KR20050042633A - Exhaust apparatur of facility for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자 제조설비의 배기장치에 관한 것이다. The present invention relates to an exhaust device of a semiconductor device manufacturing facility.
본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기장치는, 반도체소자 제공정이 진행되는 공정챔버에서 발생되는 배기가스를 강제펌핑하도록 인접하게 설치되는 복수의 진공펌프와 상기 진공펌프에서 강제펌핑되는 배기가스를 필터링하는 복수의 가스 스크러버와 상기 진공펌프 및 가스 스크러버와 개별적으로 각각 연결하는 펌핑라인을 구비하는 반도체소자 제조설비의 배기장치에 있어서, 상기 복수의 진공펌프를 서로 연결하는 공통 펌핑라인 구조물과 상기 진공펌프와 상기 가스 스크러버를 연결하는 개별 펌링라인 구조물로 이루어지는 펌핑라인 구조물 및 상기 인접하는 복수의 진공펌프 사이에 설치되어 상기 진공펌프에 외부의 물리적 충격이 가해지는 것을 방지하는 차단벽을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.An exhaust device of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention filters a plurality of vacuum pumps adjacently installed to force pump the exhaust gas generated in a process chamber through which a semiconductor device providing well is performed and exhaust gas forced by the vacuum pump. In the exhaust device of the semiconductor device manufacturing apparatus having a plurality of gas scrubber and a pumping line to be connected to the vacuum pump and the gas scrubber respectively, a common pumping line structure and the vacuum pump connecting the plurality of vacuum pumps to each other And a pumping line structure comprising an individual pumping line structure connecting the gas scrubber and a plurality of adjacent vacuum pumps to prevent external physical shock from being applied to the vacuum pump. It is done.
따라서, 진공챔버와 가스 스크러버 사이의 펌핑라인과 시그널 케이블 등이 통합적으로 관리되도록 함으로써 설비의 유지보수 작업이 신속 정확하게 진행될 수 있도록하고, 공정챔버의 유지 보수 작업을 진행하는 과정에 인접하는 다른 공정챔버가 충격을 받아 고장나는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, pumping lines and signal cables between the vacuum chamber and the gas scrubber are managed in an integrated manner so that the maintenance work of the equipment can be carried out quickly and accurately, and the other process chambers adjacent to the process of the maintenance work of the process chamber. There is an effect that can be prevented from being broken by the shock.
Description
본 발명은 반도체소자 제조설비의 배기장치에 관한 것으로써, 보다 상게하게는 저압화학기상증착설비의 공정챔버 내부에서 발생된 배기가스를 외부로 배출하는 진공펌프와 가스스크러버 사이의 펌핑라인과 진공펌프 사이의 시그널을 주고 받는 시그널 케이블 등을 정리 정돈될 수 있도록 하고, 인접하는 공정챔버 사이에 상호 물리적 충격이 가해지는 것을 방지할 수 있도록 하는 반도체소자 제조설비의 배기장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust device of a semiconductor device manufacturing facility, and more particularly, a pumping line and a vacuum pump between a vacuum pump and a gas scrubber for discharging exhaust gas generated inside a process chamber of a low pressure chemical vapor deposition facility to the outside. The present invention relates to an exhaust device of a semiconductor device manufacturing facility which enables to arrange signal cables for transmitting and receiving signals and to prevent mutual physical shocks between adjacent process chambers.
일반적으로, 반도체소자는 쵸크랄스키(Czochralski)방법 등에 의해서 제조된 단결정 실리콘 웨이퍼 상에 증착공정, 산화공정, 확산공정, 이온주입공정, 식각공정 및 금속공정 등의 반도체 웨이퍼 가공공정을 반복적으로 수행함으로써 완성되며, 상기 웨이퍼 상에 구현된 반도체소자는 번인(Burn in) 및 EDS(Electrical Die Sorting) 테스트고정정을 수행한 후, 슬라이싱(Slicing) 및 패키징(Packaging)되어 외부로 출하되게 되는 것이다. In general, a semiconductor device repeatedly performs a semiconductor wafer processing process such as a deposition process, an oxidation process, a diffusion process, an ion implantation process, an etching process, and a metal process on a single crystal silicon wafer manufactured by the Czochralski method. The semiconductor device implemented on the wafer is burned in and burned in electrical die sorting (EDS) test, and then sliced and packaged and shipped to the outside.
이와 같은 웨이퍼 가공공정 중의 증착공정은, 화학기상증착공정(Chemical Vapor Deposition : CVD) 및 물리기상증착공정(Physical Vapor Deposition : PVD)으로 나눌 수 있으며, 상기 화학기상증착공정은 공정챔버의 내부압력에 따라 저압화학기상증착공정(LPCVD) 및 상압화학기상증착공정(APCVD) 등으로 나눌수 있다. The deposition process in the wafer processing process can be divided into chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), and the chemical vapor deposition process is based on the internal pressure of the process chamber. Therefore, it can be divided into low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) and atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD).
이와 같은 저압화학기상증착공정은 웨이퍼 상에 구현되는 박막의 스텝커버리지(Step coverage) 및 균일도(Uniformity) 등이 뛰어나 반도체 제조공정에 주로 사용되는 공정으로써 공정챔버 즉, 튜브(Tube) 내의 스테이지 상에 웨이퍼를 위치시킨 후, 공정챔버 내부로 반응가스를 공급함으로써 반응가스를 저압상태에서 분해하여 웨이퍼 상에 증착되도록 하여 웨이퍼 상에 나이트라이드막(Nitride layer) 및 산화막(Oxidation layer) 등의 박막(薄膜)을 형성하는 데 많이 사용되고 있다. The low pressure chemical vapor deposition process is a process mainly used in semiconductor manufacturing processes because of excellent step coverage and uniformity of a thin film formed on a wafer. After placing the wafer, the reaction gas is decomposed in a low pressure state by supplying the reaction gas into the process chamber so that the reaction gas is deposited on the wafer, so that a thin film such as a nitride layer and an oxide layer is formed on the wafer. It is used a lot to form).
그리고, 상기와 같은 저압화학기상증착공정에 사용된 반응가스는 공정챔버와 연결된 진공펌프에 의해서 외부로 강제 배기된 후, 가스 스크러버(Gas scrubber)에 의해서 필터링되어 외부로 방출된다. Then, the reaction gas used in the low pressure chemical vapor deposition process is forced out of the outside by a vacuum pump connected to the process chamber, and then filtered by a gas scrubber (Gas scrubber) is discharged to the outside.
도 1은 종래의 LPCVD 공정이 진행되는 반도체소자 제조설비의 배기장치의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of an exhaust device of a semiconductor device manufacturing facility in which a conventional LPCVD process is performed.
종래의 LPCVD 공정이 진행되는 반도체소자 제조설비의 배기장치는, 도 1에 도시된 바와 같이 LPCVD공정이 진행되는 튜브(Tube) 즉, 공정챔버(도시되지 않음)와 연결되어 공정챔버로 내부로 공급되는 SiH4, PH3, SiH2Cl2, NH3 등의 반응가스를 강제 펌핑함으로써 공정챔버의 내부압력을 15Pa 내지 100Pa로 조절하는 제 1 진공펌프(10), 제 2 진공펌프(12), 제 3 진공펌프(14) 및 제 4 진공펌프(16)가 각각 구비되어 있다.As shown in FIG. 1, an exhaust device of a semiconductor device manufacturing facility in which a conventional LPCVD process is performed is connected to a tube in which an LPCVD process is performed, that is, a process chamber (not shown) and supplied into the process chamber. The first vacuum pump 10, the second vacuum pump 12, for adjusting the internal pressure of the process chamber to 15Pa to 100Pa by forcibly pumping the reaction gas such as SiH 4 , PH 3 , SiH 2 Cl 2 , NH 3 A third vacuum pump 14 and a fourth vacuum pump 16 are provided, respectively.
그리고, 상기 제 1 진공펌프(10), 제 2 진공펌프(12), 제 3 진공펌프(14) 및 제 4 진공펌프(16)에 의해서 외부로 강제펌핑되는 가스 내부의 환경오염 또는 독성 성분 중의 특정 제 1 성분을 필터링 제거하는 제 1 가스 스크러버(18)가 구비된다. And, among the environmental pollution or toxic components inside the gas forcedly pumped out by the first vacuum pump 10, the second vacuum pump 12, the third vacuum pump 14 and the fourth vacuum pump 16 A first gas scrubber 18 is provided that filters out certain first components.
또한, 상기 제 1 가스 스크러버(18)와 별도로 상기 제 1 진공펌프(10) 및 제 2 진공펌프(12)에 의해서 외부로 강제펌핑되는 가스 내부의 환경오염 또는 독성 성분 중의 다른 특정 제 2 성분을 필터링 제거하는 제 2 가스 스크러버(20)가 구비되고, 상기 제 3 진공펌프(14) 및 제 4 진공펌프(16)에 의해서 외부로 강제펌핑되는 가스 내부의 환경오염 또는 독성 성분 중의 다른 특정 제 2 성분을 필터링 제거하는 제 3 가스 스크러버(22)가 구비된다. In addition, other specific second components of environmental pollution or toxic components inside the gas forcedly pumped out by the first vacuum pump 10 and the second vacuum pump 12 separately from the first gas scrubber 18 A second gas scrubber 20 for filtering and removing is provided, and another specific second of environmental pollution or toxic components inside the gas forcedly pumped out by the third vacuum pump 14 and the fourth vacuum pump 16. A third gas scrubber 22 is provided for filtering out components.
이때, 상기 제 1 진공펌프(10), 제 2 진공펌프(12), 제 3 진공펌프(14) 및 제 4 진공펌프(16)에는 상호간의 시그널(Signal)을 주고 받을 수 있도록 시그널 케이블(Signal cable : 10a, 12a, 14a, 16a)이 각각 구비된다.At this time, the first vacuum pump 10, the second vacuum pump 12, the third vacuum pump 14 and the fourth vacuum pump 16 to the signal cable (Signal) to exchange signals between each other (Signal) cables: 10a, 12a, 14a, 16a) are provided respectively.
또한, 상기 제 1 가스 스크러버(18)와 제 1 진공펌프(10), 제 2 진공펌프(12), 제 3 진공펌프(14) 및 제 4 진공펌프(16)는 각각 별도의 펌핑라인(18a, 18b, 18c, 18d)에 의해서 각각 연결되어 있고, 상기 제 2 가스 스크러버(20)와 제 1 진공펌프(10) 및 제 2 진공펌프(12)는 별도의 펌핑라인(20a, 20b)에 의해서 연결되어 있고, 상기 제 3 가스 스크러버(22)와 제 3 진공펌프(14) 및 제 4 진공펌프(16)는 별도의 펌핑라인(22a, 22b)에 의해서 연결되어 있다. In addition, the first gas scrubber 18, the first vacuum pump 10, the second vacuum pump 12, the third vacuum pump 14, and the fourth vacuum pump 16 may each have separate pumping lines 18a. , 18b, 18c, and 18d, respectively, and the second gas scrubber 20, the first vacuum pump 10, and the second vacuum pump 12 are separated by separate pumping lines 20a and 20b. The third gas scrubber 22, the third vacuum pump 14 and the fourth vacuum pump 16 are connected by separate pumping lines 22a and 22b.
따라서, 웨이퍼 상에 얇은 박막을 형성하는 LPCVD공정의 진행을 위해서 공정챔버 내부로 공급된 SiH4, PH3, SiH2Cl2, NH3 등의 반응가스는 공정진행 후, 제 1 진공펌프(10), 제 2 진공펌프(12), 제 3 진공펌프(14) 및 제 4 진공펌프(16)의 강제펌핑에 의해서 공정챔버 외부로 강제펌핑된다.Therefore, the reaction gas such as SiH 4 , PH 3 , SiH 2 Cl 2 , NH 3, etc., supplied into the process chamber for the LPCVD process of forming a thin film on the wafer, is subjected to the first vacuum pump 10. ), The second vacuum pump 12, the third vacuum pump 14 and the fourth vacuum pump 16 is forcedly pumped out of the process chamber by the forced pumping.
이때, 상기 각 진공펌프(10, 12, 14, 16)는 시그널 케이블(10a, 12a, 16a, 18a)을 통해서 상호간의 시그널을 서로 주고 받으면서 선택적으로 동작될 수도 있게 되는 것이다. At this time, each of the vacuum pumps 10, 12, 14, 16 may be selectively operated while exchanging signals with each other through the signal cables (10a, 12a, 16a, 18a).
다음으로, 상기 제 1 진공펌프(10), 제 2 진공펌프(12), 제 3 진공펌프(14) 및 제 4 진공펌프(16)에 의해서 공정챔버 내부에서 외부로 강제 펌핑된 반응가스는 펌핑라인(18a, 18b, 20a, 20b, 20c, 20d, 22a, 22b)을 통해서 제 1 가스 스크러버(18), 제 2 가스 스크러버(20) 및 제 3 가스 스크러버(22)로 이동된 후, 제 1 가스 스크러버(18), 제 2 가스 스크러버(20) 및 제 3 가스 스크러버(22)에 의해서 환경오염 또는 독성 성분을 제거하는 필터링공정이 진행된 후, 외부로 배기된다. Next, the reaction gas forcibly pumped from the inside of the process chamber to the outside by the first vacuum pump 10, the second vacuum pump 12, the third vacuum pump 14, and the fourth vacuum pump 16 is pumped. After moving to the first gas scrubber 18, the second gas scrubber 20, and the third gas scrubber 22 through lines 18a, 18b, 20a, 20b, 20c, 20d, 22a, 22b. The gas scrubber 18, the second gas scrubber 20, and the third gas scrubber 22 perform a filtering process for removing environmental pollution or toxic components, and then exhaust them to the outside.
이때, 상기 제 1 가스 스크러버(18)는 특정 제 1 성분을 제거하는 기능을 수행하며, 상기 제 2 가스 스크러버(20) 및 제 3 가스 스크러버(22)는 다른 특정 제 2 성분을 제거하는 기능을 수행한다. In this case, the first gas scrubber 18 performs a function of removing a specific first component, and the second gas scrubber 20 and a third gas scrubber 22 perform a function of removing another specific second component. Perform.
그런데, 종래의 진공펌프와 가스 스크러버가 설치되는 반도체소자 제조설비의 배기장치에는 펌핑라인과 시그널 케이블 등이 정리 정돈없이 난잡하게 배열되어 있음으로 인해서 설비의 유지보수 작업시 주변 방해에 의해서 유지보수 작업이 신속하게 진행되지 못하고, 시그널 케이블이 작업자의 부주의에 의한 접촉 등의 원인에 의해서 커넥터에서 빠지는 문제점이 발생되고 있다. However, the pumping line and the signal cable are arranged in an exhaust device of a semiconductor device manufacturing facility in which a conventional vacuum pump and a gas scrubber are installed in a mess, so that maintenance work is performed by peripheral disturbances during maintenance work of the facility. This problem cannot be progressed quickly, and a problem arises in that the signal cable is pulled out from the connector due to inadvertent contact of the operator.
특히, 상기 시그널 케이블은 주변 작업자의 실수 등에 의해서 커넥터에서 빠져 공정진행 중지를 초래하여 시간손실에 따라 막대한 생산차질을 발생시키고 있다. In particular, the signal cable is pulled out of the connector due to a mistake of the surrounding workers, causing the process to stop, causing a huge production disruption with time loss.
또한, 상기 제 1 공정챔버, 제 2 공정챔버, 제 3 공정챔버 및 제 4 공정챔버 사이의 간격은 매우 조밀하게 설치되어 있음으로 인해서 특정 공정챔버의 고장 발생시 작업자의 실수에 의해서 인접하는 다른 공정챔버에 충격이 가해져 다른 공정챔버의 고장이 발생하는 문제점이 발생되고 있다. In addition, since the interval between the first process chamber, the second process chamber, the third process chamber, and the fourth process chamber is very densely installed, other process chambers adjacent to each other due to an operator error when a specific process chamber fails. There is a problem that the impact is applied to the failure of other process chambers.
본 발명의 목적은, 진공챔버와 가스 스크러버 주변의 펑링라인 및 케이블 등을 깔끔하게 정리 정돈될 수 있도록 함으로써 설비의 유지보수 작업이 신속 정확하게 진행될 수 있도록 하는 반도체소자 제조설비의 배기장치를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exhaust device of a semiconductor device manufacturing facility which enables the maintenance work of a facility to proceed quickly and accurately by neatly arranging the flat lines and cables around the vacuum chamber and the gas scrubber. .
본 발명의 다른 목적은, 공정챔버간의 시그널을 주고 받는 시그널 케이블이 작업자의 부주의 등의 원인에 의해서 커넥터에서 쉽게 빠지는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 제조설비의 배기장치를 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide an exhaust device of a semiconductor device manufacturing apparatus which can prevent the signal cable that transmits and receives signals between the process chambers from being easily pulled out from the connector due to the operator's carelessness or the like.
본 발명의 또 다른 목적은, 공정챔버의 유지 보수 작업을 진행하는 과정에 인접하는 다른 공정챔버가 작업자의 실수 등의 원인에 의해서 충격을 받아 고장나는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 제조설비의 배기장치를 제공하는 데 있다. It is still another object of the present invention to provide an exhaust device for a semiconductor device manufacturing apparatus capable of preventing another process chamber adjacent to a process of performing maintenance work on a process chamber from being damaged due to an operator's mistake. To provide.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기장치는, 반도체소자 제공정이 진행되는 공정챔버에서 발생되는 배기가스를 강제펌핑하도록 인접하게 설치되는 복수의 진공펌프와 상기 진공펌프에서 강제펌핑되는 배기가스를 필터링하는 복수의 가스 스크러버와 상기 진공펌프 및 가스 스크러버와 개별적으로 각각 연결하는 펌핑라인을 구비하는 반도체소자 제조설비의 배기장치에 있어서, 상기 복수의 진공펌프를 서로 연결하는 공통 펌핑라인 구조물과 상기 진공펌프와 상기 가스 스크러버를 연결하는 개별 펌링라인 구조물로 이루어지는 펌핑라인 구조물 및 상기 인접하는 복수의 진공펌프 사이에 설치되어 상기 진공펌프에 외부의 물리적 충격이 가해지는 것을 방지하는 차단벽을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. Exhaust device of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention for achieving the above object is forced by a plurality of vacuum pumps and the vacuum pump which is installed adjacent to the pumping exhaust gas generated in the process chamber in which the semiconductor device providing well proceeds. In the exhaust device of the semiconductor device manufacturing equipment having a plurality of gas scrubber for filtering the exhaust gas to be pumped and a pumping line for connecting the vacuum pump and the gas scrubber, respectively, common pumping connecting the plurality of vacuum pumps to each other A pumping line structure consisting of a line structure and an individual pumping line structure connecting the vacuum pump and the gas scrubber and a barrier wall installed between the plurality of adjacent vacuum pumps to prevent external physical impacts on the vacuum pump. Characterized in that comprises .
여기서, 상기 공통 펌핑라인 구조물은 상기 복수의 진공펌프 중의 특정 진공펌프와 다른 특정 진공펌프만을 연결하고, 상기 공통 펌핑라인 구조물과 특정 가스 스크러버가 개별 펌핑라인 구조물과 연결되도록 할 수도 있다.Here, the common pumping line structure may connect only a specific vacuum pump and other specific vacuum pumps of the plurality of vacuum pumps, and allow the common pumping line structure and the specific gas scrubber to be connected to individual pumping line structures.
그리고, 상기 진공펌프 사이의 시그널을 주고 받는 시그널 케이블을 안내하는 가이드 구조물이 더 구비될 수도 있다.In addition, a guide structure for guiding a signal cable for transmitting and receiving a signal between the vacuum pump may be further provided.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LPCVD 공정이 진행되는 반도체소자 제조설비의 배기장치의 개략적인 구성도이다.2 is a schematic configuration diagram of an exhaust device of a semiconductor device manufacturing apparatus in which an LPCVD process is performed according to an embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 반도체소자 제조설비의 배기장치는, 도 2에 도시된 바와 같이 LPCVD공정이 진행되는 튜브(Tube) 즉, 공정챔버(도시되지 않음)와 연결되어 공정챔버 내부로 공급되는 SiH4, PH3, SiH2Cl2, NH3 등의 반응가스를 강제 펌핑함으로써 공정챔버의 내부압력을 15Pa 내지 100Pa로 조절하는 제 1 진공펌프(30), 제 2 진공펌프(32), 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36)가 각각 구비되어 있다.Exhaust device of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention, as shown in Figure 2, the tube (LP), which is a process of LPCVD process, that is connected to the process chamber (not shown) SiH 4 , which is supplied into the process chamber, The first vacuum pump 30, the second vacuum pump 32, and the third vacuum pump for adjusting the internal pressure of the process chamber to 15 Pa to 100 Pa by forcibly pumping a reaction gas such as PH 3 , SiH 2 Cl 2 , NH 3, and the like. 34 and a fourth vacuum pump 36 are provided, respectively.
특히, 본 발명에 따라 제 1 진공펌프(30), 제 2 진공펌프(32), 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36) 사이에는 작업자의 유지 보수 작업 과정 등의 원인에 의해서 특정 진공펌프와 인접하는 다른 특정 진공펌프에 물리적 층격이 가해지는 것을 방지할 수 있도록 차단벽(60)이 각각 설치되어 있다. In particular, according to the present invention between the first vacuum pump 30, the second vacuum pump 32, the third vacuum pump 34 and the fourth vacuum pump 36 by the cause of the operator maintenance work, etc. The blocking walls 60 are respectively provided to prevent the physical stratification from being applied to other specific vacuum pumps adjacent to the specific vacuum pump.
그리고, 제 1 진공펌프(30), 제 2 진공펌프(32), 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36)에 의해서 외부로 강제펌핑되는 가스 내부의 환경오염 또는 독성 성분 중의 특정 제 1 성분을 필터링 제거하는 제 1 가스 스크러버(38)가 구비된다. In addition, a particular among environmental pollution or toxic components inside the gas forcedly pumped out by the first vacuum pump 30, the second vacuum pump 32, the third vacuum pump 34, and the fourth vacuum pump 36. A first gas scrubber 38 is provided to filter out the first component.
또한, 상기 제 1 가스 스크러버(38)와 별도로 상기 제 1 진공펌프(30) 및 제 2 진공펌프(32)에 의해서 외부로 강제펌핑되는 가스 내부의 환경오염 또는 독성 성분 중의 다른 특정 제 2 성분을 필터링 제거하는 제 2 가스 스크러버(40)가 구비되고, 상기 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36)에 의해서 외부로 강제펌핑되는 가스 내부의 환경오염 또는 독성 성분 중의 다른 특정 제 2 성분을 필터링 제거하는 제 3 가스 스크러버(42)가 구비된다. In addition, other specific second components among environmental pollution or toxic components inside the gas forcedly pumped out by the first vacuum pump 30 and the second vacuum pump 32 separately from the first gas scrubber 38 are removed. A second gas scrubber 40 for filtering and removing is provided, and another specific second of environmental pollution or toxic components inside the gas forcedly pumped out by the third vacuum pump 34 and the fourth vacuum pump 36. A third gas scrubber 42 is provided for filtering out components.
이때, 상기 제 1 진공펌프(30) 및 제 2 진공펌프(32)의 펌핑력이 작용하도록 제 1 공통 펌핑라인 구조물(54)이 설치되어 있고, 상기 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36)의 펌핑력이 작용하도록 제 2 공통 펌핑라인 구조물(52)이 설치되어 있고, 제 1 진공펌프(30), 제 2 진공펌프(32), 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36)의 펌핑력이 작용하도록 제 3 공통 펌핑라인 구조물(44)이 설치되어 있다. At this time, the first common pumping line structure 54 is installed so that the pumping force of the first vacuum pump 30 and the second vacuum pump 32 acts, and the third vacuum pump 34 and the fourth vacuum. The second common pumping line structure 52 is installed so that the pumping force of the pump 36 acts, and the first vacuum pump 30, the second vacuum pump 32, the third vacuum pump 34 and the fourth The third common pumping line structure 44 is installed so that the pumping force of the vacuum pump 36 acts.
또한, 상기 제 1 공통 펌핑라인 구조물(54)과 제 2 가스 스크러버(40)를 연결하는 제 1 개별 펌핑라인 구조물(46)이 설치되어 있고, 상기 제 2 공통 펌핑라인 구조물(52)과 제 3 가스 스크러버(42)를 연결하는 제 2 개별 펌핑라인 구조물(50)이 설치되어 있고, 상기 제 3 공통 펌핑라인 구조물(44)과 제 1 가스 스크러버(38)를 연결하는 제 3 공통 펌핑라인 구조물(48)이 설치되어 있다. In addition, a first individual pumping line structure 46 connecting the first common pumping line structure 54 and the second gas scrubber 40 is installed, and the second common pumping line structure 52 and the third A second separate pumping line structure 50 for connecting the gas scrubber 42 is installed, and a third common pumping line structure for connecting the third common pumping line structure 44 and the first gas scrubber 38 ( 48) is installed.
그리고, 상기 제 1 진공펌프(30), 제 2 진공펌프(32), 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36)에는 상호간의 시그널(Signal)을 주고 받을 수 있도록 시그널 케이블(도시되지 않음)이 정리 정돈될 수 있도록 가이드역할을 수행하는 가이드 구조물(56)이 더 구비되어 있다. In addition, the first vacuum pump 30, the second vacuum pump 32, the third vacuum pump 34 and the fourth vacuum pump 36, the signal cable (shown) to send and receive signals between each other It is further provided with a guide structure 56 for performing a guide role so that the (not shown) can be arranged.
따라서, 웨이퍼 상에 얇은 박막을 형성하는 LPCVD공정의 진행을 위해서 공정챔버 내부로 공급된 SiH4, PH3, SiH2Cl2, NH3 등의 반응가스는 공정진행 후, 제 1 진공펌프(30), 제 2 진공펌프(32), 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36)의 강제펌핑에 의해서 공정챔버 외부로 강제펌핑된다.Therefore, the reaction gases such as SiH 4 , PH 3 , SiH 2 Cl 2 , NH 3, etc., supplied into the process chamber for the LPCVD process of forming a thin thin film on the wafer, are subjected to the first vacuum pump 30. ), The second vacuum pump 32, the third vacuum pump 34 and the fourth vacuum pump 36 is forcedly pumped out of the process chamber by the forced pumping.
이때, 상기 각 진공펌프(30, 32, 34, 36)는 차단벽(60)에 의해서 차단되어 있으므로 공정진행과정의 설비의 유지 보수 작업을 진행하는 과정에 작업자의 부주의 등의 원인에 의해서 설비 유지 보수 작업이 진행되는 특정 진공펌프와 인접하는 다른 특정 진공펌프에 물리적 충격이 가해져 설비의 가동이 중지되는 것을 방지할 수 있다. At this time, since the vacuum pumps 30, 32, 34, 36 are blocked by the blocking wall 60, the equipment is maintained due to carelessness of the operator during the maintenance work of the equipment in the process progress process. Physical shocks can be applied to the particular vacuum pump and other adjacent vacuum pumps that are being repaired to prevent the plant from shutting down.
그리고, 상기 각 진공펌프(30, 32, 34, 36)가 가동되는 중에는 시그널 케이블(도시되지 않음)을 통해서 상호간에 시그널을 서로 주고 받으면서 선택적으로 동작될 수도 있으며, 특히, 본 발명에 따라 시그널 케이블은 가이드 구조물(56)에 의해서 안내됨으로 인해서 작업자의 부주의 등의 원인에 의해서 시그널 케이블이 커넥터에서 빠져 공정불량을 발생시키는 것을 미연에 방지할 수 있다. In addition, while the vacuum pumps 30, 32, 34, and 36 are operated, they may be selectively operated while exchanging signals with each other through a signal cable (not shown), and in particular, the signal cable according to the present invention. Since it is guided by the guide structure 56, it is possible to prevent the signal cable from falling out of the connector and causing a process failure due to the operator's carelessness or the like.
다음으로, 상기 제 1 진공펌프(30), 제 2 진공펌프(32), 제 3 진공펌프(34) 및 제 4 진공펌프(36)에 의해서 공정챔버 내부에서 외부로 강제 펌핑된 반응가스는 제 1 공통 펌핑라인 구조물(54), 제 2 공통 펌핑라인 구조물(52) 및 제 3 공통 펌핑라인 구조물(44)을 통해서 제 1 가스 스크러버(38), 제 2 가스 스크러버(40) 및 제 3 가스 스크러버(42)로 이동된 후, 제 1 가스 스크러버(38), 제 2 가스 스크러버(40) 및 제 3 가스 스크러버(42)에 의해서 환경오염 또는 독성 성분을 제거하는 필터링공정이 진행된 후, 외부로 배기된다. Next, the reaction gas that is forcibly pumped from the inside of the process chamber to the outside by the first vacuum pump 30, the second vacuum pump 32, the third vacuum pump 34, and the fourth vacuum pump 36 may be formed. The first gas scrubber 38, the second gas scrubber 40, and the third gas scrubber through the first common pumping line structure 54, the second common pumping line structure 52, and the third common pumping line structure 44. After moving to 42, the filtering process for removing environmental pollution or toxic components by the first gas scrubber 38, the second gas scrubber 40, and the third gas scrubber 42 is performed, and then exhausted to the outside. do.
이때, 상기 제 1 가스 스크러버(38)는 특정 제 1 성분을 제거하는 기능을 수행하며, 상기 제 2 가스 스크러버(40) 및 제 3 가스 스크러버(42)는 다른 특정 제 2 성분을 제거하는 기능을 수행한다.In this case, the first gas scrubber 38 performs a function of removing a specific first component, and the second gas scrubber 40 and a third gas scrubber 42 perform a function of removing another specific second component. Perform.
이때, 상기 공통 펌핑라인 구조물(44, 52, 54) 및 개별 펌핑라인 구조물(46, 48, 50) 역시 통합적으로 이용됨으로써 반도체소자 제조설비의 배기장치는 그 구조가 매우 간단하게 정리 정돈됨으로써 설비의 유지 보수 작업이 신속 정확하게 진행될 수 있도록 하는 것이다. At this time, the common pumping line structure 44, 52, 54 and the individual pumping line structure 46, 48, 50 are also used in an integrated manner, so that the exhaust device of the semiconductor device manufacturing facility is very simple and tidy. It is to ensure that maintenance work can proceed quickly and accurately.
본 발명에 의하면, 진공챔버와 가스 스크러버를 서로 연결하는 펌핑라인이 통합적으로 구성되고 시그널 케이블 등이 가이드 구조물에 의해서 통합적으로 관리되도록 함으로써 설치의 유지보수 작업이 신속 정확하게 진행될 수 있도록하는 효과가 있다. 특히, 공정챔버간의 시그널을 주고 받는 시그널 케이블이 작업자의 부주의 등의 원인에 의해서 커넥터에서 쉽게 빠지는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the pumping line connecting the vacuum chamber and the gas scrubber to each other is integrally configured and the signal cable and the like are managed integrally by the guide structure so that the maintenance work of the installation can proceed quickly and accurately. In particular, there is an effect that the signal cable to send and receive signals between the process chambers can be easily prevented from coming off the connector due to inadvertent operator.
또한, 공정챔버의 유지 보수 작업을 진행하는 과정에 인접하는 다른 공정챔버가 작업자의 실수 등의 원인에 의해서 충격을 받아 고장나는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that it is possible to prevent the other process chamber adjacent to the process of the maintenance work of the process chamber is damaged by the impact of the operator's mistake.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.
도 1은 종래의 LPCVD 공정이 진행되는 반도체소자 제조설비의 배기장치의 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic configuration diagram of an exhaust device of a semiconductor device manufacturing facility in which a conventional LPCVD process is performed.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LPCVD용 반도체소자 제조설비의 배기장치의 구성도이다. 2 is a configuration diagram of an exhaust device of a LPCVD semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of codes for main parts of drawing
10, 12, 14, 16, 30, 32, 34, 36 : 진공펌프10, 12, 14, 16, 30, 32, 34, 36: vacuum pump
18, 20, 22, 38, 40, 42, 44 : 가스 스크러버18, 20, 22, 38, 40, 42, 44: gas scrubber
44, 52, 54 : 공통 펌핑라인 구조물44, 52, 54: common pumping line structure
46, 48, 50 : 개별 펌핑라인 구조물46, 48, 50: individual pumping line structures
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030077425A KR20050042633A (en) | 2003-11-03 | 2003-11-03 | Exhaust apparatur of facility for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1020030077425A KR20050042633A (en) | 2003-11-03 | 2003-11-03 | Exhaust apparatur of facility for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
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|---|---|
| KR20050042633A true KR20050042633A (en) | 2005-05-10 |
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ID=37243573
Family Applications (1)
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| KR1020030077425A KR20050042633A (en) | 2003-11-03 | 2003-11-03 | Exhaust apparatur of facility for manufacturing semiconductor device |
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|---|---|
| KR (1) | KR20050042633A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100809852B1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-03-04 | (주)엘오티베큠 | Integrated vacuum generator |
-
2003
- 2003-11-03 KR KR1020030077425A patent/KR20050042633A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100809852B1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-03-04 | (주)엘오티베큠 | Integrated vacuum generator |
| WO2008143442A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Lot Vacuum Co., Ltd. | Intergrated apparatus for vacuum producing |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20031103 |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |