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KR20070065465A - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20070065465A
KR20070065465A KR1020050125899A KR20050125899A KR20070065465A KR 20070065465 A KR20070065465 A KR 20070065465A KR 1020050125899 A KR1020050125899 A KR 1020050125899A KR 20050125899 A KR20050125899 A KR 20050125899A KR 20070065465 A KR20070065465 A KR 20070065465A
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최우영
김성진
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 서로 다른 정전용량(storage capacitance)을 갖는 화소구조를 형성함으로써, 킥백 전압(kick back voltage)에 의한 잔상 발생을 방지한 액정표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 기판; 상기 기판상에 복수개의 분할 영역과, 각각 분할 영역에 교차배열되어 화소 영역을 한정하는 게이트 배선과 데이터 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 연결되면서 화소 영역에 형성된 화소전극; 및 상기 분할 영역마다 화소전극의 일측영역과 오버랩되는 면적이 다르도록 형성되고, 타측영역에서는 상기 화소전극과 교대로 배치된 공통전극을 포함한다.
본 발명은 액정패널의 분할 영역에 대응하는 정전용량을 조절함으로써, 잔상제거를 할 수 있는 효과가 있다.
액정패널, 분할, 정전용량, 킥백 전압, 잔상

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 화소구조를 도시한 도면.
도 2는 상기 도 1의 액정표시장치 화소구조에 대한 등가회로.
도 3a은 액정표시장치에서 플리커 프리 Vcom 측정위치를 5개 영역으로 구분한 도면.
도 3b는 상기 도 3a에서 측정한 플리커 프리 Vcon 전압 분포를 도시한 그래프.
도 4는 본 발명에 따라 액정표시장치의 분할된 5개 영역에서 서로 다른구조를 갖는 화소구조를 도시한 도면.
도 5 내지 도 8은 본 발명에 따른 다른 실시예들을 도시한 도면.
도 9는 본 발명에 따라 보조 정전용량 보정에 따라 Vcom 전압이 보정된 모습을 도시한 그래프.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
11: 게이트 배선 13: 데이터 배선
15a: 제 1 공통전극 15b: 제 2 공통전극
15c: 제 3 공통전극 17a: 제 1 화소전극
17b: 제 2 화소전극
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 서로 다른 정전용량(storage capacitance)을 갖는 화소구조를 형성함으로써, 킥백 전압(kick back voltage)에 의한 잔상 발생을 방지한 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
횡전계 방식 액정표시장치(IPS:In-Plane Switching mode)는 액정 분자를 기판에 대해서 수평 방향으로 유지 시킨체 구동하는데, 이를 위해 2개의 전극(화소전극과 공통전극)을 동일한 기판(하부기판) 상에 형성한다. 그래서, 상기 2개의 전극 사이에 전압을 인가하면, 기판에 대해서 수평방향으로 전계가 발생되어 액정 분자들이 수평방향 전계를 따라 정렬된다.
따라서, 이와 같은 횡전계 방식에서는 액정 분자의 장축이 기판에 대하여 수직한 방향(트위스트 네마틱 방식)으로 일어서지 않기 때문에 시각 방향에 대한 액정의 복굴절율의 변화가 작아 종래의 TN(Twist Nematic) 방식 액정표시장치에 비해 우수한 시야각 특성이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 종래 기술에 따른 횡전계 방식 액정표시 장치의 화소 구조를 구체적으로 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 화소구조를 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 구동신호가 인가되는 게이트 배선(1)과 데이터 신 호가 인가되는 데이터 배선(3)이 수직으로 교차 배열되어 단위화소 영역을 정의하고, 상기 게이트 배선(1)과 데이터 배선(3)이 수직으로 교차되는 영역에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되어 있다.
상기 게이트 배선(1)의 인접 영역에는 공통 배선(미도시)이 평행하게 배치되어 있고, 상기 공통 배선으로부터 상기 단위화소 방향으로 플레이트 형태로 분기된 제 1 공통전극(5a)과 상기 제 1 공통전극(5a)으로부터 슬릿(slit) 형태로 복수개 분기되어 있는 제 2 공통전극(5b)과, 상기 제 2 공통전극(5b)들과 일체로 연결되는 바(bar) 타입 제 3 공통전극(5c)이 배치되어 있다.
그리고 상기 게이트 배선(1)과 인접한 단위 화소 영역에는 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 확장되어 상기 게이트 배선(1)과 평행하게 배치되어 있다.
또한, 단위 화소 영역에는 상기 제 1 공통전극(5a)과 오버랩되도록 제 1 화소전극(7a)이 형성되어 있고, 상기 제 1 화소전극(7a)으로부터 슬릿 형태로 분기되면서 상기 제 2 공통전극(5b) 사이에 각각 배치되는 제 2 화소전극(7b)이 배치되어 있다.
상기 제 1 화소전극(7a)은 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 콘택되어 있다.
상기 제 1 화소전극(7a)과 제 1 공통전극(5a)은 보호막, 게이트 절연막과 같은 절연층을 사이에 두고 오버랩되어 있기 때문에 두 전극 사이에서 단위 화소영역에 해당하는 정전용량(Cst)이 형성된다.
도 2는 상기 도 1의 액정표시장치 화소구조에 대한 등가회로이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 액정표시장치의 단위 화소에는 하나의 스위칭 소자(TFT)가 게이트 배선(Gate)과 데이터 배선(Data)이 교차하는 영역에 형성되어 있고, 정전용량(storage capacitance: Cst)과 액정 정전용량(CLC)이 병렬형태로 TFT와 연결되어 있다.
상기 정전용량(Cst)은 단위 화소중 화소전극과 공통전극 사이에서 형성되고, 상기 액정 정전용량(CLC)은 액정층에서 걸리는 정전용량이다. 그리고 상기 TFT의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 기생용량(Cgs), 게이트 전극과 드레인 전극 사이에는 기생용량(Cgd), 상기 소스전극과 드레인 전극 사이에는 기생용량(Cds)이 형성된다.
상기와 같은 구조를 갖는 화소 영역에서는 TFT가 턴온(Turn On) 상태에서 턴오프(Turn Off) 상태로 바뀔 때, 킥백 전압(Kick Back Voltage:ΔVP)이 발생하여 화소영역에 걸리는 화소 전압을 강하시킨다. 킥백 전압(ΔVP) 공식은 다음과 같다.
Figure 112005074364610-PAT00001
여기서 상기 VGH는 게이트 하이(High)일때의 전압이고, VGL은 게이트 로우(Low)일때의 전압이다.
특히, IPS 모드 액정표시장치에서는 이와 같은 킥백 전압의 크기가 커서 액정패널에서 DC를 유발하고, 이것은 국부잔상 불량으로 나타난다.
그래서, 킥백 전압의 크기를 측정하기 위해 액정표시장치를 수평방향으로 다 수개 분할한 다음, 각각의 영역에서 플리커 프리 Vcom 전압을 측정하고 있다.
도 3a은 액정표시장치에서 플리커 프리 Vcom 측정위치를 5개 영역으로 구분한 도면이고, 도 3b는 상기 도 3a에서 측정한 플리커 프리 Vcon 전압 분포를 도시한 그래프이다.
도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 액정패널을 수평방향으로 5개 영역으로 분할한 다음(Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역, Ⅴ영역), 각각의 영역에서 플리커 프리(Flicker Free) Vcom 전압을 측정하였다.
상기 플리커 프리 Vcom 전압은 원래 인가되는 Vcom 전압에서 킥백 전압(ΔVP)을 뺀 값이다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 측정된 플리커 프리 Vcom 전압에서 가장 높은 전압은 킥백 전압(ΔVP) 값이 가장 낮은 것이고, 가장 낮은 플리커 프리 Vcom 전압은 킥백 전압(ΔVP)이 가장 크다는 것이다.
이와 같이, 수평 방향에 따라 킥백 전압(ΔVP) 차이가 크면 DC 전압 유발이 잘되어, 국부잔상이 발생되는 문제가 있다.
본 발명은, 액정표시장치를 복수개 영역으로 분할한 다음, 각각의 분할 영역에서의 화소영역에 형성되는 정전용량을 서로 다르게 형성하여 국부적 잔상을 개선한 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 액정표시장치는,
기판;
상기 기판상에 복수개의 분할 영역과, 각각 분할 영역에 교차배열되어 화소 영역을 한정하는 게이트 배선과 데이터 배선;
상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 연결되면서 화소 영역에 형성된 화소전극; 및
상기 분할 영역마다 화소전극의 일측영역과 오버랩되는 면적이 다르도록 형성되고, 타측영역에서는 상기 화소전극과 교대로 배치된 공통전극을 포함한다.
여기서, 상기 복수개의 분할 영역은 상기 게이트 배선을 따라 수평방향으로 분할된 영역이고, 상기 화소전극과 공통전극이 오버랩되는 영역에서는 화소영역내의 정전용량을 형성하며, 상기 화소영역에 형성되는 정전용량은 각각의 분할 영역마다 서로 다른 값을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치 제조방법은,
복수개의 분할 영역으로 구획된 기판 상에 게이트 배선, 공통전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 배선이 형성된 기판 상에 상기 게이트 배선과 교차되어 화소 영역을 한정하도록 데이터 배선과 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및
상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 각각의 분할 영역마다 상기 공통전극과 오버랩되는 면적이 다르도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 복수개의 분할 영역은 상기 게이트 배선을 따라 수평방향으로 분할된 영역이고, 상기 화소전극과 공통전극은 오버랩되면서 화소영역내의 정전용량을 형성하며, 상기 화소전극과 상기 공통전극의 오버랩되는 면적을 다르게 하여 각각의 분할 영역에 형성되는 화소 영역의 정전용량을 다르게 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 액정표시장치를 복수개 영역으로 분할한 다음, 각각의 분할 영역에 따라 서로 다른 정전용량을 형성하여 국부적 잔상을 개선하였다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 따라 액정표시장치의 분할된 5개 영역에서 서로 다른 구조를 갖는 화소구조를 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 액정패널을 5개 영역(Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역, Ⅴ영역)으로 분할하고, 그 중 Ⅰ영역에 형성된 화소 구조는 다음과 같다.
구동신호가 인가되는 게이트 배선(11)과 데이터 신호가 인가되는 데이터 배선(13)이 수직으로 교차 배열되어 단위화소 영역을 정의하고, 상기 게이트 배선(11)과 데이터 배선(13)이 교차되는 영역에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되어 있다.
상기 게이트 배선(11)의 인접 영역에는 공통배선(미도시)이 평행하게 배치되어 있고, 상기 공통배선으로부터 상기 단위화소 방향으로 플레이트 형태로 분기된 제 1 공통전극(15a)과, 상기 제 1 공통전극(15a)으로부터 슬릿(slit) 형태로 복수 개 분기되는 제 2 공통전극(15b)과, 상기 제 2 공통전극(15b)들과 일체로 연결되는 바(bar) 타입 제 3 공통전극(15c)이 배치되어 있다.
단위 화소 영역에는 상기 제 1 공통전극(15a)과 오버랩되도록 제 1 화소전극(17a)이 형성되어 있고, 상기 제 1 화소전극(17a)으로부터 슬릿 형태로 분기되면서 상기 제 2 공통전극(15b) 사이에 각각 배치되는 제 2 화소전극(17b)이 배치되어 있다.
상기 제 1 화소전극(17a)은 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 콘택되어 있다.
상기 제 1 화소전극(17a)과 제 1 공통전극(15a)은 보호막, 게이트 절연막과 같은 절연층을 사이에 두고 오버랩되어 있기 때문에 두 전극 사이에서 정전용량(Cst)이 형성된다.
상기와 같은 방식으로 Ⅱ영역에서는 Ⅰ영역에서의 상기 제 1 공통전극(15a), 제 2 공통전극(15b), 제 3 공통전극(15c), 제 2 화소 전극(17b)들은 동일한 패턴으로 형성하고, 제 1 화소 전극(27a)의 일부 영역 패턴을 제거하여 Ⅱ영역에서의 정전용량 크기를 조절한다.
이것은 플리커 프리 Vcom 전압 측정 후, 킥백 전압의 크기에 따라 보상을 위해 필요로 하는 정전용량을 구하고 그 값을 기준으로 정전용량의 값을 조절한다.
Ⅲ영역에서는 제 1 화소전극(37a)의 일부 패턴을 Ⅱ영역에서의 제 1 화소 전극(27a)에서보다 더 많은 부분을 제거하였기 때문에 Ⅰ영역, Ⅱ영역에서의 정전용량보다 적은 값을 갖는다.
킥백 전압 공식에 따라 정전용량 값이 작아지면, 킥백 전압 값이 커지기 때문에 플리커 프리 Vcom 전압이 작아진다. 반대로 Ⅰ영역과 같이 제 1 화소전극(17a)이 넓을 경우에는 정전용량 값이 커지고, 킥백 전압은 작아진다.
그래서 도 3b에서와 같이 킥백 전압의 영향에 의해서 플리커 프리 공통전압의 전압 강하가 큰 영역에서는 정전 용량을 키워서 킥백 전압을 줄일 수 있다.
마찬가지로, Ⅳ영역, Ⅴ영역에서의 제 1 화소전극(47a, 57a)의 패턴을 조절하여 정전용량 값을 조절하면, 킥백 전압 값을 조절할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 액정패널을 복수개로 분할한 다음, 각각의 분할 영역에 형성되는 화소전극과 공통전극의 패턴을 조절하여 정전용량 값을 조절하여 킥백 전압에 의한 국부 잔상 발생을 제거하였다.
도 5 내지 도 8은 본 발명에 따른 다른 실시예들을 도시한 도면이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 분할된 5개 영역(Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역, Ⅴ영역)에 형성된 화소 구조는 도 4에서 설명한 바와 같이, 게이트 배선(11), 데이터 배선(13), 박막 트랜지스터, 제 1 화소 전극(17a), 제 2 화소 전극(17b), 제 3 화소 전극(17c), 제 1 공통전극(15a), 제 2 공통전극(15b) 및 제 3 공통전극(15c)으로 구성되어 있다.
제 3 화소전극(17c)은 바타입 구조로 되어 있고, 슬릿 형태의 제 2 화소전극(17b)와 연결되어 있다.
본 발명의 실시예에서는 상기 제 3 화소전극(17c)의 패턴 넓이를 조절하여 상기 제 3 공통전극(15c)과 형성되는 정전용량을 조절하였다.
따라서, Ⅰ영역에서의 제 3 화소전극(17c)의 넓이는 Ⅱ영역의 제 3 화소전극(27c)보다 가장자리 영역이 더 확장된 구조로 되어 있다. Ⅲ영역에서의 제 3 화소전극(37a)은 Ⅱ영역에서의 제 3 화소전극(27c) 가장자리 영역을 더욱 줄여 통자 구조로 형성하였다.
Ⅳ영역과 Ⅴ영역의 제 3 화소전극(47c, 57c) 역시 패턴 넓이를 조절하여 정전용량 크기를 조절하였다.
도 6에 도시한 도면은 도 5에서 형성된 화소구조와 유사하고, 차이점은 화소 영역에 형성된 바 타입(bar type)의 제 3 화소 전극을 제거하고, 제 1 화소전극(17a)과 오버랩되는 제 1 공통전극(15a)의 패턴 넓이를 조절하였다.
따라서, 구체적인 설명은 도 5를 참조하고 이하 차별되는 부분을 중심으로 설명한다.
Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역 및 Ⅴ영역의 제 1 공통전극(15a, 25a, 35a, 45a, 55a) 들의 패턴 넓이를 다르게 형성하였다.
따라서, 분할된 Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역 및 Ⅴ영역에서의 정전용량 변화는 제 1 공통전극(15a, 25a, 35a, 45a, 55a)들과 제 1 화소전극(17a) 사이에서 조절된다.
도 7에 도시한 도면은 도 5에서 형성된 화소구조와 유사하고, 차이점은 화소 영역에 형성된 바 타입(bar type)의 제 3 화소 전극을 제거하고, 제 2 공통전극(15b)와 제 2 화소전극(17b)와 오버랩되는 면적을 조절하여 정전용량 크기를 조절하였다.
Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역 및 Ⅴ영역의 제 2 화소전극(17b, 27b, 37b, 47b, 57b) 들의 패턴 넓이를 다르게 형성 하였다.
따라서, 분할된 Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역 및 Ⅴ영역에서의 정전용량 변화는 제 2 공통전극(15b)과 제 2 화소전극(17b, 27b, 37b, 47b, 57b) 사이에서 조절된다.
도 8에 도시한 도면은 도 5에서 형성된 화소구조와 유사하고, 차이점은 화소 영역에 형성된 바 타입(bar type)의 제 3 화소 전극을 제거하고, 제 1 공통전극(15a)과 박막 트랜지스터의 드레인 전극(16a)과의 오버랩되는 면적을 조절하여 정전용량 크기를 조절하였다.
Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역 및 Ⅴ영역의 드레이 전극(16a, 26a, 36a, 46a, 56a)들의 패턴 넓이를 다르게 형성 하였다.
따라서, 분할된 Ⅰ영역, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역 및 Ⅴ영역에서의 정전용량 변화는 제 1 공통전극(15a)과 박막 트랜지스터의 드레인 전극(16a, 26a, 36a, 46a, 56a) 사이에서 조절된다.
이와 같이, 본 발명에서는 액정패널을 복수개로 분할한 다음, 각각의 분할 영역에 형성되는 정전용량을 조절함으로써, 수평방향으로 차이가 발생되는 킥백 전압 차이를 보상하여 국부 잔상을 제거하였다.
도 9는 본 발명에 따라 보조 정전용량 보정에 따라 Vcom 전압이 보정된 모습을 도시한 그래프이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 종래 기술에서는 액정패널을 수평방향으로 5개 영 역으로 분할한 후, 플리커 프리 Vcom 전압을 측정하면, 보정 전의 Vcom 전압은 Ⅰ영역에서는 높은 킥백 전압으로 인하여 낮은 Vcom 전압이 측정되었고, Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역 및 Ⅴ영역 에서도 킥백 전압의 영향으로 서로 다른 Vcom 전압이 측정되었다.
본 발명에서와 같이, 분할 영역 단위로 서로 다른 정전 용량을 형성하면, Vcom 전압이 일정하게 보정된다.
즉, Ⅰ영역과 같이 킥백 전압이 커서 Vcom 전압이 낮게 측정되는 영역에서는 화소전극과 공통전극 간의 오버랩 면적을 넓혀서, 큰 정전용량을 구현하고, 이로 인하여 킥백 전압을 낮추어 낮게 떨어진 Vcom 전압을 보상한다.
같은 방법으로 Ⅱ영역, Ⅲ영역, Ⅳ영역 및 Ⅴ영역에서도 화소전극과 공통전극의 오버랩 면적을 조절함으로써, 킥백 전압을 줄이고 떨어진 Vcom 전압을 보상한다.
상기 설명에서는 액정패널을 5개 영역으로 분할한 것을 중심으로 설명하였지만, 경우에 따라서는 5개 이상 분할하거나 그 이하로 분할하고 분할 영역 단위로 서로 다른 정전용량 형성하여 수평방향으로 발생되는 Vcom 전압차를 개선할 수 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 액정표시장치를 복수개 영역으로 분할한 다음, 각각의 분할 영역에 따라 서로 다른 정전 용량을 형성하여 국부적 잔상을 개선한 효과가 있다.
또한, 액정표시장치에 형성되는 화소전극과 공통전극의 오버랩 영역을 조절하여 다양한 크기의 정전용량을 구현할 수 있는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판상에 복수개의 분할 영역과, 각각 분할 영역에 교차배열되어 화소 영역을 한정하는 게이트 배선과 데이터 배선;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 연결되면서 화소 영역에 형성된 화소전극; 및
    상기 분할 영역마다 화소전극의 일측영역과 오버랩되는 면적이 다르도록 형성되고, 타측영역에서는 상기 화소전극과 교대로 배치된 공통전극을 포함하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 분할 영역은 상기 게이트 배선을 따라 수평방향으로 분할된 영역인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극과 공통전극이 오버랩되는 영역에서는 화소영역내의 정전용량을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 화소영역에 형성되는 정전용량은 각각의 분할 영역마다 서로 다른 값을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극과 공통전극의 오버랩 면적은 상기 화소전극 또는 공통전극의 면적을 조절하여 각각의 분할 영역마다 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 분할 영역의 화소영역에서는 정전용량을 조절하여 킥백 전압을 보정하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 복수개의 분할 영역으로 구획된 기판 상에 게이트 배선, 공통전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선이 형성된 기판 상에 상기 게이트 배선과 교차되어 화소 영역을 한정하도록 데이터 배선과 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및
    상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 상에 각각의 분할 영역마다 상기 공통전극과 오버랩되는 면적이 다르도록 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 복수개의 분할 영역은 상기 게이트 배선을 따라 수평방향으로 분할된 영역인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 화소전극과 공통전극은 오버랩되면서 화소영역내의 정전용량을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 화소전극과 상기 공통전극의 오버랩되는 면적을 다르게 하여 각각의 분할 영역에 형성되는 화소 영역의 정전용량을 다르게 하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 화소전극과 상기 공통전극의 오버랩되는 면적을 분할 영역마다 다르게 하여 각각의 분할 영역에서 킥백 전압을 보정하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
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