KR200158939Y1 - Fed장치용 집속 게이트 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 FED장치의 에미터 포커싱 전극 구조에 의해 집속효과를 높이는 FED장치용 집속 게이트에 관한 것으로써, 기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성된 FED장치에 있어서, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 Y자형상의 게이트 전극에 집속되기 때문에 디스플레이상의 화면밝기를 증가시켜 화상의 선명도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 FED(FIELD-EMISSION DISPLAY)에 관한 것으로서, 특히 FED의 에미터의 포커싱 전극 구조에 의해 집속효과를 높이는 FED장치용 집속 게이트에 관한 것이다.
일반적으로 FED장치는 에미터 팁으로 부터 전자를 방출시켜 투명도전막이 형성된 애노우드의 형광물질에 충돌시킴으로써, 형광물질이 자극을 받아 형광체의 최외각 전자들이 여기되고 천이되는 과정에서 자극을 발생된 빛을 이용하여 원하는 화상을 표시하는 전계방출장치로서, 최소한의 전력으로 고해상도 및 고휘도의 칼라패턴을 표현할 수 있는 이점이 있어, 음극선관이나 액정 디스플레이(LCD) 등의 다른 표시장치를 대체할 수 있는 것으로서 현재 많은 연구가 진행되어 오고 있다.
일반적으로, 평판 디스플레이로서의 FED장치는 실리콘 기판과, 실리콘 기판상에 형성되어 전자를 방출하는 원추형팁 에미터가 형성된 캐소우드와, 팁 에미터에서 방출되는 전자에 의한 전류를 제어하는 게이트와, 형광 물질이 도포되어 있는 애노우드와, 팁 에미터와 애노우드 사이를 일정한 간격으로 유지하는 스페이서로 이루어진다.
이러한 FED장치에서 중요한 문제점중의 하나는 에미터에서 방출되는 전자 전류의 밀도를 증가시켜 디스플레이상의 화면밝기를 크게하는 것이다.
상기와 같이 형성된 종래의 FED의 단면을 도 1 에 도시하였다.
도 1 에 도시된 종래의 FED장치에 있어서는, 후면기판인 글래스(1)에 캐소우드 투명전극(INDIUM-TIN OXIDE)(2)이 증착되어 있고, 에미터 팁(9)이 게이트 절연막(3)과 같이 글래스(1)상에 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(3)상에 케이트 전극(4)이 증착되어 있었다.
상기와 같은 종래의 FED장치는 에미터 팁(9)에서 방출되는 전자빔은 케이트전극(4)이 하나이므로 분산되거나 직진성이 떨어져 전자의 전류밀도가 감소하게 되어 디스플레이상의 화면밝기가 감소되어 화상의 선명도가 흐려지게되어 사용자의 눈을 쉽게 피로하게하는 단점이 있었다.
또한, 에미터 팁(9)을 통하여 구조상 게이트전극(4)을 거쳐 전자빔이 집속되지 못하여 분산되어 방출되기 때문에 소비전력이 증가되는 문제점이 있었다.
상술한 문제점을 감안하여 창안된 것으로, 본 고안의 목적은 게이트 전극을 두 개를 설치하여 방출(EMISSION)특성을 향상시켜 분산되는 것을 집속시킬 수 있는 FED장치용 집속 게이트를 제공함에 있다.
도 1 은 종래의 FED장치의 단면을 나타내는 도면.
도 2 는 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 나타내는 도면.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10: 기판13: 절연막
14:게이트 전극15: 보조 게이트 전극
16: 팁
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 고안의 FED장치용 집속 게이트는 기판상에 게이트 절연막과 게이트전극이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁형성된 FED장치에 있어서, 상기 게이트 전극에 팁이 형성되어 있는 내측으로 보조팁이 형성되어 있는 것이 특징이다.
상기와 같이 구성된 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 2 는 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 나타내는 도면이다.
기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성되어 있고, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 Y자형상으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 있다.
기판(10)상에 캐소우드 전극(12)을 형성한 후 절연막(13)을 도포한후 게이트 전극(14)을 형성후 패턴하여 게이트 전극에 홀을 형성한다.
상기 게이트 전극(14)에 다른 금속물질을 이용하여 E-Beam을 이용하여 경사증착과 스퍼터링법을 병행하여 보조 게이트 전극(15)을 형성한다.
반응성 이온에칭을 이용하여 보조 게이트 전극(15)의 노출부를 식각후 Al희생층을 증착한후 게이트 절연막(13)을 식각한다.
상기 E-BEAM증착에 의해 메탈 팁(16)을 수직 방향성 증착후 Al희생층을 제거한다.
상기와 같은 방법으로 기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성되고, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 있다.
상기 게이트 전극(14)과 보조 게이트 전극(15)이 Y자형상으로 형성되어 있어 팁(16)에서 방출되는 전자를 집속시킬 수 있다.
따라서, 본 고안은 Y자형상의 게이트 전극에 의해 직진성의 전자의 전류밀도를 증가시켜 디스플레이상의 화면밝기를 증가시켜 화상의 선명도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 전자빔에서 방출되어 분산되는 것을 집속시킬 수 있어 불필요하게 분산되는 것을 미연에 방지하여 전력량 감소시킬 수 있다.
Claims (3)
- 기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성된 FED장치에 있어서,상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 보조 게이트 전극(15)이 형성됨을 특징으로 하는 FED장치용 집속 게이트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 Y자형상으로 형성됨을 특징으로 하는 FED장치용 집속 게이트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보조 게이트 전극(15)의 형성각은 45。이하인 것을 특징으로 하는 FED장치용 집속 게이트.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR2019960031177U KR200158939Y1 (ko) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Fed장치용 집속 게이트 |
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KR2019960031177U KR200158939Y1 (ko) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Fed장치용 집속 게이트 |
Publications (2)
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KR19980017789U KR19980017789U (ko) | 1998-07-06 |
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KR2019960031177U KR200158939Y1 (ko) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Fed장치용 집속 게이트 |
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KR20120035096A (ko) * | 2010-10-04 | 2012-04-13 | 한국전자통신연구원 | 쿼드 트리 변환 구조에서 부가 정보의 시그널링 방법 및 장치 |
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1996
- 1996-09-24 KR KR2019960031177U patent/KR200158939Y1/ko not_active IP Right Cessation
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