KR102715194B1 - Method for producing conductive film - Google Patents
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Abstract
[과제] 캐리어 필름을 사용하여, 금속층 형성 도전성 필름을 제조할 때에, 금속층의 패터닝 정밀도가 양호한 도전성 필름을 제조하는 방법을 제공하는 것.
[해결 수단] 도전성 필름 (1) 의 제조 방법은, 투명 기재 (5), 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 순서대로 구비하는 중간 필름 (3) 과, 중간 필름 (3) 에 배치되는 캐리어 필름 (4) 을 구비하는 적층체 (2) 를 준비하는 준비 공정과, 제 1 금속층 (8) 에 드라이 클리닝 처리를 실시하여, 캐리어 필름 (4) 에서 유래하는 성분을 제거하는 제거 공정을 구비한다.[Task] To provide a method for manufacturing a conductive film having a good patterning precision of a metal layer when manufacturing a conductive film having a metal layer formed thereon using a carrier film.
[Solution] A method for manufacturing a conductive film (1) comprises a preparatory step of preparing a laminate (2) comprising an intermediate film (3) sequentially comprising a transparent substrate (5), a first transparent conductive layer (7), and a first metal layer (8), and a carrier film (4) arranged on the intermediate film (3), and a removal step of performing a dry cleaning process on the first metal layer (8) to remove components derived from the carrier film (4).
Description
본 발명은, 도전성 필름의 제조 방법, 상세하게는, 광학 용도에 바람직하게 사용되는 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a conductive film, and more particularly, to a method for producing a conductive film preferably used for optical purposes.
종래부터, 화상 표시 장치는, 터치 패널용 필름으로서, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 층 등의 투명 도전막을 투명 기재 상에 배치한 투명 도전성 필름을 구비하는 것이 알려져 있다. 최근, 이와 같은 투명 도전성 필름에 있어서, 터치 입력 영역의 외측 가장자리부에 주회 배선을 형성하여 프레임 협소화를 도모하기 위하여 투명 도전막의 표면에, 전극용의 구리막을 추가로 배치한 도전성 필름이 제안되어 있다.Conventionally, it has been known that image display devices have a transparent conductive film in which a transparent conductive film such as an indium tin oxide (ITO) layer is arranged on a transparent substrate as a film for a touch panel. Recently, a conductive film in which a copper film for electrodes is additionally arranged on the surface of the transparent conductive film in order to form a circuit wire at the outer edge of the touch input area of such a transparent conductive film and to achieve frame narrowing has been proposed.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 투명 기재 시트의 양면의 각각에, 패턴화된 투명 도전막 및 전극용 도전막 (구리막 등) 이 순서대로 적층된 양면 도전성의 터치 입력 시트가 개시되어 있다.For example,
그런데, 도전성 필름에서는, 제조시에, 도전성 필름의 품질 저하 (예를 들어, 변형이나 파손의 발생) 를 억제하기 위하여, 캐리어 필름을 사용하는 것이 검토된다.However, in conductive films, the use of a carrier film is being considered in order to suppress quality deterioration (e.g., occurrence of deformation or breakage) of the conductive film during manufacturing.
예를 들어, 투명 기재 시트의 일방면에, 제 1 투명 도전막 및 제 1 구리막을 형성한 후, 투명 기재 시트의 타방면에, 제 2 투명 도전막 및 제 2 구리막을 형성하기 전에, 제 1 투명 도전막과 제 1 구리막 사이에 발생하는 변형을 억제하기 위하여, 제 1 구리막의 표면에 캐리어 필름을 일시적으로 배치하는 것이 검토된다.For example, after forming a first transparent conductive film and a first copper film on one side of a transparent substrate sheet, and before forming a second transparent conductive film and a second copper film on the other side of the transparent substrate sheet, it is considered to temporarily place a carrier film on the surface of the first copper film in order to suppress deformation occurring between the first transparent conductive film and the first copper film.
그렇게 하면, 제 2 투명 도전막 및 제 2 구리막을 형성하고, 추가로 캐리어 필름을 박리한 후, 제 1 구리막을 패터닝할 때에, 캐리어 필름에 의한 오염에 의해, 패터닝 정밀도가 저하되는 문제가 발생한다.In doing so, when forming the second transparent conductive film and the second copper film, and further peeling off the carrier film and then patterning the first copper film, there is a problem that the patterning precision is reduced due to contamination by the carrier film.
본 발명은, 캐리어 필름을 사용하여, 금속층 형성 도전성 필름을 제조할 때에, 금속층의 패터닝 정밀도가 양호한 도전성 필름을 제조하는 방법을 제공하는 것에 있다.The present invention provides a method for manufacturing a conductive film having good patterning precision of a metal layer when manufacturing a conductive film having a metal layer formation using a carrier film.
본 발명 [1] 은, 투명 기재, 제 1 투명 도전층 및 제 1 금속층을 순서대로 구비하는 중간 필름과, 상기 중간 필름에 배치되는 캐리어 필름을 구비하는 적층체를 준비하는 준비 공정과, 상기 제 1 금속층에 드라이 클리닝 처리를 실시하여, 상기 캐리어 필름에서 유래하는 성분을 제거하는 제거 공정을 구비하는, 도전성 필름의 제조 방법을 포함한다.The present invention [1] includes a method for manufacturing a conductive film, comprising a preparatory step of preparing a laminate comprising an intermediate film sequentially comprising a transparent substrate, a first transparent conductive layer, and a first metal layer, and a carrier film arranged on the intermediate film, and a removal step of performing a dry cleaning process on the first metal layer to remove components derived from the carrier film.
본 발명 [2] 는, 상기 드라이 클리닝 처리가, 플라즈마 처리 또는 코로나 처리인, [1] 에 기재된 도전성 필름의 제조 방법을 포함한다.The present invention [2] includes a method for manufacturing a conductive film as described in [1], wherein the dry cleaning treatment is a plasma treatment or a corona treatment.
본 발명 [3] 은, 상기 제거 공정 후에 있어서의 상기 제 1 금속층의 수 접촉각이, 90 도 이하인, [1] 또는 [2] 에 기재된 도전성 필름의 제조 방법을 포함한다.The present invention [3] includes a method for manufacturing a conductive film as described in [1] or [2], wherein the water contact angle of the first metal layer after the removal process is 90 degrees or less.
본 발명 [4] 는, 상기 제거 공정 후에 있어서, 하기 (1) ∼ (3) 의 적어도 1 개의 요건을 만족하는, [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 도전성 필름의 제조 방법을 포함한다.The present invention [4] includes a method for producing a conductive film as described in any one of [1] to [3], which satisfies at least one of the following requirements (1) to (3) after the removal process.
(1) Cu+ 에 대한 C15H23O+ 의 상대 강도가, 7.8 × 10-2 이하이다.(1) The relative intensity of C 15 H 23 O + to Cu + is 7.8 × 10 -2 or less.
(2) Cu+ 에 대한 C6H13 + 의 상대 강도가, 6.1 × 10-3 이하이다.(2) The relative intensity of C 6 H 13 + to Cu + is 6.1 × 10 -3 or less.
(3) Cu- 에 대한 C18H35O2 - 의 상대 강도가, 4.3 × 10-2 이하이다.(3) The relative intensity of C 18 H 35 O 2 - to Cu - is 4.3 × 10 -2 or less.
본 발명 [5] 는, 상기 준비 공정은, 상기 투명 기재의 두께 방향 일방측에, 상기 제 1 투명 도전층 및 상기 제 1 금속층을 순서대로 배치하는 공정과, 상기 제 1 금속층의 두께 방향 일방측에, 상기 캐리어 필름을 배치하는 공정과, 상기 투명 기재의 두께 방향 타방측에, 제 2 투명 도전층 및 제 2 금속층을 순서대로 배치하는 공정과, 상기 캐리어 필름을 제거하는 공정을 순서대로 구비하는, [1] ∼ [4] 중 어느 한 항의 도전성 필름의 제조 방법을 포함한다.The present invention [5] includes a method for manufacturing a conductive film according to any one of [1] to [4], wherein the preparation step sequentially comprises a step of arranging the first transparent conductive layer and the first metal layer on one side in the thickness direction of the transparent substrate, a step of arranging the carrier film on one side in the thickness direction of the first metal layer, a step of arranging the second transparent conductive layer and the second metal layer on the other side in the thickness direction of the transparent substrate, and a step of removing the carrier film.
본 발명 [6] 은, 상기 준비 공정은, 상기 투명 기재의 두께 방향 타방측에, 상기 캐리어 필름을 배치하는 공정과, 상기 투명 기재의 두께 방향 일방측에, 제 1 투명 도전층 및 제 1 금속층을 순서대로 배치하는 공정을 순서대로 구비하는, [1] ∼ [4] 중 어느 한 항의 도전성 필름의 제조 방법을 포함한다.The present invention [6] includes a method for manufacturing a conductive film according to any one of [1] to [4], wherein the preparation process sequentially comprises a process of arranging the carrier film on the other side in the thickness direction of the transparent substrate, and a process of sequentially arranging a first transparent conductive layer and a first metal layer on one side in the thickness direction of the transparent substrate.
본 발명의 도전성 필름의 제조 방법에 의하면, 제 1 금속층에 드라이 클리닝 처리를 실시하기 위하여, 캐리어 필름에서 유래하는 성분 (잔류물) 을 제거할 수 있다. 따라서, 제 1 금속층을 패터닝할 때에, 패터닝용 레지스트막과 제 1 금속층의 계면에 간극이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 제 1 금속층의 패터닝 정밀도가 우수하다.According to the method for manufacturing a conductive film of the present invention, in order to perform a dry cleaning process on the first metal layer, components (residues) derived from the carrier film can be removed. Therefore, when patterning the first metal layer, it is possible to suppress the occurrence of a gap at the interface between the patterning resist film and the first metal layer. Therefore, the patterning precision of the first metal layer is excellent.
도 1A ∼ H 는, 본 발명의 도전성 필름의 제조 방법의 제 1 실시형태의 공정도를 나타내고, 도 1A 는, 투명 기재를 준비하는 공정, 도 1B 는, 하드 코트층을 배치하는 공정, 도 1C 는, 제 1 투명 도전층을 배치하는 공정, 도 1D 는, 제 1 금속층을 배치하는 공정, 도 1E 는, 캐리어 필름을 배치하는 공정, 도 1F 는, 제 2 투명 도전층을 배치하는 공정, 도 1G 는, 제 2 금속층을 배치하는 공정, 도 1H 는, 도전성 필름을 얻는 공정을 나타낸다.
도 2A ∼ C 는, 플라즈마 처리의 방식의 사시도 및 그 측면도를 나타내고, 도 2A 는, 리모트 방식, 도 2B 는, 다이렉트 방식, 도 2C 는, 프로브 방식을 나타낸다.
도 3A ∼ F 는, 본 발명의 패터닝 도전성 필름의 제조 방법의 공정도를 나타내고, 도 3A 는, 드라이 필름 레지스트를 배치하는 공정, 도 3B 는, 드라이 필름 레지스트를 패터닝하는 공정, 도 3C 는, 제 1 금속층을 에칭하는 공정, 도 3D 는, 드라이 필름 레지스트를 제거하는 공정, 도 3E 는, 제 2 금속층을 에칭하는 공정, 도 3F 는, 제 1 투명 도전층 및 제 2 투명 도전층을 에칭하는 공정을 나타낸다.
도 4A ∼ B 는, 도 1H 에 나타내는 도전성 필름의 제조 방법의 변형예를 나타내고, 도 4A 는, 광학 조정층을 배치하는 공정, 도 4B 는, 도 1H 에 나타내는 도전성 필름의 변형예 (광학 조정층을 구비하는 형태) 를 얻는 공정을 나타낸다.
도 5A ∼ F 는, 본 발명의 도전성 필름의 제조 방법의 제 2 실시형태의 공정도를 나타내고, 도 5A 는, 투명 기재를 준비하는 공정, 도 5B 는, 캐리어 필름을 배치하는 공정, 도 5C 는, 하드 코트층을 배치하는 공정, 도 5D 는, 제 1 투명 도전층을 배치하는 공정, 도 5E 는, 제 1 금속층을 배치하는 공정, 도 5F 는, 도전성 필름을 얻는 공정을 나타낸다.FIGS. 1A to 1H show process diagrams of a first embodiment of a method for manufacturing a conductive film of the present invention, wherein FIG. 1A shows a process for preparing a transparent substrate, FIG. 1B shows a process for arranging a hard coat layer, FIG. 1C shows a process for arranging a first transparent conductive layer, FIG. 1D shows a process for arranging a first metal layer, FIG. 1E shows a process for arranging a carrier film, FIG. 1F shows a process for arranging a second transparent conductive layer, FIG. 1G shows a process for arranging a second metal layer, and FIG. 1H shows a process for obtaining a conductive film.
Figures 2A to 2C show a perspective view and a side view of a plasma treatment method, with Figure 2A showing a remote method, Figure 2B showing a direct method, and Figure 2C showing a probe method.
FIGS. 3A to 3F are process diagrams of a method for manufacturing a patterned conductive film of the present invention, wherein FIG. 3A shows a process of disposing a dry film resist, FIG. 3B shows a process of patterning a dry film resist, FIG. 3C shows a process of etching a first metal layer, FIG. 3D shows a process of removing a dry film resist, FIG. 3E shows a process of etching a second metal layer, and FIG. 3F shows a process of etching a first transparent conductive layer and a second transparent conductive layer.
FIGS. 4A to 4B show a modified example of the method for manufacturing a conductive film shown in FIG. 1H. FIG. 4A shows a process for arranging an optical adjustment layer, and FIG. 4B shows a process for obtaining a modified example of the conductive film shown in FIG. 1H (a form having an optical adjustment layer).
FIGS. 5A to 5F show process diagrams of a second embodiment of a method for manufacturing a conductive film of the present invention, wherein FIG. 5A shows a process for preparing a transparent substrate, FIG. 5B shows a process for arranging a carrier film, FIG. 5C shows a process for arranging a hard coat layer, FIG. 5D shows a process for arranging a first transparent conductive layer, FIG. 5E shows a process for arranging a first metal layer, and FIG. 5F shows a process for obtaining a conductive film.
도 1A 에 있어서, 지면 (紙面) 상하 방향은, 상하 방향 (두께 방향, 제 1 방향) 이고, 지면 상측이, 상측 (두께 방향 일방측, 제 1 방향 일방측), 지면 하측이, 하측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다. 또, 지면 좌우 방향 및 깊이 방향은, 상하 방향과 직교하는 면 방향이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다. 또한, 이들 방향의 정의에 의해, 본 발명의 도전성 필름의 제조시 및 사용시의 방향을 한정하려는 의도는 없다.In Fig. 1A, the up-down direction of the paper surface is the up-down direction (thickness direction, first direction), the upper side of the paper surface is the upper side (one side of the thickness direction, one side of the first direction), and the lower side of the paper surface is the lower side (the other side of the thickness direction, the other side of the first direction). In addition, the left-right direction of the paper surface and the depth direction are plane directions orthogonal to the up-down direction. Specifically, they are based on the direction arrows of each drawing. In addition, there is no intention to limit the direction at the time of manufacturing and using the conductive film of the present invention by the definition of these directions.
＜제 1 실시형태＞＜
도 1A ∼ 도 2C 를 참조하여, 본 발명의 도전성 필름의 제조 방법의 제 1 실시형태로서, 양면 금속층이 형성된 도전성 필름 (1) 의 제조 방법을 설명한다.Referring to FIGS. 1A to 2C, a method for manufacturing a conductive film (1) having a double-sided metal layer formed thereon will be described as a first embodiment of a method for manufacturing a conductive film of the present invention.
도전성 필름 (1) 의 제조 방법의 일 실시형태는, 예를 들어, 준비 공정과 제거 공정을 구비한다. 바람직하게는, 이 제조 방법은, 전부 롤 투 롤 방식으로 실시된다.One embodiment of a method for manufacturing a conductive film (1) comprises, for example, a preparation process and a removal process. Preferably, this manufacturing method is carried out entirely in a roll-to-roll manner.
1. 준비 공정 1. Preparation process
준비 공정에서는, 도 1A ∼ G 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (2) 를 준비한다.In the preparation process, a laminate (2) is prepared as shown in Figs. 1A to 1G.
적층체 (2) 는, 도 1G 에 나타내는 바와 같이, 중간 필름 (3) 과 그 상면에 배치되는 캐리어 필름 (4) 을 구비한다. 이하, 각 필름을 설명한다.The laminate (2) has an intermediate film (3) and a carrier film (4) arranged on its upper surface, as shown in Fig. 1G. Hereinafter, each film will be described.
(중간 필름) (Middle film)
중간 필름 (3) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고, 면 방향 (제 1 방향 및 제 2 방향) 으로 연장되고, 평탄한 상면 (두께 방향 일방면) 및 평탄한 하면 (두께 방향 타방면) 을 갖는다.The intermediate film (3) has a film shape (including a sheet shape), extends in the plane direction (the first direction and the second direction), and has a flat upper surface (one side in the thickness direction) and a flat lower surface (the other side in the thickness direction).
중간 필름 (3) 은, 투명 기재 (5) 와, 투명 기재 (5) 의 상측에 배치되는 제 1 하드 코트층 (6) 과, 제 1 하드 코트층 (6) 의 상측에 배치되는 제 1 투명 도전층 (7) 과, 제 1 투명 도전층 (7) 의 상측에 배치되는 제 1 금속층 (8) 과, 투명 기재 (5) 의 하측에 배치되는 제 2 하드 코트층 (9) 과, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하측에 배치되는 제 2 투명 도전층 (10) 과, 제 2 투명 도전층 (10) 의 하측에 배치되는 제 2 금속층 (11) 을 구비한다. 즉, 중간 필름 (3) 은, 제 2 금속층 (11), 제 2 투명 도전층 (10), 제 2 하드 코트층 (9), 투명 기재 (5), 제 1 하드 코트층 (6), 제 1 투명 도전층 (7), 및 제 1 금속층 (8) 을 아래로부터 순서대로 구비한다. 즉, 중간 필름 (3) 은, 투명 기재 (5) 의 양측에, 하드 코트층, 투명 도전층 및 금속층을 순서대로 구비하는 양면 도전성 필름이다. 이하, 각 층에 대해 상세히 서술한다.The intermediate film (3) comprises a transparent substrate (5), a first hard coat layer (6) arranged on the upper side of the transparent substrate (5), a first transparent conductive layer (7) arranged on the upper side of the first hard coat layer (6), a first metal layer (8) arranged on the upper side of the first transparent conductive layer (7), a second hard coat layer (9) arranged on the lower side of the transparent substrate (5), a second transparent conductive layer (10) arranged on the lower side of the second hard coat layer (9), and a second metal layer (11) arranged on the lower side of the second transparent conductive layer (10). That is, the intermediate film (3) is provided with a second metal layer (11), a second transparent conductive layer (10), a second hard coat layer (9), a transparent substrate (5), a first hard coat layer (6), a first transparent conductive layer (7), and a first metal layer (8) in that order from below. That is, the intermediate film (3) is a double-sided conductive film that is provided with a hard coat layer, a transparent conductive layer, and a metal layer in that order on both sides of the transparent substrate (5). Hereinafter, each layer will be described in detail.
투명 기재 (5) 는, 도전성 필름 (1) 의 기계 강도를 확보하기 위한 기재이다. 즉, 투명 기재 (5) 는, 후술하는 투명 도전층 (제 1 투명 도전층 (7), 제 2 투명 도전층 (10)) 및 금속층 (제 1 금속층 (8), 제 2 금속층 (11)) 을, 후술하는 하드 코트층 (제 1 하드 코트층 (6), 제 2 하드 코트층 (9)) 과 함께 지지하고 있다.The transparent substrate (5) is a substrate for securing the mechanical strength of the conductive film (1). That is, the transparent substrate (5) supports a transparent conductive layer (a first transparent conductive layer (7), a second transparent conductive layer (10)) and a metal layer (a first metal layer (8), a second metal layer (11)) described later, together with a hard coat layer (a first hard coat layer (6), a second hard coat layer (9)) described later.
투명 기재 (5) 는, 필름 형상을 갖고, 예를 들어, 투명성을 갖는 고분자 필름이다.The transparent substrate (5) is a polymer film having a film shape and having transparency, for example.
투명 기재 (5) 의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 예를 들어, 폴리메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로올레핀 폴리머 (예를 들어, 노르보르넨계, 시클로펜타디엔계) 등의 올레핀 수지, 예를 들어, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지 등을 들 수 있다. 투명 기재 (5) 의 재료는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.Examples of the material of the transparent substrate (5) include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; (meth)acrylic resins (acrylic resins and/or methacrylic resins) such as polymethacrylate; olefin resins such as polyethylene, polypropylene, and cycloolefin polymers (e.g., norbornene series, cyclopentadiene series); and polycarbonate resins, polyethersulfone resins, polyarylate resins, melamine resins, polyamide resins, polyimide resins, cellulose resins, and polystyrene resins. The materials of the transparent substrate (5) may be used alone or in combination of two or more.
투명성, 저복굴절성 등의 광학 특성의 관점에서, 바람직하게는, 올레핀 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 시클로올레핀 폴리머를 들 수 있다.From the viewpoint of optical properties such as transparency and low birefringence, preferably, an olefin resin can be mentioned, and more preferably, a cycloolefin polymer can be mentioned.
투명 기재 (5) 의 전광선 투과율 (JIS K 7375-2008) 은, 예를 들어, 80 ％ 이상, 바람직하게는, 85 ％ 이상이다.The total light transmittance (JIS K 7375-2008) of the transparent material (5) is, for example, 80% or more, preferably, 85% or more.
투명 기재 (5) 의 두께는, 예를 들어, 200 ㎛ 이하, 바람직하게는, 150 ㎛ 이하이고, 또 예를 들어, 10 ㎛ 이상, 바람직하게는, 15 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는, 25 ㎛ 이상이다. 투명 기재 (5) 의 두께가 상기 상한 이하이면, 도전성 필름 (1) 의 박막화를 도모할 수 있다. 투명 기재 (5) 의 두께가 상기 하한 이상이면, 도전성 필름 (1) 의 기계 강도가 우수하다.The thickness of the transparent substrate (5) is, for example, 200 µm or less, preferably, 150 µm or less, and further, for example, 10 µm or more, preferably, 15 µm or more, more preferably, 25 µm or more. When the thickness of the transparent substrate (5) is equal to or less than the above upper limit, the conductive film (1) can be made thinner. When the thickness of the transparent substrate (5) is equal to or greater than the above lower limit, the mechanical strength of the conductive film (1) is excellent.
본 발명에 있어서, 필름의 두께는, 예를 들어, 두께가 1 ㎛ 이상인 경우에는, 마이크로 게이지식 두께계를 사용하여 측정할 수 있고, 예를 들어, 두께가 1 ㎛ 미만인 경우는, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 측정할 수 있다.In the present invention, the thickness of the film can be measured using a micro gauge thickness meter, for example, when the thickness is 1 ㎛ or more, and can be measured using an instantaneous multi-photometering system, for example, when the thickness is less than 1 ㎛.
제 1 하드 코트층 (6) 은, 복수의 도전성 필름 (1) 을 적층한 경우 등에, 도전성 필름 (1) 의 표면 (즉, 제 1 금속층 (8) 의 상면, 제 2 금속층 (11) 의 하면) 에 찰상을 잘 발생시키지 않게 하기 위한 찰상 보호층이다. 또, 도전성 필름 (1) 에 내블로킹성을 부여하기 위한 안티 블로킹층으로 할 수도 있다.The first hard coat layer (6) is an abrasion protection layer for preventing abrasions from easily occurring on the surface of the conductive film (1) (i.e., the upper surface of the first metal layer (8) and the lower surface of the second metal layer (11)) when a plurality of conductive films (1) are laminated. In addition, it can also be used as an anti-blocking layer for imparting blocking resistance to the conductive film (1).
제 1 하드 코트층 (6) 은, 필름 형상을 갖고 있고, 예를 들어, 투명 기재 (5) 의 상면 전체면에, 투명 기재 (5) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 1 하드 코트층 (6) 은, 투명 기재 (5) 와 제 1 투명 도전층 (7) 사이에, 투명 기재 (5) 의 상면 및 제 1 투명 도전층 (7) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The first hard coat layer (6) has a film shape and is arranged, for example, on the entire upper surface of the transparent substrate (5) so as to be in contact with the upper surface of the transparent substrate (5). More specifically, the first hard coat layer (6) is arranged between the transparent substrate (5) and the first transparent conductive layer (7) so as to be in contact with the upper surface of the transparent substrate (5) and the lower surface of the first transparent conductive layer (7).
제 1 하드 코트층 (6) 은, 예를 들어, 하드 코트 조성물로 형성된다. 하드 코트 조성물은, 수지 성분을 함유하고, 바람직하게는, 수지 성분으로 이루어진다.The first hard coat layer (6) is formed of, for example, a hard coat composition. The hard coat composition contains a resin component, and is preferably made of a resin component.
수지 성분으로는, 예를 들어, 경화성 수지, 열가소성 수지 (예를 들어, 폴리올레핀 수지) 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 경화성 수지를 들 수 있다.Examples of the resin component include a curable resin, a thermoplastic resin (e.g., a polyolefin resin), and the like, and preferably, a curable resin.
경화성 수지로는, 예를 들어, 활성 에너지선 (구체적으로는, 자외선, 전자선 등) 의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지, 예를 들어, 가열에 의해 경화되는 열경화성 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.As the curable resin, examples thereof include an active energy ray-curable resin that is cured by irradiation with an active energy ray (specifically, ultraviolet rays, electron rays, etc.), a thermosetting resin that is cured by heating, and an active energy ray-curable resin is preferable.
활성 에너지선 경화성 수지는, 예를 들어, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 그러한 관능기로는, 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴로일기 (메타크릴로일기 및/또는 아크릴로일기) 등을 들 수 있다.The active energy ray-curable resin may include, for example, a polymer having a functional group having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule. Such functional groups include, for example, a vinyl group, a (meth)acryloyl group (methacryloyl group and/or acryloyl group), etc.
활성 에너지선 경화성 수지로는, 구체적으로는, 예를 들어, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.As for the active energy ray-curable resin, specific examples thereof include (meth)acrylic ultraviolet-curable resins such as urethane acrylate and epoxy acrylate.
또, 활성 에너지선 경화성 수지 이외의 경화성 수지로는, 예를 들어, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등을 들 수 있다.In addition, curable resins other than active energy ray curable resins include, for example, urethane resins, melamine resins, alkyd resins, siloxane polymers, and organic silane condensates.
수지 성분은, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.The resin components can be used alone or in combination of two or more.
하드 코트 조성물은, 입자를 추가로 함유할 수도 있다. 이로써, 하드 코트층을, 내블로킹 특성을 갖는 안티 블로킹층으로 할 수 있다.The hard coat composition may additionally contain particles. As a result, the hard coat layer can be made into an anti-blocking layer having anti-blocking properties.
입자로는, 무기 입자, 유기 입자 등을 들 수 있다. 무기 입자로는, 예를 들어, 실리카 입자, 예를 들어, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화아연, 산화주석 등으로 이루어지는 금속 산화물 입자, 예를 들어, 탄산칼슘 등의 탄산염 입자 등을 들 수 있다. 유기 입자로는, 예를 들어, 가교 아크릴 수지 입자 등을 들 수 있다. 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.Examples of the particles include inorganic particles, organic particles, etc. The inorganic particles include, for example, silica particles; metal oxide particles such as zirconium oxide, titanium oxide, zinc oxide, tin oxide, etc.; carbonate particles such as calcium carbonate, etc. The organic particles include, for example, cross-linked acrylic resin particles. The particles may be used alone or in combination of two or more.
하드 코트 조성물에는, 추가로, 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.The hard coat composition may additionally contain known additives such as a leveling agent, a thixotropic agent, and an antistatic agent.
제 1 하드 코트층 (6) 의 두께는, 내찰상성의 관점에서, 예를 들어, 0.5 ㎛ 이상, 바람직하게는, 1 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 바람직하게는, 3 ㎛ 이하이다.The thickness of the first hard coat layer (6) is, from the viewpoint of scratch resistance, for example, 0.5 µm or more, preferably 1 µm or more, and also, for example, 10 µm or less, preferably 3 µm or less.
제 1 투명 도전층 (7) 은, 후공정에서 원하는 패턴으로 형성하고, 예를 들어, 터치 패널의 터치 입력 영역에 있어서의 배선 패턴이나 전극 패턴을 형성하기 위한 투명한 도전층이다.The first transparent conductive layer (7) is a transparent conductive layer formed into a desired pattern in a post-process, for example, to form a wiring pattern or electrode pattern in a touch input area of a touch panel.
제 1 투명 도전층 (7) 은, 필름 형상을 갖고 있고, 예를 들어, 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면 전체면에, 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 1 투명 도전층 (7) 은, 제 1 하드 코트층 (6) 과 제 1 금속층 (8) 사이에, 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면 및 제 1 금속층 (8) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The first transparent conductive layer (7) has a film shape and is arranged, for example, on the entire upper surface of the first hard coat layer (6) so as to be in contact with the upper surface of the first hard coat layer (6). More specifically, the first transparent conductive layer (7) is arranged between the first hard coat layer (6) and the first metal layer (8) so as to be in contact with the upper surface of the first hard coat layer (6) and the lower surface of the first metal layer (8).
제 1 투명 도전층 (7) 의 재료로는, 예를 들어, In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 함유하는 금속 산화물을 들 수 있다. 금속 산화물에는, 필요에 따라, 추가로 상기 군에 나타내어진 금속 원자를 도프하고 있어도 된다.As a material of the first transparent conductive layer (7), for example, a metal oxide containing at least one metal selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W can be exemplified. The metal oxide may be further doped with a metal atom shown in the above group, if necessary.
제 1 투명 도전층 (7) 의 재료는, 예를 들어, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 등의 인듐 함유 산화물, 예를 들어, 안티몬 주석 복합 산화물 (ATO) 등의 안티몬 함유 산화물 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 인듐 함유 산화물, 보다 바람직하게는, ITO 를 들 수 있다.The material of the first transparent conductive layer (7) may include, for example, an indium-containing oxide such as indium tin composite oxide (ITO), an antimony-containing oxide such as antimony tin composite oxide (ATO), and the like, preferably, an indium-containing oxide, and more preferably, ITO.
제 1 투명 도전층 (7) 의 재료로서 ITO 를 사용하는 경우, 산화주석 (SnO2) 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대해, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는, 3 질량％ 이상이고, 또 예를 들어, 15 질량％ 이하, 바람직하게는, 13 질량％ 이하이다. 산화주석의 함유량이 상기 하한 이상이면, ITO 층의 내구성을 한층 더 양호하게 할 수 있다. 산화주석의 함유량이 상기 상한 이하이면, ITO 층의 결정 전화를 용이하게 하여, 투명성이나 비저항의 안정성을 향상시킬 수 있다.When ITO is used as the material of the first transparent conductive layer (7), the tin oxide (SnO 2 ) content is, for example, 0.5 mass% or more, preferably, 3 mass% or more, and, for example, 15 mass% or less, preferably, 13 mass% or less, based on the total amount of tin oxide and indium oxide ( In 2 O 3 ). When the tin oxide content is equal to or greater than the lower limit above, the durability of the ITO layer can be further improved. When the tin oxide content is equal to or less than the upper limit above, the crystal conversion of the ITO layer can be facilitated, thereby improving the stability of transparency or resistivity.
본 명세서 중에 있어서의「ITO」란, 적어도 인듐 (In) 과 주석 (Sn) 을 함유하는 복합 산화물이면 되고, 이들 이외의 추가 성분을 함유해도 된다. 추가 성분으로는, 예를 들어, In, Sn 이외의 금속 원소를 들 수 있고, 구체적으로는, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga 등을 들 수 있다.In this specification, “ITO” refers to a composite oxide containing at least indium (In) and tin (Sn), and may contain additional components other than these. Examples of the additional components include metal elements other than In and Sn, and specifically, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga, etc.
제 1 투명 도전층 (7) 은, 결정질 및 비정질 중 어느 것이어도 되고, 또 결정질 및 비정질의 혼합체여도 된다.The first transparent conductive layer (7) may be either crystalline or amorphous, or may be a mixture of crystalline and amorphous.
제 1 투명 도전층 (7) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는, 20 ㎚ 이상이고, 또 예를 들어, 50 ㎚ 이하, 바람직하게는, 30 ㎚ 이하이다.The thickness of the first transparent conductive layer (7) is, for example, 10 nm or more, preferably, 20 nm or more, and further, for example, 50 nm or less, preferably, 30 nm or less.
제 1 금속층 (8) 은, 후공정에서 원하는 패턴으로 형성하고, 예를 들어, 터치 패널의 터치 입력 영역의 외측 (외주) 의 외측 가장자리부 (외주 가장자리부) 에 있어서의 배선 패턴 (예를 들어, 주회 배선) 을 형성하기 위한 도전성의 금속층이다.The first metal layer (8) is a conductive metal layer formed in a desired pattern in a post-process, for example, to form a wiring pattern (e.g., a circuit wiring) on the outer edge (outer edge) of the outer side (outer periphery) of the touch input area of the touch panel.
제 1 금속층 (8) 은, 중간 필름 (3) 의 최상층이다. 제 1 금속층 (8) 은, 필름 형상을 갖고 있고, 제 1 투명 도전층 (7) 의 상면 전체면에, 제 1 투명 도전층 (7) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다.The first metal layer (8) is the uppermost layer of the intermediate film (3). The first metal layer (8) has a film shape and is arranged on the entire upper surface of the first transparent conductive layer (7) so as to be in contact with the upper surface of the first transparent conductive layer (7).
제 1 금속층 (8) 의 재료로는, 예를 들어, 구리, 니켈, 크롬, 철, 티탄, 또는, 그들 합금 등의 금속을 들 수 있다. 도전성 등의 관점에서, 바람직하게는 구리를 들 수 있다.As a material of the first metal layer (8), metals such as copper, nickel, chromium, iron, titanium, or alloys thereof can be mentioned, for example. From the viewpoint of conductivity, etc., copper is preferable.
또한, 제 1 금속층 (8) 이, 구리 등의 산화가 발생하기 쉬운 재료인 경우, 제 1 금속층 (8) 의 표면은 산화되어 있어도 된다. 구체적으로는, 제 1 금속층 (8) 이, 구리층인 경우는, 제 1 금속층 (8) 은, 표면의 일부 또는 전부에 산화구리를 구비하는 구리층이어도 된다.In addition, when the first metal layer (8) is a material that is prone to oxidation, such as copper, the surface of the first metal layer (8) may be oxidized. Specifically, when the first metal layer (8) is a copper layer, the first metal layer (8) may be a copper layer having copper oxide on part or all of the surface.
제 1 금속층 (8) 의 두께는, 예를 들어, 100 ㎚ 이상, 바람직하게는 150 ㎚ 이상이고, 또 예를 들어, 400 ㎚ 이하, 바람직하게는 300 ㎚ 이하이다. 제 1 금속층 (8) 의 두께가 상기 하한 이상이면, 제 1 금속층 (8) 의 표면 저항치를 낮게할 수 있어, 도전성이 우수하다. 그 때문에, 터치 패널의 대형화에 대응하여, 한층 더 좁은 폭으로 장척인 배선 패턴 (프레임부의 주회 배선) 을 형성하는 것이 가능해진다. 또, 제 1 금속층 (8) 의 두께가 상기 상한 이하이면, 프레임부의 박막화를 도모할 수 있다.The thickness of the first metal layer (8) is, for example, 100 nm or more, preferably 150 nm or more, and further, for example, 400 nm or less, preferably 300 nm or less. When the thickness of the first metal layer (8) is equal to or greater than the lower limit described above, the surface resistance of the first metal layer (8) can be reduced, resulting in excellent conductivity. Therefore, in response to the enlargement of the touch panel, it becomes possible to form a long wiring pattern (circular wiring of the frame portion) with an even narrower width. In addition, when the thickness of the first metal layer (8) is equal to or less than the upper limit described above, it is possible to achieve thinning of the frame portion.
제 2 하드 코트층 (9) 은, 제 1 하드 코트층 (6) 과 마찬가지로, 찰상 보호층이고, 또 안티 블로킹층으로 할 수도 있다.The second hard coat layer (9), like the first hard coat layer (6), is an abrasion protection layer and may also be an anti-blocking layer.
제 2 하드 코트층 (9) 은, 필름 형상을 갖고 있고, 투명 기재 (5) 의 하면 전체면에, 투명 기재 (5) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 2 하드 코트층 (9) 은, 투명 기재 (5) 와 제 2 투명 도전층 (10) 사이에, 투명 기재 (5) 의 하면 및 제 2 투명 도전층 (10) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다.The second hard coat layer (9) has a film shape and is arranged on the entire lower surface of the transparent substrate (5) so as to be in contact with the lower surface of the transparent substrate (5). More specifically, the second hard coat layer (9) is arranged between the transparent substrate (5) and the second transparent conductive layer (10) so as to be in contact with the lower surface of the transparent substrate (5) and the upper surface of the second transparent conductive layer (10).
제 2 하드 코트층 (9) 은, 하드 코트 조성물로 형성된다. 제 2 하드 코트층 (9) 에 사용되는 하드 코트 조성물은, 제 1 하드 코트층 (6) 에서 상기 서술한 하드 코트 조성물과 동일하다.The second hard coat layer (9) is formed of a hard coat composition. The hard coat composition used in the second hard coat layer (9) is the same as the hard coat composition described above in the first hard coat layer (6).
제 2 하드 코트층 (9) 의 두께는, 예를 들어, 0.5 ㎛ 이상, 바람직하게는, 1 ㎛ 이상이고, 또 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 바람직하게는, 3 ㎛ 이하이다.The thickness of the second hard coat layer (9) is, for example, 0.5 µm or more, preferably, 1 µm or more, and further, for example, 10 µm or less, preferably, 3 µm or less.
제 2 투명 도전층 (10) 은, 제 1 투명 도전층 (7) 과 마찬가지로, 투명한 도전층이다.The second transparent conductive layer (10), like the first transparent conductive layer (7), is a transparent conductive layer.
제 2 투명 도전층 (10) 은, 필름 형상을 갖고 있고, 예를 들어, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면 전체면에, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 제 2 투명 도전층 (10) 은, 제 2 하드 코트층 (9) 과 제 2 금속층 (11) 사이에, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면 및 제 2 금속층 (11) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다.The second transparent conductive layer (10) has a film shape and is arranged, for example, on the entire lower surface of the second hard coat layer (9) so as to be in contact with the lower surface of the second hard coat layer (9). More specifically, the second transparent conductive layer (10) is arranged between the second hard coat layer (9) and the second metal layer (11) so as to be in contact with the lower surface of the second hard coat layer (9) and the upper surface of the second metal layer (11).
제 2 투명 도전층 (10) 의 재료로는, 제 1 투명 도전층 (7) 의 재료와 동일하다.The material of the second transparent conductive layer (10) is the same as the material of the first transparent conductive layer (7).
제 2 투명 도전층 (10) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는, 20 ㎚ 이상이고, 또 예를 들어, 50 ㎚ 이하, 바람직하게는, 30 ㎚ 이하이다.The thickness of the second transparent conductive layer (10) is, for example, 10 nm or more, preferably, 20 nm or more, and further, for example, 50 nm or less, preferably, 30 nm or less.
제 2 금속층 (11) 은, 제 1 금속층 (8) 과 마찬가지로, 도전성의 금속층이다.The second metal layer (11), like the first metal layer (8), is a conductive metal layer.
제 2 금속층 (11) 은, 도전성 필름 (1) 의 최하층이다. 제 2 금속층 (11) 은, 필름 형상을 갖고 있고, 제 2 투명 도전층 (10) 의 하면 전체면에, 제 2 투명 도전층 (10) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The second metal layer (11) is the lowermost layer of the conductive film (1). The second metal layer (11) has a film shape and is arranged on the entire lower surface of the second transparent conductive layer (10) so as to be in contact with the lower surface of the second transparent conductive layer (10).
제 2 금속층 (11) 의 재료로는, 제 1 금속층 (8) 의 재료와 마찬가지이다.The material of the second metal layer (11) is the same as the material of the first metal layer (8).
제 2 금속층 (11) 의 두께는, 예를 들어, 100 ㎚ 이상, 바람직하게는, 150 ㎚ 이상이고, 또 예를 들어, 400 ㎚ 이하, 바람직하게는, 300 ㎚ 이하이다.The thickness of the second metal layer (11) is, for example, 100 nm or more, preferably, 150 nm or more, and for example, 400 nm or less, preferably, 300 nm or less.
중간 필름 (3) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎛ 이상, 바람직하게는, 25 ㎛ 이상이고, 또 예를 들어, 200 ㎛ 이하, 바람직하게는, 150 ㎛ 이하이다.The thickness of the intermediate film (3) is, for example, 10 ㎛ or more, preferably, 25 ㎛ or more, and also, for example, 200 ㎛ or less, preferably, 150 ㎛ or less.
캐리어 필름 (4) 은, 필름 형상을 갖고, 면 방향으로 연장되고, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다. 캐리어 필름 (4) 은, 중간 필름 (3) 의 상면에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 캐리어 필름 (4) 은, 제 1 금속층 (8) 의 상면 전체면에, 제 1 금속층 (8) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다.The carrier film (4) has a film shape, extends in the plane direction, and has a flat upper surface and a flat lower surface. The carrier film (4) is arranged on the upper surface of the intermediate film (3). More specifically, the carrier film (4) is arranged on the entire upper surface of the first metal layer (8) so as to be in contact with the upper surface of the first metal layer (8).
캐리어 필름 (4) 은, 중간 필름 (3) 을 제조, 반송 및/또는 보존할 때에, 중간 필름 (3) (나아가서는, 도전 필름 (1)) 의 품질 저하를 억제하기 위하여, 중간 필름 (3) 에 배치되는 보호 부재이다. 특히, 캐리어 필름 (4) 은, 중간 필름 (3) 의 제조시, 구체적으로는, 제 2 투명 도전층 (10) 및 제 2 금속층 (11) 의 형성할 때, 제 1 투명 도전층 (7) - 제 1 금속층 (8) 간에 발생하는 응력에서 기인하는 변형이나 파손을 억제한다.The carrier film (4) is a protective member arranged on the intermediate film (3) in order to suppress quality deterioration of the intermediate film (3) (and further, the conductive film (1)) when manufacturing, conveying, and/or preserving the intermediate film (3). In particular, the carrier film (4) suppresses deformation or breakage resulting from stress occurring between the first transparent conductive layer (7) and the first metal layer (8) when manufacturing the intermediate film (3), specifically, when forming the second transparent conductive layer (10) and the second metal layer (11).
캐리어 필름 (4) 은, 고분자 필름이다. 캐리어 필름으로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 필름, 폴리카보네이트계 필름, 올레핀계 필름 (폴리에틸렌계 필름, 폴리프로필렌계 필름, 시클로올레핀계 필름 등), 아크릴계 필름, 폴리에테르술폰계 필름, 폴리아릴레이트계 필름, 멜라민계 필름, 폴리아미드계 필름, 폴리이미드계 필름, 셀룰로오스계 필름, 폴리스티렌계 필름을 들 수 있다. 내열성, 기계 강도의 관점에서, 바람직하게는, 올레핀계 필름을 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 폴리프로필렌계 필름을 들 수 있다.The carrier film (4) is a polymer film. Examples of the carrier film include a polyester film, a polycarbonate film, an olefin film (such as a polyethylene film, a polypropylene film, or a cycloolefin film), an acrylic film, a polyethersulfone film, a polyarylate film, a melamine film, a polyamide film, a polyimide film, a cellulose film, and a polystyrene film. From the viewpoint of heat resistance and mechanical strength, an olefin film is preferable, and a polypropylene film is more preferable.
캐리어 필름 (4) 으로는, 연신 필름 (1 축 연신 또는 2 축 연신) 또는 미연신 필름 중 어느 것이어도 된다. 기계 강도의 관점에서, 바람직하게는, 2 축 연신 필름을 들 수 있다. 구체적으로는, 바람직하게는, 2 축 연신 폴리올레핀 필름을 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 2 축 연신 폴리프로필렌계 필름 (OPP 필름) 을 들 수 있다.As the carrier film (4), either a stretched film (uniaxially stretched or biaxially stretched) or an unstretched film may be used. From the viewpoint of mechanical strength, a biaxially stretched film is preferable. Specifically, a biaxially stretched polyolefin film is preferable, and a biaxially stretched polypropylene film (OPP film) is more preferable.
캐리어 필름 (4) 은, 적어도 하면에 점착성을 갖는 필름이다.The carrier film (4) is a film having adhesiveness at least on the lower surface.
이와 같은 캐리어 필름 (4) 은, 하면에 점착 처리를 부여한 고분자 필름 (예를 들어, OPP 필름) 단독이어도 되고, 또 하면에 점착제층이 배치된 고분자 필름이어도 된다.Such a carrier film (4) may be a polymer film (e.g., OPP film) alone with an adhesive treatment applied to the lower surface, or may be a polymer film with an adhesive layer disposed on the lower surface.
점착제층으로는, 예를 들어, 아크릴계 점착제층, 고무계 점착제층, 실리콘계 점착제층, 폴리에스테르계 점착제층, 폴리우레탄계 점착제층, 폴리아미드계 점착제층, 에폭시계 점착제층, 비닐알킬에테르계 점착제층, 불소계 점착제층 등을 들 수 있다. 점착성, 박리성 등의 관점에서, 바람직하게는, 아크릴계 점착제층을 들 수 있다.Examples of the adhesive layer include an acrylic adhesive layer, a rubber adhesive layer, a silicone adhesive layer, a polyester adhesive layer, a polyurethane adhesive layer, a polyamide adhesive layer, an epoxy adhesive layer, a vinyl alkyl ether adhesive layer, a fluorine adhesive layer, and the like. From the viewpoints of adhesiveness, peelability, and the like, an acrylic adhesive layer is preferable.
캐리어 필름 (4) 은, 그 물성 열화 억제를 위하여, 일반적으로, 안정제를 함유하고 있다.The carrier film (4) generally contains a stabilizer to suppress deterioration of its physical properties.
안정제로는, 예를 들어, 힌더드페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 황계 산화 방지제 등의 산화 방지제 (열안정제), 예를 들어, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 트리아진계 자외선 흡수제 등의 광안정제 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 내열의 관점에서, 산화 방지제를 들 수 있고, 바람직하게는, 산화 방지성이 양호한 관점에서, 힌더드페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 힌더드페놀계 산화 방지제를 들 수 있다.As the stabilizer, examples thereof include antioxidants (heat stabilizers) such as hindered phenol antioxidants, phosphorus antioxidants, and sulfur antioxidants, and light stabilizers such as benzotriazole-based ultraviolet absorbers and triazine-based ultraviolet absorbers. Preferably, from the viewpoint of heat resistance, an antioxidant can be mentioned, and preferably, from the viewpoint of good anti-oxidation property, a hindered phenol-based antioxidant or phosphorus antioxidant can be mentioned, and more preferably, a hindered phenol-based antioxidant can be mentioned.
힌더드페놀계 산화 방지제로는, 바람직하게는, 디-tert-부틸하이드록시톨루엔 (BHT) 골격을 갖는 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 상품명「IRGANOX1010」(BASF 제조) (펜타에리트리톨·테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트]), 상품명「IRGANOX1010FF」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1035」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1035FF」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1076」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1076FD」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1076DWJ」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1098」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1135」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1330」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1726」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1425WL」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX1520L」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX245」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX245FF」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX259」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX3114」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX565」(BASF 제조), 상품명「IRGANOX295」(BASF 제조) 등을 들 수 있다.As hindered phenol antioxidants, compounds having a di-tert-butylhydroxytoluene (BHT) skeleton are preferably included. Specifically, the trade name "IRGANOX1010" (manufactured by BASF) (pentaerythritol tetrakis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate]), the trade name "IRGANOX1010FF" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1035" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1035FF" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1076" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1076FD" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1076DWJ" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1098" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1135" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1330" (manufactured by BASF), the trade name "IRGANOX1726" (manufactured by BASF), Examples thereof include product names such as “IRGANOX1425WL” (manufactured by BASF), “IRGANOX1520L” (manufactured by BASF), “IRGANOX245” (manufactured by BASF), “IRGANOX245FF” (manufactured by BASF), “IRGANOX259” (manufactured by BASF), “IRGANOX3114” (manufactured by BASF), “IRGANOX565” (manufactured by BASF), and “IRGANOX295” (manufactured by BASF).
인계 산화 방지제로는, 예를 들어, 상품명「IRGAFOS168」(BASF 제조) 등의 인계 가공 열안정제, 상품명「아데카스타브」(ADEKA 제조) 등의 포스파이트계 산화 방지제 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 인계 가공 열안정제를 들 수 있다.Examples of the phosphorus-based antioxidant include a phosphorus-based processing heat stabilizer such as “IRGAFOS168” (manufactured by BASF), a phosphite-based antioxidant such as “ADEKA STABB” (manufactured by ADEKA), etc. A phosphorus-based processing heat stabilizer is preferable.
황계 산화 방지제로는, 예를 들어, 상품명「IRGANOX PS 800FL」(BASF 제조), 상품명「스미라이저」(스미토모 화학 제조) 등을 들 수 있다.Examples of sulfur-based antioxidants include those under the trade names “IRGANOX PS 800FL” (manufactured by BASF) and “Smilizer” (manufactured by Sumitomo Chemical).
벤조트리아졸계 자외선 흡수제로는, 예를 들어, 상품명「TINUVIN P」(BASF 제조) (페놀,2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-메틸), 상품명「TINUVIN P FL」(BASF 제조), 상품명「TINUVIN234」(BASF 제조), 상품명「TINUVIN326」(BASF 제조), 상품명「TINUVIN326FL」(BASF 제조), 상품명「TINUVIN328」(BASF 제조), 상품명「TINUVIN329」(BASF 제조), 상품명「TINUVIN329FL」(BASF 제조), 상품명「TINUVIN360」(BASF 제조) 등을 들 수 있다.Examples of benzotriazole-based UV absorbers include those having the trade name "TINUVIN P" (manufactured by BASF) (phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-methyl), "TINUVIN P FL" (manufactured by BASF), "TINUVIN234" (manufactured by BASF), "TINUVIN326" (manufactured by BASF), "TINUVIN326FL" (manufactured by BASF), "TINUVIN328" (manufactured by BASF), "TINUVIN329" (manufactured by BASF), "TINUVIN329FL" (manufactured by BASF), "TINUVIN360" (manufactured by BASF), etc.
트리아진계 자외선 흡수제로는, 예를 들어, 상품명「TINUVIN1577ED」(BASF 제조) (페놀,2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-헥실옥시), 상품명「TINUVIN1600」(BASF 제조) 등을 들 수 있다.Examples of triazine-based ultraviolet absorbers include product names such as “TINUVIN1577ED” (manufactured by BASF) (phenol, 2-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-5-hexyloxy), and “TINUVIN1600” (manufactured by BASF).
안정제는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.Stabilizers can be used alone or in combination of two or more types.
안정제의 함유 비율은, 캐리어 필름 (4) 에 대해, 예를 들어, 0.01 질량％ 이상, 바람직하게는, 0.1 질량％ 이상이고, 또 예를 들어, 5 질량％ 이하, 바람직하게는, 1 질량％ 이하이다.The content of the stabilizer is, for example, 0.01 mass% or more, preferably, 0.1 mass% or more, and further, for example, 5 mass% or less, preferably, 1 mass% or less, with respect to the carrier film (4).
(준비 공정)(Preparation process)
준비 공정은, 예를 들어, (1) 투명 기재 (5) 를 준비하는 공정, (2) 투명 기재 (5) 에 하드 코트층 (제 1 하드 코트층 (6), 제 2 하드 코트층 (9)) 을 배치하는 공정, (3) 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면에 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 순서대로 배치하는 공정, (4) 제 1 금속층 (8) 의 상면에 캐리어 필름 (4) 을 배치하는 공정, (5) 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에 제 2 투명 도전층 (10) 및 제 2 금속층 (11) 을 순서대로 배치하는 공정, 및 (6) 캐리어 필름 (4) 을 제거하는 공정을 순서대로 구비한다. (이하,「(1) 투명 기재 (5) 를 준비하는 공정」을「(1) 공정」으로 생략하는 경우도 있다. 그 밖의 공정도 동일하게 (2) 공정 등으로 생략한다)The preparation process includes, for example, (1) a process of preparing a transparent substrate (5), (2) a process of arranging a hard coat layer (a first hard coat layer (6), a second hard coat layer (9)) on the transparent substrate (5), (3) a process of arranging a first transparent conductive layer (7) and a first metal layer (8) in sequence on the upper surface of the first hard coat layer (6), (4) a process of arranging a carrier film (4) on the upper surface of the first metal layer (8), (5) a process of arranging a second transparent conductive layer (10) and a second metal layer (11) in sequence on the lower surface of the second hard coat layer (9), and (6) a process of removing the carrier film (4). (Hereinafter, "(1) process of preparing a transparent substrate (5)" may be omitted as "(1) process." Other processes are also omitted as (2) process, etc.)
(1) 투명 기재 (5) 를 준비하는 공정(1) Process of preparing transparent material (5)
도 1A 에 나타내는 바와 같이, 공지 또는 시판되는 투명 기재 (5) 를 준비한다.As shown in Fig. 1A, a publicly known or commercially available transparent substrate (5) is prepared.
(2) 투명 기재 (5) 에 하드 코트층을 배치하는 공정 (2) Process of placing a hard coat layer on a transparent substrate (5)
도 1B 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (5) 의 하면 및 상면에, 하드 코트층 (제 1 하드 코트층 (6) 및 제 2 하드 코트층 (9)) 을, 예를 들어, 습식 도공에 의해 형성한다.As shown in Fig. 1B, hard coat layers (first hard coat layer (6) and second hard coat layer (9)) are formed on the lower and upper surfaces of the transparent substrate (5), for example, by wet coating.
구체적으로는, 예를 들어, 하드 코트 조성물을 용매로 희석한 희석액 (바니시) 을 조제하고, 계속해서, 희석액을 투명 기재 (5) 의 하면 및 상면에 도포하여, 희석액을 건조시킨다.Specifically, for example, a diluted solution (varnish) is prepared by diluting a hard coat composition with a solvent, and then the diluted solution is applied to the lower and upper surfaces of a transparent substrate (5), and the diluted solution is dried.
그 후, 하드 코트 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 희석액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.Thereafter, when the hard coat composition contains an active energy ray-curable resin, the active energy ray-curable resin is cured by irradiating it with an active energy ray after drying the diluted solution.
(3) 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면에 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 순서대로 배치하는 공정(3) Process of sequentially arranging a first transparent conductive layer (7) and a first metal layer (8) on the upper surface of a first hard coat layer (6).
도 1C 에 나타내는 바와 같이, 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면에 제 1 투명 도전층 (7) 을, 예를 들어, 건식 방법에 의해 형성한다. 계속해서, 도 1D 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 도전층 (7) 의 상면에 제 1 금속층 (8) 을, 예를 들어, 건식 방법에 의해 형성한다.As shown in Fig. 1C, a first transparent conductive layer (7) is formed on the upper surface of the first hard coat layer (6), for example, by a dry method. Subsequently, as shown in Fig. 1D, a first metal layer (8) is formed on the upper surface of the first transparent conductive layer (7), for example, by a dry method.
제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 에 사용하는 건식 방법으로는, 각각, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 스퍼터링법을 들 수 있다. 이 방법에 의해, 박막이며 균일한 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 형성할 수 있다.As the dry method used for the first transparent conductive layer (7) and the first metal layer (8), for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, etc. can be mentioned, respectively. A sputtering method is preferable. By this method, a thin film and uniform first transparent conductive layer (7) and first metal layer (8) can be formed.
스퍼터링법은, 진공 챔버 내에 타깃 및 피착체 (하드 코트층이 적층된 투명 기재 (5)) 를 대향 배치하고, 가스를 공급함과 함께 전원으로부터 전압을 인가함으로써 가스 이온을 가속하고 타깃에 조사시켜, 타깃 표면으로부터 타깃 재료를 튕겨내어, 그 타깃 재료를 피착체 표면에 적층시킨다.The sputtering method places a target and an adherend (a transparent substrate (5) on which a hard coat layer is laminated) facing each other in a vacuum chamber, supplies gas, and applies voltage from a power source to accelerate gas ions and irradiate the target, thereby repelling target material from the target surface and laminating the target material on the surface of the adherend.
제 1 투명 도전층 (7) 을 형성할 때의 타깃 재료로는, 제 1 투명 도전층 (7) 을 구성하는 상기 서술한 금속 산화물 등을 들 수 있고, 바람직하게는, ITO 를 들 수 있다.As a target material for forming the first transparent conductive layer (7), the above-described metal oxides constituting the first transparent conductive layer (7) can be exemplified, and preferably, ITO can be exemplified.
제 1 금속층 (8) 을 형성할 때의 타깃 재료로는, 제 1 금속층 (8) 을 구성하는 상기 서술한 금속 등을 들 수 있고, 바람직하게는 구리를 들 수 있다.As a target material for forming the first metal layer (8), the above-described metals constituting the first metal layer (8) can be mentioned, and copper is preferably mentioned.
가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다. 또, 필요에 따라, 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용할 수 있다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량 (sccm) 은, 스퍼터 가스 및 반응성 가스의 합계 유량에 대해, 예를 들어, 0.1 유량 ％ 이상 5 유량 ％ 이하이다.As the gas, an inert gas such as Ar can be exemplified. In addition, a reactive gas such as oxygen gas can be used in combination, if necessary. In the case of using a reactive gas in combination, the flow rate (sccm) of the reactive gas is, for example, 0.1 flow rate % or more and 5 flow rate % or less relative to the total flow rate of the sputtering gas and the reactive gas.
스퍼터링시의 기압은, 스퍼터링 레이트의 저하 억제, 방전 안정성 등의 관점에서, 예를 들어, 1 ㎩ 이하이고, 바람직하게는, 0.1 ㎩ 이상 0.7 ㎩ 이하이다.The atmospheric pressure during sputtering is, for example, 1 Pa or less, and preferably 0.1 Pa or more and 0.7 Pa or less, from the viewpoints of suppressing a decrease in the sputtering rate and ensuring discharge stability.
전원은, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원 중 어느 것이어도 되고, 또, 이들의 조합이어도 된다.The power source may be, for example, a DC power source, an AC power source, an MF power source, or an RF power source, or a combination of these.
(4) 제 1 금속층 (8) 의 상면에 캐리어 필름 (4) 을 배치하는 공정 (4) Process of placing a carrier film (4) on the upper surface of the first metal layer (8)
도 1E 에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속층 (8) 의 상면에 캐리어 필름 (4) 의 하면 (점착면) 을 접촉시킴으로써, 제 1 금속층 (8) 과 캐리어 필름 (4) 을 적층시킨다.As shown in Fig. 1E, the first metal layer (8) and the carrier film (4) are laminated by bringing the lower surface (adhesive surface) of the carrier film (4) into contact with the upper surface of the first metal layer (8).
(5) 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에 제 2 투명 도전층 (10) 및 제 2 금속층 (11) 을 순서대로 배치하는 공정 (5) Process of sequentially arranging a second transparent conductive layer (10) and a second metal layer (11) on the lower surface of the second hard coat layer (9).
도 1F 에 나타내는 바와 같이, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에 제 2 투명 도전층 (10) 을, 예를 들어, 건식 방법에 의해 형성한다. 계속해서, 도 1G 에 나타내는 바와 같이, 제 2 투명 도전층 (10) 의 하면에 제 2 금속층 (11) 을, 예를 들어, 건식 방법에 의해 형성한다.As shown in Fig. 1F, a second transparent conductive layer (10) is formed on the lower surface of the second hard coat layer (9), for example, by a dry method. Subsequently, as shown in Fig. 1G, a second metal layer (11) is formed on the lower surface of the second transparent conductive layer (10), for example, by a dry method.
이들의 방법은, 상기한 (3) 공정과 동일한 방법을 들 수 있다. 바람직하게는, 제 2 투명 도전층 (10) 및 제 2 금속층 (11) 의 형성 방법은, 모두 스퍼터링법을 들 수 있다.Their method may be the same as the above-mentioned (3) process. Preferably, the method for forming the second transparent conductive layer (10) and the second metal layer (11) may both be a sputtering method.
이로써, 중간 필름 (3) 과, 그 상면에 배치되는 캐리어 필름 (4) 을 구비하는 적층체 (캐리어 필름 부착 도전성 필름) (2) 가 얻어진다.In this way, a laminate (conductive film attached to carrier film) (2) having an intermediate film (3) and a carrier film (4) disposed on its upper surface is obtained.
(6) 캐리어 필름 (4) 을 제거하는 공정 (6) Process for removing carrier film (4)
도 1G 의 가상선으로 나타내는 바와 같이, 중간 필름 (3) 의 제 1 금속층 (8) 의 상면과 캐리어 필름 (4) 의 하면이 서로 이간되도록, 캐리어 필름 (4) 을 박리한다.As indicated by the virtual line in Fig. 1G, the carrier film (4) is peeled off so that the upper surface of the first metal layer (8) of the intermediate film (3) and the lower surface of the carrier film (4) are separated from each other.
이로써, 중간 필름 (3) 이 단체로서 얻어진다. 중간 필름 (3) 은, 제 2 금속층 (11), 제 2 투명 도전층 (10), 제 2 하드 코트층 (9), 투명 기재 (5), 제 1 하드 코트층 (6), 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 순서대로 구비한다. 즉, 중간 필름 (3) 은, 양면 금속층이 형성된 투명 도전성 필름이다. 중간 필름 (3) 은, 후술하는 드라이 클리닝 처리가 실시되어 있지 않은 미클리닝 처리 필름이다. 중간 필름 (3) 의 제 1 금속층 (8) 의 상면에는, 캐리어 필름 (4) 에서 유래하는 성분 (예를 들어, 안정화제, 장사슬 지방산) 이 부착되어 있다.Thereby, the intermediate film (3) is obtained as a unit. The intermediate film (3) has a second metal layer (11), a second transparent conductive layer (10), a second hard coat layer (9), a transparent substrate (5), a first hard coat layer (6), a first transparent conductive layer (7), and a first metal layer (8) in that order. That is, the intermediate film (3) is a transparent conductive film on which a double-sided metal layer is formed. The intermediate film (3) is an uncleaned film on which the dry cleaning treatment described later has not been performed. A component derived from the carrier film (4) (for example, a stabilizer, a long-chain fatty acid) is attached to the upper surface of the first metal layer (8) of the intermediate film (3).
2. 제거 공정 2. Removal process
제거 공정에서는, 중간 필름 (3) 의 제 1 금속층 (8) 의 상면에, 드라이 클리닝 처리를 실시한다.In the removal process, a dry cleaning treatment is performed on the upper surface of the first metal layer (8) of the intermediate film (3).
드라이 클리닝 처리는, 액체 (클리닝액 등) 나 고체 (스크린 롤러) 를 중간 필름 (3) (클리닝 대상) 에 접촉시키지 않고, 방전이나 가스 방출을 중간 필름 (3) 에 대해 실시하는 처리이다.Dry cleaning treatment is a treatment in which discharge or gas emission is applied to the intermediate film (3) (target of cleaning) without bringing the intermediate film (3) (target of cleaning) into contact with a liquid (cleaning solution, etc.) or a solid (screen roller).
드라이 클리닝 처리로는, 예를 들어, 플라즈마 처리, 코로나 처리, 샌드 블라스트 처리 등을 들 수 있다. 확실하게 캐리어 필름 유래 성분을 제거할 수 있는 관점에서, 바람직하게는, 플라즈마 처리, 코로나 처리를 들 수 있다.Dry cleaning treatments include, for example, plasma treatment, corona treatment, and sandblasting treatment. From the viewpoint of being able to reliably remove carrier film-derived components, plasma treatment and corona treatment are preferred.
플라즈마 처리 및 코로나 처리는, 공지 또는 시판되는 플라즈마 처리 장치 또는 코로나 처리 장치를 사용하여 실시할 수 있다.Plasma treatment and corona treatment can be performed using a known or commercially available plasma treatment device or corona treatment device.
플라즈마 처리 및 코로나 처리로는, 각각, 예를 들어, 리모트 방식, 다이렉트 방식, 스폿 방식을 들 수 있다.Plasma treatment and corona treatment include, for example, remote, direct, and spot methods, respectively.
리모트 방식에서는, 도 2A 가 참조되는 바와 같이, 서로 대향하는 2 개의 전극 (20) 을 구비하는 헤드부 (21) 의 사이에 플라즈마를 발생시켜, 그 헤드부 (21) (전극 (20)) 의 사이로부터 외부로 분출한 플라즈마를 중간 필름 (3) 에 충돌시킨다.In the remote method, as shown in Fig. 2A, plasma is generated between the head portion (21) having two electrodes (20) facing each other, and the plasma ejected to the outside from between the head portions (21) (electrodes (20)) is caused to collide with the intermediate film (3).
다이렉트 방식에서는, 도 2B 가 참조되는 바와 같이, 서로 대향하는 2 개의 전극 (20) 을 구비하는 헤드부 (21) 의 사이에 플라즈마를 발생시켜, 그 헤드부 (21) (전극 (20)) 의 사이에 중간 필름 (3) 을 통과시킨다.In the direct method, as shown in Fig. 2B, plasma is generated between head parts (21) having two electrodes (20) facing each other, and an intermediate film (3) is passed between the head parts (21) (electrodes (20)).
스폿 방식에서는, 도 2C 가 참조되는 바와 같이, 대략 원통상의 노즐 (22) 을 구비하는 헤드부 (21) 의 선단으로부터 플라즈마를 발생시켜, 중간 필름 (3) 에 충돌시킨다.In the spot method, as shown in Fig. 2C, plasma is generated from the tip of a head portion (21) having a generally cylindrical nozzle (22) and collides with the intermediate film (3).
헤드부 (21) 의 수는 한정적이 아니고, 예를 들어, 1 개여도 되고, 복수 (바람직하게는, 2 ∼ 4 개) 여도 된다.The number of head parts (21) is not limited, and may be, for example, 1 or plural (preferably, 2 to 4).
폭이 넓은 중간 필름 (3) 을 클리닝할 수 있는 관점에서는, 바람직하게는, 다이렉트 방식, 리모트 방식을 들 수 있다.From the viewpoint of being able to clean a wide intermediate film (3), preferably, a direct method or a remote method can be mentioned.
또, 중간 필름 (3) 의 손상을 억제할 수 있는 관점에서는, 리모트 방식을 들 수 있다. 즉, 다이렉트 방식에서는, 중간 필름 (3) 내의 금속층이 전극으로서 작용하여, 원하는 플라즈마가 발생하지 않기 때문에, 중간 필름 (3) 에 손상을 줄 우려가 있다. 한편, 리모트 방식에서는, 이와 같은 현상을 방지할 수 있어, 원하는 특성의 도전성 필름 (1) 을 얻을 수 있다.In addition, from the viewpoint of being able to suppress damage to the intermediate film (3), a remote method can be mentioned. That is, in the direct method, the metal layer within the intermediate film (3) acts as an electrode, and since the desired plasma is not generated, there is a concern that the intermediate film (3) may be damaged. On the other hand, in the remote method, such a phenomenon can be prevented, and a conductive film (1) having desired characteristics can be obtained.
플라즈마 처리 및 코로나 처리에 사용하는 가스로는, 질소, 산소, 아르곤, 공기 등을 들 수 있다. 가스는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 산소를 함유하는 가스를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 질소 및 산소의 혼합 가스, 공기를 들 수 있고, 더욱 바람직하게는, 공기를 들 수 있다. 이로써, 캐리어 필름 유래 성분을 보다 확실하게 제거할 수 있다.Examples of gases used in plasma treatment and corona treatment include nitrogen, oxygen, argon, air, etc. The gases may be used alone or in combination of two or more. Preferably, a gas containing oxygen may be used, more preferably, a mixed gas of nitrogen and oxygen, air may be used, and even more preferably, air may be used. As a result, components derived from the carrier film can be removed more reliably.
질소 및 산소의 혼합 가스를 사용하는 경우, 질소 100 slm 당, 산소의 유량은, 예를 들어, 10 ccm 이상, 바람직하게는, 50 ccm 이상이고, 또 예를 들어, 1000 ccm 이하, 바람직하게는, 500 ccm 이하이다.When using a mixed gas of nitrogen and oxygen, the flow rate of oxygen per 100 slm of nitrogen is, for example, 10 ccm or more, preferably, 50 ccm or more, and also, for example, 1000 ccm or less, preferably, 500 ccm or less.
플라즈마 처리에 있어서, 방전량은, 예를 들어, 100 W·min/㎡ 이상, 바람직하게는, 200 W·min/㎡ 이상, 보다 바람직하게는, 400 W·min/㎡ 이상이고, 또 예를 들어, 2000 W·min/㎡ 이하, 바람직하게는, 1500 W·min/㎡ 이하이다.In plasma treatment, the discharge amount is, for example, 100 W·min/m2 or more, preferably, 200 W·min/m2 or more, more preferably, 400 W·min/m2 or more, and also, for example, 2000 W·min/m2 or less, preferably, 1500 W·min/m2 or less.
코로나 처리에 있어서, 방전량은, 예를 들어, 10 W·min/㎡ 이상, 바람직하게는, 50 W·min/㎡ 이상, 보다 바람직하게는, 100 W·min/㎡ 이상이고, 또 예를 들어, 1000 W·min/㎡ 이하, 바람직하게는, 300 W·min/㎡ 이하이다.In corona treatment, the discharge amount is, for example, 10 W·min/m2 or more, preferably, 50 W·min/m2 or more, more preferably, 100 W·min/m2 or more, and further, for example, 1000 W·min/m2 or less, preferably, 300 W·min/m2 or less.
방전량을 상기 범위로 함으로써, 캐리어 필름 유래 성분을 보다 확실하게 제거할 수 있다. 방전량 (W·min/㎡) 은,「[전력 (W)]/[중간 필름의 반송 속도 (m/min)]·[전극 길이 (m)]」의 식에 의해 산출된다.By setting the discharge amount within the above range, components derived from the carrier film can be removed more reliably. The discharge amount (W·min/㎡) is calculated by the formula of “[power (W)]/[intermediate film conveying speed (m/min)]·[electrode length (m)]”.
플라즈마 처리 및 코로나 처리에 있어서, 방전 용량은, 예를 들어, 전력, 반송 속도, 전극 길이 등을 적절히 설정함으로써, 용이하게 조정할 수 있다. 전력은, 예를 들어, 100 W 이상, 2000 W 이하이다. 중간 필름 (3) 의 반송 속도는, 예를 들어, 1 m/min 이상, 20 m/min 이하이다. 전극 길이 (전극 (20) 에 있어서의 필름의 폭 방향 길이) 는, 예를 들어, 0.3 m 이상, 2.5 m 이하이다.In plasma treatment and corona treatment, the discharge capacity can be easily adjusted by appropriately setting, for example, power, conveying speed, electrode length, etc. The power is, for example, 100 W or more and 2000 W or less. The conveying speed of the intermediate film (3) is, for example, 1 m/min or more and 20 m/min or less. The electrode length (length in the width direction of the film in the electrode (20)) is, for example, 0.3 m or more and 2.5 m or less.
샌드 블라스트 처리에서는, 가스를 중간 필름 (3) 에 직접 분사한다. 샌드 블라스트 처리에 사용하는 가스로는, 예를 들어, 드라이아이스 (이산화탄소) 등을 들 수 있다.In sandblasting, gas is directly sprayed onto the intermediate film (3). Examples of gases used in sandblasting include dry ice (carbon dioxide).
이로써, 도 1H 에 나타내는 바와 같이, 도전성 필름 (1) 이 얻어진다. 도전성 필름 (1) 은, 제 2 금속층 (11), 제 2 투명 도전층 (10), 제 2 하드 코트층 (9), 투명 기재, 제 1 하드 코트층 (6), 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 순서대로 구비한다. 도전성 필름 (1) 은, 양면 금속층이 형성된 투명 도전성 필름이다.Thereby, as shown in Fig. 1H, a conductive film (1) is obtained. The conductive film (1) has a second metal layer (11), a second transparent conductive layer (10), a second hard coat layer (9), a transparent substrate, a first hard coat layer (6), a first transparent conductive layer (7), and a first metal layer (8) in that order. The conductive film (1) is a transparent conductive film having a double-sided metal layer formed thereon.
도전성 필름 (1) 의 상면 (즉, 제 1 금속층 (8) 의 상면) 에 있어서, 수 접촉각은, 예를 들어, 90 도 이하, 바람직하게는, 86 도 이하, 보다 바람직하게는, 82 도 이하, 더욱 바람직하게는, 78 도 이하, 특히 바람직하게는, 72 도 이하이다. 수 접촉각이 상기 범위이면, 제 1 금속층 (8) 의 상면에 부착된 캐리어 필름 유래 성분이 제거되어 있기 때문에, 제 1 금속층 (8) 의 패터닝 정밀도가 우수하다.On the upper surface of the conductive film (1) (i.e., the upper surface of the first metal layer (8)), the water contact angle is, for example, 90 degrees or less, preferably 86 degrees or less, more preferably 82 degrees or less, even more preferably 78 degrees or less, and particularly preferably 72 degrees or less. When the water contact angle is in the above range, since the carrier film-derived component attached to the upper surface of the first metal layer (8) is removed, the patterning precision of the first metal layer (8) is excellent.
수 접촉각은, 제 1 금속층 (8) 의 상면에 약 1 ㎕ 의 물방울을 적하하고, 5 초 후에, 물방울과 제 1 금속층 (8) 의 상면이 이루는 각도를 측정함으로써 구할 수 있다.The water contact angle can be obtained by dropping a water droplet of about 1 μl on the upper surface of the first metal layer (8) and measuring the angle formed by the water droplet and the upper surface of the first metal layer (8) after 5 seconds.
도전성 필름 (1) 의 상면에 있어서, 예를 들어, 하기 (1) ∼ (3) 의 적어도 1 개의 요건을 만족한다. 바람직하게는, 하기 (1) ∼ (3) 의 모든 요건을 만족한다.On the upper surface of the conductive film (1), for example, at least one of the following requirements (1) to (3) is satisfied. Preferably, all of the following requirements (1) to (3) are satisfied.
(1) Cu+ 에 대한 C15H23O+ 의 상대 강도가, 7.8 × 10-2 이하이다.(1) The relative intensity of C 15 H 23 O + to Cu + is 7.8 × 10 -2 or less.
(2) Cu+ 에 대한 C6H13 + 의 상대 강도가, 6.1 × 10-3 이하이다.(2) The relative intensity of C 6 H 13 + to Cu + is 6.1 × 10 -3 or less.
(3) Cu- 에 대한 C18H35O2 - 의 상대 강도가, 4.3 × 10-2 이하이다.(3) The relative intensity of C 18 H 35 O 2 - to Cu - is 4.3 × 10 -2 or less.
상대 강도는, TOF-SIMS (비행 시간형 2 차 이온 질량 분석법 : Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry) 를 사용하여 측정할 수 있다. 조건은, 실시예에서 상세히 서술한다.The relative intensity can be measured using TOF-SIMS (Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry). The conditions are described in detail in the Examples.
C15H23O+, C6H13 +, 및 C18H35O2 - 는, 캐리어 필름 유래 성분이다. 구체적으로는, C15H23O+ 는, 캐리어 필름 (4) 에 함유되는 산화 방지제 유래 성분 (디-tert-부틸하이드록시톨루엔 : BHT) 이고, C6H13 + 는, 캐리어 필름 (4) 에 함유되는 지방족 탄화수소 유래 성분이며, C18H35O2 - 는, 캐리어 필름 (4) 에 함유되는 장사슬 지방산 유래 성분이다. 따라서, 이들의 상대 강도가 상기 상한 이하이면, 도전성 필름 (1) 의 상면의 오염이 저감되어 있기 때문에, 제 1 금속층 (8) 의 패터닝 정밀도가 우수하다.C 15 H 23 O + , C 6 H 13 + , and C 18 H 35 O 2 - are components derived from the carrier film. Specifically, C 15 H 23 O + is an antioxidant-derived component (di-tert-butylhydroxytoluene: BHT) contained in the carrier film (4), C 6 H 13 + is an aliphatic hydrocarbon-derived component contained in the carrier film (4), and C 18 H 35 O 2 - is a long-chain fatty acid-derived component contained in the carrier film (4). Therefore, when the relative intensities of these are equal to or lower than the upper limit, contamination of the upper surface of the conductive film (1) is reduced, so that the patterning precision of the first metal layer (8) is excellent.
도전성 필름 (1) 에 있어서의 하면 (즉, 제 2 금속층 (11) 의 하면) 에 있어서, 수 접촉각은, 예를 들어, 90 도 이하, 바람직하게는, 86 도 이하, 보다 바람직하게는, 82 도 이하, 더욱 바람직하게는, 78 도 이하, 특히 바람직하게는, 72 도 이하이다.In the lower surface of the conductive film (1) (i.e., the lower surface of the second metal layer (11)), the water contact angle is, for example, 90 degrees or less, preferably 86 degrees or less, more preferably 82 degrees or less, even more preferably 78 degrees or less, and particularly preferably 72 degrees or less.
또한, 상기 공정에 있어서, 각 층의 형성마다 권취 롤에 권회해도 된다. 또, 하드 코트층, 투명 도전층 및 금속층의 형성까지 권회하지 않고 연속적으로 실시하여, 금속층의 형성 후에 권취 롤에 권회해도 된다.In addition, in the above process, the film may be wound on a winding roll for each layer formed. In addition, the film may be continuously formed without winding until the formation of the hard coat layer, transparent conductive layer, and metal layer, and then wound on a winding roll after the formation of the metal layer.
3. 후공정 (패터닝 공정)3. Post-process (patterning process)
도전성 필름 (1) 은, 그 후, 필요에 따라, 도 3A ∼ F 에 나타내는 바와 같이, 패터닝 공정이 실시된다.The conductive film (1) is then subjected to a patterning process as shown in FIGS. 3A to 3F, as necessary.
패터닝 공정은, 금속층 패터닝 공정, 및 도전층 패터닝 공정을 구비한다.The patterning process includes a metal layer patterning process and a conductive layer patterning process.
금속층 패터닝 공정은, 제 1 금속층 (8) 및 제 2 금속층 (11) 을 패터닝한다.The metal layer patterning process patterns the first metal layer (8) and the second metal layer (11).
즉, 제 1 금속층 (8) 및 제 2 금속층 (11) 의 평면에서 보아 둘레 단부 (예를 들어, 터치 입력 영역 외측의 프레임부) 에 원하는 패턴 (예를 들어, 주회 배선) 이 형성되도록, 이들의 금속층 (특히, 평면에서 보아 중앙부) 을 에칭한다.That is, the metal layers (particularly, the central portion when viewed from the plane) of the first metal layer (8) and the second metal layer (11) are etched so that a desired pattern (e.g., a circuit wiring) is formed on the peripheral end portion (e.g., a frame portion outside the touch input area) when viewed from the plane.
제 1 금속층 (8) 을 패터닝하는 방법으로는, 구체적으로는, 제 1 금속층 (8) 의 상면 전체면에 감광성의 드라이 필름 레지스트 (15) 를 배치하고 (도 3A), 계속해서, 드라이 필름 레지스트 (15) 를 원하는 패턴 (배선 패턴) 으로 현상하고 (도 3B), 계속해서, 드라이 필름 레지스트 (15) 로부터 노출되는 제 1 금속층 (8) 을 에칭액 등에 의해 에칭하고 (도 3C), 마지막으로, 드라이 필름 레지스트 (15) 를 제거한다 (도 3D).As a method for patterning the first metal layer (8), specifically, a photosensitive dry film resist (15) is placed on the entire upper surface of the first metal layer (8) (Fig. 3A), then the dry film resist (15) is developed into a desired pattern (wiring pattern) (Fig. 3B), then the first metal layer (8) exposed from the dry film resist (15) is etched using an etching solution or the like (Fig. 3C), and finally, the dry film resist (15) is removed (Fig. 3D).
한편, 제 2 금속층 (11) 을 패터닝하는 방법에 대해서도, 제 1 금속층 (8) 과 동일하다.Meanwhile, the method for patterning the second metal layer (11) is the same as that for the first metal layer (8).
이로써, 도 3E 에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속층 (8) 으로부터 제 1 패터닝 금속층 (8A) 이 형성되고, 제 2 금속층 (11) 으로부터 제 2 패터닝 금속층 (11A) 이 형성된다.Thus, as shown in Fig. 3E, a first patterning metal layer (8A) is formed from the first metal layer (8), and a second patterning metal layer (11A) is formed from the second metal layer (11).
도전층 패터닝 공정은, 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 2 투명 도전층 (10) 을 패터닝한다.The challenge layer patterning process patterns the first transparent conductive layer (7) and the second transparent conductive layer (10).
예를 들어, 금속층 (8A, 11A) 으로부터 노출된 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 2 투명 도전층 (10) (특히, 평면에서 보아 중앙부) 을, 원하는 패턴 (예를 들어, 터치 입력 영역에 있어서의 전극 패턴이나 프레임부의 배선 패턴) 이 형성되도록 에칭한다.For example, the first transparent conductive layer (7) and the second transparent conductive layer (10) (particularly, the central portion when viewed from a planar surface) exposed from the metal layer (8A, 11A) are etched so that a desired pattern (e.g., an electrode pattern in a touch input area or a wiring pattern in a frame portion) is formed.
구체적으로는, 제 1 투명 도전층 (7) 을 패터닝하는 방법으로는, 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 패터닝 금속층 (8A) 의 상면 전체면에 감광성의 드라이 필름 레지스트를 배치하고, 계속해서, 드라이 필름 레지스트를 원하는 패턴 (전극 패턴이나 배선 패턴) 으로 현상하고, 계속해서, 드라이 필름 레지스트로부터 노출되는 제 1 투명 도전층 (7) 을 에칭액 등에 의해 에칭하고, 마지막으로, 드라이 필름 레지스트를 제거한다.Specifically, as a method for patterning the first transparent conductive layer (7), a photosensitive dry film resist is disposed on the entire upper surface of the first transparent conductive layer (7) and the first patterning metal layer (8A), then the dry film resist is developed into a desired pattern (electrode pattern or wiring pattern), then the first transparent conductive layer (7) exposed from the dry film resist is etched using an etching solution or the like, and finally, the dry film resist is removed.
한편, 제 2 투명 도전층 (10) 을 패터닝하는 방법에 대해서도, 제 1 투명 도전층 (7) 과 동일하다.Meanwhile, the method for patterning the second transparent conductive layer (10) is the same as that for the first transparent conductive layer (7).
이로써, 도 3F 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 도전층 (7) 으로부터 제 1 패터닝 투명 도전층 (7A) 이 형성되고, 제 2 투명 도전층 (10) 으로부터 제 2 패터닝 투명 도전층 (10A) 이 형성된다.Thus, as shown in Fig. 3F, a first patterned transparent conductive layer (7A) is formed from the first transparent conductive layer (7), and a second patterned transparent conductive layer (10A) is formed from the second transparent conductive layer (10).
이와 같이 하여, 제 2 패터닝 금속층 (11A), 제 2 패터닝 투명 도전층 (10A), 제 2 하드 코트층 (9), 투명 기재 (5), 제 1 하드 코트층 (6), 제 1 패터닝 투명 도전층 (7A) 및 제 1 패터닝 금속층 (8A) 을 순서대로 구비하는 패터닝 도전성 필름 (1A) 이 얻어진다.In this way, a patterning conductive film (1A) is obtained that sequentially comprises a second patterning metal layer (11A), a second patterning transparent conductive layer (10A), a second hard coat layer (9), a transparent substrate (5), a first hard coat layer (6), a first patterning transparent conductive layer (7A), and a first patterning metal layer (8A).
4. 용도 4. Purpose
도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재에 사용된다. 터치 패널의 형식으로는, 예를 들어, 정전 용량 방식, 저항막방식 등의 각종 방식을 들 수 있고, 특히 정전 용량 방식의 터치 패널에 바람직하게 사용된다. 구체적으로는, 예를 들어, 도전성 필름 (1) 의 일 실시형태인 패터닝 도전성 필름 (1A) 을 터치 패널로서 사용한다.The conductive film (1) is used, for example, as a substrate for a touch panel provided in an image display device. As for the format of the touch panel, various methods such as a capacitive type and a resistive film type can be mentioned, and it is particularly preferably used in a touch panel of a capacitive type. Specifically, for example, a patterned conductive film (1A), which is one embodiment of the conductive film (1), is used as a touch panel.
또, 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 전기 영동 방식, 트위스트 볼 방식, 서멀·리라이터블 방식, 광기록 액정 방식, 고분자 분산형 액정 방식, 게스트·호스트 액정 방식, 토너 표시 방식, 크로미즘 방식, 전계 석출 방식 등의 플렉시블 표시 소자에도 바람직하게 이용할 수 있다.In addition, the conductive film (1) can be suitably used in flexible display elements such as, for example, an electrophoretic method, a twist ball method, a thermal re-writeable method, an optical recording liquid crystal method, a polymer dispersed liquid crystal method, a guest-host liquid crystal method, a toner display method, a chromism method, and an electric field precipitation method.
그리고, 이 도전성 필름 (1) 의 제조 방법에 의하면, 제 1 금속층 (8) 의 패터닝 정밀도가 우수하다.And, according to the manufacturing method of this conductive film (1), the patterning precision of the first metal layer (8) is excellent.
종래의 도전성 필름의 제조 방법에서는, 즉, 클리닝 처리를 실시하지 않은 제조 방법에서는, 제 1 금속층을 패터닝했을 때에, 패터닝한 제 1 금속층 (예를 들어, 주회 배선) 에 결함 등이 발생하고 있어, 패터닝 정밀도가 불량하였다.In a conventional method for manufacturing a conductive film, that is, a method for manufacturing a film without performing a cleaning process, when the first metal layer was patterned, defects, etc. occurred in the patterned first metal layer (e.g., a circuit wiring), and the patterning precision was poor.
본 발명자들은, 이 점을 예의 검토한 결과, 제 1 금속층과 드라이 필름 레지스트의 계면에 기포나 먼지 (더트) 가 발생하고, 그 지점에서, 드라이 필름 레지스트가 제 1 금속층으로부터 떠 있고, 에칭액이 그 지점에 침입하는 현상을 발견하였다.The inventors of the present invention have carefully examined this point and discovered a phenomenon in which bubbles or dust (dirt) are generated at the interface between the first metal layer and the dry film resist, and at that point, the dry film resist floats from the first metal layer and the etching solution penetrates into that point.
그리고, 그 발견을 더욱 검토한 결과, 제 1 금속층의 표면에, 육안으로는 관찰되지 않는 캐리어 필름에서 유래하는 성분 (잔류물) 이 부착되어 있는 것을 지견 하였다. 그 중에서도, 특히, 캐리어 필름에 함유되는 C15H23O+, C6H13 + 및 C18H35O2 - 를 구비하는 성분이, 상기 계면에 기포를 발생시켜, 패터닝 정밀도를 저하시키는 것을 지견하였다.And, as a result of further examining the discovery, it was found that a component (residue) derived from the carrier film, which is not observed with the naked eye, is attached to the surface of the first metal layer. Among these, in particular, it was found that the component having C 15 H 23 O + , C 6 H 13 + , and C 18 H 35 O 2 - contained in the carrier film generates bubbles at the interface, thereby lowering the patterning precision.
이 지견에 기초하여, 본 발명자들은, 제 1 금속층의 표면에 드라이 클리닝 처리를 실시하여, 상기 잔류물을 제거함으로써, 기포의 발생 등을 억제하여, 패터닝 정밀도를 향상시키는 것에 도달하였다.Based on this knowledge, the inventors of the present invention achieved improvement in patterning precision by performing a dry cleaning treatment on the surface of the first metal layer to remove the residue, thereby suppressing the occurrence of bubbles, etc.
또한, 드라이 클리닝 이외의 클리닝 방법, 예를 들어, 스크린 롤러를 사용한 클린 롤법이나 크리닝액을 사용한 웨트 클리닝법이면, 롤러나 클리닝액 유래의 성분이 제 1 금속층의 표면에 부착되어, 상기 과제를 해결하는 것은 곤란하다.In addition, if a cleaning method other than dry cleaning is used, such as a clean roll method using a screen roller or a wet cleaning method using a cleaning liquid, components derived from the roller or the cleaning liquid adhere to the surface of the first metal layer, making it difficult to solve the above problem.
5. 변형예 5. Variants
도 4A ∼ B 를 참조하여, 본 발명의 도전성 필름 (1) 의 제조 방법의 일 실시형태의 변형예에 대해 설명한다. 또한, 변형예에 있어서, 일 실시형태와 동일한 부재에는, 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다.Referring to FIGS. 4A to 4B, a description will be given of a modified example of one embodiment of the method for manufacturing a conductive film (1) of the present invention. In addition, in the modified example, the same reference numerals are given to the same components as in one embodiment, and the description thereof is omitted.
(1) 도 1A ∼ G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 광학 조정층을 배치하는 공정을 구비하고 있지 않지만, 예를 들어, 도 4A 에 나타내는 바와 같이, 광학 조정층 (제 1 광학 조정층 (12) 및 제 2 광학 조정층 (13)) 을 배치하는 공정을 구비할 수도 있다.(1) In one embodiment shown in FIGS. 1A to 1G, a process for arranging an optical adjustment layer is not provided, but, for example, as shown in FIG. 4A, a process for arranging an optical adjustment layer (a first optical adjustment layer (12) and a second optical adjustment layer (13)) may be provided.
광학 조정층은, 투명 도전층 (제 1 투명 도전층 (7) 및 제 2 투명 도전층 (10)) 에 있어서의 패턴의 시인을 억제하면서, 도전성 필름 (1) 이 우수한 투명성을 확보하기 위하여, 도전성 필름 (1) 의 광학 물성 (예를 들어, 굴절률) 을 조정하는 층이다.The optical adjustment layer is a layer that adjusts the optical properties (e.g., refractive index) of the conductive film (1) so as to secure excellent transparency of the conductive film (1) while suppressing recognition of the pattern in the transparent conductive layer (the first transparent conductive layer (7) and the second transparent conductive layer (10)).
광학 조정층의 굴절률은, 각각, 예를 들어, 1.6 이상, 바람직하게는, 1.8 이하이다.The refractive index of the optical adjustment layer is, for example, 1.6 or more, preferably, 1.8 or less.
광학 조정층을 배치하는 공정은, (2) 공정과 (3) 공정 사이에 실시된다.The process of arranging the optical adjustment layer is performed between processes (2) and (3).
광학 조정층을 배치하는 공정은, 구체적으로는, 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면에 제 1 광학 조정층 (12) 을 배치하고, 한편, 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에 제 2 광학 조정층 (13) 을 배치한다.The process of arranging the optical adjustment layer is, specifically, arranging the first optical adjustment layer (12) on the upper surface of the first hard coat layer (6), while arranging the second optical adjustment layer (13) on the lower surface of the second hard coat layer (9).
구체적으로는, 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면 및 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에 광학 조정층을, 예를 들어, 습식 도공에 의해 형성한다.Specifically, an optical adjustment layer is formed on the upper surface of the first hard coat layer (6) and the lower surface of the second hard coat layer (9), for example, by wet coating.
이로써, 도 4B 에 나타내는 바와 같이, 제 1 광학 조정층 (12) 및 제 2 광학 조정층 (13) 을 구비하는 도전성 필름 (1) 이 얻어진다.As a result, a conductive film (1) having a first optical adjustment layer (12) and a second optical adjustment layer (13) is obtained, as shown in Fig. 4B.
이 실시형태에서는, 광학 조정층을 배치할 수 있고, 패터닝 투명 도전층 (7A, 10A) 의 시인을 억제할 수 있다.In this embodiment, an optical adjustment layer can be arranged and visibility of the patterned transparent conductive layer (7A, 10A) can be suppressed.
(2) 도 1A ∼ G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 투명 기재 (5) 의 하측에, 제 2 캐리어 필름을 배치하는 공정을 구비하고 있지 않지만, 예를 들어, 도시되지 않지만, 투명 기재 (5) 의 하측에, 특히 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에, 제 2 캐리어 필름을 배치하는 공정을 구비할 수도 있다.(2) In one embodiment shown in FIGS. 1A to 1G, the step of arranging the second carrier film on the lower side of the transparent substrate (5) is not provided. However, for example, although not shown, the step of arranging the second carrier film on the lower side of the transparent substrate (5), particularly on the lower surface of the second hard coat layer (9) may be provided.
제 2 캐리어 필름으로는, 상기한 캐리어 필름 (4) 을 들 수 있다.As a second carrier film, the carrier film (4) described above can be mentioned.
제 2 캐리어 필름을 배치하는 공정은, (2) 공정과 (3) 공정 사이에 실시된다. 제 2 캐리어 필름은, (4) 공정과 (5) 공정 사이에 제거된다.The process of placing the second carrier film is performed between processes (2) and (3). The second carrier film is removed between processes (4) and (5).
이 실시형태에서는, 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 배치하는 공정에 있어서, 핸들링성을 향상시킬 수 있고, 이들의 층을 확실하게 투명 기재 (5) 에 배치할 수 있다. 이것은, 특히, 투명 기재 (5) 의 두께가 얇은 경우 (예를 들어, 55 ㎛ 이하) 에 유효하다.In this embodiment, in the process of arranging the first transparent conductive layer (7) and the first metal layer (8), the handling property can be improved, and these layers can be reliably arranged on the transparent substrate (5). This is particularly effective when the thickness of the transparent substrate (5) is thin (for example, 55 μm or less).
(3) 도 1A ∼ G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 어닐 공정을 구비하고 있지 않지만, 예를 들어, 도시되지 않지만, 어닐 공정을 구비할 수도 있다.(3) In the embodiment shown in FIGS. 1A to 1G, an annealing process is not provided; however, for example, an annealing process may be provided, although not shown.
어닐 공정은, 예를 들어, (2) 공정과 (3) 공정 사이에 실시된다.The annealing process is performed, for example, between processes (2) and (3).
어닐 공정시의 온도는, 예를 들어, 60 ℃ 이상, 160 ℃ 이하이다. 어닐 시간은, 예를 들어, 3 분 이상, 60 분 이하이다.The temperature during the annealing process is, for example, 60°C or higher and 160°C or lower. The annealing time is, for example, 3 minutes or higher and 60 minutes or lower.
이 실시형태에서는, (3) 공정에서의 도 1A ∼ B 로부터의 아웃 가스를 저감시킬 수 있다. 또, 도 1A ∼ B 에서의 열수축률을 미리 조정할 수 있다.In this embodiment, the outgas from Figs. 1A to B in the process (3) can be reduced. In addition, the heat shrinkage ratio from Figs. 1A to B can be adjusted in advance.
(4) 도 1A ∼ G 에 나타내는 일 실시형태에서는, 결정화 공정을 구비하고 있지 않지만, 예를 들어, 도시되지 않지만, 결정화 공정을 구비할 수도 있다.(4) In one embodiment shown in FIGS. 1A to 1G, a crystallization process is not provided; however, for example, although not shown, a crystallization process may be provided.
결정화 공정은, 투명 도전층을 가열함으로써, 투명 도전층을 아모르퍼스 상태로부터 결정 상태로 변화시킨다.The crystallization process changes the transparent conductive layer from an amorphous state to a crystalline state by heating the transparent conductive layer.
결정화 공정은, 예를 들어, (5) 공정의 후에 실시된다.The crystallization process is performed, for example, after process (5).
가열은, 예를 들어, 적외선 히터, 오븐 등을 사용하여 대기하에서 실시한다.Heating is carried out under atmospheric conditions, for example, using infrared heaters, ovens, etc.
가열 온도는, 예를 들어, 80 ℃ 이상, 200 ℃ 이하이다. 가열 시간은, 예를 들어, 3 분 이상, 5 시간 이하이다.The heating temperature is, for example, 80 ℃ or higher and 200 ℃ or lower. The heating time is, for example, 3 minutes or higher and 5 hours or lower.
이 실시형태에서는, 투명 도전층을 결정화시켜, 도전성 필름 (1) 의 도전성을 양호하게 할 수 있다.In this embodiment, the conductivity of the conductive film (1) can be improved by crystallizing the transparent conductive layer.
＜제 2 실시형태＞＜
도 5A ∼ F 를 참조하여, 본 발명의 도전성 필름 (1) 의 제조 방법의 제 2 실시형태를 설명한다. 또한, 이들 실시형태에 있어서, 상기한 제 1 실시형태와 동일한 부재에는, 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. 이들 실시형태에 대해서도, 제 1 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘한다. 또, 이들 실시형태에 대해서도, 제 1 실시형태의 변형예를 동일하게 적용할 수 있다.Referring to FIGS. 5A to 5F, a second embodiment of a method for manufacturing a conductive film (1) of the present invention will be described. In addition, in these embodiments, the same members as in the first embodiment are given the same reference numerals, and the description thereof is omitted. These embodiments also exhibit the same operational effects as those of the first embodiment. In addition, modifications of the first embodiment can be applied in the same manner to these embodiments.
제 2 실시형태에 있어서의 도전성 필름 (1) 의 제조 방법은, 예를 들어, 준비 공정과 제거 공정을 구비한다. 바람직하게는, 이 제조 방법은, 모두 롤 투 롤 방식으로 실시된다.The method for manufacturing a conductive film (1) in the second embodiment comprises, for example, a preparation process and a removal process. Preferably, both of these manufacturing methods are carried out in a roll-to-roll manner.
1. 준비 공정 1. Preparation process
준비 공정에서는, 도 5A ∼ E 에 나타내는 바와 같이, 적층체 (2) 를 준비한다.In the preparation process, a laminate (2) is prepared as shown in FIGS. 5A to E.
제 2 실시형태에 있어서의 적층체 (2) 는, 도 5E 에 나타내는 바와 같이, 중간 필름 (3) 과, 그 하면에 배치되는 캐리어 필름 (4) 을 구비한다.The laminate (2) in the second embodiment comprises an intermediate film (3) and a carrier film (4) arranged on the lower surface thereof, as shown in Fig. 5E.
제 2 실시형태에 있어서의 중간 필름 (3) 은, 투명 기재 (5) 와, 투명 기재 (5) 의 상측에 배치되는 제 1 하드 코트층 (6) 과, 제 1 하드 코트층 (6) 의 상측에 배치되는 제 1 투명 도전층 (7) 과, 제 1 투명 도전층 (7) 의 상측에 배치되는 제 1 금속층 (8) 을 구비한다. 즉, 중간 필름 (3) 은, 투명 기재 (5), 제 1 하드 코트층 (6), 제 1 투명 도전층 (7), 및 제 1 금속층 (8) 을 아래로부터 순서대로 구비한다. 즉, 중간 필름 (3) 은, 투명 기재 (5) 의 편측에만, 투명 도전층 및 금속층을 순서대로 구비하는 편면 도전성 필름이다.The intermediate film (3) in the second embodiment comprises a transparent substrate (5), a first hard coat layer (6) arranged on the upper side of the transparent substrate (5), a first transparent conductive layer (7) arranged on the upper side of the first hard coat layer (6), and a first metal layer (8) arranged on the upper side of the first transparent conductive layer (7). That is, the intermediate film (3) comprises the transparent substrate (5), the first hard coat layer (6), the first transparent conductive layer (7), and the first metal layer (8) in that order from below. That is, the intermediate film (3) is a single-sided conductive film that comprises a transparent conductive layer and a metal layer in that order on only one side of the transparent substrate (5).
캐리어 필름 (4) 은, 중간 필름 (3) 의 하면에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 캐리어 필름 (4) 은, 투명 기재 (5) 의 하면 전체면에, 투명 기재 (5) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The carrier film (4) is arranged on the lower surface of the intermediate film (3). More specifically, the carrier film (4) is arranged on the entire lower surface of the transparent substrate (5) so as to be in contact with the lower surface of the transparent substrate (5).
제 2 실시형태에 있어서의 캐리어 필름 (4) 은, 상면에 점착성을 갖고, 그것 이외에는, 제 1 실시형태에 있어서의 캐리어 필름 (4) 과 동일하다.The carrier film (4) in the second embodiment has adhesiveness on the upper surface, and other than that, is the same as the carrier film (4) in the first embodiment.
(준비 공정)(Preparation process)
준비 공정은, 예를 들어, (1') 투명 기재 (5) 를 준비하는 공정, (2') 투명 기재 (5) 의 하면에, 캐리어 필름 (4) 을 배치하는 공정, (3') 투명 기재 (5) 에 하드 코트층 (제 1 하드 코트층 (6)) 을 배치하는 공정, (4') 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면에 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 순서대로 배치하는 공정, (5') 적층체 (2) 를 권회하는 공정, 및 (6') 캐리어 필름 (4) 을 제거하는 공정을 순서대로 구비한다.The preparation process includes, for example, (1') a process of preparing a transparent substrate (5), (2') a process of arranging a carrier film (4) on the lower surface of the transparent substrate (5), (3') a process of arranging a hard coat layer (first hard coat layer (6)) on the transparent substrate (5), (4') a process of arranging a first transparent conductive layer (7) and a first metal layer (8) in sequence on the upper surface of the first hard coat layer (6), (5') a process of winding the laminate (2), and (6') a process of removing the carrier film (4).
(1') 투명 기재 (5) 를 준비하는 공정은, 도 5A 에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태의 (1) 공정과 동일하다.(1') The process of preparing the transparent material (5) is the same as the process (1) of the first embodiment, as shown in Fig. 5A.
(2') 투명 기재 (5) 의 하면에 캐리어 필름 (4) 을 배치하는 공정 (2') Process of placing a carrier film (4) on the lower surface of a transparent substrate (5)
도 5B 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (5) 의 하면에 캐리어 필름 (4) 의 상면 (점착면) 을 접촉시킴으로써, 투명 기재 (5) 와 캐리어 필름 (4) 을 적층시킨다.As shown in Fig. 5B, the transparent substrate (5) and the carrier film (4) are laminated by bringing the upper surface (adhesive surface) of the carrier film (4) into contact with the lower surface of the transparent substrate (5).
(3') 투명 기재 (5) 에 하드 코트층을 배치하는 공정(3') Process of placing a hard coat layer on a transparent substrate (5)
도 5C 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (5) 의 상면에, 제 1 하드 코트층 (6) 을, 예를 들어, 습식 도공에 의해 형성한다. 구체적으로는, 제 1 실시형태의 (2) 공정과 동일하다.As shown in Fig. 5C, a first hard coat layer (6) is formed on the upper surface of a transparent substrate (5), for example, by wet coating. Specifically, it is the same as the step (2) of the first embodiment.
(4') 제 1 하드 코트층 (6) 의 상면에 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 순서대로 배치하는 공정은, 도 5D ∼ E 에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태의 (3) 공정과 동일하다.(4') The process of sequentially arranging the first transparent conductive layer (7) and the first metal layer (8) on the upper surface of the first hard coat layer (6) is the same as the process (3) of the first embodiment, as shown in FIGS. 5D to E.
이로써, 중간 필름 (3) 과, 그 하면에 배치되는 캐리어 필름 (4) 을 구비하는 적층체 (2) (캐리어 필름 부착 도전성 필름) 가 얻어진다.In this way, a laminate (2) (conductive film attached to carrier film) having an intermediate film (3) and a carrier film (4) disposed on the lower surface thereof is obtained.
(5') 적층체 (2) 를 권회하는 공정(5') Process of winding the laminate (2)
적층체 (2) 를 권회하는 공정에서는, 예를 들어, 적층체 (2) 를 롤 투 롤 방식에 의해, 롤상으로 권회한다.In the process of winding the laminate (2), for example, the laminate (2) is wound into a roll shape by a roll-to-roll method.
이로써, 복수의 적층체 (2) 가 직경 방향과 겹쳐지는 롤상의 적층체 (2) 에 있어서, 캐리어 필름 (4) 의 하면이, 제 1 금속층 (8) 의 상면과 접촉하도록 배치된다.In this way, in the roll-shaped laminate (2) in which a plurality of laminates (2) overlap in the diametric direction, the lower surface of the carrier film (4) is arranged so as to be in contact with the upper surface of the first metal layer (8).
(6') 캐리어 필름 (4) 을 제거하는 공정(6') Process of removing carrier film (4)
롤상의 적층체 (2) 를 직선상으로 되감은 후, 도 5E 의 가상선에 나타내는 바와 같이, 중간 필름 (3) 의 투명 기재 (5) 의 하면과, 캐리어 필름 (4) 의 상면이 서로 이간되도록 캐리어 필름 (4) 을 박리한다. 이로써, 중간 필름 (3) 이 단체로서 얻어진다.After the roll-shaped laminate (2) is rewinded in a straight line, as shown in the virtual line of Fig. 5E, the carrier film (4) is peeled off so that the lower surface of the transparent substrate (5) of the intermediate film (3) and the upper surface of the carrier film (4) are separated from each other. As a result, the intermediate film (3) is obtained as a single unit.
2. 제거 공정 2. Removal process
제거 공정에서는, 중간 필름 (3) 의 제 1 금속층 (8) 의 상면에, 드라이 클리닝 처리를 실시한다. 상세하게는, 제 1 실시형태와 동일하다.In the removal process, a dry cleaning process is performed on the upper surface of the first metal layer (8) of the intermediate film (3). In detail, it is the same as in the first embodiment.
이로써, 도 5F 에 나타내는 바와 같이, 도전성 필름 (1) 이 얻어진다. 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재, 제 1 하드 코트층 (6), 제 1 투명 도전층 (7) 및 제 1 금속층 (8) 을 순서대로 구비한다. 도전성 필름 (1) 은, 편면 금속층이 형성된 투명 도전성 필름이다.Thereby, as shown in Fig. 5F, a conductive film (1) is obtained. The conductive film (1) comprises a transparent substrate, a first hard coat layer (6), a first transparent conductive layer (7), and a first metal layer (8) in that order. The conductive film (1) is a transparent conductive film having a single-sided metal layer formed thereon.
도전성 필름 (1) 의 상면 및 하면의 물성 (예를 들어, 수 접촉각) 등은, 제 1 실시형태와 동일하다.The physical properties (e.g., water contact angle) of the upper and lower surfaces of the challenging film (1) are the same as those of the first embodiment.
제 2 실시형태에 있어서도, 제 1 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘한다. 특히, 제 2 실시형태에서는, 도전성 필름 (1) 의 제조시에 있어서는, 롤 투 롤 방식에 있어서, 공정마다 롤상으로 권회하는 경우가 발생하고, 그 경우에, 캐리어 필름 (4) 에 접촉한 제 1 금속층 (8) 의 패터닝 정밀도를 양호하게 할 수 있다.In the second embodiment, the same operational effects as in the first embodiment are achieved. In particular, in the second embodiment, when manufacturing the conductive film (1), in the roll-to-roll method, there are cases where it is wound in a roll shape for each process, and in that case, the patterning precision of the first metal layer (8) in contact with the carrier film (4) can be improved.
실시예Example
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 전혀 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재의 상한치 (「이하」,「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한치 (「이상」,「초과」로서 정의되어 있는 수치) 로 대체할 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples. In addition, the present invention is not limited to the Examples and Comparative Examples at all. The specific numerical values of the blending ratio (content ratio), physical property values, parameters, etc. used in the description below can be replaced with the upper limit value (a numerical value defined as “or less than” or “less than”) or the lower limit value (a numerical value defined as “or more than” or “exceeds”) of the blending ratio (content ratio), physical property values, parameters, etc. corresponding to them described in the above-mentioned “Mode for Carrying Out the Invention.”
(실시예 1)(Example 1)
투명 기재 (5) 로서, 두께 55 ㎛ 의 시클로올레핀 폴리머 필름 (COP 필름) 을 준비하였다 (도 1A 참조).As a transparent substrate (5), a cycloolefin polymer film (COP film) having a thickness of 55 ㎛ was prepared (see Fig. 1A).
자외선 경화형 아크릴 수지 및 용매 (아세트산에틸) 를 혼합하여, 하드 코트 조성물 도포액을 조제하였다. COP 필름의 상면 및 하면에, 하드 코트 조성물 도포액을 도포 및 건조시킨 후, 자외선을 조사하였다. 이로써, 두께 1.3 ㎛ 의 하드 코트층 (제 1 하드 코트층 (6) 및 제 2 하드 코트층 (9)) 을 COP 필름의 상면 및 하면에 형성하였다 (도 1B 참조).A hard coat composition coating liquid was prepared by mixing an ultraviolet-curable acrylic resin and a solvent (ethyl acetate). The hard coat composition coating liquid was applied to the upper and lower surfaces of a COP film, dried, and then irradiated with ultraviolet rays. As a result, a hard coat layer (a first hard coat layer (6) and a second hard coat layer (9)) having a thickness of 1.3 ㎛ was formed on the upper and lower surfaces of the COP film (see Fig. 1B).
이어서, 얻어진 적층체를, 권취식 스퍼터링 장치에 투입하고, 제 1 하드 코트층의 상면에, 두께가 30 ㎚ 인 제 1 투명 도전층 (7) (ITO 층) 을 형성하였다 (도 1C 참조). 구체적으로는, 진공 분위기하에서, 97 질량％ 의 산화인듐 및 3 질량％ 의 산화주석의 소결체로 이루어지는 ITO 타깃을 사용하여, 제 1 하드 코트층 (6) 에 대해 스퍼터링을 실시하였다.Next, the obtained laminate was placed in a roll-up sputtering device, and a first transparent conductive layer (7) (ITO layer) having a thickness of 30 nm was formed on the upper surface of the first hard coat layer (see Fig. 1C). Specifically, sputtering was performed on the first hard coat layer (6) using an ITO target composed of a sintered body of 97 mass% indium oxide and 3 mass% tin oxide in a vacuum atmosphere.
이어서, 얻어진 적층체를, 권취식 스퍼터링 장치에 투입하고, 제 1 투명 도전층 (7) 의 상면에, 두께가 200 ㎚ 인 제 1 금속층 (8) (구리층) 을 형성하였다 (도 1D 참조). 구체적으로는, 진공 분위기하에서, 무산소동으로 이루어지는 Cu 타깃을 사용하여, 제 1 투명 도전층 (7) 에 대해 스퍼터링을 실시하였다.Next, the obtained laminate was placed in a coil-type sputtering device, and a first metal layer (8) (copper layer) having a thickness of 200 nm was formed on the upper surface of the first transparent conductive layer (7) (see Fig. 1D). Specifically, sputtering was performed on the first transparent conductive layer (7) using a Cu target made of oxygen-free copper under a vacuum atmosphere.
이어서, 얻어진 적층체의 제 1 금속층 (8) 의 상면에, 캐리어 필름 (4) (후타무라 제조,「FSA020M」, 두께 35 ㎛) 을 적층하였다 (도 1E 참조).Next, a carrier film (4) (manufactured by Futamura, “FSA020M”, thickness 35 μm) was laminated on the upper surface of the first metal layer (8) of the obtained laminate (see Fig. 1E).
이어서, 얻어진 적층체의 제 2 하드 코트층 (9) 의 하면에, 상기와 동일하게 하여, 제 2 투명 도전층 (10) (ITO 층) 및 제 2 금속층 (11) (구리층) 을 형성한 후, 캐리어 필름 (4) 을 박리하였다 (도 1F ∼ G 참조). 이로써, 중간 필름 (3) 을 얻었다.Next, on the lower surface of the second hard coat layer (9) of the obtained laminate, a second transparent conductive layer (10) (ITO layer) and a second metal layer (11) (copper layer) were formed in the same manner as described above, and then the carrier film (4) was peeled off (see Figs. 1F to G). Thus, an intermediate film (3) was obtained.
이어서, 표 1 에 나타내는 플라즈마 처리의 조건에서, 중간 필름 (3) 의 제 1 금속층 (8) 의 상면에 대해, 드라이 클리닝 처리를 실시하였다. 또한, 플라즈마 처리 장치로는, 세키스이 화학공업사 제조의 플라즈마 표면 처리 장치「RD640」(전극 길이 540 ㎜) 을 사용하였다.Next, under the conditions of plasma treatment shown in Table 1, a dry cleaning treatment was performed on the upper surface of the first metal layer (8) of the intermediate film (3). In addition, as the plasma treatment device, a plasma surface treatment device "RD640" (electrode length: 540 mm) manufactured by Sekisui Chemical Industry Co., Ltd. was used.
이로써, 실시예 1 의 도전성 필름 (1) 을 얻었다 (도 1H 참조) In this way, the conductive film (1) of Example 1 was obtained (see Fig. 1H).
(실시예 2 ∼ 6)(Examples 2 to 6)
드라이 클리닝의 조건을 표 1 에 나타내는 조건으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예의 도전성 필름을 얻었다.A conductive film of the example was obtained in the same manner as in Example 1, except that the dry cleaning conditions were changed to those shown in Table 1.
(실시예 7 ∼ 9)(Examples 7 to 9)
플라즈마 처리 대신에, 코로나 처리를 실시한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예의 도전성 필름을 얻었다. 코로나 처리 장치로는, 카스가 전기사 제조의 코로나 표면 처리 장치 (전극 길이 430 ㎜) 를 사용하였다. 코로나 처리의 조건은, 표 1 에 나타낸다. 코로나 처리에 있어서, 산소 가스의 값은, 농도를 나타낸다.A conductive film of the example was obtained in the same manner as in Example 1, except that corona treatment was performed instead of plasma treatment. As a corona treatment device, a corona surface treatment device (electrode length 430 mm) manufactured by Kasuga Electric Co., Ltd. was used. The conditions of the corona treatment are shown in Table 1. In the corona treatment, the value of oxygen gas represents the concentration.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
드라이 클리닝 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예의 도전성 필름을 얻었다.A conductive film of a comparative example was obtained in the same manner as in Example 1, except that the dry cleaning treatment was not performed.
(수 접촉각의 측정)(Measurement of water contact angle)
접촉각계 (쿄와 계면 과학사 제조,「DropMaster·DM500」) 를 사용하여, 제 1 금속층의 상면에 약 1.0 ㎕ 의 물방울을 적하하고, 5 초 후에, 물방울과 제 1 금속층의 상면이 이루는 각도를 측정하였다. 3 회 측정의 평균치를 표 1 에 나타낸다.Using a contact angle meter (Kyowa Interface Science Co., Ltd., “DropMaster DM500”), a water droplet of about 1.0 μl was dropped on the upper surface of the first metal layer, and after 5 seconds, the angle formed by the water droplet and the upper surface of the first metal layer was measured. The average value of three measurements is shown in Table 1.
(TOF-SIMS 에 의한 제 1 금속층 표면의 측정)(Measurement of the surface of the first metal layer by TOF-SIMS)
제 1 금속층의 상면에 대해, TOF-SIMS (비행 시간형 2 차 이온 질량 분석법) 를 실시하고, (1) Cu+ 에 대한 C15H23O+ 의 상대 강도, (2) C6H13 + 의 상대 강도, 및 (3) Cu- 에 대한 C18H35O2 - 의 상대 강도를 측정하였다. 구체적으로는, 하기의 조건에서 측정하였다. 표 1 에 나타낸다.For the upper surface of the first metal layer, TOF-SIMS (time-of-flight secondary ion mass spectrometry) was performed, and (1) the relative intensity of C 15 H 23 O + to Cu + , (2) the relative intensity of C 6 H 13 + , and (3) the relative intensity of C 18 H 35 O 2 - to Cu - were measured. Specifically, the measurements were made under the following conditions, as shown in Table 1.
측정 장치 : ION-TOF 사 제조,「TOF SIMS 5」Measuring device: ION-TOF Co., Ltd., "
일차 이온 : Bi32+ Primary ion: Bi3 2+
가압 전압 : 25 ㎸, Pressurized voltage: 25 kV,
측정 면적 : 가로세로 500 ㎛ Measurement area: 500 ㎛ in length and width
또한, C15H23O+ 는, 캐리어 필름 (4) 에 함유하는 산화 방지제 (펜타에리트리톨·테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트]) 유래 성분 (BHT) 이고, C6H13 + 는, 캐리어 필름에 함유하는 지방족 탄화수소 유래 성분이고, C18H35O2 - 는, 캐리어 필름에 함유하는 장사슬 지방족산 유래 성분이었다.In addition, C 15 H 23 O + is a component derived from an antioxidant (pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate]) (BHT) contained in the carrier film (4), C 6 H 13 + is a component derived from an aliphatic hydrocarbon contained in the carrier film, and C 18 H 35 O 2 - is a component derived from a long-chain aliphatic acid contained in the carrier film.
(패터닝 평가)(Patterning evaluation)
실시예 및 비교예의 도전성 필름의 제 1 금속층을 에칭하였다. 구체적으로는, 제 1 금속층의 상면에, 폭 1 ㎝ 간격의 스트라이프상의 드라이 필름 레지스트를 형성하고, 에칭액으로, 드라이 필름으로부터 노출되는 제 1 금속층을 에칭하였다.The first metal layer of the conductive film of the examples and comparative examples was etched. Specifically, a dry film resist in the form of stripes with a width of 1 cm was formed on the upper surface of the first metal layer, and the first metal layer exposed from the dry film was etched using an etching solution.
이 때, 패터닝된 제 1 금속층에, 결함이 전혀 관찰되지 않은 경우를 ◎ 로 평가하고, 극히 미소한 결함이 관찰되었지만, 실용상 문제가 없는 레벨인 경우를 ○ 로 평가하고, 큰 결함이 관찰된 경우를 × 로 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.At this time, in the patterned first metal layer, the case where no defects were observed at all was evaluated as ◎, the case where extremely small defects were observed but at a level that did not cause any practical problems was evaluated as ○, and the case where large defects were observed was evaluated as ×. The results are shown in Table 1.
1 : 도전성 필름
2 : 적층체
3 : 중간 필름
4 : 캐리어 필름
5 : 투명 기재
7 : 제 1 투명 도전층
8 : 제 1 금속층
10 : 제 2 투명 도전층
11 : 제 2 금속층1: Challenge film
2: Laminate
3: Intermediate film
4: Carrier film
5: Transparent substrate
7: 1st transparent challenge layer
8: First metal layer
10: 2nd transparent conductive layer
11: Second metal layer
Claims (6)
상기 제 1 금속층에 드라이 클리닝 처리를 실시하여, 상기 캐리어 필름에서 유래하는 성분을 제거하는 제거 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 도전성 필름의 제조 방법.A preparatory process for preparing a laminate comprising an intermediate film sequentially comprising a transparent substrate, a first transparent conductive layer, and a first metal layer, and a carrier film disposed on the intermediate film;
A method for manufacturing a conductive film, characterized by comprising a removal process for removing components derived from the carrier film by performing a dry cleaning treatment on the first metal layer.
상기 드라이 클리닝 처리가, 플라즈마 처리 또는 코로나 처리인 것을 특징으로 하는, 도전성 필름의 제조 방법.In paragraph 1,
A method for manufacturing a conductive film, characterized in that the dry cleaning treatment is plasma treatment or corona treatment.
상기 제거 공정 후에 있어서의 상기 제 1 금속층의 수 접촉각이, 90 도 이하인 것을 특징으로 하는, 도전성 필름의 제조 방법.In paragraph 1,
A method for manufacturing a conductive film, characterized in that the water contact angle of the first metal layer after the removal process is 90 degrees or less.
상기 제거 공정 후에 있어서, 하기 (1) ∼ (3) 의 적어도 1 개의 요건을 만족하는 것을 특징으로 하는, 도전성 필름의 제조 방법.
(1) Cu+ 에 대한 C15H23O+ 의 상대 강도가, 7.8 × 10-2 이하이다.
(2) Cu+ 에 대한 C6H13 + 의 상대 강도가, 6.1 × 10-3 이하이다.
(3) Cu- 에 대한 C18H35O2 - 의 상대 강도가, 4.3 × 10-2 이하이다.In paragraph 1,
A method for manufacturing a conductive film, characterized in that after the above removal process, at least one of the following requirements (1) to (3) is satisfied.
(1) The relative intensity of C 15 H 23 O + to Cu + is 7.8 × 10 -2 or less.
(2) The relative intensity of C 6 H 13 + to Cu + is 6.1 × 10 -3 or less.
(3) The relative intensity of C 18 H 35 O 2 - to Cu - is 4.3 × 10 -2 or less.
상기 준비 공정은,
상기 투명 기재의 두께 방향 일방측에, 상기 제 1 투명 도전층 및 상기 제 1 금속층을 순서대로 배치하는 공정과,
상기 제 1 금속층의 두께 방향 일방측에, 상기 캐리어 필름을 배치하는 공정과,
상기 투명 기재의 두께 방향 타방측에, 제 2 투명 도전층 및 제 2 금속층을 순서대로 배치하는 공정과,
상기 캐리어 필름을 제거하는 공정
을 순서대로 구비하는 것을 특징으로 하는, 도전성 필름의 제조 방법.In any one of claims 1 to 4,
The above preparation process is,
A process of sequentially arranging the first transparent conductive layer and the first metal layer on one side of the thickness direction of the transparent substrate;
A process of arranging the carrier film on one side of the thickness direction of the first metal layer,
A process of sequentially arranging a second transparent conductive layer and a second metal layer on the other side in the thickness direction of the above transparent substrate,
Process for removing the above carrier film
A method for manufacturing a conductive film, characterized by sequentially providing:
상기 준비 공정은,
상기 투명 기재의 두께 방향 타방측에, 상기 캐리어 필름을 배치하는 공정과,
상기 투명 기재의 두께 방향 일방측에, 제 1 투명 도전층 및 제 1 금속층을 순서대로 배치하는 공정
을 순서대로 구비하는 것을 특징으로 하는, 도전성 필름의 제조 방법.In any one of claims 1 to 4,
The above preparation process is,
A process of placing the carrier film on the other side of the thickness direction of the transparent substrate,
A process of sequentially arranging a first transparent conductive layer and a first metal layer on one side of the thickness direction of the above transparent substrate.
A method for manufacturing a conductive film, characterized by sequentially providing:
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