KR20070022456A

KR20070022456A - Substrate processing apparatus and substrate processing method

Info

Publication number: KR20070022456A
Application number: KR1020050076697A
Authority: KR
Inventors: 김재민; 양수근; 이건종; 이수원
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-08-22
Filing date: 2005-08-22
Publication date: 2007-02-27

Abstract

공간 사용 효율이 향상된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 개시된다. 기판 처리 장치는 제1 및 제2 공정 유닛들, 이송 유닛 및 세정 모듈을 포함한다. 제1 및 제2 공정 유닛들은 기판에 대한 공정을 수행한다. 이송 유닛은 제1 공정 유닛으로부터 제2 공정 유닛으로 기판을 이송한다. 세정 모듈은 이송 유닛의 상부에 배치되어, 이송 유닛 상에 배치된 기판을 세정한다. 따라서, 기판의 이송 및 세정이 함께 이루어져 기판 처리 장치의 공간 사용 효율이 향상된다.Disclosed are a substrate processing apparatus and a substrate processing method with improved space usage efficiency. The substrate processing apparatus includes first and second processing units, a transfer unit and a cleaning module. The first and second processing units perform a process on the substrate. The transfer unit transfers the substrate from the first processing unit to the second processing unit. The cleaning module is disposed on top of the transfer unit to clean the substrate disposed on the transfer unit. Therefore, the transfer and cleaning of the substrate are performed together, thereby improving the space usage efficiency of the substrate processing apparatus.

기판, 박막, 세정, 컨베이어, 공간 Board, Thin Film, Cleaning, Conveyor, Space

Description

Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1 taken along the line II ′. FIG.

도 3은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 II-II' 선을 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1 taken along the line II-II '.

도 4는 도 3에 도시된 제1 영역(A)의 확대도이다.4 is an enlarged view of the first region A illustrated in FIG. 3.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 기판 처리 장치 105 : 기판100 substrate processing apparatus 105 substrate

110 : 제1 공정 유닛 120 : 제2 공정 유닛110: first process unit 120: second process unit

130 : 컨베이어 140 : 이송 암130: conveyor 140: transfer arm

150 : 이송 유닛 170 : 세정 모듈150: transfer unit 170: cleaning module

174 : 자외선 조사부 175 : 세정액 브러싱부174 ultraviolet irradiation unit 175 washing liquid brushing unit

176 : 세정부176: cleaning unit

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판의 이송 및 세정이 함께 진행되어 공간 사용 효율이 향상된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. More particularly, the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which space transfer efficiency is improved by carrying out a substrate transfer and cleaning.

일반적으로 반도체 및 액정 표시 장치는 미세한 패턴으로 회로를 구성하여 정보를 저장하거나 영상을 표시한다. 반도체 및 액정 표시 장치 등에서 기판에 패턴을 형성하는 방법으로는 박막 증착 공정, 박막 식각 공정, 이온 주입 공정 등이 대표적이다.In general, semiconductors and liquid crystal displays configure circuits in fine patterns to store information or display images. Typical methods for forming patterns on substrates in semiconductors and liquid crystal displays include thin film deposition processes, thin film etching processes, ion implantation processes, and the like.

상기 박막 증착 공정은 기판의 표면에 박막을 형성시키는 공정으로서, 상기 박막 증착 공정의 예로는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정 및 스퍼터링(Sputtering) 공정 등을 들 수 있다.The thin film deposition process is a process of forming a thin film on the surface of the substrate, and examples of the thin film deposition process include a chemical vapor deposition (CVD) process and a sputtering process.

이와 같은 박막을 용이하게 기판 상에 증착하기 위해 상기 박막이 형성되는 기판의 표면을 세정하는 공정이 수행된다. 종래에는, 상기 박막 증착 공정을 수행하는 공정 유닛에서 다수 매의 기판에 대해 박막 증착 공정이 수행되고, 또 다른 공정을 수행하기 위해, 상기 박막 증착 공정이 수행된 상기 다수 매의 기판을 카세트에 실어 상기 공정 유닛의 인근에 배치된 세정기로 이송하여 세정 공정을 수행하였다. 또한, 공정 유닛들 간 기판을 이송하는 이송 유닛, 예를 들어, 컨베이어를 이용하여 기판을 공정 유닛들 사이에 이송하였다.In order to easily deposit such a thin film on the substrate, a process of cleaning the surface of the substrate on which the thin film is formed is performed. Conventionally, a thin film deposition process is performed on a plurality of substrates in a process unit that performs the thin film deposition process, and in order to perform another process, the plurality of substrates on which the thin film deposition process is performed are loaded on a cassette. The cleaning process was performed by transferring to a scrubber disposed in the vicinity of the processing unit. In addition, the substrate was transferred between the processing units using a transfer unit for transferring the substrate between the processing units, for example, a conveyor.

최근 상기 액정 표시 장치에 포함된 액정 표시 패널의 대각선 사이즈가 점차적으로 대형화되면서, 상기 액정 표시 패널의 모재료인 유리 기판의 사이즈도 증가되고, 이로 인해 상기 유리 기판에 박막을 증착시키는 장치의 사이즈도 함께 증가 되고 있다.As the diagonal size of the liquid crystal display panel included in the liquid crystal display device is gradually increased in recent years, the size of the glass substrate, which is a parent material of the liquid crystal display panel, also increases, and thus the size of the device for depositing a thin film on the glass substrate. It is increasing together.

그 결과, 기판의 사이즈가 증가됨에 따라 상기 기판의 이송 구간은 증가하고 공정 구간이 상대적으로 감소되어 기판에 박막을 증착시키는 장치의 공간 사용 효율이 저하되는 문제점이 있다.As a result, as the size of the substrate increases, the transfer period of the substrate increases and the process period decreases relatively, thereby decreasing the space usage efficiency of the device for depositing a thin film on the substrate.

또한, 상기 기판에 대한 상기 세정 공정을 수행하는 세정기는 상기 공정 유닛으로부터 이송된 기판을 세정기의 세정부로 이송시키는 이송부와, 실질적 세정기능을 수행하는 세정부로 이루어진 2 층 구조로서, 설비 공간이 증가하는 문제점이 있다.In addition, the scrubber for performing the cleaning process for the substrate is a two-layer structure consisting of a transfer unit for transferring the substrate transferred from the processing unit to the cleaning unit of the cleaner, and a cleaning unit for performing a substantially cleaning function, the facility space is There is an increasing problem.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 공정 유닛 간 기판의 이송 중에 기판에 대한 세정을 수행하여 공간 사용 효율이 향상된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention is to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having improved space use efficiency by performing cleaning on the substrate during transfer of the substrate between the processing units.

본 발명의 다른 목적은 기판을 이송하면서 세정 공정이 수행되는 단계를 포함하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method comprising the step of performing a cleaning process while transferring the substrate.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 제1 및 제2 공정 유닛들, 이송 유닛 및 세정 모듈을 포함한다. 상기 제1 및 제2 공정 유닛들은 기판에 대한 공정을 수행한다. 상기 이송 유닛은 상기 제1 공정 유닛으로부터 상기 제2 공정 유닛으로 상기 기판을 이송한다. 상기 세정 모듈은 상기 이송 유닛의 상부에 배치되어, 상기 이송 유닛 상에 배치된 기판을 세정한다.In order to realize the above object of the present invention, a substrate processing apparatus according to an embodiment includes first and second processing units, a transfer unit, and a cleaning module. The first and second processing units perform a process on a substrate. The transfer unit transfers the substrate from the first processing unit to the second processing unit. The cleaning module is disposed above the transfer unit to clean the substrate disposed on the transfer unit.

바람직하게는, 상기 이송 유닛은 컨베이어 및 이송 암을 포함한다. 상기 컨베이어는 상기 제1 공정 유닛으로부터 상기 제2 공정 유닛을 향하는 방향으로 배치되며, 상기 세정 모듈은 상기 컨베이어의 상부에 배치된다. 상기 이송 암(arm)은 상기 제1 및 제2 공정 유닛들로부터 상기 컨베이어로 및 상기 컨베이어로부터 상기 제1 및 제2 공정 유닛들로 기판을 이송한다.Preferably, the transfer unit comprises a conveyor and a transfer arm. The conveyor is disposed in a direction from the first processing unit toward the second processing unit, and the cleaning module is disposed above the conveyor. The transfer arm transfers the substrate from the first and second processing units to the conveyor and from the conveyor to the first and second processing units.

바람직하게는, 상기 제1 및 제2 공정 유닛들은 상기 기판의 표면에 박막을 형성시키는 챔버를 포함한다.Advantageously, said first and second processing units comprise a chamber for forming a thin film on the surface of said substrate.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위하여 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 제1 공정 유닛에서 기판의 표면에 제1 공정을 수행하는 단계, 상기 제1 공정이 수행된 기판을 이송하면서 상기 기판의 표면을 세정하는 단계 및 제2 공정 유닛에서 상기 세정된 기판의 표면에 제2 공정을 수행하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, the method including performing a first process on a surface of a substrate in a first processing unit, and transferring the substrate on which the first process is performed. Cleaning the surface of the substrate and performing a second process on the surface of the cleaned substrate in a second processing unit.

바람직하게는, 상기 세정하는 단계는 컨베이어 상에 배치되어 상기 제2 공정 유닛으로 이송되는 기판에, 상기 컨베이어의 상부에 배치된 세정 모듈을 이용하여 수행된다.Preferably, the cleaning step is performed using a cleaning module disposed on the conveyor, on the substrate disposed on the conveyor and transferred to the second processing unit.

이러한, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 제1 공정 유닛으로부터 제2 공정 유닛으로 기판이 이송되는 구간에서 기판에 대한 세정이 이루어지므로, 컨베이어의 공간 사용 효율이 향상되며, 세정 모듈과 이송 및 반송 설비를 포함하는 세정기에서 이송 및 반송을 위한 설비가 제거되어 기판처리 장치의 공간 사용 효율이 향상된다.According to such a substrate processing apparatus and a substrate processing method, since the substrate is cleaned in a section in which the substrate is transferred from the first processing unit to the second processing unit, the space use efficiency of the conveyor is improved, and the cleaning module and the transfer and In the washing machine including the conveying facilities, the facilities for conveying and conveying are removed, thereby improving the space usage efficiency of the substrate processing apparatus.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설 명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

기판 처리 장치Substrate processing equipment

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus illustrated in FIG. 1 taken along the line II ′. FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 기판(105)의 표면을 세정하고, 상기 기판(105) 상에 박막을 형성하거나, 상기 기판(105)의 표면에 형성된 박막에 소정의 공정을 수행하는 장치이다.1 and 2, the substrate processing apparatus 100 cleans the surface of the substrate 105, forms a thin film on the substrate 105, or forms a thin film formed on the surface of the substrate 105. The device to perform the process.

상기 기판 처리 장치(100)는 제1 공정 유닛(110), 제2 공정 유닛(120), 이송 유닛(150) 및 세정 모듈(170)을 포함한다. 상기 기판 처리 장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수 개의 상기 제1 공정 유닛(110) 및 제2 공정 유닛(120)을 포함한다.The substrate processing apparatus 100 includes a first processing unit 110, a second processing unit 120, a transfer unit 150, and a cleaning module 170. As illustrated in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of first processing units 110 and second processing units 120.

상기 제1 공정 유닛(110)은, 예를 들어, 화학기상증착 방법 및 스퍼터링 방법 등에 의하여 상기 기판(105) 상에 박막을 형성한다. 이를 위하여, 상기 제1 공정 유닛(110)은 제1 베이스(111) 및 복수 개의 제1 챔버(115)들을 포함한다.The first process unit 110 forms a thin film on the substrate 105 by, for example, a chemical vapor deposition method, a sputtering method, or the like. To this end, the first processing unit 110 includes a first base 111 and a plurality of first chambers 115.

상기 복수 개의 제1 챔버(115)들은 기밀이 유지된 일종의 반응 용기로서, 상기 기판(105)에 대한 박막 증착 공정을 수행하기에 적합한 공정환경, 예를 들어, 적정한 압력 및 온도로 유지되는 공정환경을 제공한다. 상기 제1 챔버(115)들은 상기 제1 베이스(111)의 중심을 기준으로 상호 대칭적으로 상기 제1 베이스(111) 상에 배치된다.The plurality of first chambers 115 are a type of reaction vessel in which airtightness is maintained, and a process environment suitable for performing a thin film deposition process on the substrate 105, for example, a process environment maintained at an appropriate pressure and temperature. To provide. The first chambers 115 are disposed on the first base 111 symmetrically with respect to the center of the first base 111.

상기 제1 공정 유닛(110)이 상기 화학기상증착 방법으로 상기 기판(105) 상 에 박막을 증착시키는 경우, 상기 제1 챔버(115)의 내부에는 상기 기판(105)이 배치되며, 예를 들어, 상기 기판(105)이 표면은 가열된다. 상기 제1 챔버(115)의 내부로 주입된 반응 기체들이 가열된 상기 기판(105) 위에서 화학 반응을 일으키고, 그 결과, 상기 기판(105)의 표면에는 규소(Si), 비소화갈륨(GaAs) 및 탄화규소(SiC) 등을 포함하는 반도체 박막과, 산화규소(SiO2) 및 질화규소(Si3N4) 등을 포함하는 절연막과, 몰리브덴(W) 및 알루미늄(Al) 등을 포함하는 금속 박막 등이 형성된다.When the first processing unit 110 deposits a thin film on the substrate 105 by the chemical vapor deposition method, the substrate 105 is disposed inside the first chamber 115, for example. The surface of the substrate 105 is heated. Reaction gases injected into the first chamber 115 cause a chemical reaction on the heated substrate 105, and as a result, silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) are formed on the surface of the substrate 105. And a semiconductor thin film including silicon carbide (SiC), an insulating film containing silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (Si 3 N 4), and the like, a metal thin film containing molybdenum (W), aluminum (Al), and the like. .

상기 제1 공정 유닛(110)은 출입부(116) 및 분배부(117)를 더 포함한다.The first process unit 110 further includes an entrance part 116 and a distribution part 117.

상기 출입부(116)는 후술될 상기 이송 유닛(150)으로부터 상기 기판(105)을 로딩 받거나, 상기 제1 챔버(115)에서 공정이 수행된 상기 기판(105)을 상기 이송 유닛(150)으로 전달한다. 상기 출입부(116)는 상기 제1 챔버(115)들 중 어느 하나와 대칭되도록 상기 제1 베이스(111) 상에 배치된다. 상기 분배부(117)는 상기 출입부(116)에 로딩된 기판(105)을 상기 복수 개의 제1 챔버(115)들로 분배하거나, 상기 제1 챔버(115)에서 공정이 수행된 기판(105)을 상기 출입부(116)에 전달한다. 상기 분배부(117)는 상기 제1 베이스(111)의 중심에 배치된다.The entrance 116 receives the substrate 105 from the transfer unit 150 to be described later, or transfers the substrate 105 to which the process is performed in the first chamber 115 to the transfer unit 150. To pass. The entrance 116 is disposed on the first base 111 to be symmetrical with any one of the first chambers 115. The distribution unit 117 distributes the substrate 105 loaded in the access unit 116 to the plurality of first chambers 115, or the substrate 105 on which the process is performed in the first chamber 115. ) Is transmitted to the access unit 116. The distribution part 117 is disposed at the center of the first base 111.

상기 제2 공정 유닛(120)은 상기 제1 공정 유닛(110)과 소정 간격 이격되게 배치된다. 상기 제2 공정 유닛(120)은 상기 제1 공정 유닛(110)과 같이, 예를 들어, 화학기상증착 방법 및 스퍼터링 방법 등에 의하여 상기 기판(105) 상에 박막을 형성한다. 이를 위하여, 상기 제2 공정 유닛(120)은 제2 베이스(121) 및 복수 개의 제2 챔버(125)들을 포함한다.The second processing unit 120 is disposed to be spaced apart from the first processing unit 110 by a predetermined interval. Like the first processing unit 110, the second processing unit 120 forms a thin film on the substrate 105 by, for example, a chemical vapor deposition method, a sputtering method, or the like. To this end, the second processing unit 120 includes a second base 121 and a plurality of second chambers 125.

상기 제2 공정 유닛(120)은 상기 제1 공정 유닛(110)과 동일한 공정을 수행하거나 다른 공정을 수행할 수 있다. 상기 제2 공정 유닛(120)이 상기 제1 공정 유닛(110)과 동일한 공정을 수행하는 경우, 상기 제2 챔버(125)는 상기 제1 챔버(115)와 실질적으로 동일하며, 상기 제2 공정 유닛(120)이 상기 제1 공정 유닛(110)과 다른 공정을 수행하는 경우, 상기 제2 챔버(125)는 상기 제1 챔버(115)와 다른 구성을 갖는다.The second process unit 120 may perform the same process as the first process unit 110 or perform another process. When the second process unit 120 performs the same process as the first process unit 110, the second chamber 125 is substantially the same as the first chamber 115, and the second process When the unit 120 performs a process different from that of the first process unit 110, the second chamber 125 has a different configuration from that of the first chamber 115.

상기 제2 공정 유닛(120)이 상기 스퍼터링 방법으로 상기 기판(105) 상에 박막을 증착시키는 경우, 상기 제2 챔버(125)의 내부에는 서로 대향하는 전극들이 배치되고, 소스 물질로 덮여있는 플레이트가 상기 전극들 중 일측 전극에 배치된다. 상기 일측 전극과 대향하는 대향 전극에는 상기 기판(105)이 배치된다. 상기 전극들에 전압이 인가되면, 상기 제2 챔버(125)의 내부로 유입된 스퍼터링 기체, 예를 들어, 아르곤이 이온화되어 상기 플레이트와 기판(105) 사이에 플라즈마가 발생한다. 이에 따라, 아르곤 이온은 가속되어 소스물질로 덮여 있는 상기 플레이트에 충돌한다. 그 결과, 소스 원자 및 분자들은 상기 플레이트로부터 방출되어 상기 기판(105)으로 날아가 충돌하여, 상기 기판(105)의 표면에 박막이 증착된다.When the second process unit 120 deposits a thin film on the substrate 105 by the sputtering method, electrodes facing each other are disposed inside the second chamber 125 and are covered with a source material. Is disposed on one of the electrodes. The substrate 105 is disposed on an opposite electrode facing the one electrode. When a voltage is applied to the electrodes, a sputtering gas, for example, argon, introduced into the second chamber 125 is ionized to generate a plasma between the plate and the substrate 105. As a result, argon ions are accelerated and impinge on the plate covered with the source material. As a result, source atoms and molecules are released from the plate and fly to the substrate 105 and collide with each other, and a thin film is deposited on the surface of the substrate 105.

상기 제2 공정 유닛(120)은 상기 제1 공정 유닛(110)이 포함하는 출입부(116) 및 분배부(117)와 실질적으로 동일한 출입부(126) 및 분배부(127)를 더 포함한다.The second process unit 120 further includes an access part 126 and a distribution part 127 substantially the same as the entrance part 116 and the distribution part 117 included in the first processing unit 110. .

도 1 및 도 2를 참조하면, 복수 개의 상기 제1 공정 유닛(110)과 제2 공정 유닛(120)은 일렬로 배치되며, 상기 이송 유닛(150)은 상기 제1 공정 유닛(110)으 로부터 상기 제2 공정 유닛(120)으로 상기 기판(105)을 이송한다. 이를 위하여, 상기 이송 유닛(150)은 컨베이어(130) 및 이송 암(Arm)(140)을 포함한다.1 and 2, a plurality of the first processing unit 110 and the second processing unit 120 are arranged in a line, and the transfer unit 150 is disposed from the first processing unit 110. The substrate 105 is transferred to the second processing unit 120. To this end, the transfer unit 150 includes a conveyor 130 and a transfer arm 140.

상기 컨베이어(130)는 상기 제1 공정 유닛(110)의 주변부로부터 상기 제2 공정 유닛(120)의 주변부로 기판(105)을 이송한다. 상기 컨베이어(130)는 상기 제1 공정 유닛(110) 및 제2 공정 유닛(120)의 주변부에 상기 제1 공정 유닛(110)으로부터 제2 공정 유닛(120)을 향하는 방향으로 배치된다.The conveyor 130 transfers the substrate 105 from the periphery of the first processing unit 110 to the periphery of the second processing unit 120. The conveyor 130 is disposed in the direction toward the second processing unit 120 from the first processing unit 110 at the periphery of the first processing unit 110 and the second processing unit 120.

상기 이송 암(140)은 상기 제1 및 제2 공정 유닛(110, 120)들로부터 상기 컨베이어(130)로 및 상기 컨베이어(130)로부터 상기 제1 및 제2 공정 유닛(110, 120)들로 상기 기판(105)을 이송한다. 상기 이송 암(140)은 상기 제1 공정 유닛(110)과 컨베이어(130)의 사이 및 상기 제2 공정 유닛(120)과 컨베이어(130)의 사이에 각각 배치된다.The transfer arm 140 moves from the first and second processing units 110, 120 to the conveyor 130 and from the conveyor 130 to the first and second processing units 110, 120. The substrate 105 is transferred. The transfer arm 140 is disposed between the first processing unit 110 and the conveyor 130 and between the second processing unit 120 and the conveyor 130, respectively.

이에 따라, 상기 컨베이어(130)의 일측으로 상기 기판(105)이 유입되고, 상기 컨베이어(130)는 상기 제1 공정 유닛(110)의 주변부로 상기 기판(105)을 이송한다. 상기 이송 암(140)은 상기 기판(105)을 상기 제1 공정 유닛(110)의 출입부(116)에 상기 기판(105)을 제공한다. 또한, 상기 이송 암(140)은 상기 제1 공정 유닛(110)에 의해 공정이 수행된 기판(105)을 이송하여 상기 컨베이어(130)에 제공한다.Accordingly, the substrate 105 is introduced into one side of the conveyor 130, and the conveyor 130 transfers the substrate 105 to the periphery of the first processing unit 110. The transfer arm 140 provides the substrate 105 to the entrance and exit portion 116 of the first processing unit 110. In addition, the transfer arm 140 transfers the substrate 105 on which the process is performed by the first processing unit 110 and provides the transfer to the conveyor 130.

또한, 상기 컨베이어(130)는 상기 제2 공정 유닛(120)의 주변부로 상기 기판(105)을 이송하고, 상기 이송 암(140)은 상기 컨베이어(130)로부터 상기 제2 공정 유닛(120)의 출입부(126)로 상기 기판(105)을 이송하며, 상기 제2 공정 유닛(120) 에서 공정이 수행된 기판(105)을 이송하여 상기 컨베이어(130)에 제공한다.In addition, the conveyor 130 transfers the substrate 105 to the periphery of the second processing unit 120, and the transfer arm 140 moves from the conveyor 130 to the second processing unit 120. The substrate 105 is transferred to the entrance and exit portion 126, and the substrate 105 on which the process is performed in the second processing unit 120 is transferred to the conveyor 130.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에서, 상기 기판(105)에 대한 박막 증착 공정은 상기 제1 공정 유닛(110) 및 제2 공정 유닛(120)에 의하여 다수 회에 걸쳐, 다른 종류의 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 상기 기판(105)에 박막이 양호하게 증착되기 위해서는 상기 기판(105)의 표면과 박막 또는 상기 기판(105) 상에 형성된 박막들 간의 점착성이 우수해야 하며, 상기 기판(105)의 표면 또는 박막의 표면이 오염으로부터 차단되어야 한다.1 to 3, in the present embodiment, the thin film deposition process for the substrate 105 may be performed by the first processing unit 110 and the second processing unit 120 a plurality of times. The process of can be carried out. In this case, in order for the thin film to be deposited on the substrate 105, the adhesion between the surface of the substrate 105 and the thin film or the thin films formed on the substrate 105 should be excellent, and the surface of the substrate 105 Or the surface of the thin film must be shielded from contamination.

상기 세정 모듈(170)은 상기 컨베이어(130)의 상부에 배치되며, 상기 제1 공정 유닛(110) 또는 제2 공정 유닛(120)에서 박막 증착 공정이 수행되어 상기 컨베이어(130)에 의해 이송되는 기판(105)을 세정한다. The cleaning module 170 is disposed above the conveyor 130, and a thin film deposition process is performed in the first processing unit 110 or the second processing unit 120 to be transferred by the conveyor 130. The substrate 105 is cleaned.

구체적으로, 상기 세정 모듈(170)은 세정 챔버(171) 및 세정 유닛(173)을 포함한다. 상기 세정 챔버(171)는 세정 공간을 제공하며, 상기 세정 챔버(171)에는 상기 컨베이어(130)가 통과하는 입구 및 출구가 형성된다.In detail, the cleaning module 170 includes a cleaning chamber 171 and a cleaning unit 173. The cleaning chamber 171 provides a cleaning space, and the inlet and outlet through which the conveyor 130 passes are formed in the cleaning chamber 171.

상기 세정 유닛(173)은 상기 컨베이어(130) 상에 배치된 상기 기판(105)에 대한 실질적인 세정을 수행한다. 상기 세정 유닛(173)은 상기 컨베이어(130)의 상부에 배치되며, 상기 세정 챔버(171)의 상부벽에 고정된다.The cleaning unit 173 performs substantial cleaning on the substrate 105 disposed on the conveyor 130. The cleaning unit 173 is disposed above the conveyor 130 and is fixed to an upper wall of the cleaning chamber 171.

도 4를 참조하면, 상기 세정 유닛(173)은 자외선 조사부(174), 세정액 브러 싱부(175) 및 세정부(176)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the cleaning unit 173 includes an ultraviolet irradiation part 174, a cleaning liquid brushing part 175, and a cleaning part 176.

상기 자외선 조사부(174)는 상기 세정 챔버(171)의 내부로 유입된 기판(105) 상에 자외선을 조사한다. 이에 따라, 상기 기판(105)의 표면에는 균일한 산화막이 형성된다.The ultraviolet irradiation unit 174 irradiates ultraviolet rays onto the substrate 105 introduced into the cleaning chamber 171. As a result, a uniform oxide film is formed on the surface of the substrate 105.

상기 세정액 브러싱부(175)는 상기 산화막이 형성된 기판(105)에 세정액을 제공한다. 이때, 상기 산화막은 상기 기판(105)에 상기 세정액을 균일하게 접촉시킨다. 상기 세정액 브러싱부(175)는, 예를 들어, 상기 기판(105)의 표면을 브러싱하여 세정액을 상기 기판(105)의 표면에 바르는 브러쉬를 포함한다.The cleaning solution brush 175 provides a cleaning solution to the substrate 105 on which the oxide film is formed. In this case, the oxide film uniformly contacts the cleaning liquid with the substrate 105. The cleaning liquid brushing unit 175 includes, for example, a brush for brushing the surface of the substrate 105 to apply the cleaning liquid to the surface of the substrate 105.

상기 세정부(176)는 상기 세정액이 도포된 기판(105)에 공기와 물의 혼합물을 분사한다. 이에 따라, 상기 세정액과 함께 상기 기판(105)의 표면에 부착된 불순물이 상기 기판(105)으로부터 이탈된다.The cleaning unit 176 sprays a mixture of air and water onto the substrate 105 to which the cleaning liquid is applied. Accordingly, impurities attached to the surface of the substrate 105 together with the cleaning liquid are separated from the substrate 105.

기판 처리 방법Substrate Processing Method

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 제1 공정 유닛에서 기판의 표면에 제1 공정을 수행하는 단계와, 상기 제1 공정이 수행된 기판을 제2 공정 유닛으로 이송하면서 상기 기판의 표면을 세정하는 단계와, 상기 제2 공정 유닛에서 상기 세정된 기판의 표면에 제2 공정을 수행하는 단계를 포함한다.In one embodiment, a substrate treating method includes performing a first process on a surface of a substrate in a first processing unit, and transferring the substrate on which the first process is performed to a second processing unit. And cleaning the surface of the cleaned substrate in the second processing unit.

상기 기판의 표면에 제1 공정을 수행하는 단계는 상기 기판의 표면에 박막을 증착시키는 단계를 포함한다. 상기 기판의 표면에 박막을 증착시키는 단계는 화학기상증착 방법 및 스퍼터링 방법 중 어느 하나의 방법으로 수행된다.Performing the first process on the surface of the substrate includes depositing a thin film on the surface of the substrate. Depositing a thin film on the surface of the substrate is performed by any one of a chemical vapor deposition method and a sputtering method.

상기 세정하는 단계는 컨베이어 상에 배치되어 이송되는 기판에, 상기 컨베 이어의 상부에 배치된 세정 모듈을 이용하여 수행된다. 상기 세정 모듈로 세정을 수행하는 방법은 상기 기판에 자외선을 조사하여 상기 기판의 표면에 균일한 산화막을 형성하는 단계, 상기 산화막이 형성된 기판에 세정액을 제공하는 단계, 상기 세정액이 도포된 기판에 물과 공기의 혼합물을 분사하여 상기 기판의 표면으로부터 불순물을 제거하는 단계를 포함한다.The cleaning may be performed by using a cleaning module disposed on the conveyor to a substrate disposed on the conveyor and transported. The cleaning method may be performed by irradiating ultraviolet rays to the substrate to form a uniform oxide film on the surface of the substrate, providing a cleaning liquid to the substrate on which the oxide film is formed, and water on the substrate to which the cleaning liquid is applied. Spraying a mixture of air and air to remove impurities from the surface of the substrate.

상기 기판의 표면에 상기 제2 공정을 수행하는 단계는 상기 기판의 표면에 박막을 증착시키는 단계를 포함한다. 상기 기판의 표면에 박막을 증착시키는 단계는 화학기상증착 방법 및 스퍼터링 방법 중 어느 하나의 방법으로 수행되며, 상기 제1 공정과 동일하거나 서로 다른 공정이 수행될 수 있다.Performing the second process on the surface of the substrate includes depositing a thin film on the surface of the substrate. Depositing a thin film on the surface of the substrate is performed by any one of a chemical vapor deposition method and a sputtering method, the same or different processes than the first process may be performed.

이상에서 상세하게 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 세정 모듈은 기판을 공정 유닛간에 이송하는 컨베이어의 상부에 배치되어, 컨베이어에 의해 이송되는 기판을 세정한다. 따라서, 기판의 이송과 함께 기판에 대한 세정이 수행된다.As described in detail above, according to the present invention, the cleaning module is disposed on an upper portion of the conveyor for transferring the substrate between the processing units to clean the substrate transferred by the conveyor. Thus, cleaning of the substrate is performed along with the transfer of the substrate.

그 결과, 공정 유닛마다 세정 모듈을 별도로 각각 배치하는 기판 처리 장치에 비하여, 공(空) 컨베이어 구간이 감소되어 기판 처리 장치의 공간 사용 효율이 향상된다.As a result, compared with the substrate processing apparatus which arrange | positions a cleaning module separately for each processing unit, an empty conveyor section | region is reduced and the space usage efficiency of a substrate processing apparatus improves.

또한, 세정 모듈이 공정 유닛의 주변부에 별도로 배치되지 않고, 기판의 이송 구간 상에 자외선 조사부, 세정액 브러싱부 및 세정부 등 세정 기능부만이 배치됨에 따라, 세정 모듈에서 기판의 이송 역할을 수행하며 세정기 전체 구간의 약 40%를 점유하던 이송부들이 제거된다. 이에 따라, 기판 처리 장치가 보다 단순화되 고 기판 처리 장치의 공간 사용 효율이 향상된다.In addition, since the cleaning module is not separately disposed at the periphery of the processing unit, and only cleaning functions such as an ultraviolet irradiation part, a cleaning liquid brushing part, and a cleaning part are disposed on the transfer section of the substrate, the cleaning module serves to transfer the substrate. The transports, which occupied about 40% of the overall section of the scrubber, are removed. Accordingly, the substrate processing apparatus is simplified and the space usage efficiency of the substrate processing apparatus is improved.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. In the detailed description of the present invention described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary skill in the art will be described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims

First and second processing units for performing a process on the substrate;

A transfer unit for transferring the substrate from the first processing unit to the second processing unit; And

And a cleaning module disposed above the transfer unit to clean the substrate disposed on the transfer unit.

The method of claim 1, wherein the transfer unit

A conveyor disposed in a direction from the first processing unit toward the second processing unit; And

And a transfer arm for transferring a substrate between the first and second processing units and the conveyor.

The substrate processing apparatus of claim 2, wherein the cleaning module is disposed above the conveyor.

The method of claim 3, wherein the cleaning module

An ultraviolet irradiation unit for irradiating ultraviolet rays to the substrate disposed on the conveyor to form a uniform oxide film on the surface of the substrate;

A brushing unit providing a cleaning liquid to the substrate on which the oxide film is formed; And

And a cleaning unit for spraying water onto the substrate on which the cleaning liquid has been treated to remove the cleaning liquid.

The apparatus of claim 1, wherein the first and second processing units comprise a chamber to form a thin film on the surface of the substrate.

Performing a first process on a surface of a substrate in a first process unit;

Cleaning the surface of the substrate while transferring the substrate on which the first process is performed to a second processing unit; And

And performing a second process on the surface of the cleaned substrate in the second processing unit.

The method of claim 6, wherein the cleaning step

And a cleaning module disposed above the conveyor to a substrate disposed on the conveyor and transferred to the second processing unit.