KR20070002713A - A shift register - Google Patents
A shift register Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070002713A KR20070002713A KR1020050058357A KR20050058357A KR20070002713A KR 20070002713 A KR20070002713 A KR 20070002713A KR 1020050058357 A KR1020050058357 A KR 1020050058357A KR 20050058357 A KR20050058357 A KR 20050058357A KR 20070002713 A KR20070002713 A KR 20070002713A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- stage
- node
- pulse
- pull
- voltage source
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3614—Control of polarity reversal in general
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
- G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
- G11C19/184—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01728—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals
- H03K19/01742—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals by means of a pull-up or down element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
- G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
- G09G2320/046—Dealing with screen burn-in prevention or compensation of the effects thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
Description
도 1은 종래의 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면1 is a view showing a conventional shift register
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면2 illustrates a shift register according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 제 2 스테이지의 상세 구성도3 is a detailed configuration diagram of the second stage of FIG.
도 4는 도 3의 제 2 스테이지에 구비된 노드 제어부 및 출력부의 회로구성을 나타낸 도면4 is a diagram illustrating a circuit configuration of a node controller and an output unit provided in the second stage of FIG. 3.
도 5는 도 4의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면 FIG. 5 is a diagram illustrating first to third stages having the circuit configuration of FIG. 4. FIG.
도 6은 도 5의 각 스테이지에 공급되는 각종 신호, 및 상기 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 대한 타이밍도6 is a timing diagram of various signals supplied to each stage of FIG. 5 and scan pulses output from the stage.
도 7은 4상 클럭펄스의 타이밍도 및 제 2 노드의 전압파형을 나타낸 도면7 is a timing diagram of a four-phase clock pulse and a voltage waveform of a second node.
*도면의 주요부에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings
BST1 내지 BSTn : 제 1 내지 제 n 스테이지 BSTn+1 : 제 1 더미 스테이지BST1 to BSTn: first to nth stage BSTn + 1: first dummy stage
BSTn+2 : 제 2 더미 스테이지 VDD : 제 1 전압원 VSS : 제 2 전압원 SP : 스타트 펄스 Vout1 내지 Voutn+2 : 제 1 내지 제 n+2 스캔펄스BSTn + 2: second dummy stage VDD: first voltage source VSS: second voltage source SP: start pulses Vout1 to Voutn + 2: first to n + 2 scan pulses
본 발명은 액정표시장치의 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 특히 노드의 전압 극성을 매 기간마다 반전시켜 풀다운 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE
통상의 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여 액정표시장치는 화소영역들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비한다. Conventional liquid crystal display devices display an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which pixel regions are arranged in a matrix, and a driving circuit for driving the liquid crystal panel.
상기 액정패널에는 다수개의 게이트 라인들과 다수개의 데이터 라인들이 교차하게 배열되고, 그 게이트 라인들과 데이터 라인들이 수직교차하여 정의되는 영역에 화소영역이 위치하게 된다. 그리고, 상기 화소영역들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극들과 공통전극이 상기 액정패널에 형성된다. In the liquid crystal panel, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are arranged to cross each other, and a pixel region is positioned in an area defined by vertical crossings of the gate lines and the data lines. Pixel electrodes and a common electrode for applying an electric field to each of the pixel regions are formed in the liquid crystal panel.
상기 화소전극들 각각은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)의 소스단자 및 드레인단자를 경유하여 상기 데이터 라인에 접속된다. 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인을 경유하여 게이트단자에 인가되는 스캔펄스에 의해 턴-온되어, 상기 데이터 라인의 데이터 신호가 상기 화소전압에 충전되도록 한다.Each of the pixel electrodes is connected to the data line via a source terminal and a drain terminal of a thin film transistor (TFT) which is a switching element. The thin film transistor is turned on by a scan pulse applied to a gate terminal via the gate line, so that the data signal of the data line is charged to the pixel voltage.
한편, 상기 구동회로는 상기 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 드라이버와, 상기 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 드라이버와, 상기 게이트 드라이버와 데이터 드라이버를 제어하기 위한 제어신호를 공급하는 타이밍 콘트롤러와, 액정표시장치에서 사용되는 여러 가지의 구동전압들을 공급하는 전원공급부를 구비 한다. The driving circuit may include a gate driver for driving the gate lines, a data driver for driving the data lines, a timing controller for supplying a control signal for controlling the gate driver and the data driver, and a liquid crystal display device. It is provided with a power supply for supplying a variety of driving voltages used in.
상기 타이밍 콘트롤러는 상기 게이트 드라이버 및 상기 데이터 드라이버의 구동 타이밍을 제어함과 아울러 상기 데이터 드라이버에 화소데이터 신호를 공급한다. 그리고, 상기 전원공급부는 입력 전원을 승압 또는 감압하여 액정표시장치에서 필요로 하는 공통전압(VCOM), 게이트 하이전압 신호(VGH), 게이트 로우전압 신호(VGL) 등과 같은 구동전압들을 생성한다. 그리고, 상기 게이트 드라이버는 스캔펄스를 게이트 라인들에 순차적으로 공급하여 액정패널상의 액정셀들을 1라인분씩 순차적으로 구동한다. 그리고, 상기 데이터 드라이버는 게이트 라인들 중 어느 하나에 스캔펄스가 공급될 때마다 데이터 라인들 각각에 화소 전압신호를 공급한다. 이에 따라, 액정표시장치는 액정셀별로 화소전압신호에 따라 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전계에 의해 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다.The timing controller controls driving timing of the gate driver and the data driver and supplies a pixel data signal to the data driver. The power supply unit boosts or decompresses an input power to generate driving voltages such as a common voltage VCOM, a gate high voltage signal VGH, and a gate low voltage signal VGL required by the liquid crystal display. The gate driver sequentially supplies scan pulses to the gate lines to sequentially drive the liquid crystal cells on the liquid crystal panel by one line. The data driver supplies a pixel voltage signal to each of the data lines whenever a scan pulse is supplied to any one of the gate lines. Accordingly, the liquid crystal display displays an image by adjusting light transmittance by an electric field applied between the pixel electrode and the common electrode according to the pixel voltage signal for each liquid crystal cell.
여기서, 상기 게이트 드라이버는 상술한 바와 같은 스캔펄스들을 순차적으로 출력할 수 있도록 쉬프트 레지스터를 구비한다. 이를 첨부된 도면을 참조하여 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the gate driver includes a shift register to sequentially output the scan pulses as described above. This will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a conventional shift register.
종래의 쉬프트 레지스터는, 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지들(AST1 내지 ASTn) 및 하나의 더미 스테이지(ASTn+1)로 구성된다. 여기서, 각 스테이지들(AST1 내지 ASTn+1)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(AST1)부터 더미 스테이지(ASTn+1)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력한다. 이때, 상기 더미 스테이지 (ASTn+1)를 제외한 상기 스테이지들(AST1 내지 ASTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. As shown in FIG. 1, the conventional shift register includes n stages AST1 to ASTn and one dummy stage ASTn + 1 connected dependently to each other. Here, each of the stages AST1 to ASTn + 1 outputs one scan pulse Vout1 to Voutn + 1, and in this case, the scan pulse Vout1 sequentially from the first stage AST1 to the dummy stage ASTn + 1. To Voutn + 1). In this case, scan pulses Vout1 to Voutn output from the stages AST1 to ASTn except for the dummy stage ASTn + 1 are sequentially supplied to gate lines of the liquid crystal panel (not shown). The gate lines are sequentially scanned.
이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(AST1 내지 ASTn+1)는 제 1 전압원(VDD) 및 제 2 전압원(VSS)과, 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖는 제 1 내지 제 4 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4) 중 두 개의 클럭펄스를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD)은 정극성의 전압원을 의미하며, 상기 제 2 전압원(VSS)은 접지전압을 의미한다.The entire stages AST1 to ASTn + 1 of the shift register configured as described above are configured with the first voltage source VDD and the second voltage source VSS, and the first to fourth clock pulses CLK1 to CLK4 having sequential phase differences with each other. Two clock pulses are received. Here, the first voltage source VDD means a positive voltage source, and the second voltage source VSS means a ground voltage.
한편, 상기 스테이지들(AST1 내지 ASTn+1) 중 가장 상측에 위치한 제 1 스테이지(AST1)는, 상기 제 1 전압원(VDD), 제 2 전압원(VSS), 및 상기 두 개의 클럭펄스 외에도 스타트 펄스(SP)를 공급받는다.Meanwhile, the first stage AST1 positioned at the uppermost side of the stages AST1 to ASTn + 1 may include a start pulse (in addition to the first voltage source VDD, the second voltage source VSS, and the two clock pulses). SP).
이와 같이 구성된 종래의 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the conventional shift register configured as described above will be described in detail as follows.
먼저, 타이밍 콘트롤러(도시되지 않음)로부터의 스타트 펄스(SP)가 제 1 스테이지(AST1)에 인가되면, 상기 제 1 스테이지(AST1)는 상기 스타트 펄스(SP)에 응답하여 인에이블된다.First, when a start pulse SP from a timing controller (not shown) is applied to the first stage AST1, the first stage AST1 is enabled in response to the start pulse SP.
이어서, 상기 인에이블된 제 1 스테이지(AST1)는 타이밍 콘트롤러로부터의 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1 내지 CLK2)를 입력받아 제 1 스캔펄스(Vout1)를 출력하고, 이를 제 1 게이트 라인과 제 2 스테이지(AST2)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 2 스테이지(AST2)는 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 인에이블된다. Subsequently, the enabled first stage AST1 receives the first and second clock pulses CLK1 to CLK2 from the timing controller, and outputs the first scan pulse Vout1, and the first gate line and the first gate line. It is supplied together to the 2 stage AST2. Then, the second stage AST2 is enabled in response to the first scan pulse Vout1.
이어서, 상기 인에이블된 제 2 스테이지(AST2)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 2 및 제 3 클럭펄스(CLK2, CLK3)를 입력받아 제 2 스캔펄스(Vout2)를 출력하고, 이를 제 2 게이트 라인, 제 3 스테이지(AST3) 및 상기 제 1 스테이지(AST1)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 상기 제 3 스테이지(AST3)는 인에이블되고, 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여 상기 제 1 스테이지(AST1)는 디스에이블되어 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 1 게이트 라인에 공급한다. Subsequently, the enabled second stage AST2 receives the second and third clock pulses CLK2 and CLK3 from the timing controller and outputs a second scan pulse Vout2, and the second gate line, The third stage AST3 and the first stage AST1 are supplied together. Then, the third stage AST3 is enabled in response to the second scan pulse Vout2, and the first stage AST1 is disabled in response to the second scan pulse Vout2. A second voltage source VSS is supplied to the first gate line.
이어서, 상기 인에이블된 제 3 스테이지(AST3)는 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 제 3 및 제 4 클럭펄스(CLK3, CLK4)를 입력받아 제 3 스캔펄스(Vout3)를 출력하고, 이를 제 3 게이트 라인, 제 4 스테이지(AST4) 및 상기 제 2 스테이지(AST2)에 함께 공급한다. 그러면, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 4 스테이지(AST4)는 인에이블되고, 또한, 상기 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여 상기 제 2 스테이지(AST2)는 디스에이블되어 제 2 전압원(VSS)을 상기 제 2 게이트 라인에 공급한다. Subsequently, the enabled third stage AST3 receives the third and fourth clock pulses CLK3 and CLK4 from the timing controller, and outputs a third scan pulse Vout3, and the third gate line, The fourth stage AST4 and the second stage AST2 are supplied together. Then, the fourth stage AST4 is enabled in response to the third scan pulse Vout3, and the second stage AST2 is disabled in response to the third scan pulse Vout3. A second voltage source VSS is supplied to the second gate line.
이와 같은 방식으로, 나머지 제 4 내지 제 n 스테이지(AST4 내지 ASTn)까지 순차적으로 제 4 내지 제 n 스캔펄스(Voutn)를 출력하여 상기 제 4 내지 제 n 게이트 라인에 순차적으로 인가한다. 결국, 상기 제 1 내지 제 n 게이트 라인은 상기 순차적으로 출력되는 제 1 내지 제 n 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn)에 의해 차례로 스캐닝된다.In this manner, the fourth to nth scan pulses Voutn are sequentially output to the remaining fourth to nth stages AST4 to ASTn and sequentially applied to the fourth to nth gate lines. As a result, the first to nth gate lines are sequentially scanned by the sequentially output first to nth scan pulses Vout1 to Voutn.
한편, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)는 상기 제 n 스테이지(ASTn)로부터의 제 n 스캔펄스(Voutn)에 응답하여 인에이블된 후, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 두 개의 클럭펄스를 입력받아 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 상기 제 n 스테이지(ASTn)에 공급하여, 상기 제 n 스테이지(ASTn)가 디스에이블되어 제 n 게이트 라인에 상기 제 2 전압원(VSS)을 제공할 수 있도록 한다. 다시말하면, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)는 단지 상기 제 n 스테이지(ASTn)가 제 2 전압원(VSS)을 출력할 수 있도록 상기 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 제공할 뿐, 상기 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 게이트 라인에는 공급하지 않는다. 따라서, 상기 더미 스테이지(ASTn+1)를 포함한 전체 스테이지의 수는 상기 게이트 라인의 수보다 항상 1개가 더 많게 된다Meanwhile, the dummy stage ASTn + 1 is enabled in response to the nth scan pulse Voutn from the nth stage ASTn, and then receives two clock pulses from the timing controller. One scan pulse Voutn + 1 is supplied to the nth stage ASTn so that the nth stage ASTn is disabled to provide the second voltage source VSS to the nth gate line. In other words, the dummy stage ASTn + 1 merely provides the n + 1 scan pulse Voutn + 1 so that the nth stage ASTn can output the second voltage source VSS. The n + 1th scan pulse Voutn + 1 is not supplied to the gate line. Therefore, the total number of stages including the dummy stage ASTn + 1 is always one more than the number of gate lines.
일반적으로, 상기 제 1 내지 제 n 스테이지(AST1 내지 ASTn), 그리고 더미 스테이지(ASTn+1)는 제 1 및 제 2 노드의 충전 및 방전 상태를 제어하기 위한 노드 제어부와, 상기 제 1 및 제 2 노드의 상태에 따라 스캔펄스 또는 제 2 전압원(VSS)을 출력하여, 이를 액정패널의 게이트 라인에 공급하는 출력부를 갖는다.In general, the first to nth stages AST1 to ASTn and the dummy stage ASTn + 1 may include a node controller for controlling charge and discharge states of the first and second nodes, and the first and second nodes. According to the state of the node outputs a scan pulse or the second voltage source (VSS) and has an output for supplying it to the gate line of the liquid crystal panel.
상기 출력부는 상기 제 1 노드에 게이트단자가 접속된 풀업 트랜지스터와, 상기 제 2 노드에 게이트단자가 접속된 풀다운 트랜지스터를 포함한다. The output unit includes a pull-up transistor having a gate terminal connected to the first node, and a pull-down transistor having a gate terminal connected to the second node.
여기서, 상기 제 1 노드와 제 2 노드는 서로 교번적으로 충전 및 방전되는데, 구체적으로 상기 제 1 노드가 충전된 상태일 때에는 상기 제 2 노드가 방전된 상태를 유지하며, 상기 제 2 노드가 충전된 상태일 때에는 상기 제 1 노드가 방전된 상태를 유지하게 된다. 이때, 상기 각 스테이지(AST1 내지 ASTn+1)는 한 프레임의 한 수평기간(1H)에만 스캔펄스를 출력하고, 나머지 기간동안에는 제 2 전압원을 출력하게 된다. 따라서, 상기 출력부의 풀업 트랜지스터는 한 수평기간만 턴-온되 며, 상기 풀다운 트랜지스터는 상기 기간을 제외한 나머지 기간동안 턴-온상태를 유지한다. 즉, 상기 풀다운 트랜지스터는 한 프레임중 대부분의 기간동안 턴-온상태를 유지한다. 이로 인해, 상기 풀다운 트랜지스터의 열화가 가속화된다. Here, the first node and the second node are alternately charged and discharged. Specifically, when the first node is in a charged state, the second node is maintained in a discharged state, and the second node is charged. In this state, the first node maintains a discharged state. In this case, each of the stages AST1 to ASTn + 1 outputs a scan pulse only in one horizontal period 1H of one frame, and outputs a second voltage source for the remaining period. Accordingly, the pull-up transistor of the output unit is turned on only one horizontal period, and the pull-down transistor remains turned on for the remaining period except the period. In other words, the pull-down transistor remains turned on for most of one frame. This accelerates deterioration of the pull-down transistor.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 풀다운 트랜지스터의 게이트단자가 접속된 노드를 매 기간마다 교번적으로 충전/방전시켜 상기 풀다운 트랜지스터가 매 기간마다 턴-온 또는 턴-오프되도록 함으로써, 상기 풀다운 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있는 쉬프트 레지스터를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and alternately charges / discharges a node connected to a gate terminal of a pull-down transistor every period so that the pull-down transistor is turned on or off every period. It is an object of the present invention to provide a shift register that can prevent deterioration of the pull-down transistor.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬트프 레지스터는, 서로 종속적으로 접속되어, 순차적으로 스캔펄스를 출력하는 다수개의 스테이지를 구비한 쉬프트 레지스터에 있어서, 서로 다른 위상을 갖는 적어도 2개의 클럭펄스를 공급받는 각 스테이지가, 스타트 펄스 또는 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드를 고전위 전압원으로 충전시키는 제 1 스위칭소자; 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드를 저전위 전압원으로 방전시키는 제 2 스위칭소자; 상기 스타트 펄스 및 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스보다 지연되어 출력되는 제 1 클럭펄스에 응답하여, 상기 제 2 노드를 상기 제 1 클럭펄스로 충전시키는 제 3 스위칭소자; 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 제 2 클럭펄스에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키 는 제 4 스위칭소자; 현재단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드를 제 2 전압원으로 방전시키는 제 5 스위칭소자; 상기 제 1 노드에 충전된 고전위 전압원에 응답하여, 상기 제 1 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력하고, 이를 액정패널의 게이트 라인, 이전단 스테이지, 및 다음단 스테이지에 공급하는 풀업 스위칭소자; 및, 상기 제 2 노드에 충전된 제 1 클럭펄스에 응답하여, 저전위 전압원을 상기 액정패널의 게이트 라인, 이전단 스테이지, 및 다음단 스테이지에 공급하는 풀다운 스위칭소자를 포함하여 구성됨을 그 특징으로 한다.The shift registers according to the present invention for achieving the above object are at least two clocks having different phases in a shift register having a plurality of stages connected to each other and sequentially outputting scan pulses. Each stage receiving the pulse comprises: a first switching element for charging the first node with a high potential voltage source in response to a start pulse or a scan pulse from a previous stage; A second switching element for discharging the first node to a low potential voltage source in response to a scan pulse output from a next stage; A third switching device configured to charge the second node with the first clock pulse in response to the first clock pulse output delayed from the start pulse and the scan pulse from the previous stage; A fourth switching element for discharging the second node to the second voltage source in response to the second clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage; A fifth switching device for discharging the second node to the second voltage source in response to the scan pulse output from the current stage; A pull-up switching device for outputting the first clock pulse as a scan pulse and supplying the first clock pulse to a gate line, a previous stage, and a next stage of the liquid crystal panel in response to a high potential voltage source charged in the first node; And a pull-down switching device for supplying a low potential voltage source to the gate line, the previous stage, and the next stage of the liquid crystal panel in response to the first clock pulse charged in the second node. do.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating a shift register according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는, 도 2에 도시된 바와 같이, 서로 종속적으로 연결된 n개의 스테이지들(BST1 내지 BSTn), 그리고 더미 스테이지(BSTn+1)로 구성된다. 여기서, 전체 스테이지들(BST1 내지 BSTn+1)은 하나씩의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+2)를 출력하며, 이때 상기 제 1 스테이지(BST1)부터 더미 스테이지(BSTn+1)까지 차례로 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력한다. 여기서, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)를 제외한 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn)로부터 출력된 스캔펄스들(Vout1 내지 Voutn)은 상기 액정패널(도시되지 않음)의 게이트 라인들에 순차적으로 공급되어, 상기 게이트 라인들을 순차적으로 스캐닝하게 된다. As shown in FIG. 2, the shift register according to the first embodiment of the present invention includes n stages BST1 to BSTn and a dummy stage BSTn + 1 connected to each other. Here, all the stages BST1 to BSTn + 1 output one scan pulse Vout1 to
한편, 이와 같이 구성된 쉬프트 레지스터의 전체 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)는 제 1 전압원(VDD) 및 제 2 전압원(VSS)과, 그리고 서로 순차적인 위상차를 갖고 순환하는 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)를 인가받는다. 여기서, 상기 제 1 전압원(VDD)은 고전위 전압원으로서 정극성의 전압원을 의미하며, 상기 제 2 전압원(VSS)은 저전위 전압원으로서 부극성의 전압원을 의미한다.On the other hand, the entire stages BST1 to BSTn + 1 of the shift registers configured as described above are circulated with the first voltage source VDD and the second voltage source VSS, and have a sequential phase difference to each other. CLK1, CLK2) are authorized. Here, the first voltage source VDD refers to a positive voltage source as a high potential voltage source, and the second voltage source VSS refers to a negative voltage source as a low potential voltage source.
여기서, 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn+1) 중 가장 상측에 위치한 제 1 스테이지(BST1)는, 상기 제 1 전압원(VDD), 제 2 전압원(VSS), 및 상기 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2) 외에도 스타트 펄스(SP)를 공급받는다.Here, the first stage BST1 positioned on the uppermost side of the stages BST1 to BSTn + 1 may include the first voltage source VDD, the second voltage source VSS, and the first and second clock pulses. In addition to CLK1 and CLK2), a start pulse SP is supplied.
한편, 상술한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)는 서로 한 펄스폭만큼씩 위상지연되어 출력된다. 즉, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 한 펄스폭만큼 위상지연되어 출력된다.Meanwhile, as described above, the first and second clock pulses CLK1 and CLK2 are phase-delayed by one pulse width and output. That is, the second clock pulse CLK2 is phase-delayed by one pulse width than the first clock pulse CLK1 and output.
한편, 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn+1) 중 제 1 스테이지(BST1)에 인가되는 스타트 펄스(SP)는 상기 클럭펄스(CLK1 내지 CLK4)보다 더 앞서 출력된다. 즉, 상기 스타트 펄스(SP)는 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)보다 한 클럭펄스폭만큼 앞서 출력된다. 또한, 상기 스타트 펄스(SP)는 한 프레임에 한 번만 출력된다. 즉 매 프레임마다 상기 스타트 펄스(SP)가 가장 먼저 출력된 후, 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)가 차례로 출력된다. Meanwhile, the start pulse SP applied to the first stage BST1 among the stages BST1 to BSTn + 1 is output earlier than the clock pulses CLK1 to CLK4. That is, the start pulse SP is output by one clock pulse width ahead of the first clock pulse CLK1. In addition, the start pulse SP is output only once in one frame. That is, after the start pulse SP is outputted first in every frame, the first and second clock pulses CLK1 and CLK2 are sequentially output.
이때, 상기 제 1 및 제 2 클럭펄스(CLK1, CLK2)는 순차적으로 출력되며, 또한 순환하면서 출력된다. 즉, 제 1 클럭펄스(CLK1)가 출력된 후, 제 2 클럭펄스(CLK2)가 출력되며, 이후 다시 제 1 클럭펄스(CLK1)가 출력되고, 다시 제 2 클럭펄스(CLK2)가 출력된다.At this time, the first and second clock pulses CLK1 and CLK2 are sequentially output, and are also output while circulating. That is, after the first clock pulse CLK1 is output, the second clock pulse CLK2 is output, after which the first clock pulse CLK1 is output, and the second clock pulse CLK2 is output again.
여기서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에 구비된 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)의 구성을 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 여기서, 제 2 내지 제 n 스테이지(BST2 내지 BSTn), 그리고 더미 스테이지(BSTn+1)의 구성은 모두 동일하므로 제 2 스테이지(BST2)만을 대표적으로 설명하기로 한다.Herein, the configuration of each stage BST1 to BSTn + 1 provided in the shift register according to the first embodiment of the present invention will be described in more detail. Here, since the configurations of the second to nth stages BST2 to BSTn and the dummy stages BSTn + 1 are the same, only the second stage BST2 will be representatively described.
도 3은 도 2의 제 2 스테이지의 상세 구성도이다.FIG. 3 is a detailed configuration diagram of the second stage of FIG. 2.
즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 노드(Q)의 충전 및 방전, 그리고 제 2 노드(QB)의 충전 및 방전을 제어하는 노드 제어부(300a)와, 상기 제 1 및 제 2 노드(QB)의 상태에 따라 스캔펄스 또는 제 2 전압원(VSS)을 출력하여, 이를 액정패널의 제 2 게이트 라인에 공급하는 출력부(300b)를 포함하여 구성된다.That is, as illustrated in FIG. 3, the second stage BST2 may include a
또한, 상기 출력부(300b)는, 상기 제 1 노드(Q)가 충전상태 일 때 제 2 게이트 라인에 스캔펄스 공급하는 풀업 트랜지스터(Tru)와, 상기 제 2 노드(QB)가 충전상태 일 때 상기 제 2 게이트 라인에 제 2 전압원(VSS)을 공급하는 풀다운 트랜지스터(Trd)를 포함한다.The
여기서, 상기 제 1 노드(Q)와 제 2 노드(QB)는 서로 교번적으로 충전 및 방전되는데, 구체적으로 상기 제 1 노드(Q)가 충전된 상태일 때에는 상기 제 2 노드(QB)가 방전된 상태를 유지하며, 상기 제 2 노드(QB)가 충전된 상태일 때에는 상기 제 1 노드(Q)가 방전된 상태를 유지하게 된다. 이와 같은 제 1 노드(Q) 및 제 2 노드(QB)의 충전 및 방전 상태는 상기 노드 제어부(300a)에 구비된 다수개의 스위칭소자들(도시되지 않음)에 의해 제어된다.Here, the first node Q and the second node QB are alternately charged and discharged. Specifically, when the first node Q is in a charged state, the second node QB is discharged. The first node Q is discharged when the second node QB is in a charged state. The charging and discharging states of the first node Q and the second node QB are controlled by a plurality of switching elements (not shown) provided in the
나머지 제 3 내지 제 n 스테이지(BST3 내지 BSTn), 및 더미 스테이지(BSTn+1)도 상기 제 2 스테이지(BST2)와 동일한 구성을 갖는다.The remaining third to nth stages BST3 to BSTn and the dummy stage BSTn + 1 also have the same configuration as the second stage BST2.
여기서, 상기 제 2 스테이지(BST2)에 구비된 노드 제어부(300a) 및 출력부(300b)의 회로구성을 살펴보면 다음과 같다.Here, a circuit configuration of the
도 4는 도 3의 제 2 스테이지에 구비된 노드 제어부 및 출력부의 회로구성을 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a circuit configuration of a node controller and an output unit provided in the second stage of FIG. 3.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 2 스테이지(BST2)의 노드 제어부(400a)는 제 1 내지 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr5)로 구성된다.That is, as shown in FIG. 4, the node controller 400a of the second stage BST2 includes first to fifth NMOS transistors Tr1 to Tr5.
제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 이전단 스테이지로부터의 스캔펄스에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 제 1 스테이지(BST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자는 제 1 스테이지(BST1)에 접속되며, 소스단자는 제 1 전압원(VDD)을 전송하는 전원라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속된다.The first NMOS transistor Tr1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the scan pulse from the previous stage. That is, the first NMOS transistor Tr1 of the second stage BST2 sets the first node Q to the first voltage source VDD in response to the first scan pulse Vout1 from the first stage BST1. Charge with. To this end, the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 is connected to the first stage BST1, the source terminal is connected to a power line for transmitting the first voltage source VDD, and the drain terminal is connected to the first node. It is connected to (Q).
제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)는, 제 3 스테이지(BST3)로부터의 제 3 스캔펄스(Vout3)에 응답하여, 상기 제 1 노드(Q)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 6 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자는 상기 제 3 스테이지(BST3)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 1 노드(Q)에 접속되며, 드레인단자는 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The second NMOS transistor Tr2 discharges the first node Q to the second voltage source VSS in response to the scan pulse output from the next stage. That is, in response to the third scan pulse Vout3 from the third stage BST3, the second NMOS transistor Tr2 of the second stage BST2 connects the first node Q to the second voltage source ( VSS). To this end, the gate terminal of the sixth NMOS transistor Tr6 is connected to the third stage BST3, the source terminal is connected to the first node Q, and the drain terminal of the second voltage source VSS. It is connected to the transmitting power line.
제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는, 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 공급되는 클럭펄스에 응답하여, 제 2 노드(QB)를 상기 클럭펄스로 충전한다. 즉, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)는 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 2 노드(QB)를 제 2 클럭펄스(CLK2)로 충전시킨다. 이를 위해, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자 및 소스단자는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속된다.The third NMOS transistor Tr3 charges the second node QB with the clock pulse in response to the clock pulse supplied to the source terminal of the pull-up transistor Tru. That is, the third NMOS transistor Tr3 charges the second node QB to the second clock pulse CLK2 in response to the second clock pulse CLK2. For this purpose, the gate terminal and the source terminal of the third NMOS transistor Tr3 are connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, and the drain terminal is connected to the second node QB.
제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 다음단 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 동기된 클럭펄스에 응답하여, 제 2 노드(QB)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 제 2 스테이지(BST2)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는, 제 3 스테이지(BST3)로부터 출력되는 제 3 스캔펄스(Vout3)에 동기된 제 1 클럭펄스(CLK1)에 응답하여, 상기 제 2 노드(QB)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다.The fourth NMOS transistor Tr4 discharges the second node QB to the second voltage source VSS in response to a clock pulse synchronized with the scan pulse output from the next stage. That is, the fourth NMOS transistor Tr4 of the second stage BST2 is in response to the first clock pulse CLK1 synchronized with the third scan pulse Vout3 output from the third stage BST3. The second node QB is discharged to the second voltage source VSS.
제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는 자신이 속한 스테이지로부터 출력된 스캔펄스에 응답하여, 제 2 노드(QB)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)는, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)에 응답하여, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 2 노드(QB)를 제 2 전압원(VSS)으로 방전시킨다. 이를 위해, 상기 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자는 상기 제 2 스테이지(BST2)에 접속되며, 소스단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The fifth NMOS transistor Tr5 discharges the second node QB to the second voltage source VSS in response to the scan pulse output from the stage to which the fifth NMOS transistor Tr5 belongs. That is, the fifth NMOS transistor Tr5 of the second stage BST2 responds to the second scan pulse Vout2 output from the second stage BST2, and thus, the fifth NMOS transistor Tr5 of the second stage BST2 receives the second NMOS transistor Tr5. The node QB is discharged to the second voltage source VSS. To this end, the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 is connected to the second stage BST2, the source terminal is connected to the second node QB, and the drain terminal of the fifth voltage source VSS. It is connected to the power line to transmit.
그리고, 제 2 스테이지(BST2)의 출력부(400b)는, 상술한 풀업 트랜지스터 (Tru) 및 풀다운 트랜지스터(Trd)를 포함한다.The output unit 400b of the second stage BST2 includes the pull-up transistor Tru and the pull-down transistor Trd described above.
풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)에 응답하여, 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 인가되는 스캔펄스보다 한 클럭펄스폭만큼 지연된 클럭펄스를 스캔펄스로서 출력한다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)보다 한 펄스폭만큼 지연된 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 그리고, 이 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한다. 즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)는, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 2 게이트 라인을 구동하기 위한 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 출력한다. 그리고, 이 제 2 스캔펄스(Vout2)를 상기 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급한다. 이를 위해, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 게이트단자는 제 1 노드(Q)에 접속되어 있으며, 소스단자는 제 2 클럭펄스(CLK2)를 전송하는 클럭라인에 접속되어 있으며, 드레인단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공통으로 접속된다. 여기서, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)를 디스에이블시키고, 상기 제 3 스테이지(BST3)에 공급된 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 3 스테이지(BST3)를 인에이블시킨다.The pull-up transistor Tru is delayed by one clock pulse width than the scan pulse applied to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 in response to the first voltage source VDD charged in the first node Q. The pulses are output as scan pulses. That is, the pull-up transistor Tru of the second stage BST2 outputs the second clock pulse CLK2 delayed by one pulse width from the first scan pulse Vout1 as the second scan pulse Vout2. The output second scan pulse Vout2 is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage at the previous stage, and the stage at the next stage. That is, the pull-up transistor Tru outputs the second clock pulse CLK2 as a second scan pulse Vout2 for driving a second gate line. The second scan pulse Vout2 is supplied to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3. To this end, the gate terminal of the pull-up transistor Tru is connected to the first node Q, the source terminal is connected to the clock line for transmitting the second clock pulse CLK2, and the drain terminal is connected to the second gate. It is commonly connected to the line, the first stage BST1, and the third stage BST3. Here, the second scan pulse Vout2 supplied to the first stage BST1 disables the first stage BST1, and the second scan pulse Vout2 supplied to the third stage BST3 is The third stage BST3 is enabled.
풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 노드(QB)에 충전된 클럭펄스에 응답하여, 제 2 전압원(VSS)을 출력한다. 그리고, 이 제 2 전압원(VSS)을 자신이 속한 스테이지에 접속된 게이트 라인, 이전단의 스테이지, 및 다음단의 스테이지에 공급한 다. 즉, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 풀다운 트랜지스터(Trd)는, 상기 제 2 전압원(VSS)을 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공급한다. 상기 제 2 게이트 라인에 공급된 제 2 전압원(VSS)은 상기 제 2 게이트 라인을 비활성화시키는 신호로서 기능한다. 이를 위해, 상기 풀다운 트랜지스터(Trd)의 게이트단자는 상기 제 2 노드(QB)에 접속되며, 소스단자는 제 2 게이트 라인, 제 1 스테이지(BST1), 및 제 3 스테이지(BST3)에 공통으로 접속되며, 드레인단자는 상기 제 2 전압원(VSS)을 전송하는 전원라인에 접속된다.The pull-down transistor Trd outputs the second voltage source VSS in response to the clock pulse charged in the second node QB. Then, the second voltage source VSS is supplied to the gate line connected to the stage to which it belongs, the stage in the previous stage, and the stage in the next stage. That is, the pull-down transistor Trd of the second stage BST2 supplies the second voltage source VSS to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3. The second voltage source VSS supplied to the second gate line functions as a signal for deactivating the second gate line. To this end, the gate terminal of the pull-down transistor Trd is connected to the second node QB, and the source terminal is commonly connected to the second gate line, the first stage BST1, and the third stage BST3. The drain terminal is connected to a power line for transmitting the second voltage source VSS.
한편, 제 1 스테이지(BST1), 제 3 내지 제 n 스테이지(BSTn), 및 더미 스테이지(BSTn+1)도 상기와 같은 구성을 갖는다.On the other hand, the first stage BST1, the third to nth stages BSTn, and the dummy stage BSTn + 1 also have the above configuration.
단, 제 1 스테이지(BST1)의 이전단에는 스테이지가 존재하지 않기 때문에, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)를 공급받는다. 즉, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는, 상기 타이밍 콘트롤러로부터의 스타트 펄스(SP)에 응답하여, 제 1 노드(Q)를 제 1 전압원(VDD)으로 충전시킨다. However, since the stage does not exist before the first stage BST1, the first NMOS transistor Tr1 included in the first stage BST1 receives the start pulse SP from the timing controller. That is, the first NMOS transistor Tr1 included in the first stage BST1 charges the first node Q to the first voltage source VDD in response to the start pulse SP from the timing controller. Let's do it.
또한, 상기와 같은 이유로 인해, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(BST2)에 공통으로 접속되고, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 풀다운 트랜지스터(Trd)의 소스단자는 제 1 게이트 라인 및 제 2 스테이지(BST2)에 공통으로 접속된다.In addition, for the same reason as described above, the drain terminal of the pull-up transistor Tru provided in the first stage BST1 is commonly connected to the first gate line and the second stage BST2, and the first stage BST1 is used. The source terminal of the pull-down transistor Trd included in the N-th transistor) is commonly connected to the first gate line and the second stage BST2.
그리고, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)의 다음단에는 스테이지가 존재하기 않는다. 또한, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)는, 게이트 라인에 스캔펄스를 공급하지 않으며, 자신으로부터 출력된 제 n+1 스캔펄스(Voutn+1)를 이전단의 스테이지(즉, 제 n 스테이지(BSTn))에 공급하여 상기 제 n 스테이지(BSTn)를 디스에이블시키는 기능을 한다. 따라서, 상기 더미 스테이지(BSTn+1)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자 및 풀다운 트랜지스터(Trd)의 소스단자는 제 n 스테이지(BSTn)에 공통으로 접속된다.There is no stage next to the dummy
한편, 상기 제 1 내지 5 NMOS 트랜지스터(Tr1 내지 Tr5), 그리고 풀업 및 풀다운 트랜지스터(Tru, Trd)는 아몰포스(amorphous) TFT(Thin Film Transistor)를 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 스테이지들(BST1 내지 BSTn+1)은 상기 액정패널에 내장되는 것이 바람직하다.Meanwhile, the first to fifth NMOS transistors Tr1 to Tr5 and the pull-up and pull-down transistors Tru and Trd may use amorphous TFT (Thin Film Transistor). In addition, the stages BST1 to BSTn + 1 may be embedded in the liquid crystal panel.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the shift register according to an embodiment of the present invention configured as described above in detail.
도 5는 도 4의 회로구성을 갖는 제 1 내지 제 3 스테이지를 나타낸 도면이다. 그리고, 도 6은 도 5의 각 스테이지에 공급되는 각종 신호, 및 상기 스테이지로부터 출력되는 스캔펄스에 대한 타이밍도이다.FIG. 5 is a diagram illustrating first to third stages having the circuit configuration of FIG. 4. 6 is a timing diagram for various signals supplied to each stage of FIG. 5 and scan pulses output from the stage.
먼저, 인에이블 기간(T0)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.First, the operation during the enable period T0 will be described.
상기 인에이블 기간(T0)동안에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 타이밍 콘트롤러로부터 출력되는 스타트 펄스(SP)만 하이상태를 유지하고, 나머지 스타트 펄스(SP)는 로우 상태를 유지한다.During the enable period TO, as shown in FIG. 6, only the start pulse SP output from the timing controller is kept high and the remaining start pulse SP is kept low.
상기 타이밍 콘트롤러로부터 출력된 스타트 펄스(SP)는 제 1 스테이지(BST1)에 입력된다. 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 스타트 펄스(SP)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는 턴-온되며, 이때, 상기 턴-온된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)를 통해 제 1 전압원(VDD)이 제 1 노드(Q)에 인가된다.The start pulse SP output from the timing controller is input to the first stage BST1. Specifically, as shown in FIG. 5, the start pulse SP is supplied to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 provided in the first stage BST1. Then, the first NMOS transistor Tr1 is turned on, and a first voltage source VDD is applied to the first node Q through the turned-on first NMOS transistor Tr1.
상기 인에이블 기간(T0)동안에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 제 1 전압원(VDD)으로 충전된다.During the enable period T0, as shown in FIG. 5, the first node Q of the first stage BST1 is charged to the first voltage source VDD.
이어서, 제 1 기간(T1)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.Next, the operation during the first period T1 will be described.
제 1 기간(T1)동안에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 클럭펄스(CLK1)만 하이상태를 유지하고, 나머지 클럭펄스들은 로우 상태를 유지한다. 따라서, 상기 로우 상태의 스타트 펄스(SP)에 응답하여 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는 턴-오프되고, 이에 따라 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 플로팅 상태로 유지된다.During the first period T1, as shown in FIG. 6, only the first clock pulse CLK1 remains high and the remaining clock pulses remain low. Therefore, in response to the start pulse SP in the low state, the first NMOS transistor Tr1 of the first stage BST1 is turned off, and accordingly, the first node Q of the first stage BST1 is turned off. ) Remains floating.
한편, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)가 상기 인에이블 기간(T0)동안 인가되었던 제 1 전압원(VDD)으로 계속 유지됨에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온상태를 유지한다. 이때, 상기 턴-온된 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 인가됨에 따라, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)은 부트스트랩핑에 의해 증폭된다. 따라서, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 인가된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자를 통해 안정적으로 출력된다. 이때, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 1 게이트 라인에 인가되어 상기 제 1 게이트 라인을 구동시키는 제 1 스캔펄스(Vout1)로서 작용한다. 이 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)의 게이트단자에 입력되어, 제 10 NMOS 트랜지스터(Tr10)를 턴-온시킨다. 그러면, 상기 턴-온된 제 5 NMOS 트랜지스터(Tr5)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드에 공급된다.Meanwhile, as the first node Q of the first stage BST1 is continuously maintained as the first voltage source VDD applied during the enable period T0, the pull-up transistor of the first stage BST1 Tru) remains turned on. In this case, as the first clock pulse CLK1 is applied to the source terminal of the turned-on pull-up transistor Tru, as shown in FIG. 6, the first node Q of the first stage BST1. The first voltage source VDD charged to is amplified by bootstrapping. Therefore, the first clock pulse CLK1 applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the first stage BST1 is stably output through the drain terminal of the pull-up transistor Tru. In this case, as shown in FIG. 6, the output first clock pulse CLK1 is applied to a first gate line to serve as a first scan pulse Vout1 for driving the first gate line. The first scan pulse Vout1 is input to the gate terminal of the fifth NMOS transistor Tr5 provided in the first stage BST1 to turn on the tenth NMOS transistor Tr10. Then, the second voltage source VSS is supplied to the second node of the first stage BST1 through the turned-on fifth NMOS transistor Tr5.
한편, 상기 제 1 기간에 출력된 제 1 클럭펄스는, 상기 제 1 스테이지에 구비된 제 3 NMOS 트랜지스터의 게이트단자 및 소스단자에 공급되어, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터를 턴-온시킨다. 이 턴-온된 제 3 NMOS 트랜지스터를 통해, 상기 제 1 클럭펄스가 상기 제 1 스테이지의 제 2 노드에 공급된다. 결국, 상기 제 1 기간에, 상기 제 1 스테이지의 제 2 노드에는 상기 제 2 전압원과 상기 제 1 클럭펄스가 공급된다. 이때, 상기 제 2 전압원을 공급하는 제 5 NMOS 트랜지스터의 채널폭이, 상기 제 1 클럭펄스를 공급하는 제 3 NMOS 트랜지스터의 채널폭보다 더 크게 설정되어 있으므로, 상기 제 1 기간에 상기 제 1 스테이지의 제 2 노드는 제 2 전압원으로 유지된다. 이로 인해 상기 제 1 기간에 상기 제 1 스테이지의 제 2 노드는 방전상태를 유지한다.On the other hand, the first clock pulse output in the first period is supplied to the gate terminal and the source terminal of the third NMOS transistor provided in the first stage, thereby turning on the third NMOS transistor. Through this turned-on third NMOS transistor, the first clock pulse is supplied to the second node of the first stage. As a result, in the first period, the second voltage source and the first clock pulse are supplied to the second node of the first stage. At this time, the channel width of the fifth NMOS transistor for supplying the second voltage source is set larger than the channel width of the third NMOS transistor for supplying the first clock pulse. The second node is maintained as a second voltage source. As a result, in the first period, the second node of the first stage maintains a discharge state.
한편, 상기 제 1 기간(T1)에 제 1 스테이지(BST1)로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)는, 제 2 스테이지(BST2)에도 입력된다. 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)는 상기 제 2 스테이지(BST2)에 구비된 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)의 게이트단자에 입력된다. 여기서, 상기 제 2 스테이지(BST2)에 공급된 제 1 스캔펄스(Vout1)는, 상기 제 1 스테이지(BST1)에 공급된 스타트 펄스 (SP)와 동일한 역할을 하는 것으로, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 응답하여 상기 제 2 스테이지(BST2)는 인에이블된다. 즉, 상기 제 1 스캔펄스(Vout1)에 의해 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)가 제 1 전압원(VDD)으로 충전된다.On the other hand, the first scan pulse Vout1 output from the first stage BST1 in the first period T1 is also input to the second stage BST2. Specifically, as shown in FIG. 5, the first scan pulse Vout1 is input to the gate terminal of the first NMOS transistor Tr1 provided in the second stage BST2. Here, the first scan pulse Vout1 supplied to the second stage BST2 plays the same role as the start pulse SP supplied to the first stage BST1 and the first scan pulse Vout1. In response to the second stage BST2 is enabled. That is, the first node Q of the second stage BST2 is charged to the first voltage source VDD by the first scan pulse Vout1.
요약하면, 상기 제 1 기간(T1)동안에 제 1 스테이지(BST1)로부터 출력된 제 1 스캔펄스(Vout1)는 제 1 게이트 라인을 구동함과 동시에, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)를 충전시킨다.In summary, the first scan pulse Vout1 output from the first stage BST1 during the first period T1 drives the first gate line, and as shown in FIG. 6, the second stage. The first node Q of BST2 is charged.
이어서, 제 2 기간(T2)동안의 동작을 설명하면 다음과 같다.Next, the operation during the second period T2 will be described.
상기 제 2 기간(T2)동안에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 2 클럭펄스(CLK2)만 하이상태를 유지하고, 나머지 클럭펄스들은 로우 상태를 유지한다.During the second period T2, as shown in FIG. 6, only the second clock pulse CLK2 remains high and the remaining clock pulses remain low.
따라서, 제 1 기간(T1)에 인가되었던 상기 제 1 스테이지(BST1)로부터의 제 1 스캔펄스(Vout1)가 제 2 기간에서 로우 상태로 변함에 따라, 이를 게이트단자를 통해 인가받는 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 NMOS 트랜지스터(Tr1)는 턴-오프되고, 이에 따라 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)는 플로팅 상태로 유지된다. 한편, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)가 상기 제 1 기간(T1)동안 인가되었던 제 1 전압원(VDD)으로 계속 유지됨에 따라, 상기 제 2 스테이지(BST2)에 구비된 풀업 트랜지스터(Tru)는 턴-온상태를 유지한다. 이때, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)가 인가됨에 따라, 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 1 노드(Q)에 충전된 제 1 전압원(VDD)은 부트스트랩핑에 의해 증폭된다. 따라서, 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 인가된 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 풀업 트랜지스터(Tru)의 드레인단자를 통해 안정적으로 출력된다. 이때, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력되는 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 제 2 게이트 라인에 인가되어 상기 제 2 게이트 라인을 구동시키는 제 2 스캔펄스(Vout2)로서 작용한다.Accordingly, as the first scan pulse Vout1 from the first stage BST1 that has been applied in the first period T1 changes to a low state in the second period, the second stage that is applied through the gate terminal. The first NMOS transistor Tr1 of BST2 is turned off, so that the first node Q of the second stage BST2 remains in a floating state. Meanwhile, as the first node Q of the second stage BST2 is continuously maintained as the first voltage source VDD applied during the first period T1, the pull-up provided in the second stage BST2 is provided. The transistor Tru remains turned on. In this case, as the second clock pulse CLK2 is applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru of the second stage BST2, the first node Q of the second stage BST2 is charged. One voltage source VDD is amplified by bootstrapping. Therefore, the second clock pulse CLK2 applied to the source terminal of the pull-up transistor Tru is stably output through the drain terminal of the pull-up transistor Tru. In this case, as shown in FIG. 6, the second clock pulse CLK2 output from the second stage BST2 is applied to a second gate line to drive the second gate pulse Vout2. Acts as).
한편, 상기 제 2 기간(T2)에 상기 제 2 스테이지(BST2)는, 상술한 제 1 스테이지(BST1)와 마찬가지로, 자신으로부터 출력된 제 2 스캔펄스(Vout2)를 사용하여 자신의 제 2 노드를 방전시킨다.Meanwhile, in the second period T2, the second stage BST2 uses its second node using the second scan pulse Vout2 output from itself, similarly to the above-described first stage BST1. Discharge.
한편, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 출력되는 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에도 입력된다. 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr6)의 게이트단자에 입력된다. 여기서, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)에 의해서 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)가 턴-온됨에 따라, 상기 제 2 전압원(VSS)이 상기 턴-온된 제 2 NMOS 트랜지스터(Tr2)를 통해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 공급된다. 따라서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 전압원(VSS)에 의해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 방전된다. 그러면, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)에 게이트단자가 접속된 상기 풀업 트랜지스터(Tru)가 턴-오프된다.The second scan pulse Vout2 output from the second stage BST2 is also input to the first stage BST1. Specifically, as shown in FIG. 5, the second scan pulse Vout2 is input to the gate terminal of the second NMOS transistor Tr6 provided in the first stage BST1. Here, as the second NMOS transistor Tr2 of the first stage BST1 is turned on by the second scan pulse Vout2, the second NMOS transistor whose turn-on of the second voltage source VSS is turned on. It is supplied to the first node Q of the first stage BST1 through Tr2. Therefore, as shown in FIG. 6, the first node Q of the first stage BST1 is discharged by the second voltage source VSS. As a result, the pull-up transistor Tru having the gate terminal connected to the first node Q of the first stage BST1 is turned off.
한편, 이 제 2 기간(T2)에 출력된 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에도 인가되고, 이에 따라 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)는 턴-온된다. 이때, 상기 턴-온된 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해 제 2 전압원(VSS)이 제 1 스테이지 (BST1)의 제 2 노드(QB)에 공급된다. 따라서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 전압원(VSS)에 의해 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)는 방전된다.On the other hand, the second clock pulse CLK2 output in the second period T2 is also applied to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 of the first stage BST1. The fourth NMOS transistor Tr4 of BST1 is turned on. At this time, the second voltage source VSS is supplied to the second node QB of the first stage BST1 through the turned-on fourth NMOS transistor Tr4. Therefore, as shown in FIG. 6, the second node QB of the first stage BST1 is discharged by the second voltage source VSS.
제 2 기간(T2)동안에는, 상기 제 2 스테이지(BST2)로부터 제 2 스캔펄스(Vout2)가 출력된다. 이 제 2 스캔펄스(Vout2)는 제 2 게이트 라인을 구동시킨다. 또한, 상기 제 2 스캔펄스(Vout2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드를 방전시킴과 아울러, 제 3 스테이지의 제 1 노드를 충전시킨다. 또한, 상기 제 2 스캔펄스에 동기되어 출력되는 제 2 클럭펄스는 상기 제 1 스테이지의 제 2 노드를 방전시킨다.During the second period T2, the second scan pulse Vout2 is output from the second stage BST2. This second scan pulse Vout2 drives the second gate line. In addition, the second scan pulse Vout2 discharges the first node of the first stage BST1 and charges the first node of the third stage. The second clock pulse output in synchronization with the second scan pulse discharges the second node of the first stage.
다음으로, 제 3 기간(T3)에는 상기 제 3 스테이지(BST3)가 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 3 스캔펄스(Vout3)로서 출력하여 제 3 게이트 라인을 구동시킨다. 이 제 3 스캔펄스(Vout3)는 제 2 스테이지(BST2)와 제 4 스테이지(BST4)에도 공급되어, 상기 제 2 스테이지(BST2)를 디스에이블시키고, 상기 제 4 스테이지(BST4)를 인에이블시킨다.Next, in the third period T3, the third stage BST3 outputs the first clock pulse CLK1 as the third scan pulse Vout3 to drive the third gate line. The third scan pulse Vout3 is also supplied to the second stage BST2 and the fourth stage BST4 to disable the second stage BST2 and to enable the fourth stage BST4.
한편, 이 제 3 기간(T3)에 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 상기 제 1 스테이지(BST1)에 구비된 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)의 게이트단자 및 소스단자에도 공급된다. 따라서, 상기 제 3 기간(T3)동안, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)를 통해, 상기 제 1 클럭펄스(CLK1)가 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)에 공급된다. 그러면, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)가 충전되며, 이 충전된 제 2 노드(QB)에 접속된 제 1 스테이지(BST1)의 풀다운 트랜지스터(Trd)가 턴-온된다. 이 턴-온된 풀다운 트랜지스터(Trd)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 제 1 게이트 라인에 공급된다. 결국, 상기 제 3 기간(T3)동안, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 방전상태를 유지하고, 제 2 노드(QB)는 충전된다.The first clock pulse CLK1 output in the third period T3 is also supplied to the gate terminal and the source terminal of the third NMOS transistor Tr3 provided in the first stage BST1. Therefore, during the third period T3, the third NMOS transistor Tr3 of the first stage BST1 is turned on. The first clock pulse CLK1 is supplied to the second node QB of the first stage BST1 through the turned-on third NMOS transistor Tr3. Then, the second node QB of the first stage BST1 is charged, and the pull-down transistor Trd of the first stage BST1 connected to the charged second node QB is turned on. Through this turned on pull-down transistor Trd, the second voltage source VSS is supplied to the first gate line. As a result, during the third period T3, the first node Q of the first stage BST1 maintains a discharge state, and the second node QB is charged.
이후, 제 4 기간(T4)에는 제 4 스테이지(BST4)가 제 2 클럭펄스(CLK2)를 제 4 스캔펄스(Vout4)로서 출력한다. 이 제 4 스캔펄스(Vout4)는 제 3 스테이지(BST3)를 디스에이블시키고, 제 5 스테이지를 인에이블시킨다. 한편, 이 제 4 기간(T4)에 출력된 제 2 클럭펄스(CLK2)는 제 2 스테이지(BST2)에 공급된다. 따라서, 상술한 바와 같은 방식으로, 상기 제 2 클럭펄스(CLK2)에 응답하여, 상기 제 2 스테이지(BST2)는 자신의 제 2 노드(QB)를 제 2 클럭펄스(CLK2)로 충전시킨다.Thereafter, in the fourth period T4, the fourth stage BST4 outputs the second clock pulse CLK2 as the fourth scan pulse Vout4. The fourth scan pulse Vout4 disables the third stage BST3 and enables the fifth stage. On the other hand, the second clock pulse CLK2 output in the fourth period T4 is supplied to the second stage BST2. Thus, in the manner as described above, in response to the second clock pulse CLK2, the second stage BST2 charges its second node QB to the second clock pulse CLK2.
한편, 이 제 4 기간(T4)에는 제 1 클럭펄스(CLK1)가 로우로 변화함에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 3 NMOS 트랜지스터(Tr3)가 턴-오프된다. 그리고, 상기 제 4 기간(T4)에 출력된 제 2 클럭펄스(CLK2)는 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)의 게이트단자에 공급된다. 그러면, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)가 턴-온된다. 이 턴-온된 제 4 NMOS 트랜지스터(Tr4)를 통해, 제 2 전압원(VSS)이 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)에 공급된다. 이에 따라, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)는 방전된다. 결국, 상기 제 4 기간(T4)에, 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)는 방전상태를 유지한다. 물론, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 1 노드(Q)는 방전상태를 유지한다.In the fourth period T4, as the first clock pulse CLK1 changes to low, the third NMOS transistor Tr3 of the first stage BST1 is turned off. The second clock pulse CLK2 output in the fourth period T4 is supplied to the gate terminal of the fourth NMOS transistor Tr4 of the first stage BST1. Then, the fourth NMOS transistor Tr4 of the first stage BST1 is turned on. Through the turned-on fourth NMOS transistor Tr4, the second voltage source VSS is supplied to the second node QB of the first stage BST1. Accordingly, the second node QB of the first stage BST1 is discharged. As a result, in the fourth period T4, the second node QB of the first stage BST1 maintains a discharge state. Of course, the first node Q of the first stage BST1 maintains a discharge state.
다음으로, 제 5 기간(T5)에는 제 5 스테이지가 제 1 클럭펄스(CLK1)를 제 5 스캔펄스로서 출력한다. 이 제 5 스캔펄스는 제 4 스테이지(BST4)를 디스에이블시 키고, 제 6 스테이지를 인에이블시킨다. 한편, 이 제 5 기간(T5)에 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 다시 제 1 및 제 3 스테이지(BST1, BST3)에 공급되어, 상기 제 1 스테이지(BST1)의 제 2 노드(QB)를 충전시킴과 아울러 상기 제 3 스테이지(BST3)의 제 2 노드(QB)를 충전시킨다. 또한, 이 제 5 기간(T5)에 출력된 제 1 클럭펄스(CLK1)는 제 2 및 제 4 스테이지(BST2, BST4)에 공급되어 상기 제 2 스테이지(BST2)의 제 2 노드(QB)를 방전시킴과 아울러, 제 4 스테이지(BST4)의 제 2 노드(QB)를 방전시킨다.Next, in the fifth period T5, the fifth stage outputs the first clock pulse CLK1 as the fifth scan pulse. This fifth scan pulse disables the fourth stage BST4 and enables the sixth stage. On the other hand, the first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 is supplied to the first and third stages BST1 and BST3 again, and the second node QB of the first stage BST1 is provided. And charge the second node QB of the third stage BST3. In addition, the first clock pulse CLK1 output in the fifth period T5 is supplied to the second and fourth stages BST2 and BST4 to discharge the second node QB of the second stage BST2. In addition, the second node QB of the fourth stage BST4 is discharged.
이와 같은 방식으로, 한 프레임동안 제 6 스테이지 내지 더미 스테이지(BSTn+1)까지 한 번의 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)를 출력한다. 이때, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)의 제 2 노드(QB)는, 상술한 바와 같이, 매 기간마다 교번적으로 충전 및 방전된다. 따라서, 상기 제 2 노드(QB)에 접속된 출력부(400b)의 스위칭소자, 즉 풀다운 트랜지스터(Trd)의 열화를 방지할 수 있다.In this manner, one scan pulse Vout1 to Voutn + 1 is output from the sixth stage to the dummy stage BSTn + 1 for one frame. At this time, as described above, the second node QB of each stage BST1 to BSTn + 1 is alternately charged and discharged every period. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the switching element, that is, the pull-down transistor Trd, of the output unit 400b connected to the second node QB.
다시말하면, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)는 자신에 입력되는 클럭펄스를 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)로 출력하고, 이 스캔펄스(Vout1 내지 Voutn+1)가 출력된 이후에 자신에게 공급되는 클럭펄스(CLK1 또는 CLK2)를 자신의 제 2 노드(QB)에 계속적으로 공급한다. 따라서, 각 스테이지(BST1 내지 BSTn+1)의 제 2 노드(QB)의 전압파형은 클럭펄스(CLK1 또는 CLK2)의 파형과 동일하다. 결국, 상기와 같이 제 2 노드(QB)는 상기 클럭펄스(CLK1 또는 CLK2)가 출력될 때마다 충전되며(즉, 하이상태를 나타내며), 상기 클럭펄스(CLK1 또는 CLK2)가 출력되지 않는 기간마다 방전된다(즉, 로우상태를 나타낸다.). 이로 인해, 상기 제 2 노드(QB)에 게이트단자 가 접속된 풀다운 트랜지스터(Trd)는 매 기간마다 교번적으로 턴-온 및 턴-오프되므로, 본 발명의 쉬프트 레지스터에 구성된 풀다운 트랜지스터(Trd)는 열화가 방지된다. 물론, 이 클럭펄스(CLK1 또는 CLK2)는 각 스테이지의 풀업 트랜지스터(Tru)의 소스단자에 공급되는 클럭펄스를 의미한다.In other words, each stage BST1 to BSTn + 1 outputs the clock pulse input thereto to the scan pulses Vout1 to
한편, 도 7은 4상 클럭펄스의 타이밍도 및 제 2 노드의 전압파형을 나타낸 도면으로, 4상을 사용하였을 경우, 제 1 스테이지의 제 1 노드의 전압파형은 제 1 클럭펄스와 동일한 파형을 나타낸다. 7 is a diagram illustrating a timing diagram of a four-phase clock pulse and a voltage waveform of a second node. When four phases are used, the voltage waveform of the first node of the first stage has the same waveform as that of the first clock pulse. Indicates.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에는 다음과 같은 효과가 있다.The shift register according to the present invention as described above has the following effects.
본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 풀다운 트랜지스터의 게이트단자가 접속된 노드를 매 기간마다 교번적으로 충전/방전시켜 상기 풀다운 트랜지스터가 매 기간마다 턴-온 또는 턴-오프되도록 함으로써, 상기 풀다운 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있다.The shift register according to the present invention deteriorates the pull-down transistor by alternately charging / discharging the node to which the gate terminal of the pull-down transistor is connected in every period so that the pull-down transistor is turned on or off every period. Can be prevented.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050058357A KR101201308B1 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | A shift register |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050058357A KR101201308B1 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | A shift register |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070002713A true KR20070002713A (en) | 2007-01-05 |
KR101201308B1 KR101201308B1 (en) | 2012-11-14 |
Family
ID=37869671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050058357A KR101201308B1 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | A shift register |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101201308B1 (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101296645B1 (en) * | 2007-03-12 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | A shift register |
KR101394929B1 (en) * | 2007-08-08 | 2014-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | A shift register |
KR20140067472A (en) * | 2012-11-26 | 2014-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device |
KR20140129731A (en) * | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate shift register and display device using the same |
CN104900179A (en) * | 2015-06-29 | 2015-09-09 | 杨秀莲 | Array scanning control circuit of flat panel display |
KR20160036736A (en) * | 2014-09-25 | 2016-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | Driving Circuit And Display Device Including The Same |
CN108766335A (en) * | 2018-05-23 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | GOA unit, GOA circuits, display device and grid drive method |
-
2005
- 2005-06-30 KR KR1020050058357A patent/KR101201308B1/en active IP Right Grant
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101296645B1 (en) * | 2007-03-12 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | A shift register |
KR101394929B1 (en) * | 2007-08-08 | 2014-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | A shift register |
KR20140067472A (en) * | 2012-11-26 | 2014-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device |
KR20140129731A (en) * | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate shift register and display device using the same |
KR20160036736A (en) * | 2014-09-25 | 2016-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | Driving Circuit And Display Device Including The Same |
CN104900179A (en) * | 2015-06-29 | 2015-09-09 | 杨秀莲 | Array scanning control circuit of flat panel display |
CN104900179B (en) * | 2015-06-29 | 2017-08-18 | 重庆市中光电显示技术有限公司 | A kind of array scanning control circuit of flat-panel monitor |
CN108766335A (en) * | 2018-05-23 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | GOA unit, GOA circuits, display device and grid drive method |
WO2019223686A1 (en) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Shift register unit and drive method therefor, gate driver, display panel, and display apparatus |
CN108766335B (en) * | 2018-05-23 | 2020-06-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | GOA unit, GOA circuit, display device and gate driving method |
US11081033B2 (en) | 2018-05-23 | 2021-08-03 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Shift register unit and driving method thereof, gate driver, display panel and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101201308B1 (en) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101296645B1 (en) | A shift register | |
KR101107714B1 (en) | A shift register and a method for driving the same | |
US8041000B2 (en) | Shift register | |
US7633477B2 (en) | Gate driver using a multiple power supplies voltages and having a shift resister | |
KR101319356B1 (en) | A shift register of a liquid crystal display device and a method for driving the same | |
KR20070122174A (en) | A shift register | |
KR20100071387A (en) | Gate driver | |
KR20140098880A (en) | Shift register | |
KR20090050358A (en) | A shift register | |
KR20110000469A (en) | A shift register | |
KR101308440B1 (en) | A shift register | |
KR101182323B1 (en) | A shifter register | |
KR20130010714A (en) | Shift register | |
KR101192799B1 (en) | A shift register | |
KR20090057798A (en) | Shift register | |
KR101137859B1 (en) | Shift Register | |
KR101201308B1 (en) | A shift register | |
KR101232171B1 (en) | A shift register | |
KR101243806B1 (en) | A shift register | |
KR101192760B1 (en) | A shift register and a method for driving the same | |
KR101166816B1 (en) | A shift register and a method for driving the same | |
KR20090061527A (en) | Shift register | |
KR101394929B1 (en) | A shift register | |
KR101055208B1 (en) | Shift register | |
KR101327840B1 (en) | A liquid crystal display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151028 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171016 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181015 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191015 Year of fee payment: 8 |