KR20090076572A - 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시기판의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
- G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- Electrochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
본 발명은 태양 전지가 형성된 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 표시 기판은 복수의 게이트 및 데이터 라인과, 이들의 교차 부분에 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성된 화면 표시 영역 및 화면 표시 영역의 주변에 위치하며, 서로 대향하는 상부 및 하부 전극 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 반도체층을 포함하는 태양 전지가 형성된 비표시 영역으로 구분된다.
Description
본 발명은 태양 전지가 형성된 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
현대 사회에서는 정보 표시를 위한 표시 장치의 중요성이 대두되고 있다. 이에 최근 다양한 형태의 표시 장치들이 개발되어 다방면에서 광범위하게 이용되고 있다.
전기 영동 표시 장치(ElectroPhoretic Display: EPD)는 정보를 표시하기 위한 표시 장치 중 하나로서, 반사율과 명암 대비비가 높고, 시야각 의존성이 없어서 종이와 같은 편안한 느낌의 디스플레이를 제조할 수 있는 장점을 가진다. 그리고, 전기 영동 표시 장치는 소비 전력이 적고, 두께가 얇고 가볍기 때문에 휴대성이 용이하다. 또한, 전기 영동 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD)와 달리 편광판, 배향막, 액정 등이 필요하지 않으므로 가격 측면에서도 상당한 경쟁력을 보유하고 있다.
종래의 전기 영동 표시 장치는 전기 영동 소자를 구동하기 위해 배터리와 같은 별도의 전원 공급 장치를 사용하는 것이 일반적이다. 이때, 별도의 배터리를 이용할 경우 지속적으로 사용하려면 충전 및 교체를 필요로 하고, 충전에 따른 시간이 소유되며, 장시간 이동 및 사용시 충전기 소지 등의 불편이 따른다. 또한, 무게와 부피가 증가하여 휴대성이 떨어질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 태양 전지를 이용하여 구동에 필요한 전원을 공급하는 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 기판은 복수의 게이트 및 데이터 라인과, 이들의 교차 부분에 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성된 화면 표시 영역; 및 상기 화면 표시 영역의 주변에 위치하며, 서로 대향하는 상부 및 하부 전극 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 반도체층을 포함하는 태양 전지가 형성된 비표시 영역으로 구분된다.
상기 반도체층은 p형 실리콘 및 n형 실리콘의 이중층으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 반도체층은 상기 p형 실리콘 및 n형 실리콘 사이에 비정질 실리콘으로 형성된 중간층을 더 포함할 수 있다.
상기 하부 전극은 상기 게이트 라인과 동일층에 형성될 수 있다. 그리고, 상기 하부 전극은 외부 광을 반사하는 재질로 형성될 수 있다.
상기 상부 전극은 상기 화소 전극과 동일층에 형성될 수 있다. 그리고,상기 상부 전극은 외부 광을 투과시키는 재질로 형성될 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 전기 영동 표시 장치는 화 면 표시 영역 및 비표시 영역으로 구분되는 기판; 상기 화면 표시 영역에 복수의 형성된 게이트 및 데이터 라인과, 이들의 교차 부분에 형성된 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극; 상기 박막 트랜지스터와 화소 전극 상에 형성된 전기 영동층; 및 상기 비표시 영역에 형성되며, 서로 대향하는 상부 및 하부 전극과, 상기 상부 및 하부 전극 사이에 적어도 하나 이상의 반도체층이 형성된 태양 전지를 포함한다.
상기 반도체층은 p형 실리콘 및 n형 실리콘의 이중층으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 반도체층은 상기 p형 실리콘 및 n형 실리콘 사이에 비정질 실리콘으로 형성된 중간층을 더 포함할 수 있다.
상기 하부 전극은 광 반사 재질로 상기 게이트 라인과 동일층에 형성될 수 있다.
상기 상부 전극은 광 투과 재질로 상기 화소 전극과 동일층에 형성될 수 있다.
한편, 전기 영동 표시 장치는 상기 태양 전지로부터 생성된 전원을 상기 박막 트랜지스터와 화소 전극에 공급하기 위한 구동부를 더 포함할 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 기판의 제조 방법은 기판 상의 화면 표시 영역 및 비표시 영역에 각각 게이트 패턴과 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 화면 표시 영역 및 비표시 영역에 각각 절연막 및 반도체 패턴과, pn접합 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 화면 표시 영역에 소스 및 드레인 패턴을 형성하는 단계; 상기 화면 표시 영역에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 화면 표 시 영역 및 비표시 영역에 각각 화소 전극과 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 게이트 패턴과 하부 전극은 동일한 재질로 동시에 형성할 수 있다. 그리고, 상기 게이트 패턴과 하부 전극은 광 반사 재질로 형성할 수 있다.
상기 pn접합 실리콘층은 p형 실리콘층과 중간층 및 n형 실리콘층을 순서대로 형성할 수 있다. 이때, 상기 반도체 패턴과 중간층은 비정질 실리콘으로 동시에 형성할 수 있다.
상기 화소 전극과 상부 전극은 동일한 재질로 동시에 형성할 수 있다. 그리고, 상기 화소 전극과 상부 전극은 광 투과 재질로 형성할 수 있다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
본 발명에 따른 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치는 기판의 여유 부분에 태양 전지를 형성하여 구동 전원을 공급하게 함으로써, 별도의 전원 공급 장치가 필요하지 않아 휴대성 및 가격 경쟁력이 향상된다.
그리고, 본 발명에 따른 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치는 태양 전지의 구조가 간단하고, 태양 광의 입사 효율이 향상되어 작은 면적으로도 구동에 필요한 전원을 생성할 수 있다.
또한, 박막 트랜지스터와 태양 전지를 함께 형성하여 공정이 감소하고, 원가 를 절감하여 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명에 따른 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시 기판의 제조 방법에 대한 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고, 명세서 전체에 걸쳐 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전기 영동 표시 장치를 설명하기 위해 도시한 블럭도이고, 도 2는 도 1에 도시된 전기 영동 표시 장치를 간략하게 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전기 영동 표시 장치는 태양 전지(300)가 형성된 표시 기판(100)과 전기 영동 소자(200) 및 구동부(160)를 포함한다.
상기 표시 기판(100)은 기판(101) 상에 형성된 박막 트랜지스터(105), 화소 전극(150) 및 태양 전지(300)를 포함한다.
상기 기판(101)은 일반적으로 유리나 플라스틱 등으로 형성되지만, 재질에 제한을 두지는 않는다. 기판(101)은 화상을 표시하는 화면 표시 영역(P1)과, 화면 표시 영역(P1)의 주변에 형성된 비표시 영역(P2)으로 구분된다.
화면 표시 영역(P1)에는 복수개의 게이트 라인(GL)과, 복수개의 데이터 라인(DL)이 교차하여 배치되고, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차부에는 각각 박막 트랜지스터(105)와 화소 전극(150)이 형성된다.
비표시 영역(P2)에는 태양 전지(300)가 형성된다. 여기서, 비표시 영역(P2)은 기판(101)이 마더 글라스(mother glass)에서 절단될 때 형성된 화면 표시 영역(P1) 주변의 여분 부분일 수 있다.
상기 태양 전지(300)는 서로 대향하는 두 전극 사이에 형성된 p형 및 n형 실리콘의 반도체 성질을 이용하여 입사된 태양 광을 전기 에너지로 변화시킨다. 그리고, 태양 전지(300)는 발생된 전기 에너지를 구동부(160)로 공급한다.
상기 전기 영동 소자(200)는 백색 및 흑색을 표시하는 하전 염료 입자를 포함하는 캡슐로 형성될 수 있다. 그리고, 전기 영동 소자(200)는 하전 염료 입자로 채워진 격벽으로 형성될 수도 있다. 이러한 전기 영동 소자(200)는 시트 형태로 형성되어 표시 기판(100)의 화면 표시 영역(P1)에 부착될 수 있다.
상기 구동부(160)는 화면 표시 영역(P1)에 전원 및 제어 신호를 공급하기 위한 게이트 구동부(171), 데이터 구동부(173), 제어부(175) 및 전원부(177)를 포함한다.
게이트 구동부(171)는 박막 트랜지스터(105)를 턴온시키기 위해 게이트 라인(GL)에 게이트 구동 신호(GCS)를 순차적으로 인가한다. 데이터 구동부(173)는 박막 트랜지스터(105)를 통해 데이터 신호(DATA)가 화소 전극(150)에 전달되도록 데이터 라인(DL)에 데이터 신호(DCS)를 인가한다.
제어부(175)는 외부로부터 입력되는 외부 신호(ES)를 데이터 구동부(173)가 처리할 수 있는 데이터 신호(DATA)로 변환하여 데이터 구동부(173)에 공급하고, 게이트 구동부(171) 및 데이터 구동부(173)의 구동에 필요한 제어 신호(GCS,DCS)를 생성하여 이들에게 각각 제공한다.
전원부(177)는 태양 전지(300)로부터 공급되는 전원(SLV)을 게이트 구동부(171) 및 데이터 구동부(173)에 필요한 직류 전원(VDD)으로 변화하여 게이트 구동부(171) 및 데이터 구동부(173)에 공급한다.
이하에서는 도 3을 더 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 전기 영동 표시 장치를 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 박막 트랜지스터와 전기 영동 소자 및 태양 전지를 상세하게 설명하기 위해 도시한 부분 단면도이다.
박막 트랜지스터(105)는 표시 기판(100)의 화면 표시 영역(P1)에 위치한다. 그리고, 박막 트랜지스터(105)는 게이트 전압이 공급되는 게이트 전극(111)과, 데이터 전압이 공급되는 소스 전극(141)과, 화소 전극(150)에 접속된 드레인 전극(143)과, 게이트 절연막(121) 위에서 소스 전극(141)과 드레인 전극(143) 사이에 채널을 형성하는 활성층(133)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(105)는 활성층(133) 상에 소스 전극(141) 및 드레인 전극(143)과의 오믹 접촉을 위한 오믹 접촉층(135)을 더 포함한다. 이러한, 박막 트랜지스터(105)는 무기 절연물 또는 유기 절연물로 형성된 보호막(145)에 의해 절연 및 보호된다.
전기 영동 소자(200)는 하전 염료 입자(211,213)로 채워진 캡슐(220)과, 캡슐(220)을 보호하고 고정하는 바인더(230)로 구성된다. 여기서, 하전 염료 입자(211,213)는 정극성 전압에 반응하는 블랙 염료 입자(211)와, 부극성 전압에 반응하는 화이트 염료 입자(213)를 포함한다. 그리고, 바인더(230)는 캡슐(220)을 감싸며 형성되어 외부 충격으로부터 캡슐(220)을 보호하고 캡슐(220)을 고정시킨다. 이러한, 전기 영동 소자(200)는 캡슐(220)과 바인더(230) 상부에 공통 전극(250)과 보호 기판(260)이 더 형성된다. 이때, 공통 전극(250)은 화소 전극(150)과 함께 하전 염료 입자(211,213)를 구동하기 위한 전계를 형성하고, 보호 기판(260)은 전기 영동 소자(200)를 보호한다. 이와 같은 전기 영동 소자(200)는 시트 형태로 형성되어 점착제(270)를 통해 표시 기판(100)의 화면 표시 영역(P1)에 부착된다.
태양 전지(300)는 서로 대향하는 하부 전극(315) 및 상부 전극(355)과, p형 실리콘층(331) 및 n형 실리콘층(332)을 포함한다. 그리고, 태양 전지(300)는 p형 실리콘층(331)과 n형 실리콘층(332) 사이에 광 흡수율을 향상시키기 위해 막 특성이 좋은 중간층(333)이 더 형성될 수 있다.
여기서, 태양 전지(300)는 접합된 p형 실리콘층(331)과 n형 실리콘층(332)에 태양 광이 조사되면 광 에너지에 의한 전자와 정공의 쌍이 여기되고, 전자와 정공이 n형 실리콘층(332)과 p형 실리콘층(331)으로 이동하면서 광 기전력 효과에 의해 기전력을 발생시킨다. 그리고, 태양 전지(300)는 발생된 기전력에 의해 외부에 접속된 부하에 전류가 흐르게 한다. 이러한, 태양 전지(300)는 발생된 전원을 구동 부에 공급한다.
이때, 하부 전극(315)은 입사된 태양 광이 반사될 수 있는 재질로 게이트 전극(111)과 동일층에 형성된다. 예를 들어, 하부 전극(315)으로는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 등이 적용될 수 있다. 그리고, 상부 전극(355)은 입사된 태양 광이 투과될 수 있는 재질로 화소 전극(150)과 동일층에 형성된다. 예를 들어, 상부 전극(355)으로는 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide: 이하 TCO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: 이하 ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide: 이하 IZO) 등이 적용될 수 있다. 또한, 중간층(333)은 활성층(133)과 동일층에 형성된다. 예를 들어, 중간층(333)은 비정질 실리콘이 적용될 수 있다.
여기서, p형 실리콘층(331)은 비정질 실리콘에 붕소(B) 등의 p형 불순물을 도핑하여 형성한다. 그리고, n형 실리콘층(332)은 비정질 실리콘에 인(P) 등의 n형 불순물을 도핑하여 형성한다.
한편, 태양 전지(300)는 전기 영동 표시 장치의 구동에 필요한 소비 전력을 공급하기 위해 비표시 영역(P2)에서 소정의 면적 이상으로 형성된다. 지표면에 도달하는 태양 광의 에너지가 평균 1KW/m2이므로, 변환 효율을 약 7%로 가정할 경우 태양 전지(300)에서 발생된 기전력은 70W/m2이다. 그리고, 변화 효율을 약 15%로 가정할 경우 태양 전지(300)에서 발생된 기전력은 150W/m2이다. 태양 전지(300)로부터 공급된 전원을 구동부에서 직류 전원으로 변환할 때 변환 효율은 약 30%이다. 전기 영동 표시 장치의 구동에 필요한 소비 전력은 약 100mW 이상이어야 하므로, 변환 효율이 약 7%일 경우 태양 전지(300)는 약 48cm2(100mW/21W/m2) 이상의 면적을 필요로 한다. 그리고, 변환 효율이 약 15%일 경우 태양 전지(300)는 약 20cm2(100mW/50W/m2) 이상의 면적을 필요로 한다.
이와 같은 태양 전지(300)는 태양 광의 입사가 원활하게 이루어져 작은 면적으로 전기 영동 표시 장치의 구동에 필요한 소비 전력을 충분히 생성할 수 있다.
이하에서는 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 기판의 제조 방법을 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 순서도이고, 도 5는 도 4에 도시된 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 기판의 제조 방법은 기판 상의 화면 표시 영역 및 비표시 영역에 각각 게이트 패턴과 하부 전극을 형성하는 단계(S11), 화면 표시 영역 및 비표시 영역에 각각 절연막 및 반도체 패턴과, pn접합 실리콘층을 형성하는 단계(S21), 화면 표시 영역에 소스 및 드레인 패턴을 형성하는 단계(S31), 화면 표시 영역에 보호막을 형성하는 단계(S41) 및 화면 표시 영역 및 비표시 영역에 각각 화소 전극과 상부 전극을 형성하는 단계(S51)을 포함한다.
구체적으로 도 5를 참조하면, 우선 마더 글라스에서 화면 표시 영역(P1) 및 비표시 영역(P2)으로 구분되는 기판(101)을 준비한다. 그리고, 기판(101)의 화면 표시 영역(P1) 및 비표시 영역(P2)에 게이트 전극(111)을 포함하는 게이트 패턴과, 하부 전극(315)을 함께 형성한다. 여기서, 게이트 패턴과 하부 전극(315)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag) 등의 광 반사 재질로 동일층에 형성한다.
다음으로, 게이트 패턴의 상부에 게이트 절연막(121)을 형성하고, 하부 전극(315)의 상부에 비정질 실리콘에 붕소(B) 등의 p형 불순물이 도핑된 p형 실리콘층(331)을 형성한다. 그리고, 게이트 절연막(121)과 p형 실리콘층(331)의 상부에 활성층(133)과 중간층(333)을 함께 형성한다. 이때, 활성층(133)과 중간층(333)은 비정질 실리콘으로 형성할 수 있다. 그리고, 활성층(133)과 중간층(333)의 상부에 오믹 접촉층(135)과, 비정질 실리콘에 인(P) 등의 n형 불순물이 도핑된 n형 실리콘층(332)을 함께 형성한다. 이를 통해, 화면 표시 영역(P1)에는 절연막 및 반도체 패턴을 형성하고, 비표시 영역(P2)에는 pn접합 실리콘층을 형성한다.
다음으로, 오믹 접촉층(135)의 상부에 소스 전극(141) 및 드레인 전극(143)을 포함하는 소스 및 드레인 패턴을 형성한다.
다음으로, 소스 및 드레인 패턴의 상부에 보호막(145)을 형성한다. 이때, 보호막(145)은 일반적인 무기 절연물 또는 유기 절연물로 형성할 수 있다.
다음으로, 보호막(145)의 상부와 n형 실리콘층(332)의 상부에 화소 전극(150)과 상부 전극(355)을 함께 형성한다. 여기서, 화소 전극(150)과 상부 전극(355)은 TCO, ITO, IZO 등의 광 투과 재질로 형성할 수 있다.
이와 같은, 표시 기판의 제조 방법을 통해 박막 트랜지스터와 태양 전지를 함께 형성할 수 있다.
이상에서 상술한 본 발명은 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전기 영동 표시 장치를 설명하기 위해 도시한 블럭도,
도 2는 도 1에 도시된 전기 영동 표시 장치를 간략하게 도시한 단면도,
도 3은 도 2에 도시된 박막 트랜지스터와 전기 영동 소자 및 태양 전지를 상세하게 설명하기 위해 도시한 부분 단면도,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 순서도 및
도 5는 도 4에 도시된 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
<도면 부호의 간단한 설명>
100: 표시 기판 P1,P2; 화면 표시 영역, 비표시 영역
105: 박막 트랜지스터 150: 화소 전극
160: 구동부 200: 전기 영동 소자
300: 태양 전지 315: 하부 전극
331: p형 실리콘층 332: n형 실리콘층
333: 중간층 355: 상부 전극
Claims (20)
- 복수의 게이트 및 데이터 라인과, 이들의 교차 부분에 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성된 화면 표시 영역; 및상기 화면 표시 영역의 주변에 위치하며, 서로 대향하는 상부 및 하부 전극 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 반도체층을 포함하는 태양 전지가 형성된 비표시 영역으로 구분되는 표시 기판.
- 제1 항에 있어서,상기 반도체층은 p형 실리콘 및 n형 실리콘의 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 기판.
- 제2 항에 있어서,상기 반도체층은 상기 p형 실리콘 및 n형 실리콘 사이에 비정질 실리콘으로 형성된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.
- 제1 항에 있어서,상기 하부 전극은 상기 게이트 라인과 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
- 제4 항에 있어서,상기 하부 전극은 외부 광을 반사하는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
- 제1 항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 화소 전극과 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
- 제6 항에 있어서,상기 상부 전극은 외부 광을 투과시키는 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 기판.
- 화면 표시 영역 및 비표시 영역으로 구분되는 기판;상기 화면 표시 영역에 형성된 복수의 게이트 및 데이터 라인과, 이들의 교차 부분에 형성된 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극;상기 박막 트랜지스터와 화소 전극 상에 형성된 전기 영동층; 및상기 비표시 영역에 형성되며, 서로 대향하는 상부 및 하부 전극과, 상기 상부 및 하부 전극 사이에 적어도 하나 이상의 반도체층이 형성된 태양 전지를 포함하는 전기 영동 표시 장치.
- 제8 항에 있어서,상기 반도체층은 p형 실리콘 및 n형 실리콘의 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
- 제9 항에 있어서,상기 반도체층은 상기 p형 실리콘 및 n형 실리콘 사이에 비정질 실리콘으로 형성된 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
- 제8 항에 있어서,상기 하부 전극은 광 반사 재질로 상기 게이트 라인과 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
- 제8 항에 있어서,상기 상부 전극은 광 투과 재질로 상기 화소 전극과 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
- 제8 항에 있어서,상기 태양 전지로부터 생성된 전원을 상기 박막 트랜지스터와 화소 전극에 공급하기 위한 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 영동 표시 장치.
- 기판 상의 화면 표시 영역 및 비표시 영역에 각각 게이트 패턴과 하부 전극을 형성하는 단계;상기 화면 표시 영역 및 비표시 영역에 각각 절연막 및 반도체 패턴과, pn접합 실리콘층을 형성하는 단계;상기 화면 표시 영역에 소스 및 드레인 패턴을 형성하는 단계;상기 화면 표시 영역에 보호막을 형성하는 단계; 및상기 화면 표시 영역 및 비표시 영역에 각각 화소 전극과 상부 전극을 형성 하는 단계를 포함하는 표시 기판의 제조 방법.
- 제14 항에 있어서,상기 게이트 패턴과 하부 전극은 동일한 재질로 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
- 제15 항에 있어서,상기 게이트 패턴과 하부 전극은 광 반사 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
- 제14 항에 있어서,상기 pn접합 실리콘층은 p형 실리콘층과 중간층 및 n형 실리콘층을 순서대로 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
- 제17 항에 있어서,상기 반도체 패턴과 중간층은 비정질 실리콘으로 동시에 형성하는 것을 특징 으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
- 제14 항에 있어서,상기 화소 전극과 상부 전극은 동일한 재질로 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
- 제19 항에 있어서,상기 화소 전극과 상부 전극은 광 투과 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080002598A KR101443310B1 (ko) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시기판의 제조 방법 |
| US12/326,739 US7933061B2 (en) | 2008-01-09 | 2008-12-02 | Display substrate, electrophoretic display device with the same and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080002598A KR101443310B1 (ko) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시기판의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090076572A true KR20090076572A (ko) | 2009-07-13 |
| KR101443310B1 KR101443310B1 (ko) | 2014-09-23 |
Family
ID=40844327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080002598A KR101443310B1 (ko) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 표시 기판 및 이를 포함하는 전기 영동 표시 장치, 표시기판의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7933061B2 (ko) |
| KR (1) | KR101443310B1 (ko) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8384690B2 (en) | 2010-05-14 | 2013-02-26 | International Business Machines Corp. | Interface device with integrated solar cell(S) for power collection |
| US8120838B2 (en) | 2010-05-19 | 2012-02-21 | Au Optronics Corporation | Electrophoretic display device |
| KR20120011786A (ko) * | 2010-07-19 | 2012-02-08 | 주식회사 나노브릭 | 표시 장치, 표시 방법 및 머신 판독 가능한 기록 매체 |
| JP2012181445A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Seiko Epson Corp | 電気装置 |
| TWI477874B (zh) * | 2012-03-28 | 2015-03-21 | E Ink Holdings Inc | 顯示裝置及其製作方法 |
| JP6248398B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-12-20 | 大日本印刷株式会社 | 情報表示媒体 |
| CN104020587A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置 |
| CN105549235A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-04 | 飞天诚信科技股份有限公司 | 一种具有显示功能的电池以及包含该电池的电子设备 |
| CN106409878B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-03-15 | 昆山国显光电有限公司 | 集成太阳能电池的oled显示装置及其制造方法及oled手表 |
| CN107272235A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-10-20 | 惠科股份有限公司 | 显示设备及其主动式阵列开关基板 |
| JP6763361B2 (ja) * | 2017-11-22 | 2020-09-30 | 大日本印刷株式会社 | 情報表示媒体 |
| US11456397B2 (en) | 2019-03-12 | 2022-09-27 | E Ink Corporation | Energy harvesting electro-optic displays |
| CN111276525B (zh) * | 2020-02-13 | 2023-07-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示屏及其制备方法和显示装置 |
| TWI742703B (zh) | 2020-06-01 | 2021-10-11 | 凌巨科技股份有限公司 | 光電顯示單元及包括其的顯示裝置 |
| CN112558373A (zh) | 2020-12-10 | 2021-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子纸 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6067062A (en) * | 1990-09-05 | 2000-05-23 | Seiko Instruments Inc. | Light valve device |
| KR100750068B1 (ko) | 2000-12-15 | 2007-08-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 솔라 셀 내장 액정표시장치 |
| JP2003186062A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Tdk Corp | 電気泳動表示装置及びその製造方法 |
| JP3873149B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2007-01-24 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| US7050040B2 (en) * | 2002-12-18 | 2006-05-23 | Xerox Corporation | Switching of two-particle electrophoretic display media with a combination of AC and DC electric field for contrast enhancement |
| JP4645048B2 (ja) | 2004-03-16 | 2011-03-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像表示媒体および画像表示装置 |
| JP2005266008A (ja) | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像表示媒体および画像表示装置 |
| EP1816684A2 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-08 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Solar battery module |
| KR101256023B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2013-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2008
- 2008-01-09 KR KR1020080002598A patent/KR101443310B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-02 US US12/326,739 patent/US7933061B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090174928A1 (en) | 2009-07-09 |
| US7933061B2 (en) | 2011-04-26 |
| KR101443310B1 (ko) | 2014-09-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180829 Year of fee payment: 5 |