KR20040076681A - Dual band front end module - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈에 관한 것으로서, 특히 다이오드의 수와 커패시터의 수를 감소시킴으로써, 소형화, 경량화를 도모하고, 배터리 소모를 줄여 통화 대기 시간을 늘일 수 있게 하는 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a dual band front end module, and more particularly, to a dual band front end module capable of miniaturization and weight reduction by reducing the number of diodes and capacitors, and reducing the battery consumption to increase call waiting time. will be.
도 1은 종래의 듀얼 밴드 단말기의 프런트 엔드부의 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing the configuration of a front end of a conventional dual band terminal.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 듀얼 밴드 프런트 엔드부(10)는, GSM 및 DCS 송신단(Tx)에서 전송되는 신호를 증폭시키는 PA 모듈(Power Amplifier Module: 12)과, 상기 GSM 송신단(Tx)에서 전송되어 PA 모듈(12)을 통과한 신호의 고주파 잡음을 제거하는 제 1 LPF(Low Pass Filter: 13a)와, 상기 DCS 송신단(Tx)에서 전송되어 PA 모듈(12)을 통과한 신호의 고주파 잡음을 제거하는 제 2 LPF(13b)와, 상기 GSM 신호의 송신 경로와 수신 경로를 바꾸어 주는 제 1 스위치(15a)와, 상기 DCS 신호의 송신 경로와 수신 경로를 바꾸어 주는 제 2 스위치(15b)와, 상기 DCS 송신단 및 GSM 송신단으로부터 전송된 신호를 DCS 수신단 및 GSM 수신단으로 상기 신호를 전송하는 안테나(17)와, 상기 안테나(17)로부터 수신된 신호 중에서 각 시스템의 주파수대에 응해서 고주파 대역(DCS)과 저주파 대역(GSM)으로 분리시켜 어느 쪽에 연결할지를 결정하는 다이플렉서(16)와, 상기 다이플렉서(16)에 의해 원하는 GSM 저주파수 대역으로 분리시키는 제 1 위상 변이기(14a; P.S2)와, 상기 제 1 위상 변이기를 통과한 신호에 대해 GSM 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대(925~960MHz)의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거하는 제 1 SAW BPF(Band Pass Filter: 11a)와, 상기 다이플렉서(16)에 의해 원하는 DCS 고주파 대역으로 분리시키는 제 2 위상 변이기(14b; P.S4)와, 상기 제 2 위상 변이기를 통과한 신호에 대해 DCS 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대(1805~1880MHz)의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거하는 제 2 SAW BPF(11b)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the conventional dual band front end unit 10 includes a PA module 12 for amplifying a signal transmitted from a GSM and a DCS transmitter Tx, and a GSM transmitter Tx. A first low pass filter (13a) for removing high frequency noise of a signal transmitted through the PA module 12 and a signal transmitted from the DCS transmitter Tx and passed through the PA module 12 A second LPF 13b for removing high frequency noise, a first switch 15a for changing a transmission path and a reception path of the GSM signal, and a second switch 15b for changing a transmission path and a reception path of the DCS signal ), An antenna 17 for transmitting the signals transmitted from the DCS transmitter and the GSM transmitter to the DCS receiver and the GSM receiver, and a high frequency band corresponding to the frequency band of each system among the signals received from the antenna 17. DCS) and low frequency band (GSM) A diplexer 16 which determines which side to connect to, a first phase shifter 14a (P.S2) which is separated by the diplexer 16 into a desired GSM low frequency band, and the first phase shifter A first SAW band pass filter (11a) for passing a signal of a desired frequency band (925 to 960 MHz) in a GSM receiver (Rx) and removing a signal outside this range, and the diple The second phase shifter 14b (P.S4) separated by the lexer 16 into a desired DCS high frequency band, and a predetermined range of frequency bands desired by the DCS receiver Rx for the signal passing through the second phase shifter ( And a second SAW BPF 11b for passing only signals of 1805-1880 MHz and removing signals outside this range.
도 2는 종래 PA 모듈(12)의 구성을 나타낸 블럭도이다.2 is a block diagram showing the configuration of a conventional PA module 12. As shown in FIG.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래 PA(Power Amplifier) 모듈(12)은 GaAs 트랜지스터 소자를 갖는 증폭 회로(PA: 12a, 12b)와, 상기 증폭 회로(12a, 12b)의 입력측에 접속된 입력 정합 회로(Input Matching: 18a, 18b)와, 상기 증폭 회로(12a, 12b)의 출력측에 접속된 출력 정합 회로(Output Matching: 19a, 19b)로 구성된다.As shown in Fig. 2, the conventional power amplifier (PA) module 12 includes an amplifier circuit PA 12a, 12b having a GaAs transistor element and an input match connected to an input side of the amplifier circuits 12a, 12b. Circuits (Input Matching: 18a, 18b) and output matching circuits (Output Matching: 19a, 19b) connected to the output side of the amplifier circuits 12a, 12b.
여기서, PA 자체의 출력 임피던스는 일반적으로 매우 낮은 임피던스를 갖는다.Here, the output impedance of the PA itself generally has a very low impedance.
또한, TDMA를 사용하는 GSM의 경우 PA 모듈은 항상 On 상태가 아니므로, 동작과 정지 상태에서의 출력 임피던스는 다른 값을 갖게 되는데, 동작 상태에서 송신 주파수 밴드에서는 50 오옴에 가까운 값을 가지며, 정지 상태에서는 수신 주파수 밴드에서 매우 낮은 임피던스를 갖는다.In addition, in the case of GSM using TDMA, since the PA module is not always on, the output impedance of the operating and stopping states has a different value. The state has a very low impedance in the receive frequency band.
도 3은 종래 듀얼 밴드 안테나 스위치와 SAW BPF를 포함한 회로도이다.3 is a circuit diagram including a conventional dual band antenna switch and SAW BPF.
도 3의 구성을 도1의 구성과 비교하여 살펴보면, 고주파 증폭기(PA모듈: 12)에 대한 도시가 생략되어 있으며, 다이오드 D1, D2는 제 1 스위치(14)의 역할을 수행하고, 다이오드 D3, D4는 제 2 스위치(15)의 역할을 수행한다.Referring to the configuration of FIG. 3 compared to the configuration of FIG. 1, the illustration of the high frequency amplifier (PA module) 12 is omitted, and the diodes D1 and D2 serve as the first switch 14, and the diodes D3, D4 serves as the second switch 15.
도 3을 참조하여, 종래 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈 회로의 동작에 대해 살펴보면 다음과 같다.Referring to FIG. 3, the operation of the conventional dual band front end module circuit will be described.
송신 모드시 즉 GSM 송신 모드시는 다이오드 D1과 D2가 on이 되고, DCS 송신 모드시는 다이오드 D3와 D4가 on 상태가 된다.In transmission mode, that is, in GSM transmission mode, diodes D1 and D2 are on, and in DCS transmission mode, diodes D3 and D4 are on.
다이오드 D2, D4를 on 상태로 하면, p2와 p4의 임피던스는 낮게 된다(단락).When diodes D2 and D4 are turned on, the impedances of p2 and p4 are low (short circuit).
이 때, 접속점 p1과 p3측에서의 수신단쪽을 바라본 임피던스는 PS2와 PS4가 λ/4 길이를 가지고 다이오드의 인덕턴스(미도시)와 그라운드에 접지된 커패시터(Ch, Ch')가 공진하므로 대단히 커진다(개방).At this time, the impedance seen toward the receiving end from the connection points p1 and p3 becomes very large because PS2 and PS4 have a length of λ / 4 and the inductance of the diode (not shown) and the capacitors Ch and Ch 'grounded to ground resonate. ).
그 결과, 송신 회로에서의 송신 신호는 수신 회로에 누설되지 않고 안테나로 전송된다.As a result, the transmission signal in the transmission circuit is transmitted to the antenna without leaking to the reception circuit.
그러나, 송신 모드시 송신 회로 사이에 직렬로 연결된 다이오드 D1과 D2는 on 상태에서는 저항으로 작용하기 때문에, 송신 신호의 손실을 증가시키는 문제가 있다.However, since the diodes D1 and D2 connected in series between the transmission circuits in the transmission mode act as a resistance in the on state, there is a problem of increasing the loss of the transmission signal.
또한, 송신시에는 다이오드에 바이어스 전류를 흘려야 하기 때문에 배터리 소비를 발생시켜 휴대 전화의 통화 시간이 줄어들어 저소비 전력화가 곤란하다는 문제를 갖는다.In addition, since the bias current must flow through the diode at the time of transmission, battery consumption is generated, which reduces the talk time of the mobile phone, which makes it difficult to reduce power consumption.
또한, 다이오드 수의 증가로 적층체 모듈이 커져 이를 사용하는 듀얼 밴드(dual band) 이상의 무선 통신 장치의 소형, 경량화도 곤란하다는 문제를 갖는다.In addition, due to the increase in the number of diodes, the stack module has a problem that it is difficult to reduce the size and weight of a wireless communication device having a dual band or more.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 다이오드의 수를 줄임으로써 소형, 경량화를 도모하고, 배터리 소모를 줄여 통화 대기 시간을 늘일 수 있게 하는 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.Disclosure of Invention The present invention has been made to solve the above problems, and aims to provide a dual band front end module that can reduce the number of diodes, reduce weight, and reduce battery consumption and increase call waiting time. It is done.
도 1은 종래의 듀얼 밴드 단말기의 프런트 엔드부의 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing the configuration of a front end of a conventional dual band terminal.
도 2는 종래 PA 모듈의 구성을 나타낸 블럭도이다.2 is a block diagram showing the configuration of a conventional PA module.
도 3은 종래 듀얼 밴드 안테나 스위치와 SAW BPF를 포함한 회로도이다.3 is a circuit diagram including a conventional dual band antenna switch and SAW BPF.
도 4는 PA 모듈을 포함한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈을 나타낸 도면이다.4 illustrates a dual band front end module according to a first embodiment of the present invention including a PA module.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 회로도이다.5 is a circuit diagram of a dual band front end module according to a first embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 회로도이다.6 is a circuit diagram of a dual band front end module according to a second embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 회로도이다.7 is a circuit diagram of a dual band front end module according to a third embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈 칩의 접속 단자를 도시한 도면이다.8 is a diagram illustrating a connection terminal of a dual band front end module chip according to the present invention.
도 9는 본 발명에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 칩 패키지를 나타낸 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a chip package of a dual band front end module according to the present invention.
<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>
21a, 21b: SAW BPF 22: PA 모듈21a, 21b: SAW BPF 22: PA Module
23a, 23b: LPF 24a, 24b, 25a, 25b: 위상 변이기23a, 23b: LPF 24a, 24b, 25a, 25b: phase shifter
26: 다이플렉서 27:안테나26: diplexer 27: antenna
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈은, 제 1 주파수대 및 제 2 주파수대 송신단에서 전송되는 신호를 증폭시키는 PA 모듈과, 상기 제 1 주파수대 신호의 송신 경로와 수신 경로를 바꾸어 주는 제 1 및 제 2 위상 변이기와, 상기 제 2 주파수대 신호의 송신 경로와 수신 경로를 바꾸어 주는 제 3 및 제 4 위상 변이기와, 상기 제 1 위상 변이기를 통과한 신호의 고주파 잡음을 제거하는 제 1 LPF와, 상기 제 3 위상 변이기를 통과한 신호의 고주파 잡음을 제거하는 제 2 LPF와, 상기 제 2 주파수대 송신단 및 상기 제 1 주파수대 송신단으로부터 전송된 신호를 상기 제 2 주파수대 수신단 및 상기 제 1 주파수대 수신단으로 상기 신호를 전송하는 안테나와, 상기 안테나로부터 전송된 신호 중에서 각 시스템의 주파수대에 응해서 상기 제 2 주파수 대역과 상기 제 1 주파수 대역으로 분리시켜 어느 쪽에 연결할지를 결정하는 다이플렉서와, 상기 다이플렉서에 의해 상기 제 1 주파수 대역으로 분리된 주파수대에서 상기 제 1 주파수대 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대의 신호만 통과시키는 제 1 BPF와, 상기 다이플렉서에 의해 상기 제 2 주파수 대역으로 분리된 주파수대에서 상기 제 2 주파수대 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대의 신호만 통과시키는 제 2 BPF를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the dual-band front end module according to the present invention, the PA module for amplifying a signal transmitted from the first frequency band and the second frequency band transmitting end, the transmission path and the reception path of the first frequency band signal A first and second phase shifters for changing a signal, a third and fourth phase shifters for changing a transmission path and a reception path of the second frequency band signal, and a high frequency noise of the signal passing through the first phase shifter A first LPF, a second LPF for removing high-frequency noise of the signal passing through the third phase shifter, and a signal transmitted from the second frequency band transmitting end and the first frequency band transmitting end to the second frequency band receiving end and the first frequency band. An antenna for transmitting the signal to a frequency band receiver and a frequency band of each system among the signals transmitted from the antenna A diplexer for determining which of the second frequency band and the first frequency band to connect to, and at the first frequency band receiving end Rx in a frequency band separated by the diplexer into the first frequency band. A first BPF that passes only signals in a desired range of frequencies and a signal in a desired range of frequencies in the second frequency band receiver Rx in a frequency band separated by the diplexer into the second frequency band. And a second BPF.
또한, 상기 제 1 및 제 2 주파수대는 GSM 및 DCS 주파수대이고, 상기 제1 및 제 2 BPF는 SAW BPF인 것을 특징으로 한다.The first and second frequency bands are GSM and DCS frequency bands, and the first and second BPFs are SAW BPFs.
또한, 다이오드 스위치에 전원을 인가하는 전원단 Vc1과 Vc2의 DC 신호가 상기 안테나로 유입되는 것을 막아주는 제 1 및 제 3 커패시터와, 상기 전원단 Vc1 과 Vc2의 DC 신호가 송신회로로 유입되는 것을 막아줄 뿐만아니라 상기 PA 모듈의 DC 전원 신호가 ASM 회로로 유입되는 것을 막아주는 제 2 및 제 4 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the first and third capacitors to prevent the DC signal of the power supply terminals Vc1 and Vc2 for supplying power to the diode switch to the antenna, and the DC signal of the power supply terminals Vc1 and Vc2 is introduced into the transmission circuit. In addition to preventing, the PA module includes a second and a fourth capacitor to prevent the DC power signal from flowing into the ASM circuit.
또한, 상기 제 2 커패시터 또는 상기 제 4 커패시터와 공진하도록 상기 위상 변이기와 직렬 연결되는 인덕턴스가 포함되는 것을 특징으로 한다.In addition, an inductance connected in series with the phase shifter is included to resonate with the second capacitor or the fourth capacitor.
또한, 상기 제 1 커패시터 및 제 3 커패시터가 제거되고, 상기 안테나와 상기 다이플렉서 사이에 직렬 연결되는 커패시터가 포함되는 것을 특징으로 한다.In addition, the first capacitor and the third capacitor is removed, it characterized in that it comprises a capacitor connected in series between the antenna and the diplexer.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 PA 모듈을 포함한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈(Front End Module: 20)을 나타낸 도면이다.FIG. 4 illustrates a dual band front end module 20 according to a first embodiment of the present invention including a PA module.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈(20)은, GSM 및 DCS 송신단(Tx)에서 전송되는 신호를 증폭시키는 PA 모듈(Power Amplifier Module: 22)과, 상기 GSM 신호의 송신 경로와 수신 경로를 바꾸어 주는 제 1 및 제 2 위상 변이기(24a, 24b)와, 상기 DCS 신호의 송신 경로와 수신 경로를 바꾸어 주는 제 3 및 제 4 위상 변이기(25a, 25b)와, 상기 제 1 위상 변이기(24a)를 통과한 신호의 고주파 잡음을 제거하는 제 1 LPF(Low Pass Filter: 23a)와, 상기 제 3 위상 변이기(25a)를 통과한 신호의 고주파 잡음을 제거하는 제 2 LPF(23b)와, 상기 DCS 송신단 및 GSM 송신단으로부터 전송된 신호를 DCS 수신단 및 GSM 수신단으로 상기 신호를 전송하는 안테나(27)와, 상기 안테나(27)로부터 전송된 신호 중에서 각 시스템의 주파수대에 응해서 고주파 대역(DCS)과 저주파 대역(GSM)으로 분리시켜 어느 쪽에 연결할지를 결정하는 다이플렉서(26)와, 상기 다이플렉서(26)에 의해 저주파 대역으로 분리된 주파수대에서 GSM 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대(925~960MHz)의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거하는 제 1 SAW BPF(Band Pass Filter: 21a)와, 상기 다이플렉서(26)에 의해 고주파 대역으로 분리된 주파수대에서 DCS 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대(1805~1880MHz)의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거하는 제 2 SAW BPF(21b)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 4, the dual band front end module 20 according to the present invention includes a PA module (Power Amplifier Module) 22 for amplifying signals transmitted from GSM and DCS transmitters (Tx), and the GSM signals. First and second phase shifters 24a and 24b for changing a transmission path and a reception path of the first and second phase shifters 25a and 25b for changing a transmission path and a reception path of the DCS signal, and A first low pass filter (LPA) 23a for removing high frequency noise of the signal passing through the first phase shifter 24a and a high frequency noise of the signal passing through the third phase shifter 25a are removed. A second LPF (23b), an antenna (27) for transmitting the signals transmitted from the DCS transmitter and the GSM transmitter to the DCS receiver and the GSM receiver, and a signal transmitted from the antenna (27) In response to the frequency bands in the high frequency band (DCS) and low frequency band (GSM) Signal of a predetermined range of bands (925-960 MHz) desired by the GSM receiver Rx in a frequency band separated by a low frequency band by the diplexer 26 and a diplexer 26 for determining which side to connect to. A first SAW band pass filter (21a) for passing only a signal and removing a signal outside this range, and a desired range of a desired range at the DCS receiver Rx in a frequency band separated by a high frequency band by the diplexer 26; And a second SAW BPF 21b for passing only signals in the frequency band 1805-1880 MHz and removing signals outside this range.
여기서, 고주파 증폭기(22)는 동작시 송신 신호의 주파수 대역내에서는 50 오옴이지만, 정지시에 수신 신호의 주파수 대역내에서는 거의 단락이 되는 임피던스 특성을 갖는다.Here, the high frequency amplifier 22 has an impedance characteristic that is 50 ohms in the frequency band of the transmission signal during operation, but is almost short-circuited in the frequency band of the reception signal when stopped.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈(Front End Module: 20)의 회로도이다.5 is a circuit diagram of a dual band front end module 20 according to a first embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 안테나(27), 수신단 RF SAW 필터(21a, 21b), 및 고주파 증폭기(PA: 22)등을 LTCC 기반으로 하나의 모듈로 구성하는데 있어서, 종래의 GSM 신호의 송수신 경로 분리 및 DCS 신호의 송수신 경로 분리의 역할을 수행한 다이오드 스위치(D1, D3) 대신 위상 변이기(P.S1, P.S3)가 그 역할을 수행하게 한다. 즉, 다이오드의 수를 줄임으로써 소형, 경량화를 도모하고, 배터리 소모를 줄여 통화 대기 시간을 늘일 수 있게 된다.Referring to FIG. 5, according to the first embodiment of the present invention, in the antenna 27, the receiver RF SAW filters 21a and 21b, and the high frequency amplifier PA 22, etc. The phase shifters P. S1 and P. S3 perform the role instead of the diode switches D1 and D3 which perform the transmission / reception path separation of the GSM signal and the transmission / reception path separation of the DCS signal. In other words, by reducing the number of diodes can be miniaturized and lightweight, and the battery standby time can be increased by reducing the battery consumption.
이하에서, 도 5를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 회로 동작을 살펴본다.Hereinafter, a circuit operation of the dual band front end module according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5.
본 발명에 따른 제 1 실시예는 GSM 송신 모드시 다이오드 D2는 On이 된다. 그러므로, 제 2 위상 변이기(P.S2: 24b)는 커패시터(Ch)를 통하여 그라운드에 연결되어져 낮은 임피던스를 갖는다. 그러나, P.S1(24a)과 P.S2(24b)의 분기점에서 수신단 쪽을 바라본 임피던스는 P.S2(24b)를 통하여 큰 임피던스를 갖는것으로 보여진다.In the first embodiment according to the present invention, the diode D2 is turned on in the GSM transmission mode. Therefore, the second phase shifter P. S2: 24b is connected to the ground through the capacitor Ch and has a low impedance. However, the impedance seen toward the receiving end from the branching points of P. S1 24a and P. S2 24b is seen to have a large impedance through P.S2 24b.
이 때, On 상태의 D2의 인덕턴스(미도시)와 커패시터(Ch)는 직렬 공진함으로써, 수신회로의 임피던스는 대단히 커지게 된다. 그러므로, PA 모듈(22)에서 증폭된 송신 신호는 수신 회로로 누설되지 않고 P.S1(24a)을 통하여 안테나(27)로 전송된다.At this time, the inductance (not shown) of D2 in the On state and the capacitor Ch resonate in series, whereby the impedance of the receiving circuit becomes very large. Therefore, the transmission signal amplified by the PA module 22 is transmitted to the antenna 27 through the P. S1 24a without leaking to the receiving circuit.
GSM 수신모드시 다이오드 D2는 off 된다. 이 때, PA 모듈(22)은 동작하지 않는 상태이므로 출력 임피던스는 매우 낮은 임피던스를 갖는다.In GSM receive mode, diode D2 is off. At this time, since the PA module 22 is in a non-operating state, the output impedance has a very low impedance.
그러므로, P.S1(24a)과 P.S2(24b)의 분기점에서 송신 회로쪽을 바라본 임피던스는 위상 변이 회로 P.S1(24a)을 통하여 큰 임피던스를 갖는다.Therefore, the impedance viewed toward the transmitting circuit from the branching points of P. S1 24a and P. S2 24b has a large impedance through the phase shift circuit P. S1 24a.
따라서, 안테나(27)에서 수신된 수신 신호는 송신단 회로쪽으로 누설되지 않고 수신단으로 전달된다.Therefore, the received signal received at the antenna 27 is transmitted to the receiving end without leakage to the transmitting end circuit.
DCS 송신 모드와 수신 모드의 동작도 P.S1(24a), P.S2(24b)의 역할이 각각 P.S3(25a), P.S4(25b)로 바뀔 뿐 GSM 송신 모드와 수신 모드의 동작과 같이 설명되므로 생략한다.In the operation of the DCS transmission mode and the reception mode, the roles of P.S1 (24a) and P.S2 (24b) are changed to P.S3 (25a) and P.S4 (25b), respectively. As it is described as follows, it is omitted.
여기서, P.S 1(24a)는 GSM-Rx 밴드의 중심 주파수에서의 파장 λ의 λ/4 길이를 갖고, P.S 2(24b)는 GSM-Tx 밴드의 중심 주파수에서의 파장 λ의 λ/4 길이를 갖는다.Here, PS 1 24a has a length of λ / 4 of the wavelength λ at the center frequency of the GSM-Rx band, and PS 2 24b has a length of λ / 4 of the wavelength λ at the center frequency of the GSM-Tx band. Have
또한, P.S 3(25a)는 DCS-Rx 밴드의 중심 주파수에서의 파장 λ의 λ/4 길이를 갖고, P.S 4(25b)는 DCS-Tx 밴드의 중심 주파수에서의 파장 λ의 λ/4 길이를 갖는다.In addition, PS 3 (25a) has a length of λ / 4 of the wavelength λ at the center frequency of the DCS-Rx band, and PS 4 (25b) has a length of λ / 4 of the wavelength λ at the center frequency of the DCS-Tx band. Have
또한, 제 1 커패시터 Cd1과 제 3 커패시터 Cd3는 다이오드 스위치에 전원을 인가하는 전원단 Vc1 과 Vc2의 DC 신호가 안테나(27)로 유입되는 것을 막아준다.In addition, the first capacitor Cd1 and the third capacitor Cd3 prevent the DC signals of the power terminals Vc1 and Vc2 that apply power to the diode switch from flowing into the antenna 27.
또한, 제 2 커패시터 Cd2와 제 4 커패시터 Cd4는 전원단 Vc1 과 Vc2의 DC 신호가 송신회로로 유입되는 것을 막아줄 뿐만아니라, PA 모듈(22)의 DC 전원 신호가 ASM 회로로 유입되는 것을 막아준다.In addition, the second capacitor Cd2 and the fourth capacitor Cd4 not only prevent the DC signals of the power terminals Vc1 and Vc2 from entering the transmission circuit, but also prevent the DC power signals of the PA module 22 from entering the ASM circuit. .
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 회로도이다.6 is a circuit diagram of a dual band front end module according to a second embodiment of the present invention.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 2 실시예는 수신 모드시 P.S1과 P.S2의 분기점에서 송신단 회로를 바라본 임피던스가 더 큰 값을 갖도록 하기 위해서 Cd2 또는 Cd4와 공진하도록 위상 변이기(24a, 25a) 회로와 직렬로 인덕턴스 (Ldt)성분을 삽입한다는 점에서 제 1 실시예와 차이가 있다.As shown in Fig. 6, the second embodiment according to the present invention is in phase so as to resonate with Cd2 or Cd4 so that the impedance viewed from the transmitter end circuit at the branch point of P.S1 and P.S2 has a larger value in the reception mode. It differs from the first embodiment in that an inductance (Ldt) component is inserted in series with the circuits 24a and 25a.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 회로도이다.7 is a circuit diagram of a dual band front end module according to a third embodiment of the present invention.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 3 실시예는 DC 차단 역할을 수행하는 블록 커패시터(Cd3, Cd4)를 제거하고, DC 차단 커패시터(Cd)를 안테나(27) 단자 쪽에 위치시킴으로써, 회로 구성 요소(커패시터)를 감소시킬 수 있다는 점에서 제 2 실시예와 차이가 있다.As shown in FIG. 7, the third embodiment of the present invention removes the block capacitors Cd3 and Cd4 which serve as DC blocking, and positions the DC blocking capacitor Cd at the terminal side of the antenna 27. The difference from the second embodiment is that circuit components (capacitors) can be reduced.
도 8은 본 발명에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈 칩의 접속 단자를 도시한 도면이다.8 is a diagram illustrating a connection terminal of a dual band front end module chip according to the present invention.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 듀얼 밴드 FEM 칩 패키지의 단자에는 좌우측에 그라운드 단자를 중심으로 상부에 GSM 신호를 송수신하는 GSM Tx, GSM Rx와, 각각의 세라믹 기판들의 그라운드 단자 및 안테나 단자가 형성되어 있다.As shown in Figure 8, the terminal of the dual-band FEM chip package according to the present invention, the GSM Tx, GSM Rx for transmitting and receiving the GSM signal on the center around the ground terminal on the left and right, and the ground terminal and antenna of each ceramic substrate The terminal is formed.
또한, 그라운드 단자를 중심으로 하부에는 DCS 신호를 송수신하는 DCS Tx, DCS Rx와, 전원단 VC1, VC2 및 그라운드 단자들이 형성되어 있다.In addition, DCS Tx and DCS Rx for transmitting and receiving DCS signals and power terminals VC1, VC2, and ground terminals are formed below the ground terminal.
도 9는 본 발명에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 칩 패키지를 나타낸 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a chip package of a dual band front end module according to the present invention.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 듀얼 밴드 프런트 엔드 모듈의 칩 패키지는 위상 변이기(24a, 24b, 25a, 25b), 다이플렉서(26)등이 내장된 LTCC와, 그 LTCC 기판 상에 PA 소자(22), 용량이 큰 칩 저항 및 커패시터, 핀 다이오드, 듀얼 밴드 SAW BPF(21a, 21b)가 실장된다.As shown in FIG. 9, the chip package of the dual band front end module according to the present invention includes an LTCC incorporating phase shifters 24a, 24b, 25a, and 25b, a diplexer 26, and the like, and an LTCC substrate thereof. PA elements 22, large chip resistors and capacitors, pin diodes, and dual band SAW BPFs 21a and 21b are mounted on the top.
또한, 상기 실장된 후 사용 환경에 따라 패시베이션(Passivation) 처리를 할 수 있다.In addition, the passivation process may be performed according to the use environment after the mounting.
상기 패시베이션 처리하는 방법은 금속 커버(cover)를 이용한 쉴딩(shielding) 방법과, 에폭시 몰딩(Epoxy molding) 방법이 있다.The passivation method includes a shielding method using a metal cover and an epoxy molding method.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 다이오드의 수와 커패시터의 수를 감소시킴으로써, 소형화, 경량화를 도모하고, 배터리 소모를 줄여 통화 대기 시간을 늘일 수 있게 한다.As described above, the present invention reduces the number of diodes and the number of capacitors, thereby making it possible to reduce the size and weight of the diode and reduce the battery consumption, thereby increasing the call waiting time.
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KR100700967B1 (en) * | 2005-12-28 | 2007-03-28 | 전자부품연구원 | Front end module used in mobile communication device |
KR100773929B1 (en) * | 2004-12-27 | 2007-11-07 | 엘지전자 주식회사 | Switched Antenna Matching Device And Method of Terminal |
KR100789101B1 (en) * | 2006-09-07 | 2007-12-26 | 에스케이 텔레콤주식회사 | Repeater using low power device |
KR101283202B1 (en) * | 2006-05-08 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | Terminating device of noise signal in front-end-module |
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- 2003-02-26 KR KR1020030012009A patent/KR100550782B1/en not_active IP Right Cessation
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