KR20100083459A - Exposure apparatus and method to measure orthogonality thereof - Google Patents
Exposure apparatus and method to measure orthogonality thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100083459A KR20100083459A KR1020090002840A KR20090002840A KR20100083459A KR 20100083459 A KR20100083459 A KR 20100083459A KR 1020090002840 A KR1020090002840 A KR 1020090002840A KR 20090002840 A KR20090002840 A KR 20090002840A KR 20100083459 A KR20100083459 A KR 20100083459A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- beams
- stage
- exposure
- substrate
- distance
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
- G03F7/706837—Data analysis, e.g. filtering, weighting, flyer removal, fingerprints or root cause analysis
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 노광 장치 및 그 직각도 측정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 디지털 노광 장치에서 스테이지의 직각도를 측정하는 노광 장치 및 그 직각도 측정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and a method for measuring the squareness, and more particularly, to an exposure apparatus for measuring the squareness of a stage in a digital exposure apparatus and a method for measuring the squareness.
일반적으로 액정 디스플레이장치나 플라즈마 디스플레이장치 등의 평판 디스플레이를 구성하는 기판에 패턴을 형성하는 방법은 먼저 기판에 패턴재료를 도포하고, 포토 마스크를 사용하여 패턴재료에 선택적으로 노광을 하여 화학적 성질이 달라진 패턴재료 부분 또는 그 외의 부분을 선택적으로 제거함으로써 패턴을 형성한다.In general, a method of forming a pattern on a substrate constituting a flat panel display, such as a liquid crystal display device or a plasma display device, first applies a pattern material to the substrate, and selectively exposes the pattern material using a photo mask to change chemical properties. The pattern is formed by selectively removing the pattern material portion or other portions.
그러나, 기판이 점차 대형화되고 노광면에 형성되는 패턴이 정밀화되어 감에 따라 포토 마스크를 사용하지 않는 디지털 노광 장치가 사용되고 있으며, 디지털 노광 장치는 전자장치를 사용하여 전기적인 신호로 만들어진 패턴 정보를 가지고 광 빔을 기판에 전사시키는 방식을 통해 패턴을 형성한다.However, as the substrate becomes larger in size and the pattern formed on the exposure surface becomes more precise, a digital exposure apparatus that does not use a photo mask is used, and the digital exposure apparatus has pattern information made of an electrical signal using an electronic apparatus. The pattern is formed by transferring the light beam to the substrate.
이러한 디지털 노광 장치는 기판을 이동시키면서 노광면에 패턴을 형성하게 되는데, 이때 기판을 이동시키는 스테이지의 정밀도가 노광면에 형성되는 패턴의 품질에 영향을 미치며, 특히 스테이지의 직각도는 노광면에 형성되는 패턴의 품질에 직접적인 영향을 미치게 된다. Such a digital exposure apparatus forms a pattern on the exposure surface while moving the substrate, wherein the precision of the stage for moving the substrate affects the quality of the pattern formed on the exposure surface. In particular, the squareness of the stage is formed on the exposure surface. This will have a direct impact on the quality of the pattern.
이에 종래에는 위치 에러의 측정을 위한 기구물을 별도로 설치하여 스테이지의 직각도를 보정하는 방식을 사용하였다. 이때, 스테이지의 직각도를 보정하는 것은 스테이지가 소정 각도 어긋나게 이동하여 발생하는 오차를 보정하는 것을 말한다.In the prior art, a method of correcting the squareness of the stage by separately installing a mechanism for measuring a position error was used. At this time, correcting the squareness of the stage means correcting an error generated when the stage is shifted by a predetermined angle.
그러나, 이러한 방식은 측정을 위한 별도의 기구물(예를 들어, 각도 검출기)을 설치해야 하므로 기구적인 설치오차와 추가 비용의 발생을 가져온다. However, this method requires the installation of a separate instrument (eg an angle detector) for the measurement, resulting in mechanical installation errors and additional costs.
또한, 측정경로상의 기구물 간섭 문제와 기구물을 해제하여 분해한 후에 다시 조립해야 하므로 측정 시 반복성 및 재현성이 부족하며, 기구물 설치 시 스테이지를 건드려서 정밀 셋팅 값을 잃을 수 있으므로 직각도의 정밀한 보정이 이루어질 수 없다.In addition, there is a problem of instrument interference in the measurement path and the instrument must be disassembled after disassembling and reassembling, and thus repeatability and reproducibility are insufficient during measurement, and the precision setting value can be lost by touching the stage when installing the instrument. none.
본 발명의 사상은 별도의 측정 기구물을 설치하지 않고도 디지털 노광 장치의 구성장비인 광학유닛을 이용하여 스테이지의 직각도를 측정 및 보정하는 노광 장치를 제공함에 있다. It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus that measures and corrects the squareness of a stage using an optical unit that is a constituent device of a digital exposure apparatus without installing a separate measuring instrument.
이를 위해 본 발명의 일실시예에 의한 노광 장치는 기판을 이동시키는 스테이지와, 기판에 조사되는 복수의 빔을 생성하는 광학유닛과, 스테이지를 이동시키면서 기판의 노광면에 복수의 빔을 노광시키고, 노광된 결과를 이용하여 스테이지의 직각도를 측정하는 제어부를 포함한다.To this end, the exposure apparatus according to an embodiment of the present invention exposes a plurality of beams on the exposure surface of the substrate while moving the substrate, an optical unit for generating a plurality of beams irradiated onto the substrate, and moving the stage, It includes a control unit for measuring the squareness of the stage using the exposed results.
그리고, 노광된 복수의 빔간의 거리를 측정하는 빔 거리측정부를 포함하고, 제어부는 복수의 빔간의 거리를 이용하여 스테이지의 직각도를 측정하기 위한 기울기 값을 구한다.The beam distance measuring unit measures a distance between the plurality of exposed beams, and the controller obtains an inclination value for measuring the squareness of the stage using the distances between the plurality of beams.
여기서, 기울기 값은 아래의 [수학식 1]에 의하여 구해진다.Here, the inclination value is obtained by Equation 1 below.
[수학식 1][Equation 1]
cosθ=(dn'+dn+1')/(dn+ dn+1)cosθ = (d n '+ d n + 1 ') / (d n + d n + 1 )
여기서, dn', dn+1'는 연속적으로 노광되는 노광 빔간의 실제거리이고, dn, dn+1는 미리 정해진 노광 빔간의 거리이고, θ는 0이다.Here, d n ', d n + 1 ' are actual distances between exposure beams continuously exposed, d n , d n + 1 are distances between predetermined exposure beams, and θ is zero.
또한, 광학유닛은 광원에서 출사된 광을 패턴에 따라 변조하고, 변조된 광 빔을 노광면에 조사하는 디지털 마이크로 미러 디바이스를 포함한다.The optical unit also includes a digital micro mirror device for modulating the light emitted from the light source according to the pattern and irradiating the modulated light beam to the exposure surface.
게다가, 스테이지는 스캔 방향을 따라 일정간격으로 이동되고, 제어부는 일정간격으로 이동되는 스테이지의 구동에 따라 복수의 빔이 노광면에 연속적으로 노광되도록 제어한다.In addition, the stage is moved at regular intervals along the scanning direction, and the control unit controls the plurality of beams to be continuously exposed to the exposure surface according to the driving of the stage moved at regular intervals.
이를 위해 본 발명의 일실시예에 의한 노광 장치의 직각도 측정방법은 기판에 안착된 스테이지를 이동시키고, 스테이지의 기판에 복수의 빔을 생성하여 조사하고, 기판의 노광면에 복수의 빔을 노광시켜 스테이지의 직각도를 측정한다.To this end, the method for measuring the squareness of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention moves a stage mounted on a substrate, generates and irradiates a plurality of beams on the substrate of the stage, and exposes the plurality of beams on the exposure surface of the substrate. The squareness of the stage is measured.
또한, 노광된 복수의 빔간의 거리를 측정하고, 복수의 빔간의 거리를 이용하여 스테이지의 직각도를 측정하기 위한 기울기 값을 구한다.In addition, the distance between the plurality of exposed beams is measured, and the slope value for measuring the squareness of the stage is determined using the distance between the plurality of beams.
여기서, 기울기 값은 아래의 [수학식 1]에 의하여 구해진다.Here, the inclination value is obtained by Equation 1 below.
[수학식 1][Equation 1]
cosθ=(dn'+dn+1')/(dn+ dn+1)cosθ = (d n '+ d n + 1 ') / (d n + d n + 1 )
여기서, dn', dn+1'는 연속적으로 노광되는 노광 빔간의 실제거리이고, dn, dn+1는 미리 정해진 노광 빔간의 거리이고, θ는 0이다.Here, d n ', d n + 1 ' are actual distances between exposure beams continuously exposed, d n , d n + 1 are distances between predetermined exposure beams, and θ is zero.
상술한 바와 같이 노광 장치 및 그 직각도 측정방법에 따르면, 스테이지의 구동에 따라 연속적으로 노광되는 복수 개의 노광 빔간의 거리를 측정하여 스테이지의 직각도를 측정함으로써 보다 정밀하게 스테이지의 직각도를 보정할 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the exposure apparatus and the method for measuring the squareness, the squareness of the stage can be more accurately corrected by measuring the squareness of the stage by measuring the distance between a plurality of exposure beams continuously exposed according to the driving of the stage. There are advantages to it.
또한, 이와 같은 보다 정밀한 측정 및 보정법을 제시하여 패턴을 보다 정확하게 형성할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that can form a pattern more accurately by presenting such a more precise measurement and correction method.
그리고, 셋팅의 정밀도와는 무관하게 노광 빔의 패턴을 이용한 측정방식이므로 SEM과 같은 보다 정밀한 측정장비로 옮겨서 측정하는 것도 가능하다.In addition, the measurement method using the pattern of the exposure beam irrespective of the accuracy of the setting, it is also possible to move to a more precise measuring equipment such as SEM and measure.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 노광 장치의 개략적인 구성을 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1에서, 본 발명의 일실시예에 의한 노광 장치(10)는 플랫 베드타입으로 형성되어 4개의 지지부(12)에 의해 지지되는 두꺼운 판상의 설치대(14)와, 설치대(14)의 상부에 설치되어 노광하고자 하는 대상물 즉, 기판(16)을 Y축 방향으로 이동시키면서 스캔기능을 하는 스테이지(18)와, 설치대(14)의 상면에 설치되어 스테이지(18) 이동방향을 따라 연장된 2개의 가이드(20)를 포함한다. 스테이지(18)는 그 길이방향이 스테이지(18) 이동방향을 향하도록 설치됨과 동시에 가이드(20)에 의해 왕복 이동 가능하게 지지되어 있다.In FIG. 1, the
설치대(14)의 중앙부에는 스테이지(18)의 이동경로에 걸쳐지도록 ㄷ자 형상의 게이트(22)가 설치되며, 게이트(22)의 단부 각각은 설치대(14)의 양 측면에 고정되어 있다. 이 게이트(22)를 사이에 두고 일측에는 기판(16)에 노광되는 빔을 생성하기 위한 광학유닛(24)이 설치되고, 타측에는 기판(16)에 노광되는 빔의 거리를 측정하는 복수(예를 들면, 2개)의 빔 거리측정부(26)가 설치되어 있다. 광학유닛(24) 및 빔 거리측정부(26)는 게이트(22)에 각각 부착되고 스테이지(18)의 이동경로의 상방에 고정 배치되어 있다.The central portion of the mounting table 14 is provided with a U-shaped
광학유닛(24)은 광원(30)에서 출사되는 레이저 광을 원하는 패턴에 따라 공 간 변조하고, 노광면(17)을 갖는 기판(16)에 이 변조된 레이저 광을 노광 빔으로서 조사하여 기판(16)을 노광시키는 복수의 노광 헤드(28)를 구비하며, 각각의 노광 헤드(28)는 광원(30)으로부터 인출된 광섬유(32)에 접속되어 있다.The
광원(30)은 반도체 레이저와 반도체 레이저에서 출사되는 광을 조절하는 광학계를 포함하고, 광섬유(32)를 이용하여 레이저 광을 광학유닛(24)의 노광 헤드(28)의 입사측에 제공한다.The
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 광학유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.Figure 2 is a perspective view showing the configuration of an optical unit according to an embodiment of the present invention.
도 2에서, 광학유닛(24)은 m행 n열(예를 들면, 2행 5열)의 대략 매트릭스 상으로 배열된 복수의 노광 헤드(28)를 포함한다.In FIG. 2, the
노광 헤드(28)에 의한 노광영역(34)은 주사방향을 단변으로 하는 직사각형 형상이며, 스테이지(18)의 이동에 따라 기판(16)에는 노광 헤드(28)마다 밴드 형상의 노광완료영역(36)이 형성된다.The
또한, 밴드 형상의 노광완료영역(36)이 주사 방향과 직교하는 방향으로 간극 없이 늘어서도록 라인상으로 배열된 각 행의 노광 헤드(28)의 각각은 배열 방향으로 소정 간격 벗어나게 배치되어 있다. 예를 들면 제1행의 노광영역(34)과 제2행의 노광영역(34) 사이의 노광할 수 없는 부분은 제2행의 노광영역(34)에 의해 노광된다.Further, each of the
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 노광 헤드의 개략적인 구성을 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view showing a schematic configuration of an exposure head according to an embodiment of the present invention.
도 3에서, 각 노광 헤드(28)는 광섬유(32)의 광 출사단(38)에서 출사된 광을 보정하여 미러(44)로 출사하는 보정 렌즈계(40)와, 보정 렌즈계(40)로부터 출사되는 광을 디지털 마이크로 미러 디바이스(46, Digital Micro-mirror Device;이하, DMD라 한다)로 반사하는 미러(44)와, 미러(44)로부터 반사되는 광을 부분적으로 다른 반사각으로 변조하여 일정한 패턴을 갖는 광 빔이 조사되도록 하는 DMD(46) 및 DMD(46)에서 변조된 광 빔이 기판(16)의 노광면(17)에 결상되도록 하는 집광 렌즈계(48)를 포함한다.In FIG. 3, each of the
보정 렌즈계(40)는 광 출사단(38)에서 출사된 광이 균일해지도록 하는 제1 보정 렌즈(41)와, 제1 보정 렌즈(41)를 통과한 광이 미러(44)에 집광되도록 하는 제2 보정 렌즈(42)로 이루어져, 광 출사단(38)에서 출사된 광이 균일한 광량 분포를 가지고 미러(44)로 입사되도록 한다.The
미러(44)는 일면이 반사면으로 형성되어 보정 렌즈계(40)를 통과한 광을 DMD(46)로 반사한다.One surface of the
DMD(46)는 입사된 광을 원하는 패턴에 따라 각 화소마다 변조하는 공간 광변조소자로서 제어신호에 따라 반사면의 각도가 변화되는 다수의 마이크로 미러(45)를 실리콘 등의 반도체 기판상에 L행ㅧM열의 2차원상으로 배열한 미러 디바이스이다. DMD(46)를 노광면(17)을 따른 일정방향으로 주사함으로서 일정한 패턴을 가지는 광 빔을 집광 렌즈계(48)로 반사한다.The
집광 렌즈계(48)는 제1집광 렌즈(49)와 제2집광 렌즈(50)로 이루어져, 제1 집광 렌즈(49)와 제2 집광 렌즈(50)의 사이 거리가 조절됨으로써 집광 렌즈계(48)를 통과한 패턴 광의 결상 위치가 조절되도록 한다. 이러한 집광 렌즈계(48)는 DMD(46)에서 변조된 광 빔이 기판(16)의 노광면(17)에 입사되도록 한다. 이에 따라, 노광하고자 하는 기판(16)의 노광면(17)에 형성되는 감광 재료는 경화되거나 연화된다.The condensing
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 DMD의 구성을 나타내는 확대 사시도이다.Figure 4 is an enlarged perspective view showing the configuration of a DMD according to an embodiment of the present invention.
도 4에서, DMD(46)는 메모리 셀(43) 상에 화소를 구성하는 다수의 마이크로 미러(45)를 격자상으로 배열한 미러 디바이스로서 마이크로 미러(45)의 표면에는 알루미늄 등의 반사율이 높은 재료가 증착되어 있다.In FIG. 4, the
DMD(46)의 메모리 셀(43)에 디지털 신호가 기록되면 마이크로 미러(45)가 대각선을 중심으로 해서 DMD(46)가 배치된 기판(16) 측에 대하여 일정각도(예를 들면, ㅁ12˚)의 범위에서 기울어지며, 각 마이크로 미러(45)의 온/오프 제어는 후술하는 제어부(63)에 의해 각각 제어된다. 온 상태의 마이크로 미러(45)에 의해 반사된 광은 노광 상태로 변조되어 집광 렌즈계(48)를 통해 노광면(17)에 빔을 노광시키고, 오프 상태의 마이크로 미러(45)에 의해 반사된 광은 비노광 상태로 변조되어 노광면(17)에 빔을 노광시키지 않게 된다.When a digital signal is written to the
또한, DMD(46)는 그 단변 방향이 주사 방향과 소정 각도를 이루도록 약간 기울여서 배치하는 것이 바람직하다.In addition, the
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일실시예에 의한 DMD의 동작을 설명하기 위한 도면이다.5A and 5B are diagrams for describing an operation of a DMD according to an embodiment of the present invention.
도 5a는 마이크로 미러(45)가 온 상태인 일정각도(+12˚)로 기울어진 상태를 나타내고, 도 5b는 마이크로 미러(45)가 오프 상태인 일정각도(-12˚)로 기울어진 상태를 나타낸다. 따라서, 제어부(63)의 제어신호에 따라 DMD(46)의 각 화소에 있어서의 마이크로 미러(45)의 경사를 제어함으로써 DMD(46)로 입사된 광 빔(B)은 각각의 마이크로 미러(45)의 경사 방향으로 반사된다.5A illustrates a state in which the
도 6은 본 발명의 일실시예에 의한 노광 장치의 제어 구성도로서, 도 6을 참조하면, 노광 장치(10)는 빔 거리측정부(26), 입력부(61), 스테이지 거리측정부(62), 제어부(63), 스테이지 구동부(64) 및 미러 구동부(66)를 포함하여 구성된다.6 is a control block diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, the
빔 거리측정부(26)는 스테이지(18)의 직각도를 측정하기 위해 노광면(17)에 연속적으로 노광되는 복수 개의 노광 빔(예를 들어, 3개)간의 거리(노광 빔간의 X축 거리 및 노광 빔간의 Y축 거리)를 측정하는 것으로, 복수 개의 노광 빔에 대한 영상을 촬영하는 카메라와 카메라에서 촬영한 노광 빔의 영상에서 노광 빔간의 거리를 측정하는 측정기로 구성될 수 있다. 이러한 빔 거리측정부(26)는 스테이지에 고정시켜 설치할 수 있으며, 게이트(22)에 복수 개의 빔 거리측정부(26)를 일정간격을 두고 설치할 수도 있다.The beam
입력부(61)는 노광 방식(노광 빔간의 X축 간격, 노광 빔간의 Y축 간격, 노광 빔의 개수, 노광 빔의 형태 등)을 제어부(63)에 입력한다. 즉, 입력부(61)는 DMD(46)의 마이크로 미러에 투영되는 노광 빔의 개수, 노광 빔간의 X축 간격 및 노광 빔간의 Y축 간격을 제어부(63)에 입력한다. The
스테이지 거리측정부(62)는 스테이지(18)가 이동하는 거리(X축 방향의 이동거리, Y축 방향의 이동거리)를 측정하여 제어부(63)에 입력하는 정밀 거리 측정 기(IFM: Interferometer)로, 빛의 간섭현상을 이용하여 측정하는 장치이다. The stage
제어부(63)는 노광 장치(10)의 전체적인 동작을 제어하며, 스테이지(18)를 일정간격으로 이동하면서 노광면(17)에 연속적으로 노광되는 복수(예를 들어, 3개)의 노광 빔을 사용하여 스테이지(18)의 직각도를 측정하고 보정한다.The
또한, 제어부(63)는 복수 개의 노광 빔간의 거리를 이용하여 스테이지(18)의 직각도를 측정하기 위한 기울기 값을 계산하고, 이 기울기 값에 따라 스테이지(18)의 직각도를 측정하고 보정할 수 있도록 한다.In addition, the
도 7은 본 발명의 일실시예에 의한 DMD의 마이크로 미러에 투영된 빔의 스폿형태를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a spot shape of a beam projected onto a micromirror of a DMD according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 7에서, DMD(46)의 마이크로 미러(45)에 투영되는 빔은 제어부(63)의 제어신호에 따라 각각의 마이크로 미러(45)를 온 또는 오프시킴으로서 투영된다. 이때 온 상태의 마이크로 미러(45)에 의해 반사된 광은 노광 상태로 변조되어 집광 렌즈계(48)를 통해 노광면(17)에 빔을 노광시키고, 오프 상태의 마이크로 미러(45)에 의해 반사된 광은 비노광 상태로 변조되어 노광면(17)에 빔을 노광시키지 않게 된다.In FIG. 7, the beam projected onto the
본 발명의 일실시예에서는 스테이지(18)의 직각도를 측정하기 위해 DMD(46)의 마이크로 미러(45)에 투영되는 임의의 3개 빔(B1, B2, B3)을 사용하며, 3개 빔(B1, B2, B3)간의 X축 거리(d₁, d₂) 및 Y축 거리(d₃)는 미리 정해진 것으로 입력부(61)를 통해 알 수 있다.One embodiment of the invention uses any three beams B1, B2, B3 projected onto the
도 8은 본 발명의 일실시예에 의한 노광면에 연속적으로 노광된 빔을 이용하 여 스테이지의 직각도를 측정 및 보정하는 모습을 나타낸 도면으로, 도 8을 참조하여 제어부(63)의 동작을 보다 구체적으로 설명하도록 한다.FIG. 8 is a diagram illustrating a method of measuring and correcting a squareness of a stage by using a beam continuously exposed to an exposure surface according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the operation of the
제어부(63)는 스테이지(18)의 직각도를 측정하기 위해 빔 거리측정부(26)에서 측정한 3개의 노광 빔(B1, B2, B3)간의 거리(d₁' : B1의 노광 빔과 B2의 노광 빔간의 거리, d₂': B2의 노광 빔과 B3의 노광 빔간의 거리)가 입력부(61)에서 입력한 3개의 노광 빔간의 거리(d₁: B1의 노광 빔과 B2의 노광 빔간의 거리, d₂: B2의 노광 빔과 B3의 노광 빔간의 거리)가 되도록(즉, cosθ가 1(θ=0)) 기울기 값(θ)을 보정해준다. The
보다 상세하게 설명하면, 제어부(63)는 빔 거리측정부(26)에서 측정한 3개의 노광 빔간의 거리를 이용하여 스테이지(18)의 직진도를 측정하기 위한 기울기 값을 아래의 [수학식 1]에 의하여 계산한다.In more detail, the
[수학식 1][Equation 1]
cosθ=(d₁'+d₂')/(d₁+ d₂)cosθ = (d₁ '+ d₂') / (d₁ + d₂)
여기서, d₁', d₂'는 연속적으로 노광되는 노광 빔간의 실제거리이고, d₁,d₂는 미리 정해진 노광 빔간의 거리이고, θ는 0이다.Here, d \ 'and d2' are actual distances between exposure beams continuously exposed, d₁, d2 is a distance between predetermined exposure beams, and θ is zero.
이때, 제어부(63)에서 기울기 값을 보정한다는 것은 스테이지(18)를 소정 각도(θ)로 이동시키거나 스테이지 거리측정부(62)에서 측정한 스테이지(18)의 이동거리를 이용하여 스테이지(18)를 X축 방향 및 Y축 방향으로 일정간격으로 이동시키는 것을 의미한다. At this time, correcting the inclination value in the
스테이지 구동부(64)는 제어부(63)의 제어신호에 따라 스테이지(18)가 가이 드(20)를 일정간격으로 이동하도록 스테이지(18)를 구동하고, 미러 구동부(66)는 제어부(63)의 제어신호에 따라 노광면(17)에 원하는 패턴의 빔을 노광하도록 DMD(46)를 온/오프 구동한다.The
이하에서는 상기와 같이 구성된 노광 장치의 직각도 측정 및 보정과정을 설명하도록 한다.Hereinafter, the perpendicularity measurement and correction process of the exposure apparatus configured as described above will be described.
먼저, 스테이지(18)의 진직도를 측정하기 위한 노광 방식(노광 빔간의 X축 간격, 노광 빔간의 Y축 간격, 노광 빔의 개수, 노광 빔의 형태 등)을 입력부(61)를 통해 제어부(63)에 입력한다.First, an exposure method (X-axis spacing between exposure beams, Y-axis spacing between exposure beams, the number of exposure beams, the shape of the exposure beam, etc.) for measuring the straightness of the
제어부(63)는 입력부(61)를 통해 입력된 노광 방식에 따라 스테이지 구동부(64) 및 미러 구동부(66)에 제어신호를 출력한다.The
따라서, 스테이지 구동부(64)는 제어부(63)의 제어신호에 따라 스테이지(18)를 Y축 방향으로 일정간격으로 이동시켜 스테이지(18)에 안착된 기판(16)의 노광면(17)에 빔이 노광되도록 한다.Accordingly, the
이와 동시에, 미러 구동부(66)는 제어부(63)의 제어신호에 따라 DMD(46)를 구동시켜 보정 렌즈계(40)를 통해 입사된 광을 원하는 패턴에 따라 각 화소마다 변조시켜 일정한 패턴을 가지는 광 빔을 집광 렌즈계(48)로 반사한다.At the same time, the
그리고, 제어부(63)는 3개의 노광 빔(B1, B2, B3)을 스폿 형태로 노광면(17)에 조사시킨다.And the
이와 같이, 노광면(17)에 3개의 노광 빔(B1, B2, B3)을 연속적으로 노광시키면 스테이지의 직각도를 측정할 수 있게 되는데, 이를 위해 본 발명의 일실시예에 서는 3개의 노광 빔(B1, B2, B3)간의 거리(d₁',d₂')를 빔 거리측정부(26)를 통해 측정하여 제어부(63)에 입력한다.As such, when the three exposure beams B1, B2, and B3 are continuously exposed on the
그러면, 제어부(63)는 스테이지(18)의 직각도를 측정하기 위해 빔 거리측정부(26)에서 측정한 3개의 노광 빔(B1, B2, B3)간의 거리(d₁',d₂')가 입력부(61)에서 입력한 3개의 노광 빔간의 거리(d₁,d₂)가 되도록 기울기 값(θ)를 보정해준다. Then, the
보다 상세하게 설명하면, 제어부(63)는 빔 거리측정부(26)에서 측정한 3개의 노광 빔간의 거리를 이용하여 스테이지(18)의 직진도를 측정하기 위한 기울기 값을 아래의 [수학식 1]에 의하여 계산한다.In more detail, the
[수학식 1][Equation 1]
cosθ=(dn'+dn+1')/(dn+ dn+1)cosθ = (d n '+ d n + 1 ') / (d n + d n + 1 )
여기서, dn', dn+1'는 연속적으로 노광되는 노광 빔간의 실제거리이고, dn, dn+1는 미리 정해진 노광 빔간의 거리이고, θ는 0이다.Here, d n ', d n + 1 ' are actual distances between exposure beams continuously exposed, d n , d n + 1 are distances between predetermined exposure beams, and θ is zero.
이와 같이, 본 발명의 일실시예는 노광 장치(10)에 이미 설치되어 있는 광학유닛(24)을 이용하므로 추가 비용이 필요없고 측정을 위한 반복성 및 재현성이 가능하여 경제적인 효과를 얻을 수 있으며, 보다 정밀한 직각도 측정이 가능하고 이에 따라 정확한 직각도 보정이 이루어질 수 있게 된다.As such, one embodiment of the present invention uses the
한편, 본 발명의 일실시예에서는 DMD(46) 상에 투영되는 임의의 3개 빔(B1, B2)을 사용하여 노광 진직도를 측정하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 DMD(46) 상에 투영되는 임의의 빔을 3개 이상 사용하여도 본 발명과 동일한 목적 및 효과를 달성할 수 있음은 물론이다.Meanwhile, in one embodiment of the present invention, the exposure straightness is measured by using any three beams B1 and B2 projected on the
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 노광 장치의 개략적인 구성을 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 광학유닛의 구성을 나타내는 사시도이다.Figure 2 is a perspective view showing the configuration of an optical unit according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 노광 헤드의 개략적인 구성을 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view showing a schematic configuration of an exposure head according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 DMD의 구성을 나타내는 확대 사시도이다.Figure 4 is an enlarged perspective view showing the configuration of a DMD according to an embodiment of the present invention.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일실시예에 의한 DMD의 동작을 설명하기 위한 도면이다.5A and 5B are diagrams for describing an operation of a DMD according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일실시예에 의한 노광 장치의 제어 구성도이다.6 is a control block diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 일실시예에 의한 DMD의 마이크로 미러에 투영된 빔의 스폿형태를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a spot shape of a beam projected onto a micromirror of a DMD according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 8은 본 발명의 일실시예에 의한 노광면에 연속적으로 노광된 빔을 이용하여 스테이지의 직각도를 측정 및 보정하는 모습을 나타낸 도면이다.8 is a view showing a state of measuring and correcting the squareness of the stage by using a beam continuously exposed to the exposure surface according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
16...기판 17...노광면16
18...스테이지 26...빔 거리측정부18
46...DMD 61...입력부46 ...
62...스테이지 거리측정부 63...제어부62.Stage distance measuring unit 63.Control unit
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090002840A KR20100083459A (en) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | Exposure apparatus and method to measure orthogonality thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090002840A KR20100083459A (en) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | Exposure apparatus and method to measure orthogonality thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100083459A true KR20100083459A (en) | 2010-07-22 |
Family
ID=42643205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090002840A KR20100083459A (en) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | Exposure apparatus and method to measure orthogonality thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20100083459A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105629678A (en) * | 2016-01-25 | 2016-06-01 | 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 | Orthogonality determination method for direct writing system motion platform |
-
2009
- 2009-01-14 KR KR1020090002840A patent/KR20100083459A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105629678A (en) * | 2016-01-25 | 2016-06-01 | 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 | Orthogonality determination method for direct writing system motion platform |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4328385B2 (en) | Exposure equipment | |
JP4486323B2 (en) | Pixel position specifying method, image shift correcting method, and image forming apparatus | |
US20090097002A1 (en) | Exposure device | |
KR20100030999A (en) | Maskless lithographic apparatus and method of compensating rotational alignment error of exposure head of the same | |
KR20040111029A (en) | Method of specifying image position, method of correcting image deviation, and apparatus for forming image | |
KR20100093696A (en) | Exposure apparatus, beam position measurement and address assignment method using the same | |
TWI430052B (en) | A drawing system, a correction device for a tracing data, a method of manufacturing the substrate, a computer program product | |
KR20110072440A (en) | Maskless exposure equipment and multi-head alignment method thereof | |
US8964173B2 (en) | Maskless exposure apparatus and spot beam position measurement method using the same | |
US10852528B2 (en) | Method and device for exposure of photosensitive layer | |
KR20100042864A (en) | Exposure apparatus and method to measure straitness thereof | |
JP4401308B2 (en) | Exposure equipment | |
KR20080016494A (en) | Method and apparatus for measuring drawing position, and method and apparatus for drawing image | |
JP4676205B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
US9041907B2 (en) | Drawing device and drawing method | |
JP5209946B2 (en) | Focus position detection method and drawing apparatus | |
KR20090096298A (en) | Laser direct imaging device | |
KR20100083459A (en) | Exposure apparatus and method to measure orthogonality thereof | |
KR100762396B1 (en) | Dmd aligning method for maskless exposure apparatus | |
JP5064862B2 (en) | Alignment mark measuring method and apparatus, and drawing method and apparatus | |
JP2006195353A (en) | Exposure unit and manufacturing method of display device | |
JP4583827B2 (en) | Image forming apparatus and image forming method | |
KR20160046016A (en) | Maskless exposure device and method for compensating cumulative of illumination using the same | |
WO2023282205A1 (en) | Exposure device and device manufacturing method | |
JPH05251303A (en) | Projection exposing device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |