KR20020051455A - a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same - Google Patents
a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020051455A KR20020051455A KR1020000080501A KR20000080501A KR20020051455A KR 20020051455 A KR20020051455 A KR 20020051455A KR 1020000080501 A KR1020000080501 A KR 1020000080501A KR 20000080501 A KR20000080501 A KR 20000080501A KR 20020051455 A KR20020051455 A KR 20020051455A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- reflective
- drain electrode
- liquid crystal
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로, 특히, 반사모드를 사용하는 반사형 액정표시장치와, 반사모드와 투과모드를 선택적으로 사용할 수 있는 반사투과형 액정표시장치(Transflective liquid crystal display device)의 어레이기판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and in particular, a reflective liquid crystal display device using a reflection mode, and a reflective liquid crystal display device capable of selectively using a reflection mode and a transmission mode. display substrate).
일반적으로, 반사형 액정표시장치는 광원을 외부광원으로 대체할 수 있기 때문에 백라이트와 같은 부가적인 광원장치를 필요로 하지 않는다.In general, the reflective liquid crystal display device does not require an additional light source device such as a backlight since the light source can be replaced with an external light source.
그리고, 상기 반사투과형 액정표시장치는 투과형 액정표시장치와 반사형 액정표시장치의 기능을 동시에 지닌 것으로, 백라이트(backlight)의 빛과 외부의 자연광원 또는 인조광원을 모두 이용할 수 있으므로 주변환경에 제약을 받지 않고, 전력소비(power consumption)를 줄일 수 있는 장점이 있다.The reflective transmissive liquid crystal display device has the functions of a transmissive liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device at the same time, and may use both a backlight light and an external natural light or artificial light source, thereby limiting the surrounding environment. It does not receive, there is an advantage that can reduce the power consumption (power consumption).
이하, 도 1과 도 2를 참조하여 종래의 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판에 대해 설명한다.1 and 2, a conventional array substrate for reflection transmissive liquid crystal display device will be described.
이하, 도 1은 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view showing some pixels of an array substrate for a reflective liquid crystal display device.
도시한 바와 같이, 반사형 액정표시장치용 어레이기판은 평면적으로 게이트배선(25)과 데이터배선(27)이 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 구성되고, 상기 두 배선의 교차지점에는 스위칭 소자(T)가 형성된다.As shown in the drawing, the array substrate for a reflective liquid crystal display device is configured such that the gate line 25 and the data line 27 vertically intersect in a plane to define the pixel region P, and at the intersection of the two lines The switching element T is formed.
상기 스위칭 소자(T)는 일반적으로 게이트전극(32)과 소스전극(33)및 드레인 전극(35)과 액티브층(34)으로 구성되는 박막트랜지스터(thin film transistor : TFT)를 형성하여 사용한다.The switching element T is generally used by forming a thin film transistor (TFT) composed of a gate electrode 32, a source electrode 33, a drain electrode 35, and an active layer 34.
상기 화소영역(P) 상에는 화소전극(19)이 위치하며, 상기 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(35)과 접촉하여 액정(미도시)을 구동한다.The pixel electrode 19 is positioned on the pixel region P, and contacts the drain electrode 35 of the thin film transistor T to drive a liquid crystal (not shown).
반사전극(19)은 반사율이 뛰어난 불투명 도전성금속을 사용하여 형성한다. 이와 같은 불투명 금속물질은 대표적으로 알루미늄(Al)과 알루미늄합금(예 : AlNd)을 포함하는 알루미늄계 금속을 예를 들 수 있다.The reflective electrode 19 is formed using an opaque conductive metal having excellent reflectance. Such an opaque metal material may be, for example, an aluminum-based metal including aluminum (Al) and an aluminum alloy (for example, AlNd).
이와 같은 구성을 가지는 어레이기판을 포함하는 반사형 액정표시장치의 동작모드를 간략히 설명한다.The operation mode of the reflective liquid crystal display device including the array substrate having such a configuration will be briefly described.
반사모드의 광원은 전술한 바와 같이 외부광원을 사용함으로, 외부에서 액정패널의 상부기판(미도시)으로 입사된 빛은 상기 어레이기판(21)에 구성된 반사전극(19)에 반사되어 전압에 의해 배향된 액정(미도시)을 통과하면서 액정의복굴절 특성에 따라 그 빛의 편광상태가 달라진 상태로 출사하게 된다.As the light source of the reflection mode uses an external light source as described above, the light incident from the outside to the upper substrate (not shown) of the liquid crystal panel is reflected by the reflective electrode 19 formed on the array substrate 21 and is affected by the voltage. As the light passes through the aligned liquid crystal (not shown), the light is emitted in a state where the polarization state of the light is changed according to the birefringence characteristic of the liquid crystal.
이와 같이, 액정(미도시)을 출사하는 빛이 컬러필터(미도시)를 통과하면서 상기 컬러필터를 착색하여 적/녹/청의 컬러 표시기능을 하게 된다.In this way, the light emitted from the liquid crystal (not shown) passes through the color filter (not shown) to color the color filter to perform a red / green / blue color display function.
이와 같은 구성을 가지는 반사형 액정표시장치의 단면 구조를 이하 도 2를 참조하여 설명한다.The cross-sectional structure of the reflective liquid crystal display device having such a configuration will be described below with reference to FIG. 2.
도 2는 상기 도 1의 Ⅳ-Ⅳ`를 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 1.
도시한 바와 같이 먼저, 기판(21)상에 게이트 전극(32)과 게이트배선(도 2의 25)을 구성하고, 상기 데이터배선(27)과 소스전극(33)및 드레인 전극(35)은 상기 게이트전극(32)과의 사이에 게이트 절연막(41)을 사이에 두고 형성한다.As shown, first, a gate electrode 32 and a gate wiring (25 in FIG. 2) are formed on the substrate 21, and the data wiring 27, the source electrode 33, and the drain electrode 35 are formed as described above. The gate insulating film 41 is formed between the gate electrode 32.
상기 액티브층(34)은 상기 소스전극(33)및 드레인 전극(35)과 각각 겹쳐 형성된다.The active layer 34 overlaps the source electrode 33 and the drain electrode 35, respectively.
상기 각 전극과 액티브층을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한 후, 상기 박막트랜지스터를 보호하기 위한 절연재질의 보호층(43)을 형성한다.After forming the thin film transistor T including each electrode and the active layer, a protective layer 43 made of an insulating material for protecting the thin film transistor is formed.
다음으로, 상기 보호층(43)을 패턴하여 상기 드레인 전극(35)의 상부에 드레인 콘택홀(45)을 형성하고, 이를 통하여 상기 드레인 전극(35)과 접촉하는 반사전극(19)을 형성한다.Next, the protective layer 43 is patterned to form a drain contact hole 45 on the drain electrode 35, thereby forming a reflective electrode 19 in contact with the drain electrode 35. .
전술한 바와 같은 공정으로 종래의 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.In the above-described process, a conventional array substrate for a reflective liquid crystal display device can be manufactured.
전술한바와 같은 구성에서, 종래에는 상기 드레인 전극과 반사전극을 각각 서로 다른 물질로 형성하였고, 이로 인해 서로 다른 층에 구성하였다.In the configuration as described above, in the prior art, the drain electrode and the reflective electrode were formed of different materials, and thus were formed in different layers.
따라서, 화소전극인 반사전극과 상기 드레인 전극은 상기 콘택홀을 통해 서로 접촉하도록 구성하였다.Therefore, the reflective electrode and the drain electrode, which are pixel electrodes, are configured to contact each other through the contact hole.
이러한 구성에서, 상기 두 전극이 서로 접촉하는 부분(A)에는 상기 반소전극(19)과 드레인 전극(35)사이에 콘택저항(contact resistance)이 발생하게 된다.In this configuration, a contact resistance is generated between the half-electrode 19 and the drain electrode 35 in the portion A where the two electrodes contact each other.
상기 드레인 전극(35)으로 일정 수준 이하의 낮은 데이터 전압이 인가될 경우에는 상기 드레인 전극(35)과 화소전극(19)사이에 흐르는 전류에 영향을 주어 화질에 좋지 않은 영향을 미치게 된다.When a low data voltage below a predetermined level is applied to the drain electrode 35, the current flowing between the drain electrode 35 and the pixel electrode 19 is affected to adversely affect image quality.
도 3은 종래의 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 평면도이다.3 is a partial plan view of an array substrate for a conventional transmissive liquid crystal display device.
도시한 바와 같이, 반사 투과형 액정표시장치는 반사모드와 투과모드로 모두 동작할 수 있도록, 한 화소영역(P)에 투과부(A)와 반사부(B)가 동시에 존재하는 구조이다.As shown, the reflective transmissive liquid crystal display has a structure in which the transmissive portion A and the reflective portion B exist simultaneously in one pixel region P so that the reflective transmissive liquid crystal display can operate in both the reflective mode and the transmissive mode.
상기 반사부와 투과부를 정의하기 위해 사용되는 수단은 투과홀(51)을 포함하는 반사전극(또는 반사판)(19a)과, 상기 반사전극(19a)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있는 투명 화소전극(19b)으로 구성된다.The means used to define the reflecting portion and the transmitting portion includes a reflecting electrode (or reflecting plate) 19a including a transmitting hole 51 and a transparent pixel electrode which may be formed on or under the reflecting electrode 19a. It consists of 19b.
이와 같은 구성의 단면구조를 이하 도 4에서 설명한다.The cross-sectional structure of such a configuration will be described below with reference to FIG. 4.
도 4는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ`를 따라 절단하여 도시한 단면도이다.(도 3의 도면부호를 참조한다.)4 is a cross-sectional view taken along the line VV ′ of FIG. 3. (See FIG. 3).
먼저, 기판(21)상에 게이트전극(32)과 소스전극(33)및 드레인 전극(35)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 형성한 후, 박막트랜지스터의 상부에 제 1 보호층(43)을 형성한다.First, the thin film transistor T including the gate electrode 32, the source electrode 33, and the drain electrode 35 is formed on the substrate 21, and then the first passivation layer 43 is formed on the thin film transistor. To form.
다음으로, 상기 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(35)상부에 드레인 콘택홀(45)을 형성한다.Next, a drain contact hole 45 is formed on the drain electrode 35 of the thin film transistor T.
다음으로, 상기 드레인 콘택홀(45)을 통해 상기 드레인 전극(35)과 접촉하면서 화소영역(P) 상에 위치하고, 투과홀(51)을 포함하는 반사전극(19a)을 성한다.Next, the reflective electrode 19a is formed on the pixel region P while contacting the drain electrode 35 through the drain contact hole 45 and including the transmission hole 51.
다음으로, 상기 반사전극(19a) 상부에 절연물질인 제 2 보호층(47)을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인 콘택홀(45)을 통해 드레인 전극(35)과 접촉하는 부분의 반사전극(19a)을 소정 면적 노출한다.(따라서 콘택홀을 두 번 패턴하는 결과가 된다.)Next, the second protective layer 47, which is an insulating material, is formed on the reflective electrode 19a, and then patterned to form a reflective electrode (a portion of the portion contacting the drain electrode 35 through the drain contact hole 45). 19a) is exposed (a result of patterning the contact hole twice).
다음으로, 패턴된 제 2 보호층(47)사이로 노출된 상기 반사전극(19a)과 접촉하면서, 상기 화소영역(P) 상에 위치하도록 투명한 화소전극(19b)을 형성한다.Next, the transparent pixel electrode 19b is formed to be positioned on the pixel region P while contacting the reflective electrode 19a exposed between the patterned second protective layers 47.
이와 같은 공정으로 종래의 반사 투과형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.By such a process, a conventional array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device can be manufactured.
전술한 바와 같은 반사투과형 어레이기판의 화소전극과 드레인 전극의 구조 또한 접촉저항에 의한 화질저하가 문제가 되며, 특히 이중층의 화소전극으로 구성되기 때문에 공정상 복잡함이 있고, 이에 따른 제조시간 증가와 함께 재료비의 증가와 같은 비효율 적인 부분이 다수 있다.As described above, the structure of the pixel electrode and the drain electrode of the transmissive array substrate also has a problem of deterioration in image quality due to contact resistance, and in particular, since it is composed of a double layer pixel electrode, there is complexity in the process, and accordingly the manufacturing time increases. There are many inefficiencies, such as an increase in material costs.
전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 상기 드레인 전극과 반사전극을 동일물질로 일체화하는 구조를 제안하여, 신뢰성을 확보하는 동시에 생산수율을 개선하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention proposes a structure in which the drain electrode and the reflecting electrode are integrated with the same material, and ensures reliability and improves the production yield.
도 1은 일반적인 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,FIG. 1 is an enlarged plan view schematically illustrating some pixels of a typical reflective liquid crystal display array substrate.
도 2는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ`를 따라 절단하여 도시한 단면도이고,FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 1;
도 3은 일반적인 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,FIG. 3 is an enlarged plan view schematically illustrating some pixels of a general array of reflective transmissive liquid crystal display devices;
도 4는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ`를 따라 절단하여 도시한 단면도이고,4 is a cross-sectional view taken along the line VV ′ of FIG. 3;
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,5 is an enlarged plan view schematically illustrating a portion of an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention;
도 6a 내지 도 6c는 도 5의 Ⅵ-Ⅵ`을 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,6A to 6C are cross-sectional views illustrating a process sequence by cutting along VI-VI ′ of FIG. 5;
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 확대 평면도이고,7 is an enlarged plan view schematically illustrating a part of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention;
도 8a 내지 8c는 도 7의 Ⅶ-Ⅶ`를 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.8A to 8C are cross-sectional views illustrating a process sequence by cutting along the line VII-VII ′ of FIG. 7.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
111 : 기판 119 : 반사전극111 substrate 119 reflective electrode
125 : 게이트배선 127 : 데이터배선125: gate wiring 127: data wiring
132 : 게이트 전극 133 : 소스 전극132: gate electrode 133: source electrode
135 : 드레인 전극 P : 화소(Pixel)135: drain electrode P: pixel
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판은 기판과; 상기 기판 상에 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 게이트배선과; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차지점에 구성되고, 게이트전극과 소스전극 및 드레인 전극과 액티브층을 포함하는 스위칭 소자와; 상기 스위칭 소자의 드레인 전극에서 연장되어 화소영역 상에 위치하는 반사전극을 포함한다.An array substrate for a reflective liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object is a substrate; A data wiring and a gate wiring which vertically intersect the substrate and define pixel areas; A switching element configured at an intersection point of the gate wiring and the data wiring and including a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and an active layer; And a reflective electrode extending from the drain electrode of the switching element and positioned on the pixel area.
상기 드레인 전극과 반사전극은 동일물질로 형성한다.The drain electrode and the reflective electrode are formed of the same material.
상기 반사전극과 드레인 전극은 저항이 낮고 반사율이 뛰어난 알루미늄과 알루미늄계 합금으로 형성한다.The reflective electrode and the drain electrode are formed of aluminum and an aluminum-based alloy having low resistance and excellent reflectance.
상기 절연막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연 물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한다.The insulating layer is formed of one selected from the group of organic insulating materials consisting of benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin.
본 발명의 다른 특징에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판은 투명한 기판과; 상기 기판 상에 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 게이트배선과; 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차지점에 구성되고, 게이트전극과 소스전극 및 드레인 전극과 액티브층을 포함하는 스위칭 소자와; 상기 화소영역에 투과홀을 포함하고, 상기 드레인 전극에서 연장된 반사전극과; 상기 반사전극과절연막을 개재하여 구성된 투명 화소전극을 포함한다.According to another aspect of the present invention, an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device includes a transparent substrate; A data wiring and a gate wiring which vertically intersect the substrate and define pixel areas; A switching element configured at an intersection point of the gate wiring and the data wiring and including a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and an active layer; A reflection electrode including a transmission hole in the pixel region and extending from the drain electrode; It includes a transparent pixel electrode formed through the reflective electrode and the insulating film.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
-- 제 1 실시예 --First Embodiment
제 1 실시예에는 전술한 바와 같은 본 발명에 따른 드레인 전극과 화소전극의 구조를 반사형 액정표시장치용 어레이기판에 적용한 예이다.In the first embodiment, the structures of the drain electrode and the pixel electrode according to the present invention as described above are applied to an array substrate for a reflective liquid crystal display device.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.5 is a plan view schematically illustrating a portion of an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
도시한 바와 같이, 게이트배선(125)과 데이터배선(127)이 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며, 상기 두 배선의 교차지점에는 스위칭 소자(T)가 위치한다.As illustrated, the gate line 125 and the data line 127 vertically intersect to define the pixel area P, and the switching element T is positioned at the intersection of the two wires.
상기 스위칭 소자(T)로 게이트전극(132)과 소스전극(133)및 드레인 전극(135)으로 구성되는 박막트랜지스터(T)를 형성한다.The switching element T forms a thin film transistor T including a gate electrode 132, a source electrode 133, and a drain electrode 135.
상기 화소영역(P)에는 상기 드레인 전극(135)에서 연장하여 반사전극(119)을 형성한다.The pixel region P extends from the drain electrode 135 to form a reflective electrode 119.
이하, 도 6a내지 도 6c의 공정 단면도를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.6A to 6C, a manufacturing process of an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described.
도 6a 내지 도 6c는 도 5의 Ⅵ-Ⅵ`을 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.6A to 6C are cross-sectional views illustrating a process sequence by cutting along VI-VI ′ of FIG. 5.
먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(111) 상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 텅스텐(W), 크롬(Cr)등을 포함하는 도전성금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 게이트배선(도 5의 125)과 게이트전극(132)을 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, a conductive metal group including aluminum (Al), an aluminum alloy, molybdenum (Mo), copper (Cu), tungsten (W), chromium (Cr), and the like on the substrate 111. The selected one of them is deposited and patterned to form a gate wiring (125 in FIG. 5) and a gate electrode 132.
이때, 상기 게이트전극(132)과 게이트배선(125)을 알루미늄으로 구성할 경우에는 상기 알루미늄배선을 보호하는 다른 도전성 금속을 적층하는 구조를 취할 수 도 있다.In this case, when the gate electrode 132 and the gate wiring 125 are made of aluminum, a structure in which other conductive metals protecting the aluminum wiring may be stacked.
다음으로, 상기 게이트배선(도 5의 125)과 게이트전극(132)이 구성된 기판(111)의 전면에 실리콘 산화막(SiO2)과 실리콘 질화막(SiNx)으로 구성된 무기절연물질 그룹과, 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등으로 구성된 유기절연 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착 또는 도포하여 게이트 절연막(141)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material group composed of a silicon oxide film (SiO 2 ) and a silicon nitride film (SiN x ) on the entire surface of the substrate 111 including the gate wiring 125 and the gate electrode 132. Accordingly, the gate insulating layer 141 is formed by depositing or applying one selected from the group of organic insulating materials including benzocyclobutene, acryl resin, and the like.
상기 게이트 절연막(141) 상에 순수 비정질 실리콘층(a-Si:H ; 134a)과 불순물 비정질 실리콘층(n+a-Si:H ; 134b)을 적층하여 패턴하여, 상기 게이트 전극(132) 상부에 아일랜드 형상으로 반도체층(134)을 형성한다.A pure amorphous silicon layer (a-Si: H; 134a) and an impurity amorphous silicon layer (n + a-Si: H; 134b) are stacked and patterned on the gate insulating layer 141 to form an upper portion of the gate electrode 132. The semiconductor layer 134 is formed in an island shape.
다음으로, 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층(134)이 형성된 기판(111)의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속물질을 증착한 후 패턴하여, 상기 게이트배선(도 5의 125)과는 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(127)과, 상기 데이터배선(127)에 연결된 소스전극(133)과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극(135)과 상기 드레인 전극에서 연장된 반사전극(119)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6B, the conductive metal material as described above is deposited on the entire surface of the substrate 111 on which the semiconductor layer 134 is formed, and then patterned to form the gate wiring (125 in FIG. 5). Is extended from the data line 127 defining the pixel area P to cross vertically, the source electrode 133 connected to the data line 127, the drain electrode 135 spaced apart from the drain electrode 135, and the drain electrode. The formed reflective electrode 119 is formed.
결과적으로, 기판(111)상에 게이트배선(도 5의 125)과 데이터배선(127)이 교차하는 지점에 박막트랜지스터(T)가 형성된 구조를 얻을 수 있다.As a result, a structure in which the thin film transistor T is formed at a point where the gate wiring 125 and the data wiring 127 intersect on the substrate 111 is obtained.
다음으로, 도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(T)가 형성된 기판(111)의 전면에 전술한 바와 같은 절연물질을 도포 또는 증착하여 보호층(143)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6C, the protective layer 143 is formed by coating or depositing the above-described insulating material on the entire surface of the substrate 111 on which the thin film transistor T is formed.
이와 같은 공정으로, 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다. 전술한 구성을 보면, 상기 드레인 전극(135)과 반사전극(119)을 동일물질로 동일층에 형성하였기 때문에 종래와는 달리 별도로 진행되는 콘택홀 형성공정을 생략할 수 있다.In such a process, an array substrate for a reflective liquid crystal display device according to the present invention can be produced. In the above-described configuration, since the drain electrode 135 and the reflective electrode 119 are formed on the same layer with the same material, a contact hole forming process that is performed separately from the conventional process may be omitted.
또한, 상기 드레인 전극(135)과 반사전극(119)간에 발생하였던 콘택저항이 존재하지 않기 때문에, 콘택저항에 의한 화질불량을 방지할 수 있다.In addition, since there is no contact resistance generated between the drain electrode 135 and the reflective electrode 119, poor image quality due to the contact resistance can be prevented.
-- 제 2 실시예---Second Example-
제 2 실시예는 전술한 바와 같은 본 발명에 따른 드레인 전극 화소전극의 구조를 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판에 적용한 예이다.The second embodiment is an example in which the structure of the drain electrode pixel electrode according to the present invention as described above is applied to an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부 화소를 도시한 평면도이다.7 is a plan view showing some pixels of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
도시한 바와 같이, 기판(111) 상에 게이트배선(125)과 데이터배선(127)이 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며, 상기 두 배선의 교차지점에는 박막트랜지스터(T)가 존재한다.As illustrated, the gate line 125 and the data line 127 vertically intersect on the substrate 111 to define the pixel region P, and the thin film transistor T is present at the intersection of the two wires. do.
상기 화소영역(P)은 투과부(A)와 반사부(B)로 정의되며, 이를 위해 투과홀(141)을 포함하는 반사전극(119a)을 채용하고, 상기 반사전극(119a)의 상부에 투명한 화소전극(119b)을 구성한다.The pixel region P is defined as a transmissive portion A and a reflective portion B. For this purpose, a reflective electrode 119a including a transmissive hole 141 is employed, and is transparent to an upper portion of the reflective electrode 119a. The pixel electrode 119b is formed.
상기 반사전극(119a)은 기판(111)의 전면에 구성하며, 상기 각 화소마다 투과홀(151)을 형성하고, 상기 각 화소에 대응하여 형성한 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(135)에서 연장 형성한다.The reflective electrode 119a is formed on the entire surface of the substrate 111, and the transmission hole 151 is formed in each pixel, and the drain electrode 135 of the thin film transistor T formed corresponding to each pixel is formed. Form an extension.
전술한 구조에서 상기 투명 화소전극(119b)은 상기 반사전극(119a)과 콘택홀(136)을 통해 연결한다.In the above-described structure, the transparent pixel electrode 119b is connected to the reflective electrode 119a through the contact hole 136.
이하, 도 8a 내지 도 8c를 참조하여 도 7의 구성을 위한 제조공정을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process for the configuration of FIG. 7 will be described with reference to FIGS. 8A to 8C.
도 8a 내지 도 8c는 도 7의Ⅶ-Ⅶ`을 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.8A to 8C are cross-sectional views taken along the line of the process of FIG.
먼저, 도 8a에 도시한 바와 같이, 전술한 바와 같은 도전성 금속을 증착하고 패턴하여 게이트배선(125)과 게이트 전극(132)을 형성한다.First, as shown in FIG. 8A, the conductive metal as described above is deposited and patterned to form the gate wiring 125 and the gate electrode 132.
다음으로, 상기 게이트배선(125)과 게이트전극(132)이 형성된 기판(111)의 전면에 전술한 바와 같은 절연물질을 증착 또는 도포하여 게이트 절연막(141)을 형성한다.Next, the gate insulating layer 141 is formed by depositing or applying the above-described insulating material on the entire surface of the substrate 111 on which the gate wiring 125 and the gate electrode 132 are formed.
상기 게이트 절연막(141) 상에 순수 비정질 실리콘층(143a)과 불순물 비정질 실리콘층(143b)을 적층하여 패턴하여, 상기 게이트 전극(132) 상부에 아일랜드 형상으로 반도체층(134)을 형성한다.A pure amorphous silicon layer 143a and an impurity amorphous silicon layer 143b are stacked and patterned on the gate insulating layer 141 to form a semiconductor layer 134 in an island shape on the gate electrode 132.
다음으로, 도 8b에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층(134)이 형성된 기판(111)의 전면에 전술한 바와 같은 도전성 금속물질을 증착한 후 패턴하여, 상기 게이트배선(도 7의 125)과는 수직으로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(127)과, 상기 데이터배선(127)에 연결된 소스전극(133)과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극(135)과 상기 드레인 전극에서 연장된 반사전극(119)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8B, the conductive metal material as described above is deposited on the entire surface of the substrate 111 on which the semiconductor layer 134 is formed, and then patterned to form the gate wiring (125 in FIG. 7). Is extended from the data line 127 defining the pixel area P to cross vertically, the source electrode 133 connected to the data line 127, the drain electrode 135 spaced apart from the drain electrode 135, and the drain electrode. The formed reflective electrode 119 is formed.
동시에, 상기 반사전극(119)의 임의의 영역에 투과모드를 표시하기 위한 투과홀(151)을 형성한다.At the same time, a transmission hole 151 for displaying a transmission mode is formed in an arbitrary region of the reflective electrode 119.
결과적으로, 기판(111)상에 게이트배선(도 5의 125)과 데이터배선(127)이 교차하는 지점에 박막트랜지스터(T)가 형성된 구조를 얻을 수 있다.As a result, a structure in which the thin film transistor T is formed at a point where the gate wiring 125 and the data wiring 127 intersect on the substrate 111 is obtained.
다음으로, 도 8c에 도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(T)가 형성된 기판(111)의 전면에 전술한 바와 같은 절연물질을 도포 또는 증착하여 보호층(143)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8C, the protective layer 143 is formed by coating or depositing the above-described insulating material on the entire surface of the substrate 111 on which the thin film transistor T is formed.
상기 보호층(143)을 패턴하여 상기 드레인 전극(135)을 일부 노출하는 콘택홀(136)을 형성한다.The protective layer 143 is patterned to form a contact hole 136 partially exposing the drain electrode 135.
다음으로, 상기 패턴된 보호층 상부에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 구성된 투명도전성 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인 전극(135)과 접촉하는 동시에, 상기 반사전극(119a)과 평면적으로 겹쳐 구성되는 투명 화소전극(119b)을 형성한다.Next, a selected one of a transparent conductive group consisting of indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) is deposited and patterned on the patterned protective layer, and the exposed drain electrode 135 At the same time, the transparent pixel electrode 119b formed to overlap the reflective electrode 119a in a planar manner is formed.
이와 같은 방법으로, 본 발명에 따른 반사 투과형 액정표시장치를 제작할 수있다.In this way, the reflective transmission liquid crystal display device according to the present invention can be manufactured.
전술한 바와 같은 구성은, 상기 반사전극(119a)을 드레인 전극(135)에서 연장 형성하는 구조이므로 접촉저항이 존재하지 않으며, 종래와는 달리 반사전극을 별도로 패턴하는 공정과, 상기 반사전극과 드레인 전극을 연결하기 위한 콘택홀 공정을 생략할 수 있다.As described above, since the reflective electrode 119a is formed to extend from the drain electrode 135, there is no contact resistance. Unlike the related art, a process of separately patterning the reflective electrode and the reflective electrode and the drain The contact hole process for connecting the electrodes can be omitted.
따라서, 본 발명에 따른 드레인 전극과 화소전극의 구조를 도입하면 아래와 같은 효과가 있다.Therefore, introducing the structures of the drain electrode and the pixel electrode according to the present invention has the following effects.
첫째, 드레인전극과 반사전극을 연결하기 위한 별도의 콘택홀 공정이 생략되므로 공정을 단순화 할 수 있다.First, since a separate contact hole process for connecting the drain electrode and the reflective electrode is omitted, the process can be simplified.
특히, 반사투과형일 경우에는 별도의 반사전극 패턴을 형성하는 공정이 더욱 생략된다.In particular, in the case of the reflective transmission type, a process of forming a separate reflective electrode pattern is further omitted.
셋째, 반사전극과 드레인전극 사이의 콘택저항이 존재하지 않기 때문에 화질이 개선되는 효과가 있다.Third, since there is no contact resistance between the reflective electrode and the drain electrode, the image quality is improved.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000080501A KR20020051455A (en) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000080501A KR20020051455A (en) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020051455A true KR20020051455A (en) | 2002-06-29 |
Family
ID=27684795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000080501A KR20020051455A (en) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20020051455A (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100467944B1 (en) * | 2002-07-15 | 2005-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Transflective Liquid Crystal Display Device and Method for fabricating the same |
KR20050054375A (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-10 | 삼성전자주식회사 | Lower substrate, liquid crystal display apparatus having the same and method for manufacturing the same |
KR100623814B1 (en) * | 2003-05-01 | 2006-09-19 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Liquid crystal display and electronic device |
KR100708842B1 (en) | 2004-11-26 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | Liquid crystal display |
KR100745306B1 (en) * | 2002-09-13 | 2007-08-01 | 피엠씨-시에라 이스라엘 엘티디. | Methods for Dynamic Bandwidth Allocation and Queue Management in Ethernet Passive Optical Networks |
US7847893B2 (en) | 2006-01-19 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd | Display device and method of fabricating the same |
KR101022807B1 (en) * | 2003-12-26 | 2011-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Array Substrate for Use in Reflective LCD and Method of Fabricating the Same |
KR101255278B1 (en) * | 2006-12-29 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method For Fabricating Reflective Type Liquid Crystal Display Device |
KR101369189B1 (en) * | 2006-12-29 | 2014-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | An array substrate of Reflective Liquid Crystal Display Device and the method for fabricating thereof |
KR20140061094A (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 삼성전자주식회사 | Driving device of display apparatus and manufacturing method of the same |
-
2000
- 2000-12-22 KR KR1020000080501A patent/KR20020051455A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100467944B1 (en) * | 2002-07-15 | 2005-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Transflective Liquid Crystal Display Device and Method for fabricating the same |
KR100745306B1 (en) * | 2002-09-13 | 2007-08-01 | 피엠씨-시에라 이스라엘 엘티디. | Methods for Dynamic Bandwidth Allocation and Queue Management in Ethernet Passive Optical Networks |
KR100623814B1 (en) * | 2003-05-01 | 2006-09-19 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Liquid crystal display and electronic device |
KR20050054375A (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-10 | 삼성전자주식회사 | Lower substrate, liquid crystal display apparatus having the same and method for manufacturing the same |
KR101022807B1 (en) * | 2003-12-26 | 2011-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Array Substrate for Use in Reflective LCD and Method of Fabricating the Same |
KR100708842B1 (en) | 2004-11-26 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | Liquid crystal display |
US7847893B2 (en) | 2006-01-19 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd | Display device and method of fabricating the same |
KR101255278B1 (en) * | 2006-12-29 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method For Fabricating Reflective Type Liquid Crystal Display Device |
KR101369189B1 (en) * | 2006-12-29 | 2014-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | An array substrate of Reflective Liquid Crystal Display Device and the method for fabricating thereof |
KR20140061094A (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 삼성전자주식회사 | Driving device of display apparatus and manufacturing method of the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100312328B1 (en) | Transflective liquid crystal display device | |
KR100661825B1 (en) | Array substrate of transflective liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
US8031312B2 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
KR100312327B1 (en) | reflection and transmission type liquid crystal display device | |
US7480024B2 (en) | Method for fabricating an array substrate for IPS mode liquid crystal display device | |
KR101202983B1 (en) | An array substrate for trans-flective liquid crystal display device and fabrication method of the same | |
US6888597B2 (en) | Method of array substrate for transflective liquid crystal display device | |
KR100684578B1 (en) | Method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same | |
KR100684577B1 (en) | Method for fabricating Transflective liquid crystal display device and the same | |
KR100685296B1 (en) | Method of fabricating array substrate for transflective liquid crystal dispaly device | |
KR20030008379A (en) | method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same | |
KR100656696B1 (en) | Transflective liquid crystal display device | |
KR20050068852A (en) | A substrate for transflective lcd and method for fabricating of the same | |
KR20020051455A (en) | a method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same | |
KR100613438B1 (en) | Transflective liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR100611044B1 (en) | Transflective liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR20040060011A (en) | A substrate for reflective LCD and method for fabricating of the same | |
KR20020089005A (en) | A substrate for Transflective LCD and a method of fabricating thereof | |
KR20050113850A (en) | Lcd with color-filter on tft and method of fabricating of the same | |
KR100656694B1 (en) | Transflective liquid crystal display device | |
KR100719333B1 (en) | A thin film transistor liquid crystal display device capable of displaying images in both reflective and transmissive modes and a method for manufacturing it | |
KR100694575B1 (en) | method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same | |
KR100709502B1 (en) | A method for fabricating reflective and transflective liquid crystal display device and the same | |
KR20020041213A (en) | a method for fabricating transflective liquid crystal display device and the same | |
KR20040026039A (en) | Method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |