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KR20070069836A - Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same - Google Patents

Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same Download PDF

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KR20070069836A
KR20070069836A KR1020050132372A KR20050132372A KR20070069836A KR 20070069836 A KR20070069836 A KR 20070069836A KR 1020050132372 A KR1020050132372 A KR 1020050132372A KR 20050132372 A KR20050132372 A KR 20050132372A KR 20070069836 A KR20070069836 A KR 20070069836A
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KR
South Korea
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electrode
transmissive
liquid crystal
crystal display
display device
Prior art date
Application number
KR1020050132372A
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Korean (ko)
Inventor
박병호
남철
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Publication date
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Abstract

A transflective liquid crystal display device and a fabricating method thereof are provided to form reflection electrodes at boundaries of domains for preventing short of transmission electrodes at the boundaries by a stepped difference of an organic insulating film. A transflective liquid crystal display device includes gate and data lines(112,115) perpendicularly intersecting each other on a first substrate and defining pixel areas formed of reflection parts(R) and transmission parts(T). Thin film transistors are formed at the intersections between the gate and data lines. An organic insulating film is formed on the reflection part and has a top surface treated by embossing. Transmission electrodes(117) are formed on the pixel areas including the transmission parts. Reflection electrodes(124) are formed on the reflection parts, wherein the reflection electrodes are extended to stepped difference portions of the organic insulating film at boundaries(III) between the transmission parts and the reflection parts. A liquid crystal layer is formed between the first substrate and a second substrate joined with the first one.

Description

반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법{Transflective Type Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same}Transflective Type Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same}

도 1은 종래 기술에 의한 반투과형 액정표시소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a transflective liquid crystal display device according to the prior art.

도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선상에서의 절단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 단면도.3 is a cross-sectional view of a transflective liquid crystal display device according to the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ' 선상에서의 절단면도.4 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 3.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 공정단면도. 5A to 5E are cross-sectional views of a transflective liquid crystal display device according to the present invention;

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings

111 : TFT 어레이 기판 112 : 게이트 배선111: TFT array substrate 112: gate wiring

113 : 게이트 절연막 115 : 데이터 배선 113: gate insulating film 115: data wiring

116 : 층간절연막 117 : 투과전극 116: interlayer insulating film 117: transmission electrode

117a : 투과전극의 연결부 118 : 보호막 117a: connecting portion of the transmission electrode 118: protective film

119 : 콘택홀 124 : 반사전극 119 contact hole 124 reflecting electrode

124a : 반사전극의 연장부 126 : 커패시터 하부전극 124a: extending portion of the reflective electrode 126: capacitor lower electrode

127 : 커패시터 상부전극 160 : 유기절연막127: capacitor upper electrode 160: organic insulating film

160a : 요철패턴 160a: uneven pattern

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로 특히, 노광마스크의 사용 횟수를 줄이고 반사부와 투과부의 경계선에서의 화소전극의 단락을 방지하고자 하는 VA모드의 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a semi-transmissive liquid crystal display device in VA mode, which is intended to reduce the number of times of use of an exposure mask and to prevent a short circuit between pixel electrodes at a boundary between a reflection part and a transmission part.

최근, 계속해서 주목받고 있는 평판표시소자 중 하나인 액정표시소자는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 가하여 광학적 이방성을 변화시키는 소자로서, 종래 음극선관(Cathod Ray Tube)에 비해 소비전력이 낮고 부피가 작으며 대형화 및 고정세가 가능하여 널리 사용하고 있다.Recently, the liquid crystal display device, one of the flat panel display devices that are attracting attention, is an element that changes the optical anisotropy by applying an electric field to a liquid crystal that combines the liquidity and the optical properties of the crystal, which is applied to a conventional cathode ray tube. Compared with its low power consumption, small volume, large size, and high definition, it is widely used.

이러한 액정표시소자는 백라이트를 광원으로 이용하는 투과형 액정표시소자와 백라이트를 광원으로 이용하지 않고 외부 자연광을 이용하는 반사형 액정표시소자의 두 종류로 분류할 수 있는데, 상기 투과형 액정표시소자는 어두운 외부환경에서도 밝은 화상 구현이 가능하지만, 전력소모가 크다는 문제점이 있고, 반사형 액정표시소자는 백라이트를 사용하지 않기 때문에 소비전력이 감소하지만, 외부 자연광이 어두울 때에는 사용이 불가능하다는 한계가 있다. The liquid crystal display may be classified into two types, a transmissive liquid crystal display device using a backlight as a light source and a reflective liquid crystal display device using external natural light without using the backlight as a light source. Although it is possible to realize a bright image, the power consumption is large, and the reflection type liquid crystal display device does not use a backlight, so power consumption is reduced. However, when the external natural light is dark, there is a limitation that it is impossible to use.

따라서, 시계나 계산기와 같이 전력 소모를 최소화해야 하는 전자 기기에서는 반사형 액정표시소자를 많이 사용하고, 대화면 고품위의 화상표시를 요구하는 노트북 컴퓨터에는 투과형 액정표시소자를 많이 사용하는 것이 일반적이다. Therefore, it is common to use a large number of reflective liquid crystal display elements in electronic devices such as clocks and calculators, and a large number of transmissive liquid crystal display elements in notebook computers requiring high quality image display.

최근에는 상기 반사형 액정표시소자와 투과형 액정표시소자의 단점을 보완한 반투과형 액정표시소자에 대한 연구가 활발한데, 이는 단위 화소영역 내에 반사부 와 투과부를 동시에 가지므로 필요에 따라 반사형 및 투과형의 양용이 가능하다.Recently, researches on semi-transmissive liquid crystal display devices, which have made up for the shortcomings of the reflective liquid crystal display device and the transmissive liquid crystal display device, have been actively conducted. It is possible to use both ways.

즉, 백라이트를 사용하지 않고도 표시기능이 가능할 만큼 외부 자연광이 밝을 때에는 상부기판을 통해 입사하는 외부 광을 반사 전극에 의해 반사시켜 반사형 액정표시소자로서 동작하고, 외부 광이 밝지 않을 때에는 백라이트를 사용하며 투과전극을 통해 백라이트의 빛이 액정층으로 입사하여 투과형 액정표시소자로서 동작한다.That is, when the external natural light is bright enough to enable the display function without using the backlight, the external light incident through the upper substrate is reflected by the reflective electrode to operate as a reflective liquid crystal display device, and when the external light is not bright, the backlight is used. The light of the backlight enters the liquid crystal layer through the transmissive electrode to operate as a transmissive liquid crystal display device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 의한 반투과형 액정표시소자에 대해 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a translucent liquid crystal display device according to the prior art will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 의한 반투과형 액정표시소자의 단면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 선상에서의 절단면도이다.1 is a cross-sectional view of a transflective liquid crystal display device according to the prior art, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1.

하나의 화소영역이 반사부(R)와 투과부(T)로 구분되는 반투과형 액정표시소자는 복수개의 배선과 박막트랜지스터가 형성되어 있는 박막트랜지스터 어레이 기판과, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판에 대향하는 컬러필터층 어레이 기판과, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터층 어레이 기판 사이에 봉입된 액정층으로 구성된다. 이때, 반투과형 액정표시소자 하부에는 빛을 공급하는 백라이트 어셈블리가 더 구비된다. The transflective liquid crystal display device in which one pixel area is divided into a reflector R and a transmissive part T includes a thin film transistor array substrate having a plurality of wires and a thin film transistor, and a color filter layer facing the thin film transistor array substrate. An array substrate and a liquid crystal layer encapsulated between the thin film transistor array substrate and the color filter layer array substrate. In this case, a backlight assembly for supplying light is further provided below the transflective liquid crystal display.

이 때, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판(11)에는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 수직교차하여 단위 화소영역을 정의하는 게이트 배선(12) 및 데이터 배선(15)과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성되는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 단위 화소영역의 투과부(T)에 형성되는 투과전극(17)과, 상기 단 위 화소영역의 반사부(R)에 형성되는 반사전극(24)이 구비되어 있다. In this case, as shown in FIGS. 1 and 2, the thin film transistor array substrate 11 includes a gate wiring 12 and a data wiring 15 defining a unit pixel region by vertical crossing, the gate wiring and A thin film transistor TFT formed at the intersection of the data lines, a transmissive electrode 17 formed in the transmissive portion T of the unit pixel region, and a reflective electrode formed in the reflective portion R of the unit pixel region. 24 is provided.

이때, 상기 투과전극(17)은 투과부(T) 뿐만 아니라 반사부(R)에까지 연장형성되고 상기 반사전극(24)은 반사부(R)에 한정형성되는데, 상기 투과전극(17)이 보호막(18)을 사이에 두고 상기 반사전극(24) 상부에 형성된다. 상기 투과전극(17) 및 반사전극(24)은 공통적으로 픽셀전압을 인가받는데, 이를 위해서, 박막트랜지스터의 드레인 전극(15b)에 연결된다. In this case, the transmissive electrode 17 extends not only to the transmissive portion T but also to the reflecting portion R, and the reflecting electrode 24 is formed to be limited to the reflecting portion R. The transmissive electrode 17 is a protective film ( 18) is formed above the reflective electrode 24. The transmissive electrode 17 and the reflective electrode 24 are commonly applied with a pixel voltage. For this purpose, the transmissive electrode 17 and the reflective electrode 24 are connected to the drain electrode 15b of the thin film transistor.

한편, 상기 반사전극(24)은 표면에 요철이 형성되는데, 이것은 반사전극 하부에 형성되고 그 표면에 요철패턴(60a)을 가지는 유기절연막(60)에 의해 형성된다. 즉, 반사부(R)에 한해 유기절연막(60)을 형성하고 상기 유기절연막(60) 표면을 포토식각기술(photolithography)로 엠보싱처리함으로써 요철패턴(60a)이 형성되도록 하는데, 상기 요철패턴 상부에 형성되는 반사전극이 요철패턴을 따라 형성되므로 반사전극 표면에 요철이 생기게 되는 것이다. 이러한 반사전극의 요철면은 외부 자연광의 반사광을 산란시켜 시야각을 확보시켜준다.On the other hand, the reflective electrode 24 is formed on the surface of the unevenness, which is formed by the organic insulating film 60 formed under the reflective electrode and having the uneven pattern 60a on the surface. That is, the organic insulating film 60 is formed only in the reflecting portion R and the surface of the organic insulating film 60 is embossed by photolithography to form the uneven pattern 60a. Since the formed reflective electrode is formed along the uneven pattern, unevenness is generated on the surface of the reflective electrode. The uneven surface of the reflective electrode scatters the reflected light of the external natural light to secure a viewing angle.

이러한, 박막트랜지스터 어레이 기판에는, 도시하지 않았으나, 컬러필터층 어레이 기판이 대향합착되는데, 상기 컬러필터층 어레이 기판에는 단위 화소영역 외곽부에서의 빛을 차단하는 블랙 매트릭스층(black matrix layer)과, 색상을 구현하기 위한 R,G,B(Red, Green, Blue)의 컬러필터층과, 상기 반사전극(24) 및 투과전극(17)과 함께 전계를 형성하여 액정의 배열을 제어하는 공통전극이 형성된다.Although not shown, a color filter layer array substrate is oppositely bonded to the thin film transistor array substrate. The color filter layer array substrate includes a black matrix layer that blocks light at an outer portion of a unit pixel region, and a color. A common electrode for controlling the arrangement of liquid crystals is formed by forming an electric field together with the color filter layers of R, G, and B (red, green, and blue) and the reflective electrode 24 and the transparent electrode 17 to implement.

그리고, 상기 두 기판은 일정한 갭을 갖고 대향합착되며 그 사이에 액정층(도시하지 않음)이 형성된다.The two substrates are opposed to each other with a constant gap, and a liquid crystal layer (not shown) is formed therebetween.

상기 액정층은 트위스티드 네마틱(TN: Twisted Nematic)을 주로 사용하는데, 직선 편광이 입사되어 TN 액정층을 통과 중에 액정분자의 트위스트에 따라서 90도가량 회전하는 특성을 이용한 것이다.The liquid crystal layer mainly uses twisted nematic (TN), which utilizes a characteristic in which linearly polarized light is incident and rotates about 90 degrees according to the twist of the liquid crystal molecules while passing through the TN liquid crystal layer.

그러나, 상기와 같은 종래기술에 의한 반투과형 액정표시소자는 다음과 같은 문제점이 있었다. However, the transflective liquid crystal display device according to the related art has the following problems.

종래의 트위스티드 네마틱 모드 반투과형 액정표시소자는 박형으로 제조할 수 있어 휴대가 간편하고 소비 전력이 저감된다는 장점이 있으나, 시야각이 좁고, 인가 전압에 대한 응답 속도가 느려 동영상 이미지를 재생하기에 불편했다. The conventional twisted nematic mode semi-transmissive liquid crystal display device has a merit that it can be manufactured in a thin form, which is easy to carry and reduces power consumption, but it is inconvenient to reproduce a video image due to a narrow viewing angle and a slow response speed to an applied voltage. did.

그리고, 시차가 발생하지 않도록 액정셀의 내면에 반사전극을 형성하고 있어서, 관찰자 측에 구비한 한 장의 편광필름만으로 반사표시를 해야한다는 제약이 있고, 광학 설계의 자유도가 작다는 단점이 있었다. In addition, since a reflective electrode is formed on the inner surface of the liquid crystal cell so that parallax does not occur, there is a limitation that the reflective display should be performed using only one sheet of polarizing film provided on the observer side, and there is a disadvantage that the degree of freedom in optical design is small.

따라서, 최근에는 수직배향 액정을 이용하는 반투과형 액정표시소자가 제안되었는데, 수직배향 액정을 사용하는 경우, 액정분자의 배향 규제 수단으로서 돌기 및 슬릿과 같은 전계왜곡수단이 요구되었다. Therefore, in recent years, a semi-transmissive liquid crystal display device using a vertically aligned liquid crystal has been proposed. When using a vertically aligned liquid crystal, electric field distortion means such as protrusions and slits are required as the alignment control means of the liquid crystal molecules.

즉, 단위 화소영역을 반사부와 투과부로 구분한 후, 반사부 및 투과부 각각에 돌기와 같은 전계왜곡수단을 배치하여 멀티도메인을 구현하였다. 이를테면, 반사부의 중앙에 돌기를 배치하여 반사부의 액정배향을 제어하고, 투과부의 중앙에 돌기를 배치하여 투과부의 액정배향을 제어하는 것이다. That is, after dividing the unit pixel region into a reflecting unit and a transmitting unit, a multi-domain is realized by disposing an electric field distortion means such as a projection on each of the reflecting unit and the transmitting unit. For example, the projections are placed in the center of the reflector to control the liquid crystal alignment of the reflective portion, and the projections are placed in the center of the transmissive portion to control the liquid crystal alignment of the transmissive portion.

그러나, 이 경우 반사부와 투과부의 도메인 경계부분의 액정이 원하는 방향 으로 배열되지 않고 수직배향보다는 수평배향되는 경향이 있었던바, 반사부와 투과부의 도메인 경계부분에 전극을 형성하지 않게 되었다. 따라서, 박막트랜지스터와 연결되기 위해서 반사부에까지 연장형성되어야 하는 투과전극의 경우 도메인 경계부분에서 최소폭의 연결부만 남긴채 제거되는 구조로 형성된다. However, in this case, the liquid crystals of the domain boundary portions of the reflecting portion and the transmissive portion tend not to be arranged in a desired direction but are horizontally aligned rather than the vertical alignment, so that the electrodes are not formed at the domain boundary portions of the reflective portion and the transmissive portion. Therefore, the transmissive electrode, which must be formed to extend to the reflecting portion in order to be connected to the thin film transistor, is formed in a structure in which only the connecting portion having the minimum width is removed at the domain boundary.

이에 본 발명은 투과전극을 도메인 경계부분에서 최소폭으로 형성하는 반투과형 액정표시소자에 있어서, 도메인 경계부분에서의 투과전극 연결부가 단락되는 것을 방지하고자 하는 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention provides a transflective liquid crystal display device in which a transmissive electrode is formed to have a minimum width at a domain boundary, and provides a transflective liquid crystal display device and a method for manufacturing the transflective liquid crystal display at a domain boundary. Its purpose is to.

또한, 반사전극을 투과전극 상부에 형성함으로써 노광마스크를 5회 사용하여 TFT 어레이 기판을 완성하고자 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법을 제공하는데 또다른 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a transflective liquid crystal display device in which a reflective electrode is formed on the transmissive electrode to complete a TFT array substrate using an exposure mask five times.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반투과형 액정표시소자는 제 1 기판 상에서 수직교차하여 반사부와 투과부로 구성되는 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성되는 박막트랜지스터와, 상기 반사부에 형성되고 상부 표면이 엠보싱처리된 유기절연막과, 상기 투과부를 포함한 화소영역에 형성되는 투과전극과, 상기 반사부에 형성되되, 상기 투과부 및 반사부의 경계부분의 상기 유기절연막의 단차부분에까지 연장형성되는 반사전극과, 상기 제 1 기판에 대향 합착되고 제 2 기판과의 사이에 형성되는 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The semi-transmissive liquid crystal display device of the present invention for achieving the above object is a gate wiring and data wiring defining a pixel region consisting of a reflecting portion and a transmissive portion vertically intersecting on the first substrate, and the gate wiring and data wiring of the A thin film transistor formed at an intersection point, an organic insulating film formed on the reflecting portion, and an upper surface embossed, a transmitting electrode formed in the pixel region including the transmitting portion, and formed on the reflecting portion, wherein the transmitting portion and the reflecting portion And a reflective electrode extending to the stepped portion of the organic insulating film at the boundary portion, and a liquid crystal layer bonded to the first substrate and interposed between the second substrate and the second substrate.

그리고, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 반투과형 액정표시소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 게이트 배선 및 데이터 배선을 수직교차 형성하여 반사부 및 투과부로 구분되는 화소영역을 정의하고 두 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터를 포함한 전면에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상의 반사부에 유기절연막을 형성하고 그 표면을 엠보싱처리하는 단계와, 상기 유기절연막 상에서 상기 투과부를 포함한 화소영역에 투과전극을 형성하는 단계와, 상기 반사부에 반사전극을 형성하되, 상기 투과부 및 반사부의 경계부분의 상기 유기절연막의 단차부분에까지 연장형성하는 단계와, 상기 제 1 기판에 대향하도록 제 2 기판을 합착시키고 그 사이에 음의 유전이방성을 가지는 액정층을 형성하는 것을 특징으로 한다. In addition, a method of manufacturing a transflective liquid crystal display device for achieving another object of the present invention defines a pixel area divided into a reflecting part and a transmitting part by vertically forming a gate line and a data line on a first substrate, Forming a thin film transistor at an intersection point, forming an insulating film on the entire surface including the thin film transistor, forming an organic insulating film on a reflective portion of the insulating film, and embossing a surface thereof; Forming a transmissive electrode in the pixel region including the transmissive portion, forming a reflective electrode on the reflecting portion, and extending the stepped portion of the organic insulating film at a boundary between the transmissive portion and the reflecting portion, and forming a transmissive electrode on the first substrate; Bonding the second substrate to face each other and forming a liquid crystal layer having negative dielectric anisotropy therebetween; The features.

이와같이, 본 발명에 의한 액정표시소자는 반사요철을 형성하기 위해 반사부에 한하여 소정두께의 유기절연막을 형성함에 있어서, 상기 유기절연막의 단차에 의해서 투과전극이 단락될 염려가 있는바, 유기절연막의 단차부분에 반사전극을 연장형성하는 것을 특징으로 한다. As described above, in the liquid crystal display device according to the present invention, in forming the organic insulating film having a predetermined thickness only in the reflecting portion to form the reflective irregularities, the transmissive electrode may be shorted due to the step of the organic insulating film. Characterized by extending the reflective electrode in the step portion.

특히, 반사부와 투과부의 경계부분에 전극을 형성하지 않기 위해서 경계부분의 투과전극을 최소한의 폭으로 형성하는 경우, 유기절연막의 단차에 의해 투과전극이 단락될 염려가 많은데, 이 경우, 반사전극을 상기 경계부분의 연장형성하여 투과전극의 단락을 리페어하는 것을 특징으로 한다. Particularly, in the case where the transmissive electrode at the boundary portion is formed with the minimum width so as not to form the electrode at the boundary between the reflecting portion and the transmissive portion, the transmissive electrode may be shorted due to the step of the organic insulating film. In this case, the reflective electrode It is characterized in that for extending the boundary portion to repair the short circuit of the transmission electrode.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.A transflective liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention having the above characteristics will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 단면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ' 선상에서의 절단면도이며, 도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 공정단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a semi-transmissive liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 3, and FIGS. 5A to 5E are steps of a semi-transmissive liquid crystal display device according to the present invention. It is a cross section.

본 발명에 의한 반투과형 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이 기판(111)에는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 수직교차하여 반사부(R)와 투과부(T)로 구분되는 단위 화소영역을 정의하는 게이트 배선(112) 및 데이터 배선(115)과, 상기 게이트 배선과 데이터 배선 사이의 전면에 형성되는 게이트 절연막(113)과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성되는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 배선 및 박막트랜지스터를 포함한 전면에 형성되는 층간절연막(118)과, 상기 층간절연막 상에서 상기 반사부(R)에 한정형성되고 상부 표면이 엠보싱처리된 유기절연막(160)과, 상기 투과부(T)를 포함한 화소영역에 형성되는 투과전극(117)과, 상기 반사부(R)에 형성되되, 상기 투과부 및 반사부의 경계부분(Ⅲ)의 상기 유기절연막의 단차부분에까지 연장형성되는 반사전극(124)이 구비되어 있다.In the thin film transistor array substrate 111 of the transflective liquid crystal display device according to the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, a unit pixel region divided into a reflecting portion R and a transmitting portion T is vertically intersected. A thin film transistor (TFT) formed at the intersection of the gate wiring 112 and the data wiring 115, the gate insulating film 113 formed on the entire surface between the gate wiring and the data wiring, and the gate wiring and the data wiring. ), An interlayer insulating film 118 formed on the entire surface including the wiring and the thin film transistor, an organic insulating film 160 formed on the reflecting portion R and embossed on the upper surface of the interlayer insulating film, and the transmissive part. A transmissive electrode 117 formed in the pixel region including (T) and the reflecting portion R, and extending to the stepped portion of the organic insulating film at the boundary portion III of the transmissive portion and the reflecting portion. Pre-pole 124 is provided.

이때, 상기 반사전극(124)은 절연막 없이 상기 투과전극(117) 상부에 바로 형성된다. In this case, the reflective electrode 124 is formed directly on the transmission electrode 117 without an insulating film.

한편, 상기 커패시터 하부전극(126), 커패시터 상부전극(127) 및 그 사이에 개재된 게이트 절연막(113)으로 구성되는 스토리지 커패시터(storage capacitor)가 더 구비되는데, 상기 커패시터 하부전극(126)은 게이트 배선(112)과 동일층에서 평행하도록 형성되고, 상기 커패시터 상부전극(127)은 박막트랜지스터의 드레인 전극(115b)과 일체형으로서 상기 커패시터 하부전극(126)에 오버랩되도록 형성된다. Meanwhile, a storage capacitor including a capacitor lower electrode 126, a capacitor upper electrode 127, and a gate insulating layer 113 interposed therebetween is further provided, and the capacitor lower electrode 126 is provided with a gate. The capacitor upper electrode 127 is integrally formed with the drain electrode 115b of the thin film transistor and overlaps with the capacitor lower electrode 126.

상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선(112)과 동시에 형성된 게이트 전극(112a)과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막(113)과, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층(114)과, 상기 데이터 배선(115)과 동시에 형성된 소스/드레인 전극(115a,115b)의 적층막으로 구성된다. The thin film transistor may include a gate electrode 112a formed simultaneously with the gate line 112, a gate insulating layer 113 formed on the gate electrode, a semiconductor layer 114 formed on the gate insulating layer on the gate electrode, It is composed of a laminated film of source / drain electrodes 115a and 115b formed simultaneously with the data line 115.

상기 투과전극(117)은 투과부(T)뿐만 아니라 반사부(R)에까지 연장형성되는데, 반사부와 투과부의 도메인 경계부분에 전극을 형성하지 않기 위해서, 도메인 경계부분(Ⅲ)에서 투과전극을 최소폭으로 형성한다. 이하에서는, 도메인 경계부분에서 최소폭으로 형성되는 투과전극의 부분을 '투과전극의 연결부(117a)'라고 하기로 하는데, 상기 투과전극(117)과 일체형인 투과전극의 연결부(117a)에 의해 상기 투과부에 형성된 투과전극과 반사부에 형성되는 투과전극이 서로 연결된다. The transmissive electrode 117 extends to the reflecting portion R as well as the transmissive portion T. In order not to form an electrode at the domain boundary portion of the reflecting portion and the transmissive portion, the transmissive electrode is minimized at the domain boundary portion III. To form a width. Hereinafter, a portion of the transmissive electrode formed at the minimum width at the domain boundary portion will be referred to as a 'connecting portion 117a of the transmissive electrode,' which is formed by the connecting portion 117a of the transmissive electrode integrated with the transmissive electrode 117. The transmission electrode formed on the transmission portion and the transmission electrode formed on the reflection portion are connected to each other.

상기 투과전극의 연결부(117a)는 상기 투과부에 배치된 투과전극의 1/8~1/10의 폭 정도로 형성된다. The connection part 117a of the transmission electrode is formed to have a width of about 1/8 to 1/10 of the transmission electrode disposed on the transmission part.

그러나, 상기 투과부 및 반사부의 도메인 경계부분(Ⅲ)은 유기절연막의 두께에 의해 단차가 발생하는 부분으로서, 최소폭으로 형성되는 투과전극의 연결부가 단락될 염려가 있다. 상기 투과전극의 연결부가 단락되면 투과부의 투과전극에 픽셀전압이 인가되지 않으므로 소자를 구동시킬 수가 없다. However, the domain boundary portion III of the transmissive portion and the reflecting portion is a portion where a step occurs due to the thickness of the organic insulating film, and there is a possibility that the connection portion of the transmissive electrode formed with the minimum width is shorted. When the connection part of the transmission electrode is shorted, the pixel voltage is not applied to the transmission electrode of the transmission part and thus the device cannot be driven.

따라서, 반사부(R)에 형성되는 반사전극(124)을 반사부와 투과부의 도메인 경계부분에까지 연장형성한다. 이하에서, 도메인 경계부분에서 투과전극의 연결부(117a)에 오버랩되는 부분을 '반사전극의 연장부(124a)'라고 하기로 하는데, 상기 반사전극 연장부(124a)에 의해 투과전극 연결부(117a)의 단락이 방지된다. Accordingly, the reflective electrode 124 formed in the reflecting portion R extends to the domain boundary of the reflecting portion and the transmitting portion. Hereinafter, a portion of the domain boundary overlapping the connection portion 117a of the transmission electrode will be referred to as an 'extension portion 124a of the reflection electrode', and the transmission electrode connection portion 117a is formed by the reflection electrode extension 124a. Short circuit is prevented.

상기 투과전극(117) 및 반사전극(124)은 공통적으로 픽셀전압을 인가받는데, 이를 위해서, 서로 일체형으로 형성되는 박막트랜지스터의 드레인 전극(115b) 또는 커패시터 상부전극(127)에 연결된다.The transmissive electrode 117 and the reflective electrode 124 are commonly applied with a pixel voltage. For this purpose, the transmissive electrode 117 and the reflective electrode 124 are connected to the drain electrode 115b or the capacitor upper electrode 127 of the thin film transistor formed integrally with each other.

한편, 상기 반사전극(124)은 표면에 요철이 형성되는데, 이것은 표면에 요철패턴(160a)을 가지는 유기절연막(160)에 의해 형성되는데, 상기 유기절연막(160) 표면을 포토식각기술(photolithography)로 엠보싱처리함으로써 요철패턴(160a)을 형성한다. 상기 반사전극의 반사요철은 외부 자연광을 광원으로 사용할 경우 외부 자연광의 반사각을 국부적으로 변화시켜 시야각을 넓혀주는 역할을 한다. On the other hand, the reflective electrode 124 is formed with irregularities on the surface, which is formed by the organic insulating film 160 having the uneven pattern 160a on the surface, the surface of the organic insulating film 160 by photolithography The uneven pattern 160a is formed by the embossing process. The reflective unevenness of the reflective electrode serves to widen the viewing angle by locally changing the reflection angle of the external natural light when the external natural light is used as the light source.

이러한 TFT 어레이 기판은, 도시하지 않았으나, 액정층을 사이에 두고 컬러필터층 어레이 기판에 대향합착되는데, 상기 컬러필터층 어레이 기판에는 컬러필터층 및 공통전극이 형성되어 있다. 상기 공통전극에는 Vcom 신호가 인가되어 TFT 어레이 기판의 투과전극 및 반사전극과 일정한 전계를 형성하여 상기 액정층을 구동한다. Although not illustrated, the TFT array substrate is opposed to the color filter layer array substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween, and the color filter layer and the common electrode are formed on the color filter layer array substrate. A Vcom signal is applied to the common electrode to form a constant electric field with the transmissive and reflective electrodes of the TFT array substrate to drive the liquid crystal layer.

상기 액정층은 전계에 대해 수직한 방향으로 배열되는 유전적 이방성이 음(△ε<0)인 네가티브 액정이 이용되며, 이러한 수직배향(VA : vertical alignment) 모드는 계조전압에 대한 반응시간의 변화 폭이 작아, 응답특성이 트위스트 네마틱 방식의 액정표시소자에 비하여 좋은 장점을 가지고 있다.The liquid crystal layer is a negative liquid crystal having a dielectric anisotropy (△ ε <0) arranged in a direction perpendicular to the electric field, the vertical alignment (VA) mode is a change in response time with respect to the gray voltage The width is small and the response characteristic is good compared with the twisted nematic liquid crystal display device.

전계인가에 의해 액정의 분자배열 및 광축이 연속적으로 형성되도록 VA액정에 카이랄 도펀트(chiral dopant)가 포함되어 형성되는 것이 바람직하며 상하부 기판의 내측면에는 수직배향막이 더 형성된다. The chiral dopant is preferably included in the VA liquid crystal so that the molecular alignment and the optical axis of the liquid crystal are continuously formed by applying an electric field, and a vertical alignment layer is further formed on the inner surface of the upper and lower substrates.

이러한, 수직배향 모드 액정표시소자는, 전계가 형성되기 이전에는 액정분자들이 수직배향막의 영향으로 기판에 수직으로 배열된다. 이때, 상하부 기판의 외측면에 형성되는 상하 편광판의 편광축이 서로 수직으로 교차되게 되므로, 화면은 블랙이 된다. 한편, 상기 상하부 기판에 각각 형성된 전극 사이에 전계가 형성되면, 유전율 이방성이 음인 액정성질에 따라 액정분자들은 전계의 형태와 수직이 되도록 틀어지게 된다. 이에 따라 액정분자를 통하여 광이 투과되어 화면은 화이트가 된다. In the vertical alignment mode liquid crystal display, before the electric field is formed, the liquid crystal molecules are arranged perpendicular to the substrate under the influence of the vertical alignment layer. At this time, since the polarization axes of the upper and lower polarizing plates formed on the outer surface of the upper and lower substrates cross each other perpendicularly, the screen becomes black. On the other hand, when the electric field is formed between the electrodes formed on the upper and lower substrates, the liquid crystal molecules are twisted to be perpendicular to the shape of the electric field according to the liquid crystal properties of the negative dielectric anisotropy. As a result, light is transmitted through the liquid crystal molecules so that the screen becomes white.

상기에서와 같이, 액정층을 VA액정으로 사용하는 경우에는, 액정이 무질서한 방향으로 기울어지는 방지하기 위해 돌기 및 슬릿과 같은 전계왜곡수단을 더 구비하여 액정이 기울어지는 방향을 제어한다. As described above, when the liquid crystal layer is used as the VA liquid crystal, the direction of the liquid crystal is further controlled by further comprising field distortion means such as protrusions and slits to prevent the liquid crystal from inclining in a disordered direction.

상기 전계왜곡수단은 상기 컬러필터층 어레이 기판의 공통전극 상에 형성되는데, 투과부와 반사부의 액정을 따로 제어하기 위해서, 투과부와 반사부 각각에 전계왜곡수단을 구비한다. The field distortion means is formed on a common electrode of the color filter layer array substrate. In order to control the liquid crystals of the transmission part and the reflection part separately, the field distortion means are provided in each of the transmission part and the reflection part.

일예로, 반사부의 중앙과 투과부의 중앙에 유전체로 형성되는 반구형의 돌기를 배치할 수 있는데, 이 경우 해당 전극면에 대하여 소정의 각도로 경사지는 경사면을 갖게 할 수 있다. 이와같이, 돌기가 경사면을 가지게 되면, 그 경사면에 따른 방향으로 액정분자가 기울어지는 방향을 규제할 수 있게 된다. 따라서, 반사부 및 투과부의 쌍방에서 액정분자의 배향 특히, 초기 상태에서 수직 배향된 액정분자가 기울어지는 방향을 원하는 바대로 규제할 수 있게 됨으로써 매우 넓은 시약각 특성을 얻을 수 있게 된다. For example, a hemispherical protrusion formed of a dielectric may be disposed in the center of the reflecting unit and the center of the transmitting unit. In this case, the inclined surface may be inclined at a predetermined angle with respect to the electrode surface. As such, when the protrusion has an inclined surface, the direction in which the liquid crystal molecules are inclined in the direction along the inclined surface can be regulated. Therefore, the orientation of the liquid crystal molecules in both the reflecting portion and the transmitting portion, in particular, the direction in which the liquid crystal molecules vertically aligned in the initial state can be regulated as desired, thereby obtaining very wide reagent angle characteristics.

이하에서, 상기 TFT 어레이 기판의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다. Hereinafter, a manufacturing method of the TFT array substrate will be described.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, TFT 어레이 기판(111) 상에 알루미늄(Al), AlNd, 몰리브덴(Mo) 등의 금속막을 증착하고 제 1 마스크를 이용한 포토식각기술로 패터닝하여 게이트 배선(도시하지 않음), 게이트 전극(112a), 커패시터 하부전극(126) 및 게이트 패드(122)를 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, a metal film of aluminum (Al), AlNd, molybdenum (Mo), or the like is deposited on the TFT array substrate 111, and patterned by photolithography using a first mask to form a gate wiring. And the gate electrode 112a, the capacitor lower electrode 126, and the gate pad 122 are formed.

이후, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(112a)을 포함한 전면에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기절연물질을 증착하여 게이트 절연막(113)을 형성하고, 그 위에 비정질실리콘(armophous silicon)과 금속막(ex, Mo)을 증착하고 제 2 마스크를 이용한 포토식각기술로 패터닝하여 데이터 배선(도시하지 않음), 소스/드레인 전극(115a,115b), 커패시터 상부전극(127) 및 데이터 패드(125)를 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 5B, an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is deposited on the entire surface including the gate electrode 112a to form a gate insulating layer 113 thereon. Amorphous silicon (armophous silicon) and metal films (ex, Mo) are deposited and patterned by photolithography using a second mask to form data wiring (not shown), source / drain electrodes 115a and 115b, and capacitor upper electrodes ( 127 and data pad 125.

이 때, 상기 데이터 배선은 상기 게이트 배선과 교차되도록 형성하여 단위 화소영역을 정의하고, 상기 소스/드레인 전극(115a/115b)은 상기 반도체층(114) 양끝에 형성하여 게이트 전극(112a), 반도체층(114) 및 소스/드레인 전극(115a,115b)으로 적층된 박막트랜지스터를 구성하며, 상기 커패시터 상부전극(127)은 게이트 절연막(113)을 사이에 두고 커패시터 하부전극(126)에 오버랩되어 스토리지 커패시터를 구성한다. In this case, the data line is formed to cross the gate line to define a unit pixel area, and the source / drain electrodes 115a and 115b are formed at both ends of the semiconductor layer 114 to form a gate electrode 112a and a semiconductor. And a thin film transistor stacked with a layer 114 and source / drain electrodes 115a and 115b, wherein the capacitor upper electrode 127 overlaps the capacitor lower electrode 126 with the gate insulating layer 113 interposed therebetween. Configure the capacitor.

이때, 상기 소스/드레인 전극(115a,115b)을 포함한 데이터 배선층 하부에는 비정질실리콘이 동일한 패턴으로 형성되는데, 상기 소스/드레인 전극(115a,115b) 하부의 비정질실리콘은 반도체층(114)이 된다. In this case, amorphous silicon is formed under the data wiring layer including the source / drain electrodes 115a and 115b in the same pattern, and the amorphous silicon under the source / drain electrodes 115a and 115b becomes the semiconductor layer 114.

상기 비정질실리콘과 금속막을 동시에 패터닝하기 위해서는, 상기 제 2 마스크로서 회절노광마스크를 사용하며, 상기 비정질실리콘과 금속막을 별도의 마스크 공정으로 따로 패터닝할 수도 있다. In order to simultaneously pattern the amorphous silicon and the metal film, a diffraction exposure mask is used as the second mask, and the amorphous silicon and the metal film may be separately patterned by a separate mask process.

다음, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 소스/드레인 전극(115a,115b)을 포함한 전면에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기절연물질을 증착하여 층간 절연막(116)을 형성하고, 그 위에 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지(acryl resin) 등을 도포하여 소정두께의 유기절연막(160)을 형성하고 제 3 마스크를 이용한 포토식각기술로 절연막 표면을 엠보싱처리하여 단위 화소영역의 반사부에 일정한 간격의 요철 패턴(160a)을 복수개 형성하고, 이를 리플로우(reflow)시킨다. Next, as shown in FIG. 5C, an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is deposited on the entire surface including the source / drain electrodes 115a and 115b to form an interlayer insulating layer 116. BCB (Benzocyclobutene), acrylic resin (acryl resin), etc. are applied thereon to form an organic insulating film 160 of a predetermined thickness, and the surface of the insulating film is embossed by photolithography using a third mask to reflect the unit pixel region. A plurality of concave-convex patterns 160a at regular intervals are formed in the portion and reflowed.

그리고, 단위 화소영역의 반사부에만 남도록 유기절연막(160)을 패터닝함과 동시에, 상기 드레인 전극(115b) 상부의 층간절연막(116) 및 유기절연막(116)을 제거하여 콘택홀(119)을 형성하고, 게이트 패드(122) 상부의 게이트 절연막(113), 층간절연막(116) 및 유기절연막(116)을 제거하여 제 1 오픈영역(129)을 형성하고, 데이터 패드(125) 상부의 층간절연막(116) 및 유기절연막(116)을 제거하여 제 2 오픈영역(130)을 형성한다. In addition, the organic insulating layer 160 is patterned so as to remain only in the reflecting unit of the unit pixel region, and the contact hole 119 is formed by removing the interlayer insulating layer 116 and the organic insulating layer 116 over the drain electrode 115b. The first insulating layer 129 is formed by removing the gate insulating layer 113, the interlayer insulating layer 116, and the organic insulating layer 116 on the gate pad 122, and forming the first interlayer insulating layer on the data pad 125. The second open region 130 is formed by removing the 116 and the organic insulating layer 116.

이후, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 유기절연막(160)을 포함한 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전물질을 증착하고 제 4 마스크를 이용한 포토식각기술로 패터닝하여 콘택홀(119)을 통해 상기 드레인 전극(115b)에 연결되는 투과전극(117) 및 제 1 ,제 2 오픈영역(129,130)을 통해 게이트 패드(122) 및 데이터 패드(125)에 각각 연결되는 제 1 ,제 2 투명도전막(131,132)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5D, a transparent conductive material, such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), is deposited on the entire surface including the organic insulating layer 160 and a photoetch technique using a fourth mask. It is patterned and connected to the gate pad 122 and the data pad 125 through the transmissive electrode 117 connected to the drain electrode 115b through the contact hole 119 and the first and second open regions 129 and 130, respectively. First and second transparent conductive films 131 and 132 are formed.

상기 투과전극(117)은 단위 화소영역의 반사부와 투과부에 형성되며, 반사부와 투과부의 도메인 경계부분에는 최소폭으로 형성된다. 도메인 경계부분에서 최소폭으로 형성되는 투과전극을 '투과전극의 연결부(117a)'이라 부르기로 하였는데, 상기 투과전극의 연결부는 도메인 경계부분에서의 유기절연막 단차에 의해 단락될 염려가 있다. The transmissive electrode 117 is formed on the reflecting portion and the transmitting portion of the unit pixel region, and is formed at the minimum width at the domain boundary of the reflecting portion and the transmitting portion. The transmissive electrode formed to have the smallest width at the domain boundary is referred to as a 'connecting portion 117a of the transmissive electrode', and the connecting portion of the transmissive electrode may be short-circuited by the organic insulating layer stepped at the domain boundary.

마지막으로, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 투과전극(117)을 포함한 전면에 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr) 등의 반사율 특성이 우수한 반사전극용 금속층을 증착하고, 제 5 마스크를 이용한 포토식각기술로 패터닝하여 단위화소영역의 반사부에 반사전극(124)을 형성한다. 상기 반사전극은 도메인 경계부분에까지 연장형성하여 상기 화소전극의 연결부(117a)에 오버랩시키는데, 상기 반사전극의 연장부(124a)에 의해 화소전극의 연결부의 단락을 리페어할 수 있다. Finally, as shown in FIG. 5E, a metal layer for reflecting electrodes having excellent reflectance characteristics, such as aluminum (Al), copper (Cu), and chromium (Cr), is deposited on the entire surface including the transmitting electrode 117. The reflective electrode 124 is formed on the reflective portion of the unit pixel region by patterning the photolithography technique using a 5 mask. The reflective electrode extends to the domain boundary portion and overlaps the connection portion 117a of the pixel electrode. The shorting portion of the connection portion of the pixel electrode can be repaired by the extension portion 124a of the reflective electrode.

이로써, 상기 반사전극(124)은 절연막없이 투과전극(117)에 콘택되며 유기절연막의 요철패턴(160a)에 의해 그 표면이 울퉁불퉁하게 되어 외광의 미러(mirror) 반사를 방지하고 시야각을 확보한다. As a result, the reflective electrode 124 is contacted to the transmissive electrode 117 without an insulating film, and its surface is uneven by the uneven pattern 160a of the organic insulating film, thereby preventing mirror reflection of external light and securing a viewing angle.

이로써, 총 5회의 마스크를 사용하여 TFT 어레이 기판을 완성하게 된다. 따라서, 공정이 보다 간소화되며 고가의 마스크 사용을 줄일 수 있게 되어 공정비용이 저감된다. This completes the TFT array substrate using a total of five masks. Therefore, the process can be simplified and the use of expensive masks can be reduced, thereby reducing the process cost.

이후, 도시하지는 않았으나, 공통전극이 형성되어 있는 컬러필터층 어레이 기판을 상기 TFT 어레이 기판에 대향하도록 합착하고, 두 기판 사이에 액정층을 형성하여 반투과형 액정표시소자를 완성한다. 이때, 상기 액정층은 음의 유전이방성을 가지는 액정을 사용하여 형성하며, 상기 액정을 음의 유전이방성을 가지는 것으로 사용할 경우 액정분자의 배향제어를 위해서 반사부 및 투과부 각각에 별도의 전계왜곡수단이 구비한다. Subsequently, although not shown, the color filter layer array substrate having the common electrode formed thereon is bonded to face the TFT array substrate, and a liquid crystal layer is formed between the two substrates to complete the transflective liquid crystal display device. In this case, the liquid crystal layer is formed using a liquid crystal having negative dielectric anisotropy, and when the liquid crystal is used as having a negative dielectric anisotropy, separate electric field distortion means are formed in each of the reflecting unit and the transmitting unit to control the alignment of the liquid crystal molecules. Equipped.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is possible that various substitutions, modifications and changes within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in Esau.

상기와 같은 본 발명에 따른 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.The transflective liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention as described above have the following effects.

첫째, 소정두께의 유기절연막의 단차에 의해서 도메인 경계부분에서의 투과전극이 단락될 염려가 있는바, 반사전극을 도메인 경계부분에까지 연장형성하여 투과전극의 단락을 미연에 방지하거나 단락을 리페어할 수 있게 된다.First, there is a possibility that the transmission electrode at the domain boundary portion may be short-circuited by the step of the organic insulating film having a predetermined thickness. The reflection electrode may be extended to the domain boundary portion to prevent the short circuit of the transmission electrode in advance or to repair the short circuit. Will be.

따라서, 소자의 공정에러를 줄일수 있게 되어 생산성이 향상된다. Therefore, the process error of the device can be reduced and the productivity is improved.

둘째, 총 5회의 마스크를 사용하여 TFT 어레이 기판을 완성할 수 있으므로, 공정이 보다 간소화되고 고가의 마스크 사용을 줄일 수 있어 공정비용이 저감된다. Second, since the TFT array substrate can be completed using a total of five masks, the process can be simplified and the use of expensive masks can be reduced, thereby reducing the process cost.

Claims (13)

제 1 기판 상에서 수직교차하여 반사부와 투과부로 구성되는 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과,A gate wiring and a data wiring defining a pixel region composed of a reflecting portion and a transmitting portion vertically intersecting on the first substrate; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성되는 박막트랜지스터와, A thin film transistor formed at an intersection point of the gate line and the data line; 상기 반사부에 형성되고 상부 표면이 엠보싱처리된 유기절연막과, An organic insulating film formed on the reflecting portion and embossed on an upper surface thereof; 상기 투과부를 포함한 화소영역에 형성되는 투과전극과, A transmissive electrode formed in the pixel region including the transmissive portion; 상기 반사부에 형성되되, 상기 투과부 및 반사부의 경계부분의 상기 유기절연막의 단차부분에까지 연장형성되는 반사전극과, A reflection electrode formed in the reflection portion, the reflection electrode extending to a stepped portion of the organic insulating film at a boundary between the transmission portion and the reflection portion; 상기 제 1 기판에 대향 합착되고 제 2 기판과의 사이에 형성되는 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.A semi-transmissive liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer bonded to the first substrate and formed between the second substrate and the second substrate. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 투과부에 형성된 투과전극과 반사부에 형성되는 투과전극은,The transmission electrode formed in the transmission portion and the transmission electrode formed in the reflection portion, 상기 투과부 및 반사부의 경계부분에서 상기 투과전극과 일체형인 투과전극의 연결부에 의해 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.A semi-transmissive liquid crystal display device connected to each other by a connection part of a transmissive electrode integrated with the transmissive electrode at a boundary between the transmissive part and the reflecting part. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 투과전극의 연결부는 상기 투과부 및 반사부의 경계부분의 상기 유기절 연막의 단차부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.And a connecting portion of the transmissive electrode is formed at a step portion of the organic insulation film at a boundary between the transmissive portion and the reflecting portion. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 투과전극의 연결부는 상기 투과전극의 1/8~1/10의 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.The connecting portion of the transmissive electrode is a transflective liquid crystal display device, characterized in that formed in a width of 1/8 ~ 1/10 of the transmissive electrode. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 액정층은 음의 유전이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.The liquid crystal layer has a negative dielectric anisotropy, characterized in that the transflective liquid crystal display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 기판 상에 공통전극이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자. A semi-transmissive liquid crystal display device, characterized in that the common electrode is further provided on the second substrate. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 공통전극 상의 반사부와 투과부에 각각 전계왜곡수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.A semi-transmissive liquid crystal display device, characterized in that an electric field distortion means is provided in each of the reflecting portion and the transmitting portion on the common electrode. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 투과전극 및 반사전극은 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 공통으 로 연결되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자.The transmissive electrode and the reflective electrode are connected to the drain electrode of the thin film transistor in common. 제 1 기판 상에 게이트 배선 및 데이터 배선을 수직교차 형성하여 반사부 및 투과부로 구분되는 화소영역을 정의하고 두 배선의 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, Forming a pixel region divided into a reflection part and a transmission part by vertically forming a gate line and a data line on the first substrate, and forming a thin film transistor at an intersection point of the two lines; 상기 박막트랜지스터를 포함한 전면에 절연막을 형성하는 단계와, Forming an insulating film on the entire surface including the thin film transistor; 상기 절연막 상의 반사부에 유기절연막을 형성하고 그 표면을 엠보싱처리하는 단계와, Forming an organic insulating film on a reflecting portion on the insulating film and embossing the surface thereof; 상기 유기절연막 상에서 상기 투과부를 포함한 화소영역에 투과전극을 형성하는 단계와, Forming a transmission electrode in the pixel region including the transmission part on the organic insulating layer; 상기 반사부에 반사전극을 형성하되, 상기 투과부 및 반사부의 경계부분의 상기 유기절연막의 단차부분에까지 연장형성하는 단계와, Forming a reflecting electrode on the reflecting portion and extending to the stepped portion of the organic insulating film at the boundary between the transmissive portion and the reflecting portion; 상기 제 1 기판에 대향하도록 제 2 기판을 합착시키고 그 사이에 음의 유전이방성을 가지는 액정층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법. A method of manufacturing a transflective liquid crystal display device, comprising: bonding a second substrate to face the first substrate, and forming a liquid crystal layer having negative dielectric anisotropy therebetween. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 투과부 및 반사부의 경계부분의 상기 유기절연막의 단차부분에서의 투과전극은 최소마진으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.The transmissive electrode at the stepped portion of the organic insulating film at the boundary between the transmissive part and the reflecting part is formed with a minimum margin. 제 10 항에 있어서, The method of claim 10, 상기 투과부 및 반사부의 경계부분에서의 투과전극은, 상기 투과부의 투과전극의 1/8~1/10의 폭으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.The transmissive electrode at the boundary between the transmissive part and the reflecting part is formed with a width of 1/8 to 1/10 of the transmissive electrode of the transmissive part. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 제 2 기판 상의 반사부와 투과부에 각각 전계왜곡수단을 형성하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.A method for manufacturing a transflective liquid crystal display device, characterized in that an electric field distortion means is formed in each of the reflecting portion and the transmitting portion on the second substrate. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 유기절연막 및 절연막을 제거한 콘택홀을 통하여 상기 투과전극 및 반사전극을 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결시키는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시소자의 제조방법.And transmitting the transmissive electrode and the reflective electrode to the drain electrode of the thin film transistor through the contact hole from which the organic insulating film and the insulating film are removed.
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