KR20060026235A - Apparatus for testing semiconductor memory module and method thereof - Google Patents
Apparatus for testing semiconductor memory module and method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060026235A KR20060026235A KR1020040075083A KR20040075083A KR20060026235A KR 20060026235 A KR20060026235 A KR 20060026235A KR 1020040075083 A KR1020040075083 A KR 1020040075083A KR 20040075083 A KR20040075083 A KR 20040075083A KR 20060026235 A KR20060026235 A KR 20060026235A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor memory
- test
- memory module
- management number
- module
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31701—Arrangements for setting the Unit Under Test [UUT] in a test mode
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3183—Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
- G01R31/318314—Tools, e.g. program interfaces, test suite, test bench, simulation hardware, test compiler, test program languages
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4096—Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
반도체 메모리 모듈 테스트 설비가 제공된다. 상기 반도체 메모리 모듈 테스트 설비는 테스트할 반도체 메모리 모듈의 다수 개의 관리 번호 세트를 입력 받는 입력 모듈, 기테스트된 반도체 메모리 모듈들의 다수 개의 관리 번호 세트를 저장하는 저장 모듈, 상기 입력된 관리 번호 세트와 저장된 관리 번호 세트를 각각 비교하여 테스트 진행 여부를 결정하는 제어 모듈을 포함한다. 또한, 반도체 메모리 모듈 테스트 방법이 제공된다.A semiconductor memory module test facility is provided. The semiconductor memory module test facility includes an input module for receiving a plurality of sets of management numbers of semiconductor memory modules to be tested, a storage module for storing a plurality of sets of management numbers of pretested semiconductor memory modules, and a stored set with the input set of management numbers. And a control module for comparing the management number sets to determine whether the test is to proceed. In addition, a semiconductor memory module test method is provided.
반도체 메모리 모듈, 테스트, SPDSemiconductor Memory Modules, Tests, SPD
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 모듈 테스트 설비를 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a semiconductor memory module test facility in accordance with an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 모듈 테스트 방법을 나타낸 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of testing a semiconductor memory module according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 테스트 진행 여부를 결정하는 단계(S230)를 자세히 나타낸 순서도이다.3 is a flow chart showing in detail the step (S230) of determining whether to proceed with the test of FIG.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
10 : 입력 모듈 20 : 제1 저장 모듈10: input module 20: first storage module
30 : 제어 모듈 40 : 출력 모듈30: control module 40: output module
50, 60, 70, 80 : 테스트 시스템50, 60, 70, 80: test system
55, 65, 75, 85 : 반도체 메모리 모듈55, 65, 75, 85: semiconductor memory module
57, 67, 77, 87 : 제2 저장 모듈57, 67, 77, 87: second storage module
100 : 반도체 메모리 모듈 테스트 설비100: semiconductor memory module test facility
본 발명은 반도체 메모리 모듈 테스트 설비 및 테스트 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 메모리 모듈 테스트 시간을 단축하고, 테스트 효율을 높이는 반도체 메모리 모듈 테스트 설비 및 테스트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor memory module test facility and a test method, and more particularly, to a semiconductor memory module test facility and a test method for shortening the semiconductor memory module test time and increasing the test efficiency.
최근에 전자 기기 및 반도체 장치는 점차적으로 소형화, 고집적화 및 신호의 고속화가 요구되고 있다. 특히, 반도체 장치의 정보 저장 능력을 향상시키기 위한 수단으로 다수 개의 반도체 장치를 별도의 모듈 기판에 모듈(module)화시키는 방법이 이용되고 있다.In recent years, electronic devices and semiconductor devices have gradually required miniaturization, high integration, and high speed signals. In particular, a method of modularizing a plurality of semiconductor devices on a separate module substrate is used as a means for improving the information storage capability of the semiconductor device.
이렇게 반도체 메모리 모듈이 많이 사용됨으로써, 반도체 메모리 모듈에서의 테스트도 점차 중요해지고 있다. 반도체 메모리 모듈 테스트의 주된 목적은 모듈 조립시 발생할 수 있는 기본적인 조립 고장을 검출하고, 반도체 메모리 모듈 고유의 고장을 검출하는 것이다.As the semiconductor memory module is widely used in this way, the test in the semiconductor memory module is also becoming increasingly important. The main purpose of semiconductor memory module testing is to detect basic assembly failures that can occur during module assembly and to detect failures inherent in semiconductor memory modules.
기본적으로 반도체 메모리 모듈의 테스트에는 여러 개의 메모리가 동시에 동작하기 때문에 개개의 메모리가 동작할 때보다 많은 노이즈가 발생한다. 따라서, 이를 테스트하기 위해서는 많은 시간이 요구된다.Basically, the test of the semiconductor memory module generates more noise than when the individual memories operate because several memories operate at the same time. Therefore, much time is required to test it.
또한, 반도체 메모리 모듈 테스트는 많은 종류의 메모리 모듈과 많은 종류의 테스트 시스템(예를 들어, 탁상용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터 등)을 조합(combination)하여 테스트를 실시한다. 종래의 경우에는 테스트를 진행하다 보면 이미 테스트한 조합에 대해서 중복하여 테스트하는 경우가 많다. 따라서, 중복 테스트에 의한 테스트 시간이 손실되고, 테스트 효율이 떨어지는 문제가 있다.In addition, the semiconductor memory module test performs a test by combining many kinds of memory modules and many kinds of test systems (for example, desktop computers, notebook computers, etc.). In the conventional case, a test is often repeated to test a combination that has already been tested. Therefore, there is a problem that the test time due to the duplicated test is lost and the test efficiency is lowered.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 메모리 모듈 테스트 시간을 단축하고, 테스트 효율을 높이는 반도체 메모리 모듈 테스트 설비를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a semiconductor memory module test facility for shortening the semiconductor memory module test time and increasing the test efficiency.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 반도체 메모리 모듈 테스트 시간을 단축하고, 테스트 효율을 높이는 반도체 메모리 모듈 테스트 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor memory module test method for shortening a semiconductor memory module test time and increasing test efficiency.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 모듈 테스트 설비는 테스트할 반도체 메모리 모듈의 다수 개의 관리 번호 세트를 입력 받는 입력 모듈, 기테스트된 반도체 메모리 모듈들의 다수 개의 관리 번호 세트를 저장하는 저장 모듈, 입력된 관리 번호 세트와 저장된 관리 번호 세트를 각각 비교하여 테스트 진행 여부를 결정하는 제어 모듈을 포함한다.In accordance with an aspect of the present invention, a semiconductor memory module test facility includes an input module that receives a plurality of management number sets of a semiconductor memory module to be tested and a plurality of management number sets of pre-tested semiconductor memory modules. A storage module for storing the control module, and a control module for comparing the input management number set with the stored management number set to determine whether to proceed with the test.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 모듈 테스트 방법은 테스트할 반도체 메모리 모듈의 다수 개의 관리 번호 세트를 입력 받는 단계, 기테스트된 반도체 메모리 모듈들의 다수 개의 관리 번호 세트를 로딩하는 단계, 입력된 관리 번호 세트와 로딩된 관리 번호 세트를 각각 비 교하여 테스트 진행 여부를 결정하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of testing a semiconductor memory module, the method comprising: receiving a plurality of management number sets of a semiconductor memory module to be tested, and a plurality of management number sets of pretested semiconductor memory modules And loading the management number set and the loaded management number set, respectively, to determine whether to proceed with the test.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 모듈 테스트 설비를 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a semiconductor memory module test facility in accordance with an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 반도체 메모리 모듈 테스트 설비(100)는 서버(5)와 다수 개의 테스트 시스템(50, 60, 70, 80)를 포함한다. 또한, 서버(5)는 입력 모듈(10), 제1 저장 모듈(20), 제어 모듈(30), 출력 모듈(40)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor memory
다수 개의 테스트 시스템(50, 60, 70, 80)은 탁상용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 팜톱(pamtop) 컴퓨터, 네트워크용 컴퓨터 등 반도체 메모리 모듈(55, 65, 75, 85)이 장착될 수 있는 장치이면 무엇이든 가능하다. 일반적으로 각 제조사별, 각 모델별로 테스트하므로, 테스트 시스템(50, 60, 70, 80)은 수백 개 내지 수천 개가 될 수 있다. 따라서, 각각의 테스트 시스템(50, 60, 70, 80)은 고유의 테스트 시스템 관리 번호를 부여받는다. 또한, 본 발명의 일 실시예로서는 4개의 테스트 시스템 이 서버(5)에 LAN선을 통해서 연결되어 있는 것으로 표현하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The plurality of
전술하였듯이, 각각의 테스트 시스템(50, 60, 70, 80)에는 테스트할 반도체 메모리 모듈(55, 65, 75, 85)이 장착된다. 각각의 메모리 모듈은 별개의 제2 저장 모듈(57, 67, 77, 87)을 포함한다. 제2 저장 모듈(57, 67, 77, 87)는 일반적으로 SPD(Serial Presence Detect)를 사용한다. As described above, each
SPD는 반도체 메모리 모듈의 기본적인 정보를 담고 있는 롬(ROM)이며, 테스트 시스템이 부팅(booting)될 때 반도체 메모리 컨트롤러(memory controller)에 의해 SPD 내부의 정보가 읽혀진다. 읽혀진 정보는 반도체 메모리 초기화(initialization) 및 테스트 시스템의 초기 타이밍 세팅(timing setting)에 사용된다. The SPD is a ROM that contains basic information of the semiconductor memory module. When the test system is booted, the information of the SPD is read by the semiconductor memory controller. The read information is used for semiconductor memory initialization and initial timing setting of the test system.
예를 들어, 정보는 DIMM(Dual In-line Memory Module)의 크기, 속도, 전압, 드라이브 능력, 행렬 주소의 개수, DIMM 제작자 및 RAM 제작자 등이 된다. 본 발명의 일 실시예로서 SPD에 반도체 메모리 모듈의 관리 번호를 더 입력한다. 관리 번호는 중복 테스트를 방지하기 위해서 사용된다. 관리 번호를 부여하는 방법은 소정의 방법으로 제한되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 변형 실시 가능하다.For example, the information may be the size, speed, voltage, drive capability, number of matrix addresses, DIMM maker and RAM maker, etc. of a dual in-line memory module (DIMM). In one embodiment of the present invention, the management number of the semiconductor memory module is further input to the SPD. The control number is used to prevent duplicate testing. The method of assigning a management number is not limited to a predetermined method, and may be modified by those skilled in the art.
SPD는 주로 SDRAM(synchronous DRAM)에서 이용할 수 있는 8핀짜리 직렬 EEPROM 칩을 사용하는 것이 일반적이다. 하지만, 이에 제한되지 않고 전술한 정보를 저장할 수 있는 저장 매체이면 무엇이든 가능한다. SPDs typically use an 8-pin serial EEPROM chip that is typically available in SDRAM (synchronous DRAM). However, the present invention is not limited thereto, and any storage medium capable of storing the above-described information may be used.
입력 모듈(10)은 테스트할 반도체 메모리 모듈의 다수 개의 관리 번호 세트(set)를 입력받는다. 관리 번호 세트는 반도체 메모리 모듈의 관리 번호, 테스트 시스템의 관리 번호 및 테스트 프로그램 관리 번호 중 하나 이상을 포함한다. 일반적으로 테스트 시스템(50, 60, 70, 80)에 장착된 반도체 메모리 모듈(55, 65, 75, 85)은 여러 번의 테스트를 받는다. 따라서, 각각의 테스트 프로그램도 반도체 메모리 모듈, 테스트 시스템과 같이 관리 번호를 부여 받는다. 그런데, 테스트 프로그램 관리 번호는 테스트 시스템(50, 60, 70, 80) 내에 존재할 수도 있고, 서버(5) 내에서 총괄적으로 관리될 수도 있다. 테스트 시스템(50, 60, 70, 80) 내에 존재할 경우에는 다른 관리 번호들과 함께 입력 모듈(10)로 입력되고, 서버(5) 내에 존재할 경우에는 제1 저장 모듈(20) 상에서 로딩된다.The
제1 저장 모듈(20)은 기테스트된 반도체 메모리 모듈들의 다수 개의 관리 번호 세트가 저장된다. 즉, 반도체 메모리 모듈들의 평가 이력들이 저장되어 있다. 제1 저장 모듈(20)은 RAM, ROM으로 구분되고, 제어 모듈(30) 등에서 사용될 정보는 ROM에서 RAM으로 로딩되어 사용된다.The
제어 모듈(30)은 입력 모듈(10)을 통해서 입력된 관리 번호 세트와 제1 저장 모듈(20)에 저장된 다수 개의 관리 번호 세트를 상호 비교한다. 비교 결과에 따라 테스트 진행 여부를 결정한다. 관리 번호 세트는 반도체 메모리 모듈 관리 번호, 테스트 시스템 관리 번호 및 테스트 프로그램 관리 번호 중 하나 이상을 의미한다. 물론, 이에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자의 인식 범위 내에서 변형 가능하다.
The
바람직하게는 입력된 관리 번호 세트 모두가 기테스트된 관리 번호 세트와 상호 일치할 때, 테스트를 중지한다. 그리고, 에러 메시지를 출력하여 현재 수행하려는 테스트가 이미 테스트되었던 것이라도, 재테스트할지 여부를 사용자에게 요구한다. 입력된 관리 번호 세트와 기테스트된 관리 번호 세트가 일치하지 않을 경우에는 테스트를 그대로 진행한다. 자세한 테스트 과정은 후술한다.Preferably, the test stops when all of the entered management number sets coincide with the pretested management number set. And, it outputs an error message and asks the user whether to retest even if the current test is already tested. If the entered control number set does not match the pretested control number set, the test is continued. Detailed test procedures will be described later.
출력 모듈(40)은 제어 모듈(30)로부터 명령을 받아 테스트 시스템(50, 60, 70, 80)의 동작을 중지시키고, 디스플레이 장치(도면 미도시)를 통해서 에러 메시지를 출력하는 역할을 한다. 또한, 테스트가 진행된 경우에는 디스플레이 장치(도면 미도시)를 통해서 테스트 결과를 출력한다.The
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 모듈 테스트 방법을 나타낸 순서도이다. 도 3은 도 2의 테스트 진행 여부를 결정하는 단계(S230)를 자세히 나타낸 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of testing a semiconductor memory module according to an embodiment of the present invention. 3 is a flow chart showing in detail the step (S230) of determining whether to proceed with the test of FIG.
도 2 및 도 3을 참조하면, 우선 제2 저장 모듈(57, 67, 77, 87)에 반도체 메모리 모듈 관리 번호를 입력한다(S210). 테스트 시스템 관리 번호 및 테스트 프로그램 관리 번호는 이미 정해져서, 소정의 저장 매체에 입력되어 있는 것이 일반적이다.2 and 3, first, a semiconductor memory module management number is input to the
반도체 메모리 모듈 관리 번호가 입력된 반도체 메모리 모듈을 테스트 시스템에 장착한다(S220). 그 후, 테스트 진행 여부를 판단한다(S230).The semiconductor memory module in which the semiconductor memory module management number is input is mounted in the test system (S220). After that, it is determined whether the test proceeds (S230).
도 3을 참조하면, 테스트 진행 여부 판단은 우선 테스트할 반도체 메모리 모듈의 다수 개의 관리 번호 세트가 입력 모듈(10)을 통해서 서버에 입력된다(S232). 관리 번호 세트는 반도체 메모리 모듈 관리 번호, 테스트 시스템 관리 번호 및 테스트 프로그램 관리 번호 중 하나 이상을 의미한다. Referring to FIG. 3, the test progress determination is performed by first inputting a plurality of management number sets of a semiconductor memory module to be tested to the server through the input module 10 (S232). The management number set means one or more of a semiconductor memory module management number, a test system management number, and a test program management number.
그 후, 제1 저장 모듈(20)내의 ROM에서 RAM으로 기테스트된 반도체 메모리 모듈들의 관리 번호 세트들을 로딩한다(S233). 테스트할 반도체 메모리 모듈의 관리 번호 세트와 기테스트된 반도체 메모리 모듈들의 관리번호 세트들을 상호 비교하면서 테스트를 계속할지 여부를 결정한다.Thereafter, the management number sets of the semiconductor memory modules pretested into the RAM are loaded from the ROM in the first storage module 20 (S233). The control number set of the semiconductor memory module to be tested and the control number sets of the previously tested semiconductor memory modules are compared with each other to determine whether to continue the test.
우선, 관리 번호 세트 중 반도체 메모리 모듈의 관리 번호가 동일한지 여부를 판단한다(S234). 동일할 경우, 테스트 시스템 관리 번호도 동일한지 여부를 판단한다(S236). 테스트 프로그램 관리 번호도 동일하면(S238), 인터락(interlock)을 걸어 테스트를 중지한다(S260).First, it is determined whether the management numbers of the semiconductor memory modules are the same among the management number sets (S234). If the same, it is determined whether the test system management number is also the same (S236). If the test program management number is the same (S238), the test is stopped by interlocking (S260).
관리 번호 세트 중 어느 하나라도 동일하지 않으면, 이전에 테스트되지 않은 것이므로 테스트를 시작한다(S240).If any one of the management number set is not the same, the test is started because it has not been tested before (S240).
다시 도 2를 참조하면, 테스트를 중지(S260)한 후, 제어 모듈(30)은 테스트하려는 반도체 메모리 모듈(55, 65, 75, 85)이 기테스트된 반도체 메모리 모듈임을 알리는 에러 메시지를 출력한다(S270). 또한, 선택적으로 이미 테스트된 것과 동일한 테스트라도 재테스트할지 여부를 결정하도록 사용자에게 요구할 수 있다(S280). 즉, 동일한 반도체 메모리 모듈(55, 65, 75, 85)을 동일한 테스트 시스템(50, 60, 70, 80)에 장착하고 동일한 프로그램으로 재테스트할지를 결정한다. 사용자가 재테스트를 결정하면, 테스트를 시작하고(S240), 그렇지 않으면 테스트를 종료한다.Referring back to FIG. 2, after stopping the test (S260), the
한편, 테스트를 시작(S240)하여 테스트가 완료(S250)되면, 제어 모듈(30)은 테스트 결과를 출력 모듈(40)을 통해서 디스플레이 장치(도면 미도시)에 제공하고 테스트를 종료한다.On the other hand, when the test is completed by starting the test (S240) (S250), the
이와 같은 방법으로 반도체 메모리 모듈 테스트를 실시하면, 반도체 메모리 모듈(55, 65, 75, 85)에 대한 중복 테스트를 방지할 수 있어 테스트 시간을 단축할 수 있다. 또한, 그로 인해 생산성 향상에 도움을 줄 수 있다.When the semiconductor memory module test is performed in this manner, the redundant test of the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.
상기한 바와 같은 반도체 메모리 모듈 테스트 설비 및 테스트 방법에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다. According to the semiconductor memory module test facility and test method described above, one or more of the following effects are obtained.
첫째, 반도체 메모리 모듈의 테스트 시간을 단축할 수 있다.First, the test time of the semiconductor memory module can be shortened.
둘째, 중복 테스트를 방지하여 반도체 메모리 모듈의 생산성 향상에 도움을 줄 수 있다.Second, it can help to increase the productivity of the semiconductor memory module by preventing duplicate testing.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040075083A KR20060026235A (en) | 2004-09-20 | 2004-09-20 | Apparatus for testing semiconductor memory module and method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040075083A KR20060026235A (en) | 2004-09-20 | 2004-09-20 | Apparatus for testing semiconductor memory module and method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060026235A true KR20060026235A (en) | 2006-03-23 |
Family
ID=37137672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040075083A KR20060026235A (en) | 2004-09-20 | 2004-09-20 | Apparatus for testing semiconductor memory module and method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20060026235A (en) |
-
2004
- 2004-09-20 KR KR1020040075083A patent/KR20060026235A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11862267B2 (en) | Multi mode memory module with data handlers | |
US6986118B2 (en) | Method for controlling semiconductor chips and control apparatus | |
US10268409B2 (en) | Memory controller managing a temperature of a memory device upon a training operation, a memory system, and a method of operating the same | |
US8201037B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit | |
US8402259B2 (en) | Accelerating wake-up time of a system | |
EP3933842A1 (en) | Method for testing control chip and related device | |
US11862268B2 (en) | Test method for control chip and related device | |
US20200294587A1 (en) | Performing a test of memory components with fault tolerance | |
US20100131221A1 (en) | Method for determining quality parameter and the electronic apparatus using the same | |
US20160155514A1 (en) | System and method of testing and identifying memory devices | |
CN113160875A (en) | Chip test system and test method | |
US9529536B2 (en) | Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof | |
US7334170B2 (en) | Method for resolving parameters of DRAM | |
US20210373072A1 (en) | Allocation of test resources to perform a test of memory components | |
US10535418B2 (en) | Memory device including repair circuit and operation method thereof | |
CN116540059B (en) | Semiconductor chip testing method, device, equipment and storage medium | |
KR20060026235A (en) | Apparatus for testing semiconductor memory module and method thereof | |
CN116072197A (en) | Computer system and memory testing method based on wafer stacking architecture | |
CN112382334A (en) | Testing device and testing method for mobile memory | |
JP5860265B2 (en) | Semiconductor memory device and test method thereof | |
CN215264786U (en) | Memory detection device | |
US20220365843A1 (en) | Method for detecting flash memory module and associated system on chip | |
JP2002244934A (en) | Memory monitoring device and method | |
CN115145775A (en) | Time sequence testing method and device, computer equipment and storage medium | |
CN116564397A (en) | Memory aging test method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |