KR20050120483A - 고효율 면발광 반도체 레이저 소자, 상기 레이저 소자용레이저 펌핑부, 그리고 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (30)
- 소정의 파장을 갖는 광을 발생시키는 레이저 펌핑부; 및 상기 레이저 펌핑부에 1차 광펌핑용 레이저빔을 제공하는 펌프 레이저;를 포함하는 반도체 레이저 소자에 있어서,상기 레이저 펌핑부는:상기 1차 광펌핑용 레이저빔을 흡수하여 소정의 파장을 갖는 광을 발생시키는 활성층;상기 활성층에서 발생된 광을 반사시키는 제 1 반사기; 및상기 활성층에 의해 흡수되지 않고 상기 제 1 반사기를 통과한 1차 광펌핑용 레이저빔을 상기 활성층을 향해 반사시키는 제 2 반사기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사기는 복수의 고굴절률층과 저굴절률층이 교호하는 복층 구조의 화합물 반도체형 분산 브래그 반사기인 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 반사기는 유전체형 분산 브래그 반사기 또는 금속 반사기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 3 항에 있어서,상기 유전체형 분산 브래그 반사기는 SiO2, Al2O3, ZrO2, TiO 2 및 HfO2 를 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사기와 제 2 반사기는, 상기 활성층에서 발생된 광과 상기 1차 광펌핑용 레이저빔에 대해 모두 소정의 값 이상의 반사율을 갖는 하나의 단일한 분산 브래그 반사기인 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 레이저 펌핑부는, 상기 활성층에서 발생하는 열을 방출하여 상기 활성층을 냉각시키기 위한 히트 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 히트 싱크는 상기 제 2 반사기에 부착되는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 히트 싱크는 상기 활성층의 레이저빔 입사면에 부착되며, 투명한 재질인 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 레이저 펌핑부의 외부에 위치하는 것으로, 상기 레이저 펌핑부에서 발생한 광의 일부를 투과시켜 레이저빔으로서 출력하고, 나머지 일부를 레이저 펌핑부에서 재흡수되도록 반사하는 외부 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 외부 미러는 레이저 펌핑부와 펌프 레이저 사이의 광로에 위치하며, 상기 외부 미러와 펌프 레이저 사이에는 1차 광펌핑용 레이저빔과 상기 활성층에서 발생된 레이저빔을 분리하는 빔스플리터가 구비되는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 레이저 펌핑부는, 상기 제 1 반사기에서 반사된 광빔을 활성층으로 반사시키기 위하여 활성층 표면에 제 3 반사기를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 3 반사기는 화합물 반도체형 분산 브래그 반사기인 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 레이저 펌핑부는, 상기 활성층으로 입사하는 광빔이 반사되는 것을 방지하기 위하여 활성층 표면에 반사방지층을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
- 펌프 레이저로부터 방출된 1차 광펌핑용 레이저빔을 흡수하여 소정의 파장을 갖는 광을 발생시키는 면발광 반도체 레이저 소자용 레이저 펌핑부에 있어서,상기 1차 광펌핑용 레이저빔을 흡수하여 소정의 파장을 갖는 광을 발생시키는 활성층;상기 활성층에서 발생된 광을 반사시키는 제 1 반사기; 및상기 활성층에 의해 흡수되지 않고 상기 제 1 반사기를 통과한 1차 광펌핑용 레이저빔을 상기 활성층을 향해 반사시키는 제 2 반사기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 반사기는 복수의 고굴절률층과 저굴절률층이 교호하는 복층 구조의 화합물 반도체형 분산 브래그 반사기인 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 2 반사기는 유전체형 분산 브래그 반사기 또는 금속 반사기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
- 제 15 항에 있어서,상기 유전체형 분산 브래그 반사기는 SiO2, Al2O3, ZrO2, TiO 2 및 HfO2 를 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
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- 제 19 항에 있어서,상기 히트 싱크는 상기 제 2 반사기에 부착되는 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
- 제 19 항에 있어서,상기 히트 싱크는 상기 활성층의 레이저빔 입사면에 부착되며, 투명한 재질인 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
- 제 14 항에 있어서,상기 레이저 펌핑부는, 상기 제 1 반사기에서 반사된 광빔을 활성층으로 반사시키기 위한 활성층 표면에 제 3 반사기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
- 제 22 항에 있어서,상기 제 3 반사기는 화합물 반도체형 분산 브래그 반사기인 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
- 제 14 항에 있어서,상기 레이저 펌핑부는, 상기 활성층으로 입사하는 광빔의 반사를 방지하기 위해 활성층 표면에 반사방지층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부.
- 펌프 레이저로부터 방출된 1차 광펌핑용 레이저빔을 흡수하여 소정의 파장을 갖는 광을 발생시키는 면발광 반도체 레이저 소자용 레이저 펌핑부의 제조 방법에 있어서,기판 위에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 위에 분산 브래그 반사기를 적층하는 단계;상기 1차 광펌핑용 레이저빔을 흡수하여 소정의 파장을 갖는 광을 발생시키는 활성층을 상기 분산 브래그 반사기 위에 적층하는 단계;상기 활성층 위에 광투과성 히트싱크를 적층하는 단계;상기 희생층을 식각하여 분산 브래그 반사기로부터 기판을 분리하는 단계; 및상기 활성층에 의해 흡수되지 않고 상기 분산 브래그 반사기를 통과한 1차 광펌핑용 레이저빔을 상기 활성층을 향해 반사시키는 제 2 반사기를 상기 분산 브래기 반사기의 하부에 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 희생층은 AlAs 또는 InGaP 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 제 2 반사기는 유전체형 분산 브래그 반사기 또는 금속 반사기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부 제조 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 2 반사기는 SiO2, Al2O3, ZrO2, TiO2 및 HfO2 를 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 분산 브래그 반사기는 복수의 고굴절률층과 저굴절률층이 교호하는 복층 구조인 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 고굴절률층은 AlxGa1-xAs 을 포함하고, 저굴절률층은 AlyGa 1-yAs을 포함하며, x<y 인 것을 특징으로 하는 레이저 펌핑부 제조 방법.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20040619 |
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PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20081226 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20040619 Comment text: Patent Application |
|
PC1202 | Submission of document of withdrawal before decision of registration |
Comment text: [Withdrawal of Procedure relating to Patent, etc.] Withdrawal (Abandonment) Patent event code: PC12021R01D Patent event date: 20090320 |
|
WITB | Written withdrawal of application |