KR20090072478A

KR20090072478A - 발광 다이오드 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20090072478A
Application number: KR20070140606A
Authority: KR
Inventors: 서원철; 김창연
Original assignee: 서울옵토디바이스주식회사
Priority date: 2007-12-28
Filing date: 2007-12-28
Publication date: 2009-07-02
Also published as: KR101393355B1

Abstract

본 발명은 지지 기판; 상기 지지 기판상에 서로 이격되어 위치하며, 금속 반사층, 금속 매개층을 포함하는 금속층들; 상기 금속층들의 일부 영역 상에 위치하고, 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광셀들; 및 상기 발광셀들의 상부와 상기 금속반사층의 상부에 각각 전원을 공급하기 위한 금속배선들을 포함하되, 상기 발광셀들은, 상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부가 제거되어 상기 발광셀들이 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 제공한다.

발광다이오드, LED, 사파이어, 병렬, 교류, 발광셀

Description

발광 다이오드 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 LLO(laser lift-off)공정을 수행하여 제작된 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.

통상적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 GaN, 사파이어, 실리콘, 실리콘 나이트라이드와 같은 기판위에 GaN을 기본으로 하는 물질을 성장시켜 발광을 하는 구조이다. 이러한 구조에서 상부의 발광층으로부터 나온 빛은 상부와 하부로 진행하며, 반사, 산란, 굴절의 과정을 거쳐 발광 다이오드 외부로 나온다. 발광층으로부터 나오는 상하부의 빛을 굴절 및 반사시켜 발광효율을 증가시키기 위해서는 상부에 요철을 주거나 하부에 반사율이 좋은 반사기판을 사용해야 한다.

그러나, 발광층의 상부 P층은 얇아서 요철을 줄 수 없거나 요철이 생겨도 효율이 작다. 또한 하부의 사파이어 기판 밑에 반사율이 좋은 금속물질을 증착하더라도 사파이어 자체에서 흡수 소멸되는 빛은 항상 존재한다. 이와 같이, 하부로 나오 는 빛은 기판을 통하여 나오며 기판을 통과할 때의 손실이 크다. 이러한 손실을 줄이고자 기판의 표면에서의 흡수를 지양하고 반사를 증가시키기 위해 요철을 만들거나 기판에 반사율이 높은 금속을 사용하고자 레이저 리프트 오프(laser lift-off : LLO)공정을 이용하여 성장기판을 제거하고 Si 기판 또는 메탈 기판을 추가하였다.

LLO 공정을 사용하는 경우 레이저를 조사할 수 있는 면적의 넓이가 유하하며 조사면적 내에서 균일한 세기를 얻기가 어렵다. 따라서, 레이저가 중복적으로 조사되는 부분이 발광셀로 사용되는 경우에는 각 발광셀들이 광효율이 균일하지 못한 문제점이 있으며, 이러한 문제점들은 대면적으로 갈수록 균일하지 못한 조사에 의한 문제점이 더욱 커진다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 이러한 종래의 문제점을 해결할 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 지지 기판; 상기 지지 기판상에 서로 이격되어 위치하며, 금속 반사층, 금속 매개층을 포함하는 금속층들; 상기 금속층들의 일부 영역 상에 위치하고, 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광셀들; 및 상기 발광셀들의 상부와 상기 금속반사층의 상부에 각각 전원을 공급하기 위한 금속배선들을 포함하되, 상기 발광셀들은, 상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부가 제거되어 상기 발광셀들이 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 제공한다.

바람직하게는, 상기 발광셀들은, 상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 포함하고, 상기 일부 또는 전부의 수직 방향으로 상기 반도체층의 일부를 포함하는 영역이 제거되어 상기 발광셀들이 그물모양으로 이격되게 형성된다.

바람직하게는, 상기 지지 기판은 상기 반도체층들을 성장시키기 위해 사용된 성장기판과 동종의 기판이다.

바람직하게는, 상기 지지 기판은 사파이어 기판이다.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 제1 기판 상에 버퍼층, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체층들 및 상기 반도체층들 상에 금속 반사층을 형성하고, 상기 금속 반사층상에 제1 금속 매개층을 형성하고, 제2 기판 상에 제2 금속 매개층을 형성하고, 상기 제1 금속 매개층과 상기 제2 금속 매개층이 서로 마주보도록 상기 금속 매개층들을 접합시키고, 상기 제1 기판을 레이저 리프트 오프 공정을 통하여 상기 반도체층들로부터 분리시키고, 상기 금속 반사층이 드러나도록 상기 반도체층들을 패터닝하여 서로 이격되어 금속 반사층의 상부에 위치하는 발광셀을 형성하고, 상기 발광셀들의 상부면과 상기 금속 반사층의 상부에 각각 전원을 공급하기 위한 금속배선들을 형성하되, 상기 발광셀들을 형성하는 단계는, 상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 제거하여 상기 발광셀들을 이격되게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.

바람직하게는, 상기 발광셀들을 형성하는 단계는, 상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 포함하고, 상기 일부 또는 전부의 수직 방향으로 상기 반도체층의 일부를 포함하는 영역을 제거하여 상기 발광셀들이 그물모양으로 이격되게 형성한다.

본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 제1 기판 상에 버퍼층, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체층들을 형성하고, 상기 반도체층상에 제2 기판을 접합하고, 상기 제1 기판을 레이저 리프트 오프 공정을 통하여 상기 반도체층들로부터 분리시키고, 상기 반도체층들을 패터닝하여 서로 이격되어 위치하는 발광셀들을 형성하고, 상기 발광셀들을 금속배선들을 형성하되, 상기 발광셀들을 형성하는 단계는, 상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 제거하여 상기 발광셀들을 이격되게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.

본 발명에 의하면, LLO 공정을 통하여 성장기판을 제거하여 발광 다이오드를 제조하는 경우에 LLO 공정에 의해 레이저가 중복적으로 조사된 부분을 제거하여 각 발광셀들을 이격시킴에 따라 각 발광셀들의 광효율이 균일하여 전체적으로 광효율이 균일한 대면적 발광 다이오드를 제조할 수 있다.

본 발명에 의하면, LLO 공정을 통하여 성장기판을 제거하여 발광 다이오드를 제조하는 경우에 지지기판에 금속 반사층을 포함하는 금속층들을 형성하고 그 금속층들위에 발광셀들이 형성됨에 따라 금속층들이 전류 확산층의 역할을 하여 기존의 대면적 발광 다이오드에서 단순 가지를 두어 전류를 확산하는 경우보다 더욱 효과적이다.

또한 본 발명에 의하면, 단위셀 사이에서 노출된 금속 반사층은 발광층으로부터 하부로 나온 광의 반사층 역할을 하여 광효율을 증가시킬 수 있다.

또한 본 발명에 의하면, 발광층으로부터 나온 빛이 기존의 사파이어를 사용하는 대면적에서처럼 사파이어를 통해 나오지 않고 사파이어 위의 금속 반사층에서 반사하여 상부로 진행함으로써 형광체를 사용하여 여러 파장이 섞여 나오는 경우 광이 나뉘지 않고 고루 분포될 수 있다.

또한 본 발명에 의하면, LLO 공정을 통하여 성장기판을 제거하여 발광 다이오드를 제조하는 경우에 지지기판을 성장기판과 열팽창 계수가 동일한 기판을 사용함으로써, 성장기판의 제거후 반도체층들과 지기기판의 접합을 위해 수반되는 고압 고압의 접합과정에서 발생하는 변형을 효과적으로 방지할 수 있으며, 이로 인해 발광 다이오드의 생산 수율을 높일 수 있고 발광 특성을 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 1을 참조하면, 지지 기판(51) 상에 복수개의 금속 패턴들(40)이 서로 이격되어 위치한다. 상기 지지 기판(51)은 사파이어 기판, AlN, GaN을 포함할 수 있다. 상기 지지 기판(51)은 발광셀(30)을 구성하는 반도체층들을 성장시키기 위한 기판과 동종의 기판을 사용한다. 본 실시예에서는 지지 기판(51)은 절연성 기판인 사파이어 기판을 사용하는 경우를 설명하도록 한다.

상기 금속패턴들(40) 각각은 접합된 금속층들, 예컨대 금속 반사층(31), 금속 보호층(32), 제1 금속 매개층(33), 제2 금속 매개층(53)을 포함한다. 금속반사층(31)은 반사율이 큰 금속물질, 예컨대 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 형성된다. 금속 보호층(32)은 금속원소들이 금속 반사층(31)으로 확산되는 것을 방지하기 위한 확산 방지층으로 금속 반사층(31)의 반사도를 유지시킬 수 있다. 제1 금속 매개층(33) 및 제2 금속 매개층(53)은 금속 반사층(31)와 지지 기판(51)의 접합을 위한 것으로 예컨대, Au 또는 Au와 Sn의 합금일 수 있다.

상기 각 금속 패턴의 일부 영역 상에 발광셀(30)이 위치한다. 상기 발광셀(30)은 P형 반도체층(29a), 활성층(27a) 및 N형 반도체층(25a)을 포함한다. 상기 활성층(27a)은 P형 반도체층(29a)과 N형 반도체층(25a) 사이에 개재되며, P형 반도체층(29a)과 N형 반도체층(25a)은 서로 위치를 바꿀 수 있다.

N형 반도체층(25a)은 N형 Al_xIn_yGa₁ _-x- _yN(0≤x,y,x+y≤1)으로 형성될 수 있으며, N형 클래드층을 포함할 수 있다. 또한, P형 반도체층(29a)은 P형 Al_xIn_yGa₁ _-x-yN(0≤x,y,x+y≤1)으로 형성될 수 있으며, P형 클래드층을 포함할 수 있다. 상기 N형 반도체층(25a)은 실리콘(Si)을 도우핑하여 형성할 수 있으며, P형 반도체층(29a)은 아연(Zn) 또는 마그네슘(Mg)을 도우핑하여 형성할 수 있다.

활성층(27a)은 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, InGaN을 포함하여 이루어진다. 상기 활성층(27a)을 이루는 물질의 종류에 따라 발광셀에서 방출되는 발광 파장이 결정된다. 상기 활성층(27a)은 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 형성된 다층막일 수 있다. 상기 장벽층과 우물층은 일반식 Al_xIn_yGa₁ _-x- _yN(0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2원 내지 4원 화합물 반도체층들일 수 있다.

한편, 금속배선들(57)이 N형 반도체층(25a)을 전기적으로 서로 연결하며, 외부의 전원 공급 리드에 연결된다. 이를 위해, 상기 각 N형 반도체층(25a) 상에 전극 패드(55)가 형성될 수 있다. 상기 전극 패드는(55)는 상기 N형 반도체층(25a)과 오믹접촉하여 접촉저항을 낮춘다. 아울러, 금속배선(58)은 금속 반사층(31)에 연결되어 외부의 전원 공급 리드에 연결된다. 따라서, 상기 금속배선(57) 및 상기 금속 배선(58)은 도시한 바와 같이, 발광셀들(30)을 병렬 어레이로 연결한다. 상기 기판(51) 상에 두개 이상의 병렬 연결된 발광셀들의 어레이들이 형성될 수 있다.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 2를 참조하면, 제1 기판(21) 상에 버퍼층(23), N형 반도체층(25), 활성층(27) 및 P형 반도체층(29)을 포함하는 반도체층들을 형성하고, 상기 반도체층들 상에 금속 반사층(31)을 형성한다.

상기 제1 기판(21)은 사파이어 기판과 같이, 투광성이며, 상기 반도체층들에 격자 정합하는 기판이 유리하다.

상기 버퍼층(23) 및 반도체층들(25, 27, 29)은 금속유기 화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(MBE) 또는 수소화물 기상 성장(HVPE) 방법 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 반도체층들(25, 27, 29)은 동일한 공정챔버에서 연속적으로 형성될 수 있다.

상기 버퍼층(23)은 상기 제1 기판(21)과 반도체층들(25, 27, 29)의 격자 부정합을 완화할 수 있으면, 특별이 제한되지 않으며, 예컨대 언도프트 GaN로 형성될 수 있다.

상기 금속 반사층(31)은 상기 P형 반도체층에 오믹접촉하는 금속으로 형성되며 반사율이 높은 금속이 바람직하며, 예컨대 Ag 또는 Al로 형성될 수 있다. 또한, 상기 열전도성 금속층은 열전도율이 높은 금속이면 바람직한데 예를 들어 Au 또는 Au와 Sn의 적층일 수 있다. 금속 반사층(31)상에는 금속 보호층(32)가 형성된다. 금속 보호층(32)은 확산 방지층으로 작용한다. 금속 보호층(32)위에 제1 금속 매개층(33)이 형성된다. 제1 금속 매개층(33)은 금속접합을 위한 것으로 특별히 제한되지 않으며 Au 또는 Au와 Sn의 적층일 수 있다.

상기 제1 기판(21)과 별개의 제2 기판(51) 상에 제 2 금속 매개층(53)이 형성된다. 상기 제2 기판(51)은 제1 기판(21)과 동종의 기판을 사용한다.

상기 제2 금속 매개층(53)은 상기 제1 금속 매개층(31)과 금속접합을 위한 것으로, 특별히 제한되지 않으며, Au 또는 Au와 Sn의 적층일 수 있다.

도 3을 참조하면, 상기 제1 금속 매개층(33)과 상기 제2 금속층(53)이 서로 마주보도록 접합시킨다. 이러한 접합은 일정한 압력 및/또는 열을 가하여 쉽게 수행될 수 있다.

그 후, 상기 제1 기판(21) 쪽에서 레이저를 조사한다. 이때, 레이저의 조사는 도시된 바와 같은 폭(L1)을 가지며 서로 중첩되는 부분이 존재한다. 상기 레이저는 예컨대 KrF(248nm) 레이저일 수 있다. 제1 기판(21)이 사파이어 기판과 같이 투광성 기판이므로, 상기 레이저는 제1 기판(21)을 통과하고, 버퍼층(23)에 의해 흡수된다. 이에 따라, 상기 버퍼층(23)과 상기 제1 기판(21)의 계면에서 상기 흡수된 방사 에너지에 의해 상기 버퍼층(23)이 분해(decomposition)되어, 상기 기판(21)이 상기 반도체층들로부터 분리된다.

도 4를 참조하면, 상기 기판(21)이 분리된 후, 잔존하는 버퍼층(23)을 제거하여 상기 N형 반도체층(25)의 표면을 노출시킨다. 상기 버퍼층(23)은 식각 기술 또는 폴리싱 기술을 사용하여 제거될 수 있다.

도 5를 참조하면, 사진 및 식각 기술을 사용하여 상기 반도체층들(25, 27, 29)을 패터닝하여 금속 반사층(31)이 드러나도록 하여 금속 반사층(31)의 일부영역 상에 이격되어 위치하는 발광셀(30)을 형성한다.

이때, 발광셀들(30)을 이격하기 위해 반도체층들(25, 27, 29)을 패터닝할 때, 도 7에 도시된 바와 같이 반도체층들(25, 27, 29)에서 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 조사(L1)됨에 의해, 중복되어 조사된 영역(L3)중 일부 또는 전부를 제거하여 발광셀들(30a, 30b)을 이격되게 형성한다. 또한, 도 8에 도시된 바와 같이 반도체층들(25, 26, 27)에서 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 포함하고, 그 일부 또는 전부의 수직 방향으로 반도체층의 일부를 제거하여 발광셀들(30c, 30d, 30e, 30f)이 그물모양으로 이격되게 형성할 수 있다.

상기 발광셀(30)은 패터닝된 P형 반도체층(29a), 활성층(27a) 및 N형 반도체층(25a)을 포함한다. 이들 반도체층들(25a, 27a, 29a)은 동일한 형상으로 패터닝될 수 있다. 각 발광셀들(30)은 금속 반사층(31), 금속 보호층(32), 제1 금속 매개층(33), 제2 금속 매개층(53)을 통해 전기적으로 연결될 수 있으므로, 병렬 연결이 가능하게 된다.

도 6을 참조하면, 상기 발광셀들(30)의 상부면들을 전기적으로 연결하는 금속배선(57)과 금속 반사층(31)에 전원을 공급하기 위한 금속배선(58)이 형성된다. 상기 금속배선들(57, 58)은 상기 발광셀들(30)을 병렬로 연결하여 발광셀들의 어레이를 형성한다. 이러한 어레이들은 두개 이상 형성될 수 있다.

한편, 상기 금속배선들을 형성하기 전, 상기 N형 반도체층(25a) 상에 전극패드(55)가 형성될 수 있다. 상기 전극 패드(55)는 N형 반도체층(25a)에 오믹접촉된다.

본 실시예에 따르면, 금속 반사층(31)이 형성됨에 따라, P형 반도체층(29a) 상에 별도의 전극 패드를 형성하는 공정은 생략된다.

한편, 본 실시예에 있어서, 상기 P형 반도체층(29)과 상기 N형 반도체층(25)은 서로 순서를 바꾸어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 버퍼층(23)을 제거한 후, 상기 P형 반도체층(29) 상에 투명전극이 형성될 수 있다.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

예를 들어, 본 발명의 일실시예에서는 지지 기판으로서 성장 기판과 동종의 기판을 사용하였으나 본 발명의 다른 실시에에서는 이에 제한되지 않을 수 있다. 또한, 본 발명의 일실시예에서는 발광셀들을 연결하는 금속 배선으로 에어 브리지의 형태를 도면에 도시하였으나 스텝커버의 공정을 통해서도 얼마든지 구현할 수 있다.

도 7 내지 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.

Claims

지지 기판;

상기 지지 기판상에 서로 이격되어 위치하며, 금속 반사층, 금속 매개층을 포함하는 금속층들;

상기 금속층들의 일부 영역 상에 위치하고, 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광셀들; 및

상기 발광셀들의 상부와 상기 금속반사층의 상부에 각각 전원을 공급하기 위한 금속배선들을 포함하되,

상기 발광셀들은,

상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부가 제거되어 상기 발광셀들이 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
청구항 1에 있어서,

상기 발광셀들은,

상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 포함하고, 상기 일부 또는 전부의 수직 방향으로 상기 반도체층의 일부를 포함하는 영역이 제거되어 상기 발광셀들이 그물모양으로 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
청구항 1에 있어서,

상기 지지 기판은 상기 반도체층들을 성장시키기 위해 사용된 성장기판과 동종의 기판인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
청구항 1에 있어서,

상기 지지 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
제1 기판 상에 버퍼층, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체층들 및 상기 반도체층들 상에 금속 반사층을 형성하고,

상기 금속 반사층상에 제1 금속 매개층을 형성하고,

제2 기판 상에 제2 금속 매개층을 형성하고,

상기 제1 금속 매개층과 상기 제2 금속 매개층이 서로 마주보도록 상기 금속 매개층들을 접합시키고,

상기 제1 기판을 레이저 리프트 오프 공정을 통하여 상기 반도체층들로부터 분리시키고,

상기 금속 반사층이 드러나도록 상기 반도체층들을 패터닝하여 서로 이격되어 금속 반사층의 상부에 위치하는 발광셀을 형성하고,

상기 발광셀들의 상부면과 상기 금속 반사층의 상부에 각각 전원을 공급하기 위한 금속배선들을 형성하되,

상기 발광셀들을 형성하는 단계는,

상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 제거하여 상기 발광셀들을 이격되게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
청구항 5에 있어서,

상기 발광셀들을 형성하는 단계는,

상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 포함하고, 상기 일부 또는 전부의 수직 방향으로 상기 반도체층의 일부를 포함하는 영역을 제거하여 상기 발광셀들이 그물모양으로 이격되게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
제1 기판 상에 버퍼층, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체층들을 형성하고,

상기 반도체층상에 제2 기판을 접합하고,

상기 제1 기판을 레이저 리프트 오프 공정을 통하여 상기 반도체층들로부터 분리시키고,

상기 반도체층들을 패터닝하여 서로 이격되어 위치하는 발광셀들을 형성하고,

상기 발광셀들을 금속배선들을 형성하되,

상기 발광셀들을 형성하는 단계는,

상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 제거하여 상기 발광셀들을 이격되게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
청구항 7에 있어서,

상기 발광셀들을 형성하는 단계는,

상기 반도체층들에서 상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해 레이저가 중복되어 조사된 영역중 일부 또는 전부를 포함하고, 상기 일부 또는 전부의 수직 방향으로 상기 반도체층의 일부를 포함하는 영역을 제거하여 상기 발광셀들이 그물모양으로 이격되게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.