KR20060086611A - 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 라인/스페이스 패턴 에지부에 복수개의 더미 라인/스페이스 패턴이 형성된 제 1 노광 마스크 및 상기 더미 라인/스페이스 패턴 부분이 오픈된 제 2 노광 마스크를 사용하여 이중 노광을 수행함으로써 상기 라인/스페이스 패턴 에지부의 초점심도를 상기 라인/스페이스 패턴의 초점심도 수준으로 향상시킬 수 있으며, 해상이 되지 않는 더미 라인/스페이스 패턴을 형성하는 경우는 작은 크기의 마스크를 제작하여야 하는 문제점이 있지만 본 발명에서는 이중 노광을 이용하여 상기 더미 라인/스페이스 패턴을 제거하므로 상기 라인/스페이스 패턴과 동일한 크기로 마스크를 제작하므로 상기 마스크 제작이 용이한 기술을 나타낸다.
Description
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 도시한 평면도들.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 도시한 평면도들.
본 발명은 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 라인/스페이스 패턴 에지부에 복수개의 더미 라인/스페이스 패턴이 형성된 제 1 노광 마스크 및 상기 라인/스페이스 패턴 부분이 오픈된 제 2 노광 마스크를 사용하여 이중 노광을 수행함으로써 상기 라인/스페이스 패턴 에지부의 초점심도를 상기 라인/스페이스 패턴 중심부의 초점심도 수준으로 향상시킬 수 있으며, 해상이 되지 않는 더미 라인/스페이스 패턴을 형성하는 경우는 작은 크기의 마스크를 제작하여야 하는 문제점이 있지만 본 발명에서는 이중 노광을 이용하여 상기 더미 라인/스페이스 패턴을 제거하여 상기 라인/스페이스 패턴과 동일한 크기로 마스크를 제작하므로 상 기 마스크 제작이 용이한 기술을 나타낸다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 도시한 평면도들이다.
도 1a를 참조하면, 베스트 포커스 상태에서 형성된 미세 패턴으로 라인/스페이스 패턴(20) 에지부에 원하는 선폭의 패턴이 형성됨을 나타낸다.
도 1b를 참조하면, 디 포커스 상태에서는 형성된 미세 패턴으로 라인/스페이스 패턴(20) 에지부는 'A'와 같이 패턴의 선폭이 작게되어 원하는 선폭의 패턴을 형성하지 못함을 나타낸다.
상술한 종래 기술에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법에서, 베스트 포커스에서는 라인/스페이스 패턴 에지부에 위치한 라인의 크기를 조절하여 원하는 선폭의 라인/스페이스 패턴을 얻을 수 있지만, 디포커스 상태에서는 상기 미세 패턴과 다른 양상을 보이기 때문에 원하는 선폭의 미세 패턴을 얻을 수 없게 된다. 또한, 상기 미세 패턴의 에지부에 위치한 패턴의 낮은 초점심도로 인하여 포커스 마진을 확보할 수 없는 문제점이 있다.
이를 해결하기 위해 상기 라인/스페이스 패턴 에지부에 해상이 되지 않는 크기의 더미 라인/스페이스 패턴 라인을 형성하여 포커스 마진이 향상되는 효과를 얻었지만 상기 더미 라인/스페이스 패턴이 해상되지 않도록 하기 위해서는 마스크상에 더미 라인/스페이스 패턴의 선폭을 작게 형성해야하며, 상기 더미 라인/스페이스 패턴의 형성 위치 및 상기 패턴의 라인 수에 제한이 있어 상기 더미 라인/스페이스 패턴으로는 충분하게 포커스 마진을 확보 할 수 없는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 라인/스페이스 패턴 에지부에 복수개의 더미 라인/스페이스 패턴이 형성된 제 1 노광 마스크 및 상기 더미 라인/스페이스 패턴 부분이 오픈된 제 2 노광 마스크를 사용하여 이중 노광을 수행함으로써 상기 라인/스페이스 패턴 에지부의 초점심도를 상기 라인/스페이스 패턴의 초점심도 수준으로 향상시킬 수 있으며, 해상되지 않는 더미 라인/스페이스 패턴을 형성하는 경우는 작은 크기의 마스크를 제작하여야 하는 문제점이 있지만 본 발명에서는 이중 노광을 이용하여 상기 더미 라인/스페이스 패턴을 제거하므로 상기 라인/스페이스 패턴과 동일한 크기로 마스크를 제작하여 상기 마스크 제작의 난이도가 완화되는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은
라인/스페이스 패턴 및 복수개의 더미 라인/스페이스 패턴이 형성된 제 1 노광 마스크를 이용하여 감광막을 1차 노광하는 단계와,
상기 더미 라인/스페이스 패턴이 형성된 영역에 대응되는 부분이 투광 패턴으로 구비된 제 2 노광 마스크를 이용하여 상기 감광막을 2차 노광하는 단계와,
상기 감광막을 현상하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법을 도시한 평면도들이다.
도 2a를 참조하면, 라인/스페이스 패턴(100) 및 복수개의 더미 라인/스페이스 패턴(110)이 형성된 제 1 노광 마스크(115)를 이용하여 감광막(미도시)을 제 1차 노광한다.
이때, 더미 라인/스페이스 패턴(110)은 라인/스페이스 패턴(100)이 형성된 영역의 에지부에 구비되며, 더미 라인/스페이스 패턴(110)의 크기 및 피치는 라인/스페이스 패턴(100) 중심부와 동일하게 형성하는 것이 바람직하다.
도 2b 및 도 2c를 참조하면, 도 2a의 더미 라인/스페이스 패턴(110)에 해당되는 영역이 투광 패턴(130)으로 구비된 도 2b의 제 2 노광 마스크(120)를 이용하여 상기 감광막(미도시)을 제 2 차 노광한다.
상기 1차 및 2차 노광에 의해 제 1 노광 마스크(115)의 더미 라인/스페이스 패턴(110)에 해당되는 부분의 감광막은 이중 노광된다.
다음에는 현상 공정을 수행하여 라인/스페이스 패턴(100)에 해당되는 부분의 피식각층 상부에만 라인/스페이스 감광막 패턴이 남도록 한 후 상기 라인/스페이스 감광막 패턴을 마스크로 상기 피식각층을 식각한다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은 라인/스페이스 패턴 에지부에 복수개의 더미 라인/스페이스 패턴이 형성된 제 1 노광 마스크 및 상기 더미 라인/스페이스 패턴 부분이 오픈되어 투광 패턴으로 형성된 제 2 노광 마스크 를 사용하여 이중 노광 공정을 수행하고, 상기 더미 라인/스페이스 패턴을 제거하여 상기 라인/스페이스 패턴 에지부의 초점심도를 상기 라인/스페이스 패턴의 초점 심도 수준으로 향상시킬 수 있다. 또한, 해상이 되지 않는 더미 라인/스페이스 패턴을 형성하는 경우는 작은 크기의 마스크가 요구되는 문제점이 있지만 본 발명에서는 이중 노광을 이용하여 상기 더미 라인/스페이스 패턴을 제거하므로 상기 라인/스페이스 패턴과 동일한 크기로 마스크를 제작하여 상기 마스크 제작이 난이도가 완화되는 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
Claims (2)
- 라인/스페이스 패턴 및 복수개의 더미 라인/스페이스 패턴이 형성된 제 1 노광 마스크를 이용하여 감광막을 1차 노광하는 단계;상기 더미 라인/스페이스 패턴이 형성된 영역에 대응되는 부분이 투광 패턴으로 구비된 제 2 노광 마스크를 이용하여 상기 감광막을 2차 노광하는 단계; 및상기 감광막을 현상하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 더미 라인/스페이스 패턴은 상기 라인/스페이스 패턴과 동일한 크기 및 피치로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법.
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| KR (1) | KR20060086611A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100806843B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-02-22 | 스템코 주식회사 | 기판 소재의 노광 장치 및 방법 |
| CN103339711A (zh) * | 2011-01-07 | 2013-10-02 | 美光科技公司 | 成像装置、其形成方法以及形成半导体装置结构的方法 |
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2005
- 2005-01-27 KR KR1020050007467A patent/KR20060086611A/ko not_active Application Discontinuation
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| US9140977B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-09-22 | Micron Technology, Inc. | Imaging devices, methods of forming same, and methods of forming semiconductor device structures |
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