Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR200158939Y1 - Fed장치용 집속 게이트 - Google Patents

Fed장치용 집속 게이트 Download PDF

Info

Publication number
KR200158939Y1
KR200158939Y1 KR2019960031177U KR19960031177U KR200158939Y1 KR 200158939 Y1 KR200158939 Y1 KR 200158939Y1 KR 2019960031177 U KR2019960031177 U KR 2019960031177U KR 19960031177 U KR19960031177 U KR 19960031177U KR 200158939 Y1 KR200158939 Y1 KR 200158939Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate electrode
gate
tip
fed
focusing
Prior art date
Application number
KR2019960031177U
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980017789U (ko
Inventor
김태곤
Original Assignee
김영남
오리온전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영남, 오리온전기주식회사 filed Critical 김영남
Priority to KR2019960031177U priority Critical patent/KR200158939Y1/ko
Publication of KR19980017789U publication Critical patent/KR19980017789U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200158939Y1 publication Critical patent/KR200158939Y1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02Electron guns
    • H01J3/021Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2203/00Electron or ion optical arrangements common to discharge tubes or lamps
    • H01J2203/02Electron guns
    • H01J2203/0204Electron guns using cold cathodes, e.g. field emission cathodes
    • H01J2203/0208Control electrodes
    • H01J2203/0212Gate electrodes
    • H01J2203/0216Gate electrodes characterised by the form or structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

본 발명은 FED장치의 에미터 포커싱 전극 구조에 의해 집속효과를 높이는 FED장치용 집속 게이트에 관한 것으로써, 기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성된 FED장치에 있어서, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 Y자형상의 게이트 전극에 집속되기 때문에 디스플레이상의 화면밝기를 증가시켜 화상의 선명도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

FED장치용 집속 게이트
본 발명은 FED(FIELD-EMISSION DISPLAY)에 관한 것으로서, 특히 FED의 에미터의 포커싱 전극 구조에 의해 집속효과를 높이는 FED장치용 집속 게이트에 관한 것이다.
일반적으로 FED장치는 에미터 팁으로 부터 전자를 방출시켜 투명도전막이 형성된 애노우드의 형광물질에 충돌시킴으로써, 형광물질이 자극을 받아 형광체의 최외각 전자들이 여기되고 천이되는 과정에서 자극을 발생된 빛을 이용하여 원하는 화상을 표시하는 전계방출장치로서, 최소한의 전력으로 고해상도 및 고휘도의 칼라패턴을 표현할 수 있는 이점이 있어, 음극선관이나 액정 디스플레이(LCD) 등의 다른 표시장치를 대체할 수 있는 것으로서 현재 많은 연구가 진행되어 오고 있다.
일반적으로, 평판 디스플레이로서의 FED장치는 실리콘 기판과, 실리콘 기판상에 형성되어 전자를 방출하는 원추형팁 에미터가 형성된 캐소우드와, 팁 에미터에서 방출되는 전자에 의한 전류를 제어하는 게이트와, 형광 물질이 도포되어 있는 애노우드와, 팁 에미터와 애노우드 사이를 일정한 간격으로 유지하는 스페이서로 이루어진다.
이러한 FED장치에서 중요한 문제점중의 하나는 에미터에서 방출되는 전자 전류의 밀도를 증가시켜 디스플레이상의 화면밝기를 크게하는 것이다.
상기와 같이 형성된 종래의 FED의 단면을 도 1 에 도시하였다.
도 1 에 도시된 종래의 FED장치에 있어서는, 후면기판인 글래스(1)에 캐소우드 투명전극(INDIUM-TIN OXIDE)(2)이 증착되어 있고, 에미터 팁(9)이 게이트 절연막(3)과 같이 글래스(1)상에 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(3)상에 케이트 전극(4)이 증착되어 있었다.
상기와 같은 종래의 FED장치는 에미터 팁(9)에서 방출되는 전자빔은 케이트전극(4)이 하나이므로 분산되거나 직진성이 떨어져 전자의 전류밀도가 감소하게 되어 디스플레이상의 화면밝기가 감소되어 화상의 선명도가 흐려지게되어 사용자의 눈을 쉽게 피로하게하는 단점이 있었다.
또한, 에미터 팁(9)을 통하여 구조상 게이트전극(4)을 거쳐 전자빔이 집속되지 못하여 분산되어 방출되기 때문에 소비전력이 증가되는 문제점이 있었다.
상술한 문제점을 감안하여 창안된 것으로, 본 고안의 목적은 게이트 전극을 두 개를 설치하여 방출(EMISSION)특성을 향상시켜 분산되는 것을 집속시킬 수 있는 FED장치용 집속 게이트를 제공함에 있다.
도 1 은 종래의 FED장치의 단면을 나타내는 도면.
도 2 는 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 나타내는 도면.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10: 기판13: 절연막
14:게이트 전극15: 보조 게이트 전극
16: 팁
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 고안의 FED장치용 집속 게이트는 기판상에 게이트 절연막과 게이트전극이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁형성된 FED장치에 있어서, 상기 게이트 전극에 팁이 형성되어 있는 내측으로 보조팁이 형성되어 있는 것이 특징이다.
상기와 같이 구성된 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 2 는 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 나타내는 도면이다.
기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성되어 있고, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 Y자형상으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 있다.
기판(10)상에 캐소우드 전극(12)을 형성한 후 절연막(13)을 도포한후 게이트 전극(14)을 형성후 패턴하여 게이트 전극에 홀을 형성한다.
상기 게이트 전극(14)에 다른 금속물질을 이용하여 E-Beam을 이용하여 경사증착과 스퍼터링법을 병행하여 보조 게이트 전극(15)을 형성한다.
반응성 이온에칭을 이용하여 보조 게이트 전극(15)의 노출부를 식각후 Al희생층을 증착한후 게이트 절연막(13)을 식각한다.
상기 E-BEAM증착에 의해 메탈 팁(16)을 수직 방향성 증착후 Al희생층을 제거한다.
상기와 같은 방법으로 기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성되고, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 있다.
상기 게이트 전극(14)과 보조 게이트 전극(15)이 Y자형상으로 형성되어 있어 팁(16)에서 방출되는 전자를 집속시킬 수 있다.
따라서, 본 고안은 Y자형상의 게이트 전극에 의해 직진성의 전자의 전류밀도를 증가시켜 디스플레이상의 화면밝기를 증가시켜 화상의 선명도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 전자빔에서 방출되어 분산되는 것을 집속시킬 수 있어 불필요하게 분산되는 것을 미연에 방지하여 전력량 감소시킬 수 있다.

Claims (3)

  1. 기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성된 FED장치에 있어서,
    상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 보조 게이트 전극(15)이 형성됨을 특징으로 하는 FED장치용 집속 게이트.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 Y자형상으로 형성됨을 특징으로 하는 FED장치용 집속 게이트.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 보조 게이트 전극(15)의 형성각은 45。이하인 것을 특징으로 하는 FED장치용 집속 게이트.
KR2019960031177U 1996-09-24 1996-09-24 Fed장치용 집속 게이트 KR200158939Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960031177U KR200158939Y1 (ko) 1996-09-24 1996-09-24 Fed장치용 집속 게이트

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960031177U KR200158939Y1 (ko) 1996-09-24 1996-09-24 Fed장치용 집속 게이트

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980017789U KR19980017789U (ko) 1998-07-06
KR200158939Y1 true KR200158939Y1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=19467946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019960031177U KR200158939Y1 (ko) 1996-09-24 1996-09-24 Fed장치용 집속 게이트

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200158939Y1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120035096A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 한국전자통신연구원 쿼드 트리 변환 구조에서 부가 정보의 시그널링 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980017789U (ko) 1998-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6326725B1 (en) Focusing electrode for field emission displays and method
US6646282B1 (en) Field emission display device
US6815877B2 (en) Field emission display device with gradient distribution of electrical resistivity
US6825607B2 (en) Field emission display device
US7473154B2 (en) Method for manufacturing carbon nanotube field emission display
US6750617B2 (en) Field emission display device
US6838814B2 (en) Field emission display device
US7129626B2 (en) Pixel structure for an edge-emitter field-emission display
US6750616B2 (en) Field emission display device
KR200158939Y1 (ko) Fed장치용 집속 게이트
KR100785030B1 (ko) 전계방출소자 및 그 제조방법
KR20060024565A (ko) 전계 방출 소자 및 그 제조방법
US7348722B2 (en) Field emission device with focusing control electrode and field emission display
KR100580645B1 (ko) 이중 캐소드 전극을 가진 전계방출소자 및 전계방출표시소자
KR20070010660A (ko) 전자 방출 소자 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
JP2007005276A (ja) 電界放出陰極装置及び電界放出表示装置
KR100565200B1 (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조방법
KR20020066581A (ko) 면전자원을 구비한 대면적 평판 디스플레이 장치 및 이장치의 구동 방법
KR100532999B1 (ko) 전계 차폐판을 구비한 탄소 나노튜브 전계방출소자
KR100548256B1 (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 구동 방법
KR19980022877A (ko) 4개의 전극을 갖는 fed장치의 제조방법
KR100565199B1 (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조방법
KR20030083791A (ko) 전계 방출 표시소자
KR100343212B1 (ko) 수평전계효과전자방출소자및그제조방법
KR20050006927A (ko) 전계방출소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
LAPS Lapse due to unpaid annual fee