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KR20090002313A - Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR20090002313A
KR20090002313A KR1020070063665A KR20070063665A KR20090002313A KR 20090002313 A KR20090002313 A KR 20090002313A KR 1020070063665 A KR1020070063665 A KR 1020070063665A KR 20070063665 A KR20070063665 A KR 20070063665A KR 20090002313 A KR20090002313 A KR 20090002313A
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light emitting
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substrate
semiconductor light
semiconductor
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김창태
이태희
정현민
남기연
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주식회사 에피밸리
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Abstract

A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve external quantum efficiency by removing debris remaining in an element in a scribing process. A semiconductor light emitting device includes a sapphire substrate(100). A buffer layer(200) is epitaxial-grown on a sapphire substrate. The n-type nitride semiconductor layer(300) is epitaxial-grown on the buffer layer. An active layer(400) is epitaxial-grown on the n-type nitride semiconductor layer. A p-type nitride semiconductor layer(500) is epitaxial-grown on the active layer. A transparent electrode layer(600) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. A p contact metal layer(700) is formed on the transparent electrode layer. An n contact metal layer is formed on the n-type nitride semiconductor layer in which the p-type nitride semiconductor layer and the active layer are mesa-etched and exposed.

Description

반도체 발광소자 및 반도체 발광소자를 제조하는 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}A method for manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device {SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device;

도 2는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 복수개의 반도체층과 기판 사이의 계면을 확대하여 나타내는 도면,3 is an enlarged view of an interface between a plurality of semiconductor layers and a substrate of a semiconductor light emitting device according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 실제 사진,4 is an actual photograph of a semiconductor light emitting device according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 단면의 일 예를 나타내는 사진,5 is a photograph showing an example of a cross section of a semiconductor light emitting device according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 스캐터링 면의 전체 형상을 볼 수 있도록 얻어진 사진의 일 예를 나타내는 도면,6 is a view showing an example of a photograph obtained to see the overall shape of the scattering surface according to the present invention,

도 7은 식각 전의 사진.7 is a photo before etching.

본 발명은 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 대표적으로 기판에 형성된 돌기를 이용하여 반도체층에 외부양자효율의 향상을 위한 스캐터링 면을 형성한 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관 한 것이다. 여기서 3족 질화물 반도체는 GaN계 반도체를 의미하지만, SiCN와 같은 반도체를 추가적으로 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light emitting device, a group III nitride semiconductor light emitting device having a scattering surface for improving the external quantum efficiency in the semiconductor layer using a protrusion formed on the substrate typically It is about the manufacturing method. Here, the group III nitride semiconductor means a GaN-based semiconductor, but does not exclude the additional inclusion of a semiconductor such as SiCN.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 사파이어 기판(1), 사파이어 기판(1) 위에 성장된 n형 질화물 반도체층(2) 및 p형 질화물 반도체층(3)로 이루어진다. n형 질화물 반도체층(2)과 p형 질화물 반도체층(3) 사이의 경계면인 활성층으로부터 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 발생하며, 발생된 빛이 발광소자 외부로 나옴으로써 소자로서 기능한다. 한편 생성된 빛 중의 일부는 소자와 외부 사이의 굴절률 차이로 인해 소자 내부에서 소멸되며, 이렇게 소멸되는 빛을 줄이기 위해서 빛의 경로를 변환하도록 스캐터링하는 면이 p형 질화물 반도체층(3)의 표면에 형성되어 있다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device, wherein the semiconductor light emitting device includes a sapphire substrate 1, an n-type nitride semiconductor layer 2 and a p-type nitride semiconductor layer 3 grown on the sapphire substrate 1. ) Light is generated by the recombination of electrons and holes from the active layer, which is an interface between the n-type nitride semiconductor layer 2 and the p-type nitride semiconductor layer 3, and the generated light comes out of the light emitting element to function as an element. On the other hand, some of the generated light is extinguished inside the device due to the difference in refractive index between the device and the outside, the surface of the p-type nitride semiconductor layer 3 is scattered so as to convert the path of light in order to reduce the extinction light It is formed in.

본 발명은 발광소자의 외부양자효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light emitting device that can improve the external quantum efficiency of the light emitting device.

또한 본 발명은 단위 소자의 스크라이빙 공정에서 소자에 잔존하는 잔류물(debris)을 제거하여 발광소자의 외부양자효율을 향상시킨 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing a semiconductor light emitting device to improve the external quantum efficiency of the light emitting device by removing the debris remaining in the device in the scribing process of the unit device .

또한 본 발명은 기판에 구비된 패턴 또는 돌기에 의해 반도체층 측에 형성된 스캐터링 면을 이용하여 외부양자효율을 향상시킨 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the external quantum efficiency is improved by using a scattering surface formed on the semiconductor layer side by a pattern or a projection provided on the substrate.

이를 위해 본 발명은 돌기가 형성된 기판; 기판 위에 형성되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층; 기판과 복수개의 반도체층의 계면에서 돌기로부터 이격되어 있으며, 활성층에서 생성된 빛의 외부 취출을 향상시키도록 형성된 스캐터링 면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다. 바람직하게는 기판은 사파이어로 이루어지며, 복수개의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어진다. 이때 활성층은 주로 InGaN으로 이루어진다. 복수개의 반도체층의 최하층에서는 기판과의 불일치(mismatch)을 해소하기 위해 버퍼층이 이용될 수 있는데, 이 버퍼층은 AlGaN, AlN, SiC와 같은 물질로 이루어질 수 있다.To this end, the present invention is a projection formed substrate; A plurality of semiconductor layers formed on the substrate and having an active layer that generates light by recombination of electrons and holes; And a scattering surface spaced apart from the projections at the interface between the substrate and the plurality of semiconductor layers and formed to improve the external extraction of the light generated in the active layer. Preferably, the substrate is made of sapphire, and the plurality of semiconductor layers are made of a group III nitride semiconductor. At this time, the active layer is mainly composed of InGaN. In the lowermost layer of the plurality of semiconductor layers, a buffer layer may be used to eliminate mismatch with the substrate, and the buffer layer may be made of a material such as AlGaN, AlN, or SiC.

또한 본 발명은 스캐터링 면이 활성층을 향하여 위로 볼록한 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a semiconductor light emitting device characterized in that the scattering surface is convex upward toward the active layer.

또한 본 발명은 스캐터링 면과 기판 사이의 간격이 복수개의 반도체층 내부로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a semiconductor light emitting device, characterized in that the distance between the scattering surface and the substrate becomes smaller toward the inside of the plurality of semiconductor layers.

또한 본 발명은 기판 위에 형성되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층; 기판과 복수개의 반도체층의 계면으로부터 이격되어 있으며, 활성층에서 생성된 빛의 외부 취출을 향상시키도록 복수개의 반도체층의 측면에 형성되고, 활성층을 향하여 위로 볼록한 형상인 스캐터링 면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.In addition, the present invention is formed on a substrate, a plurality of semiconductor layers having an active layer for generating light by recombination of electrons and holes; And a scattering surface spaced apart from an interface between the substrate and the plurality of semiconductor layers and formed on the side surfaces of the plurality of semiconductor layers so as to improve the external extraction of light generated in the active layer and convex upwardly toward the active layer. A semiconductor light emitting device is provided.

또한 본 발명은 스캐터링 면이 습식 식각을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a semiconductor light emitting device, characterized in that the scattering surface is formed through wet etching.

또한 본 발명은 기판이 복수개의 돌기가 구비된 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a semiconductor light emitting device, characterized in that the substrate is a sapphire substrate with a plurality of projections.

또한 본 발명은 기판 위에 복수개의 질화물 반도체층을 성장시키는 제1 단계; 복수개의 질화물 반도체층을 스크라이빙하는 제2 단계; 스크라이빙된 면을 통해 기판과 복수개의 질화물 반도체층 사이의 계면을 식각하여 스캐터링 면을 형성하는 제3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다. 스크라이빙은 레이저 및/또는 다이아몬드 커터에 의해 이루어질 수 있으며, 공정 속도의 관점에서는 레이저가 바람직하다. 다만 레이저를 사용하는 경우에 스크라이빙 후 소자에 잔류물이 생성되어 소자의 외부양자효율에 좋지 못한 영향을 줄 수 있다. 식각은 건식 식각 및/또는 습식 식각 모두가 가능하나, 습식 식각을 이용하는 것이 바람직하다.In addition, the present invention comprises a first step of growing a plurality of nitride semiconductor layers on a substrate; Scribing a plurality of nitride semiconductor layers; And etching the interface between the substrate and the plurality of nitride semiconductor layers through the scribed surface to form a scattering surface. Scribing can be done by laser and / or diamond cutter, with laser being preferred in terms of process speed. However, in the case of using a laser, residues are generated in the device after scribing, which may adversely affect the external quantum efficiency of the device. Etching may be both dry etching and / or wet etching, but it is preferable to use wet etching.

또한 본 발명은 제1 단계에 앞서, 기판에 돌기를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다. 기판에 돌기 즉 패턴을 형성하는 방법은 당업계에서 널리 알려져 있으며, 원하는 패턴을 형성한 다음 ICP/RIE 에칭을 통해 돌기를 형성할 수 있다. 스캐터링 면의 안정적 형성을 위해 단면이 타원 또는 원형인 돌기를 형성하는 것이 바람직하다.In another aspect, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor light emitting device further comprising the step of forming a projection on the substrate, prior to the first step. Methods of forming protrusions, or patterns, on a substrate are well known in the art, and may form protrusions through ICP / RIE etching after forming a desired pattern. For stable formation of the scattering surface, it is preferable to form protrusions having an elliptical or circular cross section.

또한 본 발명은 제3 단계가 기판의 돌기와 복수개의 질화물 반도체층 사이의 계면을 식각하여 스캐터링 면을 형성하는 것을 특징을 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the third step to form a scattering surface by etching the interface between the substrate and the plurality of nitride semiconductor layers.

또한 본 발명은 제2 단계의 레이저 스크라이빙에서 스크라이빙된 면에 형성 된 잔해가 제3 단계의 습식 식각을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the debris formed on the surface scribed in the laser scribing of the second step is removed through the wet etching of the third step.

이하 도면을 참고로 하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 사파이어 기판(100), 사파이어 기판(100) 위에 에피성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 에피성장되는 n형 질화물 반도체층(300), n형 질화물 반도체층(300) 위에 에피성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 에피성장되는 p형 질화물 반도체층(500), p형 질화물 반도체층(500) 위에 형성되는 투명전극층(600), 투명전극층(600) 위에 형성되는 p측 접촉 금속층(700), p형 질화물 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사 식각되어 노출된 n형 질화물 반도체층 위에 형성되는 n측 접촉금속층(800)을 포함한다. 한편 사파이어 기판(100)에는 질화물 반도체층 측에 스캐터링 면을 형성하기 위한 원형의 돌기(101)가 형성되어 있다.2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present invention, the semiconductor light emitting device is epitaxially grown on the sapphire substrate 100, the sapphire substrate 100, the buffer layer 200, the buffer layer 200 n-type nitride semiconductor layer 300, an active layer 400 epitaxially grown on n-type nitride semiconductor layer 300, p-type nitride semiconductor layer 500 epitaxially grown on active layer 400, p-type nitride semiconductor layer 500 ), The n-type nitride semiconductor layer in which the transparent electrode layer 600 formed on the transparent electrode layer 600, the p-side contact metal layer 700 formed on the transparent electrode layer 600, the p-type nitride semiconductor layer 500 and the active layer 400 are mesa-etched and exposed. And an n-side contact metal layer 800 formed thereon. On the other hand, the sapphire substrate 100 is formed with a circular protrusion 101 for forming a scattering surface on the nitride semiconductor layer side.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 복수개의 반도체층과 기판 사이의 계면을 확대하여 나타내는 도면으로서, 사파이어 기판(100)의 돌기(101)로부터 이격되어 버퍼층(200)에 빛을 스캐터링하는 스캐터링 면(104)이 위를 향해 볼록하게 형성되어 있다. 본 발명은 이러한 스캐터링 면(104)을 이용함으로써 반도체 발광소자의 외부양자효율을 높이는 것이다.3 is an enlarged view of an interface between a plurality of semiconductor layers and a substrate of the semiconductor light emitting device according to the present invention, and is spaced apart from the protrusion 101 of the sapphire substrate 100 to scatter light onto the buffer layer 200. The scattering surface 104 is formed convexly upward. The present invention improves the external quantum efficiency of the semiconductor light emitting device by using the scattering surface 104.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 실제 사진으로서, 사파이어 기판(100)에 돌기(101)가 형성되어 있고, 돌기(100)와 간격을 두고 스캐터링 면(104) 이 형성되어 있다.4 is an actual photograph of a semiconductor light emitting device according to the present invention, in which a protrusion 101 is formed on a sapphire substrate 100, and a scattering surface 104 is formed at an interval from the protrusion 100.

도 5는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 단면의 일 예를 나타내는 사진으로서, 사파이어 기판(100)에 돌기(101)가 형성되어 있으며, 스캐터링 면(104)은 돌기(101)의 형상을 따라 소자 외부로부터 내부로 가면서 돌기(101)와 간격이 좁아진다.5 is a photograph showing an example of a cross section of a semiconductor light emitting device according to the present invention, in which a protrusion 101 is formed on a sapphire substrate 100, and the scattering surface 104 is formed along the shape of the protrusion 101. The distance from the protrusion 101 becomes narrower as it goes from the outside to the inside.

도 6은 본 발명에 따른 스캐터링 면의 전체 형상을 볼 수 있도록 얻어진 사진의 일 예를 나타내는 도면으로서, 돌기가 형성하는 표면보다 훨씬 큰 스캐터링 면이 형성됨을 알 수 있으며, 외부 즉 공기와 반도체층 사이에서 스캐터링 면이 형성된다.6 is a view showing an example of a photograph obtained to see the overall shape of the scattering surface according to the present invention, it can be seen that the scattering surface much larger than the surface formed by the projection is formed, the outside of the air and semiconductor A scattering face is formed between the layers.

도 7은 식각 전의 사진으로서, 점선으로 표시된 부분에 사파이어 기판(100)의 돌기가 보여야 하나, 잔류물(102)에 의해 돌기가 보이지 않고 있다.7 is a photograph before etching, and the projection of the sapphire substrate 100 should be seen in the portion indicated by the dotted line, but the projection is not seen by the residue 102.

스캐터링 면의 형성Formation of scattering face

3족 질화물 반도체 발광소자를 개개의 소자로 절단하는 단계(스크라이빙하는 단계)는 레이저를 사용하여 진행할 수 있으며, 절단면의 깊이 및 너비는 물리적인 힘을 가해 쉽게 개개의 발광소자가 분리될 수 있는 0.5um~30um의 깊이로 형성하는 것이 바람직하다. 0.5um 이하일 경우에는 다이아몬드 팁(tip)을 이용한 절단 방법과 비슷하게 발광소자의 표면을 얇게 절단하여 물리적으로 개개의 발광소자를 분리하는 과정에서 발광소자 표면 및 내부에 균열을 초래하거나 전기적 특성에 불량을 초래할 수 있다. 반대로 30um 이상일 경우에는 발광소자를 만드는 공정 도중에 쉽 게 소자가 깨지는 현상이 발생해서 생산성을 저하되는 문제점을 가질 수 있다.Cutting (scribing) the group III nitride semiconductor light emitting device into individual devices may be performed using a laser, and the depth and width of the cut surface may be easily separated by applying a physical force. It is desirable to form a depth of 0.5um ~ 30um. If the thickness is less than 0.5 μm, the surface of the light emitting device may be physically separated by thinly cutting the surface of the light emitting device similarly to a cutting method using a diamond tip, thereby causing cracks on the surface and the inside of the light emitting device, or defects in electrical characteristics. Can cause. On the contrary, in the case of 30um or more, a phenomenon in which the device is easily broken during the process of making the light emitting device may have a problem of lowering productivity.

3족 질화물 반도체 발광소자의 측면을 식각하는 단계 이전에 보호막을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있고, 보호막은 산화규소, 감광제, 규소 등 식각에 강한 물질 중의 어느 하나 또는 이들 하나 이상의 조합일 수 있다.The method may further include attaching a passivation layer before etching the side surface of the group III nitride semiconductor light emitting device, and the passivation layer may be any one of silicon oxide, a photosensitive agent, silicon, and the like, or a combination of one or more of them. .

3족 질화물 반도체 발광소자의 측면을 식각하는 단계에서는 염산(HCl), 질산(HNO3) 불산(HF), 황산(H2SO4) 또는 인산(H3PO4) 등이 사용될 수 있다. 식각된 측면의 거칠기는 수십 nm 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다. 수십 nm 이상이 되면 불순물 잔해와 같은 역할을 하여 발광소자의 광추출 효율을 떨어뜨릴 수 있다. 이때, 식각액은 150 이상의 온도로 가열된 상태에서 사용되는 것이 바람직하다. 식각액의 온도가 150 이하가 되면 측면의 식각률이 떨어지며, 본 발명에서 소자의 모양을 광추출이 용이하도록 바꾸는데 제한을 갖는다. 한편 건식식각이 이용되는 경우에, BCL3, Cl2, HBr, 또는 Ar이 식각 가스로 사용될 수 있다. 이때 사파이어 기판과 반도체의 계면에서 식각이 일어나는 이유는 이 경계면은 에피성장에 의해 발생하는 서로 다른 물질간의 계면이므로 불안정하여 식각이 활발히 일어나는 것으로 판단된다.In etching the side surface of the group III nitride semiconductor light emitting device, hydrochloric acid (HCl), nitric acid (HNO 3 ) hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (H 3 PO 4 ), or the like may be used. The roughness of the etched side is preferably to be several tens of nm or less. When the thickness is more than several tens of nm, it may act as an impurity debris, thereby reducing the light extraction efficiency of the light emitting device. At this time, the etching solution is preferably used in a state heated to a temperature of 150 or more. When the temperature of the etching solution is 150 or less, the etch rate of the side drops, and the present invention has a limitation in changing the shape of the device to facilitate light extraction. On the other hand, when dry etching is used, BCL 3 , Cl 2 , HBr, or Ar may be used as an etching gas. At this time, the reason that etching occurs at the interface between the sapphire substrate and the semiconductor is because this interface is an interface between different materials generated by epitaxial growth, it is determined that the etching is actively performed.

예를 들어 본 발명에 따른 식각은 초음파로 10분간 처리/건조한 후, 인산(H3PO4)을 사용하여 대략 200도의 식각온도(식각 시작 온도는 210에서 시작, 온도 200도 유지)에서 10분간 식각을 행함으로써 이루어질 수 있다.For example, the etching according to the present invention is treated / dried by ultrasonic for 10 minutes, and then phosphoric acid (H 3 PO 4 ) for 10 minutes at an etching temperature of about 200 degrees (the etching start temperature starts at 210, maintaining the temperature 200 degrees). By etching.

본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 발광소자의 외부양자효율을 향상시킬 수 있게 된다. According to the semiconductor light emitting device and the method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present invention, it is possible to improve the external quantum efficiency of the light emitting device.

또한 본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 소자의 단위 소자의 스크라이빙 공정에서 소자에 잔존하는 잔류물(debris)를 제거하여 발광소자의 외부양자효율을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, according to the method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device according to the present invention, the external quantum efficiency of the light emitting device can be improved by removing debris remaining in the device in the scribing process of the unit device of the device Will be.

또한 본 발명에 따른 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 기판에 구비된 패턴 또는 돌기에 의해 반도체층 측에 형성된 스캐터링 면을 이용하여 외부양자효율을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, according to the method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device according to the present invention, it is possible to improve the external quantum efficiency by using a scattering surface formed on the side of the semiconductor layer by a pattern or a projection provided on the substrate.

Claims (20)

돌기가 형성된 기판;A substrate on which protrusions are formed; 기판 위에 형성되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층;A plurality of semiconductor layers formed on the substrate and having an active layer that generates light by recombination of electrons and holes; 기판과 복수개의 반도체층의 계면에서 돌기로부터 이격되어 있으며, 활성층에서 생성된 빛의 외부 취출을 향상시키도록 형성된 스캐터링 면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And a scattering surface spaced apart from the projections at the interface between the substrate and the plurality of semiconductor layers, the scattering surface being formed to improve the external extraction of the light generated in the active layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 스캐터링 면은 활성층을 향하여 위로 볼록한 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The scattering surface is a semiconductor light emitting device, characterized in that the convex shape toward the active layer upward. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 스캐터링 면과 기판 사이의 간격이 복수개의 반도체층 내부로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A semiconductor light emitting device, characterized in that the gap between the scattering surface and the substrate becomes smaller toward the inside of the plurality of semiconductor layers. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 스캐터링 면과 기판 사이의 간격이 복수개의 반도체층 내부로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A semiconductor light emitting device, characterized in that the gap between the scattering surface and the substrate becomes smaller toward the inside of the plurality of semiconductor layers. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The substrate is a semiconductor light emitting device, characterized in that the sapphire substrate. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The substrate is a semiconductor light emitting device, characterized in that the sapphire substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 활성층은 3족 질화물 반도체로 된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.An active layer is a semiconductor light emitting device, characterized in that the group III nitride semiconductor. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 활성층은 3족 질화물 반도체로 된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.An active layer is a semiconductor light emitting device, characterized in that the group III nitride semiconductor. 기판 위에 형성되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층;A plurality of semiconductor layers formed on the substrate and having an active layer that generates light by recombination of electrons and holes; 기판과 복수개의 반도체층의 계면으로부터 이격되어 있으며, 활성층에서 생성된 빛의 외부 취출을 향상시키도록 복수개의 반도체층의 측면에 형성되고, 활성층을 향하여 위로 볼록한 형상인 스캐터링 면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.And a scattering surface spaced apart from an interface between the substrate and the plurality of semiconductor layers and formed on the side surfaces of the plurality of semiconductor layers so as to improve the external extraction of light generated in the active layer and convex upwardly toward the active layer. A semiconductor light emitting device characterized in that. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 스캐터링 면은 습식 식각을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The scattering surface is a semiconductor light emitting device, characterized in that formed through wet etching. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 활성층은 3족 질화물 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.An active layer is a semiconductor light emitting device, characterized in that the group III nitride semiconductor. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 기판은 복수개의 돌기가 구비된 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The substrate is a semiconductor light emitting device, characterized in that the sapphire substrate with a plurality of projections. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 기판은 돌기를 구비하며,The substrate has a projection, 스캐터링 면은 돌기와 복수개의 질화물 반도체층 사이의 식각 작용에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The scattering surface is a semiconductor light emitting device, characterized in that formed by the etching action between the projection and the plurality of nitride semiconductor layers. 기판 위에 복수개의 질화물 반도체층을 성장시키는 제1 단계;A first step of growing a plurality of nitride semiconductor layers on the substrate; 복수개의 질화물 반도체층을 스크라이빙하는 제2 단계;Scribing a plurality of nitride semiconductor layers; 스크라이빙된 면을 통해 기판과 복수개의 질화물 반도체층 사이의 계면을 식각하여 스캐터링 면을 형성하는 제3 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.And etching the interface between the substrate and the plurality of nitride semiconductor layers through the scribed surface to form a scattering surface. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 제1 단계에 앞서, 기판에 돌기를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.Prior to the first step, forming a protrusion on the substrate; manufacturing method of a semiconductor light emitting device comprising a. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 제3 단계는 기판의 돌기와 복수개의 질화물 반도체층 사이의 계면을 식각하여 스캐터링 면을 형성하는 것을 특징을 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The third step is a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that to form a scattering surface by etching the interface between the substrate and the plurality of nitride semiconductor layers. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 제2 단계는 레이저를 이용하여 행해지며,The second step is done using a laser, 제3 단계는 습식 식각인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The third step is a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the wet etching. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The substrate is a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the sapphire substrate. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 제2 단계의 레이저 스크라이빙에서 스크라이빙된 면에 형성된 잔해가 제3 단계의 습식 식각을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the residue formed on the scribed surface in the second step of laser scribing is removed through the wet etching in the third step. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 스캐터링 면은 활성층을 향하여 위로 볼록한 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The scattering surface has a convex shape upward toward the active layer.
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