KR20110026376A - Decompression drier and decompression dry method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막(도포막)에 대하여 감압 상태로 건조 처리를 가하는 감압건조장치 및 감압건조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a reduced pressure drying apparatus and a reduced pressure drying method for applying a drying treatment under reduced pressure to a film (coating film) of a coating liquid formed on a substrate to be processed.
예를 들면 FPD(플랫·패널·디스플레이)의 제조에 있어서는, 유리 기판 등의 피처리기판에 소정의 막을 성막 한 후, 처리액인 포토레지스트(이하, 레지스트라고 부른다)를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로 패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하고, 이것을 현상 처리하는, 이른바 포토리소그래피 공정에 의해 회로 패턴을 형성하고 있다.For example, in the manufacture of FPD (flat panel display), a predetermined film is formed on a substrate to be processed, such as a glass substrate, and then a photoresist (hereinafter referred to as a resist), which is a processing liquid, is applied to form a resist film. The circuit pattern is formed by a so-called photolithography step in which a resist film is exposed to correspond to the circuit pattern and developed.
이러한 FPD 제조의 포토리소그래피 공정에 있어서는, 유리 기판 등의 피처리기판 상에 도포한 레지스트액의 도포막을 프리베이킹에 앞서 적당히 건조시키기 위해서 감압건조장치가 이용되고 있다.In such a photolithography step of FPD production, a reduced pressure drying device is used in order to dry a coating film of a resist liquid applied on a substrate to be processed, such as a glass substrate, prior to prebaking.
종래의 대표적인 감압건조장치(50)는, 예를 들어 특허문헌 1에 기재되는 바와 같이, 상면이 개구되어 있는 트레이 또는 바닥이 낮은 용기형태의 하부 챔버(51)와, 이 하부 챔버의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤 가능하게 구성된 덮개 형상의 상부 챔버(52)를 가지고 있다. 하부 챔버 안에는 스테이지(53)가 배치되어 있으며, 이 스테이지상에 고정 핀(54)을 통하여 기판(G)을 수평으로 재치하고 나서, 챔버를 닫아(상부 챔버를 하부 챔버에 밀착시켜) 감압건조처리를 실시한다(도 23 참조).The conventional representative pressure
이런 종류의 감압건조처리에서는, 하부 챔버의 바닥에 마련한 배기구(55)를 통해서 외부의 진공 펌프에 의해 챔버 안의 진공 배기를 실시한다. 이 진공 배기에 의해, 챔버 안의 압력이 지금까지의 대기압 상태로부터 감압 상태로 바뀌어, 이 감압 상태하에서 기판상의 레지스트 도포막으로부터 용제(시너)가 증발하고, 레지스트 도포막의 표면에 변질층(단단한 층)이 형성된다. 그리고, 감압 건조를 개시하고 나서 일정시간이 경과한 시점에서, 혹은 설정압력에 도달한 시점에서, 감압건조처리를 종료시킨다. 이를 위해, 하부 챔버 안의 구석에 마련된 퍼지 포토보다 불활성 가스(예를 들어 질소 가스 혹은 에어)를 분출 또는 확산 방출시켜서, 챔버 안의 압력을 대기압에 되돌린다. 이 후, 상부 챔버를 들어올리고 챔버를 열어 기판을 반출한다.In this type of reduced pressure drying process, the vacuum is discharged in the chamber by an external vacuum pump through the
그런데, 근년에 있어서는, FPD등에 이용되는 유리 기판이 대형화하고, 감압건조처리 유닛에 있어서도, 유리 기판을 수용하는 챔버가 대형화하고 있다.By the way, in recent years, the glass substrate used for FPD etc. is enlarged and the chamber which accommodates a glass substrate is enlarged also in the pressure reduction drying processing unit.
이 때문에, 챔버 안의 용적이 증가하고, 소정압까지의 감압에 시간을 필요로 하고 있었다. 또, 기판상에 도포된 레지스트액의 양이 증가하기 때문에, 기판 전체면에 걸쳐 균일하게 레지스트액이 건조할 때까지 장시간을 필요로 하며, 생산 효율이 저하된다고 하는 과제가 있었다.For this reason, the volume in a chamber increased and time was required for pressure reduction to a predetermined pressure. Moreover, since the quantity of the resist liquid apply | coated on the board | substrate increases, it requires a long time until the resist liquid dries uniformly over the board | substrate whole surface, and there existed a subject that the production efficiency fell.
이러한 과제에 대해, 본원 출원인은, 챔버 안에 정류(整流) 부재를 설치함으로써, 기판 상면 부근에 한 방향으로 흐르는 기류를 형성하여, 기판 처리면에 대한 건조처리를 보다 단시간에 실시할 수 있는 감압건조장치 및 감압건조방법을 제안하고 있다(일본 특허출원 2009-172834).In response to this problem, the applicant of the present application forms a airflow flowing in one direction near the upper surface of the substrate by providing a rectifying member in the chamber, so that the drying process on the substrate processing surface can be performed in a shorter time. An apparatus and a reduced pressure drying method are proposed (Japanese Patent Application No. 2009-172834).
그러나, 레지스트액의 종류, 막두께 등의 처리 조건에 의해서, 건조 시간이나 건조 얼룩의 발생 상황이 다르기 때문에, 1개의 챔버에서 복수 종류의 처리 조건을 실행하는 경우, 모든 기판에 있어서 반드시 단시간에 양호한 막 형성을 할 수 있는 것은 아니었다.However, since the drying time and the generation | occurrence | production condition of a dry stain vary with the processing conditions, such as the kind of resist liquid and film thickness, when performing several types of processing conditions in one chamber, it is necessarily good in a short time for all the board | substrates. It was not possible to form a film.
즉, 처리 조건이 다른 기판의 전부에 대해, 양호한 막 형성(건조처리)을 실시하려면, 적어도 처리 조건에 따라 챔버 안에 배치하는 기판의 높이를 바꿀 필요가 있지만, 기판의 높이를 바꾸어도 동일한 정류 부재로 모든 처리 조건에 대응하기에는 불충분했다.That is, in order to perform favorable film formation (drying process) with respect to all the board | substrates with which processing conditions differ, it is necessary to change the height of the board | substrate arrange | positioned in a chamber according to processing conditions at least. It was insufficient to cope with all the processing conditions.
구체적인 예를 들면, 레지스트액의 종류나 막두께에 따라서는, 챔버 안에 있어서 기판 하방의 공간이 좁은 경우에, 레지스트막에 기판 하방의 부재에 의한 전사 흔적이 생기기 쉽다.For example, depending on the kind of resist liquid and the film thickness, in the case where the space below the substrate is narrow in the chamber, transfer traces by members below the substrate tend to occur in the resist film.
그러한 전사 흔적의 발생을 방지하기 위해서, 챔버 안에서의 기판의위치를 높게 하여, 챔버 바닥면으로부터 떨어뜨려 놓는 것이 바람직하다.In order to prevent the occurrence of such transfer traces, it is preferable to raise the position of the substrate in the chamber and to separate it from the chamber bottom surface.
그러나, 기판을 챔버 바닥면으로부터 떨어뜨려놓으면, 챔버 안에 설치된 정류 부재가 충분히 기능하지 않고, 기판의 뒤편에 빈틈이 생겨 기판상에 충분한 기류를 형성하지 못하고, 단시간에 건조처리를 실시할 수 없었다. 또한, 기판의 뒤편 (기판과 정류 부재와의 빈틈)을 지나는 기류에 의해서, 레지스트막에 건조얼룩이 생기기 쉽다고 하는 문제가 있었다.However, when the substrate is separated from the chamber bottom surface, the rectifying member provided in the chamber does not function sufficiently, a gap is formed on the back of the substrate, and sufficient airflow cannot be formed on the substrate, and the drying process cannot be performed in a short time. In addition, there is a problem that dry spots are likely to occur in the resist film due to airflow passing through the back side of the substrate (the gap between the substrate and the rectifying member).
또한, 레지스트 패턴의 잔막율(殘膜率)과 패턴 단면 형상 및 선폭과의 사이에는 상관관계가 있으며, 잔막율이 높을수록 레지스트 패턴의 어깨부가 부풀고 선폭은 좁아지고, 잔막율이 낮을수록 레지스트 패턴의 어깨부가 떨어지고 선폭은 역테이퍼 형상으로 넓어진다. 통상, 디바이스의 미세화에는 잔막율이 높은 전자의 패턴 특성이 바람직하지만, 다층 배선 구조에서 배선을 교차시킬 때는 잔막율이 낮은 후자의 패턴 특성이 선호되기도 한다. 따라서, 디바이스의 사양 등에 따라 잔막율이 높은 감압건조처리 혹은 잔막율이 낮은 감압건조처리 중 한쪽이 선택된다. 어느 쪽이 선택되어도, 감압건조처리 후의 레지스트 도포막이 원하는 막질 특성을 면내 균일하게 띠는 장치 성능을 구할 수 있다.In addition, there is a correlation between the residual film ratio of the resist pattern and the pattern cross-sectional shape and the line width. The higher the residual film ratio, the swelling of the shoulder portion of the resist pattern and the narrower the line width. The shoulder of the falls and the line width widens in the reverse tapered shape. In general, the former pattern characteristics having a high residual film ratio are preferred for miniaturization of the device, but the latter pattern characteristics having a low residual film ratio may be preferred when the wiring is crossed in a multilayer wiring structure. Therefore, either the decompression drying process with a high residual film rate or the decompression drying process with a low residual film rate is selected according to the specification of a device. In either case, it is possible to obtain the device performance in which the resist coating film after the reduced pressure drying process uniformly exhibits desired film quality characteristics in plane.
본 발명은, 상기한 바와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 처리액이 도포된 피처리기판에 대하여 상기 처리액의 건조처리를 실시하고, 도포막을 형성하는 감압건조장치로서, 처리 조건이 다른 복수의 피처리기판에 대해, 각각 처리액의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있는 감압건조장치 및 감압건조방법을 제공한다.The present invention has been made under the above circumstances, and is a reduced pressure drying apparatus for performing a drying treatment of a treatment liquid on a substrate to which a treatment liquid is applied and forming a coating film, wherein the plurality of treatment targets having different treatment conditions are different. Provided are a reduced pressure drying apparatus and a reduced pressure drying method capable of shortening a drying time of a processing liquid and performing good film formation on a substrate, respectively.
또한, 본 발명은, 피처리기판상의 도포막에 대한 감압건조처리를 급속히 실시하는 프로세스와, 완만하게 실시하는 프로세스 중 선택적인 변환을 가능하게 하고, 또한 어느 쪽의 프로세스라도 원하는 막질 특성이 기판상에 면내 균일하게 얻어지도록 하는 감압건조장치 및 감압건조방법을 제공한다.In addition, the present invention enables a selective conversion between a process of rapidly performing a reduced pressure drying process on a coating film on a substrate to be processed and a process of gently performing the film, and the desired film quality characteristics of the substrate on the substrate. Provided is a reduced pressure drying apparatus and a reduced pressure drying method for uniformly obtaining in-plane.
상기 한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관한 감압건조장치는, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조장치로서, 피처리기판을 수용하며, 처리공간을 형성하는 챔버와, 상기 챔버 안에 설치되어 상기 피처리기판을 유지하는 유지부와, 상기 유지부를 승강 이동시키는 제1 승강수단과, 상기 유지부의 하방에 설치된 기류 제어부와, 상기 기류 제어부를 승강 이동시키는 제2 승강수단과, 상기 챔버 안에 형성된 배기구와, 상기 배기구로부터 챔버 안의 분위기를 배기하는 배기수단을 구비한다.In order to solve the said subject, the pressure reduction drying apparatus which concerns on this invention is a pressure reduction drying apparatus which performs the pressure reduction drying process of the said processing liquid with respect to the to-be-processed substrate to which the processing liquid was apply | coated, and forms a coating film. A chamber for accommodating and forming a processing space, a holding part installed in the chamber to hold the substrate to be processed, first lifting means for lifting and lowering the holding part, and an air flow control part provided below the holding part; And a second elevating means for elevating and moving the air flow controller, an exhaust port formed in the chamber, and an exhaust means for exhausting the atmosphere in the chamber from the exhaust port.
이러한 구성에 의하면, 감압건조처리 동안에, 피처리기판을 유지하는 유지부의 높이, 및, 기류 제어부의 높이를 변화시킴으로써, 챔버 안에 형성되는 기류를 제어할 수 있다.According to such a structure, the airflow formed in a chamber can be controlled by changing the height of the holding part which hold | maintains a to-be-processed board | substrate, and the height of an airflow control part during a pressure reduction drying process.
이것에 의해, 피처리기판에 의해서 레지스트액의 종류나 막두께 등의 처리 조건이 달라도, 각 처리 조건에 따른 매우 적합한 건조처리를 할 수 있어, 레지스트액의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있다.This makes it possible to perform a very suitable drying treatment depending on the processing conditions even if the processing conditions such as the type and the film thickness of the resist liquid differ depending on the substrate to be treated, thereby shortening the drying time of the resist liquid and forming a good film. Can be carried out.
또한, 본 발명의 감압건조장치는, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막을 감압 상태에서 건조시키기 위한 감압건조장치로서, 기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와, 수평의 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치된 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와, 상기 챔버 안에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치된 배기 포트를 가지며, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부와, 상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부 및 기판 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드와의 사이에서 변환 가능한 기류 제어부를 가진다.In addition, the pressure reduction drying apparatus of the present invention is a pressure reduction drying apparatus for drying a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed under a reduced pressure, and includes a pressure reducing chamber for receivably receiving the substrate, and a holding holding the substrate in the chamber. An inert gas supply unit having a first air supply port provided on one side of the holding unit in the chamber in a horizontal first direction and supplying an inert gas into the chamber through the first air supply port; An exhaust port provided in a second region except a first region between the first air supply port and the holding portion, the exhaust unit for evacuating the inside of the chamber through the exhaust port, and ejected from the first air supply port Flow of inert gas so that a majority of the inert gas passes over the holder and the substrate to reach the exhaust port And an airflow controllable switchable between the first mode for regulating the air flow and the second mode for substantially releasing the regulation of the airflow route to the inert gas.
또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과, 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 상승시켜, 상기 유지부에 유지된 상기 피처리기판을 상기 챔버의 천정부에 근접시키는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 제2 승강수단에 의해 상기 기류 제어부를 상승 이동시켜, 상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부를 근접시키는 스텝을 실행한다.The pressure reduction drying method according to the present invention is a pressure reduction drying method for forming a coating film by subjecting the substrate to which the treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying method to form a coating film. Holding the substrate to be processed in a portion; raising the holding portion by the first elevating means to bring the substrate to be held close to the ceiling of the chamber; Performing a step of depressurizing the processing space in the chamber, and moving the air flow control part by the second elevating means after the predetermined time has elapsed to bring the air flow control part closer to the substrate to be processed held by the holding part. do.
또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과. 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시키는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 상기 유지부와 상기 정류 부재를, 서로의 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행한다.The pressure reduction drying method according to the present invention is a pressure reduction drying method for forming a coating film by subjecting the substrate to which the treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying method to form a coating film. And a step of holding the substrate to be processed in the portion. Moving the holding portion down by the first elevating means to bring the substrate to be processed closer to the air flow control portion; depressurizing the processing space in the chamber by the exhausting means; A step of moving the holding portion holding the substrate to be processed and the rectifying member up and down by the first lifting means and the second lifting means while keeping the distance from each other and stopping at a predetermined position in the chamber is executed. do.
또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과, 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 상승시켜, 상기 유지부에 유지된 상기 피처리기판을 상기 챔버의 천정부에 근접시키는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 제2 승강수단에 의해 상기 기류 제어부를 상승 이동시켜, 상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부를 근접시킴과 동시에, 상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기 하는 스텝을 실행한다.The pressure reduction drying method according to the present invention is a pressure reduction drying method for forming a coating film by subjecting the substrate to which the treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying method to form a coating film. Holding the substrate to be processed in a portion; raising the holding portion by the first elevating means to bring the substrate to be held close to the ceiling of the chamber; Depressurizing the processing space in the chamber, and after a predetermined time elapses, the air flow controller is moved upward by the second elevating means to bring the air flow controller close to the substrate to be processed held by the holding part. The step of supplying an inert gas into the chamber by the air supply means is performed.
또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시킴과 동시에, 상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 유지부와 상기 유지부를, 서로의 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행한다.The pressure reduction drying method according to the present invention is a pressure reduction drying method for forming a coating film by subjecting the substrate to which the treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying method to form a coating film. A step of holding the substrate to be processed in the portion, a step of depressurizing the processing space in the chamber by the exhaust means, and after the predetermined time has elapsed, the holding portion is moved downward by the first elevating means, To the air flow control unit and supplying an inert gas into the chamber by the air supply means, and after a predetermined time elapses, a retaining unit holding the substrate to be processed and the retaining unit maintain the distance from each other. In this state, the step of raising and lowering by the first elevating means and the second elevating means is performed to stop at a predetermined position in the chamber.
또한, 본 발명에 관한 감압건조방법은, 상기 감압건조장치에 있어서, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 감압건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조방법으로서, 상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과, 상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시키는 스텝과, 상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과, 상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기하는 스텝과, 소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 상기 유지부와 상기 정류 부재를, 서로의 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행한다.The pressure reduction drying method according to the present invention is a pressure reduction drying method for forming a coating film by subjecting the substrate to which the treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying method to form a coating film. A step of holding the substrate to be processed in a portion, moving the holding portion down by the first elevating means to bring the substrate to be close to the airflow control portion, and the processing space in the chamber by the exhaust means. A step of depressurizing, a step of supplying an inert gas into the chamber by the air supply means, and after a predetermined time elapses, the holding portion and the rectifying member holding the substrate to be processed are kept at a distance from each other. And moving up by the first elevating means and the second elevating means to stop at a predetermined position in the chamber.
이러한 방법을 실시함으로써, 피처리기판에 의해서 레지스트액의 종류나 막두께 등의 처리 조건이 달라도, 각 처리 조건에 따른 매우 적합한 건조처리를 할 수 있어, 레지스트액의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있다.By carrying out such a method, even if the processing conditions such as the type and the film thickness of the resist liquid differ depending on the substrate to be treated, it is possible to perform a very suitable drying treatment according to the processing conditions, thereby shortening the drying time of the resist liquid and Film formation can be performed.
또한, 본 발명의 감압건조방법은, 기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와, 상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와, 수평인 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치되는 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와, 상기 장내에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치되는 배기 포트를 가지며, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부를 가지는 감압건조장치를 이용하여, 피처리기판상에 형성된 도포액의 막을 감압 상태에서 건조시키기 위한 감압건조방법으로서, 상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부의 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드를 선택적으로 변환한다.In addition, the vacuum drying method of the present invention is provided on one side of the holding portion in the chamber in a pressure-reducing chamber for receivably receiving the substrate, a holding portion for placing the substrate in the chamber, and a horizontal first direction. An inert gas supply unit having a first air supply port and supplying an inert gas into the chamber through the first air supply port, and a second region other than a first region between the first air supply port and the holding unit in the intestine; A reduced pressure drying method for drying a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed under a reduced pressure using a reduced pressure drying apparatus having an exhaust port provided in an area and having an exhaust portion for evacuating the inside of the chamber through the exhaust port. Most of the inert gas ejected from the first air supply port passes through the holding portion to reach the exhaust port. To a second mode in which substantially releases the regulation of the air flow route of the first mode and the inert gas for regulating the route of an inert gas stream is selectively converted to.
본 발명에 의하면, 기류 제어부가 제1 모드를 선택했을 때는, 감압건조처리중에 제1 급기 포트로부터 챔버 안에 공급된 불활성 가스중 많은 부분(바람직하게는 대부분)이 기판 위에서 한 방향으로 흐르고, 기판상의 도포막으로부터 휘발되는 용제가 신속하게 불활성 가스의 기류에 옮겨지기 때문에, 감압 건조가 촉진되어 급속·단시간의 감압건조처리가 가능하고, 게다가 기판상의 도포막의 막질 특성에 대한 급속 감압 건조의 효과를 면내 균일하게 얻을 수 있다.According to the present invention, when the airflow control unit selects the first mode, a large portion (preferably most) of the inert gas supplied from the first air supply port into the chamber during the decompression drying process flows in one direction on the substrate, Since the solvent volatilized from the coating film is quickly transferred to the air stream of the inert gas, decompression drying is accelerated and rapid and short pressure drying process is possible, and the effect of rapid pressure drying on the film quality of the coating film on the substrate is in-plane. It can be obtained uniformly.
또한, 기류 제어부가 제2 모드를 선택했을 때는, 챔버 안에서, 특히 유지부 및 기판 주위에, 불활성 가스의 기류에 규제가 걸리지 않기 때문에, 감압건조처리의 개시 직후의 진공 유도나 감압건조처리 종료시의 퍼징을 효율적으로 실시할 수 있을 뿐만 아니라, 감압건조처리중에 기판상에 한 방향의 기류를 형성하지 않고 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 것도 가능하다. 이것에 의해서, 완만·장시간의 감압 건조 프로세스도 안정·양호하게 실시 가능하고, 기판상의 도포막의 막질 특성에 대한 완만 감압 건조의 효과를 면내 균일하게 얻을 수 있다.In addition, when the airflow control section selects the second mode, since the airflow of the inert gas is not restricted in the chamber, particularly around the holding section and the substrate, the vacuum induction immediately after the start of the decompression drying process or the end of the decompression drying process is completed. Not only can purging be efficiently performed, but it is also possible to supply an inert gas into the chamber without forming a one-way airflow on the substrate during the vacuum drying process. Thereby, slow and long time vacuum drying process can also be performed stably and favorably, and the effect of slow pressure drying on the film | membrane characteristic of the coating film on a board | substrate can be acquired uniformly in surface.
본 발명에 의하면, 처리액이 도포된 피처리기판에 대해 상기 처리액의 건조처리를 실시하여, 도포막을 형성하는 감압건조장치로서, 처리 조건이 다른 복수의 피처리기판에 대해, 각각 처리액의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있는 감압건조장치 및 감압건조방법을 얻을 수 있다. According to the present invention, there is provided a pressure-sensitive drying apparatus for performing a drying treatment of a treatment liquid on a substrate to which a treatment liquid has been applied to form a coating film, wherein the treatment liquid is applied to a plurality of substrates having different treatment conditions. A reduced pressure drying apparatus and a reduced pressure drying method capable of shortening the drying time and achieving good film formation can be obtained.
또한, 본 발명에 의하면, 피처리기판상의 도포막에 대한 감압건조처리를 급속히 실시하는 프로세스와 완만하게 실시하는 프로세스와의 선택적인 변환을 가능하게 하고, 또한 어느 쪽의 감압 건조 프로세스에서도 기판상에 원하는 막질 특성을 면내 균일하게 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to selectively convert between a process of rapidly performing a reduced pressure drying process on a coating film on a substrate to be processed and a process of slowly performing it, and in any of the reduced pressure drying processes, Desired film quality characteristics can be obtained uniformly in plane.
[도 1] 본 발명에 관한 감압건조장치를 구비하는 도포 장치의 전체 구성을 나타내 보이는 평면도이다.
[도 2] 도 1의 도포 장치의 측면도이다.
[도 3] 본 발명에 관한 감압건조장치의 일실시 형태의 평면도이다.
[도 4] 도 3의 A-A선 단면도이다.
[도 5] 도 3의 B-B선 단면도이다.
[도 6] 본 발명에 관한 감압건조장치의 동작의 흐름을 나타내는 플로우이다.
[도 7]본 발명에 관한 감압건조장치의 상태 천이를 설명하기 위한 단면도이다.
[도 8] 본 발명에 관한 감압건조장치의 상태 천이를 설명하기 위한 단면도이다.
[도 9] 하나의 실시형태에 있어서의 FPD 제조용 레지스트 도포장치의 구성을 나타내는 일부 분해 측면도이다.
[도 10] 상기 레지스트 도포장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 11] 실시형태의 레지스트 도포 유닛에 있어서의 급기 시스템의 하나의 구성예를 나타내는 도면이다.
[도 12] 실시형태의 레지스트 도포 유닛에 있어서의 배기 시스템의 하나의 구성예를 나타내는 도면이다.
[도 13] 실시형태의 레지스트 도포 유닛에 있어서의 챔버 내부의 구성을 나타내는 일부 단면 평면도이다.
[도 14a] 기류 제어부에서 제1 모드를 선택하고 있을 때의 도 13의 I-I선에 대한 종단면도이다.
[도 14b] 기류 제어부에서 제2 모드를 선택하고 있을 때의 도 13의 I-I선에 대한 종단면도이다.
[도 15a] 기류 제어부에서 제1 모드를 선택하고 있을 때의 도 13의 Ⅱ-Ⅱ선에 대한 종단면도이다.
[도 15b] 기류 제어부에서 제2 모드를 선택하고 있을 때의 도 13의 Ⅱ-Ⅱ선에 대한 종단면도이다.
[도 16a] 감압건조처리의 개시 직후의 챔버 안의 각부 및 기류 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 16b] 감압건조처리의 개시 직후의 챔버 안의 각부 및 기류 상태를 나타내는 종단면도이다.
[도 17a] 감압건조처리중에 제1 모드를 선택했을 경우의 챔버 안의 각부 및 기류 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 17b] 감압건조처리중에 제1 모드를 선택했을 경우의 챔버 안의 각부 및 기류 상태를 나타내는 종단면도이다.
[도 18] 기판상의 클리어런스 조정에 대한 기류 제어부의 대응을 나타내는 종단면도이다.
[도 19] 감압건조처리중에 제2 모드로 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 경우를 선택했을 때의 각부 및 기류 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 20] 감압건조처리의 종료시에 챔버 안을 불활성 가스로 퍼징할 때의 각부 및 기류 상태를 나타내는 종단면도이다.
[도 21a] 블록 구조의 스테이지와 리프트 핀을 이용하는 실시형태의 장치 구성 및 작용을 나타내는 하나의 종단면도이다.
[도 21b] 블록 구조의 스테이지와 리프트 핀을 이용하는 실시형태의 장치 구성 및 작용을 나타내는 다른 종단면도이다.
[도 22a] 스테이지의 아래에 배기 포트를 마련하는 실시형태의 장치 구성을 나타내는 평면도이다.
[도 22b] 스테이지의 아래에 배기 포트를 마련하는 실시형태의 장치 구성 및 작용을 나타내는 종단면도이다.
[도 23] 종래의 감압 건조 유닛의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the whole structure of the coating apparatus provided with the pressure reduction drying apparatus which concerns on this invention.
FIG. 2 is a side view of the coating device of FIG. 1. FIG.
3 is a plan view of one embodiment of a pressure reduction drying apparatus according to the present invention.
4 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 3.
Fig. 6 is a flow showing the flow of operation of the reduced pressure drying apparatus according to the present invention.
7 is a cross-sectional view for explaining a state transition of the pressure reduction drying apparatus according to the present invention.
8 is a cross-sectional view for explaining a state transition of the reduced pressure drying apparatus according to the present invention.
FIG. 9 is a partially exploded side view showing the configuration of a resist coating apparatus for manufacturing FPD in one embodiment. FIG.
Fig. 10 is a plan view showing the structure of the resist coating apparatus.
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration example of an air supply system in the resist coating unit of the embodiment. FIG.
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a configuration of an exhaust system in the resist coating unit of the embodiment. FIG.
It is a partial cross-sectional plan view which shows the structure inside a chamber in the resist coating unit of embodiment.
FIG. 14A is a longitudinal cross-sectional view taken along the line II in FIG. 13 when the first mode is selected by the air flow controller. FIG.
FIG. 14B is a longitudinal cross-sectional view taken along the line II in FIG. 13 when the second mode is selected by the air flow controller.
Fig. 15A is a longitudinal sectional view of the II-II line in Fig. 13 when the first mode is selected by the air flow controller.
Fig. 15B is a longitudinal sectional view of the II-II line in Fig. 13 when the second mode is selected by the air flow controller.
Fig. 16A is a plan view showing the parts in the chamber and the air flow state immediately after the start of the vacuum drying treatment.
Fig. 16B is a longitudinal sectional view showing various parts of the chamber and the airflow state immediately after the start of the decompression drying process.
Fig. 17A is a plan view showing the parts inside the chamber and the air flow state when the first mode is selected during the decompression drying process.
Fig. 17B is a longitudinal sectional view showing the parts inside the chamber and the air flow state when the first mode is selected during the decompression drying process.
18 is a longitudinal cross-sectional view illustrating the correspondence of an airflow control unit with respect to clearance adjustment on a substrate.
Fig. 19 is a plan view showing the parts and the air flow state when the case where an inert gas is supplied into the chamber in the second mode during the vacuum drying process is selected.
Fig. 20 is a longitudinal sectional view showing the parts and the airflow state when purging the chamber with inert gas at the end of the decompression drying process.
FIG. 21A is a longitudinal cross-sectional view showing the arrangement and operation of the device in the embodiment using the block structure of the stage and the lift pin. FIG.
Fig. 21B is another longitudinal sectional view showing the device configuration and operation of the embodiment using the block structure of the stage and the lift pins.
It is a top view which shows the structure of the apparatus of embodiment which provides an exhaust port under a stage.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the apparatus structure and operation | movement of embodiment which provides an exhaust port under a stage.
It is sectional drawing which shows schematic structure of the conventional pressure reduction drying unit.
이하, 본 발명에 관한 제1 실시의 형태에 대해, 도 1 내지 도 5에 기초하여 설명한다. 본 발명의 감압건조장치는, 포토리소그래피 공정에있어서 피처리기판에 레지스트막을 형성하는 도포 장치 내의 감압 건조 유닛에 적용할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Embodiment which concerns on this invention is described based on FIG. The pressure reduction drying apparatus of the present invention can be applied to a pressure reduction drying unit in a coating apparatus for forming a resist film on a substrate to be processed in a photolithography step.
도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이, 도포 장치(100)는, 지지대(110) 위에, 노즐(122)을 가지는 레지스트 도포 유닛(112)과, 감압 건조 유닛(114)이 처리 공정의 순서에 따라 옆에 일렬로 배치되어 있다. 지지대(110)의 양측에는 한 쌍의 가이드 레일(116)이 부설되고, 이 가이드 레일(116)을 따라 평행 이동하는 1조의 반송 아암(118)에 의해, 기판(G)이 레지스트 도포 유닛(112)으로부터 감압 건조 유닛(114)으로 반송될 수 있도록 되어 있다.As shown to FIG. 1, FIG. 2, the
상기 레지스트 도포 유닛(112)은, 상기 한 바와 같이 노즐(122)을 가지며, 이 노즐(112)은 지지대(110)상에 고정된 게이트(120)로부터 매달린 상태로 고정되고 있다. 이 노즐(112)에는 레지스트액 공급 수단(도시하지 않음)으로부터 처리액인 레지스트액(R)이 공급되어 반송 아암(118)에 의해서 게이트(120) 아래를 통과 이동하는 기판(G)의 일단으로부터 타단에 걸쳐 레지스트액(R)을 도포하도록 되고 있다.The resist
또한, 감압 건조 유닛(114)는, 상면이 개구되어 있는 바닥이 낮은 용기형상의 하부 챔버(124)와, 이 하부 챔버(124)의 상면에 기밀에 밀착 가능하게 구성된 덮개 형상의 상부 챔버(126)를 가지고 있다.In addition, the pressure
도 1, 도 3에 도시하는 바와 같이 하부 챔버(124)는 대략 사각형으로, 중심부에는 기판(G)을 수평으로 얹어놓아 흡착 유지하기 위한 판 형상의 스테이지 (130)(유지부)가 배치되어 있다. 상기 상부 챔버(126)는, 상부 챔버 이동수단(128)에 의해서 상기 스테이지(130)의 상방에 자유롭게 승강하도록 배치되어 있고, 감압건조처리 시에는 상부 챔버(126)가 하강하여 하부 챔버(124)로 밀착해 닫아 스테이지(130)상에 얹어놓여진 기판(G)을 처리공간에 수용한 상태가 된다.As shown in FIG. 1, FIG. 3, the
한편, 도 4, 5에 도시하는 바와 같이, 상기 스테이지(130)는, 예를 들면 모터를 구동원으로 하는 볼 나사 기구로 되는 승강장치(194)(제1 승강수단)에 의해서 승강 이동 가능하게 되어 있다.On the other hand, as shown in Figs. 4 and 5, the
또한, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같이, 기판(G)의 측방에는, 배기구(134)가 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 배기구(134)는, 하부 챔버(124)의 바닥면의 한 변 부근의 2개소에 설치되고 있다. 각 배기구(134)에는, 각각 배기관(152)이 접속되고, 각 배기관(152)은 진공 펌프(148)(배기수단)에 통하고 있다. 그리고, 하부 챔버(124)에 상기 상부 챔버(126)를 씌운 상태에서, 챔버 안의 처리공간을 상기 진공 펌프(148)에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있게 되어 있다.3 and 4, an
또한, 챔버 안에 있어서, 기판(G)을 사이에 두고, 상기 배기구(134)와 반대측의 기판측방에는, 급기구(132)가 설치되어 있다. 이 급기구(132)는, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같이, 대략 사각형의 하부 챔버(124)의 바닥면에서, 상기 배기구 (134)가 설치된 한 변과 서로 대향하는 다른 변 부근에 설치되어 있다. 이 급기구 (132)로부터 챔버 안에 불활성 가스(예를 들면 질소 가스)가 공급되며, 챔버 내 분위기가 퍼지 된다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 급기구(132)에 접속된 급기관(142)은, 불활성 가스 공급부(136)(급기수단)에 접속되어 있다.In the chamber, the
상기 급기구(132)로부터의 불활성 가스의 공급은, 챔버 내 기압이 소정치(예를 들면 400Pa 이하)에 이르렀을 때, 혹은, 챔버 안이 감압 개시되고 나서 소정 시간의 경과후에 개시된다. 이것은, 감압에 의해 유량이 감소하는 챔버 안의 기류를 유지하고, 감압건조처리의 시간 단축에 기여시키기 위함이다.The supply of the inert gas from the
한편, 감압건조처리 동안, 항상 안정된 기류를 유지하기 위해서, 불활성 가스의 공급 개시는, 챔버 안의 감압 개시 전, 혹은 동시에 행하여도 좋다.On the other hand, in order to always maintain a stable airflow during the decompression drying process, the supply of inert gas may be started before or at the same time as the decompression of the chamber.
또한, 급기구(132)측의 기판(G)의 가장자리부 하방에는, 기류 제어부로서 블록 부재(160)가 배치된다. 또한, 급기구(132)와 배기구(134)와의 사이로서, 기판 (G)의 좌우 양측의 가장자리부 하방에는, 기류 제어부로서 각각 블록 부재(161)가 배치되는 구성과 이루어지고 있다.Moreover, the
이들 블록 부재(160, 161)는, 도 4, 도 5에 도시하는 바와 같이, 그 대부분이 하부 챔버(124)의 바닥면에 형성된 수용구(124a)에 수용 가능하게 되어 있다.As shown in FIGS. 4 and 5, these
또한, 이들 블록 부재(160, 161)는, 예를 들면 모터를 구동원으로 하는 볼 나사 기구로 이루어지는 승강장치(164)(제2 승강수단)에 의해서 승강 이동 가능하게 되어 있다.Moreover, these
즉, 블록 부재(160, 161)는, 승강장치(164)에 의해서 승강 이동되며, 챔버 안의 공간에 배치됨으로서, 기류 제어부(정류수단)로서 기능을 하도록 되어 있다.That is, the
한편, 이와 같이 기류 제어부로서의 블록 부재(160, 161)는 별개 몸체이더라도 좋고, 혹은 일체(ㄷ의 자형)에 설치되어도 좋다.In addition, the
게다가, 상기 블록 부재(160, 161)의 좌우 양측에는, 기판(G)의 좌우 측방에 벽을 형성하고, 기판 측방으로의 불활성 가스의 흐름을 억제하기 위한 사이드 바 부재(162)가 각각 설치되어 있다.In addition,
이 사이드 바 부재(162)는, 예를 들면, 도시된 바와 같이 판 형상에 형성되고, 그 상단면이 상부 챔버(126)에 접하도록 설치되며, 기판(G)의 좌우 측방의 공간을 차단하도록 된다. 혹은, 사이드 바 부재(162)는, 그 상단면이 상부 챔버(126)에 접하지 않게 설치되어, 기판(G)의 좌우 측방의 공간을 차단하도록 되어도 좋다.This
또한, 사이드 바 부재(162)는, 판 형상으로 한정되지 않고, 기판(G)의 좌우 측방의 공간을 메꾸는 형상으로 설치되어도 좋다.In addition, the
또한, 이 사이드 바 부재(162)의 기류 방향의 길이는, 기판(G)상에 기류를 형성하기 쉽게 하기 위해서, 적어도 기판(G)의 좌우 측변의 길이보다 길게 형성되지만, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같이, 그 단부(162a)(특히 배기구(134)측)는, 챔버 내벽(124b)에 접하지 않게 설치되어도 좋다. 이 경우에도, 기판(G)의 좌우 측방의 공간의 일부가 차단된 상태가 되어, 기판 측방으로의 불활성 가스의 흐름을 충분히 억제할 수 있다.In addition, although the length of the
또한, 도시하는 예에 한정하지 않고, 각 사이드 바 부재(162)를, 그 양단부가 서로 대향하는 챔버 내벽에 접하는 길이로 형성하여, 기판(G)의 좌우 측방의 공간을 전부 차단하는(메꾸는) 구성이어도 좋다.In addition, not only the example shown in the figure, but each
계속하여, 이와 같이 구성된 도포 장치(100)의 동작에 대해 도 6, 도 7에 기초하여 설명한다.Subsequently, the operation of the
먼저, 기판(G)이 반입되어 반송 아암(118)상에 얹어놓으면, 반송 아암(118)은 레일(116)상을 이동하여, 레지스트 도포 유닛(112)의 게이트(120) 아래를 통과 이동한다. 그 때, 게이트(120)에 고정된 노즐(122)에서는, 그 아래를 이동하는 기판(G)에 대해 레지스트액(R)이 토출되어, 기판(G)의 한 변으로부터 다른 변을 향하여 레지스트액(R)이 도포된다(도 6의 스텝 S1).First, when the board | substrate G is carried in and puts on the
한편, 레지스트액이 기판(G)의 전체면에 걸쳐 도포된 시점(도포 종료 위치)에서는, 기판(G)은 감압 건조 유닛(114)의 상부 챔버(126)의 아래에 위치하는 상태가 된다.On the other hand, at the time point (coating end position) in which the resist liquid was applied over the entire surface of the substrate G, the substrate G is in a state located below the
이어서, 기판(G)은 감압 건조 유닛(114)의 스테이지(130)에 얹어놓여지고, 그 상방으로부터 상부 챔버 이동수단(128)에 의해 하강 이동하는 상부 챔버(126)에 의해서 덮인다. 그리고 기판(G)은, 하부 챔버(124)에 대해서 상부 챔버(126)을 닫아서 형성된 처리공간내에 수용된다(도 6의 스텝 S2).Subsequently, the substrate G is placed on the
상기 상부 챔버(126)에 의해서 하부 챔버(124)가 닫혀지면, 도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 스테이지(130)는, 승강장치(194)의 구동에 의해 챔버 안의 상방 위치까지 상승 이동하고, 기판(G)이 챔버 천정부에 근접한 상태로 정지한다(도 6의 스텝 S3). 이 때, 블록 부재(160, 161)는, 하부 챔버(124)의 바닥부에 접하는 상태가 된다.When the
이 상태에서 진공 펌프(148)가 작동되어, 배기구(134)로부터 배기관(152)를 통하여 처리공간내의 공기가 흡인되고, 처리공간의 기압이 소정의 진공 상태가 될 때까지 감압된다(도 6의 스텝 S4).In this state, the
여기서, 기판(G)의 상면은 챔버 천정부에 근접하고 있고, 기판(G)의 상면에는 거의 분위기의 흐름이 생기지 않는 상태가 된다. 이에 따라, 기판(G)에 성막된 레지스트액(R)은 감압에 의한 자연 건조(예비 건조)가 실시되고, 전사 흔적, 오톨도톨함, 튀어나옴 등의 발생이 억제된다.Here, the upper surface of the substrate G is close to the chamber ceiling, and the upper surface of the substrate G is in a state in which almost no flow of atmosphere occurs. As a result, the resist liquid R formed on the substrate G is naturally dried (preliminary drying) under reduced pressure, and generation of traces of transfer, orthotolosis, and protruding is suppressed.
챔버 안의 기압이 소정치(예를 들면 400Pa 이하)에 이르거나, 혹은, 감압 개시부터 소정 시간이 경과하면(도 6의 스텝 S5), 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)는, 필요에 따라서 상승 또는 하강 이동되며, 챔버 안의 소정 위치에서 정지한다.When the air pressure in the chamber reaches a predetermined value (for example, 400 Pa or less), or when a predetermined time elapses from the depressurization start (step S5 in FIG. 6), the
여기서, 챔버 안에서의 기판(G)의 높이 위치는, 레지스트액의 종류나 막두께, 건조 시간 등의 처리 조건에 기초하여 결정되지만, 적어도 블록 부재(160, 161)는, 기판(G)의 가장자리부 하방에서, 기판(G)에 근접한 상태가 된다(도 6의 스텝 S6).Here, although the height position of the board | substrate G in a chamber is determined based on processing conditions, such as a kind of resist liquid, a film thickness, and a drying time, at least the
도 7(b)에 나타내는 예에 있어서는, 이 스텝 S6에서, 스테이지(130)의 위치는 변화하지 않고, 승강장치(194)에 의해 블록 부재(160, 161)만이 상승하고, 정지 상태의 기판(G)의 아래에 근접하여 배치된다.In the example shown in FIG. 7B, in step S6, the position of the
또한, 불활성 가스 공급부(136)가 구동되어 급기구(132)로부터 소정 유량의 불활성 가스가 챔버 안에 공급되어, 본 건조처리가 개시된다(도 6의 스텝 S7). 한편, 이 불활성 가스를 챔버 안에 공급 개시하는 타이밍은, 상기와 같이 스텝 S6에 있어서의 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)의 승강 이동 후에 한정하지 않고, 승강 이동 전이더라도 좋다. 혹은, 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)가 승강 이동하는 도중에불활성 가스를 공급 개시하여도 좋다.Moreover, the inert
여기서, 기판(G)의 측방에는 사이드 바 부재(162)가 설치되어 있기 때문에, 기판(G)의 측방의 빈틈은 대부분 없는 상태가 되고 있다. 또한, 기판(G)의 하방에는 블록 부재(160, 161)가 근접해서 설치되어 있기 때문에, 블록 부재(20)의 측면이, 급기구(132)로부터 공급된 불활성 가스를 기판(G)의 상방으로 이끄는 기류 제어부로서 기능한다.Here, since the
그 때문에, 급기구(132)로부터 공급된 불활성 가스는, 기판 상방을 한 방향으로 흐르는 기류를 형성하고, 또한 배기구(134)로부터 배기된다.Therefore, the inert gas supplied from the
이것에 의해, 기판 상면에 도포되어 있는 레지스트액(R)의 건조 속도가 향상되고, 단시간에 감압건조처리를 행할 수 있는 동시에, 건조 얼룩이 생기지 않고 건조 상태가 양호하게 된다.As a result, the drying speed of the resist liquid R coated on the upper surface of the substrate is improved, and the vacuum drying process can be performed in a short time, and dryness is satisfactory without drying spots.
이 본 건조처리에 있어서, 소정 시간의 경과에 의해 감압건조처리가 종료하면(도 6의 스텝 S8), 상부 챔버 이동수단(128)에 의해 상부 챔버(126)가 상승 이동되고, 기판(G)은 감압 건조 유닛(114)으로부터 다음의 처리 공정을 향해 반출된다.In this main drying process, when the decompression drying process ends after a predetermined time elapses (step S8 in FIG. 6), the
한편, 상기 도 6의 플로우에서는, 본 건조처리때, 블록 부재(160, 161)가 승강장치(164)에 의해 상승하고, 기판(G)(스테이지(130))의 하방에 근접하는 상태가 되어, 기판 상면에 기류를 형성하는 것으로 했지만, 본 발명에 있어서는, 그 형태로 한정되는 것은 아니다.On the other hand, in the flow of FIG. 6, at the time of the drying process, the
즉, 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)를, 레지스트액(R)의 종류나 막두께 등의 처리 조건에 의해서, 각각에 적절한 높이 위치에 이동 배치함으로써, 챔버 안에 형성되는 기류를 제어할 수 있다. 구체적인 예를 들면, 본 건조처리의 도중에, 기판 상면을 흐르는 기류의 양을 변화시키고 싶은 경우에는, 예를 들면, 다음의 스텝을 밟는 것으로 실현할 수 있다.That is, the air flow formed in the chamber is controlled by moving the
한편, 기판(G)을 챔버 천정부에 근접시킨 상태에서 감압 건조를 실시하는 예비 건조의 스텝은, 처리 조건에 따라서는 반드시 필요하지 않기 때문에, 이하의 설명에서는 상기 예비 건조의 스텝은 생략한다.In addition, since the step of preliminary drying which performs pressure reduction drying in the state which brought the board | substrate G close to the chamber ceiling part is not necessarily required depending on a process condition, the said predrying step is abbreviate | omitted in the following description.
레지스트액이 도포된 기판(G)이 감압 건조 유닛(114)의 스테이지(130)에 얹어놓이면, 상부 챔버(126)에 의해서 처리공간이 닫혀진다. 또한, 기판(G)을 유지한 스테이지(130)는 하강 이동된다.When the substrate G coated with the resist liquid is placed on the
도 8(a)에 도시하는 바와 같이, 블록 부재(160, 161)는, 수용구(124a)에 수용된 상태로, 스테이지(130)에 유지된 기판(G)의 둘레가장자리부에, 블록 부재 (160, 161)의 상단이 근접하는 상태가 된다.As shown in FIG. 8A, the
또한, 배기구(134)로부터 처리공간내의 공기가 흡인되며, 처리공간의 기압이 소정의 진공 상태가 될 때까지 감압된다. 한편, 이 감압 개시의 타이밍은, 챔버가 닫혀진 후, 상기와 같이, 스테이지(130)가 하강 이동되기 전, 후, 혹은 이동 중 어떤 것이라도 좋다.In addition, air in the processing space is sucked from the
또한, 챔버 안에는, 급기구(132)로부터 불활성 가스가 공급된다. 여기서, 도시 하는 바와 같이 기판 상방에는 넓은 공간이 형성되어 있기 때문에, 기판 상면 부근에는 한 방향으로 다량의 불활성 가스가 흐르는 상태로 되며, 본 건조처리가 개시된다.In addition, the inert gas is supplied from the
한편, 이 불활성 가스를 챔버 안에 공급 개시하는 타이밍은, 처리 조건에 따라, 기판(G)을 본 건조하는 위치까지 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)를 승강 이동시키기 전, 후, 혹은 이동 중 어디라도 좋다.On the other hand, the timing at which the inert gas is started to be supplied into the chamber is before or after the
도 8(a)에 나타내는 상태에서의 건조처리가 소정 시간 경과하면, 스테이지 (130)와 블록 부재(160, 161)는, 서로의 거리를 유지한 상태에서, 도 8(b)에 도시하는 바와 같이 챔버 안을 동시에 상승하고, 소정 위치에서 정지한다.When the drying process in the state shown in FIG. 8 (a) has elapsed for a predetermined time, the
여기서, 도시하는 바와 같이 기판(G)의 상방 공간은 보다 좁기 때문에, 기판 (G)의 상면 근방을 흐르는 기류의 유량은 감소하며, 작은 유량으로 본 건조처리가 계속되게 된다.Here, since the upper space of the board | substrate G is narrower as shown in figure, the flow volume of the airflow which flows near the upper surface of the board | substrate G decreases, and this drying process continues with a small flow volume.
한편, 이와 같이 감압건조처리 중에서, 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)를 승강 이동시키는 제어는, 상기와 같이 도 8을 이용하여 설명한 제어의 형태로 한정되는 것이 아니고, 처리 조건에 따라 임의로 변경하도록 해도 좋다. 또한, 감압 건조 중에서의 챔버 안의 스테이지(130) 및 블록 부재(160, 161)의 높이 위치는, 처리 조건에 따라 상세하게 설정되어 구동 제어되는 것이 바람직하다. On the other hand, the control for raising and lowering the
이상과 같이 본 발명에 관한 제1 실시형태에 의하면, 감압건조처리 사이에, 기판(G)을 유지하는 스테이지(130)의 높이, 및 블록 부재(160, 161)의 높이를 변화시킴으로써, 챔버 안에 형성되는 기류가 제어된다.As mentioned above, according to 1st Embodiment which concerns on this invention, in the chamber by changing the height of the
이에 따라, 피처리기판에 의해서 레지스트액(R)의 종류나 막두께 등의 처리 조건이 달라도, 각 처리 조건에 따른 매우 적합한 건조처리를 할 수 있으며, 레지스트액(R)의 건조 시간을 단축하고, 한편 양호한 막 형성을 실시할 수 있다.As a result, even if the processing conditions such as the type and the film thickness of the resist liquid R differ depending on the substrate to be treated, a very suitable drying treatment can be performed according to the treatment conditions, and the drying time of the resist liquid R can be shortened. On the other hand, good film formation can be performed.
한편, 상기 실시형태에서는, 급기구(132) 및 불활성 가스 공급부(136)를 구비하는 예를 나타냈지만, 본 발명에 있어서는, 거기에 한정되지 않고, 급기구(132) 및 불활성 가스 공급부(136)를 구비하지 않는 구성이어도 좋다. 이 경우, 기류 제어부로서의 블록 부재(160)는, 배기구(134)에 대해, 스테이지(130)에 유지된 기판(G)을 사이에 두고 반대측의 기판 가장자리부의 하방 공간에 설치된다.In addition, in the said embodiment, although the example provided with the
즉, 급기를 실시하지 않고도, 배기구(134)로부터의 배기 처리만으로, 본 건조처리에 있어서 챔버 안에 기류를 형성할 수 있고, 기판 상방을 한 방향에 흐르는 기류에 의해서, 기판 상면의 레지스트액(R)의 건조 속도를 향상시키고, 보다 단시간에 감압건조처리를 실시할 수 있다.That is, the airflow can be formed in the chamber in this drying process only by the exhaust treatment from the
또한, 상기 실시형태에 있어서, 배기구로서 기판(G)보다 하방 위치에 2개의 배기구(134)를 나타냈지만, 그 수나 배열(레이아웃)은 한정되는 것은 아니다.In addition, in the said embodiment, although two
또한, 배기구(134)는, 처리공간의 바닥면에 형성한 예를 나타냈지만, 거기에 한정되지 않고, 챔버 내벽 등에 형성되어 있어도 좋다.In addition, although the
게다가, 배기구(134)의 형상은, 진원 형상을 나타냈지만, 거기에 한정되지 않고, 긴 구멍, 사각형 등 다른 형상이라도 좋다.In addition, although the shape of the
또한, 급기구(132)는, 처리공간의 바닥면에 형성된 예를 나타냈지만, 거기에 한정되지 않고, 예를 들면, 하부 챔버(124)의 내벽부 등에 설치되어 있어도 좋다.In addition, although the
게다가, 급기구(132)의 형상은, 1개의 세로 길이의 사각형상을 나타냈지만, 거기에 한정하지 않고, 진원 형상, 긴 구멍 등 다른 형상이더라도 좋고, 그 수가 한정되는 것은 아니다.In addition, although the shape of the
혹은, 배기구(134), 및 급기구(132)는 각각, 챔버에 마련한 구멍이 아니고, 노즐형의 입구라도 좋다.Alternatively, the
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 제2 실시형태를 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 2nd preferable embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing.
도 9 및 도 10에, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 감압건조장치 또는 감압건조방법이 적용 가능한 FPD 제조용 레지스트 도포장치의 다른 구성예를 나타낸다.9 and 10 show another configuration example of a resist coating apparatus for manufacturing FPD to which the reduced pressure drying apparatus or the reduced pressure drying method according to the second embodiment of the present invention is applicable.
이 제2 실시형태에 따른 레지스트 도포장치(200)는, 지지대(210)위에, 레지스트 도포 유닛(212)과, 감압 건조 유닛(214)을 병설하고 있다. 감압 건조 유닛(14)은, 본 발명의 제2 실시형태에 의한 감압건조장치이다. 제2 실시형태에 따른 도포 장치(200)는, 후술하는 바와 같이 기류 제어부 등 일부 구성을 제외하고는 상기 제1 실시형태의 도포 장치(100)와 동일하므로, 동일 부재에 대한 중복된 설명은 생략한다.In the resist
제2 실시형태에서 레지스트 도포유닛(212)은, 후술하는 바와 같이, 기판(G)상의 레지스트 도포막에 관해서 높은 잔막율(예를 들어 잔막율 99% 이상)의 막질 특성을 얻는데 적합한 급속한 단시간의 감압 건조 프로세스와, 낮은 잔막율(예를 들어 잔막율 95% 이하)의 막질 특성을 얻는데 적합한 완만한 장시간의 감압 건조 프로세스 중 모두 선택적으로 실시 가능하고, 어느 쪽의 감압 건조 프로세스를 선택하여도, 원하는 레지스트막 품질특성이 면내 균일하게 얻어질 수 있게 되어 있다.In the second embodiment, as described later, the resist
또한, 감압 건조 유닛(214)에서 1회(기판 1매분)의 감압건조처리가 종료되면, 챔버 개폐기구(228)가 상부 챔버(226)를 들어올려 챔버 해방 상태로 하며, 그곳에 반송 아암(218)이 액세스하여 스테이지(230)으로부터 처리완료된 기판(G)을 받아 반출하고, 다음 공정인 프리베이킹을 실시하는 프리베이킹 유닛(도시하지 않음)으로 기판(G)을 반송하도록 되어 있다.In addition, when the pressure reduction drying process of 1 time (for one board | substrate) is complete | finished by the pressure
이하에, 감압 건조 유닛(214)의 상세한 구성 및 작용을 설명한다.Below, the detailed structure and effect | action of the pressure
하부 챔버(224)는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 평면에서 보아 직사각형으로 구성되어 있다. 이 하부 챔버(224)의 내측에는, 그 네변의 챔버 벽부(224(1), 224(2), 224(3), 224(4))에 각각 인접하여 4개(혹은 4조)의 급기 포트(232(1), 232 (2), 232(3), 232(4))가 설치되는 동시에, 네 귀퉁이에 4개(혹은 4조)의 배기 포트 (234(1), 234(2), 234(3), 234(4))가 설치되어 있다.As shown in FIG. 10, the
도 11에, 이 감압 건조 유닛(214)에 있어서의 급기 시스템의 일례를나타낸다. 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))는, 불활성 가스 탱크(236) 및 송풍기(또는 컴프레셔)(238)를 가지는 공통의 불활성 가스 공급원(240)에 각각 가스 공급관(242(1), 242(2), 242(3), 242(4))을 통하여 접속되어 있다. 가스 공급관 (242(1), 242(2), 242(3), 242(4))의 도중에는, 유량 조정 밸브(244(1), 244(2), 244(3), 244(4)) 및 개폐 밸브(246(1), 246(2), 246(3), 246(4))이 각각 설치되어 있다. 사용되는 불활성 가스는, 예를 들어 질소 가스이다.11 shows an example of the air supply system in this reduced
도 12에, 이 감압 건조 유닛(214)에 있어서의 배기 시스템의 일례를 나타낸다. 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))는, 진공 펌프(248) 및 압력 제어 밸브(250)를 가지는 공통의 배기 장치(251)에 각각 배기관(252(1), 252(2), 252(3), 252(4))을 통하여 접속되어 있다. 가스 배기관(252(1), 252(2), 252(3), 252(4))의 도중에는, 개폐 밸브(254(1), 254(2), 254(3), 254(4))가 각각 설치되어 있다.12 shows an example of the exhaust system in this reduced
도13~도 15에, 이 감압 건조 유닛(214)의 주된 특징 부분인 기류 제어부의 구성을 나타낸다. 도 13은 하부 챔버(224)내의 구성을 나타내는 일부 단면 평면도, 도 14a 및 도 14b는 도 13의 Ⅰ-Ⅰ선에 대한 종단면도, 도 15a 및 도 15b는 도 13의 Ⅱ-Ⅱ선에 대한 종단면도이다.13-15, the structure of the airflow control part which is a main characteristic part of this pressure
도 13에 있어서, 기류 제어부(260)는, Y방향에서 하부 챔버(224)의 서로 대향하는 측벽(224(2), 224(4))의 내측에서 스테이지(230)의 양측(바람직하게는 스테이지(230)으로 가능한 한 근접한 위치)에 배치되는 제1 칸막이 판(또는 격벽)(262A, 262B)과, 이 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 도 14a에 나타내는 제1 높이 위치와, 도 14b에 나타내는 제2 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제1 승강기구(264)를 가지고 있다.In FIG. 13, the
제1 칸막이 판(262A, 262B)은, 도 13에 도시하는 바와 같이, X방향에서, 스테이지(230)의 한쪽 편(도면의 좌측)에 설치되어 있는 급기 포트(232(1))의 근처의 위치, 즉 챔버 벽부(224(1))에 거의 접하는 위치로부터 스테이지(230)의 반대측(우측)의 급기 포트(232(3)) 및 배기 포트(234(3), 234(4))의 앞쪽 위치까지 연장되어 있다. 또한, 제1 칸막이 판(262A, 262B)은, 연직 방향(Z방향)에 있어서, 바람직하게는, 하부 챔버(224)의 바닥면으로부터 상부 챔버(226)의 하면(천정)에 이르는 크기를 가지고 있다.As shown in FIG. 13, the
그리고, 제1 칸막이 판(262A, 262B)은, 제1 높이 위치에서는 하부 챔버(224)의 바닥면으로부터 상부 챔버(226)의 하면(챔버 천정)에 이르는 높이이거나, 또는 그 근처의 높이로 연직 방향으로 돌출되며(도 14a), 제2 높이 위치에서는 제1 칸막이 판(262A, 262B)의 상단이 하부 챔버(224)의 바닥면에 가까운 높이이거나, 또는 그것보다 낮은 높이로 가라앉게 되어 있다(도 14b). 하부 챔버(224)의 바닥벽에는, 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 각각 제2 높이 위치에 가라앉게 하기(퇴피시키기) 위한 오목부(265A, 265B)가 형성되어 있다.And the
제1 승강기구(264)는, 제1 칸막이 판(262A, 262B)의 하단에 각각 접속된 연직 방향으로 연장되는 각 1개 또는 각 복수개의 지지봉(266A, 266B)과, 이들 지지봉(266A, 266B)를 평행하게 지지하는 수평의 지지판(268)과, 이 수평 지지판(268)에 승강 구동축(270)을 통하여 결합된 승강 액추에이터(272)를 가지고 있다. 승강 액추에이터(272)는, 예를 들어 에어 실린더 또는 전동 리니어 모터로 이루어진다. 지지봉(266A, 266B)은, 하부 챔버(224)의 바닥벽을 상하 이동 가능하게 관통하며, 시일부재(274)에 의해서 진공 밀폐되어 있다.The
게다가, 기류 제어부(260)는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 스테이지(230)의 주위 또는 옆에 배치되는 횡단면 ㄷ자형의 제2 칸막이 판(또는 격벽)(276)과, 이 제2 칸막이 판(276)을 도 14a 또는 도 15a에 나타내는 제3 높이 위치와 도 14b 또는 도 15b에 나타내는 제4 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제2 승강기구 (278)을 가지고 있다.In addition, as shown in FIG. 13, the
제2 칸막이 판(276)은, 스테이지(230)의 제1 급기 포트(232(1))와 대향하는 도면의 좌측의 옆에서 Y방향으로 연장되는 제1 평판부(276a)와, 스테이지(230)의 제1 칸막이 판(262A, 262B)와 대향하는 도면의 위쪽 및 아래 쪽의 옆에 X방향으로 연장되는 제2 평판부(276b, 276c)를 가진다. 스테이지(230)의 반대측(도면의 우측)을 제2 칸막이 판(276)으로 구분하는 구성도 가능하기는 하지만, 스테이지(230)의 아래 공간의 배기성의 관점에서 이 실시형태와 같이 해방하는 구성이 바람직하다.The
그리고, 제2 칸막이 판(276)은, 제3 높이 위치에서는 하부 챔버(224)의 바닥면에서 스테이지(230)에 얹어 놓여진 기판(G)의 이면(하면)에 접하는 높이이거나, 또는 그 근처의 높이까지 연직 방향으로 돌출되며(도 14a, 도 15a), 제4 높이 위치에서는 그 상단이 하부 챔버(224)의 바닥면에 가까운높이이거나 또는 그것보다 낮은 높이로 가라앉게 되어 있다(도 14b, 도 15b). 하부 챔버(224)의 바닥벽에는, 제2 칸막이 판(276)을 제4 높이 위치로 가라앉게 하기(퇴피시키기) 위한 오목부(280)가 형성되어 있다.And the
한편, 제1 칸막이 판(262A, 262B)과 제2 칸막이 판(276)의 제2 평판부(276b, 276c) 사이에서는, 제1 칸막이 판(262A, 262B)이 제1 높이에 있으며, 또한 제2 칸막이 판(276)이 제3 높이에 있을 때, 양자가 접촉하지 않는 정도의 가급적 작은 빈틈을 통하여 근접하는 것이 바람직하다.On the other hand, between the
제2 승강기구(278)는, 제2 칸막이 판(276)의 하단에 접속된 연직 방향으로 연장되는 1개 또는 복수개의 지지봉(282)과, 이들 지지봉(282)을 평행하게 지지하는 수평의 지지판(284)과, 이 수평 지지판(284)에 승강 구동축(286)을 통하여 결합된 승강 액추에이터(288)를 가지고 있다. 승강 액추에이터(288)는, 예를 들어 에어 실린더 또는 전동 리니어 모터로 이루어진다. 지지봉(282)은, 하부 챔버(224)의 바닥벽을 상하 이동 가능하게 관통하며, 시일부재(290)에 의해서 진공 밀폐되어 있다.The
스테이지(230)는, 연직 방향으로 연장되는 승강 구동축(292)을 통하여 승강 액추에이터(294)에 결합되어 있으며, 반송 아암(218)(도 1, 도 2)과 기판(G)의 받아넘김을 행할 때, 혹은 감압건조처리에 있어서의 챔버 천정(상부 챔버(226)의 하면)과의 거리 또는 클리어런스(H)를 조절하기 위해서 승강 이동할 수 있게 되어 있다. 승강 구동축(292)은, 하부 챔버(224)의 바닥벽을 상하 이동 가능하게 관통하며, 시일부재(296)에 의해 진공 밀폐되어 있다.The
이 실시형태에 있어서, 도면의 좌측의 급기 포트(232(1))가 제1 급기 포트이며, 다른 급기 포트(232(2), 232(3), 232(4))는 제2 급기 포트이다. 또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 챔버(224, 226) 안에서, 급기 포트(232(1))와 제2 칸막이 판 (276)과의 사이의 영역이 제1 영역[E1]이며, 이 제1 영역[E1]을 제외한 영역, 특히 급기 포트(232(1))에서 보아 제1 및 제3 위치에 각각 있을 때의 제1 칸막이 판 (262A, 262B) 및 제2 칸막이 판(276)의 그늘에 위치하는 모든 영역이 제2 영역[E2]이다.In this embodiment, the air supply port 232 (1) on the left side of the drawing is the first air supply port, and the other air supply ports 232 (2), 232 (3), and 232 (4) are second air supply ports. . In addition, as shown in FIG. 13, the area between the air supply port 232 (1) and the
이 감압 건조 유닛(214)에는, 각부 및 전체의 동작을 제어하는 메인 콘트롤러(도시하지 않음)가 갖추어져 있다. 기류 제어부(260)는, 메인 컨트롤러의 제어하에 제1 및 제2 승강기구(264, 278)의 승강 동작을 제어하는 국소 컨트롤러(도시하지 않음)를 가져도 좋다.This pressure
다음에, 도 16~도 20에 대하여, 이 감압 건조 유닛(214)에 있어서의 기류 제어부(260)의 작용을 나타낸다.Next, with reference to FIGS. 16-20, the operation | movement of the
기류 제어부(260)는, 상기와 같은 구성을 가지는 것에 의해, 도면의 좌측의 제1 급기 포트(232(1))로부터 분출된 불활성 가스의 대부분이 스테이지(230) 및 기판(G) 위를 통과해 도면의 우측의 배기 포트(234(3), 234(4))에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스 혹은 다른 가스에 대한 상기와 같은 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드를 선택적으로 변환할 수 있게 되어 있다.Since the
또한, 이 감압 건조 유닛(214)에서는, 높은 잔막율의 막질 특성을 얻는데 적합한 급진적인 단시간의 감압 건조 프로세스와, 낮은 잔막율의 막질 특성을 얻는데 적합한 완만한 장시간의 감압 건조 프로세스 중 모두를 선택적으로 실시 가능하다. 어느 쪽의 감압 건조 프로세스가 선택되어도, 제2 모드로 감압건조처리를 개시하는 것이 바람직하다.In this pressure
도 16a 및 도 16b에, 감압건조처리를 개시한직후의 챔버(224,226)내의 상태를 나타낸다. 바람직하게는 모든 급기 포트(232(1))~232(4))를 닫고, 불활성 가스를 도입하지 않고, 배기 시스템(도 12)을 작동시켜서, 모든 배기 포트(234 (1)~234(4))를 통하여 진공 배기를 한다. 도시한 바와 같이, 챔버(224,226) 안에 잔류하고 있는 공기, 또 기판(G)상의 레지스트 도포막으로부터 휘발된 용제(시너)는, 챔버 네 귀퉁이의 배기 포트(234(1)~234(4))로 균일한 흡인력으로 끌어 들여져 신속하게 배출된다. 무엇보다, 다른 실시예로서, 이 개시 직후의 진공 유도 시에 급기 포트(232(1)~232(4))를 열어 불활성 가스를 소정의 유량으로 도입하는 것도 가능하다.16A and 16B show the states in the
챔버(224,226) 안에 수용되어 있는 처리 대상의 기판(G)에 대해서 급진·단시간의 감압 건조 프로세스가 선택되었을 때는, 감압건조처리가 개시되고 나서 소정 시간이 경과한 시점, 혹은 챔버 안의 압력이 설정치(예를 들어 약 400Pa)에 이른 시점에서, 도 16a 및 도 16b에 나타내는 제2 모드로부터 도 17a 및 도 17b에 나타내는 제1 모드로 변환된다.When the rapid and short time depressurization drying process is selected for the substrate G to be processed contained in the
이 경우, 기류 제어부(260)는, 제1 승강기구(264)를 작동시켜서, 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 지금까지의 제2 높이 위치로부터 제1 높이 위치까지 상승 이동시키는 동시에, 제2 승강기구(278)을 작동시켜서, 제2 칸막이 판(276)을 지금까지의 제4 높이 위치로부터 제3 높이 위치까지 상승 이동시킨다.In this case, the
게다가, 급기 시스템(도 11)에 있어서, 개폐 밸브(246(1))가 열리고, 다른 모든 개폐 밸브(246(2), 246(3), 246(4))는 닫힌 상태에 유지 된다. 이것에 의해, 챔버(224, 226) 안에서는, 제1 급기 포트(232(1))만이 불활성 가스를 분출한다. 다른 급기 포트(232(2), 232(3), 232(4))는 모두 닫은 채로 있다. 여기서, 급기 포트 (232(1))로부터 공급되는 불활성 가스의 유량이 설정치(예를 들어 20 L(리터)/min)가 되도록, 유량 제어 밸브 244(1)가 조절된다.In addition, in the air supply system (FIG. 11), the on-off valve 246 (1) is opened and all other on-off valves 246 (2), 246 (3), and 246 (4) are kept in the closed state. As a result, in the
한편, 배기 시스템(도 12)에 있어서, 개폐 밸브(254(3), 254(4))는 열린 상태를 유지하고, 나머지 개폐 밸브(254(1), 254(2))는 닫힌 상태로 변환된다. 이것에 의해, 챔버(224, 226) 안에서는, 제1 급기 포트(232(1))에서 보아 스테이지 (230)의 반대측에 위치하는 배기 포트(234(3), 234(4))는 배기 동작을 계속하고, 급기 포트(232(1))에 가까운 배기 포트(234(1), 234(2))는 배기 동작을 휴지한다. 여기서, 급기 포트(232(1))로부터 챔버 안에 공급되는 불활성 가스의 유량에 따라, 챔버 안에서 소정의 압력 혹은 배기 속도를 얻을 수 있도록 압력 제어 밸브(250)가 조절된다.On the other hand, in the exhaust system (FIG. 12), the open / close valves 254 (3) and 254 (4) remain open while the remaining open / close valves 254 (1) and 254 (2) are converted to the closed state. do. As a result, in the
도 17a 및 도 17b에 도시하는 바와 같이, 제1 모드에서는, 제1 칸막이 판 (262A, 262B) 및 제2 칸막이 판(276)에 의한 격벽 작용 또는 기류 규제 작용에 의해, 급기 포트(232(1))로부터 분출된 질소 가스의 거의 또는 대부분(바람직하게는 90% 이상)이, 스테이지(230) 및 기판(G) 위를 X방향으로 흘러(통과해), 맞은 쪽의 배기 포트(234(3), 234(4))으로 빨려 들여간다.As shown in FIGS. 17A and 17B, in the first mode, the air supply port 232 (1) is formed by the partition wall action or the airflow restricting action by the
이와 같이, 감압건조처리의 한중간에 기판(G) 위를 불활성 가스가 한 방향(X방향)으로, 바람직하게는 층류(層流)로 균일하게 흐름으로써, 기판(G)상의 레지스트 도포막으로부터 휘발된 용제가 기류를 타고 신속하게 배제되어, 용제의 휘발 속도가 높아지며, 나아가서는 레지스트 표면의 변질(고화)이 촉진되고, 게다가 기판 (G)상에서 높은 잔막율의 레지스트막 품질 특성을 면내 균일하게 얻을 수 있다. 이렇게 하여, 감압건조처리의 소요 시간은 짧게(예를 들어 약 30초) 끝난다.In this way, inert gas flows uniformly in one direction (X direction) on the substrate G in the middle of the vacuum drying process, and preferably volatilizes from the resist coating film on the substrate G. The removed solvent is quickly removed through the airflow, thereby increasing the volatilization speed of the solvent, thereby facilitating the deterioration (solidification) of the resist surface, and in addition, obtaining the resist film quality characteristics of a high residual film ratio uniformly on the substrate G. Can be. In this way, the time required for the reduced pressure drying process ends shortly (for example, about 30 seconds).
한편, 제2 실시형태에 따른 감압건조처리에 있어서는, 압력이나 불활성 가스의 유량 뿐만 아니라, 기판(G)과 챔버(226) 천정과의 사이의거리 간격(클리어런스)(H)도 중요한 프로세스 파라미터이며, 이 때문에 스테이지(230)의 높이 위치를 가변하는 일이 있다. 이 경우는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 스테이지(230)의 높이 위치 조정에 맞추어, 기류 제어부(260)가 제2 칸막이 판(276)의 제3 높이 위치를 가변 조정하고, 제1 모드에서는 임의의 클리어런스(H)에 대해서 항상 기판(G)의 하면에 제2 칸막이 판(276)의 상면이 접하는 정도로 근접한 상태를 유지하도록 한다. 이것에 의해서, 급기 포트(232(1))로부터 분출된 불활성 가스의 일부가 기판 (G)의 아래를 통과하는 것을 완전히 방지할 수 있다.On the other hand, in the reduced pressure drying process according to the second embodiment, not only the pressure and the flow rate of the inert gas, but also the distance interval (clearance) H between the substrate G and the ceiling of the
처리 대상의 기판(G)에 대해서 완만·장시간의 감압 건조 프로세스가 선택되었을 때는, 감압건조처리가 개시되고 나서 소정 시간이 경과한 시점, 혹은 챔버 안의 압력이 설정치(예를 들어 약 400Pa)에 이른 시점에서, 제2 모드를 유지한 채로 도 16a 및 도 16b의 상태로부터 도 19에 나타내는 상태에 변환된다.When the decompression drying process for a slow and long time is selected for the substrate G to be treated, the predetermined time elapses after the decompression drying process is started, or the pressure in the chamber reaches a set value (for example, about 400 Pa). At this point in time, the state is changed from the states shown in Figs. 16A and 16B to the state shown in Fig. 19 while maintaining the second mode.
이 경우, 급기 시스템(도 11)에 있어서, 모든 개폐 밸브(246(1), 246(2), 246(3), 246(4))이 열린다. 이것에 의해, 챔버(224, 226) 안에서는, 모든 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))가 불활성 가스를 분출한다. 다만, 유량 조정 밸브(244(1), 244(2), 244(3), 244(4))가 조절되어, 불활성가스의 공급 유량은 적은 양(예컨대 2L/min)으로 설정된다. 또한, 급기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))의 토출 유량을 균일하게 하는 것이 바람직하다. In this case, in the air supply system (FIG. 11), all the opening / closing valves 246 (1), 246 (2), 246 (3) and 246 (4) are opened. As a result, in the
한편, 배기 시스템(도 12)에 있어서는, 개폐 밸브(254(1), 254(2), 254(3), 254(4))를 모두 열린 상태에 유지하고, 모든 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))로 배기를 계속시킨다. 다만, 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))로부터 공급되는 불활성 가스의 유량에 맞추어, 챔버 안에서 소정의 압력이 유지되도록 압력 제어 밸브(250)가 조절된다. 또한, 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))의 토출 유량은 스테이지(230)상의 기판(G)에 대해서 균일하게 하는 것이 바람직하다.On the other hand, in the exhaust system (FIG. 12), all the opening / closing valves 254 (1), 254 (2), 254 (3), and 254 (4) are kept open and all the exhaust ports 234 (1) 234 (2), 234 (3), and 234 (4). However, in accordance with the flow rate of the inert gas supplied from the air supply ports 232 (1), 232 (2), 232 (3), and 232 (4), the
이와 같이, 감압건조처리 중에 제2 모드로 모든 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))가 열린(온) 상태에서 스테이지(230)상의 기판(G)를 향해서 불활성 가스를 균일하고 작은 유량으로 토출하고, 또한 모든 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))가 열린(온) 상태로 배기를 실시하도록 했을 경우는, 챔버 안에 공급된 불활성 가스의 대부분이 기판(G) 내지 스테이지(230)의 아래나 주위를 흘러 배기되기 쉽고, 기판(G) 위에서 기류, 특히 한 방향의 기류가 형성되는 일은 거의 없다. 이 때문에, 기판(G)의 레지스트 도포막으로부터 휘발된 용제는 부근에 체류 하기 쉽고, 휘발 속도는 억제된다. 이것에 의해, 감압 건조에 의한 레지스트 표면의 변질(고화)이 완만하게 되어, 기판(G)상에서 낮은 잔막율의 레지스트막 품질 특성을 면내 균일하게 얻을 수 있다. 또한, 감압건조처리의 소요 시간은 길어진다(예를 들어 약 60초).Thus, the substrate G on the
한편, 완만·장시간의 감압 건조 프로세스가 선택되었을 때의 다른 실시예로서, 감압건조처리를 개시하고 나서 소정 시간이 경과한 후, 혹은 챔버 안의 압력이 설정치에 이른 후에는, 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))의 전부를 닫힌 (오프) 상태에 유지한 채로, 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))의 전부를 이용하여 배기 동작을 계속하는 것도 가능하다. 이 경우는, 기판(G)의 레지스트 도포막로부터 휘발된 용제가 주된 배기가스가 된다.On the other hand, as another embodiment when the slow and long time decompression drying process is selected, after a predetermined time has elapsed since the decompression drying process was started, or after the pressure in the chamber reached the set value, the air supply port 232 (1 ), Exhaust ports 234 (1), 234 (2), 234 (3), 234 (with all of 232 (2), 232 (3), 232 (4) kept closed (off) It is also possible to continue the exhaust operation using all of 4)). In this case, the solvent volatilized from the resist coating film of the board | substrate G becomes a main exhaust gas.
이 감압 건조 유닛(214)에 있어서, 감압건조처리를 종료시킬 때는, 도 20에 도시하는 바와 같이, 제2 모드가 선택되며, 모든 급기 포트(232(1), 232(2), 232 (3), 232(4))가 열린(온) 상태에서 불활성 가스를 대유량으로 토출되는 동시에, 모든 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))가 열린(온) 상태에서 일단 고속 배기(퍼징)를 실시하고, 이어서 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))가 전부 닫혀진다. 이에 의해, 챔버(224, 226) 안의 분위기가 감압 상태로부터 대기압 상태에 변환되고, 상부 챔버(226)의 열림 조작(챔버 해방)이 가능해진다.In this reduced
상기와 같이, 이 실시형태에 있어서, 급진·단시간의 감압 건조 프로세스가 선택되었을 경우는, 감압건조처리의 개시 직후의 진공 유도 및 감압건조처리의 종료시의 퍼징에서는, 제1 칸막이 판(262A, 262B)을 각각 제2 높이 위치 및 제4 높이 위치에 퇴피시키는 제2 모드를 선택하고, 모든 급기 포트(232(1), 232(2), 232(3), 232(4))를 이용하여 불활성 가스를 챔버 안에 공급하고, 모든 배기 포트(234(1), 234(2), 234(3), 234(4))를 이용하여 챔버 안을 배기할 수 있으므로, 이 타입의 감압 건조 프로세스를 한층 효율적으로 실시하여, 처리 시간의 한층 단축화도 도모할 수 있다.As described above, in this embodiment, when the vacuum drying and the short time vacuum drying process are selected, the
무엇보다, 다른 순서로서 효율은 다소 저하하지만, 감압건조처리의 개시부터 종료까지, 제2 모드를 일절 선택하지 않고, 제1 모드를 유지하는 것도 가능하다. 그 경우에서도, 각 단계에 따라 불활성 가스의 유량 및 배기 속도를 변환할 필요는 있다.First of all, although the efficiency decreases slightly in another order, it is also possible to maintain the first mode without selecting the second mode from the start to the end of the vacuum drying process. Even in that case, it is necessary to change the flow rate and the exhaust velocity of the inert gas according to each step.
또한, 감압건조처리를 개시하고 나서 소정 시간이 경과하거나, 혹은 챔버 안의 압력이 설정치에 이르고 나서 감압건조처리를 종료할 때까지의 사이에, 제1 모드에 의한 불활성 가스 사용의 감압 건조(도 17a, 도 17b)와 제2 모드에 의한 불활성 가스 사용의 감압 건조(도 19)를 차례차례 또는 교대로 변환하는 것도 가능하다.In addition, the vacuum drying of the use of the inert gas in the first mode is performed after a predetermined time elapses from the start of the vacuum drying process or until the pressure in the chamber reaches the set value and the vacuum drying process is completed (FIG. 17A). FIG. 17B) and the reduced-pressure drying (FIG. 19) of use of the inert gas in the second mode may be sequentially or alternately converted.
이상, 본 발명의 매우 적합한 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태로 한정되는 것이 아니고, 그 기술적 사상의 범위내에서 여러 가지 변형 또는 변경이 가능하다.As mentioned above, although highly suitable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation or a change is possible within the range of the technical idea.
예를 들어, 도 21a 및 도 21b에 도시하는 바와 같이, 기판(G)를 얹어놓는 스테이지(230)가 기판(G)의 아래 공간을 하부 챔버(224)의 바닥면까지 메꾸도록 한 블록 구조를 갖더라도 좋다. 이러한 스테이지 구조에 있어서는, 하부 챔버(224)의 바닥벽 및 스테이지(230)를 아래로부터 관통하여 승강 가능한 리프트 핀(231)으로 승강 액추에이터(295)를 가지는리프트 기구(204)가, 스테이지상에서 기판(G)를 승강시켜 기판의 로딩/언로딩을 실시한다.For example, as shown in FIGS. 21A and 21B, a block structure in which the
이 경우, 제1 모드에서는, 급기 포트(232(1))로부터 분출되는 불활성 가스에 대해서, 블록 구조의 스테이지(230)가 기판(G)의 아래의 통과를 저지하고, 제1 칸막이 판(262A, 262B)와의 함께 이동하여, 기판(G) 위에 한 방향(X방향)의 기류를 형성하는 기능을 발휘한다. 따라서, 제2 칸막이 판(276)을 스테이지(230)로 대용할 수 있다.In this case, in the first mode, the
무엇보다, 상기와 같은 클리어런스(H)의 가변 조정을 위해서, 감압건조처리 중에 기판(G)을 스테이지(230)의 상면으로부터 위로 떨어뜨린 경우는, 도시를 생략하지만, 상기 실시형태와 같이 제 2의 칸막이 판(276)을 갖추는 구성이 바람직하다.Above all, in order to adjust the clearance H as described above, when the substrate G is dropped from the upper surface of the
또한, 배기 시스템에 관해서는, 도 22a 및 도 22b에 도시하는 바와 같이, 스테이지(230)의 아래에 1개 또는 복수의 배기 포트(206)를 마련하는 구성도 가능하다. 이 경우, 제1 모드에서는, 급기 포트(232(1))로부터 분출된 불활성 가스의 거의 또는 대부분이 스테이지(230) 및 기판(G) 위를 한 방향(X방향)으로 흘러, 기판 (G)의 반대측(도면의 우측)의 구석을 지나고 나서 기판(G) 및 스테이지(230)의 아래로 돌고(잠수하고), 배기 포트(206)에 빨려 들여간다.In addition, with respect to the exhaust system, as shown in FIGS. 22A and 22B, a configuration in which one or a plurality of
또한, 상술한 실시형태에서는, 제1 칸막이 판(262A, 262B) 및 제2 칸막이 판 (276)을 제1 승강기구(264) 및 제2 승강기구(278)에 의해 승강 이동시키므로, 챔버 (224, 226)를 닫고 있는 동안에도 모드 변환을 실시할 수 있다. 다른 실시형태로서, 모드 변환을 위해서 제1 칸막이 판(262A, 262B) 및/또는 제2 칸막이 판(276)을 수동으로 탈착 가능하게 챔버 안에 부착 또는 장착하는 구성도 가능하다.In the above-described embodiment, the
챔버 자체의 구조나 형상은 물론, 챔버 내외의 각부, 특히 스테이지, 급기 포트, 배기 포트의 구조, 개수, 배치 위치 등도, 상술한 실시형태의 것에 한정하지 않고, 여러 가지 변형이 가능하다.Not only the structure and the shape of the chamber itself, but also the structures, the number, the arrangement positions, and the like of each part inside and outside the chamber, in particular, the stage, the air supply port, and the exhaust port, can be modified in various ways.
본 발명에 있어서의 피처리기판은 LCD용 유리 기판에 한정하는 것이 아니고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판이나, 반도체 웨이퍼, CD기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다. 감압건조처리 대상인 도포액도 레지스트액에 한정하지 않고, 예를 들어 층간 절연 재료 , 유전체 재료, 배선 재료 등의 처리액도 가능하다.The substrate to be processed in the present invention is not limited to the glass substrate for LCD, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates, and the like can also be used. The coating liquid to be subjected to the vacuum drying process is not limited to the resist liquid, but for example, a processing liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, a wiring material, or the like can be used.
100, 200 도포 장치
110, 210 지지대
112, 212 레지스트 도포 유닛
114, 214 감압 건조 유닛
116, 216 가이드 레일
118, 218 반송 아암
120, 220 게이트
122, 222 노즐
124, 224 하부 챔버
126, 226 상부 챔버
128, 228 챔버 개폐기구
130, 230 스테이지
132 급기구
134 배기구
148 진공 펌프
152 배기관
160, 161 블록 부재
194 승강장치
224 챔버 벽부
232 급기 포트
234 배기 포트
260 기류 제어
262A, 262B 제1 칸막이 판
276 제2 칸막이 판
G 기판100, 200 applicator
110, 210 support
112, 212 resist coating unit
114, 214 vacuum drying unit
116, 216 guide rail
118, 218 return arms
120, 220 gate
122, 222 nozzles
124, 224 lower chamber
126, 226 upper chamber
128, 228 chamber opening and closing mechanism
130, 230 stage
132 air supply
134 exhaust vent
148 vacuum pump
152 exhaust pipe
160, 161 block members
194 elevators
224 chamber wall
232 air supply port
234 exhaust port
260 airflow control
262A, 262B First Partition Plate
276 second partition plate
G board
Claims (30)
피처리기판을 수용하며, 처리공간을 형성하는 챔버와,
상기 챔버 안에 설치되어 상기 피처리기판을 유지하는 유지부와,
상기 유지부를 승강 이동시키는 제1 승강수단과,
상기 유지부의 하방에 설치된 기류 제어부와,
상기 기류 제어부를 승강 이동시키는 제2 승강수단과,
상기 챔버 안에 형성된 배기구와,
상기 배기구로부터 챔버 안의 분위기를 배기하는 배기수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 감압건조장치.A pressure-sensitive drying apparatus for performing a vacuum drying treatment of the treatment liquid on a substrate to be treated with a treatment liquid to form a coating film,
A chamber accommodating a substrate to be processed and forming a processing space;
A holding part installed in the chamber to hold the substrate to be processed;
First lifting means for lifting and lowering the holding part;
An airflow control unit provided below the holding unit;
Second elevating means for elevating and moving the air flow controller;
An exhaust port formed in the chamber,
And exhaust means for exhausting the atmosphere in the chamber from the exhaust port.
상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부가 근접한 상태에서, 상기 배기수단의 배기 동작에 의해, 상기 기판 상면을 한 방향으로 흐르는 기류의 유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 감압건조장치.The method according to claim 1, wherein the holding unit and the air flow control unit in the chamber are arranged by the first raising and lowering means,
And a flow path of airflow flowing in one direction through the upper surface of the substrate by the exhausting operation of the exhausting means in a state in which the airflow control unit is close to the substrate to be processed held by the holding unit.
상기 기류 제어부는, 상기 배기구에 대해, 적어도 상기 유지부에 유지된 피처리기판을 사이에 두고 반대측의 기판 가장자리부의 하방 공간에 설치되는 것을 특징으로 하는 감압건조장치.The said exhaust port is formed in the side of the said to-be-processed board | substrate,
And the airflow control unit is provided in the space below the edge of the substrate on the opposite side with at least the substrate to be held held in the holding portion, with respect to the exhaust port.
상기 급기구로부터 불활성 가스를 챔버 안의 처리공간에 공급하는 급기수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 감압건조장치.4. The air supply port according to claim 3, further comprising: an air supply port formed inside the chamber on the substrate side opposite to the exhaust port with the substrate to be interposed therebetween;
And an air supply means for supplying an inert gas from the air supply port to a processing space in the chamber.
기판을 출납 가능하게 수용하는 감압 가능한 챔버와,
상기 챔버 안에서 기판을 얹어놓는 유지부와,
수평의 제1 방향에서 상기 챔버 안의 상기 유지부의 한쪽 편에 설치되는 제1 급기 포트를 가지며, 상기 제1 급기 포트를 통하여 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와,
상기 챔버 안에서 상기 제1 급기 포트와 상기 유지부와의 사이의 제1 영역을 제외한 제2 영역에 설치되는 배기 포트를 가지며, 상기 배기 포트를 통하여 상기 챔버 안을 진공 배기하는 배기부와,
상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부의 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 해제하는 제2 모드와의 사이에서 변환 가능한 기류 제어부를 가지는 감압건조장치.A pressure reduction drying apparatus for drying a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed under a reduced pressure,
A pressure-sensitive chamber that accommodates the substrate in a retractable manner,
A holding part for placing a substrate in the chamber,
An inert gas supply unit having a first air supply port provided on one side of the holding unit in the chamber in a horizontal first direction, and supplying an inert gas into the chamber through the first air supply port;
An exhaust portion having an exhaust port provided in a second region in the chamber except a first region between the first air supply port and the holding portion, and evacuating the inside of the chamber through the exhaust port;
Deregulation of the air flow route for the inert gas and the first mode of regulating the route of the air flow of the inert gas so that a majority of the inert gas blown out from the first air supply port passes over the holding portion to reach the exhaust port. A decompression drying apparatus having an airflow controllable to be switched between the second mode.
상기 제1 방향과 직교하는 수평의 제2 방향에서 상기 챔버의 측벽 내측에 상기 유지부의 양측에 배치되는 제1 칸막이 판과,
상기 제1 칸막이 판을, 상기 제1 모드용 제1 높이 위치와, 상기 제2 모드용 제2 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제1 승강기구를 가지는 감압건조장치.The airflow control unit of claim 7,
First partition plates disposed on both sides of the holding part inside the sidewall of the chamber in a horizontal second direction orthogonal to the first direction;
And a first lifting mechanism for lifting and lowering the first partition plate between the first height position for the first mode and the second height position for the second mode.
상기 유지부가 적어도 상기 제1 급기 포트와 대향하는 측의 옆에 배치된 제2 칸막이 판과,
상기 제2 칸막이 판을, 상기 제1 모드용 제3 높이 위치와 상기 제2 모드용 제4 높이 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제2 승강기구를 가지는 감압건조장치.The air flow control unit of claim 8,
A second partition plate disposed at a side of the holding portion opposite to at least the first air supply port,
And a second lifting mechanism for lifting and lowering the second partition plate between the third height position for the first mode and the fourth height position for the second mode.
상기 제2 영역에 제2 급기 포트를 가지고, 기판상의 도포막이 상기 제1 모드로 감압건조처리를 받을 때는, 그 처리중에 상기 제2 급기 포트를 닫는 동시에 상기 제1 급기 포트를 열어 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하며, 감압건조처리의 종료후에 상기 제2 모드로 상기 챔버 안의 압력을 대기압으로 되돌릴 때는, 상기 제1 및 제2 급기 포트의 전부를 열어 상기 챔버 안에 불활성 가스를 공급하는 감압건조장치.The method of claim 7, wherein the inert gas supply unit,
When the coating film on the substrate is subjected to the decompression drying process in the first mode, the second supply port is closed in the second region, and the second supply port is closed while the first supply port is opened and inert in the chamber. And supplying gas and opening all of the first and second air supply ports to supply inert gas into the chamber when the pressure in the chamber is returned to atmospheric pressure in the second mode after the completion of the decompression drying process.
상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과,
상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 상승시켜, 상기 유지부에 유지된 상기 피처리기판을 상기 챔버의 천정부에 근접시키는 스텝과,
상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과,
소정 시간 경과후에, 상기 제2 승강수단에 의해 상기 기류 제어부를 상승 이동시켜, 상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부를 근접시키는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는 감압건조방법.A reduced pressure drying method for forming a coating film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying apparatus according to any one of claims 1 to 4 to form a coating film.
Holding the substrate to be processed to the holding portion;
Raising the holding part by the first lifting means to bring the substrate to be processed held by the holding part into proximity to the ceiling of the chamber;
Depressurizing the processing space in the chamber by the exhaust means;
And after the predetermined time has elapsed, performing the step of moving the air flow controller up and down by the second elevating means to bring the air flow controller close to the substrate to be held held by the holding portion.
상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과,
상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시키는 스텝과,
상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과,
소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 상기 유지부와 상기 기류 제어부를, 서로 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는 감압건조방법.A reduced pressure drying method for forming a coating film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying apparatus according to any one of claims 1 to 4 to form a coating film.
Holding the substrate to be processed to the holding portion;
Moving the holding portion down by the first elevating means to bring the substrate to be processed into proximity to the air flow control section;
Depressurizing the processing space in the chamber by the exhaust means;
After a predetermined time has elapsed, the holding portion holding the substrate to be processed and the air flow control portion are moved upward by the first lifting means and the second lifting means while keeping the distance from each other, and at a predetermined position in the chamber. A pressure reduction drying method, characterized in that the step of stopping is carried out.
상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과,
상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 상승시켜, 상기 유지부에 유지된 상기 피처리기판을 상기 챔버의 천정부에 근접시키는 스텝과,
상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과,
소정 시간 경과후에, 상기 제2 승강수단에 의해 상기 기류 제어부를 상승 이동시켜, 상기 유지부에 유지된 피처리기판에 상기 기류 제어부를 근접시킴과 동시에, 상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기하는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는 감압건조방법.A reduced pressure drying method for forming a coating film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying apparatus according to claim 5 or 6 to form a coating film.
Holding the substrate to be processed to the holding portion;
Raising the holding part by the first lifting means to bring the substrate to be processed held by the holding part into proximity to the ceiling of the chamber;
Depressurizing the processing space in the chamber by the exhaust means;
After a predetermined time has elapsed, the air flow controller is moved upward by the second lifting means to bring the air flow controller close to the substrate to be held by the holding portion, and at the same time, an inert gas is introduced into the chamber by the air supply means. A pressure reduction drying method, characterized by performing a step of supplying air.
상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과,
상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과,
상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시킴과 동시에, 상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기하는 스텝과,
소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 상기 유지부와 상기 기류 제어부를, 서로 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는 감압건조방법.A reduced pressure drying method for forming a coating film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying apparatus according to claim 5 or 6 to form a coating film.
Holding the substrate to be processed to the holding portion;
Depressurizing the processing space in the chamber by the exhaust means;
Moving the holding portion down by the first elevating means to bring the substrate to be processed closer to the air flow control part, and simultaneously supplying an inert gas into the chamber by the air supply means;
After a predetermined time has elapsed, the holding portion holding the substrate to be processed and the air flow control portion are moved upward by the first lifting means and the second lifting means while keeping the distance from each other, and at a predetermined position in the chamber. A pressure reduction drying method, characterized in that the step of stopping is carried out.
상기 유지부에 피처리기판을 유지하는 스텝과,
상기 제1 승강수단에 의해 상기 유지부를 하강 이동시켜, 상기 피처리기판을 상기 기류 제어부에 근접시키는 스텝과,
상기 배기수단에 의해 상기 챔버 안의 처리공간을 감압하는 스텝과,
상기 급기수단에 의해 상기 챔버 안에 불활성 가스를 급기하는 스텝과,
소정 시간 경과후에, 상기 피처리기판을 유지하는 상기 유지부와 상기 기류 제어부를, 서로 거리를 유지한 상태에서, 상기 제1 승강수단 및 제2 승강수단에 의해 상승 이동시켜, 챔버 안의 소정 위치에서 정지시키는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는 감압건조방법.A reduced pressure drying method for forming a coating film by subjecting a substrate to which a treatment liquid is applied to the substrate to be treated with the pressure reduction drying apparatus according to claim 5 or 6 to form a coating film.
Holding the substrate to be processed to the holding portion;
Moving the holding portion down by the first elevating means to bring the substrate to be processed into proximity to the air flow control section;
Depressurizing the processing space in the chamber by the exhaust means;
Supplying an inert gas into the chamber by the air supply means;
After a predetermined time has elapsed, the holding portion holding the substrate to be processed and the air flow control portion are moved upward by the first lifting means and the second lifting means while keeping the distance from each other, and at a predetermined position in the chamber. A pressure reduction drying method, characterized in that the step of stopping is carried out.
상기 제1 급기 포트로부터 분출된 불활성 가스의 대부분이 상기 유지부의 위를 통과하여 상기 배기 포트에 도달하도록 불활성 가스의 기류의 루트를 규제하는 제1 모드와, 불활성 가스에 대한 상기 기류 루트의 규제를 실질적으로 해제하는 제2 모드를 선택적으로 변환하는 감압건조방법.A first air supply port provided on one side of the holding portion in the chamber in a horizontal first direction, and having a pressure-sensitive chamber for receivably receiving the substrate, a holding portion on which the substrate is placed in the chamber, An inert gas supply part for supplying an inert gas into the chamber through an air supply port, and an exhaust port provided in a second area except for a first area between the first air supply port and the holding part in the chamber, A pressure reduction drying method for drying a film of a coating liquid formed on a substrate to be processed under a reduced pressure using a reduced pressure drying apparatus having an exhaust port for evacuating the inside of the chamber through the exhaust port,
A first mode for regulating the route of the air flow of the inert gas so that most of the inert gas blown out from the first air supply port passes through the holding portion to reach the exhaust port; and the regulation of the air flow route for the inert gas is controlled. A decompression drying method for selectively converting a second mode that is substantially released.
상기 제1 칸막이 판의 높이 위치를, 상기 제1 모드용 제1 높이 위치와, 상기 제2 모드용 제2 높이 위치와의 사이에서 변환하는 감압건조방법.A first partition plate according to claim 23, wherein first partition plates disposed on both sides of the holding portion are used inside a side wall of the chamber in a horizontal second direction orthogonal to the first direction.
And a height position of the first partition plate is converted between the first height position for the first mode and the second height position for the second mode.
상기 제2 칸막이 판의 높이 위치를, 상기 제1 모드용 제3 높이 위치와 상기 제2 모드용 제4 높이 위치와의 사이에서 변환하는 감압건조방법.The method according to claim 23, wherein the holding portion uses a second partition plate disposed next to at least the side facing the first air supply port,
And a height position of the second partition plate is converted between the third height position for the first mode and the fourth height position for the second mode.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2009-206299 | 2009-09-07 | ||
JP2009206299A JP4859968B2 (en) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | Vacuum drying apparatus and vacuum drying method |
JPJP-P-2009-215392 | 2009-09-17 | ||
JP2009215392A JP4879304B2 (en) | 2009-09-17 | 2009-09-17 | Vacuum drying apparatus and vacuum drying method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110026376A true KR20110026376A (en) | 2011-03-15 |
KR101509830B1 KR101509830B1 (en) | 2015-04-06 |
Family
ID=43842851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20100068960A KR101509830B1 (en) | 2009-09-07 | 2010-07-16 | Decompression drier and decompression dry method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101509830B1 (en) |
CN (1) | CN102012643B (en) |
TW (1) | TWI461646B (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6093172B2 (en) * | 2012-12-26 | 2017-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | Vacuum drying apparatus and vacuum drying method |
JP2015002292A (en) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Transfer device and transfer method of substrate for depositing compound semiconductor film, and deposition system and deposition method of compound semiconductor film |
JP2017073338A (en) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Inspection device, reduced-pressure drying device, and method for controlling reduced-pressure drying device |
JP6747815B2 (en) * | 2016-02-02 | 2020-08-26 | 東レエンジニアリング株式会社 | Vacuum drying apparatus and vacuum drying method |
JP7132592B2 (en) * | 2018-04-05 | 2022-09-07 | 株式会社松井製作所 | Drying system and drying method |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5900103A (en) * | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
JP3798491B2 (en) * | 1997-01-08 | 2006-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Dry etching method |
JP3585215B2 (en) | 1999-05-24 | 2004-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment |
US6524389B1 (en) * | 1999-05-24 | 2003-02-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
US6676757B2 (en) * | 1999-12-17 | 2004-01-13 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming apparatus and coating unit |
JP3920699B2 (en) | 2001-09-19 | 2007-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | Vacuum drying apparatus and coating film forming method |
US6796054B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Low-pressure dryer and low-pressure drying method |
US6953654B2 (en) * | 2002-03-14 | 2005-10-11 | Tokyo Electron Limited | Process and apparatus for removing a contaminant from a substrate |
JP2006105524A (en) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Vacuum dryer and vacuum drying method |
KR100875347B1 (en) * | 2005-09-08 | 2008-12-22 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | Vacuum drying apparatus and substrate drying method |
-
2010
- 2010-07-16 KR KR20100068960A patent/KR101509830B1/en active IP Right Grant
- 2010-08-30 TW TW099129081A patent/TWI461646B/en not_active IP Right Cessation
- 2010-09-07 CN CN201010277683.7A patent/CN102012643B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201124689A (en) | 2011-07-16 |
CN102012643A (en) | 2011-04-13 |
KR101509830B1 (en) | 2015-04-06 |
CN102012643B (en) | 2014-03-26 |
TWI461646B (en) | 2014-11-21 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
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