Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20080027977A - Process equipments for semiconductor memory fabricating - Google Patents

Process equipments for semiconductor memory fabricating Download PDF

Info

Publication number
KR20080027977A
KR20080027977A KR1020060092663A KR20060092663A KR20080027977A KR 20080027977 A KR20080027977 A KR 20080027977A KR 1020060092663 A KR1020060092663 A KR 1020060092663A KR 20060092663 A KR20060092663 A KR 20060092663A KR 20080027977 A KR20080027977 A KR 20080027977A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
efem
foup
wafer
frame
chamber
Prior art date
Application number
KR1020060092663A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임재헌
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060092663A priority Critical patent/KR20080027977A/en
Publication of KR20080027977A publication Critical patent/KR20080027977A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Process equipment for use in fabrication of a semiconductor device is provided to prevent or minimize corrosion of the equipment by removing deionized water at high rotation using a cleaning chamber in an EFEM. An EFEM(Equipment Front End Module)(120) has a frame locally maintained in high cleanness. The frame is provided with a robot for transferring a wafer from FOUP(Front Opening Unified Pod) to a process equipment, and a door opening/closing member. A fan filter unit is installed over the frame to blow a clean air in the frame. A loadlock chamber is interposed between process chambers(112,114,116) and the EFEM, and has rod ports(122,124,126,128) for supporting the FOUP, a transfer robot for transferring a semiconductor substrate between the FOUP and the loadlock chamber, and a substrate transfer chamber disposed between the rod port and the loadlock chamber.

Description

반도체 소자 제조를 위한 공정설비{Process equipments for semiconductor memory fabricating}Process equipments for semiconductor memory fabricating

도 1은 종래의 반도체 소자 제조를 위한 공정 설비의 개략도 1 is a schematic diagram of a process facility for manufacturing a conventional semiconductor device

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조를 위한 공정설비의 개략도2 is a schematic diagram of a process facility for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 크리닝챔버의 개략도3 is a schematic view of the cleaning chamber of FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

112,114,116 : 공정챔버 120 : EFEM112,114,116 Process chamber 120 EFEM

122,124,126,128 : 로드포트 130 : 퍼지 스토리지122,124,126,128: Loadport 130: Fuzzy Storage

140 : 크리닝 챔버140: cleaning chamber

본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 공정설비에 관한 것으로, 더욱 구체적으 로는 크리닝 챔버를 구비한 반도체 소자 제조를 위한 공정설비에 관한 것이다.The present invention relates to a process for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a process for manufacturing a semiconductor device having a cleaning chamber.

반도체 칩의 크기와 회로 선 폭의 디자인 룰이 미세화 됨에 따라 오염 방지의 중요성이 크게 증가되고 있다. 종래에 반도체 제조 공정은 비교적 높은 청정도로 유지되는 청정실 내에서 진행되며 웨이퍼의 저장 및 운반을 위해 개방형 용기가 주로 사용되었다. 그러나 최근에는 청정실의 유지비용을 줄이기 위해 공정설비 내부 및 공정설비와 관련된 일부 설비의 내부에서만 높은 청정도가 유지되고, 나머지 지역에서는 비교적 낮은 청정도가 유지되고 있다. As the size of semiconductor chips and design rules for circuit line width become more sophisticated, the importance of pollution prevention is increasing. BACKGROUND OF THE INVENTION In the past, semiconductor manufacturing processes have been carried out in clean rooms maintained with relatively high cleanliness and open containers have been mainly used for the storage and transport of wafers. However, in recent years, in order to reduce the maintenance cost of the clean room, high cleanliness is maintained only in the inside of the process facility and in some facilities related to the process facility, and relatively low cleanliness is maintained in the remaining areas.

또한, 용기로는 낮은 청정도가 유지되는 지역에서 그 내부에 수납된 웨이퍼가 대기중의 이물질 등에 의해 오염되는 것을 방지하기 위해 개방형 용기 대신밀폐형 용기가 사용되고 있으며, 이러한 밀폐형 용기의 대표적인 예로 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod : 이하 "FOUP")가 있다.In addition, as a container, an airtight container is used instead of an open container to prevent the wafer contained therein from being contaminated by foreign matters in the air in an area where low cleanliness is maintained. There is a front open unified pod ("FOUP").

상기 FOUP는 300㎜ 직경의 웨이퍼가 사용되는 경우에 웨이퍼의 무게로 인하여 복수개의 슬롯(slot)이 구비된 캐리어(carrier)와 상기 캐리어를 적재한 상태로 이송하는 캐리어 박스 등과 같은 이송 도구를 통합한 것이다.The FOUP incorporates a carrier equipped with a plurality of slots and a transfer tool such as a carrier box for carrying the carrier when the wafer having a diameter of 300 mm is used due to the weight of the wafer. will be.

그러나, 상기 FOUP은 부피가 크기 때문에 저진공 로드락 챔버에 로딩할 경우, 상압에서 저진공으로 형성하고 다시 저진공에서 상압으로 여압(pressurization)시키는 시간이 길어져서 단위 시간당 생산량을 저하시키게 된다. 따라서, 300㎜ 웨이퍼용 공정 설비는 FOUP과 로드락 챔버 사이에 EFEM(Equipment Front End Module)과 같은 별도의 기판 이송 모듈을두고, 상기 FOUP을 기판 이송 모듈의 로드 포트(load port) 위에 적재하고 웨이퍼를 한 매씩 상기 기판 이송 모듈을 통해 로드락 챔버로 이송하는 방식을 채택하고 있다.However, since the FOUP is bulky, when it is loaded into the low vacuum load lock chamber, the time for forming the pressurization from the low pressure to the low pressure and from the low vacuum to the normal pressure becomes long, thereby lowering the yield per unit time. Thus, the 300 mm wafer processing equipment has a separate substrate transfer module, such as an equipment front end module (EFEM), between the FOUP and the load lock chamber, which loads the FOUP onto the load port of the substrate transfer module and wafers. Each one is adopted to transfer to the load lock chamber through the substrate transfer module.

도 1은 종래의 FOUP, 및 EFEM을 포함하는 반도체 소자 제조를 위한 공정설비인 식각설비의 개략도를 나타낸 것이다.1 shows a schematic diagram of an etching facility which is a process facility for manufacturing a semiconductor device including a conventional FOUP and EFEM.

도 1에 도시된 바와 같이, 공정설비(10)의 전방에는 FOUP으로부터 공정설비 내로 웨이퍼들을 이송하기 위한 모듈로 EFEM(20)과 같은 기판 이송 시스템이 제공된다.As shown in FIG. 1, in front of the processing facility 10 is provided a substrate transfer system, such as a modular EFEM 20, for transferring wafers from the FOUP into the processing facility.

상기 EFEM(20)은 국부적으로 고청정도로 유지되는 프레임을 가지며, 프레임 내에는 웨이퍼를 FOUP로부터 공정설비로 이송하는 로봇과 FOUP을 개폐하는 도어 개폐기가 배치된다. 프레임 내의 상부에는 청정한 공기를 프레임 내에서 아래 방향으로 송풍하는 팬필터유닛(미도시)이 설치된다.The EFEM 20 has a frame that is locally maintained at a high degree of cleanness, and within the frame, a robot for transferring a wafer from a FOUP to a process facility and a door switch for opening and closing the FOUP are disposed. A fan filter unit (not shown) is installed at an upper portion of the frame to blow clean air downward in the frame.

그리고, 반도체 기판을 가공하기 위한 기판 가공 장치인 공정챔버(12,14,16)와, 상기 공정챔버(12,14,16)와 상기 EFEM(20)사이에 배치된 로드록 챔버를 포함한다. 여기서 상기 EFEM(20)은 반도체 기판을 수납하기 위한 상기 FOUP를 지지하기 위한 로드 포트(22,24,26,28)와, 상기 FOUP와 로드록 챔버 사이에서 반도체 기판을 이송하기 위한 이송 로봇과, 로드 포트와 로드록 챔버 사이에 배치된 기판 이송 챔버를 포함한다. 그리고 공정설비에서 식각공정시에 브롬(HBr) 성분과 염소(Cl) 가스가 웨이퍼에 잔류해 있을 때 이부분에는 식각이 되지 않는 문제가 발생한다. 이를 방지하기 위해 산 배기를 위한 사이드 스토리지(side storage)(30)가 상기 EFEM(20)의 일측에 구비된다.And a process chamber 12, 14, 16, which is a substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate, and a load lock chamber disposed between the process chambers 12, 14, 16, and the EFEM 20. The EFEM 20 may include load ports 22, 24, 26, 28 for supporting the FOUP for accommodating the semiconductor substrate, a transfer robot for transferring the semiconductor substrate between the FOUP and the load lock chamber, And a substrate transfer chamber disposed between the load port and the load lock chamber. In addition, when the bromine (HBr) component and the chlorine (Cl) gas remain on the wafer during the etching process in the process equipment, there is a problem that this portion is not etched. In order to prevent this, a side storage 30 for acid exhaust is provided at one side of the EFEM 20.

그러나 이러한 사이드 스토리지(30)가 존재함에도 불구하고 브롬이나 염소 가스가 사용됨에 따른 문제는 여전히 발생된다. 즉 브롬이나 염소가스가 공기중의 수분과 만나 부식성이 강해져 설비를 부식시키는 원인이 되고 있다. 그리고 부식이 진행된 곳에는 파티클이 발생되게 된다. 따라서 이에 따른 대책이 요구되고 있는 실정이다.However, despite such side storage 30, the problem of using bromine or chlorine gas still occurs. In other words, bromine or chlorine gas meets the moisture in the air and is highly corrosive, causing corrosion of the equipment. Particles are generated where corrosion progresses. Therefore, there is a need for a countermeasure.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 반도체 소자 제조를 위한 공정설비를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a process facility for manufacturing a semiconductor device that can overcome the above-mentioned conventional problems.

본 발명의 다른 목적은 공정 효율을 증가시킬 수 있는 반도체 소자 제조를 위한 공정설비를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a process facility for manufacturing a semiconductor device that can increase the process efficiency.

본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 품질을 증가시킬 수 있는 반도체 소자 제조를 위한 공정설비를 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide a process facility for manufacturing a semiconductor device capable of increasing wafer quality.

본 발명의 또 다른 목적은 공정불량을 방지 또는 최소화할 수 있는 반도체 소자 제조를 위한 공정설비를 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide a process facility for manufacturing a semiconductor device that can prevent or minimize process defects.

상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 구체화에 따라, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조를 위한 공정설비는, 공정이 진행되는 공정챔버와; 공정설비 내로 웨이퍼들을 이송하기 위한 EFEM 모듈과; 상기 EFEM 모듈 일측에 구 비되어 잔류가스 및 순수제거를 위한 크리닝 챔버를 구비한다.According to an embodiment of the present invention for achieving some of the above technical problems, the process equipment for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the process chamber and the process proceeds; An EFEM module for transferring wafers into the process facility; It is provided on one side of the EFEM module is provided with a cleaning chamber for removing residual gas and pure water.

상기 크리닝 챔버는 웨이퍼가 놓이며 웨이퍼 회전을 위한 회전판과, 웨이퍼에 에어를 공급하기 위한 에어 공급부를 구비할 수 있다. 그리고, 상기 공정설비는 식각설비일 수 있다.The cleaning chamber may include a rotating plate on which a wafer is placed and a rotating plate for rotating the wafer, and an air supply unit for supplying air to the wafer. In addition, the process facility may be an etching facility.

상기한 구성에 따르면, 공정효율을 높일 수 있고, 웨이퍼의 품질을 높일 수 있다. According to the above configuration, the process efficiency can be increased, and the quality of the wafer can be improved.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, without any other intention than to provide a thorough understanding of the present invention to those skilled in the art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정설비의 개략도를 나타낸 것이다.Figure 2 shows a schematic diagram of a process equipment according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 공정설비의 전방에는 FOUP으로부터 공정설비 내로 웨이퍼들을 이송하기 위한 모듈로 EFEM(120)과 같은 기판 이송 시스템이 제공된다.As shown in FIG. 2, in front of the process facility is a substrate transfer system such as EFEM 120 as a module for transferring wafers from the FOUP into the process facility.

상기 EFEM(120)은 국부적으로 고청정도로 유지되는 프레임을 가지며, 프레임 내에는 웨이퍼를 FOUP로부터 공정설비로 이송하는 로봇과 FOUP을 개폐하는 도어 개폐기가 배치된다. 프레임 내의 상부에는 청정한 공기를 프레임 내에서 아래 방향으로 송풍하는 팬필터유닛(미도시)이 설치된다.The EFEM 120 has a frame that is locally maintained at a high degree of cleanness, and a robot for transferring a wafer from a FOUP to a process facility and a door switch for opening and closing the FOUP are disposed in the frame. A fan filter unit (not shown) is installed at an upper portion of the frame to blow clean air downward in the frame.

그리고, 반도체 기판을 가공하기 위한 기판 가공 장치인 공정챔버(112,114,116)와, 상기 공정챔버(112,114,116)와 상기 EFEM(120)사이에 배치된 로드록 챔버를 포함한다. 여기서 상기 EFEM(120)은 반도체 기판을 수납하기 위한 상기 FOUP를 지지하기 위한 로드 포트(122,124,126,128)와, 상기 FOUP와 로드록 챔 버 사이에서 반도체 기판을 이송하기 위한 이송 로봇과, 로드 포트와 로드록 챔버 사이에 배치된 기판 이송 챔버를 포함한다. 그리고 공정설비에서 식각공정시에 브롬(HBr) 성분과 염소(Cl) 가스가 웨이퍼에 잔류해 있을 때 이부분에는 식각이 되지 않는 문제가 발생한다. 이를 방지하기 위해 산 배기를 위한 사이드 스토리지(side storage)(130)가 상기 EFEM(20)의 일측에 구비된다.And a process chamber 112, 114, 116, which is a substrate processing apparatus for processing a semiconductor substrate, and a load lock chamber disposed between the process chambers 112, 114, 116, and the EFEM 120. Here, the EFEM 120 includes load ports 122, 124, 126 and 128 for supporting the FOUP for accommodating the semiconductor substrate, a transfer robot for transferring the semiconductor substrate between the FOUP and the load lock chamber, and a load port and load lock. And a substrate transfer chamber disposed between the chambers. In addition, when the bromine (HBr) component and the chlorine (Cl) gas remain on the wafer during the etching process in the process equipment, there is a problem that this portion is not etched. In order to prevent this, a side storage 130 for acid exhaust is provided on one side of the EFEM 20.

그리고 본 발명에서만 구비되는 것으로 상기 사이드 스토리지(130)가 구비되지 않은 상기 EFEM(20)의 일측에 크리닝 챔버(140)가 구비된다. In addition, the cleaning chamber 140 is provided at one side of the EFEM 20 in which the side storage 130 is not provided.

상기 크리닝 챔버의 개략도가 도 3에 나타나 있다.A schematic of the cleaning chamber is shown in FIG. 3.

도 3에 도시된 바와 같이, 크리닝챔버(140)는, 구조적으로 상기 EFEM(120)의 일측에 구비된다. 상기 크리닝 챔버(140)는, 회전판(146)과 에어 공급부(142)를 구비한다.As shown in FIG. 3, the cleaning chamber 140 is structurally provided at one side of the EFEM 120. The cleaning chamber 140 includes a rotating plate 146 and an air supply unit 142.

상기 회전판(146)은 웨이퍼가 놓이면 웨이퍼를 회전시켜 수분이나 기타 이물질을 제거한다. The rotating plate 146 rotates the wafer when the wafer is placed to remove moisture or other foreign matter.

상기 에어공급부(142)는 웨이퍼 건조를 위한 에어를 공급한다.The air supply unit 142 supplies air for wafer drying.

그리고 추가적으로 접이식으로 업 다운을 하여 웨이퍼 반송에 유리하도록 한 받침대(148)와, 상기 EFEM(120)과의 연통을 위한 도어(150)가 구비된다. 또한 DI 워터의 공급을 위한 DI공급기(144)가 추가될 수 있다.In addition, there is a pedestal 148 which is foldable up and down to facilitate wafer transfer, and a door 150 for communication with the EFEM 120. In addition, a DI supply 144 for supplying DI water may be added.

상술한 바와 같은 크리닝 챔버(140)는 고속회전으로 DI워터를 제거하며, 웨이퍼를 건조시켜 가스 컨덴세이션(condensation) 제거하며 설비 부식을 방지 또는 최소화할 수 있다. 따라서 공정효율 향상 및 웨이퍼 품질 향상을 도모할 수 있다. 또한 설비의 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다.As described above, the cleaning chamber 140 may remove DI water at a high speed rotation, dry the wafer to remove gas condensation, and prevent or minimize equipment corrosion. Therefore, process efficiency and wafer quality can be improved. It also has the effect of extending the life of the installation.

상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다. The description of the above embodiments is merely given by way of example with reference to the drawings for a more thorough understanding of the present invention, and should not be construed as limiting the present invention. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the basic principles of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, EFEM에 크리닝 챔버를 추가함에 의하여, 고속회전으로 DI워터를 제거하며, 웨이퍼를 건조시켜 가스 컨덴세이션(condensation) 제거하며 설비 부식을 방지 또는 최소화할 수 있다. 따라서 공정효율 향상 및 웨이퍼 품질 향상을 도모할 수 있다. 또한 설비의 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, by adding a cleaning chamber to the EFEM, DI water can be removed at high speed, the wafer can be dried to remove gas condensation, and facility corrosion can be prevented or minimized. . Therefore, process efficiency and wafer quality can be improved. It also has the effect of extending the life of the installation.

Claims (3)

반도체 소자 제조를 위한 공정설비에서 있어서:In process equipment for manufacturing semiconductor devices: 공정이 진행되는 공정챔버와;A process chamber in which the process proceeds; 공정설비 내로 웨이퍼들을 이송하기 위한 EFEM 모듈과;An EFEM module for transferring wafers into the process facility; 상기 EFEM 모듈 일측에 구비되어 잔류가스 및 순수제거를 위한 크리닝 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조를 위한 공정설비.Process equipment for manufacturing a semiconductor device, characterized in that provided on one side of the EFEM module having a cleaning chamber for removing residual gas and pure water. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 크리닝 챔버는 웨이퍼가 놓이며 웨이퍼 회전을 위한 회전판과, 웨이퍼에 에어를 공급하기 위한 에어 공급부를 구비함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조를 위한 공정설비.The cleaning chamber has a wafer on which the wafer is rotated, and a processing apparatus for manufacturing a semiconductor device, characterized in that it comprises an air supply for supplying air to the wafer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공정설비는 식각설비임을 특징으로 하는 반도체 소자 제조를 위한 공정설비.The process equipment is a process equipment for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the etching equipment.
KR1020060092663A 2006-09-25 2006-09-25 Process equipments for semiconductor memory fabricating KR20080027977A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060092663A KR20080027977A (en) 2006-09-25 2006-09-25 Process equipments for semiconductor memory fabricating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060092663A KR20080027977A (en) 2006-09-25 2006-09-25 Process equipments for semiconductor memory fabricating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080027977A true KR20080027977A (en) 2008-03-31

Family

ID=39414599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060092663A KR20080027977A (en) 2006-09-25 2006-09-25 Process equipments for semiconductor memory fabricating

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080027977A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326444A (en) * 2018-12-13 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 Semiconductor etching equipment
EP4214745A4 (en) * 2020-09-15 2024-11-06 Applied Materials Inc Methods and apparatus for cleaning a substrate after processing

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326444A (en) * 2018-12-13 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 Semiconductor etching equipment
EP4214745A4 (en) * 2020-09-15 2024-11-06 Applied Materials Inc Methods and apparatus for cleaning a substrate after processing

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6996453B2 (en) Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module
TWI654705B (en) Substrate processing device
JP2010283356A (en) Substrate processing equipment and manufacturing method of semiconductor device
JP2015531546A (en) Fume removing apparatus and substrate processing apparatus
KR100870119B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
JP5190279B2 (en) Substrate processing equipment
KR100706250B1 (en) Apparatus and method for manufacturing semiconductor devices
KR20200013613A (en) Load port apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and method of controlling atmosphere in pod
KR20080027977A (en) Process equipments for semiconductor memory fabricating
JP2005085896A (en) Processing system and processing method
KR101530357B1 (en) equipment front end module
US20040060582A1 (en) Substrate processing apparatus
KR100612421B1 (en) System for transferring substrates
US20230349574A1 (en) Air curtain device and workpiece processing tool
JP2004119628A (en) Substrate treating device
JP2006019584A (en) Substrate treatment equipment
KR102226506B1 (en) Apparatus for reducing moisture of front opening unified pod in transfer chamber and semiconductor process device comprising the same
TW202203360A (en) Substrate processing module and substrate processing apparatus
KR100436900B1 (en) Apparatus for cleaning wafers
KR20080060781A (en) Apparatus and method for dry etching of substrates
CN212412024U (en) Front end module of wafer processing equipment
US11813646B2 (en) Substrate processing device
US6792693B2 (en) Wafer dryer system for PRS wet bench
KR20180078886A (en) Substrate unloading method of substrate processing apparatus
JP2003229477A (en) Standard manufacture interface device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination