KR20010055369A - 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극에 관한 것이다.
본 발명은 복수개의 홀들이 형성되어 챔버내부로 식각가스를 공급하는 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극에 있어서, 상기 캐소드전극(Cathode Electrode)의 전면에 카본계열의 물질이 함침되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 식각공정시 상기 캐소드전극 자체가 식각되는 것이 방지되어 수명이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 식각 장치의 캐소드전극에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캐소드전극의 전면에 카본계열의 물질이 함침되어 있는 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극에 관한 것이다.
일반적으로 반도체장치의 제조공정에서는 웨이퍼 상에 특정 패턴(Pattern)을 형성시키기 위하여 상기 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성시킨 후 사진식각공정을 수행한다.
상기 식각공정은 케미컬(Chemical) 등을 이용한 습식식각과 가스(Gas)반응 등을 이용한 건식식각 등으로 나눌 수 있다.
상기 건식식각은 챔버내부에 웨이퍼를 안착시킨 후 공정가스를 유입시켜 플라즈마를 형성하여 상기 플라즈마로 박막의 특정부분을 제거하는 식각방법이다.
상기 건식식각은 상기 챔버내부로 유입되는 공정가스, 챔버내부의 압력 및 챔버내의 캐소드전극과 애노드전극에 가해지는 고주파 플라즈마(RF Plasma) 등을 조절함으로써 제어된다.
도1은 종래의 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극을 나타내는 단면도이다.
도1을 참조하면 캐소드전극(1)은 웨이퍼가 안착되는 애노드전극과 쌍을 이루며 공정챔버의 상부에 위치한다.
상기 캐소드전극(1)내에는 소정 직경의 홀(12)들이 형성되어 있어 식각공정의 수행시 챔버내부에 공급되는 공정가스는 웨이퍼의 가장자리와 중심부에 균일하게 공급되도록 한다.
상기 캐소드전극(1)은 다공질의 흑연(Graphite) 재질로 제조된다.
그러므로 상기 캐소드전극(1)은 식각공정시 알루미늄 재질의 애노드전극보다 상기 플라즈마에 의해 더 식각되는 문제점이 있었다. 상기 캐소드전극(1)의 다공질 속으로 플라즈마가 스며들어 반응하기 때문이다.
또한 상기 캐소드전극(1)은 식각공정시 중앙부분이 가장자리 영역보다 더 식각되는 문제점이 있었다.
따라서 흑연재질의 캐소드전극(1)은 애노드전극보다 수명이 짧은 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 캐소드전극의 표면을 소정방법으로 처리하여 식각공정시 높은 식각 대항력을 갖는 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극을 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극을 나타내는 단면도이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극을 나타내는 단면도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 20 : 캐소드전극 12, 20 : 홀
24 : 함침부
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극는, 복수개의 홀(Hole)들이 형성되어 챔버내부로 식각가스를 공급하는 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극에 있어서, 상기 캐소드전극의 전면에 카본계열의 물질이 함침되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 카본계열 물질은 상기 캐소드전극 표면으로부터 5 내지 7mm 깊이까지 함침되어 있는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극을 나타내는 단면도이다.
도2를 참조하면 캐소드전극(20)은 소정직경의 홀(22)들이 형성되어 있으며그 표면은 약 6 mm 깊이까지 카본계열의 물질이 함침된 함침부(24)가 존재한다.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명에 의한 상기 캐소드전극(20)은 상기 함침부(24)에 의해 식각공정시 플라즈마에 대한 식각 대항력이 향상되어 종래의 중앙부분이 가장자리보다 더 식각되는 등의 국부적으로 식각되는 것이 최소화된다. 따라서 상기 캐소드전극(20)은 전체적으로 균일하게 식각되고 또한 식각속도가 낮아져 수명이 2 배이상 증가된다.
특히 상기 캐소드전극(20)은 불소(F)계열의 공정가스를 사용할 때 최적의 식각 대항력을 나타냈다.
따라서, 식각공정시 상기 캐소드전극 자체가 국부적으로 식각되는 것이 최소화되어 수명이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (2)
- 복수개의 홀(Hole)들이 형성되어 챔버내부로 식각가스를 공급하는 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극에 있어서,상기 캐소드전극(Cathode Electrode)의 전면에 카본계열의 물질이 함침되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극.
- 제 1 항에 있어서,상기 카본계열 물질은 상기 캐소드전극 표면으로부터 5 내지 7mm 깊이까지 함침되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극.
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| KR1019990056570A KR20010055369A (ko) | 1999-12-10 | 1999-12-10 | 반도체장치 제조용 식각장치의 캐소드전극 |
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| KR20010055369A true KR20010055369A (ko) | 2001-07-04 |
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| KR (1) | KR20010055369A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230039998A (ko) * | 2021-09-15 | 2023-03-22 | 정성욱 | 원뿔 구조와 홀의 균일도를 갖는 캐소드 가공방법 |
-
1999
- 1999-12-10 KR KR1019990056570A patent/KR20010055369A/ko not_active Application Discontinuation
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