KR20080081747A - 표면실장형 발광다이오드 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 표면실장형 발광다이오드 소자에 관한 것으로서, 한 쌍의 리드 단자가 하나 이상 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부를 내측에 수용하고, 빛이 방사되도록 오픈된 방사창을 가지도록 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부에 발광면이 상기 패키지의 방사창을 향하도록 실장되되, 상기 패키지의 내면과 접하지 않도록 실장된 LED 칩과, 상기 LED 칩과 상기 리드프레임의 통전을 위한 전극 연결부 및 상기 패키지 내부에 충진되되, 상기 LED 칩을 감싸도록 충진된 몰딩제를 포함하는 표면실장형 발광다이오드 소자를 제공한다.

발광다이오드, 발광효율, 표면실장형, 패키지

Description

표면실장형 발광다이오드 소자{Surface mounting Type Light Emitting Diode Device}

도 1은 일반적인 표면실장형 발광다이오드 소자의 구조를 나타낸 개략도.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.

도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 본 발명에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 인쇄회로기판 20 : 패키지

50 : 리드프레임 60 : LED 칩

70 : 전극 연결부 80 : 몰딩제

80a : 제1 몰딩제 80b : 제2 몰딩제

본 발명은 발광다이오드 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 LED 칩의 하면으로 방출하는 빛의 소멸을 차단하여 발광다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있는 표면실장형 발광다이오드 소자에 관한 것이다.

발광다이오드(Light Emitting Diode, 이하, LED라 한다)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.

최근 LED 소자는 비약적인 반도체 기술의 발전에 힘입어, 저휘도의 범용제품에서 탈피하여, 고휘도, 고품질의 제품 생산이 가능해졌다. 또한, 고특성의 청색(blue)과 백색(white) 다이오드의 구현이 현실화됨에 따라서, LED는 디스플레이, 차세대 조명원 등으로 그 응용가치가 확대되고 있다. 일 예로서, 표면실장(Surface mounting device) 형태의 LED 소자가 제품화되고 있다.

그러면, 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 소자에 대하여 상세히 설명하기로 한다.

우선, 도 1은 일반적인 표면실장형 LED 소자의 구조를 나타낸 개략도로서, 표면실장형 LED 소자는, 중앙에 캐비티(cavity)가 형성된 몰딩 에폭시 수지 등으로 이루어진 패키지(20)를 가지며, 상기 패키지(20)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(10)에 장착되도록 한 쌍의 리드 단자로 이루어진 리드프레임(50)이 돌출되어 있다. 또한, 상기와 같이 구성된 패키지(20)의 내부에는 LED 칩(도시하지 않음)이 그 발광면이 상기 패키지(20)의 방사창을 향하도록 배치되며, 전극 연결부(도시하지 않음)인 와이어에 의해 상기 리드 단자와 LED 칩이 연결되어 있다.

이하, 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.

도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자는 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임(50)과, 상기 리드프레임(50)의 일부를 내측에 수용하도록 합성수지재로 형성된 패키지(20)와, 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50) 상에 수직 실장된 LED 칩(60)과, 상기 패키지(20) 내부에 충진되어 LED 칩(60)을 보호하는 몰딩제(80)로 이루어진다. 이때, 상기 LED 칩(60)은 상기 LED 칩과 패키지(20) 사이 계면에 위치하는 투명 에폭시(90)를 통해 패키지(20) 상에 고정된다.

한편, 일반적으로 LED 칩의 특성을 결정하는 일반적인 기준은 색(color), 휘도, 휘도의 세기 범위등이며, 이러한 LED 칩의 특성은 1차적으로 LED 칩에 사용되는 화합물 반도체의 재료에 의해 결정되지만, 부수적으로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 영향을 받는다. 특히, 이러한 LED 패키지의 구조는 휘도와 휘도의 각 분포에 큰 영향을 미치게 된다.

그런데, 상술한 종래의 발광다이오드 소자는 상기 LED 칩을 패키지(20) 내부에 실장하기 위하여 상기 LED 칩(60)의 하면과 상기 패키지(20) 사이 계면에 투명 에폭시(90)를 위치시킨 다음, 투명 에폭시(90)를 통해 LED 칩을 패키지(20) 내에 고정시키고 있다.

상기와 같이, 상기 LED 칩(60)을 상기 패키지(20) 내의 리드프레임(50) 상에 고정시키기 위한 본딩 수단으로 투명 에폭시(90)를 이용하게 되면 LED 칩(60)의 본딩 공정 시, LED 칩(60)에 의해 투명 에폭시(90)가 눌리는 동시에 LED 칩(60)의 하면이 그 아래 위치하는 리드프레임(50)과 접하게 된다.

그러나, 상기 LED 칩(60)이 그 아래 위치하는 리드프레임(50)과 접하게 되면, LED 칩(60)에서 발광하는 빛 중 바닥면으로 발광하는 빛이 리드프레임(50)에 의해 LED 칩(60) 내부로 반사되므로, LED 칩(60) 상태에서 발광하는 광도에 비하여 패키지(20) 내에 실장된 후에 발광하는 광도가 낮아지는 문제가 있다. 즉, LED 칩의 발광효율이 떨어지게 된다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 상기 패키지 내에 LED 칩을 패키지의 내면 및 리드프레임과 접하지 않도록 실장함으로써, LED 칩에서 발광하는 광의 일부분이 반사되어 LED 칩 내부로 흡수 및 산란되어 소 멸되는 것을 차단하여 소자의 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광다이오드 소자를 제공하는 데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 한 쌍의 리드 단자가 하나 이상 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부를 내측에 수용하고, 빛이 방사되도록 오픈된 방사창을 가지도록 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부에 발광면이 상기 패키지의 방사창을 향하도록 실장되되, 상기 패키지의 내면과 접하지 않도록 실장된 LED 칩과, 상기 LED 칩과 상기 리드프레임의 통전을 위한 전극 연결부 및 상기 패키지 내부에 충진되되, 상기 LED 칩을 감싸도록 충진된 몰딩제를 포함하는 표면실장형 발광다이오드 소자를 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 소자에서, 상기 몰딩제는, 상기 LED 칩의 하면과 이와 마주보는 상기 패키지의 리드프레임 사이에 형성된 제1 몰딩제와, 상기 LED 칩의 발광면과 측면을 감싸도록 형성된 제2 몰딩제로 이루어지는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로 상기 제1 몰딩제 및 제2 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 표면실장형 발광다이오드 소자에서, 상기 전극 연결부는, 상기 LED 칩의 전극과 상기 리드프레임의 리드 단자를 연결하기 위한 와이어로 이루어진 것이 바람직하다.

상기한 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명은 한 쌍의 리드 단자가 하나 이상 형성된 리드프레임의 일부를 내측에 수용하는 패키지를 형성하는 단계와, LED 칩의 하면에 제1 몰딩제를 충진하는 단계와, 상기 LED 칩을 상기 패키지 내부의 리드프레임 상에 실장하는 단계와, 상기 LED 칩과 상기 리드프레임을 전극 연결부를 통해 접속시키는 단계 및 상기 LED 칩이 본딩된 상기 패키지 내부에 제2 몰딩제를 충진시키는 단계를 포함하는 고휘도 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 고휘도 발광다이오드 소자의 제조방법에서, 상기 제1 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 형성하고, 상기 제1 몰딩제를 충진하는 단계는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나의 물질을 LED 칩의 하면에 도포하는 단계와, 상기 LED 칩 하면에 도포된 물질을 경화시키는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1 몰딩제는, 상기 리드프레임과 상기 LED 칩 사이 계면이 20㎛ 이상의 높이를 가지도록 충진하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 고휘도 발광다이오드 소자의 제조방법에서, 상기 제2 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 고휘도 발광다이오드 소자의 제조방법에서, 상기 전극 연결부는, 상기 LED 칩의 전극과 상기 리드프레임의 리드 단자를 연결하기 위한 와이어로 형성하는 것이 바람직하다.

상기한 또 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명은 한 쌍의 리드 단자가 하나 이상 형성된 리드프레임의 일부를 내측에 수용하는 패키지를 형성하는 단계와, 상기 패키지 내부의 리드프레임 중 LED 칩 실장 영역과 대응되는 부분에 제1 몰딩제를 충진하는 단계와, 상기 제1 몰딩제 상에 LED 칩을 실장하는 단계와, 상기 LED 칩과 상기 리드프레임을 전극 연결부를 통해 접속시키는 단계 및 상기 LED 칩이 실장된 상기 패키지 내부에 제2 몰딩제를 충진시키는 단계를 포함하는 고휘도 발광다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.

이제 본 발명의 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자 및 그 제조방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.

[표면실장형 발광다이오드 소자의 구조]

우선, 도 3과 앞서 설명한 도 1을 참고하여 본 발명에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 구조에 대하여 상세히 설명한다.

도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 본 발명에 따른 표 면실장형 발광다이오드 소자의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.

도 1 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자는, 중앙에 캐비티(cavity)가 형성된 몰딩 에폭시 수지 등으로 이루어진 패키지(20)를 가지며, 상기 패키지(20)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(10)에 장착되도록 한 쌍의 리드 단자로 이루어진 리드프레임(50)이 돌출되어 있다. 본 실시예에서는 상기 리드프레임(50)이 한 쌍의 리드 단자로 이루어진 것을 예로 들고 있으나, 이는 이에 한정되지 않고 리드 단자가 두 쌍 이상으로 이루어질 수 있다.

또한, 상기와 같이 구성된 패키지(20)의 내부에는 LED 칩(60)이 그 발광면이 상기 패키지(20)의 방사창을 향하도록 실장되어 있다.

특히, 본 발명에 따른 LED 칩(60)은, 상기 패키지(20)의 내부에 배치되되, 상기 패키지(20)의 내면과 접하지 않도록 몰딩제(80)에 의해 전체면 즉, LED 칩(60)의 발광면과 측면 및 하면이 모두 감싸지도록 실장되어 있다.

보다 구체적으로, 상기 LED 칩(60)은, 상기 LED 칩(60)의 하면과 이와 마주보는 상기 패키지(20)의 리드프레임(50) 사이에 형성된 제1 몰딩제(80a)와, 상기 LED 칩(60)의 발광면과 측면을 감싸도록 형성된 제2 몰딩제(80b)에 의해 상기 패키지(20)의 내면과 접하지 않도록 실장되어 있다. 이때, 상기 LED 칩(60) 하면에 충진된 제1 몰딩제(80a)는, 상기 리드프레임(50)과 상기 LED 칩(60) 사이 계면이 20㎛ 이상의 높이를 가지도록 충진되어 상기 LED 칩(60)이 제1 몰딩제(80a) 하면에 위치하는 리드프레임(50)과 접하는 것을 방지하는 것이 바람직하다.

즉, 본 발명에 따르면, 상기 제1 몰딩제(80a)를 통해 상기 LED 칩(60)의 하면이 리드프레임(50)과 접하는 것이 방지됨으로서, LED 칩(60)에서 발광하는 빛이 상기 리드프레임(50)에 의해 LED 칩(60) 내부로 반사되어 손실되는 종래 기술의 문제점을 방지할 수 있다.

이때, 상기 제1 몰딩제(80a) 및 제2 몰딩제(80b)는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 LED 칩(60)의 전극과 상기 리드프레임(50)의 리드 단자는 와이어 등과 같은 전극 연결부(70)를 통해 접속되어 있다.

한편, 상술한 본 실시예에서는 상기 LED 칩(60)의 하면과 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50) 사이 계면에 충진된 제1 몰딩제(80a)를 통해 서로 접하지 않게 하여 리드프레임(50)에 의해 LED 칩(60)에서 발광하는 광 중 일부분이 LED 칩(60) 내부로 반사되어 손실되는 것을 방지하는 본 발명의 기술적 사상을 사이드 뷰(side view) 형의 표면실장형 발광다이오드 소자에 적용하였으나, 이를 탑 뷰(top view) 형의 표면실장형 발광다이오드 소자에 적용하는 것도 가능하다.

[표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법]

실시예 1

먼저, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법에 대하여 도 4a 내지 도 4c와 앞서의 도 3을 참고로 하여 상세히 설명한다.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.

우선, 도 4a에 도시한 바와 같이, LED 칩과 전기신호인가를 위한 한 쌍의 리드 단자를 가지는 리드프레임(50)의 일부를 내측에 수용하는 패키지(20)를 형성한다. 이때, 상기 패키지(20)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(10)에 장착되도록 한 쌍의 리드 단자로 이루어진 리드프레임(50)이 돌출되어 있다.

한편, 본 실시예에서는 한 쌍의 리드 단자로 이루어진 리드프레임(50)을 도시하였으나, 소자의 특성에 따라 두 쌍 이상의 리드 단자로 이루어질 수 있다.

그리고, 도 4b에 도시한 바와 같이, LED 칩(60)의 하면에 제1 몰딩제(80a)를 충진한다.

보다 구체적으로, 상기 제1 몰딩제(80a)는 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나의 물질을 LED 칩(60)의 하면에 도포한 후, 이를 경화시켜 형성한다. 특히, 본 발명에 따른 제1 몰딩제(80a)는 상기 LED 칩(60) 하면으로부터 20㎛ 이상의 높이를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다. 이는 후속 공정인 LED 칩(60) 실장 공정 시, 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50)과 LED 칩(60) 사이 계면이 20㎛ 이상의 높이를 가지게 하여 리드프레임(50)에 LED 칩(60)의 하면이 접하는 것을 방지하기 위함이다.

이어서, 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 LED 칩(60)을 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50) 상에 실장한다. 이때, 상기 LED 칩(60)과 리드프레임(50) 사이 계면은 상기 제1 몰딩제(80a)에 의해 20㎛ 이상의 거리를 유지한다.

그런 다음, 도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 LED 칩(60)과 상기 리드프레임(50)을 와이어 등과 같은 전극 연결부(70)를 통해 접속시킨 다음, 상기 패키지(20) 내부에 제2 몰딩제(80b)를 충진시켜 전극 연결부(70) 및 LED 칩(60)을 보호한다.

이때, 상기 제2 몰딩제(80b)는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하며, 이는 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 선택 가능하다.

실시예 2

그러면, 다음으로, 도 5a 내지 도 5c를 참조로, 본 발명의 제2 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.

도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 제2 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법은 제1 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법과 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 LED 칩의 하면과 상기 LED 칩이 실장되는 상기 패키지 내부의 리드프레임 표면 사이 계면에 충진되는 제1 몰딩제의 형성방법이 LED 칩 하면에 형성하지 않고, LED 칩 실장 영역과 대응되는 부분의 리드프레임 상에 형성한다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.

즉, 제2 실시예에 따른 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법은 먼저, 제1 실시예에 도시한 도 4a와 같이, LED 칩(60)과 전기신호인가를 위한 한 쌍의 리드 단자를 가지는 리드프레임(50)의 일부를 내측에 수용하는 패키지(20)를 형성한다.

그런 다음, 도 5a에 도시한 바와 같이,상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50) 중 LED 칩(60) 실장 영역과 대응되는 부분의 리드프레임(50) 상에 제1 몰딩제(80a)를 충진한다.

보다 구체적으로, 상기 제1 몰딩제(80a)는 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나의 물질을 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50) 상에 도포한 후, 이를 경화시켜 형성한다. 특히, 본 발명에 따른 제1 몰딩제(80a)는 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50) 표면으로부터 20㎛ 이상의 높이를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다. 이는 후속 공정인 LED 칩 실장 공정 시, 패키지(20) 내부의 리드프레임(50)과 LED 칩(60) 사이 계면이 20㎛ 이상의 높이를 가지게 하여 리드프레임(50)에 LED 칩(60) 하면이 접하는 것을 방지하기 위함이다.

이어서, 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 LED 칩(60)을 상기 패키지(20) 내부의 리드프레임(50) 상에 충진된 제1 몰딩제(80a) 상에 실장한다. 이때, 상기 LED 칩(60)과 리드프레임(50) 사이 계면은 상기 제1 몰딩제(80a)에 의해 20㎛ 이상의 거리를 유지한다.

그런 다음, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 LED 칩(60)과 상기 리드프레임(50)을 와이어 등과 같은 전극 연결부(70)를 통해 접속시킨 다음, 상기 패키 지(20) 내부에 제2 몰딩제(80b)를 충진시켜 전극 연결부(70) 및 LED 칩(60)을 보호한다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 상기 패키지 내에 LED 칩을 패키지의 내면 및 리드프레임과 접하지 않도록 실장함으로써, LED 칩에서 발광하는 광의 일부분이 반사되어 LED 칩 내부로 흡수 및 산란되어 소멸되는 것을 차단할 수 있다.

따라서, 본 발명은 표면실장형 발광다이오드 소자의 발광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (17)

1. 한 쌍의 리드 단자가 하나 이상 형성된 리드프레임;

   상기 리드프레임의 일부를 내측에 수용하고, 빛이 방사되도록 오픈된 방사창을 가지도록 형성된 패키지;

   상기 패키지 내부에 발광면이 상기 패키지의 방사창을 향하도록 실장되되, 상기 패키지의 내면과 접하지 않도록 실장된 LED 칩;

   상기 LED 칩과 상기 리드프레임의 통전을 위한 전극 연결부; 및

   상기 패키지 내부에 충진되되, 상기 LED 칩을 감싸도록 충진된 몰딩제;를 포함하는 표면실장형 발광다이오드 소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 몰딩제는, 상기 LED 칩의 하면과 이와 마주보는 상기 패키지의 리드프레임 사이에 형성된 제1 몰딩제와, 상기 LED 칩의 발광면과 측면을 감싸도록 형성된 제2 몰딩제로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자.
3. 제2항에 있어서,

   상기 제1 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어 느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자.
4. 제2항에 있어서,

   상기 제2 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자.
5. 제1항에 있어서,

   상기 전극 연결부는, 상기 LED 칩의 전극과 상기 리드프레임의 리드 단자를 연결하기 위한 와이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자.
6. 한 쌍의 리드 단자가 하나 이상 형성된 리드프레임의 일부를 내측에 수용하는 패키지를 형성하는 단계;

   LED 칩의 하면에 제1 몰딩제를 충진하는 단계;

   상기 LED 칩을 상기 패키지 내부의 리드프레임 상에 상기 제1 몰딩제를 이용하여 본딩하는 단계;

   상기 LED 칩과 상기 리드프레임을 전극 연결부를 통해 접속시키는 단계; 및

   상기 LED 칩이 본딩된 상기 패키지 내부에 제2 몰딩제를 충진시키는 단계;를 포함하는 고휘도 발광다이오드 소자의 제조방법.
7. 제6항에 있어서,

   상기 제1 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
8. 제6항에 있어서,

   상기 제1 몰딩제를 충진하는 단계는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나의 물질을 LED 칩의 하면에 도포하는 단계와, 상기 LED 칩 하면에 도포된 물질을 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
9. 제6항에 있어서,

   상기 제1 몰딩제는, 상기 리드프레임과 상기 LED 칩 사이 계면이 20㎛ 이상의 높이를 가지도록 충진하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
10. 제6항에 있어서,

    상기 제2 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
11. 제6항에 있어서,

    상기 전극 연결부는, 상기 LED 칩의 전극과 상기 리드프레임의 리드 단자를 연결하기 위한 와이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
12. 한 쌍의 리드 단자가 하나 이상 형성된 리드프레임의 일부를 내측에 수용하는 패키지를 형성하는 단계;

    상기 패키지 내부의 리드프레임 중 LED 칩 실장 영역과 대응되는 부분에 제1 몰딩제를 충진하는 단계;

    상기 제1 몰딩제 상에 LED 칩을 실장하는 단계;

    상기 LED 칩과 상기 리드프레임을 전극 연결부를 통해 접속시키는 단계; 및

    상기 LED 칩이 실장된 상기 패키지 내부에 제2 몰딩제를 충진시키는 단계;를 포함하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
13. 제12항에 있어서,

    상기 제1 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
14. 제12항에 있어서,

    상기 제1 몰딩제를 충진하는 단계는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나의 물질을 상기 패키지 내부의 리드프레임 중 LED 칩 실장 영역과 대응하는 부분에 도포하는 단계와, 상기 리드프레임 상에 도포된 물질을 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
15. 제12항에 있어서,

    상기 제1 몰딩제는, 상기 패키지 내부의 리드프레임과 LED 칩 사이 계면이 20㎛ 이상의 높이를 가지도록 충진하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
16. 제12항에 있어서,

    상기 제2 몰딩제는, 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.
17. 제12항에 있어서,

    상기 전극 연결부는, 상기 LED 칩의 전극과 상기 리드프레임의 리드 단자를 연결하기 위한 와이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 표면실장형 발광다이오드 소자의 제조방법.

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