Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20090041765A - 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그형성 방법 및 발광 디바이스 - Google Patents

탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그형성 방법 및 발광 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20090041765A
KR20090041765A KR1020070107432A KR20070107432A KR20090041765A KR 20090041765 A KR20090041765 A KR 20090041765A KR 1020070107432 A KR1020070107432 A KR 1020070107432A KR 20070107432 A KR20070107432 A KR 20070107432A KR 20090041765 A KR20090041765 A KR 20090041765A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon nanotubes
layer
catalyst
catalyst layer
carbon
Prior art date
Application number
KR1020070107432A
Other languages
English (en)
Inventor
송병권
홍진표
진용완
차승남
이종현
하재환
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020070107432A priority Critical patent/KR20090041765A/ko
Priority to US12/232,246 priority patent/US20090121219A1/en
Publication of KR20090041765A publication Critical patent/KR20090041765A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
    • B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
    • B01J23/76—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36
    • B01J23/84—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36 with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
    • B01J23/85—Chromium, molybdenum or tungsten
    • B01J23/86—Chromium
    • B01J23/866—Nickel and chromium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
    • B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
    • B01J37/0238—Impregnation, coating or precipitation via the gaseous phase-sublimation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
    • B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
    • B01J37/024—Multiple impregnation or coating
    • B01J37/0244—Coatings comprising several layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0095—Manufacture or treatments or nanostructures not provided for in groups B82B3/0009 - B82B3/009
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/817—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H10H20/818—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light-emitting regions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/08—Aligned nanotubes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

개시된 탄소나노튜브 형성방법은, 기판 상에 탄소나노튜브의 성장을 촉진시키는 촉매층을 다중 박막 구조로 형성하는 단계; 촉매층에 탄소가 포함된 가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함할 수 있다.

Description

탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그 형성 방법 및 발광 디바이스{Carbon nanotubes and method of growing the same, hybrid structure and method of growing the same and light emitting device }
본 발명은 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 이를 적용한 하이브리드 구조 및 그 형성 방법 및 이를 적용한 발광 디바이스에 관한 것이다.
탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotubes)는 매우 미세한 직경과 매우 큰 종횡비를 갖는 것으로, 탄소 원자들이 6각형으로 배열된 흑연구조의 탄소 원자들로 이루어진 시트가 말려서 원통형으로 이루어진다. 탄소나노튜브는 그 구조에 따라서, 도체의 성질 또는 반도체의 성질을 가질 수 있다.
또한, 탄소나노튜브는 매우 강한 기계적 강도 및 우수한 열전도도 등의 특성을 가져, 전계 방출 디스플레이(FED: Field Emission Display), 액정 디스플레이(LCD)용 백라이트 장치(BLU), 나노 전자 소자(nanoelectronic device) 등과 같은 다양한 기술분야에 사용되고 있다.
액정 디스플레이 구동에 꼭 필요한 부품인 백라이트 장치로 그동안 사용되어 온 CCFL 백라이트 장치는 수은을 포함하고 있어 환경 문제와 복잡한 공정이 필요하 다. 이로 인해, 최근에는 발광다이오드(LED)를 이용한 백라이트 장치나 면광원 백라이트 장치 등 이를 대체한 백라이트 장치를 개발하기 위한 노력이 계속 되어 왔다. 그 중 하나가 바로 탄소나노튜브를 이용한 백라이트이다.
탄소나노튜브의 전계 방출 원리를 이용한 탄소나노튜브 백라이트 장치는 수은을 전혀 사용하지 않아 환경 친화적이며, 구조가 단순하고, 두께도 더욱 얇아진다는 장점이 있다.
그러나, 기존에 알려진 탄소나노튜브를 이용한 백라이트 구조는 탄소나노튜브 뿐만 아니라, 저전압 형광체를 필요로 한다.
본 발명은 다중 박막 구조의 촉매층을 이용하는 탄소나노튜브 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 이를 적용한 하이브리드 구조 및 그 형성 방법 및 이를 적용한 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 탄소나노튜브 형성방법은, (가) 기판 상에 탄소나노튜브의 성장을 촉진시키는 촉매층을 다중 박막 구조로 형성하는 단계; (나) 상기 촉매층에 탄소가 포함된 가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 촉매층은 Zn를 포함하는 적어도 하나의 제1층과 Zn을 포함하지 않는 적어도 하나의 제2층을 포함하며, 상기 제1층과 제2층이 교대로 적층될 수 있다.
상기 제2층은 Ni을 포함할 수 있다.
상기 촉매층은 촉매 그레인을 형성하도록 표면처리될 수 있다.
상기 촉매 그레인 형성은 플라즈마 처리, 레이저 처리 또는 열처리에 의해 이루어질 수 있다.
상기 탄소를 함유하는 가스는 CH4, C2H2, C2H4, C2H6, CO 및 CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나의 가스이고, 상기 탄소를 함유하는 가스는 수소 가스(H2), 질소 가스(N2), 산소 가스(O2), 수증기(H2O) 및 아르곤 가스(Ar)로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나의 가스와 함께 주입될 수 있다.
상기 기판과 촉매층 사이에 버퍼층;을 더 포함할 수 있다.
상기 촉매층은 Zn를 포함하는 적어도 하나의 제1층과 Ni을 포함하는 적어도 하나의 제2층을 포함하며, 상기 제1 및 제2층이 교대로 적층되고, 상기 촉매층은 촉매 그레인을 형성하도록 표면처리되며, 상기 기판과 촉매층 사이에 버퍼층;을 구비할 수 있다.
상기 촉매층 물질은 Zn을 포함하며, 상기 성장된 탄소나노튜브 끝단에 Zn가 남도록 촉매층 물질을 선택적으로 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 구조 형성 방법은 상기의 방법들에 의해 탄소나노튜브를 형성하는 단계; 상기 탄소나노튜브에 나노구조체를 성장시켜 하이브리드 구조를 만드는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 성장된 탄소나노튜브 끝단에 남은 촉매층 물질은 Zn을 포함하며, 상기 나노구조체는 ZnO를 포함할 수 있다.
상기 나노구조체는 상기 성장된 탄소나노튜브 끝단에 남은 촉매층 물질인 Zn을 시드로 하여 성장될 수 있다.
상기 탄소나노튜브와 상기 나노구조체 사이에 p-n 접합을 형성할 수 있다.
상기 촉매층 물질은 Zn을 포함하며, 상기 나노구조체 성장 전에 상기 성장된 탄소나노튜브 끝단에 Zn가 남도록 촉매층 물질을 선택적으로 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 탄소나노튜브는 기판 상에 형성되며, 첨단부에 촉 매로 사용된 다중 박막이 존재할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 구조는, 기판 상에 다중 박막의 촉매를 이용하여 형성된 탄소나노튜브; 및 상기 탄소나노튜브에 성장된 나노구조체를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 디바이스는, 기판과, 상기 기판 상에 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 구조와; 상기 하이브리드 구조와 전기적으로 연결된 전극;을 포함할 수 있다.
상기 발광 디바이스는 액정 디스플레이용 백라이트에 적용될 수 있다.
탄소나노튜브(CNT)는 탄소 원자들이 6각형으로 배열된 흑연구조의 탄소 원자들로 이루어진 시트가 말려서 원통형으로 이루어진다. 하나의 시트로 구성된 탄소나노튜브를 단일벽 탄소나노튜브(SWNT)라고 한다. 또한, 대략 2 내지 5 개 정도의 소수의 시트로 구성된 튜브를 얇은(thin) 다중벽 탄소나노튜브(t-MWNT)라고 한다. 그리고 시트들의 개수가 아주 많아 져서 얇은 다중벽 탄소나노튜브보다 많을 경우 다중벽 탄소나노튜브(MWNT)라고 한다.
이러한 탄소나노튜브를 형성하기 위한 촉매층은 보통 단일층으로 이루어지며, 강자성체 물질 예를 들어, Ni, Invar, Fe 등이 이용된다.
이러한 단일층 박막의 촉매층은 저온에서 플라즈마 화학증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 법을 이용하여 다중벽 탄소나노튜브를 합성함에 있어 탄소나노튜브의 직경을 줄이거나 벽의 개수를 감소시키는 데에는 한계가 있었다,
이에 반하여, 본 발명에서는 촉매층이 다중 박막 구조로 형성된다. 이와 같이 다중 박막 구조의 촉매층을 이용하면, 저온에서 PECVD법을 이용하여 다중벽 탄소나노튜브를 성장시키는 경우에도, 직경아 작은 다중벽 탄소나노튜브를 합성할 수 있다.
이하에서는 도면들을 참조하면서, 본 발명의 실시예에 따른 탄소나노튜브, 및 그 형성방법, 하이브리드 구조 및 그 형성방법 및 발광 디바이스에 대해 상세히 설명한다. 도면들에서 층의 두께 및 촉매 그레인의 크기, 탄소나노튜브 등은 명확성을 위해 과장되게 나타내었다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브 형성방법을 보여준다.
도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 탄소나노튜브의 성장을 촉진시키는 촉매층(30)을 다중 박막 구조로 형성한다. 상기 기판(10)과 다중 박막 구조의 촉매층(30) 사이에는 버퍼층(20)을 더 구비할 수 있다.
상기 기판(10)으로는 광학적으로 투명한 기판 예를 들어, 유리(glass) 기판 또는 투명한 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(10)으로 반도체 기판을 사용할 수도 있다.
상기 버퍼층(20)은 금속 물질 예를 들어, 크롬(Cr)을 포함하도록 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(20)은 크롬 이외에 Al 등과 같은 다른 금속을 포함하도록 형성될 수도 있다.
상기 촉매층(30)은, 아연(Zn)을 포함하는 적어도 하나의 제1층(31)과, 아연을 포함하지 않는 적어도 하나의 제2층(33)을 포함하며, 제1층(31)과 제2층(33)이 교대로 적층되도록 형성될 수 있다. 상기 제2층(33)은 예를 들어, 니켈(Ni) 또는 이를 포함하는 합금을 포함하도록 형성될 수 있다. 이외에도 상기 제2층(33)은 통상적으로 탄소나노튜브를 형성하기 위한 촉매 금속으로 사용되는 Fe, Invar, Co 또는 이들의 합금을 포함하도록 형성될 수 있다. 도 1에서는 예시로서, 촉매층(30)이 제1층(31), 제2층(33), 제1층(31) 및 제2층(33)의 4층 박막 구조로 형성된 예를 보여준다.
상기와 같은 다중 박막 구조의 촉매층(30)은 예를 들어, 전자빔증착법, 화학기상증착법, 스퍼터링법 등에 의해 성장될 수 있다.
다음으로, 상기와 같이 다중 박막 구조의 촉매층(30)을 형성한 다음, 이 촉매층(30)을 도 2에서와 같이, 표면 처리하여 촉매 그레인(catalytic grains: 35)을 형성시킬 수 있다.
촉매 그레인(35) 형성은 플라즈마 처리(plasma treatment), 레이저 처리(laser treatment), 또는 급속 열(RTA: Rapid Thermal Annealing) 처리와 같은 후처리 과정에 의해 형성될 수 있다. 플라즈마 처리에는 예를 들어, 아르곤 가스나 암모니아(NH3) 가스를 이용할 수 있다. 레이저 처리는, 피크 파워(peak power)를 순식간에 올릴 수 있는 이점이 있다. 펄스 레이저를 촉매층(30)에 조사함에 의해 촉매 그레인(35)이 형성될 수 있다. 급속 열처리는 예를 들어, 적외선(IR :Infra Red) 소스(source)를 이용할 수 있다.
상기와 같이 다중 박막 구조의 촉매층(30)을 표면 처리하여 촉매 그레인(35)을 형성한 다음, 상기 촉매 그레인(35)이 형성된 촉매층(30)에 탄소가 포함된 가스를 주입한다. 이에 의해 도 3에 보여진 바와 같이 탄소나노튜브(40)가 성장되게 된다. 상기 탄소나노튜브(40) 성장은 예를 들어, 저온에서 PECVD 법에 의해 이루어질 수 있다.
상기 탄소를 함유하는 가스는, 예를 들어, CH4, C2H2, C2H4, C2H6, CO 및 CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나의 가스일 수 있다. 상기 탄소를 함유하는 가스는 예를 들어, 수소 가스(H2), 질소 가스(N2), 산소 가스(O2), 수증기(H2O) 및 아르곤 가스(Ar)로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나의 가스와 함께 주입될 수 있다.
상기와 같이 다중 박막 구조의 촉매층(30)을 이용하여 성장된 탄소나노튜브(40)의 첨단부(40a)에는 도 3의 확대부분에서 알 수 있는 바와 같이, 다중 박막 구조의 촉매가 존재할 수 있다. 이에 대해서는 후술하는 도 7의 TEM 이미지로부터 확인할 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브(40)를 형성하기 위하여, 유리(glass) 기판 상에, 200 nm 두께의 크롬 버퍼층, 3nm 두께의 아연(Zn)층과 3nm 두께의 니켈(Ni)층을 교대로 2번 반복하여 형성한 12nm 두께의 다중 박막 구조 촉매층을 적층한 구조를 보여준다. 도 4b는 도 4a의 적층 구조의 표면을 암모니아 가 스로 50W 처리 파워로 플라즈마 처리한 후의 AFM 이미지를 보여준다. 도 4c는 도 4b에서와 같이 표면 처리하여 촉매 그레인을 형성한 후에 성장시킨 탄소나노튜브의 SEM 이미지를 보여준다.
단일 박막 구조의 촉매층을 이용하는 비교예로서, 도 5a는 유리(glass) 기판 상에, 200 nm 두께의 크롬 버퍼층, 니켈(Ni)로 이루어진 15nm 두께의 촉매층을 적층한 구조를 보여준다. 도 5b는 도 5a의 적층 구조의 표면을 암모니아 가스로 50W 처리 파워로 플라즈마 처리한 후의 AFM 이미지를 보여준다. 도 5c는 도 5b에서와 같이 표면 처리하여 촉매 그레인을 형성한 후에 성장시킨 탄소나노튜브의 SEM 이미지를 보여준다.
도 4c 및 도 5c에서 얻어진 탄소나노튜브의 성장은 C2H2 가스를 수소(H2) 가스와 함께 주입하고, 400℃의 기판(10) 온도에서 20W의 RF 파워(power)를 가하면서 이루어졌다.
도 4b 및 도 5b를 비교해보면, 촉매층을 다중 박막 구조로 형성한 경우가 촉매층을 단일 박막으로 형성한 경우에 비해, 촉매 그레인의 크기가 훨씬 작으며, 촉매 그레인의 크기 균일도 또한 좋은 것을 알 수 있다.
촉매 그레인이 작을수록 성장되는 탄소나노튜브의 직경을 작게 할 수 있으므로, 도 4b 및 도 5b에서의 촉매 그레인 크기 비교에 의해, 촉매층을 다중 박막 구조로 형성한 경우가, 촉매층을 단일 박막으로 형성한 경우에 비해 작은 직경을 가지는 탄소나노튜브를 성장시킬 수 있음을 알 수 있다. 이는 도 4c 및 도 5c의 비교 에 의해서도 알 수 있다.
도 4c 및 도 5c를 비교해보면, 촉매층을 다중 박막 구조로 형성한 경우 얻어지는 탄소나노튜브가 촉매층을 단일 박막으로 형성한 경우에 얻어지는 탄소나노튜브에 비해 길이가 길고 지름이 작게 형성될 수 있음을 알 수 있다. 다중 박막 구조의 촉매에 합성된 탄소나노튜브는 예를 들어, 약 20nm 이하의 직경을 가질 수 있다. 반면에, 단일 박막 구조의 촉매에 합성된 탄소나노튜브는 예를 들어, 대략 40nm 정도의 직경을 가질 수 있다.
길이가 길고 지름이 작게 형성된 탄소나노튜브는 예를 들어, 전계 방출 소자에 이용했을 경우, 우수한 성능을 낼 수 있다. 즉, 탄소나노튜브의 지름이 작다는 것은, 탄소나노튜브가 단일 벽 탄소나노튜브(SWNT)이거나 얇은 다중 벽 탄소나노튜브(t-MWNT)로 형성될 수 있음을 의미한다. 이러한 단일벽 탄소나노튜브나 얇은 다중 벽 탄소나노튜브를 이용한 전계 방출 소자는 비교적 저전압에서 구동 가능하다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 탄소나노튜브(40)는, 다중 박막 구조의 촉매를 이용함에 의해, 단일벽 탄소나노튜브 또는 이 단일벽 탄소나노튜브의 우수한 전기적 특성과 다중벽 탄소나노튜브의 구조적 장점을 가진 얇은 다중벽 탄소나노튜브(40)로 합성될 수 있다.
또한, 상기와 같이 예를 들어, Zn/Ni의 다중 박막의 촉매을 이용하면 저온에서 PECVD법으로 다중벽 탄소나노튜브를 기판(10) 성장시킴에도 직경이 작은 다중벽 탄소나노튜브를 합성할 수 있다.
도 6은 다중 박막 구조의 촉매층(30)을 이용하여 합성된 탄소나노튜브(40)의 라만 스펙트럼 측정(Raman spectra measurement) 결과 그래프 및 G/D 비율(ratio)을 보여준다. 탄소나노튜브(40)의 품질(quality)은 G(graphite peak) 와 D(disorder-peak)의 비율(ratio) 즉, G/D 비율(ratio)로 나타낼 수 있다.
도 6에서, G/D 비율 0.84는 촉매층(30)을 아연(Zn)층 7nm 와 니켈(Ni) 층 7nm의 2층 구조로 총 14nm 두께로 형성한 경우에 대해 얻어진 것이다. G/D 비율 0.97은 촉매층(30)을 아연(Zn)층 3nm 와 니켈(Ni)층 3nm를 교대로 4층 구조로 총 12nm 두께로 형성한 경우에 대해 얻어진 것이다. 촉매층(30)을 4층의 다중 박막 구조로 형성할 때가 2층 구조로 형성한 경우에 비해 촉매의 G/D 비율이 우수함을 알 수 있다.
한편, 도 7은 도 4a의 다중 박막 구조의 촉매층을 이용하여 합성된 탄소나노튜브 및 그 첨단부의 TEM 이미지를 보여준다. 도 7에 보여진 바와 같이, 탄소나노튜브의 첨단부에는 상기 촉매층을 이루는 다중 박막 구조가 존재할 수 있다. 도 7에서는 촉매층이 Zn 층, Ni 층, Zn층, Ni층 순서로 적층되어 이루어진 경우, 이러한 다중 박막으로 된 촉매가 탄소나노튜브의 첨단부에 그대로 존재함을 보여준다.
따라서, 탄소나노튜브(40) 끝단에 남아 있는 촉매 금속의 선택적 제거 과정을 통하여 산화 아연 나노 막대와 같은 와이드-밴드갭(wide-bandgap) 물질과의 혼합 구조가 가능해질 수 있다.
도 8 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 형성 방법에 의해 형성된 탄소나노튜브(40)에 나노구조체(60)를 성장시켜 하이브리드 구조(50)를 형성하는 방법을 보여준다.
먼저, 하이브리드 구조(50)를 형성하기 위해, 기판(10) 상에 전술한 본 발명의 일 실시예와 동일 또는 유사한 과정을 통해 탄소나노튜브(40)를 형성한다. 그런 다음, 탄소나노튜브(40)에 나노구조체(60)를 성장시키면 도 9에서와 같은 하이브리드 구조(50)를 만들 수 있다.
전술한 바와 같이, 촉매층(30)이 아연(Zn)을 포함하는 경우, 성장된 탄소나노튜브(40)의 첨단부에 남은 촉매 물질이 아연(Zn)을 포함할 수 있다.
한편, 상기 나노구조체(60) 성장 전에 성장된 탄소나노튜브(40) 첨단부에 Zn만이 남도록 촉매층(30) 물질을 선택적으로 제거할 수 있다. 이러한 촉매층(30) 물질의 선택적 제거는 예를 들어, 레이저나 플라즈마를 이용한 후처리를 통해 이루어질 수 있다. 도 8에서는 예시적으로 촉매층(30) 물질의 선택적으로 제거에 의해 탄소나노튜브(40) 첨단부에 남겨진 아연(Zn)층(41)을 보여준다.
상기와 같이, 탄소나노튜브(40) 첨단부에 아연(Zn)이 존재하는 경우, 상기 나노구조체(60)는 이 아연(Zn)를 시드로 하여 산화 아연(ZnO) 나노 구조체 즉, 산화 아연(ZnO) 나노 막대로 형성될 수 있다. 이 경우, 탄소나노튜브(40)와 여기에 성장된 산화 아연(ZnO) 나노 막대로 이루어진 하이브리드 구조(50)가 얻어질 수 있다.
상기 나노 구조체는 예를 들어, hydrothermal growth 방법에 의해 다음과 같이 형성될 수 있다. 상기와 같이 첨단부에 아연(Zn)이 존재하는 탄소나노튜브(40)가 형성된 기판(10)을, 헥사메틸렌아민(Hexamethylenamine) 수용액에 담근다. 그리고, 상기 기판(10)이 담궈져 있는 헥사메틸렌아민 수용액을 중탕 가열하면서, 이 헥사메틸렌아민 수용액에 질산아연(Zinc nitrate) 수용액을 부가하면, 탄소나노튜브(40)의 첨단부에 존재하는 아연(Zn)을 시드(seed)로 하여, 탄소나소튜브에 산화 아연(ZnO) 나노 막대로 성장될 수 있다.
한편, 상기 나노구조체(60) 예컨대, 산화 아연 나노 막대는 알려져 있는 바와 같이, N-형 반도체 특성을 가지도록 형성될 수 있다. 따라서, 하이브리드 구조(50)에서 상기 탄소나노튜브(40)는 바람직하게는, P-형 반도체 특성을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 탄소나노튜브(40)는, 반도체 특성이나 도체 특성을 가지도록 형성될 수 있으므로, 상기 하이브리드 구조(50)에서 탄소나노튜브(40)를 P-형 반도체 특성을 가지도록 형성하는 것이 가능하다.
이와 같이, 탄소나노튜브(40)가 P-형 반도체 특성을 가지도록 형성하고, N-형 반도체 특성을 가지도록 나노구조체(60)를 형성함에 의해, 탄소나노튜브(40)와 나노구조체(60)(예컨대, 산화 아연 나노 막대) 사이에는 p-n 접합(junction:70)이 형성될 수 있다.
이러한 하이브리드 구조(50)에 전류를 흘러주면, 상기 p-n 접합(70)에서 전자와 정공이 결합하여 광이 발생할 수 있다. 따라서, 이러한 하이브리드 구조(50)를 적용하면 자체적으로 칼라 발광하는 디바이스를 구성할 수 있다.
도 10은 도 9를 참조로 설명한 하이브리드 구조(50)를 적용한 발광 디바이스의 일 실시예를 개략적으로 보여준다.
도 10을 참조하면, 발광 디바이스는, 기판(10)과, 이 기판(10) 상에 형성되는 탄소나노튜브(40)와 나노 구조체의 하이브리드 구조(50)와, 상기 하이브리드 구 조(50)와 전기적으로 연결된 제1 및 제2전극(80)(90)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 하이브리드 구조(50)에서, 상기 나노구조체(60)는 산화 아연(ZnO)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 나노구조체(60)는 산화 아연(ZnO) 나노막대일 수 있다.
상기 탄소나노튜브(40)와 나노구조체(60) 사이에는 p-n 접합(70)이 존재할 수 있으며, 상기 제1 및 제2전극(80)(90)을 통하여 전류를 인가할 때, 상기 p-n 접합(70)에서 전자와 정공이 결합하여 광이 발생할 수 있다.
도 10에서는 제1전극(80)이 기판(10)과 버퍼층(20) 사이에 위치되고, 제2전극(90)이 하이브리드 구조(50) 상에 위치되는 것으로 도시하였는데, 제1전극(80)의 위치는 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 버퍼층(20)을 전극층으로 사용할 수 있도록 형성하고, 상기 제1전극(80)은 생략될 수도 있다.
상기 제2전극(90)은 투명 전극으로 이루어진 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판(10)으로 투명 기판을 선택하는 경우, 상기 제1전극(80)도 투명 전극으로 이루어진 것이 바람직하다.
상기와 같은 하이브리드 구조(50)를 적용한 발광 디바이스는 탄소나노튜브(40)와 나노구조체(60) 사이의 p-n 접합(70)에서 칼라 광이 발생할 수 있으므로, 자체 칼라 광의 발광이 가능하다.
이러한 본 발명에 따른 발광 디바이스는, 액정 디스플레이용 백라이트에 적용될 수 있다. 이와 같이 본 발명에 따른 발광 디바이스는 자체 발광이 가능하므로, 액정 디스플레이용 백라이트에 적용될 때, 저전압 형광체 등의 사용을 요구하 지 않을 수 있다.
본 발명에 따른 발광 디바이스는, 액정 디스플레이용 백라이트 이외에도 다양한 분야에 적용될 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브 형성방법을 보여준다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브를 형성하기 위하여, 유리(glass) 기판 상에, 200 nm 두께의 크롬 버퍼층, 3nm 두께의 아연(Zn)층과 3nm 두께의 니켈(Ni)층을 교대로 2번 반복하여 형성한 12nm 두께의 다중 박막 구조 촉매층을 적층한 구조를 보여준다.
도 4b는 도 4a의 적층 구조의 표면을 암모니아 가스로 50W 처리 파워로 플라즈마 처리한 후의 AFM 이미지를 보여준다.
도 4c는 도 4b에서와 같이 표면 처리하여 촉매 그레인을 형성한 후에 성장시킨 탄소나노튜브의 SEM 이미지를 보여준다.
도 5a는 비교예로서, 유리(glass) 기판 상에, 200 nm 두께의 크롬 버퍼층, 니켈(Ni)로 이루어진 15nm 두께의 촉매층을 적층한 구조를 보여준다.
도 5b는 도 5a의 적층 구조의 표면을 암모니아 가스로 50W 처리 파워로 플라즈마 처리한 후의 AFM 이미지를 보여준다.
도 5c는 도 5b에서와 같이 표면 처리하여 촉매 그레인을 형성한 후에 성장시킨 탄소나노튜브의 SEM 이미지를 보여준다.
도 6은 다중 박막 구조의 촉매층을 이용하여 합성된 탄소나노튜브의 라만 스펙트럼 측정(Raman spectra measurement) 결과 그래프 및 G/D 비율(ratio)을 보여준다.
도 7은 도 4a의 다중 박막 구조의 촉매층을 이용하여 합성된 탄소나노튜브 및 그 첨단부의 TEM 이미지를 보여준다.
도 8 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 형성 방법에 의해 형성된 탄소나노튜브에 나노구조체를 성장시켜 하이브리드 구조를 형성하는 방법을 보여준다.
도 10은 도 9를 참조로 설명한 하이브리드 구조를 적용한 발광 디바이스의 일 실시예를 개략적으로 보여준다.

Claims (24)

  1. (가) 기판 상에 탄소나노튜브의 성장을 촉진시키는 촉매층을 다중 박막 구조로 형성하는 단계;
    (나) 상기 촉매층에 탄소가 포함된 가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 촉매층은 Zn를 포함하는 적어도 하나의 제1층과 Zn을 포함하지 않는 적어도 하나의 제2층을 포함하며, 상기 제1층과 제2층이 교대로 적층된 탄소나노튜브 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2층은 Ni을 포함하는 탄소나노튜브 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 촉매층은 촉매 그레인을 형성하도록 표면처리되는 탄소나노튜브 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 촉매 그레인 형성은 플라즈마 처리, 레이저 처리 또는 열처리에 의해 이루어지는 탄소나노튜브 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 탄소를 함유하는 가스는 CH4, C2H2, C2H4, C2H6, CO 및 CO2로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나의 가스이고, 상기 탄소를 함유하는 가스는 수소 가스(H2), 질소 가스(N2), 산소 가스(O2), 수증기(H2O) 및 아르곤 가스(Ar)로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나의 가스와 함께 주입되는 탄소나노튜브 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판과 촉매층 사이에 버퍼층;을 더 포함하는 탄소나노튜브 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 촉매층은 Zn를 포함하는 적어도 하나의 제1층과 Ni을 포함하는 적어도 하나의 제2층을 포함하며, 상기 제1 및 제2층이 교대로 적층되고,
    상기 촉매층은 촉매 그레인을 형성하도록 표면처리되며,
    상기 기판과 촉매층 사이에 버퍼층;을 구비하는 탄소나노튜브 형성방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 촉매층 물질은 Zn을 포함하며, 상기 성장된 탄소나노튜브 끝단에 Zn가 남도록 촉매층 물질을 선택적으로 제거하는 단계;를 더 포함하는 탄소나노튜브 형성방법.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 의해 탄소나노튜브를 형성하는 단계;
    상기 탄소나노튜브에 나노구조체를 성장시켜 하이브리드 구조를 만드는 단계;를 포함하는 하이브리드 구조 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 성장된 탄소나노튜브 끝단에 남은 촉매층 물질은 Zn을 포함하며,
    상기 나노구조체는 ZnO를 포함하는 하이브리드 구조 형성 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 나노구조체는 상기 성장된 탄소나노튜브 끝단에 남은 촉매층 물질인 Zn을 시드로 하여 성장되는 하이브리드 구조 형성 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 탄소나노튜브와 상기 나노구조체 사이에 p-n 접합을 형성하는 하이브리드 구조 형성 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 촉매층 물질은 Zn을 포함하며, 상기 나노구조체 성장 전에 상기 성장된 탄소나노튜브 끝단에 Zn가 남도록 촉매층 물질을 선택적으로 제거하는 단계;를 더 포함하는 하이브리드 구조 형성 방법.
  15. 기판 상에 형성되며, 첨단부에 촉매로 사용된 다중 박막이 존재하는 탄소나노튜브.
  16. 제15항에 있어서, 상기 다중 박막은 Zn를 포함하는 적어도 하나의 제1층과 Zn를 포함하지 않는 적어도 하나의 제2층을 포함하며, 상기 제1층과 제2층이 교대로 적층된 탄소나노튜브.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2층은 Ni를 포함하는 탄소나노튜브.
  18. 제16항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 끝단에 Zn가 남도록 상기 다중 박막이 선택적으로 제거되는 탄소나노튜브.
  19. 기판 상에 다중 박막의 촉매를 이용하여 형성된 탄소나노튜브; 및
    상기 탄소나노튜브에 성장된 나노구조체를 포함하는 하이브리드 구조.
  20. 제19항에 있어서, 상기 탄소나노튜브와 나노구조체 사이에 p-n 접합이 형성되는 하이브리드 구조.
  21. 제19항에 있어서, 상기 나노구조체는 ZnO를 포함하는 하이브리드 구조.
  22. 제21항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 첨단부에는 촉매 물질로 사용된 Zn가 존재하며, 상기 나노구조체는 상기 Zn를 시드로 하여 형성된 하이브리드 구조.
  23. 기판과,
    상기 기판 상에 청구항 19항 내지 22항 중 어느 한 항의 하이브리드 구조와;
    상기 하이브리드 구조와 전기적으로 연결된 전극;을 포함하는 발광 디바이스.
  24. 제23항에 있어서, 액정 디스플레이용 백라이트에 적용되는 발광 디바이스.
KR1020070107432A 2007-10-24 2007-10-24 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그형성 방법 및 발광 디바이스 KR20090041765A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070107432A KR20090041765A (ko) 2007-10-24 2007-10-24 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그형성 방법 및 발광 디바이스
US12/232,246 US20090121219A1 (en) 2007-10-24 2008-09-12 Carbon nanotubes, method of growing the same, hybrid structure and method of growing the hybrid structure, and light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070107432A KR20090041765A (ko) 2007-10-24 2007-10-24 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그형성 방법 및 발광 디바이스

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090041765A true KR20090041765A (ko) 2009-04-29

Family

ID=40622868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070107432A KR20090041765A (ko) 2007-10-24 2007-10-24 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그형성 방법 및 발광 디바이스

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20090121219A1 (ko)
KR (1) KR20090041765A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190084263A (ko) * 2016-11-09 2019-07-16 아익스트론 에스이 레이저 빔을 사용하여 구조화된 시드 층을 생성하기 위한 방법 및 상응하는 장치
KR102396863B1 (ko) * 2020-11-17 2022-05-10 한국전기연구원 황 담지 탄소나노튜브 전극의 제조 방법，이로부터 제조되는 황 담지 탄소나노튜브 전극 및 이를 포함하는 리튬­황 전지

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8951631B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
US8158217B2 (en) * 2007-01-03 2012-04-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber and method therefor
US20090081441A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Lockheed Martin Corporation Fiber Tow Comprising Carbon-Nanotube-Infused Fibers
US20090081383A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Lockheed Martin Corporation Carbon Nanotube Infused Composites via Plasma Processing
US8333900B1 (en) * 2008-06-27 2012-12-18 E I Du Pont De Nemours And Company Selective etching of single walled carbon nanotubes
US8585934B2 (en) 2009-02-17 2013-11-19 Applied Nanostructured Solutions, Llc Composites comprising carbon nanotubes on fiber
CN102333906B (zh) * 2009-02-27 2015-03-11 应用纳米结构方案公司 使用气体预热法的低温cnt生长
US20100227134A1 (en) 2009-03-03 2010-09-09 Lockheed Martin Corporation Method for the prevention of nanoparticle agglomeration at high temperatures
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
KR20120017034A (ko) 2009-04-24 2012-02-27 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. Ｃｎｔ 기반 시그니처 제어 물질
AU2010245098B2 (en) 2009-04-27 2014-11-13 Applied Nanostructured Solutions, Llc. CNT-based resistive heating for deicing composite structures
EP2461953A4 (en) 2009-08-03 2014-05-07 Applied Nanostructured Sols USE OF NANOPARTICLES IN COMPOSITE FIBERS
BR112012010907A2 (pt) 2009-11-23 2019-09-24 Applied Nanostructured Sols "materiais compósitos de cerâmica contendo materiais de fibra infundidos em nanotubo de carbono e métodos para a produção dos mesmos"
KR20120089344A (ko) 2009-11-23 2012-08-09 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. Ｃｎｔ 맞춤형 복합재 공기 기반의 구조체
CA2780354A1 (en) 2009-12-14 2011-11-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc Flame-resistant composite materials and articles containing carbon nanotube-infused fiber materials
US9167736B2 (en) 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
US8999453B2 (en) 2010-02-02 2015-04-07 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon nanotube-infused fiber materials containing parallel-aligned carbon nanotubes, methods for production thereof, and composite materials derived therefrom
CN102934267A (zh) 2010-03-02 2013-02-13 应用奈米结构公司 具注入碳纳米管电极材料螺旋缠绕式电气装置及其制造方法及装置
WO2011109485A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions,Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US9017854B2 (en) 2010-08-30 2015-04-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Structural energy storage assemblies and methods for production thereof
CN104475313B (zh) 2010-09-14 2017-05-17 应用奈米结构公司 长有碳纳米管玻璃基板及其制造方法
US8815341B2 (en) 2010-09-22 2014-08-26 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon fiber substrates having carbon nanotubes grown thereon and processes for production thereof
EP2619767A2 (en) 2010-09-23 2013-07-31 Applied NanoStructured Solutions, LLC Cnt-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
JP2013545700A (ja) 2010-10-18 2013-12-26 スモルテク アクティエボラーグ ナノ構造体デバイス及びナノ構造体の製造方法
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
US9656246B2 (en) * 2012-07-11 2017-05-23 Carbice Corporation Vertically aligned arrays of carbon nanotubes formed on multilayer substrates
JP2014237557A (ja) * 2013-06-06 2014-12-18 東京エレクトロン株式会社 カーボンナノチューブ成長方法
WO2014192955A1 (ja) * 2013-05-29 2014-12-04 東京エレクトロン株式会社 グラフェンの生成方法及びカーボンナノチューブの成長方法
CN111293072B (zh) * 2018-12-10 2023-06-20 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6794265B2 (en) * 2001-08-02 2004-09-21 Ultradots, Inc. Methods of forming quantum dots of Group IV semiconductor materials
US20050045867A1 (en) * 2002-10-30 2005-03-03 Ozkan Cengiz S. Nanoscale heterojunctions and methods of making and using thereof
US6875274B2 (en) * 2003-01-13 2005-04-05 The Research Foundation Of State University Of New York Carbon nanotube-nanocrystal heterostructures and methods of making the same
EP1634334A1 (en) * 2003-04-04 2006-03-15 Startskottet 22286 AB Nanowhiskers with pn junctions and methods of fabricating thereof
US7189455B2 (en) * 2004-08-02 2007-03-13 The Research Foundation Of State University Of New York Fused carbon nanotube-nanocrystal heterostructures and methods of making the same
WO2007001098A1 (en) * 2005-06-25 2007-01-04 Seoul Opto Device Co., Ltd. Nanostructure having a nitride-based quantum well and light emitting diode employing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190084263A (ko) * 2016-11-09 2019-07-16 아익스트론 에스이 레이저 빔을 사용하여 구조화된 시드 층을 생성하기 위한 방법 및 상응하는 장치
KR102396863B1 (ko) * 2020-11-17 2022-05-10 한국전기연구원 황 담지 탄소나노튜브 전극의 제조 방법，이로부터 제조되는 황 담지 탄소나노튜브 전극 및 이를 포함하는 리튬­황 전지
WO2022107907A1 (ko) * 2020-11-17 2022-05-27 한국전기연구원 황 담지 탄소나노튜브 전극의 제조 방법, 이로부터 제조되는 황 담지 탄소나노튜브 전극 및 이를 포함하는 리튬-황 전지

Also Published As

Publication number Publication date
US20090121219A1 (en) 2009-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090041765A (ko) 탄소나노튜브 및 그 형성 방법, 하이브리드 구조 및 그형성 방법 및 발광 디바이스
TWI465391B (zh) Carbon nanotube aggregate and manufacturing method thereof
Lan et al. Physics and applications of aligned carbon nanotubes
US8048256B2 (en) Carbon nanotube film structure and method for fabricating the same
CN105492126B (zh) 由组合的石墨烯和导电纳米丝超声喷涂导电且透明的膜
JP3853333B2 (ja) ナノ構造体を含む電界放出アレイの製造方法
WO2009139331A9 (ja) 炭素線および炭素膜からなるナノ構造体およびそれらの製造方法
JP2008255003A (ja) カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子
US20170096338A1 (en) Nanotube-nanohorn complex and method of manufacturing the same
Terrones et al. The carbon nanocosmos: novel materials for the twenty-first century
WO2007061078A1 (ja) カーボンナノチューブ、これを備えた基板及び電子放出素子、カーボンナノチューブ合成用基板、及びそれらの製造方法並びに製造装置
JP2006224296A (ja) カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブ構造体を利用した電界放出素子及びその製造方法
JP2010254571A (ja) カーボンナノチューブフィルム及びその製造方法、発光装置
JP2007123280A (ja) ＺｎＯの突起物を有するカーボンナノチューブ
JP2007182374A (ja) 単層カーボンナノチューブの製造方法
JP5182237B2 (ja) 電子源電極の製造方法
Li et al. Dependence of optimum thickness of ultrathin diamond-like carbon coatings over carbon nanotubes on geometric field enhancement factor
JP2007319761A (ja) 炭素系ナノ材料生成用触媒組成物、炭素系ナノ材料デバイス、電子放出素子用カソード基板及びその作製方法、並びに電子放出素子デバイス及びその作製方法
Parveen et al. Improved field emission properties of carbon nanotubes by dual layer deposition
JP2010052961A (ja) カーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブ
KR100868941B1 (ko) 무촉매 탄소 나노 튜브를 이용한 유기 발광 디스플레이소자 및 그의 제조 방법
JP2006261108A (ja) 冷陰極電子源、その製造方法ならびに表示装置
Xu et al. Fe Complex-Based Catalyst System for the Chirality-Selected Continuous Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes
Rochanachirapar et al. Influence of gas atmosphere during laser surface treatment of CNT cathode
Sharma et al. Influence of Fe nanoparticles diameters on the structure and electron emission studies of carbon nanotubes and multilayer graphene

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20071024

N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20081120

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid