KR20070050761A

KR20070050761A - Organic electro luminescent display device and the method for manufacturing the same

Info

Publication number: KR20070050761A
Application number: KR1020060059699A
Authority: KR
Inventors: 이정훈
Original assignee: 주식회사 대우일렉트로닉스
Priority date: 2006-06-29
Filing date: 2006-06-29
Publication date: 2007-05-16
Also published as: KR100768715B1

Abstract

본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법은, 기판 상에 어느 한 방향으로 배열되는 양전극층 패턴을 형성하는 단계; 양전극층 패턴 위에 절연막 및 절연막과 식각 선택비를 갖는 하드마스크막을 순차적으로 적층하는 단계; 하드마스크막을 패터닝하여 절연막을 선택적으로 노출하는 하드마스크막 패턴을 형성하는 단계; 마스크막 패턴 및 하드마스크막 패턴을 식각 마스크로 노출된 절연막을 제거하여 하드마스크막 패턴의 일부 영역이 일 방향으로 돌출되는 절연막 패턴을 형성하여 절연막 패턴 및 하드마스크막 패턴으로 이루어지는 격벽층을 형성하는 단계; 마스크막 패턴을 제거하는 단계; 및 화소 개구부 상에 유기 박막층 및 음전극층을 증착하는 단계를 포함한다.The organic electroluminescent device of the present invention and a method of manufacturing the same, forming a positive electrode layer pattern arranged in one direction on a substrate; Sequentially stacking an insulating layer and a hard mask layer having an etching selectivity with an insulating layer on the positive electrode layer pattern; Patterning the hard mask film to form a hard mask film pattern for selectively exposing the insulating film; Forming an insulating layer pattern in which a portion of the hard mask layer pattern protrudes in one direction by removing the insulating layer exposing the mask layer pattern and the hard mask layer pattern as an etch mask to form a barrier layer including the insulating layer pattern and the hard mask layer pattern step; Removing the mask film pattern; And depositing an organic thin film layer and a negative electrode layer on the pixel openings.

배선부, 저항, 격벽층 Wiring part, resistance, bulkhead layer

Description

Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same

도 1은 종래 기술에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타내보인 도면이다. 1 is a view schematically showing an organic EL device according to the prior art.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.2 to 7 are views showing for explaining a method of manufacturing an organic EL device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

200 : 기판 210 : 하드마스크막 패턴200: substrate 210: hard mask film pattern

212 : 마스크막 214 : 절연층 패턴212: mask film 214: insulating layer pattern

216 : 격벽층 패턴216: partition wall pattern

본 발명은 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same.

유기 전계 발광 소자는 평판 디스플레이 소자의 하나로서, 일반적으로 기판상의 양전극층(anode layer)과 음전극층(cathode layer) 사이에 유기 발광층을 포 함하는 유기 박막층을 삽입하여 구성하며, 매우 얇은 두께의 매트릭스 형태를 이룬다.The organic electroluminescent device is one of flat panel display devices, and is generally formed by inserting an organic thin film layer including an organic light emitting layer between an anode layer and a cathode layer on a substrate, and having a very thin matrix. Form.

이러한 유기 전계 발광 소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점이 있다. 또한, 다른 형태의 디스플레이 소자와 비교하여, 특히, 중형 이하에서 다른 디스플레이 소자와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있을 뿐만 아니라, 제조 공정이 단순하다는 점에서, 차세대 평판 디스플레이 소자로 주목받고 있다. The organic EL device can be driven at a low voltage, and has advantages such as thinness. In addition, in comparison with other types of display elements, in particular, it is attracting attention as a next-generation flat panel display element because it can not only have the same or higher image quality than other display elements under medium size, but also the manufacturing process is simple.

도 1을 참조하면, 기판(100) 위에 줄무늬 형태로 배열된 양전극층(102)이 형성되어 있으며, 양전극층(102) 및 기판(100) 위에는, 평면으로 볼 때 격자 형상의 절연막 패턴(104)이 형성되어 상기 양전극층(102) 상에 복수의 화소 개구부(A)를 정의하고 있다. 그리고 양전극층(102)과 직교하는 상기 절연막 패턴(104) 위에는, 격벽층(106)이 형성되어 있으며 양전극층(102)이 배열된 방향을 따라 서로 인접하는 화소 개구부(A) 간의 음전극층의 단락을 방지하는 역할을 한다. 화소 개구부(A)의 양전극층(102) 위에는 유기 전계 발광층(미도시함)이 형성되어 있으며, 유기 전계 발광층 위에는 음전극층(108)이 형성되어 있다. 여기서 양전극층(102)은 빛이 투과되는 투명 전극물질로 이루어져 있으며, 음전극층(108)은 저항을 줄이기 위해 저항이 낮은 알루미늄(Al)을 증착하여 낮은 저항을 가지는 배선을 구현하고 있다. Referring to FIG. 1, a positive electrode layer 102 arranged in a stripe shape is formed on a substrate 100. On the positive electrode layer 102 and the substrate 100, a lattice-shaped insulating layer pattern 104 is viewed in plan view. Is formed to define a plurality of pixel openings A on the positive electrode layer 102. On the insulating film pattern 104 orthogonal to the positive electrode layer 102, a barrier layer 106 is formed and a short circuit of the negative electrode layer between the pixel openings A adjacent to each other in the direction in which the positive electrode layer 102 is arranged. Serves to prevent. An organic electroluminescent layer (not shown) is formed on the positive electrode layer 102 of the pixel opening A, and a negative electrode layer 108 is formed on the organic electroluminescent layer. Here, the positive electrode layer 102 is made of a transparent electrode material through which light is transmitted, and the negative electrode layer 108 implements wiring having low resistance by depositing aluminum (Al) having low resistance in order to reduce resistance.

한편, 알루미늄(Al)막을 기판(100) 전면에 증착할 경우, BUS 라인간 단락을 발생시킬 수 있어, 음전극층(108)이 형성될 양전극층(102)의 가로 방향으로 격벽층(106)을 형성하여 음전극층(108)간의 연결을 막고 있다. 일반적으로 저항(ρ)은 라인의 길이에 비례하고 넓이에 반비례하므로 음전극층의 길이를 줄이고 넓이를 넓힘으로써 저항이 낮은 배선을 실현할 수 있다. 그러나 라인의 길이는 패널 사이즈가 정해져 있기 때문에 조절할 수 없고, 또한 사각 지역(dead pace)을 증가시키므로 넓히는데 한계가 있다. 이에 따라 사각 지역의 증가 없이 저항을 낮추기 위한 방법이 요구된다.On the other hand, when the aluminum (Al) film is deposited on the entire surface of the substrate 100, a short circuit may occur between the BUS lines, so that the barrier layer 106 is disposed in the horizontal direction of the positive electrode layer 102 on which the negative electrode layer 108 is to be formed. It is formed to prevent the connection between the negative electrode layer 108. In general, since the resistance ρ is proportional to the length of the line and inversely proportional to the width, the wiring having low resistance can be realized by reducing the length and width of the negative electrode layer. However, the length of the line cannot be adjusted because the panel size is fixed, and there is a limit to widening because it increases the dead pace. Accordingly, there is a need for a method for lowering resistance without increasing blind spots.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 유기 전계 소자의 구조를 개선하여 사각 지역의 증가 없이 음전극층 라인을 넓힘으로써 배선의 저항을 낮출 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which can lower the resistance of wiring by improving the structure of the organic electroluminescent device and widening the negative electrode layer line without increasing the rectangular area.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조방법은, 기판 상에 어느 한 방향으로 배열되는 양전극층 패턴을 형성하는 단계; 상기 양전극층 패턴 위에 절연막 및 상기 절연막과 식각 선택비를 갖는 하드마스크막을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 하드마스크막을 패터닝하여 상기 절연막을 선택적으로 노출하는 하드마스크막 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크막 패턴 및 하드마스크막 패턴을 식각 마스크로 노출된 절연막을 제거하여 하드마스크막 패턴의 일부 영역이 일 방향으로 돌출되는 절연막 패턴을 형성하여 절연막 패턴 및 하드마스크막 패턴으로 이루어지는 격벽층을 형성하는 단계; 상기 마스크막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 화소 개구부 상에 유기 박막층 및 음전극층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a method of manufacturing an organic EL device according to the present invention, forming a positive electrode layer pattern arranged in any one direction on a substrate; Sequentially stacking an insulating layer and a hard mask layer having an etch selectivity with the insulating layer on the positive electrode layer pattern; Patterning the hard mask layer to form a hard mask layer pattern that selectively exposes the insulating layer; By removing the insulating layer exposing the mask layer pattern and the hard mask layer pattern as an etch mask, an insulating layer pattern in which a portion of the hard mask layer pattern protrudes in one direction is formed to form a barrier layer including the insulating layer pattern and the hard mask layer pattern. Doing; Removing the mask layer pattern; And depositing an organic thin film layer and a negative electrode layer on the pixel openings.

본 발명에 있어서, 상기 절연막은 실리콘산화막(SiO₂)을 포함하며, 하드마스크막은 실리콘질화막(SiNx)을 포함하여 형성할 수 있다.In the present invention, the insulating film may include a silicon oxide film (SiO ₂ ), and the hard mask film may include a silicon nitride film (SiNx).

상기 마스크막 패턴은 폴리이미드(polyimid)계의 포토레지스트를 포함하여 형성할 수 있다. The mask layer pattern may include a polyimide-based photoresist.

상기 절연막은 등방성 식각을 이용하여 제거하는 것이 바람직하다.The insulating film is preferably removed using isotropic etching.

상기 절연막은 비.오.이(BOE) 용액 또는 불산(HF) 용액을 포함하는 식각용액을 이용하여 제거할 수 있다. The insulating layer may be removed using an etching solution including a BOE solution or a hydrofluoric acid (HF) solution.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는, 기판; 상기 기판 위에 어느 한 방향으로 배열되어 있는 양전극층 패턴; 상기 양전극층 패턴 상에 화소 개구부를 정의하도록 상기 양전극층 패턴 및 기판 위에 형성되어 있는 절연층 패턴과, 상기 절연층 패턴 위에 일부 영역이 일 방향으로 돌출되는 하드마스크막 패턴으로 이루어지는 격벽층 패턴; 상기 격벽층 패턴 위에 순차적으로 형성되어 있는 유기 전계 발광층 및 음전극층 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above technical problem, the organic electroluminescent device according to the present invention, a substrate; A positive electrode layer pattern arranged in one direction on the substrate; A barrier layer pattern including an insulating layer pattern formed on the positive electrode layer pattern and the substrate to define a pixel opening on the positive electrode layer pattern, and a hard mask film pattern in which a portion of the region protrudes in one direction on the insulating layer pattern; And an organic electroluminescent layer and a negative electrode layer pattern sequentially formed on the barrier layer pattern.

상기 절연막은 실리콘산화막(SiO₂)을 포함하여 이루어지며, 상기 하드마스크 막은 실리콘질화막(SiNx)을 포함하여 이루어진다.The insulating layer includes a silicon oxide layer (SiO ₂ ), and the hard mask layer includes a silicon nitride layer (SiNx).

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.2 to 6 are views showing for explaining an organic EL device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판(200) 상에 스퍼터링(sputtering) 방법 등을 사용하여 투명 금속 산화물을 적층하여 양전극층을 형성한다. 여기서, 기판(200)은 일반적으로 글래스(glass)를 사용하며, 양전극층은 ITO(Indium tin oxide)층 또는 IZO(Indium zinc oxide) 등의 투명 전도성 물질을 사용한다. 이때, 양전극층은 저저항 금속 물질이 단일층 또는 두개 이상의 층을 가지는 복수층으로 이루어질 수 있으며, 복수층으로 이루어질 경우에는 하부층은 콘트라스트를 증가시키기 위해 저저항 금속 물질로 이루어질 수도 있다. 다음에 양전극층 상에 감광막(도면에 도시하지 않음)을 도포하고, 노광 및 현상하여 감광막 패턴(도면에 도시하지 않음)을 형성한다. 계속해서 감광막 패턴을 마스크로 양전극층을 식각하여 어느 한 방향으로 길게 뻗어 있는 줄무늬 형상(stripe type)의 양전극층 패턴(202)을 형성한다. Referring to FIG. 2, a positive electrode layer is formed by stacking transparent metal oxide on a substrate 200 using a sputtering method or the like. Here, the substrate 200 generally uses glass, and the positive electrode layer uses a transparent conductive material such as an indium tin oxide (ITO) layer or an indium zinc oxide (IZO). In this case, the positive electrode layer may be formed of a single layer or a plurality of layers having two or more layers, and in the case of the plurality of layers, the lower layer may be formed of a low resistance metal material to increase contrast. Next, a photoresist film (not shown) is applied on the positive electrode layer, followed by exposure and development to form a photoresist pattern (not shown). Subsequently, the positive electrode layer is etched using the photoresist pattern as a mask to form a stripe type positive electrode layer pattern 202 extending in one direction.

계속해서, 양전극층 패턴(202)을 포함하는 기판(200) 전면에 절연막(204) 및 상기 절연막(204)과 식각 선택비를 갖는 하드마스크막(206)을 순차적으로 형성한다. 여기서 절연막(204)은 실리콘산화막(SiO₂)을 포함하여 이루어진다. 그리고 절연막(204)과 식각 선택비를 갖는 하드마스크막(206)은 실리콘질화막(SiNx)을 포함하여 이루어진다. 이때, 절연막(204) 및 하드마스크막(206)은 플라즈마 기상증착(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 형성할 수 있다.Subsequently, an insulating film 204 and a hard mask film 206 having an etching selectivity with the insulating film 204 are sequentially formed on the entire surface of the substrate 200 including the positive electrode layer pattern 202. In this case, the insulating film 204 includes a silicon oxide film (SiO 2). The hard mask layer 206 having an etching selectivity with the insulating layer 204 includes a silicon nitride layer SiNx. In this case, the insulating film 204 and the hard mask film 206 may be formed using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method.

구체적으로, 기판(200)을 플라즈마 챔버 내에 로딩한 후에 소스 가스를 공급하고, 적절한 소스파워를 인가하여 플라즈마 챔버 내에 플라즈마를 형성한다. 다음에 플라즈마 상태로 여기된 이온들이 기판(200)에 흡착되어 화학 반응하도록 적절한 바이어스 파워를 인가하여 기판(200) 상에 막, 예를 들어 절연막(204) 또는 하드마스크막(206)을 증착한다. 계속해서 하드마스크막(206) 위에 포토레지스트를 도포하고, 패터닝하여 하드마스크막을 선택적으로 노출시키는 포토레지스트 패턴(208)을 형성한다. Specifically, after loading the substrate 200 into the plasma chamber, source gas is supplied, and appropriate source power is applied to form plasma in the plasma chamber. Next, a film, for example, an insulating film 204 or a hard mask film 206 is deposited on the substrate 200 by applying an appropriate bias power so that the ions excited in the plasma state are adsorbed on the substrate 200 and chemically react. . Subsequently, a photoresist is applied on the hard mask film 206 and patterned to form a photoresist pattern 208 that selectively exposes the hard mask film.

다음에 도 3을 참조하면, 포토레지스트 패턴(208)을 식각마스크로 하드마스크막(206)을 식각하여 하드마스크막 패턴(210)을 형성한다. 그리고 포토레지스트 패턴(208)은 스트립(strip) 공정을 이용하여 제거한다. 이러한 하드마스크막 패턴(210)은 절연막(204)과 식각 선택비를 갖고 있어 이후 격벽층을 형성하기 위해 진행하는 식각공정에서 절연막(204)을 선택적으로 제거하기 위해 식각이 진행될 영역을 제외한 나머지 영역을 차단하는 역할을 한다.Next, referring to FIG. 3, the hard mask layer 206 is etched using the photoresist pattern 208 as an etch mask to form the hard mask layer pattern 210. The photoresist pattern 208 is removed using a strip process. The hard mask layer pattern 210 has an etching selectivity with the insulating layer 204, and thus, except for the region where the etching is performed to selectively remove the insulating layer 204 in an etching process that is performed to form the partition layer thereafter. It serves to block.

도 4를 참조하면, 하드마스크막 패턴(210) 및 노출된 절연막(204) 상에 마스 크막을 형성한다. 여기서 마스크막은 폴리이미드(polyimid)계의 포토레지스트를 포함하여 형성할 수 있다. Referring to FIG. 4, a mask layer is formed on the hard mask layer pattern 210 and the exposed insulating layer 204. The mask layer may be formed by including a polyimide photoresist.

다음에 마스크막, 예를 들어 포토레지스트 상에 노광 및 현상을 진행하여 마스크막 패턴(212)을 형성한다. 이러한 마스크막 패턴(212)은 하드마스크막 패턴(210) 및 절연막(204)의 일부 영역에 중첩하도록 배치된다. 여기서 하드마스크막 패턴(210)은 마스크막 패턴(212)에 의해 대략 절반가량 차단되며, 하드마스크막 패턴(210)과 인접하는 절연막(204)도 부분적으로 차단된다.Next, a mask film pattern 212 is formed by performing exposure and development on a mask film, for example, a photoresist. The mask layer pattern 212 may be disposed to overlap a portion of the hard mask layer pattern 210 and the insulating layer 204. Here, the hard mask film pattern 210 is blocked about half by the mask film pattern 212, and the insulating film 204 adjacent to the hard mask film pattern 210 is partially blocked.

도 5를 참조하면, 마스크막 패턴(212) 및 하드마스크막 패턴(210)을 식각 마스크로 한 식각공정을 진행하여 마스크막 패턴(212)에 의해 차단되지 않고 노출된 절연막(204)을 제거하여 하드마스크막 패턴(210)의 일부 영역이 바깥쪽으로 돌출되는 절연막 패턴(214)을 형성하여 절연막 패턴(214) 및 하드마스크막 패턴(210)으로 이루어지는 격벽층(216)을 형성한다. Referring to FIG. 5, an etching process using the mask layer pattern 212 and the hard mask layer pattern 210 as an etching mask is performed to remove the insulating layer 204 that is not blocked by the mask layer pattern 212. An insulating layer pattern 214 in which a portion of the hard mask layer pattern 210 protrudes outward is formed to form a barrier layer 216 including the insulating layer pattern 214 and the hard mask layer pattern 210.

여기서 절연막(204)을 제거하는 식각공정은 모든 방향으로 균일한 식각속도를 갖는 등방성(isotropic) 식각이며 언더컷(undercut)으로 진행한다. 또한, 절연막(204)은 BOE(Buffered Oxide Etchant) 용액 또는 불산(HF) 용액을 포함하는 식각용액을 이용하여 습식 식각(wet etch)으로 제거할 수 있다. 이때, 절연막(204)을 제거하면서 노출된 영역(B)이 화소 개구부가 된다. The etching process for removing the insulating layer 204 is an isotropic etching with a uniform etching speed in all directions and proceeds undercut. In addition, the insulating layer 204 may be removed by wet etching using an etching solution including a BOE (Buffered Oxide Etchant) solution or a hydrofluoric acid (HF) solution. At this time, the region B exposed while the insulating film 204 is removed becomes the pixel opening.

이때, 절연막 패턴(214)으로부터 바깥쪽으로 돌출되는 하드마스크막 패턴(210)은 이후 음전극층 패턴을 증착하는 과정에서 픽셀간 분리하는 역할을 하며, 이와 함께 음전극층 패턴의 길이가 길어지는 효과가 있다. 다음에 마스크막 패 턴(212), 예를 들어 포토레지스트막을 스트립 공정을 진행하여 제거한다. At this time, the hard mask film pattern 210 protruding outward from the insulating film pattern 214 serves to separate the pixels in the process of depositing the negative electrode layer pattern thereafter, and the length of the negative electrode layer pattern is long. . Next, the mask film pattern 212, for example, the photoresist film, is removed by a strip process.

도 6을 참조하면, 화소 개구부 상에 유기 전계 발광층(218) 및 음전극층 패턴(220)을 순차적으로 증착한다. Referring to FIG. 6, the organic electroluminescent layer 218 and the negative electrode layer pattern 220 are sequentially deposited on the pixel openings.

여기서 비록 도면에 도시하지는 않았지만, 유기 전계 발광층(218)은 양전극층 패턴(202)으로부터의 정공과 음전극층으로부터의 전자가 전달되어 자체적으로 발광하는 유기 발광층, 양전극층 패턴(202)으로부터 유기 발광층으로의 정공 전달을 보조하는 정공 주입층 및 정공 수송층, 그리고, 음전극층 패턴(220)으로부터 상기 유기 발광층으로의 전자 전달을 보조하는 전자 주입층 및 전자 수송층 등을 포함하여 이루어진다. 또한, 음전극층 패턴(220)은 양전극층 패턴(202)과 직교하는 일 방향으로 배열된다. 이때, 음전극층 패턴(220)은 종래의 크롬(Cr)보다 낮은 저항 값(ρ)을 가지는 알루미늄(Al),구리(Cu) 또는 은(Ag)을 포함하는 전극형성용 금속물질로 이루어질 수 있다.Although not shown in the drawings, the organic electroluminescent layer 218 is an organic light emitting layer in which holes from the positive electrode layer pattern 202 and electrons from the negative electrode layer are transferred to emit light by itself, and then, from the positive electrode layer pattern 202 to the organic light emitting layer. And a hole injection layer and a hole transport layer to assist hole transfer of the electron injection layer, and an electron injection layer and an electron transport layer to assist electron transfer from the negative electrode layer pattern 220 to the organic light emitting layer. In addition, the negative electrode layer pattern 220 is arranged in one direction orthogonal to the positive electrode layer pattern 202. In this case, the negative electrode layer pattern 220 may be formed of a metal material for forming an electrode including aluminum (Al), copper (Cu), or silver (Ag) having a lower resistance value (ρ) than conventional chromium (Cr). .

이러한 음전극층 패턴(220)은, 일부 영역이 일 방향으로 돌출되어 있는 하드마스크막 패턴(210) 및 절연막 패턴(214)을 형성하여 절연막 패턴(214) 및 하드마스크막 패턴(210)으로 이루어지는 격벽층 패턴(216) 상에 증착되면서 음전극층 패턴(220)의 증착 넓이가 늘어나게 된다. 또한, 하드마스크막 패턴(210)이 일 방향으로 돌출되면서 사각 지역의 증가 없이 증착 넓이를 증가시킬 수 있다. 이에 따라 저항이 낮은 배선을 실현할 수 있다. The negative electrode layer pattern 220 includes a hard mask film pattern 210 and an insulating film pattern 214 in which a portion of the region protrudes in one direction to form a partition wall including the insulating film pattern 214 and the hard mask film pattern 210. The deposition area of the negative electrode layer pattern 220 is increased while being deposited on the layer pattern 216. In addition, as the hard mask pattern 210 protrudes in one direction, the deposition area may be increased without increasing the blind area. As a result, wiring with low resistance can be realized.

지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 의하면, 일부 영역이 일 방향으로 돌출되어 있는 하드마스크막 패턴의 상부 및 절연막 패턴을 형성하여 절연막 패턴 및 하드마스크막 패턴으로 이루어지는 격벽층 패턴 상에 음전극층 패턴을 증착시킴으로써 사각 지역의 증가 없이 증착 넓이를 증가시킬 수 있다. 이에 따라 저항이 낮은 배선을 실현할 수 있다. As described above, according to the organic electroluminescent device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the insulating film pattern and the hard mask film pattern are formed by forming the upper part and the insulating film pattern of the hard mask film pattern in which some regions protrude in one direction. By depositing the negative electrode layer pattern on the barrier layer pattern formed, the deposition area can be increased without increasing the rectangular area. As a result, wiring with low resistance can be realized.

Claims

Forming a positive electrode layer pattern arranged in one direction on the substrate;

Sequentially stacking an insulating layer and a hard mask layer having an etch selectivity with the insulating layer on the positive electrode layer pattern;

Patterning the hard mask layer to form a hard mask layer pattern that selectively exposes the insulating layer;

By removing the insulating layer exposing the mask layer pattern and the hard mask layer pattern as an etch mask, an insulating layer pattern in which a portion of the hard mask layer pattern protrudes in one direction is formed to form a barrier layer including the insulating layer pattern and the hard mask layer pattern. Making;

Removing the mask layer pattern; And

And depositing an organic thin film layer and a negative electrode layer on the pixel openings.

The method of claim 1,

The insulating film is a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that it comprises a silicon oxide film (SiO ₂ ).

The method of claim 1,

The hard mask film is a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that it comprises a silicon nitride film (SiNx).

The method of claim 1,

The mask layer pattern is a method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that it comprises a polyimide-based photoresist.

The method of claim 1,

The insulating layer is removed using an isotropic etching method of manufacturing an organic EL device.

The method of claim 1,

The insulating layer is removed using an etching solution including a BOE (BOE) solution or a hydrofluoric acid (HF) solution.

Transparent substrates;

A positive electrode layer pattern arranged in one direction on the transparent substrate;

A barrier layer pattern including an insulating layer pattern formed on the positive electrode layer pattern and a substrate to define a pixel opening on the positive electrode layer pattern, and a hard mask film pattern in which a partial region protrudes in one direction on the insulating layer pattern;

An organic electroluminescent device comprising an organic electroluminescent layer and a negative electrode layer pattern sequentially formed on the barrier layer pattern.

The method of claim 7, wherein

The insulating film is an organic electroluminescent device, characterized in that it comprises a silicon oxide film (SiO ₂ ).

The method of claim 7, wherein

The hard mask film is an organic electroluminescent device, characterized in that it comprises a silicon nitride film (SiNx).