KR20100035320A - 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로 기판상에 다층적층 구조로 배열된 구성요소(양극, 발광유기물층, 음극)를 보호하기 위하여 구성요소를 둘러쌓는 다층의 보호막을 형성할 수 있다. 상기 보호막은 유기물과 무기물을 다층으로 형성한 것으로 금속 자체의 산소 및 수분 차단하여 발광 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 유기물질로 이루어진 제 1보호층, 무기물질로 이루어진 제 2보호층, 및 유기물질 또는 무기물질로 이루어진 제 3보호층의 다층 구조의 보호막을 1회 이상 반복 증착하여 열 또는 기계적 충격 등에 의해 보호막 파손으로부터 발광 소자를 안정적으로 보호할 수 있으며, 유기전계발광소자뿐만 아니라 액정표시장치, 플라즈마 디스플에이 장치 및 태양전지 등의 공정에 다양하게 응용하여 사용할 수 있다.
유기전계발광소자, 보호막, 유기물질, 무기물질
Description
본 발명은 유기전계발광소자를 구성하는 양극, 발광유기물층 및 음극의 상부에 유기물질 및 무기물질로 이루어진 다층의 보호층으로 구성된 보호막을 형성하여 수분과 산소의 유입을 방지하는 유기전계발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계발광소자(Organic Light Display Device;OLED)는 유기박막에 음극(cathode)과 양극(anode)을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 스스로 특정한 파장의 빛을 발광하는 소자로서 별도의 외부 광원을 필요로 하지 않는다.
또한, 유기전계발광소자는 높은 발광 효율을 나타내며 휘도 및 시야각이 뛰어나고, 응답속도가 빠른 장점을 갖는다.
하지만, 유기전계발광소자에 사용되는 높은 반응성을 갖는 금속(양극 및 음극)이 대기중의 산소나 수분과 접촉하여 산화 반응이 일어나며, 이에 따라 발광 소자의 열화가 진행되어 수명이 단축되는 문제가 한다.
이에, 금속과 대기의 접촉을 방지하는 보호막에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.
종래의 유기전계발광소자에 사용되는 보호막은 진공 증착법을 이용하여 유기물 또는 무기물로 보호막을 제작하거나, 스핀코팅법을 이용하여 고분자를 발광소자의 전극 상에 형성하여 보호막을 제작하였다.
이외에도 산소나 수분투과율이 낮은 고분자 박막을 복합화시켜 발광 소자 주위를 캡슐화하는 보호막을 제작하는 방법 및 소자를 쉴드 글라스로 덮어씌운 후 소자와 쉴드 글라스 사이에 실리콘 오일을 채우는 등의 방법도 사용되고 있다.
이 중 가장 널리 사용되는 방법으로는 진공 증착 장비를 이용하여 건식 공정으로 보호막을 제작하는 것으로서, 액상 혹은 고상의 모노머를 증착한 후 중합하여 고분자 박막을 발광소자 상에 증착하는 방법, 무기 박막을 형성하여 증착하는 방법, 및 유기물과 무기물을 함께 다층으로 적층하는 방법 등이 알려져 있다.
하지만, 상기의 방법들에 의해 제작된 보호막은 일반적으로 무기박막의 응력을 제거할 수 있는 유기박막과 투습도와 투산소도가 우수한 무기박막의 혼합층으로 이루어져있으며, 유기박막은 주로 폴리 아미드계 고분자를 사용하였다.
하지만 이런 경우에는 소스 물질을 증착한 후 열처리 공정에 의해 폴리 아미드 박막 보호층을 얻게 되는데, 이때 고온에서 열처리 되기 때문에 유기발광 소자의 열화가 발생하는 문제가 있다.
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 발광소자 내부로 산소 및 수분이 유입되는 것을 차단하고, 보호막 형성 공정에서 발광소자가 열화되는 것을 방지할 수 있는 유-무기 다층 구조의 보호막을 갖는 유기전계발광소자 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 유기전계발광소자 및 그의 제조방법은 플루오렌-아크릴(Fluorene-Acryl), 시클로 올레핀(Cyclo Olefin) 또는 선형 구조의 아크릴계의 유기물질과 산화 금속의 무기물질을 다층으로 증착하여 형성된 보호막을 발광소자의 상부에 형성하여 대기의 산소 및 수분 유입을 방지하고 보호막 형성 공정에 의해 발생할 수 있는 발광소자의 열화를 방지하여 발광소자의 수명을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 유기전계발광소자는 기판, 제 1전극, 발광유기물층 및 제 2전극이 순차적으로 형성되고, 상기 제 2전극의 상부에 유기물질 또는 무기물질로 이루어진 적어도 하나 이상의 보호막을 포함한다.
본 발명에서 상기 보호막은 상기 제 2전극의 상부에 형성되며, 유기물질로 이루어진 제 1보호층을 포함하고, 상기 제 1보호층의 상부에 형성되며, 무기물질로 이루어진 제 2보호층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로서 상기 보호막은 상기의 제 1보호층 및 제 2보호층 이외에 상기 제 2보호층의 상부에 형성되며, 유기물질 또는 무기물질로 이루어진 제 3보호층을 더 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명에서 상기 유기물질은 플루오렌-아크릴(Fluorene-Acryl), 시클로 올레핀(Cyclo Olefin) 및 선형 구조의 아크릴계 중 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
또한 다른 실시예로서 본 발명의 유기물질은, 플루오렌-아크릴(Fluorene-Acryl), 시클로 올레핀(Cyclo Olefin) 및 선형 구조의 아크릴계 중 선택되는 어느 하나의 물질의 100 중량부에 대하여 1 이상 10 이하의 중량부를 갖는 중합개시제를 포함하고, 상기 100 중량부에 대하여 1 이상 10 이하의 중량부를 갖는 첨가제를 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명에서 유기물질은 가시광선 영역의 광에 의해 경화되는 광 경화 수지 또는 100℃ 이상 150℃ 이하의 온도에서 경화되는 열 경화 수지일 수 있다.
본 발명에서 상기 무기물질은 산화실리콘, 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화인듐, 산화주석, 산화주석인듐, 산화탄탈륨, 산화지르코늄 및 그의 혼합물 중 선택되는 어느 하나의 산화 금속일 수 있으나 반드시 이에 제한되지 않는다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기전계발광소자의 제조방법은 기판의 상부에 제 1전극, 발광유기물층, 제 2전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 2전극의 상부에 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에서 상기 보호막은, 유기물질로 이루어진 제 1보호층 및 무기물질로 이루어진 제 2보호층을 순차적으로 형성하거나, 혹은 유기물질로 이루어진 제 1보 호층, 무기물질로 이루어진 제 2보호층 및 유기물질 또는 무기물질로 이루어진 제 3보호층을 순차적으로 형성하여 구성할 수 있다.
본 발명에서 상기 유기물질로 이루어진 보호층, 즉 제 1보호층이나 유기물질로 구성되는 경우에 있어서의 제 3보호층은 스핀코팅법, 바 코팅법, 열 증착법 및 PECVD 중 선택되는 방법에 의해 형성될 수 있다.
본 발명에서 상기 무기물질로 이루어진 보호층, 즉 제 2보호층이나 무기물질로 구성되는 경우에 있어서의 제 3보호층은 열 증착법, PECVD, E-beam deposition, ALD 및 스퍼터링법 중 선택되는 방법에 의해 형성될 수 있다.
그러나 상기 보호층의 형성방법은 반드시 상술한 방법에 의해 제한되지 않고 공지된 당해 분야의 기술에 의해 충분히 대체 형성이 가능하다.
본 발명에서 상기 보호막은 상기 각 보호층으로 구성된 보호막을 하나의 단위로 하여 다수의 단위 보호막이 복수 개로 반복 증착될 수 있다.
본 발명에 의하면 다층 구조의 유-무기 보호막을 사용하여 유기전계발광소자를 구현함에 따라 대기중 산소의 투산소율 및 수분의 투습율이 저하되어 안정적인 유기전계발광소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 기존의 유기 보호막을 갖는 발광소자에 비하여 열, 기계적 충격, 수축으로 인한 보호막 파손이 절감되어 발광 소자의 수명을 연장시키는 효과가 있다.
그리고, 다층 구조의 유-무기 보호막은 유기전계발광소자뿐만 아니라 액정표시장치(Liquid Crystal Display;LCD), 플라즈마 디슬레이 장치(Plasma Display panel:PDP) 및 태양전지의 봉지 공정 등 다양하게 응용되어 사용할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1 내지 도 3는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 유기전계발광소자(100)는 기판(100)의 상부에 제 1전극(120), 발광유기물층(130), 제 2전극(140) 및 보호막(150)을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다.
기판(100)은 유리, 스테인리스 및 플라스틱 중 선택되는 어느 하나의 종류로 형성할 수 있으며, 기판(100)의 상부에 적층되는 제1전극(120)의 발광 형태에 따라 종류를 달리하여 사용할 수 있다. 그리고, 한정되는 것은 아니나 투명성이 있는 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
제 1전극(120)은 기판(100)의 상부에 적층되며, 좀더 자세히 기판상에 형성될 발광 영역에 형성하고, 일함수와 투명성이 높은 금속으로 형성할 수 있다. 그리 고, 제 1전극(120)은 제 2전극(140)과 반대의 극성을 나타낼 수 있으며, 한정하는 것은 아니나 제 1전극(120)은 양극, 제 2전극(140)은 음극으로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 제1전극(120)은 발광되는 면에 의해 이용되는 재료가 다양하며, 예를 들어 배면 발광일 경우 ITO(Indum Tin Oxide), IZO(Indum Zinc Oxide), ITZO, 알루미늄(Al) 및 갈륨(Ga)이 도핑된 산화아연(ZnO) 등의 투명성을 갖는 재료를 사용할 수 있으며, 전면 발광일 경우에는 배면 발광에 사용되는 재료 및 일함수가 높은 금속(크롬(Cr), 니켈(Ni), 음(Ag) 및 금(Au))을 사용할 수 있다.
발광유기물층(130)은 정공수송층(132), 발광층(134) 및 전자수송층(136)을 포함한다.
정공수송층(132)은 정공주입층(Hole Injection Layer:HIL), 정공이송층(Hole Trasport Layer:HTL) 및 전자방지층(Electron Blocking Layer:EBL) 중 선택되는 어느 하나 이상의 층으로 이루어질 수 있으며, 제 1전극(120)으로부터 정공을 주입하기 쉽게 하기 위하여 이온화 포텐셜이 적은 전자공여성 분자(예를 들면, 트리페닐아민을 기본골격으로 한 디아민, 트리아민 및 테트라아민 유도체 등)를 사용할 수 있다.
발광층(134)은 전공수송층(132)과 전자수송층(136) 사이에 형성되며, 전공수송층(132)을 통해 제 1전극(120)으로부터 주입된 정공과 전자수송층(136)을 통해 제 2전극(140)으로부터 주입된 전자를 결합하여 발생하는 에너지를 빛으로 발생할 수 있다.
전자수송층(136)은 전자주입층(Electron Injection Layer:EIL), 전자이송층(Electron Trasport Layer:ETL) 및 전공방지층(Hole Blocking Layer:HBL) 중 선택되는 어느 하나 이상의 층으로 이루어질 수 있으며, 제 2전극(140)의 전자를 발광층(134)으로 전송하며, 발광층(134)에서 결합되지 못한 정공이 유입되는것을 억제하여 발광층(134) 내에서 전자와 정공의 재결합의 기회를 증가시킬 수 있다.
또한, 전자수송층(136)은 상부에 형성될 제 2전극(140)과의 접착성이 우수한 재료로 형성할 수 있다.
제 2전극(140)은 제 1전극(120)과 반대의 극성을 나타내며, 본 발명에서는 음극으로 형성할 수 있다. 그리고, 제 2전극(140)은 제 1전극(120)과 마찬가지로 발광형태(양면 발광, 전면 발광 및 배면 발광)에 따라 다양하게 형성할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성할 수 있다. 다층으로 형성한 경우는 도 2를 참조할 수 있다.
보호막(150)은 대기중의 수분 및 산소가 발광소자(기판, 제 1전극, 발광유기물층 및 제 2전극)로 침투하지 않도록 하며 유-뮤기 다층구조로 형성할 수 있다.
본 발명에서는 제 1,2,3 보호층(152, 154, 156)으로 보호막(150)을 형성하였으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 제 1,2 보호층(152, 154), 제 1,2,3 보호층(152, 154, 156), 또는 상기 두 보호층을 다수 회 반복 증착하여 형성한 보호층((152, 154, 152, 154, … 순차적으로 적층) 또는 (152, 154, 156, 152, 154, 156, … 순차적으로 적층)) 등 다양하게 형성할 수 있다.
제 1보호층(152)은 플루오렌-아크릴계(Fluorene-Acryl), 시클로 올레핀계 yclo Olefin) 및 선형 구조의 아크릴계 중 선택되는 유기물질로 형성할 수 있으며, 유기물질로 형성함에 따라 발광유기물층(130)과 제 2보호층(154) 사이의 열적, 기계적 안정성을 유지할 숭 있다.
제 1보호층(152)을 형성하는 유기물질에 대하여 좀 더 자세하게 살펴보면, 보호막(150)의 가장 하부 층에 형성되어 제 2전극(140)과 인접하게 형성되는 제 1보호층(152)은 분자 내에 관능기들이 이중결합을 하며, 고 투명도, 고 접착강도, 고 휘발성, 소수성기 구조, 분자 쇄간의 free volume이 작은 구조, 분자 사슬이 긴 구조, 무기(inorganic)층의 충격을 흡수하는 버퍼층, 저 수축율을 가진 재료로 플루오렌-아크릴계, 시클로 올레핀계 및 선형 구조의 아크릴계 등의 고분자로 이루어질 수 있다.
그리고, 고분자로 이루어진 제 1보호층(152)은 응력을 제거할 수 있으며, 기존의 유기막보다 발광소자의 손상을 줄여줄 뿐만 아니라 습기를 제거할 수 있기 때문에 열, 기계적 충격 및 수축으로 인한 보호막 파손으로부터 유기전계발광소자(100)를 이루는 발광소자의 구성요소(제1,2 전극, 발광유기물층)을 안정하게 보호하여 유기전계발광소자(100)의 수명을 향상시킬 수 있다.
특히, 플루오렌-아크릴계, 시클로 올레핀계 및 선형 구조의 아크릴계의 구조를 갖는 제 1보호층(152)은 다음 화학식 1,2,3의 구조를 가지는 반복 단위를 포함할 수 있다.
화학식 1은 플루오렌-아크릴계의 구조를 나타낸 것으로, R1은 치환기를 나타내고, R2는 알킬렌기를 나타낸다.
화학식 2는 시클로 올레핀계의 구조를 나타낸 것으로, R1 및 R2는 n-프로필기(propyl), n-부틸기(butyl), n-펜틸기(pentyl), n-헥실(hexyl), n-헵틸(hexyl), 메틸기(Methyl), 에틸기(Ethyl), c-펜틸기(pentyl), c-헥실(hexyl), c-헵틸(hexyl), c-옥틸(Octyl), 페닐기(Phenyl) 및 카르밤산의 메틸 에스테르(Carbamic Methyl ester)를 나타낸다.
화학식 3은 선형 구조의 아크릴계의 구조를 나타낸 것으로, R은 지방족, 비고리형 또는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸을 나타내며, n은 2내지 4이고, m은 2이상을 나타낸다. 그리고, X는 CN, COOR, 또는 COOCH3을 나타낸다.
위의 화학식 1,2,3으로 나타난 플루오렌-아크릴계, 시클로 올레핀계 및 선형 구조의 아크릴계 등의 유기물질로 이루어진 제 1보호층(152)의 경우 중합 개시제(예를 들면, 광중합 계시제)로 구성된 종합 조성물을 포함하는 데, 중합 개시제의 비율은 유기물질의 100 중량부에 대하여 1~10 중량부 정도로 할 수 있다.
그리고, 제 1보호층(152)의 접착 강도 등을 향상시켜주기 위하여 유기물질 100 중량부에 대하여 1~10 중량부의 첨가제를 첨가할 수 있다.
또한, 제 1보호층(152)을 형성하는 유기물질은 박막의 형태로서 스핀 코팅법(spincoating), 바 코팅법(bar coaiting), 열 증착법 및 PECVD(Plasma Enhanced Chenical Vapor Deposition) 등의 다양한 방법으로 성막될 수 있다.
제 2보호층(154)은 제 1보호층(152)의 상부에 형성되며, 제 1보호층(152)과 함께 발광유기물층(130)을 보호하며, 산화실리콘, 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화인듐, 산화주석, 산화주석인듐, 산화탄탈륨, 산화지르코늄 및 그의 혼합물 등의 투명한 무기물질로 형성할 수 있다.
무기물질로 이루어진 제 2보호층(154)은 제 2보호층(154) 형성 시 발생할 수 있는 플라즈마 손상을 방지하며, 외부로부터 수분 및 산소를 흡수할 수 있다. 그리고, 투과율이 우수하여 전면 발광 소자에 주로 사용할 수 있다.
그리고, 제 2보호층(154)은 열 증착법, PECVD, E-beam deposition, ALD(Atomic Layer Deposition) 및 스퍼터링(Sputering)법 중 적어도 하나의 방법을 통해 증착될 수 있다.
제 3보호층(156)은 제 1보호층(152) 및 제 2보호층(154)을 보호하며, 유기물질 또는 무기물질로 형성할 수 있으며, 유기물질 또는 무기물질의 구체적인 예시는 제 1보호층(152) 및 제 2보호층(154)을 형성하는 물질과 동일하게 형성할 수 있다.
도 2를 참조하면, 도 1에서 제 2전극(140)을 복수 개의 층으로 구성한 도면으로서 제 2전극을 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 칼륨(Ca) 등 전도도가 우수한 금속으로 형성한 하부 전극(142)과 은(Ag)과 같이 산화성이 낮은 상부 전극(144)으로 형성하여 전극의 안정성을 향상시킬 수 있다.
도 3를 참조하면, 발광유기물층(130)의 전공수송층(132)의 하부에 정공 주입층(138)을 형성하고, 전자수송층(136)의 상부에 전자주입층(139)을 형성할 수 있으며, NPB와 Alq3 등과 같은 유기물질로 형성할 수 있다.
그리고, 발광유기물층(130)은 도시한 것과 같이 모든 층이 유기물질로 형성할 수 있지만, 일부층을 유기물질로 형성하고 그 외의 층을 무기물질로 형성하거나, 모든 층을 무기물질로 형성할 수도 있다.
본 발명에 의하면 유기물질과 무기물질로 이루어진 다층 구조의 보호막을 다 양한 방법(예를 들면 봉지법)을 이용하여 인캡슐레이션하여 인캡슐레이션된 다층 구조의 보호막을 복수 회 반복 증착하여 유기전계발광소자를 형성할 수도 있다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1 내지 도 3는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 유기전계발광소자 110 : 기판
120 : 제 1전극 130 : 발광유기물층
132 : 전공수송층 134 : 발광층
136 : 전자수송층 138 : 정공주입층
139 : 전자주입층 140 : 제 2전극
142 : 하부 전극 144 : 상부 전극
150 : 보호막 152 : 제 1보호층
154 : 제 2보호층 156 : 제 3보호층
Claims (13)
- 기판 위에 순차로 형성된 제 1전극, 발광유기물층 및 제 2전극, 및상기 제 2전극 상부에 유기물질 또는 무기물질로 이루어진 적어도 하나 이상의 보호막을 포함하는 유기전계발광소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 보호막은상기 제 2전극의 상부에 형성되며, 유기물질로 이루어진 제 1보호층; 및상기 제 1보호층의 상부에 형성되며, 무기물질로 이루어진 제 2보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 보호막은상기 제 2전극의 상부에 형성되며, 유기물질로 이루어진 제 1보호층;상기 제 1보호층의 상부에 형성되며, 무기물질로 이루어진 제 2보호층; 및상기 제 2보호층의 상부에 형성되며, 유기물질 또는 무기물질로 이루어진 제 3보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 유기물질은 플루오렌-아크릴(Fluorene-Acryl), 시클로 올레핀(Cyclo Olefin) 및 선형 구조의 아크릴계 중 선택되는 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 유기물질은 플루오렌-아크릴(Fluorene-Acryl), 시클로 올레핀(Cyclo Olefin) 및 선형 구조의 아크릴계 중 선택되는 어느 하나의 물질의 100 중량부에 대하여 1 이상 10 이하의 중량부를 갖는 중합개시제; 및상기 100 중량부에 대하여 1 이상 10 이하의 중량부를 갖는 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 유기물질은 가시광선 영역의 광에 의해 경화되는 광 경화 수지 또는 100℃ 이상 150℃ 이하의 온도에서 경화되는 열 경화 수지인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 무기물질은 산화실리콘, 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화인듐, 산화주석, 산화주석인듐, 산화탄탈륨, 산화지르코늄 및 그의 혼합물 중 선택되는 어느 하나의 산화 금속인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 기판의 상부에 제 1전극, 발광유기물층, 제 2전극을 순차적으로 형성하는 단 계; 및상기 제 2전극의 상부에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는,유기물질로 이루어진 제 1보호층을 형성하는 단계, 및상기 제 1보호층 상부에 무기물질로 이루어진 제 2보호층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는,유기물질로 이루어진 제 1보호층을 형성하는 단계,상기 제 1보호층 상부에 무기물질로 이루어진 제 2보호층을 형성하는 단계, 및상기 제2보호층 상부에 유기물질 또는 무기물질로 이루어진 제 3보호층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 유기물질로 이루어진 보호층은 스핀코팅법, 바 코팅법, 열 증착법 및 PECVD 중 선택되는 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 무기물질로 이루어진 보호층은 열 증착법, PECVD, E-beam deposition, ALD 및 스퍼터링법 중 선택되는 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 보호막은 다수 회 반복 증착되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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