Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20100035380A - 박막형 센싱부재를 이용한 화학 센서 - Google Patents

박막형 센싱부재를 이용한 화학 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20100035380A
KR20100035380A KR1020080094741A KR20080094741A KR20100035380A KR 20100035380 A KR20100035380 A KR 20100035380A KR 1020080094741 A KR1020080094741 A KR 1020080094741A KR 20080094741 A KR20080094741 A KR 20080094741A KR 20100035380 A KR20100035380 A KR 20100035380A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
chemical sensor
sensing member
nanowire
nanowires
Prior art date
Application number
KR1020080094741A
Other languages
English (en)
Inventor
홍기하
최혁순
김종섭
신재광
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020080094741A priority Critical patent/KR20100035380A/ko
Priority to US12/385,284 priority patent/US7955562B2/en
Priority to JP2009221178A priority patent/JP5424794B2/ja
Priority to CN200910174231.3A priority patent/CN101685077B/zh
Publication of KR20100035380A publication Critical patent/KR20100035380A/ko
Priority to US13/065,000 priority patent/US8480959B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02—Analysing fluids
    • G01N29/036—Analysing fluids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/025—Change of phase or condition
    • G01N2291/0256—Adsorption, desorption, surface mass change, e.g. on biosensors
    • G01N2291/0257—Adsorption, desorption, surface mass change, e.g. on biosensors with a layer containing at least one organic compound
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/953—Detector using nanostructure
    • Y10S977/957—Of chemical property or presence

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

화학센서에 관하여 개시된다. 개시된 화학센서는 제1전극 및 제2전극 사이의 박막형 센싱부재를 구비한다. 박막형 센싱부재는 화학센서에서의 면적이 넓어서 화학 센서의 감도가 향상된다. 제2전극은 나노구조체로서 센싱부재의 표면을 노출시킬 수 있는 구조이다.

Description

박막형 센싱부재를 이용한 화학 센서{Chemical sensor using thin film sensing member}
센싱부재(sensing member)의 면적이 넓으며, 나노와이어 등의 나노구조체를 상부전극으로 이용한 화학 센서가 개시된다.
일반적인 화학 센서는 화합물 분자의 흡착에 따라 전기 전도도 또는 전기 저항이 변화하는 특성을 이용하여 화합물의 양을 측정한다. 최근 들어 사람의 숨에서 나오는 화합물 성분을 측정하고 계측함으로써 질병을 진단할 수 있다는 연구가 진행되고 있다. 예를 들어, 폐암 환자와 유방암 환자의 경우 숨쉴 때 배출하는 화합물에서 10여 종류의 휘발성 유기화합물이 일반 사람과 차이가 있게 나오는 것이 알려져 있다.
따라서 휘발성 유기화합물의 화학성분을 분석하면 일반적인 화학 센서는 물론 질병을 검출하는 센서로서의 기능을 수행할 수 있게 된다.
휘발성 유기 화합물(volatile organic compound: VOC)는 그 특성이 상당히 안정적이어서 전기적 방법을 이용하여 성분을 분석하기가 매우 힘들다. 이로 인해 개스 크로마토그래피(gas chromatography)등을 이용하게 되는데, 이는 센서의 부피 가 크며, 비용도 비싸다.
반도체를 이용한 센서의 경우 비용이 저렴하다는 점과 실시간으로 검출이 가능하며 부피를 매우 작게 만들 수 있다는 장점이 있지만 아직 검출 감도가 낮으며, VOC와 같이 안정적인 물질을 검출하기가 어렵다.
한편, 전도성 폴리머(conducting polymer)를 이용한 VOC 측정 센서가 시도되고 있다. VOC가 흡착되었을 때 발생하는 부푸는 현상(swelling) 등 여러가지 원인으로 인해 전도성 폴리머의 일함수가 변하므르, 이 변화를 측정함으로써 측정이 가능해질 수 있다.
그러나 전도성 폴리머를 이용한 소자를 구현하는 경우에도 그 검출능력이 수 ppm 수준까지 도달하기는 어렵다. 이것은 매우 적은 양의 흡착물을 구분하기에는 센싱 채널(sensing channel)의 부피가 너무 크기 때문이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 센싱면적이 넓게 유지하면서 박막의 센싱부재를 이용하여 감도가 향상된 화학 센서를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학센서는;
기판 상에 형성된 제1전극;
상기 기판 상에서 상기 제1전극을 덮는 센싱부재; 및
상기 센싱부재 상에 상기 센싱부재의 표면을 노출시키는 구조의 제2전극;을 구비하고, 센싱하고자 하는 화합물이 상기 센싱부재에 흡착하면서 발생하는 전기적 성질의 변화가 측정된다.
상기 제2전극은 10 nm ~ 10 ㎛ 폭을 가질 수 있다.
상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 갭은 10 nm ~ 1 ㎛ 일 수 있다.
본 발명의 일 국면에 따르면, 상기 제1전극은 복수의 나노와이어를 구비하며,
상기 제2전극은 복수의 나노와이어를 구비한다. 그리고, 상기 제1전극 및 상기 제2전극은 교차하도록 배치된다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 제1전극 및 상기 제2전극은 서로 나란하게 배치된다.
본 발명의 또 다른 국면에 따르면, 상기 제1전극은 평판 전극이다. 상기 제 2전극은 복수의 나노와이어를 구비할 수 있다.
또한, 상기 제2전극은 코일 형상 전극일 수 있다.
상기 센싱부재는, 금속 산화물, 전도성 폴리머, 절연성 폴리머 중 선택된 하나로 형성된다.
상기 금속 산화물은 SnO2, TiO2, ZnO, WO3, Fe2O3 중 선택된 하나로 형성된다.
상기 폴리머는 탄소나노튜브, 그래핀, 나노와이어 중 적어도 어느 하나가 함침될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 화학 센서 어레이는, 기판 상에 어레이 형태로 배열된 복수의 제1항의 화학 센서를 구비하며, 상기 복수의 화학 센서들의 상기 센싱부재는 서로 다른 화합물을 검출한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 화학 센서에 대해 보다 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 또한, 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 반복되는 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 센서(100)의 구조를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 제1나노와이어(120)가 서로 평행하게 배치되어 있다. 그리고, 제1나노와이어(120) 위로 제2나노와이어(140)가 제1나노와이 어(120)와 이격되면서 제1나노와이어(120)와 교차되게 배치되어 있다. 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140) 사이에는 센싱부재(130)가 제1나노와이어(120)를 덮도록 형성된다.
상기 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140)는 금속물질, 예컨대 알루미늄(Al), 코발트(Co), 금(Au), 백금(Pt) 등으로 형성되며, 그 직경이 10 nm ~ 10 ㎛ 로 형성될 수 있다. 제1나노와이어(120)들 사이의 간격 및 제2나노와이어(140)들 사이의 간격은 각각 10 nm ~ 10 ㎛ 로 형성될 수 있다. 또한, 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140) 사이의 센싱부재(130)의 두께(즉 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140) 사이의 갭)는 10 nm ~ 1 ㎛ 로 형성된다. 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140)는 제1전극 및 제2전극으로 불릴 수도 있다.
또한, 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140)는 탄소나노튜브 또는 패터닝된 그래핀으로 형성될 수 있다.
상기 센싱부재(130)는 금속 산화물, 전도성 폴리머, 절연성 폴리머 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 금속 산화물은 SnO2, TiO2, ZnO, WO3, Fe2O3 중 어느 하나일 수 있다. 상기 전도성 폴리머 및 절연성 폴리머에는 탄소나노튜브, 그래핀, 나노와이어 등이 함침될 수 있다.
상기 전도성 폴리머는, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), Poly(ethylene-co-vinyl acetate), Poly(styrene-co-butadiene), Poly(9-vinylcarbazole), Poly(pyrrole)/BSA, Poly(bithiophene)/TBATFB 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 절연성 폴리머에는 도전물질, 예컨대 카본 블랙이 함침될 수 있으며, 이에 따라 전도도를 조절할 수도 있다. 여기서, BSA는 1-butanesulfonate이며, TBATFB는 tetrabutylammonium tetrafluoroborate이다. 이들은 해당 폴리머에 첨가된 것이다.
한편, 절연성 폴리머를 센싱부재(130)로 사용하는 경우, 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140) 사이의 전도성은 터널링 전류에 따른다.
도 2는 도 1의 구조의 평면도이다. 편의상 기판은 생략하였다.
도 2를 참조하면, 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140)는 직교하도록 배치되어 있다. 제1나노와이어(120)의 일단은 제1전극패드(122)에 연결되며 제2나노와이어(140)는 제2전극패드(142)에 연결된다. 센싱부재(130)는 화학 센서(100)의 대부분의 면적을 차지하며, 따라서 감도가 향상된다. 도 1에는 편의상 제1전극패드(122) 및 제2전극패드(142)를 생략하였다. 제1전극패드(122) 및 제2전극패드(142) 사이에 전류계(ammeter)(150)가 형성될 수 있다.
일실시예에 따른 화학 센서(100)의 원리를 간략하게 설명한다. 먼저, 화학 센서(100)에 화합물을 접촉시키면 화합물은 화학센서(100)의 센싱부재(130)에 흡착된다. 상기 센싱부재(130)에는 제1나노와이어(120)와 제2나노와이어(140)가 교차하는 콘택, 즉 나노콘택 어레이가 형성된다. 상기 화합물이 부착된 센싱부재(130)는 저항의 변화가 생긴다. 이 저항의 변화는 전류값의 차이로 검출될 수 있다. 이 전도성 차이를 감지하면 해당되는 화합물의 농도를 측정할 수 있게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 개스센서(100)에는 나노콘택이 나노미터 크기 로 어레이 형태로 형성될 수 있으며, 수 ppm 이하의 화합물이 흡착되어도 화합물 농도를 파악할 수 있다. 또한, 개스센서(100)에서 센싱부재(130)의 면적이 넓으며 따라서 화학센서(100)의 감도가 향상된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학센서 어레이(200)의 구성을 보여주는 도면이다. 도 1의 화학센서(100)의 구성요소와 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 기판(210) 상에는 복수의 화학센서(100)가 어레이 형태로 배치된다. 화학센서(100)의 제1나노와이어들 (120) 은 제1전극패드(122)에 연결되며, 제2나노와이어(140)은 제2전극패드(142)에 연결된다. 제1전극패드(122) 및 제2전극패드(142)는 패턴분석시스템(220)에 연결된다.
분석물(analyte)이 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140) 사이의 센싱부재(130)에 흡착되면, 제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140) 사이의 일함수(work function)의 변화가 발생한다. 이러한 일함수의 변화는 저항성 또는 전도성의 차이로 나타날 수 있다.
패턴분석시스템(220)은 각 화학센서(100)에서의 화합물의 농도를 측정한다. 패턴분석시스템(220)은 화합물분석을 하기 전에 각 화학센서(100)에서의 화합물의 흡착 농도에 따른 전류 특성을 분석한다. 각 화학센서(100)는 센싱부재(130)의 구성이 서로 다르게 형성될 수 있다. 즉, 센싱부재(130)의 종류 및 두께(제1나노와이어(120) 및 제2나노와이어(140) 사이의 갭), 등에 따라서 각 화학센서(100)에서의 센싱부재(130)의 일함수를 변경하면, 특정 분석물의 흡착 농도와 높은 상관관계를 가진 화학센서(100)를 만들 수 있다.
따라서, 각 화학센서(100)는 특정한 화합물에 대한 화학센서가 되며, 패턴분석시스템(220)은 미리 작성한 특성곡선에 근거하여 흡착된 화합물 농도를 측정할 수 있다.
도 4는 도 1의 변형예의 화학센서(300)를 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(310) 상에 복수의 제1나노와이어(320)가 나란하게 형성되어 있으며, 센싱부재(330)가 기판(310) 상에서 제1나노와이어(320)을 덮도록 형성되어 있다. 센싱부재(330) 상에는 제2나노와이어(340)가 나란하게 형성된다. 제1나노와이어(320)는 제1전극패드(322)에 연결되며, 제2나노와이어(340)는 제2전극패드(342)에 연결된다. 제2나노와이어(340)은 제1나노와이어(320)와도 나란하게 형성된다. 도 4에서는 제2나노와이어(340)가 제1나노와이어(320)와 서로 교번적으로 형성되어 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2나노와이어(340)가 제1나노와이어(320)의 바로 위에 배치될 수도 있다.
도 4의 화학 센서(300)의 작용은 도 1의 화학 센서(100)의 작용과 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화학센서(400)의 평면도이다.
도 5를 참조하면, 기판(410) 상에 평판 형상의 제1전극(420)이 형성되어 있으며, 제1전극(420) 상에 센싱부재(430)이 형성되어 있다. 센싱부재(430) 상에는 제2전극(440)이 형성되어 있다. 제2전극(440)은 복수의 나노와이어로 구성된다. 제1전극(420)의 일단에는 제1전극패드(422)가 연결되며, 제2전극(440)의 일단에는 제 2전극패드(442)가 연결된다. 제1전극(420)은 평판전극이므로 제조가 용이하며, 제1전극패드(422)의 크기를 감소될 수 있다. 다른 구성은 도 1의 구성과 실질적으로 동일할 수 있으며, 상세한 설명은 생략한다.
도 6은 도 5의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 6을 참조하면, 제2전극(540)이 나선 형상을 가진다. 제2전극패드(542)의 크기가 감소될 수 있다. 다른 구성은 도 5의 구성과 실질적으로 동일할 수 있으며 상세한 설명은 생략한다.
도 7a 내지 도 7c는 도 1의 화학 센서를 제조하는 방법을 단계별로 설명하는 사시도이다.
도 7a을 참조하면, 기판(610) 상에 제1금속(미도시), 예컨대 알루미늄(Al), 코발트(Co), 금(Au), 백금(Pt) 등을 증착한다. 이어서 제1금속을 패터닝하여 서로 평행한 복수의 제1나노와이어(620)를 형성한다.
도 7b를 참조하면, 기판(610) 상에 제1나노와이어(620)를 덮도록 스핀코팅 방법으로 전도성 폴리머층(630)을 형성한다. 전도성 폴리머층(630)은 제1나노와이어(620) 보다 대략 수십 나노미터 높게 형성한다. 이를 위해서 화학적-기계적 폴리싱(chemical-mechanical polishing) 방법을 사용할 수도 있다.
도 7c를 참조하면, 전도성 폴리머층(630) 상으로 제2금속(미도시)을 증착한다. 제2금속은 제1금속과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 이어서, 제2금속을 패터닝하여 제2나노와이어(640)를 형성한다. 제2나노와이어(640)는 제1나노와이어(620)와 직교하도록 형성된다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 센서의 구조를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 구조의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학센서의 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 변형예의 화학센서를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화학센서의 평면도이다.
도 6은 도 5의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 도 1의 화학 센서를 제조하는 방법을 단계별로 설명하는 사시도이다.

Claims (13)

  1. 기판 상에 형성된 제1전극;
    상기 기판 상에서 상기 제1전극을 덮는 센싱부재;
    상기 센싱부재 상에 상기 센싱부재의 표면을 노출시키는 구조의 제2전극;을 구비하고
    센싱하고자 하는 화합물이 상기 센싱부재에 흡착하면서 발생하는 전기적 성질의 변화를 측정하는 화학 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2전극은 10 nm ~ 10 ㎛ 폭을 가진 화학 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이의 갭은 10 nm ~ 1 ㎛ 인 화학 센서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극은 복수의 나노와이어를 구비하며,
    상기 제2전극은 복수의 나노와이어를 구비한 화학 센서.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극은 교차하도록 형성된 화학 센서.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1전극 및 상기 제2전극은 서로 나란하게 형성된 화학 센서.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극은 평판 전극인 화학 센서.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2전극은 복수의 나노와이어를 구비한 화학 센서.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2전극은 코일 형상 전극인 화학 센서.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱부재는, 금속 산화물, 전도성 폴리머, 절연성 폴리머 중 선택된 하나로 형성된 화학 센서.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 SnO2, TiO2, ZnO, WO3, Fe2O3 중 선택된 하나로 형성된 화학 센서.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 폴리머는 탄소나노튜브, 그래핀, 나노와이어 중 적어도 어느 하나가 함침된 화학 센서.
  13. 기판 상에 어레이 형태로 배열된 복수의 제1항의 화학 센서를 구비하며, 상기
    복수의 화학 센서들의 상기 센싱부재는 서로 다른 화합물을 검출하는 화학 센서 어레이.
KR1020080094741A 2008-09-26 2008-09-26 박막형 센싱부재를 이용한 화학 센서 KR20100035380A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080094741A KR20100035380A (ko) 2008-09-26 2008-09-26 박막형 센싱부재를 이용한 화학 센서
US12/385,284 US7955562B2 (en) 2008-09-26 2009-04-03 Chemical sensor using thin-film sensing member
JP2009221178A JP5424794B2 (ja) 2008-09-26 2009-09-25 薄膜型センシング部材を利用した化学センサ
CN200910174231.3A CN101685077B (zh) 2008-09-26 2009-09-25 使用薄膜感测部件的化学传感器
US13/065,000 US8480959B2 (en) 2008-09-26 2011-05-02 Chemical sensor using thin-film sensing member

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080094741A KR20100035380A (ko) 2008-09-26 2008-09-26 박막형 센싱부재를 이용한 화학 센서

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100035380A true KR20100035380A (ko) 2010-04-05

Family

ID=42048341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080094741A KR20100035380A (ko) 2008-09-26 2008-09-26 박막형 센싱부재를 이용한 화학 센서

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7955562B2 (ko)
JP (1) JP5424794B2 (ko)
KR (1) KR20100035380A (ko)
CN (1) CN101685077B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160143385A (ko) * 2015-06-05 2016-12-14 숭실대학교산학협력단 커패시터형 후각 센서 및 제조 방법
KR20170061902A (ko) * 2015-11-27 2017-06-07 한국기계연구원 직물형 센서 어레이 구조체, 이를 포함하는 직물 구조체 및 장치, 및 이를 이용하는 감지 방법
US9933888B2 (en) 2015-03-04 2018-04-03 Soongsil University Research Consortium Techno-Park Multimodal sensor and manufacturing method thereof

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010120297A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P Nanowire sensor having a nanowire and electrically conductive film
JP2011169634A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Fuji Electric Co Ltd 薄膜ガスセンサ
CN101870454B (zh) * 2010-05-19 2012-11-07 青岛大学 一种导电聚合物交叉纳米线器件的组装制备方法
CN101929958A (zh) * 2010-07-05 2010-12-29 吉林大学 一种高灵敏度的光增感型气体传感器及其制备方法
CN102033089A (zh) 2010-10-27 2011-04-27 清华大学 生物传感器，其封装结构及检测系统
WO2012087065A2 (ko) * 2010-12-24 2012-06-28 성균관대학교산학협력단 그래핀을 이용한 압력 및 위치 동시감지 터치센서
US20120212242A1 (en) * 2011-02-22 2012-08-23 Dioxide Materials Inc Graphene-Based Sensor
KR101263188B1 (ko) * 2011-04-14 2013-05-10 포항공과대학교 산학협력단 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서 및 그 제조방법
CN102506693A (zh) * 2011-11-04 2012-06-20 南京航空航天大学 一种石墨烯应变测量和运动传感装置及其制法
WO2013090188A1 (en) 2011-12-13 2013-06-20 3M Innovative Properties Company Method for identification and quantitative determination of an unknown organic compound in a gaseous medium
GB2519110B (en) 2013-10-09 2018-04-18 Nokia Technologies Oy An apparatus and associated methods for analyte detection
JP6233858B2 (ja) * 2013-10-31 2017-11-22 学校法人加計学園 ガスセンサ及びガスセンサアレイ
US9897590B2 (en) 2015-05-20 2018-02-20 Gm Nameplate, Inc. Breath capture and sampling system
US10175227B2 (en) 2015-05-20 2019-01-08 Gm Nameplate, Inc. Gas sensor module
US20170003238A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 GM Global Technology Operations LLC Multiple non-conductive polymer substrates and conductive coatings and methods for detecting voc
CN107709979B (zh) 2015-06-30 2020-07-07 富士通株式会社 气体传感器及其使用方法
EP3150999B1 (en) * 2015-10-01 2017-12-13 Honeywell International Inc. Relative humidity sensor and method of forming relative humidity sensor
CN105572303B (zh) * 2015-12-08 2017-12-15 夏文轩 一种化学传感装置
JP2018189480A (ja) * 2017-05-02 2018-11-29 凸版印刷株式会社 化学センシング電極、化学センシング装置、及び化学センシング電極の製造方法
EP3624678B1 (en) * 2017-05-19 2022-08-17 Boston Scientific Scimed Inc. Systems and methods for assessing the health status of a patient
US10852264B2 (en) 2017-07-18 2020-12-01 Boston Scientific Scimed, Inc. Systems and methods for analyte sensing in physiological gas samples
EP3861329A1 (en) 2018-11-27 2021-08-11 Boston Scientific Scimed Inc. Systems and methods for detecting a health condition
EP3899515B1 (en) 2018-12-18 2023-01-25 Boston Scientific Scimed Inc. Systems and methods for measuring kinetic response of chemical sensor elements comprising graphene varactors
JP7385859B2 (ja) * 2019-08-26 2023-11-24 国立大学法人東京工業大学 ナノギャップ電極を有するガスセンサ及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3024297C2 (de) * 1980-06-27 1985-08-14 Endress U. Hauser Gmbh U. Co, 7867 Maulburg Kapazitiver Feuchtigkeitsfühler und Verfahren zum Herstellen seiner feuchtigkeitsempfindlichen Schicht
JPS5766347A (en) * 1980-10-09 1982-04-22 Hitachi Ltd Detector for mixture gas
JPH0727731A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Oki Electric Ind Co Ltd 匂いセンサ及び匂いセンサユニット
KR950006451A (ko) 1993-08-30 1995-03-21 이헌조 반도체 가스센서
DE4433102A1 (de) * 1994-09-16 1996-03-21 Fraunhofer Ges Forschung Elektrodenanordnung zur Signalerfassung gassensitiver Schichten
US5571401A (en) * 1995-03-27 1996-11-05 California Institute Of Technology Sensor arrays for detecting analytes in fluids
JPH10221288A (ja) * 1997-01-31 1998-08-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 湿度センサ
JP3976403B2 (ja) * 1998-06-10 2007-09-19 新コスモス電機株式会社 ニオイ識別用センサアレイ
JP2002082082A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Matsushita Refrig Co Ltd 臭気センサー及びその製造方法
US6824974B2 (en) * 2001-06-11 2004-11-30 Genorx, Inc. Electronic detection of biological molecules using thin layers
US7948041B2 (en) * 2005-05-19 2011-05-24 Nanomix, Inc. Sensor having a thin-film inhibition layer
US7257439B2 (en) * 2002-08-21 2007-08-14 New York University Brain-machine interface systems and methods
US7237429B2 (en) * 2002-08-30 2007-07-03 Nano-Proprietary, Inc. Continuous-range hydrogen sensors
US20060251543A1 (en) 2002-12-20 2006-11-09 Rensselaer Polytechnic Institute Miniaturized gas sensors featuring electrical breakdown in the vicinity of carbon nanotube tips
US7345307B2 (en) * 2004-10-12 2008-03-18 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
JP2007139447A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Shinshu Univ 薄膜の透湿度測定装置および透湿度測定方法
CN1847838A (zh) * 2006-04-07 2006-10-18 福建师范大学 一种基于纳米线阵列的气体传感器及其制备方法
US20070269924A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Basf Aktiengesellschaft Patterning nanowires on surfaces for fabricating nanoscale electronic devices
KR100779090B1 (ko) 2006-07-18 2007-11-27 한국전자통신연구원 아연 산화물을 이용하는 가스 감지기 및 그 제조 방법
CN101126734B (zh) * 2006-08-15 2011-06-08 中国科学院化学研究所 基于核酸适体修饰导电聚合物的生物传感器及其制备方法和用途
CN101135659A (zh) * 2006-09-01 2008-03-05 湖南大学 β－Ga2O3纳米线及其气体传感器的制备和实现快速响应的气体传感方法
US8384136B2 (en) * 2006-10-19 2013-02-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Demultiplexed nanowire sensor array for detection of chemical and biological species
KR100958307B1 (ko) * 2008-01-30 2010-05-19 한국과학기술연구원 나노채널이 집적된 3차원 금속 나노와이어 갭 전극을포함하는 바이오센서, 그 제작방법 및 상기 바이오센서를포함하는 바이오 디스크 시스템

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9933888B2 (en) 2015-03-04 2018-04-03 Soongsil University Research Consortium Techno-Park Multimodal sensor and manufacturing method thereof
KR20160143385A (ko) * 2015-06-05 2016-12-14 숭실대학교산학협력단 커패시터형 후각 센서 및 제조 방법
KR20170061902A (ko) * 2015-11-27 2017-06-07 한국기계연구원 직물형 센서 어레이 구조체, 이를 포함하는 직물 구조체 및 장치, 및 이를 이용하는 감지 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010078604A (ja) 2010-04-08
US20110210751A1 (en) 2011-09-01
US8480959B2 (en) 2013-07-09
US20100079130A1 (en) 2010-04-01
US7955562B2 (en) 2011-06-07
JP5424794B2 (ja) 2014-02-26
CN101685077A (zh) 2010-03-31
CN101685077B (zh) 2014-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100035380A (ko) 박막형 센싱부재를 이용한 화학 센서
US8366630B2 (en) Carbon nanotube structures in sensor apparatuses for analyzing biomarkers in breath samples
Ali et al. All-printed humidity sensor based on graphene/methyl-red composite with high sensitivity
JP6533465B2 (ja) ナノワイヤプラットフォームに基づく広いダイナミックレンジを持つ流体センサ
Peng et al. Detection of nonpolar molecules by means of carrier scattering in random networks of carbon nanotubes: toward diagnosis of diseases via breath samples
Jian et al. Gas-sensing characteristics of dielectrophoretically assembled composite film of oxygen plasma-treated SWCNTs and PEDOT/PSS polymer
US10663420B2 (en) Morphology engineering of conductive metallic nanoparticles capped with an organic coating
US9541517B2 (en) Low concentration ammonia nanosensor
Zilberman et al. Carbon nanotube/hexa‐peri‐hexabenzocoronene bilayers for discrimination between nonpolar volatile organic compounds of cancer and humid atmospheres
Tang et al. A fast and room-temperature operation ammonia sensor based on compound of graphene with polypyrrole
US20090148690A1 (en) Method of producing a nanoparticle film on a substrate
KR100856577B1 (ko) 탄소나노튜브 센서 및 그 제조방법
Hossein-Babaei et al. A gold/organic semiconductor diode for ppm-level humidity sensing
KR20090073396A (ko) 나노갭 전극을 이용한 나노입자 검출센서
Zampetti et al. PEDOT: PSS coated titania nanofibers for NO2 detection: Study of humidity effects
Mondal et al. Volatile organic compound sensing in breath using conducting polymer coated chemi-resistive filter paper sensors
Xie et al. Electronic nose for detection of toxic volatile organic compounds in air
EP2755022B1 (en) Nanosensor
CN108279266B (zh) 电化学检测器
RU120139U1 (ru) Скважинный датчик, содержащий нанодатчик давления, нанодатчик температуры, химический нанодатчик
Tisch et al. Arrays of nanomaterial-based sensors for breath testing
Haick et al. Sniffing out cancer in the breath: detection of non-polar volatile compounds through carrier scattering in random networks of carbon nanotubes
Tang et al. A hybrid gas sensor based on compound of graphene with polypyrrole
Gupta et al. Electronic Nose Based on Graphene Oxide
Fu et al. Polynucleotide-functionalized gold nanoparticles as chemiresistive vapor sensing elements

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
E902 Notification of reason for refusal
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150526

Effective date: 20160719