KR20070043392A - 전자 방출 디바이스, 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스및 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자빔 집속 효율을 높이며 제조 공정을 단순화할 수 있는 전자 방출 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법은 기판 위에 캐소드 전극들을 형성하는 단계와, 기판 위 전체에 절연층을 형성한 다음 기판에 설정된 단위 화소마다 절연층에 개구부를 형성하여 캐소드 전극들의 표면 일부를 노출시키는 단계와, 기판 위 전체에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 절연층 윗면에서 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 위치하는 게이트 전극들 및 캐소드 전극들과 접촉하면서 절연층의 개구부 측벽 일부에 제공되어 게이트 전극들과 절연되는 집속 전극을 동시에 형성하는 단계와, 캐소드 전극들 위로 전자 방출부를 형성하는 단계들을 포함한다.

전자방출부, 캐소드전극, 게이트전극, 집속전극, 절연층, 형광층, 애노드전극

Description

전자 방출 디바이스, 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스 및 이의 제조 방법 {ELECTRON EMISSION DEVICE, ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.

도 8은 본 발명의 제조 방법에 의해 완성된 전자 방출 디바이스를 이용한 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 9는 본 발명의 일 실시예의 전자 방출 디바이스에서 전자 방출부 주위에 형성되는 등전위 분포와 전자빔 방출 궤적을 나타낸 개략도이다.

본 발명은 전자 방출 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자빔 집속 효율을 높이며 제조 공정을 단순화할 수 있는 전자 방출 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방 식으로 분류할 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

이 중 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부 및 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극으로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 구성 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 카본과 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

전자 방출 소자는 제1 기판에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 제2 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.

상기 전자 방출 표시 디바이스에 있어서, 전자빔 경로를 목적하는 방향으로 유도하여 표시 특성을 향상시키려는 노력이 있어왔다. 예를 들어 전자 방출부에서 방출된 전자들이 제2 기판을 향해 퍼지며 진행하는 경우에는 이 전자들이 대응하는 화소의 형광층 뿐만 아니라 이웃한 흑색층 및 다른 화소의 타색 형광층에 함께 도달하여 타색 발광을 유발한다.

이로써 전자 방출 디바이스의 최상부에 집속 전극(이하, 편의상 '상부 집속 전극'이라 한다)을 형성하거나, 전자 방출부 주위로 어느 한 구동 전극과 전기적으로 연결되는 집속 전극(이하, 편의상 '하부 집속 전극'이라 한다)을 형성하여 전자빔 퍼짐을 억제하는 구조가 제안되었다.

그런데 상부 집속 전극을 구비한 종래의 전자 방출 디바이스는 스캔 전극들과 데이터 전극들간 절연을 위한 제1 절연층 이외에 이 구동 전극들과 상부 집속 전극간 절연을 위한 제2 절연층을 구비하고 있으므로 두 번의 절연층 증착 공정이 요구되어 제조 비용이 증가하고 공정 단계가 복잡해지는 문제가 있다.

더욱이 절연층 증착은 고온 분위기에서 진행되므로 기판이 두 번의 절연층 증착 공정을 거치는 동안 수축 팽창되어 추후 공정에서 미스-얼라인이 발생할 수 있다.

그리고 상부 집속 전극을 구비한 종래의 전자 방출 디바이스와 하부 집속 전극을 구비한 종래의 전자 방출 디바이스 모두 도전막 증착과 패터닝 공정을 반복하여 스캔 전극들, 데이터 전극들 및 집속 전극을 별개로 형성하고 있으므로, 공정 단계가 복잡해지고 제조 비용이 상승하는 문제를 안고 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 절연층과 구동 전극들 및 집속 전극을 형성할 때 이의 공정 단계를 줄여 제조를 용이하게 하고 제조 비용을 낮출 수 있는 전자 방출 디바이스 및 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

기판 위에 캐소드 전극들을 형성하고, 기판 위 전체에 절연층을 형성한 다음 기판에 설정된 단위 화소마다 절연층에 개구부를 형성하여 캐소드 전극들의 표면 일부를 노출시키고, 기판 위 전체에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 절연층 윗면에서 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 위치하는 게이트 전극들 및 캐소드 전극들과 접촉하면서 절연층의 개구부 측벽 일부에 제공되어 게이트 전극들과 절연되는 집속 전극을 동시에 형성하고, 캐소드 전극들 위로 전자 방출부를 형성하는 단계들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 제공한다.

상기 절연층에 개구부를 형성할 때에는 절연층 식각을 2회에 걸쳐 서로 다른 크기로 진행하여 기판의 두께 방향을 따라 서로 다른 크기의 개구부를 형성할 수 있다.

즉 상기 절연층에 개구부를 형성할 때, 소정 깊이로 제1 개구부를 형성하고, 제1 개구부 내측에 제1 개구부보다 작은 크기의 제2 개구부를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 도전막을 패터닝할 때, 제1 개구부의 측벽에 위치한 도전막을 제거하여 게이트 전극들과 집속 전극을 분리시킬 수 있다.

상기 도전막을 패터닝할 때 캐소드 전극들 상부의 도전막을 일부 제거하여 집속 전극에 개구부를 형성하고, 집속 전극 개구부에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부를 형성할 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

기판과, 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극에 전기적으로 연 결되는 전자 방출부들과, 전자 방출부를 개방시키는 개구부를 가지며 기판 위에 형성되는 절연층과, 절연층 위에 형성되는 게이트 전극들과, 전자 방출부를 둘러싸며 캐소드 전극과 접촉하고 절연층의 개구부 측벽 일부에 걸쳐 위치하는 집속 전극을 포함하며, 게이트 전극들과 집속 전극이 동일 재질로 이루어지는 전자 방출 디바이스를 제공한다.

상기 게이트 전극들과 집속 전극은 크롬, 구리, 니켈, 은, 알루미늄 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.

먼저 도 1을 참고하면, 기판(10) 위에 도전막을 코팅하고 이를 패터닝하여 스트라이프 형상의 캐소드 전극들(12)을 형성하고, 기판(10) 위 전체에 절연 물질을 증착 또는 스크린 인쇄하여 절연층(14)을 형성한다. 캐소드 전극들(12)은 추후 전자 방출부 형성시 후면 노광 공정을 고려하여 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전막으로 형성하고, 기판(10)은 유리와 같은 투명 기판으로 준비한다.

이어서 도 2에 도시한 바와 같이, 절연층(14)을 부분 식각하여 캐소드 전극들(12) 위로 기판(10)에 설정되는 단위 화소마다 개구부(16)를 형성함으로써 캐소드 전극(12)의 표면 일부를 노출시킨다. 여기서 단위 화소는 캐소드 전극들(14)과 추후 형성될 게이트 전극과의 교차 영역으로 정의할 수 있다.

상기 절연층(14) 식각은 2회에 걸쳐 서로 다른 크기로 진행하여 기판(10)의 두께 방향을 따라 서로 다른 크기의 개구부(161, 162)를 형성할 수 있다. 즉 도시하지 않은 제1 마스크층을 이용하여 절연층(14)을 일정 두께로 부분 식각함으로써 d1의 폭을 갖는 제1 개구부(161)를 형성하고, 도시하지 않은 제2 마스크층을 이용하여 절연층(14)을 다시 부분 식각함으로써 d1보다 작은 d2의 폭을 갖는 제2 개구부(162)를 형성한다.

이때 식각액을 이용하여 절연층(14)을 습식 식각하면, 습식 식각의 등방성 식각 특성에 의해 제1 개구부(161)와 제2 개구부(162)는 경사진 측면을 갖게 된다.

도 3을 참고하면, 기판(10) 위 전체에 도전막(18)을 코팅하고, 하나의 마스크층(도시하지 않음)을 이용해 도전막(18)을 패터닝하여 도 4와 도 5에 도시한 바와 같이 게이트 전극들(20)과 집속 전극(22)을 동시에 형성한다.

즉 상기 도전막(18)을 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 형상으로 패터닝하여 게이트 전극들(20)을 형성하고, 제1 개구부(161)의 측벽에 위치한 도전막(18) 부위를 제거하여 집속 전극(22)과 게이트 전극(20)을 분리시키며, 캐소드 전극(12) 위의 도전막(18) 부위를 일부 제거하여 전자 방출부가 위치할 캐소드 전극(12)의 표면 일부를 노출시킨다.

이와 같이 한번의 패터닝 공정으로 집속 전극(22)과 게이트 전극들(20)을 동시에 형성하며, 집속 전극(22)과 게이트 전극들(20)을 구성하는 도전막(18)은 일례로 크롬, 구리, 니켈, 은, 알루미늄 또는 몰리브덴과 같이 전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다.

다음으로 도 6에 도시한 바와 같이, 집속 전극(22)의 개구부(221)에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부(24)를 형성한다. 전자 방출부(24)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(24)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.

전자 방출부(24)의 제조법으로는 상기한 전자 방출 물질에 비히클과 바인더 등을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 페이스트상 혼합물을 제작하고, 이 혼합물을 집속 전극(22)의 개구부(221) 내측에 스크린 인쇄한 다음 건조 및 소성하는 과정을 적용할 수 있다.

다른 한편으로, 전자 방출부(24)의 제조법으로는 상기한 페이스트상 혼합물에 감광성 물질을 더욱 포함시키고, 도 7에 도시한 바와 같이 기판(10) 위 전체에 이 혼합물을 스크린 인쇄한 다음, 기판(10)의 후면으로부터 자외선을 조사하여 집속 전극(22)의 개구부(221)에 채워진 혼합물을 선택적으로 경화시키고, 현상을 통해 경화되지 않은 혼합물을 제거하는 과정을 적용할 수 있다.

이러한 후면 노광 방법에 따르면, 전자 방출부(24)가 캐소드 전극(12)의 표면으로부터 경화가 이루어지므로 캐소드 전극(12)에 대한 전자 방출부(24)의 접착력을 우수하게 확보할 수 있다.

또한, 전자 방출부(24)의 제조법으로 전술한 스크린 인쇄 이외에 직접 성장, 스퍼터링 또는 화학기상증착(CVD) 등을 적용할 수 있다.

이와 같이 본 실시예에 의한 전자 방출 디바이스의 제조 방법에 따르면, 한번의 패터닝 공정으로 게이트 전극들(20)과 집속 전극(22)을 동시에 완성할 수 있고, 하나의 절연층(14)을 구비하고도 전극들간 단락을 방지할 수 있으므로 본 실시예의 제조 방법은 공정 단계를 줄이고 제조 비용을 감소시키는데 효과적이다.

도 8은 전술한 제조 방법에 따라 완성된 전자 방출 디바이스를 이용한 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(26)과 제2 기판(28)을 포함한다. 제1 기판(26)과 제2 기판(28)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10^-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(26)과 제2 기판(28) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.

상기 제1 기판(26) 중 제2 기판(28)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(26)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성하고, 전자 방출 디바이스(100)가 제2 기판(28) 및 제2 기판(28)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.

먼저, 제1 기판(26) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(12)이 제1 기판(26)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(12)을 덮으면서 제1 기판(26) 전체에 절연층(14)이 형성된다. 절연층(14) 위에는 제2 전극인 게이트 전 극들(20)이 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

상기 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(20)의 교차 영역이 단위 화소를 이루며, 각 단위 화소마다 절연층(14)에 서로 다른 폭을 갖는 제1 개구부(161)와 제2 개구부(162)가 순차적으로 형성된다. 이때 게이트 전극들(20)은 제1 개구부(161)에 대응하는 개구부(201)를 형성하여 절연층(14)의 개구부(16) 전체를 노출시킨다.

그리고 캐소드 전극(12) 위에 전자 방출부들(24)이 형성되고, 제1 개구부(161)의 하면과 제2 개구부(162)의 측벽 및 캐소드 전극(12)의 표면 일부에 걸쳐 집속 전극(22)이 형성된다. 집속 전극(22)은 전자 방출부(24)의 측면과 접촉하여 이와 전기적으로 연결되며, 캐소드 전극(12)과도 전기적으로 연결되어 캐소드 전극(12)과 동일 전위를 유지한다.

상기 절연층(14)에 마련된 제2 개구부(162)의 깊이는 전자 방출부(24)의 높이보다 크게 이루어지며, 그 결과 집속 전극(22)이 제1 기판(26)에 대해 전자 방출부(24)보다 큰 높이로 형성된다. 따라서 집속 전극(22)은 전자 방출부(24)에서 방출되는 전자빔 경로를 둘러싸게 되며, 전자 방출부(24) 주위에 형성되는 전계 분포를 전자빔 집속에 유리한 분포로 변형시켜 전자빔 퍼짐을 억제하는 기능을 한다.

본 실시예에서 게이트 전극들(20)과 집속 전극(22)은 동일 재질로 이루어지며, 일례로 크롬, 구리, 니켈, 은, 알루미늄 또는 몰리브덴과 같이 전도성이 우수한 금속으로 이루어질 수 있다.

다음으로, 제1 기판(26)에 대향하는 제2 기판(28)의 일면에는 형광층(30), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(30R, 30G, 30B)이 서로간 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(30R, 30G, 30B) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(32)이 형성된다. 형광층들(30R, 30G, 30B)은 제1 기판(26)에 설정되는 단위 화소마다 한가지 색의 형광층이 대응하도록 배치된다.

그리고 형광층(30R, 30G, 30B)과 흑색층(32) 위로 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(34)이 형성된다. 애노드 전극(34)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(30R, 30G, 30B)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(30R, 30G, 30B)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(26)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(28) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.

한편, 애노드 전극은 ITO와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(28)을 향한 형광층(30R, 30G, 30B)과 흑색층(32)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 사용하는 구조도 가능하다.

상기 제1 기판(26)과 제2 기판(28) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(36)이 배치된다. 스페이서들(36)은 형광층(30R, 30G, 30B)을 침범하지 않도록 흑색층(32)에 대응하여 위치한다.

상기한 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(12), 게이트 전극들(20) 및 애노드 전극(34)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.

일례로 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(20) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 애노드 전극(34)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다. 이때 캐소드 전극들(12)은 게이트 전극들(20) 보다 낮은 전압을 인가받으며, 집속 전극(22)은 캐소드 전극(12)과 동일 전위를 유지한다.

그러면 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(20)간 전압 차가 임계치 이상인 단위 화소들에서 전자 방출부(24) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 전자 방출부(24)를 둘러싸는 집속 전극(22)에 의해 전자빔 다발의 중심부로 집속되며, 애노드 전극(34)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 단위 화소의 형광층(30R, 30G, 30B)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.

도 9는 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스에서 전자 방출부 주위에 형성되는 등전위 분포와 전자빔 방출 궤적을 나타낸 개략도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출부(24)에서 전자들이 방출될 때 전자 방출부(24) 주위로 전자 방출부(24)를 향해 볼록한 등전위선들이 형성되며, 이러한 등전위선들에 의해 등전위선의 법선 방향을 따라 이동하는 전자들은 전자빔 중심부로 집속되어 전자빔 퍼짐이 억제된다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 디바이스의 제조 방법은 한번의 패터닝 공정으로 게이트 전극들과 집속 전극을 동시에 완성할 수 있고, 하나의 절연층을 구비하고도 전극들간 단락을 방지할 수 있다. 따라서 본 발명에 의한 전자 방출 디바이스의 제조 방법은 공정 단계를 줄이고 제조 비용을 감소시키는데 큰 효과를 가진다.

Claims (11)

1. 기판 위에 캐소드 전극들을 형성하고;

   상기 기판 위 전체에 절연층을 형성한 다음 기판에 설정된 단위 화소마다 절연층에 개구부를 형성하여 상기 캐소드 전극들의 표면 일부를 노출시키고;

   상기 기판 위 전체에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여 상기 절연층 윗면에서 상기 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 위치하는 게이트 전극들 및 캐소드 전극들과 접촉하면서 절연층의 개구부 측벽 일부에 제공되어 게이트 전극들과 절연되는 집속 전극을 동시에 형성하고;

   상기 캐소드 전극들 위로 전자 방출부를 형성하는 단계들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 절연층에 개구부를 형성할 때, 절연층 식각을 2회에 걸쳐 서로 다른 크기로 진행하여 상기 기판의 두께 방향을 따라 서로 다른 크기의 개구부를 형성하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
3. 제2항에 있어서,

   상기 절연층에 개구부를 형성할 때, 소정 깊이로 제1 개구부를 형성하고, 제1 개구부 내측에 제1 개구부보다 작은 크기의 제2 개구부를 형성하는 전자 방출 디 바이스의 제조 방법.
4. 제2항에 있어서,

   상기 절연층을 식각할 때 습식 식각하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
5. 제3항에 있어서,

   상기 도전막을 패터닝할 때, 상기 제1 개구부의 측벽에 위치한 도전막을 제거하여 상기 게이트 전극들과 집속 전극을 분리시키는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 도전막을 패터닝할 때 상기 캐소드 전극들 상부의 도전막을 일부 제거하여 상기 집속 전극에 개구부를 형성하고,

   상기 집속 전극 개구부에 전자 방출 물질을 채워 상기 전자 방출부를 형성하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
7. 제6항에 있어서,

   상기 캐소드 전극들을 투명 도전막으로 형성하고,

   상기 전자 방출부를 형성하는 단계가 상기 전자 방출 물질과 감광성 물질을 포함하는 혼합물을 제작하고, 기판 위 전체에 혼합물을 스크린 인쇄하고, 기판의 후면으로부터 자외선을 조사하여 상기 집속 전극의 개구부에 채워진 혼합물을 선택적으로 경화시키고, 경화되지 않은 혼합물을 제거하는 과정들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
8. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀ 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
9. 기판과;

   상기 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과;

   상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;

   상기 전자 방출부를 개방시키는 개구부를 가지며 상기 기판 위에 형성되는 절연층과;

   상기 절연층 위에 형성되는 게이트 전극들과;

   상기 전자 방출부를 둘러싸며 상기 캐소드 전극과 접촉하고, 상기 절연층의 개구부 측벽 일부에 걸쳐 위치하는 집속 전극을 포함하며,

   상기 게이트 전극들과 집속 전극이 동일 재질로 이루어지는 전자 방출 디바이스.
10. 제9항에 있어서,

    상기 게이트 전극들과 집속 전극이 크롬, 구리, 니켈, 은, 알루미늄 및 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 디바이스.
11. 제9항 또는 제10항에 기재된 전자 방출 디바이스와;

    상기 기판에 대향 배치되는 타측 기판과;

    상기 타측 기판의 일면에 형성되는 적색, 녹색, 청색의 형광층들; 및

    상기 형광층들의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,

    상기 형광층들이 상기 단위 화소마다 한가지 색의 형광층이 대응하도록 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.

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