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KR20110026656A - 임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법 - Google Patents

임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법 Download PDF

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KR20110026656A
KR20110026656A KR1020090084406A KR20090084406A KR20110026656A KR 20110026656 A KR20110026656 A KR 20110026656A KR 1020090084406 A KR1020090084406 A KR 1020090084406A KR 20090084406 A KR20090084406 A KR 20090084406A KR 20110026656 A KR20110026656 A KR 20110026656A
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mold
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장두희
권당
조항섭
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 변형 방지, 두께 불균일 방지 및 수명을 향상시킬 수 있는 임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 임프린트용 몰드의 제조 방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 이용해 금속 패턴을 형성하는 단계와; 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 기판을 1차 식각하는 단계와; 상기 기판을 상하 반전하는 단계와; 상기 상하 반전된 기판을 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 2차 식각하는 단계와; 상기 기판 상의 상기 포토레지스 패턴 및 금속 패턴을 제거하는 단계와; 상기 2차 식각된 기판을 전면 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
임프린트용 몰드, 유리, 기판, 식각, SAM

Description

임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법{METHOD OF FABRICATING IMPRINTING MOLD AND METHOD OF FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL USING THE IMPRINTING MOLD}
본 발명은 변형 방지, 두께 불균일 방지 및 수명을 향상시킬 수 있는 임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법법에 관한 것이다.
최근 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 대두되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel) 및 일렉트로-루미네센스(Electro-Luminescence : EL) 표시 장치 등이 있다.
이러한 평판 표시 장치는 증착(코팅) 공정, 노광 공정, 현상 공정 및 식각 공정 등을 포함하는 마스크 공정에 의해 형성되는 다수의 박막으로 이루어진다. 그러나, 마스크 공정은 제조 공정이 복잡하여 제조 단가를 상승시키는 문제점이 있다. 이에 따라, 최근에는 임프린트용 몰드를 이용한 패터닝 공정을 통해 박막을 형성할 수 있는 연구가 진행되고 있다.
이러한 패터닝 공정은 기판 상에 액상 수지를 도포한 후, 홈과 돌출부를 가지는 임프린트용 몰드와 액상 수지가 접촉하게 되면, 임프린트용 몰드의 홈과 돌출부가 액상 수지에 반전전사됨으로써 기판 상에 원하는 박막 패턴이 형성되는 공정이다.
여기서, 종래 임프린트용 몰드(10)는 도 1에 도시된 바와 같이 홈과 돌출부가 형성된 패턴부(14)와, 패턴부를 지지하는 백플레인(Back-plane,12)으로 이루어진다. 백플레인(12)은 일반적으로 유리 또는 석영으로 형성되며, 패턴부(14)는 폴리머로 형성된다.
이와 같이, 백플레인(12)과 패턴부(14)가 서로 다른 재질로 형성되므로 각각의 열팽창 계수는 서로 다르다. 이 경우, 온도나 습도에 의해 백플레인(12)과 패턴부(14) 각각의 전체 피치(Pitch)가 달라지므로 뒤틀림 현상이 발생된다. 이러한 뒤틀림 현상이 발생되면 임프린트용 몰드(10)를 장시간 사용시 패턴부(14) 손상이 발생되는 문제점이 있다.
또한, 패턴부(14)가 폴리머로 형성되므로 표면 균일도가 불균일해 임프린트용 몰드(10)의 수명이 단축됨과 아울러 패턴부(14)의 돌출부의 높이차로 인해 임프린트용 몰드(10)에 의해 패터닝되는 박막의 두께 산포가 불균일해지는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 변형 방지, 두께 불균일 방지 및 수명을 향상시킬 수 있는 임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드의 제조 방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 이용해 금속 패턴을 형성하는 단계와; 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 기판을 1차 식각하는 단계와; 상기 기판을 상하 반전하는 단계와; 상기 상하 반전된 기판을 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 2차 식각하는 단계와; 상기 기판 상의 상기 포토레지스 패턴 및 금속 패턴을 제거하는 단계와; 상기 2차 식각된 기판을 전면 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 임프린트용 몰드의 제조 방법은 상기 전면 식각된 기판에 자외선을 조사하는 단계와; 상기 자외선이 조사된 기판을 자가 조립 물질과 반응시키는 단계와; 상기 자가 조립 물질과 반응한 기판을 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판을 1차 및 2차 식각하는 단계는 상기 기판을 식각용기에 채워진 순수물과 HF가 1:8로 희석된 식각액에 침지시키는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 지면과 수직으로 정렬된 상태로 상기 식각액에 침지되는 것을 특징으로 한다.
상기 식각 용기에는 상기 식각액을 분사하는 분사기가 기판과 대면하도록 위치하는 것을 특징으로 한다.
상기 전면 식각된 기판에 자외선을 조사하는 단계는 상기 기판의 홈 및 돌출부 중 어느 하나와 포토마스크의 차단부가 마주보도록 정렬하는 단계와; 상기 포토마스크를 이용하여 상기 기판에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 자외선이 조사된 기판을 자가 조립 물질과 반응시키는 단계는 상기 자외선이 조사된 기판을 N2분위기의 챔버에 투입한 후 상기 기판을 자가 조립 물질과 약 2시간~24시간 동안 반응시키는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 자가 조립 물질에 따라 기판의 홈 또는 돌출부의 표면은 친수성 또는 소수성을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 자가 조립 물질의 터미널 그룹이 -CL, -F, -I, -CH3기이면 상기 돌출부의 표면은 소수성이며, 상기 자가 조립 물질의 터미널 그룹이 -OH, -COOH, -COH기이면 상기 돌출부의 표면은 친수성인 것을 특징으로 한다.
상기 자가 조립 물질과 반응한 기판을 열처리하는 단계는 상기 기판을 30분~1시간 동안 130~150도에서 열처리하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법은 상기 임프린트용 몰드를 마련하는 단계와; 액정 표시 패널의 기판 상에 박막을 형성하는 단계와; 상기 임프린트용 몰드와 상기 기판이 접촉함으로써 상기 액 정 표시 패널의 컬러 스페이서와 오버 코트층을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 임프린트용 몰드는 단일 재질로 형성되므로 종래 이종 재질로 형성된 임프린트용 몰드에 비해 전체 피치 변형을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드의 재질인 유리 또는 석영은 종래 패턴부의 재질인 폴리머에 비해 표면 균일도가 균일하므로 두께 불균일로 인한 불량을 방지할 수 있으며 임프린트용 몰드의 수명을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 임프린트용 몰드를 나타내는 단면도이다.
도 2에 도시된 임프린트용 몰드(110)는 유리 또는 석영을 이용해 단일 재질 구조로 형성된다. 또한, 임프린트용 몰드(110)는 패터닝 공정을 위해 돌출부(114)와 홈(112)을 가지도록 형성된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드(110)는 단일 재질로 형성되므로 종래 이종 재질로 형성된 임프린트용 몰드에 비해 전체 피치 변형을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드(110)의 재질인 유리 또는 석영은 종래 패턴부의 재질인 폴리머에 비해 표면 균일도가 균일하므로 두께 불균일로 인한 불량을 방지할 수 있으며 임프린트용 몰드의 수명을 향상시킬 수 있다.
이러한 임프린트용 몰드(110)의 제조 방법을 도 3a 내지 도 3i를 결부하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3a에 도시된 바와 같이 기판(120) 상에 금속층이 형성된 후 그 금속층 상에 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴(124)이 형성된다. 그 포토레지스트 패턴(124)을 이용하여 금속층이 식각됨으로써 기판(120) 상에 금속 패턴(122)이 형성된다.
도 3b에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(124) 및 금속 패턴(122)이 형성된 기판(120)은 식각 용기(128)에 채워져 있는 식각액(126)에 1차로 침지된다. 여기서, 식각용기(128)에는 순수물(DI Water)과 HF가 8:1의 비율로 희석된 식각액이 채워져 있으며, 기판(120)은 지면과 수직한 상태로 정렬된다. 식각액(126)에 침지된 기판(120)은 금속 패턴(122)을 마스크로 이용한 식각공정을 통해 기판(120)이 원하는 깊이(d)의 1/2 깊이만큼 식각됨으로써 원하는 깊이의 1/2의 깊이(d/2)를 가지는 홈(112) 및 원하는 높이의 1/2의 높이를 가지는 돌출부(114)가 형성된다. 여기서, 식각 깊이는 원하는 깊이의 1/2만큼 식각되는 것을 예로 들었으나 침지시간 및 식각액을 이용하여 조절할 수 있다.
또한, 식각 용기(128) 내에는 식각액 분사기(130)가 기판(120)과 대면하도록 위치한다. 이 식각액 분사기(130)는 1차 침지시 기판(120)의 영역마다 식각액과 접촉하는 시간이 달라 발생되는 얼룩을 방지하기 위해 기판(120) 전면에 식각액(126)이 골고루 분사되도록 한다. 또한, 식각액 분사기(130)는 식각액(126)에 의해 등방성 식각되는 기판(120)이 이방성 식각되도록 식각액(126)을 기판(120)에 분사한다.
도 3c에 도시된 바와 같이 1차 식각된 기판(110)은 상하반전된 후 식각액(126)에 2차로 침지된다. 즉, 기판(120)은 기판(120)의 두께 편차 발생을 최소화하기 위해 1차 침지시 맨처음 침지된 기판(120)의 하측(DS)이 맨 나중에 침지되고 1차 침지시 맨 나중에 침지된 기판(120)의 상측(US)이 맨처음 침지도록 상하반전되어 식각액(126)에 2차 침지된다. 여기서, 식각 용기(128)에는 순수물(DI Water)과 HF가 8:1의 비율로 희석된 식각액(126)이 채워져 있으며, 기판(120)은 1차 침지시와 마찬가지로 지면과 수직한 상태로 정렬된다. 식각액(126)에 2차 침지된 기판(120)은 금속 패턴(122)을 마스크로 이용한 식각공정을 통해 기판(120)이 원하는 깊이(d)의 1/2 깊이만큼 식각됨으로써 원하는 깊이(d)를 가지는 홈(112) 및 원하는 높이를 가지는 돌출부(114)가 형성된다.
또한, 식각 용기(128) 내에는 1차 식각시와 마찬가지로 식각액 분사기(130)가 기판(120)과 대면하도록 위치한다.
도 3d에 도시된 바와 같이 2차 식각된 기판(120) 상에 잔존하는 금속 패턴(122)과 포토레지스트패턴(124)은 스트립 공정을 통해 제거된다. 이 때, 기판(120)의 홈(112)은 1차 및 2차 식각시 등방성 식각됨으로써 역테이퍼 형태로 형성되어 돌출부(114)의 상측 폭(UW)이 중앙측 폭(CW)보다 크게 형성된다.
도 3e에 도시된 바와 같이 기판(120)은 식각액이 담긴 식각 용기(132)에 침지됨으로써 전면 식각된다. 이 때, 기판(120)은 지면과 수직 또는 수평한 상태로 정렬된다. 이에 따라, 기판(120)의 전체 식각 깊이는 변하지 않은 상태로 기 판(120) 상에 잔존하는 역테이퍼를 제거된다.
도 3f에 도시된 바와 같이 전면 식각된 기판(120)은 자외선과 오존 등으로 세정됨으로써 원하는 깊이의 홈(112)과 원하는 높이의 돌출부(114)를 가지는 임프린트용 몰드(110)가 완성된다.
도 3g에 도시된 바와 같이 임프린트용 몰드(110)는 포토마스크(140)를 이용한 노광 공정을 통해 표면 처리된다. 구체적으로, 임프린트용 몰드(110) 상에 포토마스크(140)가 정렬된다. 즉, 포토 마스크(140)의 차단부(138)는 임프린트용 몰드(110)의 홈(112)과 대응되도록 정렬된다. 이에 따라, 포토마스크(140)의 기판(136)을 통과한 광(예를 들어, UV)은 임프린트용 몰드(110)의 돌출부(114)의 표면 상에 조사된다. 이 때, 약 180~260nm의 파장을 가지지는 광은 약 10~20분간 돌출부(114)의 표면에 조사된다. 그러면, 임프린트용 몰드(110)의 돌출부(114)의 표면은 친수성을 가지게 된다.
도 3h에 도시된 바와 같이, N2 분위기의 챔버(142) 내에 임프린트용 몰드(110)를 투입한 다음 친수성을 가지는 돌출부(114)의 표면과 자가 조립 물질(Self Assembly Materials; SAM)을 반응시킴으로써 돌출부(114)의 표면은 극소수화 또는 극친수화된다. 이러한 자가 조립 물질의 터미널 그룹에 따라 돌출부(114)의 표면이 극소수화 또는 극친수화된다. 예를 들어, 터미널 그룹이 -CL, -F, -I, -CH3기이면 돌출부(114)의 표면은 극소수화되며, 터미널 그룹이 -OH, -COOH, -COH기이면 돌출부의 표면은 극친수화된다. 이러한 돌출면을 가지는 돌출부(114)는 패터닝을 위해 접촉되는 박막과의 반발력이 커진다. 즉, 박막이 친수성이면 돌출 부(114)는 소수성을 가지고, 박막이 소수성이면 돌출부(114)는 친수성을 가지게 되므로 박막 패턴 불량이 최소화된다. 한편, 자가 조립 물질과 돌출부(114) 표면의 반응시간은 약 2~24시간으로, 이 반응시간이 길수록 표면 처리가 균일해진다.
도 3g 및 도 3h에 기재된 임프린트용 몰드의 표면 처리 방법이외에도 마스크 사용없이 임프린트용 몰드(110)의 돌출부(114) 및 홈(112)의 표면 전체를 소수화시킬 수도 있다. 즉, 임프린트용 몰드(110)의 돌출부(114) 및 홈(112)에 자외선이 조사됨으로써 돌출부(114) 및 홈(112)의 표면 전체가 친수화된 다음 그 친수화된 표면 전체를 SAM과 반응시키면 소수화된다. 이 소수화된 임프린트용 몰드(110)를 이용하여 박막을 패터닝함으로써 박막 패턴이 형성된다. 박막 패턴 형성 후 임프린트용 몰드(110)와 박막 패턴의 분리시 소수화된 임프린트용 몰드(110)는 박막 패턴과의 반발력이 상대적으로 강해 분리가 용이해진다.
도 3i에 도시된 바와 같이, 극소수화 또는 극친수화된 돌출부(114)의 표면을 가지는 임프린트용 몰드(110)는 약 130~150도의 챔버(144) 내에서 약 30분~1시간 동안 열처리됨으로써 안정화된다.
상술한 바와 같은 제조 방법으로 형성된 임프린트용 몰드(110)는 박막 패터닝 공정에 적용된다. 이에 대해 도 4a 내지 도 4c를 결부하여 상세히 설명하기로 한다.
도 4a에 도시된 바와 같이 임프린트용 몰드(110)는 진공척(146)에 전면 흡착됨으로써 임프린트용 몰드(110)의 휨 현상을 방지할 수 있다. 그런 다음, 임프린트용 몰드(110)는 박막(158)이 형성된 평판 표시 소자의 기판(151)과 300㎛이하로 이격되게 정렬된다. 이 때, 임프린트용 몰드(110)의 크기(MW)는 평판 표시 소자의 기판(151)의 크기(SW)와 동일하게 형성된다.
도 4b에 도시된 바와 같이 임프린트용 몰드(110)는 평판 표시 소자의 기판(151) 상으로 낙하된다. 이에 따라, 임프린트용 몰드(110)는 기판(151) 상의 박막(158)과 접촉된다. 그러면, 임프린트용 몰드(110)의 홈(112) 내로 박막(158)이 이동하게 되므로 박막 패턴(154,156)이 형성된다. 박막 패턴(154,156)은 임프린트용 몰드(110)의 홈(112)과 반전 전사된 형태의 돌출 패턴(156)과, 임프린트용 몰드의 돌출부(114)와 반전 전사된 형태의 홈 패턴(154)을 가진다. 예를 들어, 박막 패턴(154,156)은 액정 표시 소자의 컬러 기판에 형성된 오버 코트층(154)과 컬럼 스페이서(156)로 형성된다. 즉, 컬럼 스페이서(156)는 박막 패턴의 돌출 패턴과 대응되며, 오버코트층(154)은 돌출 패턴을 제외한 나머지 영역과 대응된다.
도 4c에 도시된 바와 같이 평판 표시 소자의 기판(151) 상에 형성된 박막 패턴(154,156)으로부터 임프린트용 몰드(110)는 분리된다.
한편, 본 발명에 따른 임프린트용 몰드로 형성된 박막 패턴은 도 5에 도시된 액정 표시 패널에 적용된다. 구체적으로, 도 5에 도시된 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 액정층(182)을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판(180) 및 컬러 필터 기판(160)을 구비한다.
컬러 필터 기판(160)은 상부기판(162) 상에 빛샘 방지를 위해 형성된 블랙매트릭스(164), 컬러 구현을 위한 컬러필터(166), 화소 전극과 전계를 형성하는 공통 전극(168), 평탄화를 위한 오버 코트층(184)과, 오버 코트층(184)과 일체화로 형성 되며 셀갭 유지를 위한 컬럼 스페이서(186)와, 컬럼 스페이서(186)와 이들을 덮는 상부 배향막(도시하지 않음)을 구비한다.
박막 트랜지스터 기판(180)은 하부 기판(172) 위에 서로 교차하게 형성된 게이트 라인(176) 및 데이터 라인(174)과, 그 교차부에 인접한 박막 트랜지스터(178)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 형성된 화소 전극(170) 및 이들을 덮는 하부 배향막(도시하지 않음)을 구비한다.
이러한 액정 표시 패널의 컬러필터(166), 블랙 매트릭스(164) 및 컬럼 스페이서(186), 박막트랜지스터(178), 게이트 라인(176), 데이터 라인(174) 및 화소 전극(170) 등은 각각의 패턴과 대응하는 홈을 가지는 상술한 임프린트용 몰드를 이용한 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1은 종래 임프린트용 몰드를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 임프린트용 몰드를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3i는 도 2에 도시된 임프린트용 몰드의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 2에 도시된 임프린트용 몰드를 이용한 박막 패터닝 공정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 도 4a 내지 도 4c의 제조 방법에 의해 형성된 박막 패턴을 가지는 액정 표시 패널을 나타내는 사시도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 임프린트용 몰드 112 : 홈
114 : 돌출부

Claims (11)

  1. 기판 상에 포토레지스트 패턴을 이용해 금속 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 기판을 1차 식각하는 단계와;
    상기 기판을 상하 반전하는 단계와;
    상기 상하 반전된 기판을 상기 금속 패턴을 마스크로 이용하여 2차 식각하는 단계와;
    상기 기판 상의 상기 포토레지스 패턴 및 금속 패턴을 제거하는 단계와;
    상기 2차 식각된 기판을 전면 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전면 식각된 기판에 자외선을 조사하는 단계와;
    상기 자외선이 조사된 기판을 자가 조립 물질과 반응시키는 단계와;
    상기 자가 조립 물질과 반응한 기판을 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 1차 및 2차 식각하는 단계는
    상기 기판을 식각용기에 채워진 순수물과 HF가 1:8로 희석된 식각액에 침지 시키는 단계인 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 지면과 수직으로 정렬된 상태로 상기 식각액에 침지되는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 식각 용기에는 상기 식각액을 분사하는 분사기가 기판과 대면하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 전면 식각된 기판에 자외선을 조사하는 단계는
    상기 기판의 홈 및 돌출부 중 어느 하나와 포토마스크의 차단부가 마주보도록 정렬하는 단계와;
    상기 포토마스크를 이용하여 상기 기판에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 자외선이 조사된 기판을 자가 조립 물질과 반응시키는 단계는
    상기 자외선이 조사된 기판을 N2분위기의 챔버에 투입한 후 상기 기판을 자 가 조립 물질과 약 2시간~24시간 동안 반응시키는 단계인 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 자가 조립 물질에 따라 상기 기판의 홈 또는 돌출부의 표면은 친수성 또는 소수성을 가지는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 자가 조립 물질의 터미널 그룹이 -CL, -F, -I, -CH3기이면 상기 돌출부의 표면은 소수성이며, 상기 자가 조립 물질의 터미널 그룹이 -OH, -COOH, -COH기이면 상기 돌출부의 표면은 친수성인 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 자가 조립 물질과 반응한 기판을 열처리하는 단계는
    상기 기판을 30분~1시간 동안 130~150도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 임프린트용 몰드의 제조 방법.
  11. 제 1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항의 상기 임프린트용 몰드를 마련하는 단계와;
    액정 표시 패널의 기판 상에 박막을 형성하는 단계와;
    상기 임프린트용 몰드와 상기 기판이 접촉함으로써 상기 액정 표시 패널의 컬러 스페이서와 오버 코트층을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9791741B2 (en) 2011-10-14 2017-10-17 Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation Alignment film, method for forming alignment film, method for adjusting liquid crystal alignment, and liquid crystal display device
KR20180045354A (ko) * 2016-10-25 2018-05-04 엘지디스플레이 주식회사 임프린트 몰드 및 이의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04180623A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Seikosha Co Ltd 薄膜パターンの形成方法
JP2000235967A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Rohm Co Ltd 半導体ウェハのエッチング方法
JP2009143089A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd 微細構造転写用モールド及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04180623A (ja) * 1990-11-15 1992-06-26 Seikosha Co Ltd 薄膜パターンの形成方法
JP2000235967A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Rohm Co Ltd 半導体ウェハのエッチング方法
JP2009143089A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd 微細構造転写用モールド及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9791741B2 (en) 2011-10-14 2017-10-17 Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation Alignment film, method for forming alignment film, method for adjusting liquid crystal alignment, and liquid crystal display device
KR20180045354A (ko) * 2016-10-25 2018-05-04 엘지디스플레이 주식회사 임프린트 몰드 및 이의 제조방법

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