글로브 박스 내에서, 0.4 g Pd2DBA3, 0.4 g 1,1'-비스(다이페닐포스핀)페로센 (DPPF) 및 4.3 g 소듐 t-부톡사이드를 함께 혼합하고 200 ㎖ 자일렌 중에 용해시켰다. 15분간 교반한 다음, 25 g의 3-요오도-브로모벤젠을 첨가하였다. 15분간 교반한 다음, 10 g 카르바졸을 첨가하고 혼합물을 환류시켰다. 공기 응축기를 사용하여 하룻밤 환류시켰다. 용액은 즉시는 어두운 자주색/갈색이었으나, 약 80℃에 도달 시에는 어두운 적갈색이었고 혼탁하였다. 하룻밤 환류에 가깝게 가열한 후, 용액은 어두운 갈색이었으며 투명하였다. 글로브 박스 밖에서 질소 스트림 중에서 증발시킨 다음, DCM에 용해시키고, DCM/헥산을 사용하여 (속슬렛에 적층된) 실리카 및 염기성 알루미나의 베드를 통해 (속슬렛) 추출하였다. 어두운 주황색 용액을 수집하고 건조될 때까지 증발시켰다. 어두운 주황색 오일이 잔류하였다. 이것을 메탄올로 세척한 다음, 에테르에 용해시키고 메탄올로 재침전시켰다. 주황 갈색 오일을 에테르 중에서 적은 부피로 증발시킨 다음, 아세톤/메탄올을 첨가하여 오프-화이트(off-white)의 고체를 침전시켜 약 6.4 g을 수득하였다. 이것을 여과에 의해 수집하고, 소량의 아세톤으로 세척하고, 흡인 건조하였다. 구조를 NMR 분석에 의해 확인하였다.In a glove box, 0.4 g Pd2DBA3, 0.4
중간체 (e)의 합성Synthesis of Intermediate (e)
글로브 박스 내에서 4.8 g의 중간체 (d) (0.01 M)에 1.7 g 아민 (0.01 M)을 첨가하였다. 여기에 0.10 g Pd2DBA3 (0.11 mM), 0.045 g P(t-Bu)3 (0.22 mM) 및 1.1 g t-BuONa를 첨가하고 모두를 25 ㎖ 톨루엔에 용해시켰다. 촉매 재료의 첨가 시, 약간의 발열이 있었다. 글로브 박스 내에서 맨틀에서 이것을 어두운 갈색 용액 (진함)으로서 질소 하에 2시간 동안 80℃에서 가열하였다. 냉각 후에, DCM으로 용리시키는 β-알루미나 크로마토그래피에 의해 용액을 워크업(work up)하였다. 밝은 자주색/청색 광발광을 갖는 어두운 황색 용액을 수집하였다. 이것을 질소 중에서 적은 부피로 증발시켜 점성 주황색 오일을 형성하였고, 이것은 냉각 시에 어두운 황색 유리로 고화하였다. 이것을 메탄올/DCM 중에서 교반하고, 연황색/백색 고체로서 결정화시켰고 약 5 g을 수득하였다. 구조를 NMR 분석에 의해 확인하였다.1.7 g amine (0.01 M) was added to 4.8 g of intermediate (d) (0.01 M) in a glove box. To this was added 0.10 g Pd2DBA3 (0.11 mM), 0.045 g P (t-Bu) 3 (0.22 mM) and 1.1 g t-BuONa and all were dissolved in 25 ml toluene. When the catalyst material was added, there was some exotherm. In a mantle in a glove box it was heated at 80 ° C. under nitrogen as a dark brown solution (dark) for 2 hours. After cooling, the solution was worked up by β-alumina chromatography eluting with DCM. A dark yellow solution with light purple / blue photoluminescence was collected. It was evaporated to a small volume in nitrogen to form a viscous orange oil which solidified to a dark yellow glass upon cooling. It was stirred in methanol / DCM, crystallized as a light yellow / white solid and about 5 g were obtained. The structure was confirmed by NMR analysis.
도펀트 D6의 합성:Synthesis of Dopant D6:
글로브 박스 내에서, 1.32 g의 중간체 (b) (2.5 mM)에 2.81 g (5 mM)의 중간체 (e) 및 0.5 g의 t-BuONa (5 mM)를 50 ㎖ 톨루엔과 함께 첨가하였다. 여기에, 10 ㎖ 톨루엔에 용해된 0.2 g Pd2DBA3 (0.2 mM), 0.08 g P(t-Bu)3 (0.4 mM)를 첨가하였다. 혼합 후에, 용액이 천천히 발열하였고 황갈색으로 되었다. 글로브 박스 내에서 맨틀에서 이것을 질소 하에 1시간 동안 약 100℃에서 혼합 및 가열하였다. 용액은 즉시는 어두운 자주색이었으나, 약 80℃에 도달 시에는 뚜렷한 녹색 발광을 갖는 어두운 황록색이었다. 최소 가변저항기 설정에서 하룻밤 교반하였다. 냉각 후에, 물질을 글로브 박스로부터 꺼내고, 톨루엔 및 메틸렌 클로라이드로 용리시켜 산성 알루미나 플러그를 통해 여과하였다. 어두운 주황색 용액을 적은 부피로 증발시켰다. 이것을 (60:40 톨루엔:헥산을 사용하여) 실리카 컬럼에 통과시켰다. 황색-주황색 용액을 수집하였고 이것은 TLC 상에서 청색의 리딩 스팟(leading spot)을 나타내었다. 이것을 헥산:톨루엔 (80:20)에 재용해시키고, 80% 헥산/톨루엔으로 용리시켜 산성 알루미나에 통과시켰다. 더 빠르게 진행하는 청색 밴드 (안트라센 및 모노아민화 안트라센)는 폐기하였다. 생성된 황색 밴드를 적은 부피로 증발시키고 톨루엔/아세톤/메탄올로부터 결정화시켰다. 이것을 메탄올 및 헥산으로 세척하고 흡인 건조하여 자유 유동 미정질 황색 분말을 얻었다. 구조를 NMR 분석에 의해 확인하였다.In a glove box, 1.81 g of intermediate (b) (2.5 mM) was added 2.81 g (5 mM) of intermediate (e) and 0.5 g of t-BuONa (5 mM) with 50 ml toluene. To this was added 0.2 g Pd2DBA3 (0.2 mM), 0.08 g P (t-Bu) 3 (0.4 mM) dissolved in 10 mL toluene. After mixing, the solution exotherm slowly and turned tan. It was mixed and heated at about 100 ° C. for 1 hour under nitrogen in a mantle in a glove box. The solution was immediately dark purple, but dark yellow-green with a pronounced green luminescence upon reaching about 80 ° C. Stirred overnight at the minimum potentiometer setting. After cooling, the material was removed from the glove box and eluted with toluene and methylene chloride and filtered through an acidic alumina plug. The dark orange solution was evaporated to low volume. This was passed through a silica column (using 60:40 toluene: hexanes). A yellow-orange solution was collected which showed a blue leading spot on TLC. It was redissolved in hexane: toluene (80:20), eluted with 80% hexane / toluene and passed through acidic alumina. The faster advancing blue bands (anthracene and monoaminated anthracene) were discarded. The resulting yellow band was evaporated to low volume and crystallized from toluene / acetone / methanol. It was washed with methanol and hexane and suction dried to give a free flowing microcrystalline yellow powder. The structure was confirmed by NMR analysis.
(2) 도펀트 D12, N6,N12-비스(2,4-다이메틸페닐)-N6,N12-비스(4"-아이소프로필터페닐-4-일)크라이센-6,12-다이아민을 다음과 같이 제조하였다.(2) dopant D12, N6, N12-bis (2,4-dimethylphenyl) -N6, N12-bis (4 "-isopropylterphenyl-4-yl) crissen-6,12-diamine Prepared as.
드라이박스 내에서, 6,12-다이브로모크라이센 (0.54 g, 1.38 mmol), N-(2,4-다이메틸페닐)-N-(4'-아이소프로필터페닐-4-일)아민 (1.11 g, 2.82 mmol), 트리스(tert-부틸)포스핀 (0.028 g, 0.14 mmol) 및 트리스(다이벤질리덴아세톤) 다이팔라듐(0) (0.063 g, 0.069 mmol)을 둥근 바닥 플라스크에서 합하고 20 ㎖의 건조 톨루엔에 용해하였다. 용액을 1분 동안 교반한 다음 소듐 tert-부톡사이드 (0.29 g, 3.03 mmol) 및 10 ㎖의 건조 톨루엔을 첨가하였다. 가열 맨틀을 부가하고 반응물을 60℃로 3일 동안 가열하였다. 그 다음, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 톨루엔 (500 ㎖)으로 세척하면서 1 인치의 셀라이트 및 실리카 겔의 1인치 플러그를 통해 여과하였다. 감압 하에 휘발성 물질을 제거하여 황색 고체를 수득하였다. 헥산 중의 클로로포름의 구배 (0% 내지 40%)를 사용하여 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해서 조 생성물을 추가로 정제하였다. DCM 및 아세토니트릴로부터 재결정하여 0.540 g (40%)의 생성물을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (CDCl3)은 구조식과 일치하였다.In a drybox, 6,12-dibromocrysene (0.54 g, 1.38 mmol), N- (2,4-dimethylphenyl) -N- (4'-isopropylterphenyl-4-yl) amine (1.11 g, 2.82 mmol), tris (tert-butyl) phosphine (0.028 g, 0.14 mmol) and tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (0.063 g, 0.069 mmol) were combined in a round bottom flask and 20 mL Was dissolved in dry toluene. The solution was stirred for 1 min and then sodium tert-butoxide (0.29 g, 3.03 mmol) and 10 mL of dry toluene were added. A heating mantle was added and the reaction heated to 60 ° C. for 3 days. The reaction mixture was then cooled to room temperature and filtered through a 1 inch plug of 1 inch of celite and silica gel while washing with toluene (500 mL). The volatiles were removed under reduced pressure to give a yellow solid. The crude product was further purified by silica gel column chromatography using a gradient of chloroform in hexanes (0% to 40%). Recrystallization from DCM and acetonitrile gave 0.540 g (40%) of the product as a yellow solid. 1 H NMR (CDCl 3 ) is consistent with the structural formula.
(3) 도펀트 D13, N6,N12-비스(2,4-다이메틸페닐)-N6,N12-비스(4"-tert-옥틸터페닐-4-일)크라이센-6,12-다이아민을, D12의 합성과 유사한 절차를 사용하여 제조하였다.(3) dopant D13, N6, N12-bis (2,4-dimethylphenyl) -N6, N12-bis (4 "-tert-octylterphenyl-4-yl) crissen-6,12-diamine, Prepared using a procedure similar to the synthesis of D12.
비교예 AComparative Example A
본 비교예는 비-중수소화된 화합물인, 비교 화합물 A의 제조를 예시한다.This comparative example illustrates the preparation of comparative compound A, which is a non-deuterated compound.
이 화합물은 하기 반응식에 따라 제조할 수 있다:This compound can be prepared according to the following scheme:
화합물 2의 합성:Synthesis of Compound 2:
기계식 교반기, 적가 깔때기, 온도계 및 N2 버블러가 설치된 3L 플라스크에 1.5 L 건조 메틸렌 클로라이드 중 안트론 54 g(275.2 mmol)을 첨가하였다. 플라스크를 얼음조에서 냉각시키고, 1,8-다이아자바이사이클로[5.4.0]운데스-7-엔("DBU"), 83.7 ㎖(559.7 mmol)를 1.5시간에 걸쳐 하강 깔때기에 의해 첨가하였다. 용액은 주황색으로 변하였고, 불투명해진 다음, 짙은 적색으로 변하였다. 여전히 차가운 용액에, 용액의 온도를 5℃ 미만으로 유지하면서 주사기를 통해 약 1.5시간에 걸쳐 트리플릭 언하이드라이드 58 ㎖(345.0 mmol)를 첨가하였다. 실온에서 3시간 동안 반응이 진행되도록 한 후에, 추가로 1 ㎖의 트리플릭 언하이드라이드를 첨가하고 RT에서 30분 동안 교반을 계속하였다. 500 ㎖의 물을 천천히 첨가하고 층을 분리하였다. 수성층을 3x 200㎖ 다이클로로메탄 ("DCM")으로 추출하고, 유기층을 합하여 마그네슘 설페이트로 건조시키고, 여과하고, 회전식 증발에 의해 농축시켜 적색 오일을 얻었다. 실리카 겔 상의 컬럼 크로마토그래피에 이어서 헥산으로부터 재결정하여 43.1 g(43%)의 탠(tan) 분말을 얻었다.To a 3 L flask equipped with a mechanical stirrer, dropping funnel, thermometer and N 2 bubbler was added 54 g (275.2 mmol) of anthrone in 1.5 L dry methylene chloride. The flask was cooled in an ice bath and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undes-7-ene ("DBU"), 83.7 mL (559.7 mmol), was added over a 1.5 hour by a descending funnel. The solution turned orange, became opaque, and then turned deep red. To the still cold solution, 58 ml (345.0 mmol) of triple anhydride was added over about 1.5 hours via syringe while maintaining the temperature of the solution below 5 ° C. After allowing the reaction to proceed for 3 hours at room temperature, an additional 1 ml of triple anhydride was added and stirring was continued for 30 minutes at RT. 500 mL water was added slowly and the layers were separated. The aqueous layer was extracted with 3 × 200 mL dichloromethane (“DCM”), the combined organic layers were dried over magnesium sulfate, filtered and concentrated by rotary evaporation to give a red oil. Column chromatography on silica gel followed by recrystallization from hexanes gave 43.1 g (43%) of tan powder.
화합물 3의 합성:Synthesis of Compound 3:
질소-충전 글러브 박스 내에서 자석 교반 막대가 구비된 200 ㎖ 킬달(Kjeldahl) 반응 플라스크에 안트라센-9-일 트라이플루오로메탄설포네이트 (6.0 g, 18.40 mmol), 나프탈렌-2-일-보론산(3.78 g 22.1 mmol), 제3인산칼륨 (17.50 g, 82.0 mmol), 팔라듐(II) 아세테이트(0.41 g, 1.8 mmol), 트라이사이클로헥실포스핀(0.52 g, 1.8 mmol) 및 THF(100 ㎖)를 첨가하였다. 드라이 박스에서 꺼낸 후에, 반응 혼합물을 질소로 퍼지하고 탈기수(50 ㎖)를 주사기로 첨가하였다. 이어서, 응축기를 부가하고 반응 혼합물을 밤새 환류시켰다. 반응을 TLC로 모니터하였다. 완결되었을 때, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시켰다. 유기층을 분리하고 수성 층을 DCM으로 추출하였다. 유기 분획을 합하고, 염수로 세척하여 마그네슘 설페이트로 건조시켰다. 용매를 감압하에 제거하였다. 생성된 고체를 아세톤 및 헥산으로 세척하고 여과하였다. 실리카 겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 4.03 g(72%)의 생성물을 연황색 결정질 재료로서 얻었다.Anthracene-9-yl trifluoromethanesulfonate (6.0 g, 18.40 mmol), naphthalen-2-yl-boronic acid (in a 200 ml Kjeldahl reaction flask equipped with a magnetic stir bar in a nitrogen-filled glove box) 3.78 g 22.1 mmol), potassium triphosphate (17.50 g, 82.0 mmol), palladium (II) acetate (0.41 g, 1.8 mmol), tricyclohexylphosphine (0.52 g, 1.8 mmol) and THF (100 mL) Added. After taking out of the dry box, the reaction mixture was purged with nitrogen and degassed water (50 mL) was added by syringe. Then, a condenser was added and the reaction mixture was refluxed overnight. The reaction was monitored by TLC. When complete, the reaction mixture was cooled to room temperature. The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with DCM. The organic fractions were combined, washed with brine and dried over magnesium sulfate. The solvent was removed under reduced pressure. The resulting solid was washed with acetone and hexanes and filtered. Purification by column chromatography on silica gel gave 4.03 g (72%) of the product as a light yellow crystalline material.
화합물 4의 합성:Synthesis of Compound 4:
11.17 g(36.7 mmol)의 9-(나프탈렌-2-일)안트라센을 100 ㎖의 DCM에 현탁시켰다. N-브로모석신이미드 6.86 g(38.5 mmol)을 첨가하고 100 W 램프의 조명 하에 혼합물을 교반하였다. 황색의 투명한 용액이 형성된 후에 침전이 발생하였다. 반응을 TLC로 모니터하였다. 1.5시간 후에, 반응 혼합물을 부분적으로 농축하여 메틸렌 클로라이드를 제거한 후에, 아세토니트릴로부터 결정화하여 12.2 g의 연황색 결정을 얻었다(87%).11.17 g (36.7 mmol) of 9- (naphthalen-2-yl) anthracene were suspended in 100 mL of DCM. 6.86 g (38.5 mmol) of N-bromosuccinimide were added and the mixture was stirred under illumination of a 100 W lamp. Precipitation occurred after the formation of a yellow clear solution. The reaction was monitored by TLC. After 1.5 hours, the reaction mixture was partially concentrated to remove methylene chloride and then crystallized from acetonitrile to give 12.2 g of pale yellow crystals (87%).
화합물 7의 합성:Synthesis of Compound 7:
질소-충전 글러브 박스 내에서, 교반 막대가 있는 500 ㎖ 둥근 바닥 플라스크에 나프탈렌-1-일-1-보론산(14.2 g, 82.6 mmol), 1-브로모-2-요오도벤젠(25.8 g, 91.2 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀) 팔라듐(0)(1.2 g, 1.4 mmol), 소듐 카보네이트(25.4 g, 240 mmol), 및 톨루엔(120 ㎖)을 첨가하였다. 드라이 박스에서 꺼낸 후에, 반응 혼합물을 질소로 퍼지하고 탈기수(120 ㎖)를 주사기로 첨가하였다. 이어서, 반응 플라스크에 응축기를 설치하고 반응 혼합물을 15 시간 동안 환류시켰다. 반응을 TLC로 모니터하였다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시켰다. 유기층을 분리하고 수성 층을 DCM으로 추출하였다. 유기 분획을 합하고 감압 하에 용매를 제거하여 황색 오일을 수득하였다. 실리카 겔을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 13.6 g의 맑은 오일(58%)을 얻었다.In a nitrogen-filled glove box, naphthalen-1-yl-1-boronic acid (14.2 g, 82.6 mmol), 1-bromo-2-iodobenzene (25.8 g, 91.2 mmol), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (1.2 g, 1.4 mmol), sodium carbonate (25.4 g, 240 mmol), and toluene (120 mL) were added. After taking out of the dry box, the reaction mixture was purged with nitrogen and degassed water (120 mL) was added by syringe. The reaction flask was then installed with a condenser and the reaction mixture was refluxed for 15 hours. The reaction was monitored by TLC. The reaction mixture was cooled to room temperature. The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with DCM. The organic fractions were combined and the solvent removed under reduced pressure to yield a yellow oil. Purification by column chromatography using silica gel gave 13.6 g of clear oil (58%).
화합물 6의 합성:Synthesis of Compound 6:
자석 교반 막대, 질소 라인에 연결된 환류 응축기 및 오일 조가 장착된 1-리터 플라스크에 4-브로모페닐-1-나프탈렌(28.4 g, 10.0 mmol), 비스(피나콜레이트) 다이보론(40.8 g, 16.0 mmol), Pd(dppf)2Cl2(1.64 g, 2.0 mmol), 포타슘 아세테이트(19.7 g, 200 mmol), 및 DMSO(350 ㎖)를 첨가하였다. 혼합물을 15분 동안 질소로 버블링한 후, Pd(dppf)2Cl2(1.64 g, 0.002 ㏖)를 첨가하였다. 공정 중에 혼합물이 점차 어두운 갈색으로 변하였다. 반응 혼합물을 질소 하에 18시간 동안 120℃(오일 조)에서 교반하였다. 냉각 후에 혼합물을 얼음 물에 붓고 클로로포름(3x)으로 추출하였다. 유기층을 물 (3x) 및 포화 염수 (1x)로 세척하고 MgSO4로 건조하였다. 여과 및 용매 제거 후에, 잔류물을 실리카 겔 컬럼 상의 크로마토그래피로 정제하였다. 생성물을 포함하는 분획을 합하고 회전식 증발기로 용매를 제거하였다. 생성된 백색 고체를 헥산/클로로포름으로부터 결정화하고 진공 오븐 내에 40℃에서 건조시켜 생성물을 백색 결정질 박편(45% 수율로 15.0 g)으로서 수득하였다. 1H 및 13C-NMR 스펙트럼은 예상 구조와 일치한다.4-bromophenyl-1-naphthalene (28.4 g, 10.0 mmol), bis (pinacholate) diboron (40.8 g, 16.0 mmol) in a 1-liter flask equipped with a magnetic stir bar, reflux condenser connected to a nitrogen line and an oil bath ), Pd (dppf) 2 Cl 2 (1.64 g, 2.0 mmol) , potassium acetate (19.7 g, 200 mmol), and DMSO (350 mL) were added. The mixture was bubbled with nitrogen for 15 minutes and then Pd (dppf) 2 Cl 2 (1.64 g, 0.002 mol) was added. The mixture gradually turned dark brown during the process. The reaction mixture was stirred at 120 ° C. (oil bath) for 18 h under nitrogen. After cooling the mixture was poured into ice water and extracted with chloroform (3 ×). The organic layer was washed with water (3x) and saturated brine (1x) and dried over MgSO4. After filtration and solvent removal, the residue was purified by chromatography on a silica gel column. Fractions containing product were combined and solvent removed by rotary evaporator. The resulting white solid was crystallized from hexane / chloroform and dried at 40 ° C. in a vacuum oven to give the product as white crystalline flakes (15.0 g in 45% yield). 1 H and 13 C-NMR spectra match the expected structure.
비교 화합물 A의 합성Synthesis of Comparative Compound A
글러브 박스 내에서 250 ㎖ 플라스크에 (2.00 g, 5.23 mmol), 4,4,5,5-테트라메틸-2-(4-(나프탈렌-4-일)페닐)-1,3,2-다이옥사보롤란(1.90 g, 5.74 mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤) 다이팔라듐(0)(0.24 g, 0.26 mmol), 및 톨루엔(50 ㎖)을 첨가하였다. 반응 플라스크를 드라이 박스로부터 꺼내고 응축기 및 질소 유입구를 설치하였다. 탈기된 수성 소듐 카보네이트(2 M, 20 ㎖)를 주사기를 통해 첨가하였다. 반응 혼합물을 교반하고 밤새 90℃로 가열하였다. 반응을 HPLC로 모니터하였다. 실온으로 냉각시킨 후에, 유기 층을 분리하였다. 수성 층을 DCM으로 2회 세척하여, 유기 층을 합하고, 회전식 증발기로 농축하여 회색 분말을 얻었다. 중성 알루미나 상의 여과, 헥산 침전, 및 실리카 겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 2.28 g의 백색 분말(86%)을 얻었다.(2.00 g, 5.23 mmol), 4,4,5,5-tetramethyl-2- (4- (naphthalen-4-yl) phenyl) -1,3,2-dioxabo in 250 ml flask in glove box Rolan (1.90 g, 5.74 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipaldium (0) (0.24 g, 0.26 mmol), And toluene (50 mL) was added. The reaction flask was removed from the dry box and a condenser and nitrogen inlet were installed. Degassed aqueous sodium carbonate (2 M, 20 mL) was added via syringe. The reaction mixture was stirred and heated to 90 ° C. overnight. The reaction was monitored by HPLC. After cooling to room temperature, the organic layer was separated. The aqueous layer was washed twice with DCM, the organic layers combined and concentrated by rotary evaporation to give a gray powder. Purification by filtration on neutral alumina, hexane precipitation, and column chromatography on silica gel gave 2.28 g of white powder (86%).
미국 특허 출원 공개 제2008-0138655호에 기술된 바와 같이 생성물을 추가로 정제하여, 99.9% 이상의 HPLC 순도 및 0.01 이하의 불순물 흡광도를 달성하였다.The product was further purified as described in US Patent Application Publication No. 2008-0138655, achieving at least 99.9% HPLC purity and up to 0.01 impurity absorbance.
화합물 A의 1H NMR 스펙트럼을 도 2에 제공한다. 1 H NMR spectrum of Compound A is provided in FIG. 2.
실시예 1Example 1
본 실시예는 화학식 I을 갖는 화합물인, 화합물 H14의 제조를 예시한다.This example illustrates the preparation of compound H14, which is a compound having Formula I.
질소 분위기 하에서, 비교예 A로부터의 비교 화합물 A(5 g, 9.87 mmol)의 과중수소화벤젠 또는 벤젠-D6(C6D6)(100 ㎖) 용액에 AlCl3(0.48g, 3.6 mmol)를 첨가하였다. 생성된 혼합물을 실온에서 6시간 동안 교반한 후에 D2O(50 ㎖)를 첨가하였다. 층을 분리한 후에 수층을 CH2Cl2 (2 × 30 ㎖)로 세척하였다. 유기 층을 합하여 마그네슘 설페이트로 건조시키고 회전 증발기로 휘발 성분을 제거하였다. 조 생성물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 중수소화된 생성물 H1(x+y+n+m = 21-23)을 백색 분말(4.5 g)로서 수득하였다.To a solution of deuterated benzene or benzene-D6 (C 6 D 6 ) (100 mL) of Comparative Compound A (5 g, 9.87 mmol) from Comparative Example A was added AlCl 3 (0.48 g, 3.6 mmol) It was. The resulting mixture was stirred at rt for 6 h before D 2 O (50 mL) was added. After separating the layers the aqueous layer was washed with CH 2 Cl 2 (2 × 30 mL). The combined organic layers were dried over magnesium sulfate and the volatiles were removed on a rotary evaporator. The crude product was purified by column chromatography. Deuterated product H1 (x + y + n + m = 21-23) was obtained as a white powder (4.5 g).
미국 특허 출원 공개 제2008-0138655호에 기술된 바와 같이 생성물을 추가로 정제하여, 99.9% 이상의 HPLC 순도 및 0.01 이하의 불순물 흡광도를 달성하였다. 상기로부터, 본 물질이 비교 화합물 A와 동일한 수준의 순도를 가진 것으로 결정하였다.The product was further purified as described in US Patent Application Publication No. 2008-0138655, achieving at least 99.9% HPLC purity and up to 0.01 impurity absorbance. From the above, it was determined that the present substance had the same level of purity as that of Comparative Compound A.
1H NMR (CD2Cl2) 및 ASAP-MS가 각각 도 3 및 도 4에 나타나있다. 화합물은 하기에 제공된 구조를 가졌다: 1 H NMR (CD 2 Cl 2 ) and ASAP-MS are shown in FIGS. 3 and 4, respectively. The compound had a structure provided below:
여기서, "D/H"는 이러한 원자 위치에서 H 또는 D의 확률이 대략 동일함을 나타낸다. 1H NMR, 13C NMR, 2D NMR 및 1H-13C HSQC(이핵 단일 양자 부합(Heteronuclear Single Quantum Coherence))에 의해 구조를 확인하였다.Here, "D / H" indicates that the probability of H or D at these atomic positions is approximately equal. The structure was confirmed by 1 H NMR, 13 C NMR, 2 D NMR and 1 H- 13 C HSQC (Heteronuclear Single Quantum Coherence).
실시예 2 및 실시예 3과 비교예 B 및 비교예 CExample 2 and Example 3 and Comparative Example B and Comparative Example C
이들 예는 청색 이미터를 갖는 소자의 제작 및 성능을 나타낸다.These examples illustrate the fabrication and performance of devices with blue emitters.
소자는 유리 기판 상에서 하기 구조를 가졌다:The device had the following structure on a glass substrate:
애노드 = 인듐 주석 산화물(ITO): 50 ㎚Anode = indium tin oxide (ITO): 50 nm
정공 주입 층 = HIJ1 (50 ㎚) (이는 전기 전도성 중합체와 중합체성 플루오르화 설폰산의 수성 분산물임) 이러한 재료는, 예를 들어, 미국 특허 출원 공개 제2004/0102577호, 제2004/0127637호, 제2005/0205860호, 및 국제 특허 공개 WO 2009/018009호에 기재되어 있다.Hole injection layer = HIJ1 (50 nm) (which is an aqueous dispersion of electrically conductive polymer and polymeric fluorinated sulfonic acid) Such materials are described, for example, in US Patent Application Publications 2004/0102577, 2004/0127637, No. 2005/0205860, and WO 2009/018009.
정공 수송 층 = 비-가교결합된 아릴아민 중합체인, 중합체 P1 (20 ㎚)Hole transport layer = polymer P1 (20 nm), which is a non-crosslinked arylamine polymer
전기활성 층 = 13:1 호스트:도펀트 (40 ㎚) (표 1에서 제시된 바와 같음)Electroactive layer = 13: 1 host: dopant (40 nm) (as shown in Table 1)
전자 수송층 = ET1(금속 퀴놀레이트 유도체 (10 ㎚)임)Electron transport layer = ET1 (metal quinolate derivative (10 nm))
캐소드 = CsF/Al(1.0/100 ㎚)Cathode = CsF / Al (1.0 / 100 nm)
[표 1][Table 1]
용액 처리 및 열증발 기술의 조합에 의해서 OLED 소자를 제작하였다. 씬 필름 디바이시즈, 인코포레이티드(Thin Film Devices, Inc)로부터의 패턴화된 인듐 주석 산화물(ITO) 코팅된 유리 기판을 사용하였다. 이러한 ITO 기판은 시트 저항이 30 ohm/square이고 광투과율이 80%인 ITO로 코팅된 코닝(Corning) 1737 유리를 기반으로 한다. 패턴화된 ITO 기판을 수성 세제 용액 중에서 초음파로 세정하였고 증류수로 헹구었다. 그 후, 패턴화된 ITO를 아세톤 중에서 초음파로 세정하였고, 아이소프로판올로 헹구었고, 질소 스트림에서 건조시켰다.OLED devices were fabricated by a combination of solution treatment and thermal evaporation techniques. Patterned indium tin oxide (ITO) coated glass substrates from Thin Film Devices, Inc. (Thin Film Devices, Inc) were used. This ITO substrate is based on Corning 1737 glass coated with ITO with a sheet resistance of 30 ohm / square and a light transmittance of 80%. The patterned ITO substrates were ultrasonically cleaned in an aqueous detergent solution and rinsed with distilled water. The patterned ITO was then ultrasonically washed in acetone, rinsed with isopropanol and dried in a stream of nitrogen.
소자 제작 직전에, 세정되고 패턴화된 ITO 기판을 UV 오존으로 10분 동안 처리하였다. 냉각 직후에, HIJ1의 수성 분산물을 ITO 표면 위에 스핀 코팅하고 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후, 그런 다음, 기판을 정공 수송 재료의 용액으로 스핀 코팅한 다음, 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후, 발광층 용액으로 기판을 스핀 코팅하고, 가열하여 용매를 제거하였다. 기판을 마스킹하고, 진공 챔버에 넣었다. 열증발에 의해 전자 수송 층에 이어서 CsF의 층을 침착시켰다. 그 다음, 진공에서 마스크를 바꾸고 열적 증발에 의해서 Al의 층을 침착하였다. 챔버를 통기시키고, 유리 덮개, 건조제, 및 UV 경화성 에폭시를 사용하여 소자를 캡슐화하였다.Immediately before device fabrication, the cleaned and patterned ITO substrates were treated with UV ozone for 10 minutes. Immediately after cooling, the aqueous dispersion of HIJ1 was spin coated onto the ITO surface and heated to remove solvent. After cooling, the substrate was then spin coated with a solution of hole transport material and then heated to remove solvent. After cooling, the substrate was spin coated with a light emitting layer solution and heated to remove the solvent. The substrate was masked and placed in a vacuum chamber. Thermal evaporation then deposited the electron transport layer followed by a layer of CsF. The mask was then changed in vacuo and a layer of Al was deposited by thermal evaporation. The chamber was vented and the device was encapsulated using a glass lid, desiccant, and UV curable epoxy.
OLED 샘플을 그의 (1) 전류-전압 (I-V) 곡선, (2) 전계발광 방사휘도(electroluminescence radiance) 대 전압, 및 (3) 전계발광 스펙트럼 대 전압을 측정함으로써 특성화하였다. 3 가지 측정 모두를 동시에 수행하고 컴퓨터로 제어하였다. 소정 전압에서의 소자의 전류 효율은 LED의 전계발광 방사휘도를 소자를 작동하는 데 필요한 전류로 나누어서 결정한다. 단위는 cd/A이다. 전력 효율은 전류 효율에 파이(pi)를 곱하고, 작동 전압으로 나눈 것이다. 단위는 lm/W이다. 소자 데이터는 표 2에 주어진다.OLED samples were characterized by measuring their (1) current-voltage (I-V) curves, (2) electroluminescence radiance versus voltage, and (3) electroluminescence spectrum versus voltage. All three measurements were performed simultaneously and controlled by computer. The current efficiency of the device at a given voltage is determined by dividing the electroluminescent radiance of the LED by the current required to operate the device. The unit is cd / A. Power efficiency is current efficiency multiplied by pi and divided by operating voltage. The unit is lm / W. Device data is given in Table 2.
[표 2]TABLE 2
본 발명의 중수소화된 호스트를 사용하면, 다른 소자 특성들을 유지하면서, 소자의 수명이 크게 증가된다는 것을 알 수 있다. 이미터 D12를 사용한 경우, 비-중수소화된 호스트를 갖는 비교 소자 (비교예 B-1 내지 비교예 B-4)는 평균 예상 T50이 10,649시간이었다. 중수소화된 유사체 호스트 H14를 사용한 경우 (실시예 2-1 내지 실시예 2-4), 소자는 평균 예상 T50이 20,379시간이었다. 이미터 D13을 사용한 경우, 비교 소자 (C-1 및 C-2)는 평균 예상 T50이 15,637시간이었다. 중수소화된 유사체 호스트 H14를 사용한 경우 (3-1 및 3-2), 평균 예상 T50은 24,807시간이었다.It can be seen that using the deuterated host of the present invention greatly increases the lifetime of the device while maintaining other device characteristics. When emitter D12 was used, the comparative devices with non-deuterated hosts (Comparative Examples B-1 to B-4) had an average expected T50 of 10,649 hours. When the deuterated analog host H14 was used (Examples 2-1 to 2-4), the device had an average expected T50 of 20,379 hours. When emitter D13 was used, the comparative elements (C-1 and C-2) had an average expected T50 of 15,637 hours. When the deuterated analog host H14 was used (3-1 and 3-2), the average expected T50 was 24,807 hours.
실시예 4Example 4
본 실시예는 조절된 중수소화 수준을 갖는, 화학식 I을 갖는 화합물을 합성하는 데 사용될 수 있는 일부 중수소화된 중간체 화합물의 제조를 예시한다.This example illustrates the preparation of some deuterated intermediate compounds that can be used to synthesize compounds having Formula I, with controlled levels of deuterated.
중간체 4A:Intermediate 4A:
CCl4 (500 ㎖) 중 안트라센-d10 (18.8 g, 0.10 ㏖)의 용액에 무수 브롬화제2구리 (45 g, 0.202 ㏖)를 한꺼번에 첨가하였다. 반응 혼합물을 12시간 동안 환류 하에 교반 및 가열하였다. 갈색 염화제2구리가 서서히 백색 브롬화제1구리로 변환되고, 브롬화수소가 서서히 생성된다(염기 조 흡수기(base bath absorber)에 결합됨). 반응의 종료 시에, 여과에 의해 브롬화제1구리를 제거하고, 200 g의 알루미나로 충전된 35 ㎜ 크로마토그래피 컬럼에 사염화탄소 용액을 통과시켰다. 컬럼을 200 ㎖의 CH2Cl2로 용리시킨다. 합한 용출액을 건조될 때까지 증발시켜 24 g (87%)의 9-브로모안트라센-d9를 레몬-황색 고체로서 얻었다. 이것은 시재료 (약 2%) 및 다이브로모-부산물 (약 2%)의 불순물을 함유한다. 이러한 물질을 정제 없이 추가의 커플링 반응에 직접 사용하였다. 헥산 또는 사이클로헥산을 사용하는 재결정화에 의해서 중간체를 추가로 정제하여 순수한 화합물을 얻을 수 있다.Anhydrous cupric bromide (45 g, 0.202 mol) was added all at once to a solution of anthracene-d10 (18.8 g, 0.10 mol) in CCl4 (500 mL). The reaction mixture was stirred and heated at reflux for 12 hours. Brown cupric chloride is slowly converted to white cuprous bromide, and hydrogen bromide is slowly produced (coupled to a base bath absorber). At the end of the reaction, the cuprous bromide was removed by filtration and a carbon tetrachloride solution was passed through a 35 mm chromatography column filled with 200 g of alumina. The column is eluted with 200 mL of
중간체 4B:Intermediate 4B:
d5-브로모벤젠 (MW 162, 100 g, 0.617 ㏖)에, 실온에서 93 ㎖의 50% H2SO4와 494 ㎖의 HOAc의 혼합 용매를 첨가하였다. 그 다음, 미분된 I2 (MW 254, 61.7 g, 0.243 ㏖)를 첨가한 후, 미분된 NaIO4 (MW 214, 26.4 g, 0.123 ㏖)를 첨가하였다. 혼합물을 4시간 동안 격렬하게 교반하고 90℃로 가열하였다. 어두운 자주색 용액이 매우 미세한 백색 침전물을 함유하는 옅은 주황색 혼합물으로 변하였다. 혼합물을 하룻밤 실온으로 냉각되게 두었다. 이 시간 동안, 생성물이 미정질 플레이트로서 침전하였다. 혼합물을 여과하고 10% 티오황산나트륨 Na2S2O3 (50㎖)으로 2회 세척한 다음 물로 세척하였다. 이것을 CH2Cl2에 용해시키고 플래시 컬럼을 진행시켰다. 밝은 황색, 결정질 물질을 124 g(70%) 얻었다. 여과액을 CH2Cl2 (50㎖ × 3)로 추출하고 CH2Cl2를 합하여, 10% 티오황산나트륨 Na2S2O3 (50 ㎖)으로 2회 세척한 다음 물로 세척하였다. 건조 및 용매 증발 후에, 플래시 컬럼을 진행시켜 추가로 32 g의 순수한 생성물 (17.5%)을 얻었다. 총합은 156 g (수율 88%)이다.To d5-bromobenzene (MW 162, 100 g, 0.617 mol) was added a mixed solvent of 93 mL of 50% H 2 SO 4 and 494 mL of HOAc at room temperature. Then, finely divided I 2 (MW 254, 61.7 g, 0.243 mol) was added, followed by finely divided NaIO 4 (MW 214, 26.4 g, 0.123 mol). The mixture was stirred vigorously for 4 hours and heated to 90 ° C. The dark purple solution turned into a pale orange mixture containing a very fine white precipitate. The mixture was left to cool to room temperature overnight. During this time, the product precipitated out as a microcrystalline plate. The mixture was filtered and washed twice with 10% sodium thiosulfate Na 2 S 2 O 3 (50 mL) followed by water. It was dissolved in CH 2 Cl 2 and the flash column run. 124 g (70%) of a bright yellow, crystalline material was obtained. The filtrate was extracted with CH 2 Cl 2 (50 mL × 3), CH 2 Cl 2 combined, washed twice with 10% sodium thiosulfate Na 2 S 2 O 3 (50 mL) followed by water. After drying and solvent evaporation, the flash column was run to yield an additional 32 g of pure product (17.5%). The total is 156 g (88% yield).
중간체 4C:Intermediate 4C:
브롬화수소산 (MW: 81, d=1.49, 100 g; 49% 수용액 67.5 ㎖; 0.6 ㏖) 및 CH2Cl2 (800 ㎖): H20 (80 ㎖) 중 나프탈렌-d8 (MW 136, 68 g, 0.5 ㏖)의 교반된 용액에 10 내지 15℃에서 30분의 기간에 걸쳐 과산화수소 (FW: 34, d= 1.1g/㎖, 56 g; 30% 수용액 51.5 ㎖; 0.5 ㏖)를 천천히 첨가하였다. TLC로 반응의 진행을 모니터하면서 반응물을 40시간 동안 실온에 두었다. 브롬화를 완료 한 후에, 용매를 감압 하에 제거하고 조 생성물을 10% 티오황산나트륨 Na2S2O3 (50㎖)으로 2회 세척한 다음 물로 세척하였다. 헥산 (100%)을 사용한 실리카 겔 (100 내지 200 메시) 상에서의 플래시 컬럼 크포마토그래피 및 이어지는 증류에 의해서 순수한 생성물을 단리하여 순수한 1-브로모-나프탈렌-d7을 투명한 액체 85 g으로서 얻었으며, 수율은 대략 80%이다.Hydrobromic acid (MW: 81, d = 1.49, 100 g; 67.5 mL of 49% aqueous solution; 0.6 mol) and CH2Cl2 (800 mL): of naphthalene-d8 (MW 136, 68 g, 0.5 mol) in H20 (80 mL) Hydrogen peroxide (FW: 34, d = 1.1 g / ml, 56 g; 51.5 ml of 30% aqueous solution; 0.5 mol) was slowly added to the stirred solution over a period of 30 minutes at 10-15 ° C. The reaction was left at room temperature for 40 hours while monitoring the progress of the reaction by TLC. After completion of bromination, the solvent was removed under reduced pressure and the crude product was washed twice with 10% sodium thiosulfate Na 2 S 2 O 3 (50 mL) followed by water. Pure product was isolated by flash column chromatography on silica gel (100-200 mesh) using hexane (100%) and subsequent distillation to give pure 1-bromo-naphthalene-d7 as a clear liquid, 85 g, Yield is approximately 80%.
중간체 4D:Intermediate 4D:
300 ㎖의 건조 1,4-다이옥산 중 1-브로모나프탈렌-d7 (21.4 g, 0.10 ㏖), 비스(피나콜라토)다이보론 (38 g, 0.15 ㏖), 아세트산칼륨 (19.6 g, 0.20 ㏖)의 혼합물을 15분 동안 질소로 버블링하였다. 그 다음, Pd(dppf)2Cl2-CH2Cl2(1.63 g, 0.002 ㏖)를 첨가하였다. 혼합물을 100℃ (오일 조)에서 18시간 동안 가열하였다. 냉각 후에 혼합물을 셀라이트(Celite)를 통해 여과한 다음 50 ㎖로 농축하고, 이어서 물을 첨가하고 에테르로 3회 추출하였다(100 ㎖ × 3). 유기 층을 물 (3x) 및 염수(1x)로 세척하고, MgSO4로 건조하고, 여과하고 농축하였다. 잔류물을 실리카 겔 컬럼 (용리액: 헥산)에 제공하여 백색 액체를 얻었고, 이것은 나프탈렌 및 다이보론산 에스테르의 부산물을 갖는다. 따라서, 증류에 의해 추가의 정제를 수행하여 점성의 맑은 액체를 얻었다. 수율, 21 g, 82%.1-bromonaphthalene-d7 (21.4 g, 0.10 mol) in 300 mL of dry 1,4-dioxane, bis (pinacolato) diboron (38 g, 0.15 mol), potassium acetate (19.6 g, 0.20 mol) The mixture of was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Then Pd (dppf) 2 Cl 2 -CH 2 Cl 2 (1.63 g, 0.002 mol) was added. The mixture was heated at 100 ° C. (oil bath) for 18 h. After cooling the mixture was filtered through Celite and then concentrated to 50 mL, then water was added and extracted three times with ether (100 mL × 3). The organic layer was washed with water (3 ×) and brine (1 ×), dried over MgSO 4 , filtered and concentrated. The residue was provided on a silica gel column (eluent: hexane) to give a white liquid, which had by-products of naphthalene and diboronic acid esters. Thus, further purification was carried out by distillation to give a viscous clear liquid. Yield, 21 g, 82%.
중간체 4E:Intermediate 4E:
톨루엔 (300 ㎖) 중 1-브로모-4-요오도-벤젠-D4 (10.95 g, 0.0382 ㏖) 및 1-나프탈렌보론산에스테르-D7 (10.0 g, 0.0383 ㏖)의 혼합물에 Na2CO3 (12.6 g, 0.12 ㏖) 및 H2O (50 ㎖), 앨리콰트(Aliquat(등록상표)) (3 g)를 첨가하였다. 혼합물을 15분 동안 질소로 버블링하였다. 그 다음, Pd(PPh3)4 (0.90 g, 2%)를 첨가하였다. 혼합물을 질소 분위기 하에 12시간 동안 환류시켰다. 냉각 후에, 반응 혼합물을 분리하고, 유기층을 물로 세척하고 분리하고, 건조하고 농축하였다. 실리카를 첨가하고 농축하였다. 잔류 용매를 증발시킨 후에, 용리액으로서 헥산을 사용하여 플래시 컬럼을 진행시켜서 조 생성물을 얻었다. 증류 (135 내지 140℃/13.3 Pa (135 내지 140℃/100mtorr)에서 수집)에 의해 추가의 정제를 수행하여 맑은 점성 액체 (8.76 g, 수율 78%)를 얻었다.To a mixture of 1-bromo-4-iodo-benzene-D4 (10.95 g, 0.0382 mol) and 1-naphthaleneboronic acid ester-D7 (10.0 g, 0.0383 mol) in toluene (300 mL) was added Na 2 CO 3 ( 12.6 g, 0.12 mol) and H 2 O (50 mL), Aliquat (3 g) were added. The mixture was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Then Pd (PPh 3) 4 (0.90 g, 2%) was added. The mixture was refluxed for 12 h under a nitrogen atmosphere. After cooling, the reaction mixture was separated and the organic layer was washed with water, separated, dried and concentrated. Silica was added and concentrated. After evaporation of the residual solvent, the flash column was run using hexane as eluent to afford the crude product. Further purification was carried out by distillation (collecting at 135-140 ° C./13.3 Pa (135-140 ° C./100 mtorr)) to give a clear viscous liquid (8.76 g, yield 78%).
중간체 4F:Intermediate 4F:
200 ㎖의 건조 1,4-다이옥산 중 1-브로모-페닐-4-나프탈렌-d11 (22 g, 0.075 ㏖), 비스(피나콜라토)다이보론 (23 g, 0.090 ㏖), 아세트산칼륨 (22 g, 0.224 ㏖)의 혼합물을 15분 동안 질소로 버블링하였다. 그 다음, Pd(dppf)2Cl2?CH2Cl2(1.20 g, 0.00147 ㏖)를 첨가하였다. 혼합물을 100℃ (오일 조)에서 18시간 동안 가열하였다. 냉각 후에 혼합물을 셀라이트를 통해 여과한 다음 50 ㎖로 농축하고, 이어서 물을 첨가하고 에테르로 3회 추출하였다(100 ㎖ × 3). 유기 층을 물 (3x) 및 염수(1x)로 세척하고, MgSO4로 건조하고, 여과하고 농축하였다. 잔류물을 실리카 겔 컬럼 (용리액: 헥산)에 제공하여 백색 액체를 얻었고, 이것은 나프탈렌 및 다이보론산 에스테르의 부산물을 갖는다. 따라서, 용리액으로서 헥산을 사용하여 실리카 겔 컬럼을 다시 진행시켜 추가의 정제를 수행하였다. 용매를 증발시키고 약 80 ㎖ 헥산으로 농축하고 백색 결정 생성물이 형성된 후에, 이것을 여과하여 20.1 g의 생성물을 얻었다, 수율 81%.1-Bromo-phenyl-4-naphthalene-d11 (22 g, 0.075 mol) in 200 mL of dry 1,4-dioxane, bis (pinacolato) diboron (23 g, 0.090 mol), potassium acetate (22 g, 0.224 mol) was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Then Pd (dppf) 2 Cl 2 -CH 2 Cl 2 (1.20 g, 0.00147 mol) was added. The mixture was heated at 100 ° C. (oil bath) for 18 h. After cooling the mixture was filtered through celite and then concentrated to 50 mL, then water was added and extracted three times with ether (100 mL × 3). The organic layer was washed with water (3 ×) and brine (1 ×), dried over MgSO 4 , filtered and concentrated. The residue was provided on a silica gel column (eluent: hexane) to give a white liquid, which had by-products of naphthalene and diboronic acid esters. Thus, further purification was performed by running the silica gel column again using hexane as eluent. After evaporating the solvent and concentrating with about 80 mL hexane and white crystal product was formed, it was filtered to give 20.1 g of product, yield 81%.
중간체 4G:Intermediate 4G:
톨루엔 (500 ㎖) 중 중간체 4A (18.2 g) 및 중간체 4F 보론산 에스테르 (25.5 g)에 Na2CO3 (31.8 g) 및 H2O (120 ㎖), 앨리콰트(등록상표) (5 g)를 첨가하였다. 혼합물을 15분 동안 질소로 버블링하였다. 그 다음, Pd(PPh3)4 (1.5 g, 1.3%)를 첨가하였다. 혼합물을 질소 분위기 하에 12시간 동안 환류시켰다. 냉각 후에, 반응 혼합물을 분리하고, 유기층을 물로 세척하고 분리하고, 건조하고 약 50 ㎖로 농축하고 MeOH에 부었다. 고체를 여과하여 황색 조 생성물 (약 28.0 g)을 얻었다. 조 생성물을 물, HCl (10%), 물 및 메탄올로 세척하였다. 이것을 CHCl3에 재용해시키고, MgSO4로 건조하고, 여과하였다. 여과액을 실리카 겔에 첨가하고, 농축하고 건조하고, 용리액으로서 오직 헥산만을 사용하여 실리카 겔 (0.5 Kg) 상에서 정제하여 (총 50 L의 헥산을 통과시킴---단지 5 L의 헥산만 사용하여 재순환시킴) 백색 생성물을 얻었다.To Intermediate 4A (18.2 g) and Intermediate 4F boronic acid ester (25.5 g) in toluene (500 mL) Na 2 CO 3 (31.8 g) and H 2 O (120 mL), Aliquat® (5 g) Was added. The mixture was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Then Pd (PPh 3) 4 (1.5 g, 1.3%) was added. The mixture was refluxed for 12 h under a nitrogen atmosphere. After cooling, the reaction mixture was separated and the organic layer was washed with water, separated, dried, concentrated to about 50 mL and poured into MeOH. The solid was filtered to give a yellow crude product (about 28.0 g). The crude product was washed with water, HCl (10%), water and methanol. It was redissolved in CHCl 3 , dried over
중간체 4H:Intermediate 4H:
CH2Cl2 (450 ㎖) 중 9-(4-나프탈렌-1-일)페닐안트라센-D20, 중간체 4G (MW 400.6, 20.3 g, 0.05 ㏖)의 얼음조 냉각된 용액에, CH2Cl2 (150 ㎖)에 용해된 브롬 (MW 160, 8.0 g, 0.05 ㏖)을 천천히 (20분) 첨가하였다. 반응이 즉시 일어났으며 색상이 밝은 황색으로 변하였다. Na2S2O3 (2M 100㎖)의 용액을 첨가하고 15분 동안 교반하였다. 그 다음, 수층을 분리하고 유기상을 Na2CO3 (10%, 50 ㎖)으로 세척한 다음, 물로 3회 세척하였다. 분리한 다음 MgSO4로 건조하고, 그 후 100 ㎖가 남을 때까지 용매를 증발시켰다. 메탄올 (200 ㎖)에 붓고 여과하여 23.3 g의 순수한 화합물 (MW 478.5, 수율 97.5%)을 얻었다. HPLC는 100% 순도를 나타낸다.In an ice bath cooled solution of 9- (4-naphthalen-1-yl) phenylanthracene-D20, intermediate 4G (MW 400.6, 20.3 g, 0.05 mol) in
중간체 4I:Intermediate 4I:
나프탈렌-D8 (13.6 g, 0.10 ㏖), 비스(피나콜라토)다이보론 (27.93 g, 0.11 ㏖), 다이-뮤-메톡소비스(1,5-사이클로옥타다이엔)다이이리듐 (I) [Ir(OMe)COD]2 (1.35 g, 2 ㎜ol, 2%) 및 4,4'-다이-tert-부틸-2,2'-바이피리딘 (1.1 g, 4 mmol)의 혼합물을 사이클로헥산 (200 ㎖)에 첨가하였다. N2를 사용하여 15분 동안 혼합물을 탈가스시킨 다음, 85℃ (오일 조)에서 하룻밤 가열하였다 (어두운 갈색 용액). 혼합물을 실리카 겔의 패드에 통과시켰다. 분획을 수집하고 건조될 때까지 농축하였다. 헥산을 첨가하였다. 여과액을 농축하고 (액체), 헥산으로 헹구면서 실리카 겔 컬럼에 통과시켜 맑은 액체를 얻었고, 이것은 순수하지 않았으며, 헥산으로 헹구면서 실리카 겔 컬럼으로 다시 정제한 다음 135℃/0.013 Pa (135℃/100mmtorr)에서 증류하여, 순수한 백색 점성 액체를 얻었고, 이것을 고화시켜 백색 분말(18.5 g, 수율 70%)을 얻었다.Naphthalene-D8 (13.6 g, 0.10 mol), bis (pinacolato) diboron (27.93 g, 0.11 mol), di-mu-methoxobis (1,5-cyclooctadiene) diiridium (I) [Ir (OMe) COD] 2 (1.35 g, 2 mmol, 2%) and a mixture of 4,4'-di-tert-butyl-2,2'-bipyridine (1.1 g, 4 mmol) were added to cyclohexane (200 Ml). The mixture was degassed with N2 for 15 minutes and then heated at 85 ° C. (oil bath) overnight (dark brown solution). The mixture was passed through a pad of silica gel. Fractions were collected and concentrated to dryness. Hexane was added. The filtrate was concentrated (liquid) and passed through a silica gel column rinsing with hexane to give a clear liquid, which was not pure, purified again with a silica gel column rinsing with hexane and then 135 ° C./0.013 Pa (135 ° C.) / 100mmtorr) to give a pure white viscous liquid which solidified to give a white powder (18.5 g, yield 70%).
중간체 4J:Intermediate 4J:
둥근바닥 플라스크 (100 ㎖)에 9-브로모안트라센-d9 (MW 266, 2.66 g, 0.01 ㏖), 나프탈렌-2-보론산(MW 172, 1.72 g, 0.01 ㏖)을 첨가한 다음, 톨루엔 (30 ㎖)을 첨가하였다. 혼합물을 N2로 10분 동안 퍼지하였다. 그 다음, 물 (10 ㎖)에 용해된 Na2CO3 (2M, 10 ㎖ (2.12 g) 0.02 ㏖)을 첨가하였다. 혼합물을 N2로 10분 동안 계속 퍼지하였다. 촉매량의 Pd(PPh3)4 (0.25 g, 2.5%, 0.025 mmol)를 첨가하였다. 혼합물을 하룻밤 환류시켰다. 그 다음, 분리된 유기상을 메탄올에 붓고, 물, HCl (10%), 물 및 메탄올로 세척하였다. 2.6 g의 순수한 백색 생성물을 얻었다. (수율: 83%).To a round bottom flask (100 mL) was added 9-bromoanthracene-d9 (MW 266, 2.66 g, 0.01 mol), naphthalene-2-boronic acid (MW 172, 1.72 g, 0.01 mol), followed by toluene (30 Ml) was added. The mixture was purged with
중간체 4K:Intermediate 4K:
CH2Cl2 (50 ㎖) 중 9-2'-나프틸-안트라센 -d9, 중간체 4J (2.6 g, 0.0083 ㏖)의 용액을 CH2Cl2 (5 ㎖) 중 브롬 (1.33 g, 0.0083 ㏖)의 용액에 적가하고 30분 동안 교반하였다. Na2S2O3 (2M 10 ㎖)의 용액을 첨가하고 15분 동안 교반하였다. 그 다음, 수층을 분리하고 유기상을 Na2CO3 (10%, 10 ㎖)으로 세척한 후, 물로 3회 세척하였다. 분리한 다음 MgSO4로 건조하고, 그 후 20 ㎖가 남을 때까지 용매를 증발시켰다. 메탄올 (100 ㎖)에 붓고 여과하여 순수한 화합물 (3.1 g, 수율 96%)을 얻었다.A solution of 9-2′-naphthyl-anthracene-d9, intermediate 4J (2.6 g, 0.0083 mol) in
중간체 4L:Intermediate 4L:
톨루엔 (약 60 ㎖) 중 9-브로모안트라센-D9, 중간체 4K (2.66 g, 0.01 ㏖) 및 4,4,5,5-테트라메틸-2-(나프탈렌-2-일-D7)-1,3,2-다이옥사보롤란 (2.7 g, 0.011 ㏖)의 혼합물에 Na2CO3 (4.0 g, 0.04 ㏖) 및 H2O (20 ㎖)를 첨가하였다. 혼합물을 15분 동안 질소로 버블링하였다. 그 다음, Pd(PPh3)4 (0.20 g, 2.0%)를 첨가하였다. 혼합물을 질소 분위기 하에 18시간 동안 환류시켰다(황색 고체). 반응 혼합물을 냉각한 후에, MeOH (200 ㎖)에 부었다. 고체를 여과하여 황색 조 생성물을 얻었다. 조 생성물을 물, 및 메탄올로 세척하였다. 이것을 CHCl3에 재용해시키고, MgSO4로 건조하고, 여과하였다. 여과액을 실리카 겔에 첨가하고, 농축하고 건조하고, 용리액으로서 헥산을 사용하여 실리카 겔 상에서 정제하여 순수한 생성물 (3.0 g, 수율 94%)을 얻었다.9-bromoanthracene-D9, intermediate 4K (2.66 g, 0.01 mol) and 4,4,5,5-tetramethyl-2- (naphthalen-2-yl-D7) -1 in toluene (about 60 mL), To a mixture of 3,2-dioxaborolane (2.7 g, 0.011 mol) was added Na 2 CO 3 (4.0 g, 0.04 mol) and H 2 O (20 mL). The mixture was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Then Pd (PPh 3 ) 4 (0.20 g, 2.0%) was added. The mixture was refluxed (yellow solid) under nitrogen atmosphere for 18 hours. After cooling the reaction mixture, it was poured into MeOH (200 mL). The solid was filtered to give a yellow crude product. The crude product was washed with water and methanol. It was redissolved in CHCl 3 , dried over
중간체 4M:Intermediate 4M:
CH2Cl2 (50 ㎖) 중 9-2'-나프틸-안트라센-d9, 중간체 4L (2.8g 0.00875 ㏖)의 용액을 CH2Cl2 (5 ㎖) 중 브롬 (1.4 g, 0.00875 ㏖)의 용액에 적가하고 30분 동안 교반하였다. 그 다음, Na2S2O3의 용액 (2M 10㎖)을 첨가하고 혼합물을 15분 동안 교반하였다. 그 다음, 수층을 분리하고 유기상을 Na2CO3 (10% , 10 ㎖)로 세척한 후, 물로 3회 세척하였다. 분리한 다음 MgSO4로 건조하고, 그 후 20 ㎖가 남을 때까지 용매를 증발시켰다. 메탄올 (100 ㎖)에 붓고 여과하여 순수한 화합물 (3.3 g, 수율 95%)을 얻었다.A solution of 9-2′-naphthyl-anthracene-d9, intermediate 4L (2.8 g 0.00875 mol) in
실시예 5Example 5
본 실시예는 중간체 4H 및 중간체 4I로부터 화합물 H8의 합성을 예시한다.This example illustrates the synthesis of compound H8 from intermediate 4H and intermediate 4I.
DME (350 ㎖) 중 9-브로모-10-(4-나프탈렌-1-일)페닐안트라센-D19 중간체 4H (14.84 g, 0.031 ㏖) 및 2-나프탈렌 보론산 에스테르 중간체 4I (10.0 g, 0.038 ㏖)의 혼합물에 K2CO3 (12.8 g, 0.093 ㏖) 및 H2O (40 ㎖)를 첨가하였다. 혼합물을 15분 동안 질소로 버블링하였다. 그 다음, Pd(PPh3)4 (0.45 g, 1.3%)를 첨가하였다. 혼합물을 질소 분위기 하에 12시간 동안 환류시켰다. 냉각 후에 반응 혼합물을 약 150 ㎖로 농축하고 MeOH에 부었다. 고체를 여과하여 밝은 황색 조 생성물을 얻었다. 조 생성물을 물, 및 메탄올로 세척하였다. 이것을 CHCl3에 재용해시키고, MgSO4로 건조하고, 여과하였다. 여과액을 실리카 겔에 첨가하고, 농축하고 건조하고, 용리액으로서 헥산:클로로포름(3:1)을 사용하여 실리카 겔 (0.5 Kg) 상에서 정제하여 백색 생성물 (15 g , 수율 91 %)을 얻었다.9-bromo-10- (4-naphthalen-1-yl) phenylanthracene-D19 intermediate 4H (14.84 g, 0.031 mol) and 2-naphthalene boronic acid ester intermediate 4I (10.0 g, 0.038 mol) in DME (350 mL) ) Was added K 2 CO 3 (12.8 g, 0.093 mol) and H 2 O (40 mL). The mixture was bubbled with nitrogen for 15 minutes. Then Pd (PPh 3) 4 (0.45 g, 1.3%) was added. The mixture was refluxed for 12 h under a nitrogen atmosphere. After cooling the reaction mixture was concentrated to about 150 mL and poured into MeOH. The solid was filtered to give a light yellow crude product. The crude product was washed with water and methanol. It was redissolved in CHCl 3 , dried over
실시예 6Example 6
본 실시예는 중간체 4K로부터 화합물 H11의 합성을 예시한다.This example illustrates the synthesis of compound H11 from intermediate 4K.
둥근바닥 플라스크 (100 ㎖)에 9-브로모-10-(나프탈렌-2-일)안트라센, 중간체 4K (1.96 g, 0.05 ㏖), 4-(나프탈렌-1-일)페닐보론산 (1.49 g, 0.06 ㏖)을 첨가한 다음 톨루엔 (30 ㎖)을 첨가하였다. 혼합물을 N2로 10분 동안 퍼지하였다. 그 다음, 물 (8 ㎖)에 용해된 Na2CO3 (1.90 g, 0.018 ㏖)을 첨가한 후, 앨리콰트(등록상표) (1 ㎖)를 첨가하였다. 혼합물을 N2로 10분 동안 계속 퍼지하였다. 촉매량의 Pd(PPh3)4 (116 mg)를 첨가하였다. 혼합물을 하룻밤 환류시켰다. 수성상을 분리한 후에, 유기층을 메탄올(100 ㎖)에 부어서 백색 고체를 수집하였다. 이것을 여과하고, 클로로포름:헥산 (1:3)을 사용해 실리카 겔 컬럼을 진행시켜 추가의 정제를 수행하여 순수한 백색 화합물 (2.30 g, 수율 90%)을 얻었다.In a round bottom flask (100 mL) 9-bromo-10- (naphthalen-2-yl) anthracene, intermediate 4K (1.96 g, 0.05 mol), 4- (naphthalen-1-yl) phenylboronic acid (1.49 g, 0.06 mol) was added followed by toluene (30 mL). The mixture was purged with
실시예 7Example 7
본 실시예는 중간체 4K 및 중간체 4F로부터 화합물 H9의 합성을 예시한다.This example illustrates the synthesis of compound H9 from intermediate 4K and intermediate 4F.
둥근바닥 플라스크 (100 ㎖)에 9-브로모-10-(나프탈렌-2-일)안트라센-D8, 중간체 4K (0.70 g, 0.0018 ㏖), 4-(나프탈렌-1-일)페닐보론산-D11, 중간체 4F (0.7g, 0.002 ㏖)를 첨가한 다음, 톨루엔 (10 ㎖)을 첨가하였다. 혼합물을 N2로 10분 동안 퍼지하였다. 그 다음, 물 (3 ㎖)에 용해된 Na2CO3 (0.64g, 0.006 ㏖)을 첨가한 후, 앨리콰트(등록상표) 0.1 ㎖를 첨가하였다. 혼합물을 N2로 10분 동안 계속 퍼지하였다. 촉매량의 Pd(PPh3)4 (0.10 g)를 첨가하였다. 혼합물을 하룻밤 환류시켰다. 수성상을 분리한 후에, 유기층을 메탄올(100 ㎖)에 부어서 백색 고체를 수집하였다. 이것을 여과하고, 클로로포름:헥산 (1:3)을 사용해 실리카 겔 컬럼을 진행시켜 추가의 정제를 수행하여 순수한 백색 화합물 (0.90 g, 수율 95%)을 얻었다.In a round bottom flask (100 mL) 9-bromo-10- (naphthalen-2-yl) anthracene-D8, intermediate 4K (0.70 g, 0.0018 mol), 4- (naphthalen-1-yl) phenylboronic acid-D11 , Intermediate 4F (0.7 g, 0.002 mol) was added followed by toluene (10 mL). The mixture was purged with
화합물 H10, 화합물 H12, 및 화합물 H13을 유사한 방식으로 제조하였다.Compound H10, compound H12, and compound H13 were prepared in a similar manner.
실시예 8 내지 실시예 10과 비교예 D 및 비교예 EExamples 8-10 and Comparative Example D and Comparative Example E
이들 예는 청색 이미터를 갖는 소자의 제작 및 성능을 나타낸다.These examples illustrate the fabrication and performance of devices with blue emitters.
소자는 유리 기판 상에서 하기 구조를 가졌다:The device had the following structure on a glass substrate:
애노드 = ITO(50 ㎚)Anode = ITO (50 nm)
정공 주입 층 = HIJ1 (50 ㎚).Hole injection layer = HIJ1 (50 nm).
정공 수송 층 = 중합체 P1 (20 ㎚)Hole transport layer = polymer P1 (20 nm)
전기활성 층 = 13:1 호스트:도펀트 (40 ㎚) (표 3에서 제시된 바와 같음)Electroactive layer = 13: 1 host: dopant (40 nm) (as shown in Table 3)
전자 수송층 = ET1 (10 ㎚)Electron transport layer = ET1 (10 nm)
캐소드 = CsF/Al(1.0/100 ㎚)Cathode = CsF / Al (1.0 / 100 nm)
[표 3][Table 3]
용액 처리 및 열증발 기술의 조합에 의해서 OLED 소자를 제작하였다. 씬 필름 디바이시즈, 인코포레이티드(Thin Film Devices, Inc)로부터의 패턴화된 인듐 주석 산화물(ITO) 코팅된 유리 기판을 사용하였다. 이러한 ITO 기판은 시트 저항이 30 ohm/square이고 광투과율이 80%인 ITO로 코팅된 코닝(Corning) 1737 유리를 기반으로 한다. 패턴화된 ITO 기판을 수성 세제 용액 중에서 초음파로 세정하였고 증류수로 헹구었다. 그 후, 패턴화된 ITO를 아세톤 중에서 초음파로 세정하였고, 아이소프로판올로 헹구었고, 질소 스트림에서 건조시켰다.OLED devices were fabricated by a combination of solution treatment and thermal evaporation techniques. Patterned indium tin oxide (ITO) coated glass substrates from Thin Film Devices, Inc. (Thin Film Devices, Inc) were used. This ITO substrate is based on Corning 1737 glass coated with ITO with a sheet resistance of 30 ohm / square and a light transmittance of 80%. The patterned ITO substrates were ultrasonically cleaned in an aqueous detergent solution and rinsed with distilled water. The patterned ITO was then ultrasonically washed in acetone, rinsed with isopropanol and dried in a stream of nitrogen.
소자 제작 직전에, 세정되고 패턴화된 ITO 기판을 UV 오존으로 10분 동안 처리하였다. 냉각 직후에, HIJ1의 수성 분산물을 ITO 표면 위에 스핀 코팅하고 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후, 그런 다음, 기판을 정공 수송 재료의 용액으로 스핀 코팅한 다음, 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후, 발광층 용액으로 기판을 스핀 코팅하고, 가열하여 용매를 제거하였다. 기판을 마스킹하고, 진공 챔버에 넣었다. 열증발에 의해 전자 수송 층에 이어서 CsF의 층을 침착시켰다. 그 다음, 진공에서 마스크를 바꾸고 열적 증발에 의해서 Al의 층을 침착하였다. 챔버를 통기시키고, 유리 덮개, 건조제, 및 UV 경화성 에폭시를 사용하여 소자를 캡슐화하였다.Immediately before device fabrication, the cleaned and patterned ITO substrates were treated with UV ozone for 10 minutes. Immediately after cooling, the aqueous dispersion of HIJ1 was spin coated onto the ITO surface and heated to remove solvent. After cooling, the substrate was then spin coated with a solution of hole transport material and then heated to remove solvent. After cooling, the substrate was spin coated with a light emitting layer solution and heated to remove the solvent. The substrate was masked and placed in a vacuum chamber. Thermal evaporation then deposited the electron transport layer followed by a layer of CsF. The mask was then changed in vacuo and a layer of Al was deposited by thermal evaporation. The chamber was vented and the device was encapsulated using a glass lid, desiccant, and UV curable epoxy.
OLED 샘플을 그의 (1) 전류-전압 (I-V) 곡선, (2) 전계발광 방사휘도 대 전압, 및 (3) 전계발광 스펙트럼 대 전압을 측정함으로써 특성화하였다. 3 가지 측정 모두를 동시에 수행하고 컴퓨터로 제어하였다. 소정 전압에서의 소자의 전류 효율은 LED의 전계발광 방사휘도를 소자를 작동하는 데 필요한 전류로 나누어서 결정한다. 단위는 cd/A이다. 전력 효율은 전류 효율에 파이(pi)를 곱하고, 작동 전압으로 나눈 것이다. 단위는 lm/W이다. 소자 데이터는 표 4에 주어진다.OLED samples were characterized by measuring their (1) current-voltage (I-V) curves, (2) electroluminescent radiance versus voltage, and (3) electroluminescence spectrum versus voltage. All three measurements were performed simultaneously and controlled by computer. The current efficiency of the device at a given voltage is determined by dividing the electroluminescent radiance of the LED by the current required to operate the device. The unit is cd / A. Power efficiency is current efficiency multiplied by pi and divided by operating voltage. The unit is lm / W. Device data is given in Table 4.
[표 4][Table 4]
본 발명의 중수소화된 호스트를 사용하면, 다른 소자 특성들을 유지하면서, 소자의 수명이 크게 증가된다는 것을 알 수 있다. 다양한 호스트들에 대한 평균 예상 수명을 하기 표 5에 제공한다.It can be seen that using the deuterated host of the present invention greatly increases the lifetime of the device while maintaining other device characteristics. Average life expectancy for various hosts is provided in Table 5 below.
[표 5]TABLE 5
실시예 11 및 비교예 FExample 11 and Comparative Example F
본 실시예는 녹색 도펀트, 화학식 I을 갖는 제1 호스트, 및 제2 호스트 재료를 갖는 전기활성 층을 갖는 소자의 제작 및 성능을 나타낸다. 전자 수송 재료는 하기에 나타낸 ET2였다.This example shows the fabrication and performance of a device having a green dopant, a first host having Formula I, and an electroactive layer having a second host material. The electron transport material was ET2 shown below.
소자는 유리 기판 상에서 하기 구조를 가졌다:The device had the following structure on a glass substrate:
애노드 = ITO(50 ㎚)Anode = ITO (50 nm)
정공 주입 층 = HIJ2 (50 ㎚) (이는 전기 전도성 중합체와 중합체성 플루오르화 설폰산의 수성 분산물임) 이러한 재료는, 예를 들어, 미국 특허 출원 공개 제2004/0102577호, 제2004/0127637호, 제2005/0205860호, 및 국제 특허 공개 WO 2009/018009호에 기재되어 있다.Hole injection layer = HIJ2 (50 nm), which is an aqueous dispersion of electrically conductive polymer and polymeric fluorinated sulfonic acid. No. 2005/0205860, and WO 2009/018009.
정공 수송 층 = 중합체 P1 (20 ㎚)Hole transport layer = polymer P1 (20 nm)
전기활성 층 = 82.5:5:12.5 제1 호스트:제2 호스트:도펀트 (60 ㎚) (표 6에 제시된 바와 같음)Electroactive layer = 82.5: 5: 12.5 first host: second host: dopant (60 nm) (as shown in Table 6)
전자 수송 층 = ET2 (10 ㎚).Electron transport layer = ET2 (10 nm).
캐소드 = CsF/Al(0.7/100 ㎚)Cathode = CsF / Al (0.7 / 100 nm)
[표 6]TABLE 6
실시예 8 내지 실시예 10에 기재된 바와 같이 소자를 제조하고 평가하였다. 소자 데이터를 표 7에 제공한다.Devices were fabricated and evaluated as described in Examples 8-10. Device data is provided in Table 7.
[표 7]TABLE 7
본 발명의 중수소화된 호스트를 사용하면, 다른 소자 특성들을 유지하면서, 소자의 수명이 크게 증가된다는 것을 알 수 있다. 비-중수소화된 제2 호스트 재료가 존재하는 경우 조차도, 예상 수명은 2배 이상이다.It can be seen that using the deuterated host of the present invention greatly increases the lifetime of the device while maintaining other device characteristics. Even in the presence of a non-deuterated second host material, the expected life is more than doubled.
전반적인 설명 또는 실시예에서 전술된 모든 작용이 요구되지는 않으며, 특정 작용의 일부가 요구되지 않을 수 있고, 설명된 것에 더하여 하나 이상의 추가의 작용이 수행될 수 있음을 알아야 한다. 또한, 작용들이 나열된 순서는 반드시 그들이 수행되는 순서는 아니다.It should be understood that not all of the actions described above in the general description or the embodiments may be required, that some portions of the specific actions may not be required, and that one or more additional actions may be performed in addition to those described. Also, the order in which the actions are listed is not necessarily the order in which they are performed.
상기 명세서에서, 개념들이 특정 실시 형태를 참조하여 설명되었다. 그러나, 당업자는 아래의 특허청구범위에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있음을 이해한다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적이라기보다 예시적인 의미로 간주되어야 하며, 그러한 모든 변형은 본 발명의 범주 내에 포함시키고자 한다.In the foregoing specification, the concepts have been described with reference to specific embodiments. However, one of ordinary skill in the art appreciates that various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention as set forth in the claims below. Accordingly, the specification and drawings are to be regarded in an illustrative rather than a restrictive sense, and all such modifications are intended to be included within the scope of present invention.
이득, 다른 이점, 및 문제에 대한 해결책이 특정 실시 형태에 관해 전술되었다. 그러나, 이득, 이점, 문제에 대한 해결책, 그리고 임의의 이득, 이점, 또는 해결책을 발생시키거나 더 명확해지게 할 수 있는 임의의 특징부(들)는 임의의 또는 모든 특허청구범위의 매우 중요하거나, 요구되거나, 필수적인 특징부로서 해석되어서는 안된다.Benefits, other advantages, and solutions to problems have been described above with regard to specific embodiments. However, any benefit, advantage, solution to a problem, and any feature (s) that can generate or become apparent any benefit, advantage, or solution are very important to any or all of the claims, or It should not be construed as a required or essential feature.
소정 특징부가 명확함을 위해 별개의 실시 형태들과 관련하여 본 명세서에서 설명되고, 단일 실시 형태와 조합하여 또한 제공될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 역으로, 간략함을 위해 단일 실시 형태와 관련하여 설명된 여러 특징부들은 별개로 또는 임의의 하위 조합으로 또한 제공될 수 있다. 아울러, 범위로 기재된 값의 참조는 그 범위 내의 각각의 모든 값을 포함한다.It is to be understood that certain features are described herein in the context of separate embodiments for clarity and may also be provided in combination with a single embodiment. Conversely, various features that are described in connection with a single embodiment for the sake of simplicity may also be provided separately or in any subcombination. In addition, reference to values stated in ranges includes each and every value within that range.
Claims (15)
[화학식 I]
(여기서,
R1 내지 R8은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실록산, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Ar1 및 Ar2는 동일하거나 상이하며, 아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Ar3 및 Ar4는 동일하거나 상이하며, H, D, 및 아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택됨).An aryl-substituted anthracene compound of formula I having at least one D:
(I)
(here,
R 1 to R 8 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, D, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl;
Ar 1 and Ar 2 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups;
Ar 3 and Ar 4 are the same or different and are selected from the group consisting of H, D, and aryl groups.
[화학식 II]
(여기서,
R9는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 알킬, 알콕시, 실록산 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는 인접한 R9 기들이 함께 연결되어 방향족 고리를 형성할 수 있고;
m은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 1 내지 6의 정수임).The compound of claim 5, wherein Ar 3 and Ar 4 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, phenylnaphthylene, naphthylphenylene, deuterated derivatives thereof, and groups having the formula :
[Formula II]
(here,
R 9 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of H, D, alkyl, alkoxy, siloxane and silyl, or adjacent R 9 groups can be linked together to form an aromatic ring;
m is the same or different at each occurrence and is an integer from 1 to 6).
[화학식 III]
(여기서,
R9는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 알킬, 알콕시, 실록산 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는 인접한 R9 기들이 함께 연결되어 방향족 고리를 형성할 수 있고;
m은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 1 내지 6의 정수임).The compound of claim 1, wherein Ar 3 and Ar 4 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenylnaphthylene, naphthylphenylene, deuterated derivatives thereof, and a group having formula III:
[Formula III]
(here,
R 9 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of H, D, alkyl, alkoxy, siloxane and silyl, or adjacent R 9 groups can be linked together to form an aromatic ring;
m is the same or different at each occurrence and is an integer from 1 to 6).
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23957409P | 2009-09-03 | 2009-09-03 | |
US61/239,574 | 2009-09-03 | ||
PCT/US2009/068945 WO2011028216A1 (en) | 2009-09-03 | 2009-12-21 | Deuterated compounds for electronic applications |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157004393A Division KR20150036725A (en) | 2009-09-03 | 2009-12-21 | Deuterated compounds for electronic applications |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120058602A true KR20120058602A (en) | 2012-06-07 |
Family
ID=43649548
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127008462A KR20120058602A (en) | 2009-09-03 | 2009-12-21 | Deuterated compounds for electronic applications |
KR1020157004393A KR20150036725A (en) | 2009-09-03 | 2009-12-21 | Deuterated compounds for electronic applications |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157004393A KR20150036725A (en) | 2009-09-03 | 2009-12-21 | Deuterated compounds for electronic applications |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2473580A4 (en) |
JP (1) | JP5714014B2 (en) |
KR (2) | KR20120058602A (en) |
CN (2) | CN104370686A (en) |
TW (1) | TW201109291A (en) |
WO (1) | WO2011028216A1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019177393A1 (en) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 주식회사 엘지화학 | Compound and organic light emitting device comprising same |
WO2020022751A1 (en) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 머티어리얼사이언스 주식회사 | Organic electroluminescent device |
WO2021107744A1 (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 주식회사 엘지화학 | Organic light-emitting element |
KR20220106710A (en) * | 2021-01-22 | 2022-07-29 | 주식회사 엘지화학 | Method of manufacturing deuterated anthracene compound, reactant composition, deuterated anthracene compound and composition |
KR20220113272A (en) * | 2021-02-04 | 2022-08-12 | 주식회사 엘지화학 | Method of manufacturing deuterated anthracene compound, reactant composition, deuterated anthracene compound and composition |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101427457B1 (en) * | 2009-02-27 | 2014-08-08 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | Deuterated compounds for electronic applications |
US20110121269A1 (en) * | 2009-05-19 | 2011-05-26 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for electronic applications |
KR20120112520A (en) * | 2009-12-09 | 2012-10-11 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | Deuterated compound as part of a combination of compounds for electronic applications |
WO2014106523A1 (en) * | 2013-01-03 | 2014-07-10 | Merck Patent Gmbh | Electronic device |
CN107074763B (en) | 2014-10-20 | 2021-01-05 | 株式会社Lg化学 | Blue light-emitting compound |
US10439140B2 (en) | 2014-11-20 | 2019-10-08 | Lg Chem, Ltd. | Hole transport materials |
US9954174B2 (en) | 2015-05-06 | 2018-04-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Hole transport materials |
CN109075255A (en) | 2016-07-20 | 2018-12-21 | E.I.内穆尔杜邦公司 | Electroactive material |
WO2018095384A1 (en) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | 广州华睿光电材料有限公司 | Deuterated fused ring compound, polymer, mixture and composition, and organic electronic device |
KR102064949B1 (en) * | 2018-07-24 | 2020-01-10 | 머티어리얼사이언스 주식회사 | Organic compound and organic electroluminescent device comprising the same |
US11968892B2 (en) | 2018-09-20 | 2024-04-23 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device containing a light emitting layer an anthracene derivative, and an organic material layer containing a compound including as sustituents a cyano group and a nitrogen-containing heteroring |
US20200111962A1 (en) | 2018-10-03 | 2020-04-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and electronic apparatus provided with the same |
KR20210077686A (en) | 2018-10-16 | 2021-06-25 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | Organic electroluminescent devices and electronic devices |
KR20210077690A (en) | 2018-10-16 | 2021-06-25 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | Organic electroluminescent devices and electronic devices |
JP7129392B2 (en) * | 2018-10-26 | 2022-09-01 | キヤノン株式会社 | COMPOSITION, ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE AND MOBILE BODY HAVING THE SAME |
WO2020096053A1 (en) | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 出光興産株式会社 | Novel compound, and organic electroluminescence element and electronic apparatus using novel compound |
KR102455717B1 (en) | 2020-01-13 | 2022-10-18 | 주식회사 엘지화학 | Polymer and organic light emitting device using the same |
EP4071193A4 (en) | 2020-03-27 | 2023-09-13 | Lg Chem, Ltd. | Novel polymer and organic light-emitting element comprising same |
KR20210147122A (en) * | 2020-05-26 | 2021-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Amine compound and organic light emitting device including the same |
US20210376246A1 (en) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
CN114287069A (en) * | 2020-06-01 | 2022-04-05 | 株式会社Lg化学 | Composition, deposition source, organic electroluminescent device comprising the composition, and method of manufacturing the same |
CN112010762B (en) * | 2020-08-18 | 2022-02-22 | 南京高光半导体材料有限公司 | Organic electroluminescent compound and organic electroluminescent device |
WO2022181908A1 (en) | 2021-02-26 | 2022-09-01 | 주식회사 엘지화학 | Polymer and organic light-emitting device using same |
CN117940429A (en) | 2021-09-30 | 2024-04-26 | 株式会社半导体能源研究所 | Organic compound, light-emitting device, thin film, light-emitting device, electronic apparatus, and lighting device |
US20230147615A1 (en) | 2021-10-22 | 2023-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic appliance, and lighting device |
KR20230091804A (en) | 2021-12-16 | 2023-06-23 | 주식회사 엘지화학 | Polymer and organic light emitting device using the same |
WO2023165398A1 (en) * | 2022-03-01 | 2023-09-07 | 阜阳欣奕华材料科技有限公司 | Deuterated composition, organic light-emitting device and display device |
CN116143740A (en) * | 2023-02-27 | 2023-05-23 | 阜阳欣奕华材料科技有限公司 | Deuterated benzofuran compound, organic electroluminescent device and display device |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6579630B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices |
JP3848306B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | Anthryl derivative-substituted compound and organic light emitting device using the same |
JP4955971B2 (en) * | 2004-11-26 | 2012-06-20 | キヤノン株式会社 | Aminoanthryl derivative-substituted pyrene compound and organic light-emitting device |
KR101267124B1 (en) * | 2005-02-07 | 2013-05-23 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using same |
KR100739498B1 (en) * | 2005-05-07 | 2007-07-19 | 주식회사 두산 | Novel deuteriated aryl amine derivatives, preparation method thereof and organic light emitting diode using the same |
JP2007137837A (en) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element using the same |
DE102005058557A1 (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Merck Patent Gmbh | Organic electroluminescent device |
KR100852328B1 (en) * | 2006-03-15 | 2008-08-14 | 주식회사 엘지화학 | Novel anthracene derivatives, process for preparation thereof, and organic electronic light emitting device using the same |
EP1996540B1 (en) * | 2006-03-23 | 2015-07-08 | LG Chem, Ltd. | New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same |
JP2008270737A (en) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | Organic electroluminescent element |
JP5484690B2 (en) * | 2007-05-18 | 2014-05-07 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | Organic electroluminescence device |
JP2009016693A (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Host material, and organic el element |
JP2009076865A (en) * | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | Organic electroluminescence device |
KR101092003B1 (en) * | 2007-11-05 | 2011-12-09 | 에스에프씨 주식회사 | Anthracene derivative and organoelectroluminescent device employing the same |
KR101068224B1 (en) * | 2008-02-05 | 2011-09-28 | 에스에프씨 주식회사 | Anthracene derivatives and organoelectroluminescent device including the same |
KR101092005B1 (en) * | 2008-02-11 | 2011-12-09 | 에스에프씨 주식회사 | Organoelectroluminescent device and a compound used in the device |
KR101161289B1 (en) * | 2008-02-29 | 2012-07-02 | 에스에프씨 주식회사 | Amine derivatives and organoelectroluminescent device employing the same |
KR20100069216A (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-24 | 주식회사 두산 | Deuterated anthracene derivative and organic light emitting device comprising the same |
TW201132737A (en) * | 2009-08-24 | 2011-10-01 | Du Pont | Organic light-emitting diode luminaires |
-
2009
- 2009-12-21 KR KR1020127008462A patent/KR20120058602A/en not_active Application Discontinuation
- 2009-12-21 WO PCT/US2009/068945 patent/WO2011028216A1/en active Application Filing
- 2009-12-21 KR KR1020157004393A patent/KR20150036725A/en not_active Application Discontinuation
- 2009-12-21 CN CN201410524483.5A patent/CN104370686A/en active Pending
- 2009-12-21 EP EP09849078A patent/EP2473580A4/en not_active Withdrawn
- 2009-12-21 CN CN200980161299.6A patent/CN102482570B/en active Active
- 2009-12-21 JP JP2012527856A patent/JP5714014B2/en active Active
- 2009-12-21 TW TW098144112A patent/TW201109291A/en unknown
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019177393A1 (en) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 주식회사 엘지화학 | Compound and organic light emitting device comprising same |
WO2020022751A1 (en) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | 머티어리얼사이언스 주식회사 | Organic electroluminescent device |
KR20200019272A (en) * | 2018-07-24 | 2020-02-24 | 머티어리얼사이언스 주식회사 | Organic electroluminescent device |
WO2021107744A1 (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 주식회사 엘지화학 | Organic light-emitting element |
WO2021107743A1 (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 주식회사 엘지화학 | Organic light-emitting element |
WO2021107742A1 (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 주식회사 엘지화학 | Organic light-emitting element |
CN113906581A (en) * | 2019-11-29 | 2022-01-07 | 株式会社Lg化学 | Organic light emitting element |
CN113906581B (en) * | 2019-11-29 | 2024-01-23 | 株式会社Lg化学 | Organic light-emitting element |
KR20220106710A (en) * | 2021-01-22 | 2022-07-29 | 주식회사 엘지화학 | Method of manufacturing deuterated anthracene compound, reactant composition, deuterated anthracene compound and composition |
KR20220113272A (en) * | 2021-02-04 | 2022-08-12 | 주식회사 엘지화학 | Method of manufacturing deuterated anthracene compound, reactant composition, deuterated anthracene compound and composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2473580A1 (en) | 2012-07-11 |
CN102482570B (en) | 2014-11-12 |
CN102482570A (en) | 2012-05-30 |
JP5714014B2 (en) | 2015-05-07 |
JP2013503860A (en) | 2013-02-04 |
WO2011028216A1 (en) | 2011-03-10 |
KR20150036725A (en) | 2015-04-07 |
TW201109291A (en) | 2011-03-16 |
CN104370686A (en) | 2015-02-25 |
EP2473580A4 (en) | 2013-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9577199B2 (en) | Deuterated compounds for electronic applications | |
JP5714014B2 (en) | Deuterium compounds for electronic applications | |
JP5676579B2 (en) | Deuterium compounds for electronic applications | |
KR101427457B1 (en) | Deuterated compounds for electronic applications | |
JP5671054B2 (en) | Deuterium compounds as part of a combination of compounds for electronic applications | |
KR101790854B1 (en) | Deuterated compounds for luminescent applications | |
US8465849B2 (en) | Deuterated zirconium compound for electronic applications | |
KR20120026080A (en) | Deuterated compounds for luminescent applications | |
US9276217B2 (en) | Electroactive materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150217 Effective date: 20150612 |
|
J121 | Written withdrawal of request for trial | ||
WITB | Written withdrawal of application |