KR20070002726A - 피측정물의 결정방향 측정장치 및 그 측정방법 - Google Patents
피측정물의 결정방향 측정장치 및 그 측정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070002726A KR20070002726A KR1020050058379A KR20050058379A KR20070002726A KR 20070002726 A KR20070002726 A KR 20070002726A KR 1020050058379 A KR1020050058379 A KR 1020050058379A KR 20050058379 A KR20050058379 A KR 20050058379A KR 20070002726 A KR20070002726 A KR 20070002726A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- measured
- tilting
- axis
- tilting holder
- ray
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title abstract description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 title description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 99
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 99
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
- G01N23/043—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material using fluoroscopic examination, with visual observation or video transmission of fluoroscopic images
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20091—Measuring the energy-dispersion spectrum [EDS] of diffracted radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/62—Optical apparatus specially adapted for adjusting optical elements during the assembly of optical systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 간격마다 피측정물이 틸팅가능하도록 상기 피측정물을 지지하는 틸팅홀더(tilting holder); 및소정의 각도로 상기 틸팅홀더(tilting holder)에 지지된 상기 피측정물에 x선을 조사하고 상기 피측정물에서 회절되는 x선을 감지하여 상기 피측정물의 결정방향을 측정하는 x선 검사기를 포함하는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 제 1항에 있어서,상기 틸팅홀더는, 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 간격마다 틸트된 상호 다른 경사면을 갖는 복수의 틸팅홀더지그인 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 제 1항에 있어서,상기 틸팅홀더는,피측정물을 지지하는 피측정물 지지체; 및상기 피측정물 지지체와 결합하여 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 간격마다 상기 피측정물을 틸팅시키는 틸트회동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 제 3항에 있어서,상기 틸트회동부는,상기 피측정물 지지체에 결합되는 제1 기어;및상기 제1 기어에 기어 결합되는 제2 기어를 포함하는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 제 4항에 있어서,회전축이 상기 제2 기어의 중심축과 연결되어 상기 일축에 대해 회전하는 서보모터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 제 4항에 있어서,상기 제2 기어에 결합되며, 외력에 의해 일축에 대해 회전할 때 상기 제2 기어를 회전시키는 손잡이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 제 1항에 있어서,상기 틸팅홀더는 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 간격마다 등간격으로 상기 피측정물을 틸팅가능하도록 상기 피측정물을 지지하는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 제 7항에 있어서,상기 틸팅홀더는 5°마다 등간격으로 상기 피측정물을 틸팅가능하도록 상기 피측정물을 지지하는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피측정물은 사파이어 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정장치.
- 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 간격마다 피측정물을 틸팅가능하도록 상기 피측정물을 지지하는 틸팅홀더에 상기 피측정물을 지지시키는 제1단계;x선 검사기로 상기 피측정물에 x선을 조사하는 제2단계;상기 피측정물에서 회절된 x선이 상기 x선 검사기에서 검출되는지 여부를 확인하는 제3단계;상기 x선 검사기에서 회절량이 검출되지 않으면 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도로 상기 피측정물을 틸팅시키는 제4단계;상기 x선 검사기로 상기 틸트된 피측정물에 x선을 조사하는 제5단계;상기 x선 검사기에 소정의 x선 회절량이 검출되면 회절각을 측정하여 상기 피측정물의 결정방향을 측정하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 피측정물 의 결정방향 측정방법.
- 제 10항에 있어서,상기 틸팅홀더는, 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 간격마다 틸트된 경사면을 갖는 복수의 틸팅홀더지그이며,상기 제4단계는, 어느 하나의 틸팅홀더지그를 상기 복수의 틸팅홀더지그 중에서 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 보다 큰 경사면을 갖는 다른 하나의 틸팅홀더지그로 교체하는 단계인 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정방법.
- 제 10항에 있어서,상기 틸팅홀더는,상기 피측정물 지지체와 결합되어 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 간격마다 피측정물을 틸팅시키는 틸트회동부를 포함하며,상기 제4단계는, 상기 틸팅회동부가 상기 피측정물을 틸팅시키는 단계인 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 결정방법.
- 제10항에 있어서,상기 제4단계는, 일축에 대하여 3° 내지 10° 중에서 선택되는 특정각도 간격마다 등간격으로 상기 피측정물이 틸팅되는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정 방향 측정방법.
- 제13항에 있어서,상기 제4단계는, 5°의 등간격으로 상기 피측정물이 틸팅되는 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정방법.
- 제 10항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피측정물은 사파이어 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 피측정물의 결정방향 측정방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050058379A KR20070002726A (ko) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 피측정물의 결정방향 측정장치 및 그 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050058379A KR20070002726A (ko) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 피측정물의 결정방향 측정장치 및 그 측정방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070002726A true KR20070002726A (ko) | 2007-01-05 |
Family
ID=37869683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050058379A KR20070002726A (ko) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 피측정물의 결정방향 측정장치 및 그 측정방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070002726A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101453683B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2014-10-22 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 에지 연마 장치 및 웨이퍼 에지 연마 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0225738A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Toshiba Corp | X線回折装置 |
JPH03218439A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-26 | Hitachi Ltd | 試料基板保持具及びそれを用いる赤外発光分光装置 |
JPH07318517A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Corp | X線回折装置 |
JP2004239802A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Rigaku Corp | X線分析装置及びx線分析方法 |
-
2005
- 2005-06-30 KR KR1020050058379A patent/KR20070002726A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0225738A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Toshiba Corp | X線回折装置 |
JPH03218439A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-26 | Hitachi Ltd | 試料基板保持具及びそれを用いる赤外発光分光装置 |
JPH07318517A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Corp | X線回折装置 |
JP2004239802A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Rigaku Corp | X線分析装置及びx線分析方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101453683B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2014-10-22 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 에지 연마 장치 및 웨이퍼 에지 연마 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8803516B2 (en) | Eddy current testing method and apparatus for inspecting an object for flaws | |
US9719946B2 (en) | Ellipsometer and method of inspecting pattern asymmetry using the same | |
JP4559499B2 (ja) | 小角x線散乱の測定方法 | |
JP6230618B2 (ja) | 面内斜入射回折を用いた表面マッピングのための装置、および、方法 | |
JP6000696B2 (ja) | X線応力測定装置およびx線応力測定方法 | |
JP3109789B2 (ja) | X線反射率測定方法 | |
JP2008122349A (ja) | 測定装置 | |
CN109959350B (zh) | 棱镜直角工作面垂直度的检测方法及装置 | |
KR20070002726A (ko) | 피측정물의 결정방향 측정장치 및 그 측정방법 | |
JP2006201167A (ja) | 位置決め装置 | |
JP4188983B2 (ja) | 結晶方位決定装置 | |
JP3847913B2 (ja) | 結晶方位決定装置 | |
JP2008058300A (ja) | 試料ホルダおよびそれを備えた斜入射蛍光x線分析装置 | |
JP2005164364A (ja) | 位置検出センサの検査方法および検査装置 | |
JP4540184B2 (ja) | X線応力測定方法 | |
JP3845286B2 (ja) | 形状測定装置及び形状測定方法 | |
JP4227706B2 (ja) | 結晶方位測定装置および結晶方位測定方法 | |
JP3940819B2 (ja) | 半導体ウェーハの表面形状測定装置および表面形状測定方法 | |
TWI843132B (zh) | 對準裝置 | |
JP2005308703A (ja) | 検出器のオフセット誤差校正法 | |
JP2011215108A (ja) | 測定方法及び形状測定装置 | |
JPH03138550A (ja) | 結晶性試料のカット面検査装置 | |
JP2005037262A (ja) | 摩擦試験装置 | |
JP2003254917A (ja) | X線測定装置 | |
JP2005140771A5 (ko) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20050630 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20060926 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20070326 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20060926 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |