KR102703676B1 - Organic light emitting display device - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 472
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 21
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 21
- -1 acryl Chemical group 0.000 claims description 20
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRSBAUDUBWMTGL-UHFFFAOYSA-N 2-(1-benzothiophen-2-yl)pyridine Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C=C1C1=CC=CC=N1 NRSBAUDUBWMTGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-bis[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVMUGTFNHXHZIP-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]phenyl]-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XVMUGTFNHXHZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상의 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화층과 제 1 뱅크층과 평탄화층 상에 있고, 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극과 제 1 뱅크층 상에 있는 제 2 뱅크층과 제 1 전극 상에 있는 유기물층과 유기 발광층을 포함하는 발광부 및 발광부 상에 있는 제 2 전극을 포함하고, 제 1 뱅크층은 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어지고, 제 2 뱅크층은 블랙 피그먼트를 포함하여 구성된다. An organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor on a substrate, a planarization layer covering the thin film transistor, a first bank layer, a first electrode on the planarization layer and connected to the thin film transistor, a second bank layer on the first bank layer, an organic material layer on the first electrode, and an organic light-emitting layer, and a light-emitting portion including a second electrode on the light-emitting portion, wherein the first bank layer is formed of the same material as the planarization layer and in the same layer, and the second bank layer includes a black pigment.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 외부광에 의한 반사가 최소화되고 개구율이 향상될 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more specifically, to an organic light emitting display device in which reflection by external light can be minimized and an aperture ratio can be improved.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자체 발광형 표시 장치로서, 정공(hole) 주입을 위한 전극(anode)과 전자(electron) 주입을 위한 전극(cathode)으로부터 각각 정공과 전자를 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 유기 발광 소자를 이용한 표시 장치이다. An organic light-emitting display (OLED) is a self-luminous display device that uses an organic light-emitting element that injects holes and electrons into the light-emitting layer from an electrode (anode) for hole injection and an electrode (cathode) for electron injection, respectively, and emits light when excitons formed by combining the injected holes and electrons drop from an excited state to a ground state.
유기 발광 표시 장치는 빛이 방출되는 방향에 따라서 상부 발광(Top Emission) 방식, 하부 발광(Bottom Emission) 방식 및 양면 발광(Dual Emission) 방식 등으로 나누어지고, 구동 방식에 따라서는 수동 매트릭스형(Passive Matrix)과 능동 매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어질 수 있다.Organic light-emitting display devices can be divided into top emission, bottom emission, and dual emission types depending on the direction in which light is emitted, and can be divided into passive matrix and active matrix types depending on the driving method.
유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암비(contrast ratio: CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이 장치로서 연구되고 있다.Unlike liquid crystal displays (LCDs), organic light-emitting displays do not require a separate light source, so they can be manufactured as lightweight and thin. In addition, organic light-emitting displays are advantageous in terms of power consumption due to low-voltage operation, and are also excellent in color implementation, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), so they are being studied as next-generation display devices.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극 사이에 서로 다른 색을 발광하는 복수의 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하여 이루어진다. 예를 들어 유기 발광층은 적색 광을 발광하기 위한 적색 발광층, 녹색 광을 발광하기 위한 녹색 발광층, 청색 광을 발광하기 위한 청색 발광층이 각각 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소에 분리되어 구성될 수 있다. 각각의 발광층들은 서브 화소 별로 개구된 마스크, 예를 들어 FMM(fine metal mask)을 이용하여 패턴 증착될 수 있다.An organic light-emitting display device includes an organic light-emitting element including a plurality of organic light-emitting layers emitting different colors between two electrodes. For example, the organic light-emitting layers may be configured such that a red light-emitting layer for emitting red light, a green light-emitting layer for emitting green light, and a blue light-emitting layer for emitting blue light are separately configured for a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, respectively. Each of the light-emitting layers may be pattern-deposited using a mask opened for each sub-pixel, such as a fine metal mask (FMM).
유기 발광 표시 장치는 각각의 서브 화소를 정의하기 위한 뱅크층(bank layer)을 포함하며, 유기 발광 표시 장치의 뱅크층은 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 이러한 투명한 뱅크층을 통해서 외부로부터 투과된 빛이 뱅크층의 하부에 있는 금속에 반사되면서 유기 발광 표시 장치의 외부광에 의한 반사가 높아지는 문제가 발생하고 있다.The organic light-emitting display device includes a bank layer for defining each sub-pixel, and the bank layer of the organic light-emitting display device may be made of a transparent material. The light transmitted from the outside through this transparent bank layer is reflected by the metal under the bank layer, causing a problem in that the reflection of the organic light-emitting display device due to external light increases.
이에 본 발명의 발명자는 위에서 언급한 문제점들을 인식하고, 외부광에 의한 반사를 최소화하면서 개구율이 향상될 수 있는 유기 발광 표시 장치를 발명하였다. Accordingly, the inventor of the present invention recognized the problems mentioned above and invented an organic light emitting display device capable of improving the aperture ratio while minimizing reflection due to external light.
본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는 유기 발광 표시 장치의 뱅크층의 구조를 개선함으로써 외부광에 의한 반사를 최소화하고 개구율이 향상될 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The problem solved by an embodiment of the present invention is to provide an organic light-emitting display device capable of minimizing reflection by external light and improving the aperture ratio by improving the structure of a bank layer of the organic light-emitting display device.
본 발명의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved according to the embodiments of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 외부광에 의한 반사를 최소화하고 개구율이 향상될 수 있는 유기 발광 표시 장치가 제공된다.In order to solve the aforementioned problems, an organic light-emitting display device is provided that can minimize reflection by external light and improve aperture ratio.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상의 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화층과 제 1 뱅크층과 평탄화층 상에 있고, 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극과 제 1 뱅크층 상에 있는 제 2 뱅크층과 제 1 전극 상에 있는 유기물층과 유기 발광층을 포함하는 발광부 및 발광부 상에 있는 제 2 전극을 포함하고, 제 1 뱅크층은 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어지고, 제 2 뱅크층은 블랙 피그먼트를 포함한다. An organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor on a substrate, a planarization layer covering the thin film transistor, a first bank layer, a first electrode on the planarization layer and connected to the thin film transistor, a second bank layer on the first bank layer, an organic material layer on the first electrode, and an organic light-emitting layer, a light-emitting portion including a second electrode on the light-emitting portion, wherein the first bank layer is formed of the same material as the planarization layer and in the same layer, and the second bank layer includes a black pigment.
또한 다른 측면에서, 기판 상에 있는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 발광층을 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 기판 상에 박막 트랜지스터가 있으며, 상기 박막 트랜지스터 상의 평탄화층은 제 1 두께를 갖는 제 1 영역과 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 갖는 제 2 영역을 포함하며, 평탄화층의 제 2 영역 상에 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 이루어진 뱅크층을 포함하도록 구성되어, 기존 구조 대비 외부광에 의한 표면 반사 휘도가 최소화되어 야외 시인성이 개선될 수 있다. In another aspect, an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention including an organic light-emitting layer between a first electrode and a second electrode on a substrate is configured to have a thin film transistor on the substrate, a planarization layer on the thin film transistor including a first region having a first thickness and a second region having a second thickness greater than the first thickness, and a bank layer made of a material including a black pigment on the second region of the planarization layer, so that surface reflection luminance due to external light is minimized compared to a conventional structure, so that outdoor visibility can be improved.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 따르면, 뱅크층은 박막 트랜지스터 상의 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 제 1 뱅크층과 제 1 뱅크층 상에 위치하고 블랙 피그먼트를 포함하는 제 2 뱅크층을 포함하도록 구성되어, 외부광에 의한 반사를 최소화하여 표면 반사 휘도를 저감함으로써 유기 발광 표시 장치의 야외 시인성을 향상시킬 수 있다.According to an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention, the bank layer is configured to include a first bank layer made of the same material as a planarization layer on a thin film transistor and a second bank layer positioned on the first bank layer and including black pigment, thereby minimizing reflection by external light and reducing surface reflection luminance, thereby improving outdoor visibility of the organic light-emitting display device.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 따르면, 뱅크층은 박막 트랜지스터 상의 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 제 1 뱅크층과 제 1 뱅크층 상에 위치하고 블랙 피그먼트를 포함하는 제 2 뱅크층을 포함하도록 구성되어, 뱅크층의 광학 밀도를 향상시킬 수 있으므로, 외부광에 의한 반사를 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. According to an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention, the bank layer is configured to include a first bank layer made of the same material as a planarization layer on a thin film transistor and a second bank layer positioned on the first bank layer and including a black pigment, thereby improving the optical density of the bank layer, and thus providing an organic light-emitting display device capable of minimizing reflection by external light.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 따르면, 제 1 전극의 적어도 일부가 제 1 뱅크층의 경사면 상에 위치하도록 형성되어 유기 발광 표시 장치의 발광 영역의 폭이 증가하여 유기 발광 표시 장치의 개구율이 향상될 수 있다. According to an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, at least a portion of the first electrode is formed to be positioned on an inclined surface of the first bank layer, so that the width of the light emitting area of the organic light emitting display device increases, thereby improving the aperture ratio of the organic light emitting display device.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 따르면, 제 1 뱅크층과 평탄화층을 하프톤(halftone) 공정으로 동시에 패터닝하여 형성함으로써 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.According to the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the manufacturing process of the organic light emitting display device can be simplified by simultaneously forming the first bank layer and the planarization layer by a halftone process.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the content of the invention described in the problem to be solved, the means for solving the problem, and the effect described above does not specify the essential features of the claim, the scope of the claim's rights is not limited by the matters described in the content of the invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광부의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 반사 휘도 측정 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 1 is a drawing showing a cross-sectional structure of an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a drawing showing the cross-sectional structure of a light-emitting portion of an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a drawing showing a method for measuring reflection luminance of an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a drawing showing a cross-sectional structure of an organic light-emitting display device according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 5A to 5E are drawings for explaining a method for manufacturing an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.The advantages and features of the present invention, and the method for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described in detail below together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and these embodiments are provided only to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs of the scope of the invention, and the present invention is defined only by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are exemplary, and therefore the present invention is not limited to the matters illustrated. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When the terms “includes,” “has,” “consists of,” etc. are used in this specification, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in singular, it includes a case where the plural is included unless there is a specifically explicit description.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. 위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In interpreting components, even if there is no separate explicit description, it is interpreted as including the error range. In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'above', 'below', 'next to', etc., one or more other parts may be located between the two parts unless 'right' or 'directly' is used.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Also, although the terms first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, a first component mentioned below may also be a second component within the technical concept of the present invention.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.The individual features of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, and may be technically linked and driven in various ways, and each embodiment may be implemented independently of each other or implemented together in a related relationship.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a drawing showing a cross-sectional structure of an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 위치하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 120) 및 제 1 전극(140)과 제 2 전극(160) 사이에 위치하고 복수의 유기물층과 유기 발광층(Organic Light Emitting Layer)을 포함하는 발광부(150)를 포함하여 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention is configured to include a substrate (110), a thin film transistor (120) positioned on the substrate (110), and a light emitting portion (150) positioned between a first electrode (140) and a second electrode (160) and including a plurality of organic layers and an organic light emitting layer.
유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 서브 화소(sub pixel)를 포함한다. 서브 화소는 실제 빛이 발광되는 최소 단위의 영역을 말한다. 또한, 복수의 서브 화소가 모여 백색의 광을 표현할 수 있는 최소의 군으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 세 개의 서브 화소가 하나의 군으로서, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소가 하나의 군을 이룰 수 있다. 또는 네 개의 서브 화소가 하나의 군으로서, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소, 및 백색 서브 화소가 하나의 군을 이룰 수 있다. 그러나, 이에 한정된 것은 아니며, 다양한 서브 화소 설계가 가능하다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 유기 발광 표시 장치(100)의 복수의 서브 화소 중 하나의 서브 화소만을 도시하였다.The organic light emitting display device (100) includes a plurality of sub-pixels. A sub-pixel refers to a minimum unit area where actual light is emitted. In addition, a plurality of sub-pixels may be gathered together to form a minimum group capable of expressing white light. For example, three sub-pixels may form one group, and a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel may form one group. Alternatively, four sub-pixels may form one group, and a red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, and a white sub-pixel may form one group. However, the present invention is not limited thereto, and various sub-pixel designs are possible. In FIG. 1, only one sub-pixel among the plurality of sub-pixels of the organic light emitting display device (100) is illustrated for convenience of explanation.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에 있어서 기판(110)은 유기 발광 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소들을 지지하기 위한 것으로 절연 물질로 형성된다. 예를 들어서, 기판(110)은 글래스(Glass) 뿐만 아니라, PET(PolyEthylene Terephthalate), PEN(PolyEthylene Naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등의 플라스틱 기판 등으로 이루어질 수 있다. 유기 발광 표시 장치가 플렉서블(flexible) 유기 발광 표시 장치인 경우에는 기판(110)은 플라스틱 등과 같은 유연한 재질로 이루어질 수도 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 구현에 용이한 유기 발광 소자를 차량용 조명 장치 또는 차량용 표시 장치(automotive display)에 적용할 경우, 차량의 구조나 외관의 형상에 맞춰 차량용 조명 장치의 다양한 설계 및 디자인의 자유도가 확보될 수 있다.In the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention, the substrate (110) is formed of an insulating material to support various components of the organic light emitting display device (100). For example, the substrate (110) may be formed of not only glass, but also a plastic substrate such as PET (PolyEthylene Terephthalate), PEN (PolyEthylene Naphthalate), or polyimide. If the organic light emitting display device is a flexible organic light emitting display device, the substrate (110) may be formed of a flexible material such as plastic. In addition, when an organic light emitting element that is easy to implement in a flexible manner is applied to a vehicle lighting device or an automotive display device, the degree of freedom in the design and various designs of the vehicle lighting device can be secured according to the structure or exterior shape of the vehicle.
기판(110) 상에는 기판(110) 및 외부로부터의 불순한 원소의 침투를 차단하고 상기 유기 발광 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소들을 보호하기 위한 버퍼층(131)이 형성될 수 있다. 버퍼층(131)은 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)의 단일층 또는 복수층 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 버퍼층(131)은 유기 발광 표시 장치(100)의 구조나 특성에 따라 생략될 수도 있다.A buffer layer (131) may be formed on the substrate (110) to block the penetration of impure elements from the substrate (110) and the outside and to protect various components of the organic light-emitting display device (100). The buffer layer (131) may be formed as a single-layer or multi-layer structure of, for example, a silicon oxide film (SiOx) or a silicon nitride film (SiNx), but is not limited thereto. The buffer layer (131) may be omitted depending on the structure or characteristics of the organic light-emitting display device (100).
버퍼층(131) 상에는 반도체층(122), 게이트 전극(121), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함하는 박막 트랜지스터(120)가 형성된다. A thin film transistor (120) including a semiconductor layer (122), a gate electrode (121), a source electrode (123), and a drain electrode (124) is formed on the buffer layer (131).
구체적으로, 기판(110) 상에 반도체층(122)이 형성되고, 반도체층 (122) 상에 반도체층(122)과 게이트 전극(121)을 절연시키기 위한 게이트 절연층(132)이 형성된다. 게이트 전극(121) 상에는 게이트 전극(121)과 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 절연시키기 위한 층간 절연층(133)이 형성된다. 층간 절연층(133) 상에는 반도체층(122)과 각각 접하는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성된다. 소스 전극(123) 또는 드레인 전극(124)은 컨택홀을 통해 반도체층(122)과 전기적으로 연결된다.Specifically, a semiconductor layer (122) is formed on a substrate (110), and a gate insulating layer (132) is formed on the semiconductor layer (122) to insulate the semiconductor layer (122) and the gate electrode (121). An interlayer insulating layer (133) is formed on the gate electrode (121) to insulate the gate electrode (121) from the source electrode (123) and the drain electrode (124). A source electrode (123) and a drain electrode (124) that are in contact with the semiconductor layer (122) are formed on the interlayer insulating layer (133). The source electrode (123) or the drain electrode (124) is electrically connected to the semiconductor layer (122) through a contact hole.
반도체층(122)은 비정질 실리콘(amorphous silicon: a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon: poly-Si), 산화물(oxide) 반도체 또는 유기물 (organic) 반도체 등으로 형성될 수 있다. 반도체층(122)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The semiconductor layer (122) may be formed of amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon (poly-Si), an oxide semiconductor, or an organic semiconductor. When the semiconductor layer (122) is formed of an oxide semiconductor, it may be formed of any one of the following materials: IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO (Zinc Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), or ITZO (Indium Tin Zinc Oxide), but is not limited thereto.
게이트 절연층(132)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어진 단일층 또는 복수층 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gate insulating layer (132) may be formed as a single-layer or multi-layer structure made of an inorganic insulating material such as a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or the like, but is not limited thereto.
게이트 전극(121)은 게이트 신호를 박막 트랜지스터(120)에 전달하는 기능을 수행하고, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있고, 상기 금속 또는 물질의 단일층 또는 복수층 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gate electrode (121) performs the function of transmitting a gate signal to the thin film transistor (120), and may be made of at least one metal or alloy of aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), and copper (Cu), and may be formed of a single-layer or multi-layer structure of the metal or material, but is not limited thereto.
소스 전극(123)과 드레인 전극(124)은 외부에서 전달되는 전기적인 신호가 박막 트랜지스터(120)에서 발광부(150)로 전달되도록 하는 역할을 한다. 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있고, 상기 금속 또는 물질의 단일층 또는 복수층 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The source electrode (123) and the drain electrode (124) serve to transmit an electrical signal transmitted from the outside from the thin film transistor (120) to the light emitting portion (150). The source electrode (123) and the drain electrode (124) may be formed of at least one metal or alloy of aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), and copper (Cu), and may be formed of a single layer or multi-layer structure of the metal or material, but are not limited thereto.
본 명세서에서는 설명의 편의를 위해, 유기 발광 표시 장치(100)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중 제 1 전극(140)과 연결된 구동 박막 트랜지스터(120)만을 도시하였다. 각각의 서브 화소는 스위칭 박막 트랜지스터나 커패시터 등이 더 포함할 수 있다.For convenience of explanation, in this specification, only the driving thin film transistor (120) connected to the first electrode (140) among various thin film transistors that may be included in the organic light emitting display device (100) is illustrated. Each sub-pixel may further include a switching thin film transistor or a capacitor.
박막 트랜지스터(120) 상에는 보호층(170)이 형성된다. 보호층(170)은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 보호층(170)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. A protective layer (170) is formed on the thin film transistor (120). The protective layer (170) may be made of an inorganic insulating material. For example, the protective layer (170) may be made of a silicon oxide film (SiOx) or a silicon nitride film (SiNx), but is not limited thereto.
보호층(170) 상에는 평탄화층(134)이 형성된다. 평탄화층(134)은 기판(110) 상의 박막 트랜지스터(120)와 같은 구성 요소들을 평탄화하는 기능을 한다. 평탄화층(134)은 단일층 또는 복수층으로 구성될 수 있으며, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(134)은 폴리이미드(Polyimide), 포토아크릴(Photo Acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 보호층(170) 및 평탄화층(134)은 각각의 서브 화소에서 박막 트랜지스터(120)와 제 1 전극(140)을 전기적으로 연결하기 위한 컨택홀(135)을 포함한다.A planarization layer (134) is formed on the protective layer (170). The planarization layer (134) functions to planarize components such as a thin film transistor (120) on the substrate (110). The planarization layer (134) may be composed of a single layer or multiple layers, and may be made of an organic material. For example, the planarization layer (134) may be made of polyimide, photo acryl, or benzocyclobutene (BCB), but is not limited thereto. The protective layer (170) and the planarization layer (134) include a contact hole (135) for electrically connecting the thin film transistor (120) and the first electrode (140) in each sub-pixel.
또한 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 평탄화층(134)은 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 상기 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 포함하여 이루어질 수 있다. 제 1 두께(A)는 보호층(170)의 상면에서 제 1 전극(140)의 하면까지의 두께일 수 있다. 그리고, 제 2 두께(B)는 보호층(170)의 상면에서 제 2 뱅크층(145)의 하면까지의 두께일 수 있다.Also, referring to FIG. 1, the planarization layer (134) of the organic light-emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention may include a first region (R1) having a first thickness (A) and a second region (R2) having a second thickness (B) greater than the first thickness (A). The first thickness (A) may be a thickness from the upper surface of the protective layer (170) to the lower surface of the first electrode (140). And, the second thickness (B) may be a thickness from the upper surface of the protective layer (170) to the lower surface of the second bank layer (145).
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 발광 영역(EA)과 비발광 영역(NEA)을 포함하며, 평탄화층(134)의 제 1 영역(R1)은 발광 영역(EA)에 대응되어 위치하고, 제 2 영역(R2)은 비발광 영역(NEA)에 대응되도록 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 평탄화층(134)은 제 1 영역(R1)에서 제 1 두께(A)를 가지며, 제 2 영역(R2)에서 상기 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 가지도록 형성되므로 평탄화층(134)은 발광 영역(EA)에서보다 비발광 영역(NEA)에서 더 두껍게 형성될 수 있다. An organic light emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention includes an emission area (EA) and a non-emission area (NEA), and a first area (R1) of a planarization layer (134) may be positioned to correspond to the emission area (EA), and a second area (R2) may be positioned to correspond to the non-emission area (NEA). More specifically, the planarization layer (134) is formed to have a first thickness (A) in the first area (R1) and a second thickness (B) greater than the first thickness (A) in the second area (R2), so that the planarization layer (134) may be formed thicker in the non-emission area (NEA) than in the emission area (EA).
또한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 발광 영역(EA)에 대응되는 평탄화층(134)의 제 1 영역(R1)은 비발광 영역(NEA)에 대응되어 위치하는 평탄화층(134)의 제 2 영역(R2) 사이에 위치한다. 따라서 평탄화층(134)의 제 2 영역(R2)은 유기 발광 표시 장치(100)의 발광 영역(EA)을 정의하는 제 1 뱅크층(134b)의 역할을 할 수 있다. In addition, the first region (R1) of the planarization layer (134) corresponding to the light-emitting area (EA) of the organic light-emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention is located between the second region (R2) of the planarization layer (134) corresponding to the non-light-emitting area (NEA). Therefore, the second region (R2) of the planarization layer (134) can play the role of the first bank layer (134b) defining the light-emitting area (EA) of the organic light-emitting display device (100).
또한 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 상기 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 포함하는 평탄화층(134)은 하프톤 마스크(halftone mask)를 이용한 하프톤(halftone) 공정을 통해서 형성될 수 있다. 하프톤 마스크(halftone mask)는 차광부, 투광부 및 반투광부를 갖는 마스크로서, 차광부는 빛을 차단하는 부분이고, 투광부는 빛을 투과하는 부분이며, 반투광부는 빛의 투과량 상기 투광부 보다 적은 부분을 말한다. 이러한 하프톤 마스크를 사용하는 경우, 빛의 양을 차등적으로 인가함으로써 높이가 서로 다른 패턴을 형성할 수 있다. In addition, a planarization layer (134) including a first region (R1) having a first thickness (A) and a second region (R2) having a second thickness (B) greater than the first thickness (A) can be formed through a halftone process using a halftone mask. The halftone mask is a mask having a light-shielding portion, a light-transmitting portion, and a semi-transmitting portion, wherein the light-shielding portion is a portion that blocks light, the light-transmitting portion is a portion that transmits light, and the semi-transmitting portion refers to a portion in which the amount of light transmitted is less than that of the light-transmitting portion. When such a halftone mask is used, patterns having different heights can be formed by differentially applying an amount of light.
즉, 평탄화층(134) 내 포함된 제 1 뱅크층(134b)은 평탄화층 영역(134a)과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 하프톤(halftone) 공정을 통해 동시에 패터닝되어 이루어질 수 있다. 평탄화층(134)의 제 1 뱅크층(134b)은 평탄화층 영역(134a)과 동일하게 폴리이미드(Polyimide), 포토아크릴(Photo Acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나로 이루어질 수 있다. That is, the first bank layer (134b) included in the planarization layer (134) may be formed of the same material in the same layer as the planarization layer region (134a), and may be simultaneously patterned through a halftone process. The first bank layer (134b) of the planarization layer (134) may be formed of one of polyimide, photoacryl, or benzocyclobutene (BCB), similarly to the planarization layer region (134a).
또한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 평탄화층(134)의 제 1 뱅크층(134b)의 유전율은 인접한 서브 화소로의 누설 전류(leakage current)를 고려하여 설정되어야 한다. 누설 전류는 발광부(150)를 구성하는 유기층물들이 복수의 서브 화소에 대응되도록 공통층으로 구성됨에 따라 특정 서브 화소를 구동시키기 위해서 전류를 인가할 때에 정공 주입층이나 정공 수송층 등의 공통 유기물층을 통해 이웃하는 다른 서브 화소로 전류가 흐르는 현상이다. 이러한 누설 전류는 의도하지 않은 다른 서브 화소가 발광하게 되어 서브 화소 간의 혼색을 유발하고 휘도를 저하시키게 된다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 평탄화층(134)의 제 1 뱅크층(134b)은 유전율이 낮은 물질로 구성되어야 하며, 구체적으로 7F/m 이하의 유전율을 갖는 물질로 구성되는 것이 바람직하다.In addition, the permittivity of the first bank layer (134b) of the planarization layer (134) of the organic light-emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention should be set in consideration of the leakage current to the adjacent sub-pixel. The leakage current is a phenomenon in which current flows to another neighboring sub-pixel through a common organic layer, such as a hole injection layer or a hole transport layer, when current is applied to drive a specific sub-pixel, since the organic layers constituting the light-emitting portion (150) are configured as a common layer to correspond to a plurality of sub-pixels. This leakage current causes other sub-pixels to emit light unintendedly, causing color mixing between the sub-pixels and reducing brightness. Therefore, the first bank layer (134b) of the planarization layer (134) of the organic light-emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention should be configured of a material having a low permittivity, and specifically, it is preferable to be configured of a material having a permittivity of 7 F/m or less.
평탄화층(134) 상에 제 1 전극(140)이 형성된다. 제 1 전극(140)은 애노드(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 형성되어 발광부(150)의 유기 발광층으로 정공을 공급하는 역할을 한다. 제 1 전극(140)은 보호층(170)과 평탄화층(134)에 구비된 컨택홀(135)을 통해 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결되고, 예를 들어서, 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한 제 1 전극(140)은 각 서브 화소 별로 이격되어 배치된다. 제 1 전극(140)은 투명 도전성 물질로 형성되고, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A first electrode (140) is formed on a planarization layer (134). The first electrode (140) may be an anode, and is formed of a conductive material having a relatively large work function value to supply holes to an organic light-emitting layer of a light-emitting portion (150). The first electrode (140) is electrically connected to a thin film transistor (120) through a contact hole (135) provided in a protective layer (170) and a planarization layer (134), and may be electrically connected to, for example, a source electrode (123) of the thin film transistor (120). In addition, the first electrode (140) is spaced apart from each other for each sub-pixel. The first electrode (140) is formed of a transparent conductive material, and may be formed of, for example, a material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like, but is not limited thereto.
또한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)가 상부 발광 방식(Top Emission)인 경우, 발광부(150)의 유기 발광층으로부터 발광된 광이 제 1 전극(140)에 반사되어 보다 원활하게 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 제 1 전극(140)의 상부 또는 하부에 반사 효율이 우수한 금속 물질, 예를 들면, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 물질로 이루어진 반사층이 추가로 형성될 수 있다.In addition, when the organic light-emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention is a top emission type, a reflective layer made of a metal material with excellent reflection efficiency, such as aluminum (Al) or silver (Ag), may be additionally formed on the upper or lower portion of the first electrode (140) so that the light emitted from the organic light-emitting layer of the light-emitting portion (150) can be reflected by the first electrode (140) and emitted more smoothly in the upward direction.
예를 들어, 제 1 전극(140)은 투명 도전성 물질로 형성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있다. 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있으며, 예를 들어서 은(Ag) 또는 APC(Ag/Pd/Cu)일 수 있다.For example, the first electrode (140) may have a two-layer structure in which a transparent conductive layer and a reflective layer formed of a transparent conductive material are sequentially laminated, or a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially laminated. The reflective layer may be silver (Ag) or an alloy containing silver, for example, silver (Ag) or APC (Ag/Pd/Cu).
본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 상부 발광 방식(Top Emission)은 유기 발광층(153)으로부터 발광되는 광이 제 2 전극(160)의 방향으로 출사되는 방식을 의미하고, 하부 발광 방식(Bottom Emission)은 상부 발광 방식과 반대의 방향인 제 1 전극(140)의 방향으로 광이 출사되는 방식을 의미한다.In explaining an embodiment of the present invention, the top emission method means a method in which light emitted from an organic light-emitting layer (153) is emitted in the direction of the second electrode (160), and the bottom emission method means a method in which light is emitted in the direction of the first electrode (140), which is the opposite direction to the top emission method.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제 1 전극(140)의 적어도 일부는 평탄화층(134)의 제 1 뱅크층(134b)의 경사면 상에 위치할 수 있다. 기존의 유기 발광 표시 장치의 경우, 제 1 전극은 뱅크층의 하부에 위치하여, 기존 유기 발광 표시 장치의 발광 영역은 뱅크층 하부에서 노출된 제 1 전극의 폭에 한정되었다. 반면 상기와 같이 제 1 전극(140)의 적어도 일부를 제 1 뱅크층(134b)의 경사면 상에 위치시키는 경우, 기존 구조 대비 제 1 전극(140)의 폭(width)를 넓힐 수 있으며 유기 발광 표시 장치의 발광 영역(EA) 폭이 증가할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치의 개구율이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 1, at least a part of the first electrode (140) of the organic light emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention may be positioned on an inclined surface of the first bank layer (134b) of the planarization layer (134). In the case of a conventional organic light emitting display device, the first electrode is positioned below the bank layer, and thus the light emitting area of the conventional organic light emitting display device is limited to the width of the first electrode exposed below the bank layer. On the other hand, when at least a part of the first electrode (140) is positioned on the inclined surface of the first bank layer (134b) as described above, the width of the first electrode (140) can be expanded compared to the conventional structure, and the width of the light emitting area (EA) of the organic light emitting display device can be increased, so that the aperture ratio of the organic light emitting display device can be improved.
기존의 유기 발광 표시 장치의 경우, 뱅크층이 투명한 물질로 형성되므로, 외부로부터 입사한 광이 투명한 뱅크층에 의해서 투과되어 뱅크층 하부에 위치하고 금속 물질로 이루어진 층을 포함하는 제 1 전극(140) 등에서 반사된다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(100)는 외부광에 의한 반사가 발생되는 문제가 있다. 그리고, 유기 발광 표시 장치(100)를 차량용 표시 장치에 적용할 경우, 외부광에 의한 반사로 인해 차량용 표시 장치에 적용하기 어렵게 된다. 따라서 유기 발광 표시 장치의 외부광에 의한 반사를 최소화하기 위해서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제 2 뱅크층(145)은 외부광의 반사가 최소화되는 물질로 구성되어야 한다.In the case of a conventional organic light emitting display device, since the bank layer is formed of a transparent material, light incident from the outside is transmitted through the transparent bank layer and reflected by the first electrode (140) located under the bank layer and including a layer made of a metal material. Therefore, the organic light emitting display device (100) has a problem of reflection due to external light. In addition, when the organic light emitting display device (100) is applied to a vehicle display device, it becomes difficult to apply it to the vehicle display device due to reflection due to external light. Therefore, in order to minimize reflection due to external light of the organic light emitting display device, the second bank layer (145) of the organic light emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention should be composed of a material that minimizes reflection of external light.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 평탄화층(134)의 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2), 즉 제 1 뱅크층(134b) 상에 블랙 피그먼트(black pigment)를 포함하는 제 2 뱅크층(145)이 배치될 수 있다. 즉, 제 2 뱅크층(145)을 형성하기 위한 포토 레지스트는 블랙 피그먼트(black pigment)가 포함된 물질로 구성될 수 있다. 블랙 피그먼트는 유기 물질 또는 무기 물질로 구성될 수 있다. Referring to FIG. 1, a second bank layer (145) including a black pigment may be arranged on a second region (R2), i.e., a first bank layer (134b), having a second thickness (B) of a planarization layer (134) of an organic light-emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention. That is, a photoresist for forming the second bank layer (145) may be composed of a material including a black pigment. The black pigment may be composed of an organic material or an inorganic material.
블랙 피그먼트는 카본계열(carbon-based) 또는 금속 산화물(metal oxide) 등으로 구성될 수 있다. 그리고, 포토 레지스트는 폴리머(polymer), 모노머(monomer), 및 광개시제(photoinitiator) 중 적어도 하나를 포함하는 감광성 화합물(photosensitive compounds)을 포함할 수 있다. 그리고, 포토 레지스트는 감광성 화합물을 분산시키는 용매를 포함할 수 있다.The black pigment may be composed of carbon-based or metal oxide, etc. In addition, the photoresist may include a photosensitive compound including at least one of a polymer, a monomer, and a photoinitiator. In addition, the photoresist may include a solvent for dispersing the photosensitive compound.
반응 메커니즘을 살펴보면, 노광 전의 포토 레지스트는 용매에 의해 블랙 피그먼트가 감광성 화합물에 분산된 형태를 갖는다. 포토 레지스트의 용매는 진공 건조(vacuum dry) 공정이나 소성(curing) 공정에서 제거될 수 있다. 그리고, 노광 후에는 감광성 화합물에 포함된 광개시제가 광에 의해 라디칼(radical)을 발생시킨다. 그리고, 포토 레지스트에 포함된 모노머는 이중 결합을 가지고 있어서 광개시제의 라디칼(radical)과 반응하여 가교 결합(cross-linking)하게 된다. 이에 따라, 노광 후에는 높은 분자량을 갖는 포토 레지스트가 형성되므로 현상액에 의해 용해되지 않게 된다. 그 후 현상액을 사용하여 현상하는 공정에서 현상액에 의해 용해되지 않는 부분은 제 2 뱅크층(145)이 되고, 현상액에 의해 용해된 부분은 제거된다. 따라서, 제 2 뱅크층(145)을 형성하는 포토 레지스트는 네거티브형 포토 레지스트(negative photoresist)라고 할 수 있다.Looking at the reaction mechanism, the photoresist before exposure has a form in which black pigment is dispersed in a photosensitive compound by a solvent. The solvent of the photoresist can be removed in a vacuum drying process or a curing process. Then, after exposure, a photoinitiator included in the photosensitive compound generates radicals by light. Then, the monomer included in the photoresist has a double bond, so it reacts with the radical of the photoinitiator to cross-link. Accordingly, a photoresist having a high molecular weight is formed after exposure, so it does not dissolve by a developer. Then, in the developing process using a developer, the part that is not dissolved by the developer becomes the second bank layer (145), and the part that is dissolved by the developer is removed. Therefore, the photoresist forming the second bank layer (145) can be called a negative photoresist.
그리고, 노광 후의 가교 결합을 향상시키기 위해서 포토 레지스트에 포함된 광개시제는 이민계열(imine-based)의 광개시제를 포함할 수 있다. 이민계열의 광개시제는 예를 들어, 옥심(oxime) 및 옥심 에스테르(oxime ester) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 옥심(oxime) 또는 옥심 에스테르(oxime ester)는 장파장의 광개시제로 가교 결합을 향상시킬 수 있다. 여기서 장파장은 365nm 이상을 말한다. 그리고, 노광 시 사용되는 광원은 고압 수은 램프로 여러 개의 파장을 갖는다. 여러 개의 파장은 G-라인인 436nm, H-라인인 405nm, 및 I-라인인 365nm일 수 있다. 이 중에서 I-라인인 365nm 이상을 사용하여 사진식각공정을 수행한다.And, in order to improve crosslinking after exposure, the photoinitiator included in the photoresist may include an imine-based photoinitiator. The imine-based photoinitiator may include, for example, at least one of an oxime and an oxime ester. The oxime or oxime ester is a long-wavelength photoinitiator and can improve crosslinking. Here, the long wavelength refers to 365 nm or more. And, the light source used during exposure is a high-pressure mercury lamp having multiple wavelengths. The multiple wavelengths may be 436 nm for the G-line, 405 nm for the H-line, and 365 nm for the I-line. Among these, the photolithography process is performed using the I-line of 365 nm or more.
그리고, 옥심(oxime) 또는 옥심 에스테르(oxime ester)는 노광 후 생성되는 부산물을 최소화할 수 있으므로 가교 결합 후의 후속 공정인 베이킹 공정 등에서 부산물이 다른 분자와 반응하여 생기는 불순물을 최소화할 수 있다. 그리고, 옥심(oxime) 또는 옥심 에스테르(oxime ester)를 블랙 피그먼트와 함께 사용하므로, 차광성이 높은 제 2 뱅크층(145)을 형성할 수 있는 효과가 있다. 또는, 광개시제로 옥심 또는 옥심에스테르에 아세토페논(acetophenone)이 더 포함되어 구성될 수도 있다.In addition, since oxime or oxime ester can minimize by-products generated after exposure, it can minimize impurities generated when by-products react with other molecules in subsequent processes such as baking after cross-linking. In addition, since oxime or oxime ester is used together with black pigment, there is an effect of forming a second bank layer (145) with high light-shielding properties. Alternatively, acetophenone may be further included in the oxime or oxime ester as a photoinitiator.
예를 들어, 옥심은 아래 화학식 1로 표현될 수 있다.For example, oxime can be represented by the chemical formula 1 below.
여기서 R, R’은 탄소수 1 내지 15의 알킬기(alkyl) 또는 페닐기(phenyl) 중 하나일 수 있다.Here, R, R’ can be one of an alkyl group or a phenyl group having 1 to 15 carbon atoms.
예를 들어, 옥심 에스테르는 아래 화학식 2로 표현될 수 있다.For example, an oxime ester can be represented by the chemical formula 2 below.
여기서 R은 아릴기(aryl)이고, R’은 탄소수 1 내지 15의 알킬기 또는 페닐기 중 하나일 수 있다.Here, R is an aryl group, and R’ can be either an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms or a phenyl group.
모노머는 6관능기를 포함할 수 있으며, 예를 들어 DPHA(DiPentaerythritol HexaAcrylate)를 포함할 수 있다. 이 DPHA는 이중결합이 있으며 가교결합 후에 광에 의해 빠르게 경화될 수 있다. 따라서, 제 2 뱅크층(145)을 형성하기 위한 포토 레지스트가 단단한 막으로 형성될 수 있으며, 내현상성이 향상되어 현상액의 농도가 높은 현상 공정에서도 막이 유실되지 않도록 하는 효과가 있다.The monomer may include a 6-functional group, and may include, for example, DPHA (DiPentaerythritol HexaAcrylate). This DPHA has a double bond and can be quickly cured by light after cross-linking. Accordingly, the photoresist for forming the second bank layer (145) can be formed into a hard film, and the developing resistance is improved, so that the film is not washed away even in a developing process with a high concentration of a developer.
그리고, 포토 레지스트의 폴리머는 카도계열(cardo-based)의 폴리머를 포함한다. 카도계열의 폴리머는 내열성 및 안료(pigment)와의 혼화성이 우수하며, 용해성(solubility)이 우수하다. 그리고, 포토 레지스트의 폴리머에는 에폭시 아크릴레이트(epoxy acrylate)가 더 포함될 수 있다. 따라서, 카도계열 또는 에폭시 아크릴레이트를 포함하는 포토 레지스트의 폴리머는 블랙 피그먼트가 폴리머 내에 잘 분산되도록 하여 분산성을 향상시키는 역할을 한다. 분산성은 포토 레지스트의 균일성(uniformity)을 말하며, 분산성이 향상될수록 균일한 제 2 뱅크층(145)을 형성할 수 있다. And, the polymer of the photoresist includes a cardo-based polymer. The cardo-based polymer has excellent heat resistance and compatibility with pigments, and excellent solubility. And, the polymer of the photoresist may further include epoxy acrylate. Therefore, the polymer of the photoresist including the cardo-based or epoxy acrylate improves dispersibility by allowing the black pigment to be well dispersed within the polymer. Dispersibility refers to the uniformity of the photoresist, and as the dispersibility improves, a more uniform second bank layer (145) can be formed.
예를 들어, 카도계열의 폴리머는 아래 [화학식 3]으로 표현될 수 있다.For example, a polymer of the cardo series can be expressed by the chemical formula 3 below.
그리고, 현상액은 예를 들어, TMAH(TetraMethylAmmoniumHydroxide) 또는 KOH(Potassium Hydroxide) 등일 수 있다. And, the developer can be, for example, TMAH (TetraMethylAmmoniumHydroxide) or KOH (Potassium Hydroxide).
또한 제 2 뱅크층(145)은 블랙 피그먼트를 포함하므로, 광의 차단 정도를 나타내는 광학 밀도(optical density: OD)가 높아지게 된다. 광학 밀도가 높아지면 외부광에 의한 반사를 최소화할 수 있다. 그러나, 광학 밀도가 지나치게 높아질 경우 유전율이 상승하게 되고 인접한 서브 화소로 누설 전류(leakage current)가 발생할 수 있으므로, 이를 고려하여 제 2 뱅크층(145)의 광학 밀도(optical density)는 4 이하인 것이 바람직하다. In addition, since the second bank layer (145) includes a black pigment, the optical density (OD), which indicates the degree of light blocking, increases. If the optical density increases, reflection by external light can be minimized. However, if the optical density becomes excessively high, the dielectric constant increases and leakage current may occur to adjacent sub-pixels. Therefore, considering this, the optical density of the second bank layer (145) is preferably 4 or less.
또한 제 2 뱅크층(145)이 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 구성됨으로써, 입사되는 광의 입사각이 45도일 때 반사각 30도에서의 반사 휘도는 30nit 이하로 구성할 수 있다. 따라서, 외부광에 의한 반사를 개선하여 반사 휘도가 감소될 수 있다. 제 2 뱅크층(145)의 반사 휘도는 DMS803으로 측정된다. 여기서 반사 휘도는 유기 발광 표시 장치의 좌우에서의 반사 휘도를 포함할 수 있다. 즉, 좌우 반사 휘도는 입사되는 광의 입사각이 45도일 때 반사각 30도에서 30nit 이하일 수 있다. 그리고, 유기 발광 표시 장치를 차량용 표시장치에 적용할 경우, 외부광에 의한 반사가 최소화된 표시장치를 제공할 수 있다. 그리고, 유기발광 표시장치의 외부광에 의한 반사를 최소화할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치의 좌우 방향에서의 시감 특성을 향상시킬 수 있다. In addition, since the second bank layer (145) is composed of a material including a black pigment, when the incident angle of the incident light is 45 degrees, the reflection luminance at a reflection angle of 30 degrees can be composed of 30 nits or less. Therefore, the reflection due to external light can be improved, and the reflection luminance can be reduced. The reflection luminance of the second bank layer (145) is measured by DMS803. Here, the reflection luminance can include the reflection luminance at the left and right of the organic light emitting display device. That is, the left and right reflection luminance can be 30 nits or less at a reflection angle of 30 degrees when the incident angle of the incident light is 45 degrees. In addition, when the organic light emitting display device is applied to a vehicle display device, a display device with minimized reflection due to external light can be provided. In addition, since the reflection due to external light of the organic light emitting display device can be minimized, the visual characteristics of the organic light emitting display device in the left and right directions can be improved.
블랙 피그먼트를 포함하는 뱅크층의 경우, 형성 공정 중 뱅크층의 테이퍼(taper) 특성이 좋지 않아 패터닝이 용이하지 않고 광학 밀도를 높이는데 어려움이 있었다. 그러나 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 경우, 평탄화층(134)과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 제 1 뱅크층(134b)을 구성하고, 제 1 뱅크층(134b) 상의 제 2 뱅크층(145)을 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 구성함으로써, 광학 밀도가 향상된 뱅크층을 구성할 수 있으면서 누설 전류를 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. In the case of a bank layer including black pigment, since the taper characteristic of the bank layer was not good during the formation process, patterning was not easy and it was difficult to increase the optical density. However, in the case of the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention, by forming a first bank layer (134b) made of the same material in the same layer as the planarization layer (134) and forming a second bank layer (145) on the first bank layer (134b) of a material including black pigment, it is possible to provide an organic light emitting display device capable of forming a bank layer with improved optical density while minimizing leakage current.
또한 도 1을 참조하면, 복수층 구조의 뱅크층이 안정적으로 형성될 수 있도록 제 2 뱅크층(145)의 하단부의 폭은 평탄화층(134)의 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2), 즉 제 1 뱅크층(134b)의 상단부의 폭보다 작게 형성될 수 있다. Also, referring to FIG. 1, in order for a multi-layer bank layer to be stably formed, the width of the lower portion of the second bank layer (145) may be formed smaller than the width of the upper portion of the second region (R2) having the second thickness (B) of the flattening layer (134), i.e., the first bank layer (134b).
제 1 전극(140), 제 1 뱅크층(134b) 및 제 2 뱅크층(145) 상에 발광부(150)가 형성된다. 발광부(150)는 필요에 따라 다양한 유기물층이 포함할 수 있으며, 또한 복수의 유기 발광층을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 유기물층은 적어도 하나의 정공 주입층(151), 정공 수송층(152) 및 전자 수송층(154)을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한 발광부(150)에 포함된 상기 복수의 유기물층은 적색 서브 화소(R), 녹색 서브 화소(G) 및 청색 서브 화소(B) 모두에 대응되도록 공통층 구조를 가질 수 있다.A light-emitting portion (150) is formed on the first electrode (140), the first bank layer (134b), and the second bank layer (145). The light-emitting portion (150) may include various organic layers as needed, and may also be configured to include a plurality of organic light-emitting layers. The organic layers may include at least one hole injection layer (151), a hole transport layer (152), and an electron transport layer (154). In addition, the plurality of organic layers included in the light-emitting portion (150) may have a common layer structure so as to correspond to all of the red sub-pixel (R), the green sub-pixel (G), and the blue sub-pixel (B).
발광부(150) 상에 제 2 전극(160)이 형성된다. 제 2 전극(160)은 캐소드(cathode)일 수 있으며, 발광부의 유기 발광층으로 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질로 형성된다. 보다 구체적으로, 제 2 전극(160)은 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A second electrode (160) is formed on the light-emitting portion (150). The second electrode (160) may be a cathode, and is formed of a conductive material having a low work function because it must supply electrons to the organic light-emitting layer of the light-emitting portion. More specifically, the second electrode (160) may be a metal material such as magnesium (Mg), silver-magnesium (Ag:Mg), etc., but is not limited thereto.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)가 상부 발광 방식인 경우, 제 2 전극(160)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide: IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide: ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide: TiO) 계열의 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In addition, when the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention is a top emission type, the second electrode (160) may be made of a transparent conductive oxide of the indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide (ZnO), and tin oxide (TiO) series, but is not limited thereto.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 박막 트랜지스터 상의 평탄화층(134)이 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 포함하여 이루어지고, 평탄화층(134)의 제 2 영역(R2) 상에 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 이루어진 뱅크층(145)을 포함하도록 구성되어, 기존 구조 대비 외부광에 의한 반사를 최소화하여 표면 반사 휘도를 저감함으로써 유기 발광 표시 장치의 야외 시인성을 향상시킬 수 있다. 그리고 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 제 1 전극(140)의 적어도 일부가 제 2 영역(R2)의 경사면 상에 위치하도록 형성되어 유기 발광 표시 장치(100)의 발광 영역(EA)의 폭을 증가시킴으로써 유기 발광 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다. 그리고 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는 하프톤(halftone) 공정을 통해서 평탄화층(134)이 형성되면서 동시에 제 1 뱅크층(134b)이 형성될 수 있으므로 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.That is, the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention is configured such that the planarization layer (134) on the thin film transistor includes a first region (R1) having a first thickness (A) and a second region (R2) having a second thickness (B) greater than the first thickness (A), and includes a bank layer (145) made of a material including black pigment on the second region (R2) of the planarization layer (134), thereby minimizing reflection by external light compared to a conventional structure, thereby reducing surface reflection luminance, thereby improving the outdoor visibility of the organic light emitting display device. In addition, the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention is configured such that at least a portion of the first electrode (140) is positioned on an inclined surface of the second region (R2), thereby increasing the width of the light emitting area (EA) of the organic light emitting display device (100), thereby improving the aperture ratio of the organic light emitting display device. In addition, in the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention, the first bank layer (134b) can be formed simultaneously with the planarization layer (134) through a halftone process, so that the manufacturing process of the organic light emitting display device can be simplified.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광부의 단면 구조를 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a drawing showing the cross-sectional structure of a light-emitting portion of an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 발광부(150)에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.Referring to FIG. 2, the light emitting unit (150) of the organic light emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 발광부(150)는 제 1 전극(140) 상에 배치된 정공 주입층(151, Hole Injection Layer: HIL), 정공 주입층(151) 상에 배치된 제 1 정공 수송층(152a, 1st Hole Transport Layer: 1st HTL), 제 1 정공 수송층(152a) 상에 배치된 제 2 정공 수송층(152b, 2nd Hole Transport Layer: 2nd HTL) 및 제 3 정공 수송층(152c, 3rd Hole Transport Layer: 3rd HTL), 정공 수송층(152a, 152b, 152c) 상에 배치된 적색 발광층(153a), 녹색 발광층(153b) 및 청색 발광층(153c)을 포함하는 유기 발광층(Organic Emitting Layer: EML) 및 유기 발광층 상에 배치된 전자 수송층(154, Electron Transport Layer: ETL)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the light emitting part (150) of the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention includes an organic emitting layer (EML) including a hole injection layer (151, Hole Injection Layer: HIL) disposed on a first electrode (140), a first hole transport layer (152a, 1st Hole Transport Layer: 1st HTL) disposed on the hole injection layer (151), a second hole transport layer (152b, 2nd Hole Transport Layer: 2nd HTL) and a third hole transport layer (152c, 3rd Hole Transport Layer: 3rd HTL) disposed on the first hole transport layer (152a), a red emitting layer (153a), a green emitting layer (153b), and a blue emitting layer (153c) disposed on the hole transport layers (152a, 152b, 152c), and an organic emitting layer (EML) disposed on the organic emitting layer. It includes a deployed electron transport layer (154, Electron Transport Layer: ETL).
제 1 전극(140)은 기판 상에 정의된 적색 서브 화소 영역(R), 녹색 서브 화소 영역(G) 및 청색 서브 화소 영역(B) 각각에 대응되도록 평탄화층(134) 상에 배치된다. The first electrode (140) is placed on the planarization layer (134) so as to correspond to each of the red sub-pixel region (R), the green sub-pixel region (G), and the blue sub-pixel region (B) defined on the substrate.
정공 주입층(151)은 적색 서브 화소 영역(R), 녹색 서브 화소 영역(G) 및 청색 서브 화소 영역(B) 모두에 대응되도록 공통층으로 제 1 전극(140) 상에 배치된다. The hole injection layer (151) is placed on the first electrode (140) as a common layer so as to correspond to all of the red sub-pixel region (R), the green sub-pixel region (G), and the blue sub-pixel region (B).
정공 주입층(151)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, HATCN(1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexanitrile), CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N′-Bis(3-methylphenyl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine), α-NPB(Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine), TDAPB(1,3,5-tris(4-diphenylaminophenyl)benzene), TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-yl)triphenylamine), spiro-TAD(2,2′,7,7′-Tetrakis(N,N-diphenylamino)-9,9-spirobifluorene) 및 CBP(4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer (151) can play a role in facilitating hole injection, and may be formed of HATCN (1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexanitrile), CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline), and NPD (N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD (N,N′-Bis(3-methylphenyl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine), α-NPB (Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine), TDAPB (1,3,5-tris(4-diphenylaminophenyl)benzene), TCTA (Tris(4-carbazoyl-9-yl)triphenylamine), It may be composed of at least one substance selected from the group consisting of spiro-TAD (2,2′,7,7′-Tetrakis(N,N-diphenylamino)-9,9-spirobifluorene) and CBP (4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl), but is not limited thereto.
정공 주입층(151)은 제 1 정공 수송층(152a)을 구성하는 물질에 p형 도펀트(p-dopant)를 도핑하여 형성될 수도 있다. 이러한 경우 하나의 공정 장비에서 연속 공정으로 정공 주입층(151)과 제 2 정공 수송층(152a)을 형성할 수 있다. 상기 p형 도펀트는 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinidimethane)로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer (151) may also be formed by doping a p-type dopant into the material forming the first hole transport layer (152a). In this case, the hole injection layer (151) and the second hole transport layer (152a) may be formed in a continuous process using one process device. The p-type dopant may be formed of F4-TCNQ (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinidimethane), but is not limited thereto.
제 1 정공 수송층(152a)은 적색 서브 화소 영역(R), 녹색 서브 화소 영역(G) 및 청색 서브 화소 영역(B) 모두에 대응되도록 공통층으로 정공 주입층(151) 상에 배치된다. 제 1 정공 수송층(152a)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), spiro-TAD(2,2′,7,7′-Tetrakis(N,N-diphenylamino)-9,9-spirobifluorene) 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The first hole transport layer (152a) is disposed on the hole injection layer (151) as a common layer so as to correspond to all of the red sub-pixel region (R), the green sub-pixel region (G), and the blue sub-pixel region (B). The first hole transport layer (152a) serves to facilitate the transport of holes, and may be formed of one or more of NPD (N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD (N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), spiro-TAD (2,2′,7,7′-Tetrakis(N,N-diphenylamino)-9,9-spirobifluorene), and MTDATA (4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine), but is not limited thereto.
제 2 정공 수송층(152b)은 적색 서브 화소 영역(R)의 제 1 정공 수송층(152a) 상에 배치된다. 또한 제 3 정공 수송층(152c)은 녹색 서브 화소 영역(G)의 제 1 정공 수송층(152a) 상에 배치된다. The second hole transport layer (152b) is disposed on the first hole transport layer (152a) of the red sub-pixel region (R). In addition, the third hole transport layer (152c) is disposed on the first hole transport layer (152a) of the green sub-pixel region (G).
제 2 정공 수송층(152b) 및 제 3 정공 수송층(152c)은 정공 주입층(151)으로부터 적색 발광층(153a)과 녹색 발광층(153b) 각각에 정공을 원활하게 전달하는 역할을 한다. The second hole transport layer (152b) and the third hole transport layer (152c) serve to smoothly transfer holes from the hole injection layer (151) to the red light-emitting layer (153a) and the green light-emitting layer (153b), respectively.
또한, 제 2 정공 수송층(152b) 및 제 3 정공 수송층(152c)의 각각의 두께는 마이크로 캐비티(micro cavity)의 광학적 거리를 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 제 2 정공 수송층(152b) 및 제 3 정공 수송층(152c) 각각의 두께는 적색 발광층(153a)이 제 1 전극(140)와 제 2 전극(160) 사이에서 마이크로 캐비티 구조를 형성하도록, 그리고 녹색 발광층(153b)이 제 1 전극(140)와 제 2 전극(160) 사이에서 마이크로 캐비티 구조를 형성하도록 결정될 수 있으며, 적색 서브 화소 영역(R)과 녹색 서브 화소 영역(G)에서 마이크로 캐비티의 광학적 거리를 형성하여 유기 발광 표시 장치(100)의 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the thickness of each of the second hole transport layer (152b) and the third hole transport layer (152c) can form an optical distance of a micro cavity. More specifically, the thickness of each of the second hole transport layer (152b) and the third hole transport layer (152c) can be determined such that the red light-emitting layer (153a) forms a micro cavity structure between the first electrode (140) and the second electrode (160), and the green light-emitting layer (153b) forms a micro cavity structure between the first electrode (140) and the second electrode (160), thereby forming an optical distance of the micro cavity in the red sub-pixel region (R) and the green sub-pixel region (G), thereby improving the efficiency of the organic light-emitting display device (100).
적색 발광층(153a)은 적색 서브 화소 영역(R)의 제 2 정공 수송층(152b) 상에 배치된다. 적색 발광층(153a)은 적색을 발광하는 발광 물질을 포함할 수 있으며, 발광 물질은 인광 물질 또는 형광 물질을 이용하여 형성될 수 있다. The red light-emitting layer (153a) is arranged on the second hole transport layer (152b) of the red sub-pixel region (R). The red light-emitting layer (153a) may include a light-emitting material that emits red light, and the light-emitting material may be formed using a phosphorescent material or a fluorescent material.
보다 구체적으로 적색 발광층(153a)은 CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있으며, Ir(btp)2(acac)(bis(2-benzo[b]thiophen-2-yl-pyridine)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(piq)2(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(piq)3(tris(1-phenylquinoline)iridium(III)) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.More specifically, the red light-emitting layer (153a) may include a host material including CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene), and may be formed of a phosphorescent material including a dopant including at least one of Ir(btp)2(acac)(bis(2-benzo[b]thiophen-2-yl-pyridine)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(piq)2(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(piq)3(tris(1-phenylquinoline)iridium(III)), and PtOEP(octaethylporphyrin platinum), and alternatively, may be formed of a fluorescent material including PBD:Eu(DBM)3(Phen) or Perylene, but is not limited thereto.
녹색 발광층(153b)은 녹색 서브 화소 영역(G)의 제 3 정공 수송층(152c) 상에 배치된다. 녹색 발광층(153b)은 녹색을 발광하는 발광 물질을 포함할 수 있으며, 발광 물질은 인광 물질 또는 형광 물질을 이용하여 형성될 수 있다.The green light-emitting layer (153b) is arranged on the third hole transport layer (152c) of the green sub-pixel region (G). The green light-emitting layer (153b) may include a light-emitting material that emits green light, and the light-emitting material may be formed using a phosphorescent material or a fluorescent material.
보다 구체적으로 녹색 발광층(153b)은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있으며, Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium(III)) 또는 Ir(ppy)2(acaa)(bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III)를 포함하는 이리듐 착물(Ir complex)과 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminium)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.More specifically, the green light-emitting layer (153b) may include a host material including CBP or mCP, and may be formed of a phosphorescent material including a dopant material such as an iridium complex including Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium(III)) or Ir(ppy)2(acaa)(bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III), or alternatively, may be formed of a fluorescent material including Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminium), but is not limited thereto.
청색 발광층(153c)은 청색 서브 화소 영역(Bp)의 제 1 정공 수송층(152a) 상에 배치된다. 청색 발광층(153c)은 청색을 발광하는 발광 물질을 포함할 수 있으며, 발광 물질은 인광 물질 또는 형광 물질을 이용하여 형성될 수 있다. The blue light-emitting layer (153c) is arranged on the first hole transport layer (152a) of the blue sub-pixel region (Bp). The blue light-emitting layer (153c) may include a light-emitting material that emits blue light, and the light-emitting material may be formed using a phosphorescent material or a fluorescent material.
보다 구체적으로 청색 발광층(153c)은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있으며, FIrPic(bis(3,5,-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(III))을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, DPVBi(4,4'-bis[4-di-p-tolylamino)stryl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자, PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자 중에서 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.More specifically, the blue light-emitting layer (153c) may include a host material including CBP or mCP, and may be formed of a phosphorescent material including a dopant material including FIrPic (bis(3,5,-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(III)). In addition, it may be formed of a fluorescent material including any one of DPVBi(4,4'-bis[4-di-p-tolylamino)stryl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)-based polymer, and PPV(polyphenylenevinylene)-based polymer, but is not limited thereto.
전자 수송층(154)은 적색 서브 화소 영역(R), 녹색 서브 화소 영역(G) 및 청색 서브 화소 영역(B) 모두에 대응되도록 적색 발광층(153a), 녹색 발광층(153b) 및 청색 발광층(153c) 상에 배치된다. The electron transport layer (154) is arranged on the red light-emitting layer (153a), the green light-emitting layer (153b), and the blue light-emitting layer (153c) so as to correspond to all of the red sub-pixel region (R), the green sub-pixel region (G), and the blue sub-pixel region (B).
전자 수송층(154)은 전자의 수송 및 주입의 역할을 할 수 있으며, 전자 수송층(154)의 두께는 전자 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있다. The electron transport layer (154) can play a role in transporting and injecting electrons, and the thickness of the electron transport layer (154) can be adjusted in consideration of the electron transport characteristics.
전자 수송층(154)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium), PBD(2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylpheny)-1,3,4oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The electron transport layer (154) plays a role in facilitating electron transport and may be composed of one or more of Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium), Alq3 (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum), PBD (2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylpheny)-1,3,4oxadiazole), TAZ (3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, and BAlq (bis (2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato) aluminum), but is not limited thereto.
또한 전자 주입층(electron injection layer: EIL)을 전자 수송층(154) 상에 추가로 구성하는 것도 가능하다. Additionally, it is possible to additionally form an electron injection layer (EIL) on the electron transport layer (154).
전자 주입층(EIL)은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer (EIL) may be composed of metal-inorganic compounds such as, but not limited to, BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O, and BaO.
여기서, 본 발명의 실시예에 따라 그 구조가 한정되는 것은 아니며, 정공 주입층(151), 제 1 정공 수송층(152a), 제 2 정공 수송층(152b), 제 3 정공 수송층(153c), 전자 수송층(154) 중에서 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다. 또한, 정공 주입층(151), 제 1 정공 수송층(152a), 제 2 정공 수송층(152b), 제 3 정공 수송층(153c), 전자 수송층(154) 중 어느 하나를 두 개 이상의 층으로 형성하는 것도 가능하다.Here, the structure is not limited according to the embodiment of the present invention, and at least one of the hole injection layer (151), the first hole transport layer (152a), the second hole transport layer (152b), the third hole transport layer (153c), and the electron transport layer (154) may be omitted. In addition, it is also possible to form one of the hole injection layer (151), the first hole transport layer (152a), the second hole transport layer (152b), the third hole transport layer (153c), and the electron transport layer (154) as two or more layers.
제 2 전극(160)은 적색 서브 화소 영역(R), 녹색 서브 화소 영역(G) 및 청색 서브 화소 영역(B) 모두에 대응되도록 전자 수송층(154) 상에 배치된다. The second electrode (160) is placed on the electron transport layer (154) so as to correspond to all of the red sub-pixel region (R), the green sub-pixel region (G), and the blue sub-pixel region (B).
캡핑층(Capping layer)은 제 2 전극(160) 상에 배치될 수 있다. 캡핑층은 유기 발광 표시 장치의 광 추출 효과를 향상시키기 위한 것으로, 제 1 정공 수송층(152a), 전자 수송층(154), 적색 발광층(153a), 녹색 발광층(153b), 청색 발광층(153c)의 호스트 물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 또한 상기 캡핑층은 유기 발광 표시 장치(100)의 구조나 특성에 따라 생략하는 것이 가능하다.A capping layer may be disposed on the second electrode (160). The capping layer is intended to improve the light extraction effect of the organic light-emitting display device, and may be formed of any one of the host materials of the first hole transport layer (152a), the electron transport layer (154), the red light-emitting layer (153a), the green light-emitting layer (153b), and the blue light-emitting layer (153c). In addition, the capping layer may be omitted depending on the structure or characteristics of the organic light-emitting display device (100).
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 유기 발광층(153)은 적어도 하나의 인광 재료를 포함하여 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 유기 발광층(153)은 적색 서브 화소(R)에 위치하는 적색 광을 발광하기 위한 적색 발광층(153a), 녹색 서브 화소(G)에 위치하는 녹색 광을 발광하기 위한 녹색 발광층(153b), 청색 서브 화소(B)에 위치하는 청색 광을 발광하기 위한 청색 발광층(153c)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 적색 발광층(153a)이 인광 재료, 녹색 발광층(153b)과 청색 발광층(153c)은 형광 재료를 포함하거나, 적색 발광층(153a)과 녹색 발광층(153b)이 인광 재료를 포함하고, 청색 발광층(153c)이 형광 재료를 포함하거나, 또는 적색 발광층(153a), 녹색 발광층(153b) 및 청색 발광층(153c)이 모두 인광 재료를 포함할 수 있다. The organic light-emitting layer (153) of the organic light-emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention may be configured to include at least one phosphorescent material. More specifically, the organic light-emitting layer (153) may be configured to include a red light-emitting layer (153a) for emitting red light located in a red sub-pixel (R), a green light-emitting layer (153b) for emitting green light located in a green sub-pixel (G), and a blue light-emitting layer (153c) for emitting blue light located in a blue sub-pixel (B). Here, the red light-emitting layer (153a) may include a phosphorescent material, the green light-emitting layer (153b) and the blue light-emitting layer (153c) may include a fluorescent material, or the red light-emitting layer (153a) and the green light-emitting layer (153b) may include a phosphorescent material, and the blue light-emitting layer (153c) may include a fluorescent material, or the red light-emitting layer (153a), the green light-emitting layer (153b) and the blue light-emitting layer (153c) may all include a phosphorescent material.
그리고, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 TV, 모바일(Mobile), 테블릿 PC(Tablet PC), 모니터(Monitor), 노트북 컴퓨터(Laptop Computer), 차량용 표시 장치, 및 차량용 조명 장치 등을 포함한 표시 장치 등에 적용될 수 있다. 또는 웨어러블(wearable) 표시 장치, 폴더블(foldable) 표시 장치 및 롤러블(rollable) 표시 장치 등에도 적용될 수 있다.And, the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention can be applied to display devices including TVs, mobiles, tablet PCs, monitors, laptop computers, vehicle display devices, and vehicle lighting devices. Or, it can be applied to wearable display devices, foldable display devices, and rollable display devices.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 반사 휘도 측정 방법을 나타내는 도면이다. FIG. 3 is a drawing showing a method for measuring reflection luminance of an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 반사 휘도는 유기 발광 표시 장치(100)에서 400Knit의 광을 45도로 입사(도 3에서 입사광은 "X"로 표시)할 때, 여러 개의 반사광(Y) 중에서 반사각 30도에서 반사되는 반사광의 휘도를 말한다. 이 반사 휘도는 DMS803 장비로 측정된다. 이 장비를 이용하여 측정된 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)의 반사 휘도를 예로 들어서 설명하면, 반사 휘도는 400Knit에서 입사각 45도로 입사 시에 반사각 30도에서 300nit 이상이 된다. 반사 휘도가 300nit 이상이 될 경우, 외부광에 의한 반사로 유기 발광 표시 장치(100)의 좌우 시감 특성이 저하되는 문제가 발생한다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(100)의 외부광에 의한 반사를 최소화하기 위해서, 뱅크층은 외부로부터 투과된 광이 반사되지 않는 물질로 구성하여야 한다. 이에 본 명세서의 발명자는 뱅크층의 물질을 개선하기 위한 여러 실험을 진행하였다.Referring to FIG. 3, the reflection luminance refers to the luminance of the reflected light reflected at a reflection angle of 30 degrees among several reflected lights (Y) when 400 Knit light is incident at a 45 degree angle (in FIG. 3, the incident light is indicated as "X") on the organic light emitting display device (100). This reflection luminance is measured by the DMS803 equipment. Taking the reflection luminance of the organic light emitting display device (100) of FIG. 1 measured using this equipment as an example, the reflection luminance is 300 nit or more at a reflection angle of 30 degrees when 400 Knit is incident at an incident angle of 45 degrees. When the reflection luminance is 300 nit or more, the problem of the left and right visual characteristics of the organic light emitting display device (100) being deteriorated due to reflection by external light occurs. Therefore, in order to minimize reflection by external light of the organic light emitting display device (100), the bank layer must be composed of a material that does not reflect light transmitted from the outside. Accordingly, the inventor of this specification conducted several experiments to improve the material of the bank layer.
본 명세서의 발명자는 여러 실험을 통하여 외부광의 반사가 최소화되도록 뱅크층을 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 구성하였다. The inventor of the present invention, through several experiments, has formed the bank layer with a material containing black pigment so as to minimize reflection of external light.
즉, 도 1을 참조하여 설명한 것과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 경우, 박막 트랜지스터 상의 평탄화층(134)이 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 포함하도록 구성하고, 평탄화층(134)의 제 2 영역(R2) 상에 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 이루어진 뱅크층(145)을 포함하도록 구성하여, 유기 발광 표시 장치(100)에 입사되는 광의 입사각이 45도일 때 반사각 30도에서의 반사 휘도를 30nit 이하로 구성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기존 구조 대비 외부광에 의한 반사를 최소화하여 표면 반사 휘도를 저감함으로써 유기 발광 표시 장치의 야외 시인성을 향상시킬 수 있다.That is, as described with reference to FIG. 1, in the case of the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention, the planarization layer (134) on the thin film transistor is configured to include a first region (R1) having a first thickness (A) and a second region (R2) having a second thickness (B) greater than the first thickness (A), and a bank layer (145) made of a material including black pigment is configured on the second region (R2) of the planarization layer (134), so that when the incident angle of light incident on the organic light emitting display device (100) is 45 degrees, the reflection luminance at a reflection angle of 30 degrees can be configured to be 30 nits or less. Therefore, the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention can improve the outdoor visibility of the organic light emitting display device by minimizing reflection by external light compared to a conventional structure and reducing the surface reflection luminance.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a drawing showing a cross-sectional structure of an organic light-emitting display device according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)를 설명함에 있어서, 이전 설명한 실시예에서와 동일 또는 대응되는 구성 요소에 대한 중복되는 상세한 설명은 생략하거나 간단히 설명하기로 한다.In describing an organic light emitting display device (200) according to another embodiment of the present invention, redundant detailed descriptions of components identical or corresponding to those in the previously described embodiments will be omitted or briefly described.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 기판(210), 기판(210) 상에 위치하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 220) 및 제 1 전극(240)과 제 2 전극(260) 사이에 위치하고 복수의 유기물층과 유기 발광층(Organic Light Emitting Layer)을 포함하는 발광부(250)를 포함하여 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 4, an organic light emitting display device (200) according to another embodiment of the present invention is configured to include a substrate (210), a thin film transistor (220) positioned on the substrate (210), and a light emitting portion (250) positioned between a first electrode (240) and a second electrode (260) and including a plurality of organic layers and an organic light emitting layer.
기판(210) 상에는 기판(210) 및 외부로부터의 불순한 원소의 침투를 차단하고 상기 유기 발광 표시 장치(200)의 다양한 구성 요소들을 보호하기 위한 버퍼층(231)이 형성될 수 있다. A buffer layer (231) may be formed on the substrate (210) to block penetration of impure elements from the substrate (210) and the outside and to protect various components of the organic light-emitting display device (200).
버퍼층(231) 상에는 반도체층(222), 게이트 절연층(232), 게이트 전극(221), 층간 절연층(233), 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)을 포함하는 박막 트랜지스터(220)가 형성된다. 박막 트랜지스터(220) 상에는 보호층(270)이 형성된다. A thin film transistor (220) including a semiconductor layer (222), a gate insulating layer (232), a gate electrode (221), an interlayer insulating layer (233), a source electrode (223), and a drain electrode (224) is formed on a buffer layer (231). A protective layer (270) is formed on the thin film transistor (220).
보호층(270) 상에는 평탄화층(234)이 형성된다. 평탄화층(234)은 기판(210) 상의 박막 트랜지스터(220)와 같은 구성 요소들을 평탄화하는 기능을 한다. 예를 들어, 평탄화층(234)은 폴리이미드(Polyimide), 포토아크릴(Photo Acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. A planarization layer (234) is formed on the protective layer (270). The planarization layer (234) has a function of planarizing components such as a thin film transistor (220) on the substrate (210). For example, the planarization layer (234) may be made of polyimide, photo acryl, or benzocyclobutene (BCB), but is not limited thereto.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 평탄화층(234)은 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 상기 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 포함하여 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 4, a planarization layer (234) of an organic light-emitting display device (200) according to another embodiment of the present invention may include a first region (R1) having a first thickness (A) and a second region (R2) having a second thickness (B) greater than the first thickness (A).
즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 발광 영역(EA)과 비발광 영역(NEA)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 평탄화층(234)의 제 1 영역(R1)은 발광 영역(EA)에 대응되어 위치하고, 제 2 영역(R2)은 비발광 영역(NEA)에 대응되도록 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 평탄화층(234)은 제 1 영역(R1)에서 제 1 두께(A)를 가지며, 제 2 영역(R2)에서 제 2 두께(B)를 가지도록 형성되므로 평탄화층(234)은 발광 영역(EA)에서보다 비발광 영역(NEA)에서 더 두껍게 형성될 수 있다. 여기서, 평탄화층(234)의 제 2 영역(R2)은 유기 발광 표시 장치(200)의 발광 영역(EA)을 정의하는 제 1 뱅크층(234b)의 역할을 할 수 있다. That is, the organic light emitting display device (200) according to another embodiment of the present invention may include an emission area (EA) and a non-emission area (NEA), and the first area (R1) of the planarization layer (234) may be positioned to correspond to the emission area (EA), and the second area (R2) may be positioned to correspond to the non-emission area (NEA). More specifically, the planarization layer (234) is formed to have a first thickness (A) in the first area (R1) and a second thickness (B) in the second area (R2), so that the planarization layer (234) may be formed thicker in the non-emission area (NEA) than in the emission area (EA). Here, the second area (R2) of the planarization layer (234) may function as a first bank layer (234b) defining the emission area (EA) of the organic light emitting display device (200).
평탄화층(234) 상에 제 1 전극(240)이 형성된다. 제 1 전극(240)은 애노드(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 형성되어 발광부(150)의 유기 발광층으로 정공을 공급하는 역할을 한다. 제 1 전극(240)은 보호층(270)과 평탄화층(234)에 구비된 컨택홀(235)을 통해 박막 트랜지스터(220)와 전기적으로 연결될 수 있다.A first electrode (240) is formed on the planarization layer (234). The first electrode (240) may be an anode and is formed of a conductive material having a relatively large work function value to supply holes to the organic light-emitting layer of the light-emitting portion (150). The first electrode (240) may be electrically connected to the thin film transistor (220) through a contact hole (235) provided in the protective layer (270) and the planarization layer (234).
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 평탄화층(234)의 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2), 즉 제 1 뱅크층(234b) 상에 블랙 피그먼트(black pigment)를 포함하는 물질로 이루어진 제 2 뱅크층(245)을 포함하도록 구성될 수 있다. 즉, 제 2 뱅크층(245)을 형성하기 위한 포토 레지스트는 블랙 피그먼트(black pigment)가 포함된 물질로 구성될 수 있다. 상기 블랙 피그먼트는 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the organic light-emitting display device (200) may be configured to include a second region (R2) having a second thickness (B) of the planarization layer (234), that is, a second bank layer (245) made of a material including black pigment on the first bank layer (234b). That is, a photoresist for forming the second bank layer (245) may be made of a material including black pigment. The black pigment may be made of an organic material or an inorganic material.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 경우, 제 2 뱅크층(245)의 일부 영역 상에 있는 스페이서(246)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 스페이서(246)는 투명한 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 투명한 물질은 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(photo acryl) 및 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나일 수 있다.Referring to FIG. 4, in the case of an organic light emitting display device (200) according to another embodiment of the present invention, a spacer (246) may be further included on a portion of a second bank layer (245). The spacer (246) may be made of a transparent material, and the transparent material may be one of polyimide, photo acryl, and benzocyclobutene (BCB).
또한 상기 스페이서(246)는 외부광에 의한 반사를 저감하기 위해 제 2 뱅크층(245)과 동일하게 블랙 피그먼트(black pigment)를 포함하여 이루어질 수도 있다. 이러한 경우, 제 2 뱅크층(245)과 상기 스페이서(246)는 하프톤(halftone) 공정을 통해 동시에 패터닝되어 형성될 수 있다. 즉, 스페이서(246)가 제 2 뱅크층(245)과 동일한 물질로 구성되는 경우, 하프톤(halftone) 공정을 통해 제 2 뱅크층(245) 및 스페이서(246)를 동시에 형성할 수 있으므로 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.In addition, the spacer (246) may be formed by including black pigment, similarly to the second bank layer (245), in order to reduce reflection by external light. In this case, the second bank layer (245) and the spacer (246) may be simultaneously patterned and formed through a halftone process. That is, when the spacer (246) is formed of the same material as the second bank layer (245), the second bank layer (245) and the spacer (246) may be simultaneously formed through a halftone process, thereby simplifying the manufacturing process of the organic light-emitting display device.
제 1 전극(240), 제 1 뱅크층(234b), 제 2 뱅크층(245) 및 스페이서(246) 상에 발광부(250)가 형성된다. 발광부(250)는 필요에 따라 다양한 유기물층이 포함할 수 있으며, 또한 복수의 유기 발광층을 포함하여 구성될 수 있다. A light-emitting portion (250) is formed on the first electrode (240), the first bank layer (234b), the second bank layer (245), and the spacer (246). The light-emitting portion (250) may include various organic layers as needed, and may also be configured to include a plurality of organic light-emitting layers.
발광부(250) 상에 제 2 전극(260)이 형성된다. 제 2 전극(260)은 캐소드(cathode)일 수 있으며, 발광부의 유기 발광층으로 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질로 형성된다. A second electrode (260) is formed on the light-emitting portion (250). The second electrode (260) may be a cathode, and is formed of a conductive material with a low work function because it must supply electrons to the organic light-emitting layer of the light-emitting portion.
즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 박막 트랜지스터 상의 평탄화층(234)이 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 포함하여 이루어지고, 평탄화층(234)의 제 2 영역(R2) 상에 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 이루어진 제 2 뱅크층(245) 및 제 2 뱅크층(245) 상에 스페이서(246)를 포함하도록 구성되어, 기존 구조 대비 외부광에 의한 반사를 최소화하여 표면 반사 휘도를 저감함으로써 유기 발광 표시 장치의 야외 시인성을 향상시킬 수 있다. That is, an organic light-emitting display device (200) according to another embodiment of the present invention is configured such that a planarization layer (234) on a thin film transistor includes a first region (R1) having a first thickness (A) and a second region (R2) having a second thickness (B) greater than the first thickness (A), and includes a second bank layer (245) made of a material including a black pigment on the second region (R2) of the planarization layer (234) and a spacer (246) on the second bank layer (245), thereby minimizing reflection by external light compared to a conventional structure, thereby reducing surface reflection luminance, thereby improving outdoor visibility of the organic light-emitting display device.
그리고 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 하프톤(halftone) 공정을 통해서 평탄화층(134)을 형성하면서 동시에 제 1 뱅크층(134b)을 형성할 수 있다. 또한 제 2 뱅크층(245) 상의 스페이서(246)를 제 2 뱅크층(245)과 동일한 물질로 구성하는 경우, 하프톤(halftone) 공정을 통해 제 2 뱅크층(245) 및 스페이서(246)를 동시에 형성할 수 있으므로 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.And according to another embodiment of the present invention, the organic light emitting display device (200) can form the first bank layer (134b) while simultaneously forming the planarization layer (134) through a halftone process. In addition, when the spacer (246) on the second bank layer (245) is formed of the same material as the second bank layer (245), the second bank layer (245) and the spacer (246) can be formed simultaneously through a halftone process, thereby simplifying the manufacturing process of the organic light emitting display device.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIGS. 5A to 5E are drawings for explaining a method for manufacturing an organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 5a를 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(131)을 형성하고, 버퍼층(131) 상에 반도체층(122), 게이트 절연층(132), 게이트 전극(121), 층간 절연층(133), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함하는 박막 트랜지스터(120)를 형성한다. 또한 박막 트랜지스터(120) 상에 보호층(170)을 형성한다. Referring to FIG. 5a, a buffer layer (131) is formed on a substrate (110), and a thin film transistor (120) including a semiconductor layer (122), a gate insulating layer (132), a gate electrode (121), an interlayer insulating layer (133), a source electrode (123), and a drain electrode (124) is formed on the buffer layer (131). In addition, a protective layer (170) is formed on the thin film transistor (120).
다음으로 도 5b를 참조하면, 보호층(170) 상에 평탄화층(134)을 형성한다. 평탄화층(134)은 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 상기 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 가지도록 형성될 수 있다. Next, referring to FIG. 5b, a planarization layer (134) is formed on the protective layer (170). The planarization layer (134) can be formed to have a first region (R1) having a first thickness (A) and a second region (R2) having a second thickness (B) greater than the first thickness (A).
보다 구체적으로, 평탄화층(134)의 제 1 영역(R1)은 제 1 두께(A)를 가지며 발광 영역(EA)에 대응되도록 형성될 수 있고, 평탄화층(134)의 제 2 영역(R2)은 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 가지며 비발광 영역(NEA)에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 평탄화층(134)은 발광 영역(EA)에서보다 비발광 영역(NEA)에서 더 두껍게 형성될 수 있으며, 평탄화층(134)의 제 2 영역(R2)은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제 1 뱅크층(134b)일 수 있다.More specifically, the first region (R1) of the planarization layer (134) may be formed to have a first thickness (A) and correspond to the light-emitting area (EA), and the second region (R2) of the planarization layer (134) may be formed to have a second thickness (B) greater than the first thickness (A) and correspond to the non-light-emitting area (NEA). That is, the planarization layer (134) may be formed thicker in the non-light-emitting area (NEA) than in the light-emitting area (EA), and the second region (R2) of the planarization layer (134) may be the first bank layer (134b) of the organic light-emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention.
상기 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 상기 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 포함하는 평탄화층(134)은 하프톤 마스크(halftone mask)를 이용한 하프톤(halftone) 공정을 통해서 형성될 수 있다. 즉, 평탄화층(134)의 제 1 뱅크층(134b)은 평탄화층 영역(134a)과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 하프톤(halftone) 공정을 통해 동시에 패터닝되어 이루어질 수 있다.The planarization layer (134) including the first region (R1) having the first thickness (A) and the second region (R2) having the second thickness (B) greater than the first thickness (A) can be formed through a halftone process using a halftone mask. That is, the first bank layer (134b) of the planarization layer (134) can be formed of the same material in the same layer as the planarization layer region (134a), and can be simultaneously patterned through the halftone process.
다음으로 도 5c를 참조하면, 평탄화층(134)의 평탄화층 영역(134a) 영역과 제 1 뱅크층(134b)의 일부 영역 상에 제 1 전극(140)을 형성한다. 제 1 전극(140)은 보호층(170) 및 평탄화층(134)에 구비된 컨택홀(135)을 통해서 각 서브 화소의 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결된다. Next, referring to FIG. 5c, a first electrode (140) is formed on a portion of a planarization layer region (134a) of a planarization layer (134) and a portion of a first bank layer (134b). The first electrode (140) is electrically connected to a thin film transistor (120) of each sub-pixel through a contact hole (135) provided in a protective layer (170) and the planarization layer (134).
또한 제 1 전극(140)의 적어도 일부는 제 1 뱅크층(134b)의 경사면 상에 위치할 수 있다. 제 1 전극(140)의 적어도 일부를 제 1 뱅크층(134b)의 경사면 상에 위치시키는 경우, 기존 구조 대비 제 1 전극(140)의 폭(width)를 넓힐 수 있으며 유기 발광 표시 장치의 발광 영역(EA) 폭이 증가함으로써 유기 발광 표시 장치의 개구율이 향상될 수 있다.In addition, at least a part of the first electrode (140) may be positioned on the inclined surface of the first bank layer (134b). When at least a part of the first electrode (140) is positioned on the inclined surface of the first bank layer (134b), the width of the first electrode (140) may be expanded compared to the existing structure, and the width of the light-emitting area (EA) of the organic light-emitting display device may be increased, thereby improving the aperture ratio of the organic light-emitting display device.
다음으로 도 5d를 참조하면, 평탄화층(134)의 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2), 즉 제 1 뱅크층(134b) 상에 블랙 피그먼트(black pigment)를 포함하는 물질로 이루어진 제 2 뱅크층(145)을 형성한다. 제 2 뱅크층(145)이 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 구성됨으로써, 입사되는 광의 입사각이 45도일 때 반사각 30도에서의 반사 휘도는 30nit 이하로 구성할 수 있다. 따라서, 외부광에 의한 반사를 개선하여 반사 휘도가 감소될 수 있다. Next, referring to FIG. 5d, a second bank layer (145) made of a material including black pigment is formed on a second region (R2) having a second thickness (B) of a flattening layer (134), that is, on the first bank layer (134b). Since the second bank layer (145) is made of a material including black pigment, when the incident angle of the incident light is 45 degrees, the reflection luminance at a reflection angle of 30 degrees can be configured to be 30 nits or less. Therefore, reflection due to external light can be improved, and the reflection luminance can be reduced.
또한 복수층 구조의 뱅크층이 안정적으로 형성될 수 있도록 제 2 뱅크층(145)의 하단부의 폭은 평탄화층(134)의 제 1 뱅크층(134b)의 상단부의 폭보다 작게 형성될 수 있다.In addition, so that the multi-layer bank layer can be stably formed, the width of the lower part of the second bank layer (145) can be formed smaller than the width of the upper part of the first bank layer (134b) of the flattening layer (134).
다음으로 도 5e를 참조하면, 제 1 전극(140), 제 1 뱅크층(134b) 및 제 2 뱅크층(145) 상에 발광부(150)를 형성한다. 발광부(150)는 필요에 따라 다양한 유기물층이 포함할 수 있으며, 또한 복수의 유기 발광층을 포함하여 구성될 수 있다. 또한 발광부(150) 상에 제 2 전극(160)을 형성함으로써 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)가 제조된다. Next, referring to FIG. 5e, a light-emitting portion (150) is formed on the first electrode (140), the first bank layer (134b), and the second bank layer (145). The light-emitting portion (150) may include various organic layers as needed, and may also be configured to include a plurality of organic light-emitting layers. In addition, an organic light-emitting display device (100) according to an embodiment of the present invention is manufactured by forming a second electrode (160) on the light-emitting portion (150).
즉, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 박막 트랜지스터 상의 평탄화층(134)이 제 1 두께(A)를 갖는 제 1 영역(R1)과 제 1 두께(A)보다 큰 제 2 두께(B)를 갖는 제 2 영역(R2)을 포함하여 이루어지고, 평탄화층(134)의 제 2 영역(R2) 상에 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 이루어진 뱅크층(145)을 포함하도록 구성되어, 기존 구조 대비 외부광에 의한 반사를 최소화하여 표면 반사 휘도를 저감함으로써 유기 발광 표시 장치의 야외 시인성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 뱅크층이 박막 트랜지스터 상의 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 제 1 뱅크층과 제 1 뱅크층 상에 위치하고 블랙 피그먼트를 포함하는 제 2 뱅크층을 포함하도록 구성함으로써, 뱅크층의 광학 밀도를 향상시킬 수 있으므로, 외부광에 의한 반사를 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 제 1 전극(140)의 적어도 일부가 제 2 영역(R2)의 경사면 상에 위치하도록 형성되어 유기 발광 표시 장치(100)의 발광 영역(EA)의 폭을 증가시킴으로써 유기 발광 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다. 그리고 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 하프톤(halftone) 공정을 통해서 평탄화층(134)을 형성하면서 동시에 제 1 뱅크층(134b)을 형성할 수 있으므로 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.That is, the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention is configured such that the planarization layer (134) on the thin film transistor includes a first region (R1) having a first thickness (A) and a second region (R2) having a second thickness (B) greater than the first thickness (A), and includes a bank layer (145) made of a material including black pigment on the second region (R2) of the planarization layer (134), thereby minimizing reflection by external light compared to a conventional structure, thereby reducing surface reflection luminance, thereby improving the outdoor visibility of the organic light emitting display device. In addition, the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention is configured such that the bank layer includes a first bank layer made of the same material as the planarization layer on the thin film transistor and a second bank layer positioned on the first bank layer and including black pigment, thereby improving the optical density of the bank layer, thereby providing an organic light emitting display device capable of minimizing reflection by external light. In addition, the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention can improve the aperture ratio of the organic light emitting display device by increasing the width of the light emitting area (EA) of the organic light emitting display device (100) by forming at least a portion of the first electrode (140) so as to be positioned on the inclined surface of the second region (R2). In addition, the organic light emitting display device (100) according to the embodiment of the present invention can form the first bank layer (134b) while simultaneously forming the planarization layer (134) through a halftone process, thereby simplifying the manufacturing process of the organic light emitting display device.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 뱅크층이 박막 트랜지스터 상의 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 제 1 뱅크층과 제 1 뱅크층 상에 블랙 피그먼트를 포함하는 제 2 뱅크층을 포함하도록 구성함으로써, 외부광에 의한 반사를 최소화하여 표면 반사 휘도를 저감함으로써 유기 발광 표시 장치의 야외 시인성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the organic light-emitting display device according to the embodiment of the present invention can improve the outdoor visibility of the organic light-emitting display device by configuring the bank layer to include a first bank layer made of the same material as a planarization layer on a thin film transistor and a second bank layer including a black pigment on the first bank layer, thereby minimizing reflection by external light and reducing surface reflection luminance.
또한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 뱅크층이 박막 트랜지스터 상의 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 제 1 뱅크층과 제 1 뱅크층 상에 위치하고 블랙 피그먼트를 포함하는 제 2 뱅크층을 포함하도록 구성함으로써, 뱅크층의 광학 밀도를 향상시킬 수 있으므로, 외부광에 의한 반사를 최소화할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.In addition, the organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention can provide an organic light-emitting display device capable of minimizing reflection by external light by configuring the bank layer to include a first bank layer made of the same material as a planarization layer on a thin film transistor and a second bank layer positioned on the first bank layer and including black pigment, thereby improving the optical density of the bank layer.
또한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 전극의 적어도 일부를 제 1 뱅크층의 경사면 상에 형성할 수 있어 유기 발광 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다. In addition, the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention can form at least a part of the first electrode on an inclined surface of the first bank layer, thereby improving the aperture ratio of the organic light emitting display device.
또한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 뱅크층과 평탄화층을 하프톤(halftone) 공정을 통해 동시에 패터닝하여 형성함으로써 유기 발광 표시 장치의 공정을 단순화할 수 있다.In addition, the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention can simplify the process of forming the organic light emitting display device by simultaneously patterning the first bank layer and the planarization layer through a halftone process.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.An organic light emitting display device according to embodiments of the present invention can be described as follows.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상의 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화층과 제 1 뱅크층과 평탄화층 상에 있고, 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극과 제 1 뱅크층 상에 있는 제 2 뱅크층과 제 1 전극 상에 있는 유기물층과 유기 발광층을 포함하는 발광부 및 발광부 상에 있는 제 2 전극을 포함하고, 제 1 뱅크층은 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어지고, 제 2 뱅크층은 블랙 피그먼트를 포함함으로써, 서브 화소를 정의하는 뱅크층이 박막 트랜지스터 상의 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어진 제 1 뱅크층과 제 1 뱅크층 상에 블랙 피그먼트를 포함하는 제 2 뱅크층을 포함하도록 구성됨으로써, 외부광에 의한 반사를 최소화하여 표면 반사 휘도를 저감함으로써 유기 발광 표시 장치의 야외 시인성을 향상시킬 수 있다. 그리고 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 전극의 적어도 일부가 제 1 뱅크층의 경사면 상에 위치하도록 형성되어 유기 발광 표시 장치의 발광 영역의 폭이 증가하여 유기 발광 표시 장치의 개구율이 향상될 수 있다. 그리고 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 뱅크층과 평탄화층을 하프톤(halftone) 공정으로 동시에 패터닝하여 형성함으로써 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.An organic light-emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor on a substrate, a planarization layer covering the thin film transistor, a first bank layer, a first electrode on the planarization layer and connected to the thin film transistor, a second bank layer on the first bank layer, an organic layer on the first electrode, and an organic light-emitting layer, and a light-emitting portion including a second electrode on the light-emitting portion, wherein the first bank layer is formed of the same material as the planarization layer in a same layer as the planarization layer, and the second bank layer includes black pigment, so that a bank layer defining a sub-pixel includes the first bank layer formed of the same material as the planarization layer on the thin film transistor in a same layer as the planarization layer, and the second bank layer including black pigment on the first bank layer, thereby minimizing reflection by external light and reducing surface reflection luminance, thereby improving outdoor visibility of the organic light-emitting display device. And in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, at least a part of the first electrode is formed so as to be positioned on an inclined surface of the first bank layer, so that the width of the light emitting area of the organic light emitting display device increases, thereby improving the aperture ratio of the organic light emitting display device. In addition, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, the manufacturing process of the organic light emitting display device can be simplified by simultaneously patterning the first bank layer and the planarization layer using a halftone process.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제 1 뱅크층과 상기 평탄화층은 하프톤(halftone) 공정으로 동시에 형성될 수 있다. According to another feature of the present invention, the first bank layer and the planarization layer can be formed simultaneously by a halftone process.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 2 뱅크층의 광학 밀도(optical density)는 4 이하일 수 있다. According to another feature of the present invention, the optical density of the second bank layer can be 4 or less.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 뱅크층은 폴리이미드(polyimide), 포토 아크릴(photo acryl) 및 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나로 이루어질 수 있다. According to another feature of the present invention, the first bank layer can be made of one of polyimide, photo acryl, and benzocyclobutene (BCB).
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치에 입사되는 광의 입사각이 45도일 때 유기 발광 표시 장치의 반사각 30도에서의 반사 휘도는 30nit 이하일 수 있다. According to another feature of the present invention, when the incident angle of light incident on the organic light-emitting display device is 45 degrees, the reflection luminance of the organic light-emitting display device at a reflection angle of 30 degrees can be 30 nits or less.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 2 뱅크층의 하단부 폭은 제 1 뱅크층의 상단부의 폭보다 작을 수 있다. According to another feature of the present invention, the width of the lower portion of the second bank layer may be smaller than the width of the upper portion of the first bank layer.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 전극의 적어도 일부가 제 1 뱅크층의 경사면 상에 위치할 수 있다. According to another feature of the present invention, at least a portion of the first electrode can be positioned on an inclined surface of the first bank layer.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 2 뱅크층의 일부 영역 상에 있는 스페이서를 더 포함하며, 스페이서는 투명한 물질로 이루어질 수 있다. According to another feature of the present invention, the device further comprises a spacer on a portion of the second bank layer, wherein the spacer may be made of a transparent material.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 투명한 물질은 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나일 수 있다. According to another feature of the present invention, the transparent material may be one of polyimide, photo acryl, and benzocyclobutene (BCB).
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 2 뱅크층 상에 위치하고, 제 2 뱅크층과 동일한 물질로 이루어진 스페이서를 더 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, the second bank layer may further include a spacer positioned on the second bank layer and made of the same material as the second bank layer.
또한 다른 측면에서, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 발광층을 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터 상의 평탄화층이 제 1 두께를 갖는 제 1 영역과 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 갖는 제 2 영역을 포함하여 이루어지고, 평탄화층의 제 2 영역 상에 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 이루어진 뱅크층을 포함하도록 구성되어, 기존 구조 대비 외부광에 의한 반사를 최소화하여 표면 반사 휘도를 저감함으로써 유기 발광 표시 장치의 야외 시인성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제 1 전극의 적어도 일부가 평탄화층의 제 2 영역의 경사면 상에 위치하도록 형성되어 유기 발광 표시 장치의 발광 영역의 폭을 증가시킴으로써 유기 발광 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하프톤(halftone) 공정을 통해서 평탄화층을 형성하면서 동시에 제 1 뱅크층을 형성할 수 있으므로 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.In another aspect, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention including an organic light emitting layer between a first electrode and a second electrode is configured such that a planarization layer on a thin film transistor includes a first region having a first thickness and a second region having a second thickness greater than the first thickness, and a bank layer made of a material including black pigment is included on the second region of the planarization layer, thereby minimizing reflection by external light compared to a conventional structure, thereby reducing surface reflection luminance, thereby improving outdoor visibility of the organic light emitting display device. In addition, in the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, at least a portion of the first electrode is formed on an inclined surface of the second region of the planarization layer, thereby increasing the width of the light emitting region of the organic light emitting display device, thereby improving the aperture ratio of the organic light emitting display device. In addition, since the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention can form the first bank layer while simultaneously forming the planarization layer through a halftone process, the manufacturing process of the organic light emitting display device can be simplified.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 발광 영역과 비발광 영역을 포함하고, 제 1 영역은 발광 영역에 대응되어 위치하고, 제 2 영역은 비발광 영역에 대응되어 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the organic light emitting display device includes a light emitting region and a non-light emitting region, and the first region can be positioned corresponding to the light emitting region, and the second region can be positioned corresponding to the non-light emitting region.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화층은 폴리이미드(polyimide), 포토 아크릴(photo acryl) 및 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나로 이루질 수 있다.According to another feature of the present invention, the flattening layer can be made of one of polyimide, photo acryl, and benzocyclobutene (BCB).
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제 1 전극의 적어도 일부가 평탄화층의 제 2 영역의 경사면 상에 위치하여 기존 구조 대비 개구율이 향상될 수 있다.According to another feature of the present invention, at least a portion of the first electrode is positioned on an inclined surface of the second region of the flattening layer, so that the aperture ratio can be improved compared to the existing structure.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 뱅크층의 일부 영역 상에 있는 스페이서를 더 포함하며, 스페이서는 블랙 피그먼트를 포함하여 이루어질 수 있다.According to another feature of the present invention, the present invention further comprises a spacer on a portion of the bank layer, wherein the spacer may be formed by including a black pigment.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 뱅크층과 스페이서는 하프톤(halftone) 공정으로 동시에 형성될 수 있다.According to another feature of the present invention, the bank layer and the spacer can be formed simultaneously by a halftone process.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 뱅크층의 광학 밀도(optical density)는 4 이하일 수 있다.According to another feature of the present invention, the optical density of the bank layer can be 4 or less.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화층의 유전율은 7C/m2 이하일 수 있다.According to another feature of the present invention, the dielectric constant of the flattening layer can be 7C/m2 or less.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the attached drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made and implemented without departing from the technical idea of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to explain it, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all aspects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within a scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the rights of the present invention.
100: 유기 발광 표시 장치
110: 기판
120: 박막 트랜지스터
121: 게이트 전극
122: 반도체층
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
131: 버퍼층
132: 게이트 절연층
133: 층간 절연층
134: 평탄화층 및 제 1 뱅크층
135: 컨택홀
140: 제 1 전극
145: 제 2 뱅크층
150: 발광부
151: 정공 주입층
152: 정공 수송층
152a: 제 1 정공 수송층
152b: 제 2 정공 수송층
152c: 제 3 정공 수송층
153: 유기 발광층
153a: 적색 발광층
153b: 녹색 발광층
153c: 청색 발광층
154: 전자 수송층
160: 제 2 전극
170: 보호층
R: 적색 서브 화소 영역
G: 녹색 서브 화소 영역
B: 청색 서브 화소 영역100: Organic light emitting display device
110: Substrate
120: Thin film transistor
121: Gate electrode
122: Semiconductor layer
123: Source electrode
124: Drain electrode
131: Buffer layer
132: Gate insulation layer
133: Interlayer insulation layer
134: Flattening layer and first bank layer
135: Contact hole
140: 1st electrode
145: Second Bank Floor
150: Light source
151: Hole injection layer
152: Hole transport layer
152a: First hole transport layer
152b: Second hole transport layer
152c: 3rd hole transport layer
153: Organic light-emitting layer
153a: Red emitting layer
153b: Green luminescent layer
153c: Blue emitting layer
154: Electron transport layer
160: Second electrode
170: Protective layer
R: Red sub-pixel area
G: Green sub-pixel area
B: Blue sub-pixel area
Claims (20)
상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화층과 제 1 뱅크층;
상기 평탄화층 상에 있고, 상기 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극;
상기 제 1 뱅크층 상에 있는 제 2 뱅크층;
상기 제 1 전극 상에 있는 유기물층과 유기 발광층을 포함하는 발광부; 및
상기 발광부 상에 있는 제 2 전극을 포함하고,
상기 제 1 뱅크층은 상기 평탄화층과 동일한 층에서 동일한 물질로 이루어지고, 상기 제 2 뱅크층은 블랙 피그먼트를 포함하고,
상기 제 2 뱅크층의 일부 영역 상에 있는 스페이서를 더 포함하며,
상기 스페이서는 투명한 물질로 이루어지고,
상기 제 1 전극의 적어도 일부는 상기 제 1 뱅크층의 경사면 상에 위치하고,
상기 발광부는 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역 별로 서로 다른 두께를 갖는, 유기 발광 표시 장치.Thin film transistor on substrate;
A planarization layer and a first bank layer covering the above thin film transistor;
A first electrode on the above planarizing layer and connected to the thin film transistor;
A second bank layer on the first bank layer;
A light-emitting part including an organic layer and an organic light-emitting layer on the first electrode; and
Including a second electrode on the above light emitting portion,
The first bank layer is made of the same material as the flattening layer in the same layer, and the second bank layer includes black pigment.
Further comprising a spacer on a portion of the second bank layer,
The above spacer is made of a transparent material,
At least a portion of the first electrode is located on the inclined surface of the first bank layer,
An organic light emitting display device, wherein the light emitting portion has different thicknesses for each of a red sub-pixel area, a green sub-pixel area, and a blue sub-pixel area.
상기 제 1 뱅크층과 상기 평탄화층은 하프톤(halftone) 공정으로 동시에 형성되는 유기 발광 표시 장치.In paragraph 1,
An organic light emitting display device in which the first bank layer and the planarization layer are formed simultaneously by a halftone process.
상기 제 2 뱅크층의 광학 밀도(optical density)는 4 이하인 유기 발광 표시 장치.In paragraph 1,
An organic light-emitting display device wherein the optical density of the second bank layer is 4 or less.
상기 제 1 뱅크층은 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(photo acryl) 및 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나로 이루어진 유기 발광 표시 장치.In paragraph 1,
An organic light emitting display device wherein the first bank layer is made of one of polyimide, photo acryl, and benzocyclobutene (BCB).
상기 유기 발광 표시 장치에 입사되는 광의 입사각이 45도일 때 상기 유기 발광 표시 장치의 반사각 30도에서의 반사 휘도는 30nit 이하인 유기 발광 표시 장치.In paragraph 1,
An organic light-emitting display device, wherein when the incident angle of light incident on the organic light-emitting display device is 45 degrees, the reflection luminance of the organic light-emitting display device at a reflection angle of 30 degrees is 30 nits or less.
상기 제 2 뱅크층의 하단부 폭은 상기 제 1 뱅크층의 상단부의 폭보다 작은 유기 발광 표시 장치.In paragraph 1,
An organic light emitting display device, wherein the width of the lower portion of the second bank layer is smaller than the width of the upper portion of the first bank layer.
상기 투명한 물질은 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(photo acryl) 및 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나인 유기 발광 표시 장치.In paragraph 1,
An organic light emitting display device wherein the above transparent material is one of polyimide, photo acryl and benzocyclobutene (BCB).
상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상의 평탄화층; 및
블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 이루어진 뱅크층을 포함하고,
상기 평탄화층은 제 1 두께를 갖는 제 1 영역과 상기 제 1 두께보다 큰 제 2 두께를 갖는 제 2 영역을 포함하며,
상기 뱅크층은 상기 평탄화층의 상기 제 2 영역 상에 배치되도록 구성되고,
상기 뱅크층의 일부 영역 상의 스페이서를 더 포함하며,
상기 스페이서는 투명한 물질로 이루어지고,
상기 제 1 전극의 적어도 일부는 상기 평탄화층의 상기 제 2 영역의 경사면 상에 위치하고,
상기 유기 발광층은 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역 별로 서로 다른 두께를 갖는, 유기 발광 표시 장치.In an organic light-emitting display device including an organic light-emitting layer between a first electrode and a second electrode on a substrate,
A thin film transistor disposed on the above substrate;
a planarization layer on the thin film transistor; and
Comprising a bank layer made of a material containing black pigment,
The flattening layer includes a first region having a first thickness and a second region having a second thickness greater than the first thickness,
The above bank layer is configured to be placed on the second area of the above flattening layer,
Further including a spacer on some area of the above bank layer,
The above spacer is made of a transparent material,
At least a portion of the first electrode is positioned on the inclined surface of the second region of the flattening layer,
An organic light-emitting display device, wherein the organic light-emitting layer has different thicknesses for each of a red sub-pixel area, a green sub-pixel area, and a blue sub-pixel area.
상기 유기 발광 표시 장치는 발광 영역과 비발광 영역을 포함하고,
상기 제 1 영역은 상기 발광 영역에 대응되어 위치하고, 상기 제 2 영역은 상기 비발광 영역에 대응되어 위치하는 유기 발광 표시 장치.In Article 11,
The above organic light emitting display device includes a light emitting region and a non-light emitting region,
An organic light-emitting display device, wherein the first region is positioned corresponding to the light-emitting region, and the second region is positioned corresponding to the non-light-emitting region.
상기 평탄화층은 폴리이미드(polyimide), 포토 아크릴(photo acryl) 및 벤조사이클로부텐(BCB) 중 하나로 이루어진 유기 발광 표시 장치.In Article 12,
An organic light emitting display device wherein the above-mentioned planarizing layer is made of one of polyimide, photo acryl, and benzocyclobutene (BCB).
상기 뱅크층과 상기 스페이서는 하프톤(halftone) 공정으로 동시에 형성되는 유기 발광 표시 장치.In Article 11,
An organic light-emitting display device in which the above bank layer and the above spacer are formed simultaneously by a halftone process.
상기 뱅크층의 광학 밀도(optical density)는 4 이하인 유기 발광 표시 장치.In Article 11,
An organic light-emitting display device wherein the optical density of the above bank layer is 4 or less.
상기 평탄화층의 유전율은 7F/m 이하인 유기 발광 표시 장치.In Article 11,
An organic light-emitting display device wherein the dielectric constant of the above-mentioned flattening layer is 7 F/m or less.
상기 제 2 뱅크층은 상기 제 1 전극과 중첩하지 않는, 유기 발광 표시 장치. In paragraph 1,
An organic light emitting display device, wherein the second bank layer does not overlap with the first electrode.
상기 발광부는
적색 서브 화소 영역(R), 녹색 서브 화소 영역(G) 및 청색 서브 화소 영역(B) 모두에 대응되도록 상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 주입층;
상기 적색 서브 화소 영역(R), 상기 녹색 서브 화소 영역(G) 및 상기 청색 서브 화소 영역(B) 모두에 대응되도록 상기 정공 주입층 상에 배치된 제 1 정공 수송층;
상기 적색 서브 화소 영역(R)의 상기 제 1 정공 수송층 상에 배치된 제 2 정공 수송층;
상기 녹색 서브 화소 영역(G)의 상기 제 1 정공 수송층 상에 배치된 제 3 정공 수송층;
상기 제 2 정공 수송층 상에 배치된 적색 발광층;
상기 제 3 정공 수송층 상에 배치된 녹색 발광층;
상기 청색 서브 화소 영역(B)의 상기 제 1 정공 수송층 상에 배치된 청색 발광층; 및
상기 적색 서브 화소 영역(R), 상기 녹색 서브 화소 영역(G) 및 상기 청색 서브 화소 영역(B) 모두에 대응되도록 상기 적색 발광층, 상기 녹색 발광층 및 상기 청색 발광층 상에 배치된 전자 수송층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
In paragraph 1,
The above light emitting part
A hole injection layer disposed on the first electrode so as to correspond to all of the red sub-pixel region (R), the green sub-pixel region (G), and the blue sub-pixel region (B);
A first hole transport layer disposed on the hole injection layer so as to correspond to all of the red sub-pixel region (R), the green sub-pixel region (G), and the blue sub-pixel region (B);
A second hole transport layer disposed on the first hole transport layer of the red sub-pixel region (R);
A third hole transport layer disposed on the first hole transport layer of the green sub-pixel region (G);
A red light-emitting layer disposed on the second hole transport layer;
A green light-emitting layer disposed on the third hole transport layer;
A blue light-emitting layer disposed on the first hole transport layer of the blue sub-pixel region (B); and
An organic light emitting display device comprising an electron transport layer disposed on the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer so as to correspond to all of the red sub-pixel region (R), the green sub-pixel region (G), and the blue sub-pixel region (B).
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160094623A KR102703676B1 (en) | 2016-07-26 | 2016-07-26 | Organic light emitting display device |
US15/608,734 US10020351B2 (en) | 2016-06-24 | 2017-05-30 | Electroluminescence display device |
US16/005,526 US10367045B2 (en) | 2016-06-24 | 2018-06-11 | Electroluminescence display device |
KR1020240118669A KR20240134278A (en) | 2016-07-26 | 2024-09-02 | Organic light emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160094623A KR102703676B1 (en) | 2016-07-26 | 2016-07-26 | Organic light emitting display device |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020240118669A Division KR20240134278A (en) | 2016-07-26 | 2024-09-02 | Organic light emitting display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180011982A KR20180011982A (en) | 2018-02-05 |
KR102703676B1 true KR102703676B1 (en) | 2024-09-04 |
Family
ID=61224822
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160094623A KR102703676B1 (en) | 2016-06-24 | 2016-07-26 | Organic light emitting display device |
KR1020240118669A KR20240134278A (en) | 2016-07-26 | 2024-09-02 | Organic light emitting display device |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020240118669A KR20240134278A (en) | 2016-07-26 | 2024-09-02 | Organic light emitting display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR102703676B1 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102697871B1 (en) * | 2018-10-31 | 2024-08-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
US11882741B2 (en) | 2019-05-31 | 2024-01-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR20200138543A (en) | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and manufacturing method thereof |
KR20210010782A (en) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and manufacturing method thereof |
KR20210016230A (en) * | 2019-08-02 | 2021-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
KR20210101379A (en) | 2020-02-07 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | display device and electric apparatus |
KR20210149280A (en) | 2020-06-01 | 2021-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
KR20220078009A (en) | 2020-12-02 | 2022-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and Method of manufacturing of the display device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009212042A (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | Organic el element and method of manufacturing the same |
JP2009230990A (en) | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Casio Comput Co Ltd | Electroluminescence panel manufacturing method, and electroluminescence panel |
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JP2015103406A (en) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic EL display device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120019026A (en) * | 2010-08-24 | 2012-03-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting display device |
KR102064392B1 (en) * | 2013-06-04 | 2020-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic luminescence emitting display device and method for manufacturing the same |
-
2016
- 2016-07-26 KR KR1020160094623A patent/KR102703676B1/en active IP Right Grant
-
2024
- 2024-09-02 KR KR1020240118669A patent/KR20240134278A/en unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2015103406A (en) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic EL display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180011982A (en) | 2018-02-05 |
KR20240134278A (en) | 2024-09-09 |
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